JP2018098269A - マルチ荷電粒子ビーム露光装置およびマルチ荷電粒子ビーム露光方法 - Google Patents
マルチ荷電粒子ビーム露光装置およびマルチ荷電粒子ビーム露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018098269A JP2018098269A JP2016238803A JP2016238803A JP2018098269A JP 2018098269 A JP2018098269 A JP 2018098269A JP 2016238803 A JP2016238803 A JP 2016238803A JP 2016238803 A JP2016238803 A JP 2016238803A JP 2018098269 A JP2018098269 A JP 2018098269A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- irradiation
- beams
- leakage
- charged particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 53
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 29
- 238000010130 dispersion processing Methods 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 14
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 231100000628 reference dose Toxicity 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
Description
試料を載置するステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出源と、
複数の開口部が形成され、複数の開口部全体を含む領域に荷電粒子ビームの照射を受け、荷電粒子ビームの一部が複数の開口部のうちの対応する開口部をそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイ基板と、
マルチビームの各ビームをそれぞれ個別にブランキング偏向するブランキングアパーチャアレイ機構と、
ビームOFFの状態になるようにブランキング偏向されたビームを遮蔽する制限アパーチャ基板と、
マルチビームのうちビームONの状態の複数のビームを試料上に一括して偏向すると共に、マルチビームのすべてのビームがビームOFFの状態になるようにブランキング偏向された状態で、制限アパーチャ基板により遮蔽しきれず制限アパーチャ基板を通過するマルチ漏れビームを試料上の所望の位置に一括して偏向する偏向器と、
マルチビームのすべてのビームがビームOFFの状態になるようにブランキング偏向された状態で、マルチ漏れビームの各漏れビームの照射位置を複数の位置にずらすように偏向器を制御する偏向制御回路と、
を備えたことを特徴とする。
偏向制御回路は、マルチビームが照射可能な照射領域がチップのチップ領域外であって試料上のチップ領域内を描画するための待機位置に配置されている状態において、マルチ漏れビームの各漏れビームの照射位置を複数の位置に順にずらすように偏向器を制御すると好適である。
待機位置が他のチップのチップ領域と重なり合う場合に、重なり合う領域における他のチップ用の入射照射量を補正する補正部と、
をさらに備えると好適である。
荷電粒子ビームによるマルチビームを形成する工程と、
マルチビームの各ビームをそれぞれ個別にブランキング偏向する工程と、
マルチビームのうちビームONになる少なくとも1つのビームを試料上に照射する工程と、
マルチビームのすべてのビームがビームOFFの状態になるようにブランキング偏向されている期間中、ビームOFFの状態になるビームを遮蔽する制限アパーチャ基板により遮蔽しきれず制限アパーチャ基板を通過するマルチ漏れビームの各漏れビームの照射位置を試料上の複数の位置にずらすように前記マルチ漏れビームを一括して偏向する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画機構150と制御系回路160を備えている。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。また、描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム露光装置の一例である。描画機構150は、電子鏡筒102(マルチ電子ビームカラム)と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、成形アパーチャアレイ基板203、ブランキングアパーチャアレイ機構204、縮小レンズ205、制限アパーチャ基板206、対物レンズ207、偏向器208、及び偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象基板となるレジストが塗布されたマスクブランクス等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板(シリコンウェハ)等が含まれる。XYステージ105上には、さらに、XYステージ105の位置測定用のミラー210が配置される。
図4は、実施の形態1におけるブランキングアパーチャアレイ機構のメンブレン領域内の構成の一部を示す上面概念図である。なお、図3と図4において、制御電極24と対向電極26と制御回路41とパッド43の位置関係は一致させて記載していない。ブランキングアパーチャアレイ機構204は、図3に示すように、支持台333上にシリコン等からなる半導体基板31が配置される。基板31の中央部は、例えば裏面側から薄く削られ、薄い膜厚hのメンブレン領域330(第1の領域)に加工されている。メンブレン領域330を取り囲む周囲は、厚い膜厚Hの外周領域332(第2の領域)となる。メンブレン領域330の上面と外周領域332の上面とは、同じ高さ位置、或いは、実質的に高さ位置になるように形成される。基板31は、外周領域332の裏面で支持台333上に保持される。支持台333の中央部は開口しており、メンブレン領域330の位置は、支持台333の開口した領域に位置している。
実施の形態1では、描画開始前(及び描画終了後)の照射領域の待機位置において、マルチ漏れビーム300の分散処理を行うことで待機位置における漏れビーム照射領域33の漏れビームによる蓄積ドーズ量を低減した。しかし、昨今のパターンの微細化及び高精度化に伴い、漏れビームによる蓄積ドーズ量を分散して低減したとしても、かかる低減後の蓄積ドーズさえも無視できない場合もあり得る。例えば、多重描画の多重度(パス数)が増えてくる場合、同じ待機位置で繰り返しドーズが蓄積されるので蓄積ドーズ量を分散処理動作により分散して低減したとしても、低減後の単位面積あたりの蓄積ドーズ量自体が大きくなる可能性がある。そこで、実施の形態2では、かかる低減後の蓄積ドーズ量についてもパターン寸法に影響を与えない構成について説明する。
20 マルチビーム
22 穴
24 制御電極
25 通過孔
26 対向電極
28 画素
29 サブ照射領域
30 描画領域
32 ストライプ領域
31 基板
33 漏れビーム照射領域
34 照射領域
36 画素
41 制御回路
46 アンプ
47 個別ブランキング機構
50 待機位置演算部
52 重なり判定部
54 ρ演算部
56 Dp(x)演算部
58 D(x)演算部
60 補正部
62 t演算部
64 分散処理部
66 描画制御部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
130 偏向制御回路
132,134 DACアンプユニット
139 ステージ位置検出器
140 記憶装置
150 描画機構
160 制御系回路
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 成形アパーチャアレイ基板
204 ブランキングアパーチャアレイ機構
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ基板
207 対物レンズ
208,209 偏向器
210 ミラー
330 メンブレン領域
332 外周領域
333 支持台
Claims (5)
- 試料を載置するステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出源と、
複数の開口部が形成され、前記複数の開口部全体を含む領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記荷電粒子ビームの一部が前記複数の開口部のうちの対応する開口部をそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイ基板と、
前記マルチビームの各ビームをそれぞれ個別にブランキング偏向するブランキングアパーチャアレイ機構と、
ビームOFFの状態になるようにブランキング偏向されたビームを遮蔽する制限アパーチャ基板と、
前記マルチビームのうちビームONの状態の複数のビームを前記試料上に一括して偏向すると共に、前記マルチビームのすべてのビームがビームOFFの状態になるようにブランキング偏向された状態で、前記制限アパーチャ基板により遮蔽しきれず前記制限アパーチャ基板を通過するマルチ漏れビームを前記試料上の所望の位置に一括して偏向する偏向器と、
前記マルチビームのすべてのビームがビームOFFの状態になるようにブランキング偏向された状態で、前記マルチ漏れビームの各漏れビームの照射位置を複数の位置にずらすように前記偏向器を制御する偏向制御回路と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム露光装置。 - 描画対象となる図形パターンが配置されるチップのチップデータを記憶する記憶装置をさらに備え、
前記偏向制御回路は、前記マルチビームが照射可能な照射領域が前記チップのチップ領域外であって前記試料上の前記チップ領域内を描画するための待機位置に配置されている状態において、前記マルチ漏れビームの各漏れビームの照射位置を前記複数の位置に順にずらすように前記偏向器を制御することを特徴とする請求項1記載のマルチ荷電粒子ビーム露光装置。 - 描画対象となる他のチップのチップ領域内の入射照射量を演算する照射量演算部と、
前記待機位置が前記他のチップのチップ領域と重なり合う場合に、前記重なり合う領域における前記他のチップ用の入射照射量を補正する補正部と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項2記載のマルチ荷電粒子ビーム露光装置。 - 荷電粒子ビームによるマルチビームを形成する工程と、
前記マルチビームの各ビームをそれぞれ個別にブランキング偏向する工程と、
前記マルチビームのうちビームONになる少なくとも1つのビームを前記試料上に照射する工程と、
前記マルチビームのすべてのビームがビームOFFの状態になるようにブランキング偏向されている期間中、ビームOFFの状態になるビームを遮蔽する制限アパーチャ基板により遮蔽しきれず前記制限アパーチャ基板を通過するマルチ漏れビームの各漏れビームの照射位置を試料上の複数の位置にずらすように前記マルチ漏れビームを一括して偏向する工程と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム露光方法。 - 前記マルチビームが照射可能な照射領域が描画対象となる図形パターンが配置されるチップのチップ領域外であって前記試料上の前記チップ領域内を描画するための待機位置に配置されている状態において、前記待機位置が描画対象となる他のチップのチップ領域と重なり合う場合に、前記重なり合う領域における前記他のチップ用の入射照射量を補正する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項4記載のマルチ荷電粒子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016238803A JP6845000B2 (ja) | 2016-12-08 | 2016-12-08 | マルチ荷電粒子ビーム露光装置およびマルチ荷電粒子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016238803A JP6845000B2 (ja) | 2016-12-08 | 2016-12-08 | マルチ荷電粒子ビーム露光装置およびマルチ荷電粒子ビーム露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018098269A true JP2018098269A (ja) | 2018-06-21 |
JP6845000B2 JP6845000B2 (ja) | 2021-03-17 |
Family
ID=62633803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016238803A Active JP6845000B2 (ja) | 2016-12-08 | 2016-12-08 | マルチ荷電粒子ビーム露光装置およびマルチ荷電粒子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6845000B2 (ja) |
-
2016
- 2016-12-08 JP JP2016238803A patent/JP6845000B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6845000B2 (ja) | 2021-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101934320B1 (ko) | 멀티 하전 입자빔의 블랭킹 장치, 멀티 하전 입자빔 묘화 장치, 및 멀티 하전 입자빔의 불량빔 차폐 방법 | |
JP6080540B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置 | |
KR102215251B1 (ko) | 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 | |
JP2019033117A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
KR102093809B1 (ko) | 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 | |
JP6727021B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム照射装置、マルチ荷電粒子ビームの照射方法及びマルチ荷電粒子ビームの調整方法 | |
US10607812B2 (en) | Multiple charged particle beam writing apparatus, and multiple charged particle beam writing method | |
JP2016103557A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP7002837B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2016082106A (ja) | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2016207815A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2016001725A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2020021919A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
US11145489B2 (en) | Multi-charged-particle beam writing apparatus and multi-charged-particle beam writing method | |
US10147580B2 (en) | Multi charged particle beam blanking apparatus, multi charged particle beam blanking method, and multi charged particle beam writing apparatus | |
KR20200049622A (ko) | 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 | |
JP2017037976A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2018137358A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画方法およびマルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
KR102550381B1 (ko) | 멀티 빔 묘화 방법 및 멀티 빔 묘화 장치 | |
JP2018098242A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置およびマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6845000B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム露光装置およびマルチ荷電粒子ビーム露光方法 | |
JP2020035871A (ja) | マルチビーム用アパーチャセット、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
WO2022030064A1 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2019021765A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
US10586682B2 (en) | Method of obtaining beam deflection shape and method of obtaining arrangement angle of blanking aperture array plate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201020 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6845000 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |