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Description
[0065] 開示された実施形態の上記説明は、いかなる当業者もが、本開示の製造または使用を可能とするように提供されている。これらの実施形態への様々な修正は当業者に容易に明らかになり、本明細書で説明されている包括的な原則は、本開示の精神もしくは範囲から逸脱することなく他の実施形態に適用され得る。よって、本明細書で提示されている説明および図面は、本開示の目下好まれている実装を提示しており、それゆえ、本開示によって広く熟考される主題の代表的なものであることが、理解されるものである。本開示の範囲は、当業者にとって明らかになり得る他の実施形態を十分に包含し、従って、本開示の範囲は、添付の請求項以外の何物によっても限定されないことが、さらに理解される。
以下に、本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
インダクタ、第1の結合キャパシタ、および第2の結合キャパシタを有するタンク回路と、
前記第1の結合キャパシタおよび前記第2の結合キャパシタに電気的に結合されたバラクタ回路と、
第1のゲート、第1のドレイン、および第1のソースを有する第1のMOSデバイスと、前記第1のソースは、前記バラクタ回路に電気的に結合されており、
第2のゲート、第2のドレイン、および第2のソースを有する第2のMOSデバイスと、前記第2のソースは、前記第1のソースとは反対側で前記バラクタ回路に電気的に結合されており、
第1のバイアス電圧を受けるために、前記第1のドレインおよび前記第2のドレインに電気的に結合された第1の入力と、
第1のゲートバイアス電圧を受けるために、前記第1のゲートおよび前記第2のゲートに電気的に結合された第2の入力とを備える、周波数発振器。
[C2]
前記第1の結合キャパシタおよび前記インダクタに、電気的に結合された第1の粗調節キャパシタと、
前記第2の結合キャパシタおよび前記インダクタに、電気的に結合された第2の粗調節キャパシタと、
第3のゲート、第3のドレイン、および第3のソースを有する第3のMOSデバイスと、前記第3のドレインは、前記第1の粗調節キャパシタに電気的に結合されており、
第4のゲート、第4のドレイン、および第4のソースを有する第4のMOSデバイスと、前記第4のドレインは、前記第2の粗調節キャパシタに電気的に結合されており、
前記第3のソースおよび前記第4のソースに、電気的に結合された帯域制御入力と、 第2のゲートバイアス電圧を受けるために、前記第3のゲートおよび前記第4のゲートに、電気的に結合された第3の入力とをさらに備える、C1に記載の周波数発振器。
[C3]
前記帯域制御入力は、前記第3の入力に電気的に結合されている、C2に記載の周波数発振器。
[C4]
前記帯域制御入力および前記第3の入力は、少なくとも1つのバイアス電圧を受けるように構成され、前記少なくとも1つのバイアス電圧は、前記第3のMOSデバイスおよび前記第4のMOSデバイスを負にバイアスするように選択される、C2に記載の周波数発振器。
[C5]
スイッチゲート、スイッチドレイン、スイッチソースを有するスイッチをさらに備え、前記スイッチゲートは、前記帯域制御入力に電気的に結合され、前記スイッチドレインは、前記第1の粗調節キャパシタおよび前記第3のMOSデバイスに電気的に結合され、前記スイッチソースは、前記第2の粗調節キャパシタおよび前記第4のMOSデバイスに電気的に結合される、C2に記載の周波数発振器。
[C6]
前記第1の入力は、前記第2の入力に電気的に結合され、前記第1のゲートバイアス電圧は、前記第1のバイアス電圧に等しい、C1に記載の周波数発振器。
[C7]
前記第1のゲートは、前記第1のドレインに電気的に結合され、前記第2のゲートは、前記第2のドレインに電気的に結合される、C1に記載の周波数発振器。
[C8]
前記第1の入力および前記第2の入力は、少なくとも1つのバイアス電圧を受けるように構成され、前記少なくとも1つのバイアス電圧は、前記第1のMOSデバイスおよび前記第2のMOSデバイスを負にバイアスするように選択される、C1に記載の周波数発振器。
[C9]
前記第1のMOSデバイスおよび前記第2のMOSデバイスは、前記バラクタ回路をバイアスし、前記第1のMOSデバイスおよび前記第2のMOSデバイスの位相ノイズの、前記周波数発振器の出力の発振ピークへの寄与を隔離するように構成される、C1に記載の周波数発振器。
[C10]
可変容量回路と、
少なくとも1つのインダクタおよび少なくとも1つのキャパシタを有するタンク回路と、前記タンク回路は、前記可変容量回路に並列で電気的に結合され、
第1のゲート、第1のソース、および第1のドレインを有する第1のMOSデバイスと、前記第1のソースは、前記タンク回路および前記可変容量回路に電気的に結合され、 第2のゲート、第2のソース、および第2のドレインを有する第2のMOSデバイスと、前記第2のソースは、前記タンク回路および前記可変容量回路に電気的に結合され、 前記第1のドレインおよび前記第2のドレインに、電気的に結合され、第1のバイアス電圧を受けるように構成された第1の入力と、
前記第1のゲートおよび前記第2のゲートに電気的に結合された第2の入力と、前記第2の入力は、第1のゲートバイアス電圧を受けるように構成され、周波数発振器が動作中であるとき、前記第1のゲートバイアス電圧は、前記第1のMOSデバイスの第1のゲート−ソース電圧が、第1のしきい値電圧より低いままであるべく、前記第1のMOSデバイスをバイアスすることが可能であり、前記第2のMOSデバイスの第2のゲート−ソース電圧が、第2のしきい値電圧よりも低いままであるべく、前記第2のMOSデバイスをバイアスするように構成される、を備える周波数発振器。
[C11]
前記タンク回路に電気的に結合された第1の粗調節キャパシタおよび第2の粗調節キャパシタと、
第3のゲート、第3のソース、および第3のドレインを有する第3のMOSデバイスと、前記第3のソースは、前記第1の粗調節キャパシタに電気的に結合され、
第4のゲート、第4のソース、および第4のドレインを有する第4のMOSデバイスと、前記第4のソースは、前記第2の粗調節キャパシタに電気的に結合され、
前記第3のドレインおよび前記第4のドレインに、電気的に結合された帯域制御入力と、
第2のゲートバイアス電圧を受けるために、前記第3のゲートおよび前記第4のゲートに電気的に結合された第3の入力とをさらに備え、前記第2のゲートバイアス電圧は、第3のゲート−ソース電圧が、第3のしきい値電圧よりも低いままであるべく、前記第3のMOSデバイスをバイアスするように、また、第4のゲート−ソース電圧が、第4のしきい値電圧よりも低いままであるべく、前記第4のMOSデバイスをバイアスするように構成される、C10に記載の周波数発振器。
[C12]
前記帯域制御入力は、前記第3の入力に電気的に結合される、C11に記載の周波数発振器。
[C13]
前記第1の入力は、前記第2の入力に電気的に結合され、前記第1のゲートバイアス電圧は、前記第1のバイアス電圧に等しい、C10に記載の周波数発振器。
[C14]
前記第1のゲートは、前記第1のドレインに電気的に結合され、前記第2のゲートは、前記第2のドレインに電気的に結合される、C10に記載の周波数発振器。
[C15]
前記第1の入力および前記第2の入力は、少なくとも1つのバイアス電圧を受けるように構成され、前記少なくとも1つのバイアス電圧は、前記第1のMOSデバイスおよび前記第2のMOSデバイスを負にバイアスするために選択される、C10に記載の周波数発振器。
[C16]
バラクタ回路に電気的に結合されたタンク回路を使用して、発振出力を生成することと、
第1のMOSデバイスおよび第2のMOSデバイスを使用して、前記バラクタ回路をバイアスすることと、前記バラクタ回路は、前記第1のMOSデバイスの第1のソースに、および、前記第2のMOSデバイスの第2のソースに、電気的に結合され、
前記第1のMOSデバイスの第1のゲートにおいて、および、前記第2のMOSデバイスの第2のゲートにおいて、第1のゲートバイアス電圧で、前記第1のMOSデバイスおよび前記第2のMOSデバイスをバイアスすることと、
前記第1のMOSデバイスの第1の相互コンダクタンス、および前記第2のMOSデバイスの第2の相互コンダクタンスを、前記第1のバイアス電圧および前記第1のゲートバイアス電圧で、制御することとを備える、発振器回路をバイアスするための方法。
[C17]
前記タンク回路および帯域制御入力を使用してデジタルクロック信号を生成することと、前記タンク回路は、第1の粗調節キャパシタおよび第2の粗調節キャパシタに、電気的に結合され、
第3のMOSデバイスの第3のゲートにおいて、および第4のMOSデバイスの第4のゲートにおいて、第2のゲートバイアス電圧で、前記第3のMOSデバイスおよび前記第4のMOSデバイスをバイアスすることと、前記帯域制御入力は、前記第3のMOSデバイスの第3のソース、および前記第4のMOSデバイスの第4のソースに電気的に結合され、
前記帯域制御入力および前記第2のゲートバイアス電圧を使用して、前記第3のMOSデバイスの第3の相互コンダクタンス、および前記第4のMOSデバイスの第4の相互コンダクタンスを制御することとをさらに備える、C16に記載の方法。
[C18]
前記帯域制御入力を、前記第2のゲートバイアス電圧に、電気的に結合することをさらに備える、C17に記載の方法。
[C19]
前記第1のゲートバイアス電圧を、前記第1のバイアス電圧に、電気的に結合することをさらに備える、C16に記載の方法。
[C20]
前記第1のMOSデバイスの前記第1のゲートを、前記第1のMOSデバイスの第1のドレインに、電気的に結合することと、
前記第2のMOSデバイスの前記第2のゲートを、前記第2のMOSデバイスの第2のドレインに、電気的に結合することとをさらに備える、C16に記載の方法。
[C21]
共振周波数において、エネルギーを蓄積するための共振手段と、前記共振手段は、少なくとも1つのインダクタおよび少なくとも1つのキャパシタを有し、
第1の末端部および第2の末端部を有する可変容量手段と、前記第1の末端部および前記第2の末端部は、前記共振手段に電気的に結合され、
第1のゲート、第1のドレイン、および第1のソースを有する第1のトランジスタ手段と、前記第1のソースは、前記第1の末端部に電気的に結合され、
第2のゲート、第2のドレイン、および第2のソースを有する第2のトランジスタ手段と、前記第2のソースは、前記第2の末端部に電気的に結合され、
前記第1のドレインおよび前記第2のドレインに、電気的に結合された第1のバイアス手段と、
前記第1のゲートおよび前記第2のゲートに、電気的に結合された第2のバイアス手段とを備える、発振周波数を生成するための装置。
[C22]
前記可変容量手段は、前記第1の末端部および前記第2の末端部を有するバラクタ回路を備え、前記第1の末端部は、第1の結合キャパシタに電気的に結合され、前記第2の末端部は、第2の結合キャパシタに電気的に結合される、C21に記載の装置。
[C23]
第3のゲート、第3のソース、および第3のドレインを有する第3のトランジスタ手段と、前記第3のソースは、前記共振手段に電気的に結合され、
第4のゲート、第4のソース、および第4のドレインを有する第4のトランジスタ手段と、前記第4のソースは、前記共振手段に電気的に結合され、
前記第3のドレインおよび前記第4のドレインに、電気的に結合された帯域制御手段と、
第3のバイアス手段を受けるために、前記第3のゲートおよび前記第4のゲートに、電気的に結合された入力手段とをさらに備える、C21に記載の装置。
[C24]
前記第3のバイアス手段は、第3のゲート−ソース電圧が、第3のしきい値電圧よりも低いままであるべく、前記第3のトランジスタ手段をバイアスするように、また、第4のゲート−ソース電圧が、第4のしきい値電圧よりも低いままであるべく、前記第4のトランジスタ手段をバイアスするように構成される、C23に記載の装置。
[C25]
スイッチソース、スイッチドレイン、およびスイッチゲートを有するスイッチ手段をさらに備え、前記スイッチゲートは、前記帯域制御手段に電気的に結合され、前記スイッチドレインは、前記第3のトランジスタ手段および前記共振手段に電気的に結合され、前記スイッチソースは、前記第4のトランジスタ手段および前記共振手段に電気的に結合される、C23に記載の装置。
以下に、本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
インダクタ、第1の結合キャパシタ、および第2の結合キャパシタを有するタンク回路と、
前記第1の結合キャパシタおよび前記第2の結合キャパシタに電気的に結合されたバラクタ回路と、
第1のゲート、第1のドレイン、および第1のソースを有する第1のMOSデバイスと、前記第1のソースは、前記バラクタ回路に電気的に結合されており、
第2のゲート、第2のドレイン、および第2のソースを有する第2のMOSデバイスと、前記第2のソースは、前記第1のソースとは反対側で前記バラクタ回路に電気的に結合されており、
第1のバイアス電圧を受けるために、前記第1のドレインおよび前記第2のドレインに電気的に結合された第1の入力と、
第1のゲートバイアス電圧を受けるために、前記第1のゲートおよび前記第2のゲートに電気的に結合された第2の入力とを備える、周波数発振器。
[C2]
前記第1の結合キャパシタおよび前記インダクタに、電気的に結合された第1の粗調節キャパシタと、
前記第2の結合キャパシタおよび前記インダクタに、電気的に結合された第2の粗調節キャパシタと、
第3のゲート、第3のドレイン、および第3のソースを有する第3のMOSデバイスと、前記第3のドレインは、前記第1の粗調節キャパシタに電気的に結合されており、
第4のゲート、第4のドレイン、および第4のソースを有する第4のMOSデバイスと、前記第4のドレインは、前記第2の粗調節キャパシタに電気的に結合されており、
前記第3のソースおよび前記第4のソースに、電気的に結合された帯域制御入力と、 第2のゲートバイアス電圧を受けるために、前記第3のゲートおよび前記第4のゲートに、電気的に結合された第3の入力とをさらに備える、C1に記載の周波数発振器。
[C3]
前記帯域制御入力は、前記第3の入力に電気的に結合されている、C2に記載の周波数発振器。
[C4]
前記帯域制御入力および前記第3の入力は、少なくとも1つのバイアス電圧を受けるように構成され、前記少なくとも1つのバイアス電圧は、前記第3のMOSデバイスおよび前記第4のMOSデバイスを負にバイアスするように選択される、C2に記載の周波数発振器。
[C5]
スイッチゲート、スイッチドレイン、スイッチソースを有するスイッチをさらに備え、前記スイッチゲートは、前記帯域制御入力に電気的に結合され、前記スイッチドレインは、前記第1の粗調節キャパシタおよび前記第3のMOSデバイスに電気的に結合され、前記スイッチソースは、前記第2の粗調節キャパシタおよび前記第4のMOSデバイスに電気的に結合される、C2に記載の周波数発振器。
[C6]
前記第1の入力は、前記第2の入力に電気的に結合され、前記第1のゲートバイアス電圧は、前記第1のバイアス電圧に等しい、C1に記載の周波数発振器。
[C7]
前記第1のゲートは、前記第1のドレインに電気的に結合され、前記第2のゲートは、前記第2のドレインに電気的に結合される、C1に記載の周波数発振器。
[C8]
前記第1の入力および前記第2の入力は、少なくとも1つのバイアス電圧を受けるように構成され、前記少なくとも1つのバイアス電圧は、前記第1のMOSデバイスおよび前記第2のMOSデバイスを負にバイアスするように選択される、C1に記載の周波数発振器。
[C9]
前記第1のMOSデバイスおよび前記第2のMOSデバイスは、前記バラクタ回路をバイアスし、前記第1のMOSデバイスおよび前記第2のMOSデバイスの位相ノイズの、前記周波数発振器の出力の発振ピークへの寄与を隔離するように構成される、C1に記載の周波数発振器。
[C10]
可変容量回路と、
少なくとも1つのインダクタおよび少なくとも1つのキャパシタを有するタンク回路と、前記タンク回路は、前記可変容量回路に並列で電気的に結合され、
第1のゲート、第1のソース、および第1のドレインを有する第1のMOSデバイスと、前記第1のソースは、前記タンク回路および前記可変容量回路に電気的に結合され、 第2のゲート、第2のソース、および第2のドレインを有する第2のMOSデバイスと、前記第2のソースは、前記タンク回路および前記可変容量回路に電気的に結合され、 前記第1のドレインおよび前記第2のドレインに、電気的に結合され、第1のバイアス電圧を受けるように構成された第1の入力と、
前記第1のゲートおよび前記第2のゲートに電気的に結合された第2の入力と、前記第2の入力は、第1のゲートバイアス電圧を受けるように構成され、周波数発振器が動作中であるとき、前記第1のゲートバイアス電圧は、前記第1のMOSデバイスの第1のゲート−ソース電圧が、第1のしきい値電圧より低いままであるべく、前記第1のMOSデバイスをバイアスすることが可能であり、前記第2のMOSデバイスの第2のゲート−ソース電圧が、第2のしきい値電圧よりも低いままであるべく、前記第2のMOSデバイスをバイアスするように構成される、を備える周波数発振器。
[C11]
前記タンク回路に電気的に結合された第1の粗調節キャパシタおよび第2の粗調節キャパシタと、
第3のゲート、第3のソース、および第3のドレインを有する第3のMOSデバイスと、前記第3のソースは、前記第1の粗調節キャパシタに電気的に結合され、
第4のゲート、第4のソース、および第4のドレインを有する第4のMOSデバイスと、前記第4のソースは、前記第2の粗調節キャパシタに電気的に結合され、
前記第3のドレインおよび前記第4のドレインに、電気的に結合された帯域制御入力と、
第2のゲートバイアス電圧を受けるために、前記第3のゲートおよび前記第4のゲートに電気的に結合された第3の入力とをさらに備え、前記第2のゲートバイアス電圧は、第3のゲート−ソース電圧が、第3のしきい値電圧よりも低いままであるべく、前記第3のMOSデバイスをバイアスするように、また、第4のゲート−ソース電圧が、第4のしきい値電圧よりも低いままであるべく、前記第4のMOSデバイスをバイアスするように構成される、C10に記載の周波数発振器。
[C12]
前記帯域制御入力は、前記第3の入力に電気的に結合される、C11に記載の周波数発振器。
[C13]
前記第1の入力は、前記第2の入力に電気的に結合され、前記第1のゲートバイアス電圧は、前記第1のバイアス電圧に等しい、C10に記載の周波数発振器。
[C14]
前記第1のゲートは、前記第1のドレインに電気的に結合され、前記第2のゲートは、前記第2のドレインに電気的に結合される、C10に記載の周波数発振器。
[C15]
前記第1の入力および前記第2の入力は、少なくとも1つのバイアス電圧を受けるように構成され、前記少なくとも1つのバイアス電圧は、前記第1のMOSデバイスおよび前記第2のMOSデバイスを負にバイアスするために選択される、C10に記載の周波数発振器。
[C16]
バラクタ回路に電気的に結合されたタンク回路を使用して、発振出力を生成することと、
第1のMOSデバイスおよび第2のMOSデバイスを使用して、前記バラクタ回路をバイアスすることと、前記バラクタ回路は、前記第1のMOSデバイスの第1のソースに、および、前記第2のMOSデバイスの第2のソースに、電気的に結合され、
前記第1のMOSデバイスの第1のゲートにおいて、および、前記第2のMOSデバイスの第2のゲートにおいて、第1のゲートバイアス電圧で、前記第1のMOSデバイスおよび前記第2のMOSデバイスをバイアスすることと、
前記第1のMOSデバイスの第1の相互コンダクタンス、および前記第2のMOSデバイスの第2の相互コンダクタンスを、前記第1のバイアス電圧および前記第1のゲートバイアス電圧で、制御することとを備える、発振器回路をバイアスするための方法。
[C17]
前記タンク回路および帯域制御入力を使用してデジタルクロック信号を生成することと、前記タンク回路は、第1の粗調節キャパシタおよび第2の粗調節キャパシタに、電気的に結合され、
第3のMOSデバイスの第3のゲートにおいて、および第4のMOSデバイスの第4のゲートにおいて、第2のゲートバイアス電圧で、前記第3のMOSデバイスおよび前記第4のMOSデバイスをバイアスすることと、前記帯域制御入力は、前記第3のMOSデバイスの第3のソース、および前記第4のMOSデバイスの第4のソースに電気的に結合され、
前記帯域制御入力および前記第2のゲートバイアス電圧を使用して、前記第3のMOSデバイスの第3の相互コンダクタンス、および前記第4のMOSデバイスの第4の相互コンダクタンスを制御することとをさらに備える、C16に記載の方法。
[C18]
