JP2018207375A - Piezoelectric thin film resonator, filter, and multiplexer - Google Patents

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Abstract

To suppress the deterioration in characteristics and a mechanical damage or the like.SOLUTION: A piezoelectric thin film resonator comprises: a substrate 10; a spacer 18 provided onto the substrate; a support film 22 provided so as to form a gap 30 between the substrates on the spacer; a lower part electrode 12 that is provided on the support film, and includes a film thickness thicker than the thinnest film thickness of the support film in a region overlapped to the gap in a plain view; a piezoelectric film 14 provided on the lower part electrode; an upper part electrode 16 that is provided on the piezoelectric film so as to overlap a resonance region 50 nipping at least one part of the piezoelectric film with the lower part electrode with the gap in the plain view.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、空隙を有する圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関する。   The present invention relates to a piezoelectric thin film resonator having a gap, a filter, and a multiplexer.

近年、スマートフォンや携帯電話に代表される移動体通信機器のフィルタ等には、圧電薄膜共振器が用いられている。圧電薄膜共振器は、圧電膜を挟み下部電極と上部電極が対向する積層膜を有する構造を有している。圧電膜を挟み下部電極と上部電極が対向する領域は弾性波が共振する共振領域である。共振領域の下には振動を制限しないように空隙が設けられる（例えば特許文献１、２）。共振領域下に空隙を設けるため、ポスト上に支持層を設け、支持層上に積層膜を設けることが知られている（例えば特許文献１）。共振領域下に空隙を設けるため、金属層上に下部電極および上部電極を設けることが知られている（例えば特許文献２）。   In recent years, piezoelectric thin film resonators have been used for filters and the like of mobile communication devices typified by smartphones and mobile phones. The piezoelectric thin film resonator has a structure having a laminated film in which a lower electrode and an upper electrode face each other with a piezoelectric film interposed therebetween. A region where the lower electrode and the upper electrode face each other with the piezoelectric film interposed therebetween is a resonance region where the elastic wave resonates. A gap is provided under the resonance region so as not to limit vibration (for example, Patent Documents 1 and 2). In order to provide a gap below the resonance region, it is known to provide a support layer on the post and provide a laminated film on the support layer (for example, Patent Document 1). In order to provide a gap below the resonance region, it is known to provide a lower electrode and an upper electrode on the metal layer (for example, Patent Document 2).

特開２００４−５１４３１３号公報JP 2004-514313 A 特開２００７−２０８７２７号公報JP 2007-208727 A

特許文献１のように支持層を設けると、積層膜に支持層が付加されるため、共振特性が劣化してしまう。特許文献２のように支持層を設けないと、下部電極および／または上部電極により積層膜を支持する構造となる。このため、下部電極および／または上部電極にクラック等の機械的な劣化が生じることがある。   When a support layer is provided as in Patent Document 1, the support layer is added to the laminated film, and therefore the resonance characteristics are deteriorated. If the support layer is not provided as in Patent Document 2, the laminated film is supported by the lower electrode and / or the upper electrode. For this reason, mechanical deterioration such as cracks may occur in the lower electrode and / or the upper electrode.

本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、特性の劣化および機械的な劣化を抑制することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to suppress deterioration of characteristics and mechanical deterioration.

本発明は、基板と、前記基板上に設けられたスペーサと、前記スペーサ上に前記基板との間に空隙が形成されるように設けられた支持膜と、前記支持膜上に設けられ、平面視において前記空隙と重なる領域における前記支持膜の最も薄い膜厚より厚い膜厚を有する下部電極と、前記下部電極上に設けられた圧電膜と、前記圧電膜上に、前記下部電極とで前記圧電膜の少なくとも一部を挟む共振領域が平面視において前記空隙と重なるように設けられた上部電極と、を具備する圧電薄膜共振器である。   The present invention provides a substrate, a spacer provided on the substrate, a support film provided so that a gap is formed between the substrate and the spacer, and a flat surface provided on the support film. The lower electrode having a thickness larger than the thinnest thickness of the support film in a region overlapping with the gap in view, the piezoelectric film provided on the lower electrode, and the lower electrode on the piezoelectric film And a top electrode provided so that a resonance region sandwiching at least a part of the piezoelectric film overlaps the gap in a plan view.

上記構成において、前記支持膜は、薄膜部と前記薄膜部より厚い厚膜部とを有する構成とすることができる。   The said structure WHEREIN: The said support film can be set as the structure which has a thin film part and a thick film part thicker than the said thin film part.

上記構成において、平面視において前記共振領域の両側に前記厚膜部が設けられ、前記共振領域に前記厚膜部は設けられていない構成とすることができる。   In the above configuration, the thick film portion may be provided on both sides of the resonance region in a plan view, and the thick film portion may not be provided in the resonance region.

上記構成において、前記支持膜は、前記共振領域内に薄膜部と前記薄膜部より厚い厚膜部を有し、前記共振領域内において前記支持膜の上面は平坦である構成とすることができる。   In the above configuration, the support film may have a thin film portion and a thick film portion thicker than the thin film portion in the resonance region, and the upper surface of the support film may be flat in the resonance region.

上記構成において、前記スペーサは、前記共振領域を囲むように複数設けられ、平面視において、前記厚膜部は、前記複数のスペーサのうち一対のスペーサの間の領域から、別の一対のスペーサの間の領域にかけて設けられている構成とすることができる。   In the above-described configuration, a plurality of the spacers are provided so as to surround the resonance region, and in the plan view, the thick film portion is formed from a region between the pair of spacers of the plurality of spacers. It can be set as the structure provided over the area | region between.

上記構成において、前記スペーサは、前記共振領域を囲むように複数設けられ、平面視において、前記厚膜部は、前記複数のスペーサのうち少なくとも２つの間に連続して設けられている構成とすることができる。   In the above configuration, a plurality of the spacers are provided so as to surround the resonance region, and the thick film portion is continuously provided between at least two of the plurality of spacers in plan view. be able to.

上記構成において、前記共振領域外において、前記下部電極および前記上部電極の少なくとも一方上に設けられたパッドを具備し、平面視において前記厚膜部は前記パッドの少なくとも一部に重なるように設けられている構成とすることができる。   In the above configuration, a pad provided on at least one of the lower electrode and the upper electrode is provided outside the resonance region, and the thick film portion is provided to overlap at least a part of the pad in plan view. It can be set as the structure which has.

上記構成において、１つの前記支持膜に前記共振領域が複数設けられ、前記スペーサは、複数設けられ、前記複数の共振領域は、前記複数のスペーサのうち前記複数の共振領域の配列方向に隣接するスペーサ間に設けられ、前記厚膜部は、前記複数の共振領域の前記配列方向に直交する方向の両側にそれぞれ前記直交する方向からみて前記複数の共振領域に重なるように連続して設けられ、前記複数の共振領域に設けられていない構成とすることができる。   In the above configuration, a plurality of the resonance regions are provided in one support film, a plurality of the spacers are provided, and the plurality of resonance regions are adjacent to the arrangement direction of the plurality of resonance regions among the plurality of spacers. Provided between the spacers, the thick film portion is provided continuously on both sides of the plurality of resonance regions in a direction orthogonal to the arrangement direction so as to overlap the plurality of resonance regions as viewed from the orthogonal direction, It can be set as the structure which is not provided in the said some resonance area | region.

上記構成において、１つの前記支持膜に前記共振領域が複数設けられ、前記スペーサは、複数設けられ、前記複数の共振領域は、前記複数のスペーサのうち前記複数の共振領域の配列方向に隣接するスペーサ間に設けられ、前記厚膜部は、前記複数の共振領域の間に設けられ、前記複数の共振領域に設けられていない構成とすることができる。   In the above configuration, a plurality of the resonance regions are provided in one support film, a plurality of the spacers are provided, and the plurality of resonance regions are adjacent to the arrangement direction of the plurality of resonance regions among the plurality of spacers. Provided between the spacers, the thick film portion may be provided between the plurality of resonance regions and not provided in the plurality of resonance regions.

上記構成において、１つの前記支持膜において、前記スペーサは、前記共振領域に対して一方の側に設けられ、前記共振領域に対して一方の側の反対の側には設けられておらず、前記厚膜部は、前記スペーサと前記スペーサの反対側の前記支持膜の端部との間に連続的に設けられている構成とすることができる。   In the above configuration, in one supporting film, the spacer is provided on one side with respect to the resonance region, and is not provided on the opposite side of the one side with respect to the resonance region. The thick film portion may be continuously provided between the spacer and the end portion of the support film on the opposite side of the spacer.

上記構成において、１つの前記支持膜において、前記スペーサは、前記共振領域に対して一方の側に設けられ、前記共振領域に対して一方の側の反対の側には設けられておらず、前記厚膜部は、前記支持膜の外周のうち前記スペーサが設けられていない領域に沿って設けられ、前記共振領域内に設けられていない構成とすることができる。   In the above configuration, in one supporting film, the spacer is provided on one side with respect to the resonance region, and is not provided on the opposite side of the one side with respect to the resonance region. The thick film portion may be provided along a region of the outer periphery of the support film where the spacer is not provided, and may not be provided in the resonance region.

上記構成において、前記共振領域外において、前記下部電極および前記上部電極の少なくとも一方上に設けられたパッドを具備し、平面視において前記スペーサは前記パッドの少なくとも一部に重なるように設けられている構成とすることができる。   In the above configuration, a pad provided on at least one of the lower electrode and the upper electrode is provided outside the resonance region, and the spacer is provided to overlap at least a part of the pad in plan view. It can be configured.

上記構成において、前記圧電膜は窒化アルミニウムを主成分とし、前記支持膜は、窒化アルミニウム膜、酸化アルニミウム膜、窒化シリコン膜およびダイヤモンドライクカーボン膜の少なくとも１つを含む構成とすることができる。   In the above-described configuration, the piezoelectric film may include aluminum nitride as a main component, and the support film may include at least one of an aluminum nitride film, an aluminum oxide film, a silicon nitride film, and a diamond-like carbon film.

本発明は、上記圧電薄膜共振器を含むフィルタである。   The present invention is a filter including the piezoelectric thin film resonator.

本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。   The present invention is a multiplexer including the filter.

本発明によれば、特性の劣化および機械的な劣化を抑制することができる。   According to the present invention, characteristic deterioration and mechanical deterioration can be suppressed.

