JP2018117504A - 電子回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】電源スイッチがオフされたときに、平滑コンデンサの残留電荷により、上アーム側スイッチング素子と下アーム側スイッチング素子との直列回路に貫通電流が流れるのを防止できる電子回路を提供する。
【解決手段】モータ駆動回路3は、直流電源5に直列接続された平滑コンデンサ7と、平滑コンデンサ7に並列に接続され、ノーマリーオン型の上アーム側スイッチング素子21,23,25とノーマリーオン型の下アーム側スイッチング素子22,24,26との直列回路と、直流電源5と平滑コンデンサ7との間に接続された電源リレー11,12,13と、電源リレー11,13がオフされたときに、平滑コンデンサ7の残留電荷を用いて、上アーム側スイッチング素子および下アーム側スイッチング素子のうちの少なくとも一方をオフにさせる貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53とを含む。
【選択図】図1
【解決手段】モータ駆動回路3は、直流電源5に直列接続された平滑コンデンサ7と、平滑コンデンサ7に並列に接続され、ノーマリーオン型の上アーム側スイッチング素子21,23,25とノーマリーオン型の下アーム側スイッチング素子22,24,26との直列回路と、直流電源5と平滑コンデンサ7との間に接続された電源リレー11,12,13と、電源リレー11,13がオフされたときに、平滑コンデンサ7の残留電荷を用いて、上アーム側スイッチング素子および下アーム側スイッチング素子のうちの少なくとも一方をオフにさせる貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53とを含む。
【選択図】図1
Description
この発明は、インバータ回路等の電子回路に関する。
電動モータの駆動回路として、単相インバータ回路および三相インバータ回路が知られている。三相インバータ回路は、電源に直列に接続された平滑コンデンサと、平滑コンデンサに並列に接続された3組のスイッチ回路とを含む。各スイッチ回路は、上アーム側スイッチング素子と下アーム側スイッチング素子との直列回路からなる。各スイッチ回路における2つのスイッチング素子の接続点が電動モータに接続される。電源と平滑コンデンサとの間に電源スイッチが設けられている。
従来においては、各スイッチング素子は、ノーマリーオフ型のスイッチング素子から構成されている。したがって、電源スイッチがオフされると、各スイッチング素子もオフとなる。このため、電源スイッチがオフされたときに、平滑コンデンサに電荷が蓄積されていたとしても、各スイッチ回路に電流が流れることはない。
近年、インバータ回路用のスイッチング素子として、ノーマリーオン型のスイッチング素子を用いることが提案されている。インバータ回路用のスイッチング素子として、ノーマリーオン型のスイッチング素子を用いた場合、電源スイッチがオフされると、各スイッチング素子はオンとなる。このため、電源スイッチがオフされたときに、平滑コンデンサの残留電荷によって、各スイッチ回路に貫通電流が流れる。
近年、インバータ回路用のスイッチング素子として、ノーマリーオン型のスイッチング素子を用いることが提案されている。インバータ回路用のスイッチング素子として、ノーマリーオン型のスイッチング素子を用いた場合、電源スイッチがオフされると、各スイッチング素子はオンとなる。このため、電源スイッチがオフされたときに、平滑コンデンサの残留電荷によって、各スイッチ回路に貫通電流が流れる。
この発明の目的は、電源スイッチがオフされたときに、平滑コンデンサの残留電荷により、ノーマリーオン型の上アーム側スイッチング素子とノーマリーオン型の下アーム側スイッチング素子との直列回路に貫通電流が流れるのを防止できる電子回路を提供することである。
請求項1に記載の発明は、電源(5)に直列接続された平滑コンデンサ(7)と、前記平滑コンデンサに並列に接続され、ノーマリーオン型の上アーム側スイッチング素子(21,23,25)とノーマリーオン型の下アーム側スイッチング素子(22,24,26)との直列回路(8U,8V,8W)と、前記上アーム側スイッチング素子を駆動するための上アーム側ゲート駆動回路(41,43,45)と、前記下アーム側スイッチング素子を駆動するための下アーム側ゲート駆動回路(42,44,46)と、前記電源と前記平滑コンデンサとの間に接続された電源スイッチ(11,12,13)と、前記電源スイッチがオフされたときに、前記平滑コンデンサの残留電荷を用いて、前記上アーム側スイッチング素子および前記下アーム側スイッチング素子のうちの少なくとも一方をオフにさせる貫通電流防止手段とを含む、電子回路(3)である。なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すが、むろん、この発明の範囲は当該実施形態に限定されない。以下、この項において同じ。
