JP2005244831A - Rf−memsスイッチ装置及びrf−memsスイッチ装置を装荷したアンテナ装置 - Google Patents
Rf−memsスイッチ装置及びrf−memsスイッチ装置を装荷したアンテナ装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】シリコン基板1の上面に直列に設けられた複数の導体セル2と、シリコン基板1の下面に設けられた地導体3と、導体セル2aと地導体3間に接続された給電線路6とを有するRF回路において、導体セル2aと2b間に設けられたRF−MEMSスイッチ11と、導体セル2bと2c間に設けられたRF−MEMSスイッチ13とを備え、RF−MEMSスイッチ11は、駆動金属板11aと、下部金属板11bと、バイアス線路11cと、バイアス線路11dと、DC可変電源とを有し、RF−MEMSスイッチ13は、駆動金属板13aと、下部金属板13bと、バイアス線路13dと、DC可変電源とを有する。
【選択図】図1
Description
この発明の実施の形態1に係るRF−MEMSスイッチ装置について図1を参照しながら説明する。図1は、この発明の実施の形態1に係るRF−MEMSスイッチ装置とRF回路の構成を示す図であり、(a)は上視図、(b)は略中央部分の断面図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
この発明の実施の形態2に係るRF−MEMSスイッチ装置について図2を参照しながら説明する。図2は、この発明の実施の形態2に係るRF−MEMSスイッチ装置とRF回路の構成の断面を示す図である。
この発明の実施の形態3に係るRF−MEMSスイッチ装置について図3を参照しながら説明する。図3は、この発明の実施の形態1に係るRF−MEMSスイッチ装置とRF回路の構成を示す図であり、(a)は上視図、(b)は略中央部分の断面図である。
この発明の実施の形態4に係るRF−MEMSスイッチ装置について図4を参照しながら説明する。図4は、この発明の実施の形態4に係るRF−MEMSスイッチ装置とRF回路の構成の断面を示す図である。
この発明の実施の形態5に係るRF−MEMSスイッチ装置について図5を参照しながら説明する。図5は、この発明の実施の形態5に係るRF−MEMSスイッチ装置とRF回路の構成の断面を示す図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
この発明の実施の形態6に係る直列型のRF−MEMSスイッチ装置で構成されたアンテナ装置について図6を参照しながら説明する。図6は、この発明の実施の形態6に係るアンテナ装置の構成を示す図である。
Claims (6)
- 誘電体基板と、前記誘電体基板の第1の面上に直列に設けられた複数の導体セルと、前記誘電体基板の第2の面上に設けられた地導体と、前記複数の導体セルのうち最端部の第1の導体セルと前記地導体の間に接続されてRF信号を給電する給電線路とを有するRF回路において、
前記第1の導体セルとこの第1の導体セルに隣接する第2の導体セルの間に設けられた第1のRF−MEMSスイッチと、
前記第2の導体セルとこの第2の導体セルに隣接する第3の導体セルの間に設けられた第2のRF−MEMSスイッチとを備え、
前記第1のRF−MEMSスイッチは、
前記第1の導体セル及び前記第2の導体セルを接続する第1の駆動金属板と、
前記誘電体基板の第1の面上に設けられ、かつ前記第1の導体セル及び前記第2の導体セルの間に設けられた第1の下部金属板と、
前記第1の駆動金属板に接続する第1のバイアス線路と、
前記第1の下部金属板に接続する第2のバイアス線路と、
前記誘電体基板の第2の面側に設けられ、かつ前記第1及び第2のバイアス線路の間に接続する第1のDC可変電源とを有するとともに、
前記第2のRF−MEMSスイッチは、
前記第2の導体セル及び前記第3の導体セルを接続する第2の駆動金属板と、
前記誘電体基板の第1の面上に設けられ、かつ前記第2の導体セル及び前記第3の導体セルの間に設けられた第2の下部金属板と、
前記第2の下部金属板に接続する第3のバイアス線路と、
前記誘電体基板の第2の面側に設けられ、かつ前記第1のバイアス線路及び前記第3のバイアス線路の間に接続する第2のDC可変電源とを有する
ことを特徴とするRF−MEMSスイッチ装置。 - 前記第1、第2及び第3のバイアス線路の途中に挿入され、RF信号を遮断する遮断手段
をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のRF−MEMSスイッチ装置。 - 誘電体基板と、前記誘電体基板の第1の面上に直列に設けられた複数の導体セルと、前記誘電体基板の第2の面上に設けられた地導体と、前記複数の導体セルのうち最端部の第1の導体セルと前記地導体の間に接続されてRF信号を給電する給電線路とを有するRF回路において、
前記第1の導体セルとこの第1の導体セルに隣接する第2の導体セルの間に設けられた第1のRF−MEMSスイッチと、
前記第2の導体セルとこの第2の導体セルに隣接する第3の導体セルの間に設けられた第2のRF−MEMSスイッチとを備え、
前記第1のRF−MEMSスイッチは、
前記第1の導体セル及び前記第2の導体セルを接続する第1の駆動金属板と、
前記誘電体基板の第1の面上に設けられ、かつ前記第1の導体セル及び前記第2の導体セルの間に設けられた第1の下部金属板と、
前記第1の下部金属板に接続する第1のバイアス線路と、
前記誘電体基板の第2の面側に設けられ、かつ前記給電線路及び前記第1のバイアス線路の間に接続する第1のDC可変電源とを有するとともに、
前記第2のRF−MEMSスイッチは、
前記第2の導体セル及び前記第3の導体セルを接続する第2の駆動金属板と、
前記誘電体基板の第1の面上に設けられ、かつ前記第2の導体セル及び前記第3の導体セルの間に設けられた第2の下部金属板と、
前記第2の下部金属板に接続する第2のバイアス線路と、
前記誘電体基板の第2の面側に設けられ、かつ前記給電線路及び前記第2のバイアス線路の間に接続する第2のDC可変電源とを有する
ことを特徴とするRF−MEMSスイッチ装置。 - 前記第1及び第2のバイアス線路の途中に挿入され、RF信号を遮断する遮断手段
をさらに備えたことを特徴とする請求項3記載のRF−MEMSスイッチ装置。 - 誘電体基板と、前記誘電体基板の第1の面上に直列に設けられた複数の導体セルと、前記誘電体基板の第2の面側に設けられた誘電体層と、前記誘電体層の第2の面上に設けられた地導体と、前記複数の導体セルのうち最端部の第1の導体セルと前記地導体の間に接続されてRF信号を給電する給電線路とを有するRF回路において、
前記第1の導体セルとこの第1の導体セルに隣接する第2の導体セルの間に設けられた第1のRF−MEMSスイッチと、
前記第2の導体セルとこの第2の導体セルに隣接する第3の導体セルの間に設けられた第2のRF−MEMSスイッチとを備え、
前記第1のRF−MEMSスイッチは、
前記誘電体基板の第2の面上に設けられ、かつ前記第1の導体セル及び前記第2の導体セルを接続する第1の駆動金属板と、
前記誘電体基板の第2の面上に設けられ、かつ前記第1の導体セル及び前記第2の導体セルの間に設けられた第1の金属板と、
前記第1の金属板に接続する第1のバイアス線路と、
前記誘電体層の第2の面側に設けられ、かつ前記給電線路及び前記第1のバイアス線路の間に接続する第1のDC可変電源とを有するとともに、
前記第2のRF−MEMSスイッチは、
前記誘電体基板の第2の面上に設けられ、かつ前記第2の導体セル及び前記第3の導体セルを接続する第2の駆動金属板と、
前記誘電体基板の第2の面上に設けられ、かつ前記第2の導体セル及び前記第3の導体セルの間に設けられた第2の金属板と、
前記第2の金属板に接続する第2のバイアス線路と、
前記誘電体層の第2の面側に設けられ、かつ前記給電線路及び前記第2のバイアス線路の間に接続する第2のDC可変電源とを有する
ことを特徴とするRF−MEMSスイッチ装置。 - 誘電体基板上に構成されるアンテナの放射導体部分を所定の形状に切断し、これら所定の形状の導体の間に、請求項1から請求項5までのいずれかに記載のRF−MEMSスイッチ装置を設けた
ことを特徴とするRF−MEMSスイッチ装置を装荷したアンテナ装置。
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