図１（ａ）は、実施例１に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１（ｂ）および図１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 1A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the first embodiment, and FIGS. 1B and 1C are cross-sectional views taken along line AA of FIG. 図２（ａ）から図２（ｄ）は、実施例１の直列共振器の製造方法を示す断面図（その１）である。FIG. 2A to FIG. 2D are cross-sectional views (part 1) illustrating the method for manufacturing the series resonator according to the first embodiment. 図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１の直列共振器の製造方法を示す断面図（その２）である。3A to 3C are cross-sectional views (part 2) illustrating the method for manufacturing the series resonator according to the first embodiment. 図４（ａ）は、実施例１の直列共振器の製造方法を示す断面図（その３）、図４（ｂ）および図４（ｃ）は、実施例１の並列共振器の製造方法を示す断面図である。4A is a cross-sectional view (part 3) illustrating the method for manufacturing the series resonator according to the first embodiment, and FIGS. 4B and 4C illustrate the method for manufacturing the parallel resonator according to the first embodiment. It is sectional drawing shown. 図５（ａ）は、実施例１の変形例１に係る圧電薄膜共振器の平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 5A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the first modification of the first embodiment, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 図６（ａ）は、実施例１の変形例２に係る圧電薄膜共振器の平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。6A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the second modification of the first embodiment, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 6A. 図７（ａ）は、実施例２およびその変形例１に係る圧電薄膜共振器の平面図、図７（ｂ）および図７（ｃ）は、それぞれ実施例２およびその変形例１における図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 7A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the second embodiment and its modification 1, and FIGS. 7B and 7C are FIG. 7 in the second embodiment and its modification 1, respectively. It is AA sectional drawing of (a). 図８（ａ）から図８（ｄ）は、実施例２の変形例２から５に係る圧電薄膜共振器の断面図である。FIG. 8A to FIG. 8D are cross-sectional views of piezoelectric thin film resonators according to modifications 2 to 5 of the second embodiment. 図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例２の変形例６および７に係る圧電薄膜共振器の断面図である。FIGS. 9A and 9B are cross-sectional views of piezoelectric thin film resonators according to Modifications 6 and 7 of the second embodiment. 図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例３およびその変形例１に係る圧電薄膜共振器の断面図である。FIGS. 10A and 10B are cross-sectional views of the piezoelectric thin film resonator according to the third embodiment and the first modification thereof. 図１１（ａ）は、実施例３の変形例２に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 11A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to a second modification of the third embodiment, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 図１２（ａ）は、実施例３の変形例３に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。12A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to a third modification of the third embodiment, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 12A. 図１３（ａ）は、実施例３の変形例４に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 13A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to a fourth modification of the third embodiment, and FIG. 13B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 図１４（ａ）は、実施例３の変形例５に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 14A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to a fifth modification of the third embodiment, and FIG. 14B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 図１５（ａ）は、実施例３の変形例６に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 15A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to Modification 6 of Example 3, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 図１６（ａ）は、実施例３の変形例７に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 16A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to Modification 7 of Example 3, and FIG. 16B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 図１７（ａ）は、実施例３の変形例８に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 17A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to Modification 8 of Example 3, and FIG. 17B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 図１８（ａ）は、実施例３の変形例９に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 18A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to a ninth modification of the third embodiment, and FIG. 18B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 図１９（ａ）は、実施例３の変形例１０に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１９（ｂ）は、図１９（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 19A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to Modification 10 of Example 3, and FIG. 19B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 図２０（ａ）は、実施例４に係る圧電薄膜共振器の平面図、図２０（ｂ）は、図２０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 20A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the fourth embodiment, and FIG. 20B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 図２１（ａ）は、実施例４の変形例１に係る圧電薄膜共振器の平面図、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 21A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the first modification of the fourth embodiment, and FIG. 21B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 図２２（ａ）は、実施例４の変形例２に係る圧電薄膜共振器の平面図、図２２（ｂ）は、図２２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 22A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to a second modification of the fourth embodiment, and FIG. 22B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 図２３（ａ）および図２３（ｂ）は、実施例５およびその変形例１に係る圧電薄膜共振器の断面図である。FIG. 23A and FIG. 23B are cross-sectional views of the piezoelectric thin film resonator according to the fifth embodiment and the first modification thereof. 図２４は、実施例５の変形例２に係る圧電薄膜共振器の平面図である。FIG. 24 is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the second modification of the fifth embodiment. 図２５は、実施例６に係るフィルタの回路図である。FIG. 25 is a circuit diagram of a filter according to the sixth embodiment. 図２６は、実施例６の変形例１に係るフィルタの平面図である。FIG. 26 is a plan view of a filter according to a first modification of the sixth embodiment. 図２７（ａ）および図２７（ｂ）は、図２６のＡ−Ａ断面図である。27 (a) and 27 (b) are cross-sectional views taken along line AA in FIG. 図２８は、実施例６の変形例２に係るフィルタの平面図である。FIG. 28 is a plan view of a filter according to a second modification of the sixth embodiment. 図２９は、実施例７に係るデュプレクサの回路図である。FIG. 29 is a circuit diagram of a duplexer according to the seventh embodiment.

以下図面を参照し、本発明の実施例について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１（ａ）は、実施例１に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１（ｂ）および図１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）においてスペーサ１８をハッチングして図示している。図１（ｂ）は、例えばラダー型フィルタの直列共振器Ｓを、図１（ｃ）は例えばラダー型フィルタの並列共振器Ｐを示している。図１（ｂ）および図１（ｃ）において、Ａ−Ａ断面の奥にあるスペーサ１８を白抜きで示す。   FIG. 1A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the first embodiment, and FIGS. 1B and 1C are cross-sectional views taken along line AA of FIG. In FIG. 1A, the spacer 18 is hatched. FIG. 1B shows a series resonator S of a ladder type filter, for example, and FIG. 1C shows a parallel resonator P of a ladder type filter, for example. In FIG.1 (b) and FIG.1 (c), the spacer 18 in the back of an AA cross section is shown in white.

図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、シリコン（Ｓｉ）基板である基板１０上に、スペーサ１８が設けられている。スペーサ１８は例えばＡｕ（金）膜である。スペーサ１８は、平面視において矩形上の頂点に位置するように設けられている。スペーサ１８上に平板状の支持膜２２が設けられている。支持膜２２は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜である。基板１０の平坦面と支持膜２２との間に空隙３０が形成されている。 As shown in FIGS. 1A and 1B, a spacer 18 is provided on a substrate 10 which is a silicon (Si) substrate. The spacer 18 is, for example, an Au (gold) film. The spacer 18 is provided so as to be positioned at a vertex on a rectangle in plan view. A flat support film 22 is provided on the spacer 18. The support film 22 is, for example, an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) film. A gap 30 is formed between the flat surface of the substrate 10 and the support film 22.

支持膜２２上に、下部電極１２が設けられている。下部電極１２は例えばＣｒ（クロム）膜とＣｒ膜上のＲｕ（ルテニウム）膜とを含む。下部電極１２上に、（００２）方向を主軸とする窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とする圧電膜１４が設けられている。圧電膜１４を挟み下部電極１２と対向する領域（共振領域５０）を有するように圧電膜１４上に上部電極１６が設けられている。共振領域５０は、楕円形状を有し、厚み縦振動モードの弾性波が共振する領域である。共振領域５０は、平面視において空隙３０と重なり、スペーサ１８と重ならないように設けられている。上部電極１６は例えばＲｕ膜とＲｕ膜上に設けられたＣｒ膜とを含む。   A lower electrode 12 is provided on the support film 22. The lower electrode 12 includes, for example, a Cr (chromium) film and a Ru (ruthenium) film on the Cr film. On the lower electrode 12, a piezoelectric film 14 mainly composed of aluminum nitride (AlN) whose main axis is the (002) direction is provided. The upper electrode 16 is provided on the piezoelectric film 14 so as to have a region (resonance region 50) facing the lower electrode 12 with the piezoelectric film 14 interposed therebetween. The resonance region 50 has an elliptical shape and is a region in which elastic waves in the thickness longitudinal vibration mode resonate. The resonance region 50 is provided so as to overlap the gap 30 and not overlap the spacer 18 in plan view. The upper electrode 16 includes, for example, a Ru film and a Cr film provided on the Ru film.

上部電極１６上には周波数調整膜（不図示）として酸化シリコン膜が形成されている。共振領域５０内の積層膜１５は、下部電極１２、圧電膜１４、上部電極１６および周波数調整膜を含む。周波数調整膜はパッシベーション膜として機能してもよい。下部電極１２および上部電極１６上に各々パッド層２６が設けられている。パッド層２６は、例えばＴｉ膜およびＡｕ膜である。支持膜２２には犠牲層をエッチングするためのリリース孔３５が形成されている。支持膜２２はリリース孔３５により分断されており、支持膜２２の平面形状は矩形である。   A silicon oxide film is formed on the upper electrode 16 as a frequency adjustment film (not shown). The laminated film 15 in the resonance region 50 includes a lower electrode 12, a piezoelectric film 14, an upper electrode 16, and a frequency adjustment film. The frequency adjustment film may function as a passivation film. A pad layer 26 is provided on each of the lower electrode 12 and the upper electrode 16. The pad layer 26 is, for example, a Ti film and an Au film. A release hole 35 for etching the sacrificial layer is formed in the support film 22. The support film 22 is divided by a release hole 35, and the planar shape of the support film 22 is rectangular.

図１（ｃ）を参照し、並列共振器Ｐの構造について説明する。並列共振器Ｐは直列共振器Ｓと比較し、上部電極１６の下層１６ａ（例えばＲｕ膜）と上層１６ｂ（例えばＣｒ膜）との間に、Ｔｉ（チタン）層からなる質量負荷膜２０が設けられている。よって、積層膜１５は直列共振器Ｓの積層膜に加え、共振領域５０内の全面に形成された質量負荷膜２０を含む。その他の構成は直列共振器Ｓの図１（ｂ）と同じであり説明を省略する。   The structure of the parallel resonator P will be described with reference to FIG. Compared with the series resonator S, the parallel resonator P is provided with a mass load film 20 made of a Ti (titanium) layer between the lower layer 16a (for example, Ru film) and the upper layer 16b (for example, Cr film) of the upper electrode 16. It has been. Therefore, the laminated film 15 includes the mass load film 20 formed on the entire surface in the resonance region 50 in addition to the laminated film of the series resonator S. Other configurations are the same as those of the series resonator S shown in FIG.

直列共振器Ｓと並列共振器Ｐとの共振周波数の差は、質量負荷膜２０の膜厚を用い調整する。直列共振器Ｓと並列共振器Ｐとの両方の共振周波数の調整は、周波数調整膜の膜厚を調整することにより行なう。   The difference in resonance frequency between the series resonator S and the parallel resonator P is adjusted using the film thickness of the mass load film 20. The resonance frequency of both the series resonator S and the parallel resonator P is adjusted by adjusting the film thickness of the frequency adjustment film.

２．０ＧＨｚの共振周波数を有する圧電薄膜共振器の場合、スペーサ１８を高さが１００ｎｍの金膜とする。支持膜２２を膜厚が７０ｎｍの酸化アルミニウム膜とする。下部電極１２を膜厚が１００ｎｍのＣｒ膜と膜厚が２００ｎｍのＲｕ膜とする。圧電膜１４を膜厚が１２６０ｎｍのＡｌＮ膜とする。上部電極１６を膜厚が２３０ｎｍのＲｕ膜（下層１６ａ）と膜厚が５０ｎｍのＣｒ膜（上層１６ｂ）とする。周波数調整膜を膜厚が５０ｎｍの酸化シリコン膜とする。質量負荷膜２０を膜厚が４０ｎｍのＴｉ膜とする。各層の膜厚は、所望の共振特性を得るため適宜設定することができる。   In the case of a piezoelectric thin film resonator having a resonance frequency of 2.0 GHz, the spacer 18 is a gold film having a height of 100 nm. The support film 22 is an aluminum oxide film having a thickness of 70 nm. The lower electrode 12 is a Cr film having a thickness of 100 nm and a Ru film having a thickness of 200 nm. The piezoelectric film 14 is an AlN film having a thickness of 1260 nm. The upper electrode 16 is a Ru film (lower layer 16a) having a thickness of 230 nm and a Cr film (upper layer 16b) having a thickness of 50 nm. The frequency adjustment film is a silicon oxide film having a thickness of 50 nm. The mass load film 20 is a Ti film having a thickness of 40 nm. The film thickness of each layer can be set as appropriate in order to obtain desired resonance characteristics.

基板１０としては、Ｓｉ基板以外に、サファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、石英基板、ガラス基板、セラミック基板、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板またはＧａＡｓ基板等を用いることができる。   As the substrate 10, in addition to the Si substrate, a sapphire substrate, spinel substrate, alumina substrate, quartz substrate, glass substrate, ceramic substrate, lithium tantalate substrate, lithium niobate substrate, GaAs substrate, or the like can be used.

