JP2017510073A - 有機電子組成物及びそのデバイス - Google Patents
有機電子組成物及びそのデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017510073A JP2017510073A JP2016556733A JP2016556733A JP2017510073A JP 2017510073 A JP2017510073 A JP 2017510073A JP 2016556733 A JP2016556733 A JP 2016556733A JP 2016556733 A JP2016556733 A JP 2016556733A JP 2017510073 A JP2017510073 A JP 2017510073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- osc
- dielectric layer
- integer
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 52
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 183
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 claims abstract description 64
- 150000001336 alkenes Chemical group 0.000 claims abstract description 36
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 35
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 31
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 21
- 238000006317 isomerization reaction Methods 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 11
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 91
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 28
- -1 polycyclic olefin Chemical class 0.000 description 20
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 15
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 13
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 10
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 9
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 7
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 6
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M Trifluoroacetate Chemical compound [O-]C(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N p-quinodimethane Chemical group C=C1C=CC(=C)C=C1 NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 5
- DMEUUKUNSVFYAA-UHFFFAOYSA-N trinaphthalen-1-ylphosphane Chemical compound C1=CC=C2C(P(C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 DMEUUKUNSVFYAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HECLRDQVFMWTQS-UHFFFAOYSA-N Dicyclopentadiene Chemical compound C1C2C3CC=CC3C1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- KMRASZKMNHTING-UHFFFAOYSA-N 4-hexylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1CC2C=CC1(CCCCCC)C2 KMRASZKMNHTING-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N nifuroxazide Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C(=O)N\N=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)O1 YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenoxy)boronic acid Chemical compound OB(O)OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 101000805129 Homo sapiens Protein DPCD Proteins 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 102100037836 Protein DPCD Human genes 0.000 description 2
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N diazinon Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC1=CC(C)=NC(C(C)C)=N1 FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N indane Chemical compound C1=CC=C2CCCC2=C1 PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010020 roller printing Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 2
