JP5379389B2 - Titanium removal liquid and method for removing titanium coating - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、チタン被膜を除去可能なチタン除去液、及びそのチタン除去液を用いたチタン被膜の除去方法に関する。 The present invention relates to a titanium removing liquid capable of removing a titanium film, and a titanium film removing method using the titanium removing liquid.
半導体デバイス製造等におけるエッチング加工では、一般にフォトレジストや電子線レジスト等のレジスト材料を被エッチング基材表面に塗布し、リソグラフィー技術によってパターン形成したレジスト膜をエッチングマスクとしてエッチングを行うことにより、被エッチング基材に所定のパターンを形成している。 In etching processing in semiconductor device manufacturing, etc., a resist material such as a photoresist or an electron beam resist is generally applied to the surface of a substrate to be etched, and etching is performed using a resist film patterned by a lithography technique as an etching mask. A predetermined pattern is formed on the substrate.
ここで、被エッチング基材のエッチングレートによっては、被エッチング基材に対するレジスト膜のエッチング選択性の問題から、レジスト膜がエッチングマスクとして十分に機能しない場合がある。このため、そのような被エッチング基材をエッチングする場合には、チタン被膜からなるハードマスクと称されるエッチングマスクを設け、被エッチング基材に対するエッチングマスクのエッチング選択性を高く維持することが行われている。 Here, depending on the etching rate of the substrate to be etched, the resist film may not sufficiently function as an etching mask due to the problem of etching selectivity of the resist film with respect to the substrate to be etched. For this reason, when etching such a substrate to be etched, an etching mask called a hard mask made of a titanium film is provided to maintain high etching selectivity of the etching mask with respect to the substrate to be etched. It has been broken.
このようなチタン被膜からなるハードマスクは、通常のレジスト膜と同様、被エッチング基材のエッチング後に除去される。従来、チタン被膜を除去可能な溶液としては、フッ酸及び過酸化水素を含む水溶液からなるものが知られている（特許文献１を参照）。
ところで、チタン被膜からなるハードマスクは、導体層や絶縁層を有する半導体多層積層体においても形成されることがある。しかしながら、特許文献１記載の溶液を用いてチタン被膜を除去した場合、導体層に用いられる金属材料によっては、導体層が浸食され、電気的特性等に変化を生じる虞があった。この侵食は、導体層としてタングステン又はタングステン合金を含む層を用いた場合に顕著である。したがって、チタン被膜を除去するチタン除去液としては、タングステン又はタングステン合金を含む層を浸食しないものが求められている。 By the way, a hard mask made of a titanium film may be formed even in a semiconductor multilayer stack having a conductor layer or an insulating layer. However, when the titanium film is removed using the solution described in Patent Document 1, depending on the metal material used for the conductor layer, the conductor layer may be eroded, resulting in a change in electrical characteristics and the like. This erosion is remarkable when a layer containing tungsten or a tungsten alloy is used as the conductor layer. Accordingly, there is a demand for a titanium removal solution for removing the titanium coating that does not erode a layer containing tungsten or a tungsten alloy.
また、半導体多層積層体は、導体層に対するバリア層として窒化チタン層を有する場合がある。このような場合、チタン除去液としては、窒化チタン層を浸食しないものが必要となる。 In addition, the semiconductor multilayer stack may have a titanium nitride layer as a barrier layer for the conductor layer. In such a case, a titanium removing solution that does not erode the titanium nitride layer is required.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、タングステン又はタングステン合金を含む層や窒化チタン層を有する半導体多層積層体においても、これらの層を浸食することなく、形成されているチタン被膜を除去することが可能なチタン除去液、及びそのチタン除去液を用いたチタン被膜の除去方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and a titanium coating formed without eroding these layers even in a semiconductor multilayer stack having a layer containing tungsten or a tungsten alloy or a titanium nitride layer. It is an object of the present invention to provide a titanium removal liquid capable of removing water and a method for removing a titanium film using the titanium removal liquid.
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結果、特定組成のチタン除去液を用いることにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。 As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that the above problems can be solved by using a titanium removing liquid having a specific composition, and have completed the present invention. Specifically, the present invention provides the following.
本発明の第一の態様は、フッ酸、防食剤、及び水溶性有機溶剤を含有し、前記防食剤が環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物であることを特徴とするチタン除去液である。 A first aspect of the present invention is characterized by containing a hydrofluoric acid, an anticorrosive, and a water-soluble organic solvent, wherein the anticorrosive is a nitrogen-containing 5-membered ring compound having two nitrogen atoms in the ring. This is a titanium removal solution.
本発明の第二の態様は、タングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体に形成されているチタン被膜に、本発明のチタン除去液を接触させることにより、前記チタン被膜を除去することを特徴とするチタン被膜の除去方法である。 In a second aspect of the present invention, the titanium coating is removed by bringing the titanium coating of the present invention into contact with a titanium coating formed on a semiconductor multilayer stack having a layer containing tungsten or a tungsten alloy. This is a method for removing a titanium film.
本発明によれば、タングステン又はタングステン合金を含む層や窒化チタン層を有する半導体多層積層体においても、これらの層を浸食することなく、形成されているチタン被膜を除去することが可能である。 According to the present invention, even in a semiconductor multilayer stack having a layer containing tungsten or a tungsten alloy or a titanium nitride layer, it is possible to remove the formed titanium film without eroding these layers.
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
＜チタン除去液＞
本発明のチタン除去液は、フッ酸、防食剤、及び水溶性有機溶剤を含有する水溶液である。このチタン除去液は、タングステン又はタングステン合金を含む層（導体層）、絶縁層、及び窒化チタン層（バリア層）を有する半導体多層積層体にエッチングマスクとして形成されたチタン被膜を除去する際に、好適に用いることができる。以下、本発明のチタン除去液に含有される各成分について、詳細に説明する。
<Titanium removal solution>
The titanium removing liquid of the present invention is an aqueous solution containing hydrofluoric acid, an anticorrosive, and a water-soluble organic solvent. This titanium removing liquid is used to remove a titanium coating formed as an etching mask on a semiconductor multilayer stack having a layer containing tungsten or a tungsten alloy (conductor layer), an insulating layer, and a titanium nitride layer (barrier layer). It can be used suitably. Hereinafter, each component contained in the titanium removing liquid of the present invention will be described in detail.
［フッ酸］
本発明のチタン除去液は、フッ酸を含有する。フッ酸を含有することにより、チタン被膜を効果的に除去することができる。
[Hydrofluoric acid]
The titanium removal liquid of the present invention contains hydrofluoric acid. By containing hydrofluoric acid, the titanium coating can be effectively removed.
フッ酸の含有量は、チタン除去液中、０．０１０〜５．０質量％であることが好ましく、０．１０〜２．０質量％であることがより好ましい。フッ酸の含有量を０．０１０質量％以上とすることにより、チタン被膜の除去性能を高く維持することができる。また、フッ酸の含有量を５．０質量％以下とすることにより、半導体多層積層体の導体層や絶縁層に対する浸食を抑制することができる。 The content of hydrofluoric acid is preferably 0.010 to 5.0% by mass, more preferably 0.10 to 2.0% by mass in the titanium removing liquid. By setting the content of hydrofluoric acid to 0.010% by mass or more, the removal performance of the titanium film can be kept high. Moreover, the erosion with respect to the conductor layer of a semiconductor multilayer laminated body or an insulating layer can be suppressed by content of hydrofluoric acid being 5.0 mass% or less.
［防食剤］
本発明のチタン除去液は、防食剤として、環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物を含有する。この含窒素５員環化合物を含有することにより、タングステン又はタングステン合金を含む層に対する浸食を有効に抑制することができる。
[Anticorrosive]
The titanium removing liquid of the present invention contains a nitrogen-containing 5-membered ring compound having two nitrogen atoms in the ring as an anticorrosive agent. By containing this nitrogen-containing 5-membered ring compound, erosion of the layer containing tungsten or a tungsten alloy can be effectively suppressed.
環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物としては、特に限定されるものではなく、従来公知のイミダゾール及びピラゾール、並びにこれらの誘導体が挙げられる。具体的には、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、１，２−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、ビニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、ピラゾール、アミノピラゾール等が挙げられる。中でも、２−エチル−４−メチルイミダゾール、ビニルイミダゾール、及びアミノピラゾールが好ましい。これらの含窒素５員環化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。 The nitrogen-containing 5-membered ring compound having two nitrogen atoms in the ring is not particularly limited, and conventionally known imidazoles and pyrazoles, and derivatives thereof are exemplified. Specifically, imidazole, 2-methylimidazole, 1,2-methylimidazole, N-methylimidazole, 4-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, vinylimidazole, 2-undecyl Examples include imidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, pyrazole, aminopyrazole and the like. Of these, 2-ethyl-4-methylimidazole, vinylimidazole, and aminopyrazole are preferable. These nitrogen-containing 5-membered ring compounds may be used alone or in combination of two or more.
含窒素５員環化合物の含有量は、チタン除去液中、０．１０〜１０質量％であることが好ましく、０．３０〜５．０質量％であることがより好ましく、０．５０〜２．０質量％であることがさらに好ましい。含窒素５員環化合物の含有量を０．１０質量％以上とすることにより、タングステン又はタングステン合金を含む層に対する浸食を有効に抑制することができる。また、含窒素５員環化合物の含有量を１０質量％以下とすることにより、チタン被膜の除去性能を高く維持することができる。 The content of the nitrogen-containing 5-membered ring compound is preferably 0.10 to 10% by mass, more preferably 0.30 to 5.0% by mass, and 0.50 to 2% in the titanium removing liquid. More preferably, it is 0.0 mass%. By setting the content of the nitrogen-containing 5-membered ring compound to 0.10% by mass or more, erosion of the layer containing tungsten or a tungsten alloy can be effectively suppressed. Moreover, the removal performance of a titanium film can be maintained high by making content of a nitrogen-containing 5-membered ring compound into 10 mass% or less.
［水溶性有機溶剤］
本発明のチタン除去液は、水溶性有機溶剤を含有する。この水溶性有機溶剤を含有することにより、上記含窒素５員環化合物をチタン除去液中に十分に溶解させることができる。
[Water-soluble organic solvent]
The titanium removing liquid of the present invention contains a water-soluble organic solvent. By containing this water-soluble organic solvent, the nitrogen-containing 5-membered ring compound can be sufficiently dissolved in the titanium removing liquid.
この水溶性有機溶剤としては、特に限定されるものではないが、絶縁層に対する浸食を抑制することができるという点から、多価アルコールであることが好ましい。特に、多価アルコールとしては、下記一般式（１）で表されるものが好ましい。 The water-soluble organic solvent is not particularly limited, but is preferably a polyhydric alcohol from the viewpoint that erosion to the insulating layer can be suppressed. In particular, as the polyhydric alcohol, those represented by the following general formula (1) are preferable.
上記一般式（１）中、Ｒ１及びＲ２を共に水素原子とすることにより、レジスト等の有機膜の溶解性を著しく低下させることができる。また、Ｒ１及びＲ２を共にアルキル基とすることにより、絶縁層に対する浸食を有効に抑制することができる。この場合、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜３のアルキル基であることが好ましい。Ｒ３は、水溶性を高く維持することができるという点から、エチレン基又はプロピレン基であることが好ましい。 In the general formula (1), by making R 1 and R 2 both hydrogen atoms, the solubility of an organic film such as a resist can be significantly reduced. Further, by making R 1 and R 2 both alkyl groups, erosion to the insulating layer can be effectively suppressed. In this case, R 1 and R 2 are preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. R 3 is preferably an ethylene group or a propylene group from the viewpoint that water solubility can be kept high.
このような多価アルコールの具体例としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。中でも、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、及びテトラエチレングリコールジメチルエーテルが好ましい。これらの多価アルコールは、単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。 Specific examples of such polyhydric alcohols include ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, tetra Examples include ethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, and tetraethylene glycol dimethyl ether. Among these, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, and tetraethylene glycol dimethyl ether are preferable. These polyhydric alcohols may be used alone or in combination of two or more.
水溶性有機溶剤の含有量は、チタン除去液中、１０〜９０質量％であることが好ましく、５０〜９０質量％であることがより好ましく、７０〜８５質量％であることがさらに好ましい。水溶性有機溶剤の含有量を１０質量％以上とすることにより、含窒素５員環化合物を十分に溶解させることができる。特に、水溶性有機溶剤として多価アルコールを用いた場合には、含有量を１０質量％以上とすることにより、絶縁層に対する浸食を有効に抑制することができる。また、水溶性有機溶剤の含有量を９０質量％以下とすることにより、チタン被膜の除去性能を高く維持することができる。 The content of the water-soluble organic solvent is preferably 10 to 90% by mass, more preferably 50 to 90% by mass, and still more preferably 70 to 85% by mass in the titanium removing liquid. By setting the content of the water-soluble organic solvent to 10% by mass or more, the nitrogen-containing 5-membered ring compound can be sufficiently dissolved. In particular, when polyhydric alcohol is used as the water-soluble organic solvent, erosion to the insulating layer can be effectively suppressed by setting the content to 10% by mass or more. Moreover, the removal performance of a titanium film can be maintained high by making content of a water-soluble organic solvent into 90 mass% or less.
［無機酸］
本発明のチタン除去液は、さらに無機酸を含有してもよい。この無機酸を含有することにより、タングステン又はタングステン合金を含む層に対する浸食をより抑制することができる。
[Inorganic acid]
The titanium removing liquid of the present invention may further contain an inorganic acid. By containing this inorganic acid, erosion of the layer containing tungsten or a tungsten alloy can be further suppressed.
この無機酸としては、フッ酸以外の無機酸であれば特に限定されるものではないが、硝酸、硫酸、及び塩酸が挙げられる。これらの無機酸は、半導体多層積層体における各種材料に対する影響が少ないため、好ましく用いることができる。中でも、硫酸が好ましい。 The inorganic acid is not particularly limited as long as it is an inorganic acid other than hydrofluoric acid, and examples thereof include nitric acid, sulfuric acid, and hydrochloric acid. Since these inorganic acids have little influence with respect to various materials in a semiconductor multilayer laminated body, they can be preferably used. Of these, sulfuric acid is preferred.
無機酸をチタン除去液に含有させる場合、その含有量は、チタン除去液中、０．１０〜１０質量％以下であることが好ましく、０．５０〜５質量％以下であることがより好ましい。無機酸の含有量を０．１０質量％以上とすることにより、タングステン又はタングステン合金を含む層に対する浸食を有効に抑制することができる。また、無機酸の含有量を１０質量％以下とすることにより、チタン被膜の除去性能を高く維持することができる。 When the inorganic acid is contained in the titanium removing liquid, the content thereof is preferably 0.10 to 10% by mass or less, and more preferably 0.50 to 5% by mass or less in the titanium removing liquid. By setting the content of the inorganic acid to 0.10% by mass or more, erosion of the layer containing tungsten or a tungsten alloy can be effectively suppressed. Moreover, the removal performance of a titanium film can be maintained highly by making content of an inorganic acid into 10 mass% or less.
無機酸をチタン除去液に含有させる場合、２５℃に温調したチタン除去液１００ｍｌを、ｐＨ４及びｐＨ７の標準液で校正したｐＨメーターにて１分間測定したときのｐＨが３以下であることが好ましい。チタン除去液のｐＨを上記のように設定することにより、タングステン又はタングステン合金等を含む層に対する浸食を有効に抑制することができる。 When an inorganic acid is contained in the titanium removal solution, the pH when the titanium removal solution 100 ml temperature-controlled at 25 ° C. is measured for 1 minute with a pH meter calibrated with standard solutions of pH 4 and pH 7 may be 3 or less. preferable. By setting the pH of the titanium removal liquid as described above, erosion of the layer containing tungsten or a tungsten alloy can be effectively suppressed.
