JP2018145489A - Plating apparatus and plating method - Google Patents

Plating apparatus and plating method Download PDF

Info

Publication number
JP2018145489A
JP2018145489A JP2017042643A JP2017042643A JP2018145489A JP 2018145489 A JP2018145489 A JP 2018145489A JP 2017042643 A JP2017042643 A JP 2017042643A JP 2017042643 A JP2017042643 A JP 2017042643A JP 2018145489 A JP2018145489 A JP 2018145489A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
resistance
plating
edge portion
electrical resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017042643A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6841687B2 (en
Inventor
瑞樹 長井
Mizuki Nagai
瑞樹 長井
一仁 辻
Kazuhito Tsuji
一仁 辻
貴士 岸
Takashi Kishi
貴士 岸
俊樹 宮川
Toshiki Miyagawa
俊樹 宮川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP2017042643A priority Critical patent/JP6841687B2/en
Priority to KR1020180005978A priority patent/KR102222776B1/en
Priority to TW107102217A priority patent/TWI742229B/en
Priority to US15/878,267 priority patent/US10676838B2/en
Priority to CN201810064597.4A priority patent/CN108344897A/en
Publication of JP2018145489A publication Critical patent/JP2018145489A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6841687B2 publication Critical patent/JP6841687B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plating apparatus and a plating method that can detect an abnormality of electrical resistance caused in a substrate.SOLUTION: A plating apparatus comprises: a resistance measuring device for measuring the electrical resistance of an edge part of an electrical conduction layer of a substrate which is a plating object; and a substrate holder for holding the substrate. The resistance measuring device is configured so as to be able to measure the electrical resistance of the substrate before the substrate is held by the substrate holder.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明はめっき装置およびめっき方法に関する。   The present invention relates to a plating apparatus and a plating method.

半導体ウェハ等の基板を基板ホルダで保持し、基板をめっき槽内のめっき液中に浸漬させるめっき装置が知られている。図13に示すように、基板ホルダは、基板Wの周縁部に接触する複数の内部接点100と、これら内部接点100にそれぞれ接続された複数の外部接点101とを備えている。複数の内部接点100と複数の外部接点101とを接続する配線104は基板ホルダの内部に配置されている。外部接点101は、基板ホルダをめっき槽内の所定位置に配置した時に、電源105に接続された給電端子103に接触される。電流は外部接点101および内部接点100を通じて基板Wに流れ、めっき液の存在下で基板Wの表面に金属膜が形成される。   There is known a plating apparatus that holds a substrate such as a semiconductor wafer with a substrate holder and immerses the substrate in a plating solution in a plating tank. As shown in FIG. 13, the substrate holder includes a plurality of internal contacts 100 that contact the peripheral edge of the substrate W, and a plurality of external contacts 101 that are respectively connected to the internal contacts 100. Wirings 104 connecting the plurality of internal contacts 100 and the plurality of external contacts 101 are arranged inside the substrate holder. The external contact 101 is brought into contact with the power supply terminal 103 connected to the power source 105 when the substrate holder is disposed at a predetermined position in the plating tank. The current flows to the substrate W through the external contact 101 and the internal contact 100, and a metal film is formed on the surface of the substrate W in the presence of the plating solution.

ある内部接点100と基板Wとの間の電気抵抗(以下、単に内部接点100の電気抵抗という)が極端に高い、あるいは極端に低い場合、複数の内部接点100に流れる電流が不均一になり、基板面内の膜厚の均一性に問題が生じることがある。そこで、基板を基板ホルダに保持した状態で、基板ホルダの内部接点から基板へ流れる電流に対する抵抗値を測定して、基板および基板ホルダの検査を行う技術がある(たとえば特許文献1、2)。   When the electrical resistance between an internal contact 100 and the substrate W (hereinafter simply referred to as the electrical resistance of the internal contact 100) is extremely high or extremely low, the current flowing through the plurality of internal contacts 100 becomes non-uniform, There may be a problem with the uniformity of the film thickness in the substrate surface. Therefore, there is a technique for inspecting the substrate and the substrate holder by measuring the resistance value against the current flowing from the internal contact of the substrate holder to the substrate while the substrate is held by the substrate holder (for example, Patent Documents 1 and 2).

特開2015−200017号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2015-200017 特開2005−146399号公報JP 2005-146399 A

特許文献1では、基板ホルダに基板が保持された状態において、基板ホルダの1つの電気接点から基板を通って基板ホルダの他の電気接点へ流れる電流に対する電気抵抗を測定する。電気抵抗が許容範囲内にあるときを正常な状態であるとし、電気抵抗が許容範囲にないときは基板または基板ホルダに異常があると判断される。電気抵抗が異常となるには主に2つの原因がある。1つは、基板側の要因である。たとえば、基板の表面に電導層(シード層)が均一に形成されていない場合や、基板にレジストを塗布する際に生じる不要物が基板上に残っている場合、基板の表面が酸化している場合などに電気抵抗の異常が生じ得る。もう一つは、基板ホルダ側の要因である。基板ホルダの内部接点が変形している場合や、レジストなどの異物が基板ホルダの内部接点に付着している場合や、めっき液が基板ホルダの内部接点に付着している場合、などに電気抵抗の異常が生じ得る。しかし、特許文献1に開示の方法では、電気抵抗に異常が発生した場合でも、その原因が基板にあるのか、基板ホルダにあるのかを判断することはできない。たとえば、基板ホルダに異常があり、基板そのものには異常がないならば、基板ホルダを交換することで、正常なめっき処理を行うことができる。しかし、そのような判断をするには、電気抵抗の異常の原因が基板側にあるのか、基板ホルダ側にあるのかを解明する必要がある。そこで、本願は、基板に生じた原因による電気抵抗の異常を検出できるようにすることを1つの目的としている。   In Patent Document 1, in a state where the substrate is held by the substrate holder, the electrical resistance to the current flowing from one electrical contact of the substrate holder through the substrate to the other electrical contact of the substrate holder is measured. When the electrical resistance is within the allowable range, the normal state is assumed. When the electrical resistance is not within the allowable range, it is determined that the substrate or the substrate holder is abnormal. There are two main causes for abnormal electrical resistance. One is a factor on the substrate side. For example, when the conductive layer (seed layer) is not uniformly formed on the surface of the substrate, or when unnecessary materials generated when applying a resist to the substrate remain on the substrate, the surface of the substrate is oxidized. In some cases, abnormal electrical resistance may occur. The other is a factor on the substrate holder side. When the internal contact of the substrate holder is deformed, or when foreign material such as resist adheres to the internal contact of the substrate holder, or when the plating solution adheres to the internal contact of the substrate holder, etc. Anomalies may occur. However, in the method disclosed in Patent Document 1, even when an abnormality occurs in the electrical resistance, it cannot be determined whether the cause is in the substrate or in the substrate holder. For example, if there is an abnormality in the substrate holder and there is no abnormality in the substrate itself, a normal plating process can be performed by replacing the substrate holder. However, in order to make such a determination, it is necessary to clarify whether the cause of the abnormal electrical resistance is on the substrate side or the substrate holder side. Therefore, an object of the present application is to be able to detect an abnormality in electrical resistance due to a cause generated in a substrate.

[形態1]形態1によれば、めっき装置が提供され、かかるめっき装置は、めっき対象物である基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定する抵抗測定器と、基板を保持するた
めの基板ホルダと、を有し、前記抵抗測定器は、前記基板ホルダにより基板を保持する前に、基板の電気抵抗を測定するように構成される。形態1によるめっき装置によれば、めっき処理を開始する直前に基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定することで、基板の不良を発見することができる。時間経過とともに、基板のエッジ部の電導層に酸化膜が形成されたり、レジストから揮発した有機物が付着したりすることがあるので、めっき処理を開始する直前に基板の状態を判定することで、良好なめっき処理を行うことができる。
[Embodiment 1] According to Embodiment 1, a plating apparatus is provided. The plating apparatus includes a resistance measuring instrument for measuring an electric resistance of a conductive layer at an edge portion of a substrate that is an object to be plated, and a substrate for holding the substrate. And the resistance measuring instrument is configured to measure the electrical resistance of the substrate before holding the substrate by the substrate holder. According to the plating apparatus of the first aspect, it is possible to find a defect in the substrate by measuring the electric resistance of the conductive layer at the edge portion of the substrate immediately before starting the plating process. With the passage of time, an oxide film may be formed on the conductive layer at the edge portion of the substrate, or organic substances volatilized from the resist may adhere, so by determining the state of the substrate immediately before starting the plating process, A good plating process can be performed.

[形態2]形態2によれば、形態1によるめっき装置において、前記抵抗測定器は、基板のエッジ部の電導層の複数個所の電気抵抗を測定するように構成される。   [Mode 2] According to mode 2, in the plating apparatus according to mode 1, the resistance measuring device is configured to measure electrical resistances at a plurality of portions of the conductive layer of the edge portion of the substrate.

[形態3]形態3によれば、形態1または形態2によるめっき装置において、前記抵抗測定器は、基板のエッジ部の電導層に接触するように構成される接触ピンを有する。   [Mode 3] According to mode 3, in the plating apparatus according to mode 1 or mode 2, the resistance measuring instrument has a contact pin configured to come into contact with the conductive layer at the edge portion of the substrate.

[形態4]形態4によれば、形態3によるめっき装置において、前記接触ピンは、基板の周方向に移動可能に構成される。形態4によれば、基板を移動または回転させずに接触ピンを移動させることで、基板のエッジ部の複数の領域の電気抵抗を測定することができる。   [Mode 4] According to mode 4, in the plating apparatus according to mode 3, the contact pins are configured to be movable in the circumferential direction of the substrate. According to the fourth aspect, by moving the contact pin without moving or rotating the substrate, it is possible to measure the electrical resistance of a plurality of regions of the edge portion of the substrate.

[形態5]形態5によれば、形態1から形態4のいずれか1つの形態によるめっき装置において、さらに、基板の向きを所定の方向に合わせるためのアライナを有し、前記抵抗測定器は、前記アライナに配置された基板の電気抵抗を測定するように構成される。形態5によれば、アライナの回転機構を使用して、基板の複数の領域の電気抵抗を測定することができる。また、基板の電気抵抗を測定するための専用の場所を必要としないので、めっき装置の設置面積が大きくなることを防止できる。   [Embodiment 5] According to Embodiment 5, in the plating apparatus according to any one of Embodiments 1 to 4, the apparatus further includes an aligner for aligning the orientation of the substrate with a predetermined direction. It is configured to measure the electrical resistance of a substrate disposed on the aligner. According to the fifth aspect, the electrical resistance of a plurality of regions of the substrate can be measured using the rotation mechanism of the aligner. In addition, since a dedicated place for measuring the electrical resistance of the substrate is not required, it is possible to prevent an increase in the installation area of the plating apparatus.

[形態6]形態6によれば、形態1から形態4のいずれか1つの形態のめっき装置において、さらに、基板を前記基板ホルダに固定するためのフィキシングユニットを有し、前記抵抗測定器は、前記フィキシングユニットに配置された基板の電気抵抗を測定するように構成される。形態6によれば、基板の電気抵抗を測定するための専用の場所を必要としないので、めっき装置の設置面積が大きくなることを防止できる。   [Mode 6] According to Mode 6, in the plating apparatus according to any one of Modes 1 to 4, the plating apparatus further includes a fixing unit for fixing the substrate to the substrate holder, and the resistance measuring instrument includes: The electrical resistance of the substrate disposed in the fixing unit is measured. According to the sixth aspect, since a dedicated place for measuring the electric resistance of the substrate is not required, it is possible to prevent an increase in the installation area of the plating apparatus.

[形態7]形態7によれば、形態1から形態6のいずれか1つの形態のめっき装置において、さらに、前記抵抗測定器で測定された抵抗値を受け取る制御装置を有し、前記制御装置は、受け取った前記抵抗値に基づいて、基板の状態を判断するように構成される。形態7によれば、制御装置により自動的に基板の良否を判定することができる。   [Mode 7] According to Mode 7, in the plating apparatus according to any one of Modes 1 to 6, the plating apparatus further includes a control device that receives a resistance value measured by the resistance measuring instrument. The substrate state is determined based on the received resistance value. According to the seventh aspect, the quality of the substrate can be automatically determined by the control device.

[形態8]形態8によれば、形態1から形態7のいずれか1つの形態のめっき装置において、さらに、基板のエッジ部を洗浄するためのエッジ部洗浄装置を有する。形態8によれば、基板のエッジ部の電気抵抗の測定値に基づいて不良と判断された基板のエッジ部を洗浄することで、基板のエッジ部に形成された酸化膜や付着している異物を取り除き、基板を良好な状態にすることができる。   [Embodiment 8] According to Embodiment 8, the plating apparatus according to any one of Embodiments 1 to 7 further includes an edge portion cleaning device for cleaning the edge portion of the substrate. According to the eighth aspect, the oxide film formed on the edge portion of the substrate or the attached foreign matter is cleaned by cleaning the edge portion of the substrate determined to be defective based on the measured value of the electrical resistance of the edge portion of the substrate. And the substrate can be in a good state.

