JP2017504018A - 高感度プッシュプルブリッジ磁気センサ - Google Patents
高感度プッシュプルブリッジ磁気センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017504018A JP2017504018A JP2016543034A JP2016543034A JP2017504018A JP 2017504018 A JP2017504018 A JP 2017504018A JP 2016543034 A JP2016543034 A JP 2016543034A JP 2016543034 A JP2016543034 A JP 2016543034A JP 2017504018 A JP2017504018 A JP 2017504018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- push
- pull
- arm
- substrate
- magnetoresistive sensing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 78
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title abstract description 13
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 5
- 101150014732 asnS gene Proteins 0.000 claims description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 3
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/091—Constructional adaptation of the sensor to specific applications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/0011—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables comprising means, e.g. flux concentrators, flux guides, for guiding or concentrating the magnetic flux, e.g. to the magnetic sensor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/096—Magnetoresistive devices anisotropic magnetoresistance sensors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Description
プッシュアーム基板及びプルアーム基板と、
一以上の電気的に相互接続される磁気抵抗感知素子を有する少なくとも一つのプッシュアーム、及び、一以上の電気的に相互接続される磁気抵抗感知素子を有する少なくとも一つのプルアームと、
少なくとも二つのプッシュアームフラックスコンセントレータ、及び、少なくとも二つのプルアームフラックスコンセントレータと、を備え、
プッシュアームフラックスコンセントレータ、及び、プルアームフラックスコンセントレータの長軸ディメンションはY軸方向に配列され、かつ、その短軸ディメンションはX軸方向に配列され、
プッシュアーム上の磁気抵抗感知素子は、二つの隣接するプッシュアームフラックスコンセントレータの隙間に配置され、かつ、プルアーム上の磁気抵抗感知素子は、二つの隣接するプルアームフラックスコンセントレータの隙間に配置され、
プッシュアーム及びプッシュアームフラックスコンセントレータは、プッシュアーム基板上に堆積され、かつ、プルアーム及びプルアームフラックスコンセントレータは、プルアーム基板上に堆積され、
プッシュアームとプルアームとがブリッジを形成するために電気的に相互接続され、
同一基板上の磁気抵抗感知素子の磁気ピンニング層の磁化方向は同一方向であり、かつ、プッシュアーム基板上の磁気抵抗感知素子の磁気ピンニング層の磁化方向はプルアーム基板上の磁気抵抗感知素子の磁気ピンニング層の磁化方向と逆方向であり、
プッシュアーム及びプルアーム上の磁気抵抗感知素子の感知方向は、X軸方向に沿っている。
図3は、本発明におけるプッシュプルブリッジ磁気センサの構造模式図である。このセンサは、プッシュアーム基板20と、プルアーム基板21と、複数の磁気抵抗感知素子22,42と、複数のプッシュアームフラックスコンセントレータ23と、プルアームフラックスコンセントレータ41と、パッド24〜39と、を備える。磁気抵抗感知素子22とプッシュアームフラックスコンセントレータ23とパッド24〜31とが、プッシュアーム基板20上に堆積され、磁気抵抗感知素子42とプルアームフラックスコンセントレータ41とパッド32〜39とが、プルアーム基板21上に堆積される。さらに、プッシュアーム基板20とプルアーム基板21とは、方向について除けば、すべての態様で同一である。
