JP2017521229A - 高電圧放電とオゾンによる水システムの処理システム及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2014年4月24日に出願された米国特許仮出願第61/983678号及び第61/983685号並びに2015年4月24日に出願された米国特許出願第14/695519号の利益を主張する。
<発明の分野>
本発明は、プラズマを発生させる高電圧放電及び水処理を向上させるための高電圧発生の副生成物であるオゾンを用いて流水システムを処理するシステム及び方法に関するもので、冷却塔や、他の再循環システム又は閉ループシステムの処理に特に有用である。
人工の水システムは、世界のエネルギー生産施設、産業関連の製造プラント、病院、並びに他の複合施設及び建築物の多くで一般的に見られる重要な構成要素である。これらシステムは、年間およそ7000億ガロンの水を消費し、補給水及び汚水処理のコストだけで18億ドルものコストを伴う。これら人工の水システムは全て、システムを効率的に作動させるために重要な熱伝達表面におけるスケール、バイオフィルム及び他の腐食性副生成物の蓄積を制御するための処理を、化学的又は非化学的な態様で行う必要がある。
第1の実験セットでは、試験用の冷却塔を用いた。この実験システムは図1に示されるシステムに相当するもので、構成要素の符号は、図1の参照符号を用いた。冷却塔(総容量100L)の水システム12に水を供給し、システムは水が循環するように設定した。水化学のモニタリングを優位制御システム(Advantage Control System)を用いて行ない、生物モニタリングを、2つのインハウス生物監視システムとChemTrak生物モニターとを用いて行なった。これらのシステムは、大規模の業務用又は産業用冷却塔の運転において一般的に用いられるシステムであるか、又はそれに類似したシステムである。高電圧発生器システムを冷却塔中に組み込むために、熱交換器ラックから、機械式ボールバルブと12フィート長さで直径0.75インチの透明可撓性PVCチューブとを経て、副流の流れ(流れ18)を引き出した。システムは、このバルブにより、処理される水の具体的組成に基づいて流れ力学を変化させることができる。例えば、ベンチュリを通る流速を変えると、ガスバブルの水中への分布が変化し、高電圧放電電極で発生するプラズマの形態を変化させることができる。指向性高電圧放電を用いて生物学的制御を行うためのシステム全体の水処理に関しては、水量と流速が重要であるが、その理由は、処理の成功は、送達されるエネルギー量だけでなく、処理時間にも依存するからである。一般的なシステムでは、細菌は大量の水の中で絶えず増殖しているので、反応チャンバー36を通る流れを高流速にすることが重要であり、システムの水の全量が高電圧放電ゾーンを通って繰り返し処理又は循環されるようにすることで、全処理時間(生物成分を含む水のカラムが高電圧放電と接触している全処理時間)が増加する。
複数の接地保護システムを適所に配備して実施例1Aと同じ実験を繰り返し行なった。接地は、システム全体の中で、サンプ54の中と配管の部分に配置した(前述したネジとワイヤの巻付けを使用した)。図3は、水中の電磁場に有意な低下があることを示している。複数の接地システムを用いると、水システム12の一部に用いられた電子制御及び監視装置に問題を生じることなく、高電圧放電システムを数時間に亘って連続運転することが可能である。
水中での非熱プラズマ放電について、微生物の不活性化に対する有効性を調べるために、ベンチレベルで4つの研究を行なった。水中でのプラズマ放電により、活性酸素種、UV放射及び圧力場衝撃波を発生するが、これらは全て、微生物を不活性化し得ることが知られている。プラズマ放電は、溶液中の電場を、その降伏電圧よりも増大させることによって達成されることができる。降伏電圧は、溶液の伝導度及び誘電特性に依存する。システム中に入力エネルギーと微生物の対数減少との関係が存在することが観察された。大腸菌の1対数減少(D値として知られている)を達成するのに必要な入力エネルギーは、14J/Lから366J/Lを超えるまで変化し得ることも実証された。シュードモナス属の幾つかの種に関する実験については、1対数減少を達成するのに必要な平均入力エネルギーは85kJ/Lであることが報告されている。