スペーサ１８として、Ａｕ膜以外に、Ｒｕ膜、Ｒｈ（ロジウム）膜、Ｐｔ（白金）膜、もしくはＩｒ（イリジウム）膜等の金属膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、もしくはダイヤモンドライクカーボン膜等の絶縁膜、またはこれらの複合膜を用いることができる。   As the spacer 18, in addition to the Au film, a metal film such as a Ru film, Rh (rhodium) film, Pt (platinum) film, or Ir (iridium) film, an aluminum oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or diamond An insulating film such as a like carbon film or a composite film thereof can be used.

支持膜２２としては、酸化アルミニウム膜以外に、酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、もしくはダイヤモンドライクカーボン膜等の絶縁膜、またはこれらの複合膜を用いることができる。絶縁膜および金属膜には他元素が添加されていてもよい。   As the support film 22, in addition to the aluminum oxide film, an insulating film such as a silicon oxide film, an aluminum nitride film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a diamond-like carbon film, or a composite film thereof can be used. Other elements may be added to the insulating film and the metal film.

下部電極１２および上部電極１６としては、ＲｕおよびＣｒ以外にもＡｌ、Ｔｉ、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｐｔ、ＲｈもしくはＩｒ等の単層膜またはこれらの積層膜を用いることができる。   As the lower electrode 12 and the upper electrode 16, in addition to Ru and Cr, a single layer film such as Al, Ti, Cu (copper), Mo (molybdenum), W (tungsten), Ta (tantalum), Pt, Rh, or Ir Alternatively, a stacked film of these can be used.

圧電膜１４は、窒化アルミニウム以外にも、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ＰｂＴｉＯ3（チタン酸鉛）等を用いることができる。また、例えば、圧電膜１４は、窒化アルミニウムを主成分とし、共振特性の向上または圧電性の向上のため他の元素を含んでもよい。例えば、添加元素として、Ｓｃ（スカンジウム）、２族元素もしくは１２族元素と４族元素との２つの元素、または２族元素もしくは１２族元素と５族元素との２つの元素を用いることにより、圧電膜１４の圧電性が向上する。このため、圧電薄膜共振器の実効的電気機械結合係数を向上できる。２族元素は、例えばＣａ（カルシウム）、Ｍｇ（マグネシウム）またはＳｒ（ストロンチウム）である。１２族元素は例えばＺｎ（亜鉛）である。４族元素は、例えばＴｉ、Ｚｒ（ジルコニウム）またはＨｆ（ハフニウム）である。５族元素は、例えばＴａ、Ｎｂ（ニオブ）またはＶ（バナジウム）である。さらに、圧電膜１４は、窒化アルミニウムを主成分とし、Ｂ（ボロン）を含んでもよい。 In addition to aluminum nitride, the piezoelectric film 14 may be made of ZnO (zinc oxide), PZT (lead zirconate titanate), PbTiO 3 (lead titanate), or the like. In addition, for example, the piezoelectric film 14 may contain aluminum nitride as a main component and may contain other elements for improving resonance characteristics or piezoelectricity. For example, by using Sc (scandium), two elements of Group 2 element or Group 12 element and Group 4 element, or two elements of Group 2 element or Group 12 element and Group 5 element as additive elements, The piezoelectricity of the piezoelectric film 14 is improved. For this reason, the effective electromechanical coupling coefficient of the piezoelectric thin film resonator can be improved. The group 2 element is, for example, Ca (calcium), Mg (magnesium), or Sr (strontium). The group 12 element is, for example, Zn (zinc). The group 4 element is, for example, Ti, Zr (zirconium) or Hf (hafnium). The group 5 element is, for example, Ta, Nb (niobium) or V (vanadium). Further, the piezoelectric film 14 may contain aluminum nitride as a main component and B (boron).

周波数調整膜としては、酸化シリコン膜以外にも窒化シリコン膜または窒化アルミニウム等を用いることができる。質量負荷膜２０としては、Ｔｉ以外にも、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ、ＲｈもしくはＩｒ等の単層膜を用いることができる。また、例えば窒化シリコンまたは酸化シリコン等の窒化金属または酸化金属からなる絶縁膜を用いることもできる。質量負荷膜２０は、上部電極１６の層間（Ｒｕ膜とＣｒ膜との間）以外にも、下部電極１２の下、下部電極１２の層間、上部電極１６の上、下部電極１２と圧電膜１４との間または圧電膜１４と上部電極１６との間に形成することができる。質量負荷膜２０は、共振領域５０を含むように形成されていれば、共振領域５０より大きくてもよい。   As the frequency adjustment film, a silicon nitride film, aluminum nitride, or the like can be used in addition to the silicon oxide film. As the mass load film 20, in addition to Ti, a single layer film such as Ru, Cr, Al, Cu, Mo, W, Ta, Pt, Rh or Ir can be used. For example, an insulating film made of metal nitride or metal oxide such as silicon nitride or silicon oxide can be used. In addition to the interlayer between the upper electrodes 16 (between the Ru film and the Cr film), the mass load film 20 is disposed below the lower electrode 12, between the lower electrodes 12, above the upper electrode 16, and between the lower electrode 12 and the piezoelectric film 14. Or between the piezoelectric film 14 and the upper electrode 16. The mass load film 20 may be larger than the resonance region 50 as long as it is formed so as to include the resonance region 50.

図２（ａ）から図４（ａ）は、実施例１の直列共振器の製造方法を示す断面図である。図２（ａ）に示すように、平坦主面を有する基板１０上にスペーサ１８を形成する。スペーサ１８の膜厚は例えば１００ｎｍから５００ｎｍである。スペーサ１８は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用い成膜する。その後、スペーサ１８をフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。スペーサ１８は、リフトオフ法を用い形成してもよい。   FIGS. 2A to 4A are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the series resonator according to the first embodiment. As shown in FIG. 2A, a spacer 18 is formed on a substrate 10 having a flat main surface. The film thickness of the spacer 18 is, for example, 100 nm to 500 nm. The spacer 18 is formed using, for example, a sputtering method, a vacuum evaporation method, or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Thereafter, the spacer 18 is patterned into a desired shape using a photolithography method and an etching method. The spacer 18 may be formed using a lift-off method.

図２（ｂ）に示すように、基板１０上に、スペーサ１８を覆うように犠牲層３８を例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い形成する。犠牲層３８は、スペーサ１８より厚く、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、ＺｎＯ、Ｇｅ（ゲルマニウム）またはＳｉＯ２（酸化シリコン）等のエッチング液またはエッチングガスに容易に溶解できる材料を用いる。その後、犠牲層３８の上面およびスペーサ１８の上面を、例えばエッチング法またはＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用い平坦化する。これにより、スペーサ１８の膜厚と犠牲層３８の膜厚はほぼ同じとなる。 As shown in FIG. 2B, a sacrificial layer 38 is formed on the substrate 10 so as to cover the spacers 18 by using, for example, a sputtering method, a vacuum evaporation method, or a CVD method. The sacrificial layer 38 is made of a material that is thicker than the spacer 18 and that can be easily dissolved in an etching solution or etching gas such as MgO (magnesium oxide), ZnO, Ge (germanium), or SiO 2 (silicon oxide). Thereafter, the upper surface of the sacrificial layer 38 and the upper surface of the spacer 18 are planarized by using, for example, an etching method or a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method. Thereby, the film thickness of the spacer 18 and the film thickness of the sacrificial layer 38 become substantially the same.

図２（ｃ）に示すように、スペーサ１８および犠牲層３８上に支持膜２２を、例えばスパッタリンング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い形成する。支持膜２２の膜厚は例えば１０ｎｍから１００ｎｍである。支持膜２２にリリース孔３５（図１（ａ）から図１（ｃ）参照）を例えばエッチング法を用い形成する。支持膜２２はリフトオフ法を用い形成してもよい。   As shown in FIG. 2C, the support film 22 is formed on the spacer 18 and the sacrificial layer 38 by using, for example, a sputtering method, a vacuum evaporation method, or a CVD method. The film thickness of the support film 22 is, for example, 10 nm to 100 nm. Release holes 35 (see FIG. 1A to FIG. 1C) are formed in the support film 22 by using, for example, an etching method. The support film 22 may be formed using a lift-off method.

図２（ｄ）に示すように、支持膜２２上に下部電極１２を、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い形成する。下部電極１２をフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いパターニングする。下部電極１２はリフトオフ法を用い形成してもよい。   As shown in FIG. 2D, the lower electrode 12 is formed on the support film 22 by using, for example, a sputtering method, a vacuum evaporation method, or a CVD method. The lower electrode 12 is patterned using a photolithography method and an etching method. The lower electrode 12 may be formed using a lift-off method.

図３（ａ）に示すように、下部電極１２および基板１０上に圧電膜１４を、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い形成する。図３（ｂ）に示すように、上部電極１６をスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い成膜する。上部電極１６をフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。上部電極１６はリフトオフ法を用い形成してもよい。   As shown in FIG. 3A, the piezoelectric film 14 is formed on the lower electrode 12 and the substrate 10 by using, for example, a sputtering method, a vacuum evaporation method, or a CVD method. As shown in FIG. 3B, the upper electrode 16 is formed by sputtering, vacuum evaporation, or CVD. The upper electrode 16 is patterned into a desired shape using a photolithography method and an etching method. The upper electrode 16 may be formed using a lift-off method.

図３（ｃ）に示すように、圧電膜１４を、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。図４（ａ）に示すように、下部電極１２および上部電極１６上にパッド層２６を、例えばスパッタリング法および真空蒸着法を用い形成する。パッド層２６をフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。パッド層２６はリフトオフ法を用い形成してもよい。その後、周波数調整膜を例えばスパッタリング法またはＣＶＤ法を用い形成する。フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い周波数調整膜を所望の形状にパターニングする。   As shown in FIG. 3C, the piezoelectric film 14 is patterned into a desired shape using a photolithography method and an etching method. As shown in FIG. 4A, the pad layer 26 is formed on the lower electrode 12 and the upper electrode 16 by using, for example, a sputtering method and a vacuum evaporation method. The pad layer 26 is patterned into a desired shape using a photolithography method and an etching method. The pad layer 26 may be formed using a lift-off method. Thereafter, a frequency adjusting film is formed by using, for example, a sputtering method or a CVD method. The frequency adjustment film is patterned into a desired shape using a photolithography method and an etching method.

図４（ｂ）および図４（ｃ）は、実施例１の並列共振器の製造方法を示す断面図である。図４（ｂ）に示すように、並列共振器Ｐにおいては、図３（ａ）の後、上部電極１６の下層１６ａを形成する。質量負荷膜２０を、例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い成膜する。質量負荷膜２０をフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。その後、上部電極１６の上層１６ｂを形成する。上部電極１６を所望の形状にパターニングする。図４（ｃ）に示すように、図３（ｃ）および図４（ａ）の工程を行う。   4B and 4C are cross-sectional views illustrating the method for manufacturing the parallel resonator of the first embodiment. As shown in FIG. 4B, in the parallel resonator P, the lower layer 16a of the upper electrode 16 is formed after FIG. The mass load film 20 is formed by using, for example, a sputtering method, a vacuum evaporation method, or a CVD method. The mass load film 20 is patterned into a desired shape using a photolithography method and an etching method. Thereafter, the upper layer 16b of the upper electrode 16 is formed. The upper electrode 16 is patterned into a desired shape. As shown in FIG. 4C, the steps of FIG. 3C and FIG. 4A are performed.

