JP2018108643A - Film laminate, production method of the same, and film deposition apparatus - Google Patents

Film laminate, production method of the same, and film deposition apparatus Download PDF

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朋紀 河村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film laminate including an inorganic layer and an organic layer with high adhesion, a production method of the same, and a film deposition apparatus.SOLUTION: A film laminate F includes a metal compound-containing inorganic layer 2 and an organic layer 3 adjacent to the inorganic layer 2 on a base film 1, in which the organic layer 3 contains a metal identical to the metal in the metal compound, and an average content of the metal in the thickness direction of the organic layer 3 is in a range of 0.1-1,000 mass ppm.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、フィルム積層体、その製造方法及び成膜装置に関する。 The present invention is a film laminate, a manufacturing method thereof and a film forming apparatus. 詳細には、密着性が高い無機層と有機層を備えるフィルム積層体、その製造方法及び密着性が高い無機層と有機層を形成できる成膜装置に関する。 In particular, the film laminate adhesion with high inorganic layer and an organic layer, to a film forming apparatus manufacturing method and adhesion thereof can be formed with high inorganic layer and an organic layer.

従来、ベースフィルム上に機能性層が形成された機能性フィルムが広く利用されている。 Conventionally, the base film functional layer functions are forming on the film has been widely used.
食品、医薬品、電子デバイス等の包装材として用いられているガスバリアー性フィルムも、機能性フィルムの1つである。 Food, pharmaceutical, gas barrier films are used as packaging material such as an electronic device is also one of the functional film. ガスバリアー性フィルムは、ベースフィルム上に形成された無機層が、大気中の水、酸素等のガスを遮蔽して内容物の劣化を防ぐ。 Gas barrier film, an inorganic layer formed on the base film, prevent the deterioration of the contents and shield the water in the atmosphere, the gas such as oxygen.

無機層と有機層の積層構造を有するガスバリアー層は、ガスバリアー性が高いことが知られている(例えば、特許文献1参照。)。 A gas barrier layer having a layered structure of the inorganic layer and the organic layer is known to be high gas barrier property (for example, see Patent Document 1.).
真空蒸着法により有機層と無機層を交互に積層する場合には、十分なガスバリアー性が得られないことがあるため、高真空圧下で無機層を形成し、それより低圧下で有機層を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。 When laminating the organic layer and the inorganic layer are alternately by a vacuum deposition method, since there is a sufficient gas barrier properties can not be obtained, to form an inorganic layer in a high vacuum pressure, it from the organic layer under a low pressure a method of forming has been proposed (e.g., see Patent Document 2.).
しかしながら、この無機層と有機層は同一真空槽内で形成することから、有機層に無機層の材料が不規則に混入して位置によって透明性が異なる、膜全体の透明性が低下する等、膜品質が低かった。 However, the inorganic layer and the organic layer from forming in the same vacuum chamber, the material of the inorganic layer in the organic layer is different transparency depending on the position irregularly mixed, etc. that transparency of the entire film is reduced, film quality was low.

有機層と無機層の材料の混入を防ぐため、有機層と無機層の成膜室を区切り、それぞれの成膜室に真空排気手段を設けることもできる(例えば、特許文献3参照。) To prevent contamination of the material of the organic layer and the inorganic layer, separate the film forming chamber of the organic layer and the inorganic layer may be provided a vacuum exhaust means in each of the deposition chamber (e.g., see Patent Document 3.)
しかしながら、無機層と有機層が隣接するフィルム積層体は、もともと無機層と有機層の密着性が低い。 However, film laminate inorganic and organic layers are adjacent, originally a low adhesion of the inorganic layer and an organic layer. 高温高湿下の環境下におかれると、密着性はより低下して無機層と有機層が剥がれやくなり、無機層や有機層による機能性が失われることが多かった。 When placed in an environment of high temperature and high humidity, adhesion reduced inorganic layer and the organic layer is Nari bake peel off more, have often functional with inorganic layer or an organic layer is lost.

特開2006−289627号公報 JP 2006-289627 JP 特開2007−230115号公報 JP 2007-230115 JP 特開2009−270145号公報 JP 2009-270145 JP

本発明は上記問題及び状況に鑑みてなされ、その解決課題は、密着性が高い無機層と有機層を備えるフィルム積層体、その製造方法及び成膜装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems and circumstances, the problem to be solved, the film laminate adhesion with high inorganic layer and an organic layer is to provide a manufacturing method and a film forming apparatus.

本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、有機層が無機層の材料である金属化合物と同じ金属を均等に含有することにより、無機層と有機層の密着性が向上することを見いだし、本発明に至った。 The present inventors, in order to solve the above problems, in the process to consider the cause etc. of the problems by the organic layer is uniformly containing the same metal as the metal compound is a material of the inorganic layer, an inorganic layer and an organic layer It found that the adhesion of the is improved, leading to the present invention.

すなわち、本発明に係る課題は、以下の手段によって解決される。 That is, object of the invention can be solved by the following means.
1. 1. ベースフィルム上に、金属化合物を含有する無機層と当該無機層と隣接する有機層とを備えるフィルム積層体であって、 On the base film, a film laminate comprising an organic layer adjacent to the inorganic layer and the said inorganic layer containing a metal compound,
前記有機層が、前記金属化合物中の金属と同じ金属を含有し、 The organic layer contains the same metal as the metal of the metal compound,
前記有機層の厚さ方向における前記金属の平均含有量が、0.1〜1000質量ppmの範囲内にあることを特徴とするフィルム積層体。 Film laminate average content of the metal in the thickness direction of the organic layer, characterized in that in the range of 0.1 to 1000 mass ppm.

2. 2. 前記無機層の厚さが、3〜30nmの範囲内にあり、 The thickness of the inorganic layer is in the range of 3 to 30 nm,
前記有機層の厚さが、500〜5000nmの範囲内にあることを特徴とする第1項に記載のフィルム積層体。 Film laminate according to paragraph 1 in which the thickness of the organic layer, characterized in that in the range of 500~5000Nm.

3. 3. 前記無機層の厚さに対する前記有機層の厚さの比の値が、50〜500の範囲内にあることを特徴とする第1項又は第2項に記載のフィルム積層体。 The value of the ratio of the thickness of the organic layer, the first term, characterized in that in the range of 50 to 500 or film laminate according to paragraph 2 to the thickness of the inorganic layer.

4. 4. 前記無機層が、原子層堆積法により形成されていることを特徴とする第1項から第3項までのいずれか一項に記載のフィルム積層体。 Wherein the inorganic layer is a film laminate according to any one of the first term which is characterized in that it is formed by atomic layer deposition until the third term.

5. 5. 前記有機層の厚さ方向における前記金属の平均含有量が、1.0〜500質量ppmの範囲内にあることを特徴とする第1項から第4項までのいずれか一項に記載のフィルム積層体。 The average content of the metal in the thickness direction of the organic layer, the film according to any one of the first term, characterized in that in the range of 1.0 to 500 ppm by mass to paragraph 4 laminate.

6. 6. 第1成膜室と第2成膜室とにベースフィルムを搬送して、当該ベースフィルム上に金属化合物を含有する無機層と当該無機層に隣接する有機層とを形成するフィルム積層体の製造方法であって、 It conveys the base film to the first film forming chamber and the second film formation chamber, the production of the film laminate to form an organic layer adjacent to the inorganic layer and the inorganic layer containing a metal compound on the base film there is provided a method,
前記第1成膜室において、前記金属化合物の原料ガスを供給して前記無機層を形成し、 In the first film forming chamber, by supplying the raw material gas of the metal compound to form the inorganic layer,
前記第2成膜室において、前記有機層の原料ガスを供給するとともに、前記金属化合物の原料ガスを供給して、前記金属化合物中の金属と同じ金属を含有する前記有機層を形成し、 In the second film forming chamber supplies the material gas of the organic layer, by supplying the raw material gas of the metal compound to form the organic layer containing the same metal as the metal of the metal compound,
前記有機層の厚さ方向における前記金属の平均含有量が、0.1〜1000質量ppmの範囲内にあるように、前記第2成膜室における前記金属化合物の原料ガスの供給量を制御することを特徴とするフィルム積層体の製造方法。 The average content of the metal in the thickness direction of the organic layer, to be within the scope of 0.1 to 1000 mass ppm, to control the supply amount of the raw material gas of the metal compound in the second film forming chamber method for manufacturing a film laminate, characterized in that.

7. 7. 前記第1成膜室において、厚さが3〜30nmの範囲内にある前記無機層を形成し、 In the first film forming chamber, thickness forming the inorganic layer is in the range of 3 to 30 nm,
前記第2成膜室において、厚さが500〜5000nmの範囲内にある前記有機層を形成することを特徴とする第6項に記載のフィルム積層体の製造方法。 In the second film forming chamber, the film production method of the laminated body according to paragraph 6, characterized in that to form the organic layer having a thickness in the range of 500~5000Nm.

8. 8. 第1成膜室と第2成膜室とにベースフィルムを搬送して、当該ベースフィルム上に金属化合物を含有する無機層と当該無機層と隣接する有機層とを形成する成膜装置であって、 It conveys the base film to the first film forming chamber and the second film forming chamber, a film formation apparatus for forming an organic layer adjacent to the inorganic layer and the said inorganic layer containing a metal compound on the base film Te,
前記第1成膜室において、前記金属化合物の原料ガスを供給して前記無機層を形成し、 In the first film forming chamber, by supplying the raw material gas of the metal compound to form the inorganic layer,
前記第2成膜室において、前記有機層の原料ガスを供給するとともに、前記金属化合物の原料ガスを供給して、前記金属化合物中の金属と同じ金属を含有する前記有機層を形成し、 In the second film forming chamber supplies the material gas of the organic layer, by supplying the raw material gas of the metal compound to form the organic layer containing the same metal as the metal of the metal compound,
前記有機層の厚さ方向における前記金属の平均含有量が、0.1〜1000質量ppmの範囲内にあるように、前記第2成膜室における前記金属化合物の原料ガスの供給量を制御することを特徴とする成膜装置。 The average content of the metal in the thickness direction of the organic layer, to be within the scope of 0.1 to 1000 mass ppm, to control the supply amount of the raw material gas of the metal compound in the second film forming chamber film forming apparatus characterized in that.

9. 9. 前記第1成膜室において、厚さが3〜30nmの範囲内にある前記無機層を形成し、 In the first film forming chamber, thickness forming the inorganic layer is in the range of 3 to 30 nm,
前記第2成膜室において、厚さが500〜5000nmの範囲内にある前記有機層を形成することを特徴とする第8項に記載の成膜装置。 In the second film forming chamber, the film forming apparatus according to paragraph 8, characterized in that to form the organic layer having a thickness in the range of 500~5000Nm.

本発明の上記手段により、密着性が高い無機層と有機層を備えるフィルム積層体、その製造方法及び成膜装置を提供できる。 By the means of the present invention, the film laminate adhesion with high inorganic layer and an organic layer, it is possible to provide a manufacturing method thereof and a film forming apparatus.

本発明の効果の発現機構又は作用機構は明確になっていないが、有機層中に無機層と同じ金属を、厚さ方向の平均含有量が0.1〜1000質量ppmの範囲内となるように、均一に含有させることにより、有機層中の金属と無機層中の金属の相互作用が高まり、有機層と無機層の密着性が向上すると推察される。 Expression mechanism or mechanism of action of the effects of the present invention is not clear, the same metal as the inorganic layer in the organic layer, so that the average content in the thickness direction is in the range of 0.1 to 1000 ppm by weight to, by uniformly contained, increased interaction of the metal of the metal and the inorganic layer of the organic layer, the adhesion of the organic layer and the inorganic layer are presumed to be improved.

本発明の実施の形態のフィルム積層体の構成を示す断面図 Sectional view showing the structure of an embodiment of the film laminate of the present invention 本発明の実施の形態の成膜装置の構成を示す正面図 Front view illustrating the configuration of a film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention 非接触型のローラーの構成例を示す斜視図 Perspective view showing a configuration example of a non-contact roller 無機層をプラズマCVD法により形成する第1成膜室の構成を示す正面図 Front view illustrating the configuration of a first film forming chamber for forming the inorganic layer by a plasma CVD method 第2成膜室に原料ガス供給部を備える場合の成膜装置の構成を示す正面図 Front view illustrating the configuration of a film deposition apparatus when provided with a source gas supply unit to the second film formation chamber

本発明のフィルム積層体は、ベースフィルム上に、金属化合物を含有する無機層と当該無機層と隣接する有機層とを備え、前記有機層が、前記金属化合物中の金属と同じ金属を含有し、前記有機層の厚さ方向における前記金属の平均含有量が、0.1〜1000質量ppmの範囲内にあることを特徴とする。 Film laminate of the present invention, on a base film, and an organic layer adjacent to the inorganic layer and the said inorganic layer containing a metal compound, wherein the organic layer contains the same metal as the metal of the metal compound , the average content of the metal in the thickness direction of the organic layer, characterized in that in the range of 0.1 to 1000 mass ppm. この特徴は請求項1から請求項9までの各請求項に係る発明に共通の技術的特徴である。 This feature is common technical features in the invention according to each claim of claims 1 to 9.

本発明の実施態様としては、無機層及び有機層の十分な機能性や耐久性を得る観点から、前記無機層の厚さが、3〜30nmの範囲内にあり、前記有機層の厚さが、500〜5000nmの範囲内にあることが好ましい。 The embodiments of the present invention, from the viewpoint of obtaining sufficient functionality and durability of the inorganic layer and organic layer, the thickness of the inorganic layer is in the range of 3 to 30 nm, the thickness of the organic layer , it is preferably in the range of 500~5000Nm.
同様の観点から、前記無機層の厚さに対する前記有機層の厚さの比の値が、50〜500の範囲内にあることが好ましい。 From the same viewpoint, the thickness value of the ratio of the organic layer to the thickness of the inorganic layer is preferably in the range of 50 to 500.

また、無機層と有機層の密着性をより高める観点から、前記有機層の厚さ方向における前記金属の平均含有量が、1.0〜500質量ppmの範囲内にあることが好ましい。 From the viewpoint of enhancing the adhesion between the inorganic layer and the organic layer, the average content of the metal in the thickness direction of the organic layer, it is preferably in the range of 1.0 to 500 mass ppm.

本発明のフィルム積層体は、第1成膜室と第2成膜室とにベースフィルムを搬送して、当該ベースフィルム上に金属化合物を含有する無機層と当該無機層に隣接する有機層とを形成するフィルム積層体の製造方法又は成膜装置であって、前記第1成膜室において、前記金属化合物の原料ガスを供給して前記無機層を形成し、前記第2成膜室において、前記有機層の原料ガスを供給するとともに、前記金属化合物の原料ガスを供給して、前記金属化合物中の金属と同じ金属を含有する前記有機層を形成し、前記有機層の厚さ方向における前記金属の平均含有量が、0.1〜1000質量ppmの範囲内にあるように、前記第2成膜室における前記金属化合物の原料ガスの供給量を制御するフィルム積層体の製造方法又は成膜装置により、得るこ Film laminate of the present invention is to transport the base film in the first film forming chamber and the second film formation chamber, and an organic layer adjacent to the inorganic layer and the inorganic layer containing a metal compound on the base film a manufacturing method or deposition apparatus of film laminate forming the, in the first film forming chamber, by supplying the raw material gas of the metal compound to form the inorganic layer in the second film forming chamber, supplies a raw material gas of the organic layer, by supplying the raw material gas of the metal compound, wherein forming the organic layer containing the same metal as the metal of the metal compound, wherein in the thickness direction of the organic layer the average content of the metal is to be within the scope of 0.1 to 1000 mass ppm, the production method or the deposition of the film laminate for controlling the supply amount of the raw material gas of the metal compound in the second film forming chamber by the device, get this ができる。 Can.

以下、本発明とその構成要素及び本発明を実施するための形態について詳細な説明をする。 Hereinafter, a detailed description about the embodiments of the present invention and its components and the present invention.
なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。 In the present application, "~" is used the numerical values ​​described before and after in the sense of including as a lower limit and an upper limit.

〔フィルム積層体〕 [Film laminate]
図1は、本発明の実施の形態であるフィルム積層体Fの構造例を示している。 Figure 1 shows an example of a structure of the form of embodiment which film laminate F of the present invention.
図1に示すように、フィルム積層体Fは、ベースフィルム1上に無機層2を備え、無機層2上に有機層3を備えている。 As shown in FIG. 1, the film laminate F is provided with an inorganic layer 2 on a base film 1, it includes an organic layer 3 on the inorganic layer 2.
無機層2と有機層3は隣接しているのであれば、その積層順は図1に示す積層順に限定されず、有機層3上に無機層2が積層されていてもよい。 If the inorganic layer 2 and the organic layer 3 is adjacent, the stacking order is not limited to the stacking order shown in FIG. 1, the inorganic layer 2 may be laminated on the organic layer 3.
また、図1は、それぞれ1層の無機層2と有機層3を備える例を示しているが、フィルム積層体Fは、交互に積層された複数の無機層2及び有機層3を備えていてもよい。 Further, FIG. 1 shows an example in which an inorganic layer 2 and the organic layer 3 of single layer, the film laminate F is provided with a plurality of inorganic layers 2 and the organic layer 3 laminated alternately it may be.

〔ベースフィルム〕 [Base film]
ベースフィルム1は、フィルム積層体Fの基材である。 The base film 1 is a base material of the film laminate F.
ベースフィルム1としては、可撓性を有するのであれば、フィルム状の樹脂、ガラス、金属等を用いることができる。 As the base film 1, if the flexible, can be used filmy resin, glass, metal or the like. なかでも、軽量であることから、樹脂が好ましく、透明性が高い樹脂が好ましい。 Among them, since it is light weight, are preferred resins, a resin that is high is preferably transparent. 樹脂の透明性が高く、ベースフィルム1の透明性が高いと、透明性が高いフィルム積層体Fを得ることができ、ガスバリアー性フィルム等の機能性フィルムとして、フィルム積層体Fを有機EL(Electro Luminescence)素子等の電子デバイスに好ましく用いることができる。 High transparency of the resin is, based the transparency of the film 1 is high, can be transparency obtain high film laminate F, a functional film of the gas barrier film or the like, the film laminate F organic EL ( Electro Luminescence) may be preferably used for electronic devices such as devices.

ベースフィルム1として用いることができる樹脂としては、例えばメタクリル酸エステル、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ポリアリレート、ポリスチレン(PS)、芳香族ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド(PI)、ポリエーテルイミド等が挙げられる。 The resin can be used as a base film 1, for example, methacrylic acid esters, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polyarylate, polystyrene (PS), aromatic polyamide, polyether ether ketone, polysulfone, polyether sulfone, polyimide (PI), polyether imide, and the like. なかでも、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)等が、コスト及び入手の容易性から好ましい。 Among them, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC) or the like are preferred from the ease of cost and availability.
ベースフィルム1は、上記樹脂が2以上積層された積層フィルムであってもよい。 The base film 1 may be a laminated film in which the resin is laminated two or more.

樹脂製のベースフィルム1は、従来公知の一般的な製造方法により製造することが可能である。 A base film 1 made of resin can be produced by a conventionally known general production method. 例えば、材料となる樹脂を押出機により溶融し、環状ダイ又はTダイにより押し出して急冷することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸の樹脂基材を製造することができる。 For example, a resin as a material melted by the extruder, by quenching extruded by a circular die or T-die, it is possible to produce a resin substrate substantially unstretched not oriented in amorphous. また、材料となる樹脂を溶剤に溶解し、無端の金属樹脂支持体上に流延(キャスト)して乾燥、剥離することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸フィルムを、ベースフィルム1として得ることができる。 Further, a resin as a material is dissolved in a solvent, dried a casting on a metal-resin support endless, by peeling, the undrawn film not oriented in substantially amorphous, base it can be obtained as the film 1.

上記未延伸フィルムを、フィルムの搬送方向(MD:Machine Direction)又は搬送方向と直交する幅方向(TD:Transverse Direction)に延伸し、得られた延伸フィルムをベースフィルム1とすることもできる。 The unstretched film, the conveying direction of the film (MD: Machine Direction) or the width direction orthogonal to the conveying direction (TD: Transverse Direction) in stretched, resulting stretched film may be a based film 1. 延伸方法としては、一軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸等の公知の方法が挙げられる。 As stretching method, uniaxial stretching, tenter successive biaxial stretching, tenter-type simultaneous biaxial stretching, a known method such as tubular-type simultaneous biaxial stretching and the like. 延伸倍率は、原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、搬送方向及び幅方向ともに、それぞれ2〜10倍の範囲内が好ましい。 Stretch ratio, can be appropriately selected in accordance with the resin as a raw material, in both the conveying direction and the width direction, each preferably in the range of 2 to 10 times.

ベースフィルム1は、上述した未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。 The base film 1 may be a non-stretched film described above, it may be oriented film. 強度向上及び熱膨張抑制の点からは延伸フィルムが好ましい。 Preferred stretched film in view of improving the strength and thermal expansion prevented. 延伸によってベースフィルム1の位相差等の光学的な機能を調整できるので、調整が必要な場合は延伸フィルムを用いることが好ましい。 It can be adjusted an optical function such as a phase difference of the base film 1 by stretching, if adjustment is required it is preferred to use a stretched film.

ベースフィルム1は、寸法安定性を高める観点から、弛緩処理、オフライン熱処理等が施されていてもよい。 The base film 1, from the viewpoint of enhancing the dimensional stability, relaxation treatment, offline heat treatment may be subjected.
弛緩処理は、延伸工程において熱固定した後、幅方向へ延伸するテンター内、又はテンターを出た後の巻き取りまでの工程で行われることが好ましい。 Relaxation treatment after thermal fixation in the stretching process, the tenter stretching in the width direction, or be performed in steps up to the winding after leaving the tenter is preferable. 弛緩処理は、処理温度が80〜200℃の範囲内で行われることが好ましく、100〜180℃の範囲内で行われることがより好ましい。 Relaxation treatment is preferably treatment temperature is carried out in the range of 80 to 200 ° C., it is more preferably carried out in the range of 100 to 180 ° C..

オフライン熱処理の方法としては、特に限定されないが、例えば複数のローラー群によるローラー搬送方法、空気をフィルムに吹き付けて浮揚させるエアー搬送方法(具体的には、複数のスリットから加熱空気をフィルム面の片面又は両面に吹き付ける方法)、赤外線ヒーター等による輻射熱を利用する方法、フィルムを自重で垂れ下がらせ、下方で巻き取る等の搬送方法等を挙げることができる。 As a method for off-line heat treatment is not particularly limited, for example, a roller transfer method using a plurality of rollers groups, an air carrying method (specifically levitate by blowing air into the film, one surface of the heated air from a plurality of slit film surface or a method of spraying on both sides), a method utilizing radiation heat with infrared heaters, etc., not hang the film under its own weight, it can be mentioned transfer method such as wound below. 熱処理時の搬送張力は、できるだけ低くして熱収縮を促進することで、良好な寸法安定性が得られる。 Conveying tension during heat treatment, to promote heat shrinkage as low as possible, good dimensional stability is obtained. 処理温度としては(Tg+50)〜(Tg+150)℃の温度範囲が好ましい。 The treatment temperature (Tg + 50) ~ (Tg + 150) Temperature range ℃ is preferred. ここでいうTgとは、ベースフィルム1のガラス転移温度をいう。 The Tg as used herein means the glass transition temperature of the base film 1.

ベースフィルム1の厚さは特に限定されず、薄いフィルム積層体Fを得る場合には200μm以下とすることができる。 The base film is not particularly limited thickness of 1, it can be set to 200μm or less in order to obtain a thin film laminate F. より薄いフィルム積層体Fを得る観点からは厚さが100μm以下であることが好ましく、20〜100μmの範囲内であることがより好ましい。 The thickness is preferably at 100μm or less from the viewpoint of obtaining a thinner film laminate F, and more preferably in the range of 20 to 100 [mu] m.

〔無機層〕 [Inorganic layer]
無機層2は、金属化合物を含有し、例えばガスバリアー層、絶縁層、電子デバイスの基板に対して屈折率差を有する屈折層等として形成することができる。 Inorganic layer 2 may contain a metal compound, such as a gas barrier layer, an insulating layer is formed as a refractive layer or the like having a refractive index difference with respect to the substrate of the electronic device. なかでも、ガスバリアー層として形成する無機層2は、有機層3との密着性が低く、剥がれが生じると、剥がれの部分を通して水、酸素等のガスが浸透し、ガスバリアー性能が著しく低下するため、有機層3との密着性が高い無機層2は、ガスバリアー層として有利である。 Among them, the inorganic layer 2 formed as the gas barrier layer has low adhesion to the organic layer 3, the peeling occurs, water through the portion of the peeling, gas such as oxygen permeates, gas barrier performance is remarkably lowered Therefore, the inorganic layer 2 is high adhesion between the organic layer 3 is advantageous as a gas barrier layer.

