JP2018036283A - Noncontact temperature sensor - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a noncontact temperature sensor that can suppress heat loss, has high precision and superior responsiveness, and allows for recovery of the original condition even if paper jams.SOLUTION: The noncontact temperature sensor is provided that comprises: an insulating film 2; a thermistor part 3 in a surface of the insulating film; a pair of electrodes on the thermistor part; a pair of pad electrodes 5 in the surface of the insulating film; a pair of wiring parts 6; and a pair of lead frames 7 bonded to the pair of pad electrodes. The thermistor part is provided in a thermistor formation region 2a of the insulating film, the pad electrodes are formed in an electrode formation region 2b arranged on a proximal end side of the insulating film, and tip sides of the pair of lead frames are arranged surrounding the thermistor formation region without contacting. The pair of lead frames are elastic, and the thermistor formation region projects into a hollow of the region surrounded with the tip sides of the pair of lead frames without contacting the tip sides of the pair of lead frames.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、複写機やプリンタ等の加熱ローラの温度を測定することに好適な非接触温度センサに関する。   The present invention relates to a non-contact temperature sensor suitable for measuring the temperature of a heating roller such as a copying machine or a printer.

一般に、複写機やプリンタに使用されている加熱ローラ(定着ローラ)には、その温度を測定するために温度センサが非接触状態に設置されているものがある。このような非接触温度センサとしては、例えば特許文献1に、樹脂フィルムの表面に導体パターンが形成され、この導体パターン上に感温素子が実装されたフレキシブルプリント基板と、このフレキシブルプリント基板をその周縁部分で固定した筐体とを備えた非接触温度センサが提案されている。
また、特許文献2には、赤外線透過性フィルムの裏面にガラス溶封されたサーミスタ素子が固定された非接触温度センサが記載されている。この非接触温度センサでは、赤外線透過性フィルムの端部又は周縁部が固定用フランジを有するベースに固定されている。また、サーミスタ素子はリード線を介して電気的に接続されている。
In general, there is a heating roller (fixing roller) used in a copying machine or a printer in which a temperature sensor is installed in a non-contact state in order to measure the temperature. As such a non-contact temperature sensor, for example, in Patent Document 1, a flexible printed circuit board in which a conductor pattern is formed on the surface of a resin film and a temperature sensitive element is mounted on the conductive pattern, A non-contact temperature sensor including a housing fixed at a peripheral portion has been proposed.
Patent Document 2 describes a non-contact temperature sensor in which a thermistor element glass-sealed is fixed to the back surface of an infrared transparent film. In this non-contact temperature sensor, the end or peripheral edge of the infrared transmitting film is fixed to a base having a fixing flange. The thermistor elements are electrically connected via lead wires.

特開2010−43930号公報JP 2010-43930 A 特開2004−205417号公報JP 2004-205417 A

上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、従来の技術では、感温素子が実装されたフレキシブルプリント基板やフィルムがその周縁部分や端部で筐体やベースに固定されているため、赤外線を受けて生じた熱がフィルムを介して周囲の筐体やベースに逃げてしまい、温度の検出精度が低くなってしまうという問題があった。また、感温素子の熱容量が大きいと共に配線による熱コンダクタンスが大きく、応答性も悪くなってしまうという問題があった。
さらに、フレキシブルプリント基板やフィルムがその周縁部分や端部で筐体やベースに固定されているため、複写機等の加熱ローラの温度を測定する際に、ローラとセンサとの間に紙が詰まった場合に筐体やベースが曲がる又は折れる等の問題があった。このため、紙を取り除いた後にローラとセンサとの距離が変わってしまい、原状を回復できない不都合があった。また、このような破損の問題があるため、従来はセンサを支障のない距離までローラから離して配置しており、検出精度が落ちてしまう問題があった。
The following problems remain in the conventional technology.
That is, in the conventional technology, since the flexible printed circuit board or film on which the temperature sensitive element is mounted is fixed to the casing or the base at the peripheral edge or end thereof, the heat generated by receiving infrared rays passes through the film. There is a problem that the temperature detection accuracy is lowered due to escape to the surrounding casing and base. In addition, there is a problem that the thermal capacity of the temperature sensing element is large and the thermal conductance due to the wiring is large, resulting in poor responsiveness.
In addition, since the flexible printed circuit board and film are fixed to the housing and base at the peripheral edge and edge, paper is jammed between the roller and sensor when measuring the temperature of the heating roller of a copying machine or the like. In such a case, there is a problem that the casing and the base are bent or broken. For this reason, after removing the paper, the distance between the roller and the sensor changes, and the original state cannot be recovered. Further, since there is such a problem of breakage, there has conventionally been a problem that the sensor is disposed away from the roller to a distance that does not hinder the detection accuracy.

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、熱の逃げを抑制でき、高精度で応答性に優れていると共に、紙詰まりがあった場合でも原状を回復できる非接触温度センサを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a non-contact temperature sensor that can suppress heat escape, is highly accurate and has excellent responsiveness, and can recover the original state even when a paper jam occurs. The purpose is to do.

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第1の発明に係る非接触温度センサは、絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルムの表面に設けられたサーミスタ部と、前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパッド電極と、前記絶縁性フィルムの表面側で前記一対のパッド電極に接着された一対のリードフレームとを備え、前記サーミスタ部が前記絶縁性フィルムの先端側に配されたサーミスタ形成領域に設けられ、前記パッド電極が前記絶縁性フィルムの基端側に配された電極形成領域に形成され、前記一対のリードフレームの先端側が、前記サーミスタ形成領域の周囲を非接触で囲んで配され、前記一対のリードフレームが、弾性を有し、前記サーミスタ形成領域が、前記一対のリードフレームの先端側に囲まれた領域の中空に前記一対のリードフレームの先端側に接触しない状態で突出していることを特徴とする。   The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, the non-contact temperature sensor according to the first invention includes an insulating film, a thermistor portion provided on the surface of the insulating film, a pair of pad electrodes patterned on the surface of the insulating film, A pair of lead frames bonded to the pair of pad electrodes on the surface side of the insulating film, and the thermistor portion is provided in a thermistor forming region disposed on the tip side of the insulating film, and the pad electrode Is formed in an electrode forming region disposed on the base end side of the insulating film, and the distal end sides of the pair of lead frames are disposed so as to surround the thermistor forming region in a non-contact manner, and the pair of lead frames are The thermistor forming region is hollow in a region surrounded by the tip end side of the pair of lead frames. And wherein the projecting without contacting the side.