図４（ａ）および図４（ｃ）の後、リリース孔３５を介し、犠牲層３８のエッチング液を支持膜２２下の犠牲層３８に導入する。これにより、犠牲層３８が除去される。犠牲層３８をエッチングする媒体としては、犠牲層３８以外の共振器を構成する材料をエッチングしない媒体であることが好ましい。特に、エッチング媒体は、エッチング媒体が接触するスペーサ１８および支持膜２２がエッチングされない媒体であることが好ましい。以上により、図１（ｂ）に示した直列共振器Ｓおよび図１（ｃ）に示した並列共振器Ｐが作製される。   After FIG. 4A and FIG. 4C, the etching solution for the sacrificial layer 38 is introduced into the sacrificial layer 38 under the support film 22 through the release hole 35. Thereby, the sacrificial layer 38 is removed. The medium for etching the sacrificial layer 38 is preferably a medium that does not etch the material constituting the resonator other than the sacrificial layer 38. In particular, the etching medium is preferably a medium in which the spacer 18 and the support film 22 that are in contact with the etching medium are not etched. Thus, the series resonator S shown in FIG. 1B and the parallel resonator P shown in FIG.

実施例１によれば、支持膜２２はスペーサ１８上に設けられている。基板１０と支持膜２２との間に空隙３０が形成されている。平面視において共振領域５０は空隙３０に重なる。下部電極１２の膜厚は、支持膜２２の膜厚以上である。このように、支持膜２２の少なくとも一部が薄いため、共振領域５０における共振特性の劣化が抑制できる。また、支持膜２２が設けられているため、下部電極１２および／または上部電極１６等にクラックが形成される等の機械的な劣化を抑制できる。   According to the first embodiment, the support film 22 is provided on the spacer 18. A gap 30 is formed between the substrate 10 and the support film 22. The resonance region 50 overlaps the air gap 30 in plan view. The film thickness of the lower electrode 12 is equal to or greater than the film thickness of the support film 22. As described above, since at least a part of the support film 22 is thin, the deterioration of the resonance characteristics in the resonance region 50 can be suppressed. Further, since the support film 22 is provided, mechanical deterioration such as a crack formed in the lower electrode 12 and / or the upper electrode 16 can be suppressed.

支持膜２２が薄くとも支持膜２２の強度を確保するためには、支持膜２２のヤング率および／または硬度が大きいことが好ましい。例えば、支持膜２２のヤング率は積層膜の中で最も厚い圧電膜１４のヤング率より大きいことが好ましい。また、支持膜２２の硬度は圧電膜１４の硬度より大きいことが好ましい。また、下部電極１２と導通しないように、支持膜２２は絶縁体であることが好ましい。   In order to ensure the strength of the support film 22 even if the support film 22 is thin, it is preferable that the Young's modulus and / or hardness of the support film 22 is large. For example, the Young's modulus of the support film 22 is preferably larger than the Young's modulus of the thickest piezoelectric film 14 in the laminated film. Further, the hardness of the support film 22 is preferably larger than the hardness of the piezoelectric film 14. Further, the support film 22 is preferably an insulator so as not to be electrically connected to the lower electrode 12.

表１に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルニミウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化シリコン（ＳｉＮ）およびダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）のヤング率およびビッカース硬度を示す。

Figure 2018207375
Table 1 shows the Young's modulus and Vickers hardness of aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon nitride (SiN), and diamond-like carbon (DLC).
Figure 2018207375

表１に示すように、酸化アルニミウム、窒化シリコンおよびダイヤモンドライクカーボンのヤング率は、窒化アルミニウムのヤング率と同程度か大きい。酸化アルニミウム、窒化シリコンおよびダイヤモンドライクカーボンのビッカース硬度は、窒化アルミニウムのビッカース強度より大きい。よって、圧電膜１４の主成分が窒化アルミニウムのとき、支持膜２２は、窒化アルミニウム膜、酸化アルニミウム膜、窒化シリコン膜およびダイヤモンドライクカーボン膜の少なくとも１つを含むことが好ましい。   As shown in Table 1, the Young's modulus of aluminum oxide, silicon nitride, and diamond-like carbon is about the same as or larger than that of aluminum nitride. The Vickers hardness of aluminum oxide, silicon nitride and diamond-like carbon is greater than the Vickers strength of aluminum nitride. Therefore, when the main component of the piezoelectric film 14 is aluminum nitride, the support film 22 preferably includes at least one of an aluminum nitride film, an aluminum oxide film, a silicon nitride film, and a diamond-like carbon film.

［実施例１の変形例１］
図５（ａ）は、実施例１の変形例１に係る圧電薄膜共振器の平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図５（ａ）では、共振領域５０、スペーサ１８（ハッチング）、支持膜２２およびパッド層２６を図示し、下部電極１２および上部電極１６の図示を省略している。図５（ｂ）において、スペーサ１８の断面をハッチングで示し、Ａ−Ａ断面の奥にあるスペーサ１８を白抜きで示す。以下同様である。 [Modification 1 of Example 1]
FIG. 5A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the first modification of the first embodiment, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 5A, the resonance region 50, the spacer 18 (hatching), the support film 22 and the pad layer 26 are illustrated, and the lower electrode 12 and the upper electrode 16 are not illustrated. In FIG.5 (b), the cross section of the spacer 18 is shown by hatching, and the spacer 18 in the back of an AA cross section is shown in white. The same applies hereinafter.

図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、スペーサ１８は共振領域５０を囲むように設けられている。スペーサ１８の内周は共振領域５０の外周に沿って設けられている。例えばスペーサ１８の内周が共振領域５０の外周に沿った領域では、スペーサ１８の内周と共振領域５０の外周との距離はほぼ一定である。共振領域５０の長軸方向にはスペーサ１８が設けられていない。スペーサ１８が設けられていない領域は、リリース孔３５と空隙３０をつなげる導入路３３となる。導入路３３は、犠牲層３８のエッチング液をリリース孔３５から犠牲層３８に導入する通路である。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。   As shown in FIGS. 5A and 5B, the spacer 18 is provided so as to surround the resonance region 50. The inner periphery of the spacer 18 is provided along the outer periphery of the resonance region 50. For example, in a region where the inner periphery of the spacer 18 is along the outer periphery of the resonance region 50, the distance between the inner periphery of the spacer 18 and the outer periphery of the resonance region 50 is substantially constant. The spacer 18 is not provided in the major axis direction of the resonance region 50. A region where the spacer 18 is not provided serves as an introduction path 33 that connects the release hole 35 and the gap 30. The introduction path 33 is a path for introducing the etching solution of the sacrificial layer 38 into the sacrificial layer 38 from the release hole 35. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and the description thereof is omitted.

［実施例１の変形例２］
図６（ａ）は、実施例１の変形例２に係る圧電薄膜共振器の平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、共振領域５０の長軸方向および短軸方向に導入路３３が設けられている。その他の構成は実施例１の変形例１と同じであり説明を省略する。 [Modification 2 of Embodiment 1]
6A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the second modification of the first embodiment, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 6A. As shown in FIGS. 6A and 6B, the introduction path 33 is provided in the major axis direction and the minor axis direction of the resonance region 50. Other configurations are the same as those of the first modification of the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

犠牲層３８を効率よく除去するためには、実施例１のように、空隙３０は大きいことが好ましい。支持膜２２の破壊を抑制するためには、実施例１の変形例１および２のように、スペーサ１８の内周を共振領域５０の外周に沿って設けることが好ましい。導入路３３は、平面視において共振領域５０の外周のうち最も離れた２箇所（楕円形では長軸方向の２箇所）とリリース孔３５をつなぐように設けることが好ましい。これにより、犠牲層３８を効率よく除去できる。   In order to remove the sacrificial layer 38 efficiently, the gap 30 is preferably large as in the first embodiment. In order to suppress the breakage of the support film 22, it is preferable to provide the inner periphery of the spacer 18 along the outer periphery of the resonance region 50 as in the first and second modifications of the first embodiment. The introduction path 33 is preferably provided so as to connect the release holes 35 to two farthest positions (two positions in the long axis direction in the case of an ellipse) of the outer periphery of the resonance region 50 in a plan view. Thereby, the sacrificial layer 38 can be removed efficiently.

パッド層２６（パッド）は、共振領域５０外において下部電極１２および上部電極１６の少なくとも一方上に設けられている。パッド層２６には、例えばバンプまたはボンディングワイヤのような接続部材が接合される。このため、パッド層２６には応力が加わりやすく支持膜２２が破壊されやすい。そこで、実施例１の変形例１および２のように、平面視においてスペーサ１８をパッド層２６の少なくとも一部に重なるように設ける。これにより、支持膜２２をより補強できる。   The pad layer 26 (pad) is provided on at least one of the lower electrode 12 and the upper electrode 16 outside the resonance region 50. A connection member such as a bump or a bonding wire is bonded to the pad layer 26. For this reason, stress is easily applied to the pad layer 26 and the support film 22 is easily broken. Therefore, as in the first and second modifications of the first embodiment, the spacer 18 is provided so as to overlap at least part of the pad layer 26 in plan view. Thereby, the support film 22 can be further reinforced.

実施例２は、支持膜２２内に厚膜部２４および薄膜部２３を設ける例である。図７（ａ）は、実施例２およびその変形例１に係る圧電薄膜共振器の平面図、図７（ｂ）および図７（ｃ）は、それぞれ実施例２およびその変形例１における図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図７（ａ）では、共振領域５０、スペーサ１８、支持膜２２、厚膜部２４およびパッド層２６を図示し、下部電極１２および上部電極１６の図示を省略している。スペーサ１８および厚膜部２４をハッチングで図示している。図７（ｂ）において、スペーサ１８および支持膜２２の断面をハッチングで示し、Ａ−Ａ断面の奥にあるスペーサ１８および支持膜２２を白抜きで示す。以下同様である。   The second embodiment is an example in which the thick film portion 24 and the thin film portion 23 are provided in the support film 22. FIG. 7A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the second embodiment and its modification 1, and FIGS. 7B and 7C are FIG. 7 in the second embodiment and its modification 1, respectively. It is AA sectional drawing of (a). 7A, the resonance region 50, the spacer 18, the support film 22, the thick film portion 24, and the pad layer 26 are illustrated, and the lower electrode 12 and the upper electrode 16 are not illustrated. The spacer 18 and the thick film portion 24 are shown by hatching. In FIG.7 (b), the cross section of the spacer 18 and the support film | membrane 22 is shown by hatching, and the spacer 18 and the support film 22 in the back of an AA cross section are shown in white. The same applies hereinafter.

[実施例２およびその変形例１]
図７（ａ）から図７（ｃ）に示すように、支持膜２２に薄膜部２３と厚膜部２４が設けられている。厚膜部２４の膜厚は薄膜部２３の膜厚より大きい。厚膜部２４は、パッド層２６と共振領域５０とを横断するように設けられている。平面視において厚膜部２４はパッド層２６を含む。また、厚膜部２４は、支持膜２２の対向する辺の間に設けられている。 [Example 2 and its modification 1]
As shown in FIGS. 7A to 7C, the support film 22 is provided with a thin film portion 23 and a thick film portion 24. The film thickness of the thick film portion 24 is larger than the film thickness of the thin film portion 23. The thick film portion 24 is provided so as to cross the pad layer 26 and the resonance region 50. The thick film portion 24 includes a pad layer 26 in plan view. Further, the thick film portion 24 is provided between opposing sides of the support film 22.

図７（ｂ）のように、実施例２では、支持膜２２の上面は平面であり、厚膜部２４では薄膜部２３に対し下面が下に突出している。図７（ｃ）のように、実施例２の変形例１では、支持膜２２の下面は平面であり、厚膜部２４では薄膜部２３に対し上面が上方に突出している。下部電極１２の上面は平坦である。   As shown in FIG. 7B, in Example 2, the upper surface of the support film 22 is a flat surface, and the lower surface of the thick film portion 24 protrudes downward with respect to the thin film portion 23. As shown in FIG. 7C, in the first modification of the second embodiment, the lower surface of the support film 22 is a flat surface, and the upper surface of the thick film portion 24 protrudes upward from the thin film portion 23. The upper surface of the lower electrode 12 is flat.

[実施例２の変形例２から５]
図８（ａ）から図８（ｄ）は、実施例２の変形例２から５に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図８（ａ）に示すように、実施例２の変形例２では、支持膜２２は膜２２ａおよび２２ｂを有している。膜２２ｂは膜２２ａ上に設けられている。膜２２ａの膜厚は一定である。薄膜部２３は膜２２ａからなり、厚膜部２４は膜２２ａと２２ｂからなる。その他の構成は実施例２の変形例１と同じであり説明を省略する。 [Modifications 2 to 5 of Example 2]
FIG. 8A to FIG. 8D are cross-sectional views of piezoelectric thin film resonators according to modifications 2 to 5 of the second embodiment. As shown in FIG. 8A, in the second modification of the second embodiment, the support film 22 includes films 22a and 22b. The film 22b is provided on the film 22a. The film thickness of the film 22a is constant. The thin film portion 23 is made of a film 22a, and the thick film portion 24 is made of films 22a and 22b. Other configurations are the same as those of the first modification of the second embodiment, and a description thereof will be omitted.

図８（ｂ）に示すように、実施例２の変形例３では、厚膜部２４および薄膜部２３上で下部電極１２の膜厚は一定である。これにより、下部電極１２の上面には凸部が設けられる。圧電膜１４の上面は平坦である。その他の構成は実施例２の変形例１と同じであり説明を省略する。   As shown in FIG. 8B, in the third modification of the second embodiment, the thickness of the lower electrode 12 is constant on the thick film portion 24 and the thin film portion 23. Thereby, a convex portion is provided on the upper surface of the lower electrode 12. The upper surface of the piezoelectric film 14 is flat. Other configurations are the same as those of the first modification of the second embodiment, and a description thereof will be omitted.

図８（ｃ）に示すように、実施例２の変形例４では、厚膜部２４および薄膜部２３上で圧電膜１４の膜厚は一定である。また、上部電極１６の膜厚は一定である。これにより、下部電極１２、圧電膜１４および上部電極１６の上面には各々凸部が設けられる。その他の構成は実施例２の変形例１と同じであり説明を省略する。   As shown in FIG. 8C, in the fourth modification of the second embodiment, the film thickness of the piezoelectric film 14 is constant on the thick film portion 24 and the thin film portion 23. Further, the film thickness of the upper electrode 16 is constant. Thereby, convex portions are provided on the upper surfaces of the lower electrode 12, the piezoelectric film 14, and the upper electrode 16, respectively. Other configurations are the same as those of the first modification of the second embodiment, and a description thereof will be omitted.

図８（ｄ）に示すように、実施例２の変形例５では、支持膜２２は膜２２ａおよび２２ｂを有している。膜２２ｂは膜２２ａ下に設けられている。膜２２ａの膜厚は一定である。薄膜部２３は膜２２ａからなり、厚膜部２４は膜２２ａと２２ｂからなる。その他の構成は実施例２の変形例４と同じであり説明を省略する。   As shown in FIG. 8D, in the fifth modification of the second embodiment, the support film 22 includes films 22a and 22b. The film 22b is provided below the film 22a. The film thickness of the film 22a is constant. The thin film portion 23 is made of a film 22a, and the thick film portion 24 is made of films 22a and 22b. Other configurations are the same as those of the fourth modification of the second embodiment, and a description thereof will be omitted.

［実施例２の変形例６および７］
図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例２の変形例６および７に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図９（ａ）に示すように、実施例２の変形例６では、支持膜２２は膜２２ａおよび２２ｂを有している。膜２２ａの膜厚は一定である。膜２２ｂは膜２２ａ下に設けられている。薄膜部２３は膜２２ａからなり、厚膜部２４は膜２２ａと２２ｂからなる。その他の構成は実施例２と同じであり説明を省略する。 [Modifications 6 and 7 of Example 2]
FIGS. 9A and 9B are cross-sectional views of piezoelectric thin film resonators according to Modifications 6 and 7 of the second embodiment. As shown in FIG. 9A, in the sixth modification of the second embodiment, the support film 22 includes films 22a and 22b. The film thickness of the film 22a is constant. The film 22b is provided below the film 22a. The thin film portion 23 is made of a film 22a, and the thick film portion 24 is made of films 22a and 22b. Other configurations are the same as those of the second embodiment, and the description thereof is omitted.

図９（ｂ）に示すように、実施例２の変形例７では、支持膜２２は膜２２ａおよび２２ｂを有している。膜２２ｂは膜２２ａ上に設けられている。その他の構成は実施例２の変形例６と同じであり説明を省略する。   As shown in FIG. 9B, in the seventh modification of the second embodiment, the support film 22 includes films 22a and 22b. The film 22b is provided on the film 22a. Other configurations are the same as those of the sixth modification of the second embodiment, and a description thereof will be omitted.

実施例２およびその変形例によれば、支持膜２２は薄膜部２３と厚膜部２４とを有する。厚膜部２４により支持膜２２を補強することができる。下部電極１２は、薄膜部２３より厚ければよい。すなわち、下部電極１２の膜厚は、平面視において空隙３０と重なる領域（または共振領域５０）における支持膜２２の最も薄い膜厚より大きい。下部電極１２の膜厚は、平面視において空隙３０と重なる領域（または共振領域５０）における支持膜２２の最も厚い膜厚より大きいことがより好ましい。   According to the second embodiment and its modification, the support film 22 has a thin film portion 23 and a thick film portion 24. The support film 22 can be reinforced by the thick film portion 24. The lower electrode 12 only needs to be thicker than the thin film portion 23. That is, the film thickness of the lower electrode 12 is larger than the thinnest film thickness of the support film 22 in the region (or the resonance region 50) overlapping the gap 30 in plan view. The film thickness of the lower electrode 12 is more preferably larger than the thickest film thickness of the support film 22 in the region (or the resonance region 50) overlapping the gap 30 in plan view.

共振特性の劣化を抑制するため、下部電極１２の膜厚は、空隙３０と重なる領域（または共振領域５０）における支持膜２２の最も薄い膜厚の１．５倍以上が好ましく、２倍以上がより好ましい。下部電極１２の膜厚は、空隙３０と重なる領域（または共振領域５０）における支持膜２２の最も厚い膜厚以上が好ましく、１．５倍以上がより好ましく、２倍以上がさらに好ましい。支持膜２２の機械的な強度を確保するため、下部電極１２の膜厚は、空隙３０と重なる領域（または共振領域５０）における支持膜２２の最も薄い膜厚の１０倍以下が好ましい。   In order to suppress the deterioration of the resonance characteristics, the film thickness of the lower electrode 12 is preferably 1.5 times or more the thinnest film thickness of the support film 22 in the region overlapping the gap 30 (or the resonance region 50), and preferably 2 times or more. More preferred. The film thickness of the lower electrode 12 is preferably equal to or greater than the thickest film thickness of the support film 22 in the region overlapping the gap 30 (or the resonance region 50), more preferably 1.5 times or more, and even more preferably 2 times or more. In order to ensure the mechanical strength of the support film 22, the film thickness of the lower electrode 12 is preferably 10 times or less the thinnest film thickness of the support film 22 in the region (or the resonance region 50) overlapping the gap 30.

実施例２およびその変形例６および７のように、厚膜部２４の下面は薄膜部２３の下面より下方に突出していてもよい。実施例２の変形例１から５のように、厚膜部２４の上面は薄膜部２３の上面より上方に突出していてもよい。   As in the second embodiment and the modifications 6 and 7, the lower surface of the thick film portion 24 may protrude downward from the lower surface of the thin film portion 23. As in the first to fifth modifications of the second embodiment, the upper surface of the thick film portion 24 may protrude above the upper surface of the thin film portion 23.

支持膜２２の上面に凸部が存在すると、実施例２の変形例１および２のように、下部電極１２の膜厚が異なる。または下部電極１２、圧電膜１４および上部電極１６の少なくとも一つの上面に凸部が形成される。このため、共振特性が劣化する可能性がある。よって、実施例２およびその変形例６および７のように、共振領域５０内の支持膜２２の上面は平面であることが好ましい。   When a convex portion exists on the upper surface of the support film 22, the film thickness of the lower electrode 12 is different as in the first and second modifications of the second embodiment. Alternatively, a convex portion is formed on at least one upper surface of the lower electrode 12, the piezoelectric film 14, and the upper electrode 16. For this reason, the resonance characteristics may be deteriorated. Therefore, as in Example 2 and Modifications 6 and 7, it is preferable that the upper surface of the support film 22 in the resonance region 50 is a flat surface.

実施例２およびその変形例では、厚膜部２４の膜厚が一定の例を説明したが、厚膜部２４の膜厚は一定でなくてもよい。厚膜部２４と薄膜部２３は単一の膜でもよい。厚膜部２４は薄膜部２３の膜２２ａと膜２２ａと異なる膜２２ｂを含んでもよい。膜２２ａと２２ｂは同じ材料の膜でもよいし、異なる材料の膜でもよい。   In the second embodiment and the modification thereof, the example in which the thickness of the thick film portion 24 is constant has been described. However, the thickness of the thick film portion 24 may not be constant. The thick film portion 24 and the thin film portion 23 may be a single film. The thick film part 24 may include a film 22a of the thin film part 23 and a film 22b different from the film 22a. The films 22a and 22b may be the same material film or different material films.

［実施例３およびその変形例１］
実施例３は、薄膜部２３および厚膜部２４の平面形状を異ならせる例である。図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例３およびその変形例１に係る圧電薄膜共振器の断面図である。 [Example 3 and its modification 1]
In the third embodiment, the planar shapes of the thin film portion 23 and the thick film portion 24 are different. FIGS. 10A and 10B are cross-sectional views of the piezoelectric thin film resonator according to the third embodiment and the first modification thereof.

図１０（ａ）に示すように、実施例３では、厚膜部２４は２本の平行な直線状である。図１０（ｂ）に示すように、実施例３の変形例１では、厚膜部２４は幅が実施例２より狭い直線状であり、平面視においてパッド層２６の一部と重なる。その他の構成は、実施例２およびその変形例と同じであり説明を省略する。実施例３およびその変形例１のように、共振領域５０内の厚膜部２４の面積は共振領域５０の面積の１／２以下が好ましく、１／５以下がより好ましい。これにより、圧電薄膜共振器の共振特性の劣化を抑制できる。   As shown in FIG. 10A, in the third embodiment, the thick film portion 24 has two parallel straight lines. As shown in FIG. 10B, in the first modification of the third embodiment, the thick film portion 24 has a linear shape whose width is narrower than that of the second embodiment, and overlaps a part of the pad layer 26 in plan view. Other configurations are the same as those of the second embodiment and its modifications, and the description thereof is omitted. As in Example 3 and Modification Example 1, the area of the thick film portion 24 in the resonance region 50 is preferably 1/2 or less, more preferably 1/5 or less of the area of the resonance region 50. Thereby, deterioration of the resonance characteristics of the piezoelectric thin film resonator can be suppressed.

