JP2018501455A - リサイクルされたマイクロ波放射を用いて、外皮が施されたセラミックウェアを乾燥させるシステムおよび方法 - Google Patents

リサイクルされたマイクロ波放射を用いて、外皮が施されたセラミックウェアを乾燥させるシステムおよび方法 Download PDF

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Abstract

リサイクルされたマイクロ波放射を用いて、外皮が施されたセラミックウェア(10)を乾燥させるためのシステムおよび方法が開示される。本方法は、第1のアプリケータ部(124W)内において、湿った外皮が施されたセラミックウェア(10W)にマイクロ波放射(212)を照射する工程を含み、この照射(212)は、反射されたマイクロ波放射(212R)を生じさせる。本方法は、反射されたマイクロ波放射(212R)の一部を捕捉し、第2のアプリケータ部(124S)内において、半乾きの外皮が施された複数のセラミックウェア(10S)に、反射されたマイクロ波放射(212R)を照射する工程も含む。本方法を行うためのシステムも開示される。

Description

優先権の主張
本願は2014年10月27日に出願された米国仮特許出願第62/068,845号による利益を主張するものであり、その内容に依拠すると共に、その全体を参照して本明細書に組み込む。
本開示は、セラミックウェアのマイクロ波乾燥に関し、具体的には、リサイクルされたマイクロ波放射を用いて、外皮が施されたセラミックウェアを乾燥させるシステムおよび方法に関する。
本明細書において言及される刊行物または特許文献(2014年6月4日に出願された米国特許出願第14/295,536号を含む)の開示全体を参照して組み込む。
微細チャネルのアレイを有する未焼成セラミックウェアが押出成形によって形成され、次に、処理されて(即ち、乾燥および焼成されて)、乾燥したセラミック物品、即ち「セラミックウェア」(例えば、排気ガスを生じるエンジンおよび関連用途で用いられる多孔質ハニカム構造を有するフィルタおよび触媒コンバーター等)が形成される。未焼成セラミックウェアは、例えばハニカム構造を生成するダイ等のダイを通して、セラミック形成成分を含む可塑化されたバッチ、即ちセラミックプリカーサを押し出して、セラミック形成材料の押出成形品を形成することによって形成され得る。押出成形器から出る押出成形品は、押出成形の方向に対して横断方向に切断されて、未焼成セラミックウェアのピースが形成される。このピースは、乾燥後に横断方向に切断されて、より短いピースにされ得る。
セラミックウェアの寸法は、製造中の乾燥および焼成による収縮に起因して変化し得る。セラミックウェアは、相手先商標製品の製造者(OEM)およびサプライチェーンによって設定される厳密な外形寸法要求に合わせて製造するのが困難であり得る。寸法要求の順守を確実にすることを補助するために、セラミックウェアは、所望の寸法に合わせて加工または「輪郭形成」され得る。この場合、セラミックセメントの薄い層を用いて、セラミックウェアに平滑な保護外面を設ける外皮が形成される。
セラミック外皮(「外皮セメント」または単に「外皮」とも称する)は、例えば10重量%〜35重量%の水を含む湿った状態で施される。最終的なセラミックウェアまたは物品を形成するために、外皮を乾燥させる必要がある。幾つかのケースでは、外皮を、98%を超えて乾燥した状態(即ち、元の水分含量の2%未満を有する状態)まで乾燥させる必要がある。本明細書において、セラミックウェアの外部にセラミックセメントを施す行為またはプロセスは、「外皮を施す」として参照される。本明細書において、外皮が付着されたセラミックウェアは、「外皮が施された」セラミックウェアとして参照される。
セラミックウェアは、現行では、焼成後に外皮が施され、外皮は熱風を用いて乾燥される。しかし、この乾燥プロセスは、しばしば、外皮におけるクラックの形成につながり、これは手作業での補修を要する。外皮が施されたハニカム体を検査して、外皮の乾燥によるクラックを補修するための手間と時間が加わると、製品の製造が非効率になる。外皮の乾燥によるクラックを回避するために、ゆっくりと乾燥させるプロセスが用いられ得るが、これは、製品の製造を更に非効率にする。
本開示の1つの態様は、湿った外皮が施されたセラミックウェアを乾燥させる方法である。本方法は、a)第1のアプリケータ部内において、湿った外皮が施された複数のセラミックウェアに、波長λおよび第1の量のマイクロ波出力P1を有するマイクロ波放射を照射する工程であって、この照射が、第1のアプリケータ部から反射されたマイクロ波放射を生じさせる、照射する工程と、b)反射されたマイクロ波放射の一部を捕捉し、第2のアプリケータ部内において、乾燥した外皮が施されたセラミックウェアを形成するために、半乾きの外皮が施された複数のセラミックウェアに、P2<P1である第2の量のマイクロ波出力P2を有する反射されたマイクロ波放射を照射する工程とを含む。
本開示の別の態様は、焼成セラミックウェアから形成された、外皮が施された複数のセラミックウェアのマイクロ波乾燥を行う方法である。本方法は、a)外皮が施された複数のセラミックウェアを形成するために、各焼成セラミックウェアに外皮層を施す工程と、b)第1のアプリケータ部内において、外皮が施された複数のセラミックウェアにマイクロ波放射を照射する工程と、c)外皮が施された更なる複数のセラミックウェアを第1のアプリケータ部内に搬送する間に、照射された外皮が施された複数のセラミックウェアを第2のアプリケータ部へと搬送する工程と、d)第2のアプリケータ部内において、外皮が施された複数のセラミックウェアに、第1のアプリケータ部から反射されて第2のアプリケータ部に向けられたマイクロ波放射の一部を用いて照射を行う工程とを含む。
