JP2018166177A

JP2018166177A - Wafer processing system

Info

Publication number: JP2018166177A
Application number: JP2017063637A
Authority: JP
Inventors: レンチェユー; Ren Che Yuu
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2017-03-28
Filing date: 2017-03-28
Publication date: 2018-10-25
Anticipated expiration: 2037-03-28
Also published as: JP6877207B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer processing system in which a necessary time for wafer conveyance can be suppressed.SOLUTION: A wafer processing system 1 includes: a grinding device 10; a laser beam machining device 20; a tape adhesion device 30; a first cassette placing part 40 on which a first cassette 41 is placed and held; a second cassette placing part 50 on which a second cassette 51 is placed and held; a conveyance unit 60; and a control unit 100. The conveyance unit 60 conveys a wafer 201 to the grinding device 10 from the first cassette 41, conveys the wafer 201 to the laser beam machining device 20 after grinding in the grinding device 10, conveys the wafer 201 to the tape adhesion device 30 from the laser beam machining device 20 after laser marking in the laser beam machining device 20, and conveys the wafer 201 to the second cassette 51 from the tape adhesion device 30 after a dicing tape 209 is adhered to a rear surface of the wafer 201 and an annular frame 210 is fixed to an outer peripheral edge of a dicing tape 209 in the tape adhesion device 30.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、ウエーハ加工システムに関する。 The present invention relates to a wafer processing system.

分割予定ラインに区画された半導体デバイスや光デバイスが形成されたウエーハの加工方法として、研削装置による薄化（例えば、特許文献１参照）やテープ貼着装置によるテープの貼り替え加工（保護テープの剥離及びダイシングテープによるフレーム固定、例えば、特許文献２参照）が知られている。また、特許文献１に示すウエーハの薄化後、ウエーハの表面にダイシングテープを貼着する前に、ウエーハの表面にレーザーマーキング装置によりウエーハの識別情報等をレーザーマーキングすることがある（例えば、特許文献３参照）。 As a method for processing a wafer on which semiconductor devices or optical devices divided into division lines are formed, thinning by a grinding device (see, for example, Patent Document 1) or tape reworking by a tape attaching device (protective tape A method of peeling and fixing with a dicing tape, for example, see Patent Document 2) is known. Further, after thinning the wafer shown in Patent Document 1, before the dicing tape is stuck on the surface of the wafer, the wafer identification information may be laser-marked on the wafer surface by a laser marking device (for example, patents). Reference 3).

特開２０１１−０９１２９３号公報JP 2011-091293 A 特開２００６−４４１５２号公報JP 2006-44152 A 特開２００６−７４２１７号公報JP 2006-74217 A

特許文献１に示された研削装置、特許文献２に示されたテープ貼着装置及び特許文献３に示されたレーザーマーキング装置がそれぞれ個別独立した装置である場合、これら３つの装置間をウエーハを搬送する際に、ウエーハを収容したカセットをオペレータが搬送している。このために、ウエーハの搬送に時間を要していた。また、カセットに収容されたウエーハは、特に薄化された後は非常に脆い状態であるため、搬送中の破損リスクが大きく、搬送に用いるカセットが同じ形状を有しているので、誤った装置にウエーハを搬送してしまう恐れがある。 When the grinding device shown in Patent Document 1, the tape sticking device shown in Patent Document 2, and the laser marking device shown in Patent Document 3 are independent devices, a wafer is interposed between these three devices. When transporting, an operator transports a cassette containing a wafer. For this reason, it takes time to transport the wafer. Also, since the wafers contained in the cassette are in a very fragile state after being thinned, there is a high risk of breakage during transportation, and the cassette used for transportation has the same shape. There is a risk that the wafer will be transported.

本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、搬送に係る所要時間の抑制することができるウエーハ加工システムを提供する。 The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a wafer processing system capable of suppressing the time required for conveyance.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハ加工システムは、交差する複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウエーハに加工を施すウエーハ加工システムであって、ウエーハの裏面を研削しウエーハを薄化する研削ユニットを備える研削装置と、ウエーハにレーザー光線を照射して、ウエーハのデバイスが形成されていない領域にレーザーマーキングするレーザー光線照射ユニットを備えるレーザー加工装置と、研削装置で研削されたウエーハの裏面にダイシングテープを貼着するとともに、該ダイシングテープの外周縁に環状フレームを固定するフレームユニット形成手段と、ウエーハの表面に貼着された保護テープを剥離する剥離手段とを備えるテープ貼着装置と、表面に該保護テープが貼着されたウエーハを複数収容する第１のカセットを載置する第１のカセット載置部と、該ダイシングテープで該環状フレームの開口に支持されたウエーハを複数収容する第２のカセットを載置する第２のカセット載置部と、搬送ユニットと、各構成要素を制御する制御手段と、を含み、該搬送ユニットは、第１のカセットから該研削装置にウエーハを搬送し、該研削装置にて研削後該研削装置から該レーザー加工装置に該ウエーハを搬送し、該レーザー加工装置にてレーザーマーキングした後該レーザー加工装置から該テープ貼着装置に該ウエーハを搬送し、該テープ貼着装置にて該ウエーハの裏面に該ダイシングテープを貼着するとともに該ダイシングテープの外周縁に該環状フレームを固定した後該テープ貼着装置から第２のカセットに該ウエーハを搬送することを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a wafer processing system according to the present invention processes a wafer having a surface on which devices are formed in a plurality of regions defined by a plurality of intersecting division lines. A wafer processing system, a grinding apparatus having a grinding unit for grinding a back surface of a wafer and thinning the wafer, and a laser beam irradiation unit for irradiating the wafer with a laser beam and laser-marking an area where the wafer device is not formed A dicing tape is attached to the back surface of the wafer ground by the grinding device, a frame unit forming means for fixing an annular frame to the outer peripheral edge of the dicing tape, and an affixed to the surface of the wafer. Tape sticking device comprising peeling means for peeling off the protective tape A first cassette mounting portion for mounting a first cassette for storing a plurality of wafers having the protective tape attached to the surface; and a plurality of wafers supported by the opening of the annular frame by the dicing tape. A second cassette placing section for placing the second cassette to be carried, a transport unit, and a control means for controlling each component, and the transport unit transfers the wafer from the first cassette to the grinding apparatus. The wafer is transferred from the grinding device to the laser processing device after being ground by the grinding device, and after the laser marking is performed by the laser processing device, the wafer is transferred from the laser processing device to the tape sticking device. The dicing tape is adhered to the back surface of the wafer with the tape adhering device and the annular frame is fixed to the outer peripheral edge of the dicing tape. From the device to the second cassette, characterized in that for conveying the wafer.

また、前記ウエーハ加工システムにおいて、前記レーザー加工装置は、前記ウエーハの裏面にレーザーマーキングしても良い。 In the wafer processing system, the laser processing apparatus may perform laser marking on the back surface of the wafer.

本願発明のウエーハ加工システムは、搬送に係る所要時間の抑制することができるという効果を奏する。 The wafer processing system according to the present invention has an effect of reducing the time required for conveyance.

図１は、実施形態１に係るウエーハ加工システムの構成例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration example of a wafer processing system according to the first embodiment. 図２は、実施形態１に係るウエーハ加工システムの概略の構成を平面図である。FIG. 2 is a plan view of a schematic configuration of the wafer processing system according to the first embodiment. 図３は、図１に示されたウエーハ加工システムの加工対象のウエーハの一例を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing an example of a wafer to be processed by the wafer processing system shown in FIG. 図４は、図１に示されたウエーハ加工システムの研削装置により研削される状態のウエーハの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of the wafer in a state of being ground by the grinding device of the wafer processing system shown in FIG. 図５は、図１に示されたウエーハ加工システムの研削装置の研削ユニットの要部を示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing the main part of the grinding unit of the grinding apparatus of the wafer processing system shown in FIG. 図６は、図１に示されたウエーハ加工システムの研削装置の洗浄ユニットの要部を示す側面図である。FIG. 6 is a side view showing the main part of the cleaning unit of the grinding apparatus of the wafer processing system shown in FIG. 図７は、図６に示された洗浄ユニットの変形例の要部を示す側面図である。FIG. 7 is a side view showing a main part of a modification of the cleaning unit shown in FIG. 図８は、図１に示されたウエーハ加工システムのレーザー加工装置を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a laser processing apparatus of the wafer processing system shown in FIG. 図９は、図１に示されたウエーハ加工システムのテープ貼着装置がウエーハの裏面にダイシングテープを貼着し保護テープを剥離する状態を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a state where the tape applicator of the wafer processing system shown in FIG. 1 attaches a dicing tape to the back surface of the wafer and peels off the protective tape. 図１０は、図１に示されたウエーハ加工システムのテープ貼着装置により環状フレームが固定されたウエーハの斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of the wafer in which the annular frame is fixed by the tape sticking device of the wafer processing system shown in FIG. 図１１は、図１に示されたウエーハ加工システムの搬送ユニットの装置間搬送ユニットの一例を模式的に示す側面図である。FIG. 11 is a side view schematically showing an example of the inter-device transfer unit of the transfer unit of the wafer processing system shown in FIG. 図１２は、実施形態２に係るウエーハ加工システムの概略の構成を平面図である。FIG. 12 is a plan view of a schematic configuration of the wafer processing system according to the second embodiment. 図１３は、実施形態３に係るウエーハ加工システムの概略の構成を平面図である。FIG. 13 is a plan view of a schematic configuration of a wafer processing system according to the third embodiment.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the structures described below can be combined as appropriate. Various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウエーハ加工システムを図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウエーハ加工システムの構成例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るウエーハ加工システムの概略の構成を平面図である。図３は、図１に示されたウエーハ加工システムの加工対象のウエーハの一例を示す斜視図である。 Embodiment 1
A wafer processing system according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration example of a wafer processing system according to the first embodiment. FIG. 2 is a plan view of a schematic configuration of the wafer processing system according to the first embodiment. FIG. 3 is a perspective view showing an example of a wafer to be processed by the wafer processing system shown in FIG.

なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内のＸ軸と平行な方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸と直交するＹ軸と平行な方向をＹ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸のそれぞれと直交するＺ軸と平行な方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸及びＹ軸を含むＸＹ平面は、水平面と平行である。ＸＹ平面と直交するＺ軸方向は、鉛直方向である。 In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each part will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. The direction parallel to the X-axis in the horizontal plane is the X-axis direction, the direction parallel to the Y-axis orthogonal to the X-axis in the horizontal plane is the Y-axis direction, and the direction parallel to the Z-axis orthogonal to each of the X-axis and Y-axis The Z axis direction. An XY plane including the X axis and the Y axis is parallel to the horizontal plane. The Z-axis direction orthogonal to the XY plane is the vertical direction.

［ウエーハ加工システム］
図１及び図２に示す実施形態１に係るウエーハ加工システム１は、図３に示すウエーハ２０１に加工を施す。ウエーハ２０１は、実施形態１ではシリコン、サファイア、ガリウムヒ素、ＬＴ（ＬｉＴａＯ_３：タンタル酸リチウム）、又はＬＮ（ＬｉＮｂＯ_３：ニオブ酸リチウム）などを基板２０２とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ２０１は、図３に示すように、交差する複数の分割予定ライン２０３によって区画された複数の領域にデバイス２０４が形成された表面２０５を備える。ウエーハ２０１は、表面２０５の裏側の裏面２０６が研削されて薄化された後、分割予定ライン２０３に沿って分割されることにより、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）のようなデバイスチップに分割される。 [Wafer processing system]
The wafer processing system 1 according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 performs processing on the wafer 201 shown in FIG. In the first embodiment, the wafer 201 is a disk-shaped semiconductor wafer or optical device having the substrate 202 made of silicon, sapphire, gallium arsenide, LT (LiTaO ₃ : lithium tantalate), LN (LiNbO ₃ : lithium niobate), or the like. It is a wafer. As shown in FIG. 3, the wafer 201 includes a surface 205 on which a device 204 is formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of intersecting scheduled lines 203. The wafer 201 is a device such as an IC (Integrated Circuit) or an LSI (Large Scale Integration), after the back surface 206 on the back side of the front surface 205 is ground and thinned, and then is divided along a division line 203. Divided into chips.

ウエーハ加工システム１は、図１及び図２に示すように、研削装置１０と、レーザー加工装置２０（図２に示す）と、テープ貼着装置３０と、第１のカセット載置部４０と、第２のカセット載置部５０と、搬送ユニット６０と、制御手段である制御ユニット１００とを含む。研削装置１０と、テープ貼着装置３０と、搬送ユニット６０は、それぞれ、装置本体を収容するチャンバ２，３，４を備えている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the wafer processing system 1 includes a grinding device 10, a laser processing device 20 (shown in FIG. 2), a tape sticking device 30, a first cassette mounting unit 40, It includes a second cassette placement unit 50, a transport unit 60, and a control unit 100 that is a control means. The grinding device 10, the tape sticking device 30, and the transport unit 60 are respectively provided with chambers 2, 3, and 4 that house the device main body.

（研削装置）
図４は、図１に示されたウエーハ加工システムの研削装置により研削される状態のウエーハの斜視図である。図５は、図１に示されたウエーハ加工システムの研削装置の研削ユニットの要部を示す側面図である。図６は、図１に示されたウエーハ加工システムの研削装置の洗浄ユニットの要部を示す側面図である。図７は、図６に示された洗浄ユニットの変形例の要部を示す側面図である。 (Grinding device)
FIG. 4 is a perspective view of the wafer in a state of being ground by the grinding device of the wafer processing system shown in FIG. FIG. 5 is a side view showing the main part of the grinding unit of the grinding apparatus of the wafer processing system shown in FIG. FIG. 6 is a side view showing the main part of the cleaning unit of the grinding apparatus of the wafer processing system shown in FIG. FIG. 7 is a side view showing a main part of a modification of the cleaning unit shown in FIG.

研削装置１０は、図２に示すように、ウエーハ２０１の裏面２０６を研削し、ウエーハ２０１を薄化する研削ユニット１１を備える。また、研削装置１０は、ウエーハ２０１を着脱可能に保持するチャックテーブル１２と、チャックテーブル１２を移動するターンテーブル１３と、ウエーハ２０１を位置合わせする位置合わせユニット１４と、ウエーハ２０１を洗浄する洗浄ユニット１５と、ウエーハ２０１を一時的に保持する仮置き部１６と、ウエーハ２０１を搬送する搬送部１７とを有する。 As shown in FIG. 2, the grinding apparatus 10 includes a grinding unit 11 that grinds the back surface 206 of the wafer 201 and thins the wafer 201. Further, the grinding apparatus 10 includes a chuck table 12 that detachably holds the wafer 201, a turntable 13 that moves the chuck table 12, an alignment unit 14 that aligns the wafer 201, and a cleaning unit that cleans the wafer 201. 15, a temporary placement unit 16 that temporarily holds the wafer 201, and a transport unit 17 that transports the wafer 201.

研削ユニット１１は、チャックテーブル１２に保持されているウエーハ２０１を研削する。研削ユニット１１は、図４に示す表面２０５に保護テープ２０７が貼着されたウエーハ２０１の裏面２０６を研削してウエーハを薄化する。本実施形態において、研削ユニット１１は、２つ設けられる。 The grinding unit 11 grinds the wafer 201 held on the chuck table 12. The grinding unit 11 thins the wafer by grinding the back surface 206 of the wafer 201 having the protective tape 207 adhered to the front surface 205 shown in FIG. In the present embodiment, two grinding units 11 are provided.

研削ユニット１１は、図５に示すように、スピンドルハウジング１１１と、スピンドルハウジング１１１に回転可能に支持されるスピンドル１１２と、スピンドル１１２の下端部に設けられＺ軸と平行な回転軸を中心に回転可能な研削ホイール１１３と、研削ホイール１１３を回転させるための動力を発生するアクチュエータ１１４（図２に示す）とを有する。研削ホイール１１３の下面に研削砥石１１５が配置される。研削砥石１１５は、チャックテーブル１２に保持されているウエーハ２０１の裏面２０６と対向可能である。スピンドルハウジング１１１は、図２に示す支持機構１１６に支持される。支持機構１１６は、スピンドルハウジング１１１をＺ軸方向に移動可能に支持する。なお、実施形態において、２つの研削ユニット１１のうちの一方は、研削ホイール１１３の研削砥石１１５が粗研削用の砥石である粗研削用の研削ユニットであり、他方は、研削ホイール１１３の研削砥石１１５が仕上げ研削用の砥石である仕上げ研削用の研削ユニットである。 As shown in FIG. 5, the grinding unit 11 rotates around a spindle housing 111, a spindle 112 rotatably supported by the spindle housing 111, and a rotation axis provided at the lower end of the spindle 112 and parallel to the Z axis. It has a possible grinding wheel 113 and an actuator 114 (shown in FIG. 2) that generates the power to rotate the grinding wheel 113. A grinding wheel 115 is disposed on the lower surface of the grinding wheel 113. The grinding wheel 115 can face the back surface 206 of the wafer 201 held on the chuck table 12. The spindle housing 111 is supported by a support mechanism 116 shown in FIG. The support mechanism 116 supports the spindle housing 111 so as to be movable in the Z-axis direction. In the embodiment, one of the two grinding units 11 is a grinding unit for rough grinding in which the grinding wheel 115 of the grinding wheel 113 is a grinding wheel for rough grinding, and the other is a grinding wheel for the grinding wheel 113. Reference numeral 115 denotes a grinding unit for finish grinding, which is a grindstone for finish grinding.

チャックテーブル１２は、真空チャック機構を含み、ウエーハ２０１を着脱可能に保持する。ウエーハ２０１を保持するチャックテーブル１２の保持面１２１は、ＸＹ平面と実質的に平行である。チャックテーブル１２は、アクチュエータの作動により、Ｚ軸と平行なテーブル回転軸を中心に回転可能である。 The chuck table 12 includes a vacuum chuck mechanism and holds the wafer 201 in a detachable manner. The holding surface 121 of the chuck table 12 that holds the wafer 201 is substantially parallel to the XY plane. The chuck table 12 can be rotated around a table rotation axis parallel to the Z axis by the operation of the actuator.

チャックテーブル１２は、表面２０５に保護テープ２０７が貼着されたウエーハ２０１を保持する。チャックテーブル１２は、保持面１２１上にウエーハ２０１の表面２０５を保護テープ２０７を介して載置し、ウエーハ２０１の裏面２０６が上方を向くように、ウエーハ２０１を保持する。チャックテーブル１２は、保護テープ２０７を介して、ウエーハ２０１を保持する。チャックテーブル１２は、研削ユニット１１の直下の研削位置に移動可能である。実施形態１において、チャックテーブル１２は、３つ設けられる。 The chuck table 12 holds a wafer 201 having a protective tape 207 attached to a surface 205. The chuck table 12 places the front surface 205 of the wafer 201 on the holding surface 121 via the protective tape 207, and holds the wafer 201 so that the back surface 206 of the wafer 201 faces upward. The chuck table 12 holds the wafer 201 via the protective tape 207. The chuck table 12 can be moved to a grinding position directly below the grinding unit 11. In the first embodiment, three chuck tables 12 are provided.

ターンテーブル１３は、複数のチャックテーブル１２を支持する。ターンテーブル１３は、アクチュエータの作動により、Ｚ軸と平行なターン回転軸を中心に所定の角度（例えば１２０［°］）で間欠的に回転する。ターンテーブル１３が回転することにより、ターンテーブル１３に支持されているチャックテーブル１２が研削位置に移動する。実施形態１においては、３つのチャックテーブル１２のうち２つのチャックテーブル１２が、２つの研削ユニット１１の直下の研削位置のそれぞれに配置されるように、研削ユニット１１とチャックテーブル１２との相対位置が定められている。また、２つのチャックテーブル１２が研削位置に配置されている状態で、１つのチャックテーブル１２は、ウエーハ２０１の搬入及び搬出が実施される搬出入位置に配置される。 The turntable 13 supports a plurality of chuck tables 12. The turntable 13 rotates intermittently at a predetermined angle (for example, 120 [°]) around a turn rotation axis parallel to the Z axis by the operation of the actuator. As the turntable 13 rotates, the chuck table 12 supported by the turntable 13 moves to the grinding position. In the first embodiment, the relative position between the grinding unit 11 and the chuck table 12 so that two of the three chuck tables 12 are arranged at the respective grinding positions immediately below the two grinding units 11. Is stipulated. In addition, in a state where the two chuck tables 12 are disposed at the grinding position, the one chuck table 12 is disposed at a loading / unloading position where the wafer 201 is loaded and unloaded.

位置合わせユニット１４は、ウエーハ２０１が仮置きされて、その中心位置合わせを行うためのテーブルである。位置合わせユニット１４は、チャックテーブル１２に搬入される前のウエーハ２０１が搬送ユニット６０により載置される。搬送ユニット６０によって位置合わせユニット１４に搬入されたウエーハ２０１は、位置合わせユニット１４で位置合わせがされた後、チャックテーブル１２に搬入される。 The alignment unit 14 is a table on which the wafer 201 is temporarily placed and the center alignment is performed. In the alignment unit 14, the wafer 201 before being carried into the chuck table 12 is placed by the conveyance unit 60. The wafer 201 carried into the alignment unit 14 by the transport unit 60 is aligned by the alignment unit 14 and then carried into the chuck table 12.

洗浄ユニット１５は、チャックテーブル１２から搬出されたウエーハ２０１を洗浄する。洗浄ユニット１５は、図６に示すように、ウエーハ２０１を保持し、かつＺ軸方向と平行な軸心回りに回転されるスピンナーテーブル１５１と、スピンナーテーブル１５１に保持さたウエーハ２０１に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル１５２と、スピンナーテーブル１５１及び洗浄液供給ノズル１５２を収容する洗浄チャンバ１５３とを備える。 The cleaning unit 15 cleans the wafer 201 carried out from the chuck table 12. As shown in FIG. 6, the cleaning unit 15 holds the wafer 201 and supplies the cleaning liquid to the spinner table 151 rotated around the axis parallel to the Z-axis direction and the wafer 201 held on the spinner table 151. And a cleaning chamber 153 for accommodating the spinner table 151 and the cleaning liquid supply nozzle 152.

スピンナーテーブル１５１は、真空チャック機構を含み、ウエーハ２０１を着脱可能に保持する。ウエーハ２０１を保持するスピンナーテーブル１５１の保持面１５４は、ＸＹ平面と実質的に平行である。洗浄液供給ノズル１５２は、洗浄液１５５を噴出するノズル１５６がスピンナーテーブル１５１に保持されたウエーハ２０１の裏面２０６と対向する図６に示す位置と、裏面２０６上から退避する位置とに亘って揺動自在である。洗浄ユニット１５は、スピンナーテーブル１５１に保護テープ２０７を介してウエーハ２０１の表面２０５を保持し、スピンナーテーブル１５１を軸心回りに回転させながら洗浄液供給ノズル１５２からウエーハ２０１の裏面２０６に洗浄液１５５を供給して、ウエーハ２０１を洗浄する。 The spinner table 151 includes a vacuum chuck mechanism and holds the wafer 201 in a detachable manner. The holding surface 154 of the spinner table 151 that holds the wafer 201 is substantially parallel to the XY plane. The cleaning liquid supply nozzle 152 is swingable between a position shown in FIG. 6 where the nozzle 156 for ejecting the cleaning liquid 155 faces the back surface 206 of the wafer 201 held by the spinner table 151 and a position where the cleaning liquid supply nozzle 152 is retracted from the back surface 206. It is. The cleaning unit 15 holds the front surface 205 of the wafer 201 on the spinner table 151 via the protective tape 207, and supplies the cleaning liquid 155 from the cleaning liquid supply nozzle 152 to the back surface 206 of the wafer 201 while rotating the spinner table 151 around the axis. Then, the wafer 201 is cleaned.

仮置き部１６は、チャックテーブル１２から搬出されかつ洗浄ユニット１５に洗浄された後のウエーハ２０１を一時的に保持する。仮置き部１６は、真空チャック機構を含み、ウエーハ２０１を着脱可能に保持する。研削が終了しチャックテーブル１２から搬出されたウエーハ２０１は、洗浄ユニット１５を経て、仮置き部１６に載置された後、搬送ユニット６０によって研削装置１０から搬出される。 The temporary placement unit 16 temporarily holds the wafer 201 after being unloaded from the chuck table 12 and cleaned by the cleaning unit 15. The temporary placement unit 16 includes a vacuum chuck mechanism, and holds the wafer 201 in a detachable manner. After the grinding and the wafer 201 carried out from the chuck table 12 are placed on the temporary placement unit 16 through the cleaning unit 15, the wafer 201 is carried out from the grinding apparatus 10 by the transport unit 60.

搬送部１７は、位置合わせユニット１４と搬出入位置のチャックテーブル１２との間でウエーハ２０１を搬送する第１搬送アーム１７１と、搬出入位置のチャックテーブル１２と洗浄ユニット１５との間及び洗浄ユニット１５と仮置き部１６との間でウエーハ２０１を搬送する第２搬送アーム１７２とを有する。第１搬送アーム１７１の先端部及び第２搬送アーム１７２の先端部のそれぞれにウエーハ２０１を吸着保持する吸着パッドが設けられる。第１搬送アーム１７１は、位置合わせユニット１４からウエーハ２０１を搬出して、チャックテーブル１２に搬入する。第２搬送アーム１７２は、チャックテーブル１２からウエーハ２０１を搬出して、洗浄ユニット１５に搬入するとともに、洗浄ユニット１５で洗浄されたウエーハ２０１を仮置き部１６に載置する。こうして、第２搬送アーム１７２は、研削装置１０にて研削後、研削装置１０からレーザー加工装置２０にウエーハ２０１を搬送する。 The transport unit 17 includes a first transport arm 171 that transports the wafer 201 between the alignment unit 14 and the chuck table 12 at the loading / unloading position, and between the chuck table 12 and the cleaning unit 15 at the loading / unloading position and the cleaning unit. And a second transfer arm 172 that transfers the wafer 201 between the temporary storage unit 15 and the temporary storage unit 16. A suction pad for sucking and holding the wafer 201 is provided on each of the front end portion of the first transfer arm 171 and the front end portion of the second transfer arm 172. The first transfer arm 171 unloads the wafer 201 from the alignment unit 14 and loads it into the chuck table 12. The second transport arm 172 unloads the wafer 201 from the chuck table 12 and loads it into the cleaning unit 15, and places the wafer 201 cleaned by the cleaning unit 15 on the temporary placement unit 16. Thus, the second transport arm 172 transports the wafer 201 from the grinding device 10 to the laser processing device 20 after being ground by the grinding device 10.

（レーザー加工装置）
図８は、図１に示されたウエーハ加工システムのレーザー加工装置を示す図である。レーザー加工装置２０は、ウエーハ２０１の裏面２０６のデバイス２０４が形成されていない領域である図４に示す外周余剰領域２０８にレーザーマーキングするレーザー光線照射ユニット２１を備える。また、レーザー加工装置２０は、レーザー光線照射ユニット２１をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる図示しない移動ユニットを備える。 (Laser processing equipment)
FIG. 8 is a diagram showing a laser processing apparatus of the wafer processing system shown in FIG. The laser processing apparatus 20 includes a laser beam irradiation unit 21 that performs laser marking on an outer peripheral surplus area 208 shown in FIG. 4 that is an area where the device 204 on the back surface 206 of the wafer 201 is not formed. The laser processing apparatus 20 includes a moving unit (not shown) that moves the laser beam irradiation unit 21 in the X-axis direction and the Y-axis direction.

レーザー加工装置２０は、研削装置１０の研削ユニット１１により研削され且つテープ貼着装置３０によりダイシングテープ２０９（図９に示す）が貼着される前にウエーハ２０１をレーザーマーキングする装置である。実施形態１において、レーザー加工装置２０は、研削装置１０の研削ユニット１１により研削され且つ洗浄ユニット１５により洗浄される直前のウエーハ２０１をレーザーマーキングする。 The laser processing apparatus 20 is an apparatus that performs laser marking on the wafer 201 before being ground by the grinding unit 11 of the grinding apparatus 10 and the dicing tape 209 (shown in FIG. 9) being pasted by the tape sticking apparatus 30. In the first embodiment, the laser processing apparatus 20 performs laser marking on the wafer 201 immediately before being ground by the grinding unit 11 of the grinding apparatus 10 and cleaned by the cleaning unit 15.

