JP2017504191A - 埋め込まれたパターンニングされた金属構造物を有する伝送部材を提供するための方法とシステム - Google Patents
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Abstract
埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EMM)を有する伝送部材(CR)を提供するための方法を提供する。この伝送部材は少なくともポリマーフォイル(FS)を含む。この方法は、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EM)を有する第1側面(S1)を持つ伝送部材(CR)を提供するステップを含む。その後、この伝送部材の第1側面の反対の第2側面(S2)に、少なくとも一部が伝送部材(CR)を通過し、少なくとも一部が初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EM)に吸収される放射線ビーム(BM)を照射し、それとともに初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を局所的に熱し、これにより初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物から金属(DB)を除去する。【選択図】図6A
Description
本発明は、埋め込まれたパターンニングされた金属構造物を有するポリマーフォイルを提供する方法に関する。
さらに言えば、本発明は埋め込まれたパターンニングされた金属構造物を有するポリマーフォイルを提供するシステムに関する。
さらに言えば、本発明は埋め込まれたパターンニングされた金属構造物を有するポリマーフォイルを提供するシステムに関する。
特許文献1は、埋め込まれたパターンニングされた金属構造物を有するポリマーフォイルを提供する方法を開示している。この方法で作られたポリマーフォイルは、電気光学製品のような、種々の電気製品を製造するための完成直前の製品として、使われうる。その中で、埋め込まれたパターニングされた金属構造物は、製品の機能を支える電導体として、役に立ちうる。これは、特に電気光学製品に用いられ、ITO層のような、少なくとも一つの透明電極が必要になる。必要な透明性は、電極の厚さに応じて規定され、これに加えて導電性に応じても規定される。このため、一般に、透明電極をパターニングされた金属構造物が支える。埋め込まれたパターニングされた金属構造物は、大きな電流を伝送できる十分な体積を持つ高いトポロジーを持ち得るだけでなく、特に光、赤外線といった電磁放射線がパターンの間を通過できるという利点がある。OLEDSにおいて、従来、埋め込まれたパターニングされた金属構造物は、透明電極を支持する電源配線として役に立っている。同様に、太陽電池モジュールでは、従来、埋め込まれたパターニングされた金属構造物は、透明電極と接続される集電配線として役に立っている。金属構造物を選択して堆積することで、事前にこれらの金属構造物のパターニングを実施できる。
製品仕様に合わせて消費者の要求は、いずれ変更する。それゆえ、在庫された完成直前の製品である金属構造物の特定パターンは、もはや新しい製品の製造に適用しないだろう。よって、製品要求の変更に合わせるために、完成直前の製品に適合した手段を提供する必要がある。
特許文献2は、基板上に1以上の電路層と有機絶縁体層を含む電気素子の製造方法を開示していることに注意されたい。この方法は、有機絶縁層の中を通過する電路層の短絡部分に、有機絶縁層を通過する波長を持つレーザビームを照射する照射ステップを含む。
さらに注意されたいことに、D2は、曲げやすい回路のエッチングシステムを含む装置を明らかにしている。曲げやすい回路のエッチングシステムは、
誘電体から構成される第1側面と金属から構成される第2側面とを有するコーティングされたテープをまっすぐに出力するオープンリール式のテープシステムと、
前記コーティングされたテープの前記第2側面にある前記金属を除去するのに十分なパワーを有するレーザビームを生成するレーザ発生装置と、
前記コーティングされたテープの前記第1側面に前記レーザビームを照射し、前記レーザビームは前記第1側面を通過し、前記第2側面の部分を除去するように、制御され動作する鏡と、を備える。
誘電体から構成される第1側面と金属から構成される第2側面とを有するコーティングされたテープをまっすぐに出力するオープンリール式のテープシステムと、
前記コーティングされたテープの前記第2側面にある前記金属を除去するのに十分なパワーを有するレーザビームを生成するレーザ発生装置と、
前記コーティングされたテープの前記第1側面に前記レーザビームを照射し、前記レーザビームは前記第1側面を通過し、前記第2側面の部分を除去するように、制御され動作する鏡と、を備える。
本発明の第1の観点によれば、埋め込まれたパターニングされた金属構造物を有する伝送部材を提供する方法を提供する。伝送部材は、少なくともポリマーフォイルから構成され、他の層を含みうる。この方法は、
第1側面に自由表面のある初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を有する前記第1側面を持つ伝送部材を提供する提供ステップと、
少なくとも一部が伝送部材を通過し、少なくとも一部が初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物に吸収される放射線ビームを、前記伝送部材の前記第1側面の反対の第2側面に照射し、これにより初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を局所的に熱することで、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物から金属を除去する照射ステップと、を含む。
第1側面に自由表面のある初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を有する前記第1側面を持つ伝送部材を提供する提供ステップと、
少なくとも一部が伝送部材を通過し、少なくとも一部が初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物に吸収される放射線ビームを、前記伝送部材の前記第1側面の反対の第2側面に照射し、これにより初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を局所的に熱することで、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物から金属を除去する照射ステップと、を含む。
本発明に従う方法は、特に、従来から電気光学デバイスにおいて、透明電極の電気的支援を提供するために使われている、実質的な厚さのある埋め込まれたパターニングされた金属構造物の処理に適用される。例えば、その厚さは数ミクロン単位である。