[形態9]形態9によれば、めっき対象物である基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定する抵抗測定器と、基板を保持するための基板ホルダと、コンピュータを備える制御装置と、を有するめっき装置において、めっき対象物である基板を基板ホルダに保持する前に、前記基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定するステップと、測定した基板の電気抵抗に基づいて、前記基板の状態を判断するステップと、を実行させるためのコンピュータプログラムが提供される。   [Embodiment 9] According to Embodiment 9, a resistance measuring device for measuring the electrical resistance of the conductive layer at the edge portion of the substrate that is the object to be plated, a substrate holder for holding the substrate, and a control device including a computer, In the plating apparatus having the step of measuring the electrical resistance of the conductive layer at the edge portion of the substrate before holding the substrate which is the object to be plated on the substrate holder, and based on the measured electrical resistance of the substrate, the substrate And a step of determining the state of the computer are provided.

[形態10]形態10によれば、形態9によるコンピュータプログラムにおいて、電気
抵抗を測定するステップは、前記基板のエッジ部の電導層の複数個所の電気抵抗を測定するステップを有する。
[Tenth Mode] According to the tenth aspect, in the computer program according to the ninth mode, the step of measuring the electrical resistance includes a step of measuring electrical resistances at a plurality of portions of the conductive layer on the edge portion of the substrate.

[形態11]形態11によれば、形態9または形態10によるコンピュータプログラムにおいて、さらに、基板のエッジ部を洗浄するステップを実行させる。形態11によれば、板のエッジ部の電気抵抗の測定値に基づいて不良と判断された基板のエッジ部を洗浄することで、基板のエッジ部に形成された酸化膜や付着している異物を取り除き、基板を良好な状態にすることができる。   [Mode 11] According to mode 11, in the computer program according to mode 9 or 10, the step of cleaning the edge portion of the substrate is further executed. According to the eleventh aspect, by cleaning the edge portion of the substrate determined to be defective based on the measured value of the electrical resistance of the edge portion of the plate, the oxide film formed on the edge portion of the substrate or the attached foreign matter And the substrate can be in a good state.

[形態12]形態12によれば、形態9から形態11のいずれか1つの形態によるコンピュータプログラムにおいて、さらに、めっき処理後に、めっき処理した基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定するステップを実行させる。形態12によれば、めっき処理の前後で基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定することで、めっき処理中に基板ホルダにリークが発生しているかどうかを検知することができる。   [Mode 12] According to mode 12, in the computer program according to any one of modes 9 to 11, the step of measuring the electrical resistance of the conductive layer at the edge portion of the plated substrate after the plating process is further provided. Let it run. According to the twelfth aspect, it is possible to detect whether or not a leak has occurred in the substrate holder during the plating process by measuring the electrical resistance of the conductive layer at the edge portion of the substrate before and after the plating process.

[形態13]形態13によれば、形態9から形態12のいずれか1つの形態によるコンピュータプログラムが記録された、コンピュータ読み取り可能な非一過性の記録媒体が提供される。   [Mode 13] According to mode 13, a computer-readable non-transitory recording medium in which a computer program according to any one of modes 9 to 12 is recorded is provided.

[形態14]形態14によれば、めっき方法が提供され、かかるめっき方法は、めっき対象物である基板を基板ホルダに保持する前に、前記基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定するステップと、測定した基板の電気抵抗に基づいて、前記基板の状態を判断するステップと、を有する。形態14によれば、めっき処理を開始する直前に基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定することで、基板の不良を発見することができる。時間経過とともに、基板のエッジ部の電導層に酸化膜が形成されたり、レジストから揮発した有機物が付着したりすることがあるので、めっき処理を開始する直前に基板の状態を判定することで、良好なめっき処理を行うことができる。   [Embodiment 14] According to Embodiment 14, a plating method is provided, and the plating method measures the electrical resistance of the conductive layer at the edge portion of the substrate before holding the substrate as the object to be plated on the substrate holder. And determining the state of the substrate based on the measured electrical resistance of the substrate. According to the fourteenth aspect, it is possible to find a defect in the substrate by measuring the electric resistance of the conductive layer at the edge portion of the substrate immediately before starting the plating process. With the passage of time, an oxide film may be formed on the conductive layer at the edge portion of the substrate, or organic substances volatilized from the resist may adhere, so by determining the state of the substrate immediately before starting the plating process, A good plating process can be performed.

一実施形態によるめっき装置の全体配置図である。1 is an overall layout diagram of a plating apparatus according to an embodiment. 図1に示されるめっき装置で使用される基板ホルダの斜視図である。It is a perspective view of the board | substrate holder used with the plating apparatus shown by FIG. 図2に示される基板ホルダの電気接点を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the electrical contact of the board | substrate holder shown by FIG. 一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す側面図である。It is a side view which shows the resistance measuring device by one Embodiment roughly. 図4に示される抵抗測定器を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly the resistance measuring device shown by FIG. 一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows the resistance measuring device by one Embodiment roughly. 一例として、厚さの異なる銅をシード層とした基板の抵抗の実測値を示したグラフである。As an example, it is the graph which showed the measured value of the resistance of the board | substrate which used the copper from which thickness differs as a seed layer. 一実施形態によるエッジ部洗浄装置を備えるアライナを示す概略上面図である。It is a schematic top view which shows the aligner provided with the edge part cleaning apparatus by one Embodiment. 図8に示す矢視9−9におけるアライナの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the aligner in the arrow 9-9 shown in FIG. 図8に示す矢視10−10におけるアライナの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the aligner in arrow 10-10 shown in FIG. 一実施形態によるめっき方法を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the plating method by one Embodiment. 一実施形態によるめっき方法を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the plating method by one Embodiment. 基板ホルダの電気路を示す概略図である。It is the schematic which shows the electrical path of a board | substrate holder. 一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows the resistance measuring device by one Embodiment roughly. 一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows the resistance measuring device by one Embodiment roughly. 一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows the resistance measuring device by one Embodiment roughly. 一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows the resistance measuring device by one Embodiment roughly. 図14A〜図14Dの抵抗測定器の概略側面図である。It is a schematic side view of the resistance measuring device of FIG. 14A-FIG. 14D. 一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows the resistance measuring device by one Embodiment roughly. 一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows the resistance measuring device by one Embodiment roughly. 図16A、図16Bの抵抗測定器の概略側面図である。It is a schematic side view of the resistance measuring device of FIG. 16A and FIG. 16B. 一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows the resistance measuring device by one Embodiment roughly. 一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows the resistance measuring device by one Embodiment roughly. 一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows the resistance measuring device by one Embodiment roughly. 一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows the resistance measuring device by one Embodiment roughly. 図18A〜図18Dの抵抗測定器の概略側面図である。It is a schematic side view of the resistance measuring device of FIG. 18A-FIG. 18D. 一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows the resistance measuring device by one Embodiment roughly. 一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows the resistance measuring device by one Embodiment roughly. 図20A、図20Bの抵抗測定器の概略側面図である。It is a schematic side view of the resistance measuring device of FIG. 20A and FIG. 20B.

以下に、本発明に係るめっき装置およびめっき装置に使用される基板ホルダの実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。   Hereinafter, embodiments of a plating apparatus and a substrate holder used in the plating apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the accompanying drawings, the same or similar elements are denoted by the same or similar reference numerals, and redundant description of the same or similar elements may be omitted in the description of each embodiment. Further, the features shown in each embodiment can be applied to other embodiments as long as they do not contradict each other.

図1は、一実施形態によるめっき装置の全体配置図である。図1に示すように、このめっき装置は、基板ホルダ60に基板をロードし、又は基板ホルダ60から基板をアンロードするロード/アンロード部170Aと、基板を処理する処理部170Bとに大きく分けられる。   FIG. 1 is an overall layout diagram of a plating apparatus according to an embodiment. As shown in FIG. 1, this plating apparatus is roughly divided into a load / unload unit 170A for loading a substrate to the substrate holder 60 or unloading the substrate from the substrate holder 60, and a processing unit 170B for processing the substrate. It is done.

ロード/アンロード部170Aには、3台のフープ(Front−Opening Unified Pod:FOUP)102と、基板のオリフラ(オリエンテーションフラット)やノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ40と、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピンリンスドライヤ20とが設けられる。フープ102は、半導体ウェハ等の複数の基板を多段に収納する。スピンリンスドライヤ20の近くには、基板ホルダ60を載置して基板の着脱を行うフィキシングユニット120が設けられている。これらのユニット102,40,20,120の中央には、これらのユニット間で基板を搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置122が配置されている。   The load / unload unit 170A includes three hoops (Front-Opening Unified Pod: FOUP) 102, an aligner 40 for aligning the orientation flat (notation flat) and notch of the substrate in a predetermined direction, and after the plating process. And a spin rinse dryer 20 for drying the substrate by rotating it at a high speed. The hoop 102 stores a plurality of substrates such as semiconductor wafers in multiple stages. Near the spin rinse dryer 20, there is provided a fixing unit 120 on which the substrate holder 60 is placed and the substrate is attached and detached. In the center of these units 102, 40, 20, and 120, a substrate transfer device 122 including a transfer robot that transfers a substrate between these units is disposed.

フィキシングユニット120は、2個の基板ホルダ60を載置可能に構成される。フィキシングユニット120においては、一方の基板ホルダ60と基板搬送装置122との間で基板の受渡しが行われた後、他方の基板ホルダ60と基板搬送装置122との間で基板の受渡しが行われる。   The fixing unit 120 is configured so that two substrate holders 60 can be placed thereon. In the fixing unit 120, the substrate is transferred between the one substrate holder 60 and the substrate transfer device 122, and then the substrate is transferred between the other substrate holder 60 and the substrate transfer device 122.

めっき装置の処理部170Bは、ストッカ124と、プリウェット槽126と、プリソーク槽128と、第1洗浄槽130aと、ブロー槽132と、第2洗浄槽130bと、めっき槽10と、を有する。ストッカ124では、基板ホルダ60の保管及び一時仮置きが行われる。プリウェット槽126では、基板が純水に浸漬される。プリソーク槽128では、基板の表面に形成したシード層等の導電層の表面にある酸化膜がエッチング除去される。第1洗浄槽130aでは、プリソーク後の基板が基板ホルダ60と共に洗浄液(純水等)で洗浄される。ブロー槽132では、洗浄後の基板の液切りが行われる。第2洗浄槽130bでは、めっき後の基板が基板ホルダ60と共に洗浄液で洗浄される。ストッカ124、プリウェット槽126、プリソーク槽128、第1洗浄槽130a、ブロー槽132、第2洗浄槽130b、及びめっき槽10は、この順に配置されている。   The processing unit 170B of the plating apparatus includes a stocker 124, a pre-wet tank 126, a pre-soak tank 128, a first cleaning tank 130a, a blow tank 132, a second cleaning tank 130b, and the plating tank 10. In the stocker 124, the substrate holder 60 is stored and temporarily placed. In the pre-wet tank 126, the substrate is immersed in pure water. In the pre-soak tank 128, the oxide film on the surface of the conductive layer such as the seed layer formed on the surface of the substrate is removed by etching. In the first cleaning tank 130a, the pre-soaked substrate is cleaned with a cleaning liquid (pure water or the like) together with the substrate holder 60. In the blow tank 132, the substrate is drained after cleaning. In the second cleaning tank 130b, the substrate after plating is cleaned with the cleaning liquid together with the substrate holder 60. The stocker 124, the pre-wet tank 126, the pre-soak tank 128, the first cleaning tank 130a, the blow tank 132, the second cleaning tank 130b, and the plating tank 10 are arranged in this order.

めっき槽10は、例えば、オーバーフロー槽を備えた複数のめっきセル134を有する。各めっきセル134は、内部に一つの基板を収納し、内部に保持しためっき液中に基板
を浸漬させる。めっきセル134において基板とアノードとの間に電圧を印加することにより、基板表面に銅めっき等のめっきが行われる。
The plating tank 10 includes, for example, a plurality of plating cells 134 provided with an overflow tank. Each plating cell 134 houses one substrate therein and immerses the substrate in a plating solution held inside. By applying a voltage between the substrate and the anode in the plating cell 134, plating such as copper plating is performed on the substrate surface.

めっき装置は、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダ60を基板とともに搬送する、例えばリニアモータ方式を採用した基板ホルダ搬送装置140を有する。この基板ホルダ搬送装置140は、第1トランスポータ142と、第2トランスポータ144を有している。第1トランスポータ142は、フィキシングユニット120、ストッカ124、プリウェット槽126、プリソーク槽128、第1洗浄槽130a、及びブロー槽132との間で基板を搬送するように構成される。第2トランスポータ144は、第1洗浄槽130a、第2洗浄槽130b、ブロー槽132、及びめっき槽10との間で基板を搬送するように構成される。他の実施形態では、めっき装置は、第1トランスポータ142及び第2トランスポータ144のいずれか一方のみを備えるようにし、いずれかのトランスポータが、フィキシングユニット120、ストッカ124、プリウェット槽126、プリソーク槽128、第1洗浄槽130a、第2洗浄槽130b、ブロー槽132、及びめっき槽10の間で基板を搬送するようにしてもよい。   The plating apparatus includes a substrate holder transport device 140 that is located on the side of each of these devices and transports the substrate holder 60 together with the substrates between these devices, for example, employing a linear motor system. The substrate holder transport device 140 includes a first transporter 142 and a second transporter 144. The first transporter 142 is configured to transfer the substrate between the fixing unit 120, the stocker 124, the pre-wet tank 126, the pre-soak tank 128, the first cleaning tank 130 a, and the blow tank 132. The second transporter 144 is configured to transfer the substrate between the first cleaning tank 130 a, the second cleaning tank 130 b, the blow tank 132, and the plating tank 10. In another embodiment, the plating apparatus includes only one of the first transporter 142 and the second transporter 144, and any one of the transporters includes the fixing unit 120, the stocker 124, the pre-wet bath 126, The substrate may be transferred among the pre-soak tank 128, the first cleaning tank 130a, the second cleaning tank 130b, the blow tank 132, and the plating tank 10.

図2は図1に示しためっき装置で使用される基板ホルダ60の斜視図である。基板ホルダ60は、図2に示すように、例えば塩化ビニル製で矩形平板状の第1保持部材65と、この第1保持部材65にヒンジ63を介して開閉自在に取付けられた第2保持部材66とを有している。基板ホルダ60の第1保持部材65の略中央部には、基板を保持するための保持面68が設けられている。また、第1保持部材65の保持面68の外側には、保持面68の円周に沿って、内方に突出する突出部を有する逆L字状のクランパ67が等間隔に設けられている。   FIG. 2 is a perspective view of the substrate holder 60 used in the plating apparatus shown in FIG. As shown in FIG. 2, the substrate holder 60 includes a first holding member 65 made of, for example, vinyl chloride and having a rectangular flat plate shape, and a second holding member attached to the first holding member 65 through a hinge 63 so as to be opened and closed. 66. A holding surface 68 for holding the substrate is provided at a substantially central portion of the first holding member 65 of the substrate holder 60. Further, on the outer side of the holding surface 68 of the first holding member 65, inverted L-shaped clampers 67 having protrusions protruding inward along the circumference of the holding surface 68 are provided at equal intervals. .

基板ホルダ60の第1保持部材65の端部には、基板ホルダ60を搬送したり吊下げ支持したりする際の支持部となる一対の略T字状のハンド69が連結されている。図1に示したストッカ124内において、ストッカ124の周壁上面にハンド69を引っ掛けることで、基板ホルダ60が垂直に吊下げ支持される。また、この吊下げ支持された基板ホルダ60のハンド69を第1トランスポータ142又は第2トランスポータ144で把持して基板ホルダ60が搬送される。なお、プリウェット槽126、プリソーク槽128、洗浄槽130a,130b、ブロー槽132及びめっき槽10内においても、基板ホルダ60は、ハンド69を介してそれらの周壁に吊下げ支持される。   A pair of substantially T-shaped hands 69 are connected to the end of the first holding member 65 of the substrate holder 60 as a support when the substrate holder 60 is transported or supported in a suspended manner. In the stocker 124 illustrated in FIG. 1, the substrate holder 60 is suspended and supported vertically by hooking the hand 69 on the upper surface of the peripheral wall of the stocker 124. Further, the substrate holder 60 is conveyed by holding the hand 69 of the substrate holder 60 supported by the suspension by the first transporter 142 or the second transporter 144. Note that the substrate holder 60 is also supported by being suspended on the peripheral walls via the hand 69 in the pre-wet tank 126, the pre-soak tank 128, the cleaning tanks 130a and 130b, the blow tank 132, and the plating tank 10.

また、ハンド69には、外部の電力供給部に接続するための図示しない外部接点が設けられている。この外部接点は、複数の配線を介して保持面68の外周に設けられた複数の導電体73(図3参照)と電気的に接続されている。   The hand 69 is provided with an external contact (not shown) for connection to an external power supply unit. The external contacts are electrically connected to a plurality of conductors 73 (see FIG. 3) provided on the outer periphery of the holding surface 68 via a plurality of wirings.

第2保持部材66は、ヒンジ63に固定された基部61と、基部61に固定されたリング状のシールホルダ62とを備えている。第2保持部材66のシールホルダ62には、シールホルダ62を第1保持部材65に押し付けて固定するための押えリング64が回転自在に装着されている。押えリング64は、その外周部において外方に突出する複数の突条部64aを有している。突条部64aの上面とクランパ67の内方突出部の下面は、回転方向に沿って互いに逆方向に傾斜するテーパ面を有する。   The second holding member 66 includes a base portion 61 fixed to the hinge 63 and a ring-shaped seal holder 62 fixed to the base portion 61. A presser ring 64 for pressing and fixing the seal holder 62 against the first holding member 65 is rotatably mounted on the seal holder 62 of the second holding member 66. The presser ring 64 has a plurality of protrusions 64a that protrude outward at the outer peripheral portion thereof. The upper surface of the protruding portion 64a and the lower surface of the inwardly protruding portion of the clamper 67 have tapered surfaces that are inclined in opposite directions along the rotational direction.

基板を保持するときは、まず、第2保持部材66を開いた状態で、第1保持部材65の保持面68に基板を載置し、第2保持部材66を閉じる。続いて、押えリング64を時計回りに回転させて、押えリング64の突条部64aをクランパ67の内方突出部の内部(下側)に滑り込ませる。これにより、押えリング64とクランパ67にそれぞれ設けられたテーパ面を介して、第1保持部材65と第2保持部材66とが互いに締付けられてロックされ、基板が保持される。基板の保持を解除するときは、第1保持部材65と第2保持
部材66とがロックされた状態において、押えリング64を反時計回りに回転させる。これにより、押えリング64の突条部64aが逆L字状のクランパ67から外されて、基板の保持が解除される。
When holding the substrate, first, the substrate is placed on the holding surface 68 of the first holding member 65 with the second holding member 66 open, and the second holding member 66 is closed. Subsequently, the presser ring 64 is rotated clockwise, and the protrusion 64 a of the presser ring 64 is slid into the inner projecting portion (lower side) of the clamper 67. Thus, the first holding member 65 and the second holding member 66 are tightened and locked to each other via the tapered surfaces provided on the presser ring 64 and the clamper 67, respectively, and the substrate is held. When releasing the holding of the substrate, the presser ring 64 is rotated counterclockwise while the first holding member 65 and the second holding member 66 are locked. As a result, the protrusion 64a of the presser ring 64 is removed from the inverted L-shaped clamper 67, and the holding of the substrate is released.

図3は、図2に示した基板ホルダ60の電気接点を示す断面図である。図3に示すように、第1保持部材54の保持面68には基板Wが載置されている。保持面68と第1保持部材54との間には、図2に示したハンド69に設けられた外部接点から延びる複数の配線に接続された複数の(図示では1つの)導電体73が配置されている。導電体73は、第1保持部材54の保持面68上に基板Wを載置した際、この導電体73の端部が基板Wの側方で第1保持部材54の表面にばね特性を有した状態で露出するように基板Wの円周外側に複数配置されている。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing electrical contacts of the substrate holder 60 shown in FIG. As shown in FIG. 3, the substrate W is placed on the holding surface 68 of the first holding member 54. Between the holding surface 68 and the first holding member 54, a plurality of (one in the figure) conductors 73 connected to a plurality of wires extending from external contacts provided in the hand 69 shown in FIG. Has been. When the substrate 73 is placed on the holding surface 68 of the first holding member 54, the conductor 73 has a spring characteristic on the surface of the first holding member 54 with the end portion of the conductor 73 on the side of the substrate W. A plurality of substrates are arranged outside the circumference of the substrate W so as to be exposed in this state.

シールホルダ62の、第1保持部材54と対向する面(図中下面)には、基板ホルダ60で基板Wを保持したときに基板Wの表面外周部及び第1保持部材54に圧接されるシール部材70が取付けられている。シール部材70は、基板Wの表面をシールするリップ部70aと、第1保持部材54の表面をシールするリップ部70bとを有する。   A surface of the seal holder 62 facing the first holding member 54 (a lower surface in the drawing) is pressed against the outer peripheral portion of the surface of the substrate W and the first holding member 54 when the substrate W is held by the substrate holder 60. A member 70 is attached. The seal member 70 includes a lip portion 70 a that seals the surface of the substrate W, and a lip portion 70 b that seals the surface of the first holding member 54.

シール部材70の一対のリップ部70a,70bで挟まれた内部には、支持体71が取付けられる。支持体71には導電体73から給電可能に構成された電気接点72が、例えばねじ等で固定され、基板Wの円周に沿って複数配置されている。電気接点72は、保持面68の内側へ向かって延びる電気接点端部72aと、導電体73から給電可能に構成された脚部72bとを有している。   A support 71 is attached to the inside of the seal member 70 sandwiched between the pair of lip portions 70a and 70b. An electrical contact 72 configured to be able to supply power from the conductor 73 is fixed to the support 71 with, for example, a screw, and a plurality of electrical contacts 72 are arranged along the circumference of the substrate W. The electrical contact 72 has an electrical contact end portion 72 a extending toward the inside of the holding surface 68 and a leg portion 72 b configured to be able to supply power from the conductor 73.

図2に示した第1保持部材65と第2保持部材66とがロックされると、図3に示すように、シール部材70の内周面側の短いリップ部70aが基板Wの表面に、外周面側の長いリップ部70bが第1保持部材54の表面にそれぞれ押圧される。これにより、リップ部70a及びリップ部70b間が確実にシールされるとともに、基板Wが保持される。   When the first holding member 65 and the second holding member 66 shown in FIG. 2 are locked, a short lip portion 70a on the inner peripheral surface side of the seal member 70 is formed on the surface of the substrate W as shown in FIG. The long lip portion 70b on the outer peripheral surface side is pressed against the surface of the first holding member 54. Accordingly, the gap between the lip portion 70a and the lip portion 70b is securely sealed, and the substrate W is held.

シール部材70でシールされた領域、即ちシール部材70の一対のリップ部70a,70bで挟まれた領域において、導電体73が電気接点72の脚部72bに電気的に接続され、且つ電気接点端部72aが基板Wのエッジ部上のシード層に接触する。これにより、基板Wをシール部材70でシールしつつ基板ホルダ60で保持した状態で、電気接点72を介して基板Wに給電することができる。   In the region sealed by the seal member 70, that is, the region sandwiched between the pair of lip portions 70a and 70b of the seal member 70, the conductor 73 is electrically connected to the leg portion 72b of the electrical contact 72, and the electrical contact end The portion 72a contacts the seed layer on the edge portion of the substrate W. Accordingly, power can be supplied to the substrate W via the electrical contact 72 in a state where the substrate W is held by the substrate holder 60 while being sealed by the sealing member 70.

上述したように、シード層が形成された基板Wには、予めレジストパターンが形成される。基板Wは、図1に示しためっき装置に搬送される前に、UVの照射等が行われて、基板表面上のレジスト残渣が除去され(アッシング処理)且つレジスト表面の親水化処理(ディスカム処理)が行われる。アッシング処理及びディスカム処理が行われた基板Wは、その後めっき装置に搬送され、基板ホルダ60に保持される。ここで、基板Wのレジストが塗布されていないエッジ部上のシード層には、アッシング処理及びディスカム処理からの時間経過によって、酸化膜が形成されたり、レジストから揮発した有機物が付着したりすることがある。図3に示すように電気接点72は基板Wのエッジ部上に接触するので、基板Wのエッジ部上のシード層に酸化膜が形成されたり、有機物が付着したりすると、基板ホルダ60の複数の電気接点72同士の接触抵抗にバラつきが生じ、めっき膜厚の均一性が悪化することがある。   As described above, a resist pattern is formed in advance on the substrate W on which the seed layer is formed. Before the substrate W is transported to the plating apparatus shown in FIG. 1, UV irradiation or the like is performed to remove the resist residue on the substrate surface (ashing process), and the resist surface is hydrophilized (discum process). ) Is performed. The substrate W that has been subjected to the ashing process and the discaming process is then transferred to the plating apparatus and held by the substrate holder 60. Here, on the seed layer on the edge portion of the substrate W where the resist is not applied, an oxide film is formed or an organic substance volatilized from the resist adheres as time elapses from the ashing process and the discaming process. There is. As shown in FIG. 3, since the electrical contact 72 contacts the edge portion of the substrate W, if an oxide film is formed on the seed layer on the edge portion of the substrate W or an organic substance adheres, a plurality of substrate holders 60 are formed. The contact resistance between the electrical contacts 72 may vary, and the uniformity of the plating film thickness may deteriorate.

一実施形態において、めっき装置は、基板Wのエッジ部のシード層の電気抵抗を測定する抵抗測定器200を有する。なお、本明細書において、基板Wのエッジ部とは、電気接点72が接触し得る領域、又は基板ホルダ60により基板Wが保持される際、シール部材70が接触する部分よりも基板Wの周縁部側となる領域をいう。例えば、本実施形態にお
いては、図3に示したシール部材70のリップ部70aが当接する部分よりも外周側の領域をいい、基板Wの外周縁部から基板中心に向かって約5mmの範囲内、より好ましくは、約2mmの範囲内をいう。図4は、一実施形態による抵抗測定器200を概略的に示す側面図である。図5は、図4に示される抵抗測定器200を概略的に示す上面図である。一実施形態において、抵抗測定器200は、アライナ40またはフィキシングユニット120に配置することができる。あるいは、抵抗測定器200は、めっき装置内の専用の抵抗測定ステーションに設けるようにしてもよい。抵抗測定器200は、抵抗測定ヘッド202を備える。抵抗測定ヘッド202は、測定対象である基板Wとほぼ同じ直径、あるいは基板Wの直径よりも大きな直径を備える円板状の構造物とすることができる。抵抗測定ヘッド202は、図示しない移動機構により基板Wの面の垂直方向に移動可能に構成される。また、一実施形態として、抵抗測定ヘッド202は、抵抗測定ヘッド202の中心軸および基板Wの中心軸について回転可能に構成してもよい。
In one embodiment, the plating apparatus includes a resistance measuring device 200 that measures the electrical resistance of the seed layer at the edge portion of the substrate W. In the present specification, the edge portion of the substrate W refers to a region where the electrical contact 72 can contact, or a periphery of the substrate W rather than a portion where the seal member 70 contacts when the substrate W is held by the substrate holder 60. An area on the part side. For example, in the present embodiment, it refers to a region on the outer peripheral side with respect to the portion where the lip portion 70a of the seal member 70 shown in FIG. 3 contacts, and is within a range of about 5 mm from the outer peripheral edge of the substrate W toward the center of the substrate. More preferably, it is within the range of about 2 mm. FIG. 4 is a side view schematically showing a resistance measuring device 200 according to an embodiment. FIG. 5 is a top view schematically showing the resistance measuring device 200 shown in FIG. In one embodiment, the resistance meter 200 can be located in the aligner 40 or the fixing unit 120. Alternatively, the resistance measuring device 200 may be provided in a dedicated resistance measuring station in the plating apparatus. The resistance measuring device 200 includes a resistance measuring head 202. The resistance measuring head 202 can be a disk-like structure having a diameter substantially the same as that of the substrate W to be measured or a diameter larger than the diameter of the substrate W. The resistance measuring head 202 is configured to be movable in a direction perpendicular to the surface of the substrate W by a moving mechanism (not shown). In one embodiment, the resistance measurement head 202 may be configured to be rotatable about the central axis of the resistance measurement head 202 and the central axis of the substrate W.

図4、5に示されるように、抵抗測定器200は、抵抗測定ヘッド202の下面、すなわち基板Wに対向する面に配置される接触ピン204を備える。接触ピン204は、抵抗測定ヘッド202上において、抵抗測定ヘッド202が基板Wの方向に移動したときに、接触ピン204が基板Wのエッジ部に接触する位置に配置される。図5の実施形態においては、4つの接触ピン204が示されているが、接触ピン204の数は任意とすることができ、少なくとも1つの接触ピン204を抵抗測定ヘッド202に設けるようにする。一実施形態において、接触ピン204は、四探針法により抵抗測定を実現するプローブを備えるものとすることができる。   As shown in FIGS. 4 and 5, the resistance measuring device 200 includes a contact pin 204 disposed on the lower surface of the resistance measuring head 202, that is, the surface facing the substrate W. The contact pin 204 is disposed on the resistance measurement head 202 at a position where the contact pin 204 contacts the edge portion of the substrate W when the resistance measurement head 202 moves in the direction of the substrate W. In the embodiment of FIG. 5, four contact pins 204 are shown, but the number of contact pins 204 can be arbitrary and at least one contact pin 204 is provided on the resistance measuring head 202. In one embodiment, the contact pin 204 may comprise a probe that provides resistance measurement by a four-probe method.

一実施形態において、抵抗測定器200は、基板Wのエッジ部の複数の箇所の抵抗を測定することができる。アライナ40に抵抗測定器200が配置される場合、アライナ40は回転機構を備えるので、アライナ40上に配置された基板Wを回転させて、接触ピン204を基板Wのエッジ部の複数個所に接触させて、それぞれの箇所で抵抗を測定することができる。接触ピン204が複数設けられている場合、複数の接触ピン204を同時に基板Wの異なる箇所に接触して、基板Wの複数個所の抵抗を同時に測定してもよい。抵抗測定器200をアライナ40に配置する場合、抵抗測定ヘッド202は回転機構を備えなくてもよい。また、抵抗測定器200がフィキシングユニット120に設けられる場合、抵抗測定ヘッド202を適宜回転させて、基板Wの複数個所の抵抗を測定することができる。また、接触ピン204が複数設けられている場合、複数の接触ピン204を同時に基板Wの異なる箇所に接触して、基板Wの複数個所の抵抗を同時に測定してもよい。接触ピン204が複数設けられている場合、抵抗測定ヘッド202の回転機構はなくてもよい。   In one embodiment, the resistance measuring instrument 200 can measure the resistance of a plurality of locations on the edge portion of the substrate W. When the resistance measuring device 200 is disposed on the aligner 40, the aligner 40 includes a rotation mechanism. Therefore, the substrate W disposed on the aligner 40 is rotated to bring the contact pins 204 into contact with a plurality of positions on the edge portion of the substrate W. And the resistance can be measured at each location. When a plurality of contact pins 204 are provided, the plurality of contact pins 204 may be simultaneously brought into contact with different portions of the substrate W, and the resistance at a plurality of locations on the substrate W may be measured simultaneously. When the resistance measuring device 200 is disposed on the aligner 40, the resistance measuring head 202 may not include a rotation mechanism. When the resistance measuring device 200 is provided in the fixing unit 120, the resistance measuring head 202 can be appropriately rotated to measure the resistance at a plurality of locations on the substrate W. In the case where a plurality of contact pins 204 are provided, the plurality of contact pins 204 may be simultaneously contacted with different locations on the substrate W, and the resistance at a plurality of locations on the substrate W may be measured simultaneously. When a plurality of contact pins 204 are provided, the rotation mechanism of the resistance measuring head 202 may not be provided.

図6は、一実施形態による抵抗測定器200を概略的に示す上面図である。図6の実施形態においては、抵抗測定ヘッド202は1つの接触ピン204を備えている。図6の実施形態における抵抗測定ヘッド202は、図示しない移動機構により、基板Wの半径方向あるいは周方向に移動可能であり、また、基板Wの面に垂直な方向に移動可能とすることができる。抵抗測定器200がアライナ40に配置される場合、アライナ40により基板Wを回転させることで、基板Wの複数のエッジ部の抵抗を測定することができる。   FIG. 6 is a top view schematically illustrating a resistance measuring device 200 according to an embodiment. In the embodiment of FIG. 6, the resistance measurement head 202 includes one contact pin 204. The resistance measuring head 202 in the embodiment of FIG. 6 can be moved in a radial direction or a circumferential direction of the substrate W by a moving mechanism (not shown), and can be moved in a direction perpendicular to the surface of the substrate W. . When the resistance measuring device 200 is disposed on the aligner 40, the resistance of a plurality of edge portions of the substrate W can be measured by rotating the substrate W by the aligner 40.

図14A〜図14Dは、一実施形態による抵抗測定器200を概略的に示す上面図である。図14A〜図14Dの実施形態において、基板Wは角形の基板であり、略直方体の形状の基板である。また、図14A〜図14Dにおいては、図示の明瞭化のために基板Wと抵抗測定器200のみを図示しており、その他の構成は省略している。図15は、図14A〜図14Dの抵抗測定器200の概略側面図である。図15に示されるように、抵抗測定器200は、支持軸部材206を備える。支持軸部材206は、モータなどにより回転可能に構成される。また、支持軸部材206は、基板Wの表面な平行な直交する2方向(図14A〜図14Dにおける上下、左右方向)に直線的に移動可能に構成される。さらに
、支持軸部材206は、基板Wの表面に垂直な方向(図15における上下方向)に移動可能に構成される。支持軸部材206からは基板Wの表面に平行な方向に伸長部材208が延びている。伸長部材208は、基板Wの表面に平行な方向に伸縮可能に構成される。伸長部材208には、抵抗測定ヘッド202が取り付けられている。抵抗測定ヘッド202には、接触ピン204が取り付けられる。接触ピン204は、たとえば四探針法により抵抗測定を実現するプローブを備えるものとすることができる。接触ピン204は、基板Wのエッジ部に接触させることで、基板Wのエッジ部の電気抵抗を測定することができる。
14A to 14D are top views schematically showing a resistance measuring device 200 according to an embodiment. In the embodiment of FIGS. 14A to 14D, the substrate W is a rectangular substrate, and is a substrate having a substantially rectangular parallelepiped shape. Further, in FIGS. 14A to 14D, only the substrate W and the resistance measuring device 200 are shown for clarity of illustration, and the other configurations are omitted. FIG. 15 is a schematic side view of the resistance measuring device 200 of FIGS. 14A to 14D. As shown in FIG. 15, the resistance measuring device 200 includes a support shaft member 206. The support shaft member 206 is configured to be rotatable by a motor or the like. Further, the support shaft member 206 is configured to be linearly movable in two parallel and orthogonal directions (the vertical and horizontal directions in FIGS. 14A to 14D) on the surface of the substrate W. Further, the support shaft member 206 is configured to be movable in a direction (vertical direction in FIG. 15) perpendicular to the surface of the substrate W. An extension member 208 extends from the support shaft member 206 in a direction parallel to the surface of the substrate W. The extending member 208 is configured to be able to expand and contract in a direction parallel to the surface of the substrate W. A resistance measuring head 202 is attached to the extending member 208. A contact pin 204 is attached to the resistance measuring head 202. The contact pin 204 may include a probe that realizes resistance measurement by, for example, a four-probe method. The contact pin 204 can measure the electric resistance of the edge portion of the substrate W by making contact with the edge portion of the substrate W.

基板Wのエッジ部の電気抵抗を測定するために、接触ピン204が基板Wのエッジ部に接触する位置に抵抗測定ヘッド202が移動される。図14Aに示される状態において、支持軸部材206は、基板Wのエッジ部の方向に沿って移動することができる。そのため、基板Wの1つのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を測定することができる。図14Aに示される状態において、基板Wの1つのエッジ部の電気抵抗を測定したら、支持軸部材206を90度回転させて、伸長部材208の長さを適宜変更することで、図14Bに示されるように、次のエッジ部に接触ピン204の位置を合わせることができる。図14Bに示される状態において、支持軸部材206を基板Wのエッジ部に沿って移動させることで、基板Wのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を測定できる。さらに、支持軸部材206を90度回転させて、基板Wの次のエッジ部の電気抵抗を測定し(図14C)、また、さらに支持軸部材206を90度回転させて、基板Wの次のエッジ部の電気抵抗を測定することができる(図14D)。このように、図14A〜図14Dおよび図15に示される実施形態による抵抗測定器200は、角形基板のエッジ部の電気抵抗を測定することができる。かかる抵抗測定器200は、アライナ40またはフィキシングユニット120に配置することができる。あるいは、抵抗測定器200を、めっき装置内の専用の抵抗測定ステーションに設けるようにしてもよい。図14A〜図14Dおよび図15に示される実施形態による抵抗測定器200は、抵抗測定器200に移動機構が備えられているので、基板Wを移動させるための機構は無くてもよい。   In order to measure the electrical resistance of the edge portion of the substrate W, the resistance measuring head 202 is moved to a position where the contact pin 204 contacts the edge portion of the substrate W. In the state shown in FIG. 14A, the support shaft member 206 can move along the direction of the edge portion of the substrate W. Therefore, it is possible to measure the electrical resistance at an arbitrary location on one edge portion of the substrate W. In the state shown in FIG. 14A, when the electrical resistance of one edge portion of the substrate W is measured, the support shaft member 206 is rotated by 90 degrees, and the length of the extending member 208 is changed as appropriate, so that it is shown in FIG. 14B. As a result, the position of the contact pin 204 can be aligned with the next edge portion. In the state shown in FIG. 14B, the electric resistance at an arbitrary position of the edge portion of the substrate W can be measured by moving the support shaft member 206 along the edge portion of the substrate W. Further, the support shaft member 206 is rotated 90 degrees to measure the electrical resistance of the next edge portion of the substrate W (FIG. 14C), and the support shaft member 206 is further rotated 90 degrees to The electrical resistance of the edge portion can be measured (FIG. 14D). As described above, the resistance measuring device 200 according to the embodiment shown in FIGS. 14A to 14D and 15 can measure the electrical resistance of the edge portion of the square substrate. Such a resistance measuring device 200 can be arranged in the aligner 40 or the fixing unit 120. Alternatively, the resistance measuring device 200 may be provided in a dedicated resistance measuring station in the plating apparatus. In the resistance measuring device 200 according to the embodiment shown in FIGS. 14A to 14D and FIG. 15, the mechanism for moving the substrate W may not be provided since the resistance measuring device 200 includes the moving mechanism.

