JP2017525116A - ストリップ状高温超電導体を製造するためのプレプロダクトおよび方法 - Google Patents
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 62
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 46
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 45
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 claims description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 7
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 6
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 152
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- -1 noble metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QQSDFKXDNYDAFU-UHFFFAOYSA-N [O--].[Ni++].[La+3] Chemical compound [O--].[Ni++].[La+3] QQSDFKXDNYDAFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000013537 high throughput screening Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N nickel tungsten Chemical compound [Ni].[W] MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036284 oxygen consumption Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/26—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by applying the liquid or other fluent material from an outlet device in contact with, or almost in contact with, the surface
- B05D1/265—Extrusion coatings
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
- B05D7/14—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials to metal, e.g. car bodies
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
- H01B12/02—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by their form
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0548—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by deposition and subsequent treatment, e.g. oxidation of pre-deposited material
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
- H10N60/203—Permanent superconducting devices comprising high-Tc ceramic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic superconductors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
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Abstract
Description
第1のリボン側および第2のリボン側を有するリボン状金属性基材を備えるリボン状高温超電導体(HTS)を製造するための前駆体であって、
第1のリボン側において、
(a)基材が、バッファ層またはHTS層の結晶配向成長用のテンプレートとして所定のテクスチャを有し、
(b)基材の露出表面が存在し、またはバッファ前駆体層、熱分解バッファ前駆体層、バッファ層、HTS前駆体層、熱分解HTSバッファ前駆体層、および熱分解され、さらに圧密されたHTSバッファ前駆体層からなる群から選択される、1層もしくは複数の層が存在し、
第2のリボン側に、酸化から基材を保護する、少なくとも1層のセラミックバリア層、またはHTS結晶化アニールもしくは熱分解の間にこうした層へ変換される前駆体が存在し、
1層または複数の層が第1のリボン側に存在する場合、セラミックバリア層またはその前駆体は、第1のリボン側に配置され、基材に直接隣接している層と異なる化学組成および/または異なるテクスチャを有する、
前駆体に関する。
本発明の(上記の、好ましくは好ましいものとして上記で特定された、特に好ましくは、特許請求の範囲において定められた)前駆体を用意する、または製造する工程であり、熱分解HTS前駆体層が第1のリボン側に存在する工程と、
前駆体を結晶化アニールする工程と
を含む、方法にも関する。
初めに、第2のリボン側で、第1のリボン側への酸素の侵入を遅らせるか、もしくは防ぐ、導電性の、もしくは(代替的に)非導電性のセラミック材料(セラミック材料は、好ましくは金属酸化物もしくは金属酸化物の混合物である)の第1のバリア層(添付の特許請求の範囲による)を施す工程、またはHTS結晶化アニールもしくは熱分解の間に、こうした第1のバリア層へ変換される被覆を施す工程と、
次いで、
この第1のバリア層の上に、(好ましくは、容易に分離可能な、および/または非導電性の)第2のバリア層を施す工程と
によって、製造される。2種の成分層のうち一方が、導電性が不十分な材料で構成される場合、一般に、HTSアニール後、少なくともこの成分層を再度除去する必要がある。
第1のリボン側(11)において、
(a)基材(10)が、バッファ層またはHTS層の結晶配向成長用のテンプレートとして所定のテクスチャを有し、
(b)基材(10)の露出表面が存在し、またはバッファ前駆体層、熱分解バッファ前駆体層、バッファ層、HTS前駆体層、熱分解HTSバッファ前駆体層、および熱分解され、さらに圧密されたHTSバッファ前駆体層からなる群から選択される、1層もしくは複数の層(20、30)が存在し、
第2のリボン側(12)に、酸化から基材(10)を保護する、少なくとも1層のセラミックバリア層(40)、またはHTS結晶化アニールもしくは熱分解の間にこうした層へ変換される前駆体が存在し、
1層または複数の層(20、30)が第1のリボン側(11)に存在する場合、セラミックバリア層(40)またはその前駆体は、第1のリボン側(11)に配置され、基材(10)に直接隣接している層(20)と異なる化学組成および/または異なるテクスチャを有する、
前駆体。
単一のバッファ層(20)が存在し、バッファ層(20)がエピタキシャル法によって成長させたものであり、
または、
エピタキシャル法によって成長させた2層以上のバッファ層が存在する、
態様1に記載の前駆体。
態様1〜8のいずれか一項に記載の前駆体(1)を用意する、または製造する工程であり、熱分解HTS前駆体層が第1のリボン側(12)に存在する工程と、
前駆体(1)を結晶化アニールする工程と
を含む、方法。
好ましくは機械的手段によってセラミックバリア層(40)を除去する工程
を含む、態様9〜11のいずれか一項に記載の方法。
Claims (12)
- 第1のリボン側(11)および第2のリボン側(12)を有するリボン状金属性基材(10)を備えるリボン状高温超電導体(HTS)を製造するための前駆体(1)であって、
第1のリボン側(11)において、
(a)基材(10)が、バッファ層またはHTS層の結晶配向成長用のテンプレートとして所定のテクスチャを有し、
(b)基材(10)の露出表面が存在し、またはバッファ前駆体層、熱分解バッファ前駆体層、バッファ層、HTS前駆体層、熱分解HTSバッファ前駆体層、および熱分解され、さらに圧密されたHTSバッファ前駆体層からなる群から選択される、1層もしくは複数の層(20、30)が存在し、
第2のリボン側(12)に、
酸化から基材(10)を保護する、少なくとも1層のセラミックバリア層(40)、またはHTS結晶化アニールもしくは熱分解の間にこうした層へ変換される前駆体が存在し、
1層または複数の層(20、30)が第1のリボン側(11)に存在する場合、セラミックバリア層(40)またはその前駆体は、第1のリボン側(11)に配置され、基材(10)に直接隣接している層(20)と異なる化学組成および/または異なるテクスチャを有し、
バリア層(40)が、第2のリボン側(12)への酸素の侵入を遅らせるかもしくは防ぐ導電性セラミック材料の層であり、またはHTS結晶化アニールもしくは熱分解の間にこうした層へ変換される前駆体であり、
セラミック材料が、電気伝導性金属酸化物、または金属酸化物の電気伝導性混合物である、
前駆体。 - 導電性金属酸化物または導電性混合物中の1種または複数の金属酸化物が、異質金属がドープされた金属酸化物(1種または複数)である、請求項1に記載の前駆体。
- 第1のリボン側(11)において、
単一のバッファ層(20)が存在し、バッファ層(20)がエピタキシャル法によって成長させたものであり、
または、
エピタキシャル法によって成長させた2層以上のバッファ層が存在する、
請求項1または2に記載の前駆体。 - 異質金属がドープされた金属酸化物が、ドープされた酸化亜鉛、ドープされた酸化インジウム、ニオビウムドープチタン酸ストロンチウム、およびニオビウムドープニッケル酸ランタンからなる群から選択される、請求項1から3のいずれか一項に記載の前駆体。
- 異質金属がドープされた金属酸化物のドープレベルが、バリア層の金属イオンの総数に対して、少なくとも1%である、請求項1から4のいずれか一項に記載の前駆体。
- リボン状HTSを製造する方法であって、
請求項1から5のいずれか一項に記載の前駆体(1)を用意する、または製造する工程であり、熱分解HTS前駆体層が第1のリボン側(12)に存在する工程と、
前駆体(1)を結晶化アニールする工程と
を有する、方法。 - セラミックバリア層(40)が、CSD(化学溶液堆積)法によって金属性基材へ施される、請求項6に記載の方法。
- CSD法が、浸漬塗布、スロットダイ塗布、およびプリンティングからなる群から選択される、請求項7に記載の方法。
- 以下の追加の工程、
好ましくは機械的手段によってセラミックバリア層(40)を除去する工程
を有する、請求項6から8のいずれか一項に記載の方法。 - セラミックバリア層(40)が、ダイヤモンド懸濁液で研磨することによって、またはブラストクリーニングによって除去される、請求項9に記載の方法。
- セラミックバリア層(40)が、CMP(化学機械研磨)によって除去される、請求項10に記載の方法。
- 請求項6から11のいずれか一項に記載の方法によって得られる、リボン状HTS。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14179212.7 | 2014-07-31 | ||
EP14179212.7A EP2980804A1 (de) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | Vorprodukt sowie Verfahren zur Herstellung eines bandförmigen Hochtemperatursupraleiters |
PCT/EP2015/066844 WO2016016075A1 (de) | 2014-07-31 | 2015-07-23 | Vorprodukt sowie verfahren zur herstellung eines bandförmigen hochtemperatursupraleiters |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017525116A true JP2017525116A (ja) | 2017-08-31 |
JP6622284B2 JP6622284B2 (ja) | 2019-12-18 |
Family
ID=51257355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017505460A Expired - Fee Related JP6622284B2 (ja) | 2014-07-31 | 2015-07-23 | ストリップ状高温超電導体を製造するためのプレプロダクトおよび方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10374139B2 (ja) |
EP (2) | EP2980804A1 (ja) |
JP (1) | JP6622284B2 (ja) |
KR (1) | KR20170040272A (ja) |
CN (1) | CN106716659A (ja) |
CA (1) | CA2956724A1 (ja) |
DK (1) | DK3175463T3 (ja) |
ES (1) | ES2761640T3 (ja) |
WO (1) | WO2016016075A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3961659B1 (en) * | 2019-12-26 | 2024-06-19 | Joint-Stock Company "TVEL" | Method for manufacturing a superconducting composite wire based on nb3sn |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5064611B2 (ja) | 1999-04-03 | 2012-10-31 | インスティトゥート フュア フェストケルパー− ウント ヴェルクシュトッフオルシュング ドレースデン エー ファウ | ニッケルベースの金属材料およびその製造方法 |
DE10143680C1 (de) | 2001-08-30 | 2003-05-08 | Leibniz Inst Fuer Festkoerper | Verfahren zur Herstellung von Metallbändern mit hochgradiger Würfeltextur |
DE10159646C1 (de) * | 2001-12-05 | 2003-04-17 | Siemens Ag | Verfahren zur nur einseitigen Beschichtung eines planaren Substrats mit einer Schicht aus Hochtemperatur-Supraleiter-Material |
US6981309B2 (en) * | 2003-10-17 | 2006-01-03 | Oxford Superconducting Technology | Method for producing (Nb, Ti)3Sn wire by use of Ti source rods |
US7585377B2 (en) * | 2004-02-19 | 2009-09-08 | Oxford Superconducting Technology | Critical current density in Nb3Sn superconducting wire |
EP1719190B1 (en) * | 2004-02-19 | 2010-05-19 | Oxford Superconducting Technology | Improving critical current density in Nb3Sn superconducting wire |
JP2011113662A (ja) * | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜超電導線材用金属基材、その製造方法および薄膜超電導線材の製造方法 |
DE102013210940B3 (de) * | 2013-06-12 | 2014-07-03 | THEVA DüNNSCHICHTTECHNIK GMBH | Beschichtung technischer Substrate zur Herstellung supraleitender Schichten mit hoher Sprungtemperatur |
-
2014
- 2014-07-31 EP EP14179212.7A patent/EP2980804A1/de not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-07-23 EP EP15739625.0A patent/EP3175463B1/de active Active
- 2015-07-23 DK DK15739625T patent/DK3175463T3/da active
- 2015-07-23 CA CA2956724A patent/CA2956724A1/en not_active Abandoned
- 2015-07-23 ES ES15739625T patent/ES2761640T3/es active Active
- 2015-07-23 US US15/329,846 patent/US10374139B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-07-23 WO PCT/EP2015/066844 patent/WO2016016075A1/de active Application Filing
- 2015-07-23 JP JP2017505460A patent/JP6622284B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-07-23 KR KR1020177005057A patent/KR20170040272A/ko unknown
- 2015-07-23 CN CN201580052704.6A patent/CN106716659A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10374139B2 (en) | 2019-08-06 |
CN106716659A (zh) | 2017-05-24 |
JP6622284B2 (ja) | 2019-12-18 |
DK3175463T3 (da) | 2019-12-02 |
ES2761640T3 (es) | 2020-05-20 |
US20170271572A1 (en) | 2017-09-21 |
EP2980804A1 (de) | 2016-02-03 |
CA2956724A1 (en) | 2016-02-04 |
EP3175463B1 (de) | 2019-09-11 |
KR20170040272A (ko) | 2017-04-12 |
EP3175463A1 (de) | 2017-06-07 |
WO2016016075A1 (de) | 2016-02-04 |
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A621 | Written request for application examination |
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