伝送部材の第1側面の反対の第2側面への照射によって、まず、放射線は、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物に伝送部材の有する境界面で吸収される。これは、照射領域にある境界面の金属を溶解させ、及び/又は、蒸発させ、これにより、照射領域の境界面で金属−伝送部材間の粘着を離す効果を持つ。このため、照射領域において、初期に埋め込まれたパターニングされた金属構造物の厚さを通過し、金属すべてを溶解させ、又は蒸発させる必要はない。ゆえに、照射領域の金属をはがすためには、金属の自由表面に照射する方法に反して、相対的に大きくないエネルギー量だけで十分である。自由表面に照射する方法の場合は、金属を除去するためには、照射領域のすべての金属を蒸発させる必要がある。
実施の形態では、伝送部材の第1側面は、伝送部材が照射される場所で下方を向く。その際、重力は、金属の除去で生じるくず片の除去を早める。代わりとして、又は、加えて、吸引器を用いて、くず片の除去を早めても良い。
すべての放射線が伝送部材を通過し、その後、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物の金属に完全に吸収される波長を用いることが理想的ではあるが、供給された放射線は、少なくとも一部が伝送部材を通過し、少なくとも一部が初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物の金属に吸収されれば良い。伝送部材の通過率の低さと、金属の吸収率の低さは、供給された放射線のパワー密度を増加することで、補うことができる。例えば、伝送部材を放射線の少なくとも50%が通過し、例えば、金属で放射線の少なくとも50%が吸収されてもよい。この目的のために、波長又は波長幅を赤外線領域から選択すると良い。例えば、波長を500nmから2500nmの間の領域から選択する。この波長領域において、種々のポリマー材料による放射線の吸収作用は低く、この波長領域での金属による放射線の吸収作用は相対的に高い。さらに好適には、波長又波長領域は、500nmから1100nmの範囲を選択してもよい。
詳細な仕様に応じて、伝送部材の第2側面上にあり、スポットサイズが10〜500μmのようなスポットに放射線ビームが影響を与えうる。このスポットサイズは、全幅の半高の長さ(FWHH:full−width half height)から定義される。この発光パワーを、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物が比較的薄い0.1J/cm2から、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物が比較的厚い10J/cm2の範囲で選択しうる。
このスポットを目標範囲内で走査しうる。例えば、目標範囲は、長方形のような領域である。または、目標範囲は、目標線でもよい。この場合、目標線の方向を横切る方向に、伝送部材を移動することで、正確に伝送部材の2次元領域が含まれうる。さらに他の実施の形態では、目標範囲は、一つのスポットでもよく、互いに横切る方向に伝送部材を移動する移動設備を用いて、正確に伝送部材の2次元領域を含むことができる。
ある実施の形態では、放射線をパルス様式で用いる。これにより、金属層の金属に放射線ビームが衝突することで熱せられる領域を狭くできるという利点がある。
埋め込まれた金属構造物は伝送部材内に配置され、前記第1側面に自由表面を有する。この埋め込まれた金属構造物の自由表面は、伝送部材の表面のすべてである必要はなく、伝送部材の表面の一部に埋まっているかもしれず、又は、表面の外に少し延長されているかもしれない。
前述のとおり、一般に、伝送部材は、埋め込まれたパターニングされた金属構造物のポリマーフォイルに衝突する放射線の少なくとも50%が通過する。好適には、第1波長範囲の放射線は実質的に反射せず、例えば、好適には初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物は、これに衝突する放射線の10%未満が反射する。しかし、ある反射量、例えば50%に匹敵する反射量では、放射線源の強度を増加し、補いうる。
本発明は、特に、有機太陽光発電(OPV)や有機発光ダイオード(OLED)のような集電又は電流注入のためのパターンニングされた金属格子構造を持つ有機エレクトロニクスに関係する。
前述の観点と他の観点を、図を参照してより詳細に説明する。
各図の類似の参照符号は、他の状態で示されていなければ、類似の要素を示す。
図1Aに、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMを有する第1側面S1を持つ伝送部材CRの例を示す。より具体的には、伝送部材CRは、ポリマーフォイルFSを含む。ポリマーフォイルFSは有機金属の層MTを備える。有機金属の層MTには、パターニングされた金属構造物EMが埋め込まれている。
図1Bに、図1AのIB方向から見た平面図を示す。図から、埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMが平行線状に設けられていることを理解できる。
図1Cから図1Fに、他の形態の例を示す。図1Cと図1Dにおいて、それぞれ、埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMが六角形格子状と長方形状格子状とに設けられている。図1Eと図1Fの例に示すように、埋め込まれたパターニングされた金属構造物は、互いに接続されていない部分EM1、EM2を含みうる。
図1Aの断面図では埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMが有機金属の分離された層MTに埋め込まれている例を示したが、代わりに、図2Aに示すように、パターニングされた金属構造物EMがポリマーフォイル自体に埋め込まれていても良い。さらに代わりに、パターニングされた金属構造物EMが積層物に埋め込まれていても良い。図2Bに、積層物がバリア構造である例を示す。バリア構造は、第1無機物層AL1と、有機物層OLと、第2無機物層AL2とを備える。他の例において、バリア構造の代わりに、無機物層の単一のバリア層でも満足しうる。
必要に応じて、過酷な環境への応用例として、層をより多くすることも考え得る。例えば、複数層のバリアは、次のAL1、OL1、AL2、OL2、AL3を備える。ここで、AL1、AL2、AL3は無機物層であり、OL1、OL2は有機物層である。
第1無機物層、又は/及び、第2無機物層は透光性セラミックスでもよい。この透光性セラミックスには、次のものを含むが、これに限定されない。金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属酸窒化物、例えば、シリカ酸化物や酸化ケイ素(SiO2)、アルミナ酸化物や酸化アルミニウム(Al2O3)、チタニア酸化物や酸化チタン(TiO2)、酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、インジウムスズ酸化物(ITO、In203+SnO2)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ケイ素(SiN)、炭化ケイ素(SiC)、シリコン酸窒化(SiON)、酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、インジウムスズ酸化物(ITO)、これらの組合せ。これに適した有機材料には次のものを含むが、これに限定されない。
・(ポリ)アルコキシシラン(例えば、メタクリル酸3−トリメトキシシリルプロピルを含むが、これに限定されない。)
・(ポリ)アクリレート
・(ポリ)イソシアネート(例えば、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネートを含むが、これに限定されない。)
・(ポリ)オキサゾリジン(例えば、3−エチル−2−メチル−2−(3−メチルブチル)−1、3−オキサゾリジン(Zoldine(登録商標)MS−PLUS)を含むが、これに限定されない。)
・(ポリ)無水物
・(ポリ)シアノアクリレート
・線状高分子糖(例えば、多糖類、セルロース、ヒドロキシエチルセルロースを含むが、これに限定されない。)
・環状高分子糖(例えば、シクロデキストリンを含むが、これに限定されない。)
・(ポリ)アルコキシシラン(例えば、メタクリル酸3−トリメトキシシリルプロピルを含むが、これに限定されない。)
・(ポリ)アクリレート
・(ポリ)イソシアネート(例えば、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネートを含むが、これに限定されない。)
・(ポリ)オキサゾリジン(例えば、3−エチル−2−メチル−2−(3−メチルブチル)−1、3−オキサゾリジン(Zoldine(登録商標)MS−PLUS)を含むが、これに限定されない。)
・(ポリ)無水物
・(ポリ)シアノアクリレート
・線状高分子糖(例えば、多糖類、セルロース、ヒドロキシエチルセルロースを含むが、これに限定されない。)
・環状高分子糖(例えば、シクロデキストリンを含むが、これに限定されない。)
バリア構造も、無機物層の間に有機物層を有さない構造が良い。例えば、バリア構造として、互いに異なる種類のセラミック層をそれぞれ互い違いに積層して適用しうる。例えば、窒化ケイ素(N)と酸化ケイ素(O)の層をそれぞれ互い違いに積層してもよく、例えば、NONONのパターンに従うようにしてもよい。
埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMは、種々の金属やこれらの前駆物質から得られうる。適した金属は、例えば、銅、アルミニウム、スズ、銀などである。適した前駆物質は、そのような金属の金属錯体溶液、これらの金属のナノ/ミクロ粒子や薄片を含むインクである。スズや銀のような金属は、融解点が低く容易に溶解できるという点で有利である。銀、銅、アルミニウムは、電気抵抗が低いという点で特に有利である。
好適には、ポリマーフォイルは、樹脂基板材料から構成される。好適には、このような樹脂基板材料は、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド(PI)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリスルホン(PSF)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリアリレート(PAR)、ポリアミドイミド(PAI)を含む。他の樹脂材料は、ポリシクロオレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン、ABS樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、セルロース樹脂などを含む。
前の図を参照し説明したように、伝送部材CRから始まり、図3の例に示すように、フォイルに載せた電気製品は製造されうる。ここで示した例では、電気製品はカプセル化部分CPと伝送部材CRとをカプセル化した電気光学デバイスEOである。この例において、電気光学デバイスEOは、第1透明電極EL1(例えば、インジウムスズ酸化物、ドープされた酸化亜鉛のような無機物層、又は、PEDOTのような透明な有機物層)、発光層LM、第2電極EL2を有するOLEDである。実験では、発光層LMは副層から構成されうる。また、他の層は正孔伝送層、電子伝送層のように提供されうる。
図10Aに他の例を示す。図10Aに、本発明に従う方法とシステムで適切に処理した完成直前の製品例の断面を示す。完成直前の製品は、埋め込まれた有機物層OLを有するフォイルFSを含む。埋め込まれた有機物層OLの中に初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMが埋め込まれている。AL2O3又は他のセラミック材料の層のような無機物層ALは、有機物層OLの表面上に置かれ、初期の埋め込まれた金属構造物EMの表面とは接触せず分離されている。
本発明に従う、埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMを変更するための方法を、図4Aから4Dを参照しながら、より詳細に説明する。これら図の中で、図4Aは、図1A、1Bに示すような初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMを有する伝送部材の平面図である。平面図は、パターニングされた金属構造EMが埋め込まれた伝送部材CRの第1側面を指す。しかしながら、この方法は、他の初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMを変更する処理と同様であり、例えば、図2A、2B、3で示し、これらの図を参照しながら説明した処理である。
図4Bは、図4AのB、C断面図である。
図4Cに示すように、図4Bと同様の断面図であり、伝送部材CRの第1側面S1の反対の第2側面S2に、放射線ビームBMを照射する。放射線ビームの放射線は、少なくとも一部が伝送部材CRを通過し、少なくとも一部が初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMに吸収される。例えば、放射線ビームは、波長が800nmから2500nmのような赤外線波長領域のレーザとして放射する。この波長領域に含まれる放射線は、実質上、前述のほとんどのポリマーや半透明のセラミック材料を通過する。同時に、この波長領域の放射線は、一般的に、ほとんどの金属でよく吸収される。それにもかかわらず、ある場合に、他の波長領域の放射線を代わりに使用しうる。例えば、銅は可視波長域の範囲でも相対的に高い吸収性を持つ。放射線ビームBMは、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMを局所的に熱する。この局所的な熱は、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物から、金属(DB)を除去する原因となる。それとともに、埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMMは変化し、中断部IRを得る。埋め込まれた金属層に発生した局所的な熱は、局所的に存在する金属をすべて蒸発させる原因となりうる。代わりに、図4Cに示すように、固体の又は融解した金属部分DBを、蒸発した金属が除去してもよい。除去処理の正確な性質は、時間関数としてのパワー分布に依存する。相対的に短い時間で、相対的に高いエネルギー密度のパルス波として放射線を供給すると、一般的に、放射線は、放射線ビームBMが照射される初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物の表層を蒸発させるだろう。この蒸発する部分は、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物に放射線ビームBMが衝突する部分である。その後、この蒸発した金属は、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物から、一部又は全部が融解した部分の残りの金属層を取り除く。相対的に低い放射電力密度を繰り返し用いた放射線、又は、相対的に長い時間のパルス波を用いた放射線では、衝突した部分の金属が完全に蒸発する傾向にある。加えて、機械的な力により、局所的に、熱を伝送部材と伝送部材に埋め込まれた金属層の間で発生させる。上述した伝送部材の第1側面を下向きに配置して、重力と組み合わせ、初期の埋め込まれた金属層から金属を局所的に除去することも補助する。この配置では、重力がこの伝送部材上に除去した金属が残るのも防止する。
図4Dに、図4CのD方向から見た、埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMMを含む伝送部材の第2側面を示す。また、図4Dに、互いに分離された部分を有する埋め込まれたパターニングされた金属構造物の中断部分の素子を見ることができる。ここで示した実施の形態では、適用した中断部は線路の上に配置されているが、特定の処理のために設計されたすべてのパターンに従い中断部を適用できるとわかるだろう。
図10Bには、図10Aの完成直前の製品から、図4A、4Dを参照して説明した処理により埋め込まれた金属構造物の一部を除去し、除去した部分に無機物層の部分AL3を加えた製品を示す。
図5には、埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMMが変形された例を示す。この埋め込まれたパターニングされた金属構造物EMMは、主となる埋め込まれた金属構造部EMM0と、互いに絶縁された埋め込まれた金属構造部EMM1、EMM2、EMM3を有する。
図6に、本発明に従い、埋め込まれたパターニングされた金属構造物を有するポリマーフォイルを含んだ伝送部材を提供するように配置されているシステムを示す。このシステム1は、供給ロールを含む供給部10と、放射線源20と、制御部30とを備える。さらに、このシステムはドラム40と、収納ロール50と、この処理で発生する金属くず片DBを集積するためのくず片集積部60と、を備える。ここでは、円筒形の形状のドラムを示す。しかし、この代わりに、他の断面を持つドラムを用いてもよく、例えば、楕円柱の形状でもよい。実施の形態において、供給部10から供給される伝送部材は、第1側面S1に脱落防止層を持ちうる。また、このシステムは、供給部10から供給された伝送部材から脱落防止層を除去する剥離部を含みうる。剥離部は、処理のために、埋め込まれたパターニングされた金属構造物を表出する。これに加えて、処理された伝送部材を収納ロールに収納する前に、処理された埋め込まれた金属層を第1側面に有する伝送部材を脱落防止層で覆うためのラミネート部を用いても良い。さらに、図6に、機能的にコントローラ30に接続されたコンピュータメモリ32と、センサ34とを示す。センサ34は、フォイルの実際の位置を決定し、感知した信号Spを提供する。ここでは、感知した信号Spを感知信号と表す。センサ34は、伝送部材CRに沿った位置のどこに配置してもよいが、放射線源20の目標範囲TRの近辺に配置した方がよい。このセンサは、例えば、視覚認識システムでもよい。コンピュータメモリ32には、供給ロール10から供給される伝送部材CRの初期の埋め込まれた金属構造物に適用する変更内容を指示する命令が含まれる。コントローラ30は配置され、装置を制御するようにプログラムされている。示した実施の形態では、コントローラは、図の断続線で示すように、制御信号C1、・・・、C4を供給する。第1制御信号C1は供給ロール10を動かすモータを制御する。第2制御信号C2は収納ロール50を動かすモータを制御する。第3制御信号C3は放射線源を制御する。例えば、この第3制御信号C3は、例えば瞬間フルエンス、ビームの方向、ビームのパラメータ、例えばビームの断面を制御しうる。第4制御信号C4は、ドラム40を動かすモータを制御する。示した実施の形態では、コントローラ30は情報Spを受信する。情報Spは、センサ34からの信号であり、フォイルの感知した現在の位置に関する情報である。この情報Spに応じて、コントローラは、メモリ32から受信した指示に従い初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物の変更を完遂するように制御信号C1、・・・、C4を適合させる。
さらに特別には、処理の間、コントローラ30は供給部を制御し、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物の有する第1側面S1を持つ伝送部材CRを供給する。供給された、第1側面S1に初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を有する伝送部材CRは、例えば、図1A、・・・、1F、2A、2Bで示し説明したような、伝送部材である。
処理の間、さらに、コントローラ30は放射線源20を制御し、伝送部材の第1側面S1の反対の第2側面S2に放射線ビームBMを照射する。放射線ビームBMは少なくとも一部が伝送部材CRを通過し、少なくとも一部が初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物で吸収される。このため、伝送部材の持つ初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を局所的に熱し、この金属構造物の金属を除去する原因となる。
示した実施の形態において、伝送部材CRは、放射線源20の目標範囲TRに沿って移動方向Tに移動する。この場合、ドラム40は、例えば、ガラス、PMMAのような透明ポリマーから構成される円筒壁41を備える。ドラム40は、第2側面S2に沿って伝送部材CRを、放射線源20の目標範囲TRを通過して導く外面42を有する。放射線源20は、ドラム40の内側からドラムの円筒壁41を通過し、伝送部材CRの第2側面S2に放射線ビームBMを供給するように配置されている。この場合、放射線源20自身は、ドラム40の内側に配置されている。代わりに、図6Aで示すように、放射線源20はドラム40の外側に配置され、レンズ、鏡のような光素子により目標範囲TRにビームBMを導いても良い。図6Aの例では、回転する六角形の鏡22を備える。
また、図6に他の配置を示す。ここでは、放射線源20はドラム40の外側に配置され、ビームは、壁41の第1部分41a、第2部分41bを介して、目標領域TRに向けられる。好適には、放射線ビームは、第1部分41a、第2部分41bを約45度から135度内の角度で横切る。望ましくは、反射を最小限にする90度近辺がよい。
図6に見られうるように、伝送部材CRの第1側面S1は目標範囲TRの位置で下を向き、この目標範囲TRで伝送部材は照射される。これにより、くず片DBの除去が容易になる。
この場合、目標範囲TRは、ドラムの回転軸45と平行な方向にあるドラム40の外面42上の目標線である。この目標線は、伝送部材CRの第2側面S2と同じ位置にある。目標線の方向に対して横方向に伝送部材CRを移動することで、伝送部材CRの2次元領域が含まれる。図6Aの例では、処理の間、コントローラ30が六角形の鏡22を回転させることで、放射線源から放射されるビームBMが目標線TRに沿って走査する。処理の間、さらに、コントローラは、初期の埋め込まれた金属構造物MTから除去すべき金属に従ったパターンに合わせて、放射線源20のフルエンスを調整する。描画するため、埋め込まれた金属層EMを持つ伝送部材CRの厚さは、ドラム40に対して誇張されていることに注意されたい。さらに、コントローラ30は、目標範囲におけるビームBMの照射角の効果を考慮して、プログラムされていてもよい。
埋め込まれたパターニングされた金属構造物を修正して得られた伝送部材CR’は、例えば、図4C、4D、図5に示すようになり、その後、収納ロール50に巻き付けられる。その後、得られた伝送部材CR’は、完成直前の製品として、後の段階で使われ、フォイルに載せた電気製品が作られうる。また、図6に示すようなシステムは、フォイル上に作られる電気製品の製造システムと統合されうる。その場合、埋め込まれたパターニングされた金属構造物を修正して得られた伝送部材CR’は、例えば、ガイドロールによって、製造設備に直接的に導かれうる。
図6に示す実施の形態では、供給部は、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を第1側面に持つフォイルを、完成直前の製品として提供する。この完成直前の製品を、複数の潜在的な最終産物のために提供しうる。また、この方法において、複数の潜在的な最終産物から選択し、設計された個々の最終産物に局所的に変更されうる。
それにもかかわらず、他の実施の形態として、ここでの供給部を、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を第1側面に持つフォイルを局所的に準備する製造段階とすることは考えつきうる。
図6Cに、他の実施の形態として、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を持つ、ここでの伝送部材CRを平面に沿って移動方向Tに導く形態を示す。ここで示した実施の形態では、伝送部材CRを、ガイド部の第1部分72A、72Bと第2部分74A、74Bにより、移動する。この場合、ガイド部72B、74Bは、伝送部材CRの第1側面S1に対して物理的に接触するのを避けるため、エアーフローキャリアである。ガイド部72A、74Aは、モータで動くローラである。
例として、この実施の形態における、目標範囲TRは、例えば、伝送部材CRの第2側面S2と一致する面において、移動方向に従い方向Tに延伸し、移動方向を横切る長方形の領域である。この実施の形態では、目標範囲TRの大きさに対応した距離ごとに、伝送部材CRを徐々に移動して導いてもよい。この移動処理の間に、ビームBMは目標範囲TRを走査する。
さらに、他の実施の形態では、放射線源20の目標範囲TRを単一スポットとし、システムが伝送部材CRを互いに横方向に移動するための移動設備を持ち、ビームが効果的に伝送部材CRの第2側面の表面を走査することを実現できる。
これらの実施の形態のいずれかにおいて、ビームで第2側面の各々の位置を走査しなくともよい。初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物から金属を除去すべき第2側面の位置を走査すれば、十分である。
ここで述べた発明を調査するために、後述のとおり、実験を実施した。
実験1
第1側面に初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を備える伝送部材を用意した。その目的のため、帝人デュポンフィルムの厚さ125μmで、熱安定させたPENフォイルを用いた。PENフォイルには、100から2000μmの範囲で異なる幅を有する平行な線路を設けたパターニングされた金属構造物を印刷した。このパターニングされた金属構造物をPENフォイルにスクリーン印刷で印刷した。このため、SD40/25 400メッシュスクリーンを有するDEK Horizon 03i スクリーン印刷機を用いた。
第1側面に初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を備える伝送部材を用意した。その目的のため、帝人デュポンフィルムの厚さ125μmで、熱安定させたPENフォイルを用いた。PENフォイルには、100から2000μmの範囲で異なる幅を有する平行な線路を設けたパターニングされた金属構造物を印刷した。このパターニングされた金属構造物をPENフォイルにスクリーン印刷で印刷した。このため、SD40/25 400メッシュスクリーンを有するDEK Horizon 03i スクリーン印刷機を用いた。
銀の含有量が50±10wt%であるMaterial Inktec社製 TEC−PA−010 ハイブリッドナノ銀ペーストを用いた。この銀ペーストは、銀ナノ粒子と可溶性銀錯体との混合である。
パターニングされた金属構造物をOrmostampレジスト層に埋め込んだ。
次のステップで、初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を持つ伝送部材の第1側面の反対の第2側面に、パルス赤外線レーザ発振装置から放射線ビームを照射した。ここで、使用したレーザは、Nd−YAGレーザで、1064nmの波長、50から200μmの範囲のスポットサイズを持ち、ここでは、100μmを用いた。このレーザ発振装置を、5m/secのスピードで第2側面を走査し、反復率200kHzで、約10psのパルス幅のパルス様式で作動させた。
放射線ビームは伝送部材の第2側面上を、埋め込まれた金属線路の方向を横切る方向に、それぞれ異なるレーザフルエンスレベルで平行な10のトラックに沿って走査する。フルエンス(F)は、第1トラックから第10トラックの方向に、0.4J/cm2から1.4J/cm2まで、0.1J/cm2で階段状に増加させる。
図7Aに、100μm幅の線路に形成した埋め込まれたパターニングされた金属構造物の第1部分の結果の第1部品を示す。図7Bに、2000μm幅の線路に形成した埋め込まれたパターニングされた金属構造物の結果の第2部品を示す。以下の表に、観測結果の概要を示す。図7Aも、この実験における、第1走査線による0.4J/cm2のフルエンスと、最後の走査線による1.4J/cm2のフルエンスを示す。
前述の観察結果から、100μm幅の線路にとって、0.9J/cm2のフルエンス設定で、電気的な接続を切断するのに十分であることがわかる。たとえ、いくらか残留物が残るとしても、電気的な接続に影響しない。1.2J/cm2以上のフルエンス設定を適用することで、すべての金属を除去しうる。2000μm幅の線路にとって、少し低いフルエンス設定で金属のほとんどを除去するのに十分であり、適切に電気的な切断を実現できる。より広い線路にとって、レーザの走査線に沿って左右に行う熱は金属の除去に寄与すると、推定できる。この実験で、金属除去ステップは、Ormostampレジスト又はPEN層で形成され、埋め込まれている母材(matrix)にダメージを与えないことが示された。フルエンスレベルが2J/cm2以上に増加すれば、そのようなダメージを受けうると予想される。実際の製造では許容量を見込み、フルエンスレベルをこの値の75%より下、例えば、1.5J/cm2より下に維持するのが望ましいかもしれない。
図7Cに、Dektakで得られた、最も高いレーザフルエンスの位置から最も低いレーザフルエンスの方向に金属線路に沿ったトラックの深さ曲線D1を示す。比較のために、図7Cに、さらに同じ方向に金属線路と平行なトラックの深さ曲線D2を示す。
図7Cに、4から9に設定したフルエンスに対応する部分で、十分な深さを超えて金属を除去しているのを見ることができる。1.4J/cm2の最も高い設定で作成したトラックは、残りのトラックより僅かに深く、金属線路の下方の伝送部材の材料がいくらか除去されたことを示す。
実験2
この実験2では、インクを構成するSuntronic銀を使用した、厚さ150nmの初期のパターニングされた金属構造物を用いた。Dimatixプリンタヘッドを持つPixdroプリンタを、この目的のため用いた。ここでは、伝送部材は、第1側面に防湿層を持つPENフォイルである。この防湿層は10−6g/m2/dayのWVTRを有する。防湿層は、次の無機物層と、有機物層と、無機物層とを備え積層したように形成されている。無機物層は、厚さ100nmの酸化ケイ素である。有機物層は、厚さ5μmのアクリレートである。ここでは、印刷パターンに、1本の線路が含まれる。
この実験2では、インクを構成するSuntronic銀を使用した、厚さ150nmの初期のパターニングされた金属構造物を用いた。Dimatixプリンタヘッドを持つPixdroプリンタを、この目的のため用いた。ここでは、伝送部材は、第1側面に防湿層を持つPENフォイルである。この防湿層は10−6g/m2/dayのWVTRを有する。防湿層は、次の無機物層と、有機物層と、無機物層とを備え積層したように形成されている。無機物層は、厚さ100nmの酸化ケイ素である。有機物層は、厚さ5μmのアクリレートである。ここでは、印刷パターンに、1本の線路が含まれる。
次のステップで、初期のパターニングされた金属構造物を持つ伝送部材の第1側面の反対の第2側面に、パルス赤外線レーザ発振装置から前述の仕様と同様の放射線ビームを照射する。
この処理の結果として、図8Aに示すように、金属構造物を得た。図8Bに、Dektakで得られた、金属線路の長さ方向に沿ったトラックの深さ曲線D3を示す。
実験3
反例として、類似したサンプルを、例2に使用したものとして用意する。しかし、ここでは、初期のパターニングされた金属構造物を持つ伝送部材の第1側面にパルス赤外線レーザ発振装置から放射線ビームを照射する。図9に、処理後に、金属構造物から除去された金属部分の周りの周囲材料にダメージがあるのを見ることができる。
反例として、類似したサンプルを、例2に使用したものとして用意する。しかし、ここでは、初期のパターニングされた金属構造物を持つ伝送部材の第1側面にパルス赤外線レーザ発振装置から放射線ビームを照射する。図9に、処理後に、金属構造物から除去された金属部分の周りの周囲材料にダメージがあるのを見ることができる。
ここでは、第1、第2、第3などの文言を用いて、種々の素子、成分、領域、層、及び/又は、区分を説明しているが、種々の素子、成分、領域、層、及び/又は、区分がこれらの文言を限定されるべきものでないことが分かるだろう。ある素子、成分、領域、層、又は、区分を、他のある素子、成分、領域、層、又は、区分から識別するために、これらの文言を単に用いている。このため、本発明の開示した内容から逸脱することなく、以下で示した第1素子、成分、領域、層、又は区分を、第2素子、成分、領域、層、又は区分と表現しうる。
ここでは使われているように、「備える」、「備えている」、「含む」、「含んでいる」、「持つ」、「持っている」、又は、これと異なるどのような変化も、非排他的な包括を含むことを意図する。例えば、要素のリストを含む処理、方法、物品、又は、装置は、これらの要素のみに限定されず、明白にリストにない、又は、明白に内在しない処理、方法、物品、又は装置のような他の要素を含んでもよい。さらに、明白に相反して述べられていなければ、「又は」は、包括的な又は、と、非排他的な又はと、に適用する。例えば、状態A又はBは、次の何れかの状態に満たされる:Aが正しい(又は、存在する)かつBが間違い(又は、存在しない)の状態、Aが間違い(又は、存在しない)かつBが正しい(又は、存在する)の状態、AとBがともに正しい(又は、存在する)の状態。
また、単数での表現は、本発明の素子、成分を説明するのに用いられている。これは、単に便宜上に過ぎず、発明の一般的な意味を与えてはいない。この説明を、一つ、又は、少なくとも一つを含み、また、他の状態を意味しないことが明白で無ければ、単一の文言も複数を含むと読むべきである。
他に定義されてなければ、ここでのすべての技術的、科学的文言は、この発明の属する技術分野の当業者が一般に理解する意味と同じ意味を持つ。ここでの開示と類似の又は同様の方法と材料を本発明の実施や試行に用いることができるかぎり、適用した方法と材料は以下で述べられている。ここで記述したすべての刊行物、特許請求、特許、その他の参照は、これらのすべてを参照することで、組み込まれる。争議において、本明細書、含まれている定義は、制限するだろう。加えて、材料、方法、例は単に説明するものであって、これで制限する意図はない。
(付記1)
伝送部材(CR)は少なくともポリマーフォイル(FS)を含み、埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EMM)を有する前記伝送部材を提供する方法であって、
第1側面(S1)に自由表面のある初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EM)を有する前記第1側面を持つ伝送部材(CR)を提供する提供ステップと、
前記伝送部材(CR)の前記第1側面の反対の第2側面(S2)に、少なくとも一部が前記伝送部材(CR)を通過し、少なくとも一部が前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EM)に吸収される放射線ビーム(BM)を照射し、これにより前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を局所的に熱することで、前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物から金属(DB)を除去する照射ステップと、
を含むことを特徴とする方法。
伝送部材(CR)は少なくともポリマーフォイル(FS)を含み、埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EMM)を有する前記伝送部材を提供する方法であって、
第1側面(S1)に自由表面のある初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EM)を有する前記第1側面を持つ伝送部材(CR)を提供する提供ステップと、
前記伝送部材(CR)の前記第1側面の反対の第2側面(S2)に、少なくとも一部が前記伝送部材(CR)を通過し、少なくとも一部が前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EM)に吸収される放射線ビーム(BM)を照射し、これにより前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を局所的に熱することで、前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物から金属(DB)を除去する照射ステップと、
を含むことを特徴とする方法。
(付記2)
前記伝送部材の前記第1側面(S1)が前記伝送部材に照射する場所で下を向いていることを特徴とする付記1に記載の方法。
前記伝送部材の前記第1側面(S1)が前記伝送部材に照射する場所で下を向いていることを特徴とする付記1に記載の方法。
(付記3)
前記照射ステップで、前記放射線ビームをパルス様式に適用することを特徴とする付記1又は2に記載の方法。
前記照射ステップで、前記放射線ビームをパルス様式に適用することを特徴とする付記1又は2に記載の方法。
(付記4)
前記パルス様式の適用は、1psから50psの範囲の存続期間を持つパルス波の前記放射線ビームを適用することを特徴とする付記3に記載の方法。
前記パルス様式の適用は、1psから50psの範囲の存続期間を持つパルス波の前記放射線ビームを適用することを特徴とする付記3に記載の方法。
(付記5)
前記パターニングされた金属構造物(EM)がポリマーフォイル(FS)に埋め込まれていることを特徴とする付記1又は2に記載の方法。
前記パターニングされた金属構造物(EM)がポリマーフォイル(FS)に埋め込まれていることを特徴とする付記1又は2に記載の方法。
(付記6)
前記パターニングされた金属構造物(EM)がポリマーフォイルと接する母材(MT)に埋め込まれていることを特徴とする付記1又は2に記載の方法。
前記パターニングされた金属構造物(EM)がポリマーフォイルと接する母材(MT)に埋め込まれていることを特徴とする付記1又は2に記載の方法。
(付記7)
前記母材は、少なくとも第1セラミック層(AL1)を備えることを特徴とする付記6に記載の方法。
前記母材は、少なくとも第1セラミック層(AL1)を備えることを特徴とする付記6に記載の方法。
(付記8)
前記母材は、少なくとも第1及び第2セラミック層(AL1、AL2)を含む積層を備えることを特徴とする付記7に記載の方法。
前記母材は、少なくとも第1及び第2セラミック層(AL1、AL2)を含む積層を備えることを特徴とする付記7に記載の方法。
(付記9)
前記積層は、前記少なくとも第1及び第2セラミック層(AL1、AL2)の間に少なくとも有機物層(OL)を含むことを特徴とする付記8に記載の方法。
前記積層は、前記少なくとも第1及び第2セラミック層(AL1、AL2)の間に少なくとも有機物層(OL)を含むことを特徴とする付記8に記載の方法。
(付記10)
付記1から9のいずれかに記載の前記ステップすべてを含み、
前記ステップの後に、少なくとも前記伝送部材(CR)の前記第1側面(S1)に1以上の更なる層を堆積する更なるステップが続くことを特徴とする伝送部材に載せる電気製品の製造方法。
付記1から9のいずれかに記載の前記ステップすべてを含み、
前記ステップの後に、少なくとも前記伝送部材(CR)の前記第1側面(S1)に1以上の更なる層を堆積する更なるステップが続くことを特徴とする伝送部材に載せる電気製品の製造方法。
(付記11)
少なくともポリマーフォイル(FS)を備え、第1側面(S1)に自由表面のある初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EM)を有する前記第1側面を持つ伝送部材から、埋め込まれたパターニングされた金属構造物を持つ伝送部材を提供するために構成されたシステムであって、前記システム(1)は、前記伝送部材を供給する供給部(10)と、放射線源(20)と、コントローラ(30)と、さらに機能的に前記コントローラ(30)に接続されているコンピュータメモリ(32)及びセンサ(34)とを備え、前記コンピュータメモリ(32)は、前記伝送部材(CR)に埋め込まれた前記初期の埋め込まれた金属構造物に適用される変更を明記している命令を備え、前記センサ(34)は、前記伝送部材(CR)の現在位置を感知し、感知した前記現在位置を伴う前記コントローラへの信号情報(Sp)を提供し、
前記コントローラが、
前記伝送部材(CR)を供給するために前記供給部(10)を制御し、
前記伝送部材(CR)の前記第1側面の反対の第2側面(S2)に、少なくとも一部が前記伝送部材(CR)を通過し少なくとも一部が前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EM)に吸収される放射線ビーム(BM)を照射し、これにより前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を局所的に熱することで、前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物の金属を除去し、前記メモリ(32)から受信する命令に従い前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物の変更を完遂するために前記放射線源(20)を制御する、
ようにプログラムされ、構成されている、
ことを特徴とするシステム。
少なくともポリマーフォイル(FS)を備え、第1側面(S1)に自由表面のある初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EM)を有する前記第1側面を持つ伝送部材から、埋め込まれたパターニングされた金属構造物を持つ伝送部材を提供するために構成されたシステムであって、前記システム(1)は、前記伝送部材を供給する供給部(10)と、放射線源(20)と、コントローラ(30)と、さらに機能的に前記コントローラ(30)に接続されているコンピュータメモリ(32)及びセンサ(34)とを備え、前記コンピュータメモリ(32)は、前記伝送部材(CR)に埋め込まれた前記初期の埋め込まれた金属構造物に適用される変更を明記している命令を備え、前記センサ(34)は、前記伝送部材(CR)の現在位置を感知し、感知した前記現在位置を伴う前記コントローラへの信号情報(Sp)を提供し、
前記コントローラが、
前記伝送部材(CR)を供給するために前記供給部(10)を制御し、
前記伝送部材(CR)の前記第1側面の反対の第2側面(S2)に、少なくとも一部が前記伝送部材(CR)を通過し少なくとも一部が前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EM)に吸収される放射線ビーム(BM)を照射し、これにより前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を局所的に熱することで、前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物の金属を除去し、前記メモリ(32)から受信する命令に従い前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物の変更を完遂するために前記放射線源(20)を制御する、
ようにプログラムされ、構成されている、
ことを特徴とするシステム。
(付記12)
前記伝送部材(CR)が移動方向(T)に前記放射線源(20)の目標範囲(TR)に沿って移動することを特徴とする付記11に記載のシステム。
前記伝送部材(CR)が移動方向(T)に前記放射線源(20)の目標範囲(TR)に沿って移動することを特徴とする付記11に記載のシステム。
(付記13)
前記放射線源の前記目標範囲(TR)を通過して前記伝送部材(CR)を前記伝送部材の前記第2側面で導くために構成された外面(42)を持つ円筒壁(41)を有するドラム(40)を持ち、前記放射線源は、前記ドラムの内側から前記ドラムの前記円筒壁を通過して、前記伝送部材の前記第2側面に、前記放射線ビームを供給するように構成されていることを特徴とする付記12に記載のシステム。
