JP2018190705A - 荷電粒子源の放出雑音補正 - Google Patents
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Abstract
Description
− 試料ホルダ上に試料を置くステップと、
− ビーム電流変動を生じやすい荷電粒子ビームを生成するための源を使用するステップと、
− 前記源と前記試料ホルダとの間に位置するビーム電流センサを使用して、ビームの一部を遮断し、ビームの遮断された部分の電流に比例した遮断信号を生成するステップであり、ビーム電流センサが、関連プローブ電流を有するビーム・プローブを通過させるように配置された穴を備える、ステップと、
− 試料上で前記プローブを走査し、それによって試料に試料電流を、試料上のそれぞれの走査位置に関連づけられたドウェル時間で照射するステップと、
− 検出器を使用して、前記プローブによる照射に反応して試料から発出した放射を検出し、関連検出器信号を生成するステップと、
− 前記遮断信号を補償器への入力として使用して、前記検出器信号中の前記電流変動の影響を抑制するステップと
を含む方法に関する。
en.wikipedia.org/wiki/Scanning#electron#microscope
en.wikipedia.org/wiki/Transmission#electron#microscopy
en.wikipedia.org/wiki/Scanning#transmission#electron#microscopy
電子を照射ビームとして使用する代わりに、他の荷電粒子種を使用して荷電粒子顕微鏡法を実行することもできる。この点に関して、語句「荷電粒子」は、例えば電子、陽イオン(例えばGaまたはHeイオン)、陰イオン、陽子および陽電子を含むものと広く解釈されるべきである。非電子ベースの荷電粒子顕微鏡法に関しては、例えば以下の参照文献などの文献から、いくらかの追加情報を収集することができる。
en.wikipedia.org/wiki/Scanning#Helium#Ion#Microscope
W.H.Escovitz,T.R.FoxおよびR.Levi−Setti、Scanning Transmission Ion Microscope with a Field Ion Source、Proc.Nat.Acad.Sci.USA 72(5)、1826〜1828ページ(1975)
www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/22472444
画像化および(局限された)表面改変(例えばミリング、エッチング、付着など)の実行だけでなく、分光法の実行、ディフラクトグラムの調査などの他の機能を荷電粒子顕微鏡が有することもあることに留意すべきである。
・ビームの遮断された前記部分のそれぞれの荷電粒子が前記感知層の中で電子/正孔対を生成し、
・生成された電子が、半導体デバイスの陽極に引っ張られ、
・生成された正孔が、半導体デバイスの陰極に引っ張られ、それによって前記遮断信号を生成する
方法で達成される。
(i)走査ドウェル時間の調節、
(ii)検出器の応答の調整、
(iii)源のデューティサイクル調節
(のうちの1つまたは複数)を実行することを区別することができる。
− 遮断信号が、ピクセル単位でフリッカ・マップへと組み立てられ、
− 補償器が、前記フリッカ・マップを使用して、前記未処理画像のピクセル単位の補正を実行する。
− ビーム電流センサが、キャリヤ上に配された複数のビーム電流センサのうちの1つのビーム電流センサであり、
− アクチュエータ機構を使用して、前記複数のビーム電流センサのうちの選択可能な1つのビーム電流センサを前記ビームの経路上に移動させる。
− 互いに全く同じセンサとし、前記複数のビーム電流センサのうちその時点で配置されているビーム電流センサが(例えばエッチング効果のために)その寿命の終わりに達した場合に代替/予備センサを配置することを可能にすることができ、および/または、
− 例えばプローブが通過する穴の直径に関して互いに異なるセンサとすることができる。
実施形態1