本開示の別の態様は、外皮が施されたセラミックウェアのマイクロ波乾燥を行うためのシステムである。本システムは、第1のアプリケータ部および第2のアプリケータ部と、波長λを有するマイクロ波放射を発生するよう構成されたマイクロ波源と、マイクロ波導波路系であって、第1のアプリケータ部から第2のアプリケータ部までの反射されたマイクロ波の経路を画成するために、マイクロ波源と第1のアプリケータ部との間に配置されたサーキュレータにおいて、第1のアプリケータ部とマイクロ波源とに動作可能に接続された第1のマイクロ波導波路、および、第2のアプリケータ部と第1のマイクロ波導波路とに動作可能に接続された第2のマイクロ波導波路を含むマイクロ波導波路系とを含む。
更なる特徴および長所は、以下の詳細な説明で述べられると共に、部分的にはその説明から当業者に自明であり、または、明細書および特許請求の範囲、並びに添付の図面に記載される実施形態を実施することによって認識される。上記の概要説明および以下の詳細説明は、単に例示的なものであり、特許請求の範囲の性質および特徴を理解するための概観または枠組みを提供することを意図したものであることを理解されたい。
添付の図面は、更なる理解を提供するために含まれ、本明細書に組み込まれてその一部をなすものである。図面は1以上の実施形態を示しており、詳細説明と共に、様々な実施形態の原理および作用を説明する役割をするものである。従って、本開示は、以下の詳細説明を添付の図面と共に読めば、より完全に理解される。
例示的な外皮が施されたセラミックウェアの等角側面図 外皮が施される前の(即ち、外皮が施されていない)セラミックウェアの正面拡大図 図2Aに類似した、図1の外皮が施されたセラミックウェアの図 リサイクルされたマイクロ波放射を用いてマイクロ波乾燥を行うよう構成された、2つの部分に分割された単一のアプリケータを含む例示的なマイクロ波乾燥システムの模式的な側面図 アプリケータ内の外皮が施されたセラミックウェアを示すために、アプリケータの天井を示していない、図3のマイクロ波乾燥システムを上から見た図 外皮が施されたセラミックウェアがどのように配置されて2つのアプリケータ部を通して搬送されるかの一例を示すために、天井が示されていないアプリケータを示す、図4のマイクロ波乾燥システムを上から見た図 マイクロ波放射を用いた、湿った外皮が施されたセラミックウェアの照射を模式的に示す、ウェットアプリケータ部内のマイクロ波導波路部分の下に位置する湿った外皮が施されたセラミックウェアの模式的な図 ウェットアプリケータ部内において、マイクロ波放射の一部が、湿った外皮が施されたセラミックウェア、並びに、他の品物および表面(図示せず)からどのように反射されて、マイクロ波導波路部分によって捕捉されるかを示す、図6Aに類似した図 第1のアプリケータ部および第2のアプリケータ部を画成するために、2つのアプリケータ部に分割された単一のアプリケータを用いるのではなく、離間したアプリケータを用いる、例示的なマイクロ波乾燥システムを示す、図3に類似した図 隣接するセラミックウェアが間隔S<λ/2(ここで、λはマイクロ波放射の自由空間波長である)だけ互いに離間した例示的な構成を示す、コンベア上に配置された湿った外皮が施されたセラミックウェアを上から見た図
次に、本開示の様々な実施形態を参照し、それらの例が添付の図面に示されている。可能な場合には常に、同一または類似の部分を参照するために、図面を通して同一または類似の参照番号および符号が用いられる。図面は必ずしも縮尺通りではなく、本開示の主要な態様を示すために図面が単純化されている場合が、当業者には認識されよう。
図面の幾つかには、参照のためにデカルト座標が示されているが、これらは、方向または向きに関して限定する意図はない。
図1は、例示的な外皮が施されたセラミックウェア10の等角側面図であり、図2Aは、外皮が施される前の(即ち、外皮が施されていない)図1のセラミックウェア10Pの正面拡大図である。図2Bは、図1の外皮が施されたセラミックウェア10の、図2Aに類似した図である。外皮が施されたセラミックウェア10は、中心軸A1と、前端部12と、後端部14と、外皮層(「外皮」)18が形成された円筒形の表面16を含む円筒形の外壁15とを有する。セラミックウェア10から外皮18を除いたものは、上述の図2Aの外皮が施される前の、即ち外皮が施されていないセラミックウェア10を構成する。セラミックウェア10は、押出成形プロセスを用いて取得できる任意の妥当な断面形状(例えば、円形、楕円形、非対称形等)を有し得る。
一例において、外皮が施されたセラミックウェア10は、セラミックウェアの前端部12および後端部14において開口した長手方向に延びるセル20のアレイ(図1の第1の拡大部分I1を参照)を有する。セル20は、セル壁22によって画成される(第2の拡大部分I2を参照)。一例において、セル20は多孔質ハニカム構造を形成する。
上述のように、外皮18は通常、セラミックウェアが乾燥および焼成され、焼成セラミックウェアが所望の寸法を有するよう加工された後に、外皮が施されていないセラミックウェア10Pの円筒形の表面16に施される。この加工は、成形および輪郭形成を含み、前端部12および/または後端部14を研削することも含み得る。典型的には、外皮18は、セラミックウェアの前端部12および後端部14は覆わない。
外皮18を構成する材料は、例えば、ドクターブレード処理、軸方向に外皮を施す処理、スプレーキャスティング処理、テープキャスティング処理等の任意の公知の方法を用いて、円筒形の壁15の円筒形の表面16に施され得る。下にある円筒形の壁15の円筒形の表面16に接触する外皮18の材料は、外皮が硬化した際に円筒形の表面16に結合する。
例示的な実施形態において、外皮18はミリメートル台(例えば、0.5mm〜4mm)の厚さTHを有する。一例では、外皮厚さTHは約0.5mm〜約2.1mmであり得る。例えば、外皮厚さTHは、約0.5〜約1.1mm、約1.0mm〜約1.5mm、または約1.4mm〜約2.1mmであり得る。外皮18が既存の外皮を覆うように施される場合、または、外皮が多層外皮である場合には、合計外皮厚さTHは単層外皮の約2倍であり得る。
外皮18の組成は、セラミックウェア形成技術において用いられる組成のうちの任意の組成であり得る。外皮18の例示的な組成は、2013年2月19日に出願された米国特許出願第13/770,104号明細書に記載されている。例示的な実施形態によれば、外皮組成は無機フィラー材料および結晶質無機繊維材料を含み得る。例示的な実施形態では、無機フィラー材料は、セメント混合物の無機固形成分の合計重量の少なくとも10%を構成し、結晶質無機繊維材料は、セメント混合物の無機固形成分の合計重量の25%未満を構成する。一例において、外皮18は、外皮が施される前のセラミックウェア10Pを構成する材料と略同じ材料でできている。
上述したように、外皮が施されたセラミックウェア10を形成するプロセスは、外皮が施されていないセラミックウェア10Pの円筒形の壁15の円筒形の表面16に湿った外皮18が施された後、湿った外皮18を乾燥させる工程を含む。以下の議論では、外皮が湿った(即ち、乾燥していない)、元の水分含量(例えば、10重量%〜35重量%の水)を有する外皮が施されたセラミックウェアは、本明細書において「湿った外皮が施されたセラミックウェア」10Wとして参照される。外皮が部分的に乾燥した、即ち「半乾きの」外皮が施されたセラミックウェアは、本明細書において「半乾きの外皮が施されたセラミックウェア」10Sとして参照される。用語の簡便さおよび一貫性のために、以下の議論では、乾燥した外皮が施されたセラミックウェアは10Dで示される。「外皮が施されたセラミックウェア」10を参照する場合には、湿った、半乾きの、または乾燥した外皮が施されたセラミックウェアを含み得る。
一例において、半乾きの外皮が施されたセラミックウェア10Sの外皮18は、湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wの元の外皮水分含量の30%〜60%の外皮水分含量を有する。一例において、乾燥した外皮が施されたセラミックウェア10Dの外皮18は、湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wの元の水分含量の10%以下の水分含量を有する。
図3は、本明細書において開示される方法による、外皮が施されたセラミックウェア10を乾燥させるための例示的なマイクロ波乾燥システム(「システム」)100の模式的な側面図である。システム100はマイクロ波乾燥器またはアプリケータ110を含み、アプリケータ110は、入口端部112と、出口端部114と、壁115(図4を参照)と、天井116と、遮蔽部材130によって第1および第2の内部部分(「部分」)124Wおよび124S(第1の部分124Wが上流部分であり、第2の部分124Sが下流部分である)に分割された内部とを有する。
一例において、遮蔽部材130は穿孔された金属シートであり、外皮が施されたセラミックウェア10が上流部分124Wから下流部分124Sへと通過するのを可能にしつつ、第1の部分124Wと第2の部分124Sとの間でのマイクロ波放射の結合の量を低減するよう構成されている。図3に示されるように、一例では、遮蔽部材130は天井116に取り付けられ、そこから、外皮が施されたセラミックウェア10が遮蔽部材の下を搬送されるのを可能にしつつ、マイクロ波放射の結合を低下させるのに十分な距離だけ、コンベア140に向かって垂下される(即ち、−z方向に延びている)。
第1の部分124Wは、アプリケータ110の入口端部112において、湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wを受け取るので、以下、「ウェットアプリケータ部」として参照する。第2の部分124Sは、後で説明するように、上流のウェットアプリケータ部124Wから、半乾きの外皮が施されたセラミックウェア10Sを受け取るので、以下、「セミドライアプリケータ部」として参照する。
図4は、システム100を上から見た図であるが、ウェットアプリケータ部124Wおよびセミドライアプリケータ部124S内の湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wおよび半乾きの外皮が施されたセラミックウェア10Sがそれぞれ見えるように、アプリケータ110の天井116は示されていない。