無機層2がガスバリアー層である場合、当該ガスバリアー層は、JIS−K−7129−1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度90±2%RH)が0.010(g/m ・24h)以下のガスバリアー性を示すことが好ましく、0.001(g/m ・24h)以下であることがより好ましい。 When the inorganic layer 2 is a gas barrier layer, the gas barrier layer, the measured water vapor permeability by the method based on JIS-K-7129-1992 (25 ± 0.5 ℃, relative humidity of 90 ± 2% RH ) is 0.010 (g / m 2 · 24h ) preferably having the following gas barrier properties, and more preferably 0.001 (g / m 2 · 24h ) or less. また、JIS−K−7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10 −3 (ml/m ・day・atm)以下であることが好ましい。 Further, it is preferable that the oxygen permeability was measured by the method based on JIS-K-7126-1987 is 1 × 10 -3 (ml / m 2 · day · atm) or less. なお、水蒸気透過度は、MOCON法、特開2005−283561号公報等に記載のカルシウム腐食法等によっても測定することができる。 Incidentally, the water vapor permeability can be measured by MOCON method, the calcium corrosion method described in JP 2005-283561 A Patent Publication.

無機層2の材料としては、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、金属酸炭化物、金属炭窒化物等の金属化合物を、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 As the material of the inorganic layer 2, a metal oxide, metal nitride, metal oxynitride, metal oxycarbide, metal compound of a metal carbon nitride, etc., may be used alone or in combination of two or more.
無機層2に使用できる金属化合物中の金属としては、例えばアルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ケイ素(Si)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、ランタン(La)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、ニッケル(Ni)、バナジウム(V)、銅(Cu)、コバルト(Co)、鉄(Fe)、イットリウム(Y)等が挙げられる。 The metal in the metal compound that can be used in the inorganic layer 2, for example, aluminum (Al), titanium (Ti), silicon (Si), zirconium (Zr), hafnium (Hf), lanthanum (La), niobium (Nb), tantalum (Ta), magnesium (Mg), zinc (Zn), nickel (Ni), vanadium (V), copper (Cu), cobalt (Co), iron (Fe), yttrium (Y), and the like.

無機層2の厚さは、3〜30nmの範囲内にあることが好ましい。 The thickness of the inorganic layer 2 is preferably in the range of 3 to 30 nm.
厚さが3nm以上であれば、無機層2の十分な機能性、例えばガスバリアー性等を得ることができる。 When the thickness is 3nm or more, it is possible to obtain sufficient functional inorganic layer 2, for example, the gas barrier properties and the like. また、厚さが30nm以下であれば、高温高湿下における耐久性も向上し、十分な機能性を長期にわたって維持することができる。 The thickness is equal to 30nm or less, it is possible to improve the durability under high temperature and high humidity, maintains over time the full functionality.

無機層2の形成方法としては、特に限定されず、蒸着法、スパッター法、プラズマCVD法、原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)法等を用いることができる。 The method for forming the inorganic layer 2 is not particularly limited, evaporation, sputtering, plasma CVD, atomic layer deposition (ALD: Atomic Layer Deposition) method or the like can be used. なかでも、緻密で機能性が高い無機層2が得られることから、無機層2は、ALD法により形成されていることが好ましい。 Among them, since the dense functionality higher inorganic layer 2 obtained inorganic layer 2 is preferably formed by an ALD method.

〔有機層〕 [Organic layer]
有機層3は、無機層2の損傷防止用の保護層として無機層2上に設けることができる。 Organic layer 3 may be provided on the inorganic layer 2 as a protective layer for preventing damage of the inorganic layer 2. また、有機層3を、ベースフィルム1と無機層2の密着性を高めるための下地層として、ベースフィルム1と無機層2の間に設けることもできる。 Further, the organic layer 3, as an underlying layer for improving the adhesion of the base film 1 and an inorganic layer 2, can be provided between the base film 1 and an inorganic layer 2.

有機層3は、無機層2が含有する金属化合物中の金属と同じ金属を含有し、有機層3の厚さ方向における当該金属の平均含有量が、0.1〜1000質量ppmの範囲内にある。 The organic layer 3 contains the same metal as the metal in the metal compound to the inorganic layer 2 contains the average amount of the metal in the thickness direction of the organic layer 3, in the range of 0.1 to 1000 ppm by weight is there.
金属の平均含有量が0.1質量ppm以上であれば、有機層3中の金属と無機層2中の金属の相互作用が高まり、有機層3と無機層2の高い密着性が得られる。 When the average content of the metal is 0.1 mass ppm or more, the interaction of the metal in the metal and the inorganic layer 2 in the organic layer 3 is increased, a high adhesiveness organic layer 3 and the inorganic layer 2 is obtained. また、1000質量ppm以下であれば、高温高湿下における有機層3の耐久性を向上させることができる。 Further, if the 1000 mass ppm or less, it is possible to improve the durability of the organic layer 3 under conditions of high temperature and high humidity.
より密着性を向上させる観点からは、有機層3の厚さ方向における金属の平均含有量が、1.0〜500質量ppmの範囲内にあることが好ましい。 From the viewpoint of further improving the adhesion, the average content of the metal in the thickness direction of the organic layer 3 is preferably in the range of 1.0 to 500 mass ppm.

有機層3の厚さ方向における金属の平均含有量の測定方法としては、二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Mass Spectrometry)、飛行時間型(TOF:Time-of-Flight)SIMS、オージェ電子分光法(AES:Auger Electron Spectroscopy)、X線光電子分光法(XPS:X-ray Photoelectron Spectroscopy)、ラザフォード後方散乱分析(RBS:Rutherford Backscattering Spectrometry)、グロー放電質量分析(GDMS:Glow Discharge Mass Spectrometry)等を用いることができる。 The measurement method of the average content of metals in the thickness direction of the organic layer 3, secondary ion mass spectrometry (SIMS: Secondary Mass Spectrometry), time-of-flight (TOF: Time-of-Flight) SIMS, Auger electron spectroscopy Law (AES: Auger electron spectroscopy), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS: X-ray photoelectron spectroscopy), Rutherford backscattering spectrometry (RBS: Rutherford backscattering spectrometry), glow discharge mass spectrometry: the (GDMS glow discharge mass spectrometry) or the like it can be used.

なかでも、XPSにアルゴン等の希ガスイオンスパッタを併用することにより、試料内部を露出させつつ順次表面組成分析を行う、いわゆるXPSデプスプロファイル測定が好ましい。 Of these, the combined use of rare gas ions sputter such as argon XPS, performs sequential surface composition analysis while exposing the internal samples, so-called XPS depth profile measurement are preferred.
XPSデプスプロファイル測定では、希ガスイオンスパッタにより、有機層3の厚さ方向に有機層3の表面から無機層2との界面まで一定間隔でエッチングし、エッチングするごとにXPSにより表面組成分析を行って、金属の分布曲線を得ることができる。 The XPS depth profile measurement, by noble gas ions sputter, etched at regular intervals from the surface of the organic layer 3 in the thickness direction of the organic layer 3 to the interface between the inorganic layer 2, subjected to surface composition analysis by XPS each etching Te, it is possible to obtain a metal distribution curve. 分布曲線の縦軸は金属の原子比率(at%)であり、横軸はエッチング時間(スパッタ時間)である。 The vertical axis of the distribution curve is a metal of atomic ratio (at%), the horizontal axis is the etching time (sputtering time). この金属の分布曲線において、エッチング時間を、エッチング速度により、有機層3の厚さ方向における有機層3の表面からの厚さ距離Lに換算し、金属の原子比率(at%)を含有量(質量)に換算して、各厚さ距離Lにおける金属の含有量を得る。 In the distribution curve of the metal, the etching time, the etching rate, in terms of the thickness of the distance L from the surface of the organic layer 3 in the thickness direction of the organic layer 3, the amount of contained metal atomic ratio (at%) ( in terms of mass) to obtain a content of metal in the thickness range L. 有機層3の表面から無機層2との界面までの間の各厚さ距離Lにおける金属の含有量を積算して、得られた積算値の平均値を有機層3の厚さ方向における金属の平均含有量(質量ppm)として求めることができる。 By integrating the content of the metal in the thickness distance L until the interface from the surface of the organic layer 3 and the inorganic layer 2, the average value of the integrated values ​​obtained for metal in the thickness direction of the organic layer 3 it can be determined as the average content (mass ppm).

XPSデプスプロファイル測定の具体的な測定条件としては、下記測定条件を挙げることができる。 Specific measurement conditions of the XPS depth profile measurement, mention may be made of the following measurement conditions.
(測定条件) (Measurement condition)
エッチングイオン種:アルゴン(Ar Etching ion species: Argon (Ar +)
エッチング速度(SiO 熱酸化膜換算値):0.05nm/sec Etching rate (SiO 2 thermal oxide film conversion value): 0.05 nm / sec
エッチング間隔(SiO 換算値):10nm Etching Interval (SiO 2 conversion value): 10 nm
X線光電子分光装置:Thermo Fisher Scientific社製、機種名“VG Theta Probe” X-ray photoelectron spectrometer: Thermo Fisher Scientific Co., Ltd., model name "VG Theta Probe"
照射X線:単結晶分光AlKα X-ray: the single-crystal monochromator AlKα
X線のスポット及びそのサイズ:800×400μmの楕円形。 X-ray spot and its size: 800 × 400 [mu] m oval.

有機層3の厚さは、500〜5000nmの範囲内にあることが好ましい。 The thickness of the organic layer 3 is preferably in the range of 500~5000Nm.
厚さが500nm以上であれば、有機層3の十分な機能性が得られる。 When the thickness is 500nm or more, sufficient functionality of the organic layer 3 is obtained. 例えば、無機層2の保護層として有機層3を形成する場合は無機層2を十分に保護することができ、高温高湿下における無機層2の耐久性を向上させることができる。 For example, in the case of forming the organic layer 3 as a protective layer of an inorganic layer 2 can be sufficiently protect the inorganic layer 2, it is possible to improve the durability of the inorganic layer 2 in the high temperature and high humidity. また、厚さが5000nm以下であれば、無機層2の機能性を十分に発揮させることができ、透明性の高い有機層3を得ることができる。 The thickness is equal to or less than 5000 nm, the functionality of the inorganic layer 2 can be sufficiently exhibited, it is possible to obtain high organic layer 3 transparent.

無機層2の厚さをd1(nm)、有機層の厚さをd2(nm)と表すとき、無機層2の厚さd1に対する有機層3の厚さd2の比の値(d2/d1)は、50〜500の範囲内にあることが好ましい。 The thickness of the inorganic layer 2 d1 (nm), the thickness of the organic layer d2 when expressed as (nm), ratio of the values ​​of the thickness d2 of the organic layer 3 to the thickness d1 of the inorganic layer 2 (d2 / d1) is preferably in the range of 50 to 500.
厚さの比の値がこの範囲内にあれば、フィルム積層体Fの透明性を高めることができる。 If the value of the ratio of thickness within this range, it is possible to improve the transparency of the film laminate F. また、無機層2中の金属と有機層3中の金属の十分な相互作用が得られ、無機層2と有機層3の十分な密着性を得ることができる。 Further, sufficient interaction of the metal of the inorganic layer metal and the organic layer 3 of 2 is obtained, it is possible to obtain a sufficient adhesion of the inorganic layer 2 and the organic layer 3.

有機層3の材料としては特に限定されないが、好ましくは真空圧下での成膜に使用できる材料が好ましい。 No particular limitation is imposed on the material of the organic layer 3, preferably a material that can be used for film formation in vacuum pressure are preferred. 真空圧下で成膜することにより、無機層2と有機層3の間又は有機層3中への大気中の塵、埃等の異物の混入を防ぐことができ、異物による膜欠陥を減らすことができる。 By deposited at a vacuum pressure, dust in the atmosphere to the inorganic layer 2 and the organic layer 3 or between the organic layer 3 in, it is possible to prevent contamination of foreign matter such as dust, reduce the film defects due to foreign matter it can. 成膜直後の清浄で表面活性の高い無機層2上に有機層3を積層できるため、無機層2と有機層3間の密着性の向上にも有利である。 Since it stacked organic layers 3 on the high inorganic layer 2 of the surface activity in forming the after cleaning, which is advantageous in improving the adhesion between the inorganic layer 2 and the organic layer 3.
そのような有機層3の好ましい材料としては、例えばポリパラキシリレン等を使用できる。 Such preferred materials for the organic layer 3, can be used such as poly-para-xylylene, and the like.
ポリパラキシリレンを用いる場合、真空圧下でポリパラキシリレンを加熱蒸発させ、この蒸気を650〜700℃に加熱して熱分解させて、熱ラジカルを生じさせる。 When using a polyparaxylylene, the polyparaxylylene vaporized by heating under vacuum pressure, is thermally decomposed by heating the steam in the 650 to 700 ° C., causing thermal radical. これにより、ラジカル重合反応が進行し、ポリパラキシリレンの膜を形成することができる。 Thus, it is possible to radical polymerization reaction proceeds, to form a film of polyparaxylylene.

