JP2018198273A - Circuit board, electronic device, and manufacturing method of circuit board - Google Patents

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俊樹 岩井
水谷 大輔
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大輔 水谷
秀明 長岡
Hideaki Nagaoka
秀明 長岡
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Abstract

To reduce the possibility of cracks that may occur around the opening of an interlayer connection via in an insulating layer in a circuit board having the interlayer connection via.SOLUTION: A circuit board includes a plurality of insulating layers laminated in a first direction, and at least one of the plurality of insulating layers includes an interlayer connection via in which a metal layer is formed on an inner peripheral wall of a hole penetrating in the first direction, and a slit extending from the opening side of the interlayer connection via to the inside of the hole in the first direction is formed in the metal layer.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、回路基板、電子機器、及び回路基板の製造方法に関する。   The present disclosure relates to a circuit board, an electronic device, and a method for manufacturing a circuit board.

ビアランドとビアホール導体との接合強度を高めるために、ビアホール直上に設けるビアランドにスリット等を形成する技術が知られている。   In order to increase the bonding strength between the via land and the via hole conductor, a technique for forming a slit or the like in the via land provided immediately above the via hole is known.

特開2002-26520号公報JP 2002-26520 A

しかしながら、上述のような従来技術では、絶縁層を貫通する穴の内周壁上に金属層が形成された層間接続ビアを備える回路基板においては、絶縁層における層間接続ビアの開口部周辺で生じうるクラックの可能性を低減することが難しい。絶縁層における層間接続ビアの開口部周辺では、積層工程での加圧・加熱時に金属層から受ける力に起因して応力が集中し易い。   However, in the conventional technology as described above, in a circuit board including an interlayer connection via in which a metal layer is formed on the inner peripheral wall of a hole penetrating the insulating layer, it may occur around the opening of the interlayer connection via in the insulating layer. It is difficult to reduce the possibility of cracking. In the vicinity of the opening of the interlayer connection via in the insulating layer, stress is likely to concentrate due to the force received from the metal layer during pressurization and heating in the lamination process.

そこで、1つの側面では、本発明は、層間接続ビアを備える回路基板において、絶縁層における層間接続ビアの開口部周辺で生じうるクラックの可能性を低減することを目的とする。   Accordingly, in one aspect, an object of the present invention is to reduce the possibility of a crack that may occur around an opening of an interlayer connection via in an insulating layer in a circuit board including the interlayer connection via.

1つの側面では、第1方向に積層される複数の絶縁層を含み、
前記複数の絶縁層のうちの少なくとも1つは、前記第1方向に貫通する穴の内周壁上に金属層が形成された層間接続ビアを有し、
前記金属層には、前記層間接続ビアの開口側から前記第1方向に前記穴内まで延在するスリットが形成される、回路基板が提供される。
One aspect includes a plurality of insulating layers stacked in a first direction,
At least one of the plurality of insulating layers has an interlayer connection via in which a metal layer is formed on an inner peripheral wall of a hole penetrating in the first direction,
A circuit board is provided in which the metal layer is formed with a slit extending from the opening side of the interlayer connection via to the hole in the first direction.

1つの側面では、本発明によれば、層間接続ビアを備える回路基板において、絶縁層における層間接続ビアの開口部周辺で生じうるクラックの可能性を低減することが可能となる。   In one aspect, according to the present invention, in a circuit board having an interlayer connection via, it is possible to reduce the possibility of a crack that may occur around the opening of the interlayer connection via in the insulating layer.

一実施例による回路基板の説明図である。It is explanatory drawing of the circuit board by one Example. 金属層を概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows a metal layer roughly. スリットによる応力緩和機能の説明図である。It is explanatory drawing of the stress relaxation function by a slit. 比較例による問題点の説明図である。It is explanatory drawing of the problem by a comparative example. 回路基板10の製造方法における工程(その1)の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a process (No. 1) in the method for manufacturing the circuit board 10. 回路基板10の製造方法における工程(その2)の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a process (No. 2) in the method for manufacturing the circuit board 10. 回路基板10の製造方法における工程(その3)の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a process (No. 3) in the method for manufacturing the circuit board 10. 回路基板10の製造方法における工程(その4)の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a process (No. 4) in the method for manufacturing the circuit board 10. 回路基板10の製造方法における工程(その5)の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a process (No. 5) in the method for manufacturing the circuit board 10. 回路基板10の製造方法における工程(その6)の説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of a process (No. 6) in the method for manufacturing the circuit board 10. 回路基板10の製造方法における工程(その7)の説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of a process (No. 7) in the method for manufacturing the circuit board 10. 回路基板10の製造方法における工程(その8)の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a process (No. 8) in the method for manufacturing the circuit board 10. 回路基板10の製造方法における工程(その9)の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a process (No. 9) in the method for manufacturing the circuit board 10. 回路基板10の製造方法における工程(その10)の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a process (No. 10) in the method for manufacturing the circuit board 10. 回路基板10の製造方法における工程(その11)の説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of a process (No. 11) in the method for manufacturing the circuit board 10. 図5Cの工程での層間接続ビア関連の部位の状態の説明図である。It is explanatory drawing of the state of the site | part regarding the interlayer connection via | veer in the process of FIG. 5C. 図5Dの工程での層間接続ビア関連の部位の状態の説明図である。It is explanatory drawing of the state of the site | part regarding the interlayer connection via | veer in the process of FIG. 5D. 図5Eの工程での層間接続ビア関連の部位の状態の説明図である。It is explanatory drawing of the state of the site | part regarding the interlayer connection via | veer in the process of FIG. 5E. 図5Fの工程での層間接続ビア関連の部位の状態の説明図である。It is explanatory drawing of the state of the site | part regarding the interlayer connection via | veer in the process of FIG. 5F.

以下、添付図面を参照しながら各実施例について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1は、一実施例による回路基板10の説明図であり、積層工程での加圧・加熱時における回路基板10の構造を概略的に示す断面図である。図1には、積層方向を表すZ方向(第1方向の一例)が示され、以下では、説明上、Z1側を上側とする。   FIG. 1 is an explanatory diagram of a circuit board 10 according to an embodiment, and is a cross-sectional view schematically showing a structure of the circuit board 10 at the time of pressurization and heating in a lamination process. FIG. 1 shows a Z direction (an example of a first direction) representing a stacking direction, and hereinafter, the Z1 side is an upper side for the sake of explanation.

回路基板10は、一括積層工法を採用して作製される多層回路基板である。回路基板10は、例えば電子機器に備えられ、電子部品を搭載する多層プリント配線板などに適用できる。電子機器は、任意であるが、例えばスマートフォンや、携帯電話、タブレット端末、デスクトップ型PC(Personal Computer)、ノート型PC等、多岐にわたる。   The circuit board 10 is a multilayer circuit board that is manufactured by employing a batch lamination method. The circuit board 10 is provided in an electronic device, for example, and can be applied to a multilayer printed wiring board on which electronic components are mounted. The electronic devices are arbitrary, but are diverse, for example, smart phones, mobile phones, tablet terminals, desktop PCs (Personal Computers), notebook PCs, and the like.

一括積層工法では、絶縁層に層間接続ビアを設け、この層間接続ビアに導電性ペーストを充填して、単層板を作製する。そして、積層工程では、所望の層数の単層板を積層して、加圧・加熱を行うことで、導電性ペーストによって層間接続された多層回路基板が作製される。図1には、積層工程での加圧・加熱時(真空熱プレス時)に回路基板10に加えられる圧力に係る外力Rが模式的に示される。加圧・加熱時に回路基板10に生じる圧力は、積層方向に加えられる外力Rにより生じる。   In the batch lamination method, an interlayer connection via is provided in an insulating layer, and the interlayer connection via is filled with a conductive paste to produce a single layer plate. Then, in the laminating step, a single-layer board having a desired number of layers is laminated, and pressurization / heating is performed, so that a multilayer circuit board connected between layers by a conductive paste is produced. FIG. 1 schematically shows an external force R related to the pressure applied to the circuit board 10 during pressurization / heating (vacuum heat press) in the lamination process. The pressure generated in the circuit board 10 during pressurization and heating is generated by an external force R applied in the stacking direction.

回路基板10は、図1に示すように、絶縁層1と、導体部2と、樹脂層3と、層間接続ビア4とを備える。   As shown in FIG. 1, the circuit board 10 includes an insulating layer 1, a conductor portion 2, a resin layer 3, and an interlayer connection via 4.

絶縁層1は、例えばガラス(ガラス板)により形成される。絶縁層1は、ガラス以外に、シリコンウエハ、サファイア基板、セラミック基板等の脆性材料で形成されてもよい。尚、図1に示す例では、回路基板10は、3層の絶縁層1を有するが、絶縁層1の数は任意である。   The insulating layer 1 is made of, for example, glass (glass plate). The insulating layer 1 may be formed of a brittle material such as a silicon wafer, a sapphire substrate, or a ceramic substrate in addition to glass. In the example shown in FIG. 1, the circuit board 10 includes three insulating layers 1, but the number of insulating layers 1 is arbitrary.

導体部2は、配線を形成する。尚、導体部2の形成方法や形成態様は任意である。例えば、導体部2は、ビアランドとして、層間接続ビア4の開口部周辺に形成されてもよい。   The conductor part 2 forms wiring. In addition, the formation method and formation aspect of the conductor part 2 are arbitrary. For example, the conductor portion 2 may be formed around the opening of the interlayer connection via 4 as a via land.

樹脂層3は、積層方向で絶縁層1間に形成され、接着層として機能する。樹脂層3は、エポキシなどの熱硬化性の樹脂、又はポリイミドなどの熱可塑性の樹脂により形成されてよい。   The resin layer 3 is formed between the insulating layers 1 in the stacking direction and functions as an adhesive layer. The resin layer 3 may be formed of a thermosetting resin such as epoxy or a thermoplastic resin such as polyimide.

層間接続ビア4は、絶縁層1ごとに設けられる。層間接続ビア4は、絶縁層1をZ方向に貫通する穴11の内周壁上に金属層40が形成される。金属層40は、例えば銅をメッキすることで形成される。金属層40の詳細は後述する。尚、穴11は、Z方向に視て円形の等断面で形成されるが、変形例では、穴11は、断面視で円錐台形状に形成されてもよい。この場合、穴11は、上下両側のうちの一方側での開口径が他方側での開口径よりも大きくなる。また、金属層40は、Z方向で一定の厚みであってもよいし、Z方向の位置に応じて厚みが変化してもよい。   The interlayer connection via 4 is provided for each insulating layer 1. In the interlayer connection via 4, a metal layer 40 is formed on the inner peripheral wall of the hole 11 that penetrates the insulating layer 1 in the Z direction. The metal layer 40 is formed, for example, by plating copper. Details of the metal layer 40 will be described later. In addition, although the hole 11 is formed in circular equal cross section seeing to a Z direction, in the modification, the hole 11 may be formed in truncated cone shape by cross sectional view. In this case, the hole 11 has an opening diameter on one side of the upper and lower sides larger than the opening diameter on the other side. Further, the metal layer 40 may have a constant thickness in the Z direction, or the thickness may vary depending on the position in the Z direction.

層間接続ビア4の穴11内には、金属層40の金属(本実施例では銅)と同一又は金属層40の金属よりも弾性率の低い導体材料が充填される。例えば、層間接続ビア4の穴11内には、導電性ペーストが充填される。導電性ペーストの材料は、Sn, Ag, Cu, Biまたはこれらの金属の少なくとも1つを含む金属化合物と、樹脂からなる。   The hole 11 of the interlayer connection via 4 is filled with a conductor material that is the same as the metal of the metal layer 40 (copper in this embodiment) or has a lower elastic modulus than the metal of the metal layer 40. For example, the hole 11 of the interlayer connection via 4 is filled with a conductive paste. The material of the conductive paste is made of Sn, Ag, Cu, Bi or a metal compound containing at least one of these metals and a resin.

図2は、金属層40を概略的に示す斜視図である。図2では、一例として、金属層40における図1のX部の部位に係る。   FIG. 2 is a perspective view schematically showing the metal layer 40. In FIG. 2, as an example, the metal layer 40 is related to the portion X in FIG. 1.

金属層40には、層間接続ビア4の開口側から穴11内まで延在するスリット42が形成される。即ち、スリット42は、絶縁層1の表面から内部側(Z方向で内部側)まで延在する。尚、スリット42は、層間接続ビア4の開口側が開口する切欠きの形態である。スリット42は、層間接続ビア4のZ方向の全体にわたり延在せず、Z方向で層間接続ビア4の開口側の一部の区間だけに延在してもよいし、或いは、層間接続ビア4のZ方向の全体にわたり延在してもよい。   In the metal layer 40, a slit 42 extending from the opening side of the interlayer connection via 4 to the inside of the hole 11 is formed. That is, the slit 42 extends from the surface of the insulating layer 1 to the inner side (inner side in the Z direction). The slit 42 is in the form of a notch in which the opening side of the interlayer connection via 4 is opened. The slit 42 does not extend over the entire Z direction of the interlayer connection via 4, and may extend only to a portion of the opening side of the interlayer connection via 4 in the Z direction, or the interlayer connection via 4. May extend over the entire Z direction.

スリット42は、Z方向で層間接続ビア4の両側の開口部にそれぞれ形成されてもよい。例えば、図1に示す例では、中間層の絶縁層1には、最下層の絶縁層1及び最上層の絶縁層1との接合側、即ち上側と下側の双方の開口部に対してスリット42が形成されてよい。尚、スリット42の空間には、樹脂層3に係る樹脂が充填されるが、スリット42の空間には、かかる樹脂に代えて、導電性ペーストや、他の樹脂が充填されてもよい。   The slits 42 may be respectively formed in openings on both sides of the interlayer connection via 4 in the Z direction. For example, in the example shown in FIG. 1, the insulating layer 1 of the intermediate layer has slits on the bonding side with the lowermost insulating layer 1 and the uppermost insulating layer 1, that is, on both the upper and lower openings. 42 may be formed. In addition, although the resin which concerns on the resin layer 3 is filled in the space of the slit 42, it replaces with this resin and the conductive paste and other resin may be filled in the space of the slit 42.

スリット42は、後述のように、絶縁層1における層間接続ビア4の開口部周辺(開口部のエッジ)に生じる応力を低減する応力緩和機能を有する。スリット42は、好ましくは、応力緩和機能を高めるために、穴11の内周壁の周方向に沿った複数個所に形成される。例えば図2に示す例では、スリット42は、一方の開口部に対して、4つ設けられている。スリット42は、複数形成される場合は、穴11の内周壁の周方向に沿って等間隔で形成されてもよい。この場合、スリット42は、層間接続ビア4の開口部における対角位置に形成されることになる。また、スリット42は、好ましくは、図2に示すように、穴11の内周壁の径方向に視たとき曲線状の外形を有する。即ち、スリット42は、鋭角部分がない構造が好ましい。   As will be described later, the slit 42 has a stress relaxation function for reducing stress generated around the opening of the interlayer connection via 4 in the insulating layer 1 (edge of the opening). The slits 42 are preferably formed at a plurality of locations along the circumferential direction of the inner peripheral wall of the hole 11 in order to enhance the stress relaxation function. For example, in the example shown in FIG. 2, four slits 42 are provided for one opening. When a plurality of slits 42 are formed, they may be formed at equal intervals along the circumferential direction of the inner peripheral wall of the hole 11. In this case, the slits 42 are formed at diagonal positions in the opening of the interlayer connection via 4. Further, the slit 42 preferably has a curved outer shape when viewed in the radial direction of the inner peripheral wall of the hole 11 as shown in FIG. That is, the slit 42 preferably has a structure without an acute angle portion.

図3は、スリット42による応力緩和機能の説明図である。図4は、比較例による問題点の説明図であり、積層工程での加圧・加熱時における回路基板10Aの構造を概略的に示す断面図である。   FIG. 3 is an explanatory diagram of the stress relaxation function by the slit 42. FIG. 4 is an explanatory diagram of a problem caused by the comparative example, and is a cross-sectional view schematically showing the structure of the circuit board 10A at the time of pressurization and heating in the lamination process.

比較例による回路基板10Aは、本実施例による回路基板10に対して、層間接続ビア4が層間接続ビア4Aで置換された点が異なる。比較例による層間接続ビア4Aは、本実施例による層間接続ビア4に対して、金属層40が金属層40Aで置換された点が異なり、金属層40Aは、金属層40に対して、スリット42がない点が異なる。   The circuit board 10A according to the comparative example is different from the circuit board 10 according to the present embodiment in that the interlayer connection via 4 is replaced with the interlayer connection via 4A. The interlayer connection via 4A according to the comparative example is different from the interlayer connection via 4 according to the present embodiment in that the metal layer 40 is replaced with a metal layer 40A. The metal layer 40A has a slit 42 with respect to the metal layer 40. There is no difference.

ところで、図1に示すように、積層工程での加圧・加熱時(真空熱プレス時)には、回路基板10には上下方向に圧力がかけられる。例えば、真空熱プレスは、200℃の温度かつ 30kg/cm2の圧力で行われる。この際、金属層40には、Z方向の両側から力(圧縮方向の力)がかかる。 By the way, as shown in FIG. 1, pressure is applied to the circuit board 10 in the vertical direction at the time of pressurization and heating (vacuum heat pressing) in the laminating process. For example, the vacuum hot press is performed at a temperature of 200 ° C. and a pressure of 30 kg / cm 2 . At this time, force (force in the compression direction) is applied to the metal layer 40 from both sides in the Z direction.

