JP2018198273A - Circuit board, electronic device, and manufacturing method of circuit board - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、回路基板、電子機器、及び回路基板の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a circuit board, an electronic device, and a method for manufacturing a circuit board.
ビアランドとビアホール導体との接合強度を高めるために、ビアホール直上に設けるビアランドにスリット等を形成する技術が知られている。 In order to increase the bonding strength between the via land and the via hole conductor, a technique for forming a slit or the like in the via land provided immediately above the via hole is known.
しかしながら、上述のような従来技術では、絶縁層を貫通する穴の内周壁上に金属層が形成された層間接続ビアを備える回路基板においては、絶縁層における層間接続ビアの開口部周辺で生じうるクラックの可能性を低減することが難しい。絶縁層における層間接続ビアの開口部周辺では、積層工程での加圧・加熱時に金属層から受ける力に起因して応力が集中し易い。 However, in the conventional technology as described above, in a circuit board including an interlayer connection via in which a metal layer is formed on the inner peripheral wall of a hole penetrating the insulating layer, it may occur around the opening of the interlayer connection via in the insulating layer. It is difficult to reduce the possibility of cracking. In the vicinity of the opening of the interlayer connection via in the insulating layer, stress is likely to concentrate due to the force received from the metal layer during pressurization and heating in the lamination process.
そこで、1つの側面では、本発明は、層間接続ビアを備える回路基板において、絶縁層における層間接続ビアの開口部周辺で生じうるクラックの可能性を低減することを目的とする。 Accordingly, in one aspect, an object of the present invention is to reduce the possibility of a crack that may occur around an opening of an interlayer connection via in an insulating layer in a circuit board including the interlayer connection via.
1つの側面では、第1方向に積層される複数の絶縁層を含み、
前記複数の絶縁層のうちの少なくとも1つは、前記第1方向に貫通する穴の内周壁上に金属層が形成された層間接続ビアを有し、
前記金属層には、前記層間接続ビアの開口側から前記第1方向に前記穴内まで延在するスリットが形成される、回路基板が提供される。
One aspect includes a plurality of insulating layers stacked in a first direction,
At least one of the plurality of insulating layers has an interlayer connection via in which a metal layer is formed on an inner peripheral wall of a hole penetrating in the first direction,
A circuit board is provided in which the metal layer is formed with a slit extending from the opening side of the interlayer connection via to the hole in the first direction.
1つの側面では、本発明によれば、層間接続ビアを備える回路基板において、絶縁層における層間接続ビアの開口部周辺で生じうるクラックの可能性を低減することが可能となる。 In one aspect, according to the present invention, in a circuit board having an interlayer connection via, it is possible to reduce the possibility of a crack that may occur around the opening of the interlayer connection via in the insulating layer.
以下、添付図面を参照しながら各実施例について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1は、一実施例による回路基板10の説明図であり、積層工程での加圧・加熱時における回路基板10の構造を概略的に示す断面図である。図1には、積層方向を表すZ方向(第1方向の一例)が示され、以下では、説明上、Z1側を上側とする。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a
回路基板10は、一括積層工法を採用して作製される多層回路基板である。回路基板10は、例えば電子機器に備えられ、電子部品を搭載する多層プリント配線板などに適用できる。電子機器は、任意であるが、例えばスマートフォンや、携帯電話、タブレット端末、デスクトップ型PC(Personal Computer)、ノート型PC等、多岐にわたる。
The
一括積層工法では、絶縁層に層間接続ビアを設け、この層間接続ビアに導電性ペーストを充填して、単層板を作製する。そして、積層工程では、所望の層数の単層板を積層して、加圧・加熱を行うことで、導電性ペーストによって層間接続された多層回路基板が作製される。図1には、積層工程での加圧・加熱時(真空熱プレス時)に回路基板10に加えられる圧力に係る外力Rが模式的に示される。加圧・加熱時に回路基板10に生じる圧力は、積層方向に加えられる外力Rにより生じる。
In the batch lamination method, an interlayer connection via is provided in an insulating layer, and the interlayer connection via is filled with a conductive paste to produce a single layer plate. Then, in the laminating step, a single-layer board having a desired number of layers is laminated, and pressurization / heating is performed, so that a multilayer circuit board connected between layers by a conductive paste is produced. FIG. 1 schematically shows an external force R related to the pressure applied to the
回路基板10は、図1に示すように、絶縁層1と、導体部2と、樹脂層3と、層間接続ビア4とを備える。
As shown in FIG. 1, the
絶縁層1は、例えばガラス(ガラス板)により形成される。絶縁層1は、ガラス以外に、シリコンウエハ、サファイア基板、セラミック基板等の脆性材料で形成されてもよい。尚、図1に示す例では、回路基板10は、3層の絶縁層1を有するが、絶縁層1の数は任意である。
The
導体部2は、配線を形成する。尚、導体部2の形成方法や形成態様は任意である。例えば、導体部2は、ビアランドとして、層間接続ビア4の開口部周辺に形成されてもよい。
The
樹脂層3は、積層方向で絶縁層1間に形成され、接着層として機能する。樹脂層3は、エポキシなどの熱硬化性の樹脂、又はポリイミドなどの熱可塑性の樹脂により形成されてよい。
The resin layer 3 is formed between the
層間接続ビア4は、絶縁層1ごとに設けられる。層間接続ビア4は、絶縁層1をZ方向に貫通する穴11の内周壁上に金属層40が形成される。金属層40は、例えば銅をメッキすることで形成される。金属層40の詳細は後述する。尚、穴11は、Z方向に視て円形の等断面で形成されるが、変形例では、穴11は、断面視で円錐台形状に形成されてもよい。この場合、穴11は、上下両側のうちの一方側での開口径が他方側での開口径よりも大きくなる。また、金属層40は、Z方向で一定の厚みであってもよいし、Z方向の位置に応じて厚みが変化してもよい。
The interlayer connection via 4 is provided for each
層間接続ビア4の穴11内には、金属層40の金属(本実施例では銅)と同一又は金属層40の金属よりも弾性率の低い導体材料が充填される。例えば、層間接続ビア4の穴11内には、導電性ペーストが充填される。導電性ペーストの材料は、Sn, Ag, Cu, Biまたはこれらの金属の少なくとも1つを含む金属化合物と、樹脂からなる。
The
図2は、金属層40を概略的に示す斜視図である。図2では、一例として、金属層40における図1のX部の部位に係る。
FIG. 2 is a perspective view schematically showing the
金属層40には、層間接続ビア4の開口側から穴11内まで延在するスリット42が形成される。即ち、スリット42は、絶縁層1の表面から内部側(Z方向で内部側)まで延在する。尚、スリット42は、層間接続ビア4の開口側が開口する切欠きの形態である。スリット42は、層間接続ビア4のZ方向の全体にわたり延在せず、Z方向で層間接続ビア4の開口側の一部の区間だけに延在してもよいし、或いは、層間接続ビア4のZ方向の全体にわたり延在してもよい。
In the
スリット42は、Z方向で層間接続ビア4の両側の開口部にそれぞれ形成されてもよい。例えば、図1に示す例では、中間層の絶縁層1には、最下層の絶縁層1及び最上層の絶縁層1との接合側、即ち上側と下側の双方の開口部に対してスリット42が形成されてよい。尚、スリット42の空間には、樹脂層3に係る樹脂が充填されるが、スリット42の空間には、かかる樹脂に代えて、導電性ペーストや、他の樹脂が充填されてもよい。
The
スリット42は、後述のように、絶縁層1における層間接続ビア4の開口部周辺(開口部のエッジ)に生じる応力を低減する応力緩和機能を有する。スリット42は、好ましくは、応力緩和機能を高めるために、穴11の内周壁の周方向に沿った複数個所に形成される。例えば図2に示す例では、スリット42は、一方の開口部に対して、4つ設けられている。スリット42は、複数形成される場合は、穴11の内周壁の周方向に沿って等間隔で形成されてもよい。この場合、スリット42は、層間接続ビア4の開口部における対角位置に形成されることになる。また、スリット42は、好ましくは、図2に示すように、穴11の内周壁の径方向に視たとき曲線状の外形を有する。即ち、スリット42は、鋭角部分がない構造が好ましい。
As will be described later, the
図3は、スリット42による応力緩和機能の説明図である。図4は、比較例による問題点の説明図であり、積層工程での加圧・加熱時における回路基板10Aの構造を概略的に示す断面図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of the stress relaxation function by the
比較例による回路基板10Aは、本実施例による回路基板10に対して、層間接続ビア4が層間接続ビア4Aで置換された点が異なる。比較例による層間接続ビア4Aは、本実施例による層間接続ビア4に対して、金属層40が金属層40Aで置換された点が異なり、金属層40Aは、金属層40に対して、スリット42がない点が異なる。
The circuit board 10A according to the comparative example is different from the
ところで、図1に示すように、積層工程での加圧・加熱時(真空熱プレス時)には、回路基板10には上下方向に圧力がかけられる。例えば、真空熱プレスは、200℃の温度かつ 30kg/cm2の圧力で行われる。この際、金属層40には、Z方向の両側から力(圧縮方向の力)がかかる。
By the way, as shown in FIG. 1, pressure is applied to the
この点、比較例では、絶縁層1における層間接続ビア4Aの開口部周辺(開口部のエッジ)に生じる応力が比較的大きく、図4に模式的に示すように、クラックC1が発生し易い。具体的には、金属層40Aは、Z方向の両側から力を受けると、径方向に広がる方向に変形しようとするが、径方向外側は絶縁層1(ガラス)により囲繞されているので、変形できず、絶縁層1における層間接続ビア4Aの開口部のエッジに応力集中生じる。この結果、クラックC1が発生し易い。
In this regard, in the comparative example, the stress generated around the opening of the interlayer connection via 4A in the insulating layer 1 (the edge of the opening) is relatively large, and the crack C1 is likely to occur as schematically shown in FIG. Specifically, when the
これに対して、本実施例によれば、層間接続ビア4の金属層40は、スリット42を有するので、比較例で生じるクラックC1のようなクラックが生じる可能性を低減できる。具体的には、金属層40は、Z方向の両側から力を受けると、径方向に広がる方向に変形しようとする。この際、金属層40は、スリット42を有することで、図3にて矢印R2で模式的に示すように、周方向への変形によって、径方向に広がる方向への変形が抑止される。この結果、層間接続ビア4と絶縁層1が接する部分での応力が軽減され、比較例で生じるクラックC1のようなクラックが生じる可能性を低減できる。
On the other hand, according to the present embodiment, since the
次に、図5A乃至図6Dを参照して、回路基板10の製造方法(製造プロセス)を説明する。
Next, with reference to FIG. 5A thru | or FIG. 6D, the manufacturing method (manufacturing process) of the
図5A乃至図5Kは、回路基板10の製造方法における各工程の説明図であり、図5Aから図5Kに向かう方向が製品に近づく方向に対応する。図5A乃至図5Kは、層間接続ビア4の形成部分を通る断面視を模式的に示す。図6A乃至図6Dは、幾つかの各工程に係る層間接続ビア4に関連する部位の状態を示す図であり、左側が上面視であり、右側が斜視である。尚、図6A乃至図6Dは、図5C乃至図5Fにそれぞれ対応する。
5A to 5K are explanatory diagrams of each step in the method for manufacturing the
先ず、図5Aに示すように、層間接続ビア4の穴11を形成するために、ガラス500にCO2レーザーで穴あけする。穴あけは、CO2レーザーに限らず、エキシマレーザーや、エッチングによる加工、サンドブラスト等で実現してもよい。
First, as shown in FIG. 5A, in order to form the
次に、図5Bに示すように、無電界めっきを用いてシード501を形成する。無電界めっきに代えて、スパッタなどが使用されてもよい。
Next, as shown in FIG. 5B, a
次に、図5Cに示すように、例えば真空ラミネートによって、ドライフィルムレジスト502を溶融させて、層間接続ビア4に係る穴11の壁面にドライフィルムレジスト502を密着させる。ドライフィルムレジスト502の代わりに、液体レジストをスピンコートによる被覆することによって同様のレジストが形成されてもよい。これにより、図6Aに示すように、穴11の入口側の壁面に付着しかつ穴11を覆う態様でドライフィルムレジスト502が形成される。
Next, as illustrated in FIG. 5C, the dry film resist 502 is melted by, for example, vacuum lamination, and the dry film resist 502 is brought into close contact with the wall surface of the
次に、図5Dに示すように、層間接続ビア4に係る穴11の壁面に付着されたドライフィルムレジスト502にスリット42となるパターンを形成し、露光、現像することで、穴11の壁面上のドライフィルムレジスト502がスリット42の形状になるよう作製する。これにより、図6Bに示すように、穴11の壁面に、スリット42の形状に対応したドライフィルムレジスト502が形成される。
Next, as shown in FIG. 5D, a pattern to be a
次いで、図5Eに示すように、電解めっきによって、層間接続ビア4に係る穴11の壁面に金属層40を形成するとともに、配線となる導体部2を形成する。これにより、図6Cに示すように、穴11の壁面におけるスリット42に係るドライフィルムレジスト502を除く領域に、メッキ層(金属層40)が形成される。
Next, as shown in FIG. 5E, the
次いで、図5Fに示すように、シード層を除去する。これにより、図6Dに示すように、スリット42を備える金属層40が完成する。
Next, as shown in FIG. 5F, the seed layer is removed. Thereby, as shown to FIG. 6D, the
次いで、図5Gに示すように、樹脂ラミネートを行い、樹脂層3となる樹脂層503を形成する。尚、この際、スリット42の空間には、樹脂が充填される。
Next, as shown in FIG. 5G, resin lamination is performed to form a
次いで、図5Hに示すように、層間接続ビア4に係る穴11を形成するために、樹脂層503に穴504を形成する。
Next, as shown in FIG. 5H, a hole 504 is formed in the
次いで、図5Iに示すように、ペースト印刷する。即ち、樹脂層503の穴504に、導電性ペーストが充填される。以下では、樹脂層の穴504に、導電性ペースト505が充填された状態のガラス500を、「単層板520」と称する。
Next, as shown in FIG. 5I, paste printing is performed. That is, the conductive paste is filled in the holes 504 of the
次いで、図5Jに示すように、複数の単層板520を用意し、積層する。尚、図5Jに示すように、最も上側の単層板520の上側には、樹脂層503が形成されておらず、最も下側の単層板520の下側には、樹脂層503が形成されていない。
Next, as shown in FIG. 5J, a plurality of single-
次いで、積層した単層板520を真空熱プレス(例えば200℃、90分、3MPa)で押す。導電性ペースト505と樹脂層503が硬化すると、回路基板が出来上がる。
Next, the laminated single-
このようにして本実施例によれば、穴11の壁面に、スリット42の形状に対応したドライフィルムレジスト502を形成することで、スリット42を備える金属層40を容易に形成できる。
Thus, according to the present embodiment, the
以上、各実施例について詳述したが、特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。また、前述した実施例の構成要素を全部又は複数を組み合わせることも可能である。 Although each embodiment has been described in detail above, it is not limited to a specific embodiment, and various modifications and changes can be made within the scope described in the claims. It is also possible to combine all or a plurality of the components of the above-described embodiments.
例えば、上述した実施例では、絶縁層1の全ての層間接続ビア4が、スリット42を有する金属層40を有しているが、これに限られない。一部の絶縁層1の層間接続ビア4だけが、スリット42を有する金属層40を有してもよい。
For example, in the embodiment described above, all the interlayer connection vias 4 of the insulating
なお、以上の実施例に関し、さらに以下の付記を開示する。
[付記1]
第1方向に積層される複数の絶縁層を含み、
前記複数の絶縁層のうちの少なくとも1つは、前記第1方向に貫通する穴の内周壁上に金属層が形成された層間接続ビアを有し、
前記金属層には、前記層間接続ビアの開口側から前記第1方向に前記穴内まで延在するスリットが形成される、回路基板。
[付記2]
前記複数の絶縁層は、ガラスにより形成される、付記1に記載の回路基板。
[付記3]
前記スリットは、前記内周壁の周方向に沿った複数個所に形成される、付記1又は2に記載の回路基板。
[付記4]
前記層間接続ビアの前記穴内には、前記金属層の金属よりも弾性率の低い導体材料が充填される、付記1〜3のうちのいずれか1項に記載の回路基板。
[付記5]
前記スリットは、前記内周壁の径方向に視たとき曲線状の外形を有する、付記1〜4のうちのいずれか1項に記載の回路基板。
[付記6]
回路基板を備える電子機器であって、
前記回路基板は、第1方向に積層される複数の絶縁層を含み、
前記複数の絶縁層のうちの少なくとも1つは、前記第1方向に貫通する穴の内周壁上に金属層が形成された層間接続ビアを有し、
前記金属層には、前記層間接続ビアの開口側から前記第1方向に前記穴内まで延在するスリットが形成される、電子機器。
[付記7]
絶縁層に第1方向に貫通する穴をあける工程と、
前記穴の内周壁の周方向全体にわたりかつ前記穴内まで延在する領域にレジストを付着させる工程と、
前記レジストに対して、前記穴の内周壁の周方向に沿った一部を露光し現像する工程と、
前記現像した前記穴の内周壁に金属をめっきする工程と、
前記穴内に導電性ペーストを充填して単層板を形成する工程と、
前記導電性ペーストを充填した前記単層板を複数用意し、積層する工程とを含む、回路基板の製造方法。
In addition, the following additional remarks are disclosed regarding the above Example.
[Appendix 1]
Including a plurality of insulating layers stacked in a first direction;
At least one of the plurality of insulating layers has an interlayer connection via in which a metal layer is formed on an inner peripheral wall of a hole penetrating in the first direction,
The circuit board, wherein the metal layer is formed with a slit extending from the opening side of the interlayer connection via to the hole in the first direction.
[Appendix 2]
The circuit board according to
[Appendix 3]
The circuit board according to
[Appendix 4]
The circuit board according to any one of
[Appendix 5]
The circuit board according to any one of
[Appendix 6]
An electronic device comprising a circuit board,
The circuit board includes a plurality of insulating layers stacked in a first direction,
At least one of the plurality of insulating layers has an interlayer connection via in which a metal layer is formed on an inner peripheral wall of a hole penetrating in the first direction,
The electronic device, wherein the metal layer is formed with a slit extending from the opening side of the interlayer connection via to the hole in the first direction.
[Appendix 7]
Forming a hole penetrating the insulating layer in the first direction;
Attaching a resist to a region extending over the whole circumferential direction of the inner peripheral wall of the hole and into the hole;
Exposing and developing a portion of the resist along the circumferential direction of the inner peripheral wall of the hole; and
Plating the inner peripheral wall of the developed hole with metal;
Filling the hole with a conductive paste to form a single layer plate; and
Preparing a plurality of the single-layer plates filled with the conductive paste and laminating them.
1 絶縁層
2 導体部
3 樹脂層
4 層間接続ビア
10 回路基板
11 穴
40 金属層
42 スリット
500 ガラス
501 シード
502 ドライフィルムレジスト
503 樹脂層
504 穴
505 導電性ペースト
520 単層板
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記複数の絶縁層のうちの少なくとも1つは、前記第1方向に貫通する穴の内周壁上に金属層が形成された層間接続ビアを有し、
前記金属層には、前記層間接続ビアの開口側から前記第1方向に前記穴内まで延在するスリットが形成される、回路基板。 Including a plurality of insulating layers stacked in a first direction;
At least one of the plurality of insulating layers has an interlayer connection via in which a metal layer is formed on an inner peripheral wall of a hole penetrating in the first direction,
The circuit board, wherein the metal layer is formed with a slit extending from the opening side of the interlayer connection via to the hole in the first direction.
前記回路基板は、第1方向に積層される複数の絶縁層を含み、
前記複数の絶縁層のうちの少なくとも1つは、前記第1方向に貫通する穴の内周壁上に金属層が形成された層間接続ビアを有し、
前記金属層には、前記層間接続ビアの開口側から前記第1方向に前記穴内まで延在するスリットが形成される、電子機器。 An electronic device comprising a circuit board,
The circuit board includes a plurality of insulating layers stacked in a first direction,
At least one of the plurality of insulating layers has an interlayer connection via in which a metal layer is formed on an inner peripheral wall of a hole penetrating in the first direction,
The electronic device, wherein the metal layer is formed with a slit extending from the opening side of the interlayer connection via to the hole in the first direction.
前記穴の内周壁の周方向全体にわたりかつ前記穴内まで延在する領域にレジストを付着させる工程と、
前記レジストに対して、前記穴の内周壁の周方向に沿った一部を露光し現像する工程と、
前記現像した前記穴の内周壁に金属をめっきする工程と、
前記穴内に導電性ペーストを充填して単層板を形成する工程と、
前記導電性ペーストを充填した前記単層板を複数用意し、積層する工程とを含む、回路基板の製造方法。 Forming a hole penetrating the insulating layer in the first direction;
Attaching a resist to a region extending over the whole circumferential direction of the inner peripheral wall of the hole and into the hole;
Exposing and developing a portion of the resist along the circumferential direction of the inner peripheral wall of the hole; and
Plating the inner peripheral wall of the developed hole with metal;
Filling the hole with a conductive paste to form a single layer plate; and
Preparing a plurality of the single-layer plates filled with the conductive paste and laminating them.
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