JP2018095836A - 正及び負のシリカ粒子を含むcmp研磨組成物 - Google Patents
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Abstract
【課題】絶縁体又は酸化物基材の研磨の改善を可能にし、輸送安定性の改善された、水性ケミカルメカニカルプラナリゼーション(CMP)研磨組成物を提供する。【解決手段】正帯電シリカ粒子組成物を、CMP研磨組成物中の全シリカ粒子固形分に基づいて合計3〜20重量%の一つ以上の負帯電シリカ粒子組成物とともに含み、シリカ粒子が、動的光散乱法(DLS)によって測定して5〜50nmのZ平均粒子径を有する、水性CMP研磨組成物。正帯電シリカ粒子組成物中のシリカ粒子のZ平均粒子径(DLS)と一つ以上の負帯電シリカ粒子組成物中のシリカ粒子のZ平均粒子径(DLS)との比は1:1〜5:1又は好ましくは5:4〜3:1の範囲。【選択図】なし
Description
本発明は、正帯電シリカ粒子組成物と負帯電シリカ組成物との混合物を含む、特に、正帯電シリカ粒子がアミノシラン基含有シリカ粒子であり、正帯電シリカ組成物の平均粒子径が負帯電シリカ組成物の平均粒子径よりも大きい、水性ケミカルメカニカルプラナリゼーション(CMP)研磨組成物及び同組成物を製造する方法に関する。
以前より、砥粒の混合が、ときには、ケミカルメカニカルプラナリゼーションCMP工程におけるSiO2又は酸化物含有基材面の研磨速度を高めたり、他のやり方でその工程を改善したりしてきた。
以前より、水性シリカCMP研磨組成物中にアミノシラン類を使用するものは常に輸送安定性の問題を抱えていた。シリカ粒子は一般に、特にシリカ粒子が溶液の20重量%を超える濃縮物では、4〜7.5のpH範囲でゲル化又は凝集する。研磨を支援するためにシランをCMP研磨組成物に加えると、正電荷を増すことができ、したがって、必要なシリカは少なくなる。しかし、アミノシランをシリカCMP研磨組成物に加えると、正帯電シリカ粒子が二酸化ケイ素表面の研磨の場合に高い除去速度を示す4〜7のpHで、安定性の問題が生じる。アミノシランの添加は、シリカ含有CMP研磨組成物中のシリカ面の静電反発力を減らし、それにより、そのコロイド安定性を低下させるおそれがある。
Grumbineらへの米国特許公開公報第US20150267082は、第一及び第二の2種類のシリカ粒子の混合物であって、第一の粒子が、10〜130nmの平均粒子径を有し、少なくとも10mVの永久正帯電コロイダルシリカであり、第二の粒子が、中性又は非永久正電荷及び80〜200nmの平均粒子径を有する混合物を開示している。第一のシリカ粒子はアミノシランで処理され、第二のシリカ粒子は第四級アミン化合物で処理されることができる。Grumbineは、第一のシリカ粒子をアミノシランで処理するための詳細な方法を開示できていない。さらに、Grumbineに開示された組成物は、絶縁基材、たとえばテトラエトキシシラン(TEOS)の研磨の改善を提供できていない。
本発明者らは、層間絶縁体(ILD)のような絶縁基材のCMP研磨組成物を改善する水性シリカCMP研磨組成物を提供する課題を解決しようと尽力した。
1.本発明にしたがって、水性ケミカルメカニカルプラナリゼーション(CMP)研磨組成物は、正帯電シリカ粒子組成物と、CMP研磨組成物中の全シリカ粒子固形分に基づいて合計3〜20重量%又は3〜17.5重量%、好ましくは5〜12重量%又はより好ましくは7〜10重量%の一つ以上の負帯電シリカ粒子組成物との混合物を含み、混合物を形成する前、負帯電シリカ粒子は、動的光散乱法(DLS)によって測定して5〜50nmのZ平均粒子径を有し、混合物を形成する前、正帯電シリカ粒子組成物中のシリカ粒子のZ平均粒子径(DLS)と一つ以上の負帯電シリカ粒子組成物中のシリカ粒子のZ平均粒子径(DLS)との比が1:1〜5:1又は好ましくは5:4〜3:1の範囲である。
2.正帯電シリカ粒子組成物が、第三級アミン基を含むアミノシラン、たとえばN,N−(ジエチルアミノメチル)トリエトキシシラン、少なくとも一つの第二級アミン基を含むアミノシラン、たとえばN−アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン(AEAPS)もしくはN−エチルアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン(DEAPS、DETAPSとも呼ばれる)又は好ましくは第三級アミン基を含むそれらの混合物から選択される一つ以上のアミノシランを含むシリカ粒子を含む、上記項目1に記載の水性CMP研磨組成物。
