JP2017531320A - Bending of image sensors using tension. - Google Patents
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Abstract
湾曲した表面を有する画像センサチップを加工する技法は、撮像センサチップの第1の表面の上に曲げ基板を配置することを含む。撮像センサチップの第1の表面は、受光する光に応答して電気信号を生成する光センサを含む。加工することは、画像センサチップに力を加えて湾曲した撮像センサチップをもたらすよう曲げ基板を曲げることも含む。湾曲した撮像センサチップの第2の表面は、背面基板に付着させられてよい。第2の表面は、第1の表面の反対側にある。曲げ基板は、撮像センサチップの第1の表面から除去されてよい。A technique for processing an image sensor chip having a curved surface includes placing a bending substrate over the first surface of the imaging sensor chip. The first surface of the imaging sensor chip includes an optical sensor that generates an electrical signal in response to received light. Processing also includes bending the bending substrate to apply a force to the image sensor chip to provide a curved imaging sensor chip. The second surface of the curved imaging sensor chip may be attached to the back substrate. The second surface is opposite the first surface. The bent substrate may be removed from the first surface of the imaging sensor chip.
Description
光学系は、ほんの数例を挙げるだけでも、カメラ、望遠鏡、双眼鏡、オフィス機器、及び科学機器のような、多くのデバイスにおいて一般的に用いられている。光学系は、レンズ、ミラー、及び/又は1つ若しくはそれよりも多くの光検知(light sensing)デバイスを含むことがある。光学系の性能は、部分的に、要素間の光学的な相互作用を示す、光学系の全体的な設計並びに光学系の要素の各々の設計に依存する。例えば、1つのレンズの光出力は、後続のレンズ又は光検知デバイスの光入力であることがある。 Optical systems are commonly used in many devices, such as cameras, telescopes, binoculars, office equipment, and scientific equipment, to name just a few. The optical system may include lenses, mirrors, and / or one or more light sensing devices. The performance of the optical system depends, in part, on the overall design of the optical system as well as the design of each of the elements of the optical system, which shows the optical interaction between the elements. For example, the light output of one lens may be the light input of a subsequent lens or light sensing device.
電荷結合素子(CCDs)又はフォトダイオードのような、光検知デバイスが、様々な光学系内に存在する。しばしば、CCDsは、シリコン基板上に組み立てられるアレイ内に構成される。CCDアレイに光を提供する光学系の部分は、少なくとも部分的に、CCDアレイの大きさ、CCDアレイの解像度、及び光学系の残余に対するCCDアレイの位置付けのような、CCDアレイの具体的な詳細に基づき、設計されてよい。 Light sensing devices, such as charge coupled devices (CCDs) or photodiodes, exist in various optical systems. Often, CCDs are organized in an array that is assembled on a silicon substrate. The portion of the optical system that provides light to the CCD array is at least in part specific details of the CCD array, such as the size of the CCD array, the resolution of the CCD array, and the positioning of the CCD array relative to the remainder of the optical system. May be designed based on
この開示は、画像センサを曲げる並びに形作る技法及びアーキテクチャを記載する。具体的には、例えば、シリコン又はゲルマニウムのような、比較的脆い基板の上に加工される(fabricated)画像センサは、画像センサの感光(light-sensitive)表面が球面、非球面、又は他の形状を有するように湾曲させられるよう、曲げられてよい。 This disclosure describes techniques and architectures for bending and shaping image sensors. Specifically, for example, a fabricated image sensor fabricated on a relatively fragile substrate, such as silicon or germanium, has a light-sensitive surface of the image sensor that is spherical, aspheric, or other It may be bent to be curved to have a shape.
画像センサを曲げるために、曲げ基板は、画像センサの感光表面に結合させられ或いは堆積させられてよい。画像センサに張力を導入するために、力又はトルクが曲げ基板に加えられる。張力は、多数の湾曲形状のうちのいずれかへの画像センサの曲げをもたらす。力又はトルクは、所望の湾曲形状に依存して、比較的均一に又は非均一に加えられてよい。 In order to bend the image sensor, the bending substrate may be bonded or deposited on the photosensitive surface of the image sensor. A force or torque is applied to the bending substrate to introduce tension to the image sensor. Tension results in bending of the image sensor to any of a number of curved shapes. The force or torque may be applied relatively uniformly or non-uniformly depending on the desired curved shape.
この概要は、発明を実施するための形態において以下に更に詳細に記載する一揃いの着想を簡略化された形態において知らせるために提供される。この概要は請求する主題の鍵となる構成または本質的な構成を特定することを意図せず、請求する主題の範囲を限定するために用いられることも意図しない。例えば、「技法」(techniques)という用語は、上記文脈において並びに本文書を通じて許容されるような技法を行うために用いられてよい、加工機器(fabricating equipment)、制御システム(control system(s))、方法(method(s))、コンピュータ可読指令(computer-readable instructions)、モジュール(module(s))、アルゴリズム(algorithms)、又はハードウェア論理(例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ(EPGAs)、特定用途向け集積回路(ASICs)、特定用途向け規格品(ASSPs)、システム・オン・チップシステム(SOCs)、結合プログラム可能論理回路(CPLDs))を指すことがある。 This summary is provided to introduce a selection of concepts in a simplified form that are described in further detail below in the Detailed Description. This summary is not intended to identify key or essential features of the claimed subject matter, nor is it intended to be used to limit the scope of the claimed subject matter. For example, the term “techniques” may be used in the above context as well as to perform techniques as permitted throughout this document, fabricating equipment, control systems (s). , Methods (s), computer-readable instructions, modules (module (s)), algorithms, or hardware logic (eg field programmable gate arrays (EPGAs), application specific Integrated circuits (ASICs), application specific standards (ASSPs), system-on-chip systems (SOCs), coupled programmable logic circuits (CPLDs)).
発明を実施するための形態は、添付図面を参照して示される。図面において、参照番号の最左側のディジットは、参照番号が最初に現れる図面を特定している。異なる図中での同じ参照番号の使用は、類似の又は同一の品目又は構成を示している。 The detailed description is described with reference to the accompanying figures. In the drawings, the leftmost digit of a reference number identifies the drawing in which the reference number first appears. The use of the same reference numbers in different figures indicates similar or identical items or configurations.
(概要)
一般的に、光学系は、レンズ、ミラー、及び/又は電荷結合素子(CCDs)若しくは光エネルギを電気信号に変換し得る他のデバイスのような、1つ若しくはそれよりも多くの光検知(light sensing)デバイスを含んでよい。複数のCCDsが、例えば、シリコン、ゲルマニウム、又は他の半導体材料であってよい、基板上に加工される(fabricated)アレイ(例えば、画素化アレイ)において構成されてよい。基板上に加工される、多数の構成のうちのいずれかにおけるCCDsのアレイ又は他の光検知実体のような、感光デバイスを、ここでは「画像センサチップ」(“image sensor chip”)と呼ぶ。しかしながら、この名称は、必ずしも画像を検知するように構成される必要がなく、むしろあらゆる(可視的な又は可視的でない)光信号を検知するように構成されてよい、光センサを指すことがあることが留意されなければならない。
(Overview)
In general, an optical system includes one or more light sensing devices such as lenses, mirrors, and / or charge coupled devices (CCDs) or other devices that can convert light energy into an electrical signal. sensing) device. A plurality of CCDs may be configured in a fabricated array (eg, a pixelated array) that may be, for example, silicon, germanium, or other semiconductor material. A photosensitive device, such as an array of CCDs or other light sensing entities in any of a number of configurations fabricated on a substrate, is referred to herein as an “image sensor chip”. However, this name may not necessarily be configured to detect an image, but rather may refer to an optical sensor that may be configured to detect any (visible or invisible) optical signal. It must be noted.
画像センサチップは、画像センサチップの感光(light-sensitive)表面が湾曲した形状を有するように曲げられてよく、それは平坦表面の画像センサチップと比べて光学系の設計に多数の利点をもたらすことがある。具体的には、レンズ及び/又はミラーを含む光学系は、光学系が湾曲した画像センサチップを含むときに、平坦表面の画像センサチップと比べて、より少ない設計制約を有する。例えば、球面又は非球面を有する画像センサチップは、画像センサチップの表面に亘る比較的均一な光強度及び空間周波数応答をもたらす高性能な光学系をもたらすことがある。 The image sensor chip may be bent so that the light-sensitive surface of the image sensor chip has a curved shape, which provides a number of advantages to the design of the optical system compared to a flat surface image sensor chip. There is. Specifically, an optical system that includes a lens and / or mirror has fewer design constraints when the optical system includes a curved image sensor chip than a flat surface image sensor chip. For example, an image sensor chip having a spherical or aspheric surface may provide a high performance optical system that provides a relatively uniform light intensity and spatial frequency response across the surface of the image sensor chip.
様々な実施態様において、画像センサチップは、「曲げ基板」(“bending substrate”)を画像センサチップの感光表面の上に結合すること又は堆積することを含むプロセスにおいて曲げられてよい。剪断力を画像センサチップに加えるよう、力又はトルクが曲げ基板に加えられる。これはチップの表面に亘って比較的均一な張力を導入する。そのような均一性は、比較的脆い画像センサチップの望ましくない亀裂又は座屈を回避するのを助ける。張力は湾曲した形状への画像センサチップの曲げを引き起こす。幾つかの実施態様では、望ましくない亀裂又は座屈を伴わずに、非均一な張力を選択的に導入し得る。 In various embodiments, the image sensor chip may be bent in a process that includes bonding or depositing a “bending substrate” onto the photosensitive surface of the image sensor chip. A force or torque is applied to the bending substrate to apply a shear force to the image sensor chip. This introduces a relatively uniform tension across the surface of the chip. Such uniformity helps to avoid undesirable cracking or buckling of the relatively fragile image sensor chip. The tension causes the image sensor chip to bend into a curved shape. In some embodiments, non-uniform tension can be selectively introduced without undesirable cracking or buckling.
加えて、曲げ基板は、張力によって画像センサチップを変形させ或いは曲げてよい。画像センサチップは、圧縮させられた状態にあるときに比べて、引張状態(in tension)にあるときに比較的低い暗電流を有することがあるので、張力(tension)を用いて画像センサチップを曲げることは有益なことがある。従って、曲げ基板は、所望の形状に曲げられ或いは変形させられる間に、画像センサチップの面積の実質的な部分が引張状態にあるように、設計されてよい。そのような設計は、画像センサチップを中立の曲げ軸の張力側に配置するよう、少なくとも部分的に、曲げ基板の剛性(stiffness)及び/又は厚さに基づいてよい。 In addition, the bending substrate may deform or bend the image sensor chip by tension. An image sensor chip may have a relatively low dark current when in tension compared to when it is in a compressed state. It can be beneficial to bend. Thus, the bending substrate may be designed such that a substantial portion of the area of the image sensor chip is in tension while being bent or deformed into a desired shape. Such a design may be based at least in part on the stiffness and / or thickness of the bending substrate to position the image sensor chip on the tension side of the neutral bending axis.
