JP2018194616A - リソグラフィ装置、および物品製造方法 - Google Patents

リソグラフィ装置、および物品製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】計測の精度とスループットの両立に有利な技術を提供する。【解決手段】リソグラフィ装置は、パターン形成動作を行う前に、第１テンプレートマッチングにより基板上のマークの位置を得る第１処理を行い、第１処理で得られたマークの位置に基づいてパターン形成動作を行っている間に、第１テンプレートマッチングとは異なる第２テンプレートマッチングによりマークの位置を得る第２処理を行い、第２処理で得られたマークの位置に基づいて、第１処理での第１テンプレートマッチングに使用したテンプレートの変更を行い、第１処理での第１テンプレートマッチングに使用するべきテンプレートを得る第３処理を行う。【選択図】 図１

Description

本発明は、リソグラフィ装置、および物品製造方法に関する。
原版のパターンを基板に転写して基板にパターンを形成するリソグラフィ装置においては、原版と基板との位置合わせが必要である。位置合わせは一般に、基板に形成されたマークの位置の計測を含み、その計測は、テンプレートを用いたパターンマッチング処理（テンプレートマッチング）により行われうる。
基板のプロセスによってはマークの形状の見え方が変化しうるため、計測精度を維持するためにはテンプレートの適切な調整が必要である。特許文献１は、テンプレートおよびサーチテスト画像を生成し、それらを用いてサーチを行ってタクトタイムおよび精度に関する基準値を得、その基準値に基づいてテンプレートを調整し、タクトタイムおよび精度を最適化する手法を開示している。
特開２０１２−６９００３号公報
特許文献１に開示された手法は、基準値を得る場合とテンプレートの調整を行う場合とで同じテンプレートマッチングを行うものである。このため、当該テンプレートマッチングにより誤計測が発生するような画像に対して処理がなされた場合、適切な基準値が得られない。テンプレートマッチングは、一般には、精度が高くなるほど演算量も増大するため、そのようなテンプレートマッチングを用いると、スループットまたはコストの制約を満たすことが難しくなる。
本発明は、例えば、マーク位置計測の精度とスループットまたはコストとの両立に有利なリソグラフィ装置を提供することを目的とする。
本発明の一側面によれば、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、マークが形成された前記基板を保持して可動のステージと、前記ステージに保持された前記基板に形成された前記マークを撮像して前記マークの画像を得る撮像部と、前記画像を処理して前記マークの位置を得る処理を行う処理部と、前記処理部により得られた前記マークの位置に基づいて移動された前記ステージに保持された前記基板に前記パターンを形成する動作を行う形成部とを有し、前記処理部は、前記形成部が前記動作を行う前に、第１テンプレートマッチングにより前記マークの位置を得る第１処理を行い、前記第１処理で得られた前記マークの位置に基づいて前記形成部が前記動作を行っている間に、前記第１テンプレートマッチングとは異なる第２テンプレートマッチングにより前記マークの位置を得る第２処理を行い、前記第２処理で得られた前記マークの位置に基づいて、前記第１処理での前記第１テンプレートマッチングに使用したテンプレートの変更を行い、前記第１処理での前記第１テンプレートマッチングに使用するべきテンプレートを得る第３処理を行うことを特徴とするリソグラフィ装置が提供される。
本発明によれば、例えば、マーク位置計測の精度とスループットまたはコストとの両立に有利な技術を提供することができる。
露光装置の構成を示す図。 基板の構成を示す図。 基板処理の制御フローを示すフローチャート。 リファレンス計測値を求める処理を示すフローチャート。 アライメント計測条件を求める処理を示すフローチャート。 テンプレートの配置を決定する処理を説明する図。 リファレンス計測値を求める処理の変形例を示すフローチャート。 テンプレートの配置を決定する処理を説明する図。 テンプレートマッチングによるマークの探索処理を説明する図。 アライメント計測条件を求める処理の変形例を示すフローチャート。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎないものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
＜第１実施形態＞