Cv=バルブの流れ係数又は流れ容量係数(流れの水の量gpm)
F=流量(USガロン/分)
SG=流体の比重(水=1)
ΔP=本体の圧力低下(psi)
Claims (32)
- プラズマ放電とオゾンを用いて流水システム中の水を処理する処理システムであって、
マルクスラダー回路に組み込まれた複数のキャパシタ、レジスタ及びスパークギャップ電極と、スパークギャップ電極の支持構造と、ハウジングとを有する高電圧発生器と、
水システムを流れる水の少なくとも一部を処理される水として受けることができるように構成された入口と、プラズマ放電とオゾンで処理された後、水の前記一部を水システムに戻すことができるように構成された出口と、リアクタ本体とを有する反応チャンバーと;
前記入口の上流又は前記反応チャンバーの内部に配置され、1又は2種以上のガスのバブルを、処理される水に加えるためのガス注入システムと;
少なくとも一部分が反応チャンバーに配置され、高電圧パルスが高電圧発生器によって生成されるとリアクタ本体内にプラズマ放電を発生させることができるように構成された高電圧電極及び接地電極と、
高電圧発生器の中で生成されたオゾンガスを、ハウジングからガス注入システムへ移送させるための導管と、を具える処理システム。 - 反応チャンバー内に配備され、高電圧電極に接続された高電圧取付ベースと、接地電極に接続された接地取付ベースとを有する電極マウントアッセンブリをさらに具える、請求項1の処理システム。
- 高電圧取付ベースはホイール状本体を含む、請求項2の処理システム。
- 接地電極取付ベースはじょうご形状又はドーム形状の本体を含む、請求項3の処理システム。
- 高電圧取付ベース及び接地取付ベースは、高電圧電極を、接地電極から約1〜10mmの固定ギャップ距離を保持できるように構成されている、請求項2の処理システム。
- 接地電極は、略円筒形の導電性チューブを含み、前記チューブの側壁に複数の孔が開設され、前記チューブが、接地電極取付ベースと高電圧取付ベースとの間に配備される、請求項5の処理システム。
- 高電圧電極は、少なくとも一部分が接地電極チューブ内にて前記接地電極チューブと略同心に配備されたロッドを含み、前記ギャップ距離が、ロッドの外表面と接地電極チューブの内表面との間の径方向距離である、請求項6の処理システム。
- ロッドの約4〜30mmが、接地電極チューブの内部に配備される、請求項7の処理システム。
- 前記チューブの外表面は、誘電体バリア材料でコートされる、請求項6の処理システム。
- スパークギャップ電極の支持構造は、
中央部が開口した略矩形形状の上側支持アームと、
中央部が開口した略矩形形状の下側支持アームと、
上側支持アームを下側支持アームに所定間隔を存して接続する1又は2以上の垂直支持アームと、
複数の離間してなる柱状体対であって、各柱状体対が、下側支持アームの第1の側部から垂直方向に延びる第1の柱状体と、前記第1の側部と実質的に反対側の下側支持アームの第2の側部から垂直方向に延びる第2の柱状体とを含む柱状体対とを具える、請求項1の処理システム。 - 上側支持アーム、下側支持アーム及び垂直システムは、開口した略U字形状のフレームを形成する、請求項10の処理システム。
- 支持構造の寸法は、幅約2インチ×高さ2インチ乃至幅3インチ×高さ3インチである、請求項10の処理システム。
- 支持構造は、複数の電極マウントをさらに含み、各マウントが、離間してなる柱状体対のうちの第1の各柱状体及び第2の各柱状体から内向きに延在し、
各電極マウントがスパークギャップ電極の1つに取り付けられ、離間する各柱状体間に複数の電極対を形成し、
各電極対におけるスパークギャップ電極間のギャップ距離は約15mm〜40mmである、請求項10の処理システム。 - スパークギャップ電極は、ギャップ距離を選択的に調節するために、電極マウントに沿って横方向に移動するように構成される、請求項13の処理システム。
- 電極マウントは、スパークギャップ電極上のネジと螺合するように構成されたネジ部を含み、スパークギャップ電極が回転されることで、電極マウントに沿って横方向の移動が達成される、請求項14の処理システム。
- 電極マウントは、ギャップ距離を選択的に調節するために、柱状体に関して横方向に移動するように構成される、請求項13の処理システム。
- ハウジング内にオイル槽をさらに具える、請求項1の処理システム。
- 支持構造は、スパークギャップ電極の下に配備された下側支持アームを具え、前記下側支持アームはオイル槽に浸漬されている、請求項17の処理システム。
- キャパシタは、少なくとも一部分がオイル槽に浸漬されている、請求項17の処理システム。
- 支持構造の表面はオイルでコートされる、請求項1の処理システム。
- 高電圧発生器の中で生成されたオゾンを導管の中に引き出して、ガス注入システムに送給するためのベンチュリ又は真空ポンプをさらに具える、請求項1の処理システム。
- 高電圧発生器を通して空気を送給するための空気ポンプをさらに具える、請求項1の処理システム。
- 流水の流れを処理する方法であって、
複数のキャパシタ、レジスタ及び開放支持構造によって支持されたスパークギャップスイッチを含むマルクスラダー回路を用いて、高電圧パルス及びオゾンを発生させること、
マルクスラダー回路を、減圧下又は負圧下にて作動させること、
支持構造の少なくとも一部をオイルと接触させて、支持構造上の金属堆積物を減少させること、及び
オゾンを次の水の流れに供給すること、を含む方法。 - 支持構造を定期的に清浄化してオイルを除去し、新たなオイルを供給して、支持構造の少なくとも一部と接触させるステップをさらに含む、請求項23の方法。
- 各スパークギャップスイッチは、ギャップ距離によって分離された一対の電極を含み、開放支持構造は、複数のスパークギャップスイッチを支持するように構成され、ギャップ距離は約15mm〜40mmである、請求項23の方法。
- 高電圧パルスを、水の流れが流れる入口と出口とを有する反応チャンバーに少なくとも一部が配備された高電圧電極に供給すること、
高電圧電極と反応チャンバーに少なくとも一部が配備された接地電極との間の流水流れの中でプラズマ放電を発生させることをさらに含む、請求項23の方法。 - 1又は2種以上のガスのバブルを、プラズマ放電が起こる領域の流水流れに加えることをさらに含む、請求項26の方法。
- 流水の流れの伝導度を周期的に測定すること、及び伝導度が所定の閾値を超えると1又は2以上の動作パラメータを調節することをさらに含む、請求項27の方法。
- 1又は2以上の動作パラメータは、
高電圧電極と接地電極を互いに接近する方向に移動させるステップ、
高電圧電極に供給された高電圧パルスの電圧を増加させるステップ、
流水の流れにバブルを加える速度を上昇させるステップ、
流水の流れの圧力を反応チャンバーの出口で低下させるステップ、
の1又は2以上のステップによって調節される、請求項28の方法。 - 高電圧柱状体の電圧を、ギャップ距離を増加又は減少させることによって調節することをさらに含む、請求項25の方法。
- 開放支持構造は、フレームと、前記フレームによって支持された複数の柱状体と、前記柱状体によって支持された複数の電極マウントとを含み、各電極マウントは、スパークギャップ電極の1つを支持する、請求項30の方法。
- 流水の流れの伝導度を周期的に測定すること、及び、伝導度が所定の閾値を超えると、1又は2以上の動作パラメータを調節することをさらに含む、請求項23の方法。
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