様々な実施態様において、湾曲した画像センサチップは背面基板(backside substrate)に結合され、それは画像センサチップの湾曲した形状を維持するのに役立つ。画像センサチップを背面基板に結合することに続き、曲げ基板は(例えば、画像センサチップの感光表面を晒すよう)取り除かれてよい。 In various embodiments, the curved image sensor chip is coupled to a backside substrate, which helps maintain the curved shape of the image sensor chip. Following bonding of the image sensor chip to the back substrate, the bent substrate may be removed (eg, to expose the photosensitive surface of the image sensor chip).
様々な実施態様において、曲げ基板に結合される湾曲した画像センサチップの組み合わせは、スタンドアローン(独立型)の光学デバイスを含んでよく、引き続き、光学デバイスは、光学系内に組み込まれてよい。幾つかの実施において、そのような組み合わせは、画像センサチップの背面(例えば、感光表面と反対の側)に取り付けられる背面基板を含んでよい。例えば、製造業者は、曲げ基板に(そして、幾つかの場合には、背面基板に)結合される湾曲した画像センサチップの組み合わせを含む光学デバイスを加工してよい。製造業者は、そのような光学デバイスを、光学系を生産する他の製造業者に供給してよい。光学デバイスは、そのような光学系に組み込まれてよい。幾つかの実施において、光学系を生産する製造業者は、貯蔵又は搬送中の損傷から発光表面を保護するように働くことがある曲げ基板を、画像センサチップから取り除いてよい。 In various embodiments, the combination of curved image sensor chips coupled to the bending substrate may include a stand-alone optical device, which may subsequently be incorporated into the optical system. In some implementations, such a combination may include a back substrate that is attached to the back side of the image sensor chip (eg, the side opposite the photosensitive surface). For example, a manufacturer may process an optical device that includes a combination of curved image sensor chips that are coupled to a bending substrate (and in some cases to a back substrate). Manufacturers may supply such optical devices to other manufacturers that produce optical systems. The optical device may be incorporated into such an optical system. In some implementations, the manufacturer that produces the optical system may remove the bent substrate from the image sensor chip that may serve to protect the light emitting surface from damage during storage or transport.
様々な実施態様において、背面基板に結合される湾曲した画像センサチップの組み合わせは、スタンドアローンの光学デバイスを含んでよく、引き続き、光学デバイスは、光学系内に組み込まれてよい。例えば、製造業者は、背面基板に結合された湾曲した画像センサチップの組み合わせを含む光学デバイスを加工してよい。製造業者は、そのような光学デバイスを、光学系を生産する他の製造業者に供給してよい。光学デバイスは、そのような光学系内に組み込まれてよい。 In various embodiments, the curved image sensor chip combination coupled to the back substrate may include a stand-alone optical device, which may subsequently be incorporated into the optical system. For example, a manufacturer may process an optical device that includes a combination of curved image sensor chips coupled to a back substrate. Manufacturers may supply such optical devices to other manufacturers that produce optical systems. The optical device may be incorporated into such an optical system.
図1乃至20を更に参照して、様々な例示的な実施態様を記載する。 With further reference to FIGS. 1-20, various exemplary embodiments will be described.
(例示的な環境)
図1は、様々な実施態様に従った画像センサチップ100の頂面図である。画像センサチップ100は、半導体基板102を含み、感光部分104が半導体基板102の上に組み立てられる。CCDアレイであってよい感光部分104は、複数の感光要素106を含む。各々のそのような感光要素106は、例えば、部分的に、感光部分104によって生成される、画像の画素(ピクセル)に対応してよい。感光部分104をアクティブ領域は光エネルギを電気エネルギ又は電気信号に変換し得る「アクティブ領域」(“active region”)と呼ぶことがある。その他のことが記されない限り、「光」(“light”)という用語は、スペクトルのいずれかの部分における電磁エネルギを指す。よって、例えば、光又は光エネルギは、電磁スペクトルの可視部分、赤外(IR)部分、近赤外(NIR)部分、及び紫外(UV)部分を含む。
(Example environment)
FIG. 1 is a top view of an
非アクティブ領域108(inactive region)が、少なくとも部分的に、感光部分104を取り囲む。感光要素がない非アクティブ領域108は、感光部分104を作動させるための、様々な回路要素、導電性トレース等を含んでよい。例えば、感光部分104がCCDアレイであるならば、非アクティブ領域108は、CCD要素の行列を制御する回路構成を含んでよい。感光部分104及び非アクティブ領域108の各々は、画像センサチップ100の領域の任意の部分を占めてよい。感光部分104は、任意のアスペクト比(例えば、幅対高さ)を有する正方向又は長方形であってよい。
An
半導体基板102は、そのような要素の組み合わせを含む、任意の数の要素を含んでよく、それらのいずれかは、追加的な不純物(例えば、ドーパント)を含むことがある。例えば、半導体基板102は、シリコン又はゲルマニウムであってよい。幾つかの実施例において、画像センサチップ100の厚さは、約5〜10ミクロンから最大1ミリメートルに及んでよい。
The
画像センサチップ100は、画像センサチップ100に特別な仕方で光をもたらす光学系内に組み込まれてよい。例えば、幾つかの実施において、レンズ系は、画像センサチップ100の場所と一致する焦点平面を有するように構成されてよい。具体的な実施において、レンズ系は、画像センサチップ100の湾曲バージョンの湾曲表面と一致する焦点表面を有するように構成されてよい。他の実施において、レンズ系は、画像センサチップ100の焦点距離と一致する焦点距離を有するように構成されてよい。光学系の光学要素(例えば、レンズ及び/又はミラー)は、少なくとも部分的に、焦点距離及び焦点平面の場所を決定してよい。具体的には、感光部分104に光をもたらす光学系の部分が、少なくとも部分的に、感光部分104の大きさ、感光部分104の解像度、及び光学系の残部に対する感光部分104の位置付けのような、感光部分104の具体的な詳細に基づき、設計されてよい。光学系の性能は、光学要素の間の光学的な相互作用を示す、光学系の全体的な設計並びに光学系の各々の光学要素の設計に依存する。例えば、1つのレンズの光出力は、後続のレンズの光入力であってよい。一般的に、光学要素及び互いに対するそれらの配置の品質は、解像度(例えば、画素に対応するCCD要素のような感光要素106の密度)増大するに応じて、増大する。例えば、そのような品質は、少なくとも部分的に、構造収差及び光学収差、光透過又は反射、光均一性、位置付け等を非限定的に含む、個々の光学要素のパラメータに基づくことがある。
The
図2乃至6は、幾つかの実施態様に従った、画像センサチップ100のような、画像センサチップを曲げる或いは形作る例示的なプロセスの様々な部分を例示している。そのようなプロセスは、手動で(例えば、人間によって)、自動的に(例えば、機械によって)、或いはそれらの組み合わせのいずれかで、あらゆる実体によって行われてよい。本明細書では、例えば、製造業者(manufacturer)、組立業者(assembler)、加工業者(fabricator)、建設業者(builder)であってよい、そのような実体を、「加工業者」(“fabricator”)と呼ぶ。
2-6 illustrate various portions of an exemplary process for bending or shaping an image sensor chip, such as
図2は、様々な実施態様に従った画像センサチップ200及び曲げ基板202の側面図である。画像センサチップ200は、例えば、図1に例示する感光表面104と同一又は類似であってよい、感光部分204を含む。幾つかの実施において、曲げ基板202は、画像センサチップ200の第1の表面206に結合され或いは積層される。加工業者は、接着剤208を用いて、そのような結合又は積層を行ってよい。しかしながら、幾つかの実施では、接着剤が用いられなくてよい。様々な実施において、第1の表面206の部分は、曲げ基板202に結合又は接着されなくてよい。例えば、第1の表面206の特定の領域は、曲げ基板202に結合され或いは接着されるのに対し、第1の表面206の他の特定の領域は、i)曲げ基板202と第1の表面206との間に空隙(図示せず)を含んでよく、或いはii)曲げ基板202と第1の表面206との間に接着剤208を欠いてよい。加工業者は、例えば、空隙を有する或いは接着剤を欠く第1の表面206の特定の領域を含めることによって、曲げ基板202から画像センサチップ200への張力の移転(よって、成形)を少なくとも部分的に制御してよい。
FIG. 2 is a side view of an
第1の表面206は、画像センサチップ200の感光部分である、感光部分204を含む。第1の表面206は、例えば、図1に例示する非アクティブ領域108と同一又は類似であってよい、非アクティブ領域210を含んでもよい。矢印212は、画像センサチップ200が受光するように構成される光の入射方向を示している。
The
画像センサチップ200のエッジ214は、曲げ基板202のエッジ216と整列しても整列しなくてもよい。幾つかの実施では、図2に例示するように、曲げ基板202は、画像センサチップ200のエッジ214を越えて延びてよい。他の実施において、画像センサチップ200は、曲げ基板202のエッジ216を越えて延びてよい。
The
曲げ基板202は、例えば、プラスチック、ポリマ、他の有機化合物、それらの組み合わせ、又は同等物のような、多数の材料のうちのいずれかを含んでよい。幾つかの実施例において、曲げ基板202の厚さは、画像センサチップ200の厚さよりも少なくとも数倍大きくてよい。具体的な実施例として、画像センサチップ200は、約5〜10ミクロンの厚さであってよく、曲げ基板202は、約50〜100ミクロンの厚さであってよい。画像センサチップ200の厚さは、10ミクロンよりもずっと大きくてよく、曲げ基板202は、画像センサチップ200よりも少なくとも数倍大きくてよい。幾つかの実施では、曲げ基板202の異なる部分が異なる厚さを有してよい。曲げ基板202のための材料の選択は、少なくとも部分的に、画像センサチップ200の剛性と比較した材料の剛性に基づいてよい。画像センサチップ200の剛性は、少なくとも部分的に、シリコン又はゲルマニウムであってよい画像センサチップ200の基板材料及び画像センサチップ200の厚さに基づいてよい。曲げ基板202の剛性は、少なくとも部分的に、曲げ基板202のために用いられる材料及び厚さに依存してよい。幾つかの実施において、曲げ基板202のために用いられる材料及び厚さは、曲げ基板202の異なる部分について異なってよい。従って、曲げ基板202の剛性は、画像センサチップ200の異なる部分に亘って異なってよい。例えば、画像センサチップ200の中央領域の上にある曲げ基板202の部分は、画像センサチップ200のエッジ領域の上にある曲げ基板202の部分と比較して比較的剛的であってよい。