［過酸化水素］
本発明のチタン除去液は、さらに過酸化水素を含有してもよい。この過酸化水素を含有することにより、チタン被膜以外の有機物やエッチング残渣等を効果的に除去することができる。
[hydrogen peroxide]
The titanium removing liquid of the present invention may further contain hydrogen peroxide. By containing this hydrogen peroxide, organic substances other than the titanium film, etching residues and the like can be effectively removed.
過酸化水素をチタン除去液に含有させる場合、その含有量は、チタン除去液中、１．０質量％以下であることが好ましく、０．５０質量％以下であることがより好ましい。過酸化水素を含有させることにより窒化チタン層が浸食されるが、含有量を１．０質量％以下とすることにより、窒化チタン層に対する浸食を有効に抑制することができる。 When hydrogen peroxide is contained in the titanium removing liquid, the content thereof is preferably 1.0% by mass or less, and more preferably 0.50% by mass or less in the titanium removing liquid. Although the titanium nitride layer is eroded by containing hydrogen peroxide, erosion to the titanium nitride layer can be effectively suppressed by setting the content to 1.0 mass% or less.
＜チタン被膜の除去方法＞
本発明のチタン被膜の除去方法は、タングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体に形成されているチタン被膜に、本発明のチタン除去液を接触させることにより、チタン被膜を除去するものである。上記のように、半導体多層積層体は、絶縁層や窒化チタン層を有していてもよい。
<Titanium coating removal method>
The method for removing a titanium film of the present invention is to remove the titanium film by bringing the titanium film of the present invention into contact with the titanium film formed on the semiconductor multilayer laminate having a layer containing tungsten or a tungsten alloy. It is. As described above, the semiconductor multilayer laminate may have an insulating layer or a titanium nitride layer.
チタン被膜にチタン除去液を接触させる方法としては、特に限定されるものではなく、通常行われる方法を採用することができる。具体的には、浸漬法、パドル法、シャワー法等が挙げられる。なお、チタン除去液は、必要に応じて加熱して用いることができる。加熱を行うことにより、チタン除去液の除去性能を向上させることができる。接触させる際の温度は、常温から６０℃が好ましい。 The method for bringing the titanium removal solution into contact with the titanium coating is not particularly limited, and a commonly performed method can be employed. Specifically, an immersion method, a paddle method, a shower method, etc. are mentioned. In addition, a titanium removal liquid can be heated and used as needed. By performing the heating, the removal performance of the titanium removing liquid can be improved. The temperature at the time of contact is preferably from room temperature to 60 ° C.
本発明のチタン被膜の除去方法によれば、タングステン又はタングステン合金を含む層や窒化チタン層を有する半導体多層積層体においても、これらの層を浸食することなく、形成されているチタン被膜を効果的に除去することができる。 According to the method for removing a titanium film of the present invention, even in a semiconductor multilayer laminate having a layer containing tungsten or a tungsten alloy or a titanium nitride layer, the formed titanium film can be effectively used without eroding these layers. Can be removed.
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下に挙げる実施例において、特に言及しない限り、「％」は「質量％」を表す。 Examples of the present invention will be described below, but the scope of the present invention is not limited to these examples. In the following examples, “%” represents “% by mass” unless otherwise specified.
＜実施例１〜６、比較例１〜３＞
下記表１に示す組成で各成分を混合し、チタン除去液を調製した。括弧内の数値は質量％を表す。
<Examples 1-6, Comparative Examples 1-3>
Each component was mixed with the composition shown in the following Table 1, and the titanium removal liquid was prepared. Numerical values in parentheses represent mass%.