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- FGTHNRJXIKCBGC-JIBZRZDWSA-N (2e,6e)-2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-ethylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1\C(=C\C=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(CC)C\C1=C/C1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 FGTHNRJXIKCBGC-JIBZRZDWSA-N 0.000 description 1
- GGQQNYXPYWCUHG-RMTFUQJTSA-N (3e,6e)-deca-3,6-diene Chemical compound CCC\C=C\C\C=C\CC GGQQNYXPYWCUHG-RMTFUQJTSA-N 0.000 description 1
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=NN=CO1 FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSAONUPVUVBQHL-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(4-azidophenyl)prop-2-en-1-one Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1C=CC(=O)C1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 FSAONUPVUVBQHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRPUDHQXDFRBGF-UHFFFAOYSA-N 1-azido-4-(4-azidophenyl)sulfonylbenzene Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 KRPUDHQXDFRBGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARKQRZXCXIMZHG-UHFFFAOYSA-N 1-azido-4-[(4-azidophenyl)methyl]benzene Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 ARKQRZXCXIMZHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXKRSFWVJZPXSV-UHFFFAOYSA-N 1-hex-1-enylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C(=CCCCC)C12C=CC(CC1)C2 QXKRSFWVJZPXSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEMDSNVUUOCIED-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-4-[4-[4-(4-phenylphenyl)phenyl]phenyl]benzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZEMDSNVUUOCIED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDIKPUYZRZPBDY-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis[(4-azidophenyl)methyl]-4-(2-methylbutan-2-yl)cyclohexan-1-one Chemical compound O=C1C(CC=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C(C)(C)CC)CC1CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 HDIKPUYZRZPBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSCQMXSASMRTJT-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis[(4-azidophenyl)methyl]-4-ethylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1C(CC=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(CC)CC1CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 DSCQMXSASMRTJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOVGOZAOHXHVTC-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis[(4-azidophenyl)methyl]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1C(CC=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)CC1CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 OOVGOZAOHXHVTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTPSDHKZGWXTD-UHFFFAOYSA-N 2-[6-(dicyanomethylidene)naphthalen-2-ylidene]propanedinitrile Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC2=CC(=C(C#N)C#N)C=CC2=C1 JLTPSDHKZGWXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 28804-46-8 Chemical compound ClC1CC(C=C2)=CC=C2C(Cl)CC2=CC=C1C=C2 VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001780 ECTFE Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- ZIZYIMBTYBHYGE-UHFFFAOYSA-N [(7-diazonioimino-9h-fluoren-2-ylidene)hydrazinylidene]azanide Chemical compound [N-]=[N+]=NC1=CC=C2C3=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C3CC2=C1 ZIZYIMBTYBHYGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFDKNVBYIDMZFC-UHFFFAOYSA-N [[4-(4-diazonioimino-3-methylcyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)-2-methylcyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]hydrazinylidene]azanide Chemical group C1=CC(=NN=[N-])C(C)=CC1=C1C=C(C)C(=N[N+]#N)C=C1 ZFDKNVBYIDMZFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVFCURWASKXTAU-UHFFFAOYSA-N [[6-[2-(6-diazonioiminocyclohexa-2,4-dien-1-ylidene)ethylidene]cyclohexa-2,4-dien-1-ylidene]hydrazinylidene]azanide Chemical compound [N-]=NN=C1C=CC=CC1=CC=C1C(=N[N+]#N)C=CC=C1 VVFCURWASKXTAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical group 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical group 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005264 aryl amine group Chemical group 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011243 crosslinked material Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002848 norbornenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N p-quaterphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 1
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 description 1
- JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N pentaporphyrin i Chemical compound N1C(C=C2NC(=CC3=NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical class C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001470 polyketone Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000005059 solid analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010421 standard material Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004001 thioalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
- C08F2/50—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F232/00—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
- C08F232/08—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having condensed rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F6/00—Post-polymerisation treatments
- C08F6/06—Treatment of polymer solutions
- C08F6/12—Separation of polymers from solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F232/00—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
Description
及び低いオフ電流を与えることが望ましい。
上述のOEデバイスは、たとえば、有機電界効果トランジスター(OFET)(有機薄膜トランジスター(OTFT)を含む)、有機発光ダイオード(OLED)、有機光検出器(OPD)、又は有機光起電力(OPV)デバイスである。OFETに関して、かかるデバイスはトップゲートOFET及びボトムゲートOFETの両方を含む。
本発明に係るいくつかの好適なポリマーの実施形態では、ノルボルネン型ポリマーは2つ以上の異なるタイプの繰返し単位を含む。
のはHである。
したがって、他の好適な実施形態は、2つ以上の繰返し単位を含み各繰返し単位が同一のペンダントアルケニル基の異なる異性体形を含むコポリマーであるポリシクロオレフィンポリマーに関する。
さらに好適には、末端ペンダントアルケニル基を有する単位Pと異性化ペンダントアルケニル基を有する単位Piとから好適にはなり、単位P対単位Piの比が1:6〜20:1、好適には1:4〜14:1、非常に好適には1:3〜12:1であるポリシクロオレフィンポリマーである。
式P:
得られた式(IIa):
を含む、ポリシクロオレフィンポリマー中の末端二重結合の異性化を制御する方法を含む。式中、d、n、a、b、P、及びPiは、本明細書に定義される通りである。
の反応温度は、60℃〜100℃、好適には70℃〜90℃、非常に好適には75℃〜85℃の固定温度に維持される。
のポリシクロオレフィンポリマーと、光活性架橋剤と、担体溶媒と、を含む。
スチルベン、4,4’−ジアジド−3,3’−ジメチルビフェニル、2,7−ジアジドフルオレン、4,4’−ジアジドジフェニルメタン、2,6−ジ−(p−アジドベンジル)−4−tert−アミルシクロヘキサノン、4,4’−ジアジドカルコン−2−[N,N−ジ−(2−エトキシエチル)スルホンアミド]、4,4’−ジアジドスチルベン−2,2’−[N,N−ジ−(2−エトキシエチル)スルホンアミド]、及び2,6−ジ−(p−アジドベンジル)−4−エチルシクロヘキサノンである。以上の光活性架橋剤の1種以上を利用することが可能である。
