JP2018166716A - 中性子捕捉療法システム及び中性子捕捉療法用ガンマ線検出器 - Google Patents

中性子捕捉療法システム及び中性子捕捉療法用ガンマ線検出器 Download PDF

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Abstract

【課題】高強度の中性子場においてもガンマ線を高精度に検出することが可能な中性子捕捉療法システム及び中性子捕捉療法用ガンマ線検出器を提供する。【解決手段】中性子捕捉療法システム1は、中性子線生成部10と、患者H(被照射体)を載置する被照射体載置部20と、患者H(被照射体)から放出されたガンマ線Gを検出するガンマ線検出部30と、を備え、ガンマ線検出部30は、ガンマ線Gが入射することにより光又は電子を放出する放出部31と、放出部31から放出された光又は前記電子を増幅して出力する増幅部32と、6リチウムを含有する物質から形成されている第1中性子線遮蔽部33と、軽元素から形成されている第2中性子線遮蔽部34と、を有し、第1中性子線遮蔽部33は、少なくとも放出部31の面のうち、増幅部32との隣接面31aと反対側の面を覆うように設けられている。【選択図】図2

Description

本発明は、中性子捕捉療法システム及び中性子捕捉療法用ガンマ線検出器に関する。
がん治療等における放射線治療法の1つとして、中性子線の照射によりがん治療を行うホウ素中性子捕捉療法(BNCT:Boron Neutron Capture Therapy)がある。ホウ素中性子捕捉療法では、ホウ素を含む薬剤が投与された患者の患部に中性子線を照射し、がん細胞においてホウ素と中性子との反応を発生させてがん細胞を破壊する。
このようなホウ素中性子捕捉療法では、患者体内のホウ素濃度をリアルタイムに測定することが望まれている。特許文献1には、中性子線とホウ素との反応に伴って発生するガンマ線を検出するガンマ線検出器を備え、ガンマ線検出部で検出されたガンマ線に関する情報から患者体内のホウ素濃度を算出可能な中性子捕捉療法装置が記載されている。
特開2016−159107
中性子捕捉療法の治療環境は高強度の中性子場となるので、ガンマ線検出器が劣化しやすい。このため、ガンマ線の検出精度が低下するおそれがある。したがって、高強度の中性子場においてもガンマ線を高精度に検出することが要請されている。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、高強度の中性子場においてもガンマ線を高精度に検出することが可能な中性子捕捉療法システム及び中性子捕捉療法用ガンマ線検出器を提供することを目的とする。
本発明の一形態に係る中性子捕捉療法システムは、中性子線を発生させる中性子線生成部と、中性子線が照射される被照射体を載置する被照射体載置部と、中性子線が照射されることにより、被照射体から放出されたガンマ線を検出するガンマ線検出部と、を備え、ガンマ線検出部は、ガンマ線が入射することにより光又は電子を放出する放出部と、放出部に隣接して設けられており、放出部から放出された光又は前記電子を増幅して出力する増幅部と、6リチウムを含有する物質から形成されている第1中性子線遮蔽部と、第1中性子線遮蔽部よりも外側に設けられており、軽元素から形成されている第2中性子線遮蔽部と、を有し、第1中性子線遮蔽部は、少なくとも放出部の面のうち、増幅部との隣接面と反対側の面を覆うように設けられている。
この中性子捕捉療法システムでは、ガンマ線検出部は、6リチウムを含有する物質から形成された第1中性子線遮蔽部と、第1中性子線遮蔽部よりも外側に設けられ、軽元素から形成された第2中性子線遮蔽部とを有している。ガンマ線検出部の放出部に入射する中性子線は第1中性子線遮蔽部及び第2中性子線遮蔽部によって遮蔽されるので、放出部の劣化を抑制することが可能である。また、6リチウムは軽元素に比べて中性子線を遮蔽する機能が高いので、放出部に入射する中性子線を確実に遮蔽することが可能となっている。したがって、高強度の中性子場においても、放出部の劣化を抑制し、ガンマ線を高精度に検出することが可能である。
一形態に係る中性子捕捉療法システムにおいて、ガンマ線検出部は、第1中性子線遮蔽部と第2中性子線遮蔽部との間に設けられているガンマ線遮蔽部を更に有してもよい。この構成によれば、放出部における増幅部との隣接面と反対側の面以外の面からガンマ線が放出部に入射することを抑制することができる。
一形態に係る中性子捕捉療法システムにおいて、第1中性子線遮蔽部は、放出部の面のうち、隣接面以外の面を覆うように設けられてもよい。この構成によれば、放出部に入射する中性子線をより確実に遮蔽することが可能である。
一形態に係る中性子捕捉療法システムにおいて、反対側の面を覆う第1中性子線遮蔽部の厚みは、放出部の他の面を覆う第1中性子線遮蔽部の厚みより大きくてもよい。隣接面と反対側の面に入射する中性子線量に比べ、他の面に入射する中性子線量は少ない。したがって、中性子線の入射量が少ない放出部の面を覆う第1中性子線遮蔽部の厚みを相対的に小さくすることにより、高価な6リチウムの使用量を低減できる。
本発明の一形態に係る中性子線捕捉療法用ガンマ線検出器は、ガンマ線が入射することにより光又は電子を放出する放出部と、放出部に隣接して設けられており、放出部から放出された光又は電子を増幅して出力する増幅部と、6リチウムを含有する物質から形成されている第1中性子線遮蔽部と、第1中性子線遮蔽部よりも外側に設けられており、軽元素から形成されている第2中性子線遮蔽部と、を備え、第1中性子線遮蔽部は、少なくとも放出部の面のうち、増幅部との隣接面と反対側の面を覆うように設けられている。
この中性子捕捉療法用ガンマ線検出器は、6リチウムを含有する物質から形成された第1中性子線遮蔽部と、第1中性子線遮蔽部よりも外側に設けられ、軽元素から形成された第2中性子線遮蔽部とを備えている。ガンマ線検出部の放出部に入射する中性子線は第1中性子線遮蔽部及び第2中性子線遮蔽部によって遮蔽されるので、放出部の劣化を抑制することが可能である。また、6リチウムは軽元素に比べて中性子線を遮蔽する機能が高いので、放出部に入射する中性子線を確実に遮蔽することが可能となっている。したがって、高強度の中性子場においても、放出部の劣化を抑制し、ガンマ線を高精度に検出することが可能である。
本発明によれば、高強度の中性子場においてもガンマ線を高精度に検出することが可能な中性子捕捉療法システム及び中性子捕捉療法用ガンマ線検出器が提供される。
本発明の一実施形態にかかる中性子捕捉療法システムを概略的に示す図である。 ガンマ線検出部を概略的に示す断面図である。 図2のIII-III線に沿った断面を示す図である。 図1に示す中性子捕捉療法システムの変形例を概略的に示す図である。
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、本発明の一実施形態にかかる中性子捕捉療法システムを概略的に示す図である。図1に示される中性子捕捉療法システム1は、ホウ素中性子捕捉療法(BNCT:Boron Neutron Capture Therapy)を用いたがん治療を行う装置である。中性子捕捉療法システム1では、例えばホウ素(10B)を含む薬剤が投与された患者(被照射体)Hの腫瘍に中性子線Nを照射する。
中性子捕捉療法システム1は、中性子線を発生させる中性子線生成部10と、中性子線が照射される患者Hを載置する被照射体載置部20と、患者Hから放出されるガンマ線Gを検出するガンマ線検出部30とを備えている。
中性子線生成部10は、加速器11と、負イオン源12と、ビーム輸送部13と、中性子線照射部14と、を有している。加速器11は、負イオン源12で生成された負イオン(陰イオンともいう)を加速して荷電粒子線Pを生成する。加速器11は、例えばサイクロトロンである。加速器11は、例えば、ビーム半径が40mm、60kW(=30MeV×2mA)の荷電粒子線Pを生成する能力を有している。なお、加速器11はサイクロトロンに限定されず、例えば、シンクロトロン、シンクロサイクロトロン、ライナック等であってもよい。また、中性子線生成部は、原子炉であってもよい。
加速器11から出射された荷電粒子線Pは、ビーム輸送部13に導入される。ビーム輸送部13は、ビームダクト13Aと、四極電磁石13Bと、電流モニタ13Cと、走査電磁石13Dと、を有している。ビームダクト13Aの一端側には加速器11が接続され、ビームダクト13Aの他端側には中性子線照射部14が接続されている。荷電粒子線Pは、ビームダクト13A内を通り、中性子線照射部14に向かって進行する。
四極電磁石13Bは、ビームダクト13Aに沿って複数設けられ、電磁石を用いて荷電粒子線Pのビーム軸調整を行う。電流モニタ13Cは、荷電粒子線Pの電流値(電荷、照射線量率)をリアルタイムで検出する。電流モニタ13Cには、例えば、荷電粒子線Pに影響を与えずに電流測定可能な非破壊型のDCCT(DC Current Transformer)が用いられている。すなわち、電流モニタ13Cは、荷電粒子線Pに接触することなく(非接触で)、荷電粒子線Pの電流値を検出することができる。電流モニタ13Cは、後述の制御部40に検出結果を出力する。なお、「線量率」とは、単位時間当たりの線量を意味する。
電流モニタ13Cは、具体的には、中性子線照射部14のターゲット14Aに照射される荷電粒子線Pの電流値を精度よく検出するため、四極電磁石13Bによる影響を排除すべく、四極電磁石13Bより下流側(荷電粒子線Pの下流側)で走査電磁石13Dの直前に設けられている。すなわち、走査電磁石13Dはターゲット14Aに対して常時同じところに荷電粒子線Pが照射されないように操作するため、電流モニタ13Cを走査電磁石13Dよりも下流側に配設するには大型の電流モニタ13Cが必要となる。これに対し、電流モニタ13Cを走査電磁石13Dよりも上流側に設けることで、電流モニタ13Cを小型化することができる。
走査電磁石13Dは、荷電粒子線Pを操作し、ターゲット14Aに対する荷電粒子線Pの照射制御を行うものである。この走査電磁石13Dは、ターゲット14Aに対する荷電粒子線Pの照射位置を制御する。
中性子線照射部14は、荷電粒子線Pがターゲット14Aに照射されることにより中性子線Nを発生させ、患者Hに向かって中性子線Nを出射する。中性子線照射部14は、ターゲット14Aと、減速材14Bと、遮蔽体14Cと、コリメータ14Dとを備えている。
ターゲット14Aは、荷電粒子線Pの照射を受けて中性子線Nを生成する。ここでのターゲット14Aは、例えば、ベリリウム(Be)、リチウム(Li)、タンタル(Ta)又はタングステン(W)等により形成され、例えば、直径160mmの円板状を呈している。なお、ターゲット14Aは、円板状に限定されず、他の個体形状でもよく、液状のもの(液体金属)を用いてもよい。
減速材14Bは、ターゲット14Aにおいて生成された中性子線Nを減速させて、中性子線Nのエネルギーを低下させるものである。減速材14Bは、中性子線Nに含まれる速中性子線を主に減速させる第1減速材14Bと、中性子線Nに含まれる熱外中性子線を主に減速させる第2減速材14Bと、を含む積層構造を有している。
遮蔽体14Cは、発生した中性子線N、中性子線Nの発生に伴ってターゲット14Aにおいて生じたガンマ線G等の二次的な放射線、及び中性子線Nが減速材14Bによって減速される際に減速材14Bにおいて生じるガンマ線G等の二次的な放射線を遮蔽し、これらの放射線が患者H側へ放出されることを抑制する。遮蔽体14Cは、減速材14Bを囲むように設けられている。
コリメータ14Dは、中性子線Nの照射野を整形するものであり、中性子線Nが通過する開口14aを有している。コリメータ14Dは、例えば中央に開口14aを有するブロック状の部材である。