The bending
曲げ基板202の材料の選択は、少なくとも部分的に、材料の熱特性に基づいてよい。例えば、選択される材料は、画像センサチップ200に対する損傷が起こることがある温度よりも実質的に下の温度で画像センサチップ200に適用されてよい。過剰な温度は、感光部分204、半導体基板、及び/又は画像センサチップ200の非アクティブ領域を傷めることがある。例えば、シリコンベースの画像センサチップの場合、摂氏200度よりも低い温度は安全であり、画像センサチップ200を傷めないことがある。同様に、そのような温度の考察は、画像センサチップ200から曲げ基板202のために用いられる材料を除去するプロセスに当て嵌まることがある。
The selection of the material for the
温度の考察に加えて、曲げ基板202のための材料の選択は、少なくとも部分的に、材料を画像センサチップ200に適用し、引き続き、画像センサチップ200から材料を除去する能力に基づくことがある。例えば、材料は、材料を画像センサチップ202に積層又は結合するのが比較的容易であるように、そして、如何なる残留する材料をも残さないで並びに/或いは感光部分204の如何なる物理的な特性をも変更しないで、材料が画像センサチップ200から離れるように、選択されてよい。
In addition to temperature considerations, the choice of material for the bending
図3は、幾つかの実施態様に従った、湾曲した画像センサチップ300と、様々な適用される力及びトルクに晒される曲げ基板302との、側面図である。幾つかの実施例において、湾曲した画像センサチップ300及び曲げ基板302は、図3に例示する曲げの前に、画像センサチップ200及び曲げ基板202と同一又は類似であってよい。例えば、加工業者は、力304及び/又はトルク306を曲げ基板202に加えて、画像センサチップ100を変形させて湾曲した画像センサチップ300をもたらす張力を導入してよい。曲げ基板及び/又は画像センサチップに加えられるそのような力及び/又はトルクは、構造(図示せず)が曲げ基板及び画像センサチップを支持し或いは保持する接点に位置することがある反力を生じさせることがある。例えば、テーブルの上の物体を押し下げる力は、物体を押し上げるテーブルの反力を生じさせる。図面における明確性のために、ここでは反力を例示していない。
FIG. 3 is a side view of a curved
湾曲した画像センサチップ300は、湾曲した第1の表面310の上に配置される湾曲した感光部分308を含む。接着剤208と同一又は類似であってよい接着剤312が、湾曲した画像センサチップ300及び曲げ基板302を互いに結合してよい。
The curved
加工業者は、多数の種類の力のうちのいずれかを曲げ基板302に加えて、画像センサチップ300を曲げてよい。例えば、曲げ基板302に隣接する加圧流体又はガス314が、曲げ基板302に対して力304を加えてよい。幾つかの実施において、図3中で矢印によって示す加圧流体又はガス314は、曲げ基板302の表面316の少なくとも部分に隣接する(例えば、フレキシブル嚢又は機械的アクチュエータ内に含められる)含有(contained)流体又はガスを含んでよい。加圧流体又はガス314は、表面316の上の異なる場所で異なる力304を加えてよい。幾つかの場合には、多数の形状のうちのいずれかを有する固体物体(図示せず)による機械的接触が、加圧流体又は314に取って代わって、力304を加えてよい。
The processor may apply any of a number of types of forces to the bending
他の実施において、加工業者は、1つ又はそれよりも多くの機械的デバイス318(それらの1つが図3に示されている)を曲げ基板302の部分に適用して、曲げ基板302にトルク(例えば、回転トルク)を加えてよい。例えば、加工業者は、エッジ320付近で機械的デバイス318を曲げ基板302の部分に適用してよい。幾つかの場合、機械的デバイス318は、曲げ基板302のエッジ付近でトルクを加えてよいのに対し、加圧流体又はガス314は、曲げ基板302の中央領域付近で力を生じさせる。(例えば、加圧流体又はガス314によってもたらされる)線形力及びトルクのそのような組み合わせは、互いに対する任意の割合関係において適用されてよい。例えば、加圧流体又はガス314によって曲げ基板302に対して加えられる力は、機械的デバイス318によって加えられる力の二倍であってよい。そのような割合及び線形力又はトルクの両方又は一方のみが同時に適用されるか否かは、少なくとも部分的に、(曲げられる前の)画像センサチップ300の物理的な詳細(例えば、剛性、厚さ等)及び湾曲した画像センサチップ300の所望の形状に依存することがある。幾つかの実施において、加工業者は、機械的デバイス318を曲げ基板302のエッジ320に適用することに加えて或いはそれに代えて、機械的デバイス318を画像センサチップ300のエッジ322に適用してよい。
In other implementations, the processor applies one or more mechanical devices 318 (one of which is shown in FIG. 3) to a portion of the
以下、湾曲した画像センサチップ300及び曲げ基板302の組み合わせをアセンブリ324と呼ぶ。幾つかの実施において、アセンブリ324は、背面基板のような剛的な物体と接触して配置されてよい。このようにして、力及び/又はトルクが曲げ基板302にもはや加えられなくなった後に、アセンブリ324の形状は不変に維持されてよい。
Hereinafter, the combination of the curved
図4は、様々な実施態様に従った、背面基板400の上に配置される湾曲した画像センサチップ300及び曲げ基板302を含むアセンブリ324の側面図である。具体的には、加工業者は、湾曲した第2の表面402の少なくとも部分が成形された表面404と接触するよう、図3に例示する湾曲した第1の表面310の反対側にある湾曲した画像センサチップ300の湾曲した第2の表面402を、背面基板400の成形された表面404と接合させてよい。矢印406は、湾曲した第2の表面402及び成形された表面404を互いに向かって動かすプロセスを示している。幾つかの実施では、クランプ機構又は保持機構(図示せず)のような物理的デバイスが、曲げ基板302のエッジ408によって湾曲した画像センサチップを保持することによって、湾曲した画像センサチップ300を運んでよい。
FIG. 4 is a side view of an
背面基板400は、成形された表面404の反対側にある底面410を含む。頂面図において、背面基板400は、正方形、長方形、円形、又は任意の他の形状であってよい。湾曲した画像センサチップ300及び背面基板400は同じ大きさを有するように図4に例示されているが、それらの大きさは異なってよい。例えば、背面基板400は、湾曲した画像センサチップ300よりも大きくてよい。成形された表面404は、湾曲した画像センサチップ300の所望の形状に対応する形状を有してよい。成形された表面404は、本の数例を挙げるだけでも、球面、放物線状、非球面、又は1つ又はそれよりも多くの反曲点を有する複合形状であってよい。
The
背面基板400は、アセンブリ324が湾曲した形状から直線になるために有することがある傾向に抗する程に十分に剛的である多数の材料のうちのいずれかを含んでよい。そのような材料は、例えば、金属、半導体材料、プラスチック、ガラス、セラミック等を含んでよい。以下、アセンブリ324及び背面基板400の組み合わせをアセンブリ412と呼ぶ。
The
背面基板400の底面及び/又は側面は、例えば、光学系内にアセンブリ412を取り付けるための穴及び/又は突起414を含んでよい。従って、アセンブリ412は、光学系内に組み込み得るスタンドアローンの光学デバイスであってよい。接着剤416を成形された表面404の上に或いは湾曲した第2の表面402の上に配置して、成形された表面404及び湾曲した表面を互いに結合してよい。
The bottom surface and / or side surface of the
図5は、様々な実施態様に従った、湾曲した画像センサチップ300と、曲げ基板302と、背面基板400とを含む、アセンブリ412の側面図である。幾つかの実施において、湾曲した第2の表面402及び成形された表面404の形状は、互いに同じでなくてよい。例えば、(例えば、図3に描くような)力及び/又はトルクが、画像センサチップ300を湾曲した形状に曲げるために曲げ基板302にもはや加えられないとき、曲げ基板及び湾曲した画像センサチップ300は、(例えば、弾力によって)直線になる傾向を有してよい。幾つかの場合には、力及び/又はトルクを過大形状の湾曲した画像センサチップ300に加えて、そのような傾向を補償してよい。他の場合には、そのような直線化は、成形された表面404と異なる曲率又は形状を有する湾曲した第2の表面402をもたらすことがある。そのような差は、成形された表面404と湾曲した第2の表面402のいずれかの部分との間の間隙又は空隙500をもたらすことがある。そのような間隙又は空隙は、湾曲した画像センサチップ300の光学的性能に必ずしも悪影響を及ぼさない。何故ならば、間隙又は空隙は、湾曲した感光部分308(図3)とは反対の画像センサチップ300の側にあるからである。幾つかの場合、アセンブリ412が剛的であり且つ忠実であるよう、接着剤416が間隙又は空隙500を埋めてよい。しかしながら、そのような間隙又は空隙は、湾曲した画像センサチップ300の形状が精密には所望の形状でないことを示すことがある。従って、加工業者は、1つ又はそれよりも多くの力をアセンブリ412及び背面基板400に加えて、湾曲した画像センサチップ300の形状が成形した表面404の形状を持つようにさせてよい。換言すれば、加工業者は、湾曲した画像センサチップ300が成形された表面404の形状に変形することがあるよう、アセンブリ324及び背面基板400を一緒に圧搾してよい。付随して、あらゆる過剰な接着剤416は、アセンブリ324と背面基板400との間から押し出されてよい。
FIG. 5 is a side view of an
図6は、様々な実施態様に従った、曲げ基板302を除去した後の湾曲した画像センサチップ300及び背面基板400の側面図である。そのような除去は、感光表面308が、画像センサチップ300を含む光学系によって提供されることがある光を受光し得るよう、感光部分308を露出させる。画像センサチップ300及び背面基板400の組み合わせを、成形された光センサモジュール600と呼ぶ。成形された光センサモジュール600は、光学要素として光学系内に組み込まれてよく、穴及び/又は突起414を用いて光学系内に取り付けられてよい。具体的には、加工業者は、成形された光センサモジュール600を構築して、成形された光センサモジュール600を組立業者(加工業者と同じ又は異なる実体であってよい)に提供してよい。組立業者は、成形された光センサモジュール600を、光学系内に組み込まれてよい画像センサとして用いてよい。
FIG. 6 is a side view of a curved
図7は、様々な実施態様に従った、画像センサチップ702と、堆積によって画像センサチップの上に配置される曲げ基板704とを含む、構成700の側面図である。画像センサチップ702は、例えば、図1に例示する感光部分104と同一又は類似であってよい感光部分706を含む。曲げ基板704が、画像センサチップ702の第1の表面708の上に堆積させられる。加工業者は、多数の堆積技法のうちのいずれかを用いて、曲げ基板を画像センサチップ702の上に配置してよい。堆積技法の幾つかの実施例は、スピンコーティング、蒸着、スパッタリング等である。様々な実施において、第1の表面708の部分は、必ずしも曲げ基板704と接触しなくてよい。例えば、曲げ基板704は、第1の表面708の特定の領域に直接的に堆積させられてよいのに対し、第1の表面708の他の特定の部分は、曲げ基板704と第1の表面708との間の非接触領域(図示せず)を含んでよい。そのような非接触領域は、第1の表面708と曲げ基板704との間に存在する接着又は結合特徴を欠く領域であってよい。よって、そのような非接触領域は、曲げ基板704からの剪断力又は応力を第1の表面708に伝え得ない。
FIG. 7 is a side view of a
第1の表面708は、画像センサチップ702の感光部分である、感光部分706を含む。第1の表面708は、例えば、図1に例示する非アクティブ領域108と同一又は類似であってよい非アクティブ領域710も含んでよい。矢印712は、画像センサチップ702が受光するように構成される入射光の方向を示している。
The
画像センサチップ702のエッジ714は、曲げ基板704のエッジと整列してもしなくてもよい。幾つかの実施において、画像センサチップ702は、曲げ基板704のエッジ716を越えて延びてよい。
The
曲げ基板704は、例えば、プラスチック、ポリマ、他の有機化合物、又はそれらの組み合わせ等のような、そのような多数の材料のうちのいずれかを含んでよい。加工業者は、堆積の容易さ、曲げ基板704と画像センサチップ702との間の界面に亘る応力及び剪断力の移転に十分な接着強度、化学的及び熱的な安定性のような、材料の多数の特質を考慮しながら、曲げ基板704のための材料を選択してよい。
The bending
具体的には、曲げ基板704についての材料の選択は、少なくとも部分的に、材料の熱特性に基づいてよい。例えば、選択される材料を、画像センサチップ702に対する損傷が起こることがある温度よりも実質的に低い温度で、画像センサチップ702に適用し得る。過剰な温度は、画像センサチップ702の感光部分706、半導体基板、及び/又は非アクティブ領域を損傷することがある。例えば、シリコンの場合、摂氏約200度より下の温度は、安全であり且つ画像センサチップ702を損傷しないことがある。同様に、そのような温度の考察は、画像センサチップ702から曲げ基板704のために用いられる材料を除去するプロセスに適用される。
Specifically, the material selection for the
温度の考察に加えて、曲げ材料704のための材料の選択は、少なくとも部分的に、画像センサチップ702に材料を適用し、次に、画像センサチップ702から材料を除去する、能力に基づいてよい。例えば、材料は、材料を画像センサチップ702の上に堆積させるのが比較的容易であるように、並びに、材料が、如何なる残留材料をも残さず或いは感光部分708の如何なる物理的な特性をも変更せずに、画像センサチップ702から離れ、気化し、或いは分解するように、選択されてよい。例えば、加工業者は、熱分離(thermal de-bonding)プロセスを用いて、曲げ基板704を画像センサチップ702から離してよい。幾つかの実施において、そのようなプロセスは、窒素置換環状炉内で行われてよい。
In addition to temperature considerations, material selection for the bending
幾つかの実施例において、曲げ基板704の厚さは、画像センサチップ702の厚さよりも少なくとも数倍大きくてよい。具体的な実施例として、画像センサチップ702は、約5〜10ミクロンの厚さであってよく、曲げ基板704は、約50〜100ミクロンの厚さであってよい。画像センサチップ702の厚さは、10ミクロンよりもずっと大きくてよく、曲げ基板704、1ミリメートル以上までの厚さであってよい、画像センサチップ702よりも少なくとも数倍厚くてよい。幾つかの実施において、曲げ基板704の異なる部分は、異なる厚さを有してよい。曲げ基板704のための材料の選択は、少なくとも部分的に、画像センサチップ702の剛性と比較した材料の剛性に基づいてよい。画像センサチップ702の剛性は、少なくとも部分的に、シリコン又はゲルマニウムであってよい画像繊細チップ702の基板材料及び厚さに依存してよい。曲げ基板704の剛性は、少なくとも部分的に、曲げ基板704のために用いられる材料及び厚さに依存してよい。幾つかの実施において、曲げ基板704のために用いられる材料及び厚さは、曲げ基板704の異なる部分について異なってよい。従って、曲げ基板704の剛性は、画像センサチップ702の異なる部分に亘って異なることがある。例えば、画像センサチップ702の中央領域に亘る曲げ基板704の部分は、画像センサチップ702のエッジ領域に亘る曲げ基板704の部分と比べて比較的剛的であってよい。
In some embodiments, the thickness of the bending
図8は、幾つかの実施態様に従った、様々な適用される力及びトルクに晒された湾曲した画像センサチップ802及び曲げ基板804を含む、構成800の側面図である。幾つかの実施例において、湾曲した画像センサチップ802は及び曲げ基板804は、それぞれ、図8に例示した曲げの前の、画像センサチップ702及び曲げ基板704と同一又は類似であってよい。例えば、加工業者は、力806及び/又はトルク808を曲げ基板804に加えて、湾曲した画像センサチップ802をもたらしてよい。湾曲した画像センサチップ802は、湾曲した第1の表面812の上に配置された湾曲した感光部分810を含む。
FIG. 8 is a side view of a
加工業者は、数多くの種類の力を曲げ基板804に適用して、画像センサチップ802を曲げてよい。例えば、曲げ基板804に隣接する加圧流体又はガスは、曲げ基板804に対して力806を加える。幾つかの実施では、図8中に矢印によって示す加圧流体又はガス814が、曲げ基板804の表面816の少なくとも部分を押圧する含有加圧流体又はガスを含んでよい。含有加圧流体又はガス814の異なる部分が、表面816に亘る場所によって異なる表面816に対して力806を適用してよい。幾つかの場合には、数多くの形状のうちのいずれかを有する中実物体(図示せず)による機械的接触が、加圧流体又はガス814に取って代わって力806を加えてよい。
A processor may apply a number of types of forces to the
他の実施において、加工業者は、1つ又はそれよりも多くの機械的デバイス818(それらのうちの1つを図8に図式的に示している)を曲げ基板804の部分に適用して、曲げ基板804に対してトルク(例えば、回転力)を加えてよい。例えば、加工業者は、エッジ付近で、機械的デバイス818を曲げ基板804の部分に適用してよい。幾つかの場合、機械的デバイス818は、曲げ基板804のエッジ付近でトルクを加えてよいのに対し、加圧流体又はガス814は、曲げ基板804の中央領域付近で力を生成する。線形力(例えば、加圧流体又はガス814によって生成される)線形力又はトルクのそのような組み合わせは、互いに任意の比率関係において適用されてよい。例えば、加圧流体又はガス814によって曲げ基板804に対して加えられる力は、機械的デバイス818によって加えられる力の二倍であってよい。そのような比率、並びに、線形力及びトルクの両方又は一方のみが同時に適用されるか否かは、少なくとも部分的に、(画像センサチップ802が湾曲させられる前の)画像センサチップ802の物理的詳細(例えば、剛性、厚さ等)及び湾曲した画像センサチップ802の所望の形状に依存することがある。幾つかの実施において、加工業者は、機械的デバイス818を曲げ基板804のエッジ820に適用することに加えて或いはその代わりに、機械的デバイス818を画像センサチップ802のエッジ822に適用してよい。湾曲した第1の表面812の反対側にある、湾曲した画像センサチップ802の湾曲した第2の表面824は、背面基板のような剛的な物体と接触して配置されてよい。このようにして、構成800の形状は、力及び/又はトルクが曲げ基板804に最早適用されなくなった後に、不変のままであることがある。
In other implementations, the processor applies one or more mechanical devices 818 (one of which is schematically shown in FIG. 8) to a portion of the
図9は、様々な実施態様に従った、湾曲した画像センサチップ802と、背面基板902とを含む、アセンブリ900の側面図である。具体的には、加工業者は、湾曲した第2の表面824の少なくとも部分が成形された表面904と接触するよう、湾曲した画像センサチップ802の湾曲した第2の表面824を背面基板902の成形させた表面904と接合してよい。幾つかの実施では、曲げ基板804のエッジ820によって湾曲した画像センサチップを保持することによって、クランプ機構又は保持機構(図示せず)のような物理的デバイスが湾曲した画像センサチップ802を運んでよい。
FIG. 9 is a side view of an
幾つかの実施において、加工業者は、湾曲した画像センサチップ802を背面基板902に接合した後に、湾曲した画像センサチップ802から曲げ基板804を除去してよい。曲げ基板804は、感光部分810を傷付けない数多くの技法のうちのいずれかによって除去されてよい。例えば、曲げ基板804は、十分な加熱の後に気化し、蒸発し、或いは分解する材料を含んでよい。他の実施例において、曲げ基板804は、化学的にエッチング処理され或いは溶解され得る材料を含んでよい。
In some implementations, the processor may remove the
曲げ基板804の除去は感光部分810を露出させるので、感光部分810は、湾曲した画像センサチップ802を含む光学系によって提供されることがある光を受光し得る。アセンブリ900が、光学要素として光学系内に組み込まれてよく、アセンブリ900は、背面基板902の側面又は底面908に配置されてよい穴及び/又は突起906を用いて光学系内に取り付けられてよい。底面908は、成形された表面904の反対側にある。具体的には、加工業者はアセンブリ900を構築し、アセンブリ900を(加工業者と同じ実体であってよい)組立業者に提供してよい。組立業者は、アセンブリ900を画像センサとして用いてよく、画像センサは、光学系内に組み込まれてよい。
Removal of the
頂面図において、背面基板902は、正方形、長方形、円形、又は任意の他の形状であってよい。湾曲した画像センサチップ802及び背面基板902は、同じ大きさを有するよう図9に例示されているが、それらの大きさは異なってよい。例えば、背面基板902は、湾曲した画像センサチップ802よりも大きくてよい。成形された表面904は、湾曲した画像センサチップ802の所望の形状に対応する形状を有してよい。成形された表面904は、ほんの数例を挙げるだけでも、球面、放物線状、非球面、又は1つ又はそれよりも多くのの反曲点を有する複合形状であってよい。
In the top view, the
背面基板902の材料及び他の特性は、上述の背面基板400と同一又は類似であってよい。接着剤910を成形された表面904の上に或いは湾曲した第2の表面824の上に配置して、成形された表面904及び湾曲した第2の表面824を互いに結合させてよい。
The material and other characteristics of the
幾つかの実施において、湾曲した第2の表面824及び成形された表面904の形状は、互いに同じでなくてよい。例えば、力及び/又はトルクが、画像センサチップ802を湾曲した形状に成形するために曲げ基板804に最早適用されないとき、曲げ基板及び湾曲した画像センサチップ802は、(例えば、弾力によって)直線になる傾向を有することがある。幾つかの場合には、力及び/又はトルクを過大形状の湾曲した画像センサチップ802に適用して、そのような傾向を補償し得る。他の場合、そのような直線化は、成形された表面904と異なる曲率又は形状を有する湾曲した第2の表面824をもたらすことがある。従って、加工業者は、1つ又はそれよりも多くの力を構成800及び背面基板902に適用して、湾曲した画像センサチップ802の形状が成形された表面804の形状を持つようにさせてよい。換言すると、加工業者は、湾曲した画像センサチップ802が撓んで成形された表面904の形状になるよう、構成800及び背面基板902を一緒に圧搾してよい。
In some implementations, the shape of the curved
図10は、様々な実施態様に従った、画像センサモジュール1002と、レンズアセンブリ1004とを含む、光学系1000の断面図である。具体的には、画像センサモジュール1002は、湾曲した画像センサチップ1006と、曲げ基板1008と、背面基板1010とを含む。湾曲した画像センサチップ1006は、感光部分1012を含む。曲げ基板1008は、レンズアセンブリ1004からの光が感光部分1012に達するのを可能にする透明な材料であってよい。湾曲した画像センサチップ1006、曲げ基板1008、及び背面基板1010は、それぞれ、図4、8及び9に例示する湾曲した画像センサチップ300又は802、曲げ基板302及び804、及び背面基板400及び902と同一又は類似であってよい。幾つかの実施において、画像センサモジュール1002は、背面基板1010を含まなくてよい。この場合、曲げ基板は、湾曲した画像センサチップ1006の湾曲した形状を維持するよう十分に剛的であってよい。曲げ基板1008は、湾曲した画像センサチップ1006を曲げるプロセスの後に剛的であるように作られ得る材料を含んでよい。例えば、そのような材料は、比較的低温で剛的に成ることがあるのに対し、より高温でフレキシブル(可撓)又は可鍛であってよい。よって、湾曲した画像センサチップ1006を成形する曲げプロセスは高温で起こり、次に、冷却プロセスが湾曲した画像センサチップ1006の形状を「凍結」する。
FIG. 10 is a cross-sectional view of an
湾曲した画像センサチップ1006(又はより正確には感光部分1012)は、焦点距離を生じさせる形状を有してよい。そのような焦点距離は、画像センサモジュール1002を光学系1000内に配置するときに考慮されてよい。具体的には、レンズアセンブリ1004は、光1014を受光し、光に対して光学的に影響を及ぼし、且つ湾曲した画像センサチップ1006の上に画像を集束させる光出力1016を生成するように、設計されてよく、湾曲した画像センサチップ1006は、レンズアセンブリ1004からある距離1018にあってよい。距離1018は、湾曲した画像センサチップ1006の焦点距離と少なくとも略等しくてよい。幾つかの実施態様において、湾曲した画像センサチップ1006の焦点距離の逆は、湾曲した画像繊細チップ1006の曲率半径と少なくとも略等しくてよい。レンズアセンブリ1004及び画像センサモジュール1002は、光学軸1020に沿って整列させられてよい。
The curved image sensor chip 1006 (or more precisely, the photosensitive portion 1012) may have a shape that produces a focal length. Such focal length may be considered when placing the
図11は、様々な実施態様に従った、画像センサモジュール1102と、レンズアセンブリ1104とを含む、光学系1100の断面図である。レンズアセンブリ1104は、例えば、図10に例示するレンズアセンブリ1104と類似又は同一であってよい。画像センサモジュール1102は、湾曲した画像センサチップ1106と、背面基板1108とを含む。画像センサモジュール1102は、曲げ基板を含まないが、加工業者は、曲げ基板を用いて、湾曲した画像センサチップ1106の形状をもたらしてよい。そのような曲げ基板は、湾曲した画像センサチップ1106を背面基板1108に取り付けた後に除去されてよい。
FIG. 11 is a cross-sectional view of an
湾曲した画像センサチップ1106は、レンズアセンブリ1104によって生成される(例えば、感光部分1100の表面にある画像であってよい)光に晒される、感光部分1110を含む。湾曲した画像センサチップ1106及び背面基板1108は、それぞれ、図4、8及び9に例示する、湾曲した画像センサチップ300又は802及び背面基板400及び902と類似又は同一であってよい。
The curved
湾曲した画像センサチップ1106(又は、より正確には、感光部分1110)は、特定の焦点距離を有するレンズに適した形状を有してよい。そのような焦点距離は、画像センサモジュール1102を光学系1100内に配置するときに考慮されてよい。具体的には、レンズアセンブリ1104は、光1112を受光し、光に対して光学的に影響を及ぼし、レンズアセンブリ1104から距離1116にある湾曲した画像センサチップ1106の上に画像を集束する光出力1114を生成するように、設計されてよい。距離1116は、湾曲した画像センサチップ1106の焦点距離と少なくとも略等しくてよい。幾つかの実施では、湾曲した画像センサチップ1106の焦点距離の逆が、湾曲した画像センサチップ1106の曲率半径と少なくとも略等しくてよい。レンズアセンブリ1104及び画像センサモジュール1102は、光学軸1118に沿って整列させられてよい。
The curved image sensor chip 1106 (or more precisely, the photosensitive portion 1110) may have a shape suitable for a lens having a specific focal length. Such focal length may be considered when placing the
図12は、幾つかの実施態様に従った、画像センサチップ1202と、様々なノッチ及び溝1206を含む、曲げ基板1204とを含む、構成1200の側面図である。曲げ基板1204のエッジは、画像センサチップ1202のエッジを越えて延びるように例示されているが、そのようなエッジは、互いに整列してもしなくてもよい。幾つかの実施において、画像センサチップ1202のエッジは、曲げ基板1204のエッジまで延び或いは曲げ基板1204のエッジを越えて延び、それは曲げ基板1204が画像センサチップ1202の上に配置される場合に当て嵌まることがある。
FIG. 12 is a side view of a
ノッチ及び/又は溝1206は、適用される力及び/又はトルク1208に応答する曲げ基板1204内の曲げ応力の量及び分散を少なくとも部分的に制御するよう、曲げ基板1204内に存在してよい。曲げ応力のそのような制御を導入することによって、適用される力及び/又はトルク1208に応答する曲げ基板1204の変形の形状を調整して、画像センサチップ1202に所望の形状を加え得る。ノッチ及び/又は溝1206は、曲げ基板1204の部分の厚さに影響を及ぼす。例えば、曲げ基板1204は、T1を有してよく、その場合、ノッチ及び/又は溝1206は配置されない。しかしながら、曲げ基板1204は、ノッチ及び/又は溝1206によって厚さT2まで薄くされてよい。曲げ基板1204のそのような異なる厚さは、曲げ基板1204の曲げの程度に影響を及ぼすことがある。
Notches and / or
ノッチ及び/又は溝1206の存在に起因する異なる厚さに加えて、曲げ基板1204の異なる部分は、異なる領域において異なる厚さを有してよい。換言すれば、Tiは、曲げ基板1204の異なる部分について異なってよい。また、曲げ基板1204のために用いられる材料は、曲げ基板1204の異なる部分について異なってよい。従って、曲げ基板1204の剛性は、少なくとも部分的に、ノッチ及び/又は溝1206の存在及び場所、曲げ基板1204の材料、並びに/或いは曲げ基板1204の様々な部分の厚さに基づき、画像センサチップ1202の異なる部分に亘って異なってよい。
In addition to different thicknesses due to the presence of notches and / or
あらゆる数のノッチ及び/又は溝1206が、曲げ基板1204のあらゆる部分に配置されてよい。ノッチ及び/又は溝1206は、画像センサチップ1202の感光部分1210に隣接して配置されてよい。ノッチ及び/又は溝1206は、曲げ基板1204内に配置されてよい。ノッチ及び/又は溝1206は、如何なる形状、大きさ、又は深さを有してもよい。幾つかの実施において、ノッチ及び/又は溝1206は、曲げ基板1204の材料と異なる材料で充填されてよい。
Any number of notches and / or
図13は、数多くの実施態様に従った、曲げ基板1300の中央領域の周りに同心状に分配される一連のノッチ及び/又は溝1302を含む、曲げ基板1300の頂面図である。同心状のノッチ及び/又は溝1302の間(between or among)の距離は、曲げ基板1300に取り付けられる(例えば、結合される或いは接着される)画像センサチップ(図13には示されていない)の曲げの特定の形状に影響を及ぼすよう、異なってよい。ノッチ及び/又は溝1302は、画像センサチップと同じ側又は反対の側にある曲げ基板1300の表面に配置されてよい。
FIG. 13 is a top view of a
図14は、幾つかの実施態様に従った、湾曲した画像センサチップ1402と、様々なノッチ及び溝1406を含む、曲げ基板1404とを含む、構成1400の側面図である。例えば、構成1400は、図12に描写するような力及び/又はトルク1208に晒される構成1200と同一又は類似であってよい。湾曲した画像センサチップ1402は、同様に湾曲する感光部分を含む。画像センサチップ1402及び感光部分1408のそのような湾曲は、少なくとも部分的に、それらの配置、形状、大きさ等のような、ノッチ及び/又は溝1406の特性に依存することがある。
FIG. 14 is a side view of a
図15は、様々な実施態様に従った、画像センサチップ1504と、曲げ基板1506とを含む、構成1502の中立軸1500を例示する側面図である。中立軸1500は、適用される力及び/又はトルク1508から生じる。中立軸1500は、圧縮下の材料からの張力下の材料を分離する仮想表面である。例えば、力及び/又はトルク1508に応答して、曲げ基板1506は、中立軸1500より上で圧縮下にあり、中立軸1500より下で張力下にある。画像センサチップ1504は、中立軸1500より下に配置され、よって、それは張力下にある。画像センサチップ1504の場所に対する中立軸1500の場所は、画像センサチップ1504の曲げの量に影響を及ぼすことがある。中立軸1500の場所及び「形状」は、少なくとも部分的に、曲げ基板1506内に存在することがあるノッチ及び/又は溝の配置、形状、及びサイズ、並びに、画像センサチップ1504及び曲げ基板1506の剛性及び厚さのような、数多くの要因に依存することがある。よって、加工業者は、これらの要因に基づき、中立軸1500をどこに配置するかを制御してよい。
FIG. 15 is a side view illustrating a
図16は、様々な実施態様に従った、背面基板1602に取り付けられる湾曲した画像センサチップ1600の湾曲を例示する断面図である。背面基板に結合される湾曲した画像センサチップの組み合わせは、引き続き光学系内に組み込まれてよいスタンドアローンの光学デバイスを含んでよい。そのような光学系の光学軸1604が、画像センサチップ1600との関係において示されている。少なくとも部分的に、画像センサチップ1600の湾曲した形状に基づく、画像センサチップ1600の焦点距離は、画像センサチップ1600が光学系内に組み込まれるときに、有意な要因であることがある。画像センサチップ1600の形状が実質的に球面であるとき、画像センサチップ1600の焦点距離は、画像センサチップ1600の曲率半径Rの逆と少なくとも略等しくてよい。画像センサチップ1600が非球面の形状を有するならば、画像センサチップ1600の曲率半径は、光学軸1604からの距離に応じて変化する。画像センサチップ1600を含む光学系は、そのような可変な曲率半径に順応するように設計されてよい。
FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating the curvature of a curved
図17及び18は、幾つかの実施態様に従った、湾曲した画像センサチップの感光部分の形状を例示する断面図である。図17において、湾曲した画像センサチップ1702の感光部分1700は、球面又は非球面の形状を有する。そのような形状は、反曲点を有さない。感光部分1700は、凹面である。他方、図18に例示するように、湾曲した画像センサチップ1802の感光部分1800は、1つ又はそれよりも多くの反曲点を含む複雑な形状を有する。感光部分1800の部分は、球面又は非球面の形状を含んでよい。そのような複雑な形状は、数多くの光学系において有用なことがある。上述のような曲げ基板は、適用される力及び/又はトルクとの組み合わせにおいて、感光部分1800の複雑な形状をもたらすよう、設計されてよい。
17 and 18 are cross-sectional views illustrating the shape of the photosensitive portion of a curved image sensor chip, according to some embodiments. In FIG. 17, the
図19は、様々な実施態様に従った、画像センサチップ1902と、曲げ基板1904とを含む、構成1900の頂面図である。曲げ基板1904は、感光部分1906を含む画像センサチップ1902の側にある。曲げ基板1904のエッジは、画像センサチップ1902のエッジを越えて延びるよう図19に例示されているが、そのようなエッジは互いに整列させられてよい。画像センサチップ1902の1つ又はそれよりも多くの隅1908を丸めて、曲げ基板1904に適用される力及び/又はトルクから生じることがある応力を集めがちな比較的鋭利な隅を回避してよい。そのような応力の集中は、画像センサチップ1902の望ましくない亀裂又は座屈を招くことがある。例えば、隅1908の領域で又はその付近で開始する亀裂は、あらゆる方向において画像センサチップ1902に亘って伝搬して、画像センサチップ1902を役に立たないものにさせることがある。幾つかの実施において、曲げ基板1904は、丸められた隅1910を含んでよい。
FIG. 19 is a top view of a configuration 1900 that includes an
図20は、幾つかの実施態様に従った、画像センサチップを曲げる例示的なプロセス2000を例示するフロー図である。例えば、そのような画像センサチップは、図3及び8にそれぞれ示す画像センサチップ300又は画像センサチップ802と同一又は類似であってよい。プロセス2000は、図2乃至6及び7乃至9に描写するプロセスと類似又は同一であってよく、加工業者によって行われてよい。ブロック2002で、加工業者は、撮像センサチップ(imaging sensor chip)の第1の表面の上に曲げ基板を配置してよい。撮像センサチップの第1の表面は、受光する光に応答して電気信号を生成する光センサを含む。ブロック2004で、加工業者は、画像センサチップの上に力を加えて湾曲した撮像センサチップを生成するよう、曲げ基板を曲げてよい。ブロック2006で、加工業者は、湾曲した撮像センサチップの第2の表面を背面基板に付着させてよい。第2の表面は、湾曲した撮像センサチップの第1の表面の反対側にある。ブロック2008で、加工業者は、撮像センサチップの第1の表面から曲げ基板を除去してよい。
FIG. 20 is a flow diagram illustrating an
(例示的な節)
A:撮像センサチップの第1の表面の上に曲げ基板を配置すること、及び撮像センサチップ(画像センサチップ)に力を加えて湾曲した撮像センサチップをもたらすよう曲げ基板を曲げることを含み、撮像センサチップの第1の表面は、受光する光に応答して電気信号を生成する光センサを含む、方法。
(Example section)
A: disposing a bending substrate over the first surface of the imaging sensor chip and bending the bending substrate to apply a force to the imaging sensor chip (image sensor chip) to provide a curved imaging sensor chip; The method wherein the first surface of the imaging sensor chip includes an optical sensor that generates an electrical signal in response to the received light.
B.湾曲した撮像センサチップの第2の表面を背面基板に付着させること、及び撮像センサチップの第1の表面から曲げ基板を除去することを含み、第2の表面は、第1の表面の反対側にある、段落Aに記載の方法。 B. Attaching the curved second surface of the imaging sensor chip to the back substrate and removing the bent substrate from the first surface of the imaging sensor chip, wherein the second surface is opposite the first surface. The method according to paragraph A,
C.撮像センサチップの第1の表面から曲げ基板を除去することは、撮像センサチップの第1の表面から曲げ基板を熱分離することを含む、段落Bに記載の方法。 C. The method of paragraph B, wherein removing the bent substrate from the first surface of the imaging sensor chip includes thermally separating the bent substrate from the first surface of the imaging sensor chip.
D.背面基板は、撮像センサチップの第1の表面の逆焦点距離と少なくとも略等しい曲率半径を有する少なくとも1つの湾曲した表面を含む、段落Bに記載の方法。 D. The method of paragraph B, wherein the back substrate includes at least one curved surface having a radius of curvature that is at least approximately equal to the reverse focal length of the first surface of the imaging sensor chip.
E.撮像センサチップの第1の表面の上に曲げ基板を配置することは、接着剤を用いて曲げ基板を撮像センサチップの第1の表面に付着させることを含む、段落Aに記載の方法。 E. The method of paragraph A, wherein disposing the bending substrate over the first surface of the imaging sensor chip includes attaching the bending substrate to the first surface of the imaging sensor chip using an adhesive.
F.撮像センサチップの第1の表面の上に曲げ基板を配置することは、堆積プロセスを用いて撮像センサチップの第1の表面の上に曲げ基板を形成することを含む、段落Aに記載の方法。 F. The method of paragraph A, wherein disposing the bent substrate over the first surface of the imaging sensor chip includes forming the bent substrate over the first surface of the imaging sensor chip using a deposition process. .
G.撮像センサチップの第1の表面の上に曲げ基板を配置する前に、曲げ基板にノッチ又は溝を形成することを更に含む、段落A乃至Fのうちのいずれか1つの段落に記載の方法。 G. The method of any one of paragraphs A through F, further comprising forming a notch or groove in the bent substrate prior to placing the bent substrate over the first surface of the imaging sensor chip.
H.曲げ基板を曲げることは、曲げ基板の上に加圧ガス又は液体を適用することを含む、段落A乃至Gのうちのいずれか1つの段落に記載の方法。 H. The method of any one of paragraphs A through G, wherein bending the bent substrate includes applying a pressurized gas or liquid over the bent substrate.
I.湾曲した撮像センサチップの第1の表面は、凹面である、段落A乃至Hのうちのいずれか1つの段落に記載の方法。 I. The method according to any one of paragraphs A through H, wherein the first surface of the curved imaging sensor chip is concave.
J.第1の側面と、反対側の第2の側面とを有し、第1の側面は、受光する光に応答して電気信号を生成する光センサを含む、湾曲した撮像センサチップ(画像センサチップ)と、湾曲した撮像センサチップの前記第1の側面を覆う曲げ基板とを含む、装置。 J. et al. A curved imaging sensor chip (image sensor chip) having a first side surface and an opposite second side surface, wherein the first side surface includes an optical sensor that generates an electrical signal in response to received light. And a bent substrate covering the first side surface of the curved imaging sensor chip.
K.湾曲した撮像センサチップの第2の側面を覆う背面基板を更に含む、段落Jに記載の装置。 K. The apparatus of paragraph J, further comprising a back substrate covering the second side of the curved imaging sensor chip.
L.曲げ基板は、堆積によって湾曲した撮像センサチップの第1の側面に結合される堆積される材料を含む、段落J乃至Kに記載の装置。 L. The apparatus of paragraphs J through K, wherein the bent substrate includes a deposited material that is bonded to the first side of the imaging sensor chip curved by deposition.
M.曲げ基板は、接着剤によって湾曲した撮像センサチップの第1の側面に結合される、段落J乃至Kに記載の装置。 M.M. The apparatus of paragraphs J through K, wherein the bending substrate is bonded to the first side of the imaging sensor chip curved by an adhesive.
N.曲げ基板は、1つ又はそれよりも多くのノッチ又は溝を含む、段落J乃至Mに記載の装置。 N. The apparatus of paragraphs J through M, wherein the bent substrate includes one or more notches or grooves.
O.湾曲した撮像センサチップは、丸められた隅を含む、段落J乃至Nに記載の装置。 O. The apparatus of paragraphs J through N, wherein the curved imaging sensor chip includes rounded corners.
P.湾曲した撮像センサチップは、湾曲した撮像センサチップの第1の側面の逆焦点距離と少なくとも略等しい曲率半径を有する、段落J乃至Oに記載の装置。 P. The apparatus of paragraphs J through O, wherein the curved imaging sensor chip has a radius of curvature that is at least approximately equal to the back focal length of the first side of the curved imaging sensor chip.
Q.第1の側面と、反対側の第2の側面とを有し、第1の側面は、受光する光に応答して電気信号を生成する光センサを含む、湾曲した撮像センサチップと、湾曲した撮像センサチップの第1の側面を覆う基板と、湾曲した撮像センサチップの第2の側面を覆う背面基板とを含む、システム。 Q. A curved imaging sensor chip having a first side and an opposite second side, wherein the first side includes a photosensor that generates an electrical signal in response to the received light; and a curved A system comprising: a substrate covering a first side of the imaging sensor chip; and a back substrate covering a second side of the curved imaging sensor chip.
R.湾曲した撮像センサチップの第1の表面に電磁エネルギを方向付ける1つ又はそれよりも多くののレンズを更に含む、段落Qに記載のシステム。 R. The system of paragraph Q, further comprising one or more lenses that direct electromagnetic energy to the first surface of the curved imaging sensor chip.
S.湾曲した撮像センサチップは、ゲルマニウムを含み、指向性の電磁エネルギは、赤外エネルギを含む、段落Q乃至Rに記載のシステム。 S. The system of paragraphs Q through R, wherein the curved imaging sensor chip includes germanium and the directional electromagnetic energy includes infrared energy.
T.湾曲した撮像センサチップの剛性は、曲げ基板の剛性よりも実質的に大きい、段落Q乃至Sに記載のシステム。 T. T. The system of paragraphs Q through S, wherein the stiffness of the curved imaging sensor chip is substantially greater than the stiffness of the bent substrate.
(結論) (Conclusion)
構造的な構成及び/又は方法論的な行為に特異な言語において主題を記載したが、付属の請求項において定められる主題は記載する特異な構成または行為に必ずしも限定されないことが理解されなければならない。むしろ特異の構成及びステップは、請求項を実施する例示的な形態として開示される。 Although the subject matter has been described in language specific to structural arrangements and / or methodological acts, it is to be understood that the subject matter defined in the appended claims is not necessarily limited to the specific configurations or acts described. Rather, the specific configurations and steps are disclosed as exemplary forms of implementing the claims.
上述の方法及びプロセスの全ては、1つ又はそれよりも多くの汎用コンピュータ又はプロセッサによって実行されるソフトウェアコードモジュールを介して完全に自動化されて具現されてよい。コードモジュールは、任意の種類のコンピュータ可読媒体、コンピュータ記憶媒体、又は他のコンピュータ記憶デバイス内に格納されてよい。方法の一部又は全部は、代替的に、例えば、量子コンピュータ又は量子アニーリング装置(annealer)のような、特殊なコンピュータハードウェアにおいて具現されてよい。 All of the methods and processes described above may be implemented fully automated via software code modules executed by one or more general purpose computers or processors. A code module may be stored in any type of computer readable media, computer storage media, or other computer storage devices. Some or all of the methods may alternatively be embodied in specialized computer hardware, such as, for example, a quantum computer or a quantum annealing device.
とりわけ、「できる」(“can”)、「できた」(“could”)、「〜してよい」(“may”)又は「〜ことがある」(“may”)のような、条件的な言語は、特段の断りのない限り、特定の実施例が特定の構成、要素、及び/又はステップを含むが、他の実施例がそれらを含まないことを伝える文脈内で理解される。よって、そのような条件的な言語は、特定の構成、要素、及び/又はステップが、1つ又はそれよりも多くの実施例のためにいずれにしても必要とされること、或いは、1つ又はそれよりも多くの実施例が、使用者入力又は使用者プロンプトを伴って或いは伴わないで、特定の構成、要素、及び/又はステップがいずれかの特定の実施例に含まれるか又はいずれかの特定の実施例において行われるべきかを決定する論理を必ず含むことを暗示することを、概して意図しない。 In particular, conditional such as “can”, “could”, “may” or “may” Unless otherwise noted, certain languages are understood within the context that a particular embodiment includes a particular configuration, element, and / or step, but that other embodiments do not. Thus, such conditional language is such that a particular configuration, element, and / or step is required anyway for one or more embodiments, or one Or more than one embodiment, with or without user input or user prompt, with particular configurations, elements, and / or steps included in any particular embodiment, or any It is generally not intended to imply that it necessarily includes logic to determine what should be done in this particular embodiment.
「X、Y、又はZのうちの少なくとも1つ」のような接続言語は、特段の断りのない限り、ある品目、用語等が、X、Y、Z、又はそれらの組み合わせのいずれかであることを伝えるものと理解されるべきである。 A connection language such as “at least one of X, Y, or Z” is an item, term, etc. that is either X, Y, Z, or a combination thereof, unless otherwise specified. It should be understood as a communication.
本明細書中で記載する或いは添付の図面中に描写するフロー図中のあらゆる慣例的な記述、要素、又はブロックは、慣例における具体的な論理機能又は要素を実施するための1つ又はそれよりも多くの実行可能な指令を含むコードの部分、セグメント、又はモジュールを潜在的に表すものとして理解されなければならない。代替的な実施が、本明細書中に記載する実施例の範囲内に含められ、それらの要素又は機能は、当業者によって理解されるものとして含められる機能性に依存して、実質的に同時又は逆の順序を含んで、図示され或いは議論されたものから削除され或いはバラバラの順序で実行されてよい。 Any conventional descriptions, elements, or blocks in the flow diagrams set forth herein or depicted in the accompanying drawings may be used to implement one or more specific logic functions or elements in the practice. Must also be understood as potentially representing a portion, segment, or module of code that contains many executable instructions. Alternative implementations are included within the scope of the embodiments described herein, and their elements or functions are substantially simultaneous, depending on the functionality included as understood by those skilled in the art. Or it may be deleted from what is shown or discussed, including the reverse order, or performed in a disjoint order.
多くの変形及び修正が上述の実施例に対して行われてよく、それらの要素は、他の許容される実施例の中にあるものとして理解されるべきであることが強調されなければならない。全てのそのような修正及び変形は、この開示の範囲内で本明細書中に含まれ且つ後続の請求項によって保護されることが意図される。 It should be emphasized that many variations and modifications may be made to the above-described embodiments, and that those elements should be understood as being within other acceptable embodiments. All such modifications and variations are intended to be included herein within the scope of this disclosure and protected by the following claims.
Claims (15)
前記撮像センサチップに力を加えて湾曲した撮像センサチップをもたらすよう前記曲げ基板を曲げることを含み、
前記撮像センサチップの前記第1の表面は、受光する光に応答して電気信号を生成する光センサを含む、
方法。 Placing a bending substrate over a first surface of the imaging sensor chip; and bending the bending substrate to apply a force to the imaging sensor chip to provide a curved imaging sensor chip;
The first surface of the imaging sensor chip includes an optical sensor that generates an electrical signal in response to received light.
Method.
前記撮像センサチップの前記第1の表面から前記曲げ基板を除去することを含み、
前記第2の表面は、前記第1の表面の反対側にある、
請求項1に記載の方法。 Attaching a second surface of the curved imaging sensor chip to a back substrate; and removing the bent substrate from the first surface of the imaging sensor chip;
The second surface is opposite the first surface;
The method of claim 1.
該湾曲した撮像センサチップの前記第1の側面を覆う曲げ基板とを含む、
装置。 A curved imaging sensor chip including a first side and an opposite second side, wherein the first side includes an optical sensor that generates an electrical signal in response to received light;
A bent substrate covering the first side surface of the curved imaging sensor chip,
apparatus.
該湾曲した撮像センサチップの前記第1の側面を覆う基板と、
前記湾曲した撮像センサチップの前記第2の側面を覆う背面基板とを含む、
システム。 A curved imaging sensor chip including a first side and an opposite second side, wherein the first side includes an optical sensor that generates an electrical signal in response to received light;
A substrate covering the first side surface of the curved imaging sensor chip;
A back substrate covering the second side surface of the curved imaging sensor chip,
system.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN104486555B (en) * | 2014-10-28 | 2019-02-12 | 北京智谷睿拓技术服务有限公司 | Image Acquisition control method and device |
US11128786B2 (en) * | 2014-11-21 | 2021-09-21 | Apple Inc. | Bending a circuit-bearing die |
JP6463159B2 (en) * | 2015-02-05 | 2019-01-30 | キヤノン株式会社 | IMAGING DEVICE, ITS CONTROL METHOD, PROGRAM, AND STORAGE MEDIUM |
US10304900B2 (en) | 2015-04-02 | 2019-05-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Bending semiconductor chip in molds having radially varying curvature |
US9870927B2 (en) | 2015-04-02 | 2018-01-16 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Free-edge semiconductor chip bending |
US9893058B2 (en) * | 2015-09-17 | 2018-02-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure |
WO2017141460A1 (en) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | 京セラ株式会社 | Pressure sensor |
US10062727B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Strain relieving die for curved image sensors |
FR3061990B1 (en) * | 2017-01-18 | 2019-04-19 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | METHOD FOR COLLECTIVELY PRODUCING CURVED ELECTRONIC CIRCUITS |
EP3422394B1 (en) * | 2017-06-29 | 2021-09-01 | Infineon Technologies AG | Method for processing a semiconductor substrate |
KR102468262B1 (en) * | 2017-06-30 | 2022-11-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Curved image sensor |
EP3435558B1 (en) * | 2017-07-24 | 2021-02-17 | Deutsche Telekom AG | Local communication network, transceiver node, and method |
CN107300756B (en) * | 2017-08-23 | 2019-12-10 | 浙江舜宇光学有限公司 | Camera lens |
WO2019037466A1 (en) | 2017-08-23 | 2019-02-28 | 浙江舜宇光学有限公司 | Camera lens |
KR102336174B1 (en) | 2017-08-29 | 2021-12-07 | 삼성전자주식회사 | Omnidirectional image sensor and manufacturing method thereof |
FR3073322B1 (en) * | 2017-11-07 | 2021-12-03 | Commissariat Energie Atomique | PROCESS FOR MAKING AT LEAST ONE CURVED ELECTRONIC CIRCUIT |
CN107959781B (en) * | 2017-12-11 | 2020-07-31 | 信利光电股份有限公司 | Camera module and adjustment control method thereof |
US11848349B1 (en) * | 2018-06-21 | 2023-12-19 | Hrl Laboratories, Llc | Curved semiconductor and method of forming the same |
CN113132585B (en) * | 2020-01-10 | 2022-09-09 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | Photosensitive chip assembly, mobile terminal, camera module and preparation method thereof |
WO2021201923A1 (en) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | Hrl Laboratories, Llc | Curved imaging sensor package with architected substrate |
CN111491085B (en) * | 2020-04-21 | 2021-11-05 | Oppo广东移动通信有限公司 | Image sensor, imaging device, and electronic apparatus |
CN113726985B (en) * | 2020-05-21 | 2022-09-06 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | Photosensitive chip assembly, camera module and terminal equipment |
CN112532942B (en) * | 2020-11-30 | 2021-08-10 | 黑龙江合师惠教育科技有限公司 | Image sensor device, manufacturing method thereof, camera and educational behavior analysis monitoring equipment |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6285400B1 (en) * | 1996-09-26 | 2001-09-04 | Nec Corporation | Solid state image pick-up device equipped with charge coupled device having incident surface alignable with focal plane |
JP2005045151A (en) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | Image pickup device, manufacturing method thereof, and manufacturing apparatus thereof |
JP2005191218A (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | Method of manufacturing solid-state imaging apparatus |
JP2007234900A (en) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2009105459A (en) * | 2009-02-12 | 2009-05-14 | Seiko Epson Corp | Optical device, optical module, and electronic apparatus |
JP2012114189A (en) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Sony Corp | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof and electronic device using the device |
US20120279060A1 (en) * | 2011-05-06 | 2012-11-08 | National Tsing-Hua University | Methods and apparatuses for non-planar chip assembly |
US20140049683A1 (en) * | 2012-08-20 | 2014-02-20 | Microsoft Corporation | Dynamically Curved Sensor for Optical Zoom Lens |
JP2014527279A (en) * | 2011-05-06 | 2014-10-09 | イリディウム メディカル テクノロジー カンパニー リミテッド | Non-planar chip assembly |
JP2015053322A (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | 富士電機株式会社 | Semiconductor device manufacturing method |
Family Cites Families (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0576144B1 (en) | 1992-05-22 | 1998-08-05 | Matsushita Electronics Corporation | Solid state image sensor and manufacturing method thereof |
US5349443A (en) | 1992-11-25 | 1994-09-20 | Polaroid Corporation | Flexible transducers for photon tunneling microscopes and methods for making and using same |
JP2899600B2 (en) | 1994-01-25 | 1999-06-02 | キヤノン販売 株式会社 | Film formation method |
JPH1174164A (en) | 1997-08-27 | 1999-03-16 | Canon Inc | Wafer-processing device, wafer support device, wafer-processing method, and manufacture of wafer |
US6255025B1 (en) | 1998-07-13 | 2001-07-03 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Filter and process for producing same |
US6312959B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-11-06 | U.T. Battelle, Llc | Method using photo-induced and thermal bending of MEMS sensors |
US6706448B1 (en) | 1999-08-30 | 2004-03-16 | Georgia Tech Research Corp. | Method and apparatus for lithiating alloys |
JP4604307B2 (en) | 2000-01-27 | 2011-01-05 | ソニー株式会社 | Imaging apparatus, method for manufacturing the same, and camera system |
DE10004891C2 (en) | 2000-02-04 | 2002-10-31 | Astrium Gmbh | Focal area and detector for optoelectronic image recording systems, manufacturing process and optoelectronic image recording system |
US9314339B2 (en) | 2000-03-27 | 2016-04-19 | Formae, Inc. | Implants for replacing cartilage, with negatively-charged hydrogel surfaces and flexible matrix reinforcement |
TWI313059B (en) | 2000-12-08 | 2009-08-01 | Sony Corporatio | |
DE10122324A1 (en) * | 2001-05-08 | 2002-11-14 | Philips Corp Intellectual Pty | Flexible integrated monolithic circuit |
US6791072B1 (en) | 2002-05-22 | 2004-09-14 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for forming curved image sensor module |
US6881491B2 (en) | 2003-05-16 | 2005-04-19 | Alcoa Inc. | Protective fluoride coatings for aluminum alloy articles |
JP2005278133A (en) | 2003-07-03 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | Solid state imaging device and optical device |
US20050035514A1 (en) | 2003-08-11 | 2005-02-17 | Supercritical Systems, Inc. | Vacuum chuck apparatus and method for holding a wafer during high pressure processing |
US7476955B2 (en) * | 2004-01-06 | 2009-01-13 | Micron Technology, Inc. | Die package having an adhesive flow restriction area |
US7397066B2 (en) | 2004-08-19 | 2008-07-08 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imagers with curved image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers |
US7432596B1 (en) | 2004-10-12 | 2008-10-07 | Energy Innovations, Inc. | Apparatus and method for bonding silicon wafer to conductive substrate |
US7190039B2 (en) | 2005-02-18 | 2007-03-13 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers |
US7683303B2 (en) | 2006-01-17 | 2010-03-23 | Sri International | Nanoscale volumetric imaging device having at least one microscale device for electrically coupling at least one addressable array to a data processing means |
US7507944B1 (en) | 2006-06-27 | 2009-03-24 | Cypress Semiconductor Corporation | Non-planar packaging of image sensor |
JP2008092532A (en) | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Imaging apparatus, manufacturing method therefor and mobile phone unit |
US20080105455A1 (en) * | 2006-10-10 | 2008-05-08 | Tir Systems Ltd. | Circuit board with regional flexibility |
US7742090B2 (en) | 2006-12-22 | 2010-06-22 | Palo Alto Research Center Incorporated | Flexible segmented image sensor |
US7733397B2 (en) | 2006-12-22 | 2010-06-08 | Palo Alto Research Center Incorporated | Sensor surface with 3D curvature formed by electronics on a continuous 2D flexible substrate |
JP2009049499A (en) | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Fujifilm Corp | Method for mounting semiconductor chip, and semiconductor device |
KR101378418B1 (en) | 2007-11-01 | 2014-03-27 | 삼성전자주식회사 | image sensor module and fabrication method thereof |
US8077235B2 (en) | 2008-01-22 | 2011-12-13 | Palo Alto Research Center Incorporated | Addressing of a three-dimensional, curved sensor or display back plane |
US8372726B2 (en) * | 2008-10-07 | 2013-02-12 | Mc10, Inc. | Methods and applications of non-planar imaging arrays |
US8097926B2 (en) | 2008-10-07 | 2012-01-17 | Mc10, Inc. | Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy |
US9119533B2 (en) | 2008-10-07 | 2015-09-01 | Mc10, Inc. | Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy |
KR101567067B1 (en) | 2008-12-02 | 2015-11-06 | 엘지이노텍 주식회사 | Camera Module |
US20120159996A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-06-28 | Gary Edwin Sutton | Curved sensor formed from silicon fibers |
US8654215B2 (en) | 2009-02-23 | 2014-02-18 | Gary Edwin Sutton | Mobile communicator with curved sensor camera |
US8248499B2 (en) | 2009-02-23 | 2012-08-21 | Gary Edwin Sutton | Curvilinear sensor system |
US8836805B2 (en) | 2012-07-17 | 2014-09-16 | Gary Edwin Sutton | Curved sensor system |
WO2010098136A1 (en) | 2009-02-27 | 2010-09-02 | Hoya株式会社 | Method of producing mold for lens and method of producing eyeglass lens |
GB0915473D0 (en) | 2009-09-07 | 2009-10-07 | St Microelectronics Res & Dev | Improvements in or relating to CMOS sensors |
CN102763250A (en) | 2009-10-29 | 2012-10-31 | 小利兰·斯坦福大学托管委员会 | Devices, systems and methods for advanced rechargeable batteries |
EP2388987A1 (en) | 2010-05-19 | 2011-11-23 | Thomson Licensing | Camera with volumetric sensor chip |
US9442285B2 (en) | 2011-01-14 | 2016-09-13 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Optical component array having adjustable curvature |
US9228822B2 (en) | 2011-01-24 | 2016-01-05 | President And Fellows Of Harvard College | Non-differential elastomer curvature sensor |
US8878116B2 (en) * | 2011-02-28 | 2014-11-04 | Sony Corporation | Method of manufacturing solid-state imaging element, solid-state imaging element and electronic apparatus |
JP5720304B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-05-20 | ソニー株式会社 | Solid-state imaging device and electronic device |
KR101861765B1 (en) * | 2011-03-03 | 2018-05-29 | 삼성전자주식회사 | Depth pixel including microlens and depth sensor including the depth pixel |
CN202549843U (en) | 2011-04-26 | 2012-11-21 | 格科微电子(上海)有限公司 | Concave CMOS image sensor, concave CMOS image sensing element and camera |
JP2012249003A (en) | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Toshiba Corp | Solid-state imaging device, manufacturing method of the same, and camera module |
CA2869699A1 (en) | 2012-04-04 | 2013-10-10 | Scribble Technologies Inc. | System and method for generating digital content |
FR2989519A1 (en) | 2012-04-13 | 2013-10-18 | St Microelectronics Crolles 2 | METHOD OF MANUFACTURING A CURVED SURFACE IMAGE SENSOR |
FR2989518A1 (en) | 2012-04-13 | 2013-10-18 | St Microelectronics Crolles 2 | Method for manufacturing integrated image sensor, involves forming pixels at end of columns, and deforming structure such that another end of each of columns is brought closer or separated to form surface in shape of polyhedral cap |
US20140063794A1 (en) * | 2012-09-05 | 2014-03-06 | Foshan Innovative Lighting Co., Ltd. | Curved printed circuit boards, light modules, and methods for curving a printed circuit board |
JP6135109B2 (en) * | 2012-12-07 | 2017-05-31 | ソニー株式会社 | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic apparatus |
JP2015070159A (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | ソニー株式会社 | Solid state image sensor and manufacturing method therefor, and electronic apparatus |
KR101557942B1 (en) * | 2014-01-08 | 2015-10-12 | 주식회사 루멘스 | Light emitting device package and its manufacturing method |
US9551856B2 (en) | 2014-05-19 | 2017-01-24 | Google Inc. | MEMS-released curved image sensor |
US10373995B2 (en) | 2014-09-19 | 2019-08-06 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Image sensor bending using tension |
US9570488B2 (en) | 2014-09-19 | 2017-02-14 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Image sensor bending by induced substrate swelling |
US9349763B1 (en) | 2015-02-10 | 2016-05-24 | Omnivision Technologies, Inc. | Curved image sensor systems and methods for manufacturing the same |
US9998643B2 (en) | 2015-03-24 | 2018-06-12 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods of forming curved image sensors |
US9870927B2 (en) | 2015-04-02 | 2018-01-16 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Free-edge semiconductor chip bending |
US10062727B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Strain relieving die for curved image sensors |
-
2014
- 2014-09-19 US US14/491,928 patent/US10373995B2/en active Active
-
2015
- 2015-09-10 AU AU2015318205A patent/AU2015318205B2/en active Active
- 2015-09-10 MX MX2017003532A patent/MX2017003532A/en active IP Right Grant
- 2015-09-10 KR KR1020177010523A patent/KR102466067B1/en active IP Right Grant
- 2015-09-10 CA CA2959749A patent/CA2959749C/en active Active
- 2015-09-10 JP JP2017515154A patent/JP6726662B2/en active Active
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- 2015-09-10 RU RU2017108537A patent/RU2700283C2/en active
- 2015-09-10 CN CN201580050443.4A patent/CN106716639B/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6285400B1 (en) * | 1996-09-26 | 2001-09-04 | Nec Corporation | Solid state image pick-up device equipped with charge coupled device having incident surface alignable with focal plane |
JP2005045151A (en) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | Image pickup device, manufacturing method thereof, and manufacturing apparatus thereof |
JP2005191218A (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | Method of manufacturing solid-state imaging apparatus |
JP2007234900A (en) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2009105459A (en) * | 2009-02-12 | 2009-05-14 | Seiko Epson Corp | Optical device, optical module, and electronic apparatus |
JP2012114189A (en) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Sony Corp | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof and electronic device using the device |
US20120279060A1 (en) * | 2011-05-06 | 2012-11-08 | National Tsing-Hua University | Methods and apparatuses for non-planar chip assembly |
JP2014527279A (en) * | 2011-05-06 | 2014-10-09 | イリディウム メディカル テクノロジー カンパニー リミテッド | Non-planar chip assembly |
US20140049683A1 (en) * | 2012-08-20 | 2014-02-20 | Microsoft Corporation | Dynamically Curved Sensor for Optical Zoom Lens |
JP2015053322A (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | 富士電機株式会社 | Semiconductor device manufacturing method |
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