JP2017509013A - ターゲット構成の最適化及び関連するターゲット - Google Patents
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Abstract
Description
[0001] 本出願は、2014年2月21日出願の欧州特許出願第14156125号の利益を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
1.−暗視野像に、各格子の周辺部における大きなエッジ効果が観察される場合、
・利用可能な関心領域(ROI)のサイズが(像のクロッピングにより格子エッジが除外されることにより)縮小し、算出される信号の再現性が低くなってしまう。
・算出された格子信号(平均強度)の精度が、エッジ効果による放出からの光学的クロストークによる信号劣化により低下してしまう。
・ウェーハ上での顕著なエッジ効果及び時間内のプロセス変動に伴い像が変化するために、パターン認識失敗の事例が増加してしまう。
・算出された信号のROI位置決めエラーに対する感度が、例えば、大きなエッジ強度が偶然に信号推定に含まれる場合に増大してしまう。
・CCDセンサの(フルダイナミック階調レベル範囲の)フルスケールの使用が減少することにより、低い階調レベルでの再現性及び非線形カメラの構造的な問題に対する感度が低下してしまう。
2.−格子構造を含む総面積がターゲット領域内で最大化されない。したがって、最大光子数に達しない(すなわち、再現性のために最適化されていない)。
1−利用可能なターゲットエリア全体を考慮したターゲットレイアウトの最適化。
2− 光近接効果補正(OPC)と同様の方法を用いて、(リソグラフィプロセスを用いてターゲットを印刷する能力のためにのみ最適化するのとは対照的に)改善されたメトロロジープロセス応答のためにターゲットレイアウトを最適化するコンピュータによるリソグラフィモデリング。結果として得られるターゲットは、メトロロジーツール駆動型の光近接効果補正(MT−OPC)アシストフィーチャを用いて、メトロロジープロセス応答の最適化を支援することができる。
1−設計制約に関する格子の最適化。このような設計制約は、特定のプロダクト設計、例えば、線幅、サブセグメンテーション、ラインオンライン(line on line)又はラインオントレンチ(line on trench)等を所与とする用途に依存する。
2−場合によってはMT−OPCアシストフィーチャを用いる、最適メトロロジープロセス検出のためのターゲットレイアウト全体の最適化。サブセグメンテーション及び/又はその他の設計制約は、必要に応じてMT−OPCアシストフィーチャに適用できる。
3−リソグラフィOPCサイクルをターゲットレイアウト全体に対して実行し、ステップ1及び2で構築された所望のターゲットレイアウトが適切にウェーハ上に印刷されることを保証すること。
ステップT1−例えば、境界の近く及び/又はターゲット領域の内側に、「サブ解像度」ピッチでMT−OPCアシストフィーチャを描く。これによって「利用可能な/空の」ターゲット領域を画定する。アシストフィーチャの特性(例えば、線幅、形状…)は、例えば、暗視野像において環境からターゲットを効率的に隔離するために選択されてもよい。
ステップT2−ターゲット境界に配置されたMT−OPCアシストフィーチャに基づいて、第1の格子の格子線を、境界を起点としてターゲット領域の内側に向かう方向に順次配置する。例えば、直前に配置された線の一部が利用可能なターゲットエリアの格子方向の中間点上に位置するまで格子線を配置する。
ステップT3−(必要に応じて)格子線のサイズ及びピッチに基づく形状、さらに「サブ解像度」ピッチを有するMT−OPCアシストフィーチャを追加する。
ステップT4−後者のMT−OPCアシストフィーチャに基づいて、次の格子の線長を残りの利用可能なターゲット領域に合わせる。
ステップT5−残りの格子のためにステップT2〜T4を繰り返す。
ステップT6−必要に応じて、ターゲット領域の中心部をMT−OPCアシストフィーチャで充填する。
−格子中心強度と同程度の大きさの格子エッジ強度。
−オーバーレイ、デフォーカス及びメトロロジーセンサの収差の存在下におけるエッジ効果の最小変動。
−関連波長範囲での最適ターゲットパターン認識のための格子構造間の十分な間隔(間隔≧λ/2。λは検査波長を表す)。
−最大格子面積。
これらの基準は、最終ターゲット構成を構築する際に比較考量されることが理想的である。
Claims (29)
- 複数のサブ構造をそれぞれ有する複数の格子を備えたターゲット構成を構築する方法であって、
ターゲットエリアを画定するステップと、
前記格子を形成するために、前記サブ構造を前記ターゲットエリア内に配置するステップと、
前記格子の周辺部における測定された強度ピークを低減させるアシストフィーチャを、前記格子の周辺部に配置するステップと、
を含む、方法。 - 前記サブ構造を配置するステップは、個々の格子のそれぞれを順次形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記サブ構造を配置するステップは、前記格子ごとに、前記ターゲットエリアの周辺部を起点として前記ターゲットエリアの中心に向かって前記サブ構造を順次配置することを含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 特定の格子を形成する前記サブ構造を配置するのに先立って、前記格子のサブ構造の長さを残りの前記ターゲットエリアに合わせることを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 特定の格子に隣接配向された前記アシストフィーチャは、その特定の格子と同相に位置決めされている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記アシストフィーチャは、第1のアシストフィーチャを含み、
前記ターゲットエリアは、前記ターゲットエリアを略取り囲む複数の前記第1のアシストフィーチャにより画定されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。 - 前記アシストフィーチャは、前記ターゲットエリア内の前記各格子間に設けられた第2のアシストフィーチャを含む、請求項6に記載の方法。
- 前記第2のアシストフィーチャは、前記関連する検査波長の少なくとも半分の波長を有する前記格子間の空間を充填するように配置されている、請求項7に記載の方法。
- 前記各格子は、前記各格子を取り囲んでいる環境から前記各格子を隔離するために前記アシストフィーチャにより略取り囲まれている、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記アシストフィーチャは、前記格子のピッチよりも実質的に小さいピッチを有する線を備えている、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記アシストフィーチャのピッチは、メトロロジープロセスを用いた前記ターゲットの検査中に前記アシストフィーチャが検出されないほどのものである、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記アシストフィーチャは、前記各格子の最も外側の各サブ構造に直接隣接して配置されている、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記各格子は、略等しい面積を有する、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記方法は、メトロロジープロセスを用いた前記ターゲットの検査により結果として得られた像をモデリングすることと、前記ターゲット構成がメトロロジープロセスを用いた検出用に最適化されているかどうかを評価することと、を含む、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記方法は、前記ターゲット構成を最適化するために反復的に繰り返される、請求項14に記載の方法。