レーザー加工装置２０のレーザー光線照射ユニット２１は、洗浄ユニット１５の上方に配置されている。実施形態１において、レーザー光線照射ユニット２１は、洗浄ユニット１５のスピンナーテーブル１５１の保持面１５４の３０ｃｍ程度上方に配置されている。 The laser beam irradiation unit 21 of the laser processing apparatus 20 is disposed above the cleaning unit 15. In the first embodiment, the laser beam irradiation unit 21 is disposed about 30 cm above the holding surface 154 of the spinner table 151 of the cleaning unit 15.

レーザー光線照射ユニット２１は、移動ユニットなどにより洗浄ユニット１５のスピンナーテーブル１５１に保持されたウエーハ２０１の裏面２０６と対向する図８に示す位置と、裏面２０６上から退避する位置とに亘って揺動自在である。レーザー光線照射ユニット２１は、レーザー発振器で生成されたレーザー光線２２をレンズで集光して、スピンナーテーブル１５１に保持されたウエーハ２０１に照射する。レーザー光線照射ユニット２１は、移動ユニットによりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動されながらウエーハ２０１に対して吸収性を有するレーザー光線２２を照射し、裏面２０６の外周余剰領域２０８の表層にアブレーション加工を施して、レーザーマーキングする。実施形態１において、レーザー光線照射ユニット２１は、ウエーハ２０１の品番、ロッド、及びロッド内の識別番号等を示す文字列を裏面２０６の外周余剰領域２０８に形成して、レーザーマーキングする。 The laser beam irradiation unit 21 can swing between a position shown in FIG. 8 facing the back surface 206 of the wafer 201 held on the spinner table 151 of the cleaning unit 15 and a position retracted from the back surface 206 by a moving unit or the like. It is. The laser beam irradiation unit 21 condenses the laser beam 22 generated by the laser oscillator with a lens and irradiates the wafer 201 held on the spinner table 151. The laser beam irradiation unit 21 irradiates the wafer 201 with an absorptive laser beam 22 while being moved in the X-axis direction and the Y-axis direction by the moving unit, and performs ablation processing on the surface layer of the outer peripheral surplus area 208 of the back surface 206. Laser marking. In the first embodiment, the laser beam irradiation unit 21 forms a character string indicating the product number of the wafer 201, a rod, an identification number in the rod, and the like in the outer peripheral surplus area 208 of the back surface 206, and performs laser marking.

（テープ貼着装置）
図９は、図１に示されたウエーハ加工システムのテープ貼着装置がウエーハの裏面にダイシングテープを貼着し保護テープを剥離する状態を示す斜視図である。図１０は、図１に示されたウエーハ加工システムのテープ貼着装置により環状フレームが固定されたウエーハの斜視図である。 (Tape sticking device)
FIG. 9 is a perspective view showing a state where the tape applicator of the wafer processing system shown in FIG. 1 attaches a dicing tape to the back surface of the wafer and peels off the protective tape. FIG. 10 is a perspective view of the wafer in which the annular frame is fixed by the tape sticking device of the wafer processing system shown in FIG.

テープ貼着装置３０は、図９に示すように、研削装置１０で研削されたウエーハ２０１の裏面２０６にダイシングテープ２０９を貼着するとともに、ダイシングテープ２０９の外周縁に環状フレーム２１０を固定し、表面２０５から保護テープ２０７を剥離する装置である。テープ貼着装置３０は、図２に示すように、ウエーハ２０１を一時的に保持する仮置き部３１と、ウエーハ２０１のアライメントを実施するアライメント部３２と、フレームユニット形成手段３３と、剥離手段３４と、搬出されるウエーハ２０１を一時的に保持する搬出仮置き部３５とを有する。 As shown in FIG. 9, the tape sticking device 30 sticks the dicing tape 209 to the back surface 206 of the wafer 201 ground by the grinding device 10, and fixes the annular frame 210 to the outer peripheral edge of the dicing tape 209, An apparatus for peeling the protective tape 207 from the surface 205. As shown in FIG. 2, the tape adhering device 30 includes a temporary placement unit 31 that temporarily holds the wafer 201, an alignment unit 32 that performs alignment of the wafer 201, a frame unit forming unit 33, and a peeling unit 34. And a carry-out temporary storage unit 35 that temporarily holds the wafer 201 to be carried out.

仮置き部３１は、フレームユニット形成手段３３に搬入される前のウエーハ２０１を一時的に保持する。仮置き部３１は、真空チャック機構を含み、ウエーハ２０１を着脱可能に保持する。搬送ユニット６０によってテープ貼着装置３０に搬入されたウエーハ２０１は、仮置き部３１に載置された後、アライメント部３２を経て、フレームユニット形成手段３３及び剥離手段３４に搬送される。 The temporary placement unit 31 temporarily holds the wafer 201 before being carried into the frame unit forming unit 33. The temporary placement unit 31 includes a vacuum chuck mechanism and holds the wafer 201 in a detachable manner. The wafer 201 carried into the tape sticking device 30 by the transport unit 60 is placed on the temporary placement unit 31, and then transported to the frame unit forming unit 33 and the peeling unit 34 through the alignment unit 32.

アライメント部３２は、環状フレーム２１０に対するウエーハ２０１の位置合わせを実施する。アライメント部３２は、ウエーハ２０１が載置されるアライメントテーブル３２１と、アライメントテーブル３２１に載置されたウエーハ２０１の中心位置を規定位置に合わせるための図示しない複数のアライメントピンとを有する。アライメントピンがウエーハ２０１の半径方向に移動して、ウエーハ２０１の位置合わせを実施する。 The alignment unit 32 performs alignment of the wafer 201 with respect to the annular frame 210. The alignment unit 32 includes an alignment table 321 on which the wafer 201 is placed, and a plurality of alignment pins (not shown) for aligning the center position of the wafer 201 placed on the alignment table 321 with a specified position. The alignment pins are moved in the radial direction of the wafer 201 to align the wafer 201.

フレームユニット形成手段３３は、研削装置１０で研削されたウエーハ２０１の裏面２０６にダイシングテープ２０９を貼着するとともに、ダイシングテープ２０９の外周縁に環状フレーム２１０を固定する。フレームユニット形成手段３３は、ウエーハ２０１の周囲に環状フレーム２１０が配置された状態で、ウエーハ２０１の裏面２０６及び環状フレーム２１０にダイシングテープ２０９を貼着し、ダイシングテープ２０９を環状フレーム２１０に沿ってカットする。これにより、ダイシングテープ２０９の外周縁に環状フレーム２１０が固定される。ウエーハ２０１は、ダイシングテープ２０９を介して環状フレーム２１０に支持される。 The frame unit forming means 33 attaches the dicing tape 209 to the back surface 206 of the wafer 201 ground by the grinding apparatus 10 and fixes the annular frame 210 to the outer peripheral edge of the dicing tape 209. The frame unit forming means 33 attaches the dicing tape 209 to the back surface 206 and the annular frame 210 of the wafer 201 in a state where the annular frame 210 is disposed around the wafer 201, and the dicing tape 209 is attached along the annular frame 210. Cut. Thereby, the annular frame 210 is fixed to the outer peripheral edge of the dicing tape 209. The wafer 201 is supported by the annular frame 210 via a dicing tape 209.

剥離手段３４は、ウエーハ２０１の表面２０５に貼着された保護テープ２０７を剥離する。フレームユニット形成手段３３においてダイシングテープ２０９を介して環状フレーム２１０に支持され、剥離手段３４において保護テープ２０７が剥離されたウエーハ２０１は、搬出仮置き部３５に搬送される。 The peeling means 34 peels off the protective tape 207 attached to the surface 205 of the wafer 201. The wafer 201, which is supported by the annular frame 210 via the dicing tape 209 in the frame unit forming means 33 and from which the protective tape 207 has been peeled off by the peeling means 34, is conveyed to the carry-out temporary storage section 35.

搬出仮置き部３５は、剥離手段３４により保護テープ２０７が剥離されたウエーハ２０１を一時的に保持する。搬出仮置き部３５は、真空チャック機構を含み、ウエーハ２０１を着脱可能に保持する。 The carry-out temporary storage unit 35 temporarily holds the wafer 201 from which the protective tape 207 has been peeled off by the peeling means 34. The carry-out temporary placement unit 35 includes a vacuum chuck mechanism and holds the wafer 201 in a detachable manner.

（第１のカセット載置部）
第１のカセット載置部４０は、図４に示す表面２０５に保護テープ２０７が貼着されたウエーハ２０１を複数収容する第１のカセット４１を載置する。実施形態１において、第１のカセット載置部４０は、研削装置１０とＸ軸方向に並ぶ位置に２つ設置される。 (First cassette placement section)
The first cassette placement unit 40 places the first cassette 41 that houses a plurality of wafers 201 each having a protective tape 207 attached to the surface 205 shown in FIG. In the first embodiment, two first cassette mounting portions 40 are installed at positions aligned with the grinding apparatus 10 in the X-axis direction.

（第２カセット載置部）
第２のカセット載置部５０は、図１０に示すダイシングテープ２０９で環状フレーム２１０の開口に支持されたウエーハ２０１を複数収容する第２のカセット５１を載置する。実施形態１において、第２のカセット載置部５０は、テープ貼着装置３０とＸ軸方向に並ぶ位置に１つ設置される。 (Second cassette mounting part)
The second cassette placement section 50 places the second cassette 51 that houses a plurality of wafers 201 supported by the dicing tape 209 shown in FIG. In the first embodiment, one second cassette placement unit 50 is installed at a position aligned with the tape sticking device 30 in the X-axis direction.

（搬送ユニット）
図１１は、図１に示されたウエーハ加工システムの搬送ユニットの装置間搬送ユニットの一例を模式的に示す側面図である。搬送ユニット６０は、研削装置１０、テープ貼着装置３０、第１のカセット４１、及び第２のカセット５１の間でウエーハ２０１を搬送する。実施形態において、研削装置１０とテープ貼着装置３０とは、Ｙ軸方向に間隔をあけて配置される。 (Transport unit)
FIG. 11 is a side view schematically showing an example of the inter-device transfer unit of the transfer unit of the wafer processing system shown in FIG. The transport unit 60 transports the wafer 201 among the grinding device 10, the tape sticking device 30, the first cassette 41, and the second cassette 51. In the embodiment, the grinding device 10 and the tape sticking device 30 are arranged with a gap in the Y-axis direction.

搬送ユニット６０は、図２に示すように、研削装置内搬送ユニット６１と、前述した第２搬送アーム１７２と、装置間搬送ユニット６２と、貼着装置内搬送ユニット６３とを備える。 As shown in FIG. 2, the transport unit 60 includes a grinding device transport unit 61, the above-described second transport arm 172, an inter-device transport unit 62, and a sticking device transport unit 63.

研削装置内搬送ユニット６１は、第１のカセット４１から研削装置１０にウエーハ２０１を搬送する。研削装置内搬送ユニット６１は、第１のカセット４１からウエーハ２０１を１枚取り出し、取り出したウエーハ２０１を研削装置１０の位置合わせユニット１４上に載置する。研削装置内搬送ユニット６１は、第１のカセット載置部４０と研削装置１０の位置合わせユニット１４との間に配置され、アーム６１１と、アーム６１１の先端部に設けられウエーハ２０１を保持するハンド６１２とを有する。研削装置内搬送ユニット６１は、アーム６１１が作動することにより、ハンド６１２がＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に移動する。 The in-grinding apparatus transport unit 61 transports the wafer 201 from the first cassette 41 to the grinding apparatus 10. The in-grinding apparatus transport unit 61 takes out one wafer 201 from the first cassette 41 and places the taken out wafer 201 on the alignment unit 14 of the grinding apparatus 10. The in-grinding-conveying unit 61 is disposed between the first cassette mounting portion 40 and the positioning unit 14 of the grinding device 10, and is provided at the arm 611 and the tip of the arm 611 and holds the wafer 201. 612. In the grinding machine transport unit 61, the arm 611 operates to move the hand 612 in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction.

装置間搬送ユニット６２は、研削装置１０からテープ貼着装置３０にウエーハ２０１を搬送する。即ち、第２搬送アーム１７２と装置間搬送ユニット６２は、レーザー加工装置２０にてレーザーマーキングした後、レーザー加工装置２０からテープ貼着装置３０にウエーハ２０１を搬送する。装置間搬送ユニット６２は、研削装置１０とテープ貼着装置３０との間に配置されたチャンバ４内に配置される。即ち、装置間搬送ユニット６２は、研削装置１０とテープ貼着装置３０との間に配置される。装置間搬送ユニット６２は、ウエーハ２０１を保持して搬送可能な図１１に示す第１搬送ユニット６４又は図１１に示す第２搬送ユニット６５を有する。なお、実施形態１において、装置間搬送ユニット６２は、図２に示すように、第２搬送ユニット６５を有するが、本発明では、第１搬送ユニット６４を備えても良い。 The inter-unit transport unit 62 transports the wafer 201 from the grinding device 10 to the tape sticking device 30. In other words, the second transfer arm 172 and the inter-device transfer unit 62 transfer the wafer 201 from the laser processing device 20 to the tape sticking device 30 after performing laser marking with the laser processing device 20. The inter-device transport unit 62 is disposed in the chamber 4 disposed between the grinding device 10 and the tape sticking device 30. That is, the inter-device transport unit 62 is disposed between the grinding device 10 and the tape sticking device 30. The inter-apparatus transport unit 62 has a first transport unit 64 shown in FIG. 11 or a second transport unit 65 shown in FIG. 11 capable of holding and transporting the wafer 201. In the first embodiment, the inter-device transport unit 62 includes the second transport unit 65 as illustrated in FIG. 2, but may include the first transport unit 64 in the present invention.

図１１に示すように、第１搬送ユニット６４は、チャンバ４の天井部に支持される。第１搬送ユニット６４は、ウエーハ２０１を着脱可能に保持する吸着パッド６４１を有する。吸着パッド６４１は、ウエーハ２０１を吸着保持する保持面を有する。吸着パッド６４１の保持面は、下方を向く。吸着パッド６４１の保持面は、ＸＹ平面と実質的に平行である。吸着パッド６４１の保持面には真空吸引源と接続される吸引口が設けられる。吸着パッド６４１の保持面とウエーハ２０１とが接触した状態で真空吸引源が作動することにより、ウエーハ２０１は吸着パッド６４１に吸着保持される。真空吸引源の作動が停止されることにより、ウエーハ２０１は吸着パッド６４１から解放される。 As shown in FIG. 11, the first transport unit 64 is supported on the ceiling of the chamber 4. The first transport unit 64 has a suction pad 641 that detachably holds the wafer 201. The suction pad 641 has a holding surface for sucking and holding the wafer 201. The holding surface of the suction pad 641 faces downward. The holding surface of the suction pad 641 is substantially parallel to the XY plane. A suction port connected to a vacuum suction source is provided on the holding surface of the suction pad 641. By operating the vacuum suction source in a state where the holding surface of the suction pad 641 and the wafer 201 are in contact with each other, the wafer 201 is sucked and held by the suction pad 641. When the operation of the vacuum suction source is stopped, the wafer 201 is released from the suction pad 641.

ＸＹ平面内における吸着パッド６４１の外形及び寸法と、ウエーハ２０１の外形及び寸法とは、実質的に同一である。吸着パッド６４１は、ウエーハ２０１の裏面２０６のほぼ全部を吸着保持することができる。 The external shape and dimensions of the suction pad 641 in the XY plane and the external shape and dimensions of the wafer 201 are substantially the same. The suction pad 641 can suck and hold almost the entire back surface 206 of the wafer 201.

また、第１搬送ユニット６４は、Ｙ軸方向に移動可能な移動テーブル６４２と、移動テーブル６４２に支持される可動アーム６４３とを有する。吸着パッド６４１は、可動アーム６４３の先端部に連結される。 The first transport unit 64 includes a moving table 642 that can move in the Y-axis direction and a movable arm 643 that is supported by the moving table 642. The suction pad 641 is connected to the tip of the movable arm 643.

移動テーブル６４２は、移動機構６４４を介してチャンバ４の天井部に移動可能に支持される。移動テーブル６４２は、移動機構６４４によりＹ軸方向に移動する。移動機構６４４は、チャンバ４の天井部に設けられ移動テーブル６４２をＹ軸方向にガイドするガイド部材６４５と、移動テーブル６４２をＹ軸方向に移動するための動力を発生するアクチュエータ６４６とを有する。アクチュエータ６４６は、例えばリニアモータ又はボールねじ機構を含む。 The moving table 642 is movably supported on the ceiling portion of the chamber 4 via the moving mechanism 644. The moving table 642 is moved in the Y-axis direction by the moving mechanism 644. The moving mechanism 644 includes a guide member 645 that is provided on the ceiling of the chamber 4 and guides the moving table 642 in the Y-axis direction, and an actuator 646 that generates power for moving the moving table 642 in the Y-axis direction. The actuator 646 includes, for example, a linear motor or a ball screw mechanism.

吸着パッド６４１は、移動機構６４４及び可動アーム６４３の作動により、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動可能である。 The suction pad 641 can be moved in the Y-axis direction and the Z-axis direction by the operation of the moving mechanism 644 and the movable arm 643.

第２搬送ユニット６５は、チャンバ４の側壁部に支持される。第２搬送ユニット６５は、第１搬送ユニット６４よりも下方側に設けられ、第１搬送ユニット６４よりも下方で移動する。第２搬送ユニット６５は、ウエーハ２０１を着脱可能に保持する吸着パッド６５１と、Ｙ軸方向に移動可能な移動テーブル６５２と、移動テーブル６５２に支持される可動アーム６５３とを有する。吸着パッド６５１は、可動アーム６５３の先端部に連結される。 The second transport unit 65 is supported on the side wall portion of the chamber 4. The second transport unit 65 is provided below the first transport unit 64 and moves below the first transport unit 64. The second transport unit 65 includes a suction pad 651 that detachably holds the wafer 201, a moving table 652 that can move in the Y-axis direction, and a movable arm 653 that is supported by the moving table 652. The suction pad 651 is connected to the tip of the movable arm 653.

移動テーブル６５２は、移動機構６５４を介してチャンバ４の側壁部に移動可能に支持される。移動テーブル６５２は、移動機構６５４によりＹ軸方向に移動する。移動機構６５４は、チャンバ４の側壁部に設けられ移動テーブル６５２をＹ軸方向にガイドするガイド部材６５５と、移動テーブル６５２をＹ軸方向に移動するための動力を発生するアクチュエータ６５６とを有する。アクチュエータ６５６は、例えばリニアモータ又はボールねじ機構を含む。 The moving table 652 is movably supported on the side wall portion of the chamber 4 via the moving mechanism 654. The moving table 652 is moved in the Y-axis direction by the moving mechanism 654. The moving mechanism 654 includes a guide member 655 that is provided on the side wall of the chamber 4 and guides the moving table 652 in the Y-axis direction, and an actuator 656 that generates power for moving the moving table 652 in the Y-axis direction. The actuator 656 includes, for example, a linear motor or a ball screw mechanism.

吸着パッド６５１は、移動機構６５４及び可動アーム６５３の作動により、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に移動可能である。 The suction pad 651 can be moved in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction by the operation of the moving mechanism 654 and the movable arm 653.

このように、本実施形態において、第２搬送ユニット６５は、第１搬送ユニット６４の下方において、第１搬送ユニット６４とは別に移動可能である。したがって、例えば、第１搬送ユニット６４によるウエーハ２０１の搬送動作と並行して、第２搬送ユニット６５によるウエーハ２０１の搬送動作を実行可能である。 Thus, in the present embodiment, the second transport unit 65 can move separately from the first transport unit 64 below the first transport unit 64. Therefore, for example, the transport operation of the wafer 201 by the second transport unit 65 can be executed in parallel with the transport operation of the wafer 201 by the first transport unit 64.

第１搬送ユニット６４及び第２搬送ユニット６５は、研削装置１０の仮置き部１６からテープ貼着装置３０の仮置き部３１にウエーハ２０１を搬送する。また、第１搬送ユニット６４によるウエーハ２０１の搬送動作と並行して、第２搬送ユニット６５はウエーハ２０１を搬送可能である。 The first transport unit 64 and the second transport unit 65 transport the wafer 201 from the temporary placement unit 16 of the grinding device 10 to the temporary placement unit 31 of the tape sticking device 30. Further, in parallel with the transport operation of the wafer 201 by the first transport unit 64, the second transport unit 65 can transport the wafer 201.

貼着装置内搬送ユニット６３は、テープ貼着装置３０の仮置き部３１からアライメント部３２、アライメント部３２からフレームユニット形成手段３３、フレームユニット形成手段３３から剥離手段３４、剥離手段３４から搬出仮置き部３５、テープ貼着装置３０の搬出仮置き部３５から第２のカセット５１にウエーハ２０１を搬送する。即ち、貼着装置内搬送ユニット６３は、テープ貼着装置３０にてウエーハ２０１の裏面２０６にダイシングテープ２０９を貼着するとともにダイシングテープ２０９の外周縁に環状フレーム２１０を固定した後、テープ貼着装置３０から第２のカセット５１にウエーハ２０１を搬送する。 The transfer unit 63 in the sticking device is temporarily moved from the temporary placement unit 31 of the tape sticking device 30 to the alignment unit 32, from the alignment unit 32 to the frame unit forming unit 33, from the frame unit forming unit 33 to the peeling unit 34, and from the peeling unit 34. The wafer 201 is conveyed from the placing unit 35 and the carry-out temporary placing unit 35 of the tape sticking device 30 to the second cassette 51. That is, the transfer unit 63 in the sticking device sticks the dicing tape 209 to the back surface 206 of the wafer 201 by the tape sticking device 30 and fixes the annular frame 210 to the outer peripheral edge of the dicing tape 209, and then sticks the tape. The wafer 201 is transferred from the apparatus 30 to the second cassette 51.

（制御ユニット）
制御ユニット１００は、ウエーハ加工システム１の構成要素である、研削装置１０、レーザー加工装置２０、テープ貼着装置３０、及び搬送ユニット６０を制御する。 (Controller unit)
The control unit 100 controls the grinding device 10, the laser processing device 20, the tape sticking device 30, and the transport unit 60 that are components of the wafer processing system 1.

制御ユニット１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（Read Only Memory）又ストレージのような不揮発性メモリ及びＲＡＭ（Random Access Memory）のような揮発性メモリを含む記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、入出力インターフェース装置を介して、ウエーハ加工システム１を制御するための制御信号を出力して、制御ユニット１００の機能を実現する。 The control unit 100 includes an arithmetic processing unit having a microprocessor such as a CPU (Central Processing Unit), a nonvolatile memory such as a ROM (Read Only Memory) or a storage, and a volatile memory such as a RAM (Random Access Memory). A computer having a storage device and an input / output interface device. The arithmetic processing device performs arithmetic processing according to a computer program stored in the storage device, and outputs a control signal for controlling the wafer processing system 1 via the input / output interface device. Realize the function.

ウエーハ加工システム１は、搬送ユニット６０の研削装置内搬送ユニット６１によって第１のカセット４１からウエーハ２０１を研削装置１０の位置合わせユニット１４に搬入し、位置合わせユニット１４によってウエーハ２０１の位置合わせを行った後、第１搬送アーム２８２によって、ウエーハ２０１を搬出入位置に配置されているチャックテーブル１２に搬入する。ウエーハ加工システム１は、ターンテーブル１３を回転させて、搬出入位置に配置されているチャックテーブル１２を研削位置に移動する。 The wafer processing system 1 carries the wafer 201 from the first cassette 41 to the alignment unit 14 of the grinding apparatus 10 by the conveyance unit 61 in the grinding apparatus of the conveyance unit 60 and aligns the wafer 201 by the alignment unit 14. After that, the first transfer arm 282 loads the wafer 201 onto the chuck table 12 arranged at the loading / unloading position. The wafer processing system 1 rotates the turntable 13 to move the chuck table 12 disposed at the carry-in / out position to the grinding position.

ウエーハ加工システム１は、研削位置に移動したチャックテーブル１２に保持されているウエーハ２０１と研削ユニット１１の研削砥石１１５とが接触させた状態で、図５に示すように、チャックテーブル１２の回転と並行して、研削ユニット１１の研削ホイール１１３を軸心回りに回転する。これにより、ウエーハ加工システム１は、ウエーハ２０１の裏面２０６を研削し、ウエーハ２０１を薄化する。ウエーハ加工システム１は、２つの研削ユニット１１によって粗研削と仕上げ研削とを順に実施し、ウエーハ２０１を薄化する。ウエーハ加工システム１は、ウエーハ２０１の研削を終了した後、ターンテーブル１３を回転させることにより、研削位置に配置されているチャックテーブル１２を搬出入位置に移動する。 As shown in FIG. 5, the wafer processing system 1 rotates the chuck table 12 with the wafer 201 held on the chuck table 12 moved to the grinding position and the grinding wheel 115 of the grinding unit 11 in contact with each other. In parallel, the grinding wheel 113 of the grinding unit 11 is rotated around the axis. Thereby, the wafer processing system 1 grinds the back surface 206 of the wafer 201 and thins the wafer 201. The wafer processing system 1 performs rough grinding and finish grinding in order by the two grinding units 11 to thin the wafer 201. After finishing the grinding of the wafer 201, the wafer processing system 1 rotates the turntable 13 to move the chuck table 12 disposed at the grinding position to the carry-in / out position.

ウエーハ加工システム１は、第２搬送アーム１７２によって搬出入位置に配置されているチャックテーブル１２から研削後のウエーハ２０１を搬出し、ウエーハ２０１を洗浄ユニット１５のスピンナーテーブル１５１上に搬入する。ウエーハ加工システム１は、スピンナーテーブル１５１にウエーハ２０１を吸引保持し、図８に示すように、レーザー光線照射ユニット２１をウエーハ２０１の裏面２０６の外周余剰領域２０８に対向させた後、レーザー光線２２を照射して、ウエーハ２０１をレーザーマーキングする。 The wafer processing system 1 unloads the ground wafer 201 from the chuck table 12 disposed at the unloading / unloading position by the second transport arm 172 and loads the wafer 201 onto the spinner table 151 of the cleaning unit 15. The wafer processing system 1 sucks and holds the wafer 201 on the spinner table 151. As shown in FIG. 8, the laser beam irradiation unit 21 is opposed to the outer peripheral surplus area 208 on the back surface 206 of the wafer 201, and then irradiated with the laser beam 22. Then, the wafer 201 is laser-marked.

ウエーハ加工システム１は、レーザーマーキングが終了した後、レーザー光線照射ユニット２１をウエーハ２０１の裏面２０６上から退避させ、図６に示すように、洗浄液供給ノズル１５２をウエーハ２０１の裏面２０６に対向させた後、洗浄液１５５を供給して、ウエーハ２０１から研削時に発生した研削屑とともにレーザーマーキング時に発生したデブリを除去する。なお、実施形態１において、ウエーハ加工システム１は、レーザーマーキングが終了した後、レーザー光線照射ユニット２１をウエーハ２０１の裏面２０６上から退避させて、ウエーハ２０１から研削時に発生した研削屑とともにレーザーマーキング時に発生したデブリを除去するが、本発明では、図７に示すように、レーザー光線照射ユニット２１をウエーハ２０１の裏面２０６上から退避させることなく、ウエーハ２０１から研削時に発生した研削屑とともにレーザーマーキング時に発生したデブリを除去しても良い。ウエーハ加工システム１は、レーザーマーキングして洗浄後のウエーハ２０１を第２搬送アーム１７２によって仮置き部１６に搬送し、装置間搬送ユニット６２の第２搬送ユニット６５によってテープ貼着装置３０の仮置き部３１に搬入する。 After the laser marking is completed, the wafer processing system 1 retracts the laser beam irradiation unit 21 from the back surface 206 of the wafer 201, and after the cleaning liquid supply nozzle 152 faces the back surface 206 of the wafer 201 as shown in FIG. Then, the cleaning liquid 155 is supplied to remove debris generated at the time of laser marking together with the grinding dust generated at the time of grinding from the wafer 201. In the first embodiment, the wafer processing system 1 generates the laser beam irradiation unit 21 during laser marking together with the grinding waste generated during grinding from the wafer 201 by retracting the laser beam irradiation unit 21 from the back surface 206 of the wafer 201 after laser marking is completed. In the present invention, as shown in FIG. 7, the laser beam irradiation unit 21 is generated at the time of laser marking together with the grinding dust generated at the time of grinding from the wafer 201 without retracting the laser beam irradiation unit 21 from the back surface 206 of the wafer 201. Debris may be removed. The wafer processing system 1 transports the wafer 201 after laser marking and cleaning to the temporary placement unit 16 by the second transport arm 172, and temporarily places the tape sticking device 30 by the second transport unit 65 of the inter-unit transport unit 62. Carry in part 31.

ウエーハ加工システム１は、貼着装置内搬送ユニット６３によってウエーハ２０１をアライメント部３２、フレームユニット形成手段３３、剥離手段３４、搬出仮置き部３５に順に搬送し、ウエーハ２０１の裏面２０６にダイシングテープ２０９を貼着し、ダイシングテープ２０９の外周縁に環状フレーム２１０を貼着するとともに、保護テープ２０７を剥離する。ウエーハ加工システム１は、図１０に示す環状フレーム２１０の開口に支持されたウエーハ２０１を第２のカセット５１内に収容する。こうして、ウエーハ加工システム１は、研削装置１０の研削ユニット１１からレーザー加工装置２０を介してテープ貼着装置３０のフレームユニット形成手段３３にウエーハ２０１を搬送する搬送ユニット６０を備える。また、ウエーハ加工システム１は、研削装置１０の研削ユニット１１からレーザー加工装置２０を介してテープ貼着装置３０のフレームユニット形成手段３３にウエーハ２０１を搬送する搬送ユニット６０を備えるので、研削装置１０、レーザー加工装置２０、テープ貼着装置３０が共通の搬送ユニット６０により一体化している。 In the wafer processing system 1, the wafer 201 is transported to the alignment unit 32, the frame unit forming unit 33, the peeling unit 34, and the carry-out temporary storage unit 35 in this order by the transporting unit 63 in the sticking apparatus. Is attached to the outer peripheral edge of the dicing tape 209, and the protective tape 207 is peeled off. In the wafer processing system 1, the wafer 201 supported by the opening of the annular frame 210 shown in FIG. 10 is accommodated in the second cassette 51. Thus, the wafer processing system 1 includes the transport unit 60 that transports the wafer 201 from the grinding unit 11 of the grinding device 10 to the frame unit forming unit 33 of the tape sticking device 30 via the laser processing device 20. In addition, the wafer processing system 1 includes the transport unit 60 that transports the wafer 201 from the grinding unit 11 of the grinding device 10 to the frame unit forming means 33 of the tape sticking device 30 via the laser processing device 20. The laser processing device 20 and the tape sticking device 30 are integrated by a common transport unit 60.

実施形態１に係るウエーハ加工システム１は、研削装置１０の研削ユニット１１からレーザー加工装置２０を介してテープ貼着装置３０のフレームユニット形成手段３３にウエーハ２０１を搬送する搬送ユニット６０を備えるので、研削装置１０からテープ貼着装置３０にオペレータがウエーハ２０１を搬送する必要がなくなる。また、ウエーハ加工システム１は、研削装置１０の研削ユニット１１からレーザー加工装置２０を介してテープ貼着装置３０のフレームユニット形成手段３３にウエーハ２０１を搬送する搬送ユニット６０を備えて、研削装置１０、レーザー加工装置２０、テープ貼着装置３０が共通の搬送ユニット６０により一体化しているので、装置１０，２０，３０間のウエーハ２０１の受け渡しに要する時間が短縮できるという効果がある。その結果、ウエーハ加工システム１は、ウエーハ２０１の搬送にかかる所要時間を抑制できる。 The wafer processing system 1 according to the first embodiment includes the transport unit 60 that transports the wafer 201 from the grinding unit 11 of the grinding device 10 to the frame unit forming unit 33 of the tape sticking device 30 via the laser processing device 20. The operator need not transport the wafer 201 from the grinding device 10 to the tape sticking device 30. Further, the wafer processing system 1 includes a transport unit 60 that transports the wafer 201 from the grinding unit 11 of the grinding device 10 to the frame unit forming means 33 of the tape sticking device 30 via the laser processing device 20. Since the laser processing device 20 and the tape sticking device 30 are integrated by the common transport unit 60, there is an effect that the time required for transferring the wafer 201 between the devices 10, 20, 30 can be shortened. As a result, the wafer processing system 1 can suppress the time required for transporting the wafer 201.

また、ウエーハ加工システム１は、研削装置１０からテープ貼着装置３０にオペレータがウエーハ２０１を搬送する必要がなくなり、装置間搬送ユニット６２が吸着パッド６４１，６５１を備える第１及び第２搬送ユニット６４，６５を備えて、一連の工程が一体化されているので、カセットを使う搬送をウエーハ２０１の不要としている。この結果、ウエーハ加工システム１は、搬送中にウエーハ２０１に与える衝撃を抑制でき、研削装置１０により薄化された機械的に脆いウエーハ２０１が破損することを抑制することができる。また、ウエーハ加工システム１は、搬送ユニット６０が第１のカセット４１から第２のカセット５１にウエーハ２０１を搬送して、一連の工程が一体化されているので、ウエーハ２０１の搬送先を誤ることを抑制することができる。 Further, the wafer processing system 1 eliminates the need for the operator to transport the wafer 201 from the grinding device 10 to the tape sticking device 30, and the inter-device transport unit 62 includes first and second transport units 64 including suction pads 641 and 651. , 65, and a series of processes are integrated, making it unnecessary for the wafer 201 to carry the cassette. As a result, the wafer processing system 1 can suppress the impact applied to the wafer 201 during conveyance, and can prevent the mechanically fragile wafer 201 thinned by the grinding apparatus 10 from being damaged. Further, in the wafer processing system 1, the transfer unit 60 transfers the wafer 201 from the first cassette 41 to the second cassette 51, and a series of processes are integrated, so that the transfer destination of the wafer 201 is wrong. Can be suppressed.

また、実施形態１に係るウエーハ加工システム１は、レーザー加工装置２０のレーザー光線照射ユニット２１を洗浄ユニット１５のスピンナーテーブル１５１の上方に配置し、レーザーマーキング後のウエーハ２０１を洗浄ユニット１５で洗浄する。その結果、ウエーハ加工システム１は、レーザーマーキングにより生じるデブリをウエーハ２０１から除去することができる。 In the wafer processing system 1 according to the first embodiment, the laser beam irradiation unit 21 of the laser processing apparatus 20 is disposed above the spinner table 151 of the cleaning unit 15, and the wafer 201 after laser marking is cleaned by the cleaning unit 15. As a result, the wafer processing system 1 can remove debris generated by laser marking from the wafer 201.

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウエーハ加工システムを図面に基づいて説明する。図１２は、実施形態２に係るウエーハ加工システムの概略の構成を平面図である。図１２は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 2]
A wafer processing system according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 12 is a plan view of a schematic configuration of the wafer processing system according to the second embodiment. In FIG. 12, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

実施形態２に係るウエーハ加工システム１−２は、レーザー加工装置２０−２及び装置間搬送ユニット６２の構成が実施形態１と異なる以外、実施形態１と同じ構成である。実施形態２に係るウエーハ加工システム１−２のレーザー加工装置２０−２は、チャンバ４内に配置されている。実施形態２に係るウエーハ加工システム１−２のレーザー加工装置２０−２は、レーザー光線照射ユニット２１に加え、ウエーハ２０１を保護テープ２０７を介して吸引保持するチャックテーブル２３を備える。 The wafer processing system 1-2 according to the second embodiment has the same configuration as that of the first embodiment except that the configurations of the laser processing device 20-2 and the inter-device transport unit 62 are different from those of the first embodiment. The laser processing apparatus 20-2 of the wafer processing system 1-2 according to the second embodiment is disposed in the chamber 4. The laser processing apparatus 20-2 of the wafer processing system 1-2 according to the second embodiment includes a chuck table 23 that sucks and holds the wafer 201 via a protective tape 207 in addition to the laser beam irradiation unit 21.

チャックテーブル２３は、ウエーハ２０１を着脱可能に保持する保持面２３１を有する。チャックテーブル２３の保持面２３１は、ＸＹ平面と実質的に平行である。チャックテーブル２３は、真空チャック機構を含む。チャックテーブル２３の保持面２３１には真空吸引源と接続される吸引口が複数設けられる。チャックテーブル２３の保持面２３１にウエーハ２０１が載置された状態で真空吸引源が作動することにより、ウエーハ２０１はチャックテーブル２３に吸着保持される。真空吸引源の作動が停止されることにより、ウエーハ２０１はチャックテーブル２３から解放される。 The chuck table 23 has a holding surface 231 that detachably holds the wafer 201. The holding surface 231 of the chuck table 23 is substantially parallel to the XY plane. The chuck table 23 includes a vacuum chuck mechanism. The holding surface 231 of the chuck table 23 is provided with a plurality of suction ports connected to a vacuum suction source. By operating the vacuum suction source with the wafer 201 placed on the holding surface 231 of the chuck table 23, the wafer 201 is sucked and held on the chuck table 23. When the operation of the vacuum suction source is stopped, the wafer 201 is released from the chuck table 23.

レーザー光線照射ユニット２１は、チャックテーブル２３に保持されているウエーハ２０１にレーザー光線２２を照射して、ウエーハ２０１をレーザーマーキングする。また、レーザー光線照射ユニット２１は、装置間搬送ユニット６２によりチャックテーブル２３にウエーハ２０１が搬入及び搬出される際には、図１２中の点線で示すように、チャックテーブル２３の保持面２３１上から退避する。実施形態２に係るウエーハ加工システム１−２の装置間搬送ユニット６２は、図１２に示すように、第１搬送ユニット６４を備える。 The laser beam irradiation unit 21 irradiates the wafer 201 held on the chuck table 23 with the laser beam 22 and laser-marks the wafer 201. Further, the laser beam irradiation unit 21 retracts from the holding surface 231 of the chuck table 23 when the wafer 201 is carried in and out of the chuck table 23 by the inter-unit transport unit 62, as indicated by a dotted line in FIG. To do. The inter-device transport unit 62 of the wafer processing system 1-2 according to the second embodiment includes a first transport unit 64 as shown in FIG.

実施形態２に係るウエーハ加工システム１−２は、装置間搬送ユニット６２によって研削装置１０の仮置き部１６から研削後のウエーハ２０１をレーザー加工装置２０−２のチャックテーブル２３に搬入する。実施形態２に係るウエーハ加工システム１−２は、レーザー加工装置２０−２によってレーザーマーキングしたウエーハ２０１を装置間搬送ユニット６２によってチャックテーブル２３からテープ貼着装置３０の仮置き部３１に搬入する。 In the wafer processing system 1-2 according to the second embodiment, the wafer 201 after grinding is transferred from the temporary placement unit 16 of the grinding apparatus 10 to the chuck table 23 of the laser processing apparatus 20-2 by the inter-unit transport unit 62. In the wafer processing system 1-2 according to the second embodiment, the wafer 201 laser-marked by the laser processing device 20-2 is carried from the chuck table 23 to the temporary placement unit 31 of the tape attaching device 30 by the inter-unit transport unit 62.

実施形態２に係るウエーハ加工システム１−２は、研削装置１０の研削ユニット１１からレーザー加工装置２０−２を介してテープ貼着装置３０のフレームユニット形成手段３３にウエーハ２０１を搬送する搬送ユニット６０を備えるので、実施形態１と同様に、ウエーハ２０１の搬送にかかる所要時間を抑制できる。 The wafer processing system 1-2 according to the second embodiment includes a transport unit 60 that transports the wafer 201 from the grinding unit 11 of the grinding device 10 to the frame unit forming means 33 of the tape sticking device 30 via the laser processing device 20-2. As in the first embodiment, the time required for transporting the wafer 201 can be suppressed.

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るウエーハ加工システムを図面に基づいて説明する。図１３は、実施形態３に係るウエーハ加工システムの概略の構成を平面図である。図１３は、実施形態２と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 3]
A wafer processing system according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 13 is a plan view of a schematic configuration of a wafer processing system according to the third embodiment. In FIG. 13, the same parts as those of the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

実施形態３に係るウエーハ加工システム１−３は、レーザー加工装置２０−３及び搬送ユニット６０−３の構成が実施形態１と異なる以外、実施形態２と同じ構成である。実施形態３に係るウエーハ加工システム１−３のレーザー加工装置２０−３は、研削装置１０とテープ貼着装置３０との間で、かつ装置間搬送ユニット６２とＸ軸方向に並ぶ位置に配置されている。 A wafer processing system 1-3 according to the third embodiment has the same configuration as that of the second embodiment except that the configurations of the laser processing apparatus 20-3 and the conveyance unit 60-3 are different from those of the first embodiment. The laser processing apparatus 20-3 of the wafer processing system 1-3 according to the third embodiment is arranged between the grinding apparatus 10 and the tape adhering apparatus 30 and at a position aligned with the inter-apparatus transport unit 62 in the X-axis direction. ing.

実施形態３に係るウエーハ加工システム１−３のレーザー加工装置２０−３は、レーザー光線照射ユニット２１とチャックテーブル２３とに加え、ウエーハ２０１を一時的に保持する仮置き部２４を有する。仮置き部２４は、レーザーマーキング前のウエーハ２０１を一時的に保持する。 In addition to the laser beam irradiation unit 21 and the chuck table 23, the laser processing apparatus 20-3 of the wafer processing system 1-3 according to the third embodiment includes a temporary placement unit 24 that temporarily holds the wafer 201. The temporary placement unit 24 temporarily holds the wafer 201 before laser marking.

また、実施形態３に係るウエーハ加工システム１−３の搬送ユニット６０−３の装置間搬送ユニット６２は、レーザーマーキング前のウエーハ２０１を仮置き部２４に搬送し、仮置き部２４からレーザーマーキング前のウエーハ２０１をチャックテーブル２３に搬送するとともに、チャックテーブル２３からレーザーマーキング後のウエーハ２０１をテープ貼着装置３０の仮置き部３１に搬入する。 Further, the inter-unit transport unit 62 of the transport unit 60-3 of the wafer processing system 1-3 according to the third embodiment transports the wafer 201 before laser marking to the temporary placement unit 24, and from the temporary placement unit 24 to before laser marking. The wafer 201 is conveyed to the chuck table 23, and the wafer 201 after laser marking is carried from the chuck table 23 to the temporary placement unit 31 of the tape adhering device 30.

実施形態３に係るウエーハ加工システム１−３は、装置間搬送ユニット６２によって研削後のウエーハ２０１を仮置き部２４、チャックテーブル２３に順に搬入する。実施形態３に係るウエーハ加工システム１−３は、レーザー加工装置２０−３によってレーザーマーキングしたウエーハ２０１を装置間搬送ユニット６２によってテープ貼着装置３０の仮置き部３１に搬入する。 In the wafer processing system 1-3 according to the third embodiment, the wafer 201 after grinding is sequentially carried into the temporary placement unit 24 and the chuck table 23 by the inter-unit transport unit 62. In the wafer processing system 1-3 according to the third embodiment, the wafer 201 laser-marked by the laser processing apparatus 20-3 is carried into the temporary placement unit 31 of the tape sticking apparatus 30 by the inter-unit transport unit 62.

実施形態３に係るウエーハ加工システム１−３は、研削装置１０の研削ユニット１１からレーザー加工装置２０−３を介してテープ貼着装置３０のフレームユニット形成手段３３にウエーハ２０１を搬送する搬送ユニット６０−３を備えるので、実施形態１と同様に、ウエーハ２０１の搬送にかかる所要時間を抑制できる。 The wafer processing system 1-3 according to the third embodiment includes a transport unit 60 that transports the wafer 201 from the grinding unit 11 of the grinding device 10 to the frame unit forming means 33 of the tape sticking device 30 via the laser processing device 20-3. −3, the time required for transporting the wafer 201 can be suppressed as in the first embodiment.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

１，１−２，１−３ウエーハ加工システム
１０研削装置
１１研削ユニット
２０，２０−２，２０−３レーザー加工装置
２１レーザー光線照射ユニット
２２レーザー光線
３０テープ貼着装置
３３フレームユニット形成手段
３４剥離手段
４０第１のカセット載置部
４１第１のカセット
５０第２のカセット載置部
５１第２のカセット
６０搬送ユニット
１００制御ユニット（制御手段）
２０１ウエーハ
２０３分割予定ライン
２０４デバイス
２０５表面
２０８外周余剰領域（デバイスが形成されていない領域）
２０９ダイシングテープ
２１０環状フレーム

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1-2, 1-3 Wafer processing system 10 Grinding device 11 Grinding unit 20, 20-2, 20-3 Laser processing device 21 Laser beam irradiation unit 22 Laser beam 30 Tape sticking device 33 Frame unit formation means 34 Peeling means 40 1st cassette mounting part 41 1st cassette 50 2nd cassette mounting part 51 2nd cassette 60 conveyance unit 100 Control unit (control means)
201 Wafer 203 Line to be divided 204 Device 205 Surface 208 Peripheral surplus area (area where no device is formed)
209 Dicing tape 210 Annular frame

Claims

A wafer processing system for processing a wafer having a surface on which devices are formed in a plurality of regions defined by a plurality of intersecting scheduled lines,
A grinding apparatus comprising a grinding unit for grinding the back surface of the wafer and thinning the wafer;
A laser processing apparatus including a laser beam irradiation unit that irradiates a wafer with a laser beam and performs laser marking on a region where a wafer device is not formed;
A dicing tape is attached to the back surface of the wafer ground by the grinding apparatus, and a frame unit forming means for fixing an annular frame to the outer peripheral edge of the dicing tape, and a peeling for peeling off the protective tape attached to the surface of the wafer. A tape sticking device comprising means,
A first cassette placement section for placing a first cassette containing a plurality of wafers having the protective tape attached to the surface;
A second cassette placement section for placing a second cassette for accommodating a plurality of wafers supported by the opening of the annular frame with the dicing tape, a transport unit, and a control means for controlling each component. Including
The transport unit transports the wafer from the first cassette to the grinding device, and after grinding by the grinding device, transports the wafer from the grinding device to the laser processing device, and laser-marks the laser processing device. Thereafter, the wafer is transported from the laser processing device to the tape attaching device, and the dicing tape is attached to the back surface of the wafer by the tape attaching device, and the annular frame is fixed to the outer peripheral edge of the dicing tape. Then, a wafer processing system for transporting the wafer from the tape sticking device to a second cassette.

The wafer processing system according to claim 1, wherein the laser processing apparatus performs laser marking on a back surface of the wafer.