図3および図4の両方を参照すると、システム100は、アプリケータ110のウェット部124Wおよびセミドライ部124Sを通ってx方向に延びるコンベア140を含む。コンベア140は、アプリケータ110の入口端部112に入って、アプリケータの出口端部114から出るように延びる。コンベア140は、入口端部112のすぐ上流に、湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wがアプリケータ110を通して輸送されるために配置され得る投入位置142を有し得る。一例では、湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wは、それらの中心軸A1をz方向として示されている垂直方向に向けて、コンベア140上の投入位置142に配置される。
また、コンベア140は、出口端部114のすぐ下流に、乾燥した外皮が施されたセラミックウェア10Dがシステム100から出るまたは取り出され得る出口位置または取り出し位置144を有する。一例において、コンベア140は、0.5フィート(約15.2センチメートル)/分〜2フィート(約60.9センチメートル)/分の範囲内のコンベア速度を有する。一例では、コンベア140の移動は連続的であり、乾燥プロセス中に、外皮が施されたセラミックウェア10が、ウェットアプリケータ部を通して、次にセミドライアプリケータ部124Sを通して連続的に移動されるようになっている。一例では、コンベア140は、略一定のコンベア速度で移動する。別の例では、コンベア140は、乾燥プロセス中に、例えば、遮蔽部材130における遮蔽扉の開閉に対応するために、必要に応じて移動および停止する。
システム100は、アプリケータ110に対して動作可能に配置されたマイクロ波システム200を含む。マイクロ波システム200は、一例ではマイクロ波放射212(以下、単に「マイクロ波」としても参照する)を発するマイクロ波源210(例えばマグネトロン等)を含むマイクロ波源システム206と、反射されたマイクロ波がマイクロ波源に到達するのを防止するためにマイクロ波源の下流に動作可能に配置された反射防止装置214(例えば、スタブチューナ等)とを含む。マイクロ波源210と反射防止装置214との間には、反射された出力が波源のマグネトロン210に戻るのを抑制するために、アプリケータから反射されて戻ってきた出力を水負荷に向かわせるための波源サーキュレータ(図示せず)が配置され得る。例示的なマグネトロン210は、915MHzの周波数fを有し、100kWのマイクロ波出力P1を供給する。
一例では、マイクロ波の周波数fは、20MHz〜20000MHzの範囲内であり得る。マイクロ波212は、関係λ=c/f(ここで、cは光の速度であり、約3×10m/秒である)によってマイクロ波周波数fに関連づけられる波長λを有する。周波数f=1000MHzは、約0.3mの波長を有する。
一例では、乾燥プロセスにおいて用いられるマイクロ波出力P1の量は、所与のときにウェットアプリケータ部124W内に存在する湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wの数に基づき、ここで、湿った外皮が施された各セラミックウェアは、特定の量の影響を受けやすい材料を表す。例示的なマイクロ波出力P1は、10kW〜100kWの範囲内、または10kW〜90kWの範囲内である。
マイクロ波源システム206は、マイクロ波212を導波するよう構成されたマイクロ波導波路系220に動作可能に結合される。具体的には、マイクロ波導波路系220は、幾つかのマイクロ波供給チャネル、即ちマイクロ波導波路(以下、「導波路」)を含み、具体的には、ウェットアプリケータ部124Wにつながる第1の導波路222と、セミドライアプリケータ部124Sにつながる第2の導波路242とを含む。第1の導波路222と第2の導波路242とは、導波路236を介して反射防止装置214に動作可能に接続されたサーキュレータ234において、動作可能に接続される。
第1の導波路222は、ウェットアプリケータ部124W内において天井116に隣接して配置された第1の導波路部分224を含み、第2の導波路242は、セミドライアプリケータ部124S内において天井に隣接して配置された第2の導波路部分244を含む。第1の導波路222および第2の導波路242はそれぞれ、後述するようにマイクロ波放射をウェットアプリケータ部124Wおよびセミドライアプリケータ部124Sに届けるよう構成されている。
図5は、システム100を示す図4に類似した図であり、ウェットアプリケータ部124Wおよびセミドライアプリケータ部124S内における例示的な乾燥構成における、湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wおよび半乾きの外皮が施されたセラミックウェア10Sがそれぞれ見えるように、アプリケータの天井116またはマイクロ波システム200は示されていない。図5を参照すると、アプリケータ110は、寸法LXおよびLYを有し、一例ではLX=15フィート(約4.6メートル)であり、LY=6フィート(約1.83メートル)である。
図4において最もよくわかるように、例示的な一実施形態では、第1の導波路部分224は、ウェットアプリケータ部124W内におけるマイクロ波212の良好な分布を提供するために、コンベア140に対して垂直に延びる(即ち、y方向に延びる)2つの離間した直線状の導波路部分228を画成する役割をするU字形状の導波路部分226を含む。各導波路部分228は離間したスロット230を含み、マイクロ波112はスロット230を通って直線状の導波路部分228内を進み、ウェットアプリケータ部124W内へと出る(漏れる)。
