JP2017534555A - ガラス組成物を形成する方法 - Google Patents

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Abstract

本方法は、ガラス前駆体材料を含む材料を第2の材料と接触させて配置しそしてガラス前駆体材料をアニールして第2の材料と接触するガラス組成物を形成することを含む。実施形態では、アニーリングを単一の温度で行う。別の実施形態では、アニーリングを、750℃〜1000℃の範囲の温度で行う。特定の実施形態では、ガラス組成物は少なくとも30%の結晶画分を含む。
【選択図】 図1

Description

本開示は、一般に、ガラス組成物を形成する方法に関し、特に、電気化学デバイスの用途におけるガラス組成物を形成することに関する。
ガラス組成物は、シール、ボンドまたは金属材料、セラミック材料またはその両方へのジョイントに使用することができる。ガラス組成物は、ガラス組成物が接触するデバイスの一つ以上の成分のそれとは異なる熱膨張係数(CTE)を有してもよい。デバイスが、室温とデバイスの通常の動作温度との間で、例えば室温(約25℃)〜700℃、800℃またはそれ以上の間でサイクルが繰り返されるので、ガラス組成物とそれが接触する一つ以上の成分の間の熱膨張係数の差が、亀裂を引き起こして漏れを形成し漏れを引き起こす可能性がある。漏れは順次、効率の悪いデバイス性能(デバイスの故障を含む)、高価なデバイスのメンテナンス、および安全性の問題を引き起こす可能性がある。従って、ガラス組成物の継続的な改良が望まれる。
実施形態は例として図示され、添付の図に限定されない。
図1は、本明細書に開示された実施形態に従って作られたガラス組成物に対する熱膨張係数の棒グラフを含む。 図2は、実施形態に従って形成されたガラス組成物の一部分の顕微鏡写真を含む。 図3は、実施形態に従って作られたガラス組成物の一部分の顕微鏡写真を含む。 図4は、実施形態に従って形成された別の異なるガラス組成物の一部分の顕微鏡写真を含む。
当業者であれば、図中の要素は、簡潔かつ明瞭にするために図示されており、必ずしも縮尺通りに描かれていないことを理解する。例えば、図中の要素のいくつかの寸法は、本発明の実施形態の理解を向上させるのを助けるために、他の要素に対して誇張されていてもよい。
図と組み合わせた以下の記載は、本明細書に開示される教示の理解を助けるために提供される。以下の議論は、前記教示の特定の実施および実施形態に焦点を当てる。この焦点は、教示の記載を助けるために提供されており、教示の範囲または適用可能性への制限として解釈されるべきではない。
本明細書で使用されるように、ガラス組成物は、分子式に関してまたは構成金属酸化物のモル百分率として記載することができる。例えば、サンボーナイトは、BaSi、BaO・2SiOとして、または33.3モル%のBaOおよび66.7モル%のSiOとして表すことができる。
用語「comprises(含む)」、「comprising(含んでいる)」、「includes(含む)」、「including(含んでいる)」、「has(有する)」、「having(有している)」またはそのいかなる他の変形は、非排他的な包含をカバーすることを意図している。例えば、特徴のリストを含むプロセス、方法、物品または装置は、必ずしもそれらの特徴だけに限定されるものではなくて、明示的に列挙されていないまたはそのようなプロセス、方法、物品または装置に固有の他の特徴を含み得る。さらに、逆のことが明示的に述べられていない限り、「または」は、包括的またはそうでない、および排他的またはそうでないことを指す。例えば、条件AまたはBは、以下の、Aが真であり(または存在する)そしてBが偽であり(または存在しない)、Aが偽であり(または存在しない)そしてBが真であり(または存在する)、そしてAもBも真である(または存在する)、のいずれか一つによって満たされる。
「a」または「an」の使用は、本明細書に記載される要素および成分を記載るために用いられる。これは、便宜上のためにのみなされ、本発明の範囲の一般的な意味を与えるためである。この記載は、一つまたは少なくとも一つを含むように読まれるべきであり、単数形はまた、それが他の意味であることが明らかでない限り、複数形を含むか、またはその逆である。
他に定義されない限り、本明細書で使用される全ての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるのと同じ意味を有する。材料、方法および実施例は、例示に過ぎず、限定的であることを意図するものではない。本明細書に記載されていない限り、具体的な材料および処理行為に関する多くの詳細は、従来のものであり、電気化学デバイスの用途においてガラス組成物を形成することに関する技術分野の教科書および他の情報源に見出し得る。
ガラス組成物を形成する方法は、ガラス前駆体材料を金属、金属合金、金属化合物、セラミック材料またはそれらの任意の組み合わせと接触させて配置することを含むことができる。ガラス前駆体材料としては、BaO、SiOおよびAlを挙げることができる。ガラス前駆体材料は、アニールして金属、金属合金、金属化合物、セラミック材料またはそれらの任意の組み合わせと接触させてガラス組成物を形成することができる。実施形態では、アニールを単一の温度で行うことができる。特定の実施形態では、アニーリングは750℃〜1000℃の範囲の単一温度で行うことができる。ガラス組成物は、少なくとも30体積%の結晶画分を有することができる。別の実施形態では、アニールを、異なる温度で二つの部分を使用して行う。いずれかまたは両方の部分を、少なくとも9時間の時間行うことができる。
