JP2018115987A - シリコンと導電体との接合体およびこれを用いた圧力センサ - Google Patents

Abstract

【課題】シリコンと導電体とがＰｂＯを主材料とする接合材を介して接合された接合体において、接合材が薄肉化された構成としつつも、接合材におけるＰｂ析出が抑制された信頼性の高い接合体およびこれを用いた圧力センサを実現する。【解決手段】表面１ａを有し、金属によりなる導電体１とシリコンによりなるチップ３とが導電体上に配置され、ＰｂＯを主材料とする接合材２を介して接合され、該チップと該接合材とを隔てるように形成されたバリア層４とを備えた接合体とする。圧力センサにおいては、導電体１が金属ステム１０、チップ３がセンサチップ４０、接合材２が接合ガラス３０、バリア層４が拡散防止層４３である接合体を有する構成とする。これにより、チップ３から接合材２へのシリコンの拡散が抑制され、Ｐｂ析出を抑制された信頼性の高い接合体およびこれを用いた圧力センサとなる。【選択図】図２

Description

本発明は、シリコンと導電体とがＰｂＯを主材料とする接合材を介して接合された接合体およびこれを用いた圧力センサに関する。

従来より、シリコンによりなるシリコンチップと金属等によりなる導電体とがＰｂＯを主材料とする接合材を介して接合された接合体が知られている。このような接合体は、高圧を検出することができる圧力センサ等で見られ、例えば特許文献１に記載のものが挙げられる。

特許文献１に記載の圧力センサは、ダイヤフラムが形成された有底円筒状の金属ステムと、ダイヤフラムの歪検出を行う歪検出素子が形成されたセンサチップとを備え、接合ガラスを介してセンサチップがダイヤフラム上に接合されている。なお、特許文献１に記載の圧力センサでは、センサチップがシリコンチップに、金属ステムが導電体に、接合ガラスが鉛ガラスに相当し、センサチップが金属ステムに接合ガラスを介して接合されたものが上記の接合体に相当する。

このような構成において、接合ガラスは、センサチップから金属ステムに向かってその熱膨張係数が連続的に変化するように形成されている。具体的には、例えばシリコンによりなるセンサチップと金属によりなる金属ステムとでは、その熱膨張係数が異なる。そして、接合ガラスのうちセンサチップとの界面については、その熱膨張係数がセンサチップの熱膨張係数に近くされると共に、接合ガラスのうち金属ステムとの界面については、その熱膨張係数が金属ステムの熱膨張係数に近くされている。また、ＰｂＯを主材料とする接合ガラス（以下「鉛ガラス」という）は、流動性があり、金属ステムとセンサチップとの線膨張係数差に基づく熱膨張の制御を行うのに適していることから、接合材として用いると好適である。

上記の構成によれば、熱膨張係数が異なるセンサチップと金属ステムとが熱膨張係数が連続的に変化する接合ガラスで接合されることで、熱膨張係数差に起因するセンサチップの剥離や割れ等の少ない信頼性の高い圧力センサとなる。

特開２０１３−３６９３５号公報

ここで、近年、圧力センサでは、小型化、軽量化、高感度化が進み、接合ガラスの厚みを薄くすることが検討されている。本発明者らは、センサチップとしてシリコンチップを、接合ガラスとして鉛ガラスを用い、鉛ガラスの薄肉化について検討を行った。その結果、冷熱試験などの信頼性試験において当該鉛ガラス中での鉛の析出が生じ、特に鉛ガラスを薄肉化した圧力センサではその信頼性が低下することが判明した。特許文献１に記載の圧力センサでは、熱膨張係数が連続的に変化させた接合ガラスによりセンサチップと金属ステムとの接合の信頼性については高くできるものの、鉛ガラスを用いた場合における鉛の析出による信頼性低下を解決することが難しい。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、シリコンチップと導電体とを鉛ガラスを介して接合した接合体およびこれを用いた圧力センサにおいて、鉛ガラスを薄肉化しつつも、信頼性の高い接合体および圧力センサを提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の接合体は、表面（１ａ）を有し、金属によりなる導電体（１）と導電体上に配置され、ＰｂＯを主材料とする接合材（２）と、導電体上に接合材を介して接合され、シリコンによりなるチップ（３）と、チップと接合材とを隔てるように形成されたバリア層（４）とを備える。