有機層3の材料としては、重付加ポリマーも使用できる。 The material of the organic layer 3, polyaddition polymers can also be used.
重付加ポリマーとしては、例えばジイソシアナートとグリコールをモノマーとするポリウレタン、ジイソシアナートとジアミンをモノマーとするポリ尿素、ジオレフィンとジアミドをモノマーとするポリアミド等が挙げられる。 The polyaddition polymer such as polyurethane to the diisocyanate with glycol monomer, polyurea of ​​the diisocyanate with the diamine monomer, polyamide or the like for the diolefins and diamide and monomers.
重付加ポリマーを用いる場合、真空中で2種のモノマーを蒸発させることにより、2種のモノマーが交互に繰り返し付加重合し、重付加ポリマーの膜を形成することができる。 When using the polyaddition polymer by evaporation of the two monomers in a vacuum, the two monomers are addition polymerization repeatedly alternately, it is possible to form a film of polyaddition polymer.

有機層3の材料としては、硬化型ポリマーを用いることもできる。 The material of the organic layer 3, it is also possible to use a curable polymer. なかでも透明性が高く、硬化速度が速く、室温で硬化するアクリル系ポリマーを好ましく用いることができる。 Among them highly transparent, fast curing speed, it can be preferably used an acrylic polymer that cures at room temperature. アクリル系ポリマーとしては、例えばポリメチルメタクリレートオリゴマー等が挙げられる。 The acrylic polymers, such as polymethyl methacrylate oligomer, and the like. また、エポキシ系、オキセタン系のような開環重合型の光カチオン硬化型ポリマーも、硬化時の体積収縮による内部応力が小さく、密着性に優れることから、好ましい。 Also, epoxy-based, ring-opening polymerization type photo-cationic curing polymer such as oxetane-based also, small internal stress due to volume shrinkage during curing, because it is excellent in adhesion, preferred.

〔フィルム積層体の製造方法及び成膜装置〕 Production method of film laminate and the film forming apparatus]
図2は、本発明の実施の形態の成膜装置100の構成例を示している。 Figure 2 shows a configuration example of a film forming apparatus 100 of the embodiment of the present invention.
図2に示すように、成膜装置100は、圧力調整室10、前処理室20、第1成膜室30、第2成膜室40及び圧力調整室50を備えている。 As shown in FIG. 2, the film forming apparatus 100 includes a pressure adjusting chamber 10, the pre-processing chamber 20, the first film forming chamber 30, the second film forming chamber 40 and the pressure regulating chamber 50.
成膜装置100は、アンワインダー61によりベースフィルム1のロール体を巻き出して、ベースフィルム1を圧力調整室10、前処理室20及び第1成膜室30へと順次搬送し、第1成膜室30において無機層2を形成する。 Film-forming apparatus 100 is unwound roll of the base film 1 by the unwinder 61, the base film 1 pressure adjusting chamber 10, sequentially conveyed to the pretreatment chamber 20 and the first film forming chamber 30, the first formed forming an inorganic layer 2 in the membrane chamber 30. さらに、成膜装置100は、ベースフィルム1を第2成膜室40へ搬送し、第2成膜室40において有機層3を形成し、フィルム積層体Fを製造する。 Further, the film forming apparatus 100 conveys the base film 1 to the second film forming chamber 40, an organic layer 3 is formed in the second film forming chamber 40, to produce a film laminate F. その後、成膜装置100は、ベースフィルム1を圧力調整室50及びワインダー62へと搬送して、ワインダー62により巻き取り、フィルム積層体Fのロール体を形成する。 Thereafter, the film forming apparatus 100, the base film 1 is conveyed to the pressure adjusting chamber 50 and the winder 62 was wound by a winder 62 to form a roll of the film laminate F.

成膜装置100は、図2に示すように、複数のベースフィルム1のロール体を連続して搬送できるように、アンワインダー61及びワインダー62を二つずつ備えている。 Film forming apparatus 100 includes, as shown in FIG. 2, as the roll of the plurality of base film 1 can be transported continuously, and a unwinder 61 and the winder 62 by two.
具体的には、一方のアンワインダー61により1ロール目のベースフィルム1の巻き出しを終えると、回転移動により一方のアンワインダー61から他方のアンワインダー61に置き換わる。 Specifically, the finish out one by unwinder 61 1 wound in a roll-th base film 1, replaced from one unwinder 61 by the rotational movement in the other unwinder 61. そして、1ロール目のベースフィルム1の後端と2ロール目のベースフィルム1の先端を接続するように、他方のアンワインダー61により2ロール目のベースフィルム1を巻き出す。 Then, 1 to connect the front end of the rear end and two roll-th base film 1 of the base film 1 of the roll first, by the other unwinder 61 for unwinding a base film 1 of 2 rolls eyes. ワインダー62も同様に、一方のワインダー62により1ロール目のベースフィルム1を巻き取り終えると、すぐに他方のワインダー62に置き換えて2ロール目のベースフィルム1を巻き取る。 Winder 62 likewise, 1 After finishing winding the base film 1 of the roll first by one of the winder 62 immediately replaced with other winders 62 winds the base film 1 of 2 rolls eyes.

アンワインダー61により巻き出されてからワインダー62により巻き取られるまでの間、成膜装置100は、ローラーによりベースフィルム1を搬送する。 Between the unwound by unwinder 61 to be wound by the winder 62, the film forming apparatus 100 conveys the base film 1 by a roller. このローラーは、無機層2及び有機層3の膜欠陥を抑えるため、無機層2等に接触せずにベースフィルム1を搬送できる非接触型のローラーであることが好ましい。 The rollers, in order to suppress the film defects of the inorganic layer 2 and the organic layer 3, it is preferable to base film 1 without contacting the inorganic layer 2 or the like which is a non-contact type roller can be conveyed.
図3は、非接触型のローラーの例を示している。 Figure 3 shows an example of a non-contact type roller.
図3に示すように、非接触型のローラーは、軸方向の中央部の径が端部よりも小さい。 As shown in FIG. 3, the non-contact roller, the diameter of the central portion in the axial direction is smaller than the end. ベースフィルム1の搬送時には、非接触型のローラーは、ベースフィルム1の幅方向の両端のみと接触するため、幅方向の中央に形成される無機層2等を損傷させることなく、搬送できる。 During conveyance of the base film 1, the non-contact rollers, for contact only with both ends in the width direction of the base film 1, without damaging the inorganic layer 2 or the like formed at the center in the width direction, it can be conveyed.

圧力調整室10及び50は、ベースフィルム1の圧力環境を調整する。 Pressure adjusting chamber 10 and 50, to adjust the pressure environment of the base film 1. 具体的には、圧力調整室10は大気圧下から真空圧下へ調整し、圧力調整室50は真空圧下から大気圧下へ調整する。 Specifically, the pressure adjusting chamber 10 was adjusted from atmospheric pressure to vacuum pressure, the pressure adjusting chamber 50 is adjusted from the vacuum pressure to atmospheric pressure.
圧力調整室10の圧力調整手段としては特に限定されず、特開2010−17430号公報に記載されているように、連結した複数の減圧ユニットであってもよいし、国際公開2008/102868に記載されている緩衝チャンバーであってもよい。 It is not particularly restricted but includes pressure adjusting means of the pressure adjusting chamber 10, as described in JP-A-2010-17430, may be a plurality of vacuum units linked, described in WO 2008/102868 it may be a buffer chamber being. 緩衝チャンバーは、ベースフィルム1の搬送経路がオリフィス形状のシールロールを備えた隔壁で仕切られていて、隔壁で仕切られた各室内をそれぞれ独立に圧力を調整することができるチャンバーである。 Buffer chamber transport path of the base film 1 is not partitioned by a partition wall with a seal roll orifice shape a chamber each chamber partitioned by the partition wall it is possible to regulate the pressure independently of each other. 例えば、圧力調整室10の場合、搬送方向の下流へ向かうにつれて各室内の圧力を徐々に減圧することにより、各室内を通過したベースフィルム1の圧力環境を大気圧下から減圧下へと徐々に減圧することができる。 For example, when the pressure adjusting chamber 10, by gradually reducing the pressure of each chamber toward the downstream in the conveying direction, to the reduced pressure of the pressure environment of the base film 1 that has passed through the chamber from atmospheric pressure gradually it is possible to reduce the pressure.

前処理室20には、図2に示すように、真空ポンプ21及び不活性ガスの供給部22が設けられ、真空ポンプ21による排気と、供給部22から供給される不活性ガスとにより、室内の圧力環境が一定の減圧下に調整されている。 The pre-treatment chamber 20, as shown in FIG. 2, the supply section 22 is provided with a vacuum pump 21 and an inert gas, and the exhaust gas by the vacuum pump 21, the inert gas supplied from the supply unit 22, the indoor pressure environment is adjusted under constant vacuum.
ベースフィルム1を、前処理室20に搬送することにより、圧力調整室10において減圧下に調整されたベースフィルム1の圧力環境を安定化させることができる。 The base film 1, by conveying the pre-treatment chamber 20, it is possible to stabilize the pressure environment of the base film 1, which is adjusted under reduced pressure in the pressure control chamber 10.

〔第1成膜室〕 [First film forming chamber]
第1成膜室30の構成は、無機層2の形成方法によって異なるが、図2はALD法により無機層2を形成する場合の第1成膜室30の構成を示している。 Configuration of the first film forming chamber 30 varies depending the method of forming the inorganic layer 2, FIG. 2 shows the configuration of the first film forming chamber 30 in the case of forming the inorganic layer 2 by an ALD method. ALD法は、ベースフィルム1上に2種以上の原料を交互に供給し、各原料を反応させる成膜処理を複数サイクル繰り返し、1サイクルごとに原子層(化合物の分子層の場合もある。)を1層ずつ堆積させて薄膜を形成する方法である。 ALD method, the base film 1 alternately supplying two or more raw materials on multiple cycles of the deposition process of reacting the raw materials, atomic layer per cycle (which may be the molecular layer of the compound.) the depositing one layer is a method of forming a thin film.
図2に示すように、第1成膜室30は、隔壁により仕切られた三つのチャンバー31〜33を備えている。 As shown in FIG. 2, the first film forming chamber 30 is provided with three chambers 31-33 partitioned by partition walls. 隔壁には、ベースフィルム1を搬送できるように開口が設けられている。 The partition wall, an opening is provided to allow transport the base film 1.

チャンバー31及び32には、それぞれ無機層2の原料ガスの供給管311及び321が設けられている。 The chamber 31 and 32, the supply pipe 311 and 321 of the raw material gas of the inorganic layer 2, respectively. また、チャンバー31及び32には、それぞれ真空ポンプ312及び322が設けられ、チャンバー31及び32内は真空圧下に調整されている。 Further, the chamber 31 and 32, the vacuum pump 312 and 322 are respectively provided, the chamber 31 and 32 is adjusted to a vacuum pressure.
第1成膜室30内の真空度は、通常、0.1〜1000Paの範囲内に調整することができる。 Vacuum in the first film forming chamber 30 can usually be adjusted within the range of 0.1~1000Pa.
チャンバー33には、不活性ガスの供給管331と排気管332が設けられている。 The chamber 33, an exhaust pipe 332 is provided with feed pipe 331 of the inert gas. 不活性ガスは、希ガス等を用いることができるが、チャンバー31及び32内に供給される原料ガスとの反応性が低いのであれば、窒素ガス等を用いることもできる。 Inert gas may be a rare gas or the like, as long as a low reactivity with the raw material gas supplied to the chamber 31 and 32, it is also possible to use nitrogen gas or the like.

成膜時には、ベースフィルム1をチャンバー31に搬送して無機層2の材料である金属化合物の原料ガスを供給し、ベースフィルム1の表面に原料分子を吸着させる。 During film formation, the base film 1 is conveyed to the chamber 31 by supplying the raw material gas of a metal compound which is the material of the inorganic layer 2, adsorb the raw material molecules on the surface of the base film 1. その後、ベースフィルム1をチャンバー32に搬送し、改質処理用の原料ガスを供給し、ベースフィルム1の表面に吸着した原料分子を改質処理する。 Then, transporting the base film 1 to the chamber 32, by supplying the raw material gas for the reforming process, the raw material molecules adsorbed on the surface of the base film 1 to handle modification. この1サイクルの成膜処理により、1原子(分子)層の金属化合物の膜を形成することができる。 The film forming process of this one cycle, it is possible to form a film of a metal compound of 1 atom (molecule) layer.
さらに、ベースフィルム1をチャンバー31に搬送して、目的の厚さの無機層2が得られるまで、複数サイクルの成膜処理を行う。 Further, by conveying the base film 1 in the chamber 31, until the inorganic layer 2 having a thickness of interest is obtained, the film formation process multiple cycles.
各チャンバー31又は32においてベースフィルム1上に吸着しきれなかった余剰の原料ガスは、チャンバー33を通過する間にチャンバー33内に供給された不活性ガスにより除去(パージ)することができる。 Excess material gas that has not been adsorbed on the base film 1 in each chamber 31 or 32 can be removed (purging) by an inert gas supplied into the chamber 33 while passing through the chamber 33.

チャンバー31に供給する金属化合物の原料ガスとしては、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ケイ素(Si)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、ランタン(La)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、ニッケル(Ni)、バナジウム(V)、銅(Cu)、コバルト(Co)、鉄(Fe)、イットリウム(Y)等の金属化合物の原料ガスを用いることができる。 As the raw material gas of a metal compound supplied to the chamber 31, aluminum (Al), titanium (Ti), silicon (Si), zirconium (Zr), hafnium (Hf), lanthanum (La), niobium (Nb), tantalum ( ta), magnesium (Mg), zinc (Zn), nickel (Ni), vanadium (V), copper (Cu), cobalt (Co), iron (Fe), a raw material gas of a metal compound such as yttrium (Y) it can be used.

例えば、改質処理により、酸化アルミニウム(Al )、窒化アルミニウム等の金属化合物の膜を形成する場合、チャンバー31に供給する原料ガスとしてはアルミニウムを含み、気化できるアルミニウム化合物であれば特に制限なく使用できる。 For example, the modification process, aluminum oxide (Al 2 O 3), when forming a film of a metal compound such as aluminum nitride, comprises aluminum as a raw material gas supplied to the chamber 31, particularly if the aluminum compound can be vaporized without limitation can be used. そのようなアルミニウム化合物としては、例えば塩化アルミニウム(Al Cl )、トリメチルアルミニウム(Al(CH 、略称TMA)、トリエチルアルミニウム(略称TEA)、トリクロロアルミニウム等が挙げられる。 Such aluminum compounds such as aluminum chloride (Al 2 Cl 6), trimethyl aluminum (Al (CH 3) 3, abbreviated TMA), triethyl aluminum (abbreviation TEA), trichloro aluminum, and the like.

改質処理により、酸化ケイ素(SiO )、窒化ケイ素(SiN)等の金属化合物の膜を形成する場合、チャンバー31に供給する原料ガスとしては、トリシラン(Si )、ジシラン(Si )、モノシラン(SiH )の他、モノクロロシラン(SiH Cl)、ジクロロシラン(SiH Cl )、ヘキサクロロジシラン(Si Cl )、テトラクロロシラン(SiCl )、トリクロロシラン(SiHCl )等のクロロシラン系、テトラキスジメチルアミノシラン(Si[N(CH )、トリスジメチルアミノシラン(Si[N(CH H)、ビスジエチルアミノシラン(Si[N(C )、ビスターシャリーブチルアミノシラン(SiH [N The reforming process, silicon oxide (SiO 2), when forming a film of a metal compound such as silicon nitride (SiN), as the raw material gas supplied to the chamber 31, trisilane (Si 3 H 8), disilane (Si 2 H 6), other monosilane (SiH 4), monochlorosilane (SiH 3 Cl), dichlorosilane (SiH 2 Cl 2), hexachlorodisilane (Si 2 Cl 6), tetrachlorosilane (SiCl 4), trichlorosilane (SiHCl 3 ) such chlorosilane-based, tetrakis (dimethylamino) silane (Si [N (CH 3) 2] 4), tris (dimethylamino) silane (Si [N (CH 3) 2] 3 H), bis diethylamino silane (Si [N (C 2 H 5) 2] 2 H 2) , Bicester tertiary butyl amino silane (SiH 2 [N (C )] )等のアミノシラン系、Si(OC 、SiH Cl 、Si(NO 等を使用できる。 (C 4 H 9)] 2 ) aminosilane such, Si (OC 2 H 5) 4, SiH 2 Cl 2, Si (NO 3) 4 or the like can be used.

改質処理により、酸化チタン(TiO )、窒化チタン、炭窒化チタン等の金属化合物の膜を形成する場合、チャンバー31に供給する原料ガスとしては、TiF 、四塩化チタン(TiCl )、TiBr 、TiI 、テトラキスジメチルアミノチタン([(CH N] Ti)、テトラキスジエチルアミノチタンTi[N(C 、Ti[N(C CH )] 、チタン(IV)イソプロポキシド(Ti[(OCH)(CH )等を使用できる。 The modification process, titanium oxide (TiO 2), titanium nitride, the case of forming a film of a metal compound of titanium carbonitride, etc., as the raw material gas supplied to the chamber 31, TiF 4, titanium tetrachloride (TiCl 4), TiBr 4, TiI 4, tetrakis dimethylamino titanium ([(CH 3) 2 N ] 4 Ti), tetrakis (diethylamino) titanium Ti [N (C 2 H 5 ) 2] 4, Ti [N (C 2 H 5 CH 3) ] 4, titanium (IV) isopropoxide (Ti [(OCH) (CH 3) 2] 4) and the like can be used.

また、チャンバー32に供給する改質処理用の原料ガスとしては、改質処理が酸化である場合は、水(H O)、酸素、オゾン(O )、メタノール、エタノール等を用いることができる。 As the source gas for the reforming process is supplied to the chamber 32, when the reforming process is oxidized, water (H 2 O), oxygen, ozone (O 3), methanol, be employed such as ethanol it can. 改質処理が窒化である場合は、窒素、アンモニア(NH )等を用いることができる。 If modification treatment is nitriding, it is possible to use nitrogen, ammonia (NH 3) or the like. これらのガスに、水素(H )ガスを併用してもよい。 These gases may be used in combination with hydrogen (H 2) gas.

無機層2をガスバリアー層として形成する場合には、ガスバリアー性を高める観点から、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム(MgO)、酸化ハフニウム(HfO )、酸化ランタン(La )等の金属酸化物の膜を形成することが好ましい。 In the case of forming the inorganic layer 2 as a gas barrier layer, from the viewpoint of enhancing the gas barrier property, aluminum oxide, titanium oxide, silicon oxide, zirconium oxide, zinc oxide, magnesium oxide (MgO), hafnium oxide (HfO 2), it is preferable to form a film of a metal oxide such as lanthanum oxide (La 2 O 3). トリメチルアルミニウム、四塩化チタン等を原料ガスとする酸化アルミニウム、酸化チタンは、分子量の大きさが膜の凹凸の補修に適しており、カバレッジ性が高まることから、特に好ましい。 Trimethylaluminum tetroxide aluminum titanium chloride as raw material gas, titanium oxide, the size of the molecular weight is suitable for repair of unevenness of film, since the coverage is enhanced, particularly preferred.

なお、各チャンバー31及び32においてそれぞれ金属化合物の原料ガスを供給し、チャンバー31とチャンバー32の間に改質処理用のチャンバーを設けて、この改質処理用のチャンバーにおいてプラズマを生成し、各チャンバー31及び32においてそれぞれ吸着させた原料分子を改質処理するようにしてもよい。 Incidentally, supplying a material gas of each metal compound in each chamber 31 and 32, provided with a chamber for modification treatment between chamber 31 and chamber 32, to generate plasma in the chamber for the reforming process, each the source molecules adsorbed respectively in chambers 31 and 32 may be processed reforming. この成膜方法は、PE(Plasma Enhanced)ALD法という。 The film forming method, PE (Plasma Enhanced) ALD method called.
PEALD法に限らず、熱ALD法により無機層2を形成してもよい。 Is not limited to the PEALD process, it may be formed of an inorganic layer 2 by thermal ALD.

無機層2の形成方法はALD法に限らず、プラズマCVD法等も用いることができる。 For forming the inorganic layer 2 is not limited to the ALD method, a plasma CVD method or the like can also be used.
図4は、プラズマCVD法を用いた場合の第1成膜室30Bの構成例を示している。 Figure 4 shows an example of the configuration of the first film forming chamber 30B in the case of using the plasma CVD method.
図4に示すように、第1成膜室30Bには、1対のローラー351が対向するように配置され、無機層2の原料ガスのガス供給部352が各ローラー351に隣接して設けられている。 As shown in FIG. 4, the first film forming chamber 30B, is arranged so that one pair of rollers 351 are opposed, the gas supply unit 352 of the inorganic layer 2 source gas is provided adjacent to each roller 351 ing.

また、1対のローラー351は、それぞれ電源353に接続され、磁場発生装置354を内蔵している。 Further, a pair of rollers 351 are respectively connected to the power source 353 has a built-in magnetic field generator 354. ガス供給部352により原料ガスを供給し、電源353により各ローラー351間に電圧を印加することにより、各ローラー351間の放電空間にプラズマが生成し、原料ガスのプラズマ反応が進行して各ローラー351により搬送されるベースフィルム1上に無機層2が形成される。 The raw material gas is supplied by the gas supply unit 352, by applying a voltage between each roller 351 by the power supply 353, a plasma is generated in the discharge space between the rollers 351, each roller plasma reaction of the raw material gas progresses 351 inorganic layer 2 is formed on the base film 1 is conveyed by the. 各ローラー351の周辺には磁場発生装置354により磁場が形成されているので、プラズマはこの磁場の磁力線に沿って生成される。 Since the magnetic field by the magnetic field generator 354 on the periphery of each roller 351 is formed, plasma is generated along the magnetic lines of the magnetic field. 放電空間における電場と磁場によって、電子が成膜空間内に閉じ込められ、高密度のプラズマが生成されるため、成膜効率が向上する。 By electric and magnetic fields in the discharge space, electrons are confined in the film-forming space, because the high density plasma is generated, thereby improving the deposition efficiency.

第1成膜室30においては、上述したように無機層2の十分な機能性を得るとともに高温高湿下における耐久性を向上させる観点から、厚さが3〜30nmの範囲内にある無機層2を形成することが好ましい。 In the first film forming chamber 30, the inorganic layer from the viewpoint of improving the durability under high temperature and high humidity with obtain sufficient functionality of the inorganic layer 2 as described above, the thickness is in the range of 3~30nm it is preferable to form 2.

プラズマCVD法により無機層2を形成する場合、供給する原料ガスとしては、上述したALD法と同じ原料ガスを用いることもできるし、ケイ素化合物の膜を形成する場合には、ヘキサメチルジシロキサン等のケイ素含有ポリマーのガスを用いることもできる。 When forming the inorganic layer 2 by a plasma CVD method, the raw material gas to be supplied, it is possible to use the same raw material gas as described above ALD method, in the case of forming a film of a silicon compound, hexamethyldisiloxane, etc. it is also possible to use silicon-containing polymer of the gas.

〔第2成膜室〕 [The second film forming chamber]
第2成膜室40の構成は、有機層3の形成方法によって異なるが、図2は蒸着法を用いた場合の構成を示している。 Configuration of the second film forming chamber 40 varies depending the method of forming the organic layer 3, Figure 2 shows a configuration in the case of using the vapor deposition method.
図2に示すように、第2成膜室40には蒸着源41が設けられている。 As shown in FIG. 2, the deposition source 41 is provided in the second film forming chamber 40. また、第2成膜室40内は、第2成膜室40に設けられた真空ポンプ42によって、真空圧下に調整されている。 Further, in the second film forming chamber 40, the vacuum pump 42 provided in the second film forming chamber 40 is adjusted to a vacuum pressure.
第2成膜室40の真空度は、通常、0.01〜100Paの範囲内とすることができる。 Vacuum of the second film forming chamber 40 may typically be in the range of 0.01~100Pa.
第2成膜室40においては、蒸着源41によってベースフィルム1上に有機層3の原料ガスを供給し、有機層3の原料を蒸着させて有機層3を形成する。 In the second film forming chamber 40, the organic layer 3 of the raw material gas is supplied onto the base film 1 by a vapor deposition source 41, an organic layer 3 by depositing a material of the organic layer 3.