本明細書に記載の特定の実施形態は、比較的低いアニーリング温度を使用することによって、高品質のシール、ボンドまたはジョイントの形成を可能にする。このような比較的低いアニーリング温度でガラス組成物を形成する能力は、ガラス組成物と、それが接触する成分との間の構成材料の不都合な移動、材料老化を減らすことおよび成分の電気化学的活性を維持するのに有益であり得る。さらに、ガラス組成物はまた、ガラス組成物が接触する成分により密接に合わすことができる熱膨張係数(CTE)を有することもできる。実施形態では、CTEは、9.0ppm/℃〜13.0ppm/℃の範囲内であってよい。ガラス組成物は、シール、ジョイントまたはボンドとして使用し得る。特に、高いCTEは、ガラス組成物を、電気化学的デバイスにおけるシールし、ジョイントしまたはボンドを形成する用途に適したものにする。例えば、ガラス組成物は、固体酸化物燃料電池(SOFC)の用途におけるシール、ボンドまたはジョイントとして、またはSOFCスタックとガスをスタックに送達するマニホールドとの間のシール、ジョイントまたはボンドとして使用することができる。
ガラス組成物は、ガラス前駆体材料から形成することができる。ガラス前駆体材料としては、SiO、AlおよびBaOが挙げることができ、そして、例えば、以下に詳細に記載される、適量の予備焼成されたアルミナ(Al)、炭酸バリウム(BaCO)およびシリカ(SiO)を含む粉末混合物を溶融することによって調製することができる。あるいは、水酸化バリウム、石英、湿潤アルミナなどの、異なる出発原料を使用することができよう。溶融は、ジュール加熱された白金るつぼ中で1500℃〜1600℃の範囲の温度で行うことができる。溶融物は、水焼入れされる前に約1時間〜約3時間の間の時間に精製することができ、ガラスフリットを生成する。ガラスフリットは、再固化され(例えば、遊星ボールミル粉砕され)そして篩い分けされて、0.7〜4ミクロンの範囲等の、0.5〜10ミクロンの範囲の平均粒径を有し、そしてd5が5ミクロンであり、d50が1ミクロンでありd90が0.5ミクロンであるような粒度分布を有するガラス粉末を生成する。得られた粉末の粒度分布(PSD)は、例えば、USA、カリフォルニア州、アーバインのHoriba Instruments、Inc.から入手可能なHoriba LA920レーザー散乱PSD分析器を使用して決定することができる。ガラス粉末をポリマーバインダーおよび有機溶剤と混合して、ガラス粒子のスラリーを製造することができる。
実施形態では、ガラス前駆体材料を含む材料は、少なくとも58モル%または少なくとも60モル%等の、少なくとも56モル%のSiOを含むことができる。別の実施形態では、SiOは、67モル%以下または65モル%以下等の、69モル%以下であってもよい。さらなる実施形態では、SiOは、58モル%〜67モル%または60モル%〜65モル%の量等の、56モル%〜69モル%の量であってもよい。別の実施形態では、存在するBaOの量は、少なくとも29モル%または少なくとも30モル%等の、少なくとも28モル%であってもよい。さらに別の実施形態では、BaOは、35モル%以下または34モル%以下等の、36モル%以下であってもよい。さらなる実施形態では、BaOは、29モル%〜35モル%の範囲または30モル%〜34モル%の範囲等の、28モル%〜36モル%の範囲であってもよい。前述したように、バリウム源は、BaOの代わりにBaCOであってもよい。さらに別の実施形態では、Alの量は、少なくとも1.5モル%または少なくとも2モル%等の、少なくとも1モル%であってもよい。別の実施形態では、Alの量は、9.9モル%以下、9モル%以下または8モル%以下であってもよい。さらなる実施形態では、Alは、1.5モル%〜9モル%および2モル%〜8モル%等の、1モル%〜9.9モル%であってもよい。ガラス前駆体材料の一つ以上はさらに、NaO、KO、MgO、CaO、SrO、ZrO、TiOまたはそれらの任意の組み合わせなどの、微量酸化物を含んでもよい。実施形態では、ガラス前駆体材料の全てとの全微量酸化物含有量は0.5モル%以下である。
実施形態では、ガラス前駆体材料中のSiO、AlおよびBaOの構成酸化物は、互いの間のモル比で表すことができる。例えば、SiO:BaOのモル比は、少なくとも0.8:1または少なくとも1:1等の、少なくとも0.6:1であってもよい。別の実施形態では、SiO:BaOのモル比は、5:1以下または4:1以下等の、6:1以下であってもよい。さらなる実施形態では、ガラス組成物中のSiO:BaOのモル比は、0.6:1〜8:1、0.8:1〜5:1または1:1〜4:1の範囲であってもよい。別の実施形態では、SiO:Alのモル比は、少なくとも2:1または少なくとも3:1等の、少なくとも1:1であってもよい。さらに別の実施形態では、SiO:Alのモル比は、9:1以下、8:1以下または7:1以下であってもよい。さらなる実施形態では、ガラス組成物中のSiO:Alのモル比は、1:1〜9:1、2:1〜8:1または3:1〜7:1の範囲である。
ガラス前駆体材料は、デバイスの成分上に配置することができる。例えば、成分は、電解質、アノード、カソード、相互接続部またはマニホールド等の、SOFCの一部であってもよい。上述のように形成されたガラス前駆体のスラリーは、エアースプレー、プラズマ溶射、スクリーン印刷等の、様々な技術によってSOFCの一部の表面に薄層として沈着することができる。成分としては、金属、金属合金、金属化合物、セラミック材料またはそれらの組み合わせが挙げることができる。本明細書中で使用されるように、金属は、合金または化合物の一部ではない金属原子を意味することを意図する。例えば、金属としては、ニッケル、タングステン、チタンまたはそれらの任意の組み合わせを挙げることができる。金属合金としては、ステンレス鋼、黄銅、青銅、TiW等を挙げることができる。セラミックとしては、ジルコニウム、イットリウム、ストロンチウム、チタン、マンガン、ランタン、クロム、アルミニウム、カルシウムまたはそれらの任意の組み合わせの酸化物を挙げることができる。SOFCに対しては、アノードは、Ni、NiOおよびイットリア安定化ジルコニア(YSZ)の複合体を含むことができるので、アノードは金属とセラミックの組み合わせであってもよく、カソードはランタンストロンチウムマンガナイト(LSM)を含むことができ、そして電解質はYSZを含むことができる。
ガラス前駆体材料を含む材料は、ガラス前駆体材料がシール、ボンド、またはジョイントされる材料と接触している間にアニールすることができる。実施形態では、ガラス前駆体材料は、単一の材料または複数の材料と接触していてもよい。例えば、ガラス前駆体材料を、電極、電解質またはSOFCの相互接続部をシールするために使用してもよい。別の実施例では、ガラス前駆体材料は、一方の側に沿ったガスマニホルドとおよび反対側でSOFCと接触していてもよい。さらなる実施例では、ガラス前駆体材料は、酸素輸送膜と接触していてもよい。
実施形態では、アニーリングを、少なくとも775℃または少なくとも800℃等の、少なくとも750℃の温度で行って、ガラス前駆体材料の十分な緻密化および結晶化が起こるのを可能にすることができる。別の実施形態では、アニーリングを、975℃以下または950℃以下等の、1000℃以下の温度で行ってもよい。特定の実施形態では、アニーリングを、900℃以下の温度で行う。低温でのアニーリングは、相互接続部からSOFCの隣接層への金属の移動を減少または防止するのに役立ち得て、したがってSOFCの層の材料の電気化学的活性を維持するのを助け得る。さらなる実施形態では、アニーリングを、本明細書に開示された最小値と最大値の任意の間の温度で行うことができる。例えば、アニーリングを、750℃〜1000℃、775℃〜975℃または800℃〜950℃の範囲の温度で行うことができる。特定の実施形態では、アニーリングを800〜900℃の範囲の温度で行う。
別の実施形態では、アニーリングを、上述したような所望の温度で一定時間行うことができる。ガラス前駆体材料の組成、アニーリング温度、所望の厚さおよびガラス組成物の結晶画分等の他の要因に応じて、アニーリングを行う時間を変えることができる。実施形態では、アニーリングを、少なくとも3時間または少なくとも4時間等の、少なくとも2時間の時間行うことができる。特定の実施形態では、ガラス組成物の密度および結晶画分を増加させるために、アニーリングを行うために長時間を要することがある。例えば、アニーリングを、少なくとも8時間、9時間またはそれ以上行うことができる。別の実施形態では、アニーリングを、16時間以下または12時間以下等の、24時間以下の時間行うことがある。さらなる実施形態では、アニーリングを、本明細書に開示された最小値と最大値の任意の間の一定時間行うことができる。例えば、アニーリングを、2時間〜24時間、3時間〜16時間または4時間〜12時間の範囲の時間行うことができる。特定の実施形態では、アニーリングを6時間〜10時間行うことができる。
特定の実施形態では、アニーリングを、上述のように単一の温度で行うことができる。さらに別の実施形態では、アニーリングを、少なくとも前記温度の一つで少なくとも9時間または前記温度のそれぞれで少なくとも9時間、二つの異なる温度で行うことができる。例えば、アニールの第1の部分を、より低い温度で行うことができ、そしてアニールの第2の部分を、より高い温度で行うことができる。第1の部分は、シール、ボンド、またはジョイントを形成するために使用し、そして第2の部分は、結晶化を加速して結晶画分を高めるのを助けることができる。
アニーリングを、大気圧で行うことができる。あるいは、アニーリングを、真空下でまたは大気圧より高い圧力で行うことができる。アニーリングを空気中で行うことができる。あるいは、アニーリングを、空気とは異なる分圧のN、空気とは異なる分圧のO、空気とは異なる分圧の希ガスまたはそれらの任意の組み合わせ中で行うことができる。さらなる実施形態では、アニーリングを空気とは異なる分圧のAr中で行うことができる。
ガラス組成物のCTEは、ガラス組成物を結晶化させることによって変えることができる。従って、アニーリングの間の結晶化は、ガラス組成物が接触する材料のCTEをより密接に一致させるためにガラス組成物を助けることができる 。アニーリングを、得られたガラス組成物が少なくとも30体積%の結晶画分を有するように行うことができる。例えば、結晶画分は、特定の用途のために必要なまたは所望されるように、シールされ、ボンドされまたはジョイントされた領域に十分な熱機械的安定性を提供するために、少なくとも40体積%、または少なくとも50体積%であってもよい。別の実施形態では、結晶画分は、シールされ、ボンドされまたはジョイントされる材料に依存して、80体積%以下、70体積%以下、または60体積%以下であってもよい。さらなる実施形態では、結晶画分は、本明細書に開示される最小値および最大値の任意の間であってもよい。例えば、結晶画分は、30体積%〜80体積%、40体積%〜70体積%または50体積%〜60体積%の範囲であってもよい。
ガラス組成物は、少なくとも11ミクロンまたは少なくとも15ミクロン等の、少なくとも1ミクロンのサイズを有する微結晶を含むことができる。さらに別の実施形態では、微結晶は、55ミクロン以下、50ミクロン以下または45ミクロン以下であってもよい。微結晶のサイズは、ガラス前駆体材料の組成およびアニーリング条件に応じて変化し得る。さらなる実施形態では、微結晶は、本明細書に開示される最小値と最大値の任意の間のサイズを有することができる。例えば、前記サイズは、1ミクロン〜55ミクロン、11ミクロン〜50ミクロンまたは15ミクロン〜45ミクロンの範囲であってよい。
ガラス組成物は、シール、ボンド、ジョイントなどの形状であってもよい。ガラス組成物の厚さは、その形状に依存して変化することができ、例えば、より大きな厚さがシールと比較してボンドに対して望まれてもよい。本明細書に開示されたガラス組成物の厚さは、特に断らない限り、室温で測定される。実施形態では、ガラス組成物は、少なくとも1ミクロンの厚さを有することができる。例えば、前記厚さは、少なくとも20ミクロン、少なくとも30ミクロンまたは少なくとも50ミクロン等の、少なくとも5ミクロンであってよい。別の実施形態では、ガラス組成物は、10000ミクロン以下の厚さを有してもよい。例えば、前記厚さは、ガラス組成物の用途によって所望されるように、2000ミクロン以下、900ミクロン以下、700ミクロン以下または500ミクロン以下等の、5000ミクロン以下であってもよい。さらなる実施形態では、ガラス組成物は、本明細書に開示される最小値と最大値の任意の間の厚さを有することができる。例えば、前記厚さは、5ミクロン〜5000ミクロン、20ミクロン〜900ミクロン、30ミクロン〜700ミクロンまたは50ミクロン〜500ミクロン等の、1ミクロン〜10000ミクロン、5ミクロン〜5000ミクロン、20ミクロン〜900ミクロン、30ミクロン〜700ミクロンまたは50ミクロン〜500ミクロンの範囲であってもよい。
さらなる実施形態では、ガラス組成物の特定の用途において所望されるように、ガラス組成物の厚さは、コート−ドライ−コート−ドライ−焼成またはコート−ドライ−焼成−コート−ドライ−焼成アプローチを繰り返して使用することによって築き上げるのをコントロールすることができる。ガラススラリーコートは乾燥させることができ、連続したコートを乾燥したガラス粉末上に繰り返して沈着させて所望の厚さを達成することができる。それぞれの連続コートに対して、別のコートを塗布する前に以前のコートを乾燥させることが望ましく、次いでマルチコートを単一の熱処理で一緒に焼成することができる。あるいは、ガラス組成物の追加の層を既に焼成された層の上に沈着させることができ、そしてこのプロセスを複数回繰り返して所望の厚さを達成することができる。
本明細書に記述したCTEは、25℃〜700℃で測定したCTEである。上述のアニーリング条件と併せて、CTEは、少なくとも10.3ppm/℃または少なくとも10.6ppm/℃等の、少なくとも9.0ppm/℃であってもよい。別の実施形態では、ガラス組成物は、12.7ppm/℃以下、または12.5ppm/℃以下等の、13.0ppm/℃以下のCTEを有してもよい。さらに別の実施形態では、ガラス組成物は、9.0ppm/℃〜13.0ppm/℃、10.3ppm/℃〜12.7ppm/℃または10.6ppm/℃〜12.5ppm/℃のCTEを有してもよい。ガラス組成物の用途に応じて、ガラス組成物のCTEは、シールされ、ボンドされまたはジョイントされる材料のそれに密接に合わせることができる。例えば、11.0ppm/℃〜12.5ppm/℃の範囲のCTEを有するガラス組成物は、SOFCと共に使用するのによく適している。別の実施形態では、10.6ppm/℃〜12.5ppm/℃のCTEを有するガラス組成物は、酸素輸送膜(OTM)と共に使用するのに適し得る。
本明細書に記述した実施形態は、ガラス組成物が比較的低温で形成され、なお所望のCTEを得ることを可能にする。BaO、AlおよびSiOの量の柔軟性は、ガラス組成物を特定の用途に合わせて調整することを可能にすることができる。比較的低いアニーリング温度は、不都合な材料相互作用のリスクがより低いガラス組成物を使用してシール、ボンドまたはジョイントを可能にする。
多くの異なる態様および実施形態が可能である。それらの態様および実施形態のいくつかは、本明細書で記述される。本明細書を読んだ後、当業者は、それらの態様および実施形態が単なる例示であり、本発明の範囲を限定しないことを理解するであろう。実施形態は、以下に列挙する実施形態のいずれか一つ以上に従ってよい。
実施形態1。本発明の方法は、
第1の材料を第2の材料と接触させて配置することを含み、ここで第1の材料は、SiO、AlおよびBaOを含むガラス前駆体材料を含み、そして第2の材料は、金属、金属合金、金属化合物、セラミック材料またはその任意の組み合わせを含み、および
前記第1の材料をアニールして前記第2の材料と接触するガラス組成物を形成することを含み、ここでアニーリングを単一温度で行い、前記ガラス組成物は、少なくとも30体積%の結晶画分を有する。
実施形態2。本発明の方法は、
第1の材料を第2の材料と接触させて配置することを含み、ここで第1の材料は、SiO、AlおよびBaOを含むガラス前駆体材料を含み、そして第2の材料は、金属、金属合金、金属化合物、セラミック材料またはその任意の組み合わせを含み、および
前記ガラス組成物をアニールして前記第2の材料と接触するガラス組成物を形成することを含み、ここでアニーリングを、750℃〜1000℃の範囲の単一温度で行う。
実施形態3。アニーリングを、少なくとも750℃、少なくとも775℃または少なくとも800℃の温度で行う、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態4。アニーリングを、1000℃以下、975℃以下または950℃以下の温度で行う、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態5。アニーリングを、750℃〜1000℃、775℃〜975℃または800℃〜950℃の範囲の温度で行う、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態6。アニーリングを、少なくとも2時間、少なくとも3時間または少なくとも4時間の時間行う、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態7。アニーリングを、24時間以下、16時間以下または12時間以下の時間行う、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態8。アニーリングを、2時間〜24時間、3時間〜16時間または4時間〜12時間の範囲の時間行う、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態9。本発明の方法は、
第1の材料を第2の材料と接触させて配置することを含み、ここで第1の材料は、SiO、AlおよびBaOを含むガラス前駆体材料を含み、そして第2の材料は、金属、金属合金、金属化合物、セラミック材料またはその任意の組み合わせを含み、および
前記第1の材料をアニールして前記第2の材料と接触するガラス組成物を形成することを含み、ここでアニーリングを、
第1の部分を初回は第1の温度で行い、そして
第2の部分を二回目は第2の温度で行い、
ここで、
前記第1の温度は前記第2の温度と異なり、そして
前記初回、前記二回目または前記初回および前記二回目のそれぞれは、少なくとも9時間である。
実施形態10。前記第1の部分、前記第2の部分または前記第1および前記第2の部分のそれぞれを、少なくとも750℃、少なくとも775℃または少なくとも800℃の温度で行う、実施形態9に記載の方法。
実施形態11。前記第1の部分、前記第2の部分または前記第1および前記第2の部分のそれぞれを、1000℃以下、975℃以下または950℃以下の温度で行う、実施形態9または10に記載の方法。
実施形態12。前記第1の部分、前記第2の部分または前記第1の部分および前記第2の部分のそれぞれを、750℃〜1000℃、775℃〜975℃または800℃〜950℃の範囲の温度で行う、実施形態9〜11のいずれか一つに記載の方法。
実施形態13。アニーリングを、24時間以下、16時間以下または12時間以下の時間行う、実施形態9〜12のいずれか一つに記載の方法。
実施形態14。アニーリングを真空下で行う、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態15。アニーリングを大気圧で行う、実施形態1〜13のいずれか一つに記載の方法。
実施形態16。アニーリングを大気圧より高い圧力で行う、実施形態1〜13のいずれか一つに記載の方法。
実施形態17。アニーリングを空気中で行う、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態18。アニーリングを、空気とは異なる分圧のN、空気とは異なる分圧のO、空気とは異なる分圧の希ガスまたはその任意の組み合わせ中で行う、実施形態1〜16のいずれか一つに記載の方法。
実施形態19。アニーリングを空気とは異なる分圧のAr中で行う、実施形態1〜16および18のいずれか一つに記載の方法。
実施形態20。前記ガラス組成物が、少なくとも9.0ppm/℃、少なくとも10.3ppm/℃または少なくとも10.6ppm/℃の25℃〜700℃の熱膨張係数を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態21。前記ガラス組成物が、13.0ppm/℃以下、12.7ppm/℃以下または12.5ppm/℃以下の25℃〜700℃の熱膨張係数を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態22。前記ガラス組成物が、9.0ppm/℃〜13.0ppm/℃、10.3ppm/℃〜12.7ppm/℃または10.6ppm/℃〜12.5ppm/℃の25℃〜700℃の熱膨張係数を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態23。前記ガラス組成物が、少なくとも30体積%、少なくとも40体積%または少なくとも50体積%の結晶画分を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態24。前記ガラス組成物が、80体積%以下、70体積%超または60体積%超の結晶画分を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態25。前記ガラス組成物が、30体積%〜80体積%、40体積%〜70体積%または50体積%〜60体積%の範囲の結晶画分を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態26。前記ガラス組成物が、少なくとも1ミクロン、少なくとも11ミクロンまたは少なくとも15ミクロンのサイズを有する微結晶を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態27。前記ガラス組成物が、55ミクロン以下、50ミクロン以下または45ミクロン以下のサイズを有する微結晶を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態28。前記ガラス組成物が、1ミクロン〜55ミクロン、11ミクロン〜50ミクロンまたは15ミクロン〜45ミクロンの範囲のサイズを有する微結晶を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態29。前記ガラス組成物が、シール、ボンドまたはジョイントの一部の中にある、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態30。前記ガラス組成物が、少なくとも1ミクロン、少なくとも5ミクロン、少なくとも20ミクロン、少なくとも30ミクロンまたは少なくとも50ミクロンの範囲の厚さを有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態31。前記ガラス組成物が、10,000ミクロン以下、5000ミクロン以下、900ミクロン以下、700ミクロン以下または500以下の厚さを有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態32。前記ガラス組成物が、1ミクロン〜10000ミクロン、5ミクロン〜5000ミクロン、20ミクロン〜900ミクロン、30ミクロン〜700ミクロンおよび50ミクロン〜500ミクロンの範囲の厚さを有する、前記実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態33。前記ガラス組成物中のSiO:BaOのモル比が、少なくとも0.6:1、少なくとも0.8:1または少なくとも1:1である、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態34。前記ガラス組成物中のSiO:BaOのモル比が、6:1以下、5:1以下または4:1以下である、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態35。前記ガラス組成物中のSiO:BaOのモル比が、0.6:1および8:1、0.8:1〜5:1、または1:1および4:1の範囲内である、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態36。前記ガラス組成物中のSiO:Alのモル比が少なくとも1:1、少なくとも2:1または少なくとも3:1である、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態37。前記ガラス組成物中のSiO:Alのモル比が9:1以下、8:1以下または7:1以下である、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施例38。前記ガラス組成中のSiO:Alのモル比が1:1および9:1、2:1〜8:1、または3:1および7:1の範囲内である、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施例39。前記ガラス組成物が、1モル%〜9.9モル%、1.5モル%〜9モル%または2モル%〜8モル%の範囲のAl含有量を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態40。ガラス組成物が、少なくとも1モル%、少なくとも1.5モル%または少なくとも2モル%のAl含有量を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態41。ガラス組成物が、9.9モル%以下、少なくとも9モル%または少なくとも8モル%のAl含有量を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態42。ガラス組成物が、1モル%〜9.9モル%、1.5モル%〜9モル%または2モル%〜8モル%の範囲のAl含有量を含む、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態43。ガラス組成物が、少なくとも56モル%、少なくとも58モル%または少なくとも60モル%のSiO含量を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態44。ガラス組成物が、69モル%以下、少なくとも67モル%または少なくとも65モル%のSiO含有量を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態45。ガラス組成物が、56モル%〜69モル%、58モル%〜67モル%または60モル%〜65モル%の範囲のSiO含有量を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態46。ガラス組成物が、少なくとも28モル%、少なくとも29モル%または少なくとも30モル%のBaO含量を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態47。ガラス組成物が、36モル%以下、少なくとも35モル%、または少なくとも34モル%のBaO含有量を有する、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態48。ガラス組成が、28モル%〜36モル%、29モル%〜35モル%または30モル%〜34モル%の範囲のBaO含有量を有する、前記実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態49。前記ガラス組成物が、NaO、KO、MgO、CaO、SrO、ZrO、TiOまたはそれらの任意の組み合わせを含む微量酸化物を含む、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態50。前記微量酸化物が0.5モル%以下の量である、実施形態49に記載の方法。
実施形態51。前記第2の材料が、金属、金属合金または金属化合物である、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態52。前記金属が、ニッケル、チタン、タングステンまたはそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態51に記載の方法。
実施形態53。前記第2の材料がセラミックである、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態54。前記セラミックが、ジルコニウム、イットリウム、ストロンチウム、チタン、マンガン、ランタン、クロム、アルミニウム、カルシウム、またはそれらの任意の組み合わせの酸化物を含む、実施形態53に記載の方法。
実施形態55。前記第二の材料が燃料電池の電極の一部である、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態56。前記第二の材料が燃料電池の電解質の一部である、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態57。前記第二の材料が燃料電池用のマニホールドの一部である、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態58。前記第二の材料が燃料電池用の相互接続部の一部である、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態59。前記第二の材料が酸素輸送膜の一部である、先の実施形態のいずれか一つに記載の方法。
実施形態60。先の実施形態のいずれか一つに記載の方法によって形成された前記材料および前記ガラス組成物を含む物品。
上述のような実施形態に従って形成された実施例は、比較的低温のアニーリングを許容可能なCTEおよび良好な結晶化フラクションを備えたガラス組成物を形成するために使用できることを実証するために提示される。本実施例は、説明するためのものであり、添付の特許請求の範囲を限定するものではない。
試料を以下の表1に示す組成で調製した。
試料A〜Dのそれぞれの一部分を850℃で8時間アニールし、試料A〜Dの別の部分を900℃で8時間アニールし、そして、試料A〜Dのそれぞれのさらなる部分を850℃で12時間アニールして、続いて900℃で12時間アニールした。すべてのアニールを空気中で大気圧で行った。
CTEを、25℃〜700℃の温度範囲にわたって測定した。図1は、データを備えた棒グラフを含む。同じアニーリング条件に対して、Al含有量が増加するにつれてCTEが減少する。試料A〜Dは、SOFC中での使用に適しており、そしてそのような試料のうち、試料Aは、SOFC中の材料により密接に適合するCTEを有する。試料B〜Dは、いくつかのアニーリング条件に対して使用することができる。材料の相互作用は、温度および時間が増加するにつれてより重要になり得る。したがって、試料Aは、850℃で8時間アニールした時、他のアニーリング条件と比較して、SOFCに対してCTEの良好な組み合わせ、および比較的低い温度および時間に起因する不都合な材料相互作用のより低い可能性を有する。他の試料は、他の特定の用途に適し得る。例えば、SOFCの電解質層は、10.5ppm/℃のCTEを有し、試料Bは、電解質層と共に使用するのにより適し得る。
図2〜図4は、それぞれ試料B〜Dの顕微鏡写真を含み、そのうち試料B〜Dのミクロ構造が示されている。これらの試料の各々を900℃で8時間アニールした。結晶化は、これらの試料において資料間で目に見える差異を伴って見ることができる。
本明細書に開示された方法は、900℃より高い温度で電気化学デバイスの金属材料でしばしば起こる、不都合な材料相互作用および金属拡散を減少させるための低温アニーリングを巧みに活用する。本方法に従って形成されたガラス組成物は、一般に適切な結晶化および良好な焼結性を実証する。さらに、有利なCTEを有するガラス組成物は、電気化学装置または、酸素輸送膜、水素輸送膜、セラミック膜反応器等の、シールが高CTE材料の間で要求される様々なイオン輸送装置、または高温電解での使用のために適用することができる。本明細書に開示されるガラス組成物および方法は、これらの用途において所望されるような、堅牢で、密閉されたシール、ジョイント、またはボンドを提供し、そしてシーラントとデバイスとの間のCTEの不一致による熱応力を最小限に抑えることにより、より長いデバイスの寿命に貢献することを期待することができる。
なお、一般的な説明または実施例において上述の活動のすべてが必要であるとは限らず、特定の活動の一部分が必要でなくてもよく、記載されたそれらに加えて一つ以上のさらなる活動が行われてもよい。さらに、活動が列挙される順序は、必ずしもそれらが行われる順序ではない。
明瞭にするために、別個の実施形態の文脈において本明細書に記載される特定の特徴はまた、単一の実施形態での組み合わせで提供されてもよい。逆に、簡潔にするために、単一の実施形態の文脈で記載される様々な特徴はまた、別々にまたは任意のサブコンビネーションで提供されてもよい。さらに、範囲内に記載された値への言及は、その範囲内の各々のおよびあらゆる値を含む。
利点、他の利益、および問題に対する解決策は、特定の実施形態に関して上述されている。しかしながら、利点、利益、問題に対する解決策、およびいかなる利点、利益、または発生するかまたは顕著になる解決策を起こし得るいかなる一つまたは複数の特徴は、請求項のいずれかまたはすべての重要な、必要な、または必須の特徴として解釈されるべきではない。
