JP2014145655A - Temperature sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、複写機やプリンタ等の加熱ローラの温度を測定することに好適な温度センサに関する。 The present invention relates to a temperature sensor suitable for measuring the temperature of a heating roller such as a copying machine or a printer.
一般に、複写機やプリンタに使用されている加熱ローラには、その温度を測定するために温度センサが接触状態に設置されている。このような温度センサとしては、例えば特許文献１及び２に、一対のリード線と、これらのリード線の間に配設され接続された感熱素子と、一対のリード線の端部に形成された保持部と、リード線及び感熱素子の片面に設けられ加熱ローラに接触させる薄膜シートとを有する温度センサが提案されている。 Generally, a heating sensor used in a copying machine or a printer is provided with a temperature sensor in contact with the heating roller in order to measure its temperature. As such a temperature sensor, for example, in Patent Documents 1 and 2, a pair of lead wires, a thermal element disposed and connected between these lead wires, and an end portion of the pair of lead wires are formed. There has been proposed a temperature sensor having a holding portion and a thin film sheet that is provided on one side of a lead wire and a thermal element and is brought into contact with a heating roller.
このような温度センサは、加熱ローラの表面にリード線の弾性力を利用して接触され、温度検知するものである。
なお、上記特許文献１には、感熱素子として ビードサーミスタやチップサーミスタが採用されていると共に、特許文献２には、感熱素子として、アルミナ等の絶縁基板の一面に感熱膜が形成された薄膜サーミスタが採用されている。この薄膜サーミスタは、絶縁基板の一面に形成された感熱膜と、該感熱膜と一対のリード線とを接続する一対のリード部と、感熱膜を覆う保護膜とで構成されている。
Such a temperature sensor detects the temperature by contacting the surface of the heating roller using the elastic force of the lead wire.
In Patent Document 1, a bead thermistor or a chip thermistor is employed as the thermal element, and in Patent Document 2, a thin film thermistor in which a thermal film is formed on one surface of an insulating substrate such as alumina as the thermal element. Is adopted. This thin film thermistor is composed of a heat sensitive film formed on one surface of an insulating substrate, a pair of lead parts connecting the heat sensitive film and a pair of lead wires, and a protective film covering the heat sensitive film.
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、特許文献１に記載の技術では、感熱素子としてビードサーミスタ等を使用しているが、この場合、約１ｍｍ程度の球状或いは楕円状であるために、加熱ローラに点接触するために、正確な温度検知が難しい。また、感熱素子に比較的大きな体積があるため、応答性が悪いという不都合があった。さらに、点接触であるために、回転するローラ表面に傷を付けてしまうおそれもあった。
また、特許文献２に記載の技術では、感熱素子として薄膜サーミスタを使用しているので、加熱ローラには面接触することができるが、薄膜サーミスタを構成する絶縁基板やリード部を含めると、やはり体積があるために、応答性が悪いという問題があった。
The following problems remain in the conventional technology.
That is, in the technique described in Patent Document 1, a bead thermistor or the like is used as a thermal element. In this case, since it is a spherical or elliptical shape of about 1 mm, it is accurate to make point contact with the heating roller. Temperature detection is difficult. Further, since the heat sensitive element has a relatively large volume, there is a disadvantage that the responsiveness is poor. Furthermore, because of the point contact, the rotating roller surface may be damaged.
Further, in the technique described in Patent Document 2, since a thin film thermistor is used as a thermal element, the heating roller can be brought into surface contact, but if an insulating substrate and a lead portion constituting the thin film thermistor are included, it is still Due to the volume, there was a problem of poor responsiveness.
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、加熱ローラ等に押し当てて温度を検出する際に、高精度で応答性に優れていると共に高い剛性を有した温度センサを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a temperature sensor that is highly accurate and has excellent responsiveness and high rigidity when detecting temperature by being pressed against a heating roller or the like. With the goal.
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係る温度センサは、一対のリード線と、前記一対のリード線に接続されたセンサ部と、前記一対のリード線に固定されて前記リード線を保持する絶縁性の保持部とを備え、前記センサ部が、絶縁性フィルムと、該絶縁性フィルムの表面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、一端が前記一対の櫛型電極に接続されていると共に他端が前記一対のリード線に接続され前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極と、前記絶縁性フィルムの裏面に接着された該絶縁性フィルムよりも高剛性の支持基板とを備えていることを特徴とする。 The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, the temperature sensor according to the first aspect of the present invention includes a pair of lead wires, a sensor portion connected to the pair of lead wires, and an insulating retainer that holds the lead wires fixed to the pair of lead wires. The sensor unit includes an insulating film, a thin film thermistor portion patterned with a thermistor material on the surface of the insulating film, and a plurality of comb portions above and below the thin film thermistor portion. A pair of comb-shaped electrodes that are patterned to face each other, and one end connected to the pair of comb-shaped electrodes and the other end connected to the pair of lead wires on the surface of the insulating film It is characterized by comprising a pair of patterned electrodes and a support substrate having a rigidity higher than that of the insulating film bonded to the back surface of the insulating film.
この温度センサでは、絶縁性フィルムの裏面に接着された該絶縁性フィルムよりも高剛性の支持基板を備えているので、センサ部全体の剛性を向上させることができると共に、センサ部のねじれを抑制することができる。また、リード線を直接パターン電極に接続するため、リードフレーム等を別途接続する必要が無く、部品コストを低減することができる。 Since this temperature sensor has a support substrate that is more rigid than the insulating film bonded to the back surface of the insulating film, the rigidity of the entire sensor unit can be improved and twisting of the sensor unit is suppressed. can do. Further, since the lead wire is directly connected to the pattern electrode, it is not necessary to separately connect a lead frame or the like, and the component cost can be reduced.
第２の発明に係る温度センサは、第１の発明において、前記支持基板が、金属板であることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、支持基板が、金属板であるので、薄く剛性の高いセンサ部が得られる。なお、金属板であっても絶縁性フィルムに接着されているため、薄膜サーミスタ部やパターン電極との電気的接続がないと共に、絶縁性フィルムの断熱性により金属板への熱伝導が抑制され、応答性が高くなる。
A temperature sensor according to a second invention is characterized in that, in the first invention, the support substrate is a metal plate.
That is, in this temperature sensor, since the support substrate is a metal plate, a thin and highly rigid sensor unit can be obtained. In addition, since it is adhered to the insulating film even if it is a metal plate, there is no electrical connection with the thin film thermistor part and the pattern electrode, and heat conduction to the metal plate is suppressed by the heat insulating property of the insulating film, Responsiveness increases.
第３の発明に係る温度センサは、第１又は第２の発明において、前記支持基板に、複数の貫通孔が形成されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、支持基板に、複数の貫通孔が形成されているので、貫通孔によりセンサ部との間の断熱性を高めて応答性を向上させることができる。また、貫通孔の位置、大きさ又は個数などを変えることで、全体の剛性を調整することも可能である。
A temperature sensor according to a third invention is characterized in that, in the first or second invention, a plurality of through holes are formed in the support substrate.
That is, in this temperature sensor, since a plurality of through holes are formed in the support substrate, it is possible to improve the heat insulating property between the sensor part and the responsiveness through the through holes. It is also possible to adjust the overall rigidity by changing the position, size or number of through holes.
第４の発明に係る温度センサは、第３の発明において、前記貫通孔が、少なくとも前記薄膜サーミスタ部の周囲の前記保持部側に形成されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、貫通孔が、少なくとも薄膜サーミスタ部の周囲の保持部側に形成されているので、薄膜サーミスタ部の周囲で特に保持部側への伝熱を抑制する断熱効果が得られる。
The temperature sensor according to a fourth invention is characterized in that, in the third invention, the through hole is formed at least on the holding part side around the thin film thermistor part.
That is, in this temperature sensor, since the through-hole is formed at least on the holding part side around the thin film thermistor part, a heat insulating effect that suppresses heat transfer to the holding part side around the thin film thermistor part is obtained. .
第５の発明に係る温度センサは、第１から第４の発明のいずれかにおいて、前記薄膜サーミスタ部が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とする。 Temperature sensor according to the fifth invention, in any one of the first to fourth invention, the thin film thermistor portion has the general formula: Ti x Al y N z ( 0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0. 95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1), and the crystal structure thereof is a hexagonal wurtzite single phase.
一般に、温度センサ等に使用されるサーミスタ材料は、高精度、高感度のために、高いＢ定数が求められている。従来、このようなサーミスタ材料には、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ等の遷移金属酸化物が一般的である。また、これらのサーミスタ材料では、安定なサーミスタ特性を得るために、６００℃以上の焼成が必要である。 In general, a thermistor material used for a temperature sensor or the like is required to have a high B constant for high accuracy and high sensitivity. Conventionally, transition metal oxides such as Mn, Co, and Fe are generally used for such thermistor materials. In addition, these thermistor materials require firing at 600 ° C. or higher in order to obtain stable thermistor characteristics.