前記放射線源の前記目標範囲(TR)を通過して前記伝送部材(CR)を前記伝送部材の前記第2側面で導くために構成された外面(42)を持つ円筒壁(41)を有するドラム(40)を持ち、前記放射線源は、前記ドラムの内側から前記ドラムの前記円筒壁を通過して、前記伝送部材の前記第2側面に、前記放射線ビームを供給するように構成されていることを特徴とする付記12に記載のシステム。
(付記14)
埋め込まれたパターニングされた金属構造物を有するポリマーフォイルに載せる電気製品を提供するために構成されたシステムであって、付記10から13のいずれか1項に記載のすべての構成要素を備え、さらに、少なくとも前記伝送部材(CR)の前記第1側面(S1)に1以上の更なる層を堆積させることを少なくともさせることを特徴とするシステム。
埋め込まれたパターニングされた金属構造物を有するポリマーフォイルに載せる電気製品を提供するために構成されたシステムであって、付記10から13のいずれか1項に記載のすべての構成要素を備え、さらに、少なくとも前記伝送部材(CR)の前記第1側面(S1)に1以上の更なる層を堆積させることを少なくともさせることを特徴とするシステム。
Claims (14)
- 伝送部材(CR)は少なくともポリマーフォイル(FS)を含み、埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EMM)を有する前記伝送部材を提供する方法であって、
第1側面(S1)に自由表面のある初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EM)を有する前記第1側面を持つ伝送部材(CR)を提供する提供ステップと、
前記伝送部材(CR)の前記第1側面の反対の第2側面(S2)に、少なくとも一部が前記伝送部材(CR)を通過し、少なくとも一部が前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EM)に吸収される放射線ビーム(BM)を照射し、これにより前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を局所的に熱することで、前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物から金属(DB)を除去する照射ステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記伝送部材の前記第1側面(S1)が前記伝送部材に照射する場所で下を向いていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記照射ステップで、前記放射線ビームをパルス様式に適用することを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記パルス様式の適用は、1psから50psの範囲の存続期間を持つパルス波の前記放射線ビームを適用することを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記パターニングされた金属構造物(EM)がポリマーフォイル(FS)に埋め込まれていることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記パターニングされた金属構造物(EM)がポリマーフォイルと接する母材(MT)に埋め込まれていることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記母材は、少なくとも第1セラミック層(AL1)を備えることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記母材は、少なくとも第1及び第2セラミック層(AL1、AL2)を含む積層を備えることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記積層は、前記少なくとも第1及び第2セラミック層(AL1、AL2)の間に少なくとも有機物層(OL)を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 請求項1から9のいずれか1項に記載の前記ステップすべてを含み、
前記ステップの後に、少なくとも前記伝送部材(CR)の前記第1側面(S1)に1以上の更なる層を堆積する更なるステップが続くことを特徴とする伝送部材に載せる電気製品の製造方法。 - 少なくともポリマーフォイル(FS)を備え、第1側面(S1)に自由表面のある初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EM)を有する前記第1側面を持つ伝送部材から、埋め込まれたパターニングされた金属構造物を持つ伝送部材を提供するために構成されたシステムであって、前記システム(1)は、前記伝送部材を供給する供給部(10)と、放射線源(20)と、コントローラ(30)と、さらに機能的に前記コントローラ(30)に接続されているコンピュータメモリ(32)及びセンサ(34)とを備え、前記コンピュータメモリ(32)は、前記伝送部材(CR)に埋め込まれた前記初期の埋め込まれた金属構造物に適用される変更を明記している命令を備え、前記センサ(34)は、前記伝送部材(CR)の現在位置を感知し、感知した前記現在位置を伴う前記コントローラへの信号情報(Sp)を提供し、
前記コントローラが、
前記伝送部材(CR)を供給するために前記供給部(10)を制御し、
前記伝送部材(CR)の前記第1側面の反対の第2側面(S2)に、少なくとも一部が前記伝送部材(CR)を通過し少なくとも一部が前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物(EM)に吸収される放射線ビーム(BM)を照射し、これにより前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物を局所的に熱することで、前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物の金属を除去し、前記メモリ(32)から受信する命令に従い前記初期の埋め込まれたパターニングされた金属構造物の変更を完遂するために前記放射線源(20)を制御する、
ようにプログラムされ、構成されている、
ことを特徴とするシステム。 - 前記伝送部材(CR)が移動方向(T)に前記放射線源(20)の目標範囲(TR)に沿って移動することを特徴とする請求項11に記載のシステム。
- 前記放射線源の前記目標範囲(TR)を通過して前記伝送部材(CR)を前記伝送部材の前記第2側面で導くために構成された外面(42)を持つ円筒壁(41)を有するドラム(40)を持ち、前記放射線源は、前記ドラムの内側から前記ドラムの前記円筒壁を通過して、前記伝送部材の前記第2側面に、前記放射線ビームを供給するように構成されていることを特徴とする請求項12に記載のシステム。
- 埋め込まれたパターニングされた金属構造物を有するポリマーフォイルに載せる電気製品を提供するために構成されたシステムであって、請求項10から13のいずれか1項に記載のすべての構成要素を備え、さらに、少なくとも前記伝送部材(CR)の前記第1側面(S1)に1以上の更なる層を堆積させることを少なくともさせることを特徴とするシステム。
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