ＥＤＧ：ジエチレングリコールモノエチルエーテル
ＰＧ：プロピレングリコール
＜評価＞
［エッチングレートの測定］
実施例１〜６、比較例１〜３のチタン除去液を各種基板に接触させ、接触前後の膜厚の差を求めた。測定は次の方法により行った。チタン被膜を１００ｎｍ成膜したウエハの抵抗値を測定し、チタン被膜の膜厚に換算する。窒化チタン被膜を１００ｎｍ成膜したウエハの抵抗値を測定し、窒化チタン被膜の膜厚に換算する。タングステン層を１００ｎｍ成膜したウエハの抵抗値を測定し、タングステン層の膜厚に換算する。上記の方法で、処理前後の膜厚を測定し、エッチングレートを算出した。測定した各材料のエッチングレート、並びにタングステンに対するチタンのエッチング選択比、及び窒化チタンに対するチタンのエッチング選択比を表２に示す。
<Evaluation>
[Measurement of etching rate]
The titanium removal solutions of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 were brought into contact with various substrates, and the difference in film thickness before and after contact was determined. The measurement was performed by the following method. The resistance value of the wafer having a titanium film formed to 100 nm is measured and converted to the film thickness of the titanium film. The resistance value of the wafer on which the titanium nitride film is formed to a thickness of 100 nm is measured and converted to the film thickness of the titanium nitride film. The resistance value of the wafer having a tungsten layer formed to a thickness of 100 nm is measured and converted to the film thickness of the tungsten layer. The film thickness before and after the treatment was measured by the above method, and the etching rate was calculated. Table 2 shows the measured etching rate of each material, the etching selectivity of titanium to tungsten, and the etching selectivity of titanium to titanium nitride.
表２から分かるように、環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物を含有する実施例１〜６のチタン除去液は、比較例１〜３のチタン除去液に比べ、チタンのエッチングレートを低下させることなく、タングステンのエッチングレートを低く抑えており、タングステンに対するチタンのエッチング選択比が高くなっている。この結果から、タングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体に形成されたチタン被膜を除去する場合においても、環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物を含有するチタン除去液を用いることにより、タングステン又はタングステン合金を含む層に影響を与えることなく、チタン被膜を有効に除去できると考えられる。 As can be seen from Table 2, the titanium removal liquids of Examples 1 to 6 containing a nitrogen-containing five-membered ring compound having two nitrogen atoms in the ring were compared with the titanium removal liquids of Comparative Examples 1 to 3. The etching rate of tungsten is kept low without lowering the etching rate, and the etching selectivity of titanium to tungsten is high. From this result, even when removing the titanium film formed on the semiconductor multilayer stack having a layer containing tungsten or a tungsten alloy, the removal of titanium containing a nitrogen-containing 5-membered ring compound having two nitrogen atoms in the ring By using the liquid, it is considered that the titanium film can be effectively removed without affecting the layer containing tungsten or the tungsten alloy.
また、表１から分かるように、過酸化水素を含有する実施例４〜６のチタン除去液は、過酸化水素の含有量が多いものの方が窒化チタンのエッチングレートが高くなっている。この結果から、窒化チタン層を有する半導体多層積層体に形成されたチタン被膜を除去する場合においても、過酸化水素の含有量が１質量％以下であるチタン除去液を用いることにより、窒化チタン層への影響を抑えつつ、チタン被膜を有効に除去できると考えられる。 Further, as can be seen from Table 1, the titanium removal solutions of Examples 4 to 6 containing hydrogen peroxide have a higher titanium nitride etching rate when the hydrogen peroxide content is higher. From this result, even when the titanium film formed on the semiconductor multilayer stack having the titanium nitride layer is removed, the titanium nitride layer can be obtained by using a titanium removing liquid having a hydrogen peroxide content of 1% by mass or less. It is considered that the titanium coating can be effectively removed while suppressing the influence on the surface.
Claims (8)
前記防食剤が環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物であることを特徴とするチタン除去液。
A titanium removing liquid, wherein the anticorrosive is a nitrogen-containing 5-membered ring compound having two nitrogen atoms in the ring.
該過酸化水素の含有量が１．０質量％以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載のチタン除去液。 In addition, it contains hydrogen peroxide,
The titanium removal solution according to any one of claims 1 to 4 , wherein the hydrogen peroxide content is 1.0 mass% or less.
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