これにより、ＰｂＯを主材料とし、薄肉化された接合材を介してシリコンによりなるチップと金属によりなる導電体とが接合された接合体において、チップにバリア層が形成されることにより、接合材におけるＰｂの析出を抑制でき、信頼性の高い接合体となる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。

第１実施形態の圧力センサを示す断面図である。 図１中の破線で囲む領域IIの部分拡大図である。 信頼性試験を行った際の従来の圧力センサおよび第１実施形態の圧力センサにおける鉛ガラスの変化について示した断面図である。 バリア層を備える導電体とシリコンによりなるチップとが接合材を介して接合された接合体を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
第１実施形態にかかる圧力センサについて説明する。なお、本実施形態の圧力センサは、例えば、自動車における燃料噴射用の燃料パイプの燃料圧やブレーキ液圧の検出用のように、高圧、例えば２００〜３００ＭＰａ程度の圧力検出を行う製品に適用されると好適である。

図１に示されるように、圧力センサは、金属ステム１０、ハウジング２０、接合ガラス３０、センサチップ４０、回路基板５０、リード６０、６１、コネクタ７０およびターミナル７１などによって構成されている。

金属ステム１０は、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ６３０、ＳＵＳ３０４のようなステンレス鋼等の金属によって構成され、有底筒状部材とされている。金属ステム１０の底面にて薄肉のダイヤフラム１１が構成されており、金属ステム１０のうちダイヤフラム１１と反対側の他端部が中空の開口部１２とされている。開口部１２から形成された中空の内部空間１３は円柱形状とされており、ダイヤフラム１１の上面形状が円形状となっている。

また、金属ステム１０は、ダイヤフラム１１側の方が開口部１２側に比べて外周径が大きくなるようにフランジ形状とされた底部１４が形成されている。この底部１４のうち開口部１２と反対側の面を一面１０ａとして、一面１０ａの上に、接合ガラス３０を介してセンサチップ４０が配置されると共に、接合ガラス３０およびセンサチップ４０の周囲に回路基板５０が配置されている。より詳しくは、底部１４のうちダイヤフラム１１と対応する位置に接合ガラス３０を介してセンサチップ４０が接合され、ダイヤフラム１１の周囲の部分に回路基板５０が固定されている。そして、開口部１２を通じて導入される圧力媒体の圧力がダイヤフラム１１における受圧面に印加され、その圧力に応じた歪みが接合ガラス３０を介してセンサチップ４０に伝えられるようになっている。

さらに、底部１４のうち回路基板５０と対応する位置には凹部１５が形成されており、当該凹部１５内に、回路基板５０を貫通するように設けられたリード６０の先端が入り込んでいる。この凹部１５内には図示しない接着剤等が充填されており、この接着剤を介して回路基板５０が底部１４に貼り付けられている。

ハウジング２０は、例えば図示しない燃料パイプなどの被取付対象に直接取り付けられるもので、外周面に取付用のネジ２１が形成されている。このネジ２１の部分を例えば燃料パイプに螺合することによって開口部１２が燃料パイプ内と連通して、金属ステム１０への圧力媒体の導入が可能となる。

ハウジング２０の内部には、金属ステム１０の一部が嵌め込まれる中空部２２と、センサチップ４０などが収容される収容空間２３とが形成されている。収容空間２３の径は、中空部２２の径よりも大きくされている。そして、上記した金属ステム１０は、底部１４よりも開口部１２側の部分が中空部２２に嵌め込まれることでハウジング２０に固定されている。収容空間２３には、底部１４に加えて、接合ガラス３０やセンサチップ４０および回路基板５０などが収容されている。

また、ハウジング２０のうちネジ２１と反対側には、ハウジング２０の内径が拡大されることで構成された第１段付部２４と、更にハウジング２０の内径が拡大されることで構成された第２段付部２５が形成されている。第１段付部２４に当接するようにシール部材２６が配置され、シール部材２６に当接するようにコネクタ７０が配置されている。シール部材２６は、ゴムで構成されたＯリング２６ａと樹脂もしくは金属で構成された環状部２６ｂとを有した構成とされている。そして、コネクタ７０がＯリング２６ａを押圧するようにしてハウジング２０に固定されることで、ハウジング２０とコネクタ７０との間のシール性が確保されている。