この構成では、電源スイッチがオフされたときに、平滑コンデンサの残留電荷を用いて、ノーマリーオン型の上アーム側スイッチング素子およびノーマリーオン型の下アーム側スイッチング素子のうちの少なくとも一方がオフにされる。このため、電源スイッチがオフされたときに、平滑コンデンサの残留電荷により、ノーマリーオン型の上アーム側スイッチング素子とノーマリーオン型の下アーム側スイッチング素子との直列回路に貫通電流が流れるのを防止できる。
請求項2に記載の発明は、前記各ゲート駆動回路(41〜46)は、オン指令が入力されているときには、対応する前記スイッチング素子のゲートに正の制御電圧を印可し、オフ指令が入力されているときには、対応する前記スイッチング素子のゲートに負の制御電圧を印可するように構成されており、前記貫通電流防止手段は、前記上アーム側ゲート駆動回路および前記下アーム側ゲート駆動回路のうちの少なくとも一方の電源入力端子と前記平滑コンデンサの正極側端子との間に接続され、前記電源スイッチがオンのときにオフとされ、前記電源スイッチがオフのときにオンとなるノーマリーオン型の貫通電流防止用スイッチング素子(51,52,53)を含む、請求項1に記載の電子回路である。
請求項3に記載の発明は、前記各ゲート駆動回路(41〜46)は、正の制御電圧を生成する機能を有するが負の制御電圧を生成する機能を有しない主ゲート駆動回路(41A〜46A)と、前記主駆動回路に負の制御電圧を供給する負電圧レギュレータ(41B〜46B)とから構成され、前記主ゲート駆動回路は、オン指令が入力されているときには、対応する前記スイッチング素子のゲートに正の制御電圧を印可し、オフ指令が入力されているときには、対応する前記スイッチング素子のゲートに前記負電圧レギュレータから供給される負の制御電圧を印可するように構成されており、前記貫通電流防止手段は、前記上アーム側ゲート駆動回路の前記負電圧レギュレータおよび前記下アーム側ゲート駆動回路の前記負電圧レギュレータのうちの少なくとも一方の負電圧レギュレータの電源入力端子と前記平滑コンデンサの正極側端子との間に接続され、前記電源スイッチがオンのときにオフとされ、前記電源スイッチがオフのときにオンとなるノーマリーオン型の第1の貫通電流防止用スイッチング素子(51,52,53)と、前記第1の貫通電流防止用スイッチング素子が接続された前記負電圧レギュレータの負電圧出力端子と、それに対応する前記上アーム側スイッチング素子または下アーム側スイッチング素子のゲートとの間に接続され、前記電源スイッチがオンのときにオフとされ、前記電源スイッチがオフのときにオンとなるノーマリーオン型の第2の貫通電流防止用スイッチング素子(54,55,56)とを含む、請求項1に記載の電子回路である。
以下では、この発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る電子回路が適用されたモータ制御装置の構成を示す電気回路図である。図2は、主として図1のインバータ部の構成を示す電気回路図である。
図1に示すように、モータ制御装置1は、電動モータ2に電力を供給するモータ駆動回路3と、モータ駆動回路3を駆動制御するためのマイクロコンピュータ4(以下、「マイコン」という)とを含む。モータ駆動回路3は、この実施形態では、三相インバータ回路からなる。
図1は、本発明の実施形態に係る電子回路が適用されたモータ制御装置の構成を示す電気回路図である。図2は、主として図1のインバータ部の構成を示す電気回路図である。
図1に示すように、モータ制御装置1は、電動モータ2に電力を供給するモータ駆動回路3と、モータ駆動回路3を駆動制御するためのマイクロコンピュータ4(以下、「マイコン」という)とを含む。モータ駆動回路3は、この実施形態では、三相インバータ回路からなる。
モータ駆動回路3は、直流電源5と、リレー回路6と、リレー回路6を介して直流電源5に接続され、直流電源5の直流電圧を平滑する平滑コンデンサ7と、平滑コンデンサ7に並列接続されたインバータ部8を含む。
リレー回路6は、第1電源リレー11と逆接防止リレー12と第2電源リレー13とを含む。これらのリレー11,12,13は、ノーマリーオフ型のFET(Field Effect Transistor)からなる。第1電源リレー11のドレインは、直流電源5の正極側端子に接続されており、第1電源リレー11のソースは、逆接防止リレー12のソースに接続されている。逆接防止リレー12のドレインは、平滑コンデンサ7の正極側端子に接続されている。第2電源リレー13のドレインは、直流電源5の負極側端子に接続されており、第2電源リレー13のソースは、平滑コンデンサ7の負極側端子に接続されている。
リレー回路6は、第1電源リレー11と逆接防止リレー12と第2電源リレー13とを含む。これらのリレー11,12,13は、ノーマリーオフ型のFET(Field Effect Transistor)からなる。第1電源リレー11のドレインは、直流電源5の正極側端子に接続されており、第1電源リレー11のソースは、逆接防止リレー12のソースに接続されている。逆接防止リレー12のドレインは、平滑コンデンサ7の正極側端子に接続されている。第2電源リレー13のドレインは、直流電源5の負極側端子に接続されており、第2電源リレー13のソースは、平滑コンデンサ7の負極側端子に接続されている。
インバータ部8は、平滑コンデンサ7により平滑された直流電圧を交流電圧に変換する。インバータ部8は、図2に示すように、電動モータ2のU相、V相およびW相の各相に対応した第1スイッチ回路(第1レグ)8U、第2スイッチ回路(第2レグ)8Vおよび第3スイッチ回路(第3レグ)8Wを含む。
第1スイッチ回路8Uは、平滑コンデンサ7に並列接続され、上アーム側の第1スイッチング素子21および下アーム側の第2スイッチング素子22の直列回路からなる。第2スイッチ回路8Vは、第1スイッチ回路8Uに並列接続され、上アーム側の第3スイッチング素子23および下アーム側の第4スイッチング素子24の直列回路からなる。第3スイッチ回路8Wは、第2スイッチ回路8Vに並列接続され、上アーム側の第5スイッチング素子25および下アーム側の第6スイッチング素子26の直列回路からなる。
第1スイッチ回路8Uは、平滑コンデンサ7に並列接続され、上アーム側の第1スイッチング素子21および下アーム側の第2スイッチング素子22の直列回路からなる。第2スイッチ回路8Vは、第1スイッチ回路8Uに並列接続され、上アーム側の第3スイッチング素子23および下アーム側の第4スイッチング素子24の直列回路からなる。第3スイッチ回路8Wは、第2スイッチ回路8Vに並列接続され、上アーム側の第5スイッチング素子25および下アーム側の第6スイッチング素子26の直列回路からなる。
第1〜第6スイッチング素子21〜26は、ノーマリーオン型のスイッチング素子からなる。この実施形態では、第1〜第6スイッチング素子21〜26は、ノーマリーオン型の窒化物半導体を用いたHEMT(High Electron Mobility Transistor;高電子移動度トランジスタ)からなる。
第1〜第6スイッチング素子21〜26には、それぞれ、第1〜第6ダイオード31〜36が逆並列接続されている。第1スイッチング素子21と第2スイッチング素子22との接続点は、電動モータ2のU相のステータ巻線(図示略)に接続されている。第3スイッチング素子23と第4スイッチング素子24との接続点は、電動モータ2のV相のステータ巻線(図示略)に接続されている。第5スイッチング素子25と第6スイッチング素子26との接続点は、電動モータ2のW相のステータ巻線(図示略)に接続されている。
第1〜第6スイッチング素子21〜26には、それぞれ、第1〜第6ダイオード31〜36が逆並列接続されている。第1スイッチング素子21と第2スイッチング素子22との接続点は、電動モータ2のU相のステータ巻線(図示略)に接続されている。第3スイッチング素子23と第4スイッチング素子24との接続点は、電動モータ2のV相のステータ巻線(図示略)に接続されている。第5スイッチング素子25と第6スイッチング素子26との接続点は、電動モータ2のW相のステータ巻線(図示略)に接続されている。
各スイッチング素子21〜26のゲートには、ゲート駆動回路41〜46が接続されている。これらのゲート駆動回路41〜46は、対応するスイッチング素子21〜26を、オンさせるための正の制御電圧と、オフさせるための負の制御電圧とを生成する機能を備えている。各ゲート駆動回路41〜46は、電源入力端子Pと制御入力端子Qとを備えている。下アーム側のスイッチング素子22,24,26のゲート駆動回路42,44,46の制御入力端子Qは、プルダウン抵抗47を介して接地されている。
インバータ部8には、第1、第2および第3貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53が設けられている。貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53は、リレー回路6がオフ(リレー11,12,13がオフ)されたときに、平滑コンデンサ7の残留電荷によって、スイッチ回路8U,8V,8Wに貫通電流が流れるのを防止するために設けられている。各貫通電流防止用スイッチング素子51〜53にも、ダイオード61〜63が逆並列接続されている。各貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53は、ノーマリーオン型のスイッチング素子からなる。この実施形態では、各貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53は、ノーマリーオン型の窒化物半導体を用いたHEMTからなる。
各貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53のドレインは、平滑コンデンサ7の正極側端子に接続されている。第1貫通電流防止用スイッチング素子51のソースは、第2スイッチング素子22のゲート駆動回路42の電源入力端子Pに接続されている。第2貫通電流防止用スイッチング素子52のソースは、第4スイッチング素子24のゲート駆動回路44の電源入力端子Pに接続されている。第3貫通電流防止用スイッチング素子53のソースは、第6スイッチング素子26のゲート駆動回路46の電源入力端子Pに接続されている。
第1、第2および第3貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53のゲートには、それぞれゲート駆動回路71,72,73が接続されている。これらのゲート駆動回路71,72,73は、対応する貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53を、オンさせるための正の制御電圧V1と、オフさせるための負の制御電圧V2とを生成する機能を備えている。ゲート駆動回路71〜73は、電源入力端子Pと制御入力端子Qとを備えている。
図1に戻り、モータ駆動回路3は、各ゲート駆動回路41〜46,71〜73の電源電圧を生成するための電圧レギュレータ10を含む。電圧レギュレータ10は、リレー9を介して直流電源5の正極側端子に接続されている。この実施形態では、リレー9は、スイッチング・トランジスタからなる。リレー9は、リレー回路6がオン(リレー11,12,13がオン)されるときにオンされ、リレー回路6がオフされるときにオフされる。電圧レギュレータ10は、リレー9がオンであるときに、直流電圧Vcを生成して、各ゲート駆動回路41〜46,71〜73の電源入力端子Pに供給する。
マイコン4は、リレー回路6がオンのときに、第1〜第6スイッチング素子21〜26を制御するためのPWM(Pulse Width Modulation)信号からなるゲート制御信号を生成して、対応するゲート駆動回路41〜46の制御入力端子Qに与える。また、マイコン4は、リレー回路6がオンのときに、第1〜第3貫通電流防止用スイッチング素子51〜53を制御するためのゲート制御信号Sを生成して、対応するゲート駆動回路71〜73の制御入力端子Qに与える。リレー回路6がオンのときに、ゲート駆動回路71〜73に与えられるゲート制御信号Sは、それに対応する貫通電流防止用スイッチング素子51〜53をオフさせるための制御信号である。この実施形態では、各スイッチング素子21〜26,41〜43をオンさせるためのゲート制御信号はHレベルであり、各スイッチング素子21〜26,41〜43をオフさせるためのゲート制御信号はLレベルである。
図1および図2を参照して、リレー回路6およびリレー9がオンされた場合のモータ制御装置1の動作について説明する。
リレー回路6およびリレー9がオンされると、電圧レギュレータ10が作動状態(アクティブ状態)となる。このため、各ゲート駆動回路41〜46、71〜73の電源入力端子Pに、電圧レギュレータ10から直流電圧Vcが供給されるので、これらのゲート駆動回路41〜46、71〜73は作動状態(アクティブ状態)となる。
リレー回路6およびリレー9がオンされると、電圧レギュレータ10が作動状態(アクティブ状態)となる。このため、各ゲート駆動回路41〜46、71〜73の電源入力端子Pに、電圧レギュレータ10から直流電圧Vcが供給されるので、これらのゲート駆動回路41〜46、71〜73は作動状態(アクティブ状態)となる。
また、各貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53のゲート駆動回路71,72,73の制御入力端子Qには、マイコン4からLレベルの制御信号が与えられる。これにより、各貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53のゲートに負の制御電圧V2が印可されるので、これらの貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53はオフ状態となる。これにより、貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53を介して平滑コンデンサ7に接続されていたゲート駆動回路42,44,46の電源入力端子Pは、平滑コンデンサ7から切り離される。
第1〜第6スイッチング素子21〜26のゲート駆動回路41〜46の制御入力端子Qには、マイコン4からPWM信号が与えられる。ゲート駆動回路41〜46は、マイコン4から与えられるPWM信号に基づいて、第1〜第6スイッチング素子21〜26を制御する。これにより、電動モータ2が駆動制御される。
リレー回路6およびリレー9がオフされたときのモータ制御装置1の動作について説明する。
リレー回路6およびリレー9がオフされたときのモータ制御装置1の動作について説明する。
リレー回路6およびリレー9がオフされると、電圧レギュレータ10が非作動状態(非アクティブ状態)となるので、各ゲート駆動回路41〜46、71〜73の電源入力端子Pに、電圧レギュレータ10から直流電圧Vcが供給されなくなる。これにより、各ゲート駆動回路41〜46、71〜73のうち、各貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53が接続されているゲート駆動回路42,44,46以外のゲート駆動回路41,43,45,71〜73は、非作動状態(非アクティブ状態)となる。これにより、上アーム側の第1、第3および第5スイッチング素子21,23,25ならびに第1、第2および第3貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53は、オン状態となる。
第1、第2および第3貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53がオン状態になると、ゲート駆動回路42,44,46の電源入力端子Pは、それぞれ貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53を介して、平滑コンデンサ7の正極側端子に接続される。これにより、図2に破線の矢印で示すように、平滑コンデンサ7に蓄積されている残留電荷によって、平滑コンデンサ7からゲート駆動回路42,44,46の電源入力端子Pに電流が流れる。これにより、ゲート駆動回路42,44,46の電源入力端子Pに直流電圧(キャパシタ電圧)が印可されるので、ゲート駆動回路42,44,46は作動状態(アクティブ状態)を維持する。
一方、マイコン4からPWM信号が出力されなくなるが、ゲート駆動回路42,44,46の制御入力端子Qは、プルダウン抵抗47を介して接地されているので、制御入力端子Qの電圧レベルはLレベルとなる。これにより、ゲート駆動回路42,44,46から、それぞれ、下アーム側のスイッチング素子22,24,26のゲートに負の制御電圧V2が印可されるから、下アーム側のスイッチング素子22,24,26がオフとなる。これにより、リレー回路6およびリレー9がオフされたときに、平滑コンデンサ7に蓄積されている残留電荷によって、スイッチ回路8U,8V,8Wに貫通電流が流れるのを防止することができる。
この後、平滑コンデンサ7に蓄積されている残留電荷が減少し、ゲート駆動回路42,44,46の電源入力端子Pに印可される直流電圧(キャパシタ電圧)が所定値未満になると、ゲート駆動回路42,44,46は非作動状態(非アクティブ状態)となる。これにより、下アーム側のスイッチング素子22,24,26は、オン状態となる。このとき、各上下アームのスイッチング素子がオン状態になるので、スイッチ回路8U,8V,8Wに貫通電流が流れるが、残留電荷が減少しているので大きな電流は流れず、スイッチング素子が故障することはない。
図3は、インバータ部8の他の構成例を示す電気回路図である。図3において、前述の図2の各部に対応する部分には図2と同じ符号を付して示す。
図3のインバータ部8では、第1〜第6スイッチング素子21〜26のゲート駆動回路41〜46の構成が、図2のインバータ部8におけるゲート駆動回路41〜46とは異なっている。また、図3のインバータ部8では、第4、第5および第6貫通電流防止用スイッチング素子54,55,56およびそのゲート駆動回路74,75,76が追加されている点で、図2のインバータ部8と異なる。第4〜第6貫通電流防止用スイッチング素子54〜56は、第1〜第3貫通電流防止用スイッチング素子51〜53と同様に、ノーマリーオン型のスイッチング素子からなる。この実施形態では、第4〜第6貫通電流防止用スイッチング素子54〜56は、ノーマリーオン型の窒化物半導体を用いたHEMTからなる。
図3のインバータ部8では、第1〜第6スイッチング素子21〜26のゲート駆動回路41〜46の構成が、図2のインバータ部8におけるゲート駆動回路41〜46とは異なっている。また、図3のインバータ部8では、第4、第5および第6貫通電流防止用スイッチング素子54,55,56およびそのゲート駆動回路74,75,76が追加されている点で、図2のインバータ部8と異なる。第4〜第6貫通電流防止用スイッチング素子54〜56は、第1〜第3貫通電流防止用スイッチング素子51〜53と同様に、ノーマリーオン型のスイッチング素子からなる。この実施形態では、第4〜第6貫通電流防止用スイッチング素子54〜56は、ノーマリーオン型の窒化物半導体を用いたHEMTからなる。
第1〜第6スイッチング素子21〜26のゲート駆動回路は、主ゲート駆動回路41A〜46Aと負電圧レギュレータ41B〜46Bとから構成されている。主ゲート駆動回路41A〜46Aは、対応するスイッチング素子21〜26を、オンさせるための正の制御電圧V1を生成する機能を備えているが、オフさせるための負の制御電圧V2を生成する機能を備えていない。主ゲート駆動回路41A〜46Aは、電源入力端子Pと制御入力端子Qと負電源入力端子Rとを備えている。負電圧レギュレータ41B〜46Bは、対応するスイッチング素子21〜26をオフするための負の制御電圧V2を生成する。負電圧レギュレータ41B〜46Bは、電源入力端子Pと負の制御電圧V2を出力するための負電源出力端子(負電圧出力端子)Tとを備えている。
主ゲート駆動回路41A〜46Aおよび負電圧レギュレータ41B〜46Bの電源入力端子Pには、リレー9がオンである場合に、電圧レギュレータ10から直流電圧Vcが印可される。主ゲート駆動回路41A〜46Aの負電源入力端子Rは、対応する負電圧レギュレータ41B〜46Bの負電源出力端子Tに接続されている。
各貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53のドレインは、平滑コンデンサ7の正極側端子に接続されている。第1、第2および第3貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53のソースは、下アーム側のスイッチング素子22,24,26に対応する負電圧レギュレータ42B,44B,46Bの電源入力端子Pに接続されている。
各貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53のドレインは、平滑コンデンサ7の正極側端子に接続されている。第1、第2および第3貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53のソースは、下アーム側のスイッチング素子22,24,26に対応する負電圧レギュレータ42B,44B,46Bの電源入力端子Pに接続されている。
第4〜第6貫通電流防止用スイッチング素子54〜56にも、ダイオード64〜66が逆並列接続されている。第4貫通電流防止用スイッチング素子54のソースは、負電圧レギュレータ42Bの負電源出力端子Tに接続され、ドレインはスイッチング素子22のゲートに接続されている。第5貫通電流防止用スイッチング素子55のソースは、負電圧レギュレータ44Bの負電源出力端子Tに接続され、ドレインはスイッチング素子24のゲートに接続されている。第6貫通電流防止用スイッチング素子56のソースは、負電圧レギュレータ46Bの負電源出力端子Tに接続され、ドレインはスイッチング素子26のゲートに接続されている。
第4、第5および第6貫通電流防止用スイッチング素子54,55,56のゲートには、ゲート駆動回路74,75,76が接続されている。これらのゲート駆動回路74,75,76は、対応するスイッチング素子54,55,56を、オンさせるための正の制御電圧と、オフさせるための負の制御電圧とを生成する機能を備えている。ゲート駆動回路74,75,76は、電源入力端子Pと制御入力端子Qとを備えている。
電圧レギュレータ10(図1参照)は、リレー9がオンであるときに、直流電圧Vcを生成して、各主ゲート駆動回路41A〜46A、負電圧レギュレータ41B〜46Bおよびゲート駆動回路71〜76の電源入力端子Pに供給する。
マイコン4(図1参照)は、リレー回路6がオンのときに、第1〜第6スイッチング素子21〜26を制御するためのPWM信号からなるゲート制御信号を生成して、対応する主ゲート駆動回路41A〜46Aの制御入力端子Qに与える。また、マイコン4は、リレー回路6がオンのときに、第1〜第6貫通電流防止用スイッチング素子51〜56を制御するためのゲート制御信号Sを生成して、対応するゲート駆動回路71〜76の制御入力端子Qに与える。リレー回路6がオンのときに、ゲート駆動回路71〜76に与えられるゲート制御信号Sは、それに対応する貫通電流防止用スイッチング素子51〜56をオフさせるための制御信号である。この実施形態では、各スイッチング素子21〜26,41〜46をオンさせるためのゲート制御信号はHレベルであり、各スイッチング素子21〜26,41〜46をオフさせるためのゲート制御信号はLレベルである。
マイコン4(図1参照)は、リレー回路6がオンのときに、第1〜第6スイッチング素子21〜26を制御するためのPWM信号からなるゲート制御信号を生成して、対応する主ゲート駆動回路41A〜46Aの制御入力端子Qに与える。また、マイコン4は、リレー回路6がオンのときに、第1〜第6貫通電流防止用スイッチング素子51〜56を制御するためのゲート制御信号Sを生成して、対応するゲート駆動回路71〜76の制御入力端子Qに与える。リレー回路6がオンのときに、ゲート駆動回路71〜76に与えられるゲート制御信号Sは、それに対応する貫通電流防止用スイッチング素子51〜56をオフさせるための制御信号である。この実施形態では、各スイッチング素子21〜26,41〜46をオンさせるためのゲート制御信号はHレベルであり、各スイッチング素子21〜26,41〜46をオフさせるためのゲート制御信号はLレベルである。
図1および図3を参照して、リレー回路6およびリレー9がオンされた場合のモータ制御装置1の動作について説明する。
リレー回路6およびリレー9がオンされると、電圧レギュレータ10が作動状態(アクティブ状態)となる。これにより、各主ゲート駆動回路41A〜46A、各負電圧レギュレータ41B〜46Bおよび各ゲート駆動回路71〜76の電源入力端子Pに、電圧レギュレータ10から直流電圧Vcが供給されるので、これらの回路41A〜46A、41B〜46B,71〜76は作動状態(アクティブ状態)となる。貫通電流防止用スイッチング素子51〜56のゲート駆動回路71〜76の制御入力端子Qには、マイコン4からLレベルの制御信号が与えられる。これにより、貫通電流防止用スイッチング素子51〜56のゲートに負の制御電圧V2が印可されるので、これらの貫通電流防止用スイッチング素子51〜56はオフ状態となる。
