JP2017530628A - 相変化材料の分散型スイッチシステム - Google Patents

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Abstract

本発明の一実施形態は、相変化材料スイッチを含む。相変化材料スイッチは、入力信号を受け取るように構成された第1の端子と、第2の端子と、を含む。相変化材料スイッチは、第1の熱プロファイルを放出する第1の状態と、第2の熱プロファイルを放出する第2の状態とのうちの1つにおいて制御信号を受け取るように構成された駆動部を含む。相変化材料スイッチは、複数の長手ストリップとして構成された相変化材料を含むスイッチ部分を含む。複数の長手ストリップの各々は、第1の端子と第2の端子とを相互接続し、駆動部と近接している。相変化材料は、第1の熱プロファイルに応答して第1の端子から第2の端子に入力信号を伝達する導電状態と、第2の熱プロファイルに応答して第1の端子から第2の端子への入力信号を遮断する遮断状態との間で選択可能である。

Description

本開示は、概して、電子システムに関し、具体的には相変化材料の分散型スイッチシステムに関する。
スイッチングデバイスは、様々な理由で様々な用途に実装される。例えば、スイッチングデバイスは、ロジック回路およびコンピューティングアプリケーション、フロントエンド受信システムにおける無線周波数(RF)信号スイッチング、RF送信システム、または様々な他のアプリケーションに実装することができる。トランジスタ技術は、サイズの縮小および効率の向上に関してかなり進歩している。しかし、トランジスタのスイッチング回路は、依然として、スイッチングおよび相互接続からの信号損失を呈し、プリント回路基板(PCB)上にかなりのスペースを占有し、所与のスイッチング構成のスイッチの活性化を維持する際にかなりの電力を消費する。他のスイッチングデバイスは、微小電気機械システム(MEMS)スイッチを具体化することができる。しかし、MEMSのプロセスは高価で困難であり、特殊なパッケージングの制約が必要であり、依然としてスイッチング損失と起動電力消費を示している。
本発明の一実施形態は、相変化材料スイッチを含む。相変化材料スイッチは、入力信号を受け取るように構成された第1の端子と、第2の端子と、を含む。相変化材料スイッチは、第1の熱プロファイルを放出する第1の状態と、第2の熱プロファイルを放出する第2の状態とのうちの1つにおいて制御信号を受け取るように構成された駆動部を含む。相変化材料スイッチは、駆動部とそれぞれ近接する第1の端子と第2の端子とをそれぞれ相互接続する複数の長手ストリップとして構成された相変化材料を含むスイッチ部をさらに含む。相変化材料は、第1の熱プロファイルに応答して前記第1の端子から第2の端子に入力信号を伝達する導電状態と、第2の熱プロファイルに応答して第1の端子から第2の端子への入力信号を実質的に遮断する遮断状態との間で選択可能である。
他の例は、相変化材料スイッチを含む。相変化材料スイッチは、入力信号を受け取るように構成された第1の端子と、第2の端子と、を含む。相変化材料スイッチは、制御信号を受け取るように構成された一対の駆動端子と、一対の駆動端子間に延在する導電性ストリップと、を含む駆動部を含む。導電性ストリップは、一対の駆動端子の寸法よりも小さい断面寸法を有する中央部と、中央部の断面寸法から一対の駆動端子の各々との結合部の最大断面寸法まで大きくなる断面寸法をそれぞれ有する一対のテーパー部と、を含む。制御信号は、第1の熱プロファイルを放出する第1の状態と、第2の熱プロファイルを放出する第2の状態とのうちの一方で供給される。相変化材料スイッチは、導電性ストリップの中央部と近接した相変化材料を含むスイッチ部をさらに含む。相変化材料は、第1の熱プロファイルに応答して第1の端子から第2の端子に入力信号を伝達する導電状態と、第2の熱プロファイルに応答して第1の端子から第2の端子への入力信号を実質的に遮断する遮断状態との間で選択可能である。
他の例は、分散型スイッチシステムを含む。分散型スイッチシステムは、互いに並列、直列、並びに並列および直列の組み合わせのうちの1つで配置された複数の相変化材料スイッチを含む。複数の相変化材料スイッチの各々は、入力信号を受け取るように構成された第1の端子と、第2の端子と、を含む。複数の相変化材料スイッチの各々は、第1の熱プロファイルを放出する第1の状態と、第2の熱プロファイルを放出する第2の状態とのうちの1つにおいて制御信号を受け取るように構成された駆動部を含む。複数の相変化材料スイッチの各々は、駆動部と近接する相変化材料を含むスイッチ部を含む。相変化材料は、第1の熱プロファイルに応答して第1の端子から第2の端子に入力信号を伝達する導電状態と、第2の熱プロファイルに応答して第1の端子から第2の端子への入力信号を実質的に遮断する遮断状態との間で選択可能である。
相変化材料スイッチの一例を示す。 相変化材料スイッチの一例を示す図である。 分散型スイッチシステムの一例を示す。 分散型スイッチシステムの別例を示す。 分散型スイッチシステムのさらなる別例を示す。 図5の分散型スイッチシステムの第1の構成例を示す。 図5の分散型スイッチシステムの第2の構成例を示す。 図5の分散型スイッチシステムの第3の構成例を示す。
本開示は、概して、電子システムに関し、具体的には相変化材料の分散型スイッチシステム(phase-change material distributed switch systems)に関する。相変化材料スイッチ(phase-change material switch)は、互いに近位にある駆動部(actuation portion)およびスイッチ部を含む。駆動部は、制御信号の状態に基づいて、駆動部からスイッチ部への熱プロファイルを生成することができる制御信号(例えば、制御信号パルス)を受け取るように構成され得る。一例として、駆動部は、制御信号が印加される一対の駆動端子と、一対の駆動端子を相互接続する導電部と、を含む。例えば、制御信号は、駆動部の導電性ストリップ(conductive strip)からの第1の熱プロファイルを提供するために、(例えば、低電力、より長いパルス幅を有する)第1の状態で一対の駆動端子に供給され、導電性ストリップから第2の熱プロファイルを提供するために、(例えば、高出力、より短いパルス幅を有する)第2の状態で供給される。導電性ストリップから提供される熱プロファイルは、相変化材料を結晶状態に結晶化させることに基づくか、または相変化材料を溶融して(melting)非結晶状態(amorphous state)で凍結させる(freezing)ことに基づいて、スイッチ部の相変化材料を導通状態および遮断状態(blocking state)のうちの1つに設定することができる。したがって、スイッチ部に供給される入力信号は、スイッチ部の状態に基づいて、導通または実質的に遮断される。制御パルスに基づいて導電性ストリップから提供される熱プロファイルに応じた相変化材料の相変化の動作は、「相変化材料再構成回路(Phase-Change Material Reconfigurable Circuits)」と題した米国特許出願第13/803,385号に記載されている。この文献は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
相変化材料スイッチは、様々な方法で構成することができる。一例として、相変化材料は、複数の長手ストリップ(longitudinal strip)として構成され、各長手ストリップは、第1の端子と第2の端子とを相互接続し、駆動部(例えば、導電性ストリップ)に近接する。例えば、相変化材料の長手ストリップは、互いに平行に且つ離間して配置され、長手方向に延びて、第1の端子と第2の端子とを相互接続し、例えば、約50nmから約10μmまでの間である断面寸法を有する。結果として、相変化材料は、(例えば、誘電体内で)より良好に制約されて、相変化材料の熱膨張/収縮に応じて相変化材料スイッチの寿命(longevity)を実質的に長くする。さらに、複数の長手ストリップ間のギャップは、導電状態と遮断状態との間の相変化材料の状態を変化させるのに必要な制御信号の電圧を低下させるように、駆動部の熱プロファイルの影響を受ける。