パッド24,25,36,37は、それぞれ電源端子VBias,接地端子GND,電圧出力V+,電圧出力V−として用いられる。パッド26〜29は、パッド34,35,38,39に、それぞれ電気的に接続されている。磁気抵抗感知素子22,42は、プッシュアーム及びプルアームを形成するために、それぞれ、電気的に相互接続され、かつ、二つの隣接するプッシュアームフラックスコンセントレータ23の隙間、及び、二つの隣接するプルアームフラックスコンセントレータ41の隙間に、それぞれ配列される。
多くても一列の磁気抵抗感知素子が、二つの隣接するプッシュアームフラックスコンセントレータ23の隙間毎、及び、二つの隣接するプルアームフラックスコンセントレータ41の隙間毎に、それぞれ配置される。各列の磁気抵抗感知素子は、一つ又は少なくとも二つの磁気抵抗感知素子を備えることができ、図3では、各列は、6つの磁気抵抗感知素子を備えている。
プッシュアーム基板20及びプルアーム基板21の周縁部の上側及び下側に、それぞれ設けられている、二つのプッシュアームフラックスコンセントレータ23及び二つのプルアームフラックスコンセントレータ41と、それらに隣接するプッシュアームフラックスコンセントレータ23及び隣接するプルアームフラックスコンセントレータ41との隙間には、磁気抵抗感知素子22,42は配置されていない。これは、磁気抵抗感知素子22,42の位置の磁界の分布を、より均一化するためである。もちろん、必要に応じて、より多くのプッシュアームフラックスコンセントレータ及び/又はプルアームフラックスコンセントレータの隙間に、磁気抵抗感知素子が配置されないように設定してもよい。
好ましくは、磁気抵抗感知素子が隙間に配置されないプッシュアームフラックスコンセントレータ及び/又はプルアームフラックスコンセントレータは、プッシュアーム基板20及びプルアーム基板21のそれぞれ外側及び中央に位置される。必要であれば、磁気抵抗感知素子は、これらのフラックスコンセントレータの隙間に配置することもできる。
ブリッジの各ブリッジアーム上のプッシュアームフラックスコンセントレータ又はプルアームフラックスコンセントレータの数、及び、同一のブリッジアーム上の磁気抵抗感知素子の列数は、次のような関係を有する。
NC≧NS+1
ここで、NCはプッシュアームフラックスコンセントレータ又はプルアームフラックスコンセントレータの数を示し、NSは磁気抵抗感知素子の列数を示す。この実施形態では、NCは7であり、NSは4である。
プッシュアームフラックスコンセントレータ23及びプルアームフラックスコンセントレータ41が並べて配置される場合、磁気抵抗感知素子22及び42も、二つの隣接するプッシュアームフラックスコンセントレータ23の隙間、及び、二つの隣接するプルアームフラックスコンセントレータ41の隙間に、それぞれ並べて配置される。
磁気抵抗感知素子22,42は、GMR感知素子又はTMR感知素子とすることができ、それらの感知方向はX軸方向である。そして、磁気抵抗感知素子22,42は、同数であり、かつ、互いに平行である。
加えて、外部印加磁界が存在しない場合、磁気抵抗感知素子22,42は、オンチップ永久磁石、オンチップコイル、二重交換相互作用、形状異方性、又は、それらの任意の組み合わせを通じて、磁気自由層の磁化方向をバイアスすることができる。これにより、磁気自由層の磁化方向は、ピンニング層の磁化方向に対して垂直方向であり、オンチップ永久磁石及びオンチップコイルによって生成される交差バイアス磁界の方向は、Y軸方向である。そして、磁気抵抗感知素子22及び磁気抵抗感知素子42上の交差バイアス磁界の方向は、逆方向(すなわち、一方をY軸正方向、他方をY軸負方向)としてもよいし、同一方向(すなわち両方ともY軸正方向或いはY軸負方向)としてもよい。
それらの長軸方向はY軸方向であり、短軸方向はX軸方向である。それらは、細いバーの配列であるが、この形状に限定されるものではない。また、それらの構成材料は、Ni、Fe、Coのうち1又はいくつかの成分を含む軟質強磁性合金である。
プッシュアーム基板20及びプルアーム基板21は、また、それらの上にプリントされる集積回路を有することができ、又は、集積回路がプリントされた他の基板に接続される。好ましくは、プリント集積回路は、CMOS、BiCMOS、Bipolar、BCDMOS又はSOIとすることができる。
プッシュアーム基板20及びプルアーム基板21が、それらの上にプリントされる集積回路を有する場合、プッシュアーム及びプルアームは、対応する基板の集積回路の上に直接堆積される。
加えて、プッシュアーム基板20及びプルアーム基板は、オフセット回路、ゲイン回路、校正回路、温度補償回路及び論理回路のうち、任意の一つ又はいくつかの応用回路を備えることができるASIC基板とすることができる。ここで、論理回路は、デジタルスイッチ回路又は回転角算出回路とすることもできるが、上記回路に限定されるものではない。
Claims (14)
- プッシュプルブリッジ磁気センサであって、前記センサは、
XY平面内のプッシュアーム基板及びプルアーム基板と、
一以上の電気的に相互接続される磁気抵抗感知素子を有する少なくとも一つのプッシュアーム、及び、一以上の電気的に相互接続される磁気抵抗感知素子を有する少なくとも一つのプルアームと、
少なくとも二つのプッシュアームフラックスコンセントレータ、及び、少なくとも二つのプルアームフラックスコンセントレータと、を備え、
前記プッシュアームフラックスコンセントレータ、及び、前記プルアームフラックスコンセントレータの長軸方向はY軸方向に沿って配列され、かつ、その短軸方向はX軸方向に沿って配列され、
前記プッシュアーム上の前記磁気抵抗感知素子は、二つの隣接するプッシュアームフラックスコンセントレータの隙間に配置され、かつ、前記プルアーム上の前記磁気抵抗感知素子は、二つの隣接するプルアームフラックスコンセントレータの隙間に配置され、
前記プッシュアーム及び前記プッシュアームフラックスコンセントレータは、前記プッシュアーム基板上に堆積され、かつ、前記プルアーム及び前記プルアームフラックスコンセントレータは、前記プルアーム基板上に堆積され、
前記プッシュアームと前記プルアームとがブリッジを形成するために電気的に相互接続され、
前記プッシュアーム基板上の前記磁気抵抗感知素子の磁気ピンニング層の磁化方向は同一方向であり、かつ、前記プルアーム基板上の前記磁気抵抗感知素子の磁気ピンニング層の磁化方向は同一方向であり、かつ、前記プッシュアーム基板上の前記磁気抵抗感知素子の前記磁気ピンニング層の前記磁化方向は前記プルアーム基板上の前記磁気抵抗感知素子の前記磁気ピンニング層の前記磁化方向と逆方向であり、
前記プッシュアーム及び前記プルアーム上の前記磁気抵抗感知素子の感知方向は、前記X軸方向であることを特徴とするプッシュプルブリッジ磁気センサ。 - 多くても一列の前記磁気抵抗感知素子が、二つの隣接するプッシュアームフラックスコンセントレータの隙間毎、及び、二つの隣接するプルアームフラックスコンセントレータの隙間毎に、それぞれ配置されることを特徴とする請求項1に記載のプッシュプルブリッジ磁気センサ。
- 前記磁気抵抗感知素子は、GMR感知素子又はTMR感知素子であることを特徴とする請求項1に記載のプッシュプルブリッジ磁気センサ。
- 前記プッシュアーム基板及び前記プルアーム基板に関して、一方の基板上の前記磁気抵抗感知素子の前記ピンニング層の前記磁化方向がX軸の正方向であり、かつ、他方の基板上の前記磁気抵抗感知素子の前記ピンニング層の前記磁化方向がX軸の負方向であることを特徴とする請求項1又は3に記載のプッシュプルブリッジ磁気センサ。
- 外部印加磁界が存在しない場合、前記磁気抵抗感知素子は、オンチップ永久磁石、オンチップコイル、二重交換相互作用、形状異方性、又は、少なくともそれらの二つの組み合わせを通じて磁気自由層の磁化方向をバイアス可能であり、かつ、前記オンチップ永久磁石及び前記オンチップコイルによって生成される交差バイアス磁界の方向は、前記Y軸方向であることを特徴とする請求項4に記載のプッシュプルブリッジ磁気センサ。
- 前記ブリッジは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、又は、準ブリッジであることを特徴とする請求項1又は3に記載のプッシュプルブリッジ磁気センサ。
- 前記プルアーム上の前記プッシュアームと前記プルアーム上の前記磁気抵抗感知素子とが、同数であり、かつ、互いに平行であることを特徴とする請求項1に記載のプッシュプルブリッジ磁気センサ。
- 前記プッシュアームフラックスコンセントレータと前記プルアームフラックスコンセントレータとが、同数であり、かつ、互いに平行であることを特徴とする請求項1に記載のプッシュプルブリッジ磁気センサ。
- 前記プッシュアームフラックスコンセントレータ及び前記プルアームフラックスコンセントレータは、細いバー配列であり、かつ、軟質強磁性合金材料、Ni、Fe、Coのうちから一以上の成分を含有する前記軟質強磁性合金材料からなることを特徴とする請求項1又は8に記載のプッシュプルブリッジ磁気センサ。
- 前記プッシュアーム上及び前記プルアーム上の前記磁気抵抗感知素子の位置の磁界のゲイン係数Asnsは、1よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のプッシュプルブリッジ磁気センサ。
- 前記プッシュアーム基板及び前記プルアーム基板は、集積回路を備え、又は、集積回路を備える他の基板と接続されることを特徴とする請求項1に記載のプッシュプルブリッジ磁気センサ。
- 前記集積回路は、CMOS、BiCMOS、Bipolar、BCDMOS又はSOIであり、前記プッシュアームは、前記プッシュアーム基板上の前記集積回路の上に直接堆積され、かつ、前記プルアームは、前記プルアーム基板上の前記集積回路の上に直接堆積されることを特徴とする請求項11に記載のプッシュプルブリッジ磁気センサ。
- 前記基板は、オフセット回路、ゲイン回路、校正回路、温度補償回路、及び、論理回路のうち任意の1以上の応用回路を備えるASICチップであることを特徴とする請求項1に記載のプッシュプルブリッジ磁気センサ。
