JP2017514132A - 低浮上高面内磁気イメージセンサチップ - Google Patents
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Abstract
Description
(1)DRIE又はウェットエッチングプロセスによってシリコン基板の表面にピットを形成し、かつ、前記ピットの底部を平坦化するステップと、
(2)前記ピットの底部に磁気抵抗材料薄膜を堆積し、かつ、前記磁気抵抗センサを形成するために前記磁気材料薄膜をパターニングするステップと、
(3)前記磁気抵抗センサの上方に絶縁層を堆積し、かつ、前記絶縁層に前記磁気抵抗センサの入出力端の窓を形成するステップと、
(4)前記絶縁層を平坦化するステップと、
を備える、マイクロ製造方法である。
Claims (20)
- 磁界イメージを検出する低浮上高面内磁気イメージセンサチップであって、表面にピットを有するシリコン基板と、前記シリコン基板のピットの底面に配置された磁気抵抗センサと、前記磁気抵抗センサの上方に配置された絶縁層とを備え、前記絶縁層は前記磁気抵抗センサの入出力端に対応する窓が設けられ、前記磁気抵抗センサの入出力端はリードに直接接続されているか、又は、リードを介して或いは導電ポストを介して前記窓での接続を形成するためにパッドにボンディングされ、前記導電ポストは前記磁気抵抗センサの入出力端及び前記パッドに接続され、前記パッドは前記磁気抵抗センサの入出力端子又は前記導電ポストに配置され、前記磁界イメージの配置面は磁界イメージの検出面であり、前記磁気抵抗センサに関連する作業時に前記磁界イメージの検出面内を移動する磁界イメージの方向は走査方向であり、前記リードの浮上高は前記シリコン基板の表面高さよりも低く、前記磁気イメージ検出面は前記シリコン基板の表面に対して平行又は同一面である低浮上高面内磁気イメージセンサチップ。
- 前記ピットの底平面は、前記シリコン基板の表面に対して平行である、請求項1記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップ。
- 前記磁気センサは、ホール、AMR、GMR又はTMR磁気センサの1つである、請求項1記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップ。
- 前記絶縁層は、酸化アルミニウム、窒化シリコン、酸化シリコン、フォトレジスト、ポリイミド、又は、ベンゾシクロブテンである、請求項1記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップ。
- 前記シリコン基板の表面は、前記磁気抵抗センサの上面よりも1μm〜10μm高い、請求項1記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップ。
- 前記磁気イメージセンサチップは、さらにPCBを備え、前記磁気抵抗センサの入出力端又はパッドは、接続を形成するためのリードを用いてPCBにボンディングされる、請求項1記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップ。
- 前記磁気抵抗センサの磁場感応方向は、前記磁気イメージの検出面に対して平行/直交しており、前記磁気抵抗センサの磁場感応方向が前記磁気イメージの検出面に対して平行である場合には、前記磁場感応方向は、前記走査方向に対して平行/直交している、請求項1記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップ。
- 前記磁気イメージセンサチップは、永久磁石アセンブリを備え、前記磁気抵抗センサの磁場感応方向は前記走査方向に対して平行である、請求項6記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップ。
- 前記永久磁石アセンブリは凹形永久磁石であり、前記凹形永久磁石の表面は溝が直接設けられ、前記PCBの裏部に対向しており、その溝方向は、前記磁気イメージの検出面に対して平行であり、かつ、前記磁場感応方向に対して直交し、前記凹形永久磁石の磁化方向は、前記PCBの方向に対して直交している、請求項8記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップ。
- 前記永久磁石アセンブリは、磁化方向が同じである2つの永久磁石を備え、前記2つの永久磁石は、それぞれ前記走査方向に沿って前記PCBの両側に対象的に配置され、それらの磁化方向は前記PCBの前面に対して直交している、請求項8記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップ。