ポリ(ブテニルノルボルネン)、及び
ポリ(ヘキセニルノルボルネン)
を含む。
本発明に係るいくつかの好適な組成物の実施形態では、溶媒は以下及び以上に記載の有機溶媒から選択される。他の実施形態では、溶媒は、限定されるものではないが、シクロヘキシルベンゼン、メシチレン、インダン、キシレン、テトラリン、ジエチルベンゼン、シクロペンタノン、ベンジルアセテート、又は上述の溶媒の組合せを含む。
本発明に係るいくつかの好適な組成物の実施形態では、OSCはn型又はp型のOSCでありうる。効果的なOSCは、1×10−5cm2V−1s−1超のFET移動度を呈する。
酸ジイミド及びフルオロ誘導体、N,N’−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリール、又は置換ジアリール−3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド、バソフェナントロリン、ジフェノキノン、1,3,4−オキサジアゾール、11,11,12,12−テトラシアノナフト−2,6−キノジメタン、α,α’−ビス(ジチエノ[3,2−b2’,3’−d]チオフェン)、2,8−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリール、又は置換ジアリールアントラジチオフェン、2,2’−ビベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェンからなる群から選択される化合物、化合物のオリゴマー及び誘導体を含む。OSCの液相堆積技術が望まれる場合、以上に列挙された化合物及びそれらの誘導体は、適切な溶媒又は適切な溶媒の混合物に可溶なものに限定される。
本発明に係る他の好適な実施形態は、本発明に係るOSC組成物を基材上に堆積する工程と、OSC組成物が溶媒を含む場合には溶媒を除去する工程と、を含む、OSC層の作製プロセスに関する。
たがって、ポリ(p−キシリレン)の層を形成する。
p−キシリレンの気相堆積プロセスに適したプロセス条件は、当業者に公知であり、たとえば、P.クラマー(P.Kramer)ら著、ジャーナル・オブ・ポリマー・サイエンス(Journal of Polymer Science):高分子化学編(Polymer Chemistry Edition)、第22巻、1984年、pp.475−491の文献に記載されている。
a)OSC材料を(好適には有機溶液から)堆積してOSC層を形成する工程。
c)ゲート電極を堆積する工程。
d)以上及び以下に記載のポリシクロオレフィンポリマーを(好適には有機溶液から)堆積して誘電体層を形成する工程。
次に図1に目を向けると、本発明の好適な実施形態に係るトップゲートOFETデバイスの単純化された概略図が提供される。かかるOFETデバイスは、基材(1)と、ソース電極及びドレイン電極(2a、2b)と、OSC層(3)と、以上及び以下に記載のポリシクロオレフィンポリマーを含みかつゲート絶縁体として機能する誘電体層(4)と、ゲート電極(5)と、を含む。
a)基材(1)上にソース電極及びドレイン電極(2a、2b)を形成する工程。
c)以上及び以下に記載のポリシクロオレフィンポリマーをOSC層(3)上に(好適には有機溶液から)堆積することにより誘電体層(4)を形成する工程。
次に図2に目を向けると、本発明の他の好適な実施形態に係るボトムゲートOFETデバイスが単純化された概略図で提供される。かかるOFETデバイスは、基材(1)と、ゲート電極(5)と、以上及び以下に記載のポリシクロオレフィンポリマーを含みかつゲート絶縁体として機能する誘電体層(4)と、ソース電極及びドレイン電極(2a、2b)と、OSC層(3)と、任意選択でパッシベーション層(6)と、を含む。
a)基材(1)上にゲート電極(5)を形成する工程。
d)ソース電極及びドレイン電極(2a、2b)ならびに誘電体層(4)の上に(好適には有機溶液から)OSC材料を堆積することによりOSC層(3)を形成する工程。
上述のプロセスでは、電極(2a、2b、5)は、たとえば、スパッタリングプロセスにより基材(1)又は誘電体層(4)の上に適用され、かつエッチング及び/又はリソグラフィーパターニングによりパターニング可能である。OSC層(3)及び誘電体層(4)は、以上に記載の塗布プロセス又は印刷プロセスにより適用可能である。
ならびにゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極は、標準的材料から選択可能であり、かつ標準的方法により製造及びデバイスへの適用が可能である。これらのコンポーネント及び層に好適な材料及び製造技術は、当業者に公知でありかつ文献に記載されている。例示的な堆積方法は、以上に記載の液体塗布方法さらには化学気相堆積(CVD)方法又は物理気相堆積方法を含む。
本発明の範囲内に含まれる状態を維持して本発明の以上の実施形態に変更を加えうることは分かるであろう。本明細書に開示された各特徴は、とくに明記されていない限り、同一、等価、又は類似の目的を果たす代替的特徴で置き換えることが可能である。したがっ
て、とくに明記されていない限り、開示された各特徴は、汎用的な一連の等価又は類似の特徴の一例にすぎない。
以上及び以下では、とくに明記されていない限り、パーセントは重量パーセントであり、かつ温度はセルシウス度(℃)で与えられる。誘電定数ε(「誘電率」)の値は、20℃及び1,000Hzで測定された値を意味する。
実施例1
本明細書に記載のポリシクロオレフィンポリマーは以下のように調製される。
mol)の溶液(全溶液体積55mL)を70℃に加熱した。次いで、トルエン中の[(アリル)パラジウム(トリナフチルホスフィン)(トリフルオロアセテート)](10.6mg、0.015mmol、0.004M)の溶液を反応混合物に添加した。反応混合物を70℃で5時間撹拌した。反応混合物を室温に冷却した。転化率を測定したところ98.4%であった(GC分析に基づく)。反応混合物をトルエンで全体積275mLに希釈し、イソプロパノール(約6倍過剰)に注加した。沈殿したポリマーを濾過し、次いで50℃の真空オーブン中で一晩乾燥させた白色粉末を得た。GPC:Mw:16,000、Mw/Mn:2.81。ブテニルNBペンダント基に関連する末端ペンダントブテニル基と異性化ペンダントブテニル基との比を1H NMRスペクトルのオレフィン領域の積分により決定したところ、12対1であることが分かった。
基に関連する末端オレフィンと異性化オレフィンとの比を決定した。結果は表2にまとめられている。1−ヘキセンが内部オレフィンへの迅速な異性化を受けることは、表2に提示されたデータから明らかである。