- 前記論理回路は、デジタルスイッチ回路又は回転角算出回路であることを特徴とする請求項13に記載のプッシュプルブリッジ磁気センサ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310718969.8 | 2013-12-24 | ||
CN201310718969.8A CN103630855B (zh) | 2013-12-24 | 2013-12-24 | 一种高灵敏度推挽桥式磁传感器 |
PCT/CN2014/094796 WO2015096731A1 (zh) | 2013-12-24 | 2014-12-24 | 一种高灵敏度推挽桥式磁传感器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017504018A true JP2017504018A (ja) | 2017-02-02 |
JP6474822B2 JP6474822B2 (ja) | 2019-02-27 |
Family
ID=50212107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016543034A Active JP6474822B2 (ja) | 2013-12-24 | 2014-12-24 | 高感度プッシュプルブリッジ磁気センサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9885764B2 (ja) |
EP (1) | EP3088907B1 (ja) |
JP (1) | JP6474822B2 (ja) |
CN (1) | CN103630855B (ja) |
WO (1) | WO2015096731A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020517962A (ja) * | 2017-04-26 | 2020-06-18 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司Multidimension Technology Co., Ltd. | 多層磁気変調構造を有する低ノイズ磁気抵抗センサ |
JP2020520088A (ja) * | 2017-05-04 | 2020-07-02 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司Multidimension Technology Co., Ltd. | 単一チップ高感度磁気抵抗リニア・センサ |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103412269B (zh) | 2013-07-30 | 2016-01-20 | 江苏多维科技有限公司 | 单芯片推挽桥式磁场传感器 |
CN103630855B (zh) | 2013-12-24 | 2016-04-13 | 江苏多维科技有限公司 | 一种高灵敏度推挽桥式磁传感器 |
CN103645449B (zh) * | 2013-12-24 | 2015-11-25 | 江苏多维科技有限公司 | 一种用于高强度磁场的单芯片参考桥式磁传感器 |
CN104301851B (zh) | 2014-07-14 | 2018-01-26 | 江苏多维科技有限公司 | Tmr近场磁通信系统 |
CN104197827B (zh) * | 2014-08-18 | 2017-05-10 | 江苏多维科技有限公司 | 一种双z轴磁电阻角度传感器 |
CN104280700B (zh) * | 2014-09-28 | 2017-09-08 | 江苏多维科技有限公司 | 一种单芯片差分自由层推挽式磁场传感器电桥及制备方法 |
CN105093139B (zh) * | 2015-06-09 | 2017-11-24 | 江苏多维科技有限公司 | 一种推挽式x轴磁电阻传感器 |
CN105259518A (zh) * | 2015-11-03 | 2016-01-20 | 江苏多维科技有限公司 | 一种高灵敏度单芯片推挽式tmr磁场传感器 |
CN107479010B (zh) * | 2016-06-07 | 2019-06-04 | 江苏多维科技有限公司 | 一种具有补偿线圈的磁电阻传感器 |
CN108072850B (zh) | 2016-11-09 | 2020-06-12 | 爱盛科技股份有限公司 | 磁场感测装置 |
CN107015171B (zh) | 2017-03-24 | 2023-10-24 | 江苏多维科技有限公司 | 一种具有磁滞线圈的磁传感器封装结构 |
CN107037382B (zh) * | 2017-04-05 | 2023-05-30 | 江苏多维科技有限公司 | 一种预调制磁电阻传感器 |
CN111758040B (zh) * | 2017-12-26 | 2023-04-28 | 罗伯特·博世有限公司 | 具有分布的通量引导件的z轴线磁性传感器 |
US11493567B2 (en) | 2021-03-31 | 2022-11-08 | Tdk Corporation | Magnetic sensor device and magnetic sensor system |
CN116243222B (zh) * | 2023-03-16 | 2023-09-29 | 珠海多创科技有限公司 | 一种磁电阻器件及其制造方法、磁传感装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102565727A (zh) * | 2012-02-20 | 2012-07-11 | 江苏多维科技有限公司 | 用于测量磁场的磁电阻传感器 |
CN103267955A (zh) * | 2013-05-28 | 2013-08-28 | 江苏多维科技有限公司 | 单芯片桥式磁场传感器 |
CN103412269A (zh) * | 2013-07-30 | 2013-11-27 | 江苏多维科技有限公司 | 单芯片推挽桥式磁场传感器 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7054114B2 (en) * | 2002-11-15 | 2006-05-30 | Nve Corporation | Two-axis magnetic field sensor |
JP2008224276A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Tokai Rika Co Ltd | 薄膜磁気センサ及びその製造方法 |
US7772835B2 (en) * | 2008-06-16 | 2010-08-10 | Honeywell International Inc. | AMR array magnetic design for improved sensor flexibility and improved air gap performance |
US7915890B2 (en) * | 2008-06-23 | 2011-03-29 | Seagate Technology Llc | High sensitivity magnetic sensor |
US8395381B2 (en) | 2010-07-09 | 2013-03-12 | Invensense, Inc. | Micromachined magnetic field sensors |
CN202433514U (zh) * | 2011-01-17 | 2012-09-12 | 江苏多维科技有限公司 | 独立封装的桥式磁场传感器 |
CN202119391U (zh) * | 2011-03-03 | 2012-01-18 | 江苏多维科技有限公司 | 一种独立封装的磁电阻角度传感器 |
CN102298124B (zh) * | 2011-03-03 | 2013-10-02 | 江苏多维科技有限公司 | 一种独立封装的桥式磁场角度传感器 |
CN202230192U (zh) | 2011-03-03 | 2012-05-23 | 江苏多维科技有限公司 | 推挽桥式磁电阻传感器 |
JP2012184995A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Tokai Rika Co Ltd | 磁気検出装置 |
CN102226836A (zh) * | 2011-04-06 | 2011-10-26 | 江苏多维科技有限公司 | 单一芯片桥式磁场传感器及其制备方法 |
CN202210144U (zh) * | 2011-04-21 | 2012-05-02 | 江苏多维科技有限公司 | 单片参考全桥磁场传感器 |
JP2013044641A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気センサ |
CN103630855B (zh) | 2013-12-24 | 2016-04-13 | 江苏多维科技有限公司 | 一种高灵敏度推挽桥式磁传感器 |
CN203658562U (zh) * | 2013-12-24 | 2014-06-18 | 江苏多维科技有限公司 | 一种高灵敏度推挽桥式磁传感器 |
-
2013
- 2013-12-24 CN CN201310718969.8A patent/CN103630855B/zh active Active
-
2014
- 2014-12-24 EP EP14873969.1A patent/EP3088907B1/en active Active
- 2014-12-24 US US15/108,172 patent/US9885764B2/en active Active
- 2014-12-24 JP JP2016543034A patent/JP6474822B2/ja active Active
- 2014-12-24 WO PCT/CN2014/094796 patent/WO2015096731A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102565727A (zh) * | 2012-02-20 | 2012-07-11 | 江苏多维科技有限公司 | 用于测量磁场的磁电阻传感器 |