- 前記永久磁石アセンブリは、前記PCBの裏部に位置する1つの裏部永久磁石と、前記走査方向に沿って前記PCBの両側部に対称的に配置される2つの側部永久磁石とを備え、前記裏部永久磁石及び2つの側部永久磁石の磁化方向は、いずれも前記磁気イメージの検出面に対して直交しており、前記裏部永久磁石の磁化方向は、前記2つの側部永久磁石の磁化方向とは逆である、請求項8記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップ。
- 前記磁気抵抗センサは、2行1列、3行1列又は2行2列に配置された2つ、3つ又は4つ磁気感応センサを備えるハーフブリッジ構造のセンサであり、前記磁気感応ユニットの磁場感応方向は同一であり、2つの磁気感応ユニットは抵抗値が同じであって直接ハーフブリッジを構成し、3つの磁気感応ユニットは、真中の行に配置された磁気感応ユニットの抵抗値が両側の行に配置された2つの磁気感応ユニットのそれぞれの抵抗値の半分であり、両側の行に配置された2つの磁気感応ユニットが前記真中の行に配置された磁気感応ユニットを有するハーフブリッジ構造を形成するように平行に接続されていて、4つの磁気感応ユニットは抵抗値が同じであり、同じ行の2つの磁気感応ユニットが並列に接続され、2つの行がハーフブリッジ構造を形成するように直列に接続され、その列方向が前記走査方向に平行である、請求項1記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップ。
- 前記磁気抵抗センサは、4つの磁気感応ユニットを備えるフルブリッジ構造のセンサであり、前記磁気感応ユニットは、磁場感応方向が同一であり、2行2列に配置されていて、フルブリッジを構成する2つのハーフブリッジに含まれている2つの磁気感応ユニットは、それぞれ異なる列に2行に配置されていて、その列方向が前記走査方向と平行である、請求項1記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップ。
- 前記フルブリッジ構造又は前記ハーフブリッジ構造は、複数の磁気感応ユニットと一体化された単一の低浮上高面内磁気イメージセンサチップ、又は、1つ以上の低浮上高面内磁気イメージセンサチップが各々一体化された複数の個別素子の組合せである、請求項12又は13記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップ。
- 低浮上高面内磁気イメージセンサチップのマイクロ製造方法であって、
(1)DRIE又はウェットエッチングプロセスによってシリコン基板の表面にピットを形成し、かつ、前記ピットの底部を平坦化するステップと、
(2)前記ピットの底部に磁気抵抗材料薄膜を堆積し、かつ、前記磁気抵抗センサを形成するために前記磁気材料薄膜をパターニングするステップと、
(3)前記磁気抵抗センサの上方に絶縁層を堆積し、かつ、前記絶縁層に前記磁気抵抗センサの入出力端の窓を形成するステップと、
(4)前記絶縁層を平坦化するステップと、
を備える、マイクロ製造方法。 - 前記磁気抵抗センサの入出力端の窓にパッドが形成されている、請求項15記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップのマイクロ製造方法。
- 前記磁気抵抗センサの入出力端の窓に導電ポストが堆積及び成形され、前記導電ポストにパッドが形成され、前記導電ポストが絶縁層に通され、前記パッドが前記絶縁層の上方に配置される、請求項15記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップのマイクロ製造方法。
- 前記(2)のステップは、前記ピットの底部に底部導電層を堆積し、かつ、前記底部導電層をパターニングし、前記底部導電層の磁気トンネル接合層を堆積し、かつ、磁気トンネル接合素子と非磁気トンネル接合素子とを形成するために前記磁気トンネル接合層をパターニングし、前記磁気トンネル接合層に第2の絶縁層を堆積し、かつ、前記磁気トンネル接合層を露出させるために平坦化し、前記第2の絶縁層及び前記磁気トンネル接合層の上方に上部導電層を堆積し、かつ、前記上部導電層をパターニングする、請求項15〜17のいずれか記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップのマイクロ製造方法。
- 前記磁気抵抗センサの入出力端は、前記非磁気トンネル接合の上方の上部導電層に配置され、前記非磁気トンネル接合素子は、前記底部導電層又は前記上部導電層によって隣接する前記磁気抵抗センサの磁気トンネル接合素子に接続されている、請求項18記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップのマイクロ製造方法。
- 前記第2の絶縁層は、酸化アルミニウム、窒化シリコン、酸化シリコン、フォトレジスト、ポリイミド、又は、ベンゾシクロブテンを備える、請求項18記載の低浮上高面内磁気イメージセンサチップのマイクロ製造方法。
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