さらに、ハウジング２０のうちネジ２１の反対側の先端部２７が径方向内方にかしめられていることで、このかしめによってコネクタ７０が先端部２７に固定されている。

なお、本実施形態では、ハウジング２０を金属ステム１０と別体のもので構成した場合を示してあるが、金属ステム１０とハウジング２０とを１部材で構成することもできる。例えば、１本の金属材料を用意し、切削加工を行うことによって、金属ステム１０とハウジング２０とを一体構造としたものを作製することも可能である。

接合ガラス３０は、センサチップ４０を金属ステム１０に対して接合するための接合材に相当し、酸化鉛（ＰｂＯ）を主材料とする酸化物からなるガラス質により構成されている。酸化物の中でも、鉛を含むガラス質である酸化鉛については、流動性があり、金属ステム１０とセンサチップ４０との線膨張係数差に基づく熱膨張の制御を行うのに適していることから、接合ガラス３０における主材料として用いられる。他にも酸化物としては、酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、シリカ（ＳｉＯ_２）などが挙げられ、酸化物として上記の主材料以外にこのような材料を含んでいてもよい。

なお、ここでいう「主材料」とは、接合ガラス３０を構成する材料のうち５０ｗｔ％以上を占める材料であることを意味する。

接合ガラス３０は、圧力センサの小型化等の観点から金属ステム１０の一面１０ａに対する法線方向（以下「一面法線方向」という）における厚みが薄いことが好ましい。具体的には、接合ガラス３０の一面法線方向における厚みについては、１０μｍ以上であって、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下とされる。

また、接合ガラス３０は、フィラーを含有していても良い。フィラーとしては、ガラス質のガラス転移温度でも形状変化が無い材料で構成され、例えば鉛、チタン、カルシウム、ジルコニウムおよびシリコンのうちの１種もしくは複数種の元素を含む金属酸化物を粒子状としたものを用いることができる。フィラーの粒径については任意であるが、接合ガラス３０の薄肉化の観点から、１０μｍ以下のものであると好ましい。なお、上記のようなフィラーを無機ガラスに含有させることにより、接合ガラス３０の熱膨張係数を任意の値に調整することもできる。

接合ガラス３０は、例えば上記のようなガラス質に溶媒を加えてなるペースト状ガラスを素材とし、このペーストを固化させてなる。例えば、ダイヤフラム１１が形成された金属ステム１０の一面１０ａ上に接合ガラス３０の材料に溶媒を加えてペースト状にしたペースト状ガラスをディスペンサーで略円形状となるように塗布する。そして、例えば四角形状とされ、後述する拡散防止層４３が形成されたセンサチップ４０を、センサチップ４０のうち拡散防止層４３がペースト状ガラスと接するように配置する。その後、例えば、加熱炉にて４４０℃で１０分間の加熱を行い、接合ガラス３０の材料を加熱溶融し、その後自然冷却して固化する。このようにして、図２に示すように、拡散防止層４３を介してセンサチップ４０を接合ガラス３０に接合することができる。

なお、上記ではハウジング２０に固定される前の金属ステム１０に接合ガラス３０の材料を塗布する例を説明したが、ハウジング２０に固定された後の金属ステム１０やハウジング２０と一体化された金属ステム１０に接合ガラス３０の材料を塗布してもよい。

センサチップ４０は、開口部１２から金属ステム１０の内部に導入された圧力媒体の圧力によってダイヤフラム１１が変形したときに発生する歪みを検出するものである。具体的には、センサチップ４０には、図２に示すように、ダイヤフラム１１の歪みに応じた電気出力をセンサ信号として出力する歪検出素子としての歪検出部４１が形成されている。例えば、センサチップ４０は、本実施形態では、四角形状とされたシリコン基板によって構成されている。歪検出部４１は、例えばセンサチップ４０に形成された拡散抵抗によって構成され、４つのゲージ抵抗でホイートストンブリッジ回路が形成されたものとされている。

