JP2018008852A - 酸化物焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
Description
(1) 構成元素として、亜鉛、ニオブ、インジウム及び酸素を有する酸化物焼結体において、亜鉛、ニオブ及びインジウムの含有量をそれぞれZn、Nb及びInとしたときに、
Nb/(Zn+Nb+In)=0.100以上、0.330以下
In/Nb=0.2以上、2.0以下
である酸化物焼結体。
(2) InNbO4の結晶相を有する上記(1)に記載の酸化物焼結体。
(3) 不可避的な不純物として、Zn、Nb、In以外の金属元素、またはその酸化物を含み、焼結体におけるこれらの不純物の合計含有量が金属元素に換算して、Zn、Nb及びInの合計に対し、0.01以下である上記(1)又は(2)に記載の酸化物焼結体。
(4) 各金属元素の酸化物換算の真密度の加重平均値に対するかさ密度の比が0.99以上である上記(1)乃至(3)いずれかに記載の酸化物焼結体。
(5) 平均粒径が3μm以下である上記(1)乃至(4)いずれかに記載の酸化物焼結体。
(6) バルク抵抗値が100Ω・cm以下である上記(1)乃至(5)いずれかに記載の酸化物焼結体。
(7) 上記(1)乃至(6)のいずれかに記載の酸化物焼結体をターゲット材として用いるスパッタリングターゲット。
(8) 酸化亜鉛粉末、酸化ニオブ粉末及び酸化インジウム粉末を原料粉末として、元素の原子比が、亜鉛、ニオブ及びインジウムの含有量をそれぞれZn、Nb及びInとしたときに、
Nb/(Zn+Nb+In)=0.100以上、0.330以下
In/Nb=0.2以上、2.0以下
となるように混合する混合工程、混合工程で得られた混合粉末を用いて成形する成形工程、成形工程で得られた成形体を焼成する焼成工程を有する上記(1)乃至(6)いずれかに記載の酸化物焼結体の製造方法。
(9) 構成元素として、亜鉛、ニオブ、インジウム及び酸素を有する薄膜において、亜鉛、ニオブ及びインジウムの含有量をそれぞれZn、Nb及びInとしたときに、
Nb/(Zn+Nb+In)=0.100以上、0.330以下
In/Nb=0.2以上、2.0以下
である薄膜。
Nb/(Zn+Nb+In)=0.100以上、0.330以下
In/Nb=0.2以上、2.0以下
である酸化物焼結体である。ここで、各元素比はモル比を表す。
取り扱い性を考慮すると酸化亜鉛、酸化ニオブ及び酸化インジウム粉末の各酸化物粉末の純度は99.9%以上が好ましく、より好ましくは99.99%以上である。これにより、焼成工程における焼結体中の結晶粒子の異常粒成長を抑制することができる。
成形方法は、混合工程で得られた混合粉末を目的とした形状に成形できる成形方法を適宜選択することが可能であり、特に限定されるものではない。プレス成形法、鋳込み成形法、射出成形法等が例示できる。
次に、成形工程で得られた成形体を焼成する。焼成は、高密度で均一な焼結体が得られる焼成方法を適宜選択することが可能であり、一般的な抵抗加熱式の電気炉やマイクロ波加熱炉等を使用することができる。
焼成工程により得られた焼結体は、平面研削盤、円筒研削盤、旋盤、切断機、マシニングセンター等の機械加工機を用いて、板状、円状、円筒状等の所望の形状に研削加工する。さらに、必要に応じて無酸素銅やチタン等からなるバッキングプレート、バッキングチューブにインジウム半田等を用いて接合(ボンディング)することにより、本発明の焼結体をターゲット材としたスパッタリングターゲットを得ることができる。
Nb/(Zn+Nb+In)=0.100以上、0.330以下
In/Nb=0.2以上、2.0以下
である薄膜が得られる。このような薄膜は高屈折率であり、絶縁膜として好適に用いることができる。得られる混合物のNb/(Zn+Nb+In)は、0.120以上、更には0.150以上であることが好ましく、0.250以下であることがより好ましい。
(1)焼結体の密度及び密度比
焼結体の密度比は、JIS R 1634に準拠して、アルキメデス法により測定したかさ密度(以下、「d1」という。)を、各金属元素の酸化物換算の真密度の加重平均値(以下、「d2」という。)で割って求めた。
d2は、Zn、Nb、Inを酸化物に換算して、それぞれZnO、Nb2O5、In2O3としたときに、それぞれの量a[g]、b[g]、c[g]と、それぞれの真密度5.606[g/cm3]、4.542[g/cm3]、7.180[g/cm3]を用いて、下記式でより算出した。ここで、a、b、cは簡便な方法として、製造工程における粉末混合割合を用いた。
・・・(2)式
なお、実際の焼結体では、複合酸化物相の存在や、各元素の固溶などの要因から、本願の焼結体の真密度を求めることは困難である。本願では各金属元素の酸化物の加重平均に対するかさ密度の比として、慣例的な相対密度と同様の方法で求めたのだが、密度比が1.00を超える場合がある。
(2)平均粒径
焼結体を切断し、その断面を鏡面研磨した後、熱処理することでサーマルエッチングした。その後、SEM(製品名:VE−9800、キーエンス社製)で焼結体のエッチング面を観察し、得られたSEM観察像(倍率:×3000倍)から直径法で焼結体断面の粒子の平均粒径を測定した。サンプルは任意の3点以上を観察し、各々100個以上の粒子の測定を行った。
(サーマルエッチング条件)
温度 :900℃
時間 :30min
(3)抵抗率の測定
焼結体表面より1mm以上研削した後の任意の部分より切り出した10サンプルの平均値を測定データとした。
試料サイズ:10mm×20mm×1mm
測定方法 :4端子法
測定装置 :ロレスタHP MCP−T410(三菱油化製)
(4)X線回折試験
鏡面研磨した焼結体試料の2θ=20°以上70°以下の範囲のX線回折パターンを測定した。
走査方法 :ステップスキャン法(FT法)
X線源 :CuKα
パワー :40kV、40mA
ステップ幅:0.01°
(5)BET比表面積
JIS Z 8830に準じた測定により、試料のBET比表面積を求めた。測定には、一般的な比表面積測定装置(商品名:TriStar3000、島津製作所製)を用いた。前処理として試料を200℃(室温から90℃:5℃/分、90℃から200℃:10℃/分)で20分保持した。前処理後の試料についてBET比表面積を測定した。測定条件は以下のとおりである。
測定方法 :多点法
(6)スパッタリング評価
得られた焼結体を101.6mmΦ×6mmtに加工した後、無酸素銅製のバッキングプレートにインジウムハンダによりボンディングしてスパッタリングターゲットとした。このターゲットを用いて下記の条件で、成膜評価した後、DC放電の安定性評価を行なった。
(成膜評価のスパッタリング条件)
ガス :アルゴン+酸素(3%)
圧力 :0.6Pa
電源 :DC
投入パワー:200W(2.4W/cm2)
膜厚 :80nm
基板 :無アルカリガラス(コーニング社製EAGLE XG、厚み0.7mm)
基板温度 :室温
(DC放電安定性評価のスパッタリング条件)
ガス :アルゴン+酸素(3%)
圧力 :0.6Pa
電源 :DC
投入パワー:600W(7.4W/cm2)
800W(9.9W/cm2)
放電時間 :30min
評価 :放電後のターゲット表面のスプラッシュの個数(目視)
(実施例1)
BET値3.8m2/gの酸化亜鉛粉末(純度99.9%以上)と、BET値5.4m2/gの酸化ニオブ粉末(純度99.9%以上)、及びBET値11.5m2/gの酸化インジウム粉末(純度99.9%以上)を、Nb/(Zn+Nb+In)で0.207、及びIn/Nbで1.0の割合となるように秤量した。秤量した粉末を純水10kgにてスラリー化し、ポリアクリレート系分散剤を全粉末量に対して0.1wt%入れ、固形分濃度60%のスラリーを調製した。内容積2.5Lのビーズミル装置にφ0.3mmジルコニアビーズを85%充填し、ミル周速7.0m/sec、スラリー供給量2.5L/minにてスラリーをミル内に循環させ、粉砕、混合処理を行った。さらに、スラリー供給タンクの温度を8℃以上9℃以下、スラリー出口温度を14℃以上16℃以下の範囲内で温度管理を行い、ミル内の循環回数(パス回数)は20回とした。その後、得られたスラリーを噴霧乾燥し、乾燥後の粉末を150μmの篩に通し、プレス成形法により300kg/cm2の圧力で120mm×120mm×8mmtの成形体を作製後、2ton/cm2の圧力でCIP処理した。
(焼成条件)
焼成温度:1250℃
保持時間:3時間
昇温速度:950℃〜1250℃ 300℃/hr
その他の温度域 100℃/hr
雰囲気 :大気雰囲気
降温速度:950℃まで 100℃/hr
950℃以降 150℃/hr。
組成を表1の内容に変更した以外は実施例1と同様の方法(実施例7と8はビーズミルのパス回数をそれぞれ15回と10回に変更した)で焼結体を作製した。比較例2と3は焼結体のバルク抵抗が高くDC放電が出来なかった。得られた焼結体の評価結果を表1に示す。
実施例1〜8で得られた薄膜の抵抗率の測定をロレスタHP MCP−T410(三菱油化製)を用いて4端子法で行った。薄膜抵抗は全て108Ω・cm以上の高抵抗膜であった。
101.6mmΦ×6mmtサイズの還元Nb2O5ターゲット(豊島製作所社製)を用いて、実施例と同じ成膜評価のスパッタリング条件で成膜を行った。成膜レートは、スパッタガスがアルゴン+酸素(3%)のとき、9.0nm/minであり、薄膜の透過率が酸素ガスに対して飽和するアルゴン+酸素(5%)のとき、7.4nm/minであった。
Claims (9)
- 構成元素として、亜鉛、ニオブ、インジウム及び酸素を有する酸化物焼結体において、亜鉛、ニオブ及びインジウムの含有量をそれぞれZn、Nb及びInとしたときに、
Nb/(Zn+Nb+In)=0.100以上、0.330以下
In/Nb=0.2以上、2.0以下
である酸化物焼結体。 - InNbO4の結晶相を有する請求項1に記載の酸化物焼結体。
- 不可避的な不純物として、Zn、Nb、In以外の金属元素、またはその酸化物を含み、焼結体におけるこれらの不純物の合計含有量が金属元素に換算して、Zn、Nb及びInの合計に対し、0.01以下である請求項1又は2に記載の酸化物焼結体。
- 各金属元素の酸化物換算の真密度の加重平均値に対するかさ密度の比が0.99以上である請求項1乃至3いずれか一項に記載の酸化物焼結体。
- 平均粒径が3μm以下である請求項1乃至4いずれか一項に記載の酸化物焼結体。
- バルク抵抗値が100Ω・cm以下である請求項1乃至5いずれか一項に記載の酸化物焼結体。
- 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の酸化物焼結体をターゲット材として用いることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 酸化亜鉛粉末、酸化ニオブ粉末及び酸化インジウム粉末を原料粉末として、元素の原子比が、亜鉛、ニオブ及びインジウムの含有量をそれぞれZn、Nb及びInとしたときに、
Nb/(Zn+Nb+In)=0.100以上、0.330以下
In/Nb=0.2以上、2.0以下
となるように混合する混合工程、混合工程で得られた混合粉末を用いて成形する成形工程、成形工程で得られた成形体を焼成する焼成工程を有する請求項1乃至6いずれか一項に記載の酸化物焼結体の製造方法。 - 構成元素として、亜鉛、ニオブ、インジウム及び酸素を有する薄膜において、亜鉛、ニオブ及びインジウムの含有量をそれぞれZn、Nb及びInとしたときに、
Nb/(Zn+Nb+In)=0.100以上、0.330以下
In/Nb=0.2以上、2.0以下
である薄膜。
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