第2の導波路部分244は、第1の導波路部分224に類似した構成であり、セミドライアプリケータ部124S内におけるマイクロ波の良好な分布を提供するために、コンベア140に対して垂直に延びる(即ち、y方向に延びる)2つの離間した直線状の導波路部分248を画成する役割をするU字形状の導波路部分246を含む。各導波路部分248は離間したスロット250を含み、マイクロ波の一部はスロット250を通って直線状の導波路部分内を進み、セミドライアプリケータ部124S内へと出る(漏れる)。
システム100の動作において、マイクロ波源システム206は、上述の周波数fおよび出力P1を有するマイクロ波212(黒い矢印)を発生する。上述の例示的な周波数fのうち、周波数f=915MHzは約33cmの(自由空間)波長λに対応し、周波数f=2450MHzは約12cmの波長λに対応する。一般的に、外皮18の最も均一な乾燥を得るには、外皮厚さTHはマイクロ波の波長λよりもかなり小さいべきである(例えば、TH<λ/10)。4mmの外皮厚さTHについては、対応する波長λが約12cmであるマイクロ波周波数f=2450MHzは、この基準を容易に満たす。一般的に、この基準に一致し、且つ、マイクロ波乾燥に一般的に有効な任意のマイクロ波周波数fが用いられ得る。
マイクロ波212は、導波路236内を進んでサーキュレータ234を通り、第1の導波路222および第1の導波路部分224に向かう。第1の導波路部分224内を進むマイクロ波212は、直線状の導波路部分228のスロット230から出て、ウェットアプリケータ部124Wに入る。
図6Aは、ウェットアプリケータ部124W内の、導波路部分228のうちの1つの下に存在する湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wの模式的な図である。スロット230を通って導波路部分228から漏れたマイクロ波放射212は、ウェットアプリケータ部124W内に存在しウェットアプリケータ部124Wを通して搬送される湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wを照射する。このマイクロ波放射212の一部は湿った外皮18によって吸収され、外皮の乾燥を開始させる。マイクロ波放射212の別の一部は、湿った外皮が施されたセラミックウェア10W、並びに、ウェットアプリケータ部124W内の壁15、天井16、コンベア140(図3を参照)、および他の何らかの品物(例えば、トレー)または表面によって、図6Bに示されるように反射されたマイクロ波放射212Rとして反射される。
湿った外皮が施された各セラミックウェア中の他のセラミック材料(即ち、円筒形の壁15およびセル20)は乾燥しているので、湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wの外皮18の元の水分含量は、ウェットアプリケータ部124W内に存在するセラミック材料の合計質量における比較的小さい割合を示す。その結果、湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wから、並びに、上述のウェットアプリケータ部124W内の壁15、天井16、コンベア140、および他の何らかの品物(例えば、トレー)または表面から反射されるマイクロ波212R(白い矢印)の量は、比較的高い。
反射されたマイクロ波放射212Rの一部は、導波路部分228の離間したスロット230を通って導波路部分228に入る。このようにして、反射されたマイクロ波放射212Rの一部は導波路部分228によって捕捉され、第1の導波路222を通って戻るように進んでサーキュレータ234に向かう。捕捉された反射されたマイクロ波放射212Rは、サーキュレータ234によって方向を変えられ、第2の導波路242内を進んで第2の導波路部分244および第2の導波路部分248に向かう。
一例では、捕捉された反射されたマイクロ波放射212Rは、入力されたマイクロ波出力P1より小さい出力P2を有し、入力されたマイクロ波出力P1の5%〜50%、または、別の例では、入力されたマイクロ波出力P1の20%〜50%を示す。
反射されたマイクロ波放射212Rは、第2の直線状の導波路部分248のそれぞれのスロット250を通って第2の直線状の導波路部分248から出て(漏れて)、セミドライアプリケータ部124S内に存在しセミドライアプリケータ部124Sを通して搬送される半乾きの外皮が施されたセラミックウェア10Sを照射することにより、半乾きの外皮が施されたセラミックウェア10Sの半乾きの外皮18を更に乾燥させる。半乾きの外皮が施されたセラミックウェア10Sが、アプリケータ110の出口端部114においてセミドライアプリケータ部124Sから出るときまでに、半乾きの外皮が施されたセラミックウェア10Sは、乾燥した外皮が施されたセラミックウェア10Dになる。
このように、マイクロ波導波路系220の第1の導波路222および第2の導波路242、並びにサーキュレータ234は、ウェットアプリケータ部124Wからセミドライアプリケータ部124Sまでの、反射されたマイクロ波の経路215を画成し、反射されたマイクロ波放射212Rは、この経路にわたって進むことができる。
なお、反射されたマイクロ波212Rの一部は、半乾きのセラミックウェア10Sからも反射され、第2の導波路部分248によって捕捉され、二重に反射されたマイクロ波放射212RR(図3を参照)として、第2の導波路242内を進んでサーキュレータ234に向かって戻る。この二重に反射されたマイクロ波放射212RRは、サーキュレータ234によって反射防止装置214に向かうよう方向を変えられ、この二重に反射されたマイクロ波放射がマイクロ波源210に到達するのが防止される。
