JP2018037639A - Semiconductor package and semiconductor package manufacturing method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor package capable of improving adhesion between a metallic plating layer and a resin part by a molecular junction layer.SOLUTION: A semiconductor package of an embodiment comprises a semiconductor chip, a conductive part, bonding wires, a mold resin part and a molecular junction layer. The bonding wires are provided between the semiconductor chip and the conductive part. The mold resin part covers the semiconductor chip, at least part of the conductive part and the bonding wires. The molecular junction layer is provided between at least surfaces of the bonding wires and the mold resin part. At least part of the molecular junction layer is chemically bonded with metal included in the bonding wires. At least part of the molecular junction layer is chemically bonded with resin included in the mold resin part.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明の実施形態は、半導体パッケージ、及び半導体パッケージの製造方法に関する。 Embodiments described herein relate generally to a semiconductor package and a semiconductor package manufacturing method.

ワイヤボンディングと、モールド樹脂部とを備えた半導体パッケージが知られている。   A semiconductor package provided with wire bonding and a mold resin portion is known.

特開２０１６−１１１０２６号公報JP 2016-1111026 A

本発明が解決しようとする課題は、分子接合層によって金属めっき層と樹脂部との密着性を向上させることができる半導体パッケージを提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a semiconductor package in which adhesion between a metal plating layer and a resin portion can be improved by a molecular bonding layer.

実施形態の半導体パッケージは、半導体チップと、導電部と、ボンディングワイヤと、モールド樹脂部と、分子接合層とを備えている。前記ボンディングワイヤは、前記半導体チップと前記導電部との間に設けられている。前記モールド樹脂部は、前記半導体チップ、前記導電部の少なくとも一部、及び前記ボンディングワイヤを覆う。前記分子接合層は、少なくとも前記ボンディングワイヤの表面と前記モールド樹脂部との間に設けられている。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記ボンディングワイヤに含まれる金属と化学結合している。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記モールド樹脂部に含まれる樹脂と化学結合している。   The semiconductor package of the embodiment includes a semiconductor chip, a conductive portion, a bonding wire, a mold resin portion, and a molecular bonding layer. The bonding wire is provided between the semiconductor chip and the conductive portion. The mold resin portion covers the semiconductor chip, at least a part of the conductive portion, and the bonding wire. The molecular bonding layer is provided at least between the surface of the bonding wire and the mold resin portion. At least a part of the molecular bonding layer is chemically bonded to a metal contained in the bonding wire. At least a part of the molecular bonding layer is chemically bonded to the resin contained in the mold resin portion.

第１の実施形態の電子機器の一例を示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view illustrating an example of an electronic apparatus according to the first embodiment. 第１の実施形態の半導体パッケージを示す断面図。Sectional drawing which shows the semiconductor package of 1st Embodiment. 第１の実施形態の半導体パッケージの一部を拡大して示す断面図。Sectional drawing which expands and shows a part of semiconductor package of 1st Embodiment. 第１の実施形態の分子接合層の組成の一例を模式的に示す図。The figure which shows typically an example of a composition of the molecular junction layer of 1st Embodiment. 第１の実施形態の半導体パッケージの製造方法の流れの一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the flow of the manufacturing method of the semiconductor package of 1st Embodiment. 第１の実施形態の第１変形例の半導体パッケージを示す断面図。Sectional drawing which shows the semiconductor package of the 1st modification of 1st Embodiment. 第１の実施形態の第２変形例の半導体パッケージの一部を示す断面図。Sectional drawing which shows a part of semiconductor package of the 2nd modification of 1st Embodiment. 第２の実施形態の半導体パッケージを示す断面図。Sectional drawing which shows the semiconductor package of 2nd Embodiment. 第３の実施形態の半導体パッケージの一部を示す断面図。Sectional drawing which shows a part of semiconductor package of 3rd Embodiment. 第４の実施形態の半導体パッケージの一部を示す断面図。Sectional drawing which shows a part of semiconductor package of 4th Embodiment.

以下、実施形態の半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法を、図面を参照して説明する。なお以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それらの重複する説明は省略する場合がある。なお、図面は模式的なものであり、各構成要素の数、厚み、幅、比率などは、現実のものと異なることがある。   Hereinafter, a semiconductor package and a method for manufacturing the semiconductor package of the embodiment will be described with reference to the drawings. In the following description, the same reference numerals are given to configurations having the same or similar functions. And those overlapping descriptions may be omitted. The drawings are schematic, and the number, thickness, width, ratio, and the like of each component may be different from actual ones.

（第１の実施形態）
まず、図１から図５を参照し、第１の実施形態について説明する。 (First embodiment)
First, the first embodiment will be described with reference to FIGS.

図１は、第１の実施形態の電子機器１の一例を示す斜視図である。電子機器１には、第１の実施形態の半導体パッケージ１０が搭載される。電子機器１は、例えばウェアラブル機器であるが、これに限定されない。電子機器１は、例えば、IOT（Internet Of Things）に対応した電子機器であり、無線または有線によってインターネットに接続可能である。この場合、半導体パッケージ１０の一例は、プロセッサ（例えば Central Processing Unit）と、センサと、無線モジュールとを有する。なお、電子機器１および半導体パッケージ１０は、上記例に限定されない。電子機器１は、車載用の電子機器でもよく、その他の用途の電子機器でもよい。半導体パッケージ１０は、車載用部品やパワー半導体として用いられる半導体部品でもよく、その他の用途に用いられる半導体部品でもよい。また、以下に示す第２及び第３の実施形態に係る半導体パッケージ１０は、上述したような電子機器１に搭載されてもよい。   FIG. 1 is a perspective view illustrating an example of an electronic apparatus 1 according to the first embodiment. The electronic device 1 includes the semiconductor package 10 according to the first embodiment. The electronic device 1 is, for example, a wearable device, but is not limited to this. The electronic device 1 is, for example, an electronic device compatible with IOT (Internet Of Things), and can be connected to the Internet wirelessly or by wire. In this case, an example of the semiconductor package 10 includes a processor (for example, Central Processing Unit), a sensor, and a wireless module. The electronic device 1 and the semiconductor package 10 are not limited to the above example. The electronic device 1 may be an in-vehicle electronic device or an electronic device for other purposes. The semiconductor package 10 may be a vehicle component, a semiconductor component used as a power semiconductor, or a semiconductor component used for other purposes. Further, the semiconductor package 10 according to the second and third embodiments described below may be mounted on the electronic apparatus 1 as described above.

図２は、第１の実施形態の半導体パッケージ１０を示す断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing the semiconductor package 10 of the first embodiment.

図２に示すように、半導体パッケージ１０は、例えば、金属ベース２０と、半導体チップ３０と、分子接合層４０と、ダイボンディング接着層５０と、ボンディングワイヤ６０と、リードフレーム７０と、モールド樹脂部８０とを備えている。   As shown in FIG. 2, the semiconductor package 10 includes, for example, a metal base 20, a semiconductor chip 30, a molecular bonding layer 40, a die bonding adhesive layer 50, a bonding wire 60, a lead frame 70, and a mold resin portion. 80.

金属ベース２０は、「ベース」の一例である。なお、本願で言う「ベース」とは、半導体チップ３０が固定される部材であればよく、金属製でなくてもよい。また、「ベース」は、「支持体」と称されてもよい。   The metal base 20 is an example of a “base”. The “base” in the present application may be a member to which the semiconductor chip 30 is fixed, and may not be made of metal. Further, the “base” may be referred to as a “support”.

金属ベース２０は、構成素材として導電性を有する金属（即ち金属素材）２０ｍを含む。金属ベース２０は、導電性を有する金属が用いることで、例えば半導体パッケージ１０のグランドとして機能する。言い換えると、半導体チップ３０は、ダイボンディング接着層５０を介して金属ベース２０に電気的に接続される（例えばグランド接続される）。また、金属ベース２０は、熱伝導率の高い材料が用いられる。熱伝導率の高い材料が用いられることで、半導体パッケージ１０の通常動作時の放熱性が高められる。このような金属ベース２０の材料（即ち第１素材）としては、Ｃｕ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、又はこれらの合金などが挙げられる。例えば、金属ベース２０の材料には、Ｃｕ又はＣｕとＭｏとの合金を用いることが好ましい。金属ベース２０の材料にこれらを用いることで、熱伝導率及び導電性の双方が高くなる。なお、ベースが金属以外で形成される場合、ベースの素材は、例えば、樹脂（即ち合成樹脂樹脂）、セラミック、またはその他の素材でもよい。   The metal base 20 includes a conductive metal (that is, a metal material) 20m as a constituent material. The metal base 20 functions as, for example, the ground of the semiconductor package 10 by using a conductive metal. In other words, the semiconductor chip 30 is electrically connected to the metal base 20 via the die bonding adhesive layer 50 (for example, grounded). The metal base 20 is made of a material having high thermal conductivity. By using a material having high thermal conductivity, the heat dissipation during normal operation of the semiconductor package 10 is enhanced. Examples of the material of the metal base 20 (that is, the first material) include Cu, Mo, Ag, W, Fe, Ni, or alloys thereof. For example, the metal base 20 is preferably made of Cu or an alloy of Cu and Mo. By using these for the material of the metal base 20, both thermal conductivity and conductivity are increased. When the base is formed of a material other than metal, the base material may be, for example, a resin (that is, a synthetic resin resin), ceramic, or other materials.

半導体チップ（例えばベアチップ）３０は、例えばシリコンを含む半導体を構成素材とする部材である。半導体チップ３０の一例は、「シリコンチップ」と称されてもよい。半導体チップ３０は、例えば、ＧａＮまたはＳｉＣなどを材料とするＨＦＥＴ（Heterojunction F即ちld Effect Transistor）、またはＳｉを材料とするＬＤＭＯＳ（Lateral Double Diffuse MOS Transistor）などである。また、半導体チップ３０のその他の例として、光半導体素子、圧電素子、メモリ素子、マイクロコンピュータ素子、センサ素子、又は無線通信用素子などが挙げられる。なお本願で言う「半導体チップ（または半導体チップ本体）」とは、電気回路を含むものであればよく、特定の用途の半導体チップに限定されない。半導体チップ３０の素材の一例は、シリコン３０ｍである。なお、分子接合層４０と化学結合（例えば共有結合）される半導体チップ３０の素材は、半導体チップ３０の表面に設けられた絶縁部に含まれる絶縁素材でもよい。この場合、以下の説明における「シリコン３０ｍ」は、「絶縁素材」と読み替えられてもよい。   The semiconductor chip (for example, bare chip) 30 is a member made of, for example, a semiconductor containing silicon. An example of the semiconductor chip 30 may be referred to as a “silicon chip”. The semiconductor chip 30 is, for example, an HFET (Heterojunction F or ld Effect Transistor) made of GaN or SiC, or an LDMOS (Lateral Double Diffuse MOS Transistor) made of Si. Other examples of the semiconductor chip 30 include an optical semiconductor element, a piezoelectric element, a memory element, a microcomputer element, a sensor element, or a wireless communication element. The “semiconductor chip (or semiconductor chip body)” in the present application is not limited to a semiconductor chip for a specific application as long as it includes an electric circuit. An example of the material of the semiconductor chip 30 is silicon 30m. Note that the material of the semiconductor chip 30 that is chemically bonded (for example, covalently bonded) to the molecular bonding layer 40 may be an insulating material included in an insulating portion provided on the surface of the semiconductor chip 30. In this case, “silicon 30m” in the following description may be read as “insulating material”.