リレー回路6およびリレー9がオンされると、電圧レギュレータ10が作動状態(アクティブ状態)となる。これにより、各主ゲート駆動回路41A〜46A、各負電圧レギュレータ41B〜46Bおよび各ゲート駆動回路71〜76の電源入力端子Pに、電圧レギュレータ10から直流電圧Vcが供給されるので、これらの回路41A〜46A、41B〜46B,71〜76は作動状態(アクティブ状態)となる。貫通電流防止用スイッチング素子51〜56のゲート駆動回路71〜76の制御入力端子Qには、マイコン4からLレベルの制御信号が与えられる。これにより、貫通電流防止用スイッチング素子51〜56のゲートに負の制御電圧V2が印可されるので、これらの貫通電流防止用スイッチング素子51〜56はオフ状態となる。
これにより、第1、第2および第3貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53を介して平滑コンデンサ7に接続されていた負電圧レギュレータ42B,44B,46Bの電源入力端子Pは、平滑コンデンサ7から切り離される。また、第4、第5および第6貫通電流防止用スイッチング素子54,55,56を介して負電圧レギュレータ42B,44B,46Bの負電源出力端子Tに接続されていた下アーム側のスイッチング素子22,24,26のゲートは、負電圧レギュレータ42B,44B,46Bから切り離される。
第1〜第6スイッチング素子21〜26の主ゲート駆動回路41A〜46Aの制御入力端子Qには、マイコン4からPWM信号が与えられる。主ゲート駆動回路41A〜46Aは、マイコン4から与えられるPWM信号に基づいて、第1〜第6スイッチング素子21〜26を制御する。これにより、電動モータ2が駆動制御される。
リレー回路6およびリレー9がオフされたときのモータ制御装置1の動作について説明する。
リレー回路6およびリレー9がオフされたときのモータ制御装置1の動作について説明する。
リレー回路6およびリレー9がオフされると、電圧レギュレータ10が非作動状態(非アクティブ状態)となる。これにより、各主ゲート駆動回路41A〜46A、各負電圧レギュレータ41B〜46Bおよび各ゲート駆動回路71〜76の電源入力端子Pに、電圧レギュレータ10から直流電圧Vcが供給されなくなる。これにより、各主ゲート駆動回路41A〜46A、各負電圧レギュレータ41B〜46Bおよび各ゲート駆動回路71〜76のうち、第1、第2および第3貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53が接続されている負電圧レギュレータ42B,44B,46B以外の回路41A〜46A,41B,43B,45B,71〜76は、非作動状態(非アクティブ状態)となる。これにより、上アーム側の第1、第3および第5スイッチング素子21,23,25ならびに第1〜第6貫通電流防止用スイッチング素子51〜56は、オン状態となる。
第1、第2および第3貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53がオン状態になると、負電圧レギュレータ42B,44B,46Bの電源入力端子Pは、それぞれ貫通電流防止用スイッチング素子51,52,53を介して、平滑コンデンサ7の正極側端子に接続される。これにより、図3に破線の矢印で示すように、平滑コンデンサ7に蓄積されている残留電荷によって、平滑コンデンサ7から負電圧レギュレータ42B,44B,46Bの電源入力端子Pに電流が流れる。これにより、負電圧レギュレータ42B,44B,46Bの電源入力端子Pに直流電圧(キャパシタ電圧)が印可されるので、負電圧レギュレータ42B,44B,46Bは作動状態(アクティブ状態)を維持する。
また、下アーム側の第2、第4および第6スイッチング素子22,24,26のゲートは、それぞれ、第4、第5および第6貫通電流防止用スイッチング素子54,55,56を介して、負電圧レギュレータ42B,44B,46Bの負電源出力端子Tに接続される。これにより、負電圧レギュレータ42B,44B,46Bから、それぞれ、下アーム側のスイッチング素子22,24,26のゲートに負の制御電圧V2が印可されるから、下アーム側のスイッチング素子22,24,26がオフとなる。これにより、リレー回路6およびリレー9がオフされたときに、平滑コンデンサ7に蓄積されている残留電荷によって、スイッチ回路8U,8V,8Wに貫通電流が流れるのを防止することができる。
この後、平滑コンデンサ7に蓄積されている残留電荷が減少し、負電圧レギュレータ42B,44B,46Bの電源入力端子Pに印可される直流電圧(キャパシタ電圧)が所定値未満になると、負電圧レギュレータ42B,44B,46Bは非作動状態(非アクティブ状態)となる。これにより、下アーム側のスイッチング素子22,24,26は、オン状態となる。このとき、各上下アームのスイッチング素子がオン状態になるので、スイッチ回路8U,8V,8Wに貫通電流が流れるが、残留電荷が減少しているので大きな電流は流れず、スイッチング素子が故障することはない。
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、前述のインバータ部8の変形例において、第1〜第6貫通電流防止用スイッチング素子51〜56のゲート駆動回路71〜76は、スイッチング素子21〜26のゲート駆動回路41〜46と同様に、主ゲート駆動回路および負電圧レギュレータから構成されていてもよい。