この非接触温度センサでは、一対のリードフレームの先端側が、サーミスタ形成領域の周囲を非接触で囲んで配され、一対のリードフレームが、弾性を有し、サーミスタ形成領域が、一対のリードフレームの先端側に囲まれた領域の中空に一対のリードフレームの先端側に接触しない状態で突出しているので、サーミスタ部が周囲のリードフレームで機械的に保護されると共に、周囲のリードフレームと非接触であるために熱がリードフレームに逃げ難く、高い応答性かつ高い検出精度を得ることができる。サーミスタ形成領域が中空に非接触で突き出ており、リードフレームにまで延ばさないことで小さい面積に設定可能であり、センサが小型化できる。さらに、複写機のローラ等を測定対象とした場合、紙詰まりでローラとの距離が変わっても、紙を取り除いた際にリードフレームのバネ性(弾性)によりセンサ位置が元に戻り、原状を回復することができる。   In this non-contact temperature sensor, the tip end sides of the pair of lead frames are arranged so as to surround the thermistor forming region in a non-contact manner, the pair of lead frames have elasticity, and the thermistor forming region is formed of the pair of lead frames. The thermistor part is mechanically protected by the surrounding lead frame and is not in contact with the surrounding lead frame because it protrudes into the hollow area surrounded by the leading end side without contacting the tip side of the pair of lead frames. Therefore, it is difficult for heat to escape to the lead frame, and high responsiveness and high detection accuracy can be obtained. The thermistor forming region protrudes in a hollow and non-contact manner, and can be set to a small area by not extending to the lead frame, and the sensor can be miniaturized. In addition, when measuring the roller of a copier, etc., even if the distance from the roller changes due to a paper jam, the sensor position will return to its original state due to the spring nature (elasticity) of the lead frame when the paper is removed. Can be recovered.

第2の発明に係る非接触温度センサは、第1の発明において、基端側が前記絶縁性フィルムの前記電極形成領域の裏面側に接着され、先端側が前記サーミスタ形成領域の周囲を非接触で囲んで配されている一対の裏面側フレームを備えている。
すなわち、この非接触温度センサでは、基端側が絶縁性フィルムの電極形成領域の裏面側に接着され、先端側がサーミスタ形成領域の周囲を非接触で囲んで配されている一対の裏面側フレームを備えているので、表面側のリードフレームに加えて裏面側フレームによってもサーミスタ形成領域が機械的に保護され、より高い剛性を有して補強される。また、電極形成領域をリードフレームと裏面側フレームとで挟んで支持することができ、リードフレームとパッド電極との接合強度を維持して信頼性の向上を図ることができる。
A non-contact temperature sensor according to a second invention is the non-contact temperature sensor according to the first invention, wherein the base end side is bonded to the back side of the electrode forming region of the insulating film, and the tip end side surrounds the thermistor forming region in a non-contact manner. A pair of back side frames arranged in a.
That is, this non-contact temperature sensor includes a pair of back side frames whose base end side is bonded to the back side of the electrode formation region of the insulating film and whose front end side is disposed so as to surround the thermistor formation region in a non-contact manner. Therefore, the thermistor forming region is mechanically protected not only by the front-side lead frame but also by the back-side frame, and is reinforced with higher rigidity. In addition, the electrode forming region can be supported by being sandwiched between the lead frame and the back frame, and the bonding strength between the lead frame and the pad electrode can be maintained to improve the reliability.

第3の発明に係る非接触温度センサは、第1又は第2の発明において、前記サーミスタ形成領域の裏面側を非接触で覆って設けられた絶縁性の保護フィルムを備えていることを特徴とする。
すなわち、この非接触温度センサでは、サーミスタ形成領域の裏面側を非接触で覆って設けられた絶縁性の保護フィルムを備えているので、保護フィルムが裏面側で輻射熱を遮蔽して、外気等の影響や測定対象物以外からの熱の干渉を抑制することができる。
A non-contact temperature sensor according to a third invention is characterized in that, in the first or second invention, the non-contact temperature sensor includes an insulating protective film provided so as to cover the back side of the thermistor formation region in a non-contact manner. To do.
That is, this non-contact temperature sensor has an insulating protective film provided so as to cover the back side of the thermistor formation region in a non-contact manner, so that the protective film shields radiant heat on the back side, The influence and the interference of heat from other than the measurement object can be suppressed.

なお、本発明に係る非接触温度センサは、第1から第3の発明のいずれかにおいて、前記サーミスタ部に互いに対向して形成された一対の電極と、一端が前記一対の電極に接続されていると共に他端が前記一対のパッド電極に接続された一対の配線部とを備え、前記配線部が、膜厚100〜300nmの薄膜で前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成されたパターン配線部であることが好ましい。
すなわち、この非接触温度センサでは、配線部が、膜厚100〜300nmの薄膜で絶縁性フィルムの表面にパターン形成されたパターン配線部であるので、通常のプリント基板等で配線として用いられている厚さ100μm程度の金属箔に比べてナノレベルの薄膜化によって大幅に熱コンダクタンスが小さくなって、さらに高い応答性を得ることができる。なお、膜厚が100nm未満の場合は、絶縁性フィルムが曲がった際に断線することがあり、膜厚が300nmを超える場合は、従来の金属箔の配線と同様に熱コンダクタンスが大きくなってしまうため、上記膜厚範囲とすることが好ましい。
The non-contact temperature sensor according to the present invention includes a pair of electrodes formed opposite to each other on the thermistor portion and one end connected to the pair of electrodes in any one of the first to third aspects. And a pair of wiring portions connected at the other end to the pair of pad electrodes, wherein the wiring portion is a thin film having a thickness of 100 to 300 nm and is patterned on the surface of the insulating film. Preferably there is.
That is, in this non-contact temperature sensor, since the wiring part is a pattern wiring part which is a thin film having a film thickness of 100 to 300 nm and is patterned on the surface of the insulating film, it is used as a wiring on a normal printed circuit board or the like. Compared to a metal foil having a thickness of about 100 μm, the thermal conductance is significantly reduced by making the film thin at the nano level, and higher response can be obtained. When the film thickness is less than 100 nm, the insulating film may be broken when bent, and when the film thickness exceeds 300 nm, the thermal conductance becomes large as in the case of conventional metal foil wiring. Therefore, it is preferable to set the film thickness within the above range.

さらに、本発明に係る非接触温度センサは、前記絶縁性フィルムが、前記サーミスタ形成領域と前記電極形成領域との間に、前記パターン配線部が配された配線形成領域を有し、前記配線形成領域が、前記サーミスタ形成領域及び前記電極形成領域よりも幅狭に形成されていることが好ましい。
すなわち、この非接触温度センサでは、配線形成領域が、サーミスタ形成領域及び電極形成領域よりも幅狭に形成されているので、配線形成領域を介して熱が逃げ難くなり、より高い応答性を得ることができる。
Furthermore, in the non-contact temperature sensor according to the present invention, the insulating film has a wiring formation region in which the pattern wiring portion is arranged between the thermistor formation region and the electrode formation region, and the wiring formation The region is preferably formed narrower than the thermistor formation region and the electrode formation region.
That is, in this non-contact temperature sensor, since the wiring formation region is formed to be narrower than the thermistor formation region and the electrode formation region, it is difficult for heat to escape through the wiring formation region, and higher responsiveness is obtained. be able to.

本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る非接触温度センサによれば、一対のリードフレームの先端側が、サーミスタ形成領域の周囲を非接触で囲んで配され、一対のリードフレームが、弾性を有し、サーミスタ形成領域が、一対のリードフレームの先端側に囲まれた領域の中空に一対のリードフレームの先端側に接触しない状態で突出しているので、サーミスタ部が周囲のリードフレームで機械的に保護されると共に、熱がリードフレームに逃げ難く、高い応答性かつ高い検出精度を得ることができ、さらに熱容量が小さいことで、高い応答性を得ることができる。また、複写機のローラ等を測定対象とした場合、紙詰まりでローラとの距離が変わっても、リードフレームのバネ性により原状を回復することができる。したがって、従来よりもローラに近づけて設置することも可能になり、高い検出精度を得ることが可能になる。
したがって、本発明の非接触温度センサによれば、サーミスタ部が保護されていると共に、高い応答性で正確に温度を非接触で測定することができ、複写機やプリンタ等の加熱ローラの温度測定用として好適である。
The present invention has the following effects.
That is, according to the non-contact temperature sensor according to the present invention, the tip ends of the pair of lead frames are arranged so as to surround the thermistor forming region in a non-contact manner, and the pair of lead frames have elasticity, and the thermistor forming region However, since it protrudes in the state surrounded by the tip side of the pair of lead frames without contacting the tip side of the pair of lead frames, the thermistor part is mechanically protected by the surrounding lead frame, It is difficult for heat to escape to the lead frame, high responsiveness and high detection accuracy can be obtained, and furthermore, high responsiveness can be obtained because the heat capacity is small. Further, when a copying machine roller or the like is a measurement target, the original shape can be recovered by the spring property of the lead frame even if the distance from the roller changes due to a paper jam. Therefore, it can be installed closer to the roller than in the past, and high detection accuracy can be obtained.
Therefore, according to the non-contact temperature sensor of the present invention, the thermistor part is protected, and the temperature can be measured in a non-contact manner with high responsiveness and accurately. Suitable for use.

本発明に係る非接触温度センサの一実施形態を示す内部を透視した平面図(a)及びA−A線断面図(b)である。It is the top view (a) and AA sectional view (b) which saw through the inside which shows one Embodiment of the non-contact temperature sensor which concerns on this invention. 本実施形態において、センサ部を示す平面図である。In this embodiment, it is a top view which shows a sensor part. 本実施形態において、センサ部の製造工程を工程順に示す要部の斜視図である。In this embodiment, it is a perspective view of the principal part which shows the manufacturing process of a sensor part in order of a process. 本実施形態において、リードフレーム取り付け工程を示す平面図である。In this embodiment, it is a top view which shows a lead frame attachment process. 本実施形態において、裏面側フレーム取り付け工程を示す平面図及び正面図である。In this embodiment, it is the top view and front view which show a back surface side frame attachment process. 本実施形態において、保護フィルム取り付け工程を示す平面図及び正面図である。In this embodiment, it is the top view and front view which show a protective film attachment process.

以下、本発明に係る非接触温度センサにおける一実施形態を、図1から図6を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。   Hereinafter, an embodiment of a non-contact temperature sensor according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6. Note that in some of the drawings used for the following description, the scale is appropriately changed as necessary to make each part recognizable or easily recognizable.

本実施形態の非接触温度センサ1は、図1から図3に示すように、絶縁性フィルム2と、絶縁性フィルム2の表面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部3(サーミスタ部)と、薄膜サーミスタ部3の上に複数の櫛部4aを有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極4と、絶縁性フィルム2の表面にパターン形成された一対のパッド電極5と、一端が一対の櫛型電極4に接続されていると共に他端が一対のパッド電極5に接続され絶縁性フィルム2の表面にパターン形成された一対のパターン配線部6と、絶縁性フィルム2の表面側で一対のパッド電極5に接着された一対のリードフレーム7とを備えている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the non-contact temperature sensor 1 of the present embodiment includes an insulating film 2, and a thin film thermistor portion 3 (thermistor portion) that is patterned on the surface of the insulating film 2 with the thermistor material. A pair of comb electrodes 4 having a plurality of comb portions 4a on the thin film thermistor portion 3 and patterned to face each other; a pair of pad electrodes 5 patterned on the surface of the insulating film 2; A pair of pattern wiring portions 6 having one end connected to a pair of comb-shaped electrodes 4 and the other end connected to a pair of pad electrodes 5 and patterned on the surface of the insulating film 2, and the surface of the insulating film 2 And a pair of lead frames 7 bonded to the pair of pad electrodes 5 on the side.

なお、図2及び図3に示すように、上記の絶縁性フィルム2、薄膜サーミスタ部3、櫛型電極4、パッド電極5及びパターン配線部6によりセンサ部Sが構成されている。
また、上記センサ部Sは、パッド電極5が配された領域を除いて絶縁性フィルム2の表面に形成された保護膜8を備えている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the above-described insulating film 2, thin film thermistor portion 3, comb electrode 4, pad electrode 5 and pattern wiring portion 6 constitute a sensor portion S.
The sensor unit S includes a protective film 8 formed on the surface of the insulating film 2 except for the region where the pad electrode 5 is disposed.

上記薄膜サーミスタ部3は、絶縁性フィルム2の先端側に配されたサーミスタ形成領域2aに形成されている。また、上記パッド電極5は、絶縁性フィルム2の基端側に配された電極形成領域2bに形成されている。さらに、絶縁性フィルム2は、サーミスタ形成領域2aと電極形成領域2bとの間に、パターン配線部6が配された配線形成領域2cを有している。この配線形成領域2cは、サーミスタ形成領域2a及び電極形成領域2bよりも幅狭に形成されている。   The thin film thermistor portion 3 is formed in a thermistor forming region 2 a disposed on the leading end side of the insulating film 2. The pad electrode 5 is formed in an electrode formation region 2 b disposed on the base end side of the insulating film 2. Further, the insulating film 2 has a wiring formation region 2c in which the pattern wiring portion 6 is disposed between the thermistor formation region 2a and the electrode formation region 2b. The wiring formation region 2c is formed narrower than the thermistor formation region 2a and the electrode formation region 2b.

上記一対のリードフレーム7の先端側は、サーミスタ形成領域2aの周囲を非接触で囲んで配されている。すなわち、一対のリードフレーム7の先端側は、サーミスタ形成領域2aの両側方に延在し、さらにそれぞれ対向方向に曲がってサーミスタ形成領域2aの側方から前方を囲むように延びている先端部7aを有している。これらの先端部7aは、近接状態に対向している。また、一対のリードフレーム7の基端側は、サーミスタ形成領域2aの側方部分よりも幅広に形成され、電極形成領域2bの一対のパッド電極5に溶接されて接着されている。   The tip ends of the pair of lead frames 7 are arranged so as to surround the thermistor forming region 2a in a non-contact manner. That is, the front end sides of the pair of lead frames 7 extend to both sides of the thermistor formation region 2a, and further bend in the opposite direction to extend from the side of the thermistor formation region 2a so as to surround the front portion 7a. have. These tip portions 7a are opposed to each other in the proximity state. The base end sides of the pair of lead frames 7 are formed wider than the side portions of the thermistor forming region 2a, and are welded and bonded to the pair of pad electrodes 5 in the electrode forming region 2b.

したがって、一対のリードフレーム7は互いに平行に延在していると共に、サーミスタ形成領域2aの側方部分だけが幅狭に形成されて、サーミスタ形成領域2aを囲むように配設されている。このように、サーミスタ形成領域2aは、一対のリードフレーム7の先端側に囲まれた領域にこれらに接触しない状態で突出し、中空に浮いている状態とされている。
なお、リードフレーム7は、はんだ付けでパッド電極5に接合して接着しても構わない。
Accordingly, the pair of lead frames 7 extend in parallel to each other, and only the side portions of the thermistor formation region 2a are formed narrow so as to surround the thermistor formation region 2a. As described above, the thermistor formation region 2a protrudes into a region surrounded by the distal ends of the pair of lead frames 7 without contacting them, and is in a state of floating in the air.
The lead frame 7 may be bonded to the pad electrode 5 by soldering.

また、本実施形態の非接触温度センサ1は、基端側が絶縁性フィルム2の電極形成領域2bの裏面側に接着され、先端側がサーミスタ形成領域2aの周囲を非接触で囲んで配されている一対の裏面側フレーム9と、サーミスタ形成領域2aの裏面側を非接触で覆って設けられた絶縁性の保護フィルム10とを備えている。したがって、この非接触温度センサ1では、図1の(b)に示すように、絶縁性フィルム2の表面側だけが開口しており、測定対象物からの輻射熱(図1中の一点破線矢印)を受けることができる。   In the non-contact temperature sensor 1 of the present embodiment, the base end side is adhered to the back side of the electrode forming region 2b of the insulating film 2, and the tip end side is disposed so as to surround the thermistor forming region 2a in a non-contact manner. A pair of backside frames 9 and an insulating protective film 10 provided so as to cover the backside of the thermistor forming region 2a in a non-contact manner are provided. Therefore, in this non-contact temperature sensor 1, as shown in FIG. 1B, only the surface side of the insulating film 2 is opened, and the radiant heat from the measurement object (one-dot broken line arrow in FIG. 1). Can receive.

なお、裏面側フレーム9は、熱膨張係数の違いによる変形を防ぐために、リードフレーム7と同じ金属材料で形成することが好ましい。また、リードフレーム7及び裏面側フレーム9は、測定対象物と平行な位置を維持するため、またセンサを曲げた際に位置を回復するために、ある程度の弾性を有した材料が好ましい。   The back frame 9 is preferably formed of the same metal material as the lead frame 7 in order to prevent deformation due to a difference in thermal expansion coefficient. In addition, the lead frame 7 and the back frame 9 are preferably made of a material having a certain degree of elasticity in order to maintain a position parallel to the measurement object and to restore the position when the sensor is bent.

上記パターン配線部6は、膜厚100〜300nmの薄膜で形成されている。
上記絶縁性フィルム2は、例えばポリイミド樹脂シートで形成されている。なお、絶縁性フィルム2としては、他にPET:ポリエチレンテレフタレート,PEN:ポリエチレンナフタレート等でも作製できるが、加熱ローラの温度測定用としては、最高使用温度が230℃と高いためポリイミドフィルムが望ましい。
The pattern wiring portion 6 is formed of a thin film having a thickness of 100 to 300 nm.
The insulating film 2 is formed of, for example, a polyimide resin sheet. The insulating film 2 can also be made of PET: polyethylene terephthalate, PEN: polyethylene naphthalate, etc., but for measuring the temperature of the heating roller, a polyimide film is desirable because the maximum use temperature is as high as 230 ° C.

上記薄膜サーミスタ部3は、絶縁性フィルム2の先端側に配され、TiAlNのサーミスタ材料で形成されている。特に、薄膜サーミスタ部3は、一般式:TiAl(0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。 The thin film thermistor portion 3 is disposed on the leading end side of the insulating film 2 and is formed of a TiAlN thermistor material. In particular, the thin film thermistor portion 3 is a metal represented by the general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.98, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1). It consists of nitride and its crystal structure is a hexagonal wurtzite single phase.

上記パターン配線部6及び櫛型電極4は、薄膜サーミスタ部3上に形成された膜厚5〜100nmのCr又はNiCrの接合層と、該接合層上にAu等の貴金属で膜厚50〜295nmで形成された電極層とを有している。
一対の櫛型電極4は、互いに対向状態に配されて交互に櫛部4aが並んだ櫛型パターンとされている。
The pattern wiring portion 6 and the comb-shaped electrode 4 are made of a Cr or NiCr bonding layer having a thickness of 5 to 100 nm formed on the thin film thermistor portion 3 and a film thickness of 50 to 295 nm with a noble metal such as Au on the bonding layer. And an electrode layer formed of
The pair of comb-shaped electrodes 4 has a comb-shaped pattern in which comb portions 4a are arranged alternately and arranged in opposition to each other.

上記保護膜8は、絶縁性樹脂膜等であり、例えば厚さ20μmのポリイミド膜が採用される。
上記保護フィルム10は、絶縁性樹脂フィルム等であり、例えばポリイミドフィルムが採用される。
The protective film 8 is an insulating resin film or the like, for example, a polyimide film having a thickness of 20 μm is employed.
The said protective film 10 is an insulating resin film etc., for example, a polyimide film is employ | adopted.

上記薄膜サーミスタ部3は、上述したように、金属窒化物材料であって、一般式:TiAl(0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系の結晶系であってウルツ鉱型(空間群P6mc(No.186))の単相である。 As described above, the thin film thermistor portion 3 is a metal nitride material, and has a general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.98, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1), the crystal structure of which is a hexagonal crystal system with a single phase of wurtzite type (space group P6 3 mc (No. 186)) is there.

また、この薄膜サーミスタ部3は、例えば膜厚100〜1000nmの膜状に形成され、前記膜の表面に対して垂直方向に延在している柱状結晶である。さらに、膜の表面に対して垂直方向にa軸よりc軸が強く配向していることが好ましい。
なお、膜の表面に対して垂直方向(膜厚方向)にa軸配向(100)が強いかc軸配向(002)が強いかの判断は、X線回折(XRD)を用いて結晶軸の配向性を調べることで、(100)(a軸配向を示すミラー指数)と(002)(c軸配向を示すミラー指数)とのピーク強度比から、「(100)のピーク強度」/「(002)のピーク強度」が1未満であることで決定する。
The thin film thermistor portion 3 is a columnar crystal that is formed in a film shape of, for example, a film thickness of 100 to 1000 nm and extends in a direction perpendicular to the surface of the film. Further, it is preferable that the c-axis is oriented more strongly than the a-axis in the direction perpendicular to the film surface.
Whether the a-axis orientation (100) is strong or the c-axis orientation (002) is strong in the direction perpendicular to the film surface (film thickness direction) is determined using X-ray diffraction (XRD). By examining the orientation, from the peak intensity ratio of (100) (Miller index indicating a-axis orientation) and (002) (Miller index indicating c-axis alignment), “(100) peak intensity” / “(( 002) peak intensity ”is less than 1.

この非接触温度センサ1の製造方法について、図2から図5を参照して以下に説明する。
本実施形態の非接触温度センサ1の製造方法は、絶縁性フィルム2上に薄膜サーミスタ部3をパターン形成する薄膜サーミスタ部形成工程と、互いに対向した一対の櫛型電極4を薄膜サーミスタ部3上に配して絶縁性フィルム2上に一対のパターン配線部6をパターン形成する電極形成工程と、絶縁性フィルム2の表面に保護膜8を形成する保護膜形成工程と、パッド電極5にリードフレーム7を溶接するリードフレーム接着工程と、絶縁性フィルム2に裏面側フレーム9を接着する裏面側フレーム接着工程と、保護フィルム10を裏面側フレーム9に接着する保護フィルム接着工程とを有している。
A method for manufacturing the non-contact temperature sensor 1 will be described below with reference to FIGS.
The manufacturing method of the non-contact temperature sensor 1 according to the present embodiment includes a thin film thermistor portion forming step for patterning the thin film thermistor portion 3 on the insulating film 2 and a pair of comb-shaped electrodes 4 facing each other on the thin film thermistor portion 3. An electrode forming step of forming a pair of pattern wiring portions 6 on the insulating film 2, a protective film forming step of forming a protective film 8 on the surface of the insulating film 2, and a lead frame on the pad electrode 5. 7, a lead frame bonding step for bonding 7, a back surface frame bonding step for bonding the back frame 9 to the insulating film 2, and a protective film bonding step for bonding the protective film 10 to the back frame 9. .

より具体的な製造方法の例としては、図3の(a)に示す厚さ50μmのポリイミドフィルムの絶縁性フィルム2上に、Ti−Al合金スパッタリングターゲットを用い、窒素含有雰囲気中で反応性スパッタ法にて、TiAl(x=9、y=43、z=48)のサーミスタ膜を膜厚200nmで形成する。その時のスパッタ条件は、到達真空度5×10−6Pa、スパッタガス圧0.4Pa、ターゲット投入電力(出力)200Wで、Arガス+窒素ガスの混合ガス雰囲気下において、窒素ガス分率を20%で作製する。 As an example of a more specific manufacturing method, reactive sputtering is performed in a nitrogen-containing atmosphere using a Ti—Al alloy sputtering target on an insulating film 2 of a polyimide film having a thickness of 50 μm shown in FIG. at law, formed by Ti x Al y N z (x = 9, y = 43, z = 48) thermistor film thickness 200nm of. The sputtering conditions at that time were an ultimate vacuum of 5 × 10 −6 Pa, a sputtering gas pressure of 0.4 Pa, a target input power (output) of 200 W, and a nitrogen gas fraction of 20 in a mixed gas atmosphere of Ar gas + nitrogen gas. %.

成膜したサーミスタ膜の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、110℃で1分30秒のプリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、さらに150℃で5分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要なTiAlのサーミスタ膜を市販のTiエッチャントでウェットエッチングを行い、図3の(b)に示すように、レジスト剥離にて所望の形状の薄膜サーミスタ部3にする。 A resist solution is applied onto the deposited thermistor film with a bar coater, pre-baked at 110 ° C. for 1 minute 30 seconds, exposed to light with an exposure apparatus, and unnecessary portions are removed with a developer, and further at 150 ° C. Patterning is performed by post-baking for minutes. Thereafter, the thermistor film unnecessary Ti x Al y N z by wet etching in a commercial Ti etchant, as shown in (b) of FIG. 3, with a resist peeling the thin-film thermistor portion 3 of a desired shape.

次に、薄膜サーミスタ部3及び絶縁性フィルム2上に、スパッタ法にて、Cr膜の接合層を膜厚20nm形成する。さらに、この接合層上に、スパッタ法にてAu膜の電極層を膜厚100nm形成する。
次に、成膜した電極層の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、110℃で1分30秒のプリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、150℃で5分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要な電極部分を市販のAuエッチャント及びCrエッチャントの順番でウェットエッチングを行い、図2及び図3の(c)に示すように、レジスト剥離にて所望のパターン配線部6及び櫛型電極4を形成する。
Next, a 20 nm-thick Cr film bonding layer is formed on the thin film thermistor portion 3 and the insulating film 2 by sputtering. Further, an Au film electrode layer is formed to a thickness of 100 nm on the bonding layer by sputtering.
Next, after applying a resist solution on the electrode layer formed by a bar coater, pre-baking was performed at 110 ° C. for 1 minute 30 seconds, and after exposure with an exposure apparatus, unnecessary portions were removed with a developer, and 150 ° C. Then, patterning is performed by post-baking for 5 minutes. Thereafter, unnecessary electrode portions are wet-etched in the order of commercially available Au etchant and Cr etchant, and as shown in FIGS. 2 and 3C, desired pattern wiring portions 6 and comb-shaped electrodes are removed by resist stripping. 4 is formed.

さらに、その上にポリイミドワニスを印刷法により塗布して、250℃、30分でキュアを行い、図3の(d)に示すように、20μm厚のポリイミド保護膜8を形成することで、センサ部Sが作製される。
次に、センサ部Sの一対のパッド電極5に、図4に示すように、一対のリードフレーム7をその基端側で溶接する。このとき、一対のリードフレーム7を、その先端側でサーミスタ形成領域2aを囲むように配置する。
Further, a polyimide varnish is applied thereon by a printing method, and cured at 250 ° C. for 30 minutes to form a polyimide protective film 8 having a thickness of 20 μm as shown in FIG. Part S is produced.
Next, as shown in FIG. 4, a pair of lead frames 7 are welded to the pair of pad electrodes 5 of the sensor unit S on the base end side. At this time, the pair of lead frames 7 are arranged so as to surround the thermistor formation region 2a on the tip side.

さらに、図5に示すように、絶縁性フィルム2の裏面側に、一対のリードフレーム7と対向状態に、一対の裏面側フレーム9を接着剤等により接着する。このとき、一対のリードフレーム7の先端側と同様に、一対の裏面側フレーム9もその先端側でサーミスタ形成領域2aを囲むように配置する。
そして、図6に示すように、一対の裏面側フレーム9上にポリイミドフィルムの保護フィルム10を接着剤等で貼り付け、一対の裏面側フレーム9間の上部開口部分を塞ぐことで、非接触温度センサ1が作製される。
Furthermore, as shown in FIG. 5, a pair of back surface side frames 9 are bonded to the back surface side of the insulating film 2 so as to face the pair of lead frames 7 with an adhesive or the like. At this time, like the front end sides of the pair of lead frames 7, the pair of back side frames 9 are also arranged so as to surround the thermistor formation region 2a on the front end side.
Then, as shown in FIG. 6, a non-contact temperature is obtained by sticking a polyimide film protective film 10 on the pair of backside frames 9 with an adhesive or the like and closing the upper opening between the pair of backside frames 9. The sensor 1 is manufactured.

なお、複数のセンサ部Sを同時に作製する場合、絶縁性フィルム2の大判シートに複数の薄膜サーミスタ部3、櫛型電極4、パターン配線部6、パッド電極5及び保護フィルム10を上述のように形成した後に、大判シートから各センサ部Sに切断する。   In addition, when producing the several sensor part S simultaneously, the several thin film thermistor part 3, the comb-shaped electrode 4, the pattern wiring part 6, the pad electrode 5, and the protective film 10 are formed on the large sheet of the insulating film 2 as mentioned above. After forming, each sensor part S is cut | disconnected from a large format sheet.

このように本実施形態の非接触温度センサ1では、一対のリードフレーム7の先端側が、サーミスタ形成領域2aの周囲を非接触で囲んで配され、一対のリードフレーム7が、弾性を有し、サーミスタ形成領域2aが、一対のリードフレーム7の先端側に囲まれた領域の中空に一対のリードフレーム7の先端側に接触しない状態で突出しているので、薄膜サーミスタ部3が周囲のリードフレーム7で機械的に保護されると共に、周囲のリードフレーム7と非接触であるために熱がリードフレーム7に逃げ難く、高い検出精度を得ることができる。サーミスタ形成領域2aが中空に非接触で突き出ており、リードフレーム7にまで延ばさないことで小さい面積に設定可能であり、センサが小型化できる。さらに、複写機のローラ等を測定対象とした場合、紙詰まりでローラとの距離が変わっても、紙を取り除いた際にリードフレーム7のバネ性(弾性)によりセンサ位置が元に戻り、原状を回復することができる。したがって、従来よりもローラに近づけて設置することも可能になり、高い検出精度を得ることが可能になる。   Thus, in the non-contact temperature sensor 1 of the present embodiment, the tip ends of the pair of lead frames 7 are arranged so as to surround the thermistor forming region 2a in a non-contact manner, and the pair of lead frames 7 have elasticity, Since the thermistor forming region 2a protrudes into a hollow region surrounded by the distal end side of the pair of lead frames 7 without contacting the distal end side of the pair of lead frames 7, the thin film thermistor portion 3 is in the surrounding lead frame 7 In addition to being mechanically protected, heat is difficult to escape to the lead frame 7 because it is not in contact with the surrounding lead frame 7, and high detection accuracy can be obtained. The thermistor formation region 2a protrudes in a hollow and non-contact manner, and can be set to a small area by not extending to the lead frame 7, and the sensor can be miniaturized. In addition, when a roller of a copying machine is a measurement object, even if the distance from the roller changes due to a paper jam, the sensor position returns to its original state due to the spring property (elasticity) of the lead frame 7 when the paper is removed. Can be recovered. Therefore, it can be installed closer to the roller than in the past, and high detection accuracy can be obtained.

また、基端側が絶縁性フィルム2の電極形成領域2bの裏面側に接着され、先端側がサーミスタ形成領域2aの周囲を非接触で囲んで配されている一対の裏面側フレーム9を備えているので、表面側のリードフレーム7に加えて裏面側フレーム9によってもサーミスタ形成領域2aが機械的に保護され、より高い剛性を有して補強される。また、電極形成領域2bをリードフレーム7と裏面側フレーム9とで挟んで支持することができ、リードフレーム7とパッド電極5との接合強度を維持して信頼性の向上を図ることができる。   In addition, since the base end side is attached to the back side of the electrode forming region 2b of the insulating film 2, and the front end side is provided with a pair of back side frames 9 arranged so as to surround the thermistor forming region 2a in a non-contact manner. The thermistor formation region 2a is mechanically protected by the back surface side frame 9 in addition to the front surface side lead frame 7, and is reinforced with higher rigidity. In addition, the electrode forming region 2b can be supported by being sandwiched between the lead frame 7 and the back frame 9, and the bonding strength between the lead frame 7 and the pad electrode 5 can be maintained to improve the reliability.

さらに、サーミスタ形成領域2aの裏面側を非接触で覆って設けられた絶縁性の保護フィルム10を備えているので、保護フィルム10が裏面側で輻射熱を遮蔽して、外気等の影響や測定対象物以外からの熱の干渉を抑制することができる。
また、パターン配線部6が、膜厚100〜300nmの薄膜で形成されているので、通常のプリント基板等で配線として用いられている厚さ100μm程度の金属箔に比べてナノレベルの薄膜化によって大幅に熱コンダクタンスが小さくなって、さらに高い応答性を得ることができる。
また、配線形成領域2cが、サーミスタ形成領域2a及び電極形成領域2bよりも幅狭に形成されているので、配線形成領域2cを介して熱が逃げ難くなり、より高い応答性を得ることができる。
Furthermore, since the insulating protective film 10 provided so as to cover the back side of the thermistor formation region 2a in a non-contact manner is provided, the protective film 10 shields radiant heat on the back side, and influences of outside air, etc. Interference with heat from other than the object can be suppressed.
Moreover, since the pattern wiring part 6 is formed with a thin film having a film thickness of 100 to 300 nm, it is reduced by a nano-level thin film as compared with a metal foil having a thickness of about 100 μm that is used as a wiring on a normal printed circuit board or the like. The thermal conductance is greatly reduced, and higher responsiveness can be obtained.
In addition, since the wiring formation region 2c is formed narrower than the thermistor formation region 2a and the electrode formation region 2b, it is difficult for heat to escape through the wiring formation region 2c, and higher responsiveness can be obtained. .

なお、薄膜サーミスタ部3が、一般式:TiAl(0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系の結晶系であってウルツ鉱型の単相であるので、非焼成で良好なB定数が得られると共に高い耐熱性を有している。
また、この金属窒化物材料では、膜の表面に対して垂直方向に延在している柱状結晶であるので、膜の結晶性が高く、高い耐熱性が得られる。
さらに、この金属窒化物材料では、膜の表面に対して垂直方向にa軸よりc軸を強く配向させることで、a軸配向が強い場合に比べて高いB定数が得られる。
Note that the thin film thermistor portion 3 is a metal represented by the general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.98, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1). Since it is made of nitride and its crystal structure is a hexagonal crystal system and is a wurtzite single phase, it has a good B constant without firing and has high heat resistance.
In addition, since this metal nitride material is a columnar crystal extending in a direction perpendicular to the surface of the film, the film has high crystallinity and high heat resistance can be obtained.
Further, in this metal nitride material, by aligning the c-axis more strongly than the a-axis in the direction perpendicular to the film surface, a higher B constant can be obtained than when the a-axis alignment is strong.

したがって、本実施形態の非接触温度センサ1では、絶縁性フィルム2上に上記サーミスタ材料層で薄膜サーミスタ部3が形成されているので、非焼成で形成され高B定数で耐熱性の高い薄膜サーミスタ部3により、樹脂フィルム等の耐熱性の低い絶縁性フィルム2を用いることができると共に、良好なサーミスタ特性を有した薄型でフレキシブルなサーミスタセンサが得られる。   Therefore, in the non-contact temperature sensor 1 of the present embodiment, since the thin film thermistor portion 3 is formed of the thermistor material layer on the insulating film 2, the thin film thermistor is formed without firing and has a high B constant and high heat resistance. The part 3 can use the insulating film 2 having a low heat resistance such as a resin film, and a thin and flexible thermistor sensor having good thermistor characteristics.

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。   The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

例えば、上記実施形態では、絶縁性フィルムにおいて薄膜サーミスタ部の反対側の面(サーミスタ形成領域の裏面)に特に何も形成していないが、この部分にAu等で赤外線反射膜を形成しても構わない。この場合、赤外線反射膜によって裏面側からの赤外線を反射してさらに測定対象物以外からの輻射熱の干渉を防ぐことができる。
また、上記実施形態では、裏面フレームと保護フィルムとを別体として接着しているが、これらを樹脂等でケース状に一体化して絶縁性フィルムの裏面に接着しても構わない。
For example, in the above-described embodiment, nothing is formed on the surface opposite to the thin film thermistor portion (the back surface of the thermistor formation region) in the insulating film, but an infrared reflective film may be formed on this portion with Au or the like. I do not care. In this case, it is possible to prevent the interference of radiant heat from other than the measurement object by reflecting the infrared rays from the back surface side by the infrared reflection film.
Moreover, in the said embodiment, although the back surface frame and the protective film are adhere | attached separately, you may integrate these in a case shape with resin etc., and you may adhere | attach on the back surface of an insulating film.

1…非接触温度センサ、2…絶縁性フィルム、2a…サーミスタ形成領域、2b…電極形成領域、2c…配線形成領域、3…薄膜サーミスタ部(サーミスタ部)、4…櫛型電極、4a…櫛部、5…パッド電極、6…パターン配線部、7…リードフレーム、8…保護膜、9…裏面側フレーム、10…保護フィルム、S…センサ部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Non-contact temperature sensor, 2 ... Insulating film, 2a ... Thermistor formation area, 2b ... Electrode formation area, 2c ... Wiring formation area, 3 ... Thin film thermistor part (thermistor part), 4 ... Comb-shaped electrode, 4a ... Comb part DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 ... Pad electrode, 6 ... Pattern wiring part, 7 ... Lead frame, 8 ... Protective film, 9 ... Back surface side frame, 10 ... Protective film, S ... Sensor part

Claims (3)

絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルムの表面に設けられたサーミスタ部と、
前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパッド電極と、
前記絶縁性フィルムの表面側で前記一対のパッド電極に接着された一対のリードフレームとを備え、
前記サーミスタ部が前記絶縁性フィルムの先端側に配されたサーミスタ形成領域に設けられ、
前記パッド電極が前記絶縁性フィルムの基端側に配された電極形成領域に形成され、
前記一対のリードフレームの先端側が、前記サーミスタ形成領域の周囲を非接触で囲んで配され、
前記一対のリードフレームが、弾性を有し、
前記サーミスタ形成領域が、前記一対のリードフレームの先端側に囲まれた領域の中空に前記一対のリードフレームの先端側に接触しない状態で突出していることを特徴とする非接触温度センサ。
An insulating film;
A thermistor provided on the surface of the insulating film;
A pair of pad electrodes patterned on the surface of the insulating film;
A pair of lead frames bonded to the pair of pad electrodes on the surface side of the insulating film;
The thermistor portion is provided in a thermistor forming region disposed on the leading end side of the insulating film,
The pad electrode is formed in an electrode formation region disposed on the base end side of the insulating film,
The tip sides of the pair of lead frames are arranged so as to surround the thermistor forming region in a non-contact manner,
The pair of lead frames has elasticity,
The non-contact temperature sensor, wherein the thermistor forming region protrudes into a hollow area surrounded by the distal end sides of the pair of lead frames without contacting the distal end sides of the pair of lead frames.
請求項1に記載の非接触温度センサにおいて、
基端側が前記絶縁性フィルムの前記電極形成領域の裏面側に接着され、先端側が前記サーミスタ形成領域の周囲を非接触で囲んで配されている一対の裏面側フレームを備えていることを特徴とする非接触温度センサ。
The non-contact temperature sensor according to claim 1.
The base end side is bonded to the back side of the electrode forming region of the insulating film, and the front end side includes a pair of back side frames arranged so as to surround the thermistor forming region in a non-contact manner. Non-contact temperature sensor.
請求項1又は2に記載の非接触温度センサにおいて、
前記サーミスタ形成領域の裏面側を非接触で覆って設けられた絶縁性の保護フィルムを備えていることを特徴とする非接触温度センサ。
The non-contact temperature sensor according to claim 1 or 2,
A non-contact temperature sensor comprising an insulating protective film provided so as to cover the back side of the thermistor formation region in a non-contact manner.
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