この点、比較例では、絶縁層1における層間接続ビア4Aの開口部周辺(開口部のエッジ)に生じる応力が比較的大きく、図4に模式的に示すように、クラックC1が発生し易い。具体的には、金属層40Aは、Z方向の両側から力を受けると、径方向に広がる方向に変形しようとするが、径方向外側は絶縁層1(ガラス)により囲繞されているので、変形できず、絶縁層1における層間接続ビア4Aの開口部のエッジに応力集中生じる。この結果、クラックC1が発生し易い。   In this regard, in the comparative example, the stress generated around the opening of the interlayer connection via 4A in the insulating layer 1 (the edge of the opening) is relatively large, and the crack C1 is likely to occur as schematically shown in FIG. Specifically, when the metal layer 40A receives a force from both sides in the Z direction, the metal layer 40A tends to be deformed in a radially expanding direction, but the radially outer side is surrounded by the insulating layer 1 (glass). However, stress concentration occurs at the edge of the opening of the interlayer connection via 4 </ b> A in the insulating layer 1. As a result, the crack C1 is likely to occur.

これに対して、本実施例によれば、層間接続ビア4の金属層40は、スリット42を有するので、比較例で生じるクラックC1のようなクラックが生じる可能性を低減できる。具体的には、金属層40は、Z方向の両側から力を受けると、径方向に広がる方向に変形しようとする。この際、金属層40は、スリット42を有することで、図3にて矢印R2で模式的に示すように、周方向への変形によって、径方向に広がる方向への変形が抑止される。この結果、層間接続ビア4と絶縁層1が接する部分での応力が軽減され、比較例で生じるクラックC1のようなクラックが生じる可能性を低減できる。   On the other hand, according to the present embodiment, since the metal layer 40 of the interlayer connection via 4 has the slit 42, the possibility that a crack such as the crack C1 generated in the comparative example is generated can be reduced. Specifically, when the metal layer 40 receives a force from both sides in the Z direction, the metal layer 40 tends to deform in a direction spreading in the radial direction. At this time, since the metal layer 40 has the slit 42, the deformation in the radial direction is suppressed by the deformation in the circumferential direction as schematically shown by the arrow R2 in FIG. As a result, the stress at the portion where the interlayer connection via 4 and the insulating layer 1 are in contact is reduced, and the possibility of the occurrence of a crack such as the crack C1 generated in the comparative example can be reduced.

次に、図5A乃至図6Dを参照して、回路基板10の製造方法(製造プロセス)を説明する。   Next, with reference to FIG. 5A thru | or FIG. 6D, the manufacturing method (manufacturing process) of the circuit board 10 is demonstrated.

図5A乃至図5Kは、回路基板10の製造方法における各工程の説明図であり、図5Aから図5Kに向かう方向が製品に近づく方向に対応する。図5A乃至図5Kは、層間接続ビア4の形成部分を通る断面視を模式的に示す。図6A乃至図6Dは、幾つかの各工程に係る層間接続ビア4に関連する部位の状態を示す図であり、左側が上面視であり、右側が斜視である。尚、図6A乃至図6Dは、図5C乃至図5Fにそれぞれ対応する。   5A to 5K are explanatory diagrams of each step in the method for manufacturing the circuit board 10, and the direction from FIG. 5A to FIG. 5K corresponds to the direction approaching the product. 5A to 5K schematically show a cross-sectional view through a portion where the interlayer connection via 4 is formed. FIGS. 6A to 6D are diagrams showing states of portions related to the interlayer connection via 4 according to some processes, in which the left side is a top view and the right side is a perspective view. 6A to 6D correspond to FIGS. 5C to 5F, respectively.

先ず、図5Aに示すように、層間接続ビア4の穴11を形成するために、ガラス500にCO2レーザーで穴あけする。穴あけは、CO2レーザーに限らず、エキシマレーザーや、エッチングによる加工、サンドブラスト等で実現してもよい。 First, as shown in FIG. 5A, in order to form the hole 11 of the interlayer connection via 4, the glass 500 is drilled with a CO 2 laser. The drilling is not limited to the CO 2 laser, but may be realized by excimer laser, processing by etching, sand blasting, or the like.

次に、図5Bに示すように、無電界めっきを用いてシード501を形成する。無電界めっきに代えて、スパッタなどが使用されてもよい。   Next, as shown in FIG. 5B, a seed 501 is formed using electroless plating. Sputtering or the like may be used instead of electroless plating.

次に、図5Cに示すように、例えば真空ラミネートによって、ドライフィルムレジスト502を溶融させて、層間接続ビア4に係る穴11の壁面にドライフィルムレジスト502を密着させる。ドライフィルムレジスト502の代わりに、液体レジストをスピンコートによる被覆することによって同様のレジストが形成されてもよい。これにより、図6Aに示すように、穴11の入口側の壁面に付着しかつ穴11を覆う態様でドライフィルムレジスト502が形成される。   Next, as illustrated in FIG. 5C, the dry film resist 502 is melted by, for example, vacuum lamination, and the dry film resist 502 is brought into close contact with the wall surface of the hole 11 related to the interlayer connection via 4. Instead of the dry film resist 502, a similar resist may be formed by coating a liquid resist by spin coating. As a result, as shown in FIG. 6A, the dry film resist 502 is formed so as to adhere to the wall surface on the inlet side of the hole 11 and cover the hole 11.

次に、図5Dに示すように、層間接続ビア4に係る穴11の壁面に付着されたドライフィルムレジスト502にスリット42となるパターンを形成し、露光、現像することで、穴11の壁面上のドライフィルムレジスト502がスリット42の形状になるよう作製する。これにより、図6Bに示すように、穴11の壁面に、スリット42の形状に対応したドライフィルムレジスト502が形成される。   Next, as shown in FIG. 5D, a pattern to be a slit 42 is formed in the dry film resist 502 attached to the wall surface of the hole 11 related to the interlayer connection via 4, and exposure and development are performed. The dry film resist 502 is formed in the shape of the slit 42. Thereby, as shown in FIG. 6B, a dry film resist 502 corresponding to the shape of the slit 42 is formed on the wall surface of the hole 11.

次いで、図5Eに示すように、電解めっきによって、層間接続ビア4に係る穴11の壁面に金属層40を形成するとともに、配線となる導体部2を形成する。これにより、図6Cに示すように、穴11の壁面におけるスリット42に係るドライフィルムレジスト502を除く領域に、メッキ層(金属層40)が形成される。   Next, as shown in FIG. 5E, the metal layer 40 is formed on the wall surface of the hole 11 related to the interlayer connection via 4 and the conductor portion 2 to be a wiring is formed by electrolytic plating. As a result, as shown in FIG. 6C, a plating layer (metal layer 40) is formed in a region excluding the dry film resist 502 related to the slit 42 on the wall surface of the hole 11.

次いで、図5Fに示すように、シード層を除去する。これにより、図6Dに示すように、スリット42を備える金属層40が完成する。   Next, as shown in FIG. 5F, the seed layer is removed. Thereby, as shown to FIG. 6D, the metal layer 40 provided with the slit 42 is completed.

次いで、図5Gに示すように、樹脂ラミネートを行い、樹脂層3となる樹脂層503を形成する。尚、この際、スリット42の空間には、樹脂が充填される。   Next, as shown in FIG. 5G, resin lamination is performed to form a resin layer 503 to be the resin layer 3. At this time, the space of the slit 42 is filled with resin.

次いで、図5Hに示すように、層間接続ビア4に係る穴11を形成するために、樹脂層503に穴504を形成する。   Next, as shown in FIG. 5H, a hole 504 is formed in the resin layer 503 in order to form the hole 11 related to the interlayer connection via 4.

次いで、図5Iに示すように、ペースト印刷する。即ち、樹脂層503の穴504に、導電性ペーストが充填される。以下では、樹脂層の穴504に、導電性ペースト505が充填された状態のガラス500を、「単層板520」と称する。   Next, as shown in FIG. 5I, paste printing is performed. That is, the conductive paste is filled in the holes 504 of the resin layer 503. Hereinafter, the glass 500 in which the conductive paste 505 is filled in the hole 504 of the resin layer is referred to as a “single layer plate 520”.

次いで、図5Jに示すように、複数の単層板520を用意し、積層する。尚、図5Jに示すように、最も上側の単層板520の上側には、樹脂層503が形成されておらず、最も下側の単層板520の下側には、樹脂層503が形成されていない。   Next, as shown in FIG. 5J, a plurality of single-layer plates 520 are prepared and laminated. As shown in FIG. 5J, the resin layer 503 is not formed on the upper side of the uppermost single-layer plate 520, and the resin layer 503 is formed on the lower side of the lowermost single-layer plate 520. It has not been.

次いで、積層した単層板520を真空熱プレス(例えば200℃、90分、3MPa)で押す。導電性ペースト505と樹脂層503が硬化すると、回路基板が出来上がる。   Next, the laminated single-layer plate 520 is pressed by a vacuum hot press (for example, 200 ° C., 90 minutes, 3 MPa). When the conductive paste 505 and the resin layer 503 are cured, a circuit board is completed.

このようにして本実施例によれば、穴11の壁面に、スリット42の形状に対応したドライフィルムレジスト502を形成することで、スリット42を備える金属層40を容易に形成できる。   Thus, according to the present embodiment, the metal layer 40 including the slit 42 can be easily formed by forming the dry film resist 502 corresponding to the shape of the slit 42 on the wall surface of the hole 11.

以上、各実施例について詳述したが、特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。また、前述した実施例の構成要素を全部又は複数を組み合わせることも可能である。   Although each embodiment has been described in detail above, it is not limited to a specific embodiment, and various modifications and changes can be made within the scope described in the claims. It is also possible to combine all or a plurality of the components of the above-described embodiments.

例えば、上述した実施例では、絶縁層1の全ての層間接続ビア4が、スリット42を有する金属層40を有しているが、これに限られない。一部の絶縁層1の層間接続ビア4だけが、スリット42を有する金属層40を有してもよい。   For example, in the embodiment described above, all the interlayer connection vias 4 of the insulating layer 1 have the metal layer 40 having the slits 42, but this is not limitative. Only the interlayer connection vias 4 of some insulating layers 1 may have the metal layer 40 having the slits 42.

なお、以上の実施例に関し、さらに以下の付記を開示する。
[付記1]
第1方向に積層される複数の絶縁層を含み、
前記複数の絶縁層のうちの少なくとも1つは、前記第1方向に貫通する穴の内周壁上に金属層が形成された層間接続ビアを有し、
前記金属層には、前記層間接続ビアの開口側から前記第1方向に前記穴内まで延在するスリットが形成される、回路基板。
[付記2]
前記複数の絶縁層は、ガラスにより形成される、付記1に記載の回路基板。
[付記3]
前記スリットは、前記内周壁の周方向に沿った複数個所に形成される、付記1又は2に記載の回路基板。
[付記4]
前記層間接続ビアの前記穴内には、前記金属層の金属よりも弾性率の低い導体材料が充填される、付記1〜3のうちのいずれか1項に記載の回路基板。
[付記5]
前記スリットは、前記内周壁の径方向に視たとき曲線状の外形を有する、付記1〜4のうちのいずれか1項に記載の回路基板。
[付記6]
回路基板を備える電子機器であって、
前記回路基板は、第1方向に積層される複数の絶縁層を含み、
前記複数の絶縁層のうちの少なくとも1つは、前記第1方向に貫通する穴の内周壁上に金属層が形成された層間接続ビアを有し、
前記金属層には、前記層間接続ビアの開口側から前記第1方向に前記穴内まで延在するスリットが形成される、電子機器。
[付記7]
絶縁層に第1方向に貫通する穴をあける工程と、
前記穴の内周壁の周方向全体にわたりかつ前記穴内まで延在する領域にレジストを付着させる工程と、
前記レジストに対して、前記穴の内周壁の周方向に沿った一部を露光し現像する工程と、
前記現像した前記穴の内周壁に金属をめっきする工程と、
前記穴内に導電性ペーストを充填して単層板を形成する工程と、
前記導電性ペーストを充填した前記単層板を複数用意し、積層する工程とを含む、回路基板の製造方法。
In addition, the following additional remarks are disclosed regarding the above Example.
[Appendix 1]
Including a plurality of insulating layers stacked in a first direction;
At least one of the plurality of insulating layers has an interlayer connection via in which a metal layer is formed on an inner peripheral wall of a hole penetrating in the first direction,
The circuit board, wherein the metal layer is formed with a slit extending from the opening side of the interlayer connection via to the hole in the first direction.
[Appendix 2]
The circuit board according to appendix 1, wherein the plurality of insulating layers are formed of glass.
[Appendix 3]
The circuit board according to appendix 1 or 2, wherein the slit is formed at a plurality of locations along the circumferential direction of the inner peripheral wall.
[Appendix 4]
The circuit board according to any one of appendices 1 to 3, wherein the hole of the interlayer connection via is filled with a conductive material having a lower elastic modulus than the metal of the metal layer.
[Appendix 5]
The circuit board according to any one of appendices 1 to 4, wherein the slit has a curved outer shape when viewed in a radial direction of the inner peripheral wall.
[Appendix 6]
An electronic device comprising a circuit board,
The circuit board includes a plurality of insulating layers stacked in a first direction,
At least one of the plurality of insulating layers has an interlayer connection via in which a metal layer is formed on an inner peripheral wall of a hole penetrating in the first direction,
The electronic device, wherein the metal layer is formed with a slit extending from the opening side of the interlayer connection via to the hole in the first direction.
[Appendix 7]
Forming a hole penetrating the insulating layer in the first direction;
Attaching a resist to a region extending over the whole circumferential direction of the inner peripheral wall of the hole and into the hole;
Exposing and developing a portion of the resist along the circumferential direction of the inner peripheral wall of the hole; and
Plating the inner peripheral wall of the developed hole with metal;
Filling the hole with a conductive paste to form a single layer plate; and
Preparing a plurality of the single-layer plates filled with the conductive paste and laminating them.

1 絶縁層
2 導体部
3 樹脂層
4 層間接続ビア
10 回路基板
11 穴
40 金属層
42 スリット
500 ガラス
501 シード
502 ドライフィルムレジスト
503 樹脂層
504 穴
505 導電性ペースト
520 単層板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating layer 2 Conductor part 3 Resin layer 4 Interlayer connection via 10 Circuit board 11 Hole 40 Metal layer 42 Slit 500 Glass 501 Seed 502 Dry film resist 503 Resin layer 504 Hole 505 Conductive paste 520 Single layer board

Claims (5)

第1方向に積層される複数の絶縁層を含み、
前記複数の絶縁層のうちの少なくとも1つは、前記第1方向に貫通する穴の内周壁上に金属層が形成された層間接続ビアを有し、
前記金属層には、前記層間接続ビアの開口側から前記第1方向に前記穴内まで延在するスリットが形成される、回路基板。
Including a plurality of insulating layers stacked in a first direction;
At least one of the plurality of insulating layers has an interlayer connection via in which a metal layer is formed on an inner peripheral wall of a hole penetrating in the first direction,
The circuit board, wherein the metal layer is formed with a slit extending from the opening side of the interlayer connection via to the hole in the first direction.
前記複数の絶縁層は、ガラスにより形成される、請求項1に記載の回路基板。   The circuit board according to claim 1, wherein the plurality of insulating layers are formed of glass. 前記スリットは、前記内周壁の周方向に沿った複数個所に形成される、請求項1又は2に記載の回路基板。   The circuit board according to claim 1, wherein the slit is formed at a plurality of locations along a circumferential direction of the inner peripheral wall. 回路基板を備える電子機器であって、
前記回路基板は、第1方向に積層される複数の絶縁層を含み、
前記複数の絶縁層のうちの少なくとも1つは、前記第1方向に貫通する穴の内周壁上に金属層が形成された層間接続ビアを有し、
前記金属層には、前記層間接続ビアの開口側から前記第1方向に前記穴内まで延在するスリットが形成される、電子機器。
An electronic device comprising a circuit board,
The circuit board includes a plurality of insulating layers stacked in a first direction,
At least one of the plurality of insulating layers has an interlayer connection via in which a metal layer is formed on an inner peripheral wall of a hole penetrating in the first direction,
The electronic device, wherein the metal layer is formed with a slit extending from the opening side of the interlayer connection via to the hole in the first direction.
絶縁層に第1方向に貫通する穴をあける工程と、
前記穴の内周壁の周方向全体にわたりかつ前記穴内まで延在する領域にレジストを付着させる工程と、
前記レジストに対して、前記穴の内周壁の周方向に沿った一部を露光し現像する工程と、
前記現像した前記穴の内周壁に金属をめっきする工程と、
前記穴内に導電性ペーストを充填して単層板を形成する工程と、
前記導電性ペーストを充填した前記単層板を複数用意し、積層する工程とを含む、回路基板の製造方法。
Forming a hole penetrating the insulating layer in the first direction;
Attaching a resist to a region extending over the whole circumferential direction of the inner peripheral wall of the hole and into the hole;
Exposing and developing a portion of the resist along the circumferential direction of the inner peripheral wall of the hole; and
Plating the inner peripheral wall of the developed hole with metal;
Filling the hole with a conductive paste to form a single layer plate; and
Preparing a plurality of the single-layer plates filled with the conductive paste and laminating them.
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