ポリマーC1:ペンダントオレフィン付加の影響を比較するために使用可能な非架橋性ポリマーであるポリ(ヘキシルノルボルネン)(pHexNB)を試験した。pHexNBは、ペンダントヘキシル鎖のみを含有するので、架橋性官能基を有していない。このポリマーは以下のように調製した。ヘキシルノルボルネン(161g、900mmol)、シクロヘキサン(823ml)、及びエチルアセテート(364ml)の溶液をジャケット付きガラス製反応器に添加し、窒素で30分間スパージし、そして撹拌しながら20℃に冷却した。次いで、エチルアセテート中の(η6−トルエン)ニッケルビス(ペンタフルオロフェニル)(1.26g、2.6mmol)の溶液を反応混合物に添加した。反応混合物を20℃で2時間撹拌した。反応混合物を室温に加温した。残留触媒の除去後、ポリマーを2−ヘプタノン中で溶媒交換して18%w/w溶液を形成した。重合転化率は100%である(全固体分析に基づく)。GPC:Mw:240,000、Mw/Mn:2。
材料のOTFT性能を評価するために、それらを使用することによりメルク(Merck)社製のOSCポリマーのリシコン(lisicon)(登録商標)SP400を用いて標準的トップゲートボトムコンタクトOFETデバイスを構築した。
図3は、架橋性官能基を有していないポリマーC1(pヘキシルNB)誘電体が組み込まれたデバイスを示している。したがって、これは、この実験でアルキルをアルケニルに置き換えることにより生じる性能の変化を例示するために参照として使用される。
実施例3
BAC−Eを含むOTFTデバイスを作製し、約3J/cm2の365nmUV線量を用いて架橋した。BAC−Eを添加した場合、デバイスの正孔移動度は、この測定のk依存性に起因して低下が見られると予想される。
図7は、架橋性官能基を有していない誘電体としてポリマーC1が組み込まれかつBAC−Eが無添加であるデバイスを示している。したがって、これは、この実験で架橋により生じる性能の変化を例示するために参照として使用される。
Claims (20)
- 誘電体層を含んでなる有機電子(OE)デバイスにおいて、前記誘電体層が、1個以上のペンダントオレフィン基を含んでなるポリシクロオレフィンポリマーを含有し、又はこのポリシクロオレフィンポリマーを用いて得られる、有機電子(OE)デバイス。
- 前記ペンダントオレフィン基がC3〜C20アルケニル基である、請求項1に記載のOEデバイス。
- 前記ポリシクロオレフィンポリマーが、式I
- 前記ポリシクロオレフィンポリマーが、以下の式
から選択される1つ以上の繰返し単位を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のOEデバイス。 - 前記ポリシクロオレフィンポリマーが、以下の式
から選択される1つ以上の繰返し単位を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載のOEデバイス。 - 前記ポリシクロオレフィンポリマーが2つ以上の繰返し単位を有するコポリマーであり、各繰返し単位が同一のペンダントアルケニル基の異なる異性体形を有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載のOEデバイス。
- 前記ポリシクロオレフィンポリマーが、式II
から選択される、請求項6に記載のOEデバイス。 - 前記ポリシクロオレフィンポリマーが、末端ペンダントアルケニル基を有する請求項4に定義された単位Pと、異性化ペンダントアルケニル基を有する請求項4に定義された単位Piと、を含み、単位Pと単位Piとの比が1:6〜20:1である、請求項4〜7のいずれか一項に記載のOEデバイス。
- 前記ポリシクロオレフィンポリマーが、式IIa
から選択される、請求項4〜8のいずれか一項に記載のOEデバイス。 - OEデバイスの誘電体層であって、前記誘電体層が、請求項1〜9のいずれか一項に定義
されたポリシクロオレフィンポリマーを含有し、又はこのポリシクロオレフィンポリマーを用いて得られる、OEデバイスの誘電体層。 - 有機電界効果トランジスター(OFET)、有機薄膜トランジスター(OTFT)、有機発光ダイオード(OLED)、有機光起電力(OPV)デバイス又は有機光検出器(OPD)である、請求項1〜10のいずれか一項に記載のOEデバイス。
- トップゲートOFET又はボトムゲートOFETである、請求項11に記載のOEデバイス。
- 基材(1)と、ソース電極及びドレイン電極(2a、2b)と、有機半導体(OSC)層(3)と、請求項1〜9のいずれか一項に定義されたポリシクロオレフィンポリマーを含みかつゲート絶縁体として機能する誘電体層(4)と、ゲート電極(5)とからなる、請求項12に記載のトップゲートOFET。
- A)基材(1)上にソース電極及びドレイン電極(2a、2b)を形成する工程と、
B)前記ソース電極及びドレイン電極(2a、2b)の上にOSC材料を堆積することによりOSC層(3)を形成する工程と、
C)請求項1〜9のいずれか一項に定義されたポリシクロオレフィンポリマーを前記OSC層(3)上に堆積することにより誘電体層(4)を形成する工程と、
D)前記誘電体層(4)上にゲート電極(5)を形成する工程と、
を備える、請求項13に記載のOFETの製造方法。 - 基材(1)と、ゲート電極(5)と、請求項1〜9のいずれか一項に定義されたポリシクロオレフィンポリマーを含みかつゲート絶縁体として機能する誘電体層(4)と、ソース電極及びドレイン電極(2a、2b)と、OSC層(3)と、任意選択でパッシベーション層(6)とからなる、請求項12に記載のボトムゲートOFET。
- A)基材(1)上にゲート電極(5)を形成する工程と、
B)前記基材(1)及び前記ゲート電極(5)の上に請求項1〜9のいずれか一項に定義されたポリシクロオレフィンポリマーを堆積することにより誘電体層(4)を形成する工程と、
C)前記誘電体層(4)上にソース電極及びドレイン電極(2a、2b)を形成する工程と、
D)前記ソース電極及びドレイン電極(2a、2b)ならびに前記誘電体層(4)の上にOSC材料を堆積することによりOSC層(3)を形成する工程と、
E)任意選択で前記OSC層(3)上にパッシベーション層(6)を形成する工程と、
を備える、請求項15に記載のOFETの製造方法。 - 前記OSC層(3)のOSC材料及び前記誘電体層(4)のポリシクロオレフィンポリマーが有機溶液から堆積される、請求項14又は16に記載の方法。
- 集積回路(IC)、無線周波数識別(RFID)タグ、RFIDタグを含有するセキュリティーマーキングもしくはセキュリティーデバイス、フラットパネルディスプレイ(FPD)、FPDのバックプレーン、FPDのバックライト、電子写真デバイス、電子写真記録デバイス、有機メモリーデバイス、圧力センサー、光学センサー、化学センサー、バイオセンサー、又はバイオチップである、請求項1〜9、11〜13、及び15のいずれか一項に記載のOEデバイスを含んでなる製品又は集合体。
- 式P:
得られた式(IIa):
(式中、nは0〜8の整数であり、a及びbは互いに独立して0〜7の整数でありかつa+b≦7であり、dは>1の整数であり、しかも末端ペンダントアルケニル基を有する単位Pと異性化ペンダントアルケニル基を有する単位Piとの比は1:6〜20:1にある)
を備える、ポリシクロオレフィンポリマー中の末端二重結合の異性化を制御する方法。 - 式(IIa)
のポリシクロオレフィンポリマーと、
光活性架橋剤と、
担体溶媒と、
を含んでなる組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201461951610P | 2014-03-12 | 2014-03-12 | |