- 特定のターゲット構成が最適化されていると判断するかどうかを判断するための基準は、
前記回折ベースのメトロロジープロセスを用いて検査する際に、格子周辺部における強度が前記格子の中心における強度と同程度の大きさであるかどうかを判定すること、
前記回折ベースのメトロロジープロセスを用いて検査する際に、オーバーレイ、デフォーカス及び収差の存在下で前記格子周辺部において最小強度変動があるかどうかを判定すること、
前記関連する検査波長範囲に対する最適ターゲット認識のための十分な間隔が前記格子間にあるかどうかを判定すること、及び
総格子面積が最大化されているかどうかを判定すること、
のうちの1つ以上を含む、請求項14又は15に記載の方法。 - 前記ターゲットは、上層がオーバーレイバイアスを有する2つ以上の積層されたターゲット層を備え、
前記バイアスは、前記上層に含まれるアシストフィーチャにかけられない、請求項1〜16のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ターゲットは、上層がオーバーレイバイアスを有する2つ以上の積層されたターゲット層を備え、
前記上層は、アシストフィーチャを含まない、請求項1〜16のいずれか一項に記載の方法。 - 複数のサブ構造をそれぞれ有する複数の格子と、
前記格子のピッチよりも実質的に小さいピッチを有する線を備えたアシストフィーチャと、を備え、
前記格子の周辺部における測定された強度ピークを低減させるアシストフィーチャを、前記格子の周辺部に備えた、
ターゲット。 - 前記各格子は、前記各格子を取り囲んでいる環境から前記各格子を隔離するために前記アシストフィーチャで略取り囲まれている、請求項19に記載のターゲット。
- 前記アシストフィーチャは、第1のアシストフィーチャを含み、
前記ターゲットエリアは、前記ターゲットエリアを略取り囲む複数の前記第1のアシストフィーチャで画定されている、請求項19又は20に記載のターゲット。 - 前記アシストフィーチャは、前記ターゲットエリア内の前記各格子間に設けられた第2のアシストフィーチャを含む、請求項21に記載のターゲット。
- 前記アシストフィーチャは、前記格子のピッチよりも実質的に小さいピッチを有する線を備えている、請求項19〜22のいずれか一項に記載のターゲット。
- 前記アシストフィーチャのピッチは、メトロロジープロセスを用いた前記ターゲットの検査中に前記アシストフィーチャが検出されないほどのものである、請求項19〜23のいずれか一項に記載のターゲット。
- 前記アシストフィーチャは、前記各格子の周辺部における回折強度ピークを低減させる、請求項19〜24のいずれか一項に記載のターゲット。
- アシストフィーチャは、前記各格子の最も外側の各サブ構造に直接隣接して配置されている、請求項19〜25のいずれか一項に記載のターゲット。
- 特定の格子に隣接配向された前記アシストフィーチャは、その特定の格子と同相である、請求項19〜26のいずれか一項に記載のターゲット。
- 前記各格子は、略等しい面積を有する、請求項19〜27のいずれか一項に記載のターゲット。
- 請求項19〜28のいずれか一項に記載のターゲットを形成するフィーチャを備えた、レチクル。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018010130A (ja) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | リコーインダストリアルソリューションズ株式会社 | 偏光解消素子 |
JP2020521158A (ja) * | 2017-05-19 | 2020-07-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ターゲットを測定する方法、メトロロジ装置、リソグラフィセル及びターゲット |
US10747123B2 (en) | 2017-11-21 | 2020-08-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device having overlay pattern |
KR20200111806A (ko) * | 2018-02-14 | 2020-09-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 이미지 평면 검출 기술을 이용하여 관심 대상 매개변수를 측정하기 위한 방법 및 장치 |
JP2021511532A (ja) * | 2018-01-12 | 2021-05-06 | ケーエルエー コーポレイション | 傾斜周期構造を有する計測ターゲット及び方法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111338187A (zh) | 2014-08-29 | 2020-06-26 | Asml荷兰有限公司 | 度量方法、目标和衬底 |
DE112016001982T5 (de) * | 2015-04-28 | 2018-02-15 | Kla-Tencor Corporation | Recheneffiziente auf röntgenstrahlgestützte messung des overlays |
CN112859541A (zh) * | 2015-05-19 | 2021-05-28 | 科磊股份有限公司 | 光学系统 |
US10056224B2 (en) | 2015-08-10 | 2018-08-21 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for edge-of-wafer inspection and review |
JP6884515B2 (ja) * | 2016-05-10 | 2021-06-09 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
EP3399371A1 (en) * | 2017-05-05 | 2018-11-07 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring a parameter of interest, device manufacturing method, metrology apparatus, and lithographic system |
US10204867B1 (en) * | 2017-08-31 | 2019-02-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor metrology target and manufacturing method thereof |
EP3657256A1 (en) * | 2018-11-20 | 2020-05-27 | ASML Netherlands B.V. | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method |
CN110059204A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-07-26 | 江苏影速光电技术有限公司 | 一种电子图形资料自动检索和应用的装置及方法 |
US11359916B2 (en) | 2019-09-09 | 2022-06-14 | Kla Corporation | Darkfield imaging of grating target structures for overlay measurement |
EP3862813A1 (en) | 2020-02-07 | 2021-08-11 | ASML Netherlands B.V. | Methods and systems for maskless lithography |
KR20220036133A (ko) | 2020-09-15 | 2022-03-22 | 삼성전자주식회사 | Euv 포토마스크 및 이를 이용한 마스크 패턴의 형성 방법 |
US11694968B2 (en) * | 2020-11-13 | 2023-07-04 | Samsung Electronics Co., Ltd | Three dimensional integrated semiconductor architecture having alignment marks provided in a carrier substrate |
US11428642B2 (en) | 2021-01-04 | 2022-08-30 | Kla Corporation | Scanning scatterometry overlay measurement |
KR102566129B1 (ko) * | 2022-01-20 | 2023-08-16 | (주) 오로스테크놀로지 | 모아레 패턴을 형성하는 오버레이 마크, 이를 이용한 오버레이 측정방법, 및 반도체 소자의 제조방법 |
CN116679535B (zh) * | 2023-08-04 | 2023-11-21 | 魅杰光电科技(上海)有限公司 | 套刻误差的量测方法、装置、系统及存储介质 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005337919A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Nikon Corp | 位置検出装置、位置検出方法、露光装置、および露光方法 |
JP2009532862A (ja) * | 2006-03-31 | 2009-09-10 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | スキャトロメトリを用いてオーバレイ誤差を検出するための装置および方法 |
US20110043791A1 (en) * | 2009-08-24 | 2011-02-24 | Asml Netherlands B.V. | Metrology Method and Apparatus, Lithographic Apparatus, Device Manufacturing Method and Substrate |
JP2012080131A (ja) * | 2000-08-30 | 2012-04-19 | Kla-Tencor Corp | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
WO2013178422A1 (en) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, substrate, lithographic system and device manufacturing method |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US20060117293A1 (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-01 | Nigel Smith | Method for designing an overlay mark |
US7808643B2 (en) * | 2005-02-25 | 2010-10-05 | Nanometrics Incorporated | Determining overlay error using an in-chip overlay target |
JP4689471B2 (ja) | 2006-01-06 | 2011-05-25 | エルピーダメモリ株式会社 | 回路パターン露光方法及びマスク |
US7873504B1 (en) * | 2007-05-07 | 2011-01-18 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for creating a metrology target structure design for a reticle layout |
NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
NL1036597A1 (nl) | 2008-02-29 | 2009-09-01 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
US8214771B2 (en) | 2009-01-08 | 2012-07-03 | Kla-Tencor Corporation | Scatterometry metrology target design optimization |
NL2004094A (en) | 2009-02-11 | 2010-08-12 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method. |
NL2005162A (en) | 2009-07-31 | 2011-02-02 | Asml Netherlands Bv | Methods and scatterometers, lithographic systems, and lithographic processing cells. |
WO2012022584A1 (en) | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method |
CN103201682B (zh) | 2010-11-12 | 2015-06-17 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备、光刻系统和器件制造方法 |
US8298953B2 (en) * | 2010-12-20 | 2012-10-30 | Infineon Technologies Ag | Method for defining a separating structure within a semiconductor device |
JP6045588B2 (ja) | 2011-08-23 | 2016-12-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法及び装置並びにデバイス製造方法 |
WO2013143814A1 (en) | 2012-03-27 | 2013-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
NL2010458A (en) * | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background. |
US9093458B2 (en) * | 2012-09-06 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corporation | Device correlated metrology (DCM) for OVL with embedded SEM structure overlay targets |
KR102020021B1 (ko) | 2013-03-04 | 2019-09-10 | 케이엘에이 코포레이션 | 계측 타겟의 식별, 디자인 및 검증 |
JP6181284B2 (ja) | 2013-03-20 | 2017-08-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 微小構造の非対称性の測定方法ならびに測定装置、位置測定方法、位置測定装置、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
US9257351B2 (en) * | 2013-08-15 | 2016-02-09 | Globalfoundries Inc. | Metrology marks for bidirectional grating superposition patterning processes |
CN111338187A (zh) * | 2014-08-29 | 2020-06-26 | Asml荷兰有限公司 | 度量方法、目标和衬底 |
-
2015
- 2015-01-29 US US15/118,440 patent/US10331043B2/en active Active
- 2015-01-29 KR KR1020167025790A patent/KR101906293B1/ko active IP Right Grant
- 2015-01-29 WO PCT/EP2015/051796 patent/WO2015124397A1/en active Application Filing
- 2015-01-29 CN CN201580009522.0A patent/CN106030414B/zh active Active
- 2015-01-29 JP JP2016550741A patent/JP6433504B2/ja active Active
- 2015-02-13 TW TW104105139A patent/TWI632432B/zh active
-
2016
- 2016-08-05 IL IL247131A patent/IL247131B/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012080131A (ja) * | 2000-08-30 | 2012-04-19 | Kla-Tencor Corp | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
JP2005337919A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Nikon Corp | 位置検出装置、位置検出方法、露光装置、および露光方法 |
JP2009532862A (ja) * | 2006-03-31 | 2009-09-10 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | スキャトロメトリを用いてオーバレイ誤差を検出するための装置および方法 |
US20110043791A1 (en) * | 2009-08-24 | 2011-02-24 | Asml Netherlands B.V. | Metrology Method and Apparatus, Lithographic Apparatus, Device Manufacturing Method and Substrate |
WO2013178422A1 (en) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, substrate, lithographic system and device manufacturing method |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018010130A (ja) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | リコーインダストリアルソリューションズ株式会社 | 偏光解消素子 |
JP2020521158A (ja) * | 2017-05-19 | 2020-07-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ターゲットを測定する方法、メトロロジ装置、リソグラフィセル及びターゲット |
US10955756B2 (en) | 2017-05-19 | 2021-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring a target, metrology apparatus, lithographic cell, and target |
US10747123B2 (en) | 2017-11-21 | 2020-08-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device having overlay pattern |
JP2021511532A (ja) * | 2018-01-12 | 2021-05-06 | ケーエルエー コーポレイション | 傾斜周期構造を有する計測ターゲット及び方法 |
KR20200111806A (ko) * | 2018-02-14 | 2020-09-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 이미지 평면 검출 기술을 이용하여 관심 대상 매개변수를 측정하기 위한 방법 및 장치 |
KR102525481B1 (ko) | 2018-02-14 | 2023-04-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 이미지 평면 검출 기술을 이용하여 관심 대상 매개변수를 측정하기 위한 방법 및 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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WO2015124397A1 (en) | 2015-08-27 |
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