JP2018506843A - 半導体検査及び度量衡用ラインスキャンナイフエッジ高さセンサ - Google Patents

半導体検査及び度量衡用ラインスキャンナイフエッジ高さセンサ Download PDF

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Abstract

本半導体検査及び度量衡システムは、ウェハから反射されてくる光を受光可能に構成されているナイフエッジミラーを有する。ナイフエッジミラーは、自ナイフエッジミラー上の反射膜が、ウェハから反射されてくる光のうち少なくとも幾ばくかを阻止する構成となるよう、ウェハから反射されてくる光の焦点に配置する。ウェハから反射されてくる光がアンダフォーカス又はオーバフォーカスしているときに、阻止される光の割合が変化する。少なくとも１個のセンサで、ウェハから反射されてくる光を受光する。光がアンダフォーカスしているのかそれともオーバフォーカスしているのかを、当該少なくとも１個のセンサからの示度を用い判別することができる。ウェハの表面上にある被照明領域の高さを、当該少なくとも１個のセンサからのそうした示度を用い判別することができる。

Description

本件開示は半導体ウェハの検査及び度量衡に関する。
（関連出願への相互参照）
本願は２０１４年１２月１７付米国暫定特許出願第６２／０９２８３６号に基づく優先権を主張する出願であり、この参照を以てその暫定出願の開示内容を本願に繰り入れることとする。
半導体産業では、シリコンウェハを対象とした三次元的（３Ｄ）な検査及び／又は度量衡学プロセスが必要とされている。そうした検査を使用することで、例えば、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）及びバンプ構造又は粒子形状（例．サイズ及び高さ）を調べることができる。典型的な検査又は度量衡技術としては（１）三角測量、（２）幾何陰影、（３）種々の共焦点顕微鏡技術及び（４）白色光（又は広帯域光）干渉計測がある。三角測量及び幾何陰影技術は十分に精密でないので、当今のバックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）アプリケーション向けでない。共焦点顕微及び干渉計測技術では、通常、スループット条件が充足されない。
白色光干渉計測は、３Ｄ検査及び度量衡向け高分解能手法たりうるものとして知られ、半導体産業にて既に使用されている。市場にはそうしたデバイスが二種類存している：（１）走査型白色光干渉計（ＳＷＩ）及び（２）分光型白色光干渉計である。ＳＷＩデバイスでは、サンプル（例．検査対象ウェハ）又は検査光学系を、ウェハ表面に対し垂直な方向例えばｚ方向に沿いある距離に亘り走査運動（スキャン）させる。そのｚ値を違え都合複数個のフレームを得ることで、ウェハ表面上の特定のｘ−ｙ位置に関し高さ計測値が求まる。こうしたＳＷＩデバイスは頑丈ではあるが総じて低速である。更には、この技術では計測実行前にサンプルを視野まで動かし安定化させる必要があることも、速度の制約となっている。同様に、現在の分光型白色光干渉計に係るスループットも、半導体産業向けとしては緩速である。
半導体検査及び度量衡プロセスでは、光学プローブ（ＯＰ）に関しオートフォーカス機構が使用されている。この技術では、焦点が所定位置にあるのか、前方にあるのかそれとも後方にあるのかを調べるためチョッパが使用される。光はこのチョッパを介してバイセルフォトディテクタに送られる。バイセルフォトディテクタ及びチョッパはロックインアンプと電子的に接続される。光が合焦している場合、チョッパからの参照信号と、バイセルフォトディテクタに備わる２個のチャネルからの信号と、の間の位相シフトは０になる。光がアンダフォーカス又はオーバフォーカスしている場合、一方のセルの位相が参照信号に対しそれぞれ負又は正方向にシフトし、他方のセルの位相がその逆の方向にシフトする。１００ｘの光学系でなら、本方法による検知及びサーボループで、合焦具合を２０ｎｍ以内の良好さで制御することができる。しかしながらチョッパ技術のスループットは緩速である。
特開２００２−０２２４１５号公報 特開昭５８−０６０４３３号公報
既存の三角測量及び幾何陰影技術では、通常、標的の構造高さが１０μｍ未満に縮んでいると、３Ｄ検査向けに必要な正確性及び精度を提供できない。共焦点及び干渉計測法は、往々にして、所要のスループットを提供できないか或いは高価すぎて３Ｄ検査に適さない。そのため、より秀逸な正確性、コスト及びスループットを提供しうる検査及び度量衡技術が求められている。
第１実施形態ではシステムが提供される。本システムは、光をもたらすよう構成されている光源と、その光源からの光を受光可能にウェハを保持するよう構成されているステージと、ナイフエッジミラーと、ウェハから反射されてくる光を受光するよう構成されているセンサと、を備える。ナイフエッジミラーは、ウェハから反射されてくる光を受光するよう構成する。ナイフエッジミラーは、いずれも自ナイフエッジミラー上に配されていてそれらにより反射膜・抗反射膜間境界が形成される反射膜及び抗反射膜を有する。ナイフエッジミラーは、その反射膜が、ウェハから反射されてくる光のうち少なくとも幾ばくかを阻止する構成となるよう、そのウェハから反射されてくる光の焦点に配置する。ナイフエッジミラーは、ウェハから反射されてくる光がアンダフォーカス又はオーバフォーカスしているときに、自ナイフエッジミラーによって阻止される光の割合が異なるよう、構成する。センサは、ウェハから反射されてくる光がアンダフォーカスしているのかそれともオーバフォーカスしているのかを検知する。
本システムは、光源からの光でウェハを照明するよう且つそのウェハから反射されてくる光を結合させるよう構成されている対物レンズを備えうる。
本システムは、センサと電気的に通信するプロセッサを備えうる。このプロセッサは、ウェハの表面上にある被照明領域の高さをそのウェハの通常時表面を基準にして判別するよう構成するとよい。
センサは２個のフォトダイオードを有しうる。それら２個のフォトダイオードは、ウェハから反射されてくる光がアンダフォーカス又はオーバフォーカスしているときに、そのウェハから反射されてくる光を別量で受光しうる。
センサは、バイセルフォトダイオードと、ウェハから反射されてくる光の２個の半部をそのバイセルフォトダイオード上へと屈折させるプリズムと、を有しうる。
本システムは、光が線状に整形されウェハ上に投射されるよう構成されている回折光学系を備えうる。そのセンサはフォトダイオードアレイを有しうる。
ナイフエッジミラーは、ウェハから反射されてくる光に対し非垂直角で配置されうる。そのセンサは２個のフォトダイオードを有しうる。本システムは、更に、そのウェハから反射されてきた光のうちナイフエッジミラーによって反射されたものを受光するよう構成されている、第２センサを備えうる。その第２センサは２個のフォトダイオードを有しうる。
ナイフエッジミラーは、ウェハから反射されてくる光に対し非垂直角で配置されうる。センサはバイセルフォトダイオードを有しうる。本システムは、更に、そのウェハから反射されてきた光のうちナイフエッジミラーによって反射されたものを受光するよう構成されている、第２センサを備えうる。その第２センサは第２バイセルフォトダイオードを有しうる。
ナイフエッジミラーは、ウェハから反射されてくる光に対し非垂直角で配置されうる。センサはバイセルフォトダイオードを有しうる。本システムは、更に、光が線状に整形されウェハ上に投射されるよう構成されている回折光学系と、ウェハから反射されてくる光の２個の半部をバイセルフォトダイオード上へと屈折させるよう構成されているプリズムと、ウェハから反射されてきた光のうちナイフエッジミラーにより反射されたものを受光するよう構成されている第２センサと、ウェハから反射されてきた光のうちナイフエッジミラーにより反射されたものの２個の半部を第２バイセルフォトダイオード上へと屈折させるよう構成されている第２プリズムと、を備えうる。第２センサは第２バイセルフォトダイオードを有しうる。
ナイフエッジミラーは、ウェハから反射されてくる光に対し非垂直角で配置されうる。第２センサは２個のフォトダイオードアレイを有しうる。本システムは、更に、光が線状に整形されウェハ上に投射されるよう構成されている回折光学系と、ウェハから反射されてきた光のうちナイフエッジミラーにより反射されたものを受光するよう構成されている第２センサと、を備えうる。その第２センサは２個のフォトダイオードアレイを有しうる。
ステージは、光源からの光を基準にしてウェハを走査運動させるよう構成されうる。
第２実施形態では方法が提供される。本方法は、ウェハの表面で光を反射させるステップと、ナイフエッジミラーにその光を通すステップと、ナイフエッジミラーからの光を少なくとも１個のセンサで受光するステップと、その光がアンダフォーカスしているのかそれともオーバフォーカスしているのかを上記少なくとも１個のセンサからの示度を用い判別するステップと、を有する。ナイフエッジミラーは、いずれも自ナイフエッジミラー上に配されていてそれらにより反射膜・抗反射膜間境界が形成される反射膜及び抗反射膜を有する。ナイフエッジミラーは、その反射膜がウェハから反射されてくる光のうち少なくとも幾ばくかを阻止する構成となるよう、且つそのウェハから反射されてくる光がアンダフォーカス又はオーバフォーカスしているときに自ナイフエッジミラーによって阻止される光の割合が異なるよう、そのウェハから反射されてくる光の焦点に配置する。
本方法は、更に、ウェハの表面上にある被照明領域の高さをそのウェハの通常時表面を基準にして判別するステップを有しうる。本方法は、更に、ウェハ上における欠陥の存否を判別するステップを有する。
ウェハは、光を基準にして走査運動させうる。
本方法は、更に、ナイフエッジミラーからの光を二量に分岐させるステップと、それらの量が等しいか否かを判別するステップと、を有しうる。
ウェハ上へと投射される光は線状に整形することができる。
光の一部分をナイフエッジミラーから第２センサへと反射させることができる。光がアンダフォーカスしているのかそれともオーバフォーカスしているのかを、第２センサからの示度を用い判別することができる。また、本方法は更に、ナイフエッジミラーから反射されてくる光を二量に分岐させるステップと、それらの量が等しいか否かを判別するステップと、を有しうる。
本件開示の性質及び目的をより満足に理解するには、後掲の詳細な説明と併せ以下の添付図面を参照すべきである。
本件開示に係り２個のフォトダイオードが使用されている実施形態を示す図である。 光が合焦しているときの図１のフォトダイオードに係る示度を示す図である。 光がアンダフォーカスしているときの図１のフォトダイオードに係る示度を示す図である。 光がオーバフォーカスしているときの図１のフォトダイオードに係る示度を示す図である。 本件開示の一実施形態に従いナイフエッジミラーを通過している光の模式図である。 本件開示に係りバイセルフォトダイオードが使用されている実施形態を示す図である。 光が合焦しているときの図６のバイセルフォトダイオードに係る示度を示す図である。 光がアンダフォーカスしているときの図６のバイセルフォトダイオードに係る示度を示す図である。 光がオーバフォーカスしているときの図６のバイセルフォトダイオードに係る示度を示す図である。 本件開示に係りフォトダイオードアレイが使用されている実施形態を示す図である。 光が合焦しているときの図１０のフォトダイオードアレイに係る示度を示す図である。 光がアンダフォーカスしているときの図１０のフォトダイオードアレイに係る示度を示す図である。 光がオーバフォーカスしているときの図１０のフォトダイオードアレイに係る示度を示す図である。 本件開示の一実施形態に従いナイフエッジミラーを通過している光の別の模式図である。 本件開示に係り４個のフォトダイオードが使用されている実施形態を示す図である。 光が合焦しているときの図１５のフォトダイオードに係る示度を示す図である。 光がアンダフォーカスしているときの図１５のフォトダイオードに係る示度を示す図である。 光がオーバフォーカスしているときの図１５のフォトダイオードに係る示度を示す図である。 本件開示に係り２個のバイセルフォトダイオードが使用されている実施形態を示す図である。 光が合焦しているときの図１９のバイセルフォトダイオードに係る示度を示す図である。 光がアンダフォーカスしているときの図１９のバイセルフォトダイオードに係る示度を示す図である。 光がオーバフォーカスしているときの図１９のバイセルフォトダイオードに係る示度を示す図である。 本件開示に係り４個のフォトダイオードアレイが使用されている実施形態を示す図である。 光が合焦しているときの図２３のフォトダイオードアレイに係る示度を示す図である。 光がアンダフォーカスしているときの図２３のフォトダイオードアレイに係る示度を示す図である。 光がオーバフォーカスしているときの図２３のフォトダイオードアレイに係る示度を示す図である。 本件開示に係り２個のフォトダイオードアレイが使用されている実施形態を示す図である。 光が合焦しているときの図２７のフォトダイオードアレイに係る示度を示す図である。 光がアンダフォーカスしているときの図２７のフォトダイオードアレイに係る示度を示す図である。 光がオーバフォーカスしているときの図２７のフォトダイオードアレイに係る示度を示す図である。 本件開示に係り２個のフォトダイオードアレイが使用されている別の実施形態を示す図である。 フォトダイオードアレイにおける像の再整形を示す模式図である。 光が合焦しているときの図３１のフォトダイオードアレイに係る示度を示す図である。 光がアンダフォーカスしているときの図３１のフォトダイオードアレイに係る示度を示す図である。 光がオーバフォーカスしているときの図３１のフォトダイオードアレイに係る示度を示す図である。 本件開示に係る方法のフローチャートである。
特許請求の範囲に記載の主題をある種の実施形態によって説明するが、他の実施形態、例えば本願にて説明されている長所及び特徴が全ては提供されない実施形態もまた、本件開示の技術的範囲内である。種々の構造的、論理的、処理ステップ的及び電子的変更を、本件開示の技術的範囲から離隔することなく実行することができる。従って、本件開示の技術的範囲は別項の特許請求の範囲に対する参照によってのみ画定される。
本願記載のシステム及び方法の諸実施形態では、焦点シフトに対する位相シフトの特性を使用しスループットが改善される。光が合焦しているのか、アンダフォーカスしているのかそれともオーバフォーカスしているのかを判別するためナイフエッジミラー（ＫＥＭ）が使用される。より多くの信号も使用しうるが、ｘ−ｙ点１個あたり２〜４個の信号のみで、ウェハ上にある反射点の高さを求めるに足りる。この構成は、既存技術に比べ頑丈、低コストであり且つ白色光干渉計測より高速となりうる。とりわけ３Ｄ検査及び度量衡については、本願記載のシステム及び方法の諸実施形態により、既存技術に比し良好なスループット、コスト及び正確性がもたらされる。例えば、ラインスキャン方式を用いる場合、スループットをチョッパ技術に比し幾桁もの大きさに高めることができる。
図１は２個のフォトダイオード１１５，１１６を用いる実施形態である。本システム１００は光源１０１を有しており、その光源１０１はある波長域スペクトラムを有する光１０２をもたらすよう構成されている。ある種の実施形態では、光源１０１が、白色光（即ち可視スペクトラムに属する広帯域光）をもたらすように、或いは部分的に又は完全に可視スペクトラム外にある光をもたらすように、構成されよう。ある例示実施形態では、光源１０１によりもたらされる光１０２が４００〜８００ｎｍの波長（λ）を含有する。
光源１０１としてはレーザ光源を使用することができ、ひいては分光法例えば白色光干渉計測及びクロマティック共焦点顕微に比し高い輝度を提供することができる。レーザ光源例えばダイオードレーザは、寿命、安定性、並びに光源の熱制御に秀でている。光源１０１は例えば可視ダイオードレーザにするとよい。
光１０２はソースピンホール１０３及びビームスプリッタ１０４の方へ投射され、図１に見られる如く光１０２がそこで二量に分岐される。次いで、光１０２は対物レンズ１０５例えば高倍率対物レンズ越しに投射される。光１０２は、その一部又は全てが、対物レンズ１０５を介し、サンプルのうち少なくとも照明点１０７に存する部分へと通過していく。サンプルとされうるのは例えばウェハ１０６である。照明点１０７における光１０２のスポットサイズは回折による制約を受けうる。
ウェハ１０６はステージ１１７上に配されており、そのステージ１１７はウェハ１０６を光１０２に対し位置決めしうるよう構成されている。ステージ１１７は固定させてもよいし、ｘ方向、ｙ方向及び／又はｚ方向に沿い走査運動可能であってもよい。ウェハ１０６は、例えば機械的及び／又は静電的クランピングによってステージ１１７に暫時クランプすることができる。例えば、光１０２又は対物レンズ１０５の軸に対し垂直な平面（例．ｘ−ｙ平面）内で、ステージ１１７によりウェハ１０６を並進させることができる。
ウェハ１０６からの反射光１０８は対物レンズ１０５及びＫＥＭ１０９を介し投射される。ＫＥＭ１０９は反射膜１１０及び抗反射膜１１１を有しており、これらはそのＫＥＭ１０９上に配されている。反射膜１１０・抗反射膜１１１間にはある境界がある。例えば、ＫＥＭ１０９の半分を抗反射膜１１１で覆い、またＫＥＭ１０９の半分を反射膜１１０で覆うとよい。反射膜１１０・抗反射膜１１１間境界は直線であり、その振る舞いはフーコーテストにおけるナイフエッジに類している。
ＫＥＭ１０９の反射膜１１０・抗反射膜１１１間境界は、ウェハ１０６の表面がその面の通常時ｚ位置にあるときには、焦点スポットの中葉にある反射光１０８の焦点に対しその位置が揃っている。フーコーテストでそうであるように、反射光１０８がＫＥＭ１０９内を通る際には、そのＫＥＭ１０９によって均一な透過光ビームがもたらされる。これにより、フォトダイオード１１５，１１６双方で平衡信号がもたらされる。
ＫＥＭ１０９を基準にした反射光１０８に係る焦点１１８については、図１中の挿入枠からより良好に看取することができる。ＫＥＭ１０９の反射膜１１０・抗反射膜１１１間境界がその焦点１１８（エアリーディスク）の中葉にあるので、透過ビームがそのビームに亘り均一な強度分布を呈するような形態で、反射膜１１０により反射光１０８が裁断される。
ＫＥＭ１０９を通過した反射光１０８は、その二側面に高反射被覆が備わるプリズム１１２によって二量に分岐され、各成分ビームが付加的なレンズ１１３，１１４のうち一方を介しフォトダイオード１１５，１１６のうち一方へと投射される。プリズム１１２は瞳面に配置するのが理想であり、必要ならリレーレンズを介し配置する。本実施形態にあってはレンズ１１３，１１４が必要ではなく、反射光１０８はプリズム１１２からフォトダイオード１１５，１１６のうち一方へと直に投射することができる。フォトダイオード１１５，１１６は、光−電子効率、時間応答及び電子増幅利得の面で同じ性能を呈するものにすることができる。
図２〜図４に、光が合焦しているとき、アンダフォーカスしているとき並びにオーバフォーカスしているときのそれぞれについて、図１のフォトダイオード１１５，１１６に係る示度を示す。光１０２はウェハ１０６の照明点１０７を照らしている。ＫＥＭ１０９が反射光１０８の焦点に位置している場合、図２から読み取れるように、ＫＥＭ１０９からの出射ビームが均一になるため、２個のフォトダイオード１１５，１１６によって平衡信号がもたらされるであろう。しかしながら、ウェハ１０６上の照明点１０７は、その変動等により、ウェハ１０６の表面に亘り異なる高さとなりうる。例えば、ウェハ１０６の表面又は内方にバンプ（こぶ）、スクラッチ（ひっかき傷）、未充填ビア又は欠陥が存しうる。これは、ＫＥＭ１０９を基準にした反射光１０８の焦点を変化させる。
ウェハの表面の高さが通常のｚ方向沿い設定値より大きくなる場合、図３に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９を越えたところになるため反射光１０８がアンダフォーカスとなる。この場合、フォトダイオード１１６へと出射される光がＫＥＭ１０９によって多めに阻止されるのに対しフォトダイオード１１５へのそれは少なめに阻止されるので、２個のフォトダイオード１１５，１１６によって不平衡信号がもたらされることとなろう。即ち、ＫＥＭ１０９からの出射ビームが均一でない。
ウェハの表面の高さが通常のｚ方向沿い設定値より小さくなる場合、図４に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９より手前になるため反射光１０８がオーバフォーカスとなる。この場合、同じ仕組みに従い、図３のアンダフォーカス例とは逆様の不平衡信号が、２個のフォトダイオード１１５，１１６によってもたらされることとなろう。
本システム１００によれば、ウェハ１０６上の被検知特徴がそのウェハ１０６の通常時表面より上方にあるのか下方にあるのかを、２個のフォトダイオード１１５，１１６の信号に従い弁別することができる。フォトダイオード１１５，１１６のどちらが多く受光しどちらが少なく受光しているのかを踏まえ、反射光１０８がアンダフォーカスしているのかそれともオーバフォーカスを判別することができる。即ち、フォトダイオード１１５，１１６が同量の反射光１０８を受光していない場合に、ウェハ１０６上の被検知特徴がそのそのウェハ１０６の通常時表面より上方にあるのか下方にあるのかを判別することができる。
図５は、照明点を基点にしＫＥＭ１０９を通過している光の模式図である。反射膜１１０（Ｒ＝１）は、エアリーディスクの中葉を通るようその境界を配置することで、反射光１０８が合焦しているのか、アンダフォーカスしているのかそれともオーバフォーカスしているのかによらず、ウェハからの反射光１０８の約半分が阻止されるように構成されている。反射光１０８が合焦しているのか、アンダフォーカスしているのかそれともオーバフォーカスしているのかによる違いはただ一つ、強度均一性が変化することである。抗反射膜１１１（Ｔ＝１）は、反射光１０８の一部が透過しうるように構成されている。ある例では、図５にて反射光１０８のビームスポット（破線で図示）により形成されているエアリーディスクの半分が、反射膜１１０によって阻止されることとなろう。
図６はバイセルフォトダイオード２０３を用いる実施形態である。バイセルフォトダイオード例えばバイセルフォトダイオード２０３は２個の能動フォトダイオード領域を有しており、それら能動フォトダイオード領域により光ビームの均一性を計測することができる。本システム２００では、反射光１０８の２個の半部がプリズム２０１によりバイセルフォトダイオード２０３上へと屈折される。それを付加的なレンズ２０２に通してもよい。ウェハ１０６に合焦しているときにはバイセルフォトダイオード２０３が平衡状態になろう。
図７〜図９に、光が合焦しているとき、アンダフォーカスしているとき及びオーバフォーカスしているときのそれぞれについて、図６のバイセルフォトダイオード２０３に係る示度を示す。ウェハ１０６の表面上に高低差があると反射光１０８の焦点が変化する。ＫＥＭ１０９が反射光１０８の焦点に存していると、図７に見られる如くＫＥＭ１０９からの出射ビームが均一となるため、バイセルフォトダイオード２０３によって平衡信号がもたらされることとなろう。ウェハの表面の高さがそのｚ方向沿い通常設定値より大きくなると、図８に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９を越えたところになるため反射光１０８がアンダフォーカスとなる。ウェハの表面の高さがそのｚ方向沿い通常設定値より小さくなると、図９に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９より手前になるため反射光１０８がオーバフォーカスとなる。本システム２００によれば、ウェハ１０６上の被検知特徴がそのウェハ１０６の通常時平面より上方にあるのか下方にあるのかを、バイセルフォトダイオード２０３の信号に従い弁別することができる。
図１０はフォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）３０３を用いる実施形態である。本システム３００では、ソーススリット３０４を用い光１０２を点状ではなく線状に整形している。このソーススリット３０４は、その第１寸法（例．ソーススリット３０４の“長さ”例えばｙ方向）が第２寸法（例．ソーススリット３０４の“幅”例えばｚ方向）に比べ実質的に大きいものとすることができる。ある種の例示実施形態ではソーススリット３０４が１ｍｍ〜５ｍｍ長とされよう。例えば、ある実施形態ではソーススリット３０４が３ｍｍ長とされる。他の長さにすることもできる。ソーススリット３０４の幅は、ソーススリット３０４を一次元的なものと見なせるよう全体的に十分小さな値とする。例えば、ソーススリット３０４の幅を、古典的な干渉計における点状ビームの直径に近い値にすることができる。例えば、ある種の実施形態ではソーススリット３０４が５μｍ〜３０μｍサイズとされよう。
また、光１０２がビームスプリッタ１０４又はソーススリット３０４上に入射するのに先立ち、その光１０２を点状ではなく線状に整形しうるよう、回折光学系（図示せず）を組み込んでもよい。照明線３０５はウェハ１０６上に入射する。ＫＥＭ１０９は、その縁が反射光１０８の線に対し平行になるよう位置揃えされる。ＫＥＭ１０９の境界は、ウェハ１０６に合焦しているのか、アンダフォーカスしているのかそれともオーバフォーカスしているのかによらず照明線３０５の線状像の半分が阻止されるよう、位置揃えされる。しかしながら、瞳面上の線の強度分布は、ウェハ１０６に合焦しているときに均一になろう。照明線３０５のスポットサイズは回折による制約を受けうる。