US61/951,610 | 2014-03-12 | ||
PCT/EP2015/000324 WO2015135622A1 (en) | 2014-03-12 | 2015-02-13 | Organic electronic compositions and device thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017510073A true JP2017510073A (ja) | 2017-04-06 |
JP6577482B2 JP6577482B2 (ja) | 2019-09-18 |
Family
ID=52469795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016556733A Active JP6577482B2 (ja) | 2014-03-12 | 2015-02-13 | 有機電子組成物及びそのデバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9978944B2 (ja) |
EP (1) | EP3117469B1 (ja) |
JP (1) | JP6577482B2 (ja) |
KR (1) | KR102373812B1 (ja) |
CN (1) | CN106068569B (ja) |
TW (1) | TWI678378B (ja) |
WO (1) | WO2015135622A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019515514A (ja) * | 2016-05-18 | 2019-06-06 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機誘電体層及び有機電子デバイス |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016134704A1 (de) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Dynamic Solar Systems Ag | Pv-schichtfolge erhalten durch ein raumtemperatur-verfahren und raumtemperatur-verfahren zur herstellung einer pv-schichtfolge |
CN108886096B (zh) * | 2016-03-22 | 2022-10-28 | 普罗米鲁斯有限责任公司 | 含有双吖丙啶的有机电子组合物和其器件 |
WO2017202635A1 (en) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | Basf Se | Semiconductors |
CN111416039A (zh) * | 2019-01-07 | 2020-07-14 | 纽多维有限公司 | 制剂和层 |
WO2023031073A1 (en) | 2021-08-31 | 2023-03-09 | Merck Patent Gmbh | Composition |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120056249A1 (en) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | Promerus Llc | Interlayer for electronic devices |
US20120056183A1 (en) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | Promerus Llc | Gate insulator layer for organic electronic devices |
US20130207091A1 (en) * | 2012-02-15 | 2013-08-15 | Promerus Llc | Planarization layer for organic electronic devices |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU6291999A (en) | 1998-10-05 | 2000-04-26 | B.F. Goodrich Company, The | Catalyst and methods for polymerizing cycloolefins |
US6690029B1 (en) | 2001-08-24 | 2004-02-10 | University Of Kentucky Research Foundation | Substituted pentacenes and electronic devices made with substituted pentacenes |
AU2002358247A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-23 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Polymeric compositions and uses therefor |
US7674847B2 (en) | 2003-02-21 | 2010-03-09 | Promerus Llc | Vinyl addition polycyclic olefin polymers prepared with non-olefinic chain transfer agents and uses thereof |
ATE475971T1 (de) | 2003-11-28 | 2010-08-15 | Merck Patent Gmbh | Organische halbleiterschicht-formulierungen mit polyacenen und organischen binderpolymeren |
US7385221B1 (en) | 2005-03-08 | 2008-06-10 | University Of Kentucky Research Foundation | Silylethynylated heteroacenes and electronic devices made therewith |
US8053515B2 (en) | 2006-12-06 | 2011-11-08 | Promerus Llc | Directly photodefinable polymer compositions and methods thereof |
US8753790B2 (en) | 2009-07-01 | 2014-06-17 | Promerus, Llc | Self-imageable film forming polymer, compositions thereof and devices and structures made therefrom |