第2成膜室40においては、上述したように有機層3の十分な機能性を得るとともに高い透明性を得る観点から、厚さ500〜5000nmの範囲内にある有機層3を形成することが好ましい。 In the second film forming chamber 40, that from the viewpoint of obtaining high transparency with obtaining sufficient functionality of the organic layer 3 as described above, to form an organic layer 3 which is in the range of thickness 500~5000nm preferable.

〔原料ガスの供給手段〕 [Supply means of the feed gas]
成膜装置100は、第2成膜室40において、有機層3の原料ガスを供給するとともに、無機層2が含有する金属化合物の原料ガスを供給する。 Film-forming apparatus 100 supplies the second film forming chamber 40 supplies the material gas of the organic layer 3, the raw material gas of a metal compound which inorganic layer 2 contains. 第2成膜室40に無機層2が含有する金属化合物の原料ガスを供給するため、第1成膜室30と第2成膜室40との間の隔壁には、図2に示すように開口部71を設けることができる。 For supplying a source gas of a metal compound containing the second film forming chamber 40 inorganic layer 2, a first film forming chamber 30 in the partition wall between the second film forming chamber 40, as shown in FIG. 2 the openings 71 can be provided. 図2には、第1成膜室30の各チャンバー31及び32のうち、金属化合物の原料ガスを供給するチャンバー31側の隔壁に開口部71を設けた例を示しているが、PEALD法によりチャンバー32にも金属化合物の原料ガスを供給する場合は、チャンバー32側の隔壁にも開口部71を設ければよい。 In FIG. 2, among the chambers 31 and 32 of the first film forming chamber 30, an example is shown in which an opening 71 to the chamber 31 side of the partition wall for supplying a source gas of a metal compound, by PEALD method when supplying the raw material gas of a metal compound to the chamber 32 may be provided an opening 71 in the chamber 32 side partition wall.

第1成膜室30内の圧力P 30を第2成膜室40内の圧力P 40よりも高圧(P 30 >P 40 )に調整することにより、開口部71を介して、第1成膜室30に供給された金属化合物の原料ガスが第2成膜室40へ流入し、有機層3中に取り込まれる。 By adjusting the pressure (P 30> P 40) than the pressure P 40 in the pressure P 30 in the first film forming chamber 30 in the second film forming chamber 40, through the opening 71, the first film forming source gas supply metal compound to the chamber 30 flows into the second film forming chamber 40 are incorporated into the organic layer 3. また、この圧力調整により、第2成膜室40から第1成膜室30への有機層3の原料ガスの流入を防ぐこともできる。 Further, this pressure adjustment, can be prevented from flowing organic layer 3 of the raw material gas from the second film forming chamber 40 into a first film forming chamber 30.

第2成膜室40への金属化合物の原料ガスの供給手段としてはこれに限らず、図5に示す成膜装置200のように、第2成膜室40に原料ガス供給部72を設けて、この原料ガス供給部72により無機層2が含有する金属化合物の原料ガスを供給することもできる。 The supply means of the feed gas of the metal compound to the second film forming chamber 40 is not limited to this, as the film forming apparatus 200 shown in FIG. 5, and the raw material gas supply unit 72 provided in the second film forming chamber 40 , it can also be supplied raw material gas of a metal compound which inorganic layer 2 contains this feed gas supply section 72. なお、図5に示す成膜装置200は、開口部71の代わりに原料ガス供給部72が設けられていること以外は、図2に示す成膜装置100と構成が同じであるので、図5において同じ構成部分には同じ符号を付している。 The deposition apparatus 200 shown in FIG. 5, except that the raw material gas supply unit 72 instead of the opening 71 is provided, since the configuration as the film forming apparatus 100 shown in FIG. 2 are the same, FIG. 5 It is denoted by the same reference numerals, components in.

〔原料ガスの制御手段〕 [Control means of the feed gas]
成膜装置100においては、有機層3の厚さ方向における金属の平均含有量が、0.1〜1000質量ppmの範囲内になるように、第2成膜室40における金属化合物の原料ガスの供給量を制御する。 In the film forming apparatus 100, the average content of the metal in the thickness direction of the organic layer 3 is to be in the range of 0.1 to 1000 mass ppm, the raw material gas of the metal compound in the second film forming chamber 40 to control the supply amount.

図2に示すように、開口部71を設けて第1成膜室30から第2成膜室40へ原料ガスを供給する場合、原料ガスの供給量は、開口部71の大きさ(面積)、第2成膜室40内の圧力P 40に対する第1成膜室30内の圧力P 30の圧力比(P 30 /P 40 )、ベースフィルム1の搬送速度、第1成膜室30と第2成膜室40の温度差等によって制御することができる。 As shown in FIG. 2, when supplying the opening 71 from the first film forming chamber 30 provided the source gas into the second film forming chamber 40, the supply amount of the raw material gas, the opening 71 size (area) , pressure ratio of the pressure P 30 in the first film forming chamber 30 to the pressure P 40 in the second film forming chamber 40 (P 30 / P 40) , the conveying speed of the base film 1, a first film forming chamber 30 first it can be controlled by such temperature difference between the two film forming chamber 40. 開口部71の大きさや圧力比を一定に維持することにより、金属化合物の原料ガスの供給量を一定にすることができ、有機層3中に均一に金属を含有させることができる。 By maintaining the size and the pressure ratio of the opening 71 at a constant, can be a constant supply amount of the raw material gas of the metal compounds can be contained uniformly metal in the organic layer 3.
また、原料ガスの供給量の制御手段として、第1成膜室30から第2成膜室40へ一定の風速で送風する送風手段を設置してもよい。 Further, as the control means of the supply amount of the raw material gas, a blowing means for blowing air at a constant wind velocity from the first film forming chamber 30 to the second film forming chamber 40 may be installed.

第2成膜室40内の圧力P 40に対する第1成膜室30内の圧力P 30の圧力比(P 30 /P 40 )としては、通常、1〜100の範囲内とすることができ、好ましくは1〜10の範囲内である。 The pressure ratio of the pressure P 30 in the first film forming chamber 30 to the pressure P 40 in the second film forming chamber 40 (P 30 / P 40) , typically, be in the range of 1 to 100, preferably in the range of 1 to 10. この範囲内であれば、有機層3の厚さ方向における金属の平均含有量が、0.1〜1000質量ppmの範囲内になるように、金属を有機層3中に含有させることができる。 Within this range, the average content of the metal in the thickness direction of the organic layer 3 is to be in the range of 0.1 to 1000 mass ppm, it is possible to contain metal in the organic layer 3. なお、圧力比(P 30 /P 40 )が1の場合は、上記送風手段を併用する等して、供給量を制御することが好ましい。 In the case the pressure ratio (P 30 / P 40) is 1, and the like are used in combination the blowing means, it is preferable to control the supply amount.

開口部71の面積は、第1成膜室30と第2成膜室40間を隔てる壁の総面積に対して0.01〜5.00%の範囲内とすることができる。 Area of ​​the opening 71 may be in the range of 0.01 to 5.00% of the total area of ​​the wall and the first film forming chamber 30 separates the second film forming chamber 40. この範囲内であれば、第2成膜室40内に供給されるガス組成分布の偏りが発生することなく、各成膜室のガス成分組成雰囲気を安定化させることができる。 Within this range, without deviation of the gas composition distribution to be supplied to the second film forming chamber 40 is generated, the gas component composition atmosphere of the deposition chamber can be stabilized.
圧力比(P 30 /P 40 )、開口部71の大きさ、ベースフィルム1の搬送速度、第1成膜室30と第2成膜室40の温度差等の具体的な条件は、実験的に成膜して、有機層3の厚さ方向における金属の平均含有量が、0.1〜1000質量ppmの範囲内になるときの条件を採用すればよい。 Pressure ratio (P 30 / P 40), the size of the opening 71, the conveying speed of the base film 1, a first film forming chamber 30 Specific conditions such as temperature difference between the second film forming chamber 40, experimental It was deposited, the average content of the metal in the thickness direction of the organic layer 3 may be adopted conditions when made within the range of 0.1 to 1000 mass ppm.

図5に示すように、原料ガス供給部72から第2成膜室40へ金属化合物の原料ガスを供給する場合は、有機層3の厚さ方向における金属の平均含有量が、0.1〜1000質量ppmの範囲内になるように、原料ガス供給部72からの原料ガスの供給量を一定に制御すればよい。 As shown in FIG. 5, when supplying the raw material gas of a metal compound from the raw material gas supply unit 72 to the second film forming chamber 40, the average content of the metal in the thickness direction of the organic layer 3, 0.1 to be in the range of 1,000 mass ppm, the supply amount of the raw material gas from the raw material gas supply unit 72 may be controlled to be constant.

以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter is a description of specifics of the present invention by way of examples, but the invention is not limited thereto. なお、実施例において「部」又は「%」の表示が用いられるが、特に断りが無い限り「質量部」又は「質量%」を表す。 Note that represents the although display of "parts" or "%" is used, unless otherwise specified, "parts by weight" or "% by weight" in the examples.

〔フィルム積層体1〕 [Film laminate 1]
ベースフィルムとして、幅50cm、厚さ125μm、長さ500mのポリエステルフィルムMELINEX ST504(DuPont Teijin Films US Limited社製)を用意した。 As the base film, width 50 cm, was prepared a thickness 125 [mu] m, a polyester film of length 500m MELINEX ST504 (DuPont Teijin Films US Limited Co.).
このベースフィルムに、1.33Pa(0.01Torr)の減圧下において80℃まで加熱する3時間の脱気処理を施した。 This base film was subjected to degassing for 3 hours heating up to 80 ° C. under a reduced pressure of 1.33 Pa (0.01 Torr).
脱気処理後のベースフィルム上に、図2に示す成膜装置100を用いて、次のようにして無機層及び有機層を形成した。 On the base film after degassing treatment, using the deposition apparatus 100 shown in FIG. 2, to form an inorganic layer and an organic layer as follows.

まず、図2に示す成膜装置100のアンワインダー61にベースフィルムをセットし、ベースフィルムの先端部をワインダー62まで搬送して巻き取って固定した。 First, it sets the base film unwinder 61 of the film forming apparatus 100 shown in FIG. 2, and fixed wound to carry the distal end portion of the base film to winder 62. その後、ベースフィルムを圧力調整室10及び前処理室20に順次搬送した。 Then sequentially transporting the base film to the pressure adjusting chamber 10 and the pre-treatment chamber 20.
成膜装置100の圧力調整室10及び50には、特開2010−174370号公報に記載の複数の減圧ユニットを用いた。 A pressure adjusting chamber 10 and 50 of the film forming apparatus 100 using a plurality of pressure reducing units described in JP 2010-174370. 圧力調整室10では、各減圧ユニット内を減圧し、減圧ユニットの入口では大気圧下、出口では50Paの減圧環境下となり、入口から出口までは徐々に減圧するように、圧力調整を行った。 In the pressure adjusting chamber 10, reducing the pressure in each vacuum unit, under atmospheric pressure at the inlet of the decompression unit becomes a vacuum atmosphere of 50Pa at the outlet, as from the inlet to the outlet gradually reduced pressure, subjected to pressure adjustment. 圧力調整室50では、減圧ユニットの入口では50Paの減圧環境下、出口では大気圧下となり、入口から出口までは徐々に気圧が上がるように、圧力調整を行った。 In the pressure adjusting chamber 50, the inlet of the pressure reducing unit vacuum environment of 50 Pa, it becomes atmospheric pressure at the outlet, so as to gradually pressure increases from the inlet to the outlet, was pressure adjustment.

次に、ベースフィルムを第1成膜室30に搬送し、第1成膜室30において無機層を形成した。 Next, conveying a base film to the first film forming chamber 30, to form an inorganic layer in the first film forming chamber 30.
具体的には、第1成膜室30のチャンバー31にトリメチルアルミニウムのガスを供給し、チャンバー32に水蒸気を供給して、チャンバー31とチャンバー32へ交互にベースフィルムを搬送することにより、ベースフィルム1上に厚さ8nmの酸化アルミニウム膜を無機層として形成した。 Specifically, by the chamber 31 of the first film forming chamber 30 to supply the trimethylaluminum gas, by supplying water vapor to the chamber 32 to convey the base film alternately into the chamber 31 and the chamber 32, a base film to form a thickness of 8nm aluminum oxide film as the inorganic layer on 1. チャンバー33には乾燥窒素ガスを供給した。 The chamber 33 was supplied with dry nitrogen gas. また、各チャンバー31〜33内は50Paの圧力環境となるように、真空ポンプ312、322等により調整した。 Also, in each chamber 31 to 33 such that the pressure environment of 50 Pa, and adjusted by a vacuum pump 312, 322 or the like.