前記帯域制御入力を、前記第2のゲートバイアス電圧に、電気的に結合することをさらに備える、C17に記載の方法。
[C19]
前記第1のゲートバイアス電圧を、前記第1のバイアス電圧に、電気的に結合することをさらに備える、C16に記載の方法。
[C20]
前記第1のMOSデバイスの前記第1のゲートを、前記第1のMOSデバイスの第1のドレインに、電気的に結合することと、
前記第2のMOSデバイスの前記第2のゲートを、前記第2のMOSデバイスの第2のドレインに、電気的に結合することとをさらに備える、C16に記載の方法。
[C21]
共振周波数において、エネルギーを蓄積するための共振手段と、前記共振手段は、少なくとも1つのインダクタおよび少なくとも1つのキャパシタを有し、
第1の末端部および第2の末端部を有する可変容量手段と、前記第1の末端部および前記第2の末端部は、前記共振手段に電気的に結合され、
第1のゲート、第1のドレイン、および第1のソースを有する第1のトランジスタ手段と、前記第1のソースは、前記第1の末端部に電気的に結合され、
第2のゲート、第2のドレイン、および第2のソースを有する第2のトランジスタ手段と、前記第2のソースは、前記第2の末端部に電気的に結合され、
前記第1のドレインおよび前記第2のドレインに、電気的に結合された第1のバイアス手段と、
前記第1のゲートおよび前記第2のゲートに、電気的に結合された第2のバイアス手段とを備える、発振周波数を生成するための装置。
[C22]
前記可変容量手段は、前記第1の末端部および前記第2の末端部を有するバラクタ回路を備え、前記第1の末端部は、第1の結合キャパシタに電気的に結合され、前記第2の末端部は、第2の結合キャパシタに電気的に結合される、C21に記載の装置。
[C23]
第3のゲート、第3のソース、および第3のドレインを有する第3のトランジスタ手段と、前記第3のソースは、前記共振手段に電気的に結合され、
第4のゲート、第4のソース、および第4のドレインを有する第4のトランジスタ手段と、前記第4のソースは、前記共振手段に電気的に結合され、
前記第3のドレインおよび前記第4のドレインに、電気的に結合された帯域制御手段と、
第3のバイアス手段を受けるために、前記第3のゲートおよび前記第4のゲートに、電気的に結合された入力手段とをさらに備える、C21に記載の装置。
[C24]
前記第3のバイアス手段は、第3のゲート−ソース電圧が、第3のしきい値電圧よりも低いままであるべく、前記第3のトランジスタ手段をバイアスするように、また、第4のゲート−ソース電圧が、第4のしきい値電圧よりも低いままであるべく、前記第4のトランジスタ手段をバイアスするように構成される、C23に記載の装置。
[C25]
スイッチソース、スイッチドレイン、およびスイッチゲートを有するスイッチ手段をさらに備え、前記スイッチゲートは、前記帯域制御手段に電気的に結合され、前記スイッチドレインは、前記第3のトランジスタ手段および前記共振手段に電気的に結合され、前記スイッチソースは、前記第4のトランジスタ手段および前記共振手段に電気的に結合される、C23に記載の装置。
Claims (10)
- 調節電圧を受けるように動作可能な調節入力を有する可変容量回路と、
少なくとも1つのインダクタおよび少なくとも1つのキャパシタを有するタンク回路と、前記タンク回路は、前記可変容量回路に並列で電気的に結合され、
第1のゲート、第1のソース、および第1のドレインを有する第1のMOSデバイスと、前記第1のソースは、前記タンク回路および前記可変容量回路に電気的に結合され、
第2のゲート、第2のソース、および第2のドレインを有する第2のMOSデバイスと、前記第2のソースは、前記タンク回路および前記可変容量回路に電気的に結合され、
前記第1のドレインおよび前記第2のドレインに、電気的に結合され、第1のバイアス電圧を受けるように構成された第1の入力と、
前記第1のゲートおよび前記第2のゲートに電気的に結合された第2の入力と、前記第2の入力は、第1のゲートバイアス電圧を受けるように構成され、周波数発振器が動作中であるとき、前記第1のゲートバイアス電圧は、前記第1のMOSデバイスの第1のゲート−ソース電圧が、第1のしきい値電圧より低いままであるべく、前記第1のMOSデバイスをバイアスするように、また、前記第2のMOSデバイスの第2のゲート−ソース電圧が、第2のしきい値電圧よりも低いままであるべく、前記第2のMOSデバイスをバイアスするように動作可能である、を備える周波数発振器。 - 前記タンク回路に電気的に結合された第1の粗調節キャパシタおよび第2の粗調節キャパシタと、
第3のゲート、第3のソース、および第3のドレインを有する第3のMOSデバイスと、前記第3のソースは、前記第1の粗調節キャパシタに電気的に結合され、
第4のゲート、第4のソース、および第4のドレインを有する第4のMOSデバイスと、前記第4のソースは、前記第2の粗調節キャパシタに電気的に結合され、
前記第3のドレインおよび前記第4のドレインに、電気的に結合された帯域制御入力と、
第2のゲートバイアス電圧を受けるために、前記第3のゲートおよび前記第4のゲートに電気的に結合された第3の入力とをさらに備え、前記第2のゲートバイアス電圧は、第3のゲート−ソース電圧が、第3のしきい値電圧よりも低いままであるべく、前記第3のMOSデバイスをバイアスするように、また、第4のゲート−ソース電圧が、第4のしきい値電圧よりも低いままであるべく、前記第4のMOSデバイスをバイアスするように構成される、請求項1に記載の周波数発振器。 - 前記帯域制御入力は、前記第3の入力に電気的に結合される、請求項2に記載の周波数発振器。
- 前記第1の入力は、前記第2の入力に電気的に結合され、前記第1のゲートバイアス電圧は、前記第1のバイアス電圧に等しい、請求項1に記載の周波数発振器。
- 前記第1のゲートは、前記第1のドレインに電気的に結合され、前記第2のゲートは、前記第2のドレインに電気的に結合される、請求項1に記載の周波数発振器。
- 前記第1の入力および前記第2の入力は、少なくとも1つのバイアス電圧を受けるように構成され、前記少なくとも1つのバイアス電圧は、前記第1のMOSデバイスおよび前記第2のMOSデバイスを負にバイアスするために選択される、請求項1に記載の周波数発振器。
- バラクタ回路に電気的に結合されたタンク回路を使用して、発振出力を生成することと、
第1のしきい値電圧を有する第1のMOSデバイスおよび第2のしきい値電圧を有する第2のMOSデバイスを使用して、前記バラクタ回路をバイアスすることと、前記バラクタ回路は、前記第1のMOSデバイスの第1のソースに、および、前記第2のMOSデバイスの第2のソースに、電気的に結合され、
前記第1のMOSデバイスの第1のゲートにおいて、および、前記第2のMOSデバイスの第2のゲートにおいて、第1のゲートバイアス電圧で、前記第1のMOSデバイスおよび前記第2のMOSデバイスをバイアスすることと、
前記第1のMOSデバイスの第1の相互コンダクタンス、および前記第2のMOSデバイスの第2の相互コンダクタンスを、前記第1のバイアス電圧および第1のゲートバイアス電圧で、制御することとを備える、発振器回路をバイアスするための方法。 - 前記タンク回路および帯域制御入力を使用してデジタルクロック信号を生成することと、前記タンク回路は、第1の粗調節キャパシタおよび第2の粗調節キャパシタに、電気的に結合され、
第3のMOSデバイスの第3のゲートにおいて、および第4のMOSデバイスの第4のゲートにおいて、第2のゲートバイアス電圧で、前記第3のMOSデバイスおよび前記第4のMOSデバイスをバイアスすることと、前記帯域制御入力は、前記第3のMOSデバイスの第3のソース、および前記第4のMOSデバイスの第4のソースに電気的に結合され、
前記帯域制御入力および前記第2のゲートバイアス電圧を使用して、前記第3のMOSデバイスの第3の相互コンダクタンス、および前記第4のMOSデバイスの第4の相互コンダクタンスを制御することとをさらに備える、請求項7に記載の方法。 - 前記帯域制御入力を、前記第2のゲートバイアス電圧に、電気的に結合することをさらに備える、請求項8に記載の方法。
- 前記第1のゲートバイアス電圧を、前記第1のバイアス電圧に、電気的に結合することをさらに備える、請求項7に記載の方法。
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