図16A、図16Bは、一実施形態による抵抗測定器200を概略的に示す上面図である。図16A、図16Bの実施形態において、基板Wは角形の基板であり、略直方体の形状の基板である。また、図16A、図16Bにおいては、図示の明瞭化のために基板Wと抵抗測定器200のみを図示しており、その他の構成は省略している。図17は、図16A、図16Bの抵抗測定器200の概略側面図である。図17に示されるように、抵抗測定器200は、支持軸部材206を備える。支持軸部材206は、モータなどにより回転可能に構成される。また、支持軸部材206は、基板Wの表面な平行な直交する2方向(図16A、図16Bにおける上下、左右方向)に直線的に移動可能に構成される。さらに、支持軸部材206は、基板Wの表面に垂直な方向(図17における上下方向)に移動可能に構成される。支持軸部材206からは基板Wの表面に平行な方向に2つの伸長部材208が反対方向に延びている。それぞれの伸長部材208は、基板Wの表面に平行な方向に伸縮可能に構成される。それぞれの伸長部材208には、抵抗測定ヘッド202がそれぞれ取り付けられている。抵抗測定ヘッド202には、接触ピン204が取り付けられる。接触ピン204は、たとえば四探針法により抵抗測定を実現するプローブを備えるものとすることができる。接触ピン204は、基板Wのエッジ部に接触させることで、基板Wのエッジ部の電気抵抗を測定することができる。   16A and 16B are top views schematically showing a resistance measuring device 200 according to an embodiment. In the embodiment of FIGS. 16A and 16B, the substrate W is a rectangular substrate, and is a substrate having a substantially rectangular parallelepiped shape. In FIG. 16A and FIG. 16B, only the substrate W and the resistance measuring device 200 are shown for clarity of illustration, and the other configurations are omitted. FIG. 17 is a schematic side view of the resistance measuring device 200 of FIGS. 16A and 16B. As shown in FIG. 17, the resistance measuring device 200 includes a support shaft member 206. The support shaft member 206 is configured to be rotatable by a motor or the like. Further, the support shaft member 206 is configured to be linearly movable in two parallel and orthogonal directions (vertical and horizontal directions in FIGS. 16A and 16B) on the surface of the substrate W. Further, the support shaft member 206 is configured to be movable in a direction (vertical direction in FIG. 17) perpendicular to the surface of the substrate W. Two extending members 208 extend in the opposite direction from the support shaft member 206 in a direction parallel to the surface of the substrate W. Each extending member 208 is configured to be extendable and contractible in a direction parallel to the surface of the substrate W. A resistance measuring head 202 is attached to each of the extending members 208. A contact pin 204 is attached to the resistance measuring head 202. The contact pin 204 may include a probe that realizes resistance measurement by, for example, a four-probe method. The contact pin 204 can measure the electric resistance of the edge portion of the substrate W by making contact with the edge portion of the substrate W.

基板Wのエッジ部の電気抵抗を測定するために、それぞれの接触ピン204が基板Wのエッジ部に接触する位置に抵抗測定ヘッド202が移動される。図16Aに示される状態において、支持軸部材206は、基板Wのエッジ部の方向に沿って移動することができる。そのため、基板Wの2つのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を同時に測定することができる。図16Aに示される状態において、基板Wの2つのエッジ部の電気抵抗を測定したら、支持軸部材206を90度回転させて、伸長部材208の長さを適宜変更する
ことで、図16Bに示されるように、次のエッジ部に接触ピン204の位置を合わせることができる。図16Bに示される状態において、支持軸部材206を基板Wのエッジ部に沿って移動させることで、基板Wのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を測定できる。このように、図16A、図16Bおよび図17に示される実施形態による抵抗測定器200は、2つの抵抗測定ヘッド202を備えているので、角形基板の2つのエッジ部の電気抵抗を同時に測定することができる。かかる抵抗測定器200は、アライナ40またはフィキシングユニット120に配置することができる。あるいは、抵抗測定器200を、めっき装置内の専用の抵抗測定ステーションに設けるようにしてもよい。図16A、図16Bおよび図17に示される実施形態による抵抗測定器200は、抵抗測定器200に移動機構が備えられているので、基板Wを移動させるための機構は無くてもよい。
In order to measure the electrical resistance of the edge portion of the substrate W, the resistance measuring head 202 is moved to a position where each contact pin 204 contacts the edge portion of the substrate W. In the state shown in FIG. 16A, the support shaft member 206 can move along the direction of the edge portion of the substrate W. Therefore, it is possible to simultaneously measure the electrical resistance at any location of the two edge portions of the substrate W. In the state shown in FIG. 16A, when the electrical resistances of the two edge portions of the substrate W are measured, the support shaft member 206 is rotated 90 degrees, and the length of the extension member 208 is changed as appropriate, so that it is shown in FIG. 16B. As a result, the position of the contact pin 204 can be aligned with the next edge portion. In the state shown in FIG. 16B, the electric resistance at an arbitrary position of the edge portion of the substrate W can be measured by moving the support shaft member 206 along the edge portion of the substrate W. As described above, the resistance measuring device 200 according to the embodiment shown in FIGS. 16A, 16B, and 17 includes the two resistance measuring heads 202, and thus simultaneously measures the electrical resistance of the two edge portions of the rectangular substrate. be able to. Such a resistance measuring device 200 can be arranged in the aligner 40 or the fixing unit 120. Alternatively, the resistance measuring device 200 may be provided in a dedicated resistance measuring station in the plating apparatus. In the resistance measuring device 200 according to the embodiment shown in FIGS. 16A, 16B, and 17, the movement measuring mechanism is provided in the resistance measuring device 200. Therefore, there is no need to have a mechanism for moving the substrate W.

図18A〜図18Dは、一実施形態による抵抗測定器200を概略的に示す上面図である。図18A〜図18Dの実施形態において、基板Wは角形の基板であり、略直方体の形状の基板である。また、図18A〜図18Dにおいては、図示の明瞭化のために基板Wと抵抗測定器200のみを図示しており、その他の構成は省略している。図19は、図18A〜図18Dの抵抗測定器200の概略側面図である。図19に示されるように、抵抗測定器200は、支持軸部材206を備える。支持軸部材206は、基板Wの表面な平行な方向(図18A〜図18Dにおける左右方向)に直線的に移動可能に構成される。さらに、支持軸部材206は、基板Wの表面に垂直な方向(図19における上下方向)に移動可能に構成される。支持軸部材206からは基板Wの表面に平行な方向に伸長部材208が延びている。伸長部材208は、基板Wの表面に平行な方向に伸縮可能に構成される。伸長部材208には、抵抗測定ヘッド202が取り付けられている。抵抗測定ヘッド202には、接触ピン204が取り付けられる。接触ピン204は、たとえば四探針法により抵抗測定を実現するプローブを備えるものとすることができる。接触ピン204は、基板Wのエッジ部に接触させることで、基板Wのエッジ部の電気抵抗を測定することができる。図19に示される実施形態においては、基板Wを保持する機構(たとえばアライナ40またはフィキシングユニット120など)に回転機構が備えられており、基板Wを回転させることが可能である。   18A to 18D are top views schematically showing a resistance measuring device 200 according to an embodiment. In the embodiment of FIGS. 18A to 18D, the substrate W is a rectangular substrate, and is a substrate having a substantially rectangular parallelepiped shape. Further, in FIGS. 18A to 18D, only the substrate W and the resistance measuring device 200 are shown for clarity of illustration, and other configurations are omitted. FIG. 19 is a schematic side view of the resistance measuring device 200 of FIGS. 18A to 18D. As shown in FIG. 19, the resistance measuring device 200 includes a support shaft member 206. The support shaft member 206 is configured to be linearly movable in a direction parallel to the surface of the substrate W (the left-right direction in FIGS. 18A to 18D). Further, the support shaft member 206 is configured to be movable in a direction (vertical direction in FIG. 19) perpendicular to the surface of the substrate W. An extension member 208 extends from the support shaft member 206 in a direction parallel to the surface of the substrate W. The extending member 208 is configured to be able to expand and contract in a direction parallel to the surface of the substrate W. A resistance measuring head 202 is attached to the extending member 208. A contact pin 204 is attached to the resistance measuring head 202. The contact pin 204 may include a probe that realizes resistance measurement by, for example, a four-probe method. The contact pin 204 can measure the electric resistance of the edge portion of the substrate W by making contact with the edge portion of the substrate W. In the embodiment shown in FIG. 19, a mechanism for holding the substrate W (for example, the aligner 40 or the fixing unit 120) is provided with a rotation mechanism, and the substrate W can be rotated.

基板Wのエッジ部の電気抵抗を測定するために、接触ピン204が基板Wのエッジ部に接触する位置に伸長部材208の長さを調整する。図18Aに示される状態において、支持軸部材206は、基板Wのエッジ部の方向に沿って移動することができる。そのため、基板Wの1つのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を測定することができる。図18Aに示される状態において、基板Wの1つのエッジ部の電気抵抗を測定したら、基板Wを90度回転させて、伸長部材208の長さを適宜変更することで、図18Bに示されるように、次のエッジ部に接触ピン204の位置を合わせることができる。図18Bに示される状態において、支持軸部材206を基板Wのエッジ部に沿って移動させることで、基板Wのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を測定できる。さらに、基板Wを90度回転させて、基板Wの次のエッジ部の電気抵抗を測定し(図18C)、また、さらに基板Wを90度回転させて、基板Wの次のエッジ部の電気抵抗を測定することができる(図18D)。このように、図18A〜図18Dおよび図19に示される実施形態による抵抗測定器200は、角形基板のエッジ部の電気抵抗を測定することができる。かかる抵抗測定器200は、アライナ40またはフィキシングユニット120に配置することができる。あるいは、抵抗測定器200を、めっき装置内の専用の抵抗測定ステーションに設けるようにしてもよい。図18A〜図18Dおよび図19に示される実施形態においては、基板W側に回転機構が備えられているので、抵抗測定器200には回転機構が備えられてなくてもよい。   In order to measure the electrical resistance of the edge portion of the substrate W, the length of the extension member 208 is adjusted to a position where the contact pin 204 contacts the edge portion of the substrate W. In the state shown in FIG. 18A, the support shaft member 206 can move along the direction of the edge portion of the substrate W. Therefore, it is possible to measure the electrical resistance at an arbitrary location on one edge portion of the substrate W. In the state shown in FIG. 18A, when the electrical resistance of one edge portion of the substrate W is measured, the substrate W is rotated by 90 degrees, and the length of the extending member 208 is appropriately changed, as shown in FIG. 18B. In addition, the position of the contact pin 204 can be aligned with the next edge portion. In the state shown in FIG. 18B, the electric resistance at an arbitrary position of the edge portion of the substrate W can be measured by moving the support shaft member 206 along the edge portion of the substrate W. Further, the substrate W is rotated 90 degrees to measure the electrical resistance of the next edge portion of the substrate W (FIG. 18C), and the substrate W is further rotated 90 degrees to change the electrical resistance of the next edge portion of the substrate W. Resistance can be measured (FIG. 18D). As described above, the resistance measuring device 200 according to the embodiment shown in FIGS. 18A to 18D and FIG. 19 can measure the electrical resistance of the edge portion of the square substrate. Such a resistance measuring device 200 can be arranged in the aligner 40 or the fixing unit 120. Alternatively, the resistance measuring device 200 may be provided in a dedicated resistance measuring station in the plating apparatus. In the embodiment shown in FIGS. 18A to 18D and FIG. 19, since the rotation mechanism is provided on the substrate W side, the resistance measuring device 200 may not be provided with the rotation mechanism.

図20A、図20Bは、一実施形態による抵抗測定器200を概略的に示す上面図である。図20A、図20Bの実施形態において、基板Wは角形の基板であり、略直方体の形
状の基板である。また、図20A、図20Bにおいては、図示の明瞭化のために基板Wと抵抗測定器200のみを図示しており、その他の構成は省略している。図21は、図20A、図20Bの抵抗測定器200の概略側面図である。図21に示されるように、抵抗測定器200は、支持軸部材206を備える。また、支持軸部材206は、基板Wの表面な平行な方向(図16A、図16Bにおける左右方向)に直線的に移動可能に構成される。さらに、支持軸部材206は、基板Wの表面に垂直な方向(図21における上下方向)に移動可能に構成される。支持軸部材206からは基板Wの表面に平行な方向に2つの伸長部材208が反対方向に延びている。それぞれの伸長部材208は、基板Wの表面に平行な方向に伸縮可能に構成される。それぞれの伸長部材208には、抵抗測定ヘッド202がそれぞれ取り付けられている。抵抗測定ヘッド202には、接触ピン204が取り付けられる。接触ピン204は、たとえば四探針法により抵抗測定を実現するプローブを備えるものとすることができる。接触ピン204は、基板Wのエッジ部に接触させることで、基板Wのエッジ部の電気抵抗を測定することができる。図21に示される実施形態においては、基板Wを保持する機構(たとえばアライナ40またはフィキシングユニット120など)に回転機構が備えられており、基板Wを回転させることが可能である。
20A and 20B are top views schematically showing a resistance measuring device 200 according to an embodiment. In the embodiment of FIGS. 20A and 20B, the substrate W is a rectangular substrate, and is a substrate having a substantially rectangular parallelepiped shape. 20A and 20B, only the substrate W and the resistance measuring device 200 are shown for clarity of illustration, and other configurations are omitted. FIG. 21 is a schematic side view of the resistance measuring device 200 of FIGS. 20A and 20B. As shown in FIG. 21, the resistance measuring device 200 includes a support shaft member 206. The support shaft member 206 is configured to be linearly movable in a direction parallel to the surface of the substrate W (the left-right direction in FIGS. 16A and 16B). Further, the support shaft member 206 is configured to be movable in a direction (vertical direction in FIG. 21) perpendicular to the surface of the substrate W. Two extending members 208 extend in the opposite direction from the support shaft member 206 in a direction parallel to the surface of the substrate W. Each extending member 208 is configured to be extendable and contractible in a direction parallel to the surface of the substrate W. A resistance measuring head 202 is attached to each of the extending members 208. A contact pin 204 is attached to the resistance measuring head 202. The contact pin 204 may include a probe that realizes resistance measurement by, for example, a four-probe method. The contact pin 204 can measure the electric resistance of the edge portion of the substrate W by making contact with the edge portion of the substrate W. In the embodiment shown in FIG. 21, a mechanism for holding the substrate W (for example, the aligner 40 or the fixing unit 120) is provided with a rotation mechanism, and the substrate W can be rotated.

基板Wのエッジ部の電気抵抗を測定するために、それぞれの接触ピン204が基板Wのエッジ部に接触する位置に抵抗測定ヘッド202が移動される。図20Aに示される状態において、支持軸部材206は、基板Wのエッジ部の方向に沿って移動することができる。そのため、基板Wの2つのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を同時に測定することができる。図20Aに示される状態において、基板Wの2つのエッジ部の電気抵抗を測定したら、基板Wを90度回転させて、伸長部材208の長さを適宜変更することで、図20Bに示されるように、次のエッジ部に接触ピン204の位置を合わせることができる。図20Bに示される状態において、支持軸部材206を基板Wのエッジ部に沿って移動させることで、基板Wのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を測定できる。このように、図20A、図20Bおよび図21に示される実施形態による抵抗測定器200は、2つの抵抗測定ヘッド202を備えているので、角形基板の2つのエッジ部の電気抵抗を同時に測定することができる。かかる抵抗測定器200は、アライナ40またはフィキシングユニット120に配置することができる。あるいは、抵抗測定器200を、めっき装置内の専用の抵抗測定ステーションに設けるようにしてもよい。図20A、図20B、および図21に示される実施形態においては、基板W側に回転機構が備えられているので、抵抗測定器200には回転機構が備えられてなくてもよい。   In order to measure the electrical resistance of the edge portion of the substrate W, the resistance measuring head 202 is moved to a position where each contact pin 204 contacts the edge portion of the substrate W. In the state shown in FIG. 20A, the support shaft member 206 can move along the direction of the edge portion of the substrate W. Therefore, it is possible to simultaneously measure the electrical resistance at any location of the two edge portions of the substrate W. In the state shown in FIG. 20A, when the electrical resistance of the two edge portions of the substrate W is measured, the substrate W is rotated by 90 degrees, and the length of the extending member 208 is appropriately changed, as shown in FIG. 20B. In addition, the position of the contact pin 204 can be aligned with the next edge portion. In the state shown in FIG. 20B, the electrical resistance at an arbitrary position of the edge portion of the substrate W can be measured by moving the support shaft member 206 along the edge portion of the substrate W. As described above, the resistance measuring device 200 according to the embodiment shown in FIGS. 20A, 20B, and 21 includes the two resistance measuring heads 202, and thus simultaneously measures the electrical resistances of the two edge portions of the rectangular substrate. be able to. Such a resistance measuring device 200 can be arranged in the aligner 40 or the fixing unit 120. Alternatively, the resistance measuring device 200 may be provided in a dedicated resistance measuring station in the plating apparatus. In the embodiment shown in FIGS. 20A, 20B, and 21, since the rotation mechanism is provided on the substrate W side, the resistance measuring device 200 may not be provided with the rotation mechanism.

抵抗測定器200は、制御装置500(図1、図4参照)に接続される。抵抗測定器200で測定した基板Wのエッジ部の抵抗値は制御装置500に伝達される。制御装置500において、伝達された基板Wのエッジ部の抵抗値が所定の範囲内であるかを判断する。一実施形態として、所定の範囲は、たとえば、基板W上に形成されているシード層の厚さなどから理論的に算出した値とすることができる。あるいは、シード層が形成された基準となる標準基板の抵抗値を予め測定した実測値から所定の範囲を決定してもよい。この場合、標準基板はシード層の厚さが異なる複数の標準基板としてもよい。抵抗値の所定の範囲は制御装置500に保存しておく。図7は、一例として、厚さの異なる銅をシード層とした基板の抵抗の実測値を示したグラフである。   The resistance measuring device 200 is connected to the control device 500 (see FIGS. 1 and 4). The resistance value of the edge portion of the substrate W measured by the resistance measuring device 200 is transmitted to the control device 500. In the control device 500, it is determined whether or not the transmitted resistance value of the edge portion of the substrate W is within a predetermined range. As an embodiment, the predetermined range can be a value calculated theoretically from the thickness of the seed layer formed on the substrate W, for example. Alternatively, a predetermined range may be determined from an actual measurement value obtained by measuring in advance a resistance value of a standard substrate serving as a reference on which the seed layer is formed. In this case, the standard substrate may be a plurality of standard substrates having different seed layer thicknesses. A predetermined range of the resistance value is stored in the control device 500. FIG. 7 is a graph showing, as an example, measured values of resistance of a substrate using copper having different thicknesses as a seed layer.

抵抗測定器200で基板Wの複数の領域のエッジ部の抵抗値を測定する場合、各領域の抵抗値が全て所定の範囲内である場合にめっき処理が可能な基板であると判断することができる。また、さらに、各領域の抵抗値のばらつきが所定の範囲内であることをめっき処理が可能であることの判断基準にしてもよい。たとえば、各領域の抵抗値のばらつきが+15%から−15%の範囲内であるときにめっき可能な基板であると判断してもよい。抵抗値のばらつきは、例えば、最大値と最小値との差や、平均値からの最大乖離から判断することができる。さらに、基板Wのエッジ部の抵抗値を測定するときに、同一の領域の抵
抗値を複数回測定して、平均値をその領域における抵抗値としてもよい。
When measuring the resistance value of the edge part of the several area | region of the board | substrate W with the resistance measuring device 200, when all the resistance values of each area | region are in a predetermined range, it is judged that it is a board | substrate which can be plated. it can. Furthermore, a criterion for determining that the plating process can be performed may be that the variation in the resistance value of each region is within a predetermined range. For example, it may be determined that the substrate can be plated when the variation in resistance value in each region is within a range of + 15% to −15%. The variation in the resistance value can be determined from, for example, the difference between the maximum value and the minimum value or the maximum deviation from the average value. Furthermore, when measuring the resistance value of the edge portion of the substrate W, the resistance value in the same region may be measured a plurality of times, and the average value may be used as the resistance value in that region.

一実施形態において、めっき装置は、エッジ部洗浄装置45を備えることができる。エッジ部洗浄装置45は、一例として、基板Wのエッジ部上のシード層に形成される有機物を脱離(除去)するためのものとすることができる。一実施形態として、エッジ部洗浄装置45はアライナ40に設けることができる。あるいは、めっき装置内にエッジ部洗浄装置45のための専用のステーションを設けてもよい。   In one embodiment, the plating apparatus can include an edge cleaning device 45. As an example, the edge cleaning device 45 can be used to desorb (remove) organic substances formed on the seed layer on the edge of the substrate W. As an embodiment, the edge cleaning device 45 can be provided in the aligner 40. Alternatively, a dedicated station for the edge cleaning device 45 may be provided in the plating apparatus.

図8は、エッジ部洗浄装置45を備えるアライナ40の概略上面図である。図9は、図8に示す矢視9−9におけるアライナ40の概略断面図であり、図10は、図8に示す矢視10−10におけるアライナ40の概略断面図である。図8から図10に示すように、アライナ40は、ベース41と、回転ステージ42と、アライナ光源43と、光検出器44と、エッジ部洗浄装置45と、を有する。   FIG. 8 is a schematic top view of the aligner 40 including the edge portion cleaning device 45. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the aligner 40 taken along the line 9-9 shown in FIG. 8, and FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the aligner 40 taken along the line 10-10 shown in FIG. As shown in FIGS. 8 to 10, the aligner 40 includes a base 41, a rotary stage 42, an aligner light source 43, a photodetector 44, and an edge cleaning device 45.

回転ステージ42は、基板Wの裏面を吸着するように構成され、基板Wを周方向に回転させる。なお、回転ステージ42は、静電吸着式又は真空吸着式で基板Wを吸着する。アライナ光源43は、回転ステージ42によって回転される基板Wのエッジ部付近に光46を照射するように構成される。基板Wが回転することにより、基板Wのノッチがアライナ光源43からの光46が照射される位置に移動したとき、光46はノッチを通過して光検出器44に到達する。光検出器44が光46を検出したとき、アライナ40は、基板Wのノッチがアライナ光源43の直下に位置することを認識することができ、基板Wの向きを整列させることができる。   The rotation stage 42 is configured to suck the back surface of the substrate W, and rotates the substrate W in the circumferential direction. The rotary stage 42 sucks the substrate W by an electrostatic suction type or a vacuum suction type. The aligner light source 43 is configured to irradiate light 46 near the edge portion of the substrate W rotated by the rotary stage 42. When the notch of the substrate W is moved to the position where the light 46 from the aligner light source 43 is irradiated by the rotation of the substrate W, the light 46 passes through the notch and reaches the photodetector 44. When the light detector 44 detects the light 46, the aligner 40 can recognize that the notch of the substrate W is located immediately below the aligner light source 43, and can align the orientation of the substrate W.

エッジ部洗浄装置45は、UV照射装置又はプラズマ放射装置である。本実施形態では、基板Wの上方から、基板Wのエッジ部に局所的にUV又はプラズマを適用できるように構成されている。エッジ部洗浄装置45は、基板ホルダ60に保持される前の基板Wのエッジ部に局所的にUV又はプラズマを適用することができる。言い換えれば、基板Wのエッジ部以外の領域は、UV又はプラズマに曝されない。回転ステージ42によって基板Wを回転することにより、基板Wのエッジ部全周に亘ってUV又はプラズマを効率的に適用することができる。基板Wのエッジ部に付着した有機物にUV又はプラズマを照射すると、有機物が分解されて揮発性物質が生成され、揮発性物質となった有機物は揮発して除去される。UV照射装置のUV照射源又はプラズマ放射装置のプラズマ放射口と基板Wとの距離は、約1mm以上約10mm以下とすることが好ましい。この距離が1mm未満であると、基板とUV照射源又はプラズマ放射装置のプラズマ放射口とが物理的に接触する可能性がある。また、この距離を10mm超とすると、局所的にUV又はプラズマを照射できない可能性がある。基板とUV照射源又はプラズマ放射装置のプラズマ放射口とをより確実に物理的に接触させることなく、また、局所的に照射できるようにするためには、この距離を約2mm以上約5mm以下とすることがより好ましい。   The edge cleaning device 45 is a UV irradiation device or a plasma emission device. In the present embodiment, UV or plasma can be locally applied to the edge portion of the substrate W from above the substrate W. The edge cleaning device 45 can locally apply UV or plasma to the edge of the substrate W before being held by the substrate holder 60. In other words, the region other than the edge portion of the substrate W is not exposed to UV or plasma. By rotating the substrate W by the rotating stage 42, UV or plasma can be efficiently applied over the entire periphery of the edge portion of the substrate W. When UV or plasma is irradiated to the organic substance attached to the edge portion of the substrate W, the organic substance is decomposed to generate a volatile substance, and the organic substance that has become the volatile substance is volatilized and removed. The distance between the UV irradiation source of the UV irradiation apparatus or the plasma radiation port of the plasma radiation apparatus and the substrate W is preferably about 1 mm or more and about 10 mm or less. If this distance is less than 1 mm, there is a possibility that the substrate and the UV radiation source or the plasma radiation port of the plasma radiation device are in physical contact. If this distance exceeds 10 mm, UV or plasma may not be locally irradiated. In order to make it possible to irradiate the substrate and the UV irradiation source or the plasma radiation port of the plasma radiation apparatus more securely without being brought into physical contact with each other, this distance is set to about 2 mm or more and about 5 mm or less. More preferably.