なお、第2のアプリケータ部124S内において、半乾きの外皮が施されたセラミックウェア10Sを照射するために用いられる反射されたマイクロ波放射212Rは、部分的には、上流にある第1のアプリケータ部124W内の湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wから発生したものである。従って、反射されたマイクロ波放射212Rは、入射したマイクロ波放射212の一部が反射されたのと同じ湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wを乾燥させるためには用いられず、その代わりに、下流にあるセミドライアプリケータ部124S内において、既にウェットアプリケータ部124Wを通過した半乾きのセラミックウェアを乾燥させるために用いられる。
本開示による、湿った外皮が施されたセラミックウェアを乾燥させる方法の1つの態様は、適切な量または所望の量の反射されたマイクロ波放射212Rがあることを確実にするために、第1のアプリケータ部124Wが、処理される十分な数の湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wを有する状態、または、運転の最後には、湿った外皮が施されたセラミックウェアの最後の組の代わりに用いることができるダミーのセラミックウェア、他の材料、物体、もしくは品物を有する状態を維持することを含む。従って、一例では、湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wが、コンベア140の動作によって第1のアプリケータ部124Wを通って移動するにつれ、投入位置142(図5を参照)において、他の湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wがコンベアに追加される。一例では、この後方充填プロセスは、ウェットアプリケータ部124Wが、任意の所与のときに、そこを通って搬送される湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wの略同じ構成を有するように行われる。それにより、略同じ量の反射されたマイクロ波212Rが生じて、セミドライアプリケータ部124Sに向かうようリサイクルされることが確実になる。
セミドライアプリケータ部124Sを通過する半乾きの外皮が施されたセラミックウェア10Sは、ウェットアプリケータ部124Wの湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wを乾燥させるためのマイクロ波出力ほど大きいマイクロ波出力を必要としない。従って、システム100は、ウェットアプリケータ部124Wから反射されたマイクロ波放射212Rをリサイクルして、半乾きの外皮が施されたセラミックウェア10Sを乾燥させるためにセミドライアプリケータ部124Sに向かわせるよう構成される。一例では、P2<P1であり、ウェットアプリケータ部124Wに向けられるマイクロ波出力P1と比較した、反射されたマイクロ波212Rを用いてセミドライアプリケータ部124Sに供給されるリサイクルされたマイクロ波出力P2の量の比率は、0.05≦P2/P1≦0.5の範囲内、または、別の例では0.05≦P2/P1≦0.4の範囲内である。
システム100は、2つの離間したアプリケータではなく、2つの直に隣接する部分124Wおよび124Sに分割された単一のアプリケータ110を用いるので、外皮が施されたセラミックウェア10を迅速に処理できる。
単一のマイクロ波源システム110を用いることで、コストが低減され、乾燥効率が高まる。一例において、システム100は、約1フィート(約30.5センチメートル)/分のコンベア速度、915MHzのマイクロ波周波数、および60kWのマイクロ波出力P1で、約200個の湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wを処理できる。別の例では、システム100は、約1フィート(約30.5センチメートル)/分のコンベア速度、915MHzのマイクロ波周波数、および100kWのマイクロ波出力P1で、約333個の湿った外皮が施されたセラミックウェア10Wを処理できる。
図7は図3に類似した図であり、ウェットアプリケータ部124Wおよびセミドライアプリケータ部124Sを画成するために、遮蔽部材130を有する単一のアプリケータ110の代わりに、2つの離間したアプリケータ110Wおよび110Sが用いられる、システム100の別の構成の例示的な実施形態を示す。図7のシステム100の例示的な構成では、遮蔽部材130はもはや必要ないが、外皮が施されたセラミックウェア10が進む必要がある全体的な距離がより大きくなり得るので、乾燥時間がより長くなり得る。
図8は、コンベア140上の湿った外皮が施された複数のセラミックウェア10Wを上から見た図であり、隣接する湿った外皮が施されたセラミックウェア10W(これらは、セミドライアプリケータ124Sまで通過すると半乾きの外皮が施されたセラミックウェアになる)が間隔Sだけ離間した、例示的な乾燥構成を示す。一例では、間隔S<λ/2であり、ここで、λはマイクロ波放射212の上述の(自由空間)マイクロ波波長である。別の例では、間隔S<λ/10である。この例示的な乾燥構成は、乾燥プロセス中の反射されたマイクロ波放射212Rの量を減らす(即ち、反射されたマイクロ波出力またはエネルギーの量を減らす)ものである。これは、ウェットアプリケータ部およびセミドライアプリケータ部内における負荷を増加させ、より効率的な乾燥、およびシステム100のより高いスループットに貢献する。一例において、間隔Sは、反射されたマイクロ波放射212Rの量を調節するために調節される。例えば、間隔Sは、セミドライアプリケータ部124Sに届けられるマイクロ波出力P2の量を増加させるために、反射されたマイクロ波放射の量を最小化するのではなく、反射されたマイクロ波放射212Rの量を増加させるよう調節され得る。
添付の特許請求の範囲において定められる本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく、本明細書に記載される本開示の好ましい実施形態に対して様々な変形が行われ得ることが、当業者には自明であろう。従って、本開示は、添付の特許請求の範囲およびその等価物の範囲内にある変形および変更を網羅する。
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
実施形態1
湿った外皮が施されたセラミックウェアを乾燥させる方法において、
a)第1のアプリケータ部内において、前記湿った外皮が施された複数のセラミックウェアに、波長λおよび第1の量のマイクロ波出力P1を有するマイクロ波放射を照射する工程であって、前記照射が、前記第1のアプリケータ部から反射されたマイクロ波放射を生じさせる、照射する工程と、
b)前記反射されたマイクロ波放射の一部を捕捉し、第2のアプリケータ部内において、乾燥した外皮が施されたセラミックウェアを形成するために、半乾きの外皮が施された複数のセラミックウェアに、P2<P1である第2の量のマイクロ波出力P2を有する前記反射されたマイクロ波放射を照射する工程と
を含むことを特徴とする方法。
実施形態2
前記第1のアプリケータ部および前記第2のアプリケータ部が、単一のアプリケータ内において互いに直に隣接して存在する、実施形態1記載の方法。
実施形態3
前記湿った外皮が施されたセラミックウェアが元の外皮水分含量を有し、前記半乾きの外皮が施されたセラミックウェアが、前記元の外皮水分含量の30%〜60%の外皮水分含量を有し、前記乾燥した外皮が施されたセラミックウェアが、前記元の外皮水分含量の10%以下の外皮水分含量を有する、実施形態1または2に記載の方法。
実施形態4
前記第1のアプリケータ部内において前記湿った外皮が施された複数のセラミックウェアに照射する前記工程が、前記半乾きの外皮が施されたセラミックウェアを生じるものであり、前記半乾きの外皮が施されたセラミックウェアを前記第1のアプリケータ部から前記第2のアプリケータ部へと搬送する工程を含む、実施形態1〜3のいずれか1つに記載の方法。
実施形態5
前記第2の量のマイクロ波出力と前記第1の量のマイクロ波出力との比率P2/P1が、0.05≦P2/P1≦0.4によって定められる範囲内である、実施形態1〜4のいずれか1つに記載の方法。
実施形態6
前記マイクロ波放射が20MHz〜20000MHzの範囲内の周波数を有する、実施形態1〜5のいずれか1つに記載の方法。
実施形態7
前記湿った外皮が施された複数のセラミックウェアが、隣接する前記湿った外皮が施された複数のセラミックウェア間の間隔SがS<λ/2となるよう配置される、実施形態1〜6のいずれか1つに記載の方法。
実施形態8
前記マイクロ波放射が、第2のマイクロ波導波路に動作可能に結合された第1のマイクロ波導波路を用いて前記第1のアプリケータ部に供給され、前記反射されたマイクロ波放射が、前記第1のマイクロ波導波路によって捕捉され、前記第2のマイクロ波導波路によって前記第2のアプリケータ部に向けられる、実施形態1〜7のいずれか1つに記載の方法。
実施形態9
焼成セラミックウェアから形成された、外皮が施された複数のセラミックウェアのマイクロ波乾燥を行う方法であって、
a)前記外皮が施された複数のセラミックウェアを形成するために、各前記焼成セラミックウェアに外皮層を施す工程と、
b)第1のアプリケータ部内において、前記外皮が施された複数のセラミックウェアにマイクロ波放射を照射する工程と、
c)外皮が施された更なる複数のセラミックウェアを前記第1のアプリケータ部内に搬送する間に、前記照射された外皮が施された複数のセラミックウェアを第2のアプリケータ部へと搬送する工程と、
d)前記第2のアプリケータ部内において、前記外皮が施された複数のセラミックウェアに、前記第1のアプリケータ部から反射されて前記第2のアプリケータ部に向けられた前記マイクロ波放射の一部を用いて照射を行う工程と
を含むことを特徴とする方法。
実施形態10
前記第1のアプリケータ部内において照射する前記工程が、各前記外皮が施されたセラミックウェア上に半乾きの外皮セメント層を形成し、前記第2のアプリケータ部内において照射する前記工程が、前記第2のアプリケータ部内において、各前記外皮が施されたセラミックウェア上の前記半乾きの外皮セメント層を更に乾燥させる、実施形態9記載の方法。
実施形態11
前記湿った外皮が施されたセラミックウェアが元の外皮水分含量を有し、前記半乾きの外皮が施されたセラミックウェアが、前記元の外皮水分含量の30%〜60%の外皮水分含量を有し、前記乾燥した外皮が施されたセラミックウェアが、前記元の外皮水分含量の10%以下の外皮水分含量を有する、実施形態9または10に記載の方法。
実施形態12
前記マイクロ波放射が20MHz〜20000MHzの範囲内の周波数を有する、実施形態9〜11のいずれか1つに記載の方法。
実施形態13
前記外皮が施されたセラミックウェアを前記第1のアプリケータ部から前記第2のアプリケータ部へと連続的に搬送する工程を含む、実施形態9〜12のいずれか1つに記載の方法。
