JP2018032584A - Ｃｏｇ型パネル、有機ｅｌパネル、及びｃｏｇ型パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＩＣチップの基板への接続信頼性を良好とすることができるＣＯＧ型パネル、有機ＥＬパネル、及びＣＯＧ型パネルの製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬパネルは、配線が形成され、透光性を有する基板と、基板に実装されたＩＣチップと、基板とＩＣチップとの間に位置する異方性導電材と、を備える。ＩＣチップのバンプ群は、前記配線とは電気的に接続されない複数のダミーバンプ８０ｄを含み、基板の配線形成面には、マーク部９が形成されている。マーク部９は、複数のダミーバンプ８０ｄのうちの対象ダミーバンプＤＢ１、ＤＢ２と異方性導電材を挟んで対向する本体部９０と、本体部９０から、対象ダミーバンプＤＢ１、ＤＢ２と隣接する隣接ダミーバンプ８０ｄに向かって延びる延在部９１と、を有する。【選択図】図４

Description

本発明は、ＣＯＧ型パネル、有機ＥＬパネル、及びＣＯＧ型パネルの製造方法に関する。

特許文献１には、基板上にＩＣ（Integrated Circuit）チップが直接実装されたＣＯＧ（Chip On Glass）方式のパネル（ＣＯＧ型パネル）が開示されている。特許文献１に係るパネルは、基板上の配線の一部が、ＩＣチップの外周辺縁の位置と比較可能なマークとして形成された構成を有し、この構成によりＩＣチップの正規位置からのズレ量の判定を試みたものである。

特開２００４−３６３１７２号公報

特許文献１に係るパネルのようにＩＣチップの外形を基準としてＩＣチップの搭載ズレを判定する構成では、ＩＣチップと配線基板との接続箇所の実際のズレの推定量が大きくなるため、判定精度に欠ける。したがって、ＣＯＧ型パネルにおけるＩＣチップの接続信頼性につき向上の余地がある。

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、ＩＣチップの基板への接続信頼性を良好とすることができるＣＯＧ型パネル、有機ＥＬパネル、及びＣＯＧ型パネルの製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係るＣＯＧ型パネルは、
配線が形成され、透光性を有する基板と、
前記基板に実装されたＩＣチップと、
前記基板と前記ＩＣチップとの間に位置する異方性導電材と、を備え、
前記ＩＣチップは、前記基板に向かって突起する突起電極群を有し、
前記突起電極群は、前記配線とは電気的に接続されない複数のダミー電極を含み、
前記基板における前記配線が形成された面には、マーク部が形成され、
前記マーク部は、
前記複数のダミー電極のうちの所定ダミー電極と前記異方性導電材を挟んで対向する本体部と、
前記本体部から、前記所定ダミー電極と隣接する隣接ダミー電極に向かって延びる延在部と、を有する、
ことを特徴とする。

上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る有機ＥＬパネルは、
前記ＣＯＧ型パネルと、
前記基板に形成された有機発光層と、を備える、
ことを特徴とする。

上記目的を達成するため、本発明の第３の観点に係るＣＯＧ型パネルの製造方法は、
透光性を有する基板の所定面に、配線とマーク部とを形成する形成ステップと、
前記配線とは電気的に接続されない複数のダミー電極を含む突起電極群を有するＩＣチップを、前記突起電極群が前記所定面に向かうようにして、異方性導電材を介して前記基板に設置する設置ステップと、
前記基板の前記所定面の裏側から見える前記マーク部の位置に基づいて、前記ＩＣチップの搭載位置を確認する確認ステップと、を備え、
前記形成ステップでは、前記ＩＣチップが前記基板に設置された場合に、前記マーク部が前記複数のダミー電極のうちの所定ダミー電極と前記異方性導電材を挟んで対向するように前記マーク部を形成し、
前記マーク部は、前記所定ダミー電極と隣接する隣接ダミー電極に向かって延びる延在部を有し、
前記確認ステップでは、前記所定ダミー電極と前記隣接ダミー電極との少なくともいずれかに対しての、前記延在部の位置に基づいて前記ＩＣチップの搭載位置を確認する、
ことを特徴とする。

本発明によれば、ＩＣチップの基板への接続信頼性を良好とすることができる。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬパネルの分解斜視図である。 図１に示す有機ＥＬパネルの概略平面図である。 （ａ）は有機ＥＬパネルの図２に示すＡ−Ａ線での概略断面図であり、（ｂ）は有機ＥＬパネルの図２に示すＢ−Ｂ線での概略断面図である。 （ａ）及び（ｂ）はマークとダミー電極との関係を説明するための図である。 （ａ）及び（ｂ）はＩＣチップの搭載ズレの判定方法を説明するための図である。 （ａ）及び（ｂ）はＩＣチップの搭載ズレの判定方法を説明するための図である。 （ａ）〜（ｃ）は変形例に係るマークの形状を説明するための図である。

本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。

本実施形態に係る有機ＥＬ（Electro-Luminescence）パネル１００は、図１〜図４などに示すように、基板１と、発光部２と、封止部３と、陽極配線部４と、陰極配線部５と、接続配線部６と、異方性導電材７と、ＩＣ（Integrated Circuit）チップ８と、マーク部９と、を備える。

以下では、理解を容易とするため、互いに直交するＸ、Ｙ及びＺ軸を用いて適宜説明を行う（図１など参照）。また、各軸を示す矢印が向く方向を各軸の＋（プラス）方向、その逆方向を−（マイナス）方向とする。

図１は、有機ＥＬパネル１００の分解斜視図であり、後述の接続部材２００と、ＩＣチップ８とを配設する前の状態を示している。
図２は、＋Ｚ方向から見た有機ＥＬパネル１００の概略平面図であり、図１に示す中心線Ｏよりも左側の部分を示すものである。なお、中心線Ｏよりも右側の部分については、左側の部分と概ね線対称に構成されるため、適宜説明を省略する。
図３（ａ）は、有機ＥＬパネル１００のＡ−Ａ線概略断面図であり、図３（ｂ）は、有機ＥＬパネル１００のＢ−Ｂ線概略断面図である。なお、図３（ａ）、（ｂ）においては、見易さを考慮して、基板１、封止部３、及びＩＣチップ８の断面を表すハッチングを省略した。

基板１は、例えばガラスから構成され、図１に示すように、長方形状に形成されている。基板１は、透光性及び電気絶縁性を有する。基板１上（＋Ｚ方向に向く面上）には、発光部２（図３（ａ）参照）と、陽極配線部４、陰極配線部５、及び接続配線部６（図１、図２参照）などが形成されている。

発光部２は、図３（ａ）に示すように、陽極２１と、有機層２２と、陰極２３とを有する。図示しないが平面視（Ｚ方向から見た場合）において、陽極２１は、Ｙ方向に沿った帯状に形成され、Ｘ方向に所定の間隔を空けて複数配列されている。同様に図示しないが平面視において、陰極２３は、Ｘ方向に沿った帯状に形成され、Ｙ方向に所定の間隔を空けて複数配列されている。本実施形態に係る発光部２は、陽極２１と陰極２３とが交差する箇所であって、有機層２２が陽極２１と陰極２３とに挟持される箇所によって形成される複数の発光画素により発光可能なパッシブマトリクス型の発光部である。

陽極２１は、例えば、透明電極であり、正孔を注入する陽極として機能する。陽極２１は、基板１の上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum Zinc Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の導電材（以下、透光性導電材と言う）をスパッタリング法によって成膜し、フォトリソグラフィー法によって所望の形状にパターニングすることで形成される。図３（ａ）に示すように、各陽極２１の一端部（−Ｙ側の端部）は、それぞれに対応する複数の陽極配線からなる陽極配線部４と接続される。

なお、基板１上には、図示しない絶縁層や隔壁などが形成されている。絶縁層は、例えばポリイミド系の電気絶縁性材料からなり、陽極２１と陰極２３との間に位置するように陽極２１上に形成されている。また、絶縁層は、陽極２１と陰極２３との短絡を防止するとともに、形成された開口部によって各発光画素を画定する。また、絶縁層は、陰極配線部５と陰極２３との間にも延設されており、陰極配線部５と陰極２３とを接続させるコンタクトホールを有する。隔壁は、例えばフェノール系の電気絶縁性材料からなり、絶縁層上に形成される。隔壁は、陽極２１と直交する方向に等間隔にて複数形成される。隔壁は、有機層２２及び陰極２３の形成過程において、それぞれを分断させるために設けられる。

有機層２２は、陽極２１上に形成されるものであり、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層を、蒸着法やスパッタリング法等の手段によって順次積層することで形成される。なお、有機層２２は、少なくとも有機発光層を有していればよい。

陰極２３は、例えば、不透光性の電極であり、電子を注入する陰極として機能する。陰極２３は、有機層２２上に形成された低抵抗の導電膜である。陰極２３は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｌｉ、Ｚｎ等の金属単体あるいは合金を含む導電材（以下、不透光性導電材と呼ぶ）をスパッタリング法や蒸着法等の手段により形成してなるものである。また、陰極２３は、前記の絶縁層に設けられるコンタクトホール（図示せず）を介して、陰極配線部５と接続される。

封止部３は、発光部２を気密的に収容するものであり、例えばガラスから板状に形成されている。封止部３は、シール３ａを介して基板１上に配設される。

陽極配線部４は、陽極２１とＩＣチップ８とを電気的に接続するための配線であり、図２、図３（ａ）に示すように、封止部３から−Ｙ方向に向かって引き出される（封止部３によって形成される略密閉空間から引き出される）ように形成されている。陽極配線部４は、例えば、不透光性導電材から形成されている。なお、陽極配線部４は、不透光性導電材と透光性導電材の積層体から構成されてもよい。

なお、図２においては、見易さを考慮して、ＩＣチップ８を破線で、後述のバンプ群８０を点線で表している。また、図１、図２においては、構成の理解を容易にするため、陽極配線部４や、以下に説明する陰極配線部５、接続配線部６の形状を模式的に表している。

陰極配線部５は、陰極２３とＩＣチップ８とを電気的に接続するための配線であり、図２に示すように、封止部３から概ね−Ｙ方向に向かって引き出されるように形成されている。陰極配線部５は、例えば、不透光性導電材から形成されている。なお、陰極配線部５は、不透光性導電材と透光性導電材の積層体から構成されてもよい。

接続配線部６は、ＩＣチップ８と外部回路とを接続するための配線である。接続配線部６は、図２に示すように、基板１上において、陽極配線部４及び陰極配線部５と離間して、基板１の図２における下端部に形成されている。接続配線部６は、例えば、不透光性導電材から形成されている。なお、接続配線部６は、不透光性導電材と透光性導電材の積層体から構成されてもよい。接続配線部６は、図２における下端部（−Ｙ側の端部）が外部回路から延設される接続部材２００と接続される。接続部材２００は、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）からなる。

異方性導電材７は、ＩＣチップ８と、陽極配線部４、陰極配線部５、及び接続配線部６の各々とを電気的に接続するものである。異方性導電材７は、図３（ａ）に示すように、ＩＣチップ８と基板１との間に位置する。異方性導電材７は、例えば、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）と呼ばれるフィルム状の接着剤や、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）と呼ばれるペースト状の接着剤などからなる。ＡＣＦ及びＡＣＰは、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂から構成される接着剤の中に、導電性粒子（ニッケル粒子や、金めっきプラスティック粒子など）を分散させたものである。また、異方性導電材７は、接続配線部６と接続部材２００との間にも設けられ、両者を電気的に接続する。図１において点線で、ＩＣチップ８の配設領域に対応する異方性導電材７の配置箇所（第１箇所）と、接続部材２００の配設領域に対応する異方性導電材７の配置箇所（第２箇所）とを示している。図１に示すように、第２箇所は第１箇所よりも基板１の端部（−Ｙ側の端部）に位置する。

ＩＣチップ８は、ＣＯＧ方式によって基板１上に実装され、発光部２を発光駆動させる駆動回路（信号線駆動回路及び走査線駆動回路）を構成する駆動用ＩＣである。ＩＣチップ８は、複数の突起電極（例えば、金などの導電性の高い金属からなる）からなるバンプ群８０を有し、バンプ群８０によって基板１に形成された各種配線と接続される。

バンプ群８０は、図１に模式的に示すように、Ｘ方向及びＹ方向に複数配列されている。基板１に形成された各種配線は、図２に示すように、バンプ群８０の配列を考慮して形成されている。なお、図２では、基板１に実装されたＩＣチップ８のバンプ群８０のうち一部を点線で示している。

バンプ群８０は、異方性導電材７を介して接続配線部６と導通接続される入力バンプ群と、異方性導電材７を介して陽極配線部４及び陰極配線部５の各々と導通接続される出力バンプ群とを含む。

図２において、入力バンプ８１は、入力バンプ群のうち任意の一つの入力バンプを示したものである。入力バンプ８１は、異方性導電材７を介して、接続配線部６を構成する配線の１つと導通接続される。他の入力バンプについては、図示省略するが、例えば、接続配線部６の形成領域と重なる位置に接続配線部６を構成する配線に応じて複数設けられている。

また、出力バンプ８２は、出力バンプ群のうち陰極配線部５に接続される２つの出力バンプを示したものである。出力バンプ８２は、異方性導電材７を介して、陰極配線部５と導通接続される。なお、出力バンプ群のうち、陽極配線部４と導通接続される出力バンプは、図２では図示省略しているが、図３（ａ）に示す出力バンプ８３が陽極配線部４と導通接続される出力バンプの一つに相当する。実際には、陽極配線部４と導通接続される出力バンプは、例えば、陽極配線部４の形成領域と重なる位置に陽極配線部４を構成する配線に応じて複数設けられている。

このような入力バンプと出力バンプの他に、バンプ群８０は、基板１に形成された各種配線と電気的に接続されない複数のダミーバンプ８０ｄを有している。ダミーバンプ８０ｄは、例えば、ＩＣチップ８の基板１への配設安定性の観点から設けられるものである。図２では、ダミーバンプ８０ｄは、出力バンプ８２と共にＹ方向に複数配列されると共に、入力バンプ８１と共にＸ方向に複数配列されている。なお、図示省略するが、その他のダミーバンプとしては、陽極配線部４と導通接続される出力バンプと共にＸ方向に複数配列されたものなどがある。なお、以下、ダミーバンプ８０ｄとの対比において、入力バンプ及び出力バンプを「駆動バンプ」とも呼ぶ。

なお、バンプ群８０を構成する各バンプ（駆動バンプ、ダミーバンプ８０ｄ）は、平面視（Ｚ方向から見た場合）で矩形状に形成されている。また、例えば、Ｙ方向に沿って配列された各バンプは、等間隔で配列されている。また、例えば、Ｘ方向に沿った配列された各バンプは、等間隔で配列されている。

マーク部９は、図３（ｂ）に示すように、基板１上に、前記の不透光性導電材をスパッタリング法や蒸着法等の手段により形成してなるものである。マーク部９は、後述するように、補助配線（陽極配線部４、陰極配線部５、及び接続配線部６の少なくともいずれか）と同時に基板１上に形成される。なお、マーク部９は、陰極２３と同材料で陰極２３と同時に形成されてもよい。

マーク部９は、ＩＣチップ８の基板１への搭載ズレが生じていないか確認するために、複数のダミーバンプ８０ｄのうちの任意のダミーバンプ８０ｄ（後述の対象ダミーバンプＤＢ１、ＤＢ２）と、Ｚ方向において重なる位置に設けられる。詳しくは後述する。

以上のように構成される有機ＥＬパネル１００は、基板１上に実装されたＩＣチップ８を介して、外部回路の制御の下で動作する。ＩＣチップ８は、外部回路からの駆動信号に基づいて、各陽極２１に駆動電流を、各陰極２３に走査電圧を供給する。これにより、陽極２１と陰極２３との間の有機層２２に駆動電流が流れ、有機発光層が発光する。なお、本実施形態の有機ＥＬパネル１００は、基板１側から有機発光層で発せられた光を出射するボトムエミッション型のものである。

（マーク部９の形状について）
マーク部９は、図２に示す対象ダミーバンプＤＢ１と対象ダミーバンプＤＢ２との各々に対応して位置する。つまり、図２に示す範囲においては、マーク部９は２つ設けられる。なお、マーク部９の配置箇所は、２つに限られず、１つであっても、３以上であってもよい。

図４（ａ）、（ｂ）に示すように、マーク部９は、所定方向に配列された複数のダミーバンプ８０ｄのうち、両隣がダミーバンプ８０ｄとなる任意のダミーバンプ８０ｄ（対象ダミーバンプＤＢ１、対象ダミーバンプＤＢ２）と対応する位置に設けられる。

図４（ａ）は、基板１を−Ｚ側から見た場合における対象ダミーバンプＤＢ１と、マーク部９との配置関係を示した図である。同図に示すように、Ｙ方向に配列された複数のダミーバンプ８０ｄのうち、両隣りがダミーバンプ８０ｄとなる対象ダミーバンプＤＢ１と重なるようにマーク部９が設けられる。

図４（ａ）に示すマーク部９は、対象ダミーバンプＤＢ１とＺ方向において重なると共に、対象ダミーバンプＤＢ１に沿って延びる本体部９０と、この本体部９０から、「＋Ｙ」と「−Ｙ」の各方向に延びる延在部９１とを有し、十字状に形成されている。つまり、このマーク部９の延在部９１は、対象ダミーバンプＤＢ１の両隣りのダミーバンプ８０ｄ（以下、隣接ダミーバンプ８０ｄとも呼ぶ）に向かって延びるように形成されている。
図４（ａ）に示すマーク部９は、本体部９０の幅（Ｙ方向の幅）が、対象ダミーバンプＤＢ１の幅（Ｙ方向の幅）と等しくなるように形成され、また、「＋Ｙ」方向に延びる延在部９１の長さと、「−Ｙ」方向に延びる延在部９１の長さとが等しくなるように形成されている。

なお、ＩＣチップ８の搭載ズレが許容範囲である場合、マーク部９は、対象ダミーバンプＤＢ１の隣接ダミーバンプ８０ｄとは、Ｚ方向において重ならない。ＩＣチップ８の搭載ズレの許容範囲については後述する。

図４（ｂ）は、基板１を−Ｚ側から見た場合における対象ダミーバンプＤＢ２と、マーク部９との配置関係を示した図である。同図に示すように、Ｘ方向に配列された複数のダミーバンプ８０ｄのうち、両隣りがダミーバンプ８０ｄとなる対象ダミーバンプＤＢ２と重なるようにマーク部９が設けられる。

図４（ｂ）に示すマーク部９は、対象ダミーバンプＤＢ２とＺ方向において重なると共に、対象ダミーバンプＤＢ２に沿って延びる本体部９０と、この本体部９０から、「＋Ｘ」と「−Ｘ」の各方向に延びる延在部９１とを有し、十字状に形成されている。つまり、このマーク部９の延在部９１は、対象ダミーバンプＤＢ２の両隣りのダミーバンプ８０ｄに向かって延びるように形成されている。
図４（ｂ）に示すマーク部９は、本体部９０の幅（Ｘ方向の幅）が、対象ダミーバンプＤＢ２の幅（Ｘ方向の幅）と等しくなるように形成され、また、「＋Ｘ」方向に延びる延在部９１の長さと、「−Ｘ」方向に延びる延在部９１の長さとが等しくなるように形成されている。

ここからは、マーク部９の延在部９１の長さと、ＩＣチップ８の搭載ズレの許容範囲について説明する。なお、対象ダミーバンプＤＢ２に対応するマーク部９については、対象ダミーバンプＤＢ１に対応するマーク部９と向きが異なるだけであり、当該許容範囲についての考え方は同様であるため、説明を省略する。

（マーク部９の延在部９１の長さと、ＩＣチップ８の搭載ズレの許容範囲について）
この実施形態に係る有機ＥＬパネル１００は、マーク部９の延在部９１の長さ（Ｙ方向の長さ）に基づいて、ＩＣチップ８の搭載ズレの判定が可能となっている。ここで、ＩＣチップ８の搭載ズレによって生じるおそれのある問題は、主に下記（ｉ）、（ｉｉ）の二つである。
（ｉ）駆動バンプが接続対象の配線からズレてしまい、当該対象以外の配線と導通してしまうこと。
これを避けるためには、駆動バンプとその接続対象ではない配線とが、ＩＣチップ８と基板１との間にある異方性導電材７によって絶縁される位置関係にあること（以下、絶縁ズレ許容条件）を満たす必要がある。
（ｉｉ）駆動バンプと接続対象の配線との接続面積が確保できなくなること。
これを避けるためには、異方性導電材７の電流密度限界値（破壊評価）に対して駆動バンプと接続対象の配線との間の電流密度が許容されるように、駆動バンプと接続対象の配線との接続面積が確保されていること（以下、接続面積許容条件）を満たす必要がある。

このような絶縁ズレ許容条件及び接続面積許容条件を満たしているか確認するためには、駆動バンプとその接続先の配線との接続具合を、透光性を有する基板１の−Ｚ側から実際に確認（顕微鏡による観察などによる）すればよいが、ＩＣチップ８を基板１に実装した後は、駆動バンプが配線によって隠れてしまうため、確認作業が困難となる。
そのため、本実施形態では、基板１上の配線には接続されない複数のダミーバンプ８０ｄに含まれる対象ダミーバンプＤＢ１に対してのマーク部９の位置を、透光性を有する基板１の−Ｚ側から確認することにより、駆動バンプとその接続先の配線との位置ズレを推定しつつ、ＩＣチップ８の搭載ズレを判定する。

ここで、ＩＣチップ８の搭載ズレを判定するためのマーク部９の延在部９１の長さ（Ｙ方向の長さ）をどのように定めるか説明する。なお、マーク部９は、その形成過程において、設計上の大きさよりも細くなること（以下、「メタル細り」と言う）が生じてしまうことがある（エッチングなどによる形成誤差）。メタル細りは、実験により、その最大値（最も細くなってしまうときの減少幅）と最小値（最も細くならないときの減少幅。なお、最小値が０「ゼロ」の場合を含んでいてもよい）が把握可能である。したがって、メタル細りの最大値と最小値は、マーク部９の延在部９１の長さを定めるにあたっては、既知のパラメータとして扱うことができる。

まず、「絶縁ズレ許容条件」のみを考慮した場合のマーク部９の延在部９１の長さ（Ｙ方向の長さ）について、図５（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。図５（ａ）は、ＩＣチップ８が最も適切に実装された場合におけるマーク部９の位置を示している。図５（ｂ）は、「絶縁ズレ許容条件」の許容限界におけるマーク部９の位置を示している。なお、マーク部９の延在部９１が対象ダミーバンプＤＢ１の隣接ダミーバンプ８０ｄと重なった場合は、「絶縁ズレ許容条件」を満たさないものとなる。図５（ａ）、（ｂ）の関係から分かるように、「絶縁ズレ許容条件」は、メタル細り量が大きいほうが満たされやすくなる。したがって、「絶縁ズレ許容条件」のみを鑑みた場合、安全度を踏まえれば、メタル細り量が最も小さい場合を考慮して、延在部９１の長さを設定すべきである。なお、図５（ｂ）（次に説明する図６（ｂ）も同様）は、基板１の裏側（−Ｚ側）から見て、マーク部９が対象ダミーバンプＤＢ１に対して−Ｙ方向にズレている場合を示しているため、基板１の表側（＋Ｚ側）で考えれば、搭載したＩＣチップ８が基板１に対して＋Ｙ方向にズレている場合を示している。図示しないが、搭載したＩＣチップ８が基板１に対して−Ｙ方向にズレている場合も考え方は同様である。

ここで、以下のように各種パラメータを定義する。
Ｌ１…設計上の延在部９１の長さから、メタル細りの最小値を減じた長さ（Ｙ方向）
α …異方性導電材７の組成・膜厚などから導かれる、駆動バンプとその接続先の配線との絶縁ズレ許容最小距離（Ｙ方向）
このようにすると、許容限界におけるマーク部９の位置を示した図５（ｂ）から分かるように、Ｌ１がα以上であれば、絶縁ズレ許容条件を満たすことが分かる。したがって、絶縁ズレ許容条件は、「Ｌ１≧α」と表すことができる。この式からＬ１の最小値を導き、当該最小値にメタル細りの最小値を加えれば、絶縁ズレ許容条件を判定するために必要な設計上の延在部９１の長さを求めることができる。

続いて、「接続面積許容条件」のみ考慮した場合のマーク部９の延在部９１の長さ（Ｙ方向の長さ）について、図６（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。図６（ａ）は、ＩＣチップ８が最も適切に実装された場合におけるマーク部９の位置を示している。図６（ｂ）は、「接続面積許容条件」の許容限界におけるマーク部９の位置を示している。なお、マーク部９の延在部９１の先端が対象ダミーバンプＤＢ１の形成領域に入り込んだ場合は、「接続面積許容条件」を満たさないものとなる。図６（ａ）、（ｂ）の関係から分かるように、「接続面積許容条件」は、メタル細り量が小さいほうが満たされやすくなる。したがって、「接続面積許容条件」のみを鑑みた場合、安全度を踏まえれば、メタル細り量が最も大きい場合を考慮して、延在部９１の長さを設定すべきである。

ここで、以下のように各種パラメータを定義する。
Ｌ２…設計上の延在部９１の長さから、メタル細りの最大値を減じた長さ（Ｙ方向）
β …異方性導電材７の組成・膜厚などから導かれる許容最小接続面積
Ｓ …メタル細りの最大値を考慮したマーク部９の本体部９０の面積
Ｗ …メタル細りの最大値を考慮したマーク部９の本体部９０の長さ（Ｘ方向）
このようにすると、許容限界におけるマーク部９の位置を示した図６（ｂ）から分かるように、ＩＣチップ８が延在部９１の長さ分ズレた場合における接続面積の減損はＬ２×Ｗとなるため、接続面積許容条件は、「Ｓ−Ｌ２×Ｗ≧β」と表すことができる。この式からＬ２の最小値を導き、当該最小値にメタル細りの最大値を加えれば、接続面積許容条件を判定するために必要な設計上の延在部９１の長さを求めることができる。

以上を踏まえ、「絶縁ズレ許容条件」を判定するために必要な設計上の延在部９１の長さと、「接続面積許容条件」を判定するために必要な設計上の延在部９１の長さとのより小さい値を選択し、この値をマーク部９の延在部９１の長さとして設計すればよい。例えば、「絶縁ズレ許容条件」を判定するために必要な設計上の延在部９１の長さが３μｍと求められ、「接続面積許容条件」を判定するために必要な設計上の延在部９１の長さが２μｍと求められた場合は、２μｍの長さの延在部９１を設計すればよい。

このような設計により形成されたマーク部９によって、図５（ａ）、（ｂ）と、図６（ａ）、（ｂ）とを参照して説明した判定手法でＩＣチップ８の搭載ズレを判定して許容範囲となれば、形成誤差によるメタル細りを考慮しつつも、「絶縁ズレ許容条件」及び「接続面積許容条件」の両者を満たし、適切な位置にＩＣチップ８が実装された有機ＥＬパネル１００を得ることができる。

なお、以上では、バンプ群８０を構成する各バンプ（駆動バンプ、ダミーバンプ８０ｄ）が、等間隔で配列されているものとしたが、これに限られない。対象ダミーバンプＤＢ１、ＤＢ２に対してのマーク部９の位置に基づいて、駆動バンプとその接続先の配線との位置ズレが推定できる限りにおいては、各バンプの配列間隔の少なくとも一部が異なっていてもよい。少なくとも、所定の駆動バンプと、対象ダミーバンプＤＢ１を含むダミーバンプ８０ｄとが同じＹ方向に沿って配列されていればよい。また、少なくとも、所定の駆動バンプと、対象ダミーバンプＤＢ２を含むダミーバンプ８０ｄとが同じＸ方向に沿って配列されていればよい。また、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、マーク部９は、Ｘ、Ｙ方向に配列されたバンプ群の各々に対応して設けられることが好ましいが、Ｘ、Ｙ方向に配列されたバンプ群の一方にのみ対応して設けられていてもよい。

また、以上では、マーク部９の本体部９０の幅が、対象ダミーバンプＤＢ１の幅と等しくなるように形成され、また、「＋Ｙ」方向に延びる延在部９１の長さと、「−Ｙ」方向に延びる延在部９１の長さとが等しくなるように形成されているものとして説明したが、これに限られない。対象ダミーバンプＤＢ１に対してのマーク部９の位置に基づいて、駆動バンプとその接続先の配線との位置ズレが推定できる限りにおいては、マーク部９の本体部９０の幅が対象ダミーバンプＤＢ１の幅と等しくなくともよいし、「＋Ｙ」方向に延びる延在部９１の長さと、「−Ｙ」方向に延びる延在部９１の長さとが等しくなくともよい。対象ダミーバンプＤＢ２とマーク部９との関係についても同様である。

ここで、図７（ａ）〜（ｃ）を参照して、マーク部の変形例について説明する。
図７（ａ）に示すマーク部９ａのように、「＋Ｙ」と「−Ｙ」の各方向に延びる延在部９１ａが、対象ダミーバンプＤＢ１とＺ方向において重なる本体部９０ａにおいて、互いに異なる箇所から延びるように形成されていてもよい。つまり、十字状でないマーク部９ａであってもよい。
また、図７（ｂ）に示すマーク部９ｂのように、対象ダミーバンプＤＢ１とＺ方向において重なる本体部９０ｂが、対象ダミーバンプＤＢ１に沿って延びておらず、「＋Ｙ」と「−Ｙ」の各方向に延びる延在部９１ｂと、Ｘ方向の幅が等しくなるように形成されていてもよい。つまり、対象ダミーバンプＤＢ１と交差する矩形状に形成されたマーク部９ｂであってもよい。
また、図７（ｃ）に示すように、例えば、対象ダミーバンプＤＢ１の一方の隣りがダミーバンプ８０ｄ（図では−Ｙ側）で、他方の隣りが駆動バンプ（図では＋Ｙ側）である場合には、対象ダミーバンプＤＢ１とＺ方向において重なる本体部９０ｃから、「−Ｙ」の一方向にのみ延びる延在部９１ｃが形成されたマーク部９ｃとしてもよい。この場合において、マーク部９ｃの本体部９０ｃは、図７（ｃ）に示すように対象ダミーバンプＤＢ１に沿って延びていなくともよいし、対象ダミーバンプＤＢ１に沿って延びるように形成してもよい。
なお、図７（ａ）〜（ｃ）は、Ｙ方向に配列されたバンプにおいてマーク部の変形例を説明したが、Ｘ方向に配列されたバンプにおいても、考え方は同様である。

ここからは、有機ＥＬパネル１００の製造方法の一例について説明する。

（有機ＥＬパネル１００の製造方法）
まず、基板１上に透光性導電材からなる陽極２１を、スパッタや蒸着等により成膜し、フォトリソグラフィー及びエッチングにより陽極パターンを形成する。レジストとしては例えばフェノールノボラック樹脂を使用し、露光現像を行う。エッチングはウェットエッチングあるいはドライエッチングのいずれでもよい。

続いて、陽極２１（形成された陽極パターン）の上から補助配線材料（陽極配線部４、陰極配線部５、及び接続配線部６などを形成するための材料）を成膜する。また、この補助配線材料によりマーク部９も形成される。ここでは、ＩＣチップ８が基板１に設置された場合に、マーク部９（以下、変形例に係るマーク部９ａ〜９ｃも同様）が複数のダミーバンプ８０ｄのうちの対象ダミーバンプＤＢ１、ＤＢ２と異方性導電材７を挟んで対向するように、マーク部９を形成する。

補助配線材料はＡｌあるいはＡｌ合金などの低抵抗性の金属材料を用い、スパッタ、蒸着によって成膜することができる。さらに下地との密着性を向上させるため、あるいは腐食を防止するために、Ａｌ膜の下層又は上層にＴｉＮやＣｒ等のバリア層を形成して補助配線を積層構造としても良い。このバリア層も蒸着あるいはスパッタにより形成できる。この補助配線材料をフォトリソグラフィー及びエッチングによりパターニングして、補助配線パターンを形成する。これにより、基板１上には、陽極配線部４、陰極配線部５、及び接続配線部６や、マーク部９が形成される。エッチングには燐酸、酢酸、硝酸等の混合水溶液よりなるエッチング液を使用することができる。なお、陽極材料と補助配線材料とを順に成膜し、その後に補助配線材料と陽極材料を順番にパターニングすることも可能である。この補助配線パターンにより、陽極又は陰極に信号が供給される。

続いて、絶縁膜を形成する。絶縁膜としては感光性のポリイミドをスピンコーティングして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、キュアし画素に画素開口部を有する開口絶縁膜を形成する。同時に陰極と補助配線とのコンタクトホールを形成する。続いて、隔壁を形成する。隔壁には、例えば、ノボラック樹脂を用いる。ノボラック樹脂をスピンコートして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、光反応させて陰極隔壁を形成する。

続いて、画素開口部の上に、有機層２２及び陰極２３を、蒸着法などにより形成する。なお、陰極にはＡｌを使用することが多いが、Ｌｉ等のアルカリ金属、Ａｇ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、Ｉｎやそれらを含む合金を用いることもできる。陰極はこの他、スパッタリング、イオンプレーティングなどの物理的気相成長法（ＰＶＤ）で形成することができる。

続いて、基板１と封止部３とを貼り合わせる。具体的には、両者を位置合わせして、加圧し、シール３ａにＵＶ光を照射する。これにより、図３（ａ）に示すように基板１に封止部３が接着された構成となる。なお、補助配線（陽極配線部４及び陰極配線部５）は外部の駆動回路と接続されるため、シール３ａの一部は、補助配線を跨ぐように接着される。

続いて、ＩＣチップ８を、バンプ群８０が基板１に向かうようにして、異方性導電材７を介して基板１に設置（実装）する。例えば、基板１上に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）からなる異方性導電材７を貼付けた上で、ＩＣチップ８を圧着する。

続いて、基板１の裏側（−Ｚ側）から見えるマーク部９の位置に基づいて、ＩＣチップ８の搭載位置を確認する。当該確認では、図５、図６を参照して説明したように、対象ダミーバンプＤＢ１、ＤＢ２と隣接ダミーバンプ８０ｄとの少なくともいずれかに対しての、マーク部９の延在部９１の位置に基づいてＩＣチップ８の搭載位置を、顕微鏡を用いた目視などにより判定する。そして、前述の「絶縁ズレ許容条件」及び「接続面積許容条件」を満たす場合に、有機ＥＬパネル１００は、ＩＣチップ８の搭載ズレが許容範囲と判定される。

なお、本発明は以上の実施形態及び図面によって限定されるものではない。本発明の要旨を変更しない範囲で、適宜、変更（構成要素の削除も含む）を加えることが可能である。

以上では、有機ＥＬパネル１００がボトムエミッション型の例を示したが、トップエミッション型であってもよい。また、以上では有機ＥＬパネル１００がパッシブマトリクス型の例を示したが、アクティブマトリクス型であってもよい。また、有機ＥＬパネル１００は、その電極はマトリクス形状のものでなくともよく、画素の組み合わせにより画像を表示するものでなくともよい。有機ＥＬパネル１００は、発光装置や照明装置の一部として構成されるものであってもよい。

また、ＣＯＧ型パネルは、有機ＥＬパネルに限られない。ＣＯＧ型パネルは、液晶パネルの一部を構成するものであってもよい。配線が形成された透光性を有する基板１に、ＣＯＧ方式によりＩＣチップ８が実装されるものであれば、パネルの種類は任意である。

（１）以上に説明したＣＯＧ型パネルは、配線が形成され、透光性を有する基板１と、基板１に実装されたＩＣチップ８と、基板１とＩＣチップ８との間に位置する異方性導電材７と、を備える。また、ＩＣチップ８は、基板１に向かって突起するバンプ群８０（突起電極群）を有し、バンプ群８０は、前記配線とは電気的に接続されない複数のダミーバンプ８０ｄ（ダミー電極）を含み、基板１における前記配線が形成された面には、マーク部９が形成されている。また、マーク部９は、複数のダミーバンプ８０ｄのうちの所定ダミー電極（対象ダミーバンプＤＢ１、ＤＢ２）と異方性導電材７を挟んで対向する本体部９０と、本体部９０から、所定ダミー電極と隣接する隣接ダミー電極（隣接ダミーバンプ８０ｄ）に向かって延びる延在部９１と、を有する。
このようにしたから、駆動バンプとその接続先の配線とのズレを良好に推定でき、ＩＣチップ８の基板１への接続信頼性を良好とすることができる。
なお、マーク部９は、配線（陽極配線部４、陰極配線部５、及び接続配線部６など）の少なくとも一部と、同一の金属層から同じ工程で形成されることが好ましいが、この限りではない。マーク部９は、透光性を有する基板１の裏側（−Ｚ側）から視認可能であれば、種々の材料により形成されてもよく、例えば、視認可能な絶縁材などで形成されてもよい。

（２）また、延在部９１は、基板１の配線形成面（＋Ｚ側の面）の法線方向において、隣接ダミー電極とは重ならなくともよい。（３）また、延在部９１は、基板１の配線形成面（＋Ｚ側の面）の法線方向において、その先端が所定ダミー電極の形成領域に入り込まなくともよい。（４）また、マーク部９は、十字状であってもよい。

（５）また、マーク部９は、前記配線の一部（例えば、陽極配線部４、陰極配線部５、及び接続配線部６の少なくともいずれかの一部）と同一の金属層からなる、ようにしてもよい。
このようにすれば、マーク部９の形成が用意であり、マーク部９の形成のために工数をあえて増やす必要もない。

（６）また、バンプ群８０は、前記配線と電気的に接続される駆動電極（駆動バンプ）を含み、駆動電極と複数のダミーバンプ８０ｄとは、所定方向に沿って配列されていることが好ましい（図２に示す、Ｘ方向に配列されたダミーバンプ８０ｄと入力バンプ８１や、Ｙ方向に配列されたダミーバンプ８０ｄと出力バンプ８２を参照）。

（７）また、（１）〜（６）のいずれかに記載のＣＯＧ型パネルと、基板１に形成された有機層２２（少なくとも有機発光層を含む）と、を備える有機ＥＬパネルにおいても、ＩＣチップ８の基板１への接続信頼性を良好とすることができる。

また、前述した有機ＥＬパネル１００の製造方法の一例は、下記（８）のＣＯＧ型パネルの製造方法を含む。
（８）ＣＯＧ型パネルの製造方法は、透光性を有する基板１の所定面に、配線とマーク部９とを形成する形成ステップと、前記配線とは電気的に接続されない複数のダミーバンプ８０ｄ（ダミー電極）を含むバンプ群８０（突起電極群）を有するＩＣチップ８を、バンプ群８０が前記所定面に向かうようにして、異方性導電材７を介して基板１に設置する設置ステップと、基板１の前記所定面の裏側から見えるマーク部９の位置に基づいて、ＩＣチップ８の搭載位置を確認する確認ステップと、を備える。
形成ステップでは、ＩＣチップ８が基板１に設置された場合に、マーク部９が複数のダミーバンプ８０ｄのうちの所定ダミー電極と異方性導電材７を挟んで対向するようにマーク部９を形成し、このように形成されるマーク部９は、所定ダミー電極と隣接する隣接ダミー電極に向かって延びる延在部９１を有する。
確認ステップでは、所定ダミー電極と隣接ダミー電極との少なくともいずれかに対しての、延在部９１の位置に基づいてＩＣチップ８の搭載位置を確認する。
このような製造方法によれば、駆動バンプとその接続先の配線とのズレを良好に推定できるため、ＩＣチップ８の基板１への接続信頼性が良好なＣＯＧ型パネルを提供することができる。

以上の説明では、本発明の理解を容易にするために、公知の技術的事項の説明を適宜省略した。

１００…有機ＥＬパネル
１ …基板
２ …発光部
３ …封止部
４ …陽極配線部
５ …陰極配線部
６ …接続配線部
７ …異方性導電材
８ …ＩＣチップ
８０…バンプ群（突起電極群）
８０ｄ…ダミーバンプ（ダミー電極）
ＤＢ１、ＤＢ２…対象ダミーバンプ（所定ダミー電極の一例）
８１…入力バンプ（駆動電極の一例）
８２…出力バンプ（駆動電極の一例）
９、９ａ〜９ｃ…マーク部
９０、９０ａ〜９０ｃ…本体部
９１、９１ａ〜９１ｃ…延在部

Claims (8)

1. 配線が形成され、透光性を有する基板と、
   前記基板に実装されたＩＣチップと、
   前記基板と前記ＩＣチップとの間に位置する異方性導電材と、を備え、
   前記ＩＣチップは、前記基板に向かって突起する突起電極群を有し、
   前記突起電極群は、前記配線とは電気的に接続されない複数のダミー電極を含み、
   前記基板における前記配線が形成された面には、マーク部が形成され、
   前記マーク部は、
   前記複数のダミー電極のうちの所定ダミー電極と前記異方性導電材を挟んで対向する本体部と、
   前記本体部から、前記所定ダミー電極と隣接する隣接ダミー電極に向かって延びる延在部と、を有する、
   ことを特徴とするＣＯＧ型パネル。
2. 前記延在部は、前記面の法線方向において、前記隣接ダミー電極とは重ならない、
   ことを特徴とする請求項１に記載のＣＯＧ型パネル。
3. 前記延在部は、前記面の法線方向において、その先端が前記所定ダミー電極の形成領域に入り込まない、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載のＣＯＧ型パネル。
4. 前記マーク部は、十字状である、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＣＯＧ型パネル。
5. 前記マーク部は、前記配線の一部と同一の金属層からなる、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＣＯＧ型パネル。
6. 前記突起電極群は、前記配線と電気的に接続される駆動電極を含み、
   前記駆動電極と前記複数のダミー電極とは、所定方向に沿って配列されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＣＯＧ型パネル。
7. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＣＯＧ型パネルと、
   前記基板に形成された有機発光層と、を備える、
   ことを特徴とする有機ＥＬパネル。
8. 透光性を有する基板の所定面に、配線とマーク部とを形成する形成ステップと、
   前記配線とは電気的に接続されない複数のダミー電極を含む突起電極群を有するＩＣチップを、前記突起電極群が前記所定面に向かうようにして、異方性導電材を介して前記基板に設置する設置ステップと、
   前記基板の前記所定面の裏側から見える前記マーク部の位置に基づいて、前記ＩＣチップの搭載位置を確認する確認ステップと、を備え、
   前記形成ステップでは、前記ＩＣチップが前記基板に設置された場合に、前記マーク部が前記複数のダミー電極のうちの所定ダミー電極と前記異方性導電材を挟んで対向するように前記マーク部を形成し、
   前記マーク部は、前記所定ダミー電極と隣接する隣接ダミー電極に向かって延びる延在部を有し、
   前記確認ステップでは、前記所定ダミー電極と前記隣接ダミー電極との少なくともいずれかに対しての、前記延在部の位置に基づいて前記ＩＣチップの搭載位置を確認する、
   ことを特徴とするＣＯＧ型パネルの製造方法。

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