［実施例３の変形例２］
図１１（ａ）は、実施例３の変形例２に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、厚膜部２４は十字状に設けられている。支持膜２２の平面形状は矩形であり、厚膜部２４は矩形の４辺の間に連続して設けられている。共振領域５０は全て厚膜部２４である。その他の構成は実施例２の変形例１と同じであり説明を省略する。実施例３の変形例２のように、共振領域５０は厚膜部２４でもよい。これにより、共振領域５０の支持膜２２を補強できる。 [Modification 2 of Example 3]
FIG. 11A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to a second modification of the third embodiment, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. As shown in FIGS. 11A and 11B, the thick film portion 24 is provided in a cross shape. The planar shape of the support film 22 is a rectangle, and the thick film portion 24 is continuously provided between the four sides of the rectangle. All the resonance regions 50 are the thick film portions 24. Other configurations are the same as those of the first modification of the second embodiment, and a description thereof will be omitted. The resonance region 50 may be the thick film portion 24 as in the second modification of the third embodiment. Thereby, the support film 22 in the resonance region 50 can be reinforced.

［実施例３の変形例３］
図１２（ａ）は、実施例３の変形例３に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、厚膜部２４は共振領域５０の両側において長軸方向に延伸して設けられ、平面視においてパッド層２６を含んでいる。支持膜２２の平面形状は矩形であり、厚膜部２４は矩形の対向する一対の辺の間に連続して設けられている。共振領域５０は全て薄膜部２３である。その他の構成は実施例３の変形例２と同じであり説明を省略する。実施例３の変形例３のように、共振領域５０は薄膜部２３でもよい。これにより、共振特性の劣化を抑制できる。 [Modification 3 of Example 3]
12A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to a third modification of the third embodiment, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 12A. As shown in FIGS. 12A and 12B, the thick film portion 24 is provided extending in the major axis direction on both sides of the resonance region 50, and includes a pad layer 26 in plan view. The planar shape of the support film 22 is a rectangle, and the thick film portion 24 is continuously provided between a pair of opposing sides of the rectangle. All the resonance regions 50 are the thin film portions 23. Other configurations are the same as those of the second modification of the third embodiment, and a description thereof will be omitted. As in the third modification of the third embodiment, the resonance region 50 may be the thin film portion 23. Thereby, deterioration of the resonance characteristics can be suppressed.

［実施例３の変形例４］
図１３（ａ）は、実施例３の変形例４に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、厚膜部２４は共振領域５０を囲むように設けられている。その他の構成は実施例３の変形例３と同じであり説明を省略する。実施例３の変形例４のように、厚膜部２４が共振領域５０を囲むことで、共振領域５０の支持膜２２を補強できる。 [Modification 4 of Example 3]
FIG. 13A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to a fourth modification of the third embodiment, and FIG. 13B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. As shown in FIGS. 13A and 13B, the thick film portion 24 is provided so as to surround the resonance region 50. Other configurations are the same as those of the third modification of the third embodiment, and a description thereof will be omitted. The support film 22 in the resonance region 50 can be reinforced by surrounding the resonance region 50 with the thick film portion 24 as in the fourth modification of the third embodiment.

［実施例３の変形例５］
図１４（ａ）は、実施例３の変形例５に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、厚膜部２４は共振領域５０の両側において共振領域５０の短軸方向に延伸するように設けられている。その他の構成は実施例３の変形例３と同じであり説明を省略する。 [Modification 5 of Embodiment 3]
FIG. 14A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to a fifth modification of the third embodiment, and FIG. 14B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. As shown in FIGS. 14A and 14B, the thick film portion 24 is provided on both sides of the resonance region 50 so as to extend in the minor axis direction of the resonance region 50. Other configurations are the same as those of the third modification of the third embodiment, and a description thereof will be omitted.

［実施例３の変形例６］
図１５（ａ）は、実施例３の変形例６に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示すように、支持膜２２の平面形状は矩形であり、共振領域５０の両側に設けられた２つの厚膜部２４はそれぞれ矩形の３辺の間に連続して設けられている。その他の構成は実施例３の変形例３と同じであり説明を省略する。 [Modification 6 of Embodiment 3]
FIG. 15A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to Modification 6 of Example 3, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. As shown in FIGS. 15A and 15B, the planar shape of the support film 22 is a rectangle, and the two thick film portions 24 provided on both sides of the resonance region 50 are each between three sides of the rectangle. Are provided continuously. Other configurations are the same as those of the third modification of the third embodiment, and a description thereof will be omitted.

［実施例３の変形例７］
図１６（ａ）は、実施例３の変形例７に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示すように、支持膜２２の平面形状は矩形であり、共振領域５０の両側に設けられた２つの厚膜部２４はそれぞれ矩形の接続する２辺の間に連続して設けられている。その他の構成は実施例３の変形例３と同じであり説明を省略する。 [Modification 7 of Example 3]
FIG. 16A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to Modification 7 of Example 3, and FIG. 16B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. As shown in FIG. 16A and FIG. 16B, the planar shape of the support film 22 is a rectangle, and the two thick film portions 24 provided on both sides of the resonance region 50 are each connected to two sides of the rectangle. Are provided continuously. Other configurations are the same as those of the third modification of the third embodiment, and a description thereof will be omitted.

［実施例３の変形例８］
図１７（ａ）は、実施例３の変形例８に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１７（ａ）および図１７（ｂ）に示すように、スペーサ１８は共振領域５０の周りに複数設けられ、厚膜部２４はスペーサ１８間に連続して設けられている。支持膜２２の平面形状は矩形であり、スペーサ１８は矩形の４頂点に対応する位置に設けられている。厚膜部２４は、４つのスペーサ１８間に連続して設けられている。その他の構成は実施例２と同じであり説明を省略する。実施例３の変形例８のように、スペーサ１８間に連続して厚膜部２４を設けることで、支持膜２２をより補強できる。 [Modification 8 of Example 3]
FIG. 17A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to Modification 8 of Example 3, and FIG. 17B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. As shown in FIGS. 17A and 17B, a plurality of spacers 18 are provided around the resonance region 50, and the thick film portion 24 is continuously provided between the spacers 18. The planar shape of the support film 22 is a rectangle, and the spacer 18 is provided at a position corresponding to the four apexes of the rectangle. The thick film portion 24 is continuously provided between the four spacers 18. Other configurations are the same as those of the second embodiment, and the description thereof is omitted. The support film 22 can be further reinforced by providing the thick film portion 24 continuously between the spacers 18 as in the modification 8 of the third embodiment.

［実施例３の変形例９］
図１８（ａ）は、実施例３の変形例９に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１８（ａ）および図１８（ｂ）に示すように、１つの支持膜２２に複数の共振領域５０が設けられている。複数の共振領域５０の両側に厚膜部２４が設けられ、複数の共振領域５０の間に厚膜部２４が設けられている。共振領域５０の両側の厚膜部２４と共振領域５０間の厚膜部２４は接続されている。その他の構成は実施例３の変形例５と同じであり説明を省略する。複数の共振領域５０の両側に厚膜部２４を設けることで、複数の共振領域５０における支持膜２２を補強することができる。複数の共振領域５０の間に厚膜部２４を設けることで、支持膜２２を補強することができる。 [Variation 9 of Embodiment 3]
FIG. 18A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to a ninth modification of the third embodiment, and FIG. 18B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. As shown in FIGS. 18A and 18B, a plurality of resonance regions 50 are provided in one support film 22. Thick film portions 24 are provided on both sides of the plurality of resonance regions 50, and the thick film portions 24 are provided between the plurality of resonance regions 50. The thick film portions 24 on both sides of the resonance region 50 and the thick film portions 24 between the resonance regions 50 are connected. Other configurations are the same as those of the fifth modification of the third embodiment, and a description thereof will be omitted. By providing the thick film portions 24 on both sides of the plurality of resonance regions 50, the support film 22 in the plurality of resonance regions 50 can be reinforced. The support film 22 can be reinforced by providing the thick film portion 24 between the plurality of resonance regions 50.

［実施例３の変形例１０］
図１９（ａ）は、実施例３の変形例１０に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１９（ｂ）は、図１９（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１９（ａ）および図１９（ｂ）に示すように、複数の共振領域５０の間に厚膜部２４が設けられている。その他の構成は実施例３の変形例９と同じであり説明を省略する。 [Modification 10 of Example 3]
FIG. 19A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to Modification 10 of Example 3, and FIG. 19B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. As shown in FIGS. 19A and 19B, the thick film portion 24 is provided between the plurality of resonance regions 50. Other configurations are the same as those of the ninth modification of the third embodiment, and a description thereof will be omitted.

実施例３の変形例３−９のように、平面視において共振領域５０の両側に厚膜部２４が設けられ、共振領域５０に厚膜部２４は設けられていない。これにより、共振領域５０における支持膜２２をより補強し、かつ共振特性の劣化を抑制できる。   As in Modification 3-9 of Example 3, the thick film portion 24 is provided on both sides of the resonance region 50 in a plan view, and the thick film portion 24 is not provided in the resonance region 50. Thereby, the support film 22 in the resonance region 50 can be further reinforced and deterioration of resonance characteristics can be suppressed.

実施例３およびその変形例１−４、６−７および９のように、スペーサ１８は、共振領域５０を囲むように複数設けられ、平面視において、厚膜部２４は、複数のスペーサ１８のうち一対のスペーサ１８の間の領域から、別の一対のスペーサ１８の間の領域にかけて設けられている。これにより、共振領域５０における支持膜２２をより補強できる。   As in the third embodiment and the modified examples 1-4, 6-7, and 9 thereof, a plurality of spacers 18 are provided so as to surround the resonance region 50, and the thick film portion 24 is formed of the plurality of spacers 18 in a plan view. Of these, a region between a pair of spacers 18 is provided to a region between another pair of spacers 18. Thereby, the support film 22 in the resonance region 50 can be further reinforced.

実施例３の変形例８のように、平面視において、厚膜部２４は、複数のスペーサ１８のうち少なくとも２つの間に連続して設けられている。これにより、支持膜２２をより補強できる。   As in the eighth modification of the third embodiment, the thick film portion 24 is continuously provided between at least two of the plurality of spacers 18 in plan view. Thereby, the support film 22 can be further reinforced.

実施例３の変形例９および１０のように、１つの支持膜２２に共振領域５０が複数設けられ、複数の共振領域５０は、複数のスペーサ１８のうち複数の共振領域５０の配列方向に隣接するスペーサ１８間に設けられている。このような構造では、支持膜２２が破損しやすい。そこで、実施例３の変形例９のように、厚膜部２４を複数の共振領域５０の配列方向に直交する方向の両側にそれぞれ直交する方向からみて共振領域５０と重なるように連続して設け、複数の共振領域５０に設けない。これにより、複数の共振領域５０における支持膜２２をより補強することができる。   As in Modifications 9 and 10 of Example 3, a plurality of resonance regions 50 are provided in one support film 22, and the plurality of resonance regions 50 are adjacent to each other in the arrangement direction of the plurality of resonance regions 50 among the plurality of spacers 18. The spacers 18 are provided between the spacers 18. In such a structure, the support film 22 is easily damaged. Therefore, as in Modification 9 of Example 3, the thick film portion 24 is continuously provided so as to overlap with the resonance region 50 when viewed from the directions orthogonal to both sides of the direction orthogonal to the arrangement direction of the plurality of resonance regions 50. The plurality of resonance regions 50 are not provided. Thereby, the support film 22 in the plurality of resonance regions 50 can be further reinforced.

また、実施例３の変形例９および１０のように、厚膜部２４を複数の共振領域５０の間に設け、複数の共振領域５０内に設けない。これにより、複数の共振領域５０における支持膜２２をより補強することができる。   Further, as in the modified examples 9 and 10 of the third embodiment, the thick film portion 24 is provided between the plurality of resonance regions 50 and is not provided in the plurality of resonance regions 50. Thereby, the support film 22 in the plurality of resonance regions 50 can be further reinforced.

実施例３およびその変形例１−４、６および７のように、平面視において厚膜部２４を応力が加わりやすいパッド（パッド層２６）の少なくとも一部に重なるように設ける。これにより、支持膜２２をより補強できる。   As in the third embodiment and the modified examples 1-4, 6, and 7, the thick film portion 24 is provided so as to overlap at least part of the pad (pad layer 26) to which stress is easily applied in plan view. Thereby, the support film 22 can be further reinforced.

図２０（ａ）は、実施例４に係る圧電薄膜共振器の平面図、図２０（ｂ）は、図２０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図２０（ａ）および図２０（ｂ）に示すように、１つの支持膜２２に１つの共振領域５０が設けられている。スペーサ１８は、共振領域５０の片側に設けられ、反対側には設けられていない。スペーサ１８が設けられた領域は薄膜部２３であり、スペーサ１８以外の領域は厚膜部２４である。その他の構成は実施例３と同じであり説明を省略する。実施例４のように、共振領域５０の片側にのみスペーサ１８が設けられていると、支持膜２２は破壊されやすい。そこで、スペーサ１８のない領域に厚膜部２４を設けることで、支持膜２２を補強できる。   FIG. 20A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the fourth embodiment, and FIG. 20B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. As shown in FIGS. 20A and 20B, one resonance region 50 is provided in one support film 22. The spacer 18 is provided on one side of the resonance region 50 and is not provided on the opposite side. The region where the spacer 18 is provided is the thin film portion 23, and the region other than the spacer 18 is the thick film portion 24. Other configurations are the same as those of the third embodiment, and the description thereof is omitted. If the spacer 18 is provided only on one side of the resonance region 50 as in the fourth embodiment, the support film 22 is easily broken. Therefore, the support film 22 can be reinforced by providing the thick film portion 24 in a region where the spacer 18 is not provided.

［実施例４の変形例１］
図２１（ａ）は、実施例４の変形例１に係る圧電薄膜共振器の平面図、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図２１（ａ）および図２１（ｂ）に示すように、厚膜部２４はスペーサ１８から共振領域５０の反対側の支持膜２２の端部に延伸している。その他の構成は実施例４と同じであり説明を省略する。実施例４の変形例１のように、線状の厚膜部２４がスペーサ１８からスペーサ１８と反対側の支持膜２２の端部まで延伸する。これにより、支持膜２２を補強できる。 [Modification 1 of Example 4]
FIG. 21A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the first modification of the fourth embodiment, and FIG. 21B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. As shown in FIGS. 21A and 21B, the thick film portion 24 extends from the spacer 18 to the end portion of the support film 22 on the opposite side of the resonance region 50. Other configurations are the same as those of the fourth embodiment, and the description thereof is omitted. As in the first modification of the fourth embodiment, the linear thick film portion 24 extends from the spacer 18 to the end of the support film 22 on the side opposite to the spacer 18. Thereby, the support film 22 can be reinforced.

［実施例４の変形例２］
図２２（ａ）は、実施例４の変形例２に係る圧電薄膜共振器の平面図、図２２（ｂ）は、図２２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図２２（ａ）および図２２（ｂ）に示すように、支持膜２２の平面形状は矩形であり、スペーサ１８は矩形の一辺に沿って設けられ、厚膜部２４は矩形の他の辺に沿って設けられている。その他の構成は実施例４と同じであり説明を省略する。実施例４の変形例２のように、支持膜２２の矩形形状のうちスペーサ１８が設けられていない辺に沿って厚膜部２４が設けられている。これにより、支持膜２２を補強できる。 [Modification 2 of Example 4]
FIG. 22A is a plan view of a piezoelectric thin film resonator according to a second modification of the fourth embodiment, and FIG. 22B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. As shown in FIGS. 22A and 22B, the planar shape of the support film 22 is rectangular, the spacer 18 is provided along one side of the rectangle, and the thick film portion 24 is formed on the other side of the rectangle. It is provided along. Other configurations are the same as those of the fourth embodiment, and the description thereof is omitted. As in the second modification of the fourth embodiment, the thick film portion 24 is provided along the side where the spacer 18 is not provided in the rectangular shape of the support film 22. Thereby, the support film 22 can be reinforced.

実施例４およびその変形例のように、１つの支持膜２２において、スペーサ１８は、共振領域５０に対して一方の側に設けられ、共振領域５０に対して一方の側の反対の側には設けられていない。この構造では支持膜２２が破壊されやすい。そこで、厚膜部２４をスペーサ１８とスペーサ１８の反対側の支持膜２２の端部との間に連続的に設ける。これにより、支持膜２２をより補強することができる。厚膜部２４は共振領域５０の少なくとも一部に設けられていてもよいし、共振領域５０内に設けられてなくてもよい。   As in the fourth embodiment and its modification, in one support film 22, the spacer 18 is provided on one side with respect to the resonance region 50, and on the opposite side of the one side with respect to the resonance region 50. Not provided. In this structure, the support film 22 is easily broken. Therefore, the thick film portion 24 is continuously provided between the spacer 18 and the end portion of the support film 22 on the opposite side of the spacer 18. Thereby, the support film 22 can be further reinforced. The thick film portion 24 may be provided in at least a part of the resonance region 50 or may not be provided in the resonance region 50.

また、実施例１の変形例２のように、厚膜部２４を支持膜２２の外周のうちスペーサ１８が設けられていない領域に沿って設け、共振領域５０に設けない。これにより、支持膜２２をより補強することができ、かつ共振特性の劣化を抑制できる。   Further, as in the second modification of the first embodiment, the thick film portion 24 is provided along the region where the spacer 18 is not provided on the outer periphery of the support film 22, and is not provided in the resonance region 50. Thereby, the support film 22 can be further reinforced and deterioration of resonance characteristics can be suppressed.

図２３（ａ）および図２３（ｂ）は、実施例５およびその変形例１に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図２３（ａ）に示すように、下部電極１２、圧電膜１４および上部電極１６を覆うように保護膜２１が設けられている。保護膜２１は、水分等が拡散し難い膜である。これにより、圧電膜１４の劣化を抑制できる。その他の構成は実施例１から４およびその変形例と同じであり説明を省略する。   FIG. 23A and FIG. 23B are cross-sectional views of the piezoelectric thin film resonator according to the fifth embodiment and the first modification thereof. As shown in FIG. 23A, a protective film 21 is provided so as to cover the lower electrode 12, the piezoelectric film 14, and the upper electrode 16. The protective film 21 is a film in which moisture or the like is difficult to diffuse. Thereby, deterioration of the piezoelectric film 14 can be suppressed. Other configurations are the same as those of the first to fourth embodiments and the modifications thereof, and the description thereof is omitted.

窒化アルミニウムのように圧電膜１４が潮解性のある場合、保護膜を設けることで、圧電膜１４の加水分解を抑制できる。保護膜２１は、水分等が拡散し難い材料である窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、ダイヤモンドライクカーボン膜の少なくとも１つの膜であることが好ましい。支持膜２２にも水分等が拡散し難い材料とすることが好ましい。   When the piezoelectric film 14 is deliquescent like aluminum nitride, hydrolysis of the piezoelectric film 14 can be suppressed by providing a protective film. The protective film 21 is preferably at least one of a silicon nitride film, an aluminum oxide film, and a diamond-like carbon film, which are materials that are difficult to diffuse moisture and the like. It is preferable that the support film 22 be made of a material that hardly diffuses moisture.

［実施例５の変形例１］
図２３（ｂ）に示すように、圧電膜１４に挿入膜２８が挿入されている。挿入膜２８は共振領域５０の外周領域の少なくとも一部に設けられ、共振領域５０の中央領域に設けられていない。その他の構成は実施例５と同じであり説明を省略する。実施例５の変形例１では、挿入膜２８によりＱ値等を向上できる。挿入膜２８としては、酸化シリコン膜のように圧電膜１４よりヤング率および／または音響インピーダンスの小さい材料を用いることが好ましい。挿入膜２８は下部電極１２と上部電極１６との間に設けられていればよい。 [Modification 1 of Example 5]
As shown in FIG. 23B, an insertion film 28 is inserted into the piezoelectric film 14. The insertion film 28 is provided in at least a part of the outer peripheral region of the resonance region 50, and is not provided in the central region of the resonance region 50. Other configurations are the same as those of the fifth embodiment, and the description thereof is omitted. In the first modification of the fifth embodiment, the Q value and the like can be improved by the insertion film 28. As the insertion film 28, it is preferable to use a material having a Young's modulus and / or acoustic impedance smaller than that of the piezoelectric film 14, such as a silicon oxide film. The insertion film 28 only needs to be provided between the lower electrode 12 and the upper electrode 16.

［実施例５の変形例２］
図２４は、実施例５の変形例２に係る圧電薄膜共振器の平面図である。図２４に示すように、共振領域５０の平面形状は辺が互いに非平行な四角形である。その他の構成は実施例１から５およびその変形例と同じであり説明を省略する。実施例５の変形例２のように、共振領域５０の形状は多角形でもよい。 [Modification 2 of Example 5]
FIG. 24 is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the second modification of the fifth embodiment. As shown in FIG. 24, the planar shape of the resonance region 50 is a quadrangle whose sides are not parallel to each other. Other configurations are the same as those of the first to fifth embodiments and the modifications thereof, and the description thereof is omitted. As in the second modification of the fifth embodiment, the shape of the resonance region 50 may be a polygon.

実施例６は、フィルタの例である。図２５は、実施例６に係るフィルタの回路図である。図２５に示すように、端子Ｔ１とＴ２との間に、直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続され、並列共振器Ｐ１からＰ３が並列に接続されている。直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ３の少なくとも１つの圧電薄膜共振器を実施例１から５およびその変形例の圧電薄膜共振器とすることができる。   Example 6 is an example of a filter. FIG. 25 is a circuit diagram of a filter according to the sixth embodiment. As shown in FIG. 25, series resonators S1 to S4 are connected in series between terminals T1 and T2, and parallel resonators P1 to P3 are connected in parallel. At least one piezoelectric thin film resonator of the series resonators S1 to S4 and the parallel resonators P1 to P3 can be used as the piezoelectric thin film resonators of the first to fifth embodiments and modifications thereof.

［実施例６の変形例１］
図２６は、実施例６の変形例１に係るフィルタの平面図である。図２７（ａ）および図２７（ｂ）は、図２６のＡ−Ａ断面図である。図２６、図２７（ａ）および図２７（ｂ）に示すように、単一基板１０および単一の支持膜２２上に、直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ３が設けられている。各共振器間は、下部電極１２および上部電極１６を介し電気的に接続されている。 [Modification 1 of Example 6]
FIG. 26 is a plan view of a filter according to a first modification of the sixth embodiment. 27 (a) and 27 (b) are cross-sectional views taken along line AA in FIG. As shown in FIGS. 26, 27 (a) and 27 (b), series resonators S1 to S4 and parallel resonators P1 to P3 are provided on a single substrate 10 and a single support film 22. Yes. Each resonator is electrically connected via the lower electrode 12 and the upper electrode 16.

下部電極１２および／または上部電極１６上にパッド層２６が設けられている。パッド層２６は、端子Ｔ１、Ｔ２およびグランド端子Ｔｇに対応する。パッド層２６にはボンディングワイヤまたはバンプが設けられる。端子Ｔ１、Ｔ２およびグランド端子Ｔｇに対応するパッド層２６に重なるようにスペーサ１８が設けられている。複数の共振領域５０を全体として囲むように複数のスペーサ１８が設けられている。   A pad layer 26 is provided on the lower electrode 12 and / or the upper electrode 16. The pad layer 26 corresponds to the terminals T1 and T2 and the ground terminal Tg. The pad layer 26 is provided with bonding wires or bumps. A spacer 18 is provided so as to overlap the pad layer 26 corresponding to the terminals T1, T2 and the ground terminal Tg. A plurality of spacers 18 are provided so as to surround the plurality of resonance regions 50 as a whole.

図２７（ａ）では挿入膜２８が設けられておらず、図２７（ｂ）では挿入膜が設けられている。   In FIG. 27A, the insertion film 28 is not provided, and in FIG. 27B, the insertion film is provided.

［実施例６の変形例２］
図２８は、実施例６の変形例２に係るフィルタの平面図である。図２８に示すように、支持膜２２の平面形状は矩形でなく、共振領域５０、下部電極１２および上部電極１６の形状に沿った形状である。その他の構成は実施例６の変形例２と同じであり説明を省略する。 [Modification 2 of Embodiment 6]
FIG. 28 is a plan view of a filter according to a second modification of the sixth embodiment. As shown in FIG. 28, the planar shape of the support film 22 is not a rectangle, but is a shape along the shapes of the resonance region 50, the lower electrode 12, and the upper electrode 16. Other configurations are the same as those of the second modification of the sixth embodiment, and a description thereof will be omitted.

実施例６の変形例１および２のように、フィルタを構成する圧電薄膜共振器は単一の支持膜２２に設けられていてもよい。実施例６およびその変形例における直列共振器および並列共振器の個数は適宜設定することができる。   As in the first and second modifications of the sixth embodiment, the piezoelectric thin film resonator constituting the filter may be provided on the single support film 22. The number of series resonators and parallel resonators in the sixth embodiment and its modifications can be set as appropriate.

実施例７はデュプレクサの例である。図２９は、実施例７に係るデュプレクサの回路図である。図２９に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ４０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ４２が接続されている。送信フィルタ４０は、送信端子Ｔｘから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ４２は、共通端子Ａｎｔから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ４０および受信フィルタ４２の少なくとも一方を実施例６およびその変形例のフィルタとすることができる。   Example 7 is an example of a duplexer. FIG. 29 is a circuit diagram of a duplexer according to the seventh embodiment. As shown in FIG. 29, the transmission filter 40 is connected between the common terminal Ant and the transmission terminal Tx. A reception filter 42 is connected between the common terminal Ant and the reception terminal Rx. The transmission filter 40 passes a signal in the transmission band among signals input from the transmission terminal Tx as a transmission signal to the common terminal Ant, and suppresses signals of other frequencies. The reception filter 42 passes signals in the reception band among the signals input from the common terminal Ant to the reception terminal Rx as reception signals, and suppresses signals of other frequencies. At least one of the transmission filter 40 and the reception filter 42 can be the filter of the sixth embodiment and its modification.

マルチプレクサの例としてデュプレクサを説明したが、マルチプレクサはトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。   Although a duplexer has been described as an example of a multiplexer, the multiplexer may be a triplexer or a quadplexer.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.

１０ 基板
１２ 下部電極
１４ 圧電膜
１６ 上部電極
１８ スペーサ
２２ 支持膜
２３ 薄膜部
２４ 厚膜部
２６ パッド層
３０ 空隙
４０ 送信フィルタ
４２ 受信フィルタ
５０ 共振領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 12 Lower electrode 14 Piezoelectric film 16 Upper electrode 18 Spacer 22 Support film 23 Thin film part 24 Thick film part 26 Pad layer 30 Gap 40 Transmission filter 42 Reception filter 50 Resonance region

Claims (15)

基板と、
前記基板上に設けられたスペーサと、
前記スペーサ上に前記基板との間に空隙が形成されるように設けられた支持膜と、
前記支持膜上に設けられ、平面視において前記空隙と重なる領域における前記支持膜の最も薄い膜厚より厚い膜厚を有する下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜上に、前記下部電極とで前記圧電膜の少なくとも一部を挟む共振領域が平面視において前記空隙と重なるように設けられた上部電極と、
を具備する圧電薄膜共振器。 A substrate,
Spacers provided on the substrate;
A support film provided on the spacer such that a gap is formed between the substrate and the spacer;
A lower electrode provided on the support film and having a thickness greater than the thinnest film thickness of the support film in a region overlapping the gap in plan view;
A piezoelectric film provided on the lower electrode;
An upper electrode provided on the piezoelectric film so that a resonance region sandwiching at least a part of the piezoelectric film with the lower electrode overlaps the gap in a plan view;
A piezoelectric thin film resonator comprising: 前記支持膜は、薄膜部と前記薄膜部より厚い厚膜部とを有する請求項１に記載の圧電薄膜共振器。   The piezoelectric thin film resonator according to claim 1, wherein the support film has a thin film portion and a thick film portion thicker than the thin film portion. 平面視において前記共振領域の両側に前記厚膜部が設けられ、前記共振領域に前記厚膜部は設けられていない請求項２に記載の圧電薄膜共振器。   3. The piezoelectric thin film resonator according to claim 2, wherein the thick film portion is provided on both sides of the resonance region in a plan view, and the thick film portion is not provided in the resonance region. 前記支持膜は、前記共振領域内に薄膜部と前記薄膜部より厚い厚膜部を有し、前記共振領域内において前記支持膜の上面は平坦である請求項１に記載の圧電薄膜共振器。   2. The piezoelectric thin film resonator according to claim 1, wherein the support film has a thin film portion and a thick film portion thicker than the thin film portion in the resonance region, and an upper surface of the support film is flat in the resonance region. 前記スペーサは、前記共振領域を囲むように複数設けられ、
平面視において、前記厚膜部は、前記複数のスペーサのうち一対のスペーサの間の領域から、別の一対のスペーサの間の領域にかけて設けられている請求項２から４のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。 A plurality of the spacers are provided so as to surround the resonance region,
5. The planar film according to claim 2, wherein the thick film portion is provided from a region between a pair of spacers to a region between another pair of spacers in the plurality of spacers. The piezoelectric thin film resonator as described. 前記スペーサは、前記共振領域を囲むように複数設けられ、
平面視において、前記厚膜部は、前記複数のスペーサのうち少なくとも２つの間に連続して設けられている請求項２から４のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。 A plurality of the spacers are provided so as to surround the resonance region,
5. The piezoelectric thin film resonator according to claim 2, wherein the thick film portion is continuously provided between at least two of the plurality of spacers in a plan view. 前記共振領域外において、前記下部電極および前記上部電極の少なくとも一方上に設けられたパッドを具備し、
平面視において前記厚膜部は前記パッドの少なくとも一部に重なるように設けられている請求項２から６のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。 Outside the resonance region, comprising a pad provided on at least one of the lower electrode and the upper electrode,
The piezoelectric thin film resonator according to any one of claims 2 to 6, wherein the thick film portion is provided so as to overlap at least a part of the pad in a plan view. １つの前記支持膜に前記共振領域が複数設けられ、
前記スペーサは、複数設けられ、
前記複数の共振領域は、前記複数のスペーサのうち前記複数の共振領域の配列方向に隣接するスペーサ間に設けられ、
前記厚膜部は、前記複数の共振領域の前記配列方向に直交する方向の両側にそれぞれ前記直交する方向からみて前記複数の共振領域に重なるように連続して設けられ、前記複数の共振領域に設けられていない請求項２または３に記載の圧電薄膜共振器。 A plurality of the resonance regions are provided in one support film,
A plurality of the spacers are provided,
The plurality of resonance regions are provided between spacers adjacent to each other in the arrangement direction of the plurality of resonance regions among the plurality of spacers,
The thick film portions are continuously provided on both sides of a direction orthogonal to the arrangement direction of the plurality of resonance regions so as to overlap the plurality of resonance regions when viewed from the orthogonal direction, The piezoelectric thin film resonator according to claim 2 or 3, wherein the piezoelectric thin film resonator is not provided. １つの前記支持膜に前記共振領域が複数設けられ、
前記スペーサは、複数設けられ、
前記複数の共振領域は、前記複数のスペーサのうち前記複数の共振領域の配列方向に隣接するスペーサ間に設けられ、
前記厚膜部は、前記複数の共振領域の間に設けられ、前記複数の共振領域に設けられていない請求項２または３に記載の圧電薄膜共振器。 A plurality of the resonance regions are provided in one support film,
A plurality of the spacers are provided,
The plurality of resonance regions are provided between spacers adjacent to each other in the arrangement direction of the plurality of resonance regions among the plurality of spacers,
4. The piezoelectric thin film resonator according to claim 2, wherein the thick film portion is provided between the plurality of resonance regions and is not provided in the plurality of resonance regions. １つの前記支持膜において、前記スペーサは、前記共振領域に対して一方の側に設けられ、前記共振領域に対して一方の側の反対の側には設けられておらず、
前記厚膜部は、前記スペーサと前記スペーサの反対側の前記支持膜の端部との間に連続的に設けられている請求項２から４のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。 In one of the supporting films, the spacer is provided on one side with respect to the resonance region, and is not provided on the opposite side of the one side with respect to the resonance region,
5. The piezoelectric thin film resonator according to claim 2, wherein the thick film portion is continuously provided between the spacer and an end portion of the support film on the opposite side of the spacer. 6. １つの前記支持膜において、前記スペーサは、前記共振領域に対して一方の側に設けられ、前記共振領域に対して一方の側の反対の側には設けられておらず、
前記厚膜部は、前記支持膜の外周のうち前記スペーサが設けられていない領域に沿って設けられ、前記共振領域内に設けられていない請求項２から４のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。 In one of the supporting films, the spacer is provided on one side with respect to the resonance region, and is not provided on the opposite side of the one side with respect to the resonance region,
5. The piezoelectric device according to claim 2, wherein the thick film portion is provided along a region of the outer periphery of the support film where the spacer is not provided, and is not provided in the resonance region. 6. Thin film resonator. 前記共振領域外において、前記下部電極および前記上部電極の少なくとも一方上に設けられたパッドを具備し、
平面視において前記スペーサは前記パッドの少なくとも一部に重なるように設けられている請求項１から１１のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。 Outside the resonance region, comprising a pad provided on at least one of the lower electrode and the upper electrode,
The piezoelectric thin film resonator according to any one of claims 1 to 11, wherein the spacer is provided so as to overlap at least a part of the pad in plan view. 前記圧電膜は窒化アルミニウムを主成分とし、前記支持膜は、窒化アルミニウム膜、酸化アルニミウム膜、窒化シリコン膜およびダイヤモンドライクカーボン膜の少なくとも１つを含む請求項１から１２のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。   13. The piezoelectric film according to claim 1, wherein the piezoelectric film includes aluminum nitride as a main component, and the support film includes at least one of an aluminum nitride film, an aluminum oxide film, a silicon nitride film, and a diamond-like carbon film. Piezoelectric thin film resonator. 請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器を含むフィルタ。   A filter comprising the piezoelectric thin film resonator according to any one of claims 1 to 13. 請求項１４に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
A multiplexer comprising the filter of claim 14.
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