また、上記のような金属酸化物からなるサーミスタ材料の他に、例えば特許文献３では、一般式：ＭｘＡｙＮｚ（但し、ＭはＴａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｔｉ及びＺｒの少なくとも１種、ＡはＡｌ，Ｓｉ及びＢの少なくとも１種を示す。０．１≦ｘ≦０．８、０＜ｙ≦０．６、０．１≦ｚ≦０．８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される窒化物からなるサーミスタ用材料が提案されている。また、この特許文献３では、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系材料で、０．５≦ｘ≦０．８、０．１≦ｙ≦０．５、０．２≦ｚ≦０．７、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１としたものだけが実施例として記載されている。このＴａ−Ａｌ−Ｎ系材料では、上記元素を含む材料をターゲットとして用い、窒素ガス含有雰囲気中でスパッタリングを行って作製されている。また、必要に応じて、得られた薄膜を３５０〜６００℃で熱処理を行っている。 In addition to the thermistor material composed of the metal oxide as described above, for example, in Patent Document 3, the general formula: M x A y N z (where M is at least one of Ta, Nb, Cr, Ti, and Zr) , A represents at least one of Al, Si, and B. 0.1 ≦ x ≦ 0.8, 0 <y ≦ 0.6, 0.1 ≦ z ≦ 0.8, x + y + z = 1) A thermistor material made of nitride has been proposed. Moreover, in this patent document 3, it is Ta-Al-N type material, 0.5 <= x <= 0.8, 0.1 <= y <= 0.5, 0.2 <= z <= 0.7, x + y + z = 1. Only those described above are described as examples. This Ta—Al—N-based material is produced by performing sputtering in a nitrogen gas-containing atmosphere using a material containing the above elements as a target. Moreover, the obtained thin film is heat-processed at 350-600 degreeC as needed.
近年、樹脂フィルム上にサーミスタ材料を形成したフィルム型サーミスタセンサの開発が検討されており、フィルムに直接成膜できるサーミスタ材料の開発が望まれている。すなわち、フィルムを用いることで、フレキシブルなサーミスタセンサが得られることが期待される。さらに、０．１ｍｍ程度の厚さを持つ非常に薄いサーミスタセンサの開発が望まれているが、従来はアルミナ等のセラミックス材料を用いた基板材料がしばしば用いられ、例えば、厚さ０．１ｍｍへと薄くすると非常に脆く壊れやすい等の問題があったが、フィルムを用いることで非常に薄いサーミスタセンサが得られることが期待される。
従来、ＴｉＡｌＮからなる窒化物系サーミスタを形成した温度センサでは、フィルム上にＴｉＡｌＮからなるサーミスタ材料層と電極とを積層して形成する場合、サーミスタ材料層上にＡｕ等の電極層を成膜し、複数の櫛部を有した櫛型にパターニングしている。しかし、このサーミスタ材料層は、曲率半径が大きく緩やかに曲げられた場合には、クラックが生じ難く抵抗値等の電気特性に変化がないが、曲率半径が小さくきつく曲げた場合に、クラックが発生し易くなり、抵抗値等が大きく変化して電気特性の信頼性が低くなってしまう。特に、フィルムを櫛部の延在方向に直交する方向に小さい曲率半径できつく曲げた場合、櫛部の延在方向に曲げた場合に比べて櫛型電極とサーミスタ材料層との応力差により、電極エッジ付近にクラックが発生し易くなり、電気特性の信頼性が低下してしまう不都合があった。
In recent years, development of a film type thermistor sensor in which a thermistor material is formed on a resin film has been studied, and development of a thermistor material that can be directly formed on a film is desired. That is, it is expected that a flexible thermistor sensor can be obtained by using a film. Furthermore, although development of a very thin thermistor sensor having a thickness of about 0.1 mm is desired, conventionally, a substrate material using a ceramic material such as alumina is often used. For example, to a thickness of 0.1 mm However, if the film is made thin, there is a problem that it is very brittle and easily broken. However, it is expected that a very thin thermistor sensor can be obtained by using a film.
Conventionally, in a temperature sensor in which a nitride thermistor made of TiAlN is formed, when a thermistor material layer made of TiAlN and an electrode are laminated on a film, an electrode layer such as Au is formed on the thermistor material layer. And patterning into a comb shape having a plurality of comb portions. However, this thermistor material layer has a large radius of curvature and is not easily cracked and there is no change in electrical properties such as resistance, but cracks are generated when the radius of curvature is small and tight. The resistance value and the like are greatly changed, and the reliability of the electrical characteristics is lowered. In particular, when the film is bent with a small radius of curvature in a direction perpendicular to the extending direction of the comb portion, the electrode edge is caused by the difference in stress between the comb-shaped electrode and the thermistor material layer compared to the case where the film is bent in the extending direction of the comb portion. There is a disadvantage that cracks are likely to occur in the vicinity and the reliability of the electrical characteristics is lowered.
また、樹脂材料で構成されるフィルムは、一般的に耐熱温度が１５０℃以下と低く、比較的耐熱温度の高い材料として知られるポリイミドでも３００℃程度の耐熱性しかないため、サーミスタ材料の形成工程において熱処理が加わる場合は、適用が困難であった。上記従来の酸化物サーミスタ材料では、所望のサーミスタ特性を実現するために６００℃以上の焼成が必要であり、フィルムに直接成膜したフィルム型サーミスタセンサを実現できないという問題点があった。そのため、非焼成で直接成膜できるサーミスタ材料の開発が望まれているが、上記特許文献３に記載のサーミスタ材料でも、所望のサーミスタ特性を得るために、必要に応じて、得られた薄膜を３５０〜６００℃で熱処理する必要があった。また、このサーミスタ材料では、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系材料の実施例において、Ｂ定数：５００〜３０００Ｋ程度の材料が得られているが、耐熱性に関する記述がなく、窒化物系材料の熱的信頼性が不明であった。 In addition, a film made of a resin material generally has a heat resistant temperature as low as 150 ° C. or lower, and even a polyimide known as a material having a relatively high heat resistant temperature has only a heat resistance of about 300 ° C. In the case where heat treatment is applied, application is difficult. The conventional oxide thermistor material requires firing at 600 ° C. or higher in order to realize desired thermistor characteristics, and there is a problem that a film type thermistor sensor directly formed on a film cannot be realized. Therefore, it is desired to develop a thermistor material that can be directly film-formed without firing, but even with the thermistor material described in Patent Document 3, the obtained thin film can be obtained as necessary in order to obtain desired thermistor characteristics. It was necessary to perform heat treatment at 350 to 600 ° C. Further, in this example of the thermistor material, a material having a B constant of about 500 to 3000 K is obtained in the example of the Ta-Al-N material, but there is no description regarding heat resistance, and the thermal reliability of the nitride material. Sex was unknown.
本発明者らは、窒化物材料の中でもＡｌＮ系に着目し、鋭意、研究を進めたところ、絶縁体であるＡｌＮは、最適なサーミスタ特性（Ｂ定数：１０００〜６０００Ｋ程度）を得ることが難しいため、Ａｌサイトを電気伝導を向上させる特定の金属元素で置換すると共に、特定の結晶構造とすることで、非焼成で良好なＢ定数と耐熱性とが得られることを見出した。
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、薄膜サーミスタ部が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であるので、非焼成で良好なＢ定数が得られると共に高い耐熱性を有している。
The inventors of the present invention focused on the AlN system among the nitride materials and made extensive research. As a result, it is difficult for AlN as an insulator to obtain optimum thermistor characteristics (B constant: about 1000 to 6000 K). For this reason, it was found that by replacing the Al site with a specific metal element that improves electrical conduction and having a specific crystal structure, a good B constant and heat resistance can be obtained without firing.
Therefore, the present invention has been obtained from the above findings, and the thin film thermistor portion has a general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1), and its crystal structure is a hexagonal wurtzite single phase, so that a good B constant can be obtained without firing and a high heat resistance. It has sex.
なお、上記「ｙ／（ｘ＋ｙ）」（すなわち、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ））が０．７０未満であると、ウルツ鉱型の単相が得られず、ＮａＣｌ型相との共存相又はＮａＣｌ型相のみの相となってしまい、十分な高抵抗と高Ｂ定数とが得られない。
また、上記「ｙ／（ｘ＋ｙ）」（すなわち、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ））が０．９５をこえると、抵抗率が非常に高く、きわめて高い絶縁性を示すため、サーミスタ材料として適用できない。
また、上記「ｚ」（すなわち、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．４未満であると、金属の窒化量が少ないため、ウルツ鉱型の単相が得られず、十分な高抵抗と高Ｂ定数とが得られない。
さらに、上記「ｚ」（すなわち、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．５を超えると、ウルツ鉱型の単相を得ることができない。このことは、ウルツ鉱型の単相において、窒素サイトにおける欠陥がない場合の正しい化学量論比は、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）＝０．５であることに起因する。
When the above “y / (x + y)” (ie, Al / (Ti + Al)) is less than 0.70, a wurtzite type single phase cannot be obtained, and a coexisting phase with an NaCl type phase or an NaCl type phase Therefore, a sufficiently high resistance and a high B constant cannot be obtained.
Further, if the above-mentioned “y / (x + y)” (that is, Al / (Ti + Al)) exceeds 0.95, the resistivity is very high and the insulating property is extremely high, so that it cannot be applied as a thermistor material.
Further, when the “z” (that is, N / (Ti + Al + N)) is less than 0.4, since the amount of metal nitriding is small, a wurtzite type single phase cannot be obtained, and a sufficiently high resistance and high B A constant cannot be obtained.
Furthermore, when the “z” (that is, N / (Ti + Al + N)) exceeds 0.5, a wurtzite single phase cannot be obtained. This is because in the wurtzite type single phase, the correct stoichiometric ratio when there is no defect at the nitrogen site is N / (Ti + Al + N) = 0.5.
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、絶縁性フィルムの裏面に接着された該絶縁性フィルムよりも高剛性の支持基板を備えているので、支持基板によって絶縁性フィルムが支持されて高い剛性を確保することができると共にセンサ部のねじれを抑制することができる。
さらに、薄膜サーミスタ部を、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である材料とすることで、非焼成で良好なＢ定数が得られると共に高い耐熱性が得られる。
したがって、本発明の温度センサによれば、高い剛性が確保されたセンサ部による安定した面接触が可能であると共に、高い応答性で正確に温度を測定することができ、複写機やプリンタ等の加熱ローラの温度用として好適である。
The present invention has the following effects.
That is, according to the temperature sensor of the present invention, since the support substrate having higher rigidity than the insulating film bonded to the back surface of the insulating film is provided, the insulating film is supported by the support substrate and has high rigidity. Can be secured, and twisting of the sensor portion can be suppressed.
Furthermore, the thin film thermistor portion is formed by metal nitriding represented by the general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1). By using a material that has a hexagonal wurtzite type single phase and has a crystal structure, a good B constant can be obtained without firing, and high heat resistance can be obtained.
Therefore, according to the temperature sensor of the present invention, stable surface contact by a sensor unit with high rigidity is possible, and the temperature can be accurately measured with high responsiveness. It is suitable for the temperature of the heating roller.
以下、本発明に係る温度センサにおける第１実施形態を、図１から図７を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。 Hereinafter, a first embodiment of a temperature sensor according to the present invention will be described with reference to FIGS. Note that in some of the drawings used for the following description, the scale is appropriately changed as necessary to make each part recognizable or easily recognizable.
本実施形態の温度センサ１は、図１に示すように、一対のリード線２と、一対のリード線２に接続されたセンサ部３と、一対のリード線２に固定されてリード線２を保持する絶縁性の保持部４とを備えている。
上記センサ部３は、絶縁性フィルム５と、該絶縁性フィルム５の表面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部６と、薄膜サーミスタ部６の上に複数の櫛部７ａを有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極７と、一端が一対の櫛型電極７に接続されていると共に他端が一対のリード線２に接続され絶縁性フィルム５の表面にパターン形成された一対のパターン電極８と、絶縁性フィルム５の裏面に接着された該絶縁性フィルム５よりも高剛性の支持基板９とを備えている。
As shown in FIG. 1, the temperature sensor 1 of the present embodiment includes a pair of lead wires 2, a sensor unit 3 connected to the pair of lead wires 2, and a lead wire 2 fixed to the pair of lead wires 2. And an insulating holding portion 4 for holding.
The sensor unit 3 has an insulating film 5, a thin film thermistor unit 6 patterned on the surface of the insulating film 5 with a thermistor material, and a plurality of comb units 7 a on the thin film thermistor unit 6. A pair of comb-shaped electrodes 7 formed in a pattern and one end connected to the pair of comb-shaped electrodes 7 and the other end connected to the pair of lead wires 2 were patterned on the surface of the insulating film 5. A pair of pattern electrodes 8 and a support substrate 9 having higher rigidity than the insulating film 5 bonded to the back surface of the insulating film 5 are provided.
上記支持基板９は、金属板であり、本実施形態では、例えば厚さ０．０８ｍｍのステンレス基板が採用され、絶縁性フィルム５の裏面に樹脂接着剤で接合されている。
上記一対のリード線２は、銅系合金、鉄系合金又はステンレス等の合金で形成されており、樹脂製の保持部４によって互いに一定間隔を保持した状態で支持されている。なお、リード線２は、保持部４内でパターン電極８の接着用パッド部８ａに接続されている。また、保持部４は、リード線２の接合部と共に絶縁性フィルム５の他端部と支持基板９の他端部とを共に覆って固定している。また、保持部４には、取付孔４ａが形成されている。
The support substrate 9 is a metal plate. In the present embodiment, for example, a stainless steel substrate having a thickness of 0.08 mm is employed, and is bonded to the back surface of the insulating film 5 with a resin adhesive.
The pair of lead wires 2 are made of an alloy such as a copper alloy, an iron alloy, or stainless steel, and are supported by a resin holding portion 4 in a state where they are held at a constant interval. The lead wire 2 is connected to the bonding pad portion 8 a of the pattern electrode 8 in the holding portion 4. The holding unit 4 covers and fixes the other end portion of the insulating film 5 and the other end portion of the support substrate 9 together with the joint portion of the lead wire 2. The holding portion 4 is formed with an attachment hole 4a.
また、本実施形態の温度センサ１は、接着用パッド部８ａが配された端部を除いて絶縁性フィルム５の表面に形成された保護膜１０を備えている。
上記絶縁性フィルム５は、略長方形状とされ、薄膜サーミスタ部６が、絶縁性フィルム５の一端近傍に配され、パターン電極８が、絶縁性フィルム５の他端近傍まで延在している。なお、パターン電極８は、絶縁性フィルム５の他端近傍に接着用パッド部８ａが形成されている。
さらに、上述したように、一対のリード線２の先端部が、絶縁性フィルム５の他端近傍でパターン電極８に接続されている。すなわち、リード線２は、先端側が、絶縁性フィルム５上のパターン電極８の接着用パッド部８ａにはんだで接着されている。
Further, the temperature sensor 1 of the present embodiment includes a protective film 10 formed on the surface of the insulating film 5 except for an end portion where the bonding pad portion 8a is disposed.
The insulating film 5 has a substantially rectangular shape, the thin film thermistor portion 6 is disposed near one end of the insulating film 5, and the pattern electrode 8 extends to the vicinity of the other end of the insulating film 5. The pattern electrode 8 has an adhesive pad portion 8 a formed in the vicinity of the other end of the insulating film 5.
Furthermore, as described above, the tip ends of the pair of lead wires 2 are connected to the pattern electrode 8 in the vicinity of the other end of the insulating film 5. That is, the lead wire 2 is bonded to the bonding pad portion 8 a of the pattern electrode 8 on the insulating film 5 by solder at the tip side.
上記絶縁性フィルム５は、例えば厚さ７．５〜１２５μｍのポリイミド樹脂シートで帯状に形成されている。なお、絶縁性フィルム５としては、他にＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート，ＰＥＮ：ポリエチレンナフタレート等でも作製できるが、加熱ローラの温度測定用としては、最高使用温度が２３０℃と高いためポリイミドフィルムが望ましい。 The insulating film 5 is formed in a band shape with, for example, a polyimide resin sheet having a thickness of 7.5 to 125 μm. The insulating film 5 can be made of PET: polyethylene terephthalate, PEN: polyethylene naphthalate, or the like, but a polyimide film is desirable for measuring the temperature of the heating roller because the maximum use temperature is as high as 230 ° C.
上記薄膜サーミスタ部６は、絶縁性フィルム５の一端側に配され、ＴｉＡｌＮのサーミスタ材料で形成されている。特に、薄膜サーミスタ部６は、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。 The thin film thermistor portion 6 is disposed on one end side of the insulating film 5 and is formed of a TiAlN thermistor material. In particular, the thin film thermistor section 6 is a metal represented by the general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1). It consists of nitride and its crystal structure is a hexagonal wurtzite single phase.
上記パターン電極８及び櫛型電極７は、薄膜サーミスタ部６上に形成された膜厚５〜１００ｎｍのＣｒ又はＮｉＣｒの接合層と、該接合層上にＡｕ等の貴金属で膜厚５０〜１０００ｎｍで形成された電極層とを有している。
一対の櫛型電極７は、互いに対向状態に配されて交互に櫛部７ａが並んだ櫛型パターンとされている。
The pattern electrode 8 and the comb-shaped electrode 7 are formed on the thin film thermistor portion 6 with a thickness of 5 to 100 nm of a Cr or NiCr bonding layer and a noble metal such as Au on the bonding layer with a thickness of 50 to 1000 nm. And an electrode layer formed.
The pair of comb-shaped electrodes 7 has a comb-shaped pattern in which the comb portions 7a are alternately arranged so as to face each other.
なお、櫛部７ａは、絶縁性フィルム５の延在方向（リード線２及びパターン電極８の延在方向）に沿って延在している。すなわち、センサ部３を、回転する加熱ローラに押し当てされて温度測定を行うが、この際、絶縁性フィルム５の延在方向に曲率を有して湾曲させられるため、薄膜サーミスタ部６にも同方向に曲げ応力が加わる。このとき、櫛部７ａが同方向に延在しているため、薄膜サーミスタ部６を補強することになり、クラックの発生を抑制することができる。 In addition, the comb part 7a is extended along the extension direction (extension direction of the lead wire 2 and the pattern electrode 8) of the insulating film 5. FIG. That is, the sensor unit 3 is pressed against a rotating heating roller to measure the temperature. At this time, since the insulating film 5 is curved with a curvature in the extending direction, the thin film thermistor unit 6 is also curved. Bending stress is applied in the same direction. At this time, since the comb portion 7a extends in the same direction, the thin film thermistor portion 6 is reinforced, and generation of cracks can be suppressed.
上記保護膜１０は、絶縁性樹脂膜等であり、例えば厚さ２０μｍのポリイミド膜が採用される。 The protective film 10 is an insulating resin film or the like, for example, a polyimide film having a thickness of 20 μm is employed.
上記薄膜サーミスタ部６は、上述したように、金属窒化物材料であって、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系の結晶系であってウルツ鉱型（空間群Ｐ６３ｍｃ（Ｎｏ．１８６））の単相である。すなわち、この金属窒化物材料は、図２に示すように、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ系３元系相図における点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれる領域内の組成を有し、結晶相がウルツ鉱型である金属窒化物である。
なお、上記点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの各組成比（ｘ、ｙ、ｚ）（原子％）は、Ａ（１５、３５、５０），Ｂ（２．５、４７．５、５０），Ｃ（３、５７、４０），Ｄ（１８、４２、４０）である。
As described above, the thin film thermistor portion 6 is a metal nitride material, and has a general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1), the crystal structure of which is a hexagonal crystal system with a single phase of wurtzite type (space group P6 3 mc (No. 186)) is there. That is, this metal nitride material has a composition in a region surrounded by points A, B, C, and D in the Ti—Al—N ternary phase diagram as shown in FIG. It is a metal nitride that is a wurtzite type.
In addition, each composition ratio (x, y, z) (atomic%) of the points A, B, C, and D is A (15, 35, 50), B (2.5, 47.5, 50), C (3, 57, 40), D (18, 42, 40).
また、この薄膜サーミスタ部６は、例えば膜厚１００〜１０００ｎｍの膜状に形成され、前記膜の表面に対して垂直方向に延在している柱状結晶である。さらに、膜の表面に対して垂直方向にａ軸よりｃ軸が強く配向していることが好ましい。
なお、膜の表面に対して垂直方向（膜厚方向）にａ軸配向（１００）が強いかｃ軸配向（００２）が強いかの判断は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）を用いて結晶軸の配向性を調べることで、（１００）（ａ軸配向を示すミラー指数）と（００２）（ｃ軸配向を示すミラー指数）とのピーク強度比から、「（１００）のピーク強度」／「（００２）のピーク強度」が１未満であることで決定する。
The thin film thermistor portion 6 is a columnar crystal that is formed in a film shape of, for example, a film thickness of 100 to 1000 nm and extends in a direction perpendicular to the surface of the film. Further, it is preferable that the c-axis is oriented more strongly than the a-axis in the direction perpendicular to the film surface.
Whether the a-axis orientation (100) is strong or the c-axis orientation (002) is strong in the direction perpendicular to the film surface (film thickness direction) is determined using X-ray diffraction (XRD). By examining the orientation, from the peak intensity ratio of (100) (Miller index indicating a-axis orientation) and (002) (Miller index indicating c-axis alignment), “(100) peak intensity” / “(( 002) peak intensity ”is less than 1.
この温度センサ１の製造方法について、図１，図３から図７を参照して以下に説明する。
本実施形態の温度センサ１の製造方法は、絶縁性フィルム５上に薄膜サーミスタ部６をパターン形成する薄膜サーミスタ部形成工程と、互いに対向した一対の櫛型電極７を薄膜サーミスタ部６上に配して絶縁性フィルム５上に一対のパターン電極８をパターン形成する電極形成工程と、絶縁性フィルム５の表面に保護膜１０を形成する保護膜形成工程と、支持基板９を絶縁性フィルム５の裏面に接合する支持基板接合工程と、センサ部３にリード線２を取り付けるリード線取り付け工程と、リード線２の接合部を樹脂で覆って保持部４を形成する保持部形成工程とを有している。
A method for manufacturing the temperature sensor 1 will be described below with reference to FIGS.
The manufacturing method of the temperature sensor 1 of the present embodiment includes a thin film thermistor section forming step of patterning the thin film thermistor section 6 on the insulating film 5 and a pair of comb-shaped electrodes 7 facing each other on the thin film thermistor section 6. Then, an electrode forming step of forming a pair of pattern electrodes 8 on the insulating film 5, a protective film forming step of forming the protective film 10 on the surface of the insulating film 5, and the supporting substrate 9 of the insulating film 5 A support substrate joining step for joining to the back surface, a lead wire attaching step for attaching the lead wire 2 to the sensor portion 3, and a holding portion forming step for forming the holding portion 4 by covering the joint portion of the lead wire 2 with resin. ing.
より具体的な製造方法の例としては、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムの絶縁性フィルム５上に、Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用い、窒素含有雰囲気中で反応性スパッタ法にて、ＴｉｘＡｌｙＮｚ（ｘ＝９、ｙ＝４３、ｚ＝４８）のサーミスタ膜を膜厚２００ｎｍで形成する。その時のスパッタ条件は、到達真空度５×１０−６Ｐａ、スパッタガス圧０．４Ｐａ、ターゲット投入電力（出力）２００Ｗで、Ａｒガス＋窒素ガスの混合ガス雰囲気下において、窒素ガス分率を２０％で作製する。 As a more specific example of the manufacturing method, Ti x Al y is used by reactive sputtering in a nitrogen-containing atmosphere using a Ti—Al alloy sputtering target on an insulating film 5 of a polyimide film having a thickness of 50 μm. A thermistor film of N z (x = 9, y = 43, z = 48) is formed with a film thickness of 200 nm. The sputtering conditions at that time were an ultimate vacuum of 5 × 10 −6 Pa, a sputtering gas pressure of 0.4 Pa, a target input power (output) of 200 W, and a nitrogen gas fraction of 20 in a mixed gas atmosphere of Ar gas + nitrogen gas. %.
成膜したサーミスタ膜の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒のプリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、さらに１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要なＴｉｘＡｌｙＮｚのサーミスタ膜を市販のＴｉエッチャントでウェットエッチングを行い、図３に示すように、レジスト剥離にて所望の形状の薄膜サーミスタ部６にする。 A resist solution is applied onto the deposited thermistor film with a bar coater, pre-baked at 110 ° C. for 1 minute 30 seconds, exposed to light with an exposure apparatus, and unnecessary portions are removed with a developer, and further at 150 ° C. Patterning is performed by post-baking for minutes. Thereafter, the unnecessary Ti x Al y N z thermistor film is wet-etched with a commercially available Ti etchant, and the thin film thermistor portion 6 having a desired shape is formed by resist stripping as shown in FIG.
次に、薄膜サーミスタ部６及び絶縁性フィルム５上に、スパッタ法にて、Ｃｒ膜の接合層を膜厚２０ｎｍ形成する。さらに、この接合層上に、スパッタ法にてＡｕ膜の電極層を膜厚１００ｎｍ形成する。
次に、成膜した電極層の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒のプリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要な電極部分を市販のＡｕエッチャント及びＣｒエッチャントの順番でウェットエッチングを行い、図４に示すように、レジスト剥離にて所望の櫛型電極７及びパターン電極８を形成する。
Next, a 20-nm-thick Cr film bonding layer is formed on the thin film thermistor portion 6 and the insulating film 5 by sputtering. Further, an Au film electrode layer is formed to a thickness of 100 nm on the bonding layer by sputtering.
Next, after applying a resist solution on the electrode layer formed by a bar coater, pre-baking was performed at 110 ° C. for 1 minute 30 seconds, and after exposure with an exposure apparatus, unnecessary portions were removed with a developer, and 150 ° C. Then, patterning is performed by post-baking for 5 minutes. Thereafter, unnecessary electrode portions are wet-etched in the order of a commercially available Au etchant and Cr etchant, and as shown in FIG. 4, desired comb electrodes 7 and pattern electrodes 8 are formed by resist stripping.
さらに、その上にポリイミドワニスを印刷法により塗布して、２５０℃、３０分でキュアを行い、図５に示すように、２０μｍ厚のポリイミド保護膜１０を形成する。
次に、図６に示すように、絶縁性フィルム５の裏面に同サイズのステンレス基板である支持基板９を樹脂接着剤で接合することで、センサ部３が作製される。
Further, a polyimide varnish is applied thereon by a printing method and cured at 250 ° C. for 30 minutes to form a 20 μm thick polyimide protective film 10 as shown in FIG.
Next, as shown in FIG. 6, the sensor part 3 is produced by joining the support substrate 9 which is a stainless steel substrate of the same size to the back surface of the insulating film 5 with a resin adhesive.