WO2013123873A1 (zh) * | 2012-02-20 | 2013-08-29 | 江苏多维科技有限公司 | 用于测量磁场的磁电阻传感器 |
CN103267955A (zh) * | 2013-05-28 | 2013-08-28 | 江苏多维科技有限公司 | 单芯片桥式磁场传感器 |
CN103412269A (zh) * | 2013-07-30 | 2013-11-27 | 江苏多维科技有限公司 | 单芯片推挽桥式磁场传感器 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020517962A (ja) * | 2017-04-26 | 2020-06-18 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司Multidimension Technology Co., Ltd. | 多層磁気変調構造を有する低ノイズ磁気抵抗センサ |
JP7099731B2 (ja) | 2017-04-26 | 2022-07-12 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司 | 多層磁気変調構造を有する低ノイズ磁気抵抗センサ |
JP2020520088A (ja) * | 2017-05-04 | 2020-07-02 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司Multidimension Technology Co., Ltd. | 単一チップ高感度磁気抵抗リニア・センサ |
JP7217975B2 (ja) | 2017-05-04 | 2023-02-06 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司 | 単一チップ高感度磁気抵抗リニア・センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015096731A1 (zh) | 2015-07-02 |
EP3088907A4 (en) | 2017-08-23 |
EP3088907A1 (en) | 2016-11-02 |
CN103630855A (zh) | 2014-03-12 |
EP3088907B1 (en) | 2020-11-18 |
JP6474822B2 (ja) | 2019-02-27 |
US20160327617A1 (en) | 2016-11-10 |
US9885764B2 (en) | 2018-02-06 |
CN103630855B (zh) | 2016-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6474822B2 (ja) | 高感度プッシュプルブリッジ磁気センサ | |
JP6461946B2 (ja) | 高強度磁界用のプッシュプルブリッジ型磁気センサ | |
JP6426178B2 (ja) | シングルチップ・プッシュプルブリッジ型磁界センサ | |
JP6420665B2 (ja) | 磁場を測定する磁気抵抗センサ | |
JP6525335B2 (ja) | シングルチップ・ブリッジ型磁場センサ | |
JP6403326B2 (ja) | 電流センサ | |
JP6509231B2 (ja) | 強磁場用のシングルチップ基準ブリッジ磁気センサ | |
JP6076346B2 (ja) | Mtj三軸磁場センサおよびそのパッケージ方法 | |
JP6247631B2 (ja) | 単一チップ参照フルブリッジ磁場センサ | |
JP2017502298A5 (ja) | ||
JP2014512003A (ja) | シングルチッププッシュプルブリッジ型磁界センサ | |
US20150145504A1 (en) | Magnetoresistive Gear Tooth Sensor | |
EP2696211A1 (en) | Single chip bridge magnetic field sensor and preparation method thereof | |
JP2015511705A (ja) | 磁気抵抗磁場勾配センサ | |
CN203587785U (zh) | 单芯片推挽桥式磁场传感器 | |
WO2012097673A1 (zh) | 独立封装的桥式磁场传感器 | |
JP2017517014A (ja) | 磁気抵抗z軸勾配検出チップ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181019 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6474822 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |