JP2018159899A - 光照射装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】光照射面での視角が小さく抑制されると共に高い照度均一性の得られる光照射装置を提供すること。【解決手段】各々光軸がz方向に延びる複数のLEDが同一平面上においてx方向およびy方向に並んで配置された光源部からの光を反射する反射部が、LED配置領域の中心位置を含むz方向に延びる基準軸を含む断面において、光出射方向前方に向かうに従って基準軸に対して外方に広がる形態を有し、下記条件を満足する構造とされる。光源部側の端部位置と光出射側開口端縁の位置とを結ぶ第一仮想線のz方向に対する傾斜角度θ1が15°≦θ1≦37.4°、LEDの光出射面の基準軸上におけるz方向レベル位置と光出射側開口端縁の位置とを結ぶ第二仮想線の基準軸に対する傾斜角度θ2がθ1<θ2、かつ、24.8°≦θ2≦41.2°、LED配置領域の幅と反射部の開口幅との比率Aが0.008≦A≦0.5であること。【選択図】図3

Description

本発明は、複数のLEDを用いた光照射装置に関する。
半導体や液晶の露光、その他の微細加工の分野においては、フォトリソグラフィの光源として、例えばメタルハライドランプ等の紫外線ランプを用いた露光技術が利用されている。
しかしながら、メタルハライドランプ等の紫外線ランプは、消灯後すぐに再点灯することが難しく、エネルギーロスが大きい、というデメリットがある。また、紫外線とともに発生する熱線により、被照射対象物が不所望に加熱されてしまう、という問題があった。
近年では、紫外線ランプの代替光源としてLEDを用いた光照射装置を備えた露光装置の開発が活発に行われている。
而して、紫外線ランプに代えてLEDを光源として用いる場合には、主に、以下に示す2つの問題がある。
第一に、紫外線ランプは、電極間に形成されるアークの輝点から高い放射量の光を得ることが可能であるが、LEDは一チップあたりの光放射量は小さい。このため、露光装置用の光源として用いるためには、多数のLEDを搭載した光源部が必要となる。しかしながら、各LEDの光放射出力には、LEDの個体差や、熱分布の影響などに起因するバラツキが生じやすい。さらには、一部のLEDが不点灯となることも考えられる。このような理由から、多数のLEDを搭載した光源部を備えた光照射装置においては、光照射面での照度を均一にすることが難しい。
また、第二に、同一平面上に複数のLEDが配置された光源部においては、各LEDからの光が光照射面へ出射される際、光照射面に対する視角が広がりやすい、という問題がある。視角が大きくなると、被照射対象物に対する光処理の処理精度が悪化する要因となる。特に、図8に示すように、被照射対象物の厚み方向(深さ方向)での光吸収の偏りが大きくなってしまう。図8における上下方向は被照射対象物の厚み方向を示し、左右方向は被照射対象物の面方向の位置を示す。また、Laは光吸収領域を示す。
ここでいう「視角」とは、図9に示されるように、光照射面LSにおける任意の位置からの光の有効入射角の拡がり幅を示すもので、図9における角度αのことである。本明細書においては、光照射面LSに入射される光線の入射角度強度分布(入射角度あたりの光の相対強度分布)をとった場合の半値半幅から実効的な視角が定められる。図9において、30は光源部、31はLEDである。
上記2つの課題に対して、例えば特許文献1には、以下のような対策が講じられることが記載されている。図10Aは、LEDを用いた従来の光照射装置の一例における構成の概略を示す模式図である。
まず、上記第一の課題に対しては、複数のLED31が同一平面上に配置されてなる光源部30と、被照射対象物Wとの間の距離(実際には光源部30と被照射対象物Wの間に配置されるマスク45との間の距離、ワーキングディスタンス)WDを大きくすることが記載されている。これにより、各LED31から放射される光が混ざり合うことで、個々のLED31の光放射出力のバラツキが緩和(補償)されて光照射面LSにおける照度の均一性を向上させることができるとされている。
また、上記第二の課題に対しては、図10Bに示すように、アパーチャーアレイ40を光源部30に近接した位置に設けることが記載されている。これにより、各LED31から放射される光の開き角θが小さくなり、被照射対象物Wに対する光処理の空間分解能を上げることができるとされている。
一方、例えば特許文献2には、上記2つの課題に対して、以下のような対策が講じられることが記載されている。図11は、LEDを用いた従来の光照射装置のさらに他の例における構成の概略を示す模式図である。
すなわち、各々、同一の基板32上に配置された複数のLED31と導光部35とよりなる複数のセグメント光源30aを基板32の面方向に並べて配置して光源部30を構成することが記載されている。これにより、各々のLED31から放射される光が導光部35の内面によって反射されることで混合されて光照射面LSにおける照度を均一化することができるとされている。
特開2002−303988号公報 特開2011−146746号公報
しかしながら、特許文献1に記載の光照射装置においては、アパーチャーアレイ40等の光学部品を用いて開き角θを狭めると、各LED31の光は混ざり合いにくくなる(混光性が低い)。このため、光照射面での視角を狭めることはできるが、光照射面における照度の均一性を悪化させてしまう。この場合、照度の均一性を確保するためには、ワーキングディスタンスWDを非常に大きくする必要があり、装置の大型化を招くと共に、光の利用効率も低くなる。
一方、特許文献2に記載の光照射装置においては、各LED31の光を複数回反射させる構造上の理由から、各セグメント光源30aにおけるLED31の数が限定されてしまう。従って、光照射面LSにおける照度の低下を回避するためには、多数のセグメント光源30aが必要となる。
さらにまた、セグメント光源30a毎に照度のバラツキがある場合には、それぞれセグメント光源30a毎にフィードバック制御部を設ける必要があり、光照射面LSにおける照度の均一化を図ることが困難(非常に煩雑化)となってしまう。
さらにまた、特許文献2に記載の光照射装置においては、LED31から放射される光の開き角は導光部35内で保存される。このため、光照射面LSでの視角を狭めることはできない。また、導光部35の開口から出射された光は、光照射面LSに達するまでの間に、広がりやすいため、光照射面LSにおける照度が低下してしまう。光照射面LSにおける照度の低下を防ぐためには、図11において二点鎖線で示すように、導光部35の開口端から被処理対象物Wまでの距離をWD1からWD2に小さくすることが考えられる。しかしながら、このような場合には、装置設計上の制約となってしまい、好ましくない。
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、複数のLEDを備えた光照射装置において、光照射面での視角を小さく抑制することができると共に高い照度の均一性を得ることのできる光照射装置を提供することを目的とする。
本発明の光照射装置は、互いに直交する3つの方向をx方向、y方向およびz方向としたとき、x方向およびy方向に延びる同一平面上において、各々光軸がz方向に延びる複数のLEDがx方向およびy方向に並んで配置されてなる光源部と、当該光源部からの光を反射する反射部とを備えた光照射装置において、
前記光源部におけるLED配置領域の中心位置を含むz方向に延びる軸を基準軸としたとき、当該基準軸を含むxz断面またはyz断面において、
前記反射部は、光出射方向前方に向かうに従って当該基準軸に対して外方に広がる形態を有しており、当該反射部における前記光源部側に位置される端部位置と当該反射部の光出射側開口端縁の位置とを結ぶ第一仮想線の、z方向に対する傾斜角度をθ1 、当該基準軸上における各々のLEDの光出射面が位置される平面と同じz方向レベル位置と当該反射部の光出射側開口端縁の位置とを結ぶ第二仮想線の、当該基準軸に対する傾斜角度をθ2 、前記LED配置領域の幅(Wa)と前記反射部の開口幅(Wb)との比率をA(=Wa/Wb)としたとき、下記(1)〜(3)の関係を満足することを特徴とする。
(1)15°≦θ1 ≦37.4°
(2)24.8°≦θ2 ≦41.2°,θ1 <θ2
(3)0.008≦A≦0.5
本発明の光照射装置においては、前記光源部を構成する複数のLEDは、中心発光波長が異なる複数種類のものよりなることが好ましい。
さらにまた、本発明の光照射装置においては、前記反射部は、光拡散性反射面を有することが好ましい。
このような構成のものにおいては、前記反射部の拡散性反射面が、多数の平坦面によって構成されていることが好ましく、反射部の内面に形成されたディンプルによって構成されていることが一層好ましい。
さらにまた、本発明の光照射装置においては、前記反射部は、光出射側開口端の開口形状が多角形状であることが好ましい。
本発明の光照射装置においては、LED配置領域の幅が反射部の開口幅に対して十分に小さく、光源部は複数のLEDが密に配置された構成とされている。しかも、反射部が特定の形態を有するものであることにより、LEDから反射部の開口を介して直接的に出射される光の出射角および反射部によって反射されて出射される反射光の出射角が規制される。このため、本発明の光照射装置によれば、光照射面での視角を小さく抑制することができると共に、各LEDからの光の混光性が高くなって光照射面における照度の均一性を高くすることができる。
本発明の光照射装置の一例における構成の概略を示す斜視図である。 図1Aに示す光照射装置におけるx方向およびz方向に延びる平面による断面図である。 光源部の一例における構成の概略を示す平面図である。 図1Aに示す光照射装置における反射部の構成の概略を示す、x方向およびz方向に延びる平面による断面図である。 光照射面での視角が小さい場合における、被照射対象物の厚み方向(深さ方向)の光吸収分布を示す図である。 本発明の光照射装置が適用されたコンタクト露光装置の一例における構成を概略的に示す図である。 図5に示すコンタクト露光装置における露光処理時の状態を示す図である。 比率Aと照度均一度との関係、および比率Aと照度との関係を示すグラフである。 光照射面での視角が大きい場合における、被照射対象物の厚み方向(深さ方向)の光吸収分布を示す図である。 光照射面での視角を示す模式図である。 LEDを用いた従来の光照射装置の一例における構成の概略を示す模式図である。 LEDを用いた従来の光照射装置の他の例における構成の概略を示す模式図である。 LEDを用いた従来の光照射装置のさらに他の例における構成の概略を示す模式図である。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1Aは、本発明の光照射装置の一例における構成の概略を示す斜視図である。図1Bは、図1Aに示す光照射装置におけるx方向およびz方向に延びる平面による断面図である。図2は、光源部の一例における構成の概略を示す平面図である。
この光照射装置は、複数のLED12が同一平面上に配置されてなる光源部10と、光源部10からの光を反射する反射部20とにより構成された光照射器1を備えている。
光源部10は、一方向(図2において上下方向。以下、この方向を「y方向」という。)に長尺な基板11を有し、この基板11上に、例えばチップ状の複数のLED12が、基板11のy方向(長手方向)およびy方向に直交する方向(図2において左右方向。以下、この方向を「x方向」という。)に並んで配置されている。この例においては、y方向に隣接するLED12が互いにx方向にずれるように配置されることにより、基板11全体において、複数のLED12が千鳥状に配置されている。各々のLED12は、光軸がx方向およびy方向の各々に直交する方向(図2において紙面に垂直な方向。以下、この方向を「z方向」という。)に延びる姿勢で配置されている。図2において破線で示す領域はLED配置領域15であって、Oはその中心位置を示す。
LED12は、中心発光波長が互いに同一のものであっても、互いに異なるものであってもよいが、中心発光波長が異なる複数種のものが用いられることが好ましい。これにより、被照射対象物に対する処理を単一波長の光ではなく、複数の波長の光で行うことができる。例えば、厚膜レジストの硬化処理であれば、短波長の光で表面近傍を硬化させると共に、長波長の光で深部を硬化させることができ、結果として高分解能のレジスト硬化が可能となる。
反射部20は、例えば筒状の中空体により構成されており、光源部におけるLED配置領域の中心位置Oを含むz方向に延びる軸(以下、「基準軸」という。)Cを含む、x方向およびz方向に延びる仮想平面Fに関して対称な構造(図1Bにおいて左右対称)を有する。図示はしていないが、反射部20は、基準軸Cを含む、y方向およびz方向に延びる仮想平面に関しても対称な構造を有する。反射部20は、光出射側開口端の開口形状が多角形状とされていることが好ましい。このような構成とされることにより、複数の光照射器を隙間なく並べることができ、上記効果を確実に得ることができる。
而して、上記の光照射装置においては、反射部20は、基準軸Cを含むxz断面またはyz断面において、光射出方向前方に向かうに従って基準軸Cに対して外方に広がる形態を有しており、以下に示す関係(1)〜(3)を満足する構成とされている。
関係(1):反射部20における光源部側の端部位置と反射部20の光出射側開口端縁の位置とを結ぶ第一仮想線の、z方向に対する傾斜角度をθ1 としたとき、15°≦θ1 ≦37.4°であること。
傾斜角度θ1 が過小である場合には、後述する比較例7および比較例17の結果に示されるように、光照射面での視角の大きさを小さく抑制することが困難となる。一方、傾斜角度θ1 が過大である場合には、後述する比較例10の結果に示されるように、光照射面での視角の大きさを小さく抑制することが困難となる。
関係(2):基準軸C上における各々のLED12の光出射面が位置される平面と同じz方向レベル位置(以下、「基準点」という。)と反射部20の光出射側開口端縁の位置とを結ぶ第二仮想線の、基準軸Cに対する傾斜角度をθ2 としたとき、θ1 <θ2 であり、かつ、24.8°≦θ2 ≦41.2°であること。
傾斜角度θ2 が過小である場合には、光照射面での視角の大きさを小さく抑制することが困難となる。後述する比較例4および比較例5の結果に示されるように、θ1 の値が小さくなると、視角が大きくなっていることから、θ1 についての関係(1)を満足する構成のものを想定した場合には、比較例4に係る光照射装置よりも視角の大きさが小さくなるが、実施例の各々に係る視角の大きさよりは大きくなることが予想される。一方、傾斜角度θ2 が過大である場合には、後述する比較例12および比較例15の結果に示されるように、光照射面での視角の大きさを小さく抑制することが困難となると共に十分に高い照度均一度を得ることが困難となる。
関係(3):光源部10におけるLED配置領域15の幅(Wa)と反射部20の開口幅(Wb)との比率をA(=Wa/Wb)としたとき、0.008≦A≦0.5であること。
比率Aが過小である場合には、後述する比較例19および比較例20の結果並びに図7に示されるように、光照射面において十分に高い照度を得ることが困難となる。一方、比率Aが過大である場合には、図7に示されるように、十分に高い照度均一度を得ることが困難となる。
この例における反射部20は、x方向において互いに対向する一対の第一ミラー素子21と、y方向において互いに対向する一対の第二ミラー素子25とを備えており、全体が略四角錐台形とされた筒状ミラーにより構成されている。
第一ミラー素子21は、図3に示すように、基準軸Cを含むxz断面において、z方向に対して傾斜して延びる平板状の第一傾斜面部22および第一傾斜面部22の下端に連続してz方向に対して傾斜して延びる平板状の第二傾斜面部23を有する。そして、第一傾斜面部22および第二傾斜面部23の各々のz方向に対する傾斜角度は、上記関係(1)〜(3)を満足する状態で、互いに異なる大きさに設定されている。
すなわち、光源部10のLED配置面10aと同じz方向レベル位置に位置された第一ミラー素子21における第一傾斜面部22の上端位置βと第二傾斜面部23の下端位置(反射部20の光出射側開口端縁の位置)γとを結ぶ第一仮想線L1の、z方向に対する傾斜角度θ1 が15°≦θ1 ≦37.4°を満たす大きさとされている。また、基準点δと第二傾斜面部23の下端位置(反射部20の光出射側開口端縁の位置)γとを結ぶ第二仮想線L2の、基準軸C(z方向)に対する傾斜角度θ2 が、θ1 <θ2 であり、かつ、24.8°≦θ2 ≦41.2を満たす大きさとされている。さらに、光源部10におけるLED配置領域15の幅(図3においてはx方向寸法)Waと、反射部20のx方向における開口幅Wbとの比率A(=Wa/Wb)が、0.008≦A≦0.5を満たす大きさとされている。
傾斜角度θ1 および傾斜角度θ2 の大きさは、上記(1)〜(3)の関係を満足する範囲内において、光照射面LSでの視角が40°以下、より好ましくは30°以下となるよう、設定されることが好ましい。
視角が例えば40°以下である場合には、図4に示すように、被照射対象物の厚み方向(深さ方向)での光吸収の偏りを小さく抑制することができて、光処理の処理精度を高くすることができる。図4における上下方向は被照射対象物の厚み方向を示し、左右方向は被照射対象物の面方向の位置を示す。また、Laは光吸収領域を示す。
第一ミラー素子21の内面21a、すなわち第一傾斜面部22の内面および第二傾斜面部23の内面は、LED12からの光の一部(放射角の大きい光)を反射する反射面を構成するが、第一傾斜面部22の内面および第二傾斜面部23の内面は、拡散反射面とされていることが好ましい。第一ミラー素子21の内面21aが拡散反射面とされていることにより、照射距離(ワークディスタンスWD)が小さい場合であっても、光照射面LSにおける照度の均一性を向上させることができ、高い照度を維持しやすくなる。
拡散反射面は、例えば、第一ミラー素子21の内面21aにディンプル加工を施してディンプルを形成することなどにより形成することができる。このような構成とされていることにより、光の混光性を高くすることができて光照射面での照度均一度を高くすることができる。また、拡散性反射面は、例えば、拡散体を設けることや、第一ミラー素子21の内面21aを多数の平坦面によって構成することによって形成されていてもよく、このような場合であっても、光の混光性を高くすることができる。
第二ミラー素子25は、例えば、z方向に対して傾斜して延びる平面状ミラーにより構成されている。第二ミラー素子25の内面についても同様に、拡散反射面とされていることが好ましい。
而して、上記の光照射装置においては、基準軸Cを含むxz断面において、光源部10におけるLED配置領域15の幅Waが反射部20の開口幅Wbに対して十分に小さく、光源部10は複数のLED12が密に配置された構成とされている。しかも、反射部20が特定の形態を有するものであることにより、LED12から反射部20の開口を介して直接的に出射される光の出射角および反射部20によって反射されて出射される反射光の出射角が規制される。すなわち、光源部10から光照射面LSへ直接的に出射される光は、放射角が小さい一部の光に大きく規制されることになる。一方、LED12からの放射角が大きな光は、反射部20で反射されて間接的に光照射面LSに向かって出射される。然るに、第一ミラー素子21の内面21aによって、x方向における基準軸C方向に向かって反射されるため、反射光の出射角は小さく抑制されることとなる。
従って、上記の光照射装置によれば、後述する実施例の結果に示されるように、光照射面LSでの視角を小さく抑制することができる。また、上記の光照射装置によれば、各LED12からの光の混光性が高くなる。このため、LEDの光放射出力のバラツキや、任意のLEDの経時的な光量減少などといった不具合が生じた場合であっても、光照射面LSにおいて各LED12からの光が重畳されて互いに補償し合うことにより、光照射面LSにおける照度の均一性を高くすることができると共に、安定性の高い光照射を行うことができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更を加えることができる。
例えば、反射部は、上記(1)〜(3)の関係を満足するものであれば、上記実施の形態に係る構成のものに限定されない。例えば、反射部を構成する第一ミラー素子はz方向に対する傾斜角度が互いに異なる複数の傾斜面部を有する構成とされている必要はない。
さらにまた、反射部は、光源部側の端部が光源部と同じz方向レベル位置に位置された状態で配置されている必要はなく、光源部より光出射方向前方側に配置されていてもよい。
さらにまた、本発明の光照射装置においては、複数個の光照射器を備えた構成とされていてもよい。このような構成のものにおいては、上述のように、光照射器における反射部の光出射側開口端の開口形状が多角形状とされることにより光照射器を隙間なく並べることができ、上記効果を確実に得ることができる。
以上のような光照射装置は、例えばフォトリソグラフィによる半導体基板や液晶基板の露光およびその他の微細加工に用いられる露光装置などの光源として好適に用いることができる。
図5は、本発明の光照射装置が適用されたコンタクト露光装置の一例における構成を概略的に示す図である。
このコンタクト露光装置(以下、単に「露光装置」という。)は、露光光(例えば紫外光)をフォトマスクMを介して被照射対象物(以下、「ワーク」ともいう。)Wに照射する、例えば図1に示す光照射器1を備えた光照射装置により構成された光照射部5と、ワークWに露光(転写)するパターンが形成されたフォトマスクMを保持するマスクステージ50と、ワークWを保持するワークステージ55と、ワークステージ55に保持されたワークWとフォトマスクMとの位置合わせを行うためのアライメント機構60と、ワークWを搬送するワーク搬送機構と、装置の各動作を制御する制御部(不図示)とを備えている。ワークWとしては、例えばプリント基板、半導体基板、液晶基板といった基板材料を例示することができる。
マスクステージ50は、フォトマスクMの上面における周縁部を例えば真空吸着により保持するマスク保持手段(図示せず)を備えている。
なお、マスクステージ50は、適宜のステージ駆動機構(図示せず)によって、ワークステージ55のワーク載置面に沿った水平面内でXYθ方向に移動可能に構成されていてもよい。
ワークステージ55には、平坦なワーク載置面上に載置されたワークWを例えば真空吸着により保持するワーク保持手段(不図示)が設けられている。
ワークステージ55は、ステージ駆動機構56によって、XYZθ方向(ワーク載置面に沿った面方向、高さ方向およびワーク載置面に垂直な軸を中心とした回転方向)に移動可能に構成されている。ステージ駆動機構56は、例えばXYθステージ57と、昇降ステージ(Zステージ)58とを備えている。
アライメント機構60は、フォトマスクMに形成されたマスク・アライメントマークAmと、ワークWに形成されたワーク・アライメントマークAwを同時に検出するアライメントマーク検出手段61と、アライメントマーク検出手段61を光照射部5とマスクステージ50との間の位置に挿入または当該位置から退避させる移動機構(図示せず)とを備えている。アライメントマーク検出手段61としては、例えばCCDカメラのような撮像装置を用いることができる。
ワーク搬送機構は、露光処理前のワークWを搬入する搬入側搬送機構65aと、露光処理が終わったワークWを搬出する搬出側搬送機構65bとを備えている。搬入側搬送機構65aおよび搬出側搬送機構65bは、例えば、水平面内において互いに平行にワークWの搬送方向と直交する方向に延びる複数のコンベア軸66の各々に回転自在に設けられた複数個のローラ67を備えたローラコンベアにより構成されている。
また、ワーク搬送機構は、搬入側搬送機構65aにおけるコンベア上のワークWをワークステージ55上に移載する搬入側移載機構70a、および、露光処理後のワークWをワークステージ55上から搬出側搬送機構65bのコンベア上に移載する搬出側移載機構70bを備えている。搬入側移載機構70aおよび搬出側移載機構70bは、例えばワークWを吸着保持する移載アーム71を備えており、当該移載アーム71は、ワークステージ55とマスクステージ50との間の位置に挿入退避可能に設けられている。
上記の露光装置において、ワークWの露光処理は次のように行われる。
先ず、搬入側搬送機構65aによって装置内に搬入されたワークWが搬入側移載機構70aによってワークステージ55上に移載される。すなわち、コンベア上のワークWが移載アーム71よって吸着保持された後、移載アーム71がワークWを保持した状態で水平方向に移動されてワークステージ55の上方に位置される。この状態において、移載アーム71によるワークWの吸着保持が解除されることによりワークWがワークステージ55上に載置される。その後、移載アーム71は所定位置に退避される。ワークステージ55上に載置されたワークWは、ワークステージ55に設けられたワーク保持手段によって例えば吸着保持される。
次いで、アライメントマーク検出手段61によって、フォトマスクMにおけるマスク・アライメントマークAmと、ワークWにおけるワーク・アライメントマークAwとが検出される。これにより、ワークステージ55上のワークWの位置情報と、マスクステージ50に保持されたフォトマスクMの位置情報とが取得され、当該位置情報に基づいて、ワークステージ上のワークWとフォトマスクMとの位置合わせが行われる。すなわち、制御部は、X方向、Y方向およびθ方向のアライメント量を、検出された位置情報に基づいて、設定し、当該アライメント量に応じて、例えばステージ駆動機構56を構成するXYθステージ57を移動させる。これにより、ワークWとフォトマスクMとの位置合わせが行われる。ここに、ワークWとフォトマスクMの位置合わせは、ワークステージ55およびマスクステージ50の一方が他方に対して相対的に移動されて行われればよく、従って、マスクステージ50が設定されたアライメント量に従って駆動されてもよい。
フォトマスクMとワークWとの位置合せが終了した後、図6に示すように、ステージ駆動機構56を構成する昇降ステージ58によってワークステージ55が上昇されてワークWの表面がマスクMに密着した状態とされる。この状態において、光照射部5からの露光光(例えばUV光、図6において白抜きの矢印で示す。)がマスクステージ50に保持されたフォトマスクMを介してワークステージ55上のワークWの表面に照射され、これにより、フォトマスクMに形成されたパターンがワークWに露光(転写)される。
ワークWに対する露光処理が終了すると、ステージ駆動機構56を構成する昇降ステージ58によってワークステージ55が下降され、搬出側移載機構70bによって、ワークステージ55上のワークWが搬出側搬送機構65bにおけるコンベア上に移載される。そして、搬出側搬送機構65bによって、ワークWが装置外部に搬出される。
而して、上記の露光装置によれば、光照射部5を構成する上記の光照射装置が、光照射面において照度の高い均一性が得られるものであるため、ワークWの露光処理を処理ムラを生じさせることなく、高い解像度で行うことができる。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
〈実施例1〜10,比較例1〜22〉
図1Aおよび図1Bに示す構成に従い、下記表1に示す仕様を有する本発明に係る光照射装置を製作した。また、下記表2に示す仕様を有する比較用の光照射装置を製作した。
各々の光照射装置において、光源部は、図2に示すように、LED配置領域において、約2000個のLEDがx方向およびy方向に並ぶよう配置されて構成されている。各々のLEDは、光放射角が60°であるものである。LED配置領域は、x方向の寸法(Wa)が下記表1および表2に示す大きさであって、y方向の寸法が360mmである。また、表1における「LED配列」において、「10列」とは、図2においてx方向に並ぶLEDの数が10個であることを示し、「n並列」とは、10列のLED配列を一のLED群としたとき、図2においてx方向に並ぶLED群の数がn個であることを示す。
反射部を構成する第一ミラー素子および第二ミラー素子の各々の内面には、ハンマーパターンあるいはスタッコパターンが設けられ、拡散反射面とされている。
実施例1〜実施例10および比較例1〜比較例22に係る光照射装置の各々について、反射部の光出射側開口端面からz方向に374mm離れた位置に配置された光照射面での視角を求めると共に、当該光照射面における照度均一性を調べた。以下に定義される視角が40°以下、照度均一度が75%以上、照度が20mW/cm2 以上である場合を「○」、視角、照度均一度および照度のいずれか一でも当該評価基準を満足しない場合を「×」として評価した。また、視角が30°以下、照度均一度が80%以上、照度が30mW/cm2 以上である場合を「◎」として評価した。結果を下記表1および表2に示す。
光照射面における入射角度強度分布の半値半幅から実効視角を求め、この値を光照射面での視角とした。
照度は、光照射面における複数の測定箇所において測定された照度の平均値である。
照度均一度は、光照射面における複数の測定箇所において測定された照度の平均値をEa、複数の測定箇所の各々における照度分布幅をΔEとしたとき、(式)(Ea−ΔE)/Ea〔%〕により定義される。




この結果から明らかなように、実施例1〜実施例10に係る光照射装置においては、光照射面での視角を小さく抑制することができ、光照射面において十分に高い照度が得られ、かつ照度の高い均一性が得られることが確認された。
また、θ2 を任意の大きさに設定した複数の光照射装置の各々について、比率Aの大きさと照度均一度との関係を調べた。結果を図7に示す。図7に示す曲線(A)〜(F)は、θ2 の値をそれぞれ、21.7°、29.9°、34.8°、41.2°、48.9°、57.9°とした光照射装置の結果を示す。曲線(G)は、比率Aの大きさと照度値との関係を示す。
図7に示す結果より明らかなように、比率Aの値が高くなるほど、照度均一度は低下する傾向にあり、特に比率Aの値が0.5を超える範囲では、照度均一度(混光性)の悪化が著しいことが確認された。また、比率Aの値が0.008を下回ると、照度値が著しく低下してしまうことが確認された。よって、照度均一度および照度の観点からは、比率Aが上記の(3)の関係を満たすこと(0.008≦A≦0.5)により、光照射面において十分に高い照度が得られ、しかも高い照度均一度が得られることが確認された。
1 光照射器
5 光照射部
10 光源部
10a LED配置面
11 基板
12 LED
15 LED配置領域
20 反射部
21 第一ミラー素子
21a 内面(反射面)
22 第一傾斜面部
23 第二傾斜面部
25 第二ミラー素子
30 光源部
30a セグメント光源
31 LED
32 基板
35 導光部
40 アパーチャーアレイ
45 マスク
50 マスクステージ
55 ワークステージ
56 ステージ駆動機構
57 XYθステージ
58 昇降ステージ
60 アライメント機構
61 アライメントマーク検出手段
65a 搬入側搬送機構
65b 搬出側搬送機構
66 コンベア軸
67 ローラ
70a 搬入側移載機構
70b 搬出側移載機構
71 移載アーム
Am マスク・アライメントマーク
Aw ワーク・アライメントマーク
C 基準軸
F 仮想平面
LS 光照射面
M フォトマスク
O LED配置領域の中心位置
W 被照射対象物(ワーク)

Claims (6)

  1. 互いに直交する3つの方向をx方向、y方向およびz方向としたとき、x方向およびy方向に延びる同一平面上において、各々光軸がz方向に延びる複数のLEDがx方向およびy方向に並んで配置されてなる光源部と、当該光源部からの光を反射する反射部とを備えた光照射装置において、
    前記光源部におけるLED配置領域の中心位置を含むz方向に延びる軸を基準軸としたとき、当該基準軸を含むxz断面またはyz断面において、
    前記反射部は、光出射方向前方に向かうに従って当該基準軸に対して外方に広がる形態を有しており、当該反射部における前記光源部側に位置される端部位置と当該反射部の光出射側開口端縁の位置とを結ぶ第一仮想線の、z方向に対する傾斜角度をθ1 、当該基準軸上における各々のLEDの光出射面が位置される平面と同じz方向レベル位置と当該反射部の光出射側開口端縁の位置とを結ぶ第二仮想線の、当該基準軸に対する傾斜角度をθ2 、前記LED配置領域の幅(Wa)と前記反射部の開口幅(Wb)との比率をA(=Wa/Wb)としたとき、下記(1)〜(3)の関係を満足することを特徴とする光照射装置。
    (1)15°≦θ1 ≦37.4°
    (2)24.8°≦θ2 ≦41.2°,θ1 <θ2
    (3)0.008≦A≦0.5
  2. 前記光源部を構成する複数のLEDは、中心発光波長が異なる複数種類のものよりなることを特徴とする請求項1に記載の光照射装置。
  3. 前記反射部は、光拡散性反射面を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光照射装置。
  4. 前記反射部の拡散性反射面が、多数の平坦面によって構成されていることを特徴とする請求項3に記載の光照射装置。
  5. 前記反射部の拡散性反射面が、当該反射部の内面に形成されたディンプルによって構成されていることを特徴とする請求項3に記載の光照射装置。
  6. 前記反射部は、光出射側開口端の開口形状が多角形状であることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の光照射装置。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053340A (ja) * 1999-08-12 2001-02-23 Rohm Co Ltd チップ型発光装置
JP2006524909A (ja) * 2003-04-29 2006-11-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 光源
JP2007041467A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Y E Data Inc 露光装置用光源
JP2007066659A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Mirai:Kk 照明ユニット及び照明装置
JP2007134340A (ja) * 2005-10-28 2007-05-31 Philips Lumileds Lightng Co Llc 多数の部品からなる反射角変成器
JP2013153070A (ja) * 2012-01-25 2013-08-08 Citizen Electronics Co Ltd Led発光装置
JP2016092149A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 Ngkエレクトロデバイス株式会社 反射体、及びそれを用いた発光素子搭載用基板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053340A (ja) * 1999-08-12 2001-02-23 Rohm Co Ltd チップ型発光装置
JP2006524909A (ja) * 2003-04-29 2006-11-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 光源
JP2007041467A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Y E Data Inc 露光装置用光源
JP2007066659A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Mirai:Kk 照明ユニット及び照明装置
JP2007134340A (ja) * 2005-10-28 2007-05-31 Philips Lumileds Lightng Co Llc 多数の部品からなる反射角変成器
JP2013153070A (ja) * 2012-01-25 2013-08-08 Citizen Electronics Co Ltd Led発光装置
JP2016092149A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 Ngkエレクトロデバイス株式会社 反射体、及びそれを用いた発光素子搭載用基板

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