このような構成とされたセンサチップ４０において、圧力印加に伴ってダイヤフラム１１が変形すると、それに基づく歪みにより、ホイートストンブリッジ回路を構成する４つのゲージ抵抗のうち一方の対向する１組については圧縮応力が加わる。そして、残る他方の対向する１組については引張応力が加わる。これにより、ゲージ抵抗が構成するホイートストンブリッジ回路の中点電圧が変化するため、歪検出部４１では、印加された圧力を電気信号に変換した電気出力をすることが可能となっている。

なお、センサチップ４０の所望箇所と回路基板５０の所望箇所とがボンディングワイヤ４２を介して電気的に接続されており、例えば歪検出部４１の電気出力が回路基板５０に伝えられる。また、センサチップ４０に、歪検出部４１の電気出力を信号処理する信号処理回路を備えることもできる。その場合、回路基板５０には、歪検出部４１の電気出力が信号処理回路で処理されてから回路基板５０に対して出力される。

センサチップ４０は、図２に示すように、接合ガラス３０との接合界面に形成された拡散防止層４３を備える。

拡散防止層４３は、シリコンにより構成されたセンサチップ４０から鉛ガラスを主材料とする接合ガラス３０へとシリコンが拡散することを抑制するために設けられる。拡散防止層４３は、接合ガラス３０およびセンサチップ４０の両方と密着性が高く、かつ、シリコンの拡散を抑制できる金属材料もしくは酸化物により構成される。具体的には、拡散防止層４３として用いることができる金属材料としては、例えばＮｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＴｉＮ、ＴｉＷなどが挙げられる。拡散防止層４３として用いることができる酸化物としては、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮなどが挙げられる。拡散防止層４３は、製造コストの低減や製造工程におけるセンサチップ４０への熱履歴による信頼性低下の抑制の観点から金属材料を用いることが好ましい。

拡散防止層４３の厚みは、シリコンの接合ガラス３０への拡散防止の観点から、金属材料、酸化物のいずれを用いる場合であっても、１０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上とされる。拡散防止層４３の厚みを１００ｎｍ以上とする際における上限値は特にないが、１μｍ以下とされることが好ましい。拡散防止層４３を１０ｎｍ以上の厚みとすることにより接合ガラス３０へのシリコンの拡散を抑制する効果が期待できる一方で、製造コストの観点から拡散防止層４３を必要以上に厚くする意義が薄いためである。

なお、拡散防止層４３は、シリコンがセンサチップ４０から接合ガラス３０へ拡散することを抑制できればよく、金属材料もしくは酸化物によりなる単層膜とされてもよいし、例えばＴｉ／ＴｉＮ／Ｔｉなどのように複数の層が積層された多層膜とされてもよい。拡散防止層４３は、単層膜であって、金属材料と酸化物とを有する複合膜とされてもよい。

拡散防止層４３は、例えば、金属材料により構成する場合にはスパッタリングなどにより、酸化物により構成する場合には化学気相成長法（ＣＶＤ）や熱酸化などにより形成される。

回路基板５０は、接着剤などを介して金属ステム１０の底部１４に固定されている。例えば、回路基板５０は、ダイヤフラム１１と対応する部分が開口させられた円環板状もしくはＣ字形板状などによって構成されている。そして、回路基板５０には、ボンディングワイヤ４２と電気的に接続される図示しない複数のパッドが形成されている。また、回路基板５０には複数本のリード６０が実装されており、複数のパッドのそれぞれに各リード６０が電気的に接続されている。

なお、この回路基板５０に対して、歪検出部４１の電気出力を信号処理する信号処理回路等が形成されたＩＣチップ等を配置することもできる。この場合、歪検出部４１の電気出力がＩＣチップ内の信号処理回路で信号処理されたのち、リード６０などを通じて外部に出力されることになる。

リード６０は、回路基板５０を通じてセンサチップ４０との電気的接続を行うための導体部材であり、例えば銅などの金属によって構成されている。リード６０は、複数本備えられ、それぞれ回路基板５０に対して立設されており、その一端が回路基板５０の各パッドに対して電気的に接続され、他端がリード６１に電気的に接続されている。

リード６１は、リード６０とターミナル７１とを物理的および電気的に接続する導体部材であり、例えば銅などの金属によって構成されている。リード６１は、リード６０と対応して複数本備えられており、それぞれが各リード６０に対して例えば溶接などによって接続されている。

