JP2018193602A - Etchant, feeding liquid, and method for forming copper wiring - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、銅のエッチング液とその補給液、および銅配線の形成方法に関する。 The present invention relates to a copper etching solution, a replenisher thereof, and a method for forming a copper wiring.
プリント配線板の製造において、フォトエッチング法で銅配線パターンを形成する場合、エッチング液として塩化鉄系エッチング液、塩化銅系エッチング液、アルカリ性エッチング液などが用いられている。これらのエッチング液を使用すると、サイドエッチングとよばれるエッチングレジスト下の銅が配線パターンの側面から溶解する場合があった。即ち、エッチングレジストでカバーされることによって、本来エッチングで除去されないことが望まれる部分（すなわち、銅配線部分）が、エッチング液により除去されて、当該銅配線の底部から頂部になるに従い幅が細くなる現象が生じていた。特に銅配線パターンが微細な場合、このようなサイドエッチングはできる限り少なくしなければならない。このサイドエッチングを抑制するために、複素芳香５員環化合物であるアゾール化合物が配合されたエッチング液が提案されている（特許文献１〜４）。 In the production of a printed wiring board, when a copper wiring pattern is formed by a photoetching method, an iron chloride etching solution, a copper chloride etching solution, an alkaline etching solution or the like is used as an etching solution. When these etching solutions are used, copper under an etching resist called side etching sometimes dissolves from the side surface of the wiring pattern. That is, by covering with an etching resist, a portion that is originally not desired to be removed by etching (that is, a copper wiring portion) is removed by an etching solution, and the width becomes narrower from the bottom to the top of the copper wiring. The phenomenon that occurred. Especially when the copper wiring pattern is fine, such side etching must be minimized. In order to suppress this side etching, the etching liquid with which the azole compound which is a heteroaromatic 5-membered ring compound was mix | blended is proposed (patent documents 1-4).
上記のような特許文献で開示されたエッチング液においては、一定のサイドエッチングの抑制効果が期待される。しかし、市場では、ファイン化の要求が強まるにつれ、サイドエッチングの抑制効果を持ちつつ、銅配線のファインパターンの形成に優れたエッチング液が求められている。 In the etching solution disclosed in the above patent document, a certain side etching suppression effect is expected. However, as the demand for finer processing becomes stronger, there is a demand for an etching solution that has an effect of suppressing side etching and is excellent in forming a fine pattern of copper wiring.
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、サイドエッチングの抑制効果が高く、銅配線のファインパターンの形成に優れた、エッチング液とその補給液、および銅配線の形成方法を提供する。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an etching solution, a replenisher thereof, and a method for forming a copper wiring, which has a high side etching suppression effect and is excellent in the formation of a fine pattern of a copper wiring. .
本発明は、銅のエッチング液であって、前記エッチング液は、酸と、酸化性金属イオンと、５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）と、５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）、およびアルカノールアミン（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の化合物を含む水溶液であり、前記５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）は、ヒドロキシアルキル基を有さず、かつ環を構成するヘテロ原子として窒素原子を１つ以上有する複素芳香族化合物であり、前記５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）は、環を構成するヘテロ原子として窒素原子を１つ以上有し、かつ炭素数１以上５以下のヒドロキシアルキル基を有する置換基で置換された複素芳香族化合物であり、前記アルカノールアミン（Ｂ２）は、一般式（１）：Ｒ１−Ｎ（Ｒ２）−Ｒ３
（一般式（１）中、Ｒ１およびＲ２は、独立して、アルキル基、または炭素数１以上８以下のヒドロキシアルキル基を表し、Ｒ３は、水素原子、アルキル基、または炭素数１以上８以下のヒドロキシアルキル基を表し、かつＲ１〜Ｒ３うち少なくとも１つは、前記ヒドロキシアルキル基である。）で表される化合物であるエッチング液に関する。
This invention is copper etching liquid, Comprising: The said etching liquid is a heteroaromatic compound which has an acid, an oxidizing metal ion, the heteroaromatic compound (A) which has a 5-membered ring, and a 5-6 membered ring. It is an aqueous solution containing at least one compound selected from the group consisting of compound (B1) and alkanolamine (B2), and the heteroaromatic compound (A) having the 5-membered ring does not have a hydroxyalkyl group And a heteroaromatic compound having one or more nitrogen atoms as a hetero atom constituting a ring, and the heteroaromatic compound (B1) having a 5- to 6-membered ring has a nitrogen atom as a hetero atom constituting the ring. It is a heteroaromatic compound substituted with a substituent having one or more and having a hydroxyalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and the alkanolamine (B2) has the general formula (1): R 1 —N ( 2) -R 3
(In General Formula (1), R 1 and R 2 independently represent an alkyl group or a hydroxyalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or 1 carbon atom. This relates to an etching solution which is a compound represented by 8 or less hydroxyalkyl group and at least one of R 1 to R 3 is the hydroxyalkyl group.
本発明は、前記エッチング液を連続または繰り返し使用する際に、前記エッチング液に添加する補給液であって、前記補給液は、前記５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）と、前記５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）、および前記アルカノールアミン（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の化合物を含む水溶液である補給液に関する。 The present invention is a replenisher that is added to the etchant when the etchant is used continuously or repeatedly, the replenisher comprising the heteroaromatic compound (A) having the 5-membered ring and the 5 The present invention relates to a replenisher that is an aqueous solution containing at least one compound selected from the group consisting of a heteroaromatic compound (B1) having a 6-membered ring and the alkanolamine (B2).
本発明は、銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分をエッチングする銅配線の形成方法であって、前記エッチング液を用いてエッチングする銅配線の形成方法に関する。 The present invention relates to a copper wiring forming method for etching a portion of a copper layer not covered with an etching resist, and to a copper wiring forming method for etching using the etching solution.
なお、前記本発明における「銅」は、銅からなるものであってもよく、銅合金からなるものであってもよい。また、本明細書において「銅」は、銅または銅合金を示す。 The “copper” in the present invention may be made of copper or a copper alloy. In the present specification, “copper” indicates copper or a copper alloy.
本発明のエッチング液は、酸と、酸化性金属イオンと、５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）と、５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）、およびアルカノールアミン（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の化合物を含む。前記５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）、およびアルカノールアミン（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の化合物は、エッチングの進行と共に発生する第一銅イオンを捕捉でき、垂直方向のエッチングが速やかに進行すると考えられるため、サイドエッチングの抑制効果が高く、銅配線のファインパターンの形成に優れた、エッチング液とその補給液、および銅配線の形成方法を提供することができる。 The etching solution of the present invention comprises an acid, an oxidizing metal ion, a heteroaromatic compound (A) having a 5-membered ring, a heteroaromatic compound (B1) having a 5- to 6-membered ring, and an alkanolamine (B2). And one or more compounds selected from the group consisting of: One or more compounds selected from the group consisting of the heteroaromatic compound (B1) having a 5- to 6-membered ring and the alkanolamine (B2) can capture cuprous ions generated along with the progress of etching. Since the etching in the direction is considered to proceed rapidly, it is possible to provide an etching solution and its replenisher, and a method for forming a copper wiring, which has a high side etching suppression effect and is excellent in forming a fine pattern of a copper wiring. .
＜銅のエッチング液＞
本発明の銅のエッチング液は、酸と、酸化性金属イオンと、５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）と、５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）、およびアルカノールアミン（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の化合物を含む水溶液である。前記５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）は、ヒドロキシアルキル基を有さず、かつ環を構成するヘテロ原子として窒素原子を１つ以上有する複素芳香族化合物である。前記５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）は、環を構成するヘテロ原子として窒素原子を１つ以上有し、かつ炭素数１以上５以下のヒドロキシアルキル基を有する置換基で置換された複素芳香族化合物である。前記アルカノールアミン（Ｂ２）は、一般式（１）：Ｒ１−Ｎ（Ｒ２）−Ｒ３（一般式（１）中、Ｒ１およびＲ２は、独立して、アルキル基、または炭素数１以上８以下のヒドロキシアルキル基を表し、Ｒ３は、水素原子、アルキル基、または炭素数１以上８以下のヒドロキシアルキル基を表し、かつＲ１〜Ｒ３うち少なくとも１つは、前記ヒドロキシアルキル基である。）で表される化合物である。
<Copper etchant>
The copper etching solution of the present invention comprises an acid, an oxidizable metal ion, a heteroaromatic compound (A) having a 5-membered ring, a heteroaromatic compound (B1) having a 5- to 6-membered ring, and an alkanolamine. An aqueous solution containing one or more compounds selected from the group consisting of (B2). The heteroaromatic compound (A) having a 5-membered ring is a heteroaromatic compound having no hydroxyalkyl group and having at least one nitrogen atom as a hetero atom constituting the ring. The heteroaromatic compound (B1) having a 5- to 6-membered ring is substituted with a substituent having one or more nitrogen atoms as a hetero atom constituting the ring and a hydroxyalkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Heteroaromatic compound. The alkanolamine (B2) has the general formula (1): R 1 —N (R 2 ) —R 3 (in the general formula (1), R 1 and R 2 are independently an alkyl group or a carbon number) represents 1 to 8 hydroxyalkyl group, R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or represents a number 1 to 8 hydroxy alkyl group having a carbon and at least one R 1 to R 3, the hydroxyalkyl, It is a compound represented by.
＜酸＞
本発明の酸は、無機酸および有機酸から適宜選択可能である。前記無機酸としては、例えば、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸、臭化水素酸などが挙げられる。前記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、シュウ酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸などが挙げられる。前記酸の中では、エッチング速度の安定性および銅の溶解安定性の観点から、塩酸が好ましい。前記酸は、少なくとも１種を用いればよく、２種以上を組み合わせて用いることができる。
<Acid>
The acid of the present invention can be appropriately selected from inorganic acids and organic acids. Examples of the inorganic acid include sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid, hydrobromic acid and the like. Examples of the organic acid include formic acid, acetic acid, oxalic acid, maleic acid, benzoic acid, glycolic acid and the like. Among the acids, hydrochloric acid is preferable from the viewpoints of etching rate stability and copper dissolution stability. The acid should just use at least 1 type and can be used in combination of 2 or more type.
前記酸の濃度は、７〜１８０ｇ／Ｌであることが好ましく、１８〜１１０ｇ／Ｌであることがより好ましい。酸の濃度が７ｇ／Ｌ以上の場合は、エッチング速度が速くなるため、銅を速やかにエッチングすることができる。また、酸の濃度が１８０ｇ／Ｌ以下の場合は、銅の溶解安定性が維持されるとともに、作業環境の悪化を抑制できる。 The acid concentration is preferably 7 to 180 g / L, and more preferably 18 to 110 g / L. When the acid concentration is 7 g / L or more, the etching rate increases, so that copper can be etched quickly. Moreover, when the density | concentration of an acid is 180 g / L or less, while melt | dissolving stability of copper is maintained, the deterioration of a working environment can be suppressed.
＜酸化性金属イオン＞
本発明の酸化性金属イオンは、金属銅を酸化できる金属イオンであればよく、例えば、第二銅イオン、第二鉄イオンなどが挙げられる。サイドエッチングを抑制する観点、およびエッチング速度の安定性の観点から、酸化性金属イオンとして第二銅イオンを用いることが好ましい。前記酸化性金属イオンは、少なくとも１種を用いればよく、２種以上を組み合わせて用いることができる。
<Oxidizing metal ions>
The oxidizing metal ion of this invention should just be a metal ion which can oxidize metallic copper, for example, a cupric ion, a ferric ion, etc. are mentioned. From the viewpoint of suppressing side etching and the stability of etching rate, cupric ions are preferably used as the oxidizing metal ions. The oxidizing metal ion may be used in at least one kind, and two or more kinds may be used in combination.
前記酸化性金属イオンは、酸化性金属イオン源を配合することによって、エッチング液中に含有させることができる。例えば、酸化性金属イオン源として第二銅イオン源を用いる場合、その具体例としては、塩化銅、硫酸銅、臭化銅、有機酸の銅塩、水酸化銅などが挙げられる。例えば、酸化性金属イオン源として第二鉄イオン源を用いる場合、その具体例としては、塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄、硫酸鉄、硝酸鉄、有機酸の鉄塩などが挙げられる。 The oxidizing metal ion can be contained in the etching solution by blending an oxidizing metal ion source. For example, when using a cupric ion source as the oxidizing metal ion source, specific examples thereof include copper chloride, copper sulfate, copper bromide, copper salts of organic acids, and copper hydroxide. For example, when a ferric ion source is used as the oxidizing metal ion source, specific examples thereof include iron chloride, iron bromide, iron iodide, iron sulfate, iron nitrate, and iron salts of organic acids.
前記酸化性金属イオンの濃度は、１０〜３００ｇ／Ｌであることが好ましく、１０〜２５０ｇ／Ｌであることがより好ましく、１５〜２２０ｇ／Ｌであることがさらに好ましく、３０〜２００ｇ／Ｌであることがよりさらに好ましい。酸化性金属イオンの濃度が１０ｇ／Ｌ以上の場合は、エッチング速度が速くなるため、銅を速やかにエッチングすることができる。また、酸化性金属イオンの濃度が３００ｇ／Ｌ以下の場合は、銅の溶解安定性が維持される。 The concentration of the oxidizing metal ion is preferably 10 to 300 g / L, more preferably 10 to 250 g / L, still more preferably 15 to 220 g / L, and more preferably 30 to 200 g / L. Even more preferably. When the concentration of the oxidizing metal ions is 10 g / L or more, the etching rate is increased, so that copper can be etched quickly. Moreover, when the concentration of the oxidizing metal ion is 300 g / L or less, the dissolution stability of copper is maintained.
＜５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）＞
本発明の５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）は、ヒドロキシアルキル基を有さず、かつ環を構成するヘテロ原子として窒素原子を１つ以上有する複素芳香族化合物である。前記５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）は、少なくとも１種を用いればよく、２種以上を組み合わせて用いることができる。
<Heteroaromatic compound having a 5-membered ring (A)>
The heteroaromatic compound (A) having a 5-membered ring of the present invention is a heteroaromatic compound having no hydroxyalkyl group and having at least one nitrogen atom as a hetero atom constituting the ring. As the heteroaromatic compound (A) having a 5-membered ring, at least one kind may be used, and two or more kinds may be used in combination.
前記５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）は、構造安定性および酸性液に対する溶解性の観点から、環を構成するヘテロ原子として窒素のみを有するものが好ましい。このような５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）としては、例えば、イミダゾール骨格を有するイミダゾール化合物、ピラゾール骨格を有するピラゾール化合物、トリアゾール骨格を有するトリアゾール化合物、テトラゾール骨格を有するテトラゾール化合物などのアゾール化合物が挙げられる。 The heteroaromatic compound (A) having a 5-membered ring preferably has only nitrogen as a hetero atom constituting the ring from the viewpoint of structural stability and solubility in an acidic solution. Examples of the heteroaromatic compound (A) having such a 5-membered ring include azoles such as an imidazole compound having an imidazole skeleton, a pyrazole compound having a pyrazole skeleton, a triazole compound having a triazole skeleton, and a tetrazole compound having a tetrazole skeleton. Compounds.
前記イミダゾール化合物としては、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾールなどのイミダゾール類、ベンゾイミダゾール、２−メチルベンゾイミダゾール、２−ウンデシルベンゾイミダゾール、２−フェニルベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾール類などが挙げられる。これらの中でも、ベンゾイミダゾールが好ましい。 Examples of the imidazole compound include imidazoles such as imidazole, 2-methylimidazole, 2-undecyl-4-methylimidazole, and 2-phenylimidazole, benzimidazole, 2-methylbenzimidazole, 2-undecylbenzimidazole, 2 -Benzimidazoles such as phenylbenzimidazole and 2-mercaptobenzimidazole. Among these, benzimidazole is preferable.
前記ピラゾール化合物としては、例えば、ピラゾール、３−メチルピラゾール、１−エチルピラゾール、３−アミノピラゾール、３，５−ジメチルピラゾール、３−アミノ−１−メチルピラゾール、４−クロロピラゾール１，３，５−トリメチルピラゾールなどが挙げられる。 Examples of the pyrazole compound include pyrazole, 3-methylpyrazole, 1-ethylpyrazole, 3-aminopyrazole, 3,5-dimethylpyrazole, 3-amino-1-methylpyrazole, 4-chloropyrazole 1,3,5. -Trimethylpyrazole and the like can be mentioned.
前記トリアゾール化合物としては、例えば、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、５−フェニル−１，２，４−トリアゾール、５−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１−メチル−ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾールなどが挙げられる。これらの中でも、ベンゾトリアゾールが好ましい。 Examples of the triazole compound include 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, 5-phenyl-1,2,4-triazole, 5-amino-1,2,4-triazole, and benzotriazole. 1-methyl-benzotriazole, tolyltriazole and the like. Among these, benzotriazole is preferable.
前記テトラゾール化合物としては、例えば、１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−フェニル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−シクロヘキシル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、５，５’−ビ−１Ｈ−テトラゾール、およびこれらのアンモニウム塩またはＮａ塩、Ｚｎ塩、Ｃａ塩、Ｋ塩などの金属塩などが挙げられる。 Examples of the tetrazole compounds include 1H-tetrazole, 5-amino-1H-tetrazole, 5-methyl-1H-tetrazole, 5-phenyl-1H-tetrazole, 5-mercapto-1H-tetrazole, 1-phenyl-5 Mercapto-1H-tetrazole, 1-cyclohexyl-5-mercapto-1H-tetrazole, 5,5′-bi-1H-tetrazole, and metal salts such as ammonium salts or Na salts, Zn salts, Ca salts, K salts thereof Etc.
前記アゾール化合物の中でも、アンダーカットの抑制効果が高い観点から、テトラゾール化合物が好ましく、１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５，５’−ビ−１Ｈ−テトラゾール、およびこれらのアンモニウム塩または金属塩などがより好ましく、１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、およびこれらのアンモニウム塩または金属塩がさらに好ましい。これらのテトラゾール化合物は、導体パターンのトップ部から側面に薄く均一に保護皮膜を形成できると推定される。 Among the azole compounds, tetrazole compounds are preferable from the viewpoint of a high undercut suppressing effect, and 1H-tetrazole, 5-phenyl-1H-tetrazole, 5-amino-1H-tetrazole, 5,5′-bi-1H— Tetrazole and ammonium salts or metal salts thereof are more preferable, and 1H-tetrazole, 5-amino-1H-tetrazole, and ammonium salts or metal salts thereof are more preferable. These tetrazole compounds are presumed to be able to form a protective film thinly and uniformly on the side surface from the top portion of the conductor pattern.
前記５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）の濃度は、０．１〜５０ｇ／Ｌであることが好ましく、０．１〜１５ｇ／Ｌであることがより好ましく、０．２〜１０ｇ／Ｌであることがさらに好ましい。前記５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）の濃度が０．１ｇ／Ｌ以上であれば、アンダーカットを確実に抑制できる。一方、前記５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）の濃度が５０ｇ／Ｌ以下の場合は、エッチング速度の低下を防ぐことができ、かつエッチングされるべき部分を確実にエッチングできるため、ショート（絶縁不良）の発生を防ぐことができる。 The concentration of the heteroaromatic compound (A) having a 5-membered ring is preferably 0.1 to 50 g / L, more preferably 0.1 to 15 g / L, and 0.2 to 10 g / L. More preferably, it is L. If the concentration of the heteroaromatic compound (A) having a 5-membered ring is 0.1 g / L or more, undercut can be reliably suppressed. On the other hand, when the concentration of the heteroaromatic compound (A) having a 5-membered ring is 50 g / L or less, it is possible to prevent a decrease in the etching rate and reliably etch the portion to be etched. The occurrence of (insulation failure) can be prevented.
＜５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）＞
本発明の５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）は、環を構成するヘテロ原子として窒素原子を１つ以上有し、かつ炭素数１以上５以下のヒドロキシアルキル基を有する置換基で置換された複素芳香族化合物である。前記５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）は、２種以上を組み合わせて用いることができる。
<Heteroaromatic compound having 5 to 6-membered ring (B1)>
The heteroaromatic compound (B1) having a 5- to 6-membered ring of the present invention has one or more nitrogen atoms as a hetero atom constituting the ring and a substituent having a hydroxyalkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Is a heteroaromatic compound substituted with The heteroaromatic compound (B1) having a 5- to 6-membered ring can be used in combination of two or more.
前記ヒドロキシアルキル基を有する置換基（以下、ヒドロキシアルキル基含有置換基とも称す）とは、ヒドロキシアルキル基からなる置換基、およびヒドロキシアルキル基を有する炭素数１〜１０の炭化水素誘導基のいずれかを示す。前記炭素数１〜１０の炭化水素誘導基とは、炭化水素基にて一部の炭素または水素が他の原子（例えば、硫黄原子、酸素原子、フッ素原子など）または置換基に置き換わっていてもよいものを示す。前記炭化水素誘導基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アミノ基、アミノアルキル基、アセチル基、フェニル基などが例示できる。また、前記ヒドロキシアルキル基を有する炭素数１〜１０の炭化水素誘導基としては、例えば、下記一般式（２）で表されるようなアミノ基の１個または２個の−Ｈがヒドロキシアルキル基に置換されたもの、一般式（２）：−Ｘ−Ｎ（Ｒ１）−Ｒ２（一般式（２）中、Ｘは炭素数１〜１０のアルキレン基を表し、Ｒ１〜Ｒ２は、独立して、水素原子または炭素数１〜５のヒドロキシアルキル基を表し、Ｒ１〜Ｒ２少なくとも１つはヒドロキシアルキル基であり、前記アルキレン基は、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合などを有していてもよい）などが挙げられる。以下の炭化水素誘導基、およびヒドロキシアルキル基含有置換基も同様である。 The substituent having a hydroxyalkyl group (hereinafter also referred to as a hydroxyalkyl group-containing substituent) is any of a substituent composed of a hydroxyalkyl group and a hydrocarbon-derived group having 1 to 10 carbon atoms having a hydroxyalkyl group. Indicates. The C1-C10 hydrocarbon-derived group is a hydrocarbon group in which a part of carbon or hydrogen is replaced with another atom (for example, a sulfur atom, an oxygen atom, a fluorine atom, etc.) or a substituent. Show good things. Examples of the hydrocarbon derivative group include an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, an amino group, an aminoalkyl group, an acetyl group, and a phenyl group. Moreover, as a C1-C10 hydrocarbon derivative group which has the said hydroxyalkyl group, one or two -H of an amino group as represented by following General formula (2) is a hydroxyalkyl group, for example. Substituted by the general formula (2): -XN (R 1 ) -R 2 (in the general formula (2), X represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and R 1 to R 2 are Each independently represents a hydrogen atom or a hydroxyalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and at least one of R 1 to R 2 is a hydroxyalkyl group, and the alkylene group includes an ether bond, an ester bond, an amide bond, and a urethane. And may have a bond). The same applies to the following hydrocarbon derivative groups and hydroxyalkyl group-containing substituents.
また、前記５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）は、構造安定性および酸性液に対する溶解性の観点から、環を構成するヘテロ原子として窒素のみ、またはヘテロ原子として窒素および硫黄のみを有するものが好ましい。 In addition, the heteroaromatic compound (B1) having a 5- to 6-membered ring has only nitrogen as a hetero atom constituting the ring or only nitrogen and sulfur as a hetero atom from the viewpoint of structural stability and solubility in an acidic liquid. Those having the following are preferred.
前記５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）は、ヒドロキシアルキル基含有置換基を有し、かつ複素環として、複素芳香５員環のみを分子内に含む化合物（ｂ１−０）、複素芳香６員環のみを分子内に含む化合物（ｂ１−１）、複素芳香６員環と複素５員環の縮合環を分子内に含む化合物（ｂ１−２）、および複素芳香６員環と複素５員環が単結合または２価の連結基で連結した化合物（ｂ１−３）からなる群より選ばれる１種以上であることが好ましい。 The heteroaromatic compound (B1) having a 5- to 6-membered ring has a hydroxyalkyl group-containing substituent, and as a heterocycle, a compound (b1-0) containing only a 5-membered heteroaromatic ring in the molecule, A compound (b1-1) containing only a heteroaromatic 6-membered ring in the molecule, a compound (b1-2) containing a condensed ring of a heteroaromatic 6-membered ring and a hetero5-membered ring in the molecule, and a heteroaromatic 6-membered ring The hetero 5-membered ring is preferably at least one selected from the group consisting of compounds (b1-3) in which a single bond or a divalent linking group is connected.
前記複素芳香５員環のみを分子内に含む化合物（ｂ１−０）は、ヒドロキシアルキル基を有する置換基で置換された化合物であれば、特に限定されないが、例えば、イミダゾール骨格を有するイミダゾール化合物、ピラゾール骨格を有するピラゾール化合物、トリアゾール骨格を有するトリアゾール化合物、テトラゾール骨格を有するテトラゾール化合物などのアゾール化合物が挙げられる。具体的には、２−（１−ヒドロキシエチル）ベンゾイミダゾール、４−ヒドロキシメチル−５−メチルイミダゾール、３，５−ジメチル−１−ヒドロキシメチルピラゾールなどが挙げられる。 The compound (b1-0) containing only the heteroaromatic 5-membered ring in the molecule is not particularly limited as long as it is a compound substituted with a substituent having a hydroxyalkyl group. For example, an imidazole compound having an imidazole skeleton, Examples thereof include azole compounds such as a pyrazole compound having a pyrazole skeleton, a triazole compound having a triazole skeleton, and a tetrazole compound having a tetrazole skeleton. Specific examples include 2- (1-hydroxyethyl) benzimidazole, 4-hydroxymethyl-5-methylimidazole, and 3,5-dimethyl-1-hydroxymethylpyrazole.
前記複素芳香６員環のみを分子内に含む化合物（ｂ１−１）としては、例えば、ピリジン骨格を有するピリジン化合物、ピリミジン骨格を有するピリミジン化合物、ピラジン骨格を有するピラジン化合物、ピリダジン骨格を有するピリダジン化合物などが挙げられる。 Examples of the compound (b1-1) containing only a 6-membered heteroaromatic ring in the molecule include, for example, a pyridine compound having a pyridine skeleton, a pyrimidine compound having a pyrimidine skeleton, a pyrazine compound having a pyrazine skeleton, and a pyridazine compound having a pyridazine skeleton. Etc.
前記ピリジン化合物は、ヒドロキシアルキル基を有する置換基で置換されたピリジン骨格を有する化合物であれば、特に限定されないが、例えば、下記一般式（３）で示すピリジン化合物が例示できる。
なお、前記ヒドロキシアルキル基含有置換基を除く炭素数１〜１０の炭化水素誘導基における炭素数１〜１０の炭化水素誘導基は、サイドエッチングを効果的に抑制できる観点から、炭素および水素からなる炭化水素誘導基が好ましい。以下のヒドロキシアルキル基含有置換基を除く炭素数１〜１０の炭化水素誘導基も同様である。 In addition, the C1-C10 hydrocarbon derivative group in a C1-C10 hydrocarbon derivative group except the said hydroxyalkyl group containing substituent consists of carbon and hydrogen from a viewpoint which can suppress side etching effectively. Hydrocarbon derived groups are preferred. The same applies to hydrocarbon-derived groups having 1 to 10 carbon atoms excluding the following hydroxyalkyl group-containing substituents.
前記ピリジン化合物としては、例えば、２−ピリジンメタノール、３−ピリジンメタノール、４−ピリジンメタノール、２−ピリジンエタノール、３−ピリジンエタノール、６−メチル−２−ピリジンメタノール、６−メチル−３−ピリジンメタノール、２−アミノ−３−ピリジンメタノール、ピリドキシン塩酸塩などが挙げられる。 Examples of the pyridine compound include 2-pyridinemethanol, 3-pyridinemethanol, 4-pyridinemethanol, 2-pyridineethanol, 3-pyridineethanol, 6-methyl-2-pyridinemethanol, and 6-methyl-3-pyridinemethanol. , 2-amino-3-pyridinemethanol, pyridoxine hydrochloride and the like.
前記ピリミジン化合物は、ヒドロキシアルキル基を有する置換基で置換されたピリミジン骨格を有する化合物であれば、特に限定されないが、例えば、下記一般式（４）で示すピリジン化合物が例示できる。
前記ピリミジン化合物としては、４−アミノ−２−メチル５−ピリミジンメタノール、２−メチル−４−アミノピリミジン−５−メタノール、４−アミノ−２−メチルチオ−５−ピリミジンメタノール、５−フェニルピリミジン−２−エタノール、５−（４−メトキシフェニル）ピリミジン−２−エタノールなどが挙げられる。 Examples of the pyrimidine compound include 4-amino-2-methyl 5-pyrimidine methanol, 2-methyl-4-amino pyrimidine-5-methanol, 4-amino-2-methylthio-5-pyrimidine methanol, and 5-phenylpyrimidine-2. -Ethanol, 5- (4-methoxyphenyl) pyrimidine-2-ethanol and the like.
前記ピラジン化合物は、ヒドロキシアルキル基を有する置換基で置換されたピラジン骨格を有する化合物であれば、特に限定されないが、例えば、下記一般式（５）で示すピラジン化合物が例示できる。
前記ピラジン化合物としては、２−ピラジンメタノール、５−メチル−２−ピラジンメタノール、１−（３−フルオロピラジン−２−イル）エタノール、α−フェニル−２−ピラジンエタノールなどが挙げられる。 Examples of the pyrazine compound include 2-pyrazinemethanol, 5-methyl-2-pyrazinemethanol, 1- (3-fluoropyrazin-2-yl) ethanol, α-phenyl-2-pyrazineethanol, and the like.
前記ピリダジン化合物は、ヒドロキシアルキル基を有する置換基で置換されたピリダジン骨格を有する化合物であれば、特に限定されないが、例えば、下記一般式（６）で示すピリダジン化合物が例示できる。
前記ピリダジン化合物としては、α−フェニルピリダジン−３−メタノール、α−フェニルピリダジン−４−メタノールなどが挙げられる。 Examples of the pyridazine compound include α-phenylpyridazine-3-methanol and α-phenylpyridazine-4-methanol.
前記複素芳香６員環のみを分子内に含む化合物（ｂ１−１）の中でも、サイドエッチングの抑制効果が高く、銅配線のファインパターンの形成に優れるエッチング液が得られる観点から、前記ピリジン化合物が好ましく、２−ピリジンメタノール、３−ピリジンメタノール、４−ピリジンメタノール、２−ピリジンエタノール、３−ピリジンエタノール、ピリドキシン塩酸塩がより好ましい。 Among the compounds (b1-1) containing only the heteroaromatic 6-membered ring in the molecule, from the viewpoint of obtaining an etching solution that has a high side-etching suppressing effect and is excellent in the formation of a fine pattern of copper wiring, 2-pyridinemethanol, 3-pyridinemethanol, 4-pyridinemethanol, 2-pyridineethanol, 3-pyridineethanol, and pyridoxine hydrochloride are more preferable.
前記複素芳香６員環と複素５員環の縮合環を分子内に含む化合物（ｂ１−２）は、ヒドロキシアルキル基を有する置換基で置換された複素芳香６員環および／またはヒドロキシアルキル基を有する置換基で置換された複素５員環を有する縮合環を分子内に含む化合物であれば、特に限定されないが、例えば、１−（ヒドロキシメチル）−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１−（２−ヒドロキシエチル）−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、２，２’−（メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルメチルイミノ）ビスエタノール、９−（２−ヒドロキシエチル）アデニンなどが挙げられる。これらの中でも、１−（ヒドロキシメチル）−１Ｈ−ベンゾトリアゾールが好ましい。 The compound (b1-2) containing a condensed ring of a heteroaromatic 6-membered ring and a hetero5-membered ring in the molecule has a heteroaromatic 6-membered ring and / or a hydroxyalkyl group substituted with a substituent having a hydroxyalkyl group. Although it will not specifically limit if it is a compound which contains the condensed ring which has the heterocyclic 5-membered ring substituted by the substituent which has in a molecule | numerator, For example, 1- (hydroxymethyl) -1H-benzotriazole, 1- (2-hydroxy And ethyl) -1H-benzotriazole, 2,2 ′-(methyl-1H-benzotriazol-1-ylmethylimino) bisethanol, 9- (2-hydroxyethyl) adenine, and the like. Among these, 1- (hydroxymethyl) -1H-benzotriazole is preferable.
＜アルカノールアミン（Ｂ２）＞
本発明のアルカノールアミン（Ｂ２）は、一般式（１）：Ｒ１−Ｎ（Ｒ２）−Ｒ３
（一般式（１）中、Ｒ１およびＲ２は、独立して、アルキル基、または炭素数１以上８以下のヒドロキシアルキル基を表し、Ｒ３は、水素原子、アルキル基、または炭素数１以上８以下のヒドロキシアルキル基を表し、かつＲ１〜Ｒ３うち少なくとも１つは、前記ヒドロキシアルキル基である。）で表される化合物である。前記アルカノールアミン（Ｂ２）は、２種以上を組み合わせて用いることができる。
<Alkanolamine (B2)>
The alkanolamine (B2) of the present invention has the general formula (1): R 1 —N (R 2 ) —R 3
(In General Formula (1), R 1 and R 2 independently represent an alkyl group or a hydroxyalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or 1 carbon atom. Represents a hydroxyalkyl group of 8 or less and at least one of R 1 to R 3 is the hydroxyalkyl group. The alkanolamine (B2) can be used in combination of two or more.
前記アルカノールアミン（Ｂ２）としては、例えば、ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、メチルアミノエタノール、エチルアミノエタノール、ジメチルアミノプロパノール、メチルアミノプロパノール、ジエチルアミノプロパノール、ブチルアミノブタノールなどの１価のヒドロキシアルコール化合物、ジエタノールアミン、エチルジエタノールアミン、ブチルジエタノールアミンなどの２価のヒドロキシアルコール化合物、トリエタノールアミンなどの３価のヒドロキシアルコール化合物などが挙げられる。これらの中でも、ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノールが好ましい。 Examples of the alkanolamine (B2) include monovalent hydroxy alcohol compounds such as dimethylaminoethanol, diethylaminoethanol, methylaminoethanol, ethylaminoethanol, dimethylaminopropanol, methylaminopropanol, diethylaminopropanol, and butylaminobutanol, and diethanolamine. And divalent hydroxyalcohol compounds such as ethyldiethanolamine and butyldiethanolamine, and trivalent hydroxyalcohol compounds such as triethanolamine. Among these, dimethylaminoethanol and diethylaminoethanol are preferable.
前記５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）、およびアルカノールアミン（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の化合物の濃度は、銅配線のファインパターンを形成できる観点から、０．１５ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、０．２ｇ／Ｌ以上であることがより好ましく、０．３ｇ／Ｌ以上であることがさらに好ましく、そして、３０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、２０ｇ／Ｌ以下であることがより好ましく、１０ｇ／Ｌ以下であることがさらに好ましい。 The concentration of one or more compounds selected from the group consisting of the heteroaromatic compound (B1) having a 5- to 6-membered ring and the alkanolamine (B2) is from the viewpoint of forming a fine pattern of copper wiring. It is preferably 15 g / L or more, more preferably 0.2 g / L or more, further preferably 0.3 g / L or more, and preferably 30 g / L or less, 20 g / L It is more preferably L or less, and further preferably 10 g / L or less.
また、前記５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）と、前記５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）、およびアルカノールアミン（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の化合物の重量比［（Ａ）／（（Ｂ１）＋（Ｂ２））］は、銅配線のファインパターンを形成できる観点から、０．００１以上であることが好ましく、０．０１以上であることがより好ましく、０．１以上であることがさらに好ましく、そして、３０以下であることが好ましく、２０以下であることがより好ましく、１５以下であることがさらに好ましい。 One or more compounds selected from the group consisting of the heteroaromatic compound (A) having the 5-membered ring, the heteroaromatic compound (B1) having the 5- to 6-membered ring, and the alkanolamine (B2) The weight ratio [(A) / ((B1) + (B2))] is preferably 0.001 or more and more preferably 0.01 or more from the viewpoint of forming a fine pattern of copper wiring. Preferably, it is 0.1 or more, more preferably 30 or less, more preferably 20 or less, and further preferably 15 or less.
本発明のエッチング液には、上述した成分以外にも、本発明の効果を妨げない程度に他の成分を添加してもよい。前記他の成分としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチルペンタミン、ペンタエチレンヘキサミンなどの脂肪族非環式化合物；ピロリジン骨格を有するピロリジン化合物、ピペリジン骨格を有するピペリジン化合物、ピペラジン骨格を有するピペラジン化合物、ホモピペラジン骨格を有するホモピペラジン化合物、ヘキサヒドロ−１，３，５−トリアジン骨格を有するヘキサヒドロ−１，３，５−トリアジン化合物などの脂肪族複素環式化合物；ジシアンジアミド・ジエチレントリアミン重縮合体、ジシアンジアミド・ホルムアルデヒド重縮合体、ジシアンジアミド・トリエチレンテトラミン重縮合体などの第三級または第四級窒素を含む重縮合体；カチオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、両性界面活性剤、グリコールなどの成分安定剤を添加してもよい。なお、前記他の成分を添加する場合、その濃度は通常、０．００１〜５ｇ／Ｌ程度である。 In addition to the components described above, other components may be added to the etching solution of the present invention to the extent that the effects of the present invention are not hindered. Examples of the other components include aliphatic acyclic compounds such as diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylpentamine, and pentaethylenehexamine; pyrrolidine compounds having a pyrrolidine skeleton, piperidine compounds having a piperidine skeleton, and piperazines having a piperazine skeleton. Compound, Aliphatic heterocyclic compound such as homopiperazine compound having homopiperazine skeleton, hexahydro-1,3,5-triazine compound having hexahydro-1,3,5-triazine skeleton; dicyandiamide / diethylenetriamine polycondensate, dicyandiamide・ Polycondensates containing tertiary or quaternary nitrogen such as formaldehyde polycondensate, dicyandiamide, triethylenetetramine polycondensate; cationic surfactants, anionic surfactants, amphoteric boundaries Active agents, may be added to component stabilizers such as glycols. In addition, when adding the said other component, the density | concentration is about 0.001-5 g / L normally.
前記エッチング液は、前記の各成分を水に溶解させることにより、容易に調製することができる。前記水としては、イオン性物質および不純物を除去した水が好ましく、例えばイオン交換水、純水、超純水などが好ましい。 The etching solution can be easily prepared by dissolving the components described above in water. The water is preferably water from which ionic substances and impurities have been removed. For example, ion-exchanged water, pure water, ultrapure water, and the like are preferable.
前記エッチング液は、各成分を使用時に所定の濃度になるように配合してもよく、濃縮液を調製しておき使用直前に希釈して使用してもよい。前記エッチング液の使用方法は、特に限定されないが、サイドエッチングを効果的に抑制するには、後述するようにスプレーを用いてエッチングすることが好ましい。また、使用時のエッチング液の温度は、特に制限はないが、生産性を高く維持した上で、サイドエッチングを効果的に抑制するには２０〜５５℃で使用することが好ましい。 The etching solution may be blended so that each component has a predetermined concentration when used, or a concentrated solution may be prepared and diluted immediately before use. Although the usage method of the said etching liquid is not specifically limited, In order to suppress side etching effectively, it is preferable to etch using a spray so that it may mention later. The temperature of the etching solution during use is not particularly limited, but it is preferably used at 20 to 55 ° C. in order to effectively suppress side etching while maintaining high productivity.
本発明の補給液は、本発明のエッチング液を連続または繰り返し使用する際に、前記エッチング液に添加する補給液であって、前記５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）と、前記５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）、および前記アルカノールアミン（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の化合物を含む水溶液である。前記補給液中の各成分は、上述した本発明のエッチング液に配合できる成分と同様である。前記補給液を添加することにより、前記エッチング液の各成分比が適正に保たれるため、上述した本発明のエッチング液の効果を安定して維持できる。 The replenisher of the present invention is a replenisher that is added to the etchant when the etchant of the present invention is used continuously or repeatedly, and the heteroaromatic compound (A) having the 5-membered ring and the 5 An aqueous solution containing at least one compound selected from the group consisting of a heteroaromatic compound (B1) having a ˜6-membered ring and the alkanolamine (B2). Each component in the replenisher is the same as the component that can be blended in the above-described etching solution of the present invention. By adding the replenisher, each component ratio of the etching solution is maintained appropriately, so that the effect of the etching solution of the present invention described above can be stably maintained.
また、本発明の補給液には、塩酸などの酸が３６０ｇ／Ｌの濃度を超えない範囲で含まれていてもよい。また、前記補給液には、塩化第二銅などの酸化性金属イオンが第二銅イオン濃度で１４ｇ／Ｌの濃度を超えない範囲で含まれていてもよい。また、前記補給液には、前記成分以外に、エッチング液に添加する他の成分が配合されていてもよい。尚、これらの前記補給液に含まれていてもよい成分は、前記補給液に含ませずに、本発明のエッチング液を連続または繰り返し使用する際に、本発明のエッチング液に直接添加することもできる。 Moreover, the replenisher of the present invention may contain an acid such as hydrochloric acid in a range not exceeding the concentration of 360 g / L. The replenisher may contain oxidizing metal ions such as cupric chloride in a range not exceeding a cupric ion concentration of 14 g / L. In addition to the above components, the replenisher may contain other components added to the etching solution. The components that may be contained in the replenisher are not added to the replenisher, but are added directly to the etchant of the present invention when the etchant of the present invention is used continuously or repeatedly. You can also.
前記補給液中の各成分の濃度は、エッチング液中の各成分の濃度に応じて適宜設定されるが、上述した本発明のエッチング液の効果を安定して維持するという観点から、前記５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）と、前記５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）、および前記アルカノールアミン（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の化合物の合計の濃度が０．０１〜３０ｇ／Ｌであることが好ましい。 The concentration of each component in the replenishing solution is appropriately set according to the concentration of each component in the etching solution. From the viewpoint of stably maintaining the effect of the etching solution of the present invention described above, The total concentration of at least one compound selected from the group consisting of a heteroaromatic compound having a ring (A), the heteroaromatic compound having a 5- to 6-membered ring (B1), and the alkanolamine (B2) Is preferably 0.01 to 30 g / L.
本発明の銅配線の形成方法は、銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分をエッチングする銅配線の形成方法において、上述した本発明のエッチング液を用いてエッチングすることを特徴とする。これにより、上述したように、サイドエッチングの抑制効果が高く、優れた銅配線のファインパターンが形成できる。また、本発明の銅配線の形成方法を採用した銅配線形成工程において、本発明のエッチング液を連続または繰り返し使用する場合は、上述した本発明の補給液を添加しながらエッチングすることが好ましい。前記エッチング液の各成分比が適正に保たれるため、上述した本発明のエッチング液の効果を安定して維持できるからである。 The copper wiring forming method of the present invention is characterized in that in the copper wiring forming method of etching a portion of the copper layer not covered with the etching resist, etching is performed using the above-described etching solution of the present invention. Thereby, as described above, the effect of suppressing side etching is high, and an excellent fine pattern of copper wiring can be formed. Moreover, in the copper wiring formation process which employ | adopted the formation method of the copper wiring of this invention, when using the etching liquid of this invention continuously or repeatedly, it is preferable to etch, adding the replenishing liquid of this invention mentioned above. This is because each component ratio of the etching solution is appropriately maintained, so that the effect of the etching solution of the present invention described above can be stably maintained.
本発明の銅配線の形成方法では、前記銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分に、前記エッチング液をスプレーにより噴霧することが好ましい。サイドエッチングを効果的に抑制できるからである。スプレーする際、ノズルは特に限定されず、扇形ノズル、充円錐ノズル、２流体ノズルなどが使用できる。 In the method for forming a copper wiring according to the present invention, it is preferable that the etching solution is sprayed on a portion of the copper layer not covered with the etching resist. This is because side etching can be effectively suppressed. When spraying, the nozzle is not particularly limited, and a sector nozzle, a full cone nozzle, a two-fluid nozzle, or the like can be used.
スプレーでエッチングする場合、スプレー圧は、０．０４ＭＰａ以上が好ましく、０．０８ＭＰａ以上がより好ましい。スプレー圧が０．０４ＭＰａ以上であれば、保護皮膜を適切な厚みで銅配線の側面に形成できる。これにより、サイドエッチングを効果的に防止できる。なお、前記スプレー圧は、エッチングレジストの破損防止の観点から０．３０ＭＰａ以下が好ましい。 When etching by spraying, the spray pressure is preferably 0.04 MPa or more, and more preferably 0.08 MPa or more. When the spray pressure is 0.04 MPa or more, the protective film can be formed on the side surface of the copper wiring with an appropriate thickness. Thereby, side etching can be effectively prevented. The spray pressure is preferably 0.30 MPa or less from the viewpoint of preventing damage to the etching resist.
次に、本発明の実施例について比較例と併せて説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定して解釈されるものではない。 Next, examples of the present invention will be described together with comparative examples. In addition, this invention is limited to a following example and is not interpreted.
表１〜２に示す組成の各エッチング液を調製し、後述する条件でエッチングを行い、後述する評価方法により各項目について評価した。なお、表１〜２に示す組成の各エッチング液において、残部はイオン交換水である。また、表１〜２に示す塩酸の濃度は、塩化水素としての濃度である。 Each etching solution having the composition shown in Tables 1 and 2 was prepared, etched under conditions described later, and each item was evaluated by an evaluation method described later. In addition, in each etching liquid of the composition shown to Tables 1-2, the remainder is ion-exchange water. Moreover, the density | concentration of hydrochloric acid shown to Tables 1-2 is a density | concentration as hydrogen chloride.
（使用した試験基板）
銅層の厚みが８μｍの銅／ポリイミド積層板（東レフィルム加工製、商品名「ＰＩ−３８Ｎ−ＣＣＳ−０８ＥＯ」）を用意し、この銅層上にフォトリソグラフィー法（レジスト剤（東京応化製「ＰＭＥＲ−Ｐ−ＲＺ３０」））によってエッチングレジストパターンを形成した。エッチングレジストパターンは、厚み約４μｍ、ライン／スペース＝１３μｍ／７μｍの２０μｍピッチパターン領域と、ライン／スペース＝２２μｍ／１８μｍの４０μｍピッチパターン領域とが、混在したレジストパターンを作製した。
(Test board used)
A copper / polyimide laminate (trade name “PI-38N-CCS-08EO” manufactured by Toray Film Processing Co., Ltd.) having a copper layer thickness of 8 μm is prepared, and a photolithography method (resist agent (Tokyo Ohka “ An etching resist pattern was formed by PMER-P-RZ30 ")). As the etching resist pattern, a resist pattern in which a 20 μm pitch pattern region having a thickness of about 4 μm and a line / space = 13 μm / 7 μm and a 40 μm pitch pattern region having a line / space = 22 μm / 18 μm was mixed was prepared.
（エッチング条件）
エッチングは、扇形ノズル（いけうち社製、商品名「ＩＳＶＶ９０２０」）を使用して、スプレー圧０．１８ＭＰａ、処理温度３５℃の条件で行った。処理時間については、２０μｍピッチにおいて、銅配線のボトム幅が８〜１５μｍになる時間とした。この際の処理時間は、表１〜２の示すとおりである。ただし、比較例８のみは、スプレー圧０．１２ＭＰａにて処理を行った。エッチング後、水洗、乾燥を行って、以下に示す評価を行った。
(Etching conditions)
Etching was carried out using a fan-shaped nozzle (manufactured by Ikeuchi Co., Ltd., trade name “ISVV9020”) under conditions of a spray pressure of 0.18 MPa and a processing temperature of 35 ° C. About processing time, it was set as the time when the bottom width of copper wiring becomes 8-15 micrometers in 20 micrometers pitch. The processing time at this time is as shown in Tables 1-2. However, only Comparative Example 8 was processed at a spray pressure of 0.12 MPa. After etching, washing and drying were performed, and the following evaluation was performed.