次に、一対のリード線２の先端側をパターン電極８の接着用パッド部８ａ上に配して、図７に示すように、リード線２の先端側と接着用パッド部８ａとをはんだ等の導電性樹脂接着剤により接着する。
この状態で、リード線２の接合部を絶縁性フィルム５の他端部及び支持基板９の他端部と共に覆う形で樹脂により保持部４を形成することで、図１に示すように、温度センサ１が作製される。
Next, the tip side of the pair of lead wires 2 is arranged on the bonding pad portion 8a of the pattern electrode 8, and the tip side of the lead wire 2 and the bonding pad portion 8a are soldered or the like as shown in FIG. The conductive resin adhesive is used for bonding.
In this state, the holding portion 4 is formed of resin so as to cover the joint portion of the lead wire 2 together with the other end portion of the insulating film 5 and the other end portion of the support substrate 9, as shown in FIG. The sensor 1 is manufactured.
なお、複数のセンサ部３を同時に作製する場合、絶縁性フィルム５の大判シートに複数の薄膜サーミスタ部６、櫛型電極７、パターン電極８、保護膜１０及び支持基板９を上述のように形成した後に、大判シートから各センサ部３に切断する。 When a plurality of sensor units 3 are manufactured simultaneously, a plurality of thin film thermistor units 6, comb electrodes 7, pattern electrodes 8, protective film 10 and support substrate 9 are formed on a large sheet of insulating film 5 as described above. After that, each sensor unit 3 is cut from the large sheet.
このように本実施形態の温度センサ１では、絶縁性フィルム５の裏面に接着された該絶縁性フィルム５よりも高剛性の支持基板９を備えているので、センサ部３全体の剛性を向上させることができると共に、センサ部３のねじれを抑制することができる。また、リード線２を直接パターン電極８に接続するため、リードフレーム等を別途接続する必要が無く、部品コストを低減することができる。
また、絶縁性フィルム５に直接形成された薄膜サーミスタ部６により、全体の厚みが薄くなり、小さい体積によって優れた応答性を得ることができる。
なお、測定対象物に対する接触部分の平坦性が高く、面接触するために、正確な温度検知が可能であると共に回転する加熱ローラ等の測定対象物の表面を傷つけ難い。
As described above, the temperature sensor 1 according to the present embodiment includes the support substrate 9 having higher rigidity than the insulating film 5 bonded to the back surface of the insulating film 5, thereby improving the rigidity of the entire sensor unit 3. And twisting of the sensor unit 3 can be suppressed. Further, since the lead wire 2 is directly connected to the pattern electrode 8, there is no need to separately connect a lead frame or the like, and the component cost can be reduced.
Moreover, the thin film thermistor part 6 directly formed on the insulating film 5 reduces the overall thickness, and an excellent response can be obtained with a small volume.
In addition, since the flatness of the contact part with respect to a measuring object is high, and it contacts a surface, exact temperature detection is possible and it is hard to damage the surface of measuring objects, such as a heating roller.
さらに、支持基板９が金属板であるので、薄く剛性の高いセンサ部３が得られる。なお、金属板であっても絶縁性フィルム５に接着されているため、薄膜サーミスタ部６やパターン電極８との電気的接続がないと共に、絶縁性フィルム５の断熱性により金属板への熱伝導が抑制され、応答性が高くなる。 Furthermore, since the support substrate 9 is a metal plate, a thin and highly rigid sensor unit 3 can be obtained. Even though the metal plate is bonded to the insulating film 5, there is no electrical connection with the thin film thermistor portion 6 and the pattern electrode 8, and heat conduction to the metal plate is achieved by the heat insulating property of the insulating film 5. Is suppressed and the responsiveness is increased.
また、薄膜サーミスタ部６が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系の結晶系であってウルツ鉱型の単相であるので、非焼成で良好なＢ定数が得られると共に高い耐熱性を有している。
また、この金属窒化物材料では、膜の表面に対して垂直方向に延在している柱状結晶であるので、膜の結晶性が高く、高い耐熱性が得られる。
さらに、この金属窒化物材料では、膜の表面に対して垂直方向にａ軸よりｃ軸を強く配向させることで、ａ軸配向が強い場合に比べて高いＢ定数が得られる。
The thin-film thermistor portion 6 has the general formula: metal represented by Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.95,0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1) Since it is made of nitride and its crystal structure is a hexagonal crystal system and is a wurtzite single phase, it has a good B constant without firing and has high heat resistance.
In addition, since this metal nitride material is a columnar crystal extending in a direction perpendicular to the surface of the film, the film has high crystallinity and high heat resistance can be obtained.
Further, in this metal nitride material, by aligning the c-axis more strongly than the a-axis in the direction perpendicular to the film surface, a higher B constant can be obtained than when the a-axis alignment is strong.
なお、本実施形態のサーミスタ材料層（薄膜サーミスタ部６）の製造方法では、Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜するので、上記ＴｉＡｌＮからなる上記金属窒化物材料を非焼成で成膜することができる。
また、反応性スパッタにおけるスパッタガス圧を、０．６７Ｐａ未満に設定することで、膜の表面に対して垂直方向にａ軸よりｃ軸が強く配向している金属窒化物材料の膜を形成することができる。
In the method of manufacturing the thermistor material layer (thin film thermistor portion 6) of the present embodiment, since the film is formed by reactive sputtering in a nitrogen-containing atmosphere using a Ti—Al alloy sputtering target, the above-mentioned TiAlN is used. The metal nitride material can be formed without firing.
Further, by setting the sputtering gas pressure in reactive sputtering to less than 0.67 Pa, a metal nitride material film in which the c-axis is oriented more strongly than the a-axis in the direction perpendicular to the film surface is formed. be able to.
したがって、本実施形態の温度センサ１では、絶縁性フィルム５上に上記サーミスタ材料層で薄膜サーミスタ部６が形成されているので、非焼成で形成され高Ｂ定数で耐熱性の高い薄膜サーミスタ部６により、樹脂フィルム等の耐熱性の低い絶縁性フィルム５を用いることができると共に、良好なサーミスタ特性を有した薄型でフレキシブルなサーミスタセンサが得られる。
また、従来アルミナ等のセラミックスを用いた基板材料がしばしば用いられ、薄くすると非常に脆く壊れやすい等の問題があったが、本発明においてはフィルムを用いることができるので、上記のように、薄いフィルム型サーミスタセンサ（センサ部３）を得ることができる。
Therefore, in the temperature sensor 1 of the present embodiment, since the thin film thermistor portion 6 is formed of the thermistor material layer on the insulating film 5, the thin film thermistor portion 6 is formed by non-firing and has a high B constant and high heat resistance. Thus, an insulating film 5 having low heat resistance such as a resin film can be used, and a thin and flexible thermistor sensor having good thermistor characteristics can be obtained.
In addition, a substrate material using ceramics such as alumina is often used in the past, and there has been a problem that if it is made thin, it is very brittle and fragile. However, in the present invention, a film can be used. A film type thermistor sensor (sensor unit 3) can be obtained.
次に、本発明に係る温度センサの第２実施形態について、図８から図１０を参照して以下に説明する。なお、以下の実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。 Next, a second embodiment of the temperature sensor according to the present invention will be described below with reference to FIGS. Note that, in the following description of the embodiment, the same components described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、支持基板９が単なる金属平板であるのに対し、第２実施形態の温度センサ２１では、図８から図１０に示すように、支持基板９に、複数の貫通孔９ａが形成されている点である。特に、貫通孔９ａが、少なくとも薄膜サーミスタ部６の周囲の保持部４側に形成されている。第２実施形態では、薄膜サーミスタ部６の周囲を囲むように貫通孔９ａが複数形成されて、保持部４側において、より多くの貫通孔９ａが形成されている。なお、これら貫通孔９ａは、エッチング等により形成される。 The difference between the second embodiment and the first embodiment is that, in the first embodiment, the support substrate 9 is a simple metal plate, whereas in the temperature sensor 21 of the second embodiment, FIG. 8 to FIG. As shown, a plurality of through holes 9 a are formed in the support substrate 9. In particular, the through hole 9 a is formed at least on the holding part 4 side around the thin film thermistor part 6. In the second embodiment, a plurality of through holes 9 a are formed so as to surround the thin film thermistor portion 6, and more through holes 9 a are formed on the holding portion 4 side. These through holes 9a are formed by etching or the like.
このように第２実施形態の温度センサ２１では、支持基板９に複数の貫通孔９ａが形成されているので、貫通孔９ａによりセンサ部３との間の断熱性を高めて応答性を向上させることができる。特に、貫通孔９ａが、少なくとも薄膜サーミスタ部６の周囲の保持部４側に形成されているので、薄膜サーミスタ部６の周囲で特に保持部４側への伝熱を抑制する断熱効果が得られる。また、貫通孔９ａの位置、大きさ又は個数などを変えることで、全体の剛性を調整することも可能である。 As described above, in the temperature sensor 21 according to the second embodiment, since the plurality of through holes 9a are formed in the support substrate 9, the heat insulating property between the sensor part 3 is enhanced by the through holes 9a and the responsiveness is improved. be able to. In particular, since the through-hole 9a is formed at least on the holding portion 4 side around the thin film thermistor portion 6, a heat insulating effect that suppresses heat transfer to the holding portion 4 side around the thin film thermistor portion 6 is obtained. . In addition, the overall rigidity can be adjusted by changing the position, size, or number of the through holes 9a.
次に、本発明に係る温度センサについて、上記実施形態に基づいて作製した実施例により評価した結果を、図１１から図１９を参照して具体的に説明する。 Next, the results of evaluating the temperature sensor according to the present invention by the example produced based on the above embodiment will be described in detail with reference to FIGS.
＜膜評価用素子の作製＞
本発明のサーミスタ材料層（薄膜サーミスタ部６）の評価を行う実施例及び比較例として、図１１に示す膜評価用素子１２１を次のように作製した。
まず、反応性スパッタ法にて、様々な組成比のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットを用いて、Ｓｉ基板Ｓとなる熱酸化膜付きＳｉウエハ上に、厚さ５００ｎｍの表１に示す様々な組成比で形成された金属窒化物材料の薄膜サーミスタ部６を形成した。その時のスパッタ条件は、到達真空度：５×１０−６Ｐａ、スパッタガス圧：０．１〜１Ｐａ、ターゲット投入電力（出力）：１００〜５００Ｗで、Ａｒガス＋窒素ガスの混合ガス雰囲気下において、窒素ガス分率を１０〜１００％と変えて作製した。
<Production of film evaluation element>
As examples and comparative examples for evaluating the thermistor material layer (thin film thermistor portion 6) of the present invention, a film evaluation element 121 shown in FIG. 11 was fabricated as follows.
First, by reactive sputtering, Ti—Al alloy targets having various composition ratios are used to form Si substrates S on a Si wafer with a thermal oxide film at various composition ratios shown in Table 1 having a thickness of 500 nm. A thin film thermistor portion 6 of the formed metal nitride material was formed. The sputtering conditions at that time were: ultimate vacuum: 5 × 10 −6 Pa, sputtering gas pressure: 0.1 to 1 Pa, target input power (output): 100 to 500 W, in a mixed gas atmosphere of Ar gas + nitrogen gas The nitrogen gas fraction was changed to 10 to 100%.
次に、上記薄膜サーミスタ部６の上に、スパッタ法でＣｒ膜を２０ｎｍ形成し、さらにＡｕ膜を１００ｎｍ形成した。さらに、その上にレジスト液をスピンコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒のプリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行った。その後、不要な電極部分を市販のＡｕエッチャント及びＣｒエッチャントによりウェットエッチングを行い、レジスト剥離にて所望の櫛形電極部１２４ａを有するパターン電極１２４を形成した。そして、これをチップ状にダイシングして、Ｂ定数評価及び耐熱性試験用の膜評価用素子１２１とした。
なお、比較としてＴｉｘＡｌｙＮｚの組成比が本発明の範囲外であって結晶系が異なる比較例についても同様に作製して評価を行った。
Next, a 20 nm Cr film was formed on the thin film thermistor portion 6 by sputtering, and a 100 nm Au film was further formed. Further, after applying a resist solution thereon with a spin coater, pre-baking is performed at 110 ° C. for 1 minute 30 seconds. After exposure with an exposure apparatus, unnecessary portions are removed with a developing solution, and post-baking is performed at 150 ° C. for 5 minutes. Then, patterning was performed. Thereafter, unnecessary electrode portions were wet-etched with a commercially available Au etchant and Cr etchant, and a patterned electrode 124 having a desired comb-shaped electrode portion 124a was formed by resist stripping. Then, this was diced into chips to obtain a film evaluation element 121 for B constant evaluation and heat resistance test.
For comparison, comparative examples in which the composition ratio of Ti x Al y N z is out of the scope of the present invention and the crystal system is different were similarly prepared and evaluated.
＜膜の評価＞
（１）組成分析
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部６について、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）にて元素分析を行った。このＸＰＳでは、Ａｒスパッタにより、最表面から深さ２０ｎｍのスパッタ面において、定量分析を実施した。その結果を表１に示す。なお、以下の表中の組成比は「原子％」で示している。
<Evaluation of membrane>
(1) Composition analysis About the thin film thermistor part 6 obtained by the reactive sputtering method, the elemental analysis was performed by the X ray photoelectron spectroscopy (XPS). In this XPS, quantitative analysis was performed on the sputtered surface having a depth of 20 nm from the outermost surface by Ar sputtering. The results are shown in Table 1. In addition, the composition ratio in the following table | surface is shown by "atomic%".
なお、上記Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）は、Ｘ線源をＭｇＫα（３５０Ｗ）とし、パスエネルギー：５８．５ｅＶ、測定間隔：０．１２５ｅＶ、試料面に対する光電子取り出し角：４５ｄｅｇ、分析エリアを約８００μｍφの条件下で定量分析を実施した。なお、定量精度について、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）の定量精度は±２％、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）の定量精度は±１％ある。 In the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the X-ray source is MgKα (350 W), the path energy is 58.5 eV, the measurement interval is 0.125 eV, the photoelectron extraction angle with respect to the sample surface is 45 deg, and the analysis area is about Quantitative analysis was performed under the condition of 800 μmφ. As for the quantitative accuracy, the quantitative accuracy of N / (Ti + Al + N) is ± 2%, and the quantitative accuracy of Al / (Ti + Al) is ± 1%.
（２）比抵抗測定
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部６について、４端子法にて２５℃での比抵抗を測定した。その結果を表１に示す。
（３）Ｂ定数測定
膜評価用素子１２１の２５℃及び５０℃の抵抗値を恒温槽内で測定し、２５℃と５０℃との抵抗値よりＢ定数を算出した。その結果を表１に示す。
(2) Specific resistance measurement About the thin film thermistor part 6 obtained by the reactive sputtering method, the specific resistance in 25 degreeC was measured by the 4 terminal method. The results are shown in Table 1.
(3) B constant measurement The resistance value of 25 degreeC and 50 degreeC of the element 121 for film | membrane evaluation was measured within the thermostat, and B constant was computed from the resistance value of 25 degreeC and 50 degreeC. The results are shown in Table 1.
なお、本発明におけるＢ定数算出方法は、上述したように２５℃と５０℃とのそれぞれの抵抗値から以下の式によって求めている。
Ｂ定数（Ｋ）＝ｌｎ（Ｒ２５／Ｒ５０）／（１／Ｔ２５−１／Ｔ５０）
Ｒ２５（Ω）：２５℃における抵抗値
Ｒ５０（Ω）：５０℃における抵抗値
Ｔ２５（Ｋ）：２９８．１５Ｋ ２５℃を絶対温度表示
Ｔ５０（Ｋ）：３２３．１５Ｋ ５０℃を絶対温度表示
In addition, the B constant calculation method in this invention is calculated | required by the following formula | equation from each resistance value of 25 degreeC and 50 degreeC as mentioned above.
B constant (K) = ln (R25 / R50) / (1 / T25-1 / T50)
R25 (Ω): resistance value at 25 ° C. R50 (Ω): resistance value at 50 ° C. T25 (K): 298.15K 25 ° C. is displayed as an absolute temperature T50 (K): 323.15K 50 ° C. is displayed as an absolute temperature
これらの結果からわかるように、ＴｉｘＡｌｙＮｚの組成比が図２に示す３元系の三角図において、点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれる領域内、すなわち、「０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１」となる領域内の実施例全てで、抵抗率：１００Ωｃｍ以上、Ｂ定数：１５００Ｋ以上のサーミスタ特性が達成されている。 As can be seen from these results, the Ti x Al y N 3 ternary triangular diagram of the composition ratio shown in FIG. 2 of z, the points A, B, C, in a region surrounded by D, ie, "0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1 ”, thermistor characteristics of resistivity: 100 Ωcm or more, B constant: 1500 K or more Has been achieved.
上記結果から２５℃での抵抗率とＢ定数との関係を示したグラフを、図１２に示す。また、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比とＢ定数との関係を示したグラフを、図１３に示す。これらのグラフから、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．７〜０．９５、かつ、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）＝０．４〜０．５の領域で、結晶系が六方晶のウルツ鉱型の単一相であるものは、２５℃における比抵抗値が１００Ωｃｍ以上、Ｂ定数が１５００Ｋ以上の高抵抗かつ高Ｂ定数の領域が実現できている。なお、図１３のデータにおいて、同じＡｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比に対して、Ｂ定数がばらついているのは、結晶中の窒素量が異なるためである。 FIG. 12 shows a graph showing the relationship between the resistivity at 25 ° C. and the B constant based on the above results. A graph showing the relationship between the Al / (Ti + Al) ratio and the B constant is shown in FIG. From these graphs, in the region of Al / (Ti + Al) = 0.7 to 0.95 and N / (Ti + Al + N) = 0.4 to 0.5, the wurtzite single crystal system is hexagonal. As a phase, a high resistance and high B constant region having a specific resistance value at 25 ° C. of 100 Ωcm or more and a B constant of 1500 K or more can be realized. In the data of FIG. 13, the B constant varies for the same Al / (Ti + Al) ratio because the amount of nitrogen in the crystal is different.
表１に示す比較例３〜１２は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．７の領域であり、結晶系は立方晶のＮａＣｌ型となっている。また、比較例１２（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．６７）では、ＮａＣｌ型とウルツ鉱型とが共存している。このように、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．７の領域では、２５℃における比抵抗値が１００Ωｃｍ未満、Ｂ定数が１５００Ｋ未満であり、低抵抗かつ低Ｂ定数の領域であった。 Comparative Examples 3 to 12 shown in Table 1 are regions of Al / (Ti + Al) <0.7, and the crystal system is a cubic NaCl type. In Comparative Example 12 (Al / (Ti + Al) = 0.67), the NaCl type and the wurtzite type coexist. Thus, in the region of Al / (Ti + Al) <0.7, the specific resistance value at 25 ° C. was less than 100 Ωcm, the B constant was less than 1500 K, and the region was low resistance and low B constant.
表１に示す比較例１，２は、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）が４０％に満たない領域であり、金属が窒化不足の結晶状態になっている。この比較例１，２は、ＮａＣｌ型でも、ウルツ鉱型でもない、非常に結晶性の劣る状態であった。また、これら比較例では、Ｂ定数及び抵抗値が共に非常に小さく、金属的振舞いに近いことがわかった。 Comparative Examples 1 and 2 shown in Table 1 are regions where N / (Ti + Al + N) is less than 40%, and the metal is in a crystalline state with insufficient nitriding. In Comparative Examples 1 and 2, neither the NaCl type nor the wurtzite type was in a state of very poor crystallinity. Further, in these comparative examples, it was found that both the B constant and the resistance value were very small and close to the metallic behavior.
（４）薄膜Ｘ線回折（結晶相の同定）
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部６を、視斜角入射Ｘ線回折（Grazing Incidence X-ray Diffraction）により、結晶相を同定した。この薄膜Ｘ線回折は、微小角Ｘ線回折実験であり、管球をＣｕとし、入射角を１度とすると共に２θ＝２０〜１３０度の範囲で測定した。
(4) Thin film X-ray diffraction (identification of crystal phase)
The crystal phase of the thin film thermistor portion 6 obtained by the reactive sputtering method was identified by grazing incidence X-ray diffraction (Grazing Incidence X-ray Diffraction). This thin film X-ray diffraction was a small angle X-ray diffraction experiment, and the measurement was performed in the range of 2θ = 20 to 130 degrees with Cu as the tube, the incident angle of 1 degree.
その結果、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）≧０．７の領域においては、ウルツ鉱型相（六方晶、ＡｌＮと同じ相）であり、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．６５の領域においては、ＮａＣｌ型相（立方晶、ＴｉＮと同じ相）であった。また、０．６５＜ Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．７においては、ウルツ鉱型相とＮａＣｌ型相との共存する結晶相であった。 As a result, in the region of Al / (Ti + Al) ≧ 0.7, it is a wurtzite type phase (hexagonal crystal, the same phase as AlN), and in the region of Al / (Ti + Al) <0.65, the NaCl type phase. (Cubic, same phase as TiN). Further, in the case of 0.65 <Al / (Ti + Al) <0.7, it was a crystal phase in which the wurtzite type phase and the NaCl type phase coexist.
このようにＴｉＡｌＮ系においては、高抵抗かつ高Ｂ定数の領域は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）≧０．７のウルツ鉱型相に存在している。なお、本発明の実施例では、不純物相は確認されておらず、ウルツ鉱型の単一相である。
なお、表１に示す比較例１，２は、上述したように結晶相がウルツ鉱型相でもＮａＣｌ型相でもなく、本試験においては同定できなかった。また、これらの比較例は、ＸＲＤのピーク幅が非常に広いことから、非常に結晶性の劣る材料であった。これは、電気特性により金属的振舞いに近いことから、窒化不足の金属相になっていると考えられる。
Thus, in the TiAlN system, a region having a high resistance and a high B constant exists in the wurtzite phase of Al / (Ti + Al) ≧ 0.7. In the examples of the present invention, the impurity phase is not confirmed, and is a wurtzite type single phase.
In Comparative Examples 1 and 2 shown in Table 1, the crystal phase was neither the wurtzite type phase nor the NaCl type phase as described above, and could not be identified in this test. Further, these comparative examples were materials with very poor crystallinity because the peak width of XRD was very wide. This is considered to be a metal phase with insufficient nitriding because it is close to a metallic behavior due to electrical characteristics.
次に、本発明の実施例は全てウルツ鉱型相の膜であり、配向性が強いことから、Ｓｉ基板Ｓ上に垂直な方向（膜厚方向）の結晶軸においてａ軸配向性が強いか、ｃ軸配向性が強いかであるかについて、ＸＲＤを用いて調査した。この際、結晶軸の配向性を調べるために、（１００）（ａ軸配向を示すミラー指数）と（００２）（ｃ軸配向を示すミラー指数）とのピーク強度比を測定した。 Next, all the examples of the present invention are films of wurtzite type phase, and since the orientation is strong, is the a-axis orientation strong in the crystal axis in the direction perpendicular to the Si substrate S (film thickness direction)? Whether the c-axis orientation is strong was investigated using XRD. At this time, in order to investigate the orientation of the crystal axis, the peak intensity ratio between (100) (Miller index indicating a-axis orientation) and (002) (Miller index indicating c-axis orientation) was measured.
その結果、スパッタガス圧が０．６７Ｐａ未満で成膜された実施例は、（１００）よりも（００２）の強度が非常に強く、ａ軸配向性よりｃ軸配向性が強い膜であった。一方、スパッタガス圧が０．６７Ｐａ以上で成膜された実施例は、（００２）よりも（１００）の強度が非常に強く、ｃ軸配向よりａ軸配向が強い材料であった。
なお、同じ成膜条件でポリイミドフィルムに成膜しても、同様にウルツ鉱型相の単一相が形成されていることを確認している。また、同じ成膜条件でポリイミドフィルムに成膜しても、配向性は変わらないことを確認している。
As a result, the example in which the film was formed at a sputtering gas pressure of less than 0.67 Pa was a film having a (002) strength much stronger than (100) and a stronger c-axis orientation than a-axis orientation. . On the other hand, the example in which the film was formed at a sputtering gas pressure of 0.67 Pa or higher was a material having a (100) strength much stronger than (002) and a a-axis orientation stronger than the c-axis orientation.
In addition, even if it formed into a film on the polyimide film on the same film-forming conditions, it confirmed that the single phase of the wurtzite type phase was formed similarly. Moreover, even if it forms into a film on a polyimide film on the same film-forming conditions, it has confirmed that orientation does not change.
ｃ軸配向が強い実施例のＸＲＤプロファイルの一例を、図１４に示す。この実施例は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８４（ウルツ鉱型、六方晶）であり、入射角を１度として測定した。この結果からわかるように、この実施例では、（１００）よりも（００２）の強度が非常に強くなっている。
また、ａ軸配向が強い実施例のＸＲＤプロファイルの一例を、図１５に示す。この実施例は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８３（ウルツ鉱型、六方晶）であり、入射角を１度として測定した。この結果からわかるように、この実施例では、（００２）よりも（１００）の強度が非常に強くなっている。
An example of the XRD profile of an example with strong c-axis orientation is shown in FIG. In this example, Al / (Ti + Al) = 0.84 (wurtzite type, hexagonal crystal), and the incident angle was 1 degree. As can be seen from this result, in this example, the intensity of (002) is much stronger than (100).
Moreover, an example of the XRD profile of an Example with a strong a-axis orientation is shown in FIG. In this example, Al / (Ti + Al) = 0.83 (wurtzite type, hexagonal crystal), and the incident angle was measured as 1 degree. As can be seen from this result, in this example, the intensity of (100) is much stronger than (002).
さらに、この実施例について、入射角を０度として、対称反射測定を実施した。なお、グラフ中（＊）は装置由来のピークであり、サンプル本体のピーク、もしくは、不純物相のピークではないことを確認している（なお、対称反射測定において、そのピークが消失していることからも装置由来のピークであることがわかる。）。 Further, for this example, the symmetric reflection measurement was performed with the incident angle set to 0 degree. In the graph, (*) is a peak derived from the device, and it is confirmed that it is not the peak of the sample body or the peak of the impurity phase (in addition, the peak disappears in the symmetric reflection measurement). It can be seen that the peak is derived from the device.
なお、比較例のＸＲＤプロファイルの一例を、図１６に示す。この比較例は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．６（ＮａＣｌ型、立方晶）であり、入射角を１度として測定した。ウルツ鉱型（空間群Ｐ６３ｍｃ（Ｎｏ．１８６））として指数付けできるピークは検出されておらず、ＮａＣｌ型単独相であることを確認した。 An example of the XRD profile of the comparative example is shown in FIG. In this comparative example, Al / (Ti + Al) = 0.6 (NaCl type, cubic crystal), and the incident angle was 1 degree. A peak that could be indexed as a wurtzite type (space group P6 3 mc (No. 186)) was not detected, and it was confirmed to be a NaCl type single phase.
次に、ウルツ鉱型材料である本発明の実施例に関して、さらに結晶構造と電気特性との相関を詳細に比較した。
表２及び図１７に示すように、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比がほぼ同じ比率のものに対し、基板面に垂直方向の配向度の強い結晶軸がｃ軸である材料（実施例５，７，８，９）とａ軸である材料（実施例１９，２０，２１）とがある。
Next, the correlation between the crystal structure and the electrical characteristics was further compared in detail for the example of the present invention which is a wurtzite type material.
As shown in Table 2 and FIG. 17, a material in which the crystal axis having a high degree of orientation in the direction perpendicular to the substrate surface is the c-axis with respect to the Al / (Ti + Al) ratio being substantially the same (Examples 5, 7, 8, 9) and a material which is a-axis (Examples 19, 20, 21).
これら両者を比較すると、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比が同じであると、ａ軸配向が強い材料よりもｃ軸配向が強い材料の方が、Ｂ定数が１００Ｋ程度大きいことがわかる。また、Ｎ量（Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））に着目すると、ａ軸配向が強い材料よりもｃ軸配向が強い材料の方が、窒素量がわずかに大きいことがわかる。理想的な化学量論比：Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）＝０．５であることから、ｃ軸配向が強い材料のほうが、窒素欠陥量が少なく理想的な材料であることがわかる。 Comparing the two, it can be seen that when the Al / (Ti + Al) ratio is the same, the material having a strong c-axis orientation has a larger B constant by about 100K than the material having a strong a-axis orientation. Further, when focusing attention on the N amount (N / (Ti + Al + N)), it can be seen that the material having a strong c-axis orientation has a slightly larger amount of nitrogen than the material having a strong a-axis orientation. Since the ideal stoichiometric ratio: N / (Ti + Al + N) = 0.5, it can be seen that a material with a strong c-axis orientation is an ideal material with a small amount of nitrogen defects.
＜結晶形態の評価＞
次に、薄膜サーミスタ部６の断面における結晶形態を示す一例として、熱酸化膜付きＳｉ基板Ｓ上に成膜された実施例（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８４，ウルツ鉱型、六方晶、ｃ軸配向性が強い）の薄膜サーミスタ部６における断面ＳＥＭ写真を、図１８に示す。また、別の実施例（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８３，ウルツ鉱型六方晶、ａ軸配向性が強い）の薄膜サーミスタ部６における断面ＳＥＭ写真を、図１９に示す。
これら実施例のサンプルは、Ｓｉ基板Ｓをへき開破断したものを用いている。また、４５°の角度で傾斜観察した写真である。
<Evaluation of crystal form>
Next, as an example showing the crystal form in the cross section of the thin film thermistor portion 6, an example (Al / (Ti + Al) = 0.84 wurtzite type, hexagonal crystal, formed on the Si substrate S with a thermal oxide film, FIG. 18 shows a cross-sectional SEM photograph of the thin film thermistor portion 6 having a strong c-axis orientation. Moreover, the cross-sectional SEM photograph in the thin film thermistor part 6 of another Example (Al / (Ti + Al) = 0.83, a wurtzite type hexagonal crystal and strong a-axis orientation) is shown in FIG.
The samples of these examples are those obtained by cleaving the Si substrate S. Moreover, it is the photograph which observed the inclination at an angle of 45 degrees.
これらの写真からわかるように、いずれの実施例も高密度な柱状結晶で形成されている。すなわち、ｃ軸配向が強い実施例及びａ軸配向が強い実施例の共に基板面に垂直な方向に柱状の結晶が成長している様子が観測されている。なお、柱状結晶の破断は、Ｓｉ基板Ｓをへき開破断した際に生じたものである。 As can be seen from these photographs, all the examples are formed of high-density columnar crystals. That is, it has been observed that columnar crystals grow in a direction perpendicular to the substrate surface in both the embodiment with strong c-axis orientation and the embodiment with strong a-axis orientation. Note that the breakage of the columnar crystal occurred when the Si substrate S was cleaved.
＜膜の耐熱試験評価＞
表１に示す実施例及び比較例において、大気中，１２５℃,１０００ｈの耐熱試験前後における抵抗値及びＢ定数を評価した。その結果を表３に示す。なお、比較として従来のＴａ−Ａｌ−Ｎ系材料による比較例も同様に評価した。
これらの結果からわかるように、Ａｌ濃度及び窒素濃度は異なるものの、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系である比較例と同じＢ定数で比較したとき、耐熱試験前後における電気特性変化でみたときの耐熱性は、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ系のほうが優れている。なお、実施例５，８はｃ軸配向が強い材料であり、実施例２１，２４はａ軸配向が強い材料である。両者を比較すると、ｃ軸配向が強い実施例の方がａ軸配向が強い実施例に比べて僅かに耐熱性が向上している。
<Evaluation of heat resistance test of membrane>
In Examples and Comparative Examples shown in Table 1, resistance values and B constants before and after a heat resistance test at 125 ° C. and 1000 h in the atmosphere were evaluated. The results are shown in Table 3. For comparison, comparative examples using conventional Ta—Al—N materials were also evaluated in the same manner.
As can be seen from these results, although the Al concentration and the nitrogen concentration are different, when compared with the same B constant as that of the comparative example which is a Ta-Al-N system, the heat resistance when viewed in terms of changes in electrical characteristics before and after the heat resistance test is The Ti-Al-N system is superior. Examples 5 and 8 are materials with strong c-axis orientation, and Examples 21 and 24 are materials with strong a-axis orientation. When both are compared, the heat resistance of the example with a strong c-axis orientation is slightly improved as compared with the example with a strong a-axis orientation.
なお、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系材料では、Ｔａのイオン半径がＴｉやＡｌに比べて非常に大きいため、高濃度Ａｌ領域でウルツ鉱型相を作製することができない。ＴａＡｌＮ系がウルツ鉱型相でないがゆえ、ウルツ鉱型相のＴｉ−Ａｌ−Ｎ系の方が、耐熱性が良好であると考えられる。 Note that, in the Ta—Al—N-based material, the ionic radius of Ta is much larger than that of Ti or Al, and thus a wurtzite type phase cannot be produced in a high concentration Al region. Since the TaAlN system is not a wurtzite type phase, the Ti-Al-N system of the wurtzite type phase is considered to have better heat resistance.
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記各実施形態では、保護膜形成後に絶縁性フィルムに支持基板を接着しているが、予め絶縁性フィルムに支持基板を接着しておいても構わない。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiments and examples, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in each of the embodiments described above, the support substrate is bonded to the insulating film after the protective film is formed, but the support substrate may be bonded to the insulating film in advance.
１，２１…温度センサ、２…リード線、３…センサ部、４…保持部、５…絶縁性フィルム、６…薄膜サーミスタ部、７…櫛型電極、７ａ…櫛部、８…パターン電極、９…支持基板、９ａ…貫通孔、１０…保護膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 21 ... Temperature sensor, 2 ... Lead wire, 3 ... Sensor part, 4 ... Holding part, 5 ... Insulating film, 6 ... Thin film thermistor part, 7 ... Comb-shaped electrode, 7a ... Comb part, 8 ... Pattern electrode, 9 ... support substrate, 9a ... through hole, 10 ... protective film
Claims (5)
前記一対のリード線に接続されたセンサ部と、
前記一対のリード線に固定されて前記リード線を保持する絶縁性の保持部とを備え、
前記センサ部が、絶縁性フィルムと、
該絶縁性フィルムの表面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、
前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、
一端が前記一対の櫛型電極に接続されていると共に他端が前記一対のリード線に接続され前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極と、
前記絶縁性フィルムの裏面に接着された該絶縁性フィルムよりも高剛性の支持基板とを備えていることを特徴とする温度センサ。 A pair of lead wires;
A sensor unit connected to the pair of lead wires;
An insulating holding part fixed to the pair of lead wires and holding the lead wires;
The sensor part is an insulating film;
A thin film thermistor portion patterned with a thermistor material on the surface of the insulating film;
A pair of comb-shaped electrodes that have a plurality of comb portions on at least one of the upper and lower sides of the thin film thermistor portion and are patterned to face each other;
A pair of pattern electrodes having one end connected to the pair of comb electrodes and the other end connected to the pair of lead wires and patterned on the surface of the insulating film;
A temperature sensor comprising: a support substrate having a rigidity higher than that of the insulating film bonded to the back surface of the insulating film.
前記支持基板が、金属板であることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to claim 1,
The temperature sensor, wherein the support substrate is a metal plate.
前記支持基板に、複数の貫通孔が形成されていることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to claim 1 or 2,
A temperature sensor, wherein a plurality of through holes are formed in the support substrate.
前記貫通孔が、少なくとも前記薄膜サーミスタ部の周囲の前記保持部側に形成されていることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to claim 3,
The temperature sensor, wherein the through hole is formed at least on the holding part side around the thin film thermistor part.
前記薄膜サーミスタ部が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to any one of claims 1 to 4,
The thin film thermistor portion is a metal nitride represented by the general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1) A temperature sensor characterized in that its crystal structure is a hexagonal wurtzite single phase.
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