被照射体載置部20は、コリメータ14Dの開口14aから出射する中性子線Nが患者Hの腫瘍に照射されるように、患者Hの高さ及び位置等を調整可能に構成されている。中性子捕捉療法システム1は、例えば、中性子線Nを患者Hに照射するための照射室を備えており、被照射体載置部20は照射室に配置されてもよい。照射室は、室外から室内への放射線の侵入及び室内から室外への放射線の放出を抑制する遮蔽壁によって囲まれていてもよい。
ガンマ線検出部30は、中性子線Nの照射中に患者Hの体内のホウ素濃度をリアルタイムで測定するためのものである。ガンマ線検出部30は、中性子とホウ素との反応に伴って発生するガンマ線Gを検出してホウ素濃度を測定する。ガンマ線検出部30は、患者Hから放出されるガンマ線Gを検出するために、例えば患者Hの腫瘍の近傍に配置される。ガンマ線検出部30の詳細な構成については後述する。
また、中性子捕捉療法システム1は、制御部40を備えている。制御部40は、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等から構成されており、中性子捕捉療法システム1を総合的に制御する電子ユニットである。
次に、図2及び図3を参照してガンマ線検出部30について詳細に説明する。図2は、ガンマ線検出部を概略的に示す断面図である。図3は、図2のIII-III線に沿った断面を示す図である。
図2及び図3に示されるように、ガンマ線検出部30は、放出部31と、増幅部32と、第1中性子線遮蔽部33と、第2中性子線遮蔽部34とを有している。また、ガンマ線検出部30は、第1中性子線遮蔽部33と第2中性子線遮蔽部34との間に設けられたガンマ線遮蔽部35及びガンマ線検出用コリメータ36を有している。以降、患者Hからのガンマ線Gが偏向することなく入射する方向をX軸方向、上下方向をZ軸方向、X軸方向及びZ軸方向に直交する方向をY軸方向とする。特に、ガンマ線Gの進行方向をX軸正方向とする。
ガンマ線検出用コリメータ36、放出部31、及び増幅部32は、X軸方向に沿って順に配置されている。第1中性子線遮蔽部33は、放出部31を覆うように配置されている。ガンマ線遮蔽部35は、ガンマ線検出用コリメータ36、放出部31、増幅部32、及び第1中性子線遮蔽部33を覆うように設けられている。第2中性子線遮蔽部34は、ガンマ線検出用コリメータ36、放出部31、増幅部32、第1中性子線遮蔽部33、及びガンマ線遮蔽部35を覆うように設けられている。
ガンマ線検出用コリメータ36には、X軸方向に沿って貫通する貫通孔が形成されている。ガンマ線検出用コリメータ36は、例えば鉛等のガンマ線Gを遮蔽する機能を有する材料から形成される。患者Hから放出されたガンマ線Gは、ガンマ線検出用コリメータ36に形成された貫通孔を通過して放出部31に入射する。ガンマ線検出用コリメータ36は、後述する放出部31の入射面31b側に設けられている。
放出部31は、患者Hからのガンマ線Gが入射することにより光又は電子を放出する。放出部31は、例えば直方体状を呈しており、増幅部32と隣接する隣接面31a(X軸正側の一面)と、隣接面31aと反対側に位置し、患者Hからのガンマ線Gが入射する入射面31b(X軸負側の一面)と、隣接面31aと入射面31bとを接続する4つの側面31c、31d、31e、31fとを有している。本実施形態においては、放出部31は、例えばシンチレータである。シンチレータは、入射した放射線(中性子線N及びガンマ線G等)を光に変換する蛍光体である。シンチレータは、入射した放射線の線量に応じて内部結晶が励起状態となり、シンチレーション光を発生させる。シンチレータとしては、例えば、LaBr、LaCl、CeBr、GaGG、SrI、LuAG等を使用することができる。なお、放出部31はシンチレータでなく、放射線が入射することにより電子を放出する半導体素子であってもよい。
増幅部32は、放出部31から放出された光又は電子を増幅して出力する。増幅部32は、放出部31と接するように設けられている。より具体的には、増幅部32は、放出部31の隣接面31a側(X軸正側)に設けられている。本実施形態においては、放出部31と接する増幅部32の一面には入射窓32aが設けられおり、増幅部32は放出部31から放出された光を増幅する。増幅部32としては、例えば、光電子増倍管や光電管等の光検出機器、または、APDやSiPMといった半導体光検出器を採用することができる。増幅部32によって増幅された信号は、例えば制御部40に出力される。
第1中性子線遮蔽部33は、放出部31への中性子線Nの入射を抑制するためのものである。第1中性子線遮蔽部33は、少なくとも放出部31における増幅部32との隣接面31aと反対側の面、すなわち入射面31bを覆うように設けられている。本実施形態においては、第1中性子線遮蔽部33は、増幅部32との隣接面31a以外の面(入射面31b及び側面31c、31d、31e、31f)を覆うように設けられている。また、増幅部32の入射窓32aからの中性子線Nの入射を抑制するために、第1中性子線遮蔽部33は入射窓32a及び増幅部32の一部をも覆うように設けられている。
本実施形態においては、放出部31の入射面31bを覆う第1中性子線遮蔽部33の厚みTbは、側面31c、31d、31e、31f(放出部31の他の面)を覆う第1中性子線遮蔽部33の厚みTc、Td、Te、Tfよりも大きい。また、第1中性子線遮蔽部33の厚みTc、Td、Te、Tfは、ガンマ線検出部30が配置される環境に応じて適宜設定することができる。例えば、Y軸方向における中性子線Nの入射が多い環境にガンマ線検出部30を配置する場合には、図3に示すように、Y軸方向における放出部31の側面31c、31dを覆う第1中性子線遮蔽部33の厚みTc、Tdを、Z軸方向における放出部31の側面31e、31fを覆う第1中性子線遮蔽部33の厚みTe、Tfより大きく設定することができる。
第1中性子線遮蔽部33は、例えば、中性子線Nを遮蔽する機能が高く、且つ中性子線Nの入射によるガンマ線Gの放出が少ない6リチウムを含有する物質から形成される。具体的には、第1中性子線遮蔽部33は6フッ化リチウム、6Liガラスシンチレータ、6LiCAFシンチレータ、6LiFを塗布したプラスチックシンチレータ、又は6LiF/ZnSシンチレータ等の中性子線Nを遮蔽する機能を有する物質から形成することができる。6リチウムの含有量は、11%〜24%以上であることが好ましい。第1中性子線遮蔽部33が6フッ化リチウムを含有する物質から形成される場合、放出部31の入射面31bを覆う第1中性子線遮蔽部33の厚みTbは、例えば、1mm〜2mm程度とすることができる。
第2中性子線遮蔽部34は、第1中性子線遮蔽部と同様に、放出部31への中性子線Nの入射を抑制するためのものである。第2中性子線遮蔽部34は、第1中性子線遮蔽部33よりも外側に設けられている。放出部31の入射面31b側(ガンマ線検出部30のX軸負側)における第2中性子線遮蔽部34の厚みは、他の部分における第2中性子線遮蔽部34の厚みより大きく設けられている。また、第1中性子線遮蔽部33の厚みと同様に、第2中性子線遮蔽部34の厚みは、ガンマ線検出部30が配置される環境に応じて適宜設定することができる。例えば、Y軸方向における中性子線Nの入射が多い環境にガンマ線検出部30を配置する場合には、放出部31の側面31c側及び側面31d側(Y軸方向の両端側)における第2中性子線遮蔽部34の厚みを、放出部31の側面31e側及び側面31f側(Z軸方向の両端側)における第2中性子線遮蔽部34の厚みより大きく設定することができる。第2中性子線遮蔽部34は、例えば、水素を含む軽元素から形成される。ここで、軽元素とは、原子番号が20番以下の元素をいう。
ガンマ線遮蔽部35は、ガンマ線Gが入射面31b以外の面から放出部31へ入射することを抑制するためのものである。ガンマ線遮蔽部35は、第1中性子線遮蔽部33と第2中性子線遮蔽部34との間に設けられている。より詳細には、ガンマ線遮蔽部35は、放出部31の隣接面31a側(X軸正側)、放出部31の側面31c側及び側面31d側(Y軸方向における両端側)、放出部31の側面31e側及び側面31f側(Z軸方向における両端側)に設けられている。ガンマ線遮蔽部35は、例えば鉛等のガンマ線Gを遮蔽する機能を有する重元素を含有する材料から形成される。ここで、重元素とは、原子番号が20番より大きい元素をいう。
ガンマ線検出部30は、本発明の一形態に係る中性子捕捉療法用ガンマ線検出器100として単独で使用することも可能である。中性子捕捉療法用ガンマ線検出器100の構成はガンマ線検出部30と同様であるので、その説明を省略する。
以上説明したように、中性子捕捉療法システム1では、ガンマ線検出部30は、6リチウムを含有する物質から形成された第1中性子線遮蔽部33と、第1中性子線遮蔽部33よりも外側に設けられ、軽元素から形成された第2中性子線遮蔽部34とを有している。ガンマ線検出部30の放出部31に入射する中性子線Nは第1中性子線遮蔽部33及び第2中性子線遮蔽部34によって遮蔽されるので、放出部31の劣化を抑制することが可能である。また、6リチウムは軽元素に比べて中性子線Nを遮蔽する機能が高いので、放出部31に入射する中性子線Nを確実に遮蔽することが可能となっている。したがって、高強度の中性子場においても、放出部の劣化を抑制し、ガンマ線Gを高精度に検出することが可能である。
また、ガンマ線検出部30は、第1中性子線遮蔽部33と第2中性子線遮蔽部34との間に設けられているガンマ線遮蔽部35を更に有している。これにより、放出部31における増幅部32との隣接面31aと反対側の入射面31b以外の面からガンマ線Gが放出部31に入射することを抑制することができる。また、ガンマ線遮蔽部35が第2中性子線遮蔽部34よりも内側に設けられていることにより、中性子線Nが第2中性子線遮蔽部34に入射することによって発生するガンマ線Gを遮蔽することが可能である。
また、第1中性子線遮蔽部33は、放出部31の面のうち、隣接面31a以外の面を覆うように設けられている。これにより、放出部31に入射する中性子線Nをより確実に遮蔽することが可能である。
また、隣接面31aと反対側の入射面31bを覆う第1中性子線遮蔽部33の厚みは、放出部31の他の面を覆う第1中性子線遮蔽部33の厚みより大きい。入射面31bに入射する中性子線量に比べ、他の面に入射する中性子線量は少ない。したがって、中性子線Nの入射量が少ない放出部31の面を覆う第1中性子線遮蔽部33の厚みを相対的に小さくすることにより、高価な6リチウムの使用量を低減できる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されることなく種々の変形態様を採用可能である。例えば、上記の実施形態では、第1中性子線遮蔽部33は、放出部31の隣接面31a以外の面を覆うように設けられていたが、第1中性子線遮蔽部33の形状は、ガンマ線検出部30が配置される環境及びガンマ線検出部30が配置される方向等に応じて任意に変更可能である。図4は、図1に示す中性子捕捉療法システムの変形例を概略的に示す図である。図4に示すように、中性子捕捉療法システム2は、ガンマ線検出部30に代えて、ガンマ線検出部50を備えている。ガンマ線検出部50は、中性子線生成部10に対して斜めに配置されており、中性子線生成部10に対して反対側に位置する放出部31の側面31cは第1中性子線遮蔽部33によって覆われていない。このような中性子捕捉療法システム2においては、放出部31の側面31c側からの中性子線Nの入射量は他の方向からの入射量より少ないので、放出部31の側面31cは第1中性子線遮蔽部33によって覆われていなくてもよい。これにより、6リチウムの使用量を更に低減することができる。
また、上記の実施形態では放出部31としてシンチレータを用いていたが、放出部31は、放射線が入射することにより電子を放出する半導体素子であってもよい。この場合、増幅部32は、電子を増幅する増幅回路等であってもよい。また、放出部31及び増幅部32は一体に設けられていてもよい。