図1は、本発明が実装される荷電粒子顕微鏡Mの一実施形態の非常に概略的な図である。より詳細には、図1は、透過型顕微鏡Mの一実施形態を示す。このケースでは、透過型顕微鏡MがTEM/STEMである(しかしながら、本発明の文脈では、透過型顕微鏡Mを、例えばSEMまたはイオン・ベースの顕微鏡とすることもできる)。この図では、真空エンクロージャ2内で、CFEG電子源4が電子ビームBを生成し、電子ビームBは、電子−光学軸B’に沿って伝搬し、電子−光学照明器6を横切る。電子−光学照明器6は、(例えば(局所的に)薄化/平坦化されていることがある)試料Sの選ばれた一部分上に電子を導く/集束させる役目を果たす。この照明器6は(走査)偏向器8を備え、一般に、さまざまな静電/磁気レンズ、(非点収差補正装置などの)補正器などをさらに備える。照明器6は通常、コンデンサ・システムをさらに備えることもできる(照明器6は時に、その全体が「コンデンサ・システム」と呼ばれる)。ビームBは、試料SにプローブP(後により詳細に論じる)として入射する。
− ビームBの遮断された前記部分B2のそれぞれの荷電粒子が前記感知層16の中で電子/正孔対を生成し、
− 生成された電子が、半導体デバイスの陽極(図示せず)に引っ張られ、
− 生成された正孔が、半導体デバイスの陰極(図示せず)に引っ張られ、それによって前記遮断信号Iiを生成する
ような態様の半導体デバイスとして構成されている。次いで、この遮断信号Iiを、プロセッサ10(または別の補償器)への入力として使用することができる。プロセッサ10(または別の補償器)は、この遮断信号Iiを使用して、ビームB中の電流変動(フリッカ)の影響を抑制する。より詳細には、検出装置22、30、32、34のうちの1つまたは複数の検出装置からの出力(最終的には画像/ディフラクトグラム/スペクトル)を補正する。これは、例えば上に記載の「実時間」補正技法および/または「遡及的」補正技法を使用して行われることができる。
− 穴14を取り巻く環のセグメントの集合体、
− 直径を挟んで穴14の両側にある一対(または数対)の検出スポット
− 穴14の一方の側の単一の検出スポット
など、他の形態をとることもできる。上で説明したとおり、外側部分B1を除去することによってビームBの「切落とし」を実施すると、最終的に、遮断されたビーム部分B2の電流とプローブPの電流との間の相関がよくなる。このような「切落とし」は、例えば感知表面16の外径を切り詰めることによっても達成することができる。
4 電子源
6 照明器
8 偏向器
10 コントローラ/プロセッサ
12 ビーム電流センサ
14 穴(絞り/開口)
18 ビーム・フットプリント調整要素
20 レンズ
22 分析装置
24 画像化システム
Claims (16)
- 荷電粒子顕微鏡を動作させる方法であって、
試料ホルダ上に試料を備えることと、
ビーム電流変動を生じやすい荷電粒子ビームを生成するための源を使用することと、
前記ビームの一部分を遮断し、前記ビームの遮断された前記一部分の電流に比例した遮断信号を生成するために、前記源と前記試料ホルダとの間に位置するビーム電流センサを使用することであり、前記ビーム電流センサが、関連付けられたプローブ電流を有するビーム・プローブを通過させるように配置された穴を備えることと、
前記試料上で前記プローブを走査することであり、それによって前記試料に試料電流を、前記試料上のそれぞれの走査位置に関連づけられたドウェル時間で照射することと、
検出器を使用して、前記プローブによる照射に反応して前記試料から発出した放射を検出すること、および関連付けられた検出器信号を生成することと、
前記検出器信号中の前記電流変動の影響を抑制するために、前記遮断信号を補償器への入力として使用することと
を含み、
前記ビーム電流センサが、前記源の方へ配向された感知層を備える半導体デバイスとして構成されており、
前記ビームの遮断された前記一部分のそれぞれの荷電粒子が前記感知層の中で電子/正孔対を生成し、
生成された電子が、前記半導体デバイスの陽極に引っ張られ、
生成された正孔が、前記半導体デバイスの陰極に引っ張られ、それによって前記遮断信号を生成する、
方法。 - 前記源と前記ビーム電流センサとの間に、ビーム画定絞りを備えるビーム・フットプリント調整要素を備え、
前記要素が、前記ビーム電流センサに入射する前記ビームの直径を画定するように構成される、
請求項1に記載の方法。 - 前記直径を画定することが、前記絞りの上流に配置された粒子−光学レンズの励起を調整することを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記補償器が、前記遮断信号を使用して、以下の動作:
前記ドウェル時間を調節すること、
前記検出器の応答を調整すること、および
前記源のデューティサイクル調節を実行すること
のうちの少なくとも1つの動作を実行する、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。 - 前記検出器信号が、ピクセル単位で未処理画像へと組み立てられ、
前記遮断信号が、ピクセル単位でフリッカ・マップへと組み立てられ、
