JP2018013338A - 放射線検出器 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の隣接配置した半導体層へバイアス電圧を給電する際に、各半導体層間の放射線検出機能の差を抑制し検出精度を向上させる。【解決手段】放射線の光子を受けて電荷を発生する半導体層と、該半導体層の一方の面に形成され前記半導体層にバイアス電圧を印加する共通電極と、前記半導体層の他方の面に形成された画素電極とを有する検出素子が二次元配列されてなる複数の検出素子モジュールと、該検出素子モジュールに含まれる各検出素子の共通電極の表面に所定の間隔で配列された給電用の複数のリード線と、該リード線の配置に対応させて、かつ、該リード線の上部に設けられた散乱線除去部材を備えた放射線検出器を提供する。【選択図】図３

Description

本発明は、複数の半導体セルで構成された放射線検出器において、半導体セルへのバイアス電圧を印加するための共通電極へリード線を接続することに起因する性能低下を回避する。

近年、フォトンカウンティング方式を採用する検出器（光子計数型検出器）を搭載したフォトンカウンティングＣＴ（Ｃｏｍｐｕｔｅｄ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ）装置の開発が進められている。光子計数型検出器は、従来のＣＴ装置で採用されている電荷積分型の検出器と異なり、検出素子に入射した放射線光子を個々に計数可能である。このことにより、入射した放射線光子毎のエネルギーを計測でき、従来のＣＴ装置に比べてより多くの情報を得られる特長がある。

光子計数型検出器の検出素子では、テルル化カドミウム亜鉛（ＣＺＴ）やテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ)等の半導体層を備え、その半導体層では放射線光子が入射するたびにそれに対応した電荷を発生させる。半導体層には発生した電荷を収集するための電極が対向して配置され、バイアス電圧が印加される。画素毎の電荷読出し用に配置された電極は、アノードとして機能する。一方のカソード側は複数画素に対する共通電極として機能する。その共通電極へ電圧を印加するために、共通電極にはバイアス電圧給電用のリード線が接続される。このような電圧印加を行うことで、放射線光子の入射によって半導体層で発生した電荷は、画素毎の電極から個別に取り出すことができる。

このような構成の検出器においては、検出器の性能を阻害することなく、バイアス電圧給電用のリード線を共通電極に接続するという課題がある。バイアス電圧給電用のリード線には銅線等の金属線が用いられるので、リード線が半導体層と放射線源との間に配置されると、リード線において放射線を吸収して、リード線が配置された箇所と配置されていない個所とで検出感度に差異が発生してしまう。この感度差の発生を回避する方法として、特許文献１にはバイアス電圧給電用構造を放射線検出有効エリアから外れた位置に設ける検出器構成が開示されている。

特開２００５−０８６０５９号公報

ところで、近年のＣＴ装置では、撮影時間短縮のため放射線検出器の体軸方向の幅拡大への要求が強い。このため、放射線検出有効エリアのより広い検出器を構成する必要がある。一方、光子計数型検出器の検出素子に用いられる半導体層は、結晶としての歩留りや、寸法精度を確保する観点から、必要な検出器面積を１枚の結晶で構成することは一般的に困難であり、複数の結晶を隣接配置することにより必要な検出器面積を確保している。その際、特許文献１のようにバイアス電源給電用のリード線が放射線検出有効エリア外に配置された検出器を複数隣接配置した場合、バイアス電源給電用のリード線が半導体層の密接配置を阻害するため、半導体層間の隙間により不感帯が発生してしまったり、バイアス電源給電用のリード線が隣接半導体層の放射線検出有効エリアと干渉することで、隣接半導体層の放射線検出性能を損なってしまったりする、という問題が生じる。従って、特許文献１の構成を、複数の半導体検出素子を隣接配置する光子計数型検出器にそのまま適用しても、放射線検出性能を損なうことなくバイアス電圧給電用構造を配置することが困難である。

本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、複数の隣接配置した半導体層へバイアス電圧を給電する際に、各検出素子の放射線検出面における放射線検出性能の差を抑制し検出感度一様性を向上させることを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明の一態様は、放射線の光子を受けて電荷を発生する半導体層と、該半導体層の一方の面に形成され前記半導体層にバイアス電圧を印加する共通電極と、前記半導体層の他方の面に形成された画素電極とを有する検出素子が二次元配列されてなる複数の検出素子モジュールと、該検出素子モジュールに含まれる各検出素子の共通電極の表面に等間隔に配列された給電用の複数のリード線と、該リード線の配置に対応させて設けられた散乱線除去部材とを備えた放射線検出器を提供する。

本発明によれば、複数の隣接配置した半導体層へバイアス電圧を給電する際に、各検出素子の放射線検出面における放射線検出機能の差を抑制し検出感度一様性を向上させることができる。

本発明の第１の実施形態に係るＸ線ＣＴ装置の概略を示すブロック図である。 本発明の第１の実施形態に係るＸ線ＣＴ装置のＸ線検出器の概略構成を示す斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係るＸ線検出器に用いられる検出素子モジュールに係り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ’断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るＸ線検出器に適用されるＸ線源から照射されるＸ線と散乱線除去部材とＸ線検出器との関係の例を示す説明図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るＸ線検出器の検出素子の配列とピクセルの関係の例を示す説明図である。 本発明の第１の実施形態の変形例１に係るＸ線検出器に用いられる検出素子モジュールに係り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ’断面図である。 本発明の第２の実施形態に係るＸ線検出器に用いられる検出素子モジュールに係り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ’断面図である。 本発明の第３の実施形態に係るＸ線検出器に用いられる検出素子モジュールに係り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ’断面図である。 本発明の第３の実施形態の変形例１に係るＸ線検出器に用いられる検出素子モジュールに係り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ’断面図である。 本発明の第４の実施形態に係るＸ線検出器に用いられる検出素子モジュールに係り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ’断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）の部分拡大図である。 本発明の第４の実施形態の変形例１に係るＸ線検出器に用いられる検出素子モジュールに係り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ’断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）の部分拡大図である。 本発明の第４の実施形態の変形例２に係るＸ線検出器に用いられる検出素子モジュールに係り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ’断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）の部分拡大図である。 本発明の第５の実施形態に係るＸ線検出器に用いられる検出素子モジュールに係り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ’断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）の部分拡大図である。 本発明の第５の実施形態の変形例１に係るＸ線検出器に用いられる検出素子モジュールに係り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ’断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）の部分拡大図である。 Ｘ線検出器の回路設定を説明するための回路モデルに係る説明図である。

以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
本発明に係る放射線撮像装置は、Ｘ線を照射するＸ線源と、前記Ｘ線を検出する複数の検出素子からなるピクセルを二次元配列した検出部と、検出素子による検出信号に基づいて前記Ｘ線の強度に応じた出力信号を生成する信号処理部と、信号加算部と、画像生成部とを備える。
信号加算部は、ピクセルに属する前記検出素子の出力信号を加算することにより前記ピクセル毎のＸ線計数信号を生成する。画像生成部は、Ｘ線計数信号に基づいて、画像を生成する。このとき、処理対象ピクセルのＸ線計数信号と、処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルのＸ線計数信号とに基づいて、処理対象ピクセルのＸ線入射分布の非一様性を推定する非一様性推定部を備える。

以下、より具体的に本発明の実施形態について説明する。
＜第１の実施形態＞
以下、本発明の第１の実施形態に係る放射線検出器として、例えばＸ線ＣＴ装置に適用される放射線検出器の例について図面を参照して説明する。

図１に示すように、Ｘ線ＣＴ装置は、Ｘ線源１００と、Ｘ線検出器１１１と、これらＸ線源１００及びＸ線検出器１１１の検出部１０４（後述）を対向配置し所定の回転軸を中心に回転するガントリー回転部１０１と、ガントリー回転部１０１の開口内に配置された寝台天板１０３と、これら撮影系の動作に伴いＸ線検出器１１１が取得した信号を処理する信号処理部１１２とを備えている。

Ｘ線源１００は、例えば、Ｘ線管を適用することができる。Ｘ線源１００は、管電圧で加速した電子ビームをタングステンやモリブデンなどのターゲット金属に衝突させ、その衝突位置（焦点）からＸ線を発生させることで、Ｘ線フォトンを放出する。Ｘ線源１２０から放出されたＸ線フォトンは、図示しないフィルタによってフラックス及びエネルギー分布の調整を受けた後に、一部は被検体１０２によって被検体内の物質分布に応じて吸収され、また一部は被検体１０２を透過して後述する検出部１０４において検出される。

ガントリー回転部１０１は、Ｘ線源１００及び検出部１０４を互いに対向配置し、所定の回転軸を中心に回転する。ガントリー回転部１０１の中央には、被検体１０２が挿入される開口が設けられ、この開口内に、被検体１０２が寝かせられる寝台天板１０３が配置されている。寝台天板１０３とガントリー回転部１０１とは、所定の方向に相対的に移動可能となっている。

Ｘ線検出器１１１は、入射したＸ線フォトンを検出し、複数のエネルギー範囲に分別して計数を行うフォトンカウンティング方式を採用した検出部１０４と、検出部１０４のＸ線入射側に設けられた散乱線除去部材２８（図３（Ｂ）参照）と、検出部１０４から出力される投影像を収集する信号収集部１０８とを備えている。

検出部１０４により出力されたＸ線フォトンは、信号収集部１０８によってパルスモードで処理され、計数される。ここでいう計数とは、検出したＸ線フォトンを数えることに加え、エネルギー情報を取得することも含む。被検体１０２で散乱されたＸ線を検出してしまうと望ましくない信号となるので、Ｘ線源１００側から見て検出部１０４の手前に散乱線除去部材２８を配置し、散乱されたＸ線を遮断している。検出部１０４の詳細は、後述する。

信号処理部１１２は、演算部１０５と制御部１０７を含み、信号収集部１０８で収集した信号に対して収集した信号に所定の演算処理を行い、マルチエネルギー画像等の再構成像を作成し、生成した画像を図示しない表示部に表示させる。

続いて、Ｘ線検出器１１１の検出部１０４について説明する。
図２に示すように、検出部１０４は、複数の検出素子２０を二次元配列した検出モジュール１０をスライス方向及びチャンネル方向に所定数配列して構成されている。検出素子モジュールは、チャネル方向をガントリー回転部１０１の回転方向と、スライス方向をガントリー回転部１１１の回転軸方向と夫々一致させて配置されている。

検出素子モジュール１０に含まれる各検出素子２０は、図３（Ｂ）に示すように、放射線の光子を受けて電荷を発生する半導体層２１と、半導体層２１の上面に形成され半導体層２１にバイアス電圧を印加する共通電極２２と、半導体層の下面に画素ピッチに合致して形成された画素電極２３とを積層して構成されている。各検出素子２０は、所謂フォトンカウンティング方式の検出素子であり、入射したＸ線フォトンを検出し、例えば、複数のエネルギー範囲に分別して計数を行う。

本実施形態においては、このように構成された検出素子２０を図３（Ａ）のように４つ一列に配列し（以下、各検出素子２０を必要に応じて２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄとして区別する）、４つの検出素子２０Ａ〜２０Ｄの共通電極２２の表面に給電用の複数のリード線２４（２４Ａ〜２４Ｄ）を等間隔に配列して検出素子モジュール１０を構成している。

リード線２４（２４Ａ〜２４Ｄ）は、図３（Ａ）に示すように、検出素子モジュール１０の長手方向、すなわち本実施形態においてはスライス方向に沿って、各検出素子２０の共通電極２２の表面に所定の間隔で配置され、各検出素子２０Ａ〜２０Ｄにバイアス電圧印加用の電力を給電している。

検出部１０４の回転方向（チャンネル方向）には半導体層２１を隣接配置する必要がある。つまり、検出素子モジュール１０を隣接配置して検出部１０４を構成するため、各検出素子モジュール１０におけるリード線２４の引き出しは一般的に体軸方向（スライス方向）となる。従って、図３において、リード線２４Ａ〜２４Ｄは、図３（Ａ）の下方のバイアス電圧印加端子（図示せず）から検出素子２０Ａ〜２０Ｄの共通電極２２に対してバイアス電圧を給電するための配線である。

リード線２４Ａは検出素子２０Ａへ、リード線２４Ｂは検出素子２０Ｂへ、リード線２４Ｃは検出素子２０Ｃへ、リード配線２４Ｄは検出素子２０Ｄへそれぞれバイアス電圧を給電する。リード配線２４Ａ〜２４Ｄは樹脂等の絶縁体２５で覆われ、コンタクト２６において共通電極２２と接触する。コンタクト２６は各検出素子２０に対してそれぞれ複数個所設けておくと、均一に電圧を印加することができる。
また、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）では、各検出素子２０に対して２本ずつリード線２４を配置しているが、1本のリード線２４を複数の検出素子２０に対して配線しても良い。

また、Ｘ線検出部１０４の上面には、リード線２４の配置に対応させて散乱線除去部材２８が配置されている。図３（Ａ）に示すように、散乱線除去部材２８として、複数の板状部材を所定間隔で立設させることにより構成された一次元のスリットコリメータを適用することができる。すなわち、散乱線除去部材２８は、モリブデンやタングステン等を主成分とする物質からなる矩形状の複数の板状部材から構成されている。複数の板状部材は、板状部材の板厚方向をチャネル方向とし、リード線２４の配置位置に合致させてチャンネル方向に等間隔に配置されている。

なお、散乱線除去部材２８が配置されることによりリード線２４は、散乱線除去部材２８の下部に位置するため散乱線除去部材２８によって覆われて隠れるが、図３〜図６においては、説明の便宜上、散乱線除去部材２８の下部に位置するリード線２４を図示している。
検出部１０４のＸ線入射面に散乱線除去部材２８を配置することにより、検出部１０４のＸ線入射面のうち散乱線除去部材２８の下部に位置する領域にはＸ線フォトンが殆ど入射しなくなる。よって、実質的には、散乱線除去部材２８が配置されていないＸ線検出部１０４の上面領域がＸ線入射面の有効面積となる。

このようにリード線２４Ａ〜２４Ｄの配置位置に対応させて、かつ、リード線２４Ａ〜２４Ｄの上部に散乱線除去部材２８を設けることにより、Ｘ線検出部１０４のＸ線入射面において、各リード線２４Ａ〜２４Ｄは散乱線除去部材２８の下部に位置することとなる。このため、検出素子２０Ａ〜２０ＤのＸ線入射面の有効面積中にリード線２４Ａ〜２４Ｄが存在することに起因する検出感度の変化の影響を抑制することができる。なお、リード配線２４Ａ〜２４Ｄを散乱線除去部材２８の下面に配置して固定することにより検出器１１１が回転する際のリード配線２４Ａ〜２４Ｄの振動が抑制され、電気的なノイズの発生を抑制するという利点もある。

散乱線除去部材２８の下面２８ａに対するリード線２４Ａ〜２４Ｄの位置関係をより詳細に説明する。
図４に示すように、散乱線除去部材２８の板状部材のチャンネル方向の開口幅を所定の値ＰＥ、Ｘ線の焦点Ｆと散乱線除去部材２８の下面２８ａとの距離をＤ_ＡＳＧ、リード線２４Ａ〜２４Ｄと散乱線除去部材２８との検出素子の積層方向の距離をＳＹ、リード線２４Ａ〜２４Ｄと散乱線除去部材２８とのチャンネル方向のマージンをＳＸとする。

この場合において、下記の（１）式を満たすようにリード線２４Ａ〜２４Ｄを配置することで、リード線２４Ａ〜２４Ｄが焦点Ｆから見て隠れる位置に配置されるので、リード線による検出感度のムラを抑制することができる。
ＰＥ／２／Ｄ_ＡＳＧ＜ＳＸ／ＳＹ ・・・（１）

さらに、被検体による散乱線等の影響を考慮する場合は、散乱線除去部材２８の高さをＨとし、下記の（２）式を満たすようにリード線２４Ａ〜２４Ｄを配置することで、リード線２４Ａ〜２４Ｄを散乱線除去部材２８の陰に隠すことができ、リード線２４Ａ〜２４Ｄによる検出感度のムラをさらに抑制することができる。
ＰＥ／Ｈ＜ＳＸ／ＳＹ ・・・（２）

このようにリード線２４Ａ〜２４Ｄを配線することで、リード線２４Ａ〜２４Ｄの抵抗値はＸ線検出部１０４のＸ線入射面の有効面積を覆う層状の配線であるベタ配線（以下、単に「ベタ配線」という）時よりも上昇してしまう。しかし、一般的に半導体層２１の抵抗値は１ＭΩ程度と非常に高いため、リード線２４Ａ〜２４Ｄを上述のように配線することによる抵抗値の上昇（例えば数Ω）は十分に無視できる。
これは、より一般的に、半導体層２１の抵抗値ＲＤ、ベタ配線の抵抗値ＲＢを用いて、下記の（３）式により確認することができる。
ＲＢ／ＲＤ＜＜１ ・・・式（３）

また、リード線２４Ａ〜２４Ｄの配置間隔は、Ｘ線検出部１０４の一単位としてＸ線フォトンを検出するピクセルのピッチ、あるいは、その整数倍と一致するようにすることが好ましい。
半導体層２１はフォトンの計数率を向上させるため、画素（ピクセル）Ｐを更に小さい複数のサブピクセルＳＰに分割し、各サブピクセルに対して光子数の計数を行う構成とすることがある。例として、図５（Ａ）に、ピクセルが２×２のサブピクセルからなる場合、図５（Ｂ）にピクセルが３×３のサブピクセルからなる場合を示した。

図５（Ａ）の場合リード線２４Ａ〜２４Ｄは３画素毎に配置され、半導体層２１の１ピクセル（画素）上の共通電極（不図示）とリード配線２４との接触点はコンタクト２６、画素開口幅はＰＥ２である。このとき、ピクセルはＰ２、サブピクセルはＳＰ、画素ピッチはＤＰ２、サブピクセルピッチはＤＳである。一方、図５（Ｂ）の場合、同一のサブピクセルＳＰ、サブピクセルのピッチＤＳに対して、画素（ピクセル）はＰ３、画素ピッチはＤＰ３、画素開口幅はＰＥ３となる。このように様々の画素構成を採り得る検出器に対して、リード線の配置間隔を採り得るサブピクセル分割数の最小公倍数（例えば、サブ画素分割数２と３に対して６）とすることで、同一のリード線２４Ａ〜２４Ｄで異なるサブピクセル分割数に対応することが可能となる。

このように、リード線２４Ａ〜２４Ｄのピッチとピクセルのピッチとを一致させることで、ピクセルが複数のサブピクセルに分割されている場合であっても、一つのピクセルに含まれるサブピクセル間の感度ムラを抑制することができる。
また、１本のリード線２４が１つの半導体層２１に給電を行う構成としているが、１本のリード線から複数の半導体層に対して給電を行う構成とすることもできる。

このように、本実施形態によれば、リード線２４の配線位置と散乱線除去部材２８の配置位置を略合致させることで、リード線２４によってＸ線の入射を遮断することがない。また、リード線２４と散乱線２８の配置関係を上述の式（１）及び（２）で定める位置とすることにより、リード線の露出を散乱線除去部材２８よって遮断することができる。従って、複数の隣接配置した検出素子２０からなる検出モジュール１０において、複数の検出素子２０、つまり、半導体層２１へバイアス電圧を給電する際に、各検出素子２０の放射線検出面における放射線検出性能の差を抑制し検出精度を向上させることができる。

なお、上述の実施形態では４つの検出素子２０からなる検出素子モジュール１０について説明したが、検出素子モジュールを構成する検出素子の個数、リード線の数、幅、形状は適宜変更することができる。

（第１の実施形態の変形例１）
上述した実施形態においては、散乱線除去部材２８を１次元の構成としたが、散乱線除去部材２８は１次元に限られず、図６に示すように、板状部材が格子状に配置された２次元の矩形コリメータを適用することもできる。この場合も、Ｘ線検出部１０４の一単位として入射したＸ線フォトンを検出するピクセルと、２次元の矩形コリメータのピッチ及び形状が一致するようにすることが好ましい。２次元の矩形コリメータのピッチ及び形状をピクセルに一致させることで、ピクセルが複数のサブピクセルに分割されている場合であっても、一つのピクセルに含まれるサブピクセル間の感度ムラを抑制することができる。

＜第２の実施形態＞
上述した第１の実施形態及びその変形例は、検出素子モジュールの共通電極に対するリード線の配置に合致させて散乱線除去部材を配置する例について説明した。本実施形態は、散乱線除去部材２８をリード線と同様に給電部材の一部として用いることにより共通電極にバイアス電圧印加のための電力を供給する点で、上述した実施形態及びその変形例と異なる。以下の説明において、上述した実施形態と同一の構成には同符号を付し、その説明を省略する。

図７に示すように、検出部１０４は、複数の検出素子を二次元配列した検出素子モジュール１２をスライス方向及びチャンネル方向に所定数配列して構成されている。検出素子モジュールは、チャネル方向と回転方向を、スライス方向と回転軸方向を夫々一致させて配置されている。

検出素子モジュールは、例えば、一列に配列された４つの検出素子２０Ａ〜２０Ｄを有し、各検出素子２０は、放射線の光子を受けて電荷を発生する半導体層２１と、半導体層２１の上面に形成され半導体層２１にバイアス電圧を印加する共通電極２２と、半導体層の下面の面に形成された画素電極２３とを積層して構成されている。各検出素子２０は、所謂フォトンカウンティング方式の検出素子であり、入射したＸ線フォトンを検出し、例えば、複数のエネルギー範囲に分別して計数を行う。

また、Ｘ線検出部１０４の上面には、散乱線除去部材２８が配置されている。散乱線除去部材２８として、例えば、２次元矩形コリメータを適用することができる。散乱線除去部材２８と共通電極２２とは、リード線２９（２９Ａ〜２９Ｄ）を介して電気的に接続されている。このようにすることで、散乱線除去部材２８を配線材料の一部として使用する。

すなわち、バイアス電圧給電端子（図示せず）からリード配線２９を介して散乱線除去部材２８をバイアス電圧に維持する。次に、散乱線除去部材２８と各検出素子２０Ａ〜２０Ｄの共通電極２２をリード線２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ，２９Ｄで接続することで、各検出素子２０Ａ〜２０Ｄの共通電極２２Ａ〜２２Ｄにバイアス電圧を給電することができる。なお、ここではリード線２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ，２９Ｄを例に説明を行ったが、はんだ等の導電材料を用いて散乱線除去部材２８と共通電極２２Ａ〜２２Ｄを接続しても良い。

このように本実施形態によれば、検出素子モジュールの共通電極上面にリード線を配線しないため、各検出素子のＸ線検出面をリード線が干渉することがなく、各検出素子の放射線検出面における放射線検出性能の差を抑制し検出精度を向上させることができる。

＜第３の実施形態＞
本実施形態は、検出素子モジュールの共通電極に対するバイアス電圧の給電のために、検出素子モジュールの長手方向の一端から他端に亘る長さを有する短冊形状の導電性材料を複数配置したリード配線部を備えている点で上述した第１及び第２の実施形態と異なる。以下の説明において、上述した実施形態と同一の構成には同符号を付し、その説明を省略する。

本実施形態に係るＸ線検出器の検出部は、複数の検出素子を二次元配列した検出モジュール１３をスライス方向及びチャンネル方向に所定数配列して構成されている。検出素子モジュールは、チャネル方向と回転方向を、スライス方向と回転軸方向を夫々一致させて配置されている。

図８に示すように、検出素子モジュール１０は、例えば、一列に配列された４つの検出素子２０Ａ〜２０Ｄを有し、各検出素子２０は、放射線の光子を受けて電荷を発生する半導体層２１と、半導体層２１の上面に形成され半導体層２１にバイアス電圧を印加する共通電極２２と、半導体層の下面の面に形成された画素電極２３とを積層して構成されている。各検出素子２０は、所謂フォトンカウンティング方式の検出素子であり、入射したＸ線フォトンを検出し、例えば、複数のエネルギー範囲に分別して計数を行う。

検出素子モジュール１０の上面、すなわち、各検出素子２０Ａ〜２０Ｄの共通電極の表面には共通通電極に対してバイアス電圧印加用の電力を印加するリード配線部３１が設けられている。
リード配線部３１は、検出素子モジュールの長手方向の一端から他端に亘る長さを有する短冊形状の導電性材料からなる板状配線３０Ａ,３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄを、チャンネル方向に等間隔に複数本配置して構成されている。板状配線３０Ａは検出素子２０Ａへ、板状配線３０Ｂは検出素子２０Ｂへ、板状配線３０Ｃは検出素子２０Ｃへ、板状配線３０Ｄは検出素子２０Ｄへそれぞれバイアス電圧を給電する。

また、リード配線部３１における各板状配線３０の間隙に、板状配線３０と同素材かつ同じ厚さの導体シート３３が設けられている。導体シート３３は樹脂等の絶縁体２５Ｂでコーティングが施されている。なお、導体シート３３の材料は板状配線３０Ａ〜３０Ｄと同材料であることが望ましいが、Ｘ線減弱特性が略同程度である他の材料によって形成されていてもよい。

ここで、リード配線部３１は共通電極２２へ所定の電位を供給するための役割を果たすため、検出素子２０の検査時、すなわち、検出素子モジュール１０作成の初期段階で必要となる。このとき、検出素子２０は歩留まりの低いことが懸念されるため、検出特性に不具合があればリード配線部３１を剥がし、別の検出素子２０へと入れ替えることで、検出素子モジュール１０の作成歩留まりを改善することができる。

一方、導体シート３３は検出感度のむらを抑制するために配置される。導体シート３３は接着面が大きくなるため、検出素子モジュール１０作成の初期段階で接着せずに、検出素子２０の検査、配列完了後、すなわち検出素子モジュール１０作成の最終段階で接着することが望ましい。このような検出素子モジュール１０の作成工程を考慮し、リード配線部３１と導体シート３３を別部品として構成することで、検出素子モジュール１０の作成歩留まりを改善する効果がある。

より具体的には、図８（Ａ）に示すように、導体シート３３は、リード配線部３１における間隙に埋め合わせるように配置される。このとき、位置合わせの誤差を考慮し、導体シート３３とリード配線部３１の各板状配線３０Ａ〜３０Ｄとの間に若干の隙間を設けることができる。ただし、この隙間は画素ピッチＤＰ以下とすることが望ましい。
なお、本実施形態においては、リード配線部３１及び導体シート３３は取扱いの容易性や保護を目的として、樹脂等の絶縁体２５Ａでコーティングが施されている。さらに、導体シート３３とリード配線部３１を別部品として層構造になっている。

このように、本実施形態によれば、リード配線部３１における間隙に導体シート３３を設けることにより、Ｘ線入射面において、リード配線部に起因して生じるＸ線の検出感度のむらを大きく抑制することができる。

本構成を採る際に、導体シート３３の電位はグラウンド、あるいは、バイアス電圧のいずれかを適宜選択することができる。導体シート３３の電位をグラウンドとする場合は、ユーザ等がバイアス電圧に接触しづらくなるため、検出器の安全性を高める効果がある。一方、導体シートの電位をバイアス電位とする場合は、負荷変動に対するリード配線の安定性を高める効果がある。

（第３の実施形態の変形例１）
本変形例は、図９に示すように、上述した第３の実施形態における、リード配線部３１の板状配線３０同士の間隙に設けた導体シートに代えて、リード配線部の表面に検出素子モジュールの共通電極全体を一様に覆う導体層３４を設けている。
導体層３４は、リード配線部３１と同材料で構成することが望ましいが、同等のＸ線減弱特性が得られる他の材料で構成されていてもよい。また、導電層は取扱いの容易性の向上や保護を目的として樹脂等の絶縁体２５Ｂによりコーティングを施してもよい。さらに、リード配線部３１を別の絶縁体２５Ａでコーティングし別部品とすることで、検出素子モジュール１０の作成歩留まりを改善する効果があるのは第３の実施形態と同様である。
このように、検出部１０４のＸ線入射面において、リード配線部に起因して生じるＸ線の検出感度のむらを大きく抑制することができる。

＜第４の実施形態＞
本実施形態は、上述した第３の実施形態における放射線検出器と同様に、検出素子モジュールの共通電極に対するバイアス電圧の給電のために、検出素子モジュールの長手方向の一端から他端に亘る長さを有する短冊形状の導電性材料を複数配置したリード配線部を備えている。図１０に示すように、本実施形態では、リード配線部の板状配線がメッシュであり、メッシュの網目模様が検出素子の配列方向に対して傾斜している点で上述した第３の実施形態と異なる。以下の説明において、上述した実施形態と同一の構成には同符号を付し、その説明を省略する。

図１０に示すように、検出素子モジュール１０は、例えば、一列に配列された４つの検出素子２０Ａ〜２０Ｄを有し、各検出素子２０は、放射線の光子を受けて電荷を発生する半導体層２１と、半導体層２１の上面に形成され半導体層２１にバイアス電圧を印加する共通電極２２と、半導体層の下面の面に形成され画素ピッチに合致させて設けられた画素電極２３とを積層して構成されている。各検出素子２０は、所謂フォトンカウンティング方式の検出素子であり、入射したＸ線フォトンを検出し、例えば、複数のエネルギー範囲に分別して計数を行う。

検出素子モジュール１０の上面、すなわち、各検出素子２０Ａ〜２０Ｄの共通電極の表面には共通電極に対してバイアス電圧印加用の電力を供給するリード配線部４１が設けられている。
リード配線部４１は、いずれも検出素子モジュール１０の長手方向の一端から他端に亘る長さを有する短冊形状の導電性材料からなる板状配線４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄを、チャンネル方向に等間隔に複数本配置して構成されている。図１０に示すように、本実施形態においては、４本の板状配線４２Ａ〜４２Ｄを配置しており、板状配線４２Ａは検出素子２０Ａへ、板状配線４２Ｂは検出素子２０Ｂへ、板状配線４２Ｃは検出素子２０Ｃへ、板状配線４２Ｄは検出素子２０Ｄへそれぞれバイアス電圧を給電する。板状配線４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄは樹脂等の絶縁体２５で覆われ、コンタクト２６において共通電極２２と接触する。コンタクト２６は各半導体層２１に対してそれぞれ複数個所設けておくと、均一に電圧を印加することができる。

リード配線部の各板状配線４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄは、配線幅Ｗ１のリード線を編み込んだメッシュであり、メッシュの網目模様が検出素子の配列方向に対して傾斜している。より具体的には、図１０（Ｃ）の拡大図に示すように、板状配線は、配線幅Ｗ１のリード線が、図１０（Ａ）中の横方向（検出モジュールの長手方向）ピッチＰＸ１、図１０（Ａ）中の縦方向（検出モジュールの短手方向）ピッチＰＹ１となるように編み込まれたメッシュ状を成している。

このとき、メッシュ配線による画素間の検出感度の変化量はメッシュ配線の配線幅Ｗ１と横方向ピッチＰＸ１、又は、メッシュ配線の配線幅Ｗ１と縦方向ピッチＰＹ１とを調整することによって抑制することができる。例えば、横方向ピッチＰＸ１と縦方向ピッチＰＹ１を同サイズとし、配線幅Ｗ１を縦方向ピッチＰＸ１、横方向ピッチＰＹ１の１０％、且つ、画素ピッチ（ＤＰ）以下と設定することで、Ｘ線入射面においてリード配線部に起因して生じるＸ線の検出感度の変化量をベタ配線時の２０％程度に抑制することができる。

これを一般化すると、目標とする検出感度の変化量をＲ％とした場合に、
Ｗ１／ＰＸ１＋Ｗ１／ＰＹ１＜Ｒ％ 且つ、 Ｗ１＜ＤＰ ・・・（４）
を満たすように板状配線のメッシュを規定する定数を設定することで、リード配線部の有無による検出感度の変化量をＲ％程度に抑制することができる。なお、式（４）においては簡単のため、開口率の変化量で検出感度の変化量を近似し、さらに、メッシュ部の重なり部分の影響を無視している。

ところで、上述した第１の実施形態と同様に、メッシュ配線はベタ配線より抵抗値が高くなる。しかし、一般に半導体層の抵抗値は１ＭΩ程度と非常に高いため、板状配線にメッシュ素材の配線を適用することによる抵抗値の上昇（例えば数Ω）は十分に無視できる。これは、上述した式（３）により確認することができる。

なお、図１０に示した検出素子モジュールは一例であり、検出素子数、板状配線のメッシュの幅や形状、メッシュ状の配線と検出素子接続位置等を適宜変更しても良い。また、メッシュ配線の端部は画素ピッチよりも細い配線幅の導体を用いてシャントしても良いし、シャントせずにオープンとしても良いし、性能を大きく阻害しない範囲で間引いでも良い。

（第４の実施形態の変形例１）
本実施形態は、上述した第４の実施形態における放射線検出器と同様に、検出素子モジュールの共通電極に対するバイアス電圧の給電のために、検出素子モジュールの長手方向の一端から他端に亘る長さを有し、メッシュ状の板状配線を複数配置したリード配線部を備えている。図１１に示すように、本実施形態では、リード配線部の板状配線が計８本配置されている。以下の説明において、上述した実施形態と同一の構成には同符号を付し、その説明を省略する。

リード配線部４１の板状配線４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄ，４２Ｅ，４２Ｆ，４２Ｇ，４２Ｈは、バイアス電圧印加端子（図示せず）から検出素子２０Ａ〜２０Ｄの共通電極に対してバイアス電圧を給電するための配線であり、板状配線４２Ａ，４２Ｂは検出素子２０Ａへ、板状配線４２Ｃ，４２Ｄは検出素子２０Ｂへ、板状配線４２Ｅ，４２Ｆは検出素子２０Ｃへ、板状配線４２Ｇ，４２Ｈは検出素子２０Ｄへそれぞれバイアス電圧を給電する。すなわち、本変形例に係る検出素子モジュールでは、１つの検出素子に対して、２本の板状配線によって給電を行うことができるようになっている。

また、リード配線部４１は樹脂等の絶縁体２５によって覆われ、コンタクト２６において共通電極２２と接触する。コンタクト２６は各半導体層２１に対してそれぞれ複数個所設けておくと、均一に電圧を印加することができる。図１１では、１本の板状配線は１つの半導体層２１に給電を行う構成としているが、１本の板状配線から複数の半導体層に対して給電を行う構成とすることもできる。

本変形例における板状配線４２Ａ〜４２Ｈは、上述した第４の実施形態に係る板状配線と同様に、所定の配線幅のリード線を編み込み、網目模様が検出素子２０Ａ〜２０Ｄの配列方向に対して傾斜したメッシュである。より具体的には、図１１（Ｃ）の拡大図に示すように、板状配線は、配線幅Ｗ２のリード線が、図１１（Ａ）中の横方向（検出モジュールの短手方向）ピッチＰＸ２、図１１（Ａ）中の縦方向（検出モジュールの長手方向）ピッチＰＹ２となるように編み込まれたメッシュ状を成している。

このようなメッシュ状の板状配線４２Ａ〜４２Ｈによる検出感度の変化量は、その配線幅Ｗ２と横方向ＰＸ２と縦方向ピッチＰＹ２を調整することによって抑制することができる。例えば、縦方向ピッチＰＸ２、横方向ピッチＰＹ２、配線幅Ｗ２、画素ピッチ（ＤＰ）、検出感度の変化量をＲ％との関係は下記の通りとなる。
Ｗ２／ＰＸ２＋Ｗ２／ＰＹ２＜Ｒ％ 且つ、 Ｗ２＜ＤＰ ・・・式（５）
なお、式（５）においても、簡単のため、開口率の変化量で検出感度の変化量を近似し、さらに、メッシュ部の重なり部分の影響を無視している。

このように、本変形例によれば、Ｘ線入射面においてリード配線部に起因して生じるＸ線の検出感度の変化量を抑制することができる。また、リード配線部を板状配線の数を細分化し、複数個所で検出素子の共通電極へ接続することにより、共通電極内部の電圧分布を抑制することができると共に、給電を冗長化することができる。

（第４の実施形態の変形例２）
本変形例は、リード配線部４１の板状配線４２が、メッシュであり、該メッシュの網目模様が検出素子の配列方向に合致する格子状である点で上述した第４の実施形態及びその変形例１と異なる。以下の説明において、上述した他の実施形態と同一の構成には同符号を付し、その説明を省略する。

本変形例２におけるリード配線部４１の板状配線４２は、検出素子の配列方向に合致する格子状のメッシュである。図１２に示すように、メッシュ状の板状配線は、配線幅Ｗ３のリード線を編み込み、横方向ピッチ（検出モジュールの短手方向）ＰＸ３、縦方向ピッチ（検出モジュールの長手方向）ＰＹ３のメッシュ状であり、これらを調整することにより、メッシュ状の板状配線による検出感度の変化を抑制することができる。

例えば、縦方向ピッチＰＸ３、横方向ピッチＰＹ３、配線幅Ｗ３、画素ピッチ（ＤＰ）、検出感度の変化量をＲ％との関係は下記の通りとなる。
Ｗ３／ＰＸ３＋Ｗ３／ＰＹ３＜Ｒ％ 且つ、 Ｗ３＜ＤＰ ・・・式（６）
なお、式（６）においても、簡単のため、開口率の変化量で検出感度の変化量を近似し、さらに、メッシュ部の重なり部分の影響を無視している。
このように、本変形例によれば、Ｘ線入射面においてリード配線部に起因して生じるＸ線の検出感度の変化量を抑制することができ、板状配線の配線パターン作成コストを低減する効果がある。

＜第５の実施形態＞
本実施形態は、検出素子モジュールの共通電極に対するバイアス電圧の給電のために、検出素子モジュールの表面に一様に配置されたリード配線部を備えている。本実施形態では、図１３に示すように、リード配線部が、いずれも長手方向の一端から他端に亘る長さを有する複数のリード線を備えおり、各リード線が共通電極の表面において等間隔に配列されている。以下の説明において、上述した実施形態と同一の構成には同符号を付し、その説明を省略する。

検出素子モジュール１０は、例えば、一列に配列された４つの検出素子２０Ａ〜２０Ｄを有し、各検出素子２０は、放射線の光子を受けて電荷を発生する半導体層２１と、半導体層２１の上面に形成され半導体層２１にバイアス電圧を印加する共通電極２２と、半導体層の下面の面に形成され画素ピッチに合致させて設けられた画素電極２３とを積層して構成されている。各検出素子２０は、所謂フォトンカウンティング方式の検出素子であり、入射したＸ線フォトンを検出し、例えば、複数のエネルギー範囲に分別して計数を行う。

検出素子モジュール１０の上面、すなわち、各検出素子の共通電極の表面には共通電極に対する給電用の複数のリード線５２Ａ〜５２Ｄからなるリード配線部５１が設けられている。各リード線５２Ａ〜５２Ｄは、図１３に示すように、検出素子モジュールの一端から他端に亘る長さを有し、共通電極の表面において検出素子の配列方向に対して傾斜しながら等間隔に配列され、各検出素子２０のＸ線入射面に対して各リード線５２Ａ〜５２Ｄが一様な配置となっている。

リード線５２Ａは検出素子２０Ａへ、リード線５２Ｂは検出素子２０Ｂへ、リード線５２Ｃは検出素子２０Ｃへ、リード配線５２Ｄは検出素子２０Ｄへそれぞれバイアス電圧を給電する。

図１３（Ｃ）に示す通り、リード線の配線幅Ｗ４、横方向（検出素子モジュールの短手方向）ピッチＰＸ４とすると、リード線の配置による検出感度の変化量はその配線幅Ｗ４と横方向ＰＸ４とを調整することによって抑制することができる。例えば、横方向ピッチＰＸ４、配線幅Ｗ４、画素ピッチ（ＤＰ）、検出感度の変化量をＲ％との関係は下記の通りとなる。
Ｗ４／ＰＸ４＜Ｒ％ 且つ、 Ｗ４＜ＤＰ・・・（７）
なお、式（７）においても、簡単のため、開口率の変化量で検出感度の変化量を近似している。

なお、リード配線ＨＶＬは樹脂等の絶縁体２５で覆われ、コンタクト２６において共通電極２２と接触する。コンタクト２６は各半導体層２１に対してそれぞれ複数個所設けておくと、均一に電圧を印加することができる。
また、図１３では、1本のリード配線（ＨＶＬ）夫々が一つの検出素子に電力供給を行う構成であるが、1本のリード配線（ＨＶＬ）から複数の半導体素子（Ｄ）に対して電力供給を行うように配線することもできる。本実施例ではリード配線を斜め配線とすることで、配線パターン作成コストを低減する効果がある。

（第５の実施形態の変形例１）
本変形例は、図１４に示すように、上述した第５の実施形態と同様に、リード配線部が、長手方向の一端から他端に亘る長さを有する複数のリード線を備えおり、各リード線が共通電極の表面において等間隔に配列されている。本実施形態では、各リード線が傾斜しておらず、検出素子の配列方向と平行に配線されている。

図１４（Ｃ）に示すように、リード線の配線幅Ｗ５、横（検出素子モジュールの短手）方向ピッチＰＸ５とすると、このようにリード線を配置したことによる検出感度の変化量はその配線幅Ｗ５と横方向ＰＸ５とを調整することによって抑制することができる。
例えば、縦方向ピッチＰＸ５、配線幅Ｗ５、画素ピッチ（ＤＰ）、検出感度の変化量をＲ％との関係は下記の通りとなる。

Ｗ５／ＰＸ５＜Ｒ％ 且つ、 Ｗ５＜ＤＰ ・・・（８）
なお、式（８）においても、簡単のため、開口率の変化量で検出感度の変化量を近似している。
このように、本変形例では、リード線をすだれ状に配線することで、配線パターンの作成コストを低減することができる。

なお、上述した各実施形態及びその変形例は一例であり、検出素子モジュールを構成する検出素子数、リード線、板状配線の幅や形状、検出素子接続位置、導体シートの材料等は適宜変更することができる。さらに、周期配線と組み合わせても良い。また、リード配線部や導体シートに用いる導体は銅のほか、より原子番号の小さいアルミニウムや鉄を用いると、感度差をより小さくする効果がある。

以下、回路の定数設定について説明する。
図１５に示すように、半導体層２１、共通電極２２、画素電極２３によって検出素子が構成され、共通電極２２に対してリード線２４を用いて電圧ＶＨＶが印加される。電圧ＶＨＶには安定化のための容量ＣＶＨが並列接続されている。

このとき、光子によって半導体層２１内に誘起される電流をＩＤ、そして、代表的な寄生成分としてリード配線２４のインダクタンスをＬＨＶ、安定化容量の等価直列抵抗ＥＳＲを考慮して等価回路を表現すると、図１５のようになる。このような回路では、電流ＩＤが有する特定周波数の変動によって反共振が発生し、共通電極２２への印加電圧が変動してしまう現象が発生する。その周波数Ｆはリード配線２４の寄生インダクタンスＬＨＶ、安定化容量ＣＨＶを用いて以下の式（９）のように表される。

つまり、電流ＩＤがこの周波数成分を有すると、半導体層２１に印加される電圧が変動し、光子に対する検出器応答性が不安定となってしまう。そこで、電流ＩＤの持つ主な周波数から遠ざけるように、リード配線２４の寄生インダクタンスＬＨＶ、安定化容量ＣＨＶを適切に調整する。電流ＩＤの持つ周波数の例として、ＣＴスキャナの回転に起因してリード配線が振動し容量が変化して生じるもの（１Ｈｚ〜５Ｈｚ）、そして、被写体によってＸ線の減弱量が変化して生じるもの（１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚ）等が考えられる。

これらの周波数に対して、リード配線２４の寄生インダクタンスを１００ｎＨ、安定化容量ＣＨＶを４７μＨとすると、前記共振周波数Ｆは７３．４ｋＨｚとなり、前記電流ＩＤの有する主な周波数成分から遠ざけることができる。また別の手段として、等価直列抵抗ＥＳＲをある程度大きくすることで（Ｑ値を低くし）、周波数で発生する共振を速やかに減衰させ、電圧変動の影響を抑制することもできる。

２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ・・・検出素子、２１・・・半導体層、２２…共通電極、２３・・・画素電極、２４，２９…リード配線、２５・・・絶縁体、２・・・コンタクト、２８・・・散乱線除去部材、３０・・・板状配線、３１・・・リード配線部、３３・・・導体シート、３４・・・導体層、４１・・・リード配線部、４２・・・板状配線、５１・・・リード配線部、５２・・・リード線

Claims (16)

1. 放射線の光子を受けて電荷を発生する半導体層と、該半導体層の一方の面に形成され前記半導体層にバイアス電圧を印加する共通電極と、前記半導体層の他方の面に形成された画素電極とを有する検出素子が二次元配列されてなる複数の検出素子モジュールと、
   該検出素子モジュールに含まれる各検出素子の共通電極の表面に所定の間隔に配列された給電用の複数のリード線と、
   該リード線の配置に対応させ、かつ、該リード線の上部に設けられた散乱線除去部材と、
   を備えた放射線検出器。
2. 前記散乱線除去部材が、前記リード線の配列に対応させて立設された複数の板状部材を有する一次元コリメータである請求項１記載の放射線検出器。
3. 前記散乱線除去部材が、前記リード線の配列に対応させて格子状に配置された板状部材を有する二次元コリメータである請求項１記載の放射線検出器。
4. 前記板状部材のピッチが前記検出素子モジュールのピクセルのピッチと一致している請求項２又は請求項３記載の放射線検出器。
5. 前記散乱線除去部材が、前記リード線の配列に対応させて配列された複数のチャンネル方向の板材及び該チャンネル方向の板材と直交するスライス方向の板材によりグリッドを成している請求項１記載の放射線検出器。
6. 放射線の光子を受けて電荷を発生する半導体層と、該半導体層の一方の面に形成され前記半導体層にバイアス電圧を印加する共通電極と、前記半導体層の他方の面に形成された画素電極とを有する検出素子が二次元配列されてなる複数の検出素子モジュールと、
   該検出素子の表面に配置にされた散乱線除去部材と、
   該散乱線除去部材と前記共通電極とを接続する配線と、を備え、
   前記散乱線除去部材及び前記配線を介して前記共通電極に給電を行う放射線検出器。
7. 放射線の光子を受けて電荷を発生する半導体層と、該半導体層の一方の面に形成され前記半導体層にバイアス電圧を印加する共通電極と、前記半導体層の他方の面に形成された画素電極とを有する検出素子が二次元配列されてなる複数の検出素子モジュールと、
   該検出素子モジュールに含まれる各検出素子の共通電極の表面に配置された給電用のリード配線部と、を備え、
   該リード配線部が、短冊形状の板状配線をチャンネル方向に所定の間隔に複数本配置して構成されている放射線検出器。
8. 前記リード配線部の各板状配線がメッシュであり、該メッシュの網目模様が検出素子の配列方向に対して傾斜している請求項７に記載の放射線検出器。
9. 前記リード配線部の各板状配線がメッシュであり、該メッシュの網目模様が検出素子の配列方向に合致する格子状である
   請求項７に記載の放射線検出器。
10. 前記リード配線部の各導電性材料が、前記前記検出素子の画素ピッチよりも小さい配線幅のリード線を編んだメッシュ状である請求項７から請求項９の何れかに記載の放射線検出器。
11. 前記リード配線部における各導電性材料同士の間隙に、該導電性材料とＸ線減弱特性が略等しい材料からなる導体シートを設けた請求項７記載の放射線検出器。
12. 前記リード配線部の表面に、前記共通電極全体を覆う導体層を設けた請求項７記載の放射線検出器。
13. 前記リード配線部と前記共通電極がそれぞれ別の絶縁体で保護された請求項１１又は請求項１２記載の放射線検出器。
14. 放射線の光子を受けて電荷を発生する半導体層と、該半導体層の一方の面に形成され前記半導体層にバイアス電圧を印加する共通電極と、前記半導体層の他方の面に形成された画素電極とを有する複数の検出素子が二次元配列されてなる複数の検出素子モジュールと、
    該検出素子モジュールに含まれる各検出素子の共通電極の表面に配置された給電用の複数のリード線と、を備え、
    複数の該リード線が、前記共通電極の表面において所定の間隔に配列されている放射線検出器。
15. 複数の前記リード線が、前記検出素子の配列方向に対して傾斜して配列されている請求項１４記載の放射線検出器。
16. 複数の前記リード線が、前記検出素子の配列方向に平行に配列されている請求項１４記載の放射線検出器。

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