コネクタ７０は、ターミナル７１がコネクタケース７２にインサート成形された部材である。ターミナル７１は、リード６０、６１を介して回路基板５０やセンサチップ４０に電気的に接続されている。これにより、センサチップ４０からの電気出力は、必要に応じて信号処理回路で信号処理されたのち、ボンディングワイヤ４２から回路基板５０に伝えられ、リード６０、６１およびターミナル７１に伝えられるようになっている。

また、コネクタ７０は、コネクタケース７２のうちターミナル７１の他端が突き出した側の面を下面として、当該下面をシール部材２６側に押圧した状態でハウジング２０の先端部２７がかしめられることで、ハウジング２０に固定保持されている。なお、ターミナル７１は、図１では２本示されているが、実際には、電源印加用、ＧＮＤ接続用、出力用、検査用等のために必要な本数が備えられている。そして、コネクタ７０に対して、自動車のＥＣＵなどに繋がる配線に接続された図示しない外部コネクタを接続することで、圧力センサの検出信号がＥＣＵなどに伝達されるようになっている。

コネクタケース７２は、コネクタ７０の外形を成すものであり、例えばＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート樹脂の略）等によって構成されている。コネクタケース７２は、下面がフランジ形状を成しており、このフランジ形状とされた部分がシール部材２６と当接するようにしてハウジング２０の先端部２７の内側に挿入され、かしめられた先端部２７によってハウジング２０に固定保持される。つまり、コネクタケース７２は、ハウジング２０に組み付けられるパッケージを構成するものであり、ハウジング２０に収容されたセンサチップ４０や電気的接続箇所等を湿気や機械的外力より保護する機能を果たす。

以上が本実施形態における圧力センサの基本的な構成である。次に、拡散防止層４３を設けることによる効果について、図３を参照して具体的に述べる。

図３（ａ）では、拡散防止層４３を備えていない従来の圧力センサ（以下、単に「従来の圧力センサ」という）であって、接合ガラス３０の厚みを薄く、例えば５０μｍ程度とされたものの信頼性試験前における状態を示している。本発明者らが、このような従来の圧力センサにて信頼性試験、例えば冷熱サイクル試験を行ったところ、図３（ｂ）に示すように、接合ガラス３０内において析出物４４が生じることが判明した。具体的には、信頼性試験後の従来の圧力センサにおける接合ガラス３０の断面について、ＥＤＸ（Energy dispersive X-ray spectrometryの略）分析を行ったところ、析出物４４は、Ｐｂであった。接合ガラス３０中にＰｂが析出すると、図３（ｂ）に示すように、センサチップ４０と金属ステム１０とがＰｂを介して電気的に接続されるか若しくはこれらが電気的に接続されずともＰｂの析出により接合ガラス３０の耐電圧が低下する等の絶縁不良が生じ得る。また、Ｐｂが析出した場所において応力変化が生じることで、接合ガラス３０全体としての応力変化が生じてしまい、センサチップ４０の剥離や割れ等による不具合が懸念される。

本発明者らは、図３（ｂ）に示す矢印の向き、すなわちセンサチップ４０から接合ガラス３０に向かう方向に沿って、シリコンが接合ガラス３０内に拡散し、この拡散したシリコンが酸化鉛から酸素原子を奪うことでＰｂからなる析出物４４が生じたと推測した。そこで、図３（ｃ）に示すように、センサチップ４０から接合ガラス３０へシリコンが拡散することを抑制する拡散防止層４３を備えた圧力センサとすることで、析出物４４が生じることを抑制し、信頼性の高い圧力センサとなることを見出した。

なお、上記にいう「冷熱サイクル試験」とは、例えば、１６０℃に加熱して５分間保持した後、−４０℃に冷却して５分間保持する冷熱工程を２００サイクル繰り返すものをいう。

本実施形態によれば、接合ガラス３０とセンサチップ４０との間に拡散防止層４３を設けることにより、接合ガラス３０が従来の圧力センサに比べて薄肉化された構成としつつも、接合ガラスにおける析出物４４の発生を抑制でき、信頼性の高い圧力センサとなる。また、接合ガラス３０が薄肉化されることにより、金属ステム１０に形成されたダイヤフラム１１の歪みを精度良く検出ことが可能となるため、高感度の圧力センサとなる。加えて、接合ガラス３０およびセンサチップ４０の薄肉化により、高感度の圧力センサとなることで、センサチップ４０の必要なサイズおよびこれに付随する接合ガラス３０のサイズをさらに小さくでき、小型化、軽量化された圧力センサとなる。そして、高感度化、小型化、軽量化されることで製造コストの少ない圧力センサとなる。

（他の実施形態）
なお、上記した第１実施形態に示した圧力センサは、本発明の接合体の一例を示したものであり、上記の第１実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。

例えば、上記第１実施形態では、拡散防止層４３を多層膜とする場合についてＴｉ／ＴｉＮ／Ｔｉを例として挙げたが、これに限らず、ＴｉＮ／Ｔｉ／ＴｉＷなどの上記の金属材料の他の様々な組み合わせとされていてもよい。また、拡散防止層４３は、金属材料と酸化物とを適宜組み合わせた多層膜とされていてもよい。

上記第１実施形態では、センサチップ４０のうち接合ガラス３０の反対側の面を表面、接合ガラス３０と向き合う面を裏面とし、表面と裏面との間における端面を側面として、図２に示すように、拡散防止層４３を裏面にのみ形成した例について述べた。しかし、拡散防止層４３は、接合ガラス３０とセンサチップ４０とを隔てるように形成されればよく、裏面のみに限らず、側面の一部もしくは全部に形成されてもよい。

上記第１実施形態では、センサチップ４０を四角形状とした例について述べたが、センサチップ４０は、四角形状に限らず、多角形状や円形状、楕円形状にされていてもよく、他の形状とされていてもよい。

なお、上記第１実施形態の圧力センサは、図４に示す接合体の具体的な一例として示したものである。すなわち、上記第１実施形態の圧力センサでは、金属ステム１０が表面１ａを有し、金属によりなる導電体１に、接合ガラス３０がＰｂＯを主材料とする接合材２に、センサチップ４０がシリコンによりなるチップ３に、拡散防止層４３がバリア層４に相当する。また、上記第１実施形態の圧力センサは、図４に示す金属ステム１０とセンサチップ４０とが接合ガラス３０を介して接合された接合体を用いたものに相当する。金属によりなる導電体１とシリコンによりなるチップ３とが薄肉化された接合材２を介して接合された接合体であれば、圧力センサに限らず、他の用途にも用いることができる。

１０ 金属ステム
１１ ダイヤフラム
２０ ハウジング
３０ 接合ガラス
４０ センサチップ
４１ 歪検出部
４３ 拡散防止層
４４ 析出物

Claims (4)

1. 表面（１ａ）を有し、金属によりなる導電体（１）と
   前記導電体上に配置され、ＰｂＯを主材料とする接合材（２）と、
   前記導電体上に前記接合材を介して接合され、シリコンによりなるチップ（３）と、
   前記チップと前記接合材とを隔てるように形成されたバリア層（４）とを備える接合体。
2. 前記表面に対する法線方向における前記接合材の厚みは、５０μｍ以下である請求項１に記載の接合体。
3. 印加される圧力に応じて電気出力を発生させる圧力センサを有し、
   圧力検出用のダイヤフラム（１１）が形成された一面（１０ａ）を有する金属ステム（１０）と、
   前記一面のうち前記ダイヤフラム上に配置され、ＰｂＯを主材料とする接合ガラス（３０）と、
   前記ダイヤフラム上に前記接合ガラスを介して接合され、前記ダイヤフラムの歪みに応じた電気出力を発生する歪検出部（４１）を備えるセンサチップ（４０）と、
   前記センサチップと前記接合ガラスとを隔てるように形成された拡散防止層（４３）と、を備え、
   前記金属ステムが前記導電体であり、
   前記接合ガラスが前記接合材であり、
   前記センサチップが前記チップであり、
   前記拡散防止層が前記バリア層である請求項１または２に記載の接合体。
4. 前記センサチップのうち前記拡散防止層が形成された面に対する法線方向における前記拡散防止層の厚みは、１０ｎｍ以上である請求項３に記載の接合体。

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