半導体チップ３０は、第１面３０ａと、第２面３０ｂとを有する。第１面３０ａには、電気回路の一部としての導電パッド（即ち接続部、電気接続部、端子）３１が設けられている。第２面３０ｂは、第１面３０ａとは反対側に位置する。第２面３０ｂは、ダイボンディング接着層５０に面している。本実施形態では、導電パッド３１は、導電性金属を半導体チップ３０の第１面３０ａに金属めっきすることによって形成されている。導電性金属としては、例えば、Ａｕ、Ｎｉ、又はＣｕなどが用いられる。例えば、導電パッド３１は、回路のベースとなるＣｕめっきの上に、Ｎｉめっき、Ａｕめっきが順次積層された構造を有する。   The semiconductor chip 30 has a first surface 30a and a second surface 30b. On the first surface 30a, conductive pads (that is, connection portions, electrical connection portions, terminals) 31 as part of the electric circuit are provided. The second surface 30b is located on the opposite side to the first surface 30a. The second surface 30 b faces the die bonding adhesive layer 50. In the present embodiment, the conductive pad 31 is formed by metal plating a conductive metal on the first surface 30 a of the semiconductor chip 30. For example, Au, Ni, or Cu is used as the conductive metal. For example, the conductive pad 31 has a structure in which Ni plating and Au plating are sequentially laminated on Cu plating that is a base of a circuit.

ダイボンディング接着層５０は、金属ベース２０と半導体チップ３０との間に設けられている。ダイボンディング接着層５０は、例えばアンカー効果により、金属ベース２０と半導体チップ３０とを接着（即ち接合）する接続部材である。ダイボンディング接着層５０は、複数の導電粒子と、樹脂とを含む。ダイボンディング接着層５０は、ダイボンディング接着層５０に含まれた複数の導電粒子が相互に接して相互に導通することによって導電性を有する。言い換えると、複数の導電粒子は、金属ベース２０と半導体チップ３０とを電気的に接続している。   The die bonding adhesive layer 50 is provided between the metal base 20 and the semiconductor chip 30. The die bonding adhesive layer 50 is a connection member that bonds (that is, bonds) the metal base 20 and the semiconductor chip 30 by, for example, an anchor effect. The die bonding adhesive layer 50 includes a plurality of conductive particles and a resin. The die bonding adhesive layer 50 has conductivity when a plurality of conductive particles contained in the die bonding adhesive layer 50 are in contact with each other and are electrically connected to each other. In other words, the plurality of conductive particles electrically connect the metal base 20 and the semiconductor chip 30.

ボンディングワイヤ６０は、リードフレーム７０と半導体チップ３０の導電パッド３１との間に設けられている。例えば、ボンディングワイヤ６０は、リードフレーム７０と半導体チップ３０の導電パッド３１との間に延びた導線部材である。ボンディングワイヤ６０は、リードフレーム７０と半導体チップ３０の導電パッド３１とを電気的に接続している。ボンディングワイヤ６０は、例えば、金属６０ｍによって形成されている。金属６０ｍは、金、銅、または銅合金などである。金属６０ｍは、「第１金属（即ち第１金属素材，第１素材）」の一例である。   The bonding wire 60 is provided between the lead frame 70 and the conductive pad 31 of the semiconductor chip 30. For example, the bonding wire 60 is a conductive member that extends between the lead frame 70 and the conductive pad 31 of the semiconductor chip 30. The bonding wire 60 electrically connects the lead frame 70 and the conductive pad 31 of the semiconductor chip 30. The bonding wire 60 is made of, for example, a metal 60m. The metal 60m is gold, copper, copper alloy, or the like. The metal 60m is an example of “first metal (that is, first metal material, first material)”.

リードフレーム（即ち接続部、電気接続部、外部接続端子）７０は、「導電部」及び「金属部品」のそれぞれ一例である。リードフレーム７０は、半導体パッケージ１０の外部部材（例えば回路基板）に対する電気接続端子である。リードフレーム７０の少なくとも一部は、モールド樹脂部８０の外部に突出している。リードフレーム７０は、例えば、半導体パッケージ１０の内部配線の一部を形成している。   The lead frame (that is, the connection portion, the electrical connection portion, and the external connection terminal) 70 is an example of each of “conductive portion” and “metal component”. The lead frame 70 is an electrical connection terminal for an external member (for example, a circuit board) of the semiconductor package 10. At least a part of the lead frame 70 protrudes outside the mold resin portion 80. For example, the lead frame 70 forms part of the internal wiring of the semiconductor package 10.

図３は、本実施形態のリードフレーム７０を拡大して示す断面図である。   FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the lead frame 70 of the present embodiment.

図３に示すように、本実施形態のリードフレーム７０は、本体部７１と、このリードフレーム７０の表面に設けられた金属めっき層７２とを有する。   As shown in FIG. 3, the lead frame 70 of the present embodiment has a main body portion 71 and a metal plating layer 72 provided on the surface of the lead frame 70.

本体部７１は、リードフレーム７０の大部分を形成している。本体部７１は、「導電部本体」及び「金属基体」のそれぞれ一例である。本体部７１は、金属７１ｍによって形成されている。金属７１ｍは、銅または銅合金などである。金属７１ｍは、「第３金属（即ち第３金属素材、第３素材）」の一例である。なお、「第３金属」は、「第１金属」と同じでもよく、異なってもよい。   The main body 71 forms most of the lead frame 70. The main body portion 71 is an example of each of a “conductive portion main body” and a “metal substrate”. The main body 71 is made of metal 71m. The metal 71m is copper or a copper alloy. The metal 71m is an example of “third metal (that is, third metal material, third material)”. The “third metal” may be the same as or different from the “first metal”.

金属めっき層７２は、本体部７１の表面の少なくとも一部に設けられている。金属めっき層７２は、例えば、本体部７１の表面の全部に設けられている。金属めっき層７２は、本体部７１を酸化などの不具合から保護するための金属層である。本実施形態では、金属めっき層７２は、本体部７１の表面に設けられたバリア層である。   The metal plating layer 72 is provided on at least a part of the surface of the main body 71. For example, the metal plating layer 72 is provided on the entire surface of the main body 71. The metal plating layer 72 is a metal layer for protecting the main body 71 from defects such as oxidation. In the present embodiment, the metal plating layer 72 is a barrier layer provided on the surface of the main body 71.

例えば本体部７１が銅又は銅合金で形成されている場合、本体部７１が標準状態において空気又は湿気に長期間曝されると、銅成分が酸化することがある。このため、金属めっき層７２は、例えば本体部７１のなかで空気や湿気に晒される部分に設けられる。また、例えば、銅又は銅合金で形成された部材が、樹脂によって封止された状態で長期間使用されると、樹脂と接触している金属表面の銅成分が酸化することがある。そこで、金属めっき層７２は、例えば本体部７１のなかで少なくともモールド樹脂部８０に面する表面に設けられる。これにより、モールド樹脂部８０に面する本体部７１の表面が酸化などの不具合から保護される。   For example, when the main body 71 is made of copper or a copper alloy, the copper component may be oxidized when the main body 71 is exposed to air or moisture for a long time in a standard state. For this reason, the metal plating layer 72 is provided, for example, in a portion of the main body 71 that is exposed to air or moisture. For example, when a member formed of copper or a copper alloy is used for a long time in a state of being sealed with a resin, the copper component on the metal surface in contact with the resin may be oxidized. Therefore, for example, the metal plating layer 72 is provided on at least the surface of the main body portion 71 facing the mold resin portion 80. Thereby, the surface of the main body portion 71 facing the mold resin portion 80 is protected from defects such as oxidation.

また、銅成分が樹脂中に拡散することがあり、銅又は銅合金と樹脂との間の密着性が劣化することがある。このような現象は、１００℃以上の温度及び７５％以上の湿度を用いるプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ）によって確認することができる。本実施形態では、金属めっき層７２が設けられていることで、本体部７１の金属成分がモールド樹脂部８０に拡散することを抑制することができる。   Moreover, a copper component may diffuse in resin and the adhesiveness between copper or a copper alloy and resin may deteriorate. Such a phenomenon can be confirmed by a pressure cooker test (PCT) using a temperature of 100 ° C. or higher and a humidity of 75% or higher. In the present embodiment, by providing the metal plating layer 72, it is possible to prevent the metal component of the main body portion 71 from diffusing into the mold resin portion 80.

以上のように、種々の不具合から金属基体１１を保護する上で、金属めっき層７２が有用である。   As described above, the metal plating layer 72 is useful in protecting the metal substrate 11 from various problems.

金属めっき層７２を形成する金属は、例えば、保護機能（バリア性）を有する金属（即ちバリアメタル）である。金属めっき層７２は、金属７２ｍによって形成されている。金属７２ｍは、「第２金属（即ち第２金属素材、第２素材）」の一例である。本体部７１を形成する金属として銅又は銅合金が用いられる場合には、金属７２ｍは、例えば、ニッケル、ニッケル合金、チタン、チタン合金、タングステン、及びタングステン合金の少なくとも一つを含む。金属めっき層７２を形成する金属７２ｍは、本体部７１を形成する金属７１ｍに比べて拡散係数が小さい（即ちすなわち樹脂中に拡散しにくい）。なお、金属めっき層７２は、バリア層以外の機能を有した金属層でもよい。例えば、金属めっき層７２は、装飾などを目的とした金属層でもよい。   The metal forming the metal plating layer 72 is, for example, a metal having a protective function (barrier property) (that is, a barrier metal). The metal plating layer 72 is made of metal 72m. The metal 72m is an example of “second metal (that is, second metal material, second material)”. When copper or a copper alloy is used as the metal forming the main body 71, the metal 72m includes, for example, at least one of nickel, nickel alloy, titanium, titanium alloy, tungsten, and tungsten alloy. The metal 72m that forms the metal plating layer 72 has a smaller diffusion coefficient than the metal 71m that forms the main body 71 (that is, it is difficult to diffuse into the resin). The metal plating layer 72 may be a metal layer having a function other than the barrier layer. For example, the metal plating layer 72 may be a metal layer for decoration purposes.

金属めっき層７２の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上１０μｍ以下である。金属めっき層７２の厚みが上記下限値以上であると、金属めっき層７２の保護機能を効果的に発現することができる。分子接合層４０の厚みが上記上限値以下であると、金属めっき層７２による半導体パッケージ１０の厚みの増加を抑えることができる。   The thickness of the metal plating layer 72 is, for example, not less than 0.01 μm and not more than 10 μm. The protective function of the metal plating layer 72 can be effectively expressed as the thickness of the metal plating layer 72 is more than the said lower limit. When the thickness of the molecular bonding layer 40 is less than or equal to the above upper limit value, an increase in the thickness of the semiconductor package 10 due to the metal plating layer 72 can be suppressed.

モールド樹脂部（即ち絶縁部）８０は、「樹脂部」の一例である。モールド樹脂部８０は、半導体チップ３０やボンディングワイヤ６０を外部からの圧力、湿気及び汚染物質などから保護するための部材である。モールド樹脂部８０は、図２に示すように、金属ベース２０、半導体チップ３０、ダイボンディング接着層５０、リードフレーム７０の少なくとも一部、およびボンディングワイヤ６０を一体に覆っている。モールド樹脂部８０は、分子接合層４０上に形成されている。モールド樹脂部８０は、樹脂（即ち樹脂素材）８０ｍによって形成されている。樹脂８０ｍは、絶縁性がある材料であればよく、特に限定されない。樹脂８０ｍは、例えば、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂である。樹脂８０ｍとしては、エポキシ樹脂などが挙げられる。また、樹脂８０ｍには、添加剤として溶融球状シリカなどの応力緩和剤が添加されていてもよい。   The mold resin part (that is, the insulating part) 80 is an example of a “resin part”. The mold resin part 80 is a member for protecting the semiconductor chip 30 and the bonding wire 60 from external pressure, moisture, contaminants, and the like. As shown in FIG. 2, the mold resin portion 80 integrally covers the metal base 20, the semiconductor chip 30, the die bonding adhesive layer 50, at least a part of the lead frame 70, and the bonding wire 60. The mold resin part 80 is formed on the molecular bonding layer 40. The mold resin portion 80 is formed of a resin (that is, a resin material) 80m. The resin 80m is not particularly limited as long as it is an insulating material. The resin 80m is, for example, a thermoplastic resin or a thermosetting resin. Examples of the resin 80m include an epoxy resin. In addition, a stress relaxation agent such as fused spherical silica may be added to the resin 80m as an additive.

次に、分子接合層４０について説明する。   Next, the molecular bonding layer 40 will be described.

本実施形態の半導体パッケージ１０は、図２および図３に示すように、分子接合層４０を備えている。分子接合層４０は、少なくともボンディングワイヤ６０の表面とモールド樹脂部８０との間に設けられている。なお、分子接合層４０は、実際には非常に薄いが、説明の便宜上、各図中ではある程度の厚さで示している。   The semiconductor package 10 of the present embodiment includes a molecular bonding layer 40 as shown in FIGS. The molecular bonding layer 40 is provided at least between the surface of the bonding wire 60 and the mold resin portion 80. The molecular bonding layer 40 is actually very thin, but for convenience of explanation, it is shown with a certain thickness in each figure.

本実施形態では、分子接合層４０は、少なくとも、第１部分４１、第２部分４２、第３部分４３、及び第４部分４４を含む。   In the present embodiment, the molecular bonding layer 40 includes at least a first portion 41, a second portion 42, a third portion 43, and a fourth portion 44.

第１部分４１は、ボンディングワイヤ６０の表面とモールド樹脂部８０との間に設けられ、ボンディングワイヤ６０とモールド樹脂部８０との両方に化学結合している。これにより、第１部分４１は、ボンディングワイヤ６０とモールド樹脂部８０とを接合している。   The first portion 41 is provided between the surface of the bonding wire 60 and the mold resin portion 80 and is chemically bonded to both the bonding wire 60 and the mold resin portion 80. Thereby, the first portion 41 joins the bonding wire 60 and the mold resin portion 80 together.

第２部分４２は、リードフレーム７０の表面（例えば金属めっき層７２の表面）とモールド樹脂部８０との間に設けられ、リードフレーム７０（例えば金属めっき層７２）とモールド樹脂部８０との両方に化学結合している。これにより、第２部分４２は、リードフレーム７０（例えば金属めっき層７２）とモールド樹脂部８０とを接合している。   The second portion 42 is provided between the surface of the lead frame 70 (for example, the surface of the metal plating layer 72) and the mold resin portion 80, and both the lead frame 70 (for example, the metal plating layer 72) and the mold resin portion 80 are provided. Is chemically bonded. Accordingly, the second portion 42 joins the lead frame 70 (for example, the metal plating layer 72) and the mold resin portion 80 together.

第３部分４３は、半導体チップ３０の表面とモールド樹脂部８０との間に設けられ、半導体チップ３０とモールド樹脂部８０との両方に化学結合している。これにより、第３部分４３は、半導体チップ３０とモールド樹脂部８０とを接合している。   The third portion 43 is provided between the surface of the semiconductor chip 30 and the mold resin portion 80 and is chemically bonded to both the semiconductor chip 30 and the mold resin portion 80. As a result, the third portion 43 joins the semiconductor chip 30 and the mold resin portion 80 together.

第４部分４４は、金属ベース２０の表面とモールド樹脂部８０との間に設けられ、金属ベース２０とモールド樹脂部８０との両方に化学結合している。これにより、第４部分４４は、金属ベース２０とモールド樹脂部８０とを接合している。   The fourth portion 44 is provided between the surface of the metal base 20 and the mold resin portion 80 and is chemically bonded to both the metal base 20 and the mold resin portion 80. Thereby, the fourth portion 44 joins the metal base 20 and the mold resin portion 80 together.

第１部分４１、第２部分４２、第３部分４３、及び第４部分４４は、例えば、互いに一体（即ちひと続き）に形成されている。   The first portion 41, the second portion 42, the third portion 43, and the fourth portion 44 are, for example, formed integrally with each other (that is, a continuation).

まず、分子接合層４０の第１部分４１について詳しく説明する。   First, the first portion 41 of the molecular bonding layer 40 will be described in detail.

本実施形態の分子接合層４０は、分子接合剤によって形成される分子接合体４０ｒ（図４参照）を含む。分子接合剤は、例えば樹脂及び金属と化学結合（例えば共有結合）を形成し得る化合物である。なお本願で言う「共有結合」とは、共有結合性を有する結合を広く意味し、配位結合及び準共有結合なども含む。また本願で言う「分子接合体」とは、分子接合剤が化学結合（即ち化学反応）した後に接合部に残る物質を意味する。   The molecular bonding layer 40 of the present embodiment includes a molecular bonded body 40r (see FIG. 4) formed by a molecular bonding agent. The molecular bonding agent is a compound that can form a chemical bond (for example, a covalent bond) with, for example, a resin and a metal. Note that the term “covalent bond” in the present application broadly means a bond having a covalent bond, and includes a coordination bond and a quasicovalent bond. The term “molecular conjugate” as used in the present application refers to a substance that remains at the junction after the chemical bonding (ie, chemical reaction) of the molecular bonding agent.

分子接合剤としては、例えば、トリアジン誘導体などの化合物が挙げられる。トリアジン誘導体としては、以下の一般式（Ｃ１）で表される化合物が挙げられる。   Examples of the molecular bonding agent include compounds such as triazine derivatives. Examples of the triazine derivative include compounds represented by the following general formula (C1).

（Ｃ１）

Figure 2018037639
（式中、Ｒは、炭化水素基又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、Ｘは、水素原子又は炭化水素基を示し、Ｙは、アルコキシ基を示し、
Ｚは、塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくはアジド基、又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、ｎ１は１〜３までの整数であり、ｎ２は１〜２までの整数である。）
上記一般式（Ｃ１）において、Ｒは、好ましくは炭素数１〜７の炭化水素基、又はこれらの主鎖に窒素原子が介在するものを示す。Ｘは、炭素数１〜３の炭化水素基を示す。Ｙは、炭素数１〜３のアルコキシ基を示す。ｎ１は、好ましくは３である。ｎ２は、好ましくは２である。Ｚは、好ましくは塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくはアジド基、又はアルキル基を示す。塩を形成するカチオンの元素としては、アルカリ金属が好ましく、中でもＬｉ、Ｎａ、Ｋ又はＣｓがさらに好ましい。なお、ｎ２が２である場合は、少なくとも１つのＺは、塩を形成している、チオール基、アミノ基又はアジド基を示すことが好ましい。 (C1)
Figure 2018037639
(In the formula, R represents a hydrocarbon group or a hydrocarbon group in which a hetero atom or a functional group may intervene, X represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, Y represents an alkoxy group,
Z represents a thiol group, an amino group or an azide group which may form a salt, or a hydrocarbon group which may be intervened by a hetero atom or a functional group, n1 is an integer from 1 to 3, n2 is an integer from 1 to 2. )
In the above general formula (C1), R preferably represents a hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms, or a group in which a nitrogen atom is interposed in the main chain. X shows a C1-C3 hydrocarbon group. Y shows a C1-C3 alkoxy group. n1 is preferably 3. n2 is preferably 2. Z preferably represents a thiol group, an amino group or an azide group, or an alkyl group, which may form a salt. As an element of the cation forming the salt, an alkali metal is preferable, and Li, Na, K, or Cs is more preferable among them. In addition, when n2 is 2, it is preferable that at least 1 Z shows the thiol group, amino group, or azide group which forms the salt.

分子接合層４０の第１部分４１の少なくとも一部（即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部）は、ボンディングワイヤ６０に含まれる金属６０ｍと化学結合（例えば共有結合）する。同様に、分子接合層４０の第１部分４１の少なくとも一部(即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部)は、モールド樹脂部８０に含まれる樹脂８０ｍと化学結合（例えば共有結合）する。これにより、ボンディングワイヤ６０とモールド樹脂部８０とは、ボンディングワイヤ６０と分子接合層４０との間の化学結合、およびモールド樹脂部８０と分子接合層４０との間の化学結合を介して、互いに接合されている。これにより、ボンディングワイヤ６０とモールド樹脂部８０は、強固に密着している。   At least a part of the first portion 41 of the molecular bonding layer 40 (that is, at least a part of the molecular bonding agent forming the molecular bonding layer 40) is chemically bonded (for example, covalently bonded) to the metal 60m included in the bonding wire 60. Similarly, at least a part of the first portion 41 of the molecular bonding layer 40 (that is, at least a part of the molecular bonding agent forming the molecular bonding layer 40) is chemically bonded (for example, shared) with the resin 80m included in the mold resin portion 80. Join. Thereby, the bonding wire 60 and the mold resin part 80 are mutually connected through the chemical bond between the bonding wire 60 and the molecular bonding layer 40 and the chemical bond between the mold resin part 80 and the molecular bonding layer 40. It is joined. Thereby, the bonding wire 60 and the mold resin part 80 are firmly adhered.

図４は、分子接合層４０の組成の一例を模式的に示す図である。   FIG. 4 is a diagram schematically illustrating an example of the composition of the molecular bonding layer 40.

図４に示すように、分子接合層４０は、例えば、複数の分子接合体４０ｒを含む。分子接合体４０ｒは、上述の分子接合剤が接合対象物（first member and second member）と化学反応することで形成された分子接合剤残基を含む。例えば、分子接合体４０ｒは、上述の分子接合剤がボンディングワイヤ６０及びモールド樹脂部８０と化学反応することで形成された分子接合剤残基を含む。分子接合剤残基は、例えば、図４に示すような、トリアジンジチオール残基である。なお、分子接合体４０ｒは、図４中の”Ｓ”や”Ｚ”を含んでもよい。図４中の”Z”の一例は、アミノヒドロカルビルシロキシ基である。   As shown in FIG. 4, the molecular bonding layer 40 includes, for example, a plurality of molecular bonded bodies 40r. The molecular conjugate 40r includes a molecular conjugate residue formed by the chemical reaction of the above-described molecular conjugate with a first member and a second member. For example, the molecular bonded body 40 r includes a molecular bonding agent residue formed by the chemical reaction of the above-described molecular bonding agent with the bonding wire 60 and the mold resin portion 80. The molecular bonding agent residue is, for example, a triazine dithiol residue as shown in FIG. The molecular conjugate 40r may include “S” and “Z” in FIG. An example of “Z” in FIG. 4 is an aminohydrocarbylsiloxy group.

例えば、分子接合層４０の第１部分４１の少なくとも一部は、単分子膜状に形成されている。分子接合層４０の第１部分４１に含まれる少なくとも１つの分子接合体４０ｒは、ボンディングワイヤ６０の金属６０ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。言い換えると、分子接合層４０の第１部分４１に含まれる分子接合剤の１分子（例えば分子接合体４０ｒ）は、ボンディングワイヤ６０の金属６０ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。   For example, at least a part of the first portion 41 of the molecular bonding layer 40 is formed in a monomolecular film shape. At least one molecular bonded body 40r included in the first portion 41 of the molecular bonding layer 40 is chemically bonded (for example, covalently bonded) to both the metal 60m of the bonding wire 60 and the resin 80m of the mold resin portion 80. In other words, one molecule (for example, molecular bonded body 40r) of the molecular bonding agent contained in the first portion 41 of the molecular bonding layer 40 is chemically bonded to both the metal 60m of the bonding wire 60 and the resin 80m of the mold resin portion 80. (For example, covalent bond).

分子接合層４０の第２部分４２、第３部分４３、及び第４部分４４は、第１部分４１と略同じ構成を有する。例えば、分子接合層４０の第２部分４２の少なくとも一部（即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部）は、リードフレーム７０に含まれる金属（即ち金属素材）と化学結合（例えば共有結合）する。本実施形態では、分子接合層４０の第２部分４２の少なくとも一部は、リードフレーム７０の金属めっき層７２に含まれる金属７２ｍと化学結合（例えば共有結合）する。同様に、分子接合層４０の第２部分４２の少なくとも一部(即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部)は、モールド樹脂部８０に含まれる樹脂８０ｍと化学結合（例えば共有結合）する。これにより、リードフレーム７０とモールド樹脂部８０とは、リードフレーム７０と分子接合層４０との間の化学結合、およびモールド樹脂部８０と分子接合層４０との間の化学結合を介して、互いに接合されている。これにより、リードフレーム７０とモールド樹脂部８０は、強固に密着している。   The second portion 42, the third portion 43, and the fourth portion 44 of the molecular bonding layer 40 have substantially the same configuration as the first portion 41. For example, at least a part of the second portion 42 of the molecular bonding layer 40 (that is, at least a part of the molecular bonding agent forming the molecular bonding layer 40) is chemically bonded to a metal (that is, a metal material) included in the lead frame 70 ( For example, covalent bond). In the present embodiment, at least a part of the second portion 42 of the molecular bonding layer 40 is chemically bonded (for example, covalently bonded) to the metal 72 m included in the metal plating layer 72 of the lead frame 70. Similarly, at least a part of the second portion 42 of the molecular bonding layer 40 (that is, at least a part of the molecular bonding agent forming the molecular bonding layer 40) is chemically bonded (for example, shared) with the resin 80m included in the mold resin portion 80. Join. As a result, the lead frame 70 and the mold resin portion 80 are mutually connected via a chemical bond between the lead frame 70 and the molecular bonding layer 40 and a chemical bond between the mold resin portion 80 and the molecular bonding layer 40. It is joined. As a result, the lead frame 70 and the mold resin portion 80 are firmly adhered.

例えば、バリアメタル（例えば ニッケル、ニッケル合金、チタン、チタン合金、タングステン、及びタングステン合金の少なくとも一つ）から形成された金属めっき層７２は、例えば銅又は銅合金から形成された本体部７１に対して、優れた保護機能を発現するが、モールド樹脂部８０に対しては、良好な密着性を発現しない。しかしながらこのような場合であっても、金属めっき層７２とモールド樹脂部８０との間に分子接合層４０が設けられることにより、金属めっき層７２とモールド樹脂部８０との間の良好な密着性を確保することができる。   For example, the metal plating layer 72 formed of a barrier metal (for example, at least one of nickel, nickel alloy, titanium, titanium alloy, tungsten, and tungsten alloy) is formed on the main body 71 formed of, for example, copper or copper alloy. However, it exhibits an excellent protective function, but does not exhibit good adhesion to the mold resin portion 80. However, even in such a case, by providing the molecular bonding layer 40 between the metal plating layer 72 and the mold resin portion 80, good adhesion between the metal plating layer 72 and the mold resin portion 80 is achieved. Can be secured.

例えば、分子接合層４０の第２部分４２の少なくとも一部は、単分子膜状に形成されている。分子接合層４０の第２部分４２に含まれる少なくとも１つの分子接合体４０ｒは、リードフレーム７０の金属めっき層７２の金属７２ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。言い換えると、分子接合層４０の第２部分４２に含まれる分子接合剤の１分子（例えば分子接合体４０ｒ）は、リードフレーム７０の金属めっき層７２の金属７２ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。   For example, at least a part of the second portion 42 of the molecular bonding layer 40 is formed in a monomolecular film shape. At least one molecular assembly 40r included in the second portion 42 of the molecular bonding layer 40 is chemically bonded (for example, covalently bonded) to both the metal 72m of the metal plating layer 72 of the lead frame 70 and the resin 80m of the mold resin portion 80. )doing. In other words, one molecule (for example, molecular bonded body 40r) of the molecular bonding agent contained in the second portion 42 of the molecular bonding layer 40 includes the metal 72m of the metal plating layer 72 of the lead frame 70 and the resin 80m of the mold resin portion 80. Both are chemically bonded (for example, covalently bonded).

分子接合層４０の第３部分４３の少なくとも一部（即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部）は、半導体チップ３０に含まれるシリコン３０ｍと化学結合（例えば共有結合）する。同様に、分子接合層４０の第３部分４３の少なくとも一部(即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部)は、モールド樹脂部８０に含まれる樹脂８０ｍと化学結合（例えば共有結合）する。これにより、半導体チップ３０とモールド樹脂部８０とは、半導体チップ３０と分子接合層４０との間の化学結合、およびモールド樹脂部８０と分子接合層４０との間の化学結合を介して、互いに接合されている。これにより、半導体チップ３０とモールド樹脂部８０は、強固に密着している。   At least a part of the third portion 43 of the molecular bonding layer 40 (that is, at least a part of the molecular bonding agent forming the molecular bonding layer 40) is chemically bonded (for example, covalently bonded) to the silicon 30m included in the semiconductor chip 30. Similarly, at least a part of the third portion 43 of the molecular bonding layer 40 (that is, at least a part of the molecular bonding agent forming the molecular bonding layer 40) is chemically bonded (for example, shared) with the resin 80m included in the mold resin portion 80. Join. Thereby, the semiconductor chip 30 and the mold resin part 80 are mutually connected through a chemical bond between the semiconductor chip 30 and the molecular bonding layer 40 and a chemical bond between the mold resin part 80 and the molecular bonding layer 40. It is joined. Thereby, the semiconductor chip 30 and the mold resin part 80 are firmly adhered.

例えば、分子接合層４０の第３部分４３の少なくとも一部は、単分子膜状に形成されている。分子接合層４０の第３部分４３に含まれる少なくとも１つの分子接合体４０ｒは、半導体チップ３０のシリコン３０ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。言い換えると、分子接合層４０の第３部分４３に含まれる分子接合剤の１分子（例えば分子接合体４０ｒ）は、半導体チップ３０のシリコン３０ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。   For example, at least a part of the third portion 43 of the molecular bonding layer 40 is formed in a monomolecular film shape. At least one molecular bonded body 40r included in the third portion 43 of the molecular bonding layer 40 is chemically bonded (for example, covalently bonded) to both the silicon 30m of the semiconductor chip 30 and the resin 80m of the mold resin portion 80. In other words, one molecule (for example, molecular bonded body 40r) of the molecular bonding agent contained in the third portion 43 of the molecular bonding layer 40 is chemically bonded to both the silicon 30m of the semiconductor chip 30 and the resin 80m of the mold resin portion 80. (For example, covalent bond).

分子接合層４０の第４部分４４の少なくとも一部（即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部）は、金属ベース２０に含まれる金属２０ｍと化学結合（例えば共有結合）する。同様に、分子接合層４０の第４部分４４の少なくとも一部(即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部)は、モールド樹脂部８０に含まれる樹脂８０ｍと化学結合（例えば共有結合）する。これにより、金属ベース２０とモールド樹脂部８０とは、金属ベース２０と分子接合層４０との間の化学結合、およびモールド樹脂部８０と分子接合層４０との間の化学結合を介して、互いに接合されている。これにより、金属ベース２０とモールド樹脂部８０は、強固に密着している。   At least a part of the fourth portion 44 of the molecular bonding layer 40 (that is, at least a part of the molecular bonding agent forming the molecular bonding layer 40) is chemically bonded (for example, covalently bonded) to the metal 20m included in the metal base 20. Similarly, at least a part of the fourth portion 44 of the molecular bonding layer 40 (that is, at least a part of the molecular bonding agent forming the molecular bonding layer 40) is chemically bonded (for example, shared) with the resin 80m included in the mold resin portion 80. Join. Thereby, the metal base 20 and the mold resin part 80 are mutually connected through a chemical bond between the metal base 20 and the molecular bonding layer 40 and a chemical bond between the mold resin part 80 and the molecular bonding layer 40. It is joined. Thereby, the metal base 20 and the mold resin part 80 are firmly adhered.

例えば、分子接合層４０の第４部分４４の少なくとも一部は、単分子膜状に形成されている。分子接合層４０の第４部分４４に含まれる少なくとも１つの分子接合体４０ｒは、金属ベース２０の金属２０ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。言い換えると、分子接合層４０の第４部分４４に含まれる分子接合剤の１分子（例えば分子接合体４０ｒ）は、金属ベース２０の金属２０ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。   For example, at least a part of the fourth portion 44 of the molecular bonding layer 40 is formed in a monomolecular film shape. At least one molecular bonded body 40r included in the fourth portion 44 of the molecular bonding layer 40 is chemically bonded (for example, covalently bonded) to both the metal 20m of the metal base 20 and the resin 80m of the mold resin portion 80. In other words, one molecule (for example, molecular bonded body 40r) of the molecular bonding agent included in the fourth portion 44 of the molecular bonding layer 40 is chemically bonded to both the metal 20m of the metal base 20 and the resin 80m of the mold resin portion 80. (For example, covalent bond).

ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、及び金属ベース２０の少なくとも１つと、モールド樹脂部８０との間の密着強度は、２ＭＰａ以上であることが好ましく、５ＭＰａ以上であることがより好ましく、６ＭＰａ以上であることがさらに好ましく、１０ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。密着強度は、例えば、シェア試験によって測定することができる。引張試験の具体例としてはＳＥＭＩＧ６９−０９９６に規定された方法が挙げられる。   The adhesion strength between at least one of the bonding wire 60, the lead frame 70, the semiconductor chip 30, and the metal base 20 and the mold resin portion 80 is preferably 2 MPa or more, more preferably 5 MPa or more, It is more preferably 6 MPa or more, and further preferably 10 MPa or more. The adhesion strength can be measured by, for example, a shear test. As a specific example of the tensile test, there is a method defined in SEMIG69-0996.

なお、金属６０ｍ、金属７２ｍ、シリコン３０ｍ、金属２０ｍと化学結合（例えば共有結合）している分子接合体４０ｒと、樹脂８０ｍと化学結合（例えば共有結合）している分子接合体４０ｒは、同じであっても、異なっていてもよい。１分子の分子接合体４０ｒが金属６０ｍ、金属７２ｍ、シリコン３０ｍ、または金属２０ｍと、樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）していれば、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、又は金属ベース２０とモールド樹脂部８０との密着性がより高まる。   The molecular conjugate 40r chemically bonded (for example, covalently bonded) to the metal 60m, metal 72m, silicon 30m, and metal 20m and the molecularly bonded body 40r chemically bonded (for example, covalently bonded) to the resin 80m are the same. Or different. If one molecule of molecular bonded body 40r is chemically bonded (for example, covalently bonded) to both metal 60m, metal 72m, silicon 30m, or metal 20m and resin 80m, bonding wire 60, lead frame 70, semiconductor chip 30, or the adhesion between the metal base 20 and the mold resin portion 80 is further increased.

分子接合層４０の厚みは、０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましく、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがより好ましい。分子接合層４０の厚みが上記下限値以上であると、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、又は金属ベース２０とモールド樹脂部８０との間の密着性をより高めることができる。分子接合層４０の厚みが上記上限値以下であると、分子接合層４０に用いる分子接合剤の量を低減することができる。   The thickness of the molecular bonding layer 40 is preferably 0.5 nm or more and 20 nm or less, and more preferably 1 nm or more and 10 nm or less. When the thickness of the molecular bonding layer 40 is equal to or greater than the lower limit, the adhesion between the bonding wire 60, the lead frame 70, the semiconductor chip 30, or the metal base 20 and the mold resin portion 80 can be further improved. When the thickness of the molecular bonding layer 40 is not more than the above upper limit value, the amount of the molecular bonding agent used for the molecular bonding layer 40 can be reduced.

ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、又は金属ベース２０の表面に設けられた分子接合層４０の少なくとも一部は単分子膜状であることが好ましい。例えば、分子接合層４０の３０％以上１００％以下が単分子膜状であることが好ましく、分子接合層４０の全部が単分子膜状であることが好ましい。分子接合層４０における単分子膜状に形成された領域においては、１分子の分子接合剤が、金属６０ｍ、金属７２ｍ、シリコン３０ｍ、金属２０ｍと、樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。よって、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、又は金属ベース２０とモールド樹脂部８０との間の密着性がより高まるとともに、分子接合層４０に用いる分子接合剤の量を最小限に低減することができる。   At least a part of the molecular bonding layer 40 provided on the surface of the bonding wire 60, the lead frame 70, the semiconductor chip 30, or the metal base 20 is preferably a monomolecular film. For example, 30% or more and 100% or less of the molecular bonding layer 40 is preferably a monomolecular film, and the entire molecular bonding layer 40 is preferably a monomolecular film. In the region formed in the form of a monomolecular film in the molecular bonding layer 40, one molecular bonding agent is chemically bonded (for example, covalent bonding) to both the metal 60m, the metal 72m, the silicon 30m, the metal 20m, and the resin 80m. )doing. Therefore, the adhesion between the bonding wire 60, the lead frame 70, the semiconductor chip 30, or the metal base 20 and the mold resin portion 80 is further enhanced, and the amount of the molecular bonding agent used for the molecular bonding layer 40 is minimized. can do.

ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、金属ベース２０に対する分子接合層４０の被覆密度は、２０面積％以上であることが好ましく、３０面積％以上であることがより好ましく、５０面積％以上であることがさらに好ましい。前記被覆密度が上記下限値以上であると、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、又は金属ベース２０とモールド樹脂部８０との間の密着性をより高めることができる。前記被覆密度は高いことが好ましいため、その上限値は特に限定されない。ただし、被覆密度の上限値として、例えば、７０面積％又は８０面積％を例示することができる。なお、分子接合層４０の被覆密度が１００面積％である場合、分子接合剤が被覆すべき対象物の表面に対して理論上最密に充填されていると定義する。分子接合剤の被覆密度は、Ｘ線回折法による測定結果から求めることができる。   The coating density of the molecular bonding layer 40 on the bonding wire 60, the lead frame 70, the semiconductor chip 30, and the metal base 20 is preferably 20 area% or more, more preferably 30 area% or more, and 50 area% or more. More preferably. When the coating density is equal to or higher than the lower limit, the adhesion between the bonding wire 60, the lead frame 70, the semiconductor chip 30, or the metal base 20 and the mold resin portion 80 can be further improved. Since it is preferable that the said coating density is high, the upper limit is not specifically limited. However, examples of the upper limit value of the coating density include 70 area% or 80 area%. In addition, when the coating density of the molecular bonding layer 40 is 100 area%, it is defined that the molecular bonding agent is theoretically closest packed to the surface of the object to be coated. The coating density of the molecular bonding agent can be obtained from the measurement result by the X-ray diffraction method.

ついで、本実施形態の半導体パッケージ１０の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor package 10 of this embodiment will be described.

半導体パッケージ１０の製造方法の一例は、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０の金属めっき層７２、半導体チップ３０、及び金属ベース２０の表面を分子接合剤で被覆する。これにより、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０の金属めっき層７２、半導体チップ３０、及び金属ベース２０に含まれる金属６０ｍ、金属７２ｍ、シリコン３０ｍ、金属２０ｍに化学結合した分子接合層４０を形成する。そして、分子接合層４０の表面を樹脂８０ｍで被覆することで、分子接合層４０と化学結合したモールド樹脂部８０を形成する。   As an example of the manufacturing method of the semiconductor package 10, the surfaces of the bonding wire 60, the metal plating layer 72 of the lead frame 70, the semiconductor chip 30, and the metal base 20 are covered with a molecular bonding agent. Thereby, the molecular bonding layer 40 chemically bonded to the bonding wire 60, the metal plating layer 72 of the lead frame 70, the semiconductor chip 30, and the metal 60m, metal 72m, silicon 30m, and metal 20m included in the metal base 20 is formed. Then, the surface of the molecular bonding layer 40 is covered with the resin 80m, thereby forming the mold resin portion 80 chemically bonded to the molecular bonding layer 40.

図５は、半導体パッケージ１０の製造方法の流れの一例を示す断面図である。   FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the flow of the manufacturing method of the semiconductor package 10.

本実施形態では、まず、金属ベース２０と半導体チップ３０とがダイボンディング接着層５０を間に挟んで重ねられる。これにより、半導体チップ３０が金属ベース２０に固定される（図５中の（ａ））。次に、半導体チップ３０とリードフレーム７０とがボンディングワイヤ６０によって電気的に接続される（図５中の（ｂ））。   In the present embodiment, first, the metal base 20 and the semiconductor chip 30 are stacked with the die bonding adhesive layer 50 interposed therebetween. Thereby, the semiconductor chip 30 is fixed to the metal base 20 ((a) in FIG. 5). Next, the semiconductor chip 30 and the lead frame 70 are electrically connected by the bonding wire 60 ((b) in FIG. 5).

次に、ボンディングワイヤ６０の表面、リードフレーム７０の表面、半導体チップ３０の表面、および金属ベース２０の表面を、分子接合剤で被覆することで（即ち 分子接合剤を塗布することで）、分子接合層４０が形成される（図５中の（ｃ））。分子接合層４０の形成は、例えば、上述の分子接合剤を含有する分子接合剤溶液を、ボンディングワイヤ６０の表面、リードフレーム７０の表面、半導体チップ３０の表面、および金属ベース２０の表面に塗布することで行われる。分子接合剤溶液を塗布する方法の例としては、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、および金属ベース２０を分子接合剤溶液中に浸漬させる方法、又は、これら部材に分子接合剤溶液をスプレーする方法などが挙げられる。本実施形態では、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、および金属ベース２０に対して略同時に分子接合剤が塗布される。なお、「略同時に塗布される」とは、例えば、これら部材のそれぞれに分子接合剤を塗布する工程の間に、他の工程（例えば他の部材をマウントしたりする工程）が存在しないことを意味する。別の観点で見ると、「略同時に塗布される」とは、例えば、これら部材に連続的に分子接合剤が塗布されることを意味する。   Next, the surface of the bonding wire 60, the surface of the lead frame 70, the surface of the semiconductor chip 30, and the surface of the metal base 20 are covered with a molecular bonding agent (that is, by applying a molecular bonding agent). The bonding layer 40 is formed ((c) in FIG. 5). The molecular bonding layer 40 is formed by, for example, applying a molecular bonding agent solution containing the above-described molecular bonding agent to the surface of the bonding wire 60, the surface of the lead frame 70, the surface of the semiconductor chip 30, and the surface of the metal base 20. It is done by doing. As an example of a method of applying the molecular bonding agent solution, a method of immersing the bonding wire 60, the lead frame 70, the semiconductor chip 30, and the metal base 20 in the molecular bonding agent solution, or a molecular bonding agent solution on these members is used. Examples include spraying. In the present embodiment, the molecular bonding agent is applied to the bonding wire 60, the lead frame 70, the semiconductor chip 30, and the metal base 20 almost simultaneously. In addition, “applying substantially simultaneously” means, for example, that there is no other step (for example, a step of mounting another member) between the steps of applying the molecular bonding agent to each of these members. means. From another viewpoint, “applying substantially simultaneously” means, for example, that a molecular bonding agent is continuously applied to these members.

分子接合剤は、分子接合剤溶液の形態で用いられることが好ましい。分子接合剤溶液は、上述の分子接合剤を溶媒に溶解させることにより、調製可能である。   The molecular bonding agent is preferably used in the form of a molecular bonding agent solution. The molecular bonding agent solution can be prepared by dissolving the above-described molecular bonding agent in a solvent.

溶媒としては、例えば、水；メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、セロソルブ及びカルビトール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノンなどのケトン類；ベンゼン、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン及びオクタデカン等の脂肪族炭化水素；酢酸エチル、プロピオン酸メチル及びフタル酸メチルなどのエステル類；並びにテトラヒドロフラン、エチルブチルエーテル及びアニソールなどのエーテル類が挙げられる。また、これらの溶媒を混合した混合溶媒を用いることもできる。   Examples of the solvent include water; alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, ethylene glycol, propylene glycol, cellosolve and carbitol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene. Aliphatic hydrocarbons such as hexane, octane, decane, dodecane and octadecane; esters such as ethyl acetate, methyl propionate and methyl phthalate; and ethers such as tetrahydrofuran, ethyl butyl ether and anisole. Moreover, the mixed solvent which mixed these solvents can also be used.

分子接合剤溶液の濃度は、０．００１質量％以上１質量％以下であることが好ましく、０．０１質量％以上０．１質量％以下であることがより好ましい。分子接合剤溶液の濃度が上記下限値以上であると、分子接合剤の被覆密度を高めることにより部材間の密着性をより高めることができる。分子接合剤溶液の濃度が上記上限値以下であると、分子接合剤を安定的に溶媒に溶解させることができる。   The concentration of the molecular bonding agent solution is preferably 0.001% by mass or more and 1% by mass or less, and more preferably 0.01% by mass or more and 0.1% by mass or less. When the concentration of the molecular bonding agent solution is equal to or higher than the lower limit, adhesion between members can be further increased by increasing the coating density of the molecular bonding agent. When the concentration of the molecular bonding agent solution is not more than the above upper limit value, the molecular bonding agent can be stably dissolved in the solvent.

調製された分子接合剤溶液は、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、および金属ベース２０の表面に塗布される。分子接合剤溶液が塗布されたボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、および金属ベース２０が静置されることにより、ボンディングワイヤ６０の金属６０ｍ、リードフレーム７０の金属７２ｍ、半導体チップ３０のシリコン３０ｍ、および金属ベース２０の金属２０ｍと分子接合剤との化学結合（例えば共有結合）が行われてもよい。さらに、分子接合層４０にエネルギー（例えば熱又は光（例えば紫外線））を加える操作が行われてもよい。エネルギーを加える操作により、分子接合剤と上記各部材の素材との間の化学結合（例えば共有結合）がさらに促進されてもよい。外部エネルギーの印加方法としては、例えば、加熱及び紫外線の照射が挙げられる。熱を用いる場合、１５０〜２００℃程度の加熱を５分以上、好ましくは６０分以上、さらに好ましくは８０分以上、また１２０分以上、好ましくは２４０分以下行うことができる。例えば、分子接合層の素材によって５分〜１２０分間、６０分〜２４０分間、好ましくは８０分〜２４０分間などから選択してよい。また、照射する紫外線の波長は２５０ｎｍ以下であることが好ましく、照射時間は、分子接合剤溶液の塗布量に応じて適宜決定される。その後、分子接合剤が塗布された部材を洗浄し、ついで乾燥させることで、余剰の分子接合剤や溶液が除去されてもよい。例えば余剰の分子接合剤が除去されることで、分子接合層４０が単分子膜状に形成される。洗浄液は、例えば分子接合剤溶液に用いられた上述の溶媒と同様のものから選択できる。乾燥は１５０℃〜２００℃で行うことができる。これらの操作により、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、および金属ベース２０の表面が分子接合剤（例えば分子接合体４０ｒ）で被覆される。すなわち、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、および金属ベース２０に含まれる素材と化学結合した（例えば共有結合）した分子接合層４０が形成される。なお、本実施形態の場合、外部エネルギーとして熱が加えられる操作は、モールド樹脂部８０を形成する樹脂８０ｍとして、加熱された熱硬化性樹脂が、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、および金属ベース２０の周囲に供給されることで行われてもよい。   The prepared molecular bonding agent solution is applied to the surfaces of the bonding wire 60, the lead frame 70, the semiconductor chip 30, and the metal base 20. The bonding wire 60, the lead frame 70, the semiconductor chip 30, and the metal base 20 coated with the molecular bonding agent solution are allowed to stand, so that the metal 60 m of the bonding wire 60, the metal 72 m of the lead frame 70, and the semiconductor chip 30 Chemical bonding (for example, covalent bonding) between the silicon 30m and the metal 20m of the metal base 20 and the molecular bonding agent may be performed. Furthermore, an operation of applying energy (for example, heat or light (for example, ultraviolet rays)) to the molecular bonding layer 40 may be performed. The chemical bond (for example, covalent bond) between the molecular bonding agent and the material of each member may be further promoted by the operation of applying energy. Examples of the external energy application method include heating and ultraviolet irradiation. When heat is used, heating at about 150 to 200 ° C. can be performed for 5 minutes or longer, preferably 60 minutes or longer, more preferably 80 minutes or longer, and 120 minutes or longer, preferably 240 minutes or shorter. For example, it may be selected from 5 minutes to 120 minutes, 60 minutes to 240 minutes, preferably 80 minutes to 240 minutes, depending on the material of the molecular bonding layer. Moreover, it is preferable that the wavelength of the ultraviolet-ray to irradiate is 250 nm or less, and irradiation time is suitably determined according to the application amount of a molecular bonding agent solution. Thereafter, the member to which the molecular bonding agent is applied may be washed and then dried to remove excess molecular bonding agent or solution. For example, by removing the excess molecular bonding agent, the molecular bonding layer 40 is formed in a monomolecular film shape. The cleaning liquid can be selected from, for example, the same solvents as those described above used for the molecular bonding agent solution. Drying can be performed at 150 to 200 ° C. By these operations, the surfaces of the bonding wire 60, the lead frame 70, the semiconductor chip 30, and the metal base 20 are covered with the molecular bonding agent (for example, the molecular bonded body 40r). That is, the molecular bonding layer 40 that is chemically bonded (for example, covalently bonded) to the material included in the bonding wire 60, the lead frame 70, the semiconductor chip 30, and the metal base 20 is formed. In the case of the present embodiment, the operation in which heat is applied as external energy is performed by using a heated thermosetting resin as the resin 80m for forming the mold resin portion 80, the bonding wire 60, the lead frame 70, the semiconductor chip 30, And it may be performed by being supplied around the metal base 20.

分子接合層４０の厚みは、分子接合剤溶液の濃度及び塗布量、並びに洗浄の時間及び回数等の条件によって、調節可能である。   The thickness of the molecular bonding layer 40 can be adjusted by conditions such as the concentration and the coating amount of the molecular bonding agent solution, and the time and number of cleaning.

次に、分子接合層４０の表面に、モールド樹脂部８０を形成する樹脂８０ｍが供給される。すなわち、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０の少なくとも一部、半導体チップ３０、及び金属ベース２０を覆うように樹脂８０ｍが供給される。これにより、樹脂８０ｍが分子接合層４０に接する。これにより、樹脂８０ｍと分子接合層４０とが化学結合（例えば共有結合）する。例えば、樹脂８０ｍは、比較的高温の状態で、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０の少なくとも一部、半導体チップ３０、及び金属ベース２０を覆うように供給される。これにより、樹脂８０ｍと分子接合層４０との化学結合（例えば共有結合）が促進される。これにより、分子接合層４０によってボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０の少なくとも一部、半導体チップ３０、及び金属ベース２０と接合されたモールド樹脂部８０が形成される（図５中の（ｄ））。なお、樹脂８０ｍの供給方法は、特に限定されず、公知の種々の方法が使用可能である。樹脂８０ｍの供給方法としては、例えば、トランスファー成形及びコンプレッション成形が挙げられる。   Next, a resin 80 m that forms the mold resin portion 80 is supplied to the surface of the molecular bonding layer 40. That is, the resin 80m is supplied so as to cover the bonding wire 60, at least a part of the lead frame 70, the semiconductor chip 30, and the metal base 20. Thereby, the resin 80m contacts the molecular bonding layer 40. Thereby, the resin 80m and the molecular bonding layer 40 are chemically bonded (for example, covalently bonded). For example, the resin 80m is supplied so as to cover the bonding wire 60, at least a part of the lead frame 70, the semiconductor chip 30, and the metal base 20 in a relatively high temperature state. Thereby, chemical bonds (for example, covalent bonds) between the resin 80m and the molecular bonding layer 40 are promoted. Thus, the molding resin portion 80 bonded to the bonding wire 60, at least a part of the lead frame 70, the semiconductor chip 30, and the metal base 20 is formed by the molecular bonding layer 40 ((d) in FIG. 5). In addition, the supply method of resin 80m is not specifically limited, A well-known various method can be used. Examples of the method for supplying the resin 80m include transfer molding and compression molding.

なお、分子接合剤の化学結合（例えば共有結合）は、熱又は光などのエネルギーが加えられることなく行われてもよい。これに代えて、分子接合剤の化学結合（例えば共有結合）は、熱又は光などのエネルギーが加えられることで行われてもよい。   The chemical bonding (for example, covalent bonding) of the molecular bonding agent may be performed without applying energy such as heat or light. Alternatively, chemical bonding (for example, covalent bonding) of the molecular bonding agent may be performed by applying energy such as heat or light.

その後、例えば、アフターキュア、ホーニング、外装めっき、個片化などの工程が行われて、半導体パッケージ１０が完成する。   Thereafter, for example, aftercure, honing, exterior plating, singulation, and the like are performed, and the semiconductor package 10 is completed.

ここで比較例として、モールド樹脂部８０に対するリードフレーム７０の密着性を高めるために、リードフレーム７０の金属めっき層７２の表面に化学的なコート処理を事前に行うことが考えられる。しかしながら、ダイボンディングやワイヤボンディングを含むマウント工程では、１５０℃から４００℃の熱負荷が加わる。このため、前記コート処理によって形成されたコートが熱負荷によって劣化または分解する可能性がある。また、化学的なコート処理がリードフレーム７０に施されていると、ダイボンディングやワイヤボンディングの工程を阻害する場合がある。   Here, as a comparative example, in order to improve the adhesion of the lead frame 70 to the mold resin portion 80, it is conceivable to perform chemical coating on the surface of the metal plating layer 72 of the lead frame 70 in advance. However, in the mounting process including die bonding and wire bonding, a heat load of 150 ° C. to 400 ° C. is applied. For this reason, the coat formed by the coating treatment may be deteriorated or decomposed by a thermal load. In addition, when the chemical coating process is performed on the lead frame 70, the die bonding and wire bonding processes may be hindered.

一方で、本実施形態のような分子接合層４０によれば、マウント工程の熱負荷によっても分子接合層４０に劣化や分解が生じにくい。このため、分子接合層４０によって、リードフレーム７０の金属めっき層７２とモールド樹脂部８０との間の密着性を確保することができる。また、分子接合剤の塗布は、ダイボンディングやワイヤボンディングの工程の後に行われる。このため、分子接合層４０は、ダイボンディングやワイヤボンディングの工程を阻害しない。   On the other hand, according to the molecular bonding layer 40 as in the present embodiment, the molecular bonding layer 40 is hardly deteriorated or decomposed even by a thermal load in the mounting process. For this reason, the adhesion between the metal plating layer 72 of the lead frame 70 and the mold resin portion 80 can be ensured by the molecular bonding layer 40. The molecular bonding agent is applied after the die bonding and wire bonding steps. For this reason, the molecular bonding layer 40 does not hinder the steps of die bonding and wire bonding.

次に、本実施形態のいくつかの変形例について説明する。   Next, some modifications of the present embodiment will be described.

図６は、第１変形例の半導体パッケージ１０を示す断面図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing a semiconductor package 10 of a first modification.

図６に示すように、リードフレーム７０は、モールド樹脂部８０の外部に突出した第１部分７５と、モールド樹脂部８０に覆われた第２部分７６とを有する。   As shown in FIG. 6, the lead frame 70 has a first portion 75 that protrudes outside the mold resin portion 80 and a second portion 76 that is covered with the mold resin portion 80.

本変形例では、分子接合層４０は、リードフレーム７０に関しては、リードフレーム７０の第２部分７６の表面のみに設けられている。すなわち、分子接合層４０は、リードフレーム７０の第１部分７５の表面には設けられていない。このような構成は、例えばリードフレーム７０の第１部分７５をマスクで覆った状態で分子接合剤が塗布されることで形成される。   In the present modification, the molecular bonding layer 40 is provided only on the surface of the second portion 76 of the lead frame 70 with respect to the lead frame 70. That is, the molecular bonding layer 40 is not provided on the surface of the first portion 75 of the lead frame 70. Such a configuration is formed, for example, by applying a molecular bonding agent in a state where the first portion 75 of the lead frame 70 is covered with a mask.

このような構成によれば、モールド樹脂部８０のバリなどがリードフレーム７０の第１部分７５にくっつきにくい。このため、モールド樹脂部８０のバリの除去などが容易になる。   According to such a configuration, burrs or the like of the mold resin portion 80 are difficult to stick to the first portion 75 of the lead frame 70. For this reason, it becomes easy to remove burrs from the mold resin portion 80.

図７は、第２変形例の半導体パッケージ１０を示す断面図である。   FIG. 7 is a cross-sectional view showing a semiconductor package 10 according to a second modification.

図７に示すように、本実施形態では、リードフレーム７０の表面（例えば金属めっき層７２の表面）は、例えばエッチングなどで粗面化がされている。例えば、リードフレーム７０の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．１μｍ以上である。算術平均粗さＲａは、例えば日本工業規格（ＪＩＳ）によって定義されている。   As shown in FIG. 7, in this embodiment, the surface of the lead frame 70 (for example, the surface of the metal plating layer 72) is roughened by, for example, etching. For example, the surface roughness of the lead frame 70 is an arithmetic average roughness Ra of 0.1 μm or more. The arithmetic average roughness Ra is defined by, for example, Japanese Industrial Standard (JIS).

このような構成によれば、分子接合層４０による接合効果と、粗化された表面のアンカー効果とによる複合効果により、リードフレーム７０とモールド樹脂部８０との間の接合強度をさらに高めることができる。   According to such a configuration, the bonding strength between the lead frame 70 and the mold resin portion 80 can be further increased by the combined effect of the bonding effect of the molecular bonding layer 40 and the anchor effect of the roughened surface. it can.

（第２の実施形態）
次に、図８を参照し、第２の実施形態について説明する。本実施形態は、半導体パッケージ１０が金属ベース２０に代えて基板９０を有した点などで第１の実施形態とは異なる。なお、以下に説明する以外の構成は、第１の実施形態と同様である。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. This embodiment is different from the first embodiment in that the semiconductor package 10 includes a substrate 90 instead of the metal base 20. Configurations other than those described below are the same as those in the first embodiment.

図８は、本実施形態の半導体パッケージ１０を示す断面図である。   FIG. 8 is a cross-sectional view showing the semiconductor package 10 of the present embodiment.

図８に示すように、半導体パッケージ１０は、基板９０と、半導体チップ３０と、分子接合層４０と、ダイボンディング接着層５０と、ボンディングワイヤ６０と、モールド樹脂部８０とを備えている。   As shown in FIG. 8, the semiconductor package 10 includes a substrate 90, a semiconductor chip 30, a molecular bonding layer 40, a die bonding adhesive layer 50, a bonding wire 60, and a mold resin portion 80.

基板（例えばインターポーズ基板）９０は、「ベース」の別の一例である。基板９０は、例えば樹脂（即ち合成樹脂樹脂）またはセラミックなどで形成されている。本実施形態では、半導体チップ３０は、基板９０に載せられている。基板９０は、導電パッド（即ち接続部、電気接続部、端子）９１と、複数の半田接続部（即ち外部接続端子）９２と、導電パッド９１と半田接続部９２とを電気的に接続した配線パターンとを有する。ボンディングワイヤ６０は、基板９０の導電パッド９１と半導体チップ３０の導電パッド３１との間に設けられている。基板９０の導電パッド９１は、モールド樹脂部８０によって覆われている。基板９０の導電パッド９１は、「導電部」の一例である。ダイボンディング接着層５０は、基板９０と半導体チップ３０との間に設けられている。   The substrate (for example, the interpose substrate) 90 is another example of the “base”. The substrate 90 is made of, for example, resin (that is, synthetic resin resin) or ceramic. In the present embodiment, the semiconductor chip 30 is placed on the substrate 90. The substrate 90 includes conductive pads (that is, connection portions, electrical connection portions, terminals) 91, a plurality of solder connection portions (that is, external connection terminals) 92, and wiring that electrically connects the conductive pads 91 and the solder connection portions 92. Pattern. The bonding wire 60 is provided between the conductive pad 91 of the substrate 90 and the conductive pad 31 of the semiconductor chip 30. The conductive pad 91 of the substrate 90 is covered with the mold resin portion 80. The conductive pad 91 of the substrate 90 is an example of a “conductive part”. The die bonding adhesive layer 50 is provided between the substrate 90 and the semiconductor chip 30.

本実施形態では、分子接合層４０は、ボンディングワイヤ６０の表面、基板９０の導電パッド９１の表面、モールド樹脂部８０に面する基板９０の表面、及び半導体チップ３０の表面に設けられている。分子接合層４０は、ボンディングワイヤ６０、基板９０の導電パッド９１、基板９０、及び半導体チップ３０と、モールド樹脂部８０とを接合している。   In the present embodiment, the molecular bonding layer 40 is provided on the surface of the bonding wire 60, the surface of the conductive pad 91 of the substrate 90, the surface of the substrate 90 facing the mold resin portion 80, and the surface of the semiconductor chip 30. The molecular bonding layer 40 bonds the bonding wire 60, the conductive pad 91 of the substrate 90, the substrate 90, the semiconductor chip 30, and the mold resin portion 80.

例えば、分子接合層４０は、第１部分４１、第２部分４２、および第３部分４３を有する。第１部分４１及び第３部分４３は、第１の実施形態における第１部分４１及び第３部分４３と略同じである。本実施形態の第２部分４２は、導電パッド９１の表面とモールド樹脂部８０との間に設けられ、導電パッド９１とモールド樹脂部８０との両方に化学結合している。これにより、第２部分４２は、導電パッド９１とモールド樹脂部８０とを接合している。例えば、分子接合層４０の第２部分４２の少なくとも一部（即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部）は、導電パッド９１に含まれる金属９１ｍと化学結合（例えば共有結合）する。例えば、分子接合層４０の第２部分４２に含まれる分子接合剤の１分子（例えば分子接合体４０ｒ）は、導電パッド９１の金属９１ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。   For example, the molecular bonding layer 40 includes a first portion 41, a second portion 42, and a third portion 43. The first portion 41 and the third portion 43 are substantially the same as the first portion 41 and the third portion 43 in the first embodiment. The second portion 42 of the present embodiment is provided between the surface of the conductive pad 91 and the mold resin portion 80, and is chemically bonded to both the conductive pad 91 and the mold resin portion 80. Thereby, the second portion 42 joins the conductive pad 91 and the mold resin portion 80 together. For example, at least a part of the second portion 42 of the molecular bonding layer 40 (that is, at least a part of the molecular bonding agent forming the molecular bonding layer 40) is chemically bonded (for example, covalent bond) to the metal 91m included in the conductive pad 91. To do. For example, one molecule of the molecular bonding agent (for example, the molecular bonded body 40r) included in the second portion 42 of the molecular bonding layer 40 is chemically bonded to both the metal 91m of the conductive pad 91 and the resin 80m of the mold resin portion 80 ( (For example, covalent bond).

（第３の実施形態）
次に、図９を参照し、第３の実施形態について説明する。本実施形態は、金属めっき７２が金属部品１００の一方の表面のみに設けられた点などで第１の実施形態とは異なる。なお、以下に説明する以外の構成は、第１の実施形態と同様である。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. This embodiment is different from the first embodiment in that the metal plating 72 is provided only on one surface of the metal component 100. Configurations other than those described below are the same as those in the first embodiment.

図９は、第３の実施形態の半導体パッケージ１０の一部を示す断面図である。   FIG. 9 is a cross-sectional view showing a part of the semiconductor package 10 of the third embodiment.

図９に示すように、本実施形態の半導体パッケージ１０は、金属部品（即ち金属部材、金属基材）１００における樹脂層１２０とは反対側の面に樹脂層１１０が分子接合層４０を介して接合されている。すなわち、金属部品１００の一方の面が樹脂層（即ち樹脂部、絶縁部）１１０によって被覆され、金属部品１００の他方の面が樹脂層（即ち樹脂部、絶縁部）１２０によって被覆されている。また、分子接合層４０によって金属部品１００と樹脂層１１０との間（例えば金属めっき層７２と樹脂層１１０との間）の密着性が高められている。その結果、金属部品１００を外部からの圧力、湿気及び汚染物質等から効果的に保護することができる。   As shown in FIG. 9, in the semiconductor package 10 of the present embodiment, the resin layer 110 is disposed on the surface opposite to the resin layer 120 in the metal component (ie, metal member, metal base) 100 via the molecular bonding layer 40. It is joined. That is, one surface of the metal component 100 is covered with a resin layer (that is, a resin portion and an insulating portion) 110, and the other surface of the metal component 100 is covered with a resin layer (that is, a resin portion and an insulating portion) 120. Further, the adhesion between the metal component 100 and the resin layer 110 (for example, between the metal plating layer 72 and the resin layer 110) is enhanced by the molecular bonding layer 40. As a result, the metal component 100 can be effectively protected from external pressure, moisture, contaminants, and the like.

第３の実施形態の半導体パッケージ１０の製造方法としては、第１の実施形態の半導体パッケージ１０の製造方法を用いることができる。半導体パッケージ１０の製造方法において、金属部品１００における金属めっき層７２の表面及びその反対側の表面に、分子接合剤溶液を塗布し、分子接合層４０を形成する。次いで、分子接合層４０の表面に、樹脂層１１０，１２０を形成する樹脂１１０ｍ，１２０ｍを塗布して成膜する。このようにして、第２の実施形態の半導体パッケージ１０を製造することができる。   As a manufacturing method of the semiconductor package 10 of the third embodiment, the manufacturing method of the semiconductor package 10 of the first embodiment can be used. In the manufacturing method of the semiconductor package 10, the molecular bonding agent solution is applied to the surface of the metal plating layer 72 in the metal component 100 and the opposite surface to form the molecular bonding layer 40. Next, the surfaces of the molecular bonding layer 40 are formed by applying the resins 110m and 120m for forming the resin layers 110 and 120. In this way, the semiconductor package 10 of the second embodiment can be manufactured.

（第４の実施形態）
次に、図１０を参照し、第４の実施形態について説明する。本実施形態は、金属めっき層７２，７２Ａが金属部品１００の両面に設けられた点などで第３の実施形態とは異なる。なお、以下に説明する以外の構成は、第３の実施形態と同様である。 (Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment will be described with reference to FIG. This embodiment is different from the third embodiment in that the metal plating layers 72 and 72A are provided on both surfaces of the metal component 100, and the like. The configurations other than those described below are the same as those in the third embodiment.

図１０は、第４の実施形態の半導体パッケージ１０の一部を示す断面図である。図１０に示すように、本実施形態の半導体パッケージ１０は、金属部品１００の本体部７１における金属めっき層７２とは反対側の面に金属めっき層７２Ａ、分子接合層４０及び樹脂層１２０が積層されている。金属めっき層７２Ａは、金属めっき層７２と略同じめっき層である。すなわち、半導体パッケージ１０の金属部品１００における金属めっき層７２とは反対側の面には、金属めっき層７２Ａが設けられている。金属めっき層７２Ａの表面には分子接合層４０を介して樹脂層１２０が接合されている。すなわち、金属部品１００の一方の面が金属めっき層７２及び樹脂層１１０によって被覆され、金属部品１００の他方の面が金属めっき層７２Ａ及び樹脂層１２０によって被覆されている。よって、金属部品１００の表面の広範囲に渡って、金属めっき層７２、７２Ａに由来する保護機能と樹脂層１１０、１２０に由来する保護機能の両方を発現させることができる。   FIG. 10 is a cross-sectional view showing a part of the semiconductor package 10 of the fourth embodiment. As shown in FIG. 10, in the semiconductor package 10 of this embodiment, the metal plating layer 72 </ b> A, the molecular bonding layer 40, and the resin layer 120 are laminated on the surface of the main body 71 of the metal component 100 opposite to the metal plating layer 72. Has been. The metal plating layer 72 </ b> A is substantially the same plating layer as the metal plating layer 72. That is, the metal plating layer 72 </ b> A is provided on the surface of the metal component 100 of the semiconductor package 10 opposite to the metal plating layer 72. The resin layer 120 is bonded to the surface of the metal plating layer 72 </ b> A via the molecular bonding layer 40. That is, one surface of the metal component 100 is covered with the metal plating layer 72 and the resin layer 110, and the other surface of the metal component 100 is covered with the metal plating layer 72 </ b> A and the resin layer 120. Therefore, both the protective function derived from the metal plating layers 72 and 72A and the protective function derived from the resin layers 110 and 120 can be expressed over a wide range of the surface of the metal component 100.

第４の実施形態の半導体パッケージ１０の製造方法としては、第１の実施形態の半導体パッケージ１０の製造方法を用いることができる。半導体パッケージ１０の製造方法において、先ず、金属部品１００の一方の面に設けられた金属めっき層７２と、金属部品１００の他方の面に設けられた金属めっき層７２Ａとを備える金属部品１００を準備する。次いで、金属部品１００の金属めっき層７２，７２Ａの表面に分子接合剤溶液を塗布し、分子接合層４０を形成する。次いで、分子接合層４０の表面に、樹脂層１１０，１２０を形成する樹脂１１０ｍ，１２０ｍを塗布して成膜する。このようにして、第４の実施形態の半導体パッケージ１０を製造することができる。   As a manufacturing method of the semiconductor package 10 of the fourth embodiment, the manufacturing method of the semiconductor package 10 of the first embodiment can be used. In the manufacturing method of the semiconductor package 10, first, a metal component 100 including a metal plating layer 72 provided on one surface of the metal component 100 and a metal plating layer 72 </ b> A provided on the other surface of the metal component 100 is prepared. To do. Next, a molecular bonding agent solution is applied to the surfaces of the metal plating layers 72 and 72 </ b> A of the metal part 100 to form the molecular bonding layer 40. Next, the surfaces of the molecular bonding layer 40 are formed by applying the resins 110m and 120m for forming the resin layers 110 and 120. In this way, the semiconductor package 10 of the fourth embodiment can be manufactured.

以上、いくつかの実施形態に係る半導体パッケージ１０及び半導体パッケージ１０の製造方法について説明した。ただし、実施形態の構成は、上記例に限定されない。例えば、リードフレーム７０は、金属めっき層７２を有しなくてもよい。すなわち、リードフレーム７０の全体が、本体部７１の金属７１ｍ（例えば銅又は銅合金）で形成されていてもよい。この場合、金属７１ｍは、「第２金属（即ち第２金属素材、第２素材）」の一例である。すなわち、分子接合層４０の少なくとも一部は、リードフレーム７０に含まれる金属７１ｍと化学結合（例えば共有結合）してもよい。このような構成によっても、リードフレーム７０とモールド樹脂部８０との間の密着性を高めることができる。なお、「第２金属」は、「第１金属」と同じでもよく、異なってもよい。   The semiconductor package 10 and the method for manufacturing the semiconductor package 10 according to some embodiments have been described above. However, the configuration of the embodiment is not limited to the above example. For example, the lead frame 70 may not have the metal plating layer 72. That is, the entire lead frame 70 may be formed of the metal 71m (for example, copper or copper alloy) of the main body 71. In this case, the metal 71m is an example of “second metal (that is, second metal material, second material)”. That is, at least a part of the molecular bonding layer 40 may be chemically bonded (for example, covalently bonded) to the metal 71m included in the lead frame 70. Even with such a configuration, the adhesion between the lead frame 70 and the mold resin portion 80 can be enhanced. The “second metal” may be the same as or different from the “first metal”.

また別の観点で見ると、半導体パッケージ１０は、ボンディングワイヤ６０の表面に分子接合層４０を有しなくてもよい。ひとつの観点の半導体パッケージは、導電部と、分子接合層と、樹脂部とを備えている。前記導電部は、導電部の表面に金属めっき層を有する。前記分子接合層は、前記金属めっき層の表面に設けられている。前記樹脂部は、前記分子接合層によって前記金属めっき層に接合されている。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記金属めっき層に含まれる金属と化学結合している。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記樹脂部に含まれる樹脂と化学結合している。すなわち、半導体パッケージ１０は、例えば、少なくとも金属めっき層７２とモールド樹脂部８０との間に設けられた分子接合層４０を有すればよい。このような半導体パッケージ１０の製造方法は、例えば、ボンディングワイヤ６０が設けられる前に、リードフレーム７０単体に対して分子接合剤が塗布されてもよい。これにより、リードフレーム７０の表面に分子接合層４０が形成されてもよい。そしてその後、分子接合層４０が形成されたリードフレーム７０に対して、ボンディングワイヤ６０が接続されてもよい。   From another viewpoint, the semiconductor package 10 may not have the molecular bonding layer 40 on the surface of the bonding wire 60. A semiconductor package according to one aspect includes a conductive portion, a molecular bonding layer, and a resin portion. The conductive part has a metal plating layer on the surface of the conductive part. The molecular bonding layer is provided on the surface of the metal plating layer. The resin portion is bonded to the metal plating layer by the molecular bonding layer. At least a part of the molecular bonding layer is chemically bonded to the metal contained in the metal plating layer. At least a part of the molecular bonding layer is chemically bonded to the resin contained in the resin portion. That is, the semiconductor package 10 may have at least the molecular bonding layer 40 provided between the metal plating layer 72 and the mold resin portion 80, for example. In such a manufacturing method of the semiconductor package 10, for example, the molecular bonding agent may be applied to the lead frame 70 alone before the bonding wire 60 is provided. Thereby, the molecular bonding layer 40 may be formed on the surface of the lead frame 70. Thereafter, the bonding wire 60 may be connected to the lead frame 70 on which the molecular bonding layer 40 is formed.

以上説明した少なくとも１つの実施形態によれば、分子接合層によってボンディングワイヤとモールド樹脂部との密着性を向上させることができる半導体パッケージを提供することができる。   According to at least one embodiment described above, it is possible to provide a semiconductor package capable of improving the adhesion between the bonding wire and the mold resin portion by the molecular bonding layer.

また別の観点で見ると、以上説明した少なくとも１つの実施形態によれば、分子接合層によって金属めっき層と樹脂部との密着性を向上させることができる半導体パッケージを提供することができる。   From another viewpoint, according to at least one embodiment described above, it is possible to provide a semiconductor package in which the adhesion between the metal plating layer and the resin portion can be improved by the molecular bonding layer.

いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。   Although several embodiments have been described, these embodiments have been presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope of the present invention and the gist thereof, and are also included in the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.

１０…メ半導体パッケージ、２０…金属ベース、３０…半導体チップ、４０…分子接合層、５０…ダイボンディング接着層。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Semiconductor package, 20 ... Metal base, 30 ... Semiconductor chip, 40 ... Molecular junction layer, 50 ... Die bonding adhesive layer.

Claims (19)

半導体チップと、
導電部と、
前記半導体チップと前記導電部との間に設けられたボンディングワイヤと、
前記半導体チップ、前記導電部の少なくとも一部、及び前記ボンディングワイヤを覆うモールド樹脂部と、
少なくとも前記ボンディングワイヤの表面と前記モールド樹脂部との間に設けられた分子接合層と、
を備え、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記ボンディングワイヤに含まれる第１金属と化学結合し、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記モールド樹脂部に含まれる樹脂と化学結合した、
半導体パッケージ。 A semiconductor chip;
A conductive part;
A bonding wire provided between the semiconductor chip and the conductive portion;
A mold resin portion covering the semiconductor chip, at least a part of the conductive portion, and the bonding wire;
A molecular bonding layer provided at least between the surface of the bonding wire and the mold resin portion;
With
At least a part of the molecular bonding layer is chemically bonded to a first metal included in the bonding wire,
At least a part of the molecular bonding layer is chemically bonded to the resin contained in the mold resin portion.
Semiconductor package. 前記分子接合層は、前記ボンディングワイヤの前記第１金属と前記モールド樹脂部の前記樹脂との両方に共有結合した分子接合体を含む
請求項１に記載の半導体パッケージ。 The semiconductor package according to claim 1, wherein the molecular bonding layer includes a molecular bonding body that is covalently bonded to both the first metal of the bonding wire and the resin of the mold resin portion. 前記分子接合層は、前記ボンディングワイヤの表面と前記モールド樹脂部との間に設けられて前記ボンディングワイヤと前記モールド樹脂部との両方に化学結合した第１部分と、前記導電部の表面と前記モールド樹脂部との間に設けられて前記導電部と前記モールド樹脂部との両方に化学結合した第２部分とを有した、
請求項１に記載の半導体パッケージ。 The molecular bonding layer is provided between the surface of the bonding wire and the mold resin portion, and is chemically bonded to both the bonding wire and the mold resin portion; the surface of the conductive portion; A second portion provided between the mold resin portion and chemically bonded to both the conductive portion and the mold resin portion;
The semiconductor package according to claim 1. 前記導電部は、この導電部の表面に金属めっき層を含み、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記金属めっき層に含まれる第２金属と前記モールド樹脂部に含まれる前記樹脂との両方に化学結合した
請求項３に記載の半導体パッケージ。 The conductive part includes a metal plating layer on the surface of the conductive part,
The semiconductor package according to claim 3, wherein at least a part of the molecular bonding layer is chemically bonded to both the second metal contained in the metal plating layer and the resin contained in the mold resin portion. 前記導電部は、第３金属によって形成された導電部本体をさらに有し、
前記金属めっき層は、前記導電部本体の表面に設けられたバリア層である
請求項４に記載の半導体パッケージ。 The conductive part further includes a conductive part body formed of a third metal,
The semiconductor package according to claim 4, wherein the metal plating layer is a barrier layer provided on a surface of the conductive portion main body. 前記第２金属は、前記第３金属よりも拡散係数が小さい
請求項５に記載の半導体パッケージ。 The semiconductor package according to claim 5, wherein the second metal has a smaller diffusion coefficient than the third metal. 前記第２金属は、ニッケル、ニッケル合金、チタン、チタン合金、タングステン、及びタングステン合金の少なくとも１つを含む
請求項５に記載の半導体パッケージ。 The semiconductor package according to claim 5, wherein the second metal includes at least one of nickel, nickel alloy, titanium, titanium alloy, tungsten, and tungsten alloy. 前記導電部は、少なくとも一部が前記モールド樹脂部の外部に突出したリードフレームである
請求項４に記載の半導体パッケージ。 The conductive portion is a lead frame at least part of which protrudes outside the mold resin portion.
The semiconductor package according to claim 4. 前記導電部は、前記半導体パッケージの基板の導電パッドである
請求項３に記載の半導体パッケージ。 The semiconductor package according to claim 3, wherein the conductive portion is a conductive pad of a substrate of the semiconductor package. 前記分子接合層は、トリアジンジチオール残基を含む、
請求項１に記載の半導体パッケージ。 The molecular bonding layer includes a triazine dithiol residue.
The semiconductor package according to claim 1. 前記分子接合層の少なくとも一部は、単分子膜状である
請求項１に記載の半導体パッケージ。 The semiconductor package according to claim 1, wherein at least a part of the molecular bonding layer has a monomolecular film shape. 表面に金属めっき層を有した導電部と、
前記金属めっき層の表面に設けられた分子接合層と、
前記分子接合層によって前記金属めっき層に接合された樹脂部と、
を備え、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記金属めっき層に含まれる金属と化学結合し、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記樹脂部に含まれる樹脂と化学結合した、
半導体パッケージ。 A conductive part having a metal plating layer on the surface;
A molecular bonding layer provided on the surface of the metal plating layer;
A resin portion bonded to the metal plating layer by the molecular bonding layer;
With
At least a part of the molecular bonding layer is chemically bonded to a metal contained in the metal plating layer,
At least a part of the molecular bonding layer is chemically bonded to the resin contained in the resin portion.
Semiconductor package. 半導体チップと導電部とをボンディングワイヤによって電気的に接続し、
少なくとも前記ボンディングワイヤの表面に分子接合剤を塗布することで分子接合層を形成し、
少なくとも(at least by)、前記半導体チップ、前記導電部の少なくとも一部、及び前記ボンディングワイヤを覆う樹脂を供給することで、前記分子接合層によって少なくとも前記ボンディングワイヤに接合されたモールド樹脂部を形成する、
半導体パッケージの製造方法。 The semiconductor chip and the conductive part are electrically connected by a bonding wire,
A molecular bonding layer is formed by applying a molecular bonding agent to at least the surface of the bonding wire,
At least by, by supplying a resin that covers the semiconductor chip, at least a part of the conductive part, and the bonding wire, a mold resin part bonded to at least the bonding wire by the molecular bonding layer is formed. To
A method for manufacturing a semiconductor package. 前記分子接合剤は、金属及び樹脂の両方に化学結合可能である
請求項１３に記載の半導体パッケージの製造方法。 The molecular bonding agent can chemically bond to both metal and resin
A method for manufacturing a semiconductor package according to claim 13. 前記ボンディングワイヤの表面における前記分子接合層の少なくとも一部を単分子膜状に形成する、
請求項１３に記載の半導体パッケージの製造方法。 Forming at least a part of the molecular bonding layer on the surface of the bonding wire into a monomolecular film;
A method for manufacturing a semiconductor package according to claim 13. 前記分子接合層剤を、前記ワイヤボンディングの表面に塗布するのと略同時に、前記導電部の表面にも塗布する
請求項１３に記載の半導体パッケージの製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor package according to claim 13, wherein the molecular bonding layer agent is also applied to the surface of the conductive portion substantially simultaneously with the surface of the wire bonding. 前記分子接合層剤を、前記ワイヤボンディングの表面及び前記導電部の表面に塗布するのと略同時に前記半導体チップの表面にも塗布する
請求項１６に記載の半導体パッケージの製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor package according to claim 16, wherein the molecular bonding layer agent is applied to the surface of the semiconductor chip substantially simultaneously with the surface of the wire bonding and the surface of the conductive portion. 前記分子接合剤は、トリアジン誘導体を含む
請求項１３に記載の半導体パッケージの製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor package according to claim 13, wherein the molecular bonding agent includes a triazine derivative. 前記トリアジン誘導体は、一般式（Ｃ１）で表される化合物である。
（Ｃ１）
Figure 2018037639
（式中、Ｒは、炭化水素基又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、Ｘは、水素原子又は炭化水素基を示し、Ｙは、アルコキシ基を示し、
Ｚは、塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくはアジド基、又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、ｎ１は１〜３までの整数であり、ｎ２は１〜２までの整数である。）
請求項１８に記載の半導体パッケージの製造方法。 The triazine derivative is a compound represented by the general formula (C1).
(C1)
Figure 2018037639
(In the formula, R represents a hydrocarbon group or a hydrocarbon group in which a hetero atom or a functional group may intervene, X represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, Y represents an alkoxy group,
Z represents a thiol group, an amino group or an azide group which may form a salt, or a hydrocarbon group which may be intervened by a hetero atom or a functional group, n1 is an integer from 1 to 3, n2 is an integer from 1 to 2. )
The method for manufacturing a semiconductor package according to claim 18.
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