エッジ部洗浄装置45がUV照射装置である場合において、UV光源としては、例えば、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、ブラックライト、又はUV領域の光を放射可能なレーザー光源等を採用することができる。高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、及びブラックライトは光が発散する傾向を有するので、これらの光源を採用する場合は、光源を基板Wの近傍に設置するか、光学系を用いてエッジ部のみにUVを照射するようにすることが好ましい。エッジ部洗浄装置45がプラズマ放射装置である場合は、例えば大気リモートプラズマ装置等を採用することができる。   When the edge cleaning device 45 is a UV irradiation device, as the UV light source, for example, a high pressure mercury lamp, a low pressure mercury lamp, a black light, or a laser light source capable of emitting light in the UV region can be employed. . High-pressure mercury lamps, low-pressure mercury lamps, and black lights tend to diverge light, so when using these light sources, install the light source near the substrate W or use only an optical system at the edge. It is preferable to irradiate UV. When the edge cleaning device 45 is a plasma radiation device, for example, an atmospheric remote plasma device or the like can be employed.

アライナ40は、さらに、基板Wのエッジ部に、エッジ部の上方から紫外領域(200nmから380nm)の光、例えば365nmの波長を有する光を励起光として基板Wのエッジ部に対して照射し、エッジ部からの反射光を見ることで、吸光度を測定するように
構成されたセンサ(分光光度計)、又は蛍光領域の光を照射してその反射光の強度をモニタするためのセンサ(蛍光反射膜厚計)を備えてもよい。
The aligner 40 further irradiates the edge portion of the substrate W as excitation light with light in the ultraviolet region (200 nm to 380 nm), for example, light having a wavelength of 365 nm, from above the edge portion to the edge portion of the substrate W. A sensor (spectrophotometer) configured to measure the absorbance by observing the reflected light from the edge portion, or a sensor for irradiating light in the fluorescent region and monitoring the intensity of the reflected light (fluorescent reflection) A film thickness meter) may be provided.

このセンサ(不図示)は、エッジ部洗浄装置45に設けても良いし、アライナ40に別途設けても良い。本実施形態に係るめっき装置の制御装置500は、このセンサにより測定された吸光度又は蛍光強度の値が、予め設定した閾値よりも大きい値か否かによって、エッジ部の汚染物質(有機物及び酸化膜を含む)が十分に除去されているか否かを判定することができるように構成することができる。あるいは、前述の抵抗測定器200により、基板Wのエッジ部の抵抗を測定することで、エッジ部の汚染物質が十分に除去されているか否かを判断してもよい。例えば、エッジ部の汚染物質が十分に除去されていないと判定された場合は、エッジ部洗浄装置45は、基板Wのエッジ部に局所的にUV又はプラズマを放射する工程を繰り返し実施してもよい。また、エッジ部の汚染物質が十分に除去されていると判定された場合には、有機物の脱離が完了したものとして、基板Wは、基板搬送装置122によってフィキシングユニット120に搬送されて、これに続く一連のめっき処理が実施される。このように、基板Wのエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかをめっき処理前に判定し、その後、エッジ部に汚染物質が残存していない基板についてめっき処理を行うようにすることで、基板ホルダ60が有する電気接点の接触抵抗のばらつきに起因する基板Wのめっき膜厚の面内均一性の悪化等を、より確実に防止できる。   This sensor (not shown) may be provided in the edge part cleaning device 45, or may be provided separately in the aligner 40. The control device 500 of the plating apparatus according to this embodiment determines whether or not the contamination (organic matter and oxide film) of the edge portion depends on whether the absorbance or fluorescence intensity value measured by this sensor is larger than a preset threshold value. It is possible to determine whether it is sufficiently removed. Alternatively, by measuring the resistance of the edge portion of the substrate W using the resistance measuring instrument 200 described above, it may be determined whether or not the contaminant on the edge portion is sufficiently removed. For example, when it is determined that the contaminants at the edge portion are not sufficiently removed, the edge cleaning device 45 may repeatedly perform the step of locally radiating UV or plasma to the edge portion of the substrate W. Good. If it is determined that the contaminants at the edge portion have been sufficiently removed, the substrate W is transported to the fixing unit 120 by the substrate transport device 122, assuming that the removal of the organic matter has been completed. Subsequently, a series of plating processes are performed. In this way, it is determined whether or not the contaminant is present on the edge portion of the substrate W before the plating process, and then the plating process is performed on the substrate on which the contaminant does not remain on the edge portion. Further, it is possible to more reliably prevent the deterioration of the in-plane uniformity of the plating film thickness of the substrate W caused by the variation in the contact resistance of the electrical contacts of the substrate holder 60.

エッジ部洗浄装置45は、上述の実施形態と異なる構成とすることもできる。たとえば、エッジ部洗浄装置45は、基板Wを回転させながら基板Wのエッジ部に形成された酸化膜を除去するための薬液を供給する構成としてもよい。あるいは、エッジ部洗浄装置45は、基板Wを回転させながら、スポンジなどを基板Wのエッジ部に接触させて、物理的に基板Wのエッジ部に形成された有機物や酸化膜などの異物を除去するものとすることができる。   The edge part cleaning device 45 may be configured differently from the above-described embodiment. For example, the edge cleaning device 45 may supply a chemical solution for removing an oxide film formed on the edge portion of the substrate W while rotating the substrate W. Alternatively, the edge cleaning device 45 rotates the substrate W while bringing a sponge or the like into contact with the edge portion of the substrate W to physically remove foreign matters such as organic substances and oxide films formed on the edge portion of the substrate W. Can be.

図11は、一実施形態によるめっき方法を示すフロー図である。一実施形態として、本めっき方法は上述しためっき装置を用いて実行することができる。まず、めっき処理される基板Wがロード/アンロード部170Aによりめっき装置内に受け入れられる(S102)。基板Wは基板搬送装置122によりアライナ40に移送され、アライナ40で基板の向きが所定の方向に合わせられる(S104)。次に、基板Wのエッジ部のシード層の電気抵抗が測定される(S106)。電気抵抗の測定は、上述した抵抗測定器200により行うことができる。測定した電気抵抗が所定の範囲内であるか否かを判断する(S108)。かかる判断は、たとえば制御装置500で行われる。電気抵抗が所定の範囲内でない場合、均一なめっきを行うことができないと考えられるので、基板Wをフープ102に戻す。なお、電気抵抗の測定(S106〜S110)は、アライナ40で基板の向きを合わせる(S104)前に行ってもよい。電気抵抗が所定の範囲内である場合、基板Wを基板ホルダ60に保持させる(S112)。基板Wを基板ホルダ60に保持させたら、基板ホルダ60の電気接点から基板Wに電流が流れるかどうかの導通チェックを行う(S114)。なお、導通チェックは省略してもよい。その後、基板ホルダ60に基板Wが保持された状態で、後続のめっき処理が行われる(S116)。   FIG. 11 is a flowchart showing a plating method according to an embodiment. As one embodiment, the present plating method can be performed using the plating apparatus described above. First, the substrate W to be plated is received in the plating apparatus by the load / unload unit 170A (S102). The substrate W is transferred to the aligner 40 by the substrate transfer device 122, and the orientation of the substrate is adjusted to a predetermined direction by the aligner 40 (S104). Next, the electrical resistance of the seed layer at the edge portion of the substrate W is measured (S106). The electrical resistance can be measured by the resistance measuring instrument 200 described above. It is determined whether or not the measured electrical resistance is within a predetermined range (S108). Such a determination is made by the control device 500, for example. If the electrical resistance is not within the predetermined range, it is considered that uniform plating cannot be performed, and thus the substrate W is returned to the FOUP 102. The measurement of electrical resistance (S106 to S110) may be performed before aligning the substrate with the aligner 40 (S104). When the electrical resistance is within the predetermined range, the substrate W is held by the substrate holder 60 (S112). When the substrate W is held by the substrate holder 60, a continuity check is performed to determine whether or not current flows from the electrical contact of the substrate holder 60 to the substrate W (S114). Note that the continuity check may be omitted. Thereafter, a subsequent plating process is performed with the substrate W held by the substrate holder 60 (S116).

かかるめっき方法によれば、基板Wのエッジ部における電導層であるシード層の電気抵抗を測定することで、基板Wの異常を検知することができ、不要なめっき処理を回避することができる。上述した特許文献1の技術では、電気抵抗の異常が基板側の要因であるか、基板ホルダ側の要因であるかの判断ができなかったが、本開示によるめっき方法では、基板側の要因による電気抵抗の異常を検知することができる。なお、電導層であるシード層は、Cu(銅)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru)、およびパラジウム(Pd)、の少なくとも1つを含む金属を含有する層とすることができる。   According to this plating method, by measuring the electrical resistance of the seed layer that is the conductive layer at the edge portion of the substrate W, an abnormality of the substrate W can be detected, and unnecessary plating treatment can be avoided. In the technique of Patent Document 1 described above, it has not been possible to determine whether the abnormality in electrical resistance is a factor on the substrate side or a factor on the substrate holder side. However, in the plating method according to the present disclosure, the factor on the substrate side An abnormality in electrical resistance can be detected. Note that the seed layer which is a conductive layer is a layer containing a metal including at least one of Cu (copper), nickel (Ni), cobalt (Co), ruthenium (Ru), and palladium (Pd). Can do.

図12は、一実施形態によるめっき方法を示すフロー図である。一実施形態として、本めっき方法は上述しためっき装置を用いて実行することができる。まず、めっき処理される基板Wがロード/アンロード部170Aによりめっき装置内に受け入れられる(S202)。基板Wは基板搬送装置122によりアライナ40に移送され、アライナ40で基板の向きが所定の方向に合わせられる(S204)。次に、基板Wのエッジ部のシード層の電気抵抗が測定される(S206)。電気抵抗の測定は、上述した抵抗測定器200により行うことができる。測定した電気抵抗が所定の範囲内であるか否かを判断する(S208)。かかる判断は、たとえば制御装置500で行われる。電気抵抗が所定の範囲内でない場合、基板の表面に電導層(シード層)が均一に形成されていない場合や、基板にレジストを塗布する際に生じる不要物が基板上に残っている場合、基板の表面が酸化している場合などが考えられる。そのため、基板Wのエッジ部の洗浄が行われる(S210)。基板Wのエッジ部の洗浄は、たとえば、上述のエッジ部洗浄装置45により行うことができる。基板Wのエッジ部の洗浄を行ったら、再度、アライナ40で基板Wの向き合わせ(S204)、および基板Wのエッジ部の電気抵抗の測定と判断(S206、S208)を行う。なお、電気抵抗の測定(S106〜S110)は、アライナ40で基板の向きを合わせる(S104)前に行ってもよい。電気抵抗が所定の範囲内である場合、基板Wを基板ホルダ60に保持させる(S212)。基板Wを基板ホルダ60に保持させたら、基板ホルダ60の電気接点から基板Wに電流が流れるかどうかの導通チェックを行う(S214)。なお、導通チェックは省略してもよい。その後、基板ホルダ60に基板Wが保持された状態で、後続のめっき処理が行われる(S216)。なお、基板Wのエッジ部の洗浄を行っても、基板Wのエッジ部の電気抵抗が所定の範囲に入らない場合、基板Wをフープ102に戻し、その基板Wに対してめっき処理を行わないようにしてもよい。   FIG. 12 is a flowchart showing a plating method according to an embodiment. As one embodiment, the present plating method can be performed using the plating apparatus described above. First, the substrate W to be plated is received in the plating apparatus by the load / unload unit 170A (S202). The substrate W is transferred to the aligner 40 by the substrate transfer device 122, and the direction of the substrate is adjusted to a predetermined direction by the aligner 40 (S204). Next, the electrical resistance of the seed layer at the edge portion of the substrate W is measured (S206). The electrical resistance can be measured by the resistance measuring instrument 200 described above. It is determined whether or not the measured electrical resistance is within a predetermined range (S208). Such a determination is made by the control device 500, for example. If the electrical resistance is not within a predetermined range, if the conductive layer (seed layer) is not uniformly formed on the surface of the substrate, or if unnecessary materials generated when applying a resist to the substrate remain on the substrate, A case where the surface of the substrate is oxidized is considered. Therefore, the edge portion of the substrate W is cleaned (S210). The edge portion of the substrate W can be cleaned by, for example, the edge cleaning device 45 described above. After the edge portion of the substrate W is cleaned, the alignment of the substrate W is again performed by the aligner 40 (S204), and the electrical resistance of the edge portion of the substrate W is measured and determined (S206, S208). The measurement of electrical resistance (S106 to S110) may be performed before aligning the substrate with the aligner 40 (S104). When the electrical resistance is within the predetermined range, the substrate W is held by the substrate holder 60 (S212). When the substrate W is held by the substrate holder 60, a continuity check is performed to determine whether or not current flows from the electrical contact of the substrate holder 60 to the substrate W (S214). Note that the continuity check may be omitted. Thereafter, a subsequent plating process is performed with the substrate W held by the substrate holder 60 (S216). If the electrical resistance of the edge portion of the substrate W does not fall within a predetermined range even after the edge portion of the substrate W is cleaned, the substrate W is returned to the FOUP 102 and no plating process is performed on the substrate W. You may do it.

かかるめっき方法によれば、基板のエッジ部に異常がある場合に、基板のエッジ部を洗浄することで、基板のエッジ部を適切な状態にし、適切なめっき処理が可能な状態にすることができる。基板Wのエッジ部における電導層であるシード層の電気抵抗を測定することで、基板側の異常を検知することができるので、このような対処が可能になる。   According to such a plating method, when there is an abnormality in the edge portion of the substrate, the edge portion of the substrate can be cleaned so that the edge portion of the substrate is in an appropriate state and an appropriate plating process can be performed. it can. By measuring the electrical resistance of the seed layer, which is a conductive layer, at the edge portion of the substrate W, an abnormality on the substrate side can be detected, so that such a countermeasure can be taken.

一実施形態として、抵抗測定器200は、基板ホルダ60のリーク検知機能として使用することもできる。図3とともに説明したように、基板Wは、基板ホルダ60に保持されると、基板Wのエッジ部はシール部材70により基板Wの被めっき面から隔離される。そのため、シールが適切に行われている状態においては、めっき処理時にめっき液が基板Wのエッジ部に触れることはない。しかし、シールが適切に行われていない場合、めっき処理中にめっき液が基板Wのエッジ部の領域に浸入することがある。めっき液が基板Wのエッジ部分に付着すると、基板Wのエッジ部の電気抵抗が大きくなると考えられる。そこで、上述のように、基板Wを基板ホルダ60に保持する前に基板Wのエッジ部の電気抵抗を測定するとともに、めっき処理後(S116、S216の後)に基板Wのエッジ部の電気抵抗を測定することで、基板ホルダ60にリークが発生しているかどうかを検知することができる。めっき処理の前後で基板Wのエッジ部の電気抵抗が大きくなっていたら、基板ホルダ60にリークが発生している可能性がある。   As one embodiment, the resistance measuring instrument 200 can be used as a leak detection function of the substrate holder 60. As described with reference to FIG. 3, when the substrate W is held by the substrate holder 60, the edge portion of the substrate W is isolated from the surface to be plated of the substrate W by the seal member 70. Therefore, in a state where sealing is properly performed, the plating solution does not touch the edge portion of the substrate W during the plating process. However, if the sealing is not performed properly, the plating solution may enter the region of the edge portion of the substrate W during the plating process. If the plating solution adheres to the edge portion of the substrate W, it is considered that the electrical resistance of the edge portion of the substrate W increases. Therefore, as described above, the electrical resistance of the edge portion of the substrate W is measured before holding the substrate W on the substrate holder 60, and the electrical resistance of the edge portion of the substrate W after the plating process (after S116 and S216). It is possible to detect whether or not a leak has occurred in the substrate holder 60. If the electrical resistance of the edge portion of the substrate W is increased before and after the plating process, there is a possibility that a leak has occurred in the substrate holder 60.

上記のめっき方法、および基板ホルダのリーク検知方法は、コンピュータプログラムによって実施されてよい。当該プログラムは、コンピュータ(たとえば制御装置500)可読な非一過性の記録媒体に記録されてよい。非一過性の記録媒体は、たとえば記憶装置であってよい。非一過性の記録媒体は、たとえばCD−ROMやDVD−ROMなどであってもよい。   The plating method and the substrate holder leak detection method may be implemented by a computer program. The program may be recorded on a non-transitory recording medium readable by a computer (for example, the control device 500). The non-transitory recording medium may be a storage device, for example. The non-transitory recording medium may be a CD-ROM or DVD-ROM, for example.

以上、いくつかの例に基づいて本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明
には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
The embodiments of the present invention have been described above based on some examples. However, the above-described embodiments of the present invention are for facilitating understanding of the present invention and do not limit the present invention. . The present invention can be changed and improved without departing from the gist thereof, and the present invention naturally includes equivalents thereof. In addition, any combination or omission of each constituent element described in the claims and the specification is possible within a range where at least a part of the above-described problems can be solved or a range where at least a part of the effect is achieved. It is.

40…アライナ
45…エッジ部洗浄装置
60…基板ホルダ
120…フィキシングユニット
122…基板搬送装置
200…抵抗測定器
202…抵抗測定ヘッド
204…接触ピン
500…制御装置
W…基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 40 ... Aligner 45 ... Edge part cleaning apparatus 60 ... Substrate holder 120 ... Fixing unit 122 ... Substrate conveyance apparatus 200 ... Resistance measuring device 202 ... Resistance measuring head 204 ... Contact pin 500 ... Control device W ... Substrate

Claims (14)

めっき装置であって、
めっき対象物である基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定する抵抗測定器と、
基板を保持するための基板ホルダと、
を有し、
前記抵抗測定器は、前記基板ホルダにより基板を保持する前に、基板の電気抵抗を測定するように構成される、
めっき装置。
A plating apparatus,
A resistance measuring instrument that measures the electrical resistance of the conductive layer at the edge of the substrate that is the object to be plated;
A substrate holder for holding the substrate;
Have
The resistance meter is configured to measure the electrical resistance of the substrate before holding the substrate by the substrate holder;
Plating equipment.
請求項1に記載のめっき装置であって、
前記抵抗測定器は、基板のエッジ部の電導層の複数個所の電気抵抗を測定するように構成される、
めっき装置。
The plating apparatus according to claim 1,
The resistance measuring instrument is configured to measure electrical resistances at a plurality of locations of the conductive layer at the edge portion of the substrate.
Plating equipment.
請求項1または2に記載のめっき装置であって、
前記抵抗測定器は、基板のエッジ部の電導層に接触するように構成される接触ピンを有する、
めっき装置。
The plating apparatus according to claim 1 or 2,
The resistance meter has a contact pin configured to contact the conductive layer at the edge of the substrate,
Plating equipment.
請求項3に記載のめっき装置であって、
前記接触ピンは、基板の周方向に移動可能に構成される、
めっき装置。
The plating apparatus according to claim 3,
The contact pin is configured to be movable in the circumferential direction of the substrate.
Plating equipment.
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のめっき装置であって、さらに、
基板の向きを所定の方向に合わせるためのアライナを有し、
前記抵抗測定器は、前記アライナに配置された基板の電気抵抗を測定するように構成される、
めっき装置。
The plating apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising:
It has an aligner for adjusting the orientation of the board to a predetermined direction.
The resistance meter is configured to measure an electrical resistance of a substrate disposed on the aligner;
Plating equipment.
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のめっき装置であって、さらに、
基板を前記基板ホルダに固定するためのフィキシングユニットを有し、
前記抵抗測定器は、前記フィキシングユニットに配置された基板の電気抵抗を測定するように構成される、
めっき装置。
The plating apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising:
A fixing unit for fixing the substrate to the substrate holder;
The resistance meter is configured to measure an electrical resistance of a substrate disposed in the fixing unit;
Plating equipment.
請求項1乃至6のいずれか一項に記載のめっき装置であって、さらに、
前記抵抗測定器で測定された抵抗値を受け取る制御装置を有し、
前記制御装置は、受け取った前記抵抗値に基づいて、基板の状態を判断するように構成される、
めっき装置。
The plating apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising:
A control device for receiving a resistance value measured by the resistance measuring instrument;
The controller is configured to determine a state of the substrate based on the received resistance value;
Plating equipment.
請求項1乃至7のいずれか一項に記載のめっき装置であって、さらに、
基板のエッジ部を洗浄するためのエッジ部洗浄装置を有する、
めっき装置。
The plating apparatus according to any one of claims 1 to 7, further comprising:
Having an edge cleaning apparatus for cleaning the edge of the substrate;
Plating equipment.
めっき対象物である基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定する抵抗測定器と、
基板を保持するための基板ホルダと、コンピュータを備える制御装置と、を有するめっき装置において、
めっき対象物である基板を基板ホルダに保持する前に、前記基板のエッジ部の電導層の
電気抵抗を測定するステップと、
測定した基板の電気抵抗に基づいて、前記基板の状態を判断するステップと、
を実行させるためのコンピュータプログラム。
A resistance measuring instrument that measures the electrical resistance of the conductive layer at the edge of the substrate that is the object to be plated;
In a plating apparatus having a substrate holder for holding a substrate and a control device including a computer,
Measuring the electrical resistance of the conductive layer at the edge of the substrate before holding the substrate, which is a plating object, on the substrate holder;
Determining the state of the substrate based on the measured electrical resistance of the substrate;
A computer program for running.
請求項9に記載のコンピュータプログラムであって、
電気抵抗を測定するステップは、前記基板のエッジ部の電導層の複数個所の電気抵抗を測定するステップを有する、
コンピュータプログラム。
A computer program according to claim 9,
The step of measuring electrical resistance includes the step of measuring electrical resistance at a plurality of locations of the conductive layer at the edge portion of the substrate.
Computer program.
請求項9または10に記載のコンピュータプログラムであって、さらに、
基板のエッジ部を洗浄するステップを実行させるための、
コンピュータプログラム。
The computer program according to claim 9 or 10, further comprising:
To perform the step of cleaning the edge of the substrate,
Computer program.
請求項9乃至11のいずれか一項に記載のコンピュータプログラムであって、さらに、
めっき処理後に、めっき処理した基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定するステップを実行させるための、
コンピュータプログラム。
A computer program according to any one of claims 9 to 11, further comprising:
After the plating process, for performing the step of measuring the electrical resistance of the conductive layer of the edge part of the plated substrate,
Computer program.
請求項9乃至12のいずれか一項に記載のコンピュータプログラムが記録された、コンピュータ読み取り可能な非一過性の記録媒体。   A computer-readable non-transitory recording medium in which the computer program according to any one of claims 9 to 12 is recorded. めっき方法であって、
めっき対象物である基板を基板ホルダに保持する前に、前記基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定するステップと、
測定した基板の電気抵抗に基づいて、前記基板の状態を判断するステップと、
を有する、
めっき方法。
A plating method,
Measuring the electrical resistance of the conductive layer at the edge of the substrate before holding the substrate, which is a plating object, on the substrate holder;
Determining the state of the substrate based on the measured electrical resistance of the substrate;
Having
Plating method.
JP2017042643A 2017-01-24 2017-03-07 Plating equipment and plating method Active JP6841687B2 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017042643A JP6841687B2 (en) 2017-03-07 2017-03-07 Plating equipment and plating method
KR1020180005978A KR102222776B1 (en) 2017-01-24 2018-01-17 Plating device, plating method, substrate holder, resistance measuring module, and substrate holder testing method
TW107102217A TWI742229B (en) 2017-01-24 2018-01-22 Plating device, plating method, substrate holder, resistance measuring module, and substrate holder testing method
US15/878,267 US10676838B2 (en) 2017-01-24 2018-01-23 Plating device, plating method, substrate holder, resistance measuring module, and substrate holder testing method
CN201810064597.4A CN108344897A (en) 2017-01-24 2018-01-23 Plater, frame substrate and resistance measurement module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017042643A JP6841687B2 (en) 2017-03-07 2017-03-07 Plating equipment and plating method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018145489A true JP2018145489A (en) 2018-09-20
JP6841687B2 JP6841687B2 (en) 2021-03-10

Family

ID=63589680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017042643A Active JP6841687B2 (en) 2017-01-24 2017-03-07 Plating equipment and plating method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6841687B2 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002220693A (en) * 2001-01-26 2002-08-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Equipment for plating substrate
US6755946B1 (en) * 2001-11-30 2004-06-29 Novellus Systems, Inc. Clamshell apparatus with dynamic uniformity control
JP2009200405A (en) * 2008-02-25 2009-09-03 Fujitsu Microelectronics Ltd Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US20140367265A1 (en) * 2013-06-12 2014-12-18 Applied Materials, Inc. Non-contact sheet resistance measurement of barrier and/or seed layers prior to electroplating

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002220693A (en) * 2001-01-26 2002-08-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Equipment for plating substrate
US6755946B1 (en) * 2001-11-30 2004-06-29 Novellus Systems, Inc. Clamshell apparatus with dynamic uniformity control
JP2009200405A (en) * 2008-02-25 2009-09-03 Fujitsu Microelectronics Ltd Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US20140367265A1 (en) * 2013-06-12 2014-12-18 Applied Materials, Inc. Non-contact sheet resistance measurement of barrier and/or seed layers prior to electroplating

Also Published As

Publication number Publication date
JP6841687B2 (en) 2021-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5894254B2 (en) Plating method and plating apparatus
JP7029556B2 (en) Plating equipment and plating method
TWI742229B (en) Plating device, plating method, substrate holder, resistance measuring module, and substrate holder testing method
JP7127184B2 (en) Methods for inspecting plating equipment, substrate holders, resistance measurement modules, and substrate holders
US11192151B2 (en) Cleaning device, plating device including the same, and cleaning method
TW201817924A (en) Leak checking method, leak checking apparatus, electroplating method, and electroplating apparatus
US11598017B2 (en) Method of plating
JP6254307B2 (en) Method for inspecting leakage of substrate holder used in plating equipment
JP6841687B2 (en) Plating equipment and plating method
JP6078186B2 (en) Plating equipment
JP6975650B2 (en) Current measurement module and inspection board using inspection board
KR102342006B1 (en) Plating apparatus and plating method
KR102612855B1 (en) Leakage determination method and plating device
JP2021091935A (en) Plating device, and plating method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190925

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200630

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200821

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200902

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210129

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210218

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6841687

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250