本明細書に記載された実施形態の明細書および図は、様々な実施形態の構成の一般的な理解を提供することを意図している。明細書および図は、本明細書に記載の構成または方法を使用する装置およびシステムの要素および特徴のすべての網羅的かつ包括的な説明としての役割を果たすことを意図するものではない。別の実施形態はまた、単一の実施形態での組み合わせで提供することも可能で、逆に、簡潔にするために、単一の実施形態の文脈で説明される様々な特徴はまた、別にまたは任意のサブコンビネーションで提供することも可能である。さらに、範囲内に記載された値への言及は、その範囲内の各々のおよびあらゆる値を含む。多くの他の実施形態は、本明細書を読んだ後にのみ当業者に明らかであり得る。本開示の範囲から逸脱することなく、構造的置換、論理的置換、または他の変更を行ってもよいように、他の実施形態を使用してもよく本開示から誘導してもよい。したがって、本開示は限定的ではなく例示的なものとみなされるべきである。

Claims (15)

  1. 方法であって、
    第1の材料を第2の材料と接触させて配置することを含み、ここで第1の材料は、SiO、AlおよびBaOを含むガラス前駆体材料を含み、そして第2の材料は、金属、金属合金、金属化合物、セラミック材料またはその任意の組み合わせを含み、および
    前記第1の材料をアニールして前記第2の材料と接触するガラス組成物を形成することを含み、ここでアニーリングを単一温度で行い、そして前記ガラス組成物は、少なくとも30体積%の結晶画分を有する、前記方法。
  2. 方法であって、
    第1の材料を第2の材料と接触させて配置することを含み、ここで第1の材料は、SiO、AlおよびBaOを含むガラス前駆体材料を含み、そして第2の材料は、金属、金属合金、金属化合物、セラミック材料またはその任意の組み合わせを含み、および
    前記ガラス組成物をアニールして前記第2の材料と接触するガラス組成物を形成することを含み、ここでアニーリングを、750℃〜1000℃の範囲の単一温度で行う、前記方法。
  3. アニーリングを、750℃〜1000℃、775℃〜975℃または800℃〜950℃の範囲の温度で行う、請求項1又は2記載の方法。
  4. 方法であって、
    第1の材料を第2の材料と接触させて配置することを含み、ここで第1の材料は、SiO、AlおよびBaOを含むガラス前駆体材料を含み、そして第2の材料は、金属、金属合金、金属化合物、セラミック材料またはその任意の組み合わせを含み、および
    前記第1の材料をアニールして前記第2の材料と接触するガラス組成物を形成することを含み、ここでアニーリングを、
    第1の部分を初回は第1の温度で行い、そして
    第2の部分を二回目は第2の温度で行うことを含み、
    ここで、
    第1の温度は第2の温度と異なり、そして
    初回、二回目または初回および二回目のそれぞれは、少なくとも9時間である、前記方法。
  5. 前記第1の部分、前記第2の部分または前記第1と第2の部分のそれぞれを、750℃〜1000℃、775℃〜975℃または800℃〜950℃の範囲の温度で行う、請求項4に記載の方法。
  6. 前記ガラス組成物が、9.0ppm/℃〜13.0ppm/℃、10.3ppm/℃〜12.7ppm/℃または10.6ppm/℃〜12.5ppm/℃の範囲で25℃〜700℃の熱膨張係数を有する、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記ガラス組成物が、30体積%〜80体積%、40体積%〜70体積%または50体積%〜60体積%の範囲の結晶画分を有する、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記ガラス組成物が、1ミクロン〜55ミクロン、11ミクロン〜50ミクロンまたは15ミクロン〜45ミクロンの範囲のサイズを有する微結晶を有する、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記ガラス組成物中のSiO:BaOのモル比が、0.6:1〜8:1、0.8:1〜5:1または1:1〜4:1の範囲である、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
  10. 前記ガラス組成物中のSiO:Alのモル比が1:1〜9:1、2:1〜8:1または3:1〜7:1の範囲である、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
  11. 前記ガラス組成物が、1モル%〜9.9モル%、1.5モル%〜9モル%または2モル%〜8モル%の範囲のAl含有量を有する、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
  12. ガラス組成物が、56モル%〜69モル%、58モル%〜67モル%または60モル%〜65モル%の範囲のSiO含有量を有する、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
  13. ガラス組成物が、28モル%〜36モル%、29モル%〜35モル%または30モル%〜34モル%の範囲のBaO含有量を有する、請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。
  14. 前記ガラス組成物が、NaO、KO、MgO、CaO、SrO、ZrO、TiOまたはこれらの任意の組み合わせを含む微量酸化物を含む、請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。
  15. 前記第2の材料が、金属、金属合金、金属化合物、またはセラミックを含む、請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。

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