CN104245783B (zh) * | 2012-04-25 | 2017-12-12 | 默克专利股份有限公司 | 用于有机电子器件的堤岸结构 |
EP2898551B1 (en) * | 2012-09-21 | 2020-04-22 | Merck Patent GmbH | Organic semiconductor formulations |
-
2015
- 2015-02-13 CN CN201580012647.9A patent/CN106068569B/zh active Active
- 2015-02-13 US US15/123,891 patent/US9978944B2/en active Active
- 2015-02-13 KR KR1020167028167A patent/KR102373812B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-13 EP EP15704215.1A patent/EP3117469B1/en active Active
- 2015-02-13 WO PCT/EP2015/000324 patent/WO2015135622A1/en active Application Filing
- 2015-02-13 JP JP2016556733A patent/JP6577482B2/ja active Active
- 2015-03-09 TW TW104107401A patent/TWI678378B/zh active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120056249A1 (en) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | Promerus Llc | Interlayer for electronic devices |
US20120056183A1 (en) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | Promerus Llc | Gate insulator layer for organic electronic devices |
JP2013541191A (ja) * | 2010-09-02 | 2013-11-07 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電子デバイス用のゲート絶縁層 |
JP2013543650A (ja) * | 2010-09-02 | 2013-12-05 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電気デバイスのための中間層 |
US20130207091A1 (en) * | 2012-02-15 | 2013-08-15 | Promerus Llc | Planarization layer for organic electronic devices |
WO2013120581A1 (en) * | 2012-02-15 | 2013-08-22 | Merck Patent Gmbh | Planarization layer for organic electronic devices |
JP2015509660A (ja) * | 2012-02-15 | 2015-03-30 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 有機電子デバイスのための平坦化層 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019515514A (ja) * | 2016-05-18 | 2019-06-06 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機誘電体層及び有機電子デバイス |
JP7122257B2 (ja) | 2016-05-18 | 2022-08-19 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機誘電体層及び有機電子デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106068569B (zh) | 2019-03-22 |
KR102373812B1 (ko) | 2022-03-11 |
EP3117469A1 (en) | 2017-01-18 |
EP3117469B1 (en) | 2018-01-31 |
US20170025612A1 (en) | 2017-01-26 |
KR20160133497A (ko) | 2016-11-22 |
US9978944B2 (en) | 2018-05-22 |
JP6577482B2 (ja) | 2019-09-18 |
CN106068569A (zh) | 2016-11-02 |
WO2015135622A1 (en) | 2015-09-17 |
TW201546104A (zh) | 2015-12-16 |
TWI678378B (zh) | 2019-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6577482B2 (ja) | 有機電子組成物及びそのデバイス | |
TWI589607B (zh) | 有機半導體調配物 | |
US10693072B2 (en) | Diazirine containing organic electronic compositions and device thereof | |
JP6262204B2 (ja) | 有機電子デバイス用バンク構造 | |
US10069071B2 (en) | Polycyclic aromatic hydrocarbon copolymers | |
US9691985B2 (en) | Passivation layers for organic electronic devices including polycycloolefinic polymers allowing for a flexible material design | |
TWI644964B (zh) | 有機半傳導性調配物 | |
US20190148657A1 (en) | Organic Dielectric Layer and Organic Electronic Device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190717 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190822 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6577482 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |