JP2017528770A - レーザー用途の結晶マウント - Google Patents
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- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract
Description
本出願は、2014年9月19日に出願された、共通に割り当てられた(commonly assigned)非仮出願である米国特許出願第14/491、909の優先権の利益を主張するものであり、当該出願の内容全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本明細書では、次の用語は以下のような意味で使用される。
本開示の態様の文脈を説明するために、図1は、波長変換レーザーシステムの例10を図示する。具体的には、システム10は、一般に、シード源12、一つ以上の光増幅器14、16、及び波長変換器100を含む。シード源12はシード放射11を発生させ、シード放射11が光増幅器14、16により増幅されることにより増幅出力が生成され、この増幅出力が波長変換器への入力放射101となる。波長変換器100は、増幅出力の少なくとも一部の波長変換を行うことにより、波長変換された出力111を生成する。入力101の一部101’も波長変換器100から出てきてよい。
図4A及び図4Bは、本開示の態様に係る結晶マウント装置200を図示する。当該装置は、一般に、長手方向に延在する第1壁部204及び第2壁部206を有して長手方向に延在するベースピース202を含み、第1壁部204及び第2壁部206は、互いに対して角度をなして角部201を形成し、単一の弾性付勢ばねクリップ301とともに光学結晶205をベースピースに固定する。本開示のいくつかの態様によると、結晶205は、ベースピース202とばねクリップ301とを組み合わせることにより保持されるワークピースとみなすことができる。本開示の別の態様によると、結晶205がベースピース202及びばねクリップ301により保持される組合せは、図1のシステム100のようなより大きな装置のサブアセンブリとみなすことができる。
11 シード放射
12 シード源
13、17 ポンピング源
14 プリアンプ
15 中間放射
16 光増幅器
18 出力ファイバー
20 制御器
100 波長変換器
101 入力放射
102 第1非線形光学結晶
103 出力
104 第2非線形光学結晶
105 結晶マウント
106 ブリュースターカット端面
107 エンクロージャ
110 リレーレンズ
111 波長変換出力
112 リレーレンズ
114 レンズ
116A、116B 球状レンズ
200 結晶マウント装置
201 角部
202 本体部、ベース部分
203 第1対角面
204 第1壁部
205 光学結晶
206 第2壁部
207 第2対角面
208 スロット
210 傾斜リップ
301 弾性付勢ばねクリップ
310 第1リーフ部分
311 フック部分
312 第1曲げ領域
314 第2曲げ湾曲領域
315 第2リーフ部分
316 フック部分
320 付勢領域
321 開口部
Claims (26)
- a)結晶を受容するためのレセプタクルであって、長手方向に延在し、前記長手方向に延在する第1壁部及び前記長手方向に延在する第2壁部を備え、前記第1壁部及び前記第2壁部は、前記長手方向に延在する角部領域を形成するように互いに略垂直である、レセプタクルを備える本体部と;
b)結晶の二つの異なる面に力を及ぼすことにより前記結晶を前記レセプタクルの角部へ押し込むように構成された、前記本体部に固定可能な一つ以上のばねクリップと、
を備える装置。 - 前記一つ以上のばねクリップは、二つ以上のばねクリップを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記一つ以上のばねクリップは、単一のばねクリップを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記単一のばねクリップは、
前記長手方向に延在する丸みを帯びた第1曲げ領域と;
前記長手方向に延在する丸みを帯びた第2曲げ領域と;
前記第1曲げ領域を前記第2曲げ領域に接続する付勢領域と、
を備える、請求項3に記載の装置。 - 前記単一のばねクリップは、前記結晶を前記角部領域の方へ押すように、直交する各方向において前記結晶に略等しい力を及ぼすことにより、前記結晶を前記本体部に固定するように構成されている、請求項3に記載の装置。
- 前記レセプタクル中に配置された長手方向に延在する結晶をさらに備える、請求項2に記載の装置。
- 前記長手方向に延在する結晶は、四つの面を備え、前記四つの面はそれぞれ前記長手方向に延在し、前記四つの面のうち第1面は前記四つの面のうち第2面に垂直であり、前記四つの面のうち第3面は前記四つの面のうち第4面に垂直であり、前記第1面は前記第3面に平行であり、前記第2面は前記第4面に平行であり;
前記ばねクリップの丸みを帯びた第1曲げ領域は、前記結晶の前記第1面に対して押し付けられるように張力を受けることにより、前記第1壁部と接触している前記結晶の前記第3面を押し;
前記ばねクリップの丸みを帯びた第2曲げ領域は、前記結晶の前記第2面に対して押し付けられるように張力を受けることにより、前記第2壁部と接触している前記結晶の前記第4面を押す、請求項6に記載の装置。 - 前記丸みを帯びた第1曲げ領域は、前記第1壁部に略直交する方向において前記結晶の前記第1面に対して押し付けられるように張力を受け;
前記丸みを帯びた第2曲げ領域は、前記第2壁部に略直交する方向において前記結晶の前記第2面に対して押し付けられるように張力を受ける、請求項7に記載の装置。 - 前記長手方向に延在する結晶は、前記長手方向に対して横断する横断面において長方形の断面を有する、請求項7に記載の装置。
- 前記単一のばねクリップは、
丸みを帯びた第1曲げ領域に接続されるとともに、前記丸みを帯びた第1曲げ領域から横方向へ延在する第1リーフ領域と;
丸みを帯びた第2曲げ領域に接続されるとともに、前記丸みを帯びた第2曲げ領域から横方向へ延在する第2リーフ領域と、
をさらに備える、請求項3に記載の装置。 - 第1リーフ領域は、前記本体部のスロットに受容されるように構成された第1フック部分で終端する、請求項10に記載の装置。
- 前記第2リーフ領域は、前記本体部のリップ部分にわたって固定されるように構成された第2フック部分で終端する、請求項11に記載の装置。
- 前記レセプタクルは、前記リップ部分と前記スロットとの間に配置されている、請求項12に記載の装置。
- レーザー光を放出するように構成されたレーザーシステムと;
一つ以上の非線形光学結晶の組と;
前記レーザー光を、前記一つ以上の非線形光学結晶の組のうち少なくとも一つの非線形光学結晶に結合するように構成された光学素子と;
前記非線形光学結晶を保持するための装置であって、
a)結晶を受容するためのレセプタクルであって、長手方向に延在し、前記長手方向に延在する第1壁部及び前記長手方向に延在する第2壁部を備え、前記第1壁部及び前記第2壁部は、前記長手方向に延在する角部領域を形成するように互いに略垂直である、レセプタクルを有する本体部と;
b)結晶の二つの異なる面に力を及ぼすことにより前記結晶を前記レセプタクルの角部へ押し込むように構成された、前記本体部に固定可能な一つ以上のばねクリップと、
を備える装置と、
を備える波長変換レーザーシステム。 - 前記一つ以上のばねクリップは、二つ以上のばねクリップを含む、請求項14に記載の波長変換レーザーシステム。
- 前記一つ以上のばねクリップは、前記本体部に固定可能な単一のばねクリップを含む、請求項14に記載の波長変換レーザーシステム。
- 前記単一のばねクリップは、
前記長手方向に延在する丸みを帯びた第1曲げ領域と;
前記長手方向に延在する丸みを帯びた第2曲げ領域と;
前記第1曲げ領域を前記第2曲げ領域に接続する付勢領域と、
を有し、
前記ばねクリップは、前記本体部に固定されるとともに、前記非線形光学結晶を前記レセプタクル中に固定する、請求項16に記載の波長変換レーザーシステム。 - 前記レーザーシステムは、シード源及び前記シード源に任意選択で結合されたファイバー増幅器を含む、請求項14に記載の波長変換レーザーシステム。
- 前記単一のばねクリップは、前記結晶を前記角部領域の方へ押すように、直交する各方向において前記結晶に略等しい力を及ぼすことにより、前記結晶を前記本体部に固定するように構成されている、請求項16に記載の波長変換レーザーシステム。
- 前記長手方向に延在する結晶は、四つの面を備え、前記四つの面はそれぞれ前記長手方向に延在し、前記四つの面のうち第1面は前記四つの面のうち第2面に垂直であり、前記四つの面のうち第3面は前記四つの面のうち第4面に垂直であり、前記第1面は前記第3面に平行であり、前記第2面は前記第4面に平行であり;
前記ばねクリップの第1曲げ領域は、前記結晶の前記第1面に対して押し付けられるように張力を受けることにより、前記第1壁部と接触している前記結晶の前記第3面を押し;
前記ばねクリップの第2曲げ領域は、前記結晶の前記第2面に対して押し付けられるように張力を受けることにより、前記第2壁部と接触している前記結晶の前記第4面を押す、請求項16に記載の波長変換レーザーシステム。 - 丸みを帯びた前記第1曲げ領域は、前記第1壁部に略直交する方向において前記結晶の前記第1面に対して押し付けられるように張力を受け;
丸みを帯びた前記第2曲げ領域は、前記第2壁部に略直交する方向において前記結晶の前記第2面に対して押し付けられるように張力を受ける、請求項20に記載の波長変換レーザーシステム。 - 前記長手方向に延在する結晶は、前記長手方向に対して横断する横断面において長方形の断面を有する、請求項20に記載の波長変換レーザーシステム。
- 前記単一のばねクリップは、
丸みを帯びた第1曲げ領域に接続されるとともに、前記丸みを帯びた第1曲げ領域から横方向へ延在する第1リーフ領域と;
丸みを帯びた第2曲げ領域に接続されるとともに、前記丸みを帯びた第2曲げ領域から横方向へ延在する第2リーフ領域と、
をさらに備える、請求項16に記載の波長変換レーザーシステム。 - 第1リーフ領域は、前記本体部のスロットに受容されるように構成された第1フック部分で終端する、請求項23に記載の波長変換レーザーシステム。
- 前記第2リーフ領域は、前記本体部のリップ部分にわたって固定されるように構成された第2フック部分で終端する、請求項24に記載の波長変換レーザーシステム。
- 前記レセプタクルは、前記リップ部分と前記スロットとの間に配置されている、請求項25に記載の波長変換レーザーシステム。
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CN113140948B (zh) * | 2020-01-17 | 2022-09-06 | 福州市众心联光电科技有限公司 | 一种光学晶体支架的制作方法 |
WO2021024046A1 (ru) * | 2020-04-16 | 2021-02-11 | Владимир ВАХ | Узел прибора терморегуляции полупроводникового лазера |
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US20230411921A1 (en) * | 2022-06-20 | 2023-12-21 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Coefficient of thermal expansion matched mounting technique for high power laser |
WO2024019727A1 (en) * | 2022-07-21 | 2024-01-25 | Ipg Photonics Corporation | Ovens for nonlinear optical crystals and method of use |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4509829A (en) * | 1981-09-21 | 1985-04-09 | The Environmental Research Institute Of Michigan | Amplitude modulator for a high powered beam of infrared radiation |
JPS616015A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-11 | Nissan Motor Co Ltd | 作動伝達用ケ−ブル固定装置のクランプ脱落防止構造 |
JPH1039349A (ja) * | 1996-07-25 | 1998-02-13 | Nec Eng Ltd | 結晶保持構造 |
JPH1054966A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 音響光学素子 |
US5737346A (en) * | 1996-07-01 | 1998-04-07 | Hughes Electronics | Mount for optical components |
JP2006065310A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-03-09 | Canon Inc | 走査線湾曲補正機構を有する光学走査装置 |
US8044988B2 (en) * | 2007-07-24 | 2011-10-25 | Lexmark International, Inc. | Spring Clip |
US8422119B1 (en) * | 2010-09-20 | 2013-04-16 | Disco Corporation | Compensation of beam walkoff in nonlinear crystal using cylindrical lens |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3970960A (en) * | 1974-01-31 | 1976-07-20 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Broadly tunable continuous-wave laser using color centers |
JP2004253733A (ja) | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Topcon Corp | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置のレーザ結晶保持方法 |
EP1922788A4 (en) | 2005-09-07 | 2011-04-13 | Ellex Medical Pty Ltd | OPTICAL SUPPORT FOR LASER BAR |
US7469081B2 (en) * | 2006-09-01 | 2008-12-23 | Mobius Photonics, Inc. | Reducing thermal load on optical head |
JP5878165B2 (ja) | 2010-04-21 | 2016-03-08 | モビアス フォトニクス, インク. | 多波長ラマンレーザ |
US8305680B2 (en) | 2010-08-11 | 2012-11-06 | Disco Corporation | Stable mounting of non-linear optical crystal |
CN102570250A (zh) * | 2011-04-06 | 2012-07-11 | 北京国科世纪激光技术有限公司 | 光学晶体散热装置及光学晶体散热系统 |
WO2014151927A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Ipg Photonics Corporation | Universal fiber optic connector |
CN203180302U (zh) * | 2013-03-21 | 2013-09-04 | 武汉凌云光电科技有限责任公司 | 激光晶体柔性固定装置 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4509829A (en) * | 1981-09-21 | 1985-04-09 | The Environmental Research Institute Of Michigan | Amplitude modulator for a high powered beam of infrared radiation |
JPS616015A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-11 | Nissan Motor Co Ltd | 作動伝達用ケ−ブル固定装置のクランプ脱落防止構造 |
US5737346A (en) * | 1996-07-01 | 1998-04-07 | Hughes Electronics | Mount for optical components |
JPH1039349A (ja) * | 1996-07-25 | 1998-02-13 | Nec Eng Ltd | 結晶保持構造 |
JPH1054966A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 音響光学素子 |
JP2006065310A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-03-09 | Canon Inc | 走査線湾曲補正機構を有する光学走査装置 |
US8044988B2 (en) * | 2007-07-24 | 2011-10-25 | Lexmark International, Inc. | Spring Clip |
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