第1成膜室30における詳細な成膜条件は次のとおりである。 Detailed film forming conditions in the first film deposition room 30 is as follows.
(成膜条件) (Film forming conditions)
酸化アルミニウムの原料ガス:トリメチルアルミニウム チャンバー31内での滞在時間:4.0秒/サイクル 改質処理用の原料ガス:水 チャンバー32内での滞在時間:4.0秒/サイクル チャンバー33に使用した不活性ガス:窒素ガス チャンバー33内での滞在時間:5.0秒/サイクル 酸化アルミニウムの堆積速度:0.1nm/サイクル ベースフィルムの搬送速度:5.0m/分 ベースフィルムの温度:80℃ The raw material gas of the aluminum oxide: trimethylaluminum chamber 31 within time spent on: 4.0 sec / cycle reforming processing of the raw material gas: time spent in the water chamber 32, were used in 4.0 seconds / cycle chamber 33 inert gas: residence time in the nitrogen gas chamber 33: deposition rate of 5.0 sec / cycle aluminum oxide: 0.1 nm / cycle base film transport speed of: 5.0 m / min base film temperature: 80 ° C.
なお、チャンバー31に設けた開口部は、第1成膜室30と第2成膜室40を隔てる壁の総面積に対する開口部の面積の比率が、0.1%になるように設定した。 The opening provided in the chamber 31, the ratio of the area of ​​the opening to the total area of ​​the wall separating the first film forming chamber 30 and the second film forming chamber 40 was set to be 0.1%.

無機層を形成したベースフィルムをさらに第2成膜室40に搬送し、第2成膜室40において、ベースフィルム上に厚さ1000nmのポリメチルメタクリレート膜を有機層として形成した。 A base film formed of an inorganic layer is further conveyed to the second film forming chamber 40, the second film forming chamber 40, a polymethyl methacrylate film having a thickness of 1000nm on a base film was formed as an organic layer.
具体的には、第2成膜室40を真空ポンプ42により50.0Paまで減圧し、蒸着源41の加熱ボートを通電し、加熱ボートにセットされたポリメチルメタクリレートオリゴマーを40℃に加熱してベースフィルム上に蒸着させた。 Specifically, the second film forming chamber 40 is depressurized by a vacuum pump 42 to 50.0Pa, energized heating boat of the deposition source 41 to heat the set in the heating boat polymethyl methacrylate oligomer 40 ° C. It was deposited on the base film. 蒸着後、紫外線を照射する硬化処理を施し、上記ポリメチルメタクリレート膜を形成した。 After the deposition, subjected to a curing treatment for irradiating ultraviolet rays, the formation of the polymethyl methacrylate film.

次に、有機層を形成したベースフィルムを圧力調整室50に搬送して、ベースフィルムの圧力環境を大気圧まで戻し、ワインダー62により巻き取ることにより、フィルム積層体1のロール体を得た。 Then transporting the base film to form an organic layer in the pressure adjusting chamber 50, returning the pressure environment of the base film to the atmospheric pressure, by winding the winder 62, to obtain a roll of the film laminate 1.
フィルム積層体1の有機層の厚さ方向におけるアルミニウムの平均含有量を測定したところ、0.05質量ppmだった。 Measurement of the average aluminum content in the thickness direction of the organic layer of the film laminate 1 was 0.05 mass ppm.

アルミニウムの平均含有量は、XPSデプスプロファイル測定によって求めた。 The average aluminum content was determined by XPS depth profile measurement.
XPSデプスプロファイル測定では、アルゴンを用いたイオンスパッタにより、有機層の厚さ方向に有機層の表面から無機層との界面まで一定間隔でエッチングし、エッチングするごとにXPSにより表面組成分析を行って、アルミニウムの分布曲線を得た。 The XPS depth profile measurement, by ion sputtering using argon, was etched at regular intervals from the surface of the organic layer in the thickness direction of the organic layer to the interface between the inorganic layer, it is subjected to surface composition analysis by XPS each etching , to obtain an aluminum of the distribution curve. 分布曲線は、縦軸をアルミニウムの原子比率(at%)とし、横軸をエッチング時間(スパッタ時間)として作成した。 Distribution curve, the vertical axis represents the atomic ratio of aluminum (at%), was created horizontal axis as the etching time (sputtering time). アルミニウムの分布曲線において、エッチング時間を、エッチング速度により、有機層3の厚さ方向における有機層3の表面からの厚さ距離Lに換算し、アルミニウムの原子比率を含有量に換算した。 In aluminum distribution curve, the etching time, the etching rate, in terms of the thickness of the distance L from the surface of the organic layer 3 in the thickness direction of the organic layer 3, was converted to the content of aluminum atomic ratio. 換算して得られた、厚さ距離Lにおけるアルミニウムの含有量を積算して、その平均値を有機層の厚さ方向におけるアルミニウムの平均含有量として求めた。 Convert-obtained, by integrating the content of aluminum in the thickness of the distance L, and the average value was obtained as the average aluminum content in the thickness direction of the organic layer.

XPSデプスプロファイル測定の測定条件は以下のとおりである。 The measurement conditions of the XPS depth profile measurement are as follows.
(測定条件) (Measurement condition)
エッチングイオン種:アルゴン(Ar Etching ion species: Argon (Ar +)
エッチング速度(SiO 熱酸化膜換算値):0.05nm/sec Etching rate (SiO 2 thermal oxide film conversion value): 0.05 nm / sec
エッチング間隔(SiO 換算値):10nm Etching Interval (SiO 2 conversion value): 10 nm
X線光電子分光装置:Thermo Fisher Scientific社製、機種名“VG Theta Probe” X-ray photoelectron spectrometer: Thermo Fisher Scientific Co., Ltd., model name "VG Theta Probe"
照射X線:単結晶分光AlKα X-ray: the single-crystal monochromator AlKα
X線のスポット及びそのサイズ:800×400μmの楕円形。 X-ray spot and its size: 800 × 400 [mu] m oval.

〔フィルム積層体2〜7〕 [Film laminate 2-7]
上記フィルム積層体1の製造において、第2成膜室40内の圧力を50.0Pa未満0.1Pa以上の範囲内の低い圧力に段階的に変更して、有機層の厚さ方向におけるアルミニウムの平均含有量を下記表1に示すように調整したこと以外は、フィルム積層体1と同様にして各フィルム積層体2〜7を製造した。 In producing the film laminate 1, and stepwise changing the pressure in the second film forming chamber 40 to the low pressure of in the range of less than 0.1Pa or more 50.0Pa, of aluminum in the thickness direction of the organic layer except that by adjusting the average content as indicated in table 1 below were prepared each film laminate 2-7 in the same manner as the film stack 1.

〔フィルム積層体8〜13〕 [Film laminate 8 to 13]
上記フィルム積層体1の製造において、第2成膜室40内の圧力を1.0Paとして、有機層の厚さ方向におけるアルミニウムの平均含有量を200質量ppmに調整し、無機層の厚さd1を下記表1に示すように変更したこと以外は、フィルム積層体1と同様にして、各フィルム積層体8〜13を製造した。 In producing the film laminate 1, the pressure in the second film forming chamber 40 as 1.0 Pa, and adjusting the average aluminum content in the thickness direction of the organic layer 200 mass ppm, the thickness of the inorganic layer d1 the except that were changed as shown in table 1, in the same manner as the film stack 1, to produce a respective film laminate 8-13.
無機層の厚さd1は、第1成膜室30での成膜処理のサイクル数を調整することにより変更した。 The thickness d1 of the inorganic layer was changed by adjusting the number of cycles the film forming process in the first film forming chamber 30.

〔フィルム積層体14〜18〕 [Film laminate 14 to 18]
上記フィルム積層体1の製造において、第2成膜室40内の圧力を1.0Paとして、有機層の厚さ方向におけるアルミニウムの平均含有量を200質量ppmに調整し、無機層の厚さd1及び有機層の厚さd2を下記表1に示すように変更したこと以外は、フィルム積層体1と同様にして、各フィルム積層体14〜18を製造した。 In producing the film laminate 1, the pressure in the second film forming chamber 40 as 1.0 Pa, and adjusting the average aluminum content in the thickness direction of the organic layer 200 mass ppm, the thickness of the inorganic layer d1 and except for changing the thickness d2 of the organic layer as shown in table 1, in the same manner as the film stack 1, to produce a respective film laminate 14-18.
無機層の厚さd1は、第1成膜室30での成膜処理のサイクル数を調整することにより、変更した。 The thickness of the inorganic layer d1 by adjusting the number of cycles the film forming process in the first film forming chamber 30 was changed.
有機層の厚さd2は、第2成膜室40におけるポリメチルメタクリレートオリゴマーの加熱ボートの温度を10〜100℃の範囲内で昇温又は降温することにより、変更した。 Thickness of the organic layer d2, by heating or cooling within the range of the temperature of the heating boat polymethylmethacrylate oligomer 10 to 100 ° C. in the second film forming chamber 40 was changed.

〔フィルム積層体19〕 [Film laminate 19]
上記フィルム積層体12の製造において、図2に示す成膜装置100の第1成膜室30を図4に示す第1成膜室30Bに代えて、プラズマCVD法により厚さd1が30nmの酸化ケイ素膜を無機層として形成したこと以外は、フィルム積層体12と同様にしてフィルム積層体19を製造した。 In producing the film laminate 12, instead of the first film forming chamber 30B shown in FIG. 4 the first film forming chamber 30 of the film forming apparatus 100 shown in FIG. 2, oxide thickness d1 is 30nm of the plasma CVD method except for forming the silicon film as an inorganic layer, to produce a film laminate 19 in the same manner as the film stack 12.

プラズマCVD法による詳細な成膜条件は、次のとおりである。 Detailed film forming conditions by the plasma CVD method is as follows.
(成膜条件) (Film forming conditions)
金属化合物の原料ガス:ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO) The raw material gas of a metal compound: hexamethyldisiloxane (HMDSO)
金属化合物の原料ガスの供給量:50sccm(standard cubic centimeter per minute)(0℃、1気圧基準) The supply amount of the raw material gas of a metal compound: 50sccm (standard cubic centimeter per minute) (0 ℃, 1 atm reference)
改質処理用の原料ガス:酸素ガス 改質処理用の原料ガスの供給量:500sccm(0℃、1気圧基準) Raw material gas for the reforming process: feed amount of raw material gas for the oxygen gas reformulating process: 500sccm (0 ℃, 1 atm reference)
チャンバー内の真空度:2.0Pa The degree of vacuum in the chamber: 2.0Pa
プラズマ発生用の電源による印加電力:0.9kW Applied by the power supply for plasma generation power: 0.9kW
プラズマ発生用の電源の周波数:70kHz Frequency of the power supply for plasma generation: 70kHz

〔フィルム積層体20〕 [Film laminate 20]
上記フィルム積層体3の製造において、図2に示す成膜装置100を図5に示す成膜装置200に代えて、原料ガス供給部72によりトリメチルアルミニウムの原料ガスを第2成膜室40に供給したこと以外は、フィルム積層体3と同様にしてフィルム積層体20を製造した。 In producing the film laminate 3, in place of the film forming apparatus 200 shown in FIG. 5 the film forming apparatus 100 shown in FIG. 2, supplied by the raw material gas supply unit 72 to the source gas of trimethylaluminum to the second film forming chamber 40 It was except that, to produce a film laminate 20 in the same manner as the film stack 3.

〔評価〕 [Evaluation]
製造した各フィルム積層体1〜20のガスバリアー性、無機層と有機層の密着性及び透明性を、次のようにして評価した。 Gas barrier properties of each film laminate 20 manufactured, adhesion and transparency of the inorganic layer and the organic layer was evaluated as follows.

〔ガスバリアー性〕 [Gas barrier properties]
各フィルム積層体1〜20を温度50℃、相対湿度80%RHの高温高湿槽に1週間保存した後、温度25℃、相対湿度40%RHの環境下に1日放置した。 Each film laminate 20 the temperature 50 ° C., after storage for one week in a high-temperature high-humidity chamber at RH 80% RH, temperature 25 ° C., and allowed to stand for one day in an environment relative humidity of 40% RH. その後、温度38℃、相対湿度90%RHにおける水蒸気透過率(g/m ・day)を、MOCON水蒸気透過率測定装置Aquatran(MOCON社製)を用いて、MOCON法により測定した。 Thereafter, the temperature 38 ° C., water vapor permeability at a relative humidity of 90% RH to (g / m 2 · day) , using a MOCON water vapor transmission rate measuring device AQUATRAN (MOCON Co., Ltd.) was measured by a MOCON method. 測定した水蒸気透過率を、各フィルム積層体1〜20のガスバリアー性として次のようにランク評価した。 The measured water vapor permeability was ranked evaluated as follows as a gas barrier of the film laminate 20. 水蒸気透過率の値が小さいほどガスバリアー性が高く、ランク3以上が実用できるガスバリアー性である。 As the value of water vapor permeability is less high gas barrier properties is a gas barrier property of Rank 3 or higher can be practically.
5:水蒸気透過率が、0.001以下 4:水蒸気透過率が、0.001より大きく0.005以下 3:水蒸気透過率が、0.005より大きく0.010以下 2:水蒸気透過率が、0.010より大きく0.100以下 1:水蒸気透過率が、0.100より大きい 5: water vapor permeability is 0.001 or less 4: Water vapor transmission rate is greater than 0.001 0.005 3: water vapor transmission rate is greater than 0.005 0.010 2: water vapor permeability, greater than 0.010 0.100 1: water vapor permeability is greater than 0.100

〔密着性〕 [Adhesion]
各フィルム積層体1〜20の無機層と有機層の密着性を、高温高湿処理する前後において測定した。 The adhesion of the inorganic layer and the organic layer of each film laminate 20 was measured before and after the high-temperature and high-humidity treatment. 測定は、JIS K 5600の5−6(2004年度版)に準拠して行った。 The measurement was carried out in accordance with 5-6 (2004 edition) of JIS K 5600.
具体的には、各フィルム積層体1〜20の最表面である有機層側に、カッターナイフと1mm間隔のカッターガイドを使用して、10×10マスの格子状の切り込みを入れた。 More specifically, the organic layer side is the top surface of each film laminate 20, using a cutter guide cutter knife and 1mm intervals incision of 10 × 10 squares lattice. 1マスは1mm四方の大きさとし、切り込みの深さは有機層側から無機層を貫通してベースフィルムに達する深さとした。 1 mass of 1mm square size Satoshi, the depth of cut was deep enough to reach the base film through the inorganic layer from the organic layer side.

切り込みを入れた有機層上に、18mm幅の粘着テープCT405AP−18(ニチバン社製)を貼り付け、粘着テープ上を消しゴムで擦って粘着テープをガスバリアー層上に付着させた。 Notch organic layer to containing the paste sticking 18mm wide tape CT405AP-18 (manufactured by Nichiban Co., Ltd.), and the adhesive tape is adhered onto a gas barrier layer by rubbing on the adhesive tape with an eraser. その後、粘着テープをガスバリアー層に対して垂直方向に剥がし、10×10マスのうち、ベースフィルムからガスバリアー層が剥離したマスの数を計数した。 Thereafter, the adhesive tape peeled in a direction perpendicular to the gas barrier layer, 10 × 10 among the column, the gas barrier layer from the base film has counted the number of exfoliated square. 計数したマスの数からベースフィルムとガスバリアー層の密着性を下記のようにランク評価した。 It was ranked voted number of the counted mass adhesion of the base film and the gas barrier layer as described below. 剥離したマスの数が小さいほど密着性が高く、ランク3以上の密着性が実用可能な密着性である。 Peeled high as adhesion number is small mass is rank 3 or more adhesion is practicable adhesion.
5:剥離したマスの数が5以下 4:剥離したマスの数が6以上10以下 3:剥離したマスの数が11以上15以下 2:剥離したマスの数が16以上20以下 1:剥離したマスの数が21以上 5: exfoliated number of squares is 5 or less 4: exfoliated mass number 6 to 10 3: Number of exfoliated masses 11 to 15 2: exfoliated number of squares is 16 to 20 was 1: Peeling the number of trout is more than 21

その後、各フィルム積層体1〜20を温度50℃、相対湿度80%RHの高温高湿槽に1週間保存した。 Thereafter, each film laminate 20 temperature 50 ° C., were stored for one week in a high-temperature high-humidity chamber at RH 80% RH. 保存後の各フィルム積層体1〜20の無機層と有機層の密着性を、保存前と同様にして評価した。 The adhesion of the inorganic layer and the organic layer of each film laminate 20 after storage were evaluated in the same manner as before storage.

〔透明性〕 〔transparency〕
各フィルム積層体1〜20の450nmの波長光の光透過率を、分光光度計U−3900/3900Hを用いて測定した。 The light transmittance of the wavelength of 450nm of each film laminate 20 was measured using a spectrophotometer U-3900 / 3900H. 具体的には、各フィルム積層体1〜20の任意の10点において光透過率を測定し、測定した各光透過率から無機層及び有機層を形成する前のベースフィルムの吸収分をキャンセルした。 Specifically, the light transmittance measured at any 10 points of each film laminate 20, canceled the absorption amount of the previous base film forming the inorganic layer and the organic layer from the optical transmittance measured . キャンセル後の各光透過率の平均値を、各フィルム積層体1〜20の光透過率として求めた。 The average value of the light transmittance after cancellation was determined as a light transmittance of each film laminate 20.

求めた光透過率により、各フィルム積層体1〜20の透明性を次のようにしてランク評価した。 The light transmittance was determined and ranked evaluate the transparency of each film laminate 20 as follows. ランクが3以上であると、電子デバイスに好ましく使用できる。 If rank is 3 or more, preferably it is used in an electronic device.
5:光透過率が92%以上 4:光透過率が90%以上92%未満 3:光透過率が87%以上90%未満 2:光透過率が83%以上87%未満 1:光透過率が83%未満 5: light transmittance of 92% or more 4: light transmittance is less than 92% 90% 3: light transmittance of 87% or more less than 90% 2: the light transmittance is less than 83% or more 87% 1: Light transmittance but less than 83%

下記表1は、評価結果を示している。 Table 1 below shows the evaluation results.

上記表1に示すように、有機層中に厚さ方向の平均含有量が0.1〜1000質量ppmの範囲内にある金属を含有することにより、密着性が向上し、高温高湿下におかれても高い密着性、ひいては高いガスバリアー性を維持できている。 As shown in Table 1, by the average amount in the thickness direction in the organic layer contains a metal in the range of 0.1 to 1000 mass ppm, the adhesion is improved, the high temperature and high humidity It placed also in high adhesion, and can be maintained and thus high gas barrier property.

F フィルム積層体1 ベースフィルム2 無機層3 有機層100、200 成膜装置10、50 圧力調整室30 第1成膜室(ALD法) F film laminate 1 base film 2 inorganic layer 3 organic layers 100, 200 film deposition apparatus 10, 50 the pressure adjustment chamber 30 first film forming chamber (ALD method)
30B 第1成膜室(CVD法) 30B first film forming chamber chemical vapor deposition (CVD)
40 第2成膜室61 アンワインダー62 ワインダー71 開口部72 原料ガス供給部 40 second film forming chamber 61 unwinder 62 winder 71 openings 72 feed gas supply section

Claims (9)

  1. ベースフィルム上に、金属化合物を含有する無機層と当該無機層と隣接する有機層とを備えるフィルム積層体であって、 On the base film, a film laminate comprising an organic layer adjacent to the inorganic layer and the said inorganic layer containing a metal compound,
    前記有機層が、前記金属化合物中の金属と同じ金属を含有し、 The organic layer contains the same metal as the metal of the metal compound,
    前記有機層の厚さ方向における前記金属の平均含有量が、0.1〜1000質量ppmの範囲内にあることを特徴とするフィルム積層体。 Film laminate average content of the metal in the thickness direction of the organic layer, characterized in that in the range of 0.1 to 1000 mass ppm.
  2. 前記無機層の厚さが、3〜30nmの範囲内にあり、 The thickness of the inorganic layer is in the range of 3 to 30 nm,
    前記有機層の厚さが、500〜5000nmの範囲内にあることを特徴とする請求項1に記載のフィルム積層体。 Film laminate according to claim 1 in which the thickness of the organic layer, characterized in that in the range of 500~5000Nm.
  3. 前記無機層の厚さに対する前記有機層の厚さの比の値が、50〜500の範囲内にあることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のフィルム積層体。 The value of the ratio of the thickness of the organic layer, the film laminate according to claim 1 or claim 2, characterized in that in the range of 50 to 500 to the thickness of the inorganic layer.
  4. 前記無機層が、原子層堆積法により形成されていることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載のフィルム積層体。 Wherein the inorganic layer is a film laminate according to any one of it being formed by atomic layer deposition from claim 1, wherein up to claim 3.
  5. 前記有機層の厚さ方向における前記金属の平均含有量が、1.0〜500質量ppmの範囲内にあることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載のフィルム積層体。 The average content of the metal in the thickness direction of the organic layer, the film according to any one of claims 1, characterized in that in the range of 1.0 to 500 ppm by weight to claim 4 laminate.
  6. 第1成膜室と第2成膜室とにベースフィルムを搬送して、当該ベースフィルム上に金属化合物を含有する無機層と当該無機層に隣接する有機層とを形成するフィルム積層体の製造方法であって、 It conveys the base film to the first film forming chamber and the second film formation chamber, the production of the film laminate to form an organic layer adjacent to the inorganic layer and the inorganic layer containing a metal compound on the base film there is provided a method,
    前記第1成膜室において、前記金属化合物の原料ガスを供給して前記無機層を形成し、 In the first film forming chamber, by supplying the raw material gas of the metal compound to form the inorganic layer,
    前記第2成膜室において、前記有機層の原料ガスを供給するとともに、前記金属化合物の原料ガスを供給して、前記金属化合物中の金属と同じ金属を含有する前記有機層を形成し、 In the second film forming chamber supplies the material gas of the organic layer, by supplying the raw material gas of the metal compound to form the organic layer containing the same metal as the metal of the metal compound,
    前記有機層の厚さ方向における前記金属の平均含有量が、0.1〜1000質量ppmの範囲内にあるように、前記第2成膜室における前記金属化合物の原料ガスの供給量を制御することを特徴とするフィルム積層体の製造方法。 The average content of the metal in the thickness direction of the organic layer, to be within the scope of 0.1 to 1000 mass ppm, to control the supply amount of the raw material gas of the metal compound in the second film forming chamber method for manufacturing a film laminate, characterized in that.
  7. 前記第1成膜室において、厚さが3〜30nmの範囲内にある前記無機層を形成し、 In the first film forming chamber, thickness forming the inorganic layer is in the range of 3 to 30 nm,
    前記第2成膜室において、厚さが500〜5000nmの範囲内にある前記有機層を形成することを特徴とする請求項6に記載のフィルム積層体の製造方法。 In the second film forming chamber, the film production method of the laminated body according to claim 6 having a thickness and forming the organic layer is in the range of 500~5000Nm.
  8. 第1成膜室と第2成膜室とにベースフィルムを搬送して、当該ベースフィルム上に金属化合物を含有する無機層と当該無機層と隣接する有機層とを形成する成膜装置であって、 It conveys the base film to the first film forming chamber and the second film forming chamber, a film formation apparatus for forming an organic layer adjacent to the inorganic layer and the said inorganic layer containing a metal compound on the base film Te,
    前記第1成膜室において、前記金属化合物の原料ガスを供給して前記無機層を形成し、 In the first film forming chamber, by supplying the raw material gas of the metal compound to form the inorganic layer,
    前記第2成膜室において、前記有機層の原料ガスを供給するとともに、前記金属化合物の原料ガスを供給して、前記金属化合物中の金属と同じ金属を含有する前記有機層を形成し、 In the second film forming chamber supplies the material gas of the organic layer, by supplying the raw material gas of the metal compound to form the organic layer containing the same metal as the metal of the metal compound,
    前記有機層の厚さ方向における前記金属の平均含有量が、0.1〜1000質量ppmの範囲内にあるように、前記第2成膜室における前記金属化合物の原料ガスの供給量を制御することを特徴とする成膜装置。 The average content of the metal in the thickness direction of the organic layer, to be within the scope of 0.1 to 1000 mass ppm, to control the supply amount of the raw material gas of the metal compound in the second film forming chamber film forming apparatus characterized in that.
  9. 前記第1成膜室において、厚さが3〜30nmの範囲内にある前記無機層を形成し、 In the first film forming chamber, thickness forming the inorganic layer is in the range of 3 to 30 nm,
    前記第2成膜室において、厚さが500〜5000nmの範囲内にある前記有機層を形成することを特徴とする請求項8に記載の成膜装置。 In the second film forming chamber, the film formation apparatus according to claim 8 in which thickness and forming the organic layer is in the range of 500~5000Nm.
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