JP2017521753A - 読み出しキャッシュメモリ - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (31)
- ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)アレイと、
第1のNANDアレイ及び第2のNANDアレイと、
前記DRAMアレイと前記第1のNANDアレイとの間のデータの移動、及び前記第1のNANDアレイと前記第2のNANDアレイとの間のデータの移動を管理するように構成された制御装置と、
を備える、読み出しキャッシュメモリ装置、
を備える、装置。 - 前記制御装置が前記データの特徴に基づいて、データを前記DRAMアレイから前記第1のNANDアレイへとキャッシュするようさらに構成される、請求項1に記載の装置。
- 前記データの特徴が、前記データがアクセスされる回数、前記データが要求される回数、及び前記データの安定性のうちの少なくとも1つを含む、請求項2に記載の装置。
- 前記制御装置が前記データの特徴に基づいて、データを前記第1のNANDアレイから前記第2のNANDアレイへとキャッシュするようさらに構成される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記制御装置を前記DRAMアレイに結合させるダイレクトメモリアクセス(DMA)と、前記制御装置を前記第1のNANDアレイに結合させるDMAと、前記制御装置を前記第2のNANDアレイに結合させるDMAと、をさらに含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記制御装置が、ホスト装置を追跡し、インターフェースを介して前記読み出しキャッシュメモリ装置のアクションを前記ホスト装置に報告するようにさらに構成される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記データの特徴に基づいて、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)アレイからの第1のNANDアレイへデータのキャッシュすることと、
前記第1のNANDがキャッシュされたデータ容量の閾値を満たすことに応じて、前記第1のNANDアレイから第2のNANDアレイへ前記データをキャッシュすることと、
を含む、メモリ操作方法。 - 前記データの特長が、前記データがアクセスされる回数、前記データが要求される回数、及び前記データの安定性のうちの少なくとも1つを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記第1のNANDアレイから前記第2のNANDアレイへデータをキャッシュすることに応じて、前記第1のNANDアレイを消去することをさらに含む、請求項7〜8のいずれか1項に記載の方法。
- ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)アレイにおいてキャッシュされたデータの第1のセットを受信することと、
前記キャッシュされたデータの第1のセットの一部のデータの特徴に基づいて、前記キャッシュされたデータの第1のセットの一部を前記DRAMアレイのクラスへプロモートすることと、
キャッシュされたデータの第2のセットのデータ特徴に基づいて、前記キャッシュされたデータの第2のセットを前記クラスから第1のNANDアレイへプロモートすることと、
前記第1のNANDアレイが閾値容量に達することに応じて、第3のキャッシュされたデータの第3のセットを群の第2のNANDアレイへのプロモートすることと、を含む、メモリ操作方法。 - キャッシュされたデータの第4のセットが要求閾値、アクセス閾値、及び安定性閾値のうちの少なくとも1つを含む閾値要件を満たさないことに応じて、前記キャッシュされたデータの第4のセットを前記クラスから排除することをさらに含む、請求項10に記載の方法。
- キャッシュされたデータの第5のセットが要求閾値及びアクセス閾値のうちの少なくとも1つを含む閾値要件を満たさないことに応じて、前記キャッシュされたデータの第5のセットを前記第1のNANDアレイから前記DRAMにデモートすることをさらに含む、請求項10に記載の方法。
- キャッシュされたデータの第6のセットが要求閾値及びアクセス閾値のうちの少なくとも1つを含む閾値要件を満たさないことに応じて、キャッシュされたデータの第6のセットを前記第1のNANDアレイから排除することをさらに含む、請求項10に記載の方法。
- 前記交換に応じて、前記第1のNANDアレイの修復することをさらに含む、請求項10〜13のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1のNAND内の不良ページを動的にマーキングすることをさらに含む、請求項10〜13のいずれか1項に記載の方法。
- 前記クラスにおける前記キャッシュされたデータの第1のセットの一部を、前記第1及び前記第2のNANDアレイ内のページサイズに一致するようなサイズのパケットにパッキングすることをさらに含む、請求項10〜13のいずれか1項に記載の方法。
- DRAM装置からキャッシュされたデータを一次NAND装置で受信することと、
前記受信されたキャッシュされたデータ内の不良ページを動的にマーキングすることと、
前記マーキングされた不良ページを含まない前記キャッシュされたデータの一部が閾値要件を満たすことに応じて、かつ前記NAND装置がキャッシュされたデータ容量の閾値に達することに応じて、前記キャッシュされたデータの一部を二次NAND装置へプロモートすることと、
前記一次NANDアレイを消去することと、
前記一次NAND装置が新規の二次NAND装置になり、かつ前記二次NAND装置が新規の一次NAND装置になるように、前記一次及び前記二次NAND装置を交換することと、
を含む、メモリ操作方法。 - 前記一次NAND装置において、前記キャッシュされたデータが前記DRAM装置からダイレクトメモリアクセス(DMA)介して受信される、請求項17に記載の方法。
- 前記閾値要件が、前記キャッシュされたデータの一部が所定時間内に閾値の回数アクセスされることを含む、請求項17〜18のいずれか1項に記載の方法。
- 前記閾値要件が、前記キャッシュされたデータの一部が閾値安定性を満たすことを含む、請求項17〜18のいずれか1項に記載の方法。
- 前記方法が繰り返して実行される、請求項17〜18のいずれか1項に記載の方法。
- ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)アレイと、
前記第1のDRAMアレイ上に形成される第1のNANDアレイと、
前記第1のNANDアレイ上に形成される第2のNANDアレイと、
特定の閾値を満たすデータを前記DRAMアレイから前記第1のNANDアレイへとキャッシュする、かつ
前記第1のNANDアレイの容量に基づいて、データを前記第1のNANDアレイから前記第2のNANDアレイへとキャッシュするように構成される制御装置と、
を備える、装置。 - 前記制御装置がASIC装置を含む、請求項22に記載の装置。
- 前記特定の閾値が、データがアクセスされる回数の閾値を含む、請求項22〜23のいずれか1項に記載の装置。
- 前記特定の閾値が、データが満たす安定性閾値を含む、請求項22〜23のいずれか1項に記載の装置。
- 前記装置が、ホスト装置とソリッドステートドライブ(SSD)または第3のNAND装置との間に位置する、請求項22〜23のいずれか1項に記載の装置。
- 前記DRAMアレイから前記第1のNANDアレイへとキャッシュされる前記データ及び前記第1のNANDアレイから前記第2のNANDアレイへとキャッシュされる前記データと関連する情報を記憶するよう構成される前記制御装置を含む、請求項22〜23のいずれか1項に記載の装置。
- 第1のオフセット方式で基板に接合される第1のダイ上に形成される第1のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)アレイと、
第2のオフセット方式で前記第1のダイに接合される第2のダイ上に形成される第2のDRAMアレイと、
第3のオフセット方式で前記第2のダイに接合される第3のダイ上に形成される第1のNANDアレイと、
第4のオフセット方式で前記第3のダイに接合される第4のダイ上に形成される第2のNANDアレイと、
制御装置と、
を備える、システム。 - 前記制御装置に隣接して形成されるファンアウト型ウエハレベルパッケージング(WLP)パッドを含む、請求項28に記載のシステム。
- 前記第1の、第2の、第3の、及び第4のダイが、ダイ間を直接接合することにより前記制御装置に接合される、請求項28〜29のいずれか1項に記載のシステム。
- ダイ間を直接接合することにより、かつ前記データの特徴に基づいて、データが前記第1のNANDアレイと前記第2のNANDアレイとの間を移動する、請求項28〜29のいずれか1項に記載のシステム。
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