3.正帯電シリカ粒子組成物のゼータ電位がpH3.5で10〜35mV又は好ましくは15〜30mVの範囲である、上記項目1又は2のいずれか一つに記載の水性CMP研磨組成物。
4.組成物が3.5〜5のpH又は好ましくは4.0〜4.7のpHを有する、上記項目1、2又は3のいずれか一つに記載の水性CMP研磨組成物。
5.組成物が1〜30重量%の全シリカ粒子固形分を含む、又は組成物が好ましくは15〜25重量%もしくはより好ましくは18〜24重量%の全シリカ粒子固形分を有する濃縮物である、上記項目1、2、3又は4のいずれか一つに記載の水性CMP研磨組成物。
6.組成物が反対の電荷を有する二つのタイプのシリカ粒子を混合することによって形成された凝集シリカ粒子を含む、上記項目1〜5のいずれか一つに記載の水性CMP研磨組成物。
7.混合物を形成する前、正帯電シリカ粒子組成物中のシリカ粒子の、動的光散乱法(DLS)によって測定されるZ平均粒子径が25〜150nm、好ましくは30〜70nmの範囲である、上記項目1〜6のいずれか一つに記載の水性CMP研磨組成物。
8.本発明の別個の態様にしたがって、水性ケミカルメカニカルプラナリゼーション(CMP)研磨組成物を製造する方法は、水性アミノシランのpHを強酸、好ましくは硝酸によって3〜8、好ましくは3.5〜4.5に調節し、それを5〜600分又は好ましくは5〜120分の期間放置して、アミノシラン中のシリケート結合を加水分解させ、加水分解水性アミノシランを形成し、加水分解水性アミノシランのpHを強酸によって3〜5、好ましくは3.5〜4.5に調節する工程;別個に、動的光散乱法(DLS)によって測定して25〜150nm、好ましくは30〜70nmのZ平均粒子径を有する第一の水性シリカスラリーのpHを強酸、好ましくは硝酸によって3.5〜5、好ましくは4.0〜4.7のpHに調節して、第一の水性シリカスラリーを形成する工程;第一の水性シリカスラリーと加水分解水性アミノシランとを剪断を加えながら合わせて、水性正帯電シリカ粒子組成物を形成する工程;別個に、5〜50nmのZ平均粒子径(DLS)を有する一つ以上の負帯電水性シリカスラリーのpHを強酸、好ましくは硝酸によって3.5〜5、好ましくは4.0〜4.7に調節して、第二の水性シリカスラリー組成物を形成する工程;及び水性正帯電シリカ粒子組成物を、CMP研磨組成物中のシリカ粒子固形分の総重量に基づいて3〜20重量%又は3〜17.5重量%又は好ましくは5〜12重量%又はより好ましくは7〜10重量%の全量の第二の水性シリカスラリー組成物と合わせる工程を含み、第一の水性シリカスラリー中のシリカのZ平均粒子径と第二の水性シリカスラリー組成物中のシリカのZ平均粒子径との比が1:1〜5:1又は好ましくは5:4〜3:1の範囲である。
9.本発明の項目8に記載の水性CMP研磨組成物を製造する方法にしたがって、水性アミノシランは、第三級アミン基を含むアミノシラン、たとえばN,N−(ジエチルアミノメチル)トリエトキシシラン、少なくとも一つの第二級アミン基を含むアミノシラン、たとえばN−アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン(AEAPS)もしくはN−エチルアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン(DEAPS、DETAPSとも呼ばれる)又はそれらの混合物から選択される一つ以上のアミノシランを含む。
10.本発明の上記項目8又は9のいずれか一つに記載の水性CMP研磨組成物を製造する方法にしたがって、組成物は濃縮物であり、水性ケミカルメカニカルプラナリゼーション(CMP)研磨組成物の全シリカ粒子固形分は15〜25重量%又は好ましくは18〜24重量%の範囲である。
11.本発明の上記項目8、9又は10のいずれか一つに記載の水性CMP研磨組成物を製造する方法にしたがって、方法はさらに、水性CMP研磨組成物を、組成物の総重量に基づいて1〜10重量%の全シリカ粒子固形分まで希釈する工程を含む。
別段指示されない限り、温度及び圧力の条件は周囲温度及び標準圧力である。記載されるすべての範囲は包括的かつ組み合わせ可能である。
別段指示されない限り、括弧を含む語は、選択的に、括弧が存在しない場合の完全な語及び括弧を有しないその語ならびに各選択の組み合わせを指す。たとえば、「(ポリ)アミン」は、アミン、ポリアミン又はそれらの混合物を指す。
すべての範囲は包括的かつ組み合わせ可能である。たとえば、「50〜3000cPの範囲又は100cP以上」は、50〜100cP、50〜3000cP及び100〜3000cPそれぞれを含む。
本明細書の中で使用される「ASTM」とは、ASTM International(West Conshohocken, PA)の刊行物をいう。
本明細書の中で使用される「ISO」とは、International Organization for Standardization(Geneva, CH)の刊行物をいう。
本明細書の中で使用される「硬い塩基」とは、NaOH、KOH又はCsOHのようなアルカリ金属水酸化物を含む金属水酸化物をいう。
本明細書の中で使用される「シリカ粒子固形分」とは、所与の組成物に関し、正帯電シリカ粒子の全量+負帯電シリカ粒子の全量+他のシリカ粒子の全量(それらの粒子いずれかが処理されるものを含む)をいう。
本明細書の中で使用される「固形分」とは、その物理的状態にかかわらず使用条件下で揮発しない、水又はアンモニア以外の物質をいう。したがって、使用条件下で揮発しない液体シラン類又は添加物は「固形分」とみなされる。
本明細書の中で使用される「強酸」とは、2以下のpKaを有するプロトン酸、たとえば硫酸又は硝酸のような無機酸をいう。
本明細書の中で使用される「使用条件」とは、所与の組成物が使用されるときの温度及び圧力(使用中の温度及び圧力の上昇を含む)をいう。
本明細書の中で使用される「重量%」とは重量百分率の略である。
本明細書の中で使用される「Z平均粒子径(DLS)」とは、製造者の推奨にしたがって校正されたMalvern Zetasizer装置(Malvern Instruments, Malvern, UK)を使用する動的光散乱法(DLS)によって計測された、指示された組成物のZ平均粒子径をいう。Z平均粒子径は、ISO法ISO13321:1996又はそのより新しい付録ISO22412:2008によって計算される直径である、強さ重み付き調和平均径である。粒子径計測は、実施例に記載するように、濃縮スラリー又は希釈スラリーに対して実施した。別段指示されない限り、粒子径計測は、1%w/wシリカ粒子固形分まで希釈された、3.5〜4.5の範囲のpHを有するスラリー組成物に対して実施した。
本明細書の中で使用される「ゼータ電位」とは、Malvern Zetasizer計器(Malvern Instruments, Malvern, UK)によって計測される所与の組成物の界面動電位をいう。別段指示されない限り、すべてのゼータ電位計測は、実施例に記載されたpH及び固形分の所与のスラリー組成物、たとえば濃縮物に対して実施した。報告される値は、各指示された組成物に関して計器によって読み取られた>20の獲得値を使用してゼータ値の平均化計測値から得たものである。シリカ粒子の濃度、イオン強度及び計測溶液のpHがすべてゼータ電位に影響する。
本発明者らは、驚くことに、正帯電シリカ粒子の組成物を、正帯電シリカ粒子に対して径が小さい、又は等しい、少量の負帯電シリカ粒子の組成物と混合することが、正帯電シリカ粒子の正のゼータ電位に有意に影響することなく、シリカ(TEOS)ウェーハにおける研磨速度の増大を提供するということを見いだした。加えて、本発明者らは、少量のより小さい負帯電シリカ粒子(Z平均(DLS)5〜50nm)の添加が、アミノシラン基含有シリカ粒子の研磨速度を実質的に改善することができることを見いだした。シリカ粒子の混合物を含む水性組成物は室温で7日間、コロイド状に安定なままである(目に見える沈降物がない)。そのような組成物は、ゼータ電位の最小限の低下(ゼータ電位は30%未満しか低下しない)及び光散乱法によって測定される平均粒子径の小さな増大の両方を示す。本発明の混合物中で凝集工程を生じさせて、負及び正両方のシリカ粒子を中に有する凝集物を製造することもできる。
負シリカ粒子と正シリカ粒子との簡単な混合が、凝集物又は二次粒子、たとえば、負帯電シリカ粒子をその表面に有する正帯電シリカ粒子を含むことができ、3.5〜5のpH範囲で(Grumbineに記載されているような)二つの粒子組成物の既知の混合物よりも改善された研磨効果を有する組成物を創出する。加えて、本発明にしたがって、一つのシリカ粒子が改質又は表面処理されるだけで、正帯電シリカ組成物が形成する。したがって、本発明は、シリカ粒子を改質した後いつでも、アミノシラン処理又は改質された正帯電シリカ組成物を負帯電シリカ粒子と合わせることにより、シリカ粒子凝集を変化させることを可能にする。それにより、本発明は、製造の時点ではなく配給又は使用の時点で、特定の用途のためにカスタマイズされたスラリー性質の調合を可能にする。
本発明の加水分解水性アミノシラン類にしたがって、そのような組成物は、貯蔵中に形成したシリケート結合を加水分解するために放置される。一つ以上の第二級アミン基を含むアミノシラン類の場合、そのような水性アミノシラン類のpHは、7〜8で5〜600分間、たとえば5〜120分間維持されたのち、強酸で3.5〜5に調節される。一つ以上の第二級アミン基を有するアミノシラン類は好ましくないため、加水分解水性アミノシランを製造する好ましい方法は、本発明の水性アミノシラン、たとえば一つ以上の第三級アミノ基を有する水性アミノシランのpHを3.5〜4.5に調節し、それを5〜600又は5〜120分間放置する工程を含む。
本発明の水性CMP研磨組成物のコロイド安定性を保証するために、組成物は、3.5〜5又は好ましくは4.0〜4.7の範囲のpHを有する。組成物は、所望のpH範囲を超えるとその安定性を失う傾向にある。
本発明にしたがって、正帯電シリカ粒子は、水性シリカスラリー中のシリカ粒子を加水分解水性アミノシラン組成物と混合することによって形成される。混合するとき、水性シリカスラリー及び加水分解水性アミノシラン組成物のpHは3〜5の範囲である。したがって、正帯電シリカ粒子組成物中のシリカ粒子はアミノシランを含み、正帯電シリカ粒子は、たとえば、シリカ粒子表面と結合又は会合したアミノシランを含む。
本発明にしたがって、正帯電シリカ粒子中のアミノシラン類は、より多くのアミノシランがより小さなシリカ粒子とともに使用され、より少ないアミノシランがより大きなシリカ粒子とともに使用されるような量で使用される。
本発明のアミノシラン基を含む正帯電シリカ粒子を製造するための使用に適切なアミノシラン類は、第三級アミン基及び第二級アミン基を含むアミノシラン類である。そのようなアミノシラン類は、本発明の水性シリカCMP研磨組成物の所望のpH範囲(pH3.5〜5)で、第一級アミン基含有アミノシラン類よりも容易に加水分解される。
好ましくは、本発明の第二級アミン基含有アミノシラン類は、一つ以上の負帯電シリカ粒子組成物が組成物中のシリカ粒子固形分の総重量に基づいて3〜7.5重量%の全量で存在するとき、最高の性能を発揮する。
好ましくは、本発明のCMP研磨組成物にしたがって、使用されるアミノシラン類の全量は、シリカ粒子固形分1Kgあたり3〜40ミリモル(mM/kgシリカ)又はより好ましくは3〜20(mM/kgシリカ)の範囲である。
本発明の組成物は、層間絶縁体(ILD)のような絶縁体研磨のためのものである。
実施例
以下の実施例が本発明の様々な特徴を説明する。
以下の実施例が本発明の様々な特徴を説明する。
以下の実施例においては以下の材料を使用した。
スラリーA:ケイ酸Na(水ガラス)から作られたシリカの水性スラリーであるKlebosol(商標)B25シリカ(Merck KgAA, Darmstadt, Germany)、固形分30%w/w、pH7.7〜7.8、平均粒子径(密度勾配遠心分離法)38nm
スラリーB:ケイ酸Na(水ガラス)から作られたシリカの水性スラリーであるKlebosol(商標)B12シリカ(Merck KgAA, Darmstadt, Germany)、固形分30%w/w、pH7.7〜7.8、平均粒子径(密度勾配遠心分離法)25nm
アミノシラン1:第三級アミノ基を含むN,N−(ジエチルアミノメチル)トリエトキシシラン(DEAMS)、98%(Gelest Inc., Morrisville, PA)
アミノシラン2:第二級アミノ基を含むN−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(AEAPS)、98%(Gelest Inc.)
以下の実施例においては以下の略号を使用した。
POU:ポイントオブユース;RR:除去速度
以下の実施例においては以下の試験法を使用した。
初期pH:試験される組成物の「初期pH」とは、以下に開示される指示された濃縮組成物が製造されたときそれらから一度だけ計測されたpHである。
POUのpH:ポイントオブユースのpH(POUのpH)とは、指示された濃縮組成物を指示された固形分まで水で希釈したのち除去速度試験中に計測されたpHである。
除去速度:指示された研磨機、たとえばStrasbaugh 6EC 200mmウェーハ研磨機もしくは「6EC RR」(San Luis Obispo, CA)またはApplied Materials Mirra(商標)20mm研磨機もしくは「Mirra RR」(Applied Materials, Santa Clara, CA)を、指示通り、指示されたダウンフォースならびにテーブルおよびキャリヤ回転速度(rpm)で、指示されたCMP研磨パッドおよび砥粒スラリー(流量200mL/min)とともに使用する、指示された基材に対する研磨から除去速度試験を実施した。Diagrid(商標)AD3BG-150855ダイアモンドパッドコンディショナ(Kinik Company, Taiwan)を使用して研磨パッドをコンディショニングした。CMP研磨パッドを、パッドコンディショナにより、6.35kg(14.0lb)のダウンフォースを使用して20分間ならし運用し、さらに、研磨の前に、4.1kg(9lb)のダウンフォースを使用して10分間コンディショニングした。CMP研磨パッドをさらに、研磨中、4.1kg(9lb)のダウンフォースを用いて、研磨パッドの中心から4.3〜23.5cmまでを10スイープ/分でインサイチューでコンディショニングした。研磨の前後に、49点スパイラルスキャンを使用するKLA-Tencor FX200計測ツール(KLA Tencor, Milpitas, CA)を使用して、エッジ除外領域3mmで膜厚さを計測することによって除去速度を測定した。
Z平均粒子径:製造者の推奨にしたがって校正されたMalvern Zetasizer装置(Malvern Instruments, Malvern, UK)を使用する動的光散乱法(DLS)により、上記やり方及び実施例に規定された濃度で、指示された組成物のZ平均粒子径を計測した。
ゼータ電位:Malvern Zetasizer計器により、上記やり方ならびに実施例に規定された濃度およびpHで、指示された組成物のゼータ電位を計測した。
実施例1〜6
硝酸を使用して、水中に固形分24.8%w/wまで希釈されたスラリーA粒子をpH4.25に調節した。以下の表1に示されるところで、前加水分解(N,N−ジエチルアミノメチル)トリエトキシシラン(アミノシラン1)の3.7%w/w水溶液(pH4.25)をスラリーA粒子に加えて、得られたスラリー組成物をシラン中0.005モル(5mm)にした。得られた正帯電シリカ粒子スラリーのpHを4.1〜4.25で3時間維持し、この時点におけるシリカの含有率は全湿潤組成物の約24重量%であった。3時間後、(負帯電)粒子の指示されたシリカスラリーの指示された量を、24重量%まで希釈された全粒子濃度を維持するのに十分な水とともに配合物に加えた。負帯電シリカ粒子の添加の前に、正帯電シリカ粒子組成物および負粒子組成物のpHを4.1にセットした。実施例6は、負帯電シリカ粒子を添加せず、比較例であった。実施例6のスラリーA粒子を上記のように加水分解水性アミノシラン類と合わせた。
硝酸を使用して、水中に固形分24.8%w/wまで希釈されたスラリーA粒子をpH4.25に調節した。以下の表1に示されるところで、前加水分解(N,N−ジエチルアミノメチル)トリエトキシシラン(アミノシラン1)の3.7%w/w水溶液(pH4.25)をスラリーA粒子に加えて、得られたスラリー組成物をシラン中0.005モル(5mm)にした。得られた正帯電シリカ粒子スラリーのpHを4.1〜4.25で3時間維持し、この時点におけるシリカの含有率は全湿潤組成物の約24重量%であった。3時間後、(負帯電)粒子の指示されたシリカスラリーの指示された量を、24重量%まで希釈された全粒子濃度を維持するのに十分な水とともに配合物に加えた。負帯電シリカ粒子の添加の前に、正帯電シリカ粒子組成物および負粒子組成物のpHを4.1にセットした。実施例6は、負帯電シリカ粒子を添加せず、比較例であった。実施例6のスラリーA粒子を上記のように加水分解水性アミノシラン類と合わせた。
実施例1〜6のスラリーのゼータ電位を、濃縮スラリーに対し、12日間の熟成後、表1に指示されたpH(熟成pH)で計測した。実施例1〜6における粒子径は、脱イオン水を使用して約1重量%シリカまで希釈された熟成スラリーに対して計測した。負帯電シリカ粒子組成物の添加前かつアミノシラン添加後の正帯電シリカ粒子組成物(スラリーA+アミノシラン)のゼータ電位は、実施例6に類似し、したがって約+17mVであると予想される。pH4.0におけるスラリーA(アミノシランなし)のゼータ電位計測は−21mVを与えた。pH4.0におけるスラリーB(アミノシランなし)のゼータ電位計測は−15mVを与えた。24重量%スラリー組成物またはスラリー濃縮物を、研磨試験の前、室温で12日間貯蔵した。TEOS材料の除去速度を得るためのStrasbaugh 6ECによる研磨のためにスラリー濃縮物を4%まで希釈し、希釈後のpHを水酸化カリウムによって4.75に調節した。Strasbaugh 6EC 200mmウェーハ研磨機を、20.7/34.5kPaで、93rpmのテーブル速度および87rpmの基材キャリヤ速度で作動させた。性能を試験するために、テトラエトキシシラン(TEOS)ウェーハを200mL/minの流量で研磨した。別段指示されない限り、Dow Electronic MaterialsのIC1010(商標)パッドを使用した。1010(商標)パッドは、厚さ80mil、ショアD硬さ57のウレタンパッドである。(The Dow Chemical Company, Midland, MI, (Dow))を使用して基材を研磨した。結果を以下の表1に示す。
上記表1に示すように、実施例1、2及び3において、より小さい負帯電シリカ粒子を正帯電シリカと混合すると、除去速度の有意な増大が得られた。さらに、実施例1および2における限られた量の負帯電粒子を含む組成物は、負帯電シリカ粒子12.5重量%を含む実施例3の本発明組成物よりも良好な性能を発揮するように思われる。実施例1〜3において、より多量の、より小さいスラリーB負帯電粒子の添加はZ平均粒子径の増大をもたらし、それは、正および負粒子の凝集の傾向を明らかにする。実施例4及び5において、正帯電シリカ粒子組成物中のシリカ粒子のZ平均粒子径と正帯電シリカ粒子中のシリカ粒子のZ平均粒子径との比は1:1であり、好ましい比ではなかった。これらの実施例における組成物の性能は有意に改善されたが、実施例1、2及び3におけるほどは改善されなかった。
実施例7
混合後の正帯電シリカ粒子と負帯電シリカ粒子との間の凝集(あるならば)の速度を測定するために、Z平均粒子径の経時変化を評価する試験を実施した。硝酸を使用して、水中に約24%w/wまで希釈されたスラリーA粒子をpH4.25に調節した。前加水分解(N,N−ジエチルアミノメチル)トリエトキシシランの3.7%w/w水溶液(pH4.25)を粒子に加えて、溶液をシラン中0.005モル(5mm)にした。溶液のpHを4.15〜4.25で1時間維持し、この時点におけるシリカの総重量%は24%であった。次いで、硝酸を使用してpHを4.0に調節し、組成物を16時間貯蔵したのち、正帯電粒子および負帯電粒子のいずれかを混合し、試験した。試験当日、硝酸を使用して、固形分30重量%のスラリーBをpH4.5に調節した。次いで、スラリーAおよびスラリーB粒子を、直接Malvern DLSキュベット(Malvern Instruments)中、22.2%w/w固形分スラリーA−アミノシラン1と1.8%w/w固形分スラリーBとの比で混合した。粒子径の計測は、全シリカ濃度24%で実施した。粒子径の計測は、10秒ごとに前方散乱モードで取得し、スラリーA−アミノシラン1粒子の初期計測は、スラリーB負帯電粒子を30秒マークで添加する前の三つの時点で実施した。pH効果を調べるために、計測を開始する前に、KOHを使用してスラリーA−アミノシラン1アリコット(溶液のバルク)をpH4.1、4.5および4.8に調節した。結果を、添加前の三つのデータ点の平均および添加後60秒での三つのデータ点の平均として、以下の表2にまとめる。DLSによって追跡された総試験時間は20分であった。
混合後の正帯電シリカ粒子と負帯電シリカ粒子との間の凝集(あるならば)の速度を測定するために、Z平均粒子径の経時変化を評価する試験を実施した。硝酸を使用して、水中に約24%w/wまで希釈されたスラリーA粒子をpH4.25に調節した。前加水分解(N,N−ジエチルアミノメチル)トリエトキシシランの3.7%w/w水溶液(pH4.25)を粒子に加えて、溶液をシラン中0.005モル(5mm)にした。溶液のpHを4.15〜4.25で1時間維持し、この時点におけるシリカの総重量%は24%であった。次いで、硝酸を使用してpHを4.0に調節し、組成物を16時間貯蔵したのち、正帯電粒子および負帯電粒子のいずれかを混合し、試験した。試験当日、硝酸を使用して、固形分30重量%のスラリーBをpH4.5に調節した。次いで、スラリーAおよびスラリーB粒子を、直接Malvern DLSキュベット(Malvern Instruments)中、22.2%w/w固形分スラリーA−アミノシラン1と1.8%w/w固形分スラリーBとの比で混合した。粒子径の計測は、全シリカ濃度24%で実施した。粒子径の計測は、10秒ごとに前方散乱モードで取得し、スラリーA−アミノシラン1粒子の初期計測は、スラリーB負帯電粒子を30秒マークで添加する前の三つの時点で実施した。pH効果を調べるために、計測を開始する前に、KOHを使用してスラリーA−アミノシラン1アリコット(溶液のバルク)をpH4.1、4.5および4.8に調節した。結果を、添加前の三つのデータ点の平均および添加後60秒での三つのデータ点の平均として、以下の表2にまとめる。DLSによって追跡された総試験時間は20分であった。
上記表2に示すように、1分以内に小さな程度の凝集が起こる。その後、試験の1〜20分の間にDLSによる粒子径の成長は認められなかった。したがって、4〜5の本発明pH範囲において、凝集は速やかに起こり、制御された。動的光散乱法による検出では、ゲル形成または大きな粒子は形成しない。
実施例8〜10
脱イオン水110.43gをスラリーA2800gと混合した。硝酸を使用して溶液のpHを4.25に下げた。この混合物に、前加水分解アミノシラン2溶液89.6gを加えた。加水分解アミノシラン2溶液は、AEAPSモノマー2.22%w/wを含み、pH8で30分間加水分解させたのち、硝酸を使用してpH4.25に調節した。アミノシラン2とシリカとの反応の10分後および60分後、KOH及び/又は硝酸を使用してpHを再び4.2に調節した。60分間かく拌したのち、スラリーA−アミノシラン2濃縮物を室温で夜通し貯蔵した。合成から約16時間後、硝酸を使用して濃縮物のpHを3.5に下げ、濃縮物を室温で2ヶ月間貯蔵したのち、スラリーBコロイダルシリカとの混合実験を実施した。スラリーBに関しては、まず、硝酸を使用してシリカをpH4.1に酸性化した。次いで、スラリーBを、上記で調製した濃縮スラリーA−アミノシラン2にかく拌下で加えた。次に、水を加えて研磨(POU)のための指示された希釈を得たのち、KOHによって最終的に調節して、指示された研磨pHを達成した。Strasbaugh 6EC 200mmウェーハ研磨機を、20.7kPaで、93rpmのテーブル速度および87rpmのキャリヤ速度で作動させた。TEOSウェーハを200mL/minの流量で研磨した。Dow Electronic MaterialsのIC1010(商標)パッドを使用した。1010(商標)パッドは、厚さ80mil、ショアD硬さ57のウレタンパッドである。(The Dow Chemical Company, Midland, MI, (Dow))を使用して基材を研磨した。結果を以下の表3に示す。
脱イオン水110.43gをスラリーA2800gと混合した。硝酸を使用して溶液のpHを4.25に下げた。この混合物に、前加水分解アミノシラン2溶液89.6gを加えた。加水分解アミノシラン2溶液は、AEAPSモノマー2.22%w/wを含み、pH8で30分間加水分解させたのち、硝酸を使用してpH4.25に調節した。アミノシラン2とシリカとの反応の10分後および60分後、KOH及び/又は硝酸を使用してpHを再び4.2に調節した。60分間かく拌したのち、スラリーA−アミノシラン2濃縮物を室温で夜通し貯蔵した。合成から約16時間後、硝酸を使用して濃縮物のpHを3.5に下げ、濃縮物を室温で2ヶ月間貯蔵したのち、スラリーBコロイダルシリカとの混合実験を実施した。スラリーBに関しては、まず、硝酸を使用してシリカをpH4.1に酸性化した。次いで、スラリーBを、上記で調製した濃縮スラリーA−アミノシラン2にかく拌下で加えた。次に、水を加えて研磨(POU)のための指示された希釈を得たのち、KOHによって最終的に調節して、指示された研磨pHを達成した。Strasbaugh 6EC 200mmウェーハ研磨機を、20.7kPaで、93rpmのテーブル速度および87rpmのキャリヤ速度で作動させた。TEOSウェーハを200mL/minの流量で研磨した。Dow Electronic MaterialsのIC1010(商標)パッドを使用した。1010(商標)パッドは、厚さ80mil、ショアD硬さ57のウレタンパッドである。(The Dow Chemical Company, Midland, MI, (Dow))を使用して基材を研磨した。結果を以下の表3に示す。
実施例10において、スラリーBの5重量%固形分の添加によって有意な除去速度増大が達成された。比較例11において、多すぎるスラリーBは除去速度を低下させた。
Claims (10)
- 水性ケミカルメカニカルプラナリゼーション(CMP)研磨組成物であって、正帯電シリカ粒子組成物と、前記CMP研磨組成物中の全シリカ粒子固形分に基づいて合計3〜20重量%の一つ以上の負帯電シリカ粒子組成物との混合物を含み、前記混合物を形成する前、負帯電シリカ粒子が、動的光散乱法(DLS)によって測定して5〜50nmのZ平均粒子径を有し、前記混合物を形成する前、前記正帯電シリカ粒子組成物中のシリカ粒子のZ平均粒子径(DLS)と前記一つ以上の負帯電シリカ粒子組成物中のシリカ粒子のZ平均粒子径(DLS)との比が1:1〜5:1の範囲である、水性CMP研磨組成物。
- 前記一つ以上の負帯電シリカ粒子組成物の全量が、前記CMP研磨組成物中の全シリカ粒子固形分に基づいて5〜12重量%の範囲である、請求項1記載の水性CMP研磨組成物。
- 前記正帯電シリカ粒子組成物中のシリカ粒子のZ平均粒子径(DLS)と前記一つ以上の負帯電シリカ粒子組成物中のシリカ粒子のZ平均粒子径(DLS)との比が5:4〜3:1の範囲である、請求項1記載の水性CMP研磨組成物。
- 前記正帯電シリカ粒子組成物が、第三級アミン基を含むアミノシラン、少なくとも一つの第二級アミン基を含むアミノシラン又はそれらの混合物から選択される一つ以上のアミノシランを含むシリカ粒子を含む、請求項1記載の水性CMP研磨組成物。
- 前記アミノシランが第三級アミン基を含む、請求項4記載の水性CMP研磨組成物。
- 前記正帯電シリカ粒子組成物のゼータ電位がpH3.5で10〜35mVの範囲である、請求項1記載の水性CMP研磨組成物。
- 組成物が3.5〜5のpHを有する、請求項1記載の水性CMP研磨組成物。
- 組成物が1〜30重量%の全シリカ粒子固形分を含む、請求項1記載の水性CMP研磨組成物。
- 組成物が濃縮物であり、15〜25重量%の全シリカ粒子固形分を含む、請求項8記載の水性CMP研磨組成物。
- 水性ケミカルメカニカルプラナリゼーション(CMP)研磨組成物を製造する方法であって、
水性アミノシランのpHを強酸によって3〜8に調節し、それを5〜600分の期間放置して、前記アミノシラン類中のシリケート結合を加水分解させ、加水分解水性アミノシランを形成し、必要ならば、前記加水分解水性アミノシランのpHを3〜5に調節する工程;
別個に、動的光散乱法(DLS)によって測定して25〜150nmのZ平均粒子径を有する第一の水性シリカスラリーのpHを強酸によって3〜5に調節して、第一の水性シリカスラリーを形成する工程;
前記第一の水性シリカスラリーと前記加水分解水性アミノシランとを剪断を加えながら合わせて、水性正帯電シリカ粒子組成物を形成する工程;
別個に、5〜50nmのZ平均粒子径(DLS)を有する一つ以上の第二の水性シリカスラリーのpHを強酸によって3〜5に調節して、第二の水性スラリー組成物を形成する工程;及び
前記水性正帯電シリカ組成物を、前記CMP研磨組成物中のシリカ粒子固形分の総重量に基づいて3〜20重量%の全量の前記第二の水性シリカスラリー組成物と合わせる工程
を含み、前記第一の水性シリカスラリー中のシリカのZ平均粒子径と前記第二の水性シリカスラリー組成物中のシリカのZ平均粒子径との比が1:1〜5:1の範囲である、方法。
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