実施形態14
前記第1のアプリケータ部内において前記外皮が施された複数のセラミックウェアに照射される前記マイクロ波放射が出力P1を有し、前記第1のアプリケータ部から反射されて前記第2のアプリケータ部に向けられる前記マイクロ波放射の前記一部が出力P2を有し、0.05≦P2/P1≦0.4である、実施形態9〜13のいずれか1つに記載の方法。
実施形態15
前記出力P1が10kW〜90kWの範囲内である、実施形態14記載の方法。
実施形態16
外皮が施されたセラミックウェアのマイクロ波乾燥を行うためのシステムにおいて、
第1のアプリケータ部および第2のアプリケータ部と、
マイクロ波放射を発生するよう構成されたマイクロ波源と、
マイクロ波導波路系であって、前記第1のアプリケータ部から前記第2のアプリケータ部までの反射されたマイクロ波の経路を画成するために、前記マイクロ波源と前記第1のアプリケータ部との間に配置されたサーキュレータにおいて、前記第1のアプリケータ部と前記マイクロ波源とに動作可能に接続された第1のマイクロ波導波路、および、前記第2のアプリケータ部と前記第1のマイクロ波導波路とに動作可能に接続された第2のマイクロ波導波路を含むマイクロ波導波路系と
を含むことを特徴とするシステム。
実施形態17
前記第1のアプリケータ部および前記第2のアプリケータ部が、単一のアプリケータ内において、前記外皮が施されたセラミックウェアが前記第1のアプリケータ部から前記第2のアプリケータ部へと進むのを可能にしつつ、前記第1のアプリケータ部と前記第2のアプリケータ部との間でのマイクロ波放射の結合の量を低減するよう構成された遮蔽部材によって画成された、実施形態16記載のシステム。
実施形態18
前記遮蔽部材が、穿孔された金属シートを含む、実施形態16または17記載のシステム。
実施形態19
前記マイクロ波放射が20MHz〜20000MHzの範囲内の周波数を有する、実施形態16〜18のいずれか1つに記載のシステム。
実施形態20
前記外皮が施されたセラミックウェアを前記第1のアプリケータ部および前記第2のアプリケータ部を通して搬送するよう構成されたコンベアを更に含む、実施形態16〜19のいずれか1つに記載のシステム。
10 外皮が施されたセラミックウェア
10W 湿った外皮が施されたセラミックウェア
10S 半乾きの外皮が施されたセラミックウェア
10D 乾燥した外皮が施されたセラミックウェア
18 外皮
100 マイクロ波乾燥システム
110 アプリケータ
124W ウェットアプリケータ部(第1のアプリケータ部)
124S セミドライアプリケータ部(第2のアプリケータ部)
130 遮蔽部材
140 コンベア
200 マイクロ波システム
212 マイクロ波放射
212R 反射されたマイクロ波
215 反射されたマイクロ波の経路
220 マイクロ波導波路系
222 第1の導波路
242 第2の導波路
234 サーキュレータ

Claims (5)

  1. 湿った外皮が施されたセラミックウェアを乾燥させる方法において、
    a)第1のアプリケータ部内において、前記湿った外皮が施された複数のセラミックウェアに、波長λおよび第1の量のマイクロ波出力P1を有するマイクロ波放射を照射する工程であって、前記照射が、前記第1のアプリケータ部から反射されたマイクロ波放射を生じさせる、照射する工程と、
    b)前記反射されたマイクロ波放射の一部を捕捉し、第2のアプリケータ部内において、乾燥した外皮が施されたセラミックウェアを形成するために、半乾きの外皮が施された複数のセラミックウェアに、P2<P1である第2の量のマイクロ波出力P2を有する前記反射されたマイクロ波放射を照射する工程と
    を含むことを特徴とする方法。
  2. 前記第1のアプリケータ部および前記第2のアプリケータ部が、単一のアプリケータ内において互いに直に隣接して存在する、請求項1記載の方法。
  3. 前記湿った外皮が施されたセラミックウェアが元の外皮水分含量を有し、前記半乾きの外皮が施されたセラミックウェアが、前記元の外皮水分含量の30%〜60%の外皮水分含量を有し、前記乾燥した外皮が施されたセラミックウェアが、前記元の外皮水分含量の10%以下の外皮水分含量を有する、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記第2の量のマイクロ波出力と前記第1の量のマイクロ波出力との比率P2/P1が、0.05≦P2/P1≦0.4によって定められる範囲内である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
  5. 外皮が施されたセラミックウェアのマイクロ波乾燥を行うためのシステムにおいて、
    第1のアプリケータ部および第2のアプリケータ部と、
    マイクロ波放射を発生するよう構成されたマイクロ波源と、
    マイクロ波導波路系であって、前記第1のアプリケータ部から前記第2のアプリケータ部までの反射されたマイクロ波の経路を画成するために、前記マイクロ波源と前記第1のアプリケータ部との間に配置されたサーキュレータにおいて、前記第1のアプリケータ部と前記マイクロ波源とに動作可能に接続された第1のマイクロ波導波路、および、前記第2のアプリケータ部と前記第1のマイクロ波導波路とに動作可能に接続された第2のマイクロ波導波路を含むマイクロ波導波路系と
    を含むことを特徴とするシステム。
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