プリズム３０１は、反射光１０８の２個の半部を、レンズ３０２を介しＰＤＡ３０３上へと屈折させる。レンズ３０２は、ウェハ１０６上の照明線３０５に沿った空間分解能を提供するのに必要となりうる。ＰＤＡ例えばＰＤＡ３０３は、光ビームを検知可能な領域複数個からなるアレイを有している。ＰＤＡ３０３は、ウェハ１０６に合焦しているときに平衡することとなろう。照明線３０５上にありウェハ１０６を構成している点の中にそのウェハ１０６の通常時表面とは異なる高さを有する点がある場合、その点に対応する焦点がシフトし、ＰＤＡ３０３上の対応する画素にて不平衡信号が生じることとなろう。その高さは、ＰＤＡ３０３に備わる２個以上のフォトダイオードからの不平衡強度に基づき、例えば画素対画素様式にて、ＰＤＡ３０３からの信号から抽出することができる。ＰＤＡ３０３は、例えば、古典的なＰＤＡを２個横並びに整列させたものや、２×ｎ個の画素を有する他種ＰＤＡ（例．２個の行を有するＰＤＡ）とすることができる。ＰＤＡ３０３における画素の個数は変化させうる。
図１１〜図１３に、光が合焦しているとき、アンダフォーカスしているとき及びオーバフォーカスしているときのそれぞれについて、図１０のＰＤＡ３０３に係る示度を示す。ウェハ１０６の表面上に高低差があると反射光１０８の焦点が変化する。反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９に存していると、図１１に見られる如く、ＰＤＡ３０３によって平衡信号がもたらされることとなろう。ウェハの表面の高さがそのｚ方向沿い通常設定値より大きくなると、図１２に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９を越えたところになるため反射光１０８がアンダフォーカスとなる。ウェハの表面の高さがそのｚ方向沿い通常設定値より小さくなると、図１３に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９より手前となるため反射光１０８がオーバフォーカスとなる。本システム３００によれば、ウェハ１０６上の被検知特徴がウェハ１０６の通常時表面より上方にあるのか下方にあるのかを、ＰＤＡ３０３の信号に従い弁別することができる。
図１４は、照明線を基点としＫＥＭ１０９を通過している光の別の模式図であり、これには図５と同じ機構を使用することができる。反射膜１１０（Ｒ＝１）は、反射光１０８が合焦しているのか、アンダフォーカスしているのかそれともオーバフォーカスしているのかによらず、ウェハからの反射光１０８（破線で図示）の半分を阻止するよう、構成されている。抗反射膜１１１（Ｔ＝１）は、残りの反射光１０８を通過させうるよう構成されている。焦点スポットは、ビームが合焦しているとき、幾何学的な無限小点ではなく有限なサイズを有するもの（エアリーディスク）となる。ＫＥＭ１０９の境界では、常に、ビームの半分を反射し且つビームの半分を透過させる。焦点が変化したときの差はただ一つ、ＫＥＭ１０９からビームが出射される際の均一性の変化である。
図１５は、４個のフォトダイオード１１５，１１６，４０４，４０５を用いる実施形態である。本システム４００では、Ｒ＝１域から（即ち反射膜１１０から）出射されたビームセクションがプリズム４０１及び一方の付加的レンズ４０２，４０３を介しフォトダイオード４０４，４０５へと送給されるよう、ＫＥＭ１０９がある角度を以て傾けられている。ＫＥＭ１０９は、反射光１０８（例．反射光１０８の軸）に対し非垂直角となるよう傾けることができる。レンズ４０２，４０３は必要ではなく、プリズム４０１から一方のフォトダイオード４０４，４０５へと反射光１０８を直に投射させることが可能である。フォトダイオード４０４，４０５の信号によりもたらされる冗長且つ補足的な計測結果を用い、正確性及び精度を改善することができる。例えば、フォトダイオード１１５，１１６，４０４，４０５によって複数個の計測値を提供し、それらの平均を以て最終結果とすることができる。即ち、系統誤差が存している場合、その系統誤差を対称部分と非対称部分に分かち、最終計算で非対称部分を均し除けることができる。
図１６〜図１８に、光が合焦しているとき、アンダフォーカスしているとき及びオーバフォーカスしているときのそれぞれについて、図１５のフォトダイオード１１５，１１６，４０４，４０５に係る示度を示す。ウェハ１０６の表面上に高低差があると反射光１０８の焦点が変化する。反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９に存していると、図１６に見られる如く、フォトダイオード１１５，１１６，４０４，４０５により平衡信号がもたらされることとなろう。ウェハの表面の高さがそのｚ方向沿い通常設定値より大きくなると、図１７に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９を越えたところになるため反射光１０８がアンダフォーカスになる。ウェハの表面の高さがそのｚ方向沿い通常設定値より小さくなると、図１８に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９より手前になるため反射光１０８がオーバフォーカスになる。本システム４００によれば、ウェハ１０６上の被検知特徴がそのウェハ１０６の通常時表面より上方にあるのか下方にあるのかを、フォトダイオード１１５，１１６，４０４，４０５の信号に従い弁別することができる。
図１９は２個のバイセルフォトダイオード２０３，５０３を用いる実施形態である。本システム５００では、Ｒ＝１域から（即ち反射膜１１０から）出射されたビームセクションがプリズム５０１へと送給され、そのビームセクションの２個の半部がそのプリズム５０１によってバイセルフォトダイオード５０３上へと屈折されるよう、ＫＥＭ１０９が傾けられている。それに付加的なレンズ５０２を介在させてもよい。バイセルフォトダイオード５０３は、ウェハ１０６に合焦しているときに平衡状態になろう。バイセルフォトダイオード２０３，５０３の信号によってもたらされる冗長且つ補足的な計測結果を用い、正確性及び精度を改善することができる。
図２０〜図２２に、光が合焦しているとき、アンダフォーカスしているとき及びオーバフォーカスしているときのそれぞれについて、図１９のバイセルフォトダイオード２０３，５０３に係る示度を示す。ウェハ１０６の表面上に高低差があると反射光１０８の焦点が変化する。反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９に存していると、図２０に見られる如く、バイセルフォトダイオード２０３，５０３により平衡信号がもたらされることとなろう。ウェハの表面の高さがそのｚ方向沿い通常設定値より大きくなると、図２１に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９を越えたところになるため反射光１０８がアンダフォーカスとなる。ウェハの表面の高さがそのｚ方向沿い通常設定値より小さくなると、図２２に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９より手前になるため反射光１０８がオーバフォーカスとなる。本システム５００によれば、ウェハ１０６上の被検知特徴がウェハ１０６の通常時表面より上方にあるのか下方にあるのかを、バイセルフォトダイオード２０３，５０３の信号に従い弁別することができる。
図２３は４個のＰＤＡ６０４，６０５，６０９，６１０を用いる実施形態である。本システム６００では、ソーススリット３０４を用い、光１０２を点状ではなく線状に整形する。光１０２がビームスプリッタ１０４又はソーススリット３０４上に入射するのに先立ちその光１０２を点状ではなく線状に整形するため、回折光学系（図示せず）を組み込んでもよい。照明線３０５はウェハ１０６上に入射する。ＫＥＭ１０９は、その縁が反射光１０８の線に対し平行になるよう位置揃えされる。
プリズム６０１は、反射光１０８の２個の半部を２個のＰＤＡ６０４，６０５上へと屈折させる。レンズ６０２，６０３は、照明線３０５沿い空間分解能を提供すべくプリズム６０１とＰＤＡ６０４，６０５の間に配置されている。ＰＤＡ６０４，６０５は、ウェハ１０６に合焦しているときに平衡状態になろう。照明線３０５上にありウェハ１０６を構成している点の中にそのウェハ１０６の通常時表面とは異なる高さを有する点がある場合、その点に対応する焦点がシフトし、ＰＤＡ６０４，６０５上の対応する画素にて異なった不平衡信号が生じることとなろう。ＰＤＡ６０４，６０５からの信号は、各ＰＤＡ６０４，６０５に備わる２個のフォトダイオードからの不平衡強度信号に基づき、例えば画素対画素様式にて、抽出することができる。
本システム６００では、Ｒ＝１域から（即ち反射膜１１０から）出射されたビームセクションがプリズム６０６へと送給されるようＫＥＭ１０９が傾けられており、そのプリズム６０６によりそのビームセクションの２個の半部がＰＤＡ６０９，６１０上へと屈折されている。レンズ６０７，６０８は照明線３０５沿い空間分解能を提供する。ＰＤＡ６０９，６１０は、ウェハ１０６に合焦しているときに平衡状態になろう。ＰＤＡ６０９，６１０の信号によりもたらされる冗長且つ補足的な計測結果を用い、正確性及び精度を改善することができる。
図２４〜図２６に、光が合焦しているとき、アンダフォーカスしているとき及びオーバフォーカスしているときのそれぞれについて、図２３のＰＤＡ６０４，６０５，６０９，６１０に係る示度を示す。ウェハ１０６の表面上に高低差があると反射光１０８の焦点が変化する。反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９に存していると、図２４に見られる如く、ＰＤＡ６０４，６０５，６０９，６１０によって平衡信号がもたらされることとなろう。ウェハの表面の高さがそのｚ方向沿い通常設定値より大きくなると、図２５に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９を越えたところになるため反射光１０８がアンダフォーカスとなる。ウェハの表面の高さがそのｚ方向沿い通常設定値より小さくなると、図２６に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９より手前になるため反射光１０８がオーバフォーカスとなる。本システム６００によれば、ウェハ１０６上の被検知特徴がそのウェハ１０６の通常時平面より上方にあるのか下方にあるのかを、ＰＤＡ６０４，６０５，６０９，６１０の信号に従い弁別することができる。
図２７は２個のＰＤＡ３０３，７０３を用いる実施形態である。本システム７００では、Ｒ＝１域から（即ち反射膜１１０から）出射されたビームセクションがプリズム７０１へと送給され、そのビームセクションの２個の半部がそのプリズム７０１によってレンズ７０２越しにＰＤＡ７０３上へと屈折され、それにより照明線３０５沿い空間分解能が提供されるよう、ＫＥＭ１０９が傾けられている。ＰＤＡ７０３は、ウェハ１０６に合焦しているときに平衡状態になろう。ＰＤＡ７０３の信号によってもたらされる冗長的な計測結果を用い、正確性及び精度を改善することができる。
図２８〜図３０に、光が合焦しているとき、アンダフォーカスしているとき及びオーバフォーカスしているときのそれぞれについて、図２７のＰＤＡ３０３，７０３に係る示度を示す。ウェハ１０６の表面上に高低差があると反射光１０８の焦点が変化する。反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９に存していると、図２８に見られる如くＰＤＡ３０３，７０３によって平衡信号がもたらされることとなろう。ウェハの表面の高さがそのｚ方向沿い通常設定値より大きくなると、図２９に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９を越えたところになるため反射光１０８がアンダフォーカスとなる。ウェハの表面の高さがそのｚ方向沿い通常設定値より小さくなると、図３０に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９より手前になるため反射光１０８がオーバフォーカスとなる。本システム７００によれば、ウェハ１０６上の被検知特徴がそのウェハ１０６の通常時平面より上方にあるのか下方にあるのかを、ＰＤＡ３０３，７０３の信号に従い弁別することができる。
図３１は２個のＰＤＡ８０３，８０６を用いる別の実施形態である。反射光１０８はプリズム８０１へと送給され、ビームセクションの２個の半部がそのプリズム８０１によってレンズ８０２越しにＰＤＡ８０３上へと屈折され、それにより照明線３０５沿い空間分解能が提供されている。ＰＤＡ８０３は、ウェハ１０６に合焦しているときに平衡状態になろう。
本システム８００では、Ｒ＝１域から（即ち反射膜１１０から）出射されたビームセクションがプリズム８０４へと送給されるようＫＥＭ１０９が傾けられており、そのプリズム８０４によりそのビームセクションの２個の半部がＰＤＡ８０６上へと屈折されている。これに付加的なレンズ８０５を介在させてもよい。ＰＤＡ８０６は、ウェハ１０６に合焦しているときに平衡状態になろう。ＰＤＡ８０６の信号によりもたらされる冗長且つ補足的な計測結果を用い、正確性及び精度を改善することができる。
ＰＤＡ８０３，８０６は図３２中のＰＤＡ８０７の如く構成するとよい。ＫＥＭから出射される線の像は、その線像の左半分及び右半分が図３２に示す如くスティッチされるよう、ビームスティッチ技術によって更に再整形することができる。線像の左半分と右半分との間の違いを、同じＰＤＡ８０７で同時に検知することができる。即ち、２個のＰＤＡ８０８，８０９の動作を１個のＰＤＡ８０７により実行することができる。これにより、より正確な結果が得られよう。
図３３〜図３５に、光が合焦しているとき、アンダフォーカスしているとき及びオーバフォーカスしているときのそれぞれについて、図３１のＰＤＡ８０３，８０６に係る示度を示す。ウェハ１０６の表面上に高低差があると反射光１０８の焦点が変化する。反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９に存していると、図３３に見られる如くＰＤＡ８０３，８０６によって平衡信号がもたらされることとなろう。ウェハの表面の高さがそのｚ方向沿い通常設定値より大きくなると、図３４に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９を越えたところになるため反射光１０８がアンダフォーカスとなる。ウェハの表面の高さがそのｚ方向沿い通常設定値より小さくなると、図３５に見られる如く、反射光１０８の焦点がＫＥＭ１０９より手前になるため反射光１０８がオーバフォーカスとなる。本システム８００によれば、ウェハ１０６上の被検知特徴がそのウェハ１０６の通常時平面より上方にあるのか下方にあるのかを、ＰＤＡ８０３，８０６の信号に従い弁別することができる。
図３６は一方法のフローチャートである。９００では、光がウェハ例えばウェハ１０６の表面で反射される。９０１ではその反射光がＫＥＭを通過する。９０２では、ＫＥＭからの反射光が少なくとも１個のセンサによって受光される。９０３では、その光がアンダフォーカスしているのかそれともオーバフォーカスしているのかが、当該少なくとも１個のセンサからの示度を用い判別される。アンダフォーカスかそれともオーバフォーカスかに関する判別結果を用い、ウェハの表面の高さを判別すること又はウェハの表面上に欠陥が存しているか否かを判別することができる。
本願記載のセンサ（例．フォトダイオード、バイセルフォトダイオード、ＰＤＡ）については、そのうち幾つか又は全てをコントローラに電子的に接続することができる。そのコントローラには、プロセッサと、そのプロセッサと電子的に通信しうる電子格納デバイスと、同プロセッサと電子的に通信しうる通信ポートとを具備させうる。このプロセッサは、それらセンサから例えば電子的接続を介し示度を受け取ることができる。プロセッサは、それらセンサからの示度を用い、ウェハ表面の被照明領域（例．点又は線）の高さを判別しうるよう又はウェハ表面の表面若しくは内方に欠陥が存しているか否かを判別しうるよう、構成することができる。
ウェハは、本願記載の諸実施形態に備わるステージを用い、光に対しｘ方向及び／又はｙ方向沿いに走査運動させることができる。これにより、そのウェハの表面のうちあるエリアについての表面トポグラフィ情報がもたらされうる。例えば、パッチ像、フルウェハ検査、或いはバンプ高さ検査に望ましい点が、そのエリアとされうる。
注記すべきことに、本願記載の諸実施形態ではｚ方向沿い走査無しでウェハの表面高さプロファイルを判別可能だが、ステージを他目的でｚ方向沿いに動かせるようにしてもよい。
本願記載のシステムの諸実施形態については校正が必要かもしれない。校正には、既知の高低差に対する相対的な信号差分（例．画像の総和に対するそれら画像の差分の比）の関係についての判別が含まれうる。
レーザ光源に対する給電は例えば変調又はパルス化を通じ制御することができ、それによりストロービングが可能となる。例えば、本願記載の諸実施形態の動作中に、光学系を固定例えば静止保持することができ、またウェハを照明線に直交する方向に沿いＰＤＡ読出タイマに同期して動かすことができる。ステージ例えばステージ１１７の動きによるぼけをストロービングによって減らせるため、ストロービング技術、例えばレーザを変調すること及びそのレーザをＰＤＡの示度と同期させることによって引き起こされるそれによって、更に、空間的改善をもたらすことができる。
本願記載のシステムの諸実施形態は、ウェハの検査又は度量衡に使用することができる。ウェハ表面の高さ、或いはウェハ表面上又は内方における欠陥の存否を、半導体製造中のフィードバックとして使用することができる。
本願記載のシステムの諸実施形態では、複数個ある設計パラメタを最適化することができる。例えば、高さ感度は焦点深度に関わるものであり、対物系の数値開口（ＮＡ）の二乗に反比例する。多くの用途で０．２５超のＮＡが必要とされるところ、比較的高ＮＡの調整が可能である。通常、高ＮＡ対物系では狭めの視野がもたらされ、ひいては高めの空間（ｘ及びｙ）分解能及び遅めの動作がもたらされる。
１個又は複数個の具体的実施形態との関連で本件開示について記述してきたが、ご理解頂けるように、本件開示の技術的範囲から離隔することなく本件開示の他の実施形態をなすことができる。従って、本件開示は、別項の特許請求の範囲及びそれについての理のある解釈によってのみ限定されるものと認められる。

Claims (20)

  1. 光をもたらすよう構成されている光源と、
    上記光源からの光を受光可能にウェハを保持するよう構成されているステージと、
    上記ウェハから反射されてくる光を受光しうるよう構成されているナイフエッジミラーであり、いずれも自ナイフエッジミラー上に配されていてそれらにより反射膜・抗反射膜間境界が形成される反射膜及び抗反射膜を有するナイフエッジミラーであり、その反射膜が上記ウェハから反射されてくる光のうち少なくとも幾ばくかを阻止する構成となるようそのウェハから反射されてくる光の焦点に配置されているナイフエッジミラーであり、上記ウェハから反射されてくる光がアンダフォーカス又はオーバフォーカスしているときに自ナイフエッジミラーによって阻止される光の割合が異なるよう構成されているナイフエッジミラーと、
    上記ウェハから反射されてくる光を受光するよう構成されており、そのウェハから反射されてくる光がアンダフォーカスしているのかそれともオーバフォーカスしているのかを検知するセンサと、
    を備えるシステム。
  2. 請求項１記載のシステムであって、更に、上記光源からの光で上記ウェハを照明するよう且つそのウェハから反射されてくる光を結合させるよう構成されている対物レンズを備えるシステム。
  3. 請求項１記載のシステムであって、更に、上記センサと電気的に通信するプロセッサを備え、そのプロセッサが、上記ウェハの表面上にある被照明領域の高さをそのウェハの通常時表面を基準にして判別するよう構成されているシステム。
  4. 請求項１記載のシステムであって、上記センサが２個のフォトダイオードを有し、それら２個のフォトダイオードが、上記ウェハから反射されてくる光がアンダフォーカス又はオーバフォーカスしているときに、そのウェハから反射されてくる光を、異なる量受光するシステム。
  5. 請求項１記載のシステムであって、上記センサがバイセルフォトダイオードを有し、更に、上記ウェハから反射されてくる光の２個の半部をそのバイセルフォトダイオード上へと屈折させるプリズムを備えるシステム。
  6. 請求項１記載のシステムであって、更に、上記光が線状に整形されウェハ上に投射されるよう構成されている回折光学系を備え、上記センサがフォトダイオードアレイを有するシステム。
  7. 請求項１記載のシステムであって、上記ナイフエッジミラーが、上記ウェハから反射されてくる光に対し非垂直角で配置されており、上記センサが２個のフォトダイオードを有し、更に、そのウェハから反射されてきた光のうちナイフエッジミラーによって反射されたものを受光するよう構成されている第２センサを備え、その第２センサが２個のフォトダイオードを有するシステム。
  8. 請求項１記載のシステムであって、上記ナイフエッジミラーが、上記ウェハから反射されてくる光に対し非垂直角で配置されており、上記センサがバイセルフォトダイオードを有し、更に、そのウェハから反射されてきた光のうちナイフエッジミラーによって反射されたものを受光するよう構成されている第２センサを備え、その第２センサが第２バイセルフォトダイオードを有するシステム。
  9. 請求項１記載のシステムであって、上記ナイフエッジミラーが、上記ウェハから反射されてくる光に対し非垂直角で配置されており、上記センサがバイセルフォトダイオードを有し、更に、
    上記光が線状に整形されウェハ上に投射されるよう構成されている回折光学系と、
    上記ウェハから反射されてくる光の２個の半部を上記バイセルフォトダイオード上へと屈折させるよう構成されているプリズムと、
    上記ウェハから反射されてきた光のうち上記ナイフエッジミラーにより反射されたものを受光するよう構成されており、第２バイセルフォトダイオードを有している第２センサと、
    上記ウェハから反射されてきた光のうち上記ナイフエッジミラーにより反射されたものの２個の半部を上記第２バイセルフォトダイオード上へと屈折させるよう構成されている第２プリズムと、
    を備えるシステム。
  10. 請求項１記載のシステムであって、上記ナイフエッジミラーが、上記ウェハから反射されてくる光に対し非垂直角で配置されており、上記センサが２個のフォトダイオードアレイを有し、更に、
    上記光が線状に整形されウェハ上に投射されるよう構成されている回折光学系と、
    上記ウェハから反射されてきた光のうち上記ナイフエッジミラーにより反射されたものを受光するよう構成されており、２個のフォトダイオードアレイを有している第２センサと、
    を備えるシステム。
  11. 請求項１記載のシステムであって、上記ステージが、上記光源からの光を基準にして上記ウェハを走査運動(scan)させるよう構成されているシステム。
  12. ウェハの表面で光を反射させるステップと、
    ナイフエッジミラーに光を通すステップであり、そのナイフエッジミラーが、いずれも自ナイフエッジミラー上に配されていてそれらにより反射膜・抗反射膜間境界が形成される反射膜及び抗反射膜を有し、そのナイフエッジミラーが、その反射膜が上記ウェハから反射されてくる光のうち少なくとも幾ばくかを阻止する構成となるよう且つそのウェハから反射されてくる光がアンダフォーカス又はオーバフォーカスしているときに自ナイフエッジミラーによって阻止される光の割合が異なるよう、そのウェハから反射されてくる光の焦点に配置されているステップと、
    上記ナイフエッジミラーからの光を少なくとも１個のセンサで受光するステップと、
    その光がアンダフォーカスしているのかそれともオーバフォーカスしているのかを上記少なくとも１個のセンサからの示度(reading)を用い判別するステップと、
    を有する方法。
  13. 請求項１２記載の方法であって、更に、上記ウェハの表面上にある被照明領域の高さをそのウェハの通常時表面を基準にして判別するステップを有する方法。
  14. 請求項１２記載の方法であって、更に、上記ウェハ上における欠陥の存否を判別するステップを有する方法。
  15. 請求項１２記載の方法であって、更に、光を基準にして上記ウェハを走査運動させるステップを有する方法。
  16. 請求項１２記載の方法であって、更に、
    上記ナイフエッジミラーからの光を二量に分岐させるステップと、
    それらの量が等しいか否かを判別するステップと、
    を有する方法。
  17. 請求項１２記載の方法であって、更に、上記ウェハ上へと投射された光を線状に整形するステップを有する方法。
  18. 請求項１２記載の方法であって、更に、上記ナイフエッジミラーからの光の一部分を第２センサへと反射させるステップを有する方法。
  19. 請求項１８記載の方法であって、更に、光がアンダフォーカスしているのかそれともオーバフォーカスしているのかを上記第２センサからの示度を用い判別するステップを有する方法。
  20. 請求項１９記載の方法であって、更に、
    上記ナイフエッジミラーから反射されてくる光を二量に分岐させるステップと、
    それらの量が等しいか否かを判別するステップと、
    を有する方法。
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