別例として、導電性ストリップは、一対の端子が導電性ストリップに結合されている端部においてテーパー状に(tapered)構成され得る。例えば、導電性ストリップは、一対の端子の断面寸法よりも小さい断面寸法を有する中央部を有し得る。導電性ストリップはまた、一対のテーパー部(tapered portion)を含み得る。各テーパー部は、中央部の断面寸法から一対の端子との結合部における最大断面寸法まで大きくなる断面寸法を有する。導電性ストリップのテーパー部は、駆動パルスエネルギーによるストリップのオーム加熱(ohmic heating)の間に導電性ストリップの長手寸法に沿ってより均一な温度分布を提供することができる。導電性ストリップをテーパー状にすることにより、電流密度、ならびに中央部と接触端子との間の領域の温度を低下させることができる。この領域は、典型的には、テーパー部に近接して熱を吸収する相変化材料の欠如のためにストリップの中央部に近接する相変化部分を変換するのに必要となるよりも熱くなる。ヒーター(heater)のテーパー部に起因する均一な温度プロファイルは、駆動パルスの印加中にヒーターに応じて達成される最高温度を低下させ、その結果、相変化スイッチの寿命は、導電性ストリップの温度によって誘発された損傷(temperature-induced damage)の程度を緩和することに基づいて実質的に長くすることができる。
さらに、相変化材料スイッチは、分散型スイッチシステムにおける複数の相変化材料スイッチのうちの1つとすることができる。一例として、相変化材料スイッチは、直列、並列、または直列および並列の組み合わせで配置され、単一の制御信号によって制御され得る。一例として、分散型スイッチシステムは、直列に接続された相変化材料スイッチを含み、その結果、直列に接続された相変化材料スイッチの各々における相変化材料は、制御信号に応答して同時に切り替えることができる。別の例として、入力信号は、信号線を介して、並列に接続された相変化材料スイッチを含む分散型スイッチシステムに供給することができる。信号線は、並列に接続された相変化材料スイッチの各々の入力端子に入力信号を供給するために分岐されて、並列に接続された相変化材料スイッチの各々を介して入力信号を同時に供給することができる。その結果、分散型スイッチシステムは、個々の相変化材料スイッチに関連する様々なスイッチング電圧、スイッチング電流、および/または寄生容量を有することができる。
図1は、相変化材料スイッチ10の例の一例を示す。相変化材料スイッチ10は、開放又は短絡して信号を通過又は遮断する1つ以上のスイッチを必要とする様々な用途のいずれかで具体化することができる。例えば、相変化材料スイッチ10は、論理回路およびコンピューティングアプリケーション、フロントエンド受信システムまたは送信システムにおける無線周波数(RF)信号のスイッチング、または、RFフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)等の任意の再構成可能なRF回路において具体化される。一例として、相変化材料スイッチ10は、「相変化材料スイッチおよびその製造方法(Phase-Change Material Switch and Method of Making the Same)」と題した米国特許出願第13/828,351号に記載された製造技術に基づいてまたは部分的に基づいて製造され得る。この文献は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
図1の例では、相変化材料スイッチ10は、入力信号INを受け取る入力端子12と、出力端子14とを含む。出力端子14は、相変化材料スイッチ10が実質的に短絡として作用するように相変化材料スイッチ10の導通状態において入力信号INを出力信号OUTとして供給するか、または相変化材料スイッチ10が実質的に開放として作用するように、相変化材料スイッチ10の遮断状態において入力信号INが出力信号OUTとして供給されることを阻止する。一例として、入力信号INは、無線周波数(RF)信号として供給され得る。
相変化材料スイッチ10は、スイッチ部16と、駆動部18とを含む。スイッチ部16は、スイッチ部16、ひいては、相変化材料スイッチ10を導通状態または遮断状態にする相変化材料20を含む。本明細書で説明されるように、相変化材料(例えば、相変化材料20)は、結晶化度(crystallinity)に依存する可変電気抵抗率を示す任意の材料である。一例として、相変化材料20は、テルル化ゲルマニウム(GeTe)、ゲルマニウムアンチモンテルル化物(GeSbTe)、テルル化ゲルマニウムテルル化物(GeSeTe)、または様々な類似の材料のいずれかのようなカルコゲナイド材料(chalcogenide material)とすることができる。相変化材料20は、スイッチ部16、ひいては相変化材料スイッチ10を導通状態に設定するために結晶状態に設定されるか、またはスイッチ部16、ひいては相変化材料スイッチ10を遮断状態にするためにアモルファス状態に設定される。
駆動部18は、相変化材料20を結晶状態とアモルファス状態との間で切り替えるための制御信号CTRLを受け取るように構成され得る。駆動部18は、例えば、抵抗率および実質的に高い熱伝導率を示す金属または合金材料を含むことができる。例えば、駆動部18は、ニオブ(Nb)、タングステン(W)、プラチナ(Pt)、ニッケルクロム(NiCr)、チタンタングステン(TiW)、または様々な同様の金属または金属含有合金(metal-containing alloys)から形成され得る。駆動部18で発生した熱がスイッチ部16の相変化材料20に熱伝導することができるように、駆動部18は、スイッチ部16内の相変化材料20に実質的に近接して配置され得る。一例として、駆動部18は、スイッチ部16の上方、スイッチ部16の下方、および/またはスイッチ部16の側方に形成され得る。別例として、駆動部18は、金属または金属合金材料の複数の部分を含み、複数の部分は、互いに別体であるか又は一体であり、スイッチ部16に隣接しておよび/またはスイッチ部16を取り囲むように配置され、実質的に同時に制御信号CTRLが供給される。さらに別例として、駆動部18とスイッチ部16は、駆動部18とスイッチ部16との間の電気的接続を実質的に阻止するために、誘電材料(図示せず)によって分離され得る。さらに、誘電材料の種類およびその厚さは、本明細書により詳細に記載されるように駆動部18からスイッチ部16への熱伝導性を可能にし、スイッチ部16から関連する基板(図示せず)への放熱を可能にするように選択され得る。
制御信号CTRLは、例えば、オーム熱(ohmic heat)(即ち、IR)を介して駆動部18において熱プロファイルを生成するために、2つの状態のうちの1つの状態において電流パルスとして供給され得る。別例として、制御信号CTRLは、駆動部18および/またはスイッチ部16を直接的に加熱するのに十分な光エネルギーを有する光パルス等の別の種類のパルス信号であってもよい。したがって、駆動部18のスイッチ部16に対する近位配置に基づいて、熱プロファイルは、スイッチ部16の状態を制御するために、スイッチ部16の相変化材料20に熱伝達され得る。一例として、制御信号CTRLは、熱プロファイルを指示することができるパルス特性(例えば、振幅および持続時間)を有することができる。例えば、制御信号CTRLは、駆動部18において第1の熱プロファイルを生成することができる第1の状態(例えば、第1のパルス特性を有する)で供給され、駆動部18において第2の熱プロファイルを生成することができる第2の状態(例えば、第2のパルス特性を有する)で供給され得る。第1の熱プロファイルは、相変化材料20を結晶状態に設定すること、すなわちスイッチ部16を導通状態に設定することに対応し、第2の熱プロファイルは、相変化材料20をアモルファス状態に設定すること、すなわちスイッチ部16を遮断状態に設定することに対応する。導通状態と遮断状態との間の相変化材料の状態変化の動作は、「相変化材料再構成可能回路(Phase-Change Material Reconfigurable Circuits)」と題する米国特許出願第13/803,385号に詳細に記載されている。この文献は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
図2は、相変化材料スイッチ50の例示的な図を示す。相変化材料スイッチ50は、図1の例における相変化材料スイッチ10に対応することができる。したがって、図2の例の以下の説明において、図1の例を参照されたい。
相変化材料スイッチ50は、入力信号INを受け取る入力端子52を含み、相変化材料スイッチ50が実質的に短絡として作用するような相変化材料スイッチ50の導通状態において入力信号INを出力信号OUTとして供給可能な出力端子54を含む。さらに、入力信号INは、相変化材料スイッチ50が実質的に開放として作用するような相変化材料スイッチ50の遮断状態において、出力信号OUTとして提供されるのを阻止される。
相変化材料スイッチ50は、図1の例ではスイッチ部16に集合的に対応可能な相変化材料の複数の長手ストリップ56を含む。例えば、複数の長手ストリップ56は、GeTe、GeSbTe、GeSeTe、または様々な類似の材料のいずれか等のカルコゲナイド材料から形成され得る。図2の例では、複数の長手ストリップ56は、互いに平行に且つ離間して配置され、長手方向に配向されて入力端子52と出力端子54とを相互接続する。一例として、複数の長手ストリップ56は、約50nmから約10μmの間である断面寸法を有する。本明細書で説明するように、「断面寸法」という用語は、幅、深さ、および/または直径の1つまたは複数を含むことができる少なくとも1つの断面寸法を示す。
相変化材料スイッチ50はまた、駆動部58を含む。駆動部58は、例えば、Nb、W、Pt、NiCr、TiW、または様々な類似の金属または金属含有合金のいずれか等の抵抗率および実質的に高い熱伝導率を示す金属または金属含有合金材料を含むことができる。図2の例では、駆動部58は、制御信号CTRLを受け取る一対の駆動端子60を含む。一例として、制御信号CTRLが、一対の駆動端子60のうちの第1の端子に正電圧として供給され、且つ制御信号CTRLが、一対の駆動端子60のうちの第2の端子にリターン(return)(例えば、グランド)として供給されるように、制御信号CTRLが、電圧として供給され得る。駆動部58はまた、一対の駆動端子60を導電的に相互接続する導電性ストリップ62を含む。図2の例では、導電性ストリップ62は、入力端子52と出力端子54との間の隙間を通って且つ複数の長手ストリップ56のそれぞれの一部分の下方において延在して複数の長手ストリップ56に近接する中央部64を含む。導電性ストリップ62の中央部64の断面幅は、入力端子52と出力端子54との間のギャップよりも小さいか、同じか、または広くてもよく、導電性ストリップ62は、ギャップに対して対称的に配置されるか、または端子52または54のうちの一方の方向にずれていてもよい。図2の例では、導電性ストリップ62は、ギャップよりも小さい中央部64の断面幅を有し、ギャップにおいて実質的に中央にあるように示されている。
導電性ストリップ62はまた、中央部64を一対の駆動端子60にそれぞれ結合させる複数のテーパー部66を含む。図2の例では、中央部64は、一対の駆動端子60の断面寸法よりも小さい断面寸法を有し、図2の例に示すように、テーパー部66は、一対の駆動端子60の各々との結合部分において断面寸法がほぼ等しくなるように、中央部64の断面寸法から一対の駆動端子60の各々との結合部分の最大断面寸法まで増大する断面寸法を有する。一例として、テーパー部66の最大断面寸法は、中央部64の断面寸法の約1.05倍〜約5倍の範囲であり得る。例えば、テーパー部の先細り(tapering)は、相変化材料に対する導電性ストリップ62の近接部分(例えば、図2の例における長手ストリップ56)をちょうど超えて始まるか、または先細りは、各端子52および54を超えて始まる。図2の例では不変の幅を有するとして示されているが、導電性ストリップ62の中央部64の断面領域は、導電性ストリップ62の長手方向の寸法に沿って幅を変化させてもよい。
相変化材料の複数の長手ストリップ56の配置に基づいて、相変化材料スイッチ50は、典型的な相変化材料スイッチよりも寿命が長く、効率的な動作を達成することができる。一例として、複数の長手ストリップ56は、製造中に誘電材料(図示せず)によって拘束され(constrained)、誘電材料によって導電性ストリップ62から分離することもできる。従って、複数の長手ストリップ56の状態を変化させるための制御信号CTRLに応答して導電性ストリップ62によって提供される熱プロファイルに応答して、複数の長手ストリップ56は、導電性ストリップ62を覆う相変化材料の固体片(solid piece)よりも小さな熱ストレスを受ける。従って、相変化材料スイッチ50は、長手ストリップ56としての相変化材料の配置に基づいて、相変化材料の破損によって損傷されにくく、これにより、単一の固体片の相変化材料を組み込んだ典型的な相変化材料スイッチと比較してより長寿命である。さらに、導電性ストリップ62によって提供される熱プロファイルは、相変化材料の単一の固体片と比較して複数の長手ストリップ56のより大きな表面領域と相互作用するため、複数の長手ストリップ56は、より大きな熱吸収を受ける。その結果、制御信号CTRLは、相変化材料の単一の固体片の状態を変化させるために供給される制御信号と比較してより小さい電圧振幅で供給されて複数の長手ストリップ56の相変化材料の状態を変更する。したがって、相変化材料スイッチ50は、典型的な相変化材料スイッチよりも耐久性があり、且つより効率的である。
さらに、導電性ストリップ62のテーパー部66を設けたことに基づいて、相変化材料スイッチ50は、異なる態様で、典型的な相変化材料スイッチよりも寿命を向上させることができる。一例として、テーパー部66は、中央部64に対してテーパー部66の電流密度を減少させることによって、制御信号CTRLに起因して導電性ストリップ62に沿って温度のより大きな均一性を提供することができる。したがって、導電性ストリップ62の温度を、より密接に制御信号CTRLの印加中にテーパー部66の温度と一致させることができる。その結果、導電性ストリップ62への熱による損傷を実質的に緩和することができる。例えば、テーパー部66がテーパーされる代わりに連続的な断面寸法であった場合、その部分の温度は、中央部64に対して相変化材料および誘電体との遠い近接度(more distant proximity)に基づいて、中央部64の温度に対して高くなる。これにより、導電性ストリップ62を溶融させるか、または過度の熱に応答してエレクトロマイグレーションを引き起こす可能性がある。したがって、テーパー部66は、導電性ストリップを、関連する電極に結合する非テーパー部と比較してよりロバスト性を有することができる。従って、相変化材料スイッチ50は、典型的な相変化材料スイッチと比較して導電性ストリップ62に対するより耐久性がある。
相変化材料スイッチ50は、図2の例に示す構成に限定されないことを理解すべきである。一例として、相変化材料スイッチ50は、複数の長手ストリップ56として配置された相変化材料と導電性ストリップ62のテーパー部66との両方を含むが、相変化材料スイッチ50は、これら特徴のいずれかを個別に具体化することができることを理解すべきである。例えば、相変化材料スイッチ50は、複数の長手ストリップ56を含むが、テーパー部66を含まなくてもよく、またはテーパー部66および相変化材料の単一の固体片を含んでいてもよい。さらに、相変化材料スイッチ50が合計6つの長手ストリップ56を含むものとして図2に示されているが、相変化材料スイッチ50は、代わりに等しい寸法かまたは異なる寸法のより少ないかまたはより多い長手ストリップ56を含むことができる。例えば、複数の長手ストリップ56の寸法およびそれらの間の距離は、接触抵抗対材料制約(contact resistance versus material constraint)(例えば、耐久性)のバランスをとるように最適化することができる。さらに、中央部64の断面幅は、長手方向の寸法に沿って変化することができる。例えば、中央部64は、相変化材料の複数の長手ストリップ56によって覆われない領域においてより広くなり、且つ相変化材料の複数の長手ストリップ56によって覆われる領域においてより狭くなることにより、テーパー部66と同じ利点を有する。したがって、相変化材料スイッチ50は、様々な方法で構成することができる。
図3は、分散型スイッチシステム100の一例を示す。分散型スイッチシステム100は、信号を通過または遮断するために開閉可能な1つまたは複数のスイッチを必要とする様々なアプリケーションのいずれかで具体化することができる。例えば、分散型スイッチシステム100は、ロジック回路およびコンピューティングアプリケーション、RFフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)等のフロントエンド受信システムまたは送信システムにおける無線周波数(RF)信号のスイッチングにおいて具体化することができる。
分散型スイッチシステム100は、入力信号INを受け取る入力信号線108と、出力信号OUTを供給する出力信号線110との間に直列に配置された第1の相変化材料スイッチ102、第2の相変化材料スイッチ104、第3の相変化材料スイッチ106としての図3の例で示される複数の相変化材料スイッチを含む。分散型スイッチシステム100は、相変化材料スイッチ102,104,106の導通状態において入力信号INが伝搬されて出力信号OUTを供給することができる第1の端子112、第2の端子114、第3の端子116、および第4の端子118を含む。図3の例では、第1の端子112および第2の端子114は、第1の相変化材料スイッチ102に関連付けられ、第2の端子114および第3の端子116は、第2の相変化材料スイッチ104に関連付けられ、第3の端子116および第4の端子118は、第3の相変化材料スイッチ106に関連付けられる。従って、第2の端子114は、第1および第2の相変化材料スイッチ102,104間で共有され、第3の端子116は、第2および第3の相変化材料スイッチ104,106間で共有される。
相変化材料スイッチ102,104および106のそれぞれは、図3の例で示される相変化材料120および導電性ストリップ122としてスイッチ部および駆動部を含む。図3の例では、導電性ストリップ122は、図2の例に示すように相変化材料120と対向して示されている。しかし、導電性ストリップ122は、相変化材料120の両側またはいずれか一方の側に配置され得ることを理解されたい。前述したように、制御信号CTRLは、相変化材料スイッチ102,104,106の各々の導電性ストリップ122に供給されて相変化材料スイッチ102,104,106の相変化材料120を結晶状態およびアモルファス状態の間で切り替える。したがって、相変化材料スイッチ102,104、および106のそれぞれの相変化材料120が結晶状態に設定されたことに応答して、分散型スイッチシステム100が導通状態に設定されて、入力信号INが出力信号OUTとして分散型スイッチシステム100を介して供給される。同様に、相変化材料スイッチ102,104、および106のそれぞれの相変化材料120がアモルファス状態に設定されたことに応答して、分散型スイッチシステム100が遮断状態に設定されて、入力信号INが出力信号OUTとして分散型スイッチシステム100を介して供給されることが阻止される。
したがって、分散型スイッチシステム100は、相変化材料スイッチ102,104および106の直列接続に基づいて位相材料スイッチングを具体化する異なる方法を提供する。図2の例では、相変化材料スイッチ50によって分散型スイッチシステム100を具体化することにより、分散型スイッチシステム100が入力信号INのより高い電圧でのスイッチング用途において具体化されるように、分散型スイッチシステム100は、(例えば、相変化材料スイッチ50に対して3倍大きい)入力信号INのより大きなブレークダウン閾値電圧(breakdown threshold voltage)を提供する。さらに、分散型スイッチシステム100は、相変化材料スイッチ50に対して良好な(例えば、好適には3倍の)オフ状態キャパシタンス(off-state capacitance)を提供する。
図4は、分散型スイッチシステム150の他の例を示す。図3の例における分散型スイッチシステム100と同様に、分散型スイッチシステム150は、信号を通過または遮断するために開閉可能な1つまたは複数のスイッチを必要とする様々なアプリケーションのいずれかにおいて具体化することができる。
分散型スイッチシステム150は、図4の例で示される入力信号INを受け取る入力信号線160と、出力信号OUTを供給する出力信号線162との間に平行に配置された第1の相変化材料スイッチ152、第2の相変化材料スイッチ154、第3の相変化材料スイッチ156、および第4の相変化材料スイッチ158として複数の相変化材料スイッチを含む。図4の例では、入力信号INが、並列に接続された相変化材料スイッチ152,154,156,158のそれぞれに供給され、出力信号OUTが、並列に接続された相変化材料スイッチ152,154,156,158の各々から供給されるように、入力信号線160と出力信号線162は分岐されている。並列に接続された相変化材料スイッチ152,154,156,158の各々は、入力信号線160と接続された第1の端子164と、出力信号線162に接続された第2の端子166とを含む。
相変化材料スイッチ152,154,156,158の各々は、図4の例で示される相変化材料168および導電性ストリップ170としてスイッチ部および駆動部をそれぞれ含む。図4の例では、導電性ストリップ170は、図2の例で示されているように相変化材料168と対向するように示されている。しかし、導電性ストリップ170は、相変化材料168の両側またはいずれか一方の側に配置され得ることを理解されたい。制御信号CTRLが、相変化材料スイッチ152,154,156,158の各々の導電性ストリップ170に供給されて、相変化材料スイッチ152,154,156,158のそれぞれの相変化材料168を結晶状態とアモルファス状態との間で切り替える。したがって、相変化材料スイッチ152,154,156,158のそれぞれの相変化材料168が結晶状態に設定されたことに応答して、分散型スイッチシステム150は、導通状態に設定されて入力信号INを分散型スイッチシステム150を介して出力信号OUTとして供給する。同様に、相変化材料スイッチ152,154,156,158のそれぞれの相変化材料168がアモルファス状態に設定されたことに応答して、分散型スイッチシステム150は、遮断状態に設定されて入力信号INが分散型スイッチシステム150を介して出力信号OUTとして供給されることを阻止する。
したがって、分散型スイッチシステム150は、相変化材料スイッチ152,154,156,158の並列接続に基づいて相変化材料のスイッチングを具体化する異なる方法を提供する。図2の例における相変化材料スイッチ50によって分散型スイッチシステム150を具体化することにより、分散型スイッチシステム150は、相変化材料スイッチ50と比較してほぼ同じブレークダウン閾値電圧を維持するが、相変化材料スイッチ50と比較して改善されたオン状態抵抗(on-state resistance)(例えば、相変化材料スイッチ50と比較して1/4のオン状態抵抗)を提供する。
図5は、分散型スイッチシステム200のさらなる別例を示す。図3の例における分散型スイッチシステム100および図4の例における分散型スイッチシステム150と同様に、分散型スイッチシステム200は、信号を通過または遮断するために開閉可能な1つまたは複数のスイッチを必要とする様々なアプリケーションのいずれかにおいて具体化することができる。
分散型スイッチシステム200は、図5の例で示される並列の4つの組の直列に接続された相変化材料スイッチとして複数の相変化材料スイッチを含む。図5の例では、相変化材料スイッチは、各々、直列に接続された第1の組の相変化材料スイッチ202、第2の組の相変化材料スイッチ204、第3の組の相変化材料スイッチ206、および第4組の相変化材料スイッチ208として示されている。第1の組の相変化材料スイッチ202、第2の組の相変化材料スイッチ204、第3の組の相変化材料スイッチ206、および第4の組の相変化材料スイッチ208は、第1の行210、第2の行212、および第3の行214において並列に配置されている。4つの組の相変化材料スイッチ202,204,206,208は、入力信号INを受け取る入力信号線216と、出力信号OUTを供給する出力信号線218との間に直列に配置される。図5の例では、入力信号INが第1の行210において並列に接続された複数の相変化材料スイッチのそれぞれに供給され、出力信号OUTは、第3の行214において並列に接続された複数の相変化材料スイッチのそれぞれから供給されるように、入力信号線216と出力信号線218とは分岐されている。すなわち、分散型スイッチシステム200は、図3の例における分散型スイッチシステム100と図4の例における分散型スイッチシステム150との組み合わせとして示されている。
各組202,204,206,208内の各相変化材料スイッチは、図5の例で示される相変化材料220および導電性ストリップ222としてスイッチ部および駆動部を含む。図5の例では、導電性ストリップ222は、図2の例において示されるように相変化材料220と対向して示されている。しかし、導電性ストリップ222は、相変化材料220の両側またはいずれかの一方の側に配置され得ることを理解されたい。行210,212,214内の各相変化材料スイッチの導電性ストリップ222は、導電的に結合されている。前述したように、制御信号CTRLは、各行210,212,214における各相変化材料スイッチの導電性ストリップ222に供給されて各行210,212,214における各相変化材料スイッチの相変化材料220を結晶状態とアモルファス状態との間で切り替える。したがって、各組202,204,206,208における各相変化材料スイッチの相変化材料220が結晶状態に設定されたことに応答して、分散型スイッチシステム200は、入力信号INを分散型スイッチシステム200を介して出力信号OUTとして供給する。同様に、各組202,204,206,208における各相変化材料スイッチの相変化材料220がアモルファス状態に設定されたことに応答して、分散型スイッチシステム200は、遮断状態に設定されて入力信号INが分散型スイッチシステム200を介して出力信号OUTとして供給されることを阻止する。制御信号CTRLが分散型スイッチシステム200の複数の相変化材料スイッチの導電性ストリップ222を介して供給される方法は、複数の相変化材料スイッチの行210,212,214間の複数の導電性ストリップ222の導電性結合の方法に依存し得る。
図6は、図5の分散型スイッチシステムの第1の構成250の一例を示す。第1の構成250は、図5の例における分散型スイッチシステム200の具体化の第1の例である。したがって、図5の例に提供される同様の参照番号が、分散型スイッチシステム200の第1の構成250の説明において用いられる。
第1の構成250では、相変化材料スイッチの各行210,212,214の導電性ストリップ222は、第1の制御端子256において第1の導電性結合252によって導電的に結合され、また第2の制御端子258において第2の導電性結合254によって導電的に結合される。結果として、制御信号CTRLの電流は、相変化材料スイッチ202,204,206の各組の導電性ストリップ222を介して直列に、且つ各行210,212,214に沿った導電性ストリップ222を介して平行に流れる。図6の例では、制御信号CTRLの電流の流れは、第1の行210を通る第1の点線260、第2の行212を通る第2の点線262、および第3の行214を通る第3の点線264で示される。制御信号CTRLの電流は、第1構成250の分散型スイッチシステム200において直列および並列の両方で流れる。したがって、第1構成250の分散型スイッチシステム200は、以下のようなスイッチング特性を示すことができる。
第1の構成250(図6):
状態を切り替えるための制御信号CTRLの電力:P*N*M 式1
制御端子256,258間の全抵抗:R*M/N 式2
切り替えるための制御信号CTRLの電圧:M*SQRT(P*R) 式3
切り替えるための制御信号CTRLの電流:N*M*SQRT(P*R)/R 式4
ここで、
P=単一の相変化材料スイッチを切り替えるために必要な電力
N=組202,204,206,208のうちの所与の1つの組における相変化材料スイッチの数
M=行210,212,214のうちの所定の1つの行における相変化材料スイッチの数
R=所与の1つの相変化材料スイッチの導電性ストリップの抵抗値
従って、第1の構成250は、相変化材料スイッチ(例えば、図2の例における相変化材料スイッチ50)の直列及び並列接続の組合せに基づいて相変化材料のスイッチングを具体化する方法の一例を提供することができる。
図7は、図5の分散型スイッチシステムの第2の構成300の一例を示す。第2の構成300は、図5の例における分散型スイッチシステム200の具体化の第2の例である。したがって、図5の例に提供される同様の参照番号が、分散型スイッチシステム200の第2の構成300の説明において用いられる。
第2の構成300では、相変化材料スイッチの各行210,212,214の複数の導電性ストリップ222が、各組202,204,206,208間で導電的に結合される。図7の例で示されるように、第1の導電性カップリング302は、第1の組202の複数の導電性ストリップ222と結合し、第2の導電性カップリング304は、第1の組202と第2の組204の両方の複数の導電性ストリップ222と結合する。第3の導電性カップリング306は、第2の組204および第3の組206の両方の複数の導電性ストリップ222と結合し、第4の導電性結合308は、第3の組206および第4の組208の複数の導電性ストリップ222と結合し、第5の導電性結合310は、第4の組208の複数の導電性ストリップ222と結合する。第1、第3および第5の導電性カップリング302,306,310は、第2の制御端子314に結合されるが、第2および第4の導電性カップリング304および308は、第1の制御端子312に結合されている。
その結果、制御信号CTRLの電流は、並列に全ての導電性ストリップ222にわたって導電性カップリング302,304,306,308,310のそれぞれの間の単一の導電性ストリップ222のみを通って流れる。図7の例では、制御信号CTRLの電流の流れは、第1の組202の各導電性ストリップ222を通る点線316、第2の組204の各導電性ストリップ222を通る点線318、第3の組206の各導電性ストリップ222を通る点線320、第4の組208の各導電性ストリップ222を通る点線322として示される。したがって、制御信号CTRLの電流は、並列に第2の構成300の分散型スイッチシステム200を通って流れる。すなわち、第2の構成300の分散型スイッチシステム200は、以下のようなスイッチング特性を示すことができる。
第2の構成300(図7):
状態を切り替えるための制御信号CTRLの電力:P*N*M 式5
制御端子312と314との間の全抵抗:R/(M*N) 式6
切り替えるための制御信号CTRLの電圧:SQRT(P*R) 式7
切り替えるための制御信号CTRLの電流:N*M*SQRT(P*R)/R 式8
従って、第2の構成300は、複数の相変化材料スイッチ(例えば、図2の例における相変化材料スイッチ50)の直列及び並列接続の組合せに基づいて相変化材料のスイッチングを具体化する方法の別例を提供することができる。すなわち、第2の構成300は、第1の構成250と比較して制御信号のより低いスイッチング電圧、および制御信号CTRLのより高いスイッチング電流を示す。
図8は、図5の分散型スイッチシステムの第3の構成の一例を示す図である。第3の構成350は、図5の例における分散型スイッチシステム200の具体化の第3の例である。したがって、図5の例において提供される同様の参照番号が、分散型スイッチシステム200の第3の構成350の説明において用いられる。
第3の構成350では、相変化材料スイッチの行210および行212の複数の導電性ストリップ222は、第1の導電性カップリング352によって導電的に結合される。行212および行214の複数の導電性ストリップ222は、第2の導電性カップリング354により導電的に結合される。第1の制御端子356は、行210における第1の導電性カップリング352とは反対側の導電性ストリップ222に結合され、第2の制御端子358は、行214における第2の導電性結合354とは反対側の導電性ストリップ222に結合される。
その結果、制御信号CTRLの電流は、直列に複数の導電性ストリップ222にわたって各列202,204,206,208および各行210,212,214における全ての相変化材料スイッチを通って流れる。図8の例では、制御信号CTRLの電流の流れは、第1の行210を通る点線360、点線360とは反対方向において第2の行212を通る第2の点線362、第2の点線362と反対方向の第3の行214を通る第3の点線364で示されている。従って、制御信号CTRLの電流は、直列に第3の構成350の分散型スイッチシステム200を通って流れる。すなわち、第3の構成350の分散型スイッチシステム200は以下のようなスイッチング特性を示すことができる。
第3の構成350(図8):
状態を切り替えるための制御信号の電力:P*N*M 式9
制御端子356と358の間の全抵抗:R*M*N 式10
切り替えるための制御信号CTRLの電圧:N*M*SQRT(P*R) 式11
切り替えるための制御信号CTRLの電流:SQRT(P*R)/R 式12
したがって、第3の構成350は、複数の相変化材料スイッチ(例えば、図2の例における相変化材料スイッチ50)の直列および並列接続の組み合わせに基づいて相変化材料のスイッチングを具体化する方法のさらなる別例を提供することができる。すなわち、第3の構成350は、第1の構成250と比較して、制御信号のより高いスイッチング電圧、および制御信号CTRLのより低いスイッチング電流を示す。
分散型スイッチシステム100,150は、図3および図4の例に限定されることを意図するものではなく、分散型スイッチシステム200は、図5〜8の例に限定されることを意図するものではないことを理解されたい。一例として、分散型スイッチシステム100は、より多くの相変化材料スイッチを直列に含むことができ、分散型スイッチシステム150は、より多くの相変化材料スイッチを並列に含むことができ、分散型スイッチシステム200は、組および行のそれぞれにおいて追加の相変化材料スイッチを含むことができる。さらに、分散型スイッチシステム200は、分散型スイッチシステム200における他の相変化材料スイッチの複数の相変化材料スイッチまたは一群の相変化材料スイッチをそれぞれ制御するように構成された2つ以上の制御信号CTRLを含むことができることを理解されたい。一例として、複数の制御信号CTRLは、複数の入力信号INの個々の制御を提供するか、または異なるスイッチング特性を有する複数の入力信号INのスイッチングを提供することができる。さらに、分散型スイッチシステム100,150,200は、各相変化材料スイッチにおける単一の固体片の相変化材料、および各導電性ストリップのテーパー部を示す。しかし、相変化材料スイッチのうちの1つまたは複数は、分散型スイッチシステム100,150,200の各々において、(例えば、図2の例における長手ストリップ56と実質的に同様な)長手ストリップを含むこと、および/または、非テーパーの導電性ストリップを含むことができる。従って、分散型スイッチシステム100,150,200は、様々な方法で具体化され得る。
上述された事項は、本発明の例である。もちろん、本発明を説明する目的で構成要素または方法論のあらゆる考えられる組み合わせを説明することは不可能であるが、当業者であれば、本発明の多くのさらなる組み合わせおよび置換が可能であることを認識するであろう。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲の趣旨および範囲内に入るそのような変更、修正および変形をすべて包含することが意図されている。
上述された事項は、本発明の例である。もちろん、本発明を説明する目的で構成要素または方法論のあらゆる考えられる組み合わせを説明することは不可能であるが、当業者であれば、本発明の多くのさらなる組み合わせおよび置換が可能であることを認識するであろう。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲の趣旨および範囲内に入るそのような変更、修正および変形をすべて包含することが意図されている。
以下に、上記各実施形態から把握できる技術思想を記載する。
(付記1)
分散型スイッチシステムであって、
単一の共通入力と、単一の共通出力との間で、互いに並列と、直列と、並列および直列の組み合わせとのうちの1つで配置された複数の相変化材料スイッチを備え、
前記複数の相変化材料スイッチの各々は、
入力信号を受け取るように構成された第1の端子と、
第2の端子と、
第1の熱プロファイルを放出する第1の状態と、第2の熱プロファイルを放出する第2の状態とのうちの1つにおいて制御信号を受け取るように構成された駆動部と、
前記駆動部と近接した相変化材料を含むスイッチ部と、を備え、
前記相変化材料は、第1の熱プロファイルに応答して前記第1の端子から前記第2の端子に入力信号を伝達する導電状態と、前記第2の熱プロファイルに応答して前記第1の端子から前記第2の端子への入力信号を実質的に遮断する遮断状態との間で選択可能である、分散型スイッチシステム。
(付記2)
前記複数の相変化材料スイッチは、並列と、直列および並列の組み合わせとのうちの1つで配置され、
前記分散型スイッチシステムは、
前記入力信号が伝搬する信号線をさらに備え、
前記入力信号は、前記信号線に並列に接続された複数の相変化材料スイッチの各々の第1の端子の間で分配される、付記1に記載の分散型スイッチシステム。
(付記3)
前記複数の相変化材料スイッチの各々の相変化材料は、前記複数の相変化材料スイッチの各々の駆動部に供給される制御信号に基づいて、前記第1及び第2の熱プロファイルにそれぞれ応答して、前記導電状態と前記遮断状態との間で選択可能である、付記1に記載の分散型スイッチシステム。
(付記4)
前記複数の相変化材料スイッチの各々の駆動部の相変化材料は、
互いに平行に且つ離間し、前記第1の端子と前記第2の端子とを相互接続するように長手方向に延びるように構成された複数の長手ストリップとして構成され、
前記複数の長手ストリップの各々は、前記駆動部と近接している、付記1に記載の分散型スイッチシステム。
(付記5)
前記駆動部は、
制御信号を受け取るように構成された一対の駆動端子と、
前記一対の駆動端子の間で延びる導電性ストリップと、を含み、
前記導電性ストリップは、
前記一対の駆動端子の寸法よりも小さい断面寸法を有する中央部と、
前記中央部の断面寸法から前記一対の駆動端子の各々との結合部の最大断面寸法まで大きくなる断面寸法をそれぞれ有する一対のテーパー部と、を含む、付記1に記載の分散型スイッチシステム。

Claims (19)

  1. 相変化材料スイッチであって、
    入力信号を受け取るように構成された第1の端子と、
    第2の端子と、
    第1の熱プロファイルを放出する第1の状態と、第2の熱プロファイルを放出する第2の状態とのうちの1つにおいて制御信号を受け取るように構成された駆動部と、
    複数の長手ストリップとして構成された相変化材料を含むスイッチ部であって、前記複数の長手ストリップの各々は、第1の端子と第2の端子とを相互接続し、且つ前記駆動部と近接する、前記スイッチ部と、を備え、
    前記相変化材料は、第1の熱プロファイルに応答して前記第1の端子から前記第2の端子に入力信号を伝達する導電状態と、前記第2の熱プロファイルに応答して前記第1の端子から前記第2の端子への入力信号を実質的に遮断する遮断状態との間で選択可能である、相変化材料スイッチ。
  2. 前記駆動部は、
    前記制御信号を受け取るように構成された一対の駆動端子と、
    前記一対の駆動端子の間で複数の長手ストリップに対して直交して延びる導電性ストリップと、を含み、
    第1の状態および第2の状態のそれぞれにおける制御信号に関連する電流パルス特性は、前記導電性ストリップに第1および第2の熱プロファイルを提供する、請求項1に記載の相変化材料スイッチ。
  3. 前記導電性ストリップは、
    前記相変化材料に近接し、一対の駆動端子の寸法よりも小さい断面寸法を有する中央部と、
    前記中央部の断面寸法から前記一対の駆動端子の各々との結合部における最大断面寸法まで大きくなる断面寸法をそれぞれ有する一対のテーパー部とを含む、請求項2に記載の相変化材料スイッチ。
  4. 前記最大断面寸法は、前記中央部の断面寸法の約1.05倍から約5倍までの間である、請求項3に記載の相変化材料スイッチ。
  5. 前記複数の長手ストリップは、互いに平行に且つ離間して配置され、前記第1の端子と前記第2の端子とを相互接続するように長手方向に延びる、請求項1に記載の相変化材料スイッチ。
  6. 前記複数の長手ストリップは、約50nmから約10μmまでの間である断面寸法を有する、請求項1に記載の相変化材料スイッチ。
  7. 請求項1に記載の複数の相変化材料スイッチを備える分散型スイッチシステムであって、
    前記複数の相変化材料スイッチは、互いに並列と、直列と、並列および直列の組み合わせとのうちの1つで配置されている、分散型スイッチシステム。
  8. 前記複数の相変化材料スイッチは、並列と、直列および並列の組み合わせとのうちの1つで配置され、
    前記分散型スイッチシステムは、
    前記入力信号が伝搬する信号線をさらに備え、
    前記入力信号は、信号線に並列に接続された複数の相変化材料スイッチの各々の第1の端子の間で分配される、請求項7に記載の分散型スイッチシステム。
  9. 前記複数の相変化材料スイッチの各々の相変化材料は、前記複数の相変化材料スイッチの各々の駆動部に供給される制御信号に基づいて、前記第1及び第2の熱プロファイルにそれぞれ応答して、前記導電状態と前記遮断状態との間で選択可能である、請求項7に記載の分散型スイッチシステム。
  10. 相変化材料スイッチであって、
    入力信号を受け取るように構成された第1の端子と、
    第2の端子と、
    制御信号を受け取るように構成された一対の駆動端子と、前記一対の駆動端子の間で延びる導電性ストリップと、を含む駆動部であって、前記導電性ストリップは、前記一対の駆動端子の寸法よりも小さい断面寸法を有する中央部と、該中央部の断面寸法から前記一対の駆動端子の各々との結合部の最大断面寸法まで大きくなる断面寸法をそれぞれ有する一対のテーパー部と、を含み、前記制御信号は、第1の熱プロファイルを放出する第1の状態と、第2の熱プロファイルを放出する第2の状態とのうちの一方で供給される、前記駆動部と、
    前記導電性ストリップの中央部と近接した相変化材料を含むスイッチ部と、を備え、
    前記相変化材料は、第1の熱プロファイルに応答して前記第1の端子から前記第2の端子に入力信号を伝達する導電状態と、前記第2の熱プロファイルに応答して前記第1の端子から前記第2の端子への入力信号を実質的に遮断する遮断状態との間で選択可能であり、
    前記相変化材料は、複数の長手ストリップとして構成され、
    前記複数の長手ストリップは、互いに平行に且つ離間して配置され、前記第1の端子と前記第2の端子とを相互接続するように長手方向に延び、前記導電性ストリップの中央部と近接している、相変化材料スイッチ。
  11. 前記最大断面寸法は、前記中央部の断面寸法の約1.05倍から約5倍までの間である、請求項10に記載の相変化材料スイッチ。
  12. 請求項10に記載の複数の相変化材料スイッチを備える分散型スイッチシステムであって、
    前記複数の相変化材料スイッチは、互いに並列と、直列と、並列および直列の組み合わせとのうちの1つで配置されている、分散型スイッチシステム。
  13. 前記複数の相変化材料スイッチは、並列と、直列および並列の組み合わせとのうちの1つで配置され、
    前記分散型スイッチシステムは、
    前記入力信号が伝搬する信号線をさらに備え、
    前記入力信号は、信号線に並列に接続された複数の相変化材料スイッチの各々の第1の端子の間で分配される、請求項12に記載の分散型スイッチシステム。
  14. 前記複数の相変化材料スイッチの各々の相変化材料は、前記複数の相変化材料スイッチの各々の駆動部に供給される制御信号に基づいて、前記第1及び第2の熱プロファイルにそれぞれ応答して、前記導電状態と前記遮断状態との間で選択可能である、請求項12に記載の分散型スイッチシステム。
  15. 分散型スイッチシステムであって、
    単一の共通入力と、単一の共通出力との間で、互いに並列と、直列と、並列および直列の組み合わせとのうちの1つで配置された複数の相変化材料スイッチを備え、
    前記複数の相変化材料スイッチの各々は、
    入力信号を受け取るように構成された第1の端子と、
    第2の端子と、
    第1の熱プロファイルを放出する第1の状態と、第2の熱プロファイルを放出する第2の状態とのうちの1つにおいて制御信号を受け取るように構成された駆動部と、
    前記駆動部と近接した相変化材料を含むスイッチ部と、を備え、
    前記相変化材料は、第1の熱プロファイルに応答して前記第1の端子から前記第2の端子に入力信号を伝達する導電状態と、前記第2の熱プロファイルに応答して前記第1の端子から前記第2の端子への入力信号を実質的に遮断する遮断状態との間で選択可能である、分散型スイッチシステム。
  16. 前記複数の相変化材料スイッチは、並列と、直列および並列の組み合わせとのうちの1つで配置され、
    前記分散型スイッチシステムは、
    前記入力信号が伝搬する信号線をさらに備え、
    前記入力信号は、前記信号線に並列に接続された複数の相変化材料スイッチの各々の第1の端子の間で分配される、請求項15に記載の分散型スイッチシステム。
  17. 前記複数の相変化材料スイッチの各々の相変化材料は、前記複数の相変化材料スイッチの各々の駆動部に供給される制御信号に基づいて、前記第1及び第2の熱プロファイルにそれぞれ応答して、前記導電状態と前記遮断状態との間で選択可能である、請求項15に記載の分散型スイッチシステム。
  18. 前記複数の相変化材料スイッチの各々の駆動部の相変化材料は、
    互いに平行に且つ離間し、前記第1の端子と前記第2の端子とを相互接続するように長手方向に延びるように構成された複数の長手ストリップとして構成され、
    前記複数の長手ストリップの各々は、前記駆動部と近接している、請求項15に記載の分散型スイッチシステム。
  19. 前記駆動部は、
    制御信号を受け取るように構成された一対の駆動端子と、
    前記一対の駆動端子の間で延びる導電性ストリップと、を含み、
    前記導電性ストリップは、
    前記一対の駆動端子の寸法よりも小さい断面寸法を有する中央部と、
    前記中央部の断面寸法から前記一対の駆動端子の各々との結合部の最大断面寸法まで大きくなる断面寸法をそれぞれ有する一対のテーパー部と、を含む、請求項15に記載の分散型スイッチシステム。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3053536B1 (fr) * 2016-07-04 2019-07-05 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Commutateur comportant une structure a base de materiau(x) a changement de phase dont une partie seulement est activable
FR3058855A1 (fr) * 2016-11-16 2018-05-18 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Commutateur a materiau a changement de phase
WO2018107101A1 (en) 2016-12-09 2018-06-14 Alcatel-Lucent Usa, Inc. Reconfigurable integrated circuit and operating principle
US10290949B2 (en) * 2017-09-07 2019-05-14 The Boeing Company Passively switched resonant chamber
CN108596321A (zh) * 2018-04-28 2018-09-28 兰州大学 一种可编程无芯片电子标签
US11742162B2 (en) * 2018-12-19 2023-08-29 Carnegie Mellon University Phase change nano electro-mechanical relay
FR3098340B1 (fr) * 2019-07-03 2022-03-25 Airmems Commutateur de puissance, large bande hautes frequences et dispositif integrant des commutateurs de puissance
US11522010B2 (en) 2019-08-19 2022-12-06 Northrop Grumman Systems Corporation Method to integrate DC and RF phase change switches into high-speed SiGe BiCMOS
US11563174B2 (en) * 2020-04-09 2023-01-24 Infineon Technologies Ag Phase change switch with multi face heater configuration
EP4016844A1 (en) * 2020-12-18 2022-06-22 Infineon Technologies AG Switch device, method for operating switch device and method for manufacturing switch device
US11546010B2 (en) 2021-02-16 2023-01-03 Northrop Grumman Systems Corporation Hybrid high-speed and high-performance switch system
EP4125214A1 (en) * 2021-07-26 2023-02-01 Infineon Technologies AG Phase change switch device and method of operating a phase change switch device
US20230180644A1 (en) * 2021-12-08 2023-06-08 International Business Machines Corporation Global heater for phase change memory
CN114597614A (zh) * 2022-03-16 2022-06-07 四川大学 一种可变移相器、单微波源定向加热系统及其加热方法
FR3138004B1 (fr) * 2022-07-18 2024-05-31 Commissariat Energie Atomique Commutateur à base de matériau à changement de phase
FR3142865A1 (fr) * 2022-12-02 2024-06-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Commutateur à base de matériau à changement de phase

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005244831A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Mitsubishi Electric Corp Rf−memsスイッチ装置及びrf−memsスイッチ装置を装荷したアンテナ装置
JP2006173555A (ja) * 2004-11-17 2006-06-29 Toshiba Corp スイッチング素子と線路切り換え装置及び論理回路

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4814853A (en) * 1981-10-28 1989-03-21 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with programmable fuse
US5444287A (en) * 1994-08-10 1995-08-22 International Business Machines Corporation Thermally activated noise immune fuse
US5905401A (en) * 1996-09-09 1999-05-18 Micron Technology, Inc. Device and method for limiting the extent to which circuits in integrated circuit dice electrically load bond pads and other circuit nodes in the dice
US6677688B2 (en) 2000-06-07 2004-01-13 Tyco Electronics Corporation Scalable N×M, RF switching matrix architecture
US6828884B2 (en) 2001-05-09 2004-12-07 Science Applications International Corporation Phase change control devices and circuits for guiding electromagnetic waves employing phase change control devices
US6448576B1 (en) 2001-08-30 2002-09-10 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration, Inc. Programmable chalcogenide fuse within a semiconductor device
US7232975B2 (en) 2003-12-02 2007-06-19 Battelle Energy Alliance, Llc Plasma generators, reactor systems and related methods
EP1922743A4 (en) 2005-09-06 2008-10-29 Nantero Inc METHOD AND SYSTEM FOR USING NANOTUBE TISSUES AS OHMIC HEATING ELEMENTS FOR MEMORIES AND OTHER APPLICATIONS
US7646006B2 (en) 2006-03-30 2010-01-12 International Business Machines Corporation Three-terminal cascade switch for controlling static power consumption in integrated circuits
US7634248B2 (en) 2006-08-01 2009-12-15 Carnegie Mellon University Configurable circuits using phase change switches
US7411818B1 (en) * 2007-02-07 2008-08-12 International Business Machines Corporation Programmable fuse/non-volatile memory structures using externally heated phase change material
US7608851B2 (en) 2007-05-08 2009-10-27 International Business Machines Corporation Switch array circuit and system using programmable via structures with phase change materials
WO2009001262A1 (en) 2007-06-28 2008-12-31 Nxp B.V. Electric device comprising phase change material and heating element
US7880194B2 (en) 2008-04-21 2011-02-01 International Business Machines Corporation Cross point switch using phase change material
JP6287137B2 (ja) * 2013-12-03 2018-03-07 富士電機株式会社 ポリシリコンヒューズおよびポリシリコンヒューズを有する、半導体装置およびポリシリコンヒューズの分断方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005244831A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Mitsubishi Electric Corp Rf−memsスイッチ装置及びrf−memsスイッチ装置を装荷したアンテナ装置
JP2006173555A (ja) * 2004-11-17 2006-06-29 Toshiba Corp スイッチング素子と線路切り換え装置及び論理回路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"RF Switches using Phase Change Materials", MEMS 2013, JPN6018010094, 2013, US, pages Figure.1 *

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