また、前述の実施形態およびインバータ部8の変形例では、リレー回路6およびリレー9がオフとなったときに、下アーム側のスイッチング素子22,24,26を、平滑コンデンサ7の残留電荷によってオフとするような構成となっている。しかし、これに代えてまたはこれに加えて、リレー回路6およびリレー9がオフとなったときに、上アーム側のスイッチング素子21,23,25を、平滑コンデンサ7の残留電荷によってオフとするような構成を採用してもよい。リレー回路6のオフ時に上アーム側のスイッチング素子21,23,25を平滑コンデンサ7の残留電荷によってオフとするような構成としては、図2または図3に示された、下アーム側のスイッチング素子22,24,26を平滑コンデンサ7の残留電荷によってオフさせる構成と同様な構成を用いることができる。
また、前述の実施形態では、この発明を三相インバータ回路に適用した場合について説明したが、この発明は単相インバータ回路にも適用できる。また、この発明は、電源に直列接続された平滑コンデンサと、平滑コンデンサに並列に接続され、ノーマリーオン型の上アーム側スイッチング素子とノーマリーオン型の下アーム側スイッチング素子との直列回路とを含む回路であれば、インバータ回路以外の電子回路にも適用できる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
3…モータ駆動回路、5…直流電源、8U,8V,8W…スイッチ回路(直列回路)、11,13…電源リレー、21〜26…スイッチング素子、41〜46…駆動回路、41A〜46A…主ゲート駆動回路、41B〜46B…負電圧レギュレータ、51〜56…貫通電流防止用イッチング素子
Claims (3)
- 電源に直列接続された平滑コンデンサと、
前記平滑コンデンサに並列に接続され、ノーマリーオン型の上アーム側スイッチング素子とノーマリーオン型の下アーム側スイッチング素子との直列回路と、
前記上アーム側スイッチング素子を駆動するための上アーム側ゲート駆動回路と、
前記下アーム側スイッチング素子を駆動するための下アーム側ゲート駆動回路と、
前記電源と前記平滑コンデンサとの間に接続された電源スイッチと、
前記電源スイッチがオフされたときに、前記平滑コンデンサの残留電荷を用いて、前記上アーム側スイッチング素子および前記下アーム側スイッチング素子のうちの少なくとも一方をオフにさせる貫通電流防止手段とを含む、電子回路。 - 前記各ゲート駆動回路は、オン指令が入力されているときには、対応する前記スイッチング素子のゲートに正の制御電圧を印可し、オフ指令が入力されているときには、対応する前記スイッチング素子のゲートに負の制御電圧を印可するように構成されており、
前記貫通電流防止手段は、前記上アーム側ゲート駆動回路および前記下アーム側ゲート駆動回路のうちの少なくとも一方の電源入力端子と前記平滑コンデンサの正極側端子との間に接続され、前記電源スイッチがオンのときにオフとされ、前記電源スイッチがオフのときにオンとなるノーマリーオン型の貫通電流防止用スイッチング素子を含む、請求項1に記載の電子回路。 - 前記各ゲート駆動回路は、正の制御電圧を生成する機能を有するが負の制御電圧を生成する機能を有しない主ゲート駆動回路と、前記主駆動回路に負の制御電圧を供給する負電圧レギュレータとから構成され、
前記主ゲート駆動回路は、オン指令が入力されているときには、対応する前記スイッチング素子のゲートに正の制御電圧を印可し、オフ指令が入力されているときには、対応する前記スイッチング素子のゲートに前記負電圧レギュレータから供給される負の制御電圧を印可するように構成されており、
前記貫通電流防止手段は、
前記上アーム側ゲート駆動回路の前記負電圧レギュレータおよび前記下アーム側ゲート駆動回路の前記負電圧レギュレータのうちの少なくとも一方の負電圧レギュレータの電源入力端子と前記平滑コンデンサの正極側端子との間に接続され、前記電源スイッチがオンのときにオフとされ、前記電源スイッチがオフのときにオンとなるノーマリーオン型の第1の貫通電流防止用スイッチング素子と、
前記第1の貫通電流防止用スイッチング素子が接続された前記負電圧レギュレータの負電圧出力端子と、それに対応する前記上アーム側スイッチング素子または下アーム側スイッチング素子のゲートとの間に接続され、前記電源スイッチがオンのときにオフとされ、前記電源スイッチがオフのときにオンとなるノーマリーオン型の第2の貫通電流防止用スイッチング素子とを含む、請求項1に記載の電子回路。
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JP2017008836A Pending JP2018117504A (ja) | 2017-01-20 | 2017-01-20 | 電子回路 |
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2017
- 2017-01-20 JP JP2017008836A patent/JP2018117504A/ja active Pending
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