図１は、実施形態に係る、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置の一例である露光装置の構成を示す図である。図２は、図１の露光装置によって処理される基板Ｗの構成を示す図である。図２において、基板ＷにはＳ１，Ｓ２，Ｓ３を含む複数のショット領域が形成されており、また、基板Ｗの所定位置にマークＡＭ１，ＡＭ２，ＡＭ３，ＡＭ４（アライメントマーク）が設けられている。さらに、基板Ｗの外周部の一部には切り欠きであるノッチＮが形成されている。図１において、基板搬送部ＷＦは、基板Ｗを装置内に搬入する。メカプリアライメントユニットＭＡは、基板ＷのノッチＮを検出し、基板Ｗの位置及び回転角の少なくとも一方を調整するプリアライメントを行う。基板ステージＳＴＧは、基板Ｗを保持して可動のステージである。基板ステージＳＴＧの上には基板Ｗを保持するチャックＣＨが設置されている。アライメントスコープＡＳは、基板ＷのマークＡＭ１〜ＡＭ４を撮像してマークの画像を得る撮像部を含む。処理部ＩＰは、アライメントスコープＡＳにより取得された画像に基づき、例えばテンプレートマッチングによりマーク位置計測を行う。処理部ＩＰは、不図示のＣＰＵの他、各種データ等を記憶するメモリＭを含みうる。制御部ＭＣは、処理部ＩＰにより得られたマークの位置に基づいて移動された基板ステージＳＴＧに保持された基板Ｗにパターンを形成する形成部としての動作を行う。具体的には、制御部ＭＣは、処理部ＩＰからの位置計測情報に基づき基板ステージＳＴＧを移動させて基板Ｗの位置合わせを行い、原版ＭＳＫのパターンを露光レンズＬＮＳを通して基板Ｗに露光する露光処理を行うことで、基板Ｗの上にパターンを形成する。
図３に、制御部ＭＣによって行われる基板処理の制御フローを示す。Ｓ３０２で、制御部ＭＣは、メカプリアライメントユニットＭＡを制御して、基板搬送部ＷＦにより装置内に搬入された基板Ｗに対してメカプリアライメントを行う。Ｓ３０３で、制御部ＭＣは、基板搬送部ＷＦを制御して、基板ＷをチャックＣＨに搬送する。Ｓ３０４で、制御部ＭＣは、形成部としての動作を行う前に、第１テンプレートマッチングによりマークの位置を得る第１処理を処理部ＩＰに行わせる。その後、制御部ＭＣは、第１処理で得られたマークの位置に基づき基板ステージＳＴＧを移動させて基板アライメントを行う。第１テンプレートマッチングは、マークの理想形状を離散的な複数の特徴点で表したテンプレートを用いて、アライメントスコープＡＳにより取得された画像内でマークの位置を探索し、マークの位置を求める。
第１テンプレートマッチングにおける計測条件（アライメント計測条件）としては、例えば、テンプレートの配置、テンプレート内の特徴点の数（テンプレートの点数）がある。例えば、図８（ａ）のようなマークＡＭのエッジ方向の情報をもったテンプレートを用いて、図９に示すように、計測用に取得された画像におけるマークの探索が行われる。具体的には、相関度（類似性）が最大となる位置が探索され、その位置が計測値として決定される。なお、処理対象の基板がロットの先頭である場合には、アライメント計測条件は、デフォルトの条件または前のロットで設定された条件を用いるものとする。
基板アライメントを実施後、制御部ＭＣは、基板Ｗショット領域ごとに露光を行う（Ｓ３０５）。露光の完了後、制御部ＭＣは、基板搬送部ＷＦを制御して基板Ｗを搬出する（Ｓ３０６）。
本実施形態における基板処理は概ね以上のようなものである。しかし、基板のプロセスによってはマークの形状の見え方が変化しうるため、位置計測の精度を維持するためにテンプレートを適切に調整していくことが必要である。そこで本実施形態では、制御部ＭＣは、Ｓ３０５の露光およびＳ３０６の基板の搬出と並行して（すなわち、形成部が上記動作を行っている間に）、Ｓ３０８とＳ３０９のテンプレートの調整動作を実行する。Ｓ３０８は、第１テンプレートマッチングとは異なる第２テンプレートマッチングによりマークの位置を得る第２処理である。Ｓ３０９は、第２処理で得られたマークの位置に基づいて、第１処理での第１テンプレートマッチングに使用したテンプレートの変更を行い、第１処理での第１テンプレートマッチングに使用するべきテンプレートを得る第３処理である。
Ｓ３０８の第２処理は、マークの位置を示すリファレンス計測値を算出する処理を含みうる。このリファレンス計測値の算出のフローを図４に示す。図４のフローは、制御部ＭＣの制御の下、処理部ＩＰによって実行されうる。処理部ＩＰは、アライメントスコープＡＳにより取得され基板アライメント工程（Ｓ３０４）で処理されたマークの画像を用いて、計測処理Ａによる計測値の算出を行う（Ｓ４０２）。その後、処理部ＩＰは、算出された計測値をリファレンス計測値としてメモリＭに格納する（Ｓ４０３）。この計測処理Ａは、基板アライメント工程（Ｓ３０４）で用いられる第１テンプレートマッチングよりも演算量は多いが高精度にマークの位置を求めることができる第２テンプレートマッチングを含む。計測処理Ａにおける第２テンプレートマッチングの手法には、例えば、位相限定相関法またはLukas-Kanade法を採用しうる。位相限定相関法は、輝度の振幅ではなく位相のずれ量に着目することで、低コントラスト画像においても高い検出精度が得られる手法である。しかし、元画像及び計測画像をＦＦＴし画像全面の位相比較を行うため、演算量が多い。また、Lukas-Kanade法は、画像の相互情報量（Mutual Information）を特徴量として用いる。Lukas-Kanade法では、２つの画像の各画素の移動量をテイラー展開による多項式近似を用いて検出しており、多項式の数が多いほど近似の精度が高まり高精度な検出が可能になるが、やはり多大な演算量を要する。どちらの手法も、離散的なテンプレート情報との相関度を求めるテンプレートマッチング（第１テンプレートマッチング）よりも計測に使う情報量が多いためロバスト性が高く、より高精度に位置検出を行うことが可能である。
Ｓ３０９の第３処理は、アライメント計測条件の算出処理を含みうる。ここでは、デフォルトの条件または前のロットでの基板処理時に決定された条件を初期状態とし、基板アライメント工程（Ｓ３０４）であらかじめ取得された画像に対してアライメント計測条件が算出される。
第３処理におけるアライメント計測条件の算出処理（Ｓ３０９）のフローを図５に示す。この処理において初期状態で持っているテンプレート情報は、マーク設計値（理想的なマーク形状）と対応している（図８（ａ））。テンプレートはマークのエッジ方向の情報を持ち、離散的にマーク形状を表している。このとき、プロセスによってはマークが歪み、例えば横方向のみマークが伸びて見える場合などがある（図８（ｂ））。その場合、テンプレートとマークに差異があり算出される相関度が理想状態よりも低くなる。そこで、処理部ＩＰは、第３処理として、以下に具体的に示すように、第１処理（Ｓ３０４）で得られるマークの位置が第２処理（Ｓ３０８）で得られたマークの位置に近づくようにテンプレートの配置の決定（テンプレートの変更）を行う。
図５のＳ５０２〜Ｓ５０８は、テンプレートの配置を変えながら第１テンプレートマッチングを繰り返し、テンプレートの配置を決定する配置決定処理である。まず、処理部ＩＰは、Ｓ５０２で、テンプレートの配置を初期状態からランダムに変更し、Ｓ５０３で、変更されたテンプレートにより第１テンプレートマッチングを行う（相関度及び計測値を算出する）。次に、Ｓ５０４で、処理部ＩＰは、テンプレートの配置を変更する前よりも相関度及び計測値が向上したか否かを判定する。ここで、「相関度及び計測値が向上する」とは、相関度が高まり、かつ、計測値がリファレンス計測値に近づくことをいう。具体的には、マークとテンプレートとの間の相関度が所定の閾値を超え、かつ、マークの位置を示す計測値がＳ３０８で求められたリファレンス計測値を含む所定の閾値範囲内になることである。例えば、図８（ｃ）では、テンプレートのある一点をランダムに選択し左方向へ動かしている。この場合、その点がマークから離れる方向になるため、相関度及び計測値は向上しない（Ｓ５０４でＮＯ）。よって、処理部ＩＰは、テンプレート配置をＳ５０２で変更される前の配置（図８ｂ）に戻す（Ｓ５０５）。
Ｓ５０６では、処理部ＩＰは、Ｓ３０９の処理開始からの経過時間がパターン形成動作にかかる時間に基づく所定の打ち切り時間内であるか否かを判断している。経過時間が所定の打ち切り時間内である場合（Ｓ５０６でＹＥＳ）、再度テンプレートのある一点をランダムに選択し配置を動かす。例として、図８（ｄ）では、図８（ｃ）で選択されたテンプレートの一点が再度選択され、右方向つまりマークに近い方向に動かしている。この場合、マークに対する相関度が上がり、且つマーク以外の部分の相関度が下がることになるため、図８（ｄ）の状態でテンプレート配置が保持される（Ｓ５０４）。
Ｓ５０２〜Ｓ５０６が所定の打ち切り時間内で繰り返されて学習回数が増えることにより、図６（ａ）に示されるように、マークに対する相関度は上昇していき、図６（ｂ）に示されるように、マーク以外の部分の相関度は低下していく。また、図６（ｃ）に示されるように、マークの計測値は、リファレンス計測値によって定められる所定の閾値上限と閾値下限の間で収束していく。経過時間が所定の打ち切り時間を超えると（Ｓ５０６でＮＯ）、処理部ＩＰは、Ｓ５０７で、例えば、相関度及び計測値に関する以下の条件を満たすか否かを判定する。
・最終的なテンプレート配置によるマークに対する相関度が所定の閾値下限を超えていること（図６（ａ））。
・最終的なテンプレート配置によるマーク以外の部分に対する相関度が所定の閾値上限を下回っていること（図６（ｂ））。
・最終的なテンプレート配置による計測値が、Ｓ３０８で算出されたリファレンス計測値によって定められる所定の閾値範囲内にあること（図６（ｃ））。
このように、第３処理は、マークとテンプレートとの間の相関度が閾値を超え、かつ第２処理で得られたマークの位置からの第１処理で得られるマークの位置のずれが許容範囲内に収まるように、テンプレートの変更を行う。また、処理部ＩＰは、パターン形成動作に要する時間に基づいて、第３処理を打ち切る。