前記補償器が、前記フリッカ・マップを使用して、前記未処理画像のピクセル単位の補正を実行する、
請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ビーム電流センサが、キャリヤ上に配された複数のビーム電流センサのうちの1つのビーム電流センサであり、
アクチュエータ機構を使用して、前記複数のビーム電流センサのうちの選択可能な1つのビーム電流センサを前記ビームの経路上に移動させる、
請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。 - 荷電粒子顕微鏡であって、
ビーム電流変動を生じやすい荷電粒子ビームを生成する源と、
試料を保持する試料ホルダと、
前記源と前記試料ホルダとの間に位置するビーム電流センサであり、前記ビーム電流センサが、前記ビームの一部分を遮断し、前記ビームの遮断された前記一部分の電流に比例した遮断信号を生成するように構成されており、前記ビーム電流センサが、関連プローブ電流を有するビーム・プローブを通過させるように配置された穴を備えるビーム電流センサと、
前記プローブが前記試料に試料電流を照射し、前記プローブが、前記試料上のそれぞれの走査位置に関連づけられたドウェル時間を有するような態様で、前記試料上で前記プローブを走査するように構成された照明器と、
前記プローブによる照射に反応して前記試料から発出した放射を検出し、関連付けられた検出器信号を生成する検出器と、
前記顕微鏡の所与の動作を自動的に制御するプログラム可能なコントローラと
を備え、
前記ビーム電流センサが、前記源の方へ配向された感知層を備える半導体デバイスを備え、
前記ビームの遮断された前記部分のそれぞれの荷電粒子が前記感知層の中で電子/正孔対を生成し、
生成された電子が、前記半導体デバイスの陽極に引っ張られ、
生成された正孔が、前記半導体デバイスの陰極に引っ張られ、それによって前記遮断信号を生成する
ような態様で構成されており、
前記コントローラが、前記遮断信号を使用して、前記検出器信号中の前記電流変動の影響を抑制するように構成されている
荷電粒子顕微鏡。 - 前記半導体デバイスが原位置増幅器を備える、請求項7に記載の顕微鏡。
- 前記ビーム電流センサの前記感知層がセグメント化またはピクセル化されている、請求項7または8に記載の顕微鏡。
- 前記ビーム電流センサが、固体光電子増倍管、フォトダイオード、アバランシェ・フォトダイオード、CCD、CMOS検出器およびSTEMカメラからなるグループから選択された、請求項7から9のいずれか一項に記載の顕微鏡。
- 前記ビーム電流センサと前記試料との間に配置されたビーム制限絞りをさらに備え、前記ビーム制限絞りが、前記試料に入射する前記ビームの直径を画定するように構成された、請求項7から10のいずれか一項に記載の顕微鏡。
- 前記源が、冷陰極電界放出銃(CFEG)、電子衝突イオン源、ナノ・アパーチャ・イオン源(NAIS)、液体金属イオン源(LMIS)および電界イオン化源からなるグループから選択された、請求項7から11のいずれか一項に記載の顕微鏡。
- 前記源と前記ビーム電流センサとの間に位置決めされたビーム・フットプリント調整要素をさらに備え、前記ビーム・フットプリント調整要素がビーム画定絞りを備え、前記ビーム・フットプリント調整要素が、前記ビーム電流センサに入射する前記ビームの直径を画定するように構成された、請求項7から12のいずれか一項に記載の荷電粒子顕微鏡。
- 前記照明器が、前記絞りの上流に配置された粒子−光学レンズを含み、前記プログラム可能なコントローラが、前記粒子−光学レンズの励起を調整して、前記ビーム電流センサに入射する前記ビームの前記直径を画定するようにさらにプログラムされた、請求項13に記載の荷電粒子顕微鏡。
- 前記検出器が、前記検出器信号をピクセル単位で未処理画像へと組み立てるように構成されており、
前記ビーム電流センサが、前記遮断信号をピクセル単位でフリッカ・マップへと組み立てるように構成されており、
前記プログラム可能なコントローラが、前記フリッカ・マップを使用して、前記未処理画像のピクセル単位の補正を実行するようにプログラムされている、
請求項7から14のいずれか一項に記載の荷電粒子顕微鏡。 - 前記ビーム電流センサが、キャリヤ上に配置された複数のビーム電流センサのうちの1つのビーム電流センサであり、
前記荷電粒子顕微鏡が、前記複数のビーム電流センサのうちの選択可能な1つのビーム電流センサを前記ビームの経路上に移動させるアクチュエータ機構をさらに備える、
請求項7から15のいずれか一項に記載の荷電粒子顕微鏡。
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