（ファインパターンの評価）
エッチング処理した各試験基板を、塩酸（塩化水素濃度：７重量％）を用いて、扇形ノズル（いけうち社製、商品名：ＩＳＶＶ９０２０）でスプレー圧０．１５ＭＰａ、処理時間４０秒で保護皮膜を除去し、アセトンに２０秒間（もしくは、３重量％水酸化ナトリウム水溶液６０秒間）浸漬し、エッチングレジストを除去した。そして、各試験基板の一部を切断し、これを冷間埋め込み樹脂に埋め込み、配線の断面を観察できるように研磨加工をおこない、断面観察用のサンプルを作製した。配線の断面観察は、光学顕微鏡を用いて、画像撮影をし、配線のトップ幅およびボトム幅の計測をおこなった。この時、計測は、ｎ＝２以上おこないトップ幅およびボトム幅は、この平均値とした。尚、表中のＢ−Ｔは、銅配線のボトム幅−トップ幅の値である。また、比較例において、ボトムまでエッチングができずにボトム幅として測長できなかった場合は「−」と表した。表中のファインパターン（ファインＰｔ）の欄は、ライン／スペース＝１３μｍ／７μｍの２０μｍピッチパターン領域のＢ−Ｔの値が２μｍ未満の場合を○、当該Ｂ−Ｔの値が２μｍ以上の場合、あるいは、ボトム幅が測定できない場合を×とした。
(Fine pattern evaluation)
Each test substrate subjected to etching treatment was removed with hydrochloric acid (hydrogen chloride concentration: 7% by weight) using a fan-shaped nozzle (manufactured by Ikeuchi Co., Ltd., product name: ISVV9020) with a spray pressure of 0.15 MPa and a treatment time of 40 seconds. Then, the etching resist was removed by immersing in acetone for 20 seconds (or 3% by weight aqueous sodium hydroxide solution for 60 seconds). Then, a part of each test substrate was cut, embedded in a cold embedding resin, and polished so that the cross section of the wiring could be observed, and a sample for cross section observation was produced. For cross-sectional observation of the wiring, an image was taken using an optical microscope, and the top width and bottom width of the wiring were measured. At this time, the measurement was performed with n = 2 or more, and the top width and the bottom width were averaged. Note that BT in the table is a value of bottom width-top width of the copper wiring. Moreover, in the comparative example, when etching was not possible to the bottom and the length could not be measured as the bottom width, “−” was indicated. The column of fine pattern (fine Pt) in the table indicates that the BT value of the 20 μm pitch pattern area of line / space = 13 μm / 7 μm is less than 2 μm, and the BT value is 2 μm or more. Alternatively, the case where the bottom width could not be measured was evaluated as x.
表１および２中、ジシアンジアミド・ホルマリン重縮合体は、センカ社製、商品名「ユニセンスＫＨＦ１０Ｐ」を示す。 In Tables 1 and 2, the dicyandiamide / formalin polycondensate is a product name “Unisense KHF10P” manufactured by SENKA.
表１に示すように、本発明の実施例によれば、上記のＢ−Ｔの値が２μｍ未満であり、優れたファインパターンを形成できることが分かった。一方、表２に示すように、比較例については、実施例に比べ劣る結果が得られた。この結果から、本発明によれば、サイドエッチングの抑制効果が高く、銅配線のファインパターンの形成に優れた、エッチング液が得られることが分かった。 As shown in Table 1, according to the example of the present invention, it was found that the value of the BT was less than 2 μm and an excellent fine pattern could be formed. On the other hand, as shown in Table 2, the results of the comparative examples were inferior to those of the examples. From this result, it was found that according to the present invention, an etching solution having a high side etching suppressing effect and excellent in the formation of a fine pattern of copper wiring can be obtained.
１ 基板
２ 銅配線
３ レジスト樹脂
Ｔ 銅配線のトップ部の幅
Ｂ 銅配線のボトム部の幅
1 Substrate 2 Copper wiring 3 Resist resin T Top width of copper wiring B Bottom width of copper wiring
Claims (10)
前記エッチング液は、酸と、酸化性金属イオンと、５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）と、
５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）、およびアルカノールアミン（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の化合物を含む水溶液であり、
前記５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）は、ヒドロキシアルキル基を有さず、かつ環を構成するヘテロ原子として窒素原子を１つ以上有する複素芳香族化合物であり、
前記５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）は、環を構成するヘテロ原子として窒素原子を１つ以上有し、かつ炭素数１以上５以下のヒドロキシアルキル基を有する置換基で置換された複素芳香族化合物であり、
前記アルカノールアミン（Ｂ２）は、一般式（１）：Ｒ１−Ｎ（Ｒ２）−Ｒ３
（一般式（１）中、Ｒ１およびＲ２は、独立して、アルキル基、または炭素数１以上８以下のヒドロキシアルキル基を表し、Ｒ３は、水素原子、アルキル基、または炭素数１以上８以下のヒドロキシアルキル基を表し、かつＲ１〜Ｒ３うち少なくとも１つは、前記ヒドロキシアルキル基である。）で表される化合物であることを特徴とするエッチング液。 A copper etchant,
The etching solution includes an acid, an oxidizable metal ion, a heteroaromatic compound (A) having a five-membered ring,
An aqueous solution containing one or more compounds selected from the group consisting of a heteroaromatic compound (B1) having a 5- to 6-membered ring and an alkanolamine (B2);
The heteroaromatic compound having a 5-membered ring (A) is a heteroaromatic compound having no hydroxyalkyl group and having at least one nitrogen atom as a hetero atom constituting the ring,
The heteroaromatic compound (B1) having a 5- to 6-membered ring is substituted with a substituent having one or more nitrogen atoms as a hetero atom constituting the ring and a hydroxyalkyl group having 1 to 5 carbon atoms. A heteroaromatic compound,
The alkanolamine (B2) has the general formula (1): R 1 —N (R 2 ) —R 3
(In General Formula (1), R 1 and R 2 independently represent an alkyl group or a hydroxyalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or 1 carbon atom. An etching solution, wherein the etching liquid is a compound represented by 8 or less hydroxyalkyl group, and at least one of R 1 to R 3 is the hydroxyalkyl group.
前記補給液は、前記５員環を有する複素芳香族化合物（Ａ）と、
前記５〜６員環を有する複素芳香族化合物（Ｂ１）、および前記アルカノールアミン（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の化合物を含む水溶液であることを特徴とする補給液。 A replenisher that is added to the etchant when continuously or repeatedly using the etchant according to claim 1,
The replenisher includes the heteroaromatic compound (A) having the 5-membered ring,
A replenishing solution comprising an aqueous solution containing at least one compound selected from the group consisting of the heteroaromatic compound (B1) having the 5- to 6-membered ring and the alkanolamine (B2).
請求項１〜８のいずれかに記載のエッチング液を用いてエッチングすることを特徴とする銅配線の形成方法。
A method for forming a copper wiring for etching a portion of a copper layer not covered with an etching resist,
Etching with the etching solution according to any one of claims 1 to 8, a method for forming a copper wiring.
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