上記条件を満たさない場合は、エラー終了とする（Ｓ５０８）。すなわち処理部ＩＰは、第３処理を打ち切るまでに、相関度が閾値を超えない場合、または、ずれが許容範囲内に収まらない場合は、例えば第１処理に関してエラーを示す情報を出力する。ここまでの処理でテンプレート配置が決定される（図８（ｅ））。上記条件を満たす場合、Ｓ５０９で、Ｓ３０４における第１計測処理の処理開始からの経過時間が所定の閾値内であるか否かを判定する。該経過時間が所定の閾値内である場合、あるいは処理時間の制約を持たせない場合には（Ｓ５０９でＹＥＳ）、この時点でアライメント計測条件の算出処理を終了する。このときのアライメント計測条件は、次の基板に対する第１計測処理である基板アライメント処理（Ｓ３０４）に用いられる。これにより、装置スループットに影響することなく、対象となる基板のマークに対して計測精度及び計測処理時間が最適となるテンプレート形状を見つけることができる。
Ｓ５０９で第１計測処理の計測処理時間の制約を満たしていない場合は（Ｓ５０９でＮＯ）、最適なテンプレートの点数を決定するための学習ループを回す（Ｓ５１０〜Ｓ５１２）。この処理は、決定された配置を持つテンプレートの特徴点の点数を減らしながら第１テンプレートマッチングを繰り返し、マークの相関度が所定の閾値を超え、かつ、計測値が所定の閾値範囲内になる条件の下で最小となる点数を決定する点数決定処理である。具体的には、処理部ＩＰは、Ｓ５１０でテンプレートの点数を１つ減らし、Ｓ５１１で変更後のテンプレートにより第１計測処理と同じ手法で相関度及び計測値を算出する。Ｓ５１２では、全条件を実施したか、すなわち、テンプレートの点数が所定の下限値に達したかを判定する。ここでテンプレートの点数が所定の下限値に達していなければＳ５１０に戻り、所定の下限値に達したときはＳ５１３に進む。このように、テンプレートの点数を低減させていき、相関度及び計測値に関する上記条件を満たすための最低限のテンプレートの点数をアライメント計測条件として決定する（Ｓ５１３）。得られたテンプレート計測条件は、次の基板の第１計測処理である基板アライメント（Ｓ３０４）の計測条件として用いられる。これにより、対象となる基板のマークに対して計測精度及び計測処理時間が最適となるテンプレートの形状を見つけることができる。
図５では第３処理としてテンプレートの形状を最適化しているが、別のパラメータの最適化をしてもよい。例えば、Ｓ３０９において、計測画像に対する複数の画像フィルタ条件を試し、計測値が最適となるものを選択するようにしてもよい。そのようなＳ３０９の処理フローを図１０に示す。ここでは例えば、画像フィルタ条件の初期条件を、ガウシアンフィルタのシグマ＝０．１０とする。処理部ＩＰは、まず、Ｓ１００２で、画像フィルタ条件を初期条件から変更する。ここでは、例えば画像フィルタのシグマを０．１０〜０．９９の間で０．０１刻みで順に設定していく。Ｓ１００３では、処理部ＩＰは、変更後の画像フィルタ条件で第１計測処理により相関度と計測値を算出する。算出された相関度と計測値がフィルタ条件変更前よりも向上した場合は（Ｓ１００４でＹＥＳ）、そのときの画像フィルタ条件をメモリＭに記憶し（Ｓ１００５）、その後、Ｓ１００６へ進む。算出された相関度と計測値がフィルタ条件変更前よりも向上していなければ（Ｓ１００４でＮＯ）、そのままＳ１００６へ進む。Ｓ１００６では、制処理部ＩＰは、全ての画像フィルタ条件を実施したか、すなわち、画像フィルタのシグマを０．１０〜０．９９の間の全ての値で計測を行ったかを判定する。全ての画像フィルタ条件で計測が実施されていなければＳ１００２に戻り、全ての画像フィルタ条件で計測が実施されたときはＳ１００７に進む。
Ｓ１００７では、処理部ＩＰは、相関度と計測値が最も向上したフィルタ条件を第１計測処理における画像フィルタ条件として設定する。これにより、基板の見え方に変化があった場合でも、最適なフィルタ条件を常に選択することが可能となる。なお、この例ではガウシアンフィルタのシグマを画像フィルタ条件として最適化しているが、その他の画像フィルタ（メディアンフィルタ、ガボールフィルタなど）のパラメータや、フィルタ同士の組み合わせの条件を最適化してもよい。
（変形例１）
第２処理であるリファレンス計測値の算出処理（Ｓ３０８）の変形例を、図７に示す。図４の例では、第１計測処理よりも演算量は多いが高精度な計測を行うことができる計測処理Ａを使用したが、ここでは、高精度な計測を行う計測処理として計測処理Ａの他に計測処理Ｂを含む複数の計測処理を使用する。すなわち、第２テンプレートマッチングは、探索手法の異なる複数のテンプレートマッチングを含みうる。例えば、計測処理Ａは位相限定相関法を用いた計測処理であり、計測処理ＢはLukas-Kanade法を用いた計測処理でありうる。
制御部ＭＣは、Ｓ７０２で、計測処理Ａにより計測値を算出し、Ｓ７０３で、計測処理Ｂにより計測値を算出する。その後、制御部ＭＣは、Ｓ７０２で得られた計測値とＳ７０３で得られた計測値との差分が所定の閾値以内であるか（Ｓ７０４）、または、Ｓ７０２で得られた計測値とＳ７０３で得られた計測値とのばらつきが所定の範囲以内であるか（Ｓ７０５）を判定する。これらの条件を満たさない場合は、計測に異常が発生していると判断してエラーを出力する（Ｓ７０８）。これらの条件を満たす場合は、例えばＳ７０２で得られた計測値とＳ７０３で得られた計測値との平均をリファレンス計測値として決定する（Ｓ７０６）。このように、第２処理では、複数のテンプレートマッチングによりそれぞれ得られた複数のマークの位置のばらつきが許容範囲内に収まらない場合は、第２処理に関してエラーを示す情報を出力する。
以上の処理によれば、計測処理Ａと計測処理Ｂが同じ画像に対する別々の特徴を用いた計測を行うことになるため、両者の計測結果の組み合わせによってリファレンス値の信頼性を向上させることができる。これにより、より精度の高いリファレンス計測値を算出することが可能となる。
（変形例２）
上述の基板処理によれば、第２処理であるリファレンス計測値の算出（Ｓ３０８）と、アライメント計測条件の算出（Ｓ３０９）においては、基板アライメント工程（Ｓ３０４）で取得されたマーク画像が使用される。変形例として、制御部ＭＣは、前回までに処理された同一ロット内の基板のマーク画像をメモリ内に記憶してもよい。そして、制御部ＭＣは、メモリに記憶された複数のマーク画像それぞれに対してリファレンス計測値の算出（Ｓ３０８）とアライメント計測条件の算出（Ｓ３０９）を実施し、全てのマーク画像に対して計測精度と処理時間が最適となる計測条件を見つける。これにより、基板のロット内のプロセス変動に対し、最も適した基板のアライメント計測条件を見つけることができる。
＜物品製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態における物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、上記のリソグラフィ装置（露光装置やインプリント装置、描画装置など）を用いて基板に原版のパターンを転写する工程と、かかる工程でパターンが転写された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
（他の実施形態）
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
Ｗ：基板、ＭＳＫ：原版、ＭＡ：メカプリアライメントユニット、ＳＴＧ：基板ステージ、ＣＨ：チャック、ＡＳ：アライメントスコープ、ＩＰ：処理部、ＬＮＳ：露光レンズ、ＭＣ：制御部

Claims (10)

  1. パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
    マークが形成された前記基板を保持して可動のステージと、
    前記ステージに保持された前記基板に形成された前記マークを撮像して前記マークの画像を得る撮像部と、
    前記画像を処理して前記マークの位置を得る処理を行う処理部と、
    前記処理部により得られた前記マークの位置に基づいて移動された前記ステージに保持された前記基板に前記パターンを形成する動作を行う形成部と、
    を有し、
    前記処理部は、
    前記形成部が前記動作を行う前に、第１テンプレートマッチングにより前記マークの位置を得る第１処理を行い、
    前記第１処理で得られた前記マークの位置に基づいて前記形成部が前記動作を行っている間に、前記第１テンプレートマッチングとは異なる第２テンプレートマッチングにより前記マークの位置を得る第２処理を行い、
    前記第２処理で得られた前記マークの位置に基づいて、前記第１処理での前記第１テンプレートマッチングに使用したテンプレートの変更を行い、前記第１処理での前記第１テンプレートマッチングに使用するべきテンプレートを得る第３処理を行う、
    ことを特徴とするリソグラフィ装置。
  2. 前記第２テンプレートマッチングにより前記マークの位置を得る精度は、前記第１テンプレートマッチングにより前記マークの位置を得る精度より高いことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記第３処理は、前記第１処理で得られる前記マークの位置が前記第２処理で得られた前記マークの位置に近づくように前記変更を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記第３処理は、前記マークと前記テンプレートとの間の相関度が閾値を超え、かつ前記第２処理で得られた前記マークの位置からの前記第１処理で得られる前記マークの位置のずれが許容範囲内に収まるように、前記変更を行うことを特徴とする請求項３に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記処理部は、前記動作に要する時間に基づいて前記第３処理を打ち切ることを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記処理部は、前記第３処理を打ち切るまでに、前記相関度が前記閾値を超えない場合、または前記ずれが前記許容範囲内に収まらない場合は、前記第１処理に関してエラーを示す情報を出力することを特徴とする請求項５に記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記第３処理は、前記テンプレートを構成する特徴点の数を変更することを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記第２テンプレートマッチングは、互いに異なる複数のテンプレートマッチングを含み、前記第２処理は、前記マークの位置として、前記複数のテンプレートマッチングによりそれぞれ得られた複数の前記マークの位置の平均を得ることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
  9. 前記第２処理は、前記複数のテンプレートマッチングによりそれぞれ得られた複数の前記マークの位置のばらつきが許容範囲内に収まらない場合は、前記第２処理に関してエラーを示す情報を出力することを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィ装置。
  10. 請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記パターンを形成された前記基板の加工を行う工程と、
    を有し、
    前記加工を行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021067880A (ja) * 2019-10-25 2021-04-30 キヤノン株式会社 計測装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12044962B2 (en) * 2019-04-19 2024-07-23 Canon Kabushiki Kaisha Forming apparatus, forming method, and article manufacturing method
JP7418080B2 (ja) * 2019-10-04 2024-01-19 キヤノン株式会社 位置検出装置、位置検出方法、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353126A (ja) * 2001-05-29 2002-12-06 Advantest Corp 位置検出装置、位置検出方法、電子部品搬送装置及び電子ビーム露光装置
JP2003338455A (ja) * 2002-03-15 2003-11-28 Canon Inc 位置検出装置及び方法
JP2008209971A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Fuji Xerox Co Ltd 画像処理装置及び画像処理プログラム

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5525421B2 (ja) 2010-11-24 2014-06-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 画像撮像装置および画像撮像方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353126A (ja) * 2001-05-29 2002-12-06 Advantest Corp 位置検出装置、位置検出方法、電子部品搬送装置及び電子ビーム露光装置
JP2003338455A (ja) * 2002-03-15 2003-11-28 Canon Inc 位置検出装置及び方法
JP2008209971A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Fuji Xerox Co Ltd 画像処理装置及び画像処理プログラム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021067880A (ja) * 2019-10-25 2021-04-30 キヤノン株式会社 計測装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP7353916B2 (ja) 2019-10-25 2023-10-02 キヤノン株式会社 計測装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法

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