上記の実施形態では、第2中性子線遮蔽部34は軽元素から形成されていたが、第2中性子線遮蔽部34は、ポリエチレンにフッ化リチウムを含有させた物質から形成されてもよい。また、ポリエチレンに代えて、パラフィン等の水素を含有する樹脂材料を用いてもよい。さらに、第2中性子線遮蔽部34は、ポリエチレン等の水素を含有する樹脂材料とフッ化リチウムとを積層することによって形成されてもよい。この場合、フッ化リチウムは水素に比べて熱中性子を遮蔽する機能が高く、水素はフッ化リチウムに比べて速中性子を遮蔽する機能が高いので、フッ化リチウム層は水素を含有する樹脂材料の層よりも外側に設けられる。これにより、効果的に中性子線Nを遮蔽することが可能である。
また、中性子捕捉療法用ガンマ線検出器100は中性子捕捉療法に限られず、ガンマ線Gの検出全般に使用することができる。
1,2…中性子捕捉療法システム、10…中性子線生成部、11…加速器、12…負イオン源、13…ビーム輸送部、13A…ビームダクト、13B…四極電磁石、13C…電流モニタ、13D…走査電磁石、14…中性子線照射部、14A…ターゲット、14B…減速材、14C…遮蔽体、14D…コリメータ、14a…開口、20…被照射体載置部、30,50…ガンマ線検出部、31…放出部、31a…隣接面、31b…入射面、31c,31d,31e,31f…側面、32…増幅部、32a…入射窓、33…第1中性子線遮蔽部、34…第2中性子線遮蔽部、35…ガンマ線遮蔽部、36…ガンマ線検出用コリメータ、40…制御部、50…ガンマ線検出部、100…中性子捕捉療法用ガンマ線検出器、G…ガンマ線、H…患者(被照射体)、N…中性子線、P…荷電粒子線。

Claims (5)

  1. 中性子線を発生させる中性子線生成部と、
    前記中性子線が照射される被照射体を載置する被照射体載置部と、
    前記中性子線が照射されることにより、前記被照射体から放出されたガンマ線を検出するガンマ線検出部と、を備え、
    前記ガンマ線検出部は、
    前記ガンマ線が入射することにより光又は電子を放出する放出部と、
    前記放出部に隣接して設けられており、前記放出部から放出された前記光又は前記電子を増幅して出力する増幅部と、
    6リチウムを含有する物質から形成されている第1中性子線遮蔽部と、
    前記第1中性子線遮蔽部よりも外側に設けられており、軽元素から形成されている第2中性子線遮蔽部と、を有し、
    前記第1中性子線遮蔽部は、少なくとも前記放出部の面のうち、前記増幅部との隣接面と反対側の面を覆うように設けられている、中性子捕捉療法システム。
  2. 前記ガンマ線検出部は、前記第1中性子線遮蔽部と前記第2中性子線遮蔽部との間に設けられているガンマ線遮蔽部を更に有する、請求項1に記載の中性子捕捉療法システム。
  3. 前記第1中性子線遮蔽部は、前記放出部の面のうち、前記隣接面以外の面を覆うように設けられている、請求項1又は2に記載の中性子捕捉療法システム。
  4. 前記反対側の面を覆う前記第1中性子線遮蔽部の厚みは、前記放出部の他の面を覆う前記第1中性子線遮蔽部の厚みより大きい、請求項3に記載の中性子捕捉療法システム。
  5. ガンマ線が入射することにより光又は電子を放出する放出部と、
    前記放出部に隣接して設けられており、前記放出部から放出された前記光又は前記電子を増幅して出力する増幅部と、
    6リチウムを含有する物質から形成された第1中性子線遮蔽部と、
    前記第1中性子線遮蔽部よりも外側に設けられており、軽元素から形成された第2中性子線遮蔽部と、を備え、
    前記第1中性子線遮蔽部は、少なくとも前記放出部の面のうち、前記増幅部との隣接面と反対側の面を覆うように設けられている、中性子捕捉療法用ガンマ線検出器。
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