JP2017220159A - 表示装置及び検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】検出性能を向上させることが可能な表示装置及び検出装置を提供する。【解決手段】第１基板と、第１基板と対向する第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられ、表示領域に画像を表示させるための画像表示機能層と、表示領域内に設けられ、外部の物体の接触又は近接を検出するための複数の第１電極を含む第１電極層と、第１基板と第２基板との間に設けられ、第１電極と対向する第２電極と、第１基板と第２基板との間に設けられ、画像を表示するための画素信号が供給される複数の第３電極と、第１電極層を覆うとともに、少なくとも表示領域において、第１電極と重畳する部分の比誘電率が、第１電極と重畳しない部分の比誘電率と異なる絶縁層と、を有する。【選択図】図１１

Description

本発明は、表示装置及び検出装置に関する。

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能な検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、表示装置として用いられている。このような検出装置として、下記特許文献１には、導電層の上に、第１の樹脂層と、第２の樹脂層とが積層された静電容量式タッチパネルが記載されている。特許文献１の静電容量式タッチパネルは、比誘電率の異なる第１の樹脂層と第２の樹脂層とを設けることでタッチ検出性の高さと応答速度の速さとを両立している。

特開２０１４−２０５２４４号公報

静電容量式タッチパネルにおいて、入力位置を検出するための導電層を帯状や矩形状等のパターンで設けることが知られている。特許文献１では、第１の樹脂層と第２の樹脂層とが一様に設けられているので、導電層のパターンとの関係で必要な領域でのみ誘電率を異ならせることができない。このため、検出性能を向上させることが困難となる可能性がある。

本発明は、検出性能を向上させることが可能な表示装置及び検出装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様の表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、表示領域に画像を表示させるための画像表示機能層と、前記表示領域内に設けられ、外部の物体の接触又は近接を検出するための複数の第１電極を含む第１電極層と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、画像を表示するための画素信号が供給される複数の第３電極と、前記第１電極層を覆うとともに、少なくとも前記表示領域において、前記第１電極と重畳する部分の比誘電率が、前記第１電極と重畳しない部分の比誘電率と異なる絶縁層と、を有する。

本発明の一態様の検出装置は、表示画像を透過させる透過領域を含む基板と、前記透過領域に設けられ、外部の物体の接触又は近接を検出するための複数の第１電極を含む第１電極層と、前記第１電極層を覆うとともに、少なくとも前記透過領域において、前記第１電極と重畳する部分の比誘電率が、前記第１電極と重畳しない部分の比誘電率と異なる絶縁層と、を有する。

図１は、第１の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。 図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。 図３は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための等価回路の一例を示す説明図である。 図４は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。 図５は、第１の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図６は、表示装置の第１基板を模式的に示す平面図である。 図７は、表示装置の第２基板を模式的に示す平面図である。 図８は、第１の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示部の画素配列を表す回路図である。 図９は、第１の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示部の駆動電極及び検出電極の一構成例を表す斜視図である。 図１０は、絶縁層と検出電極層との配置の関係を説明するための平面図である。 図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ’線に沿う断面図である。 図１２は、タッチ検出において、絶縁層を通る電界を模式的に説明するための説明図である。 図１３は、図１０のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’線に沿う断面図である。 図１４は、第１の実施形態の第１変形例に係る表示装置の絶縁層の積層構造を示す断面図である。 図１５は、第１の実施形態の第２変形例に係る第２基板を模式的に示す平面図である。 図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ’線に沿う断面図である。 図１７は、第１の実施形態の第３変形例に係る検出電極の一構成例を示す平面図である。 図１８は、駆動電極と額縁配線との間のフリンジ電界を模式的に説明するための斜視図である。 図１９は、図１７のＸＩＸ−ＸＩＸ’線に沿う断面図である。 図２０は、実施例１及び実施例２に係る表示装置のＳＮ比（ＳＮＲ）を示すグラフである。 図２１は、第２の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。 図２２は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。 図２３は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。 図２４は、第２の実施形態に係る表示装置の第２基板を模式的に示す平面図である。 図２５は、第２の実施形態に係る絶縁層と検出電極層との配置の関係を説明するための部分拡大平面図である。 図２６は、第２の実施形態に係る表示装置の表示領域と額縁領域の境界近傍の断面図である。 図２７は、検出電極から生じる電界を模式的に説明するための断面図である。 図２８は、第２の実施形態の第１変形例に係る表示装置の絶縁層の積層構造を示す断面図である。 図２９は、第２の実施形態の第２変形例に係る第２基板を模式的に示す平面図である。 図３０は、実施例３及び実施例４に係る表示装置のＳＮ比（ＳＮＲ）を示すグラフである。 図３１は、第３の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図３２は、第３の実施形態に係る表示装置の第３基板を模式的に示す平面図である。 図３３は、図３２のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ’線に沿う断面図である。 図３４は、図３２のＸＸＸＩＶ−ＸＸＸＩＶ’線に沿う断面図である。 図３５は、第３の実施形態の第１変形例に係る表示装置の断面図である。 図３６は、第３の実施形態の第２変形例に係る表示装置の断面図である。 図３７は、第３の実施形態の第２変形例に係る表示装置の、図３６と異なる方向で切断した断面図である。 図３８は、第３の実施形態の第３変形例に係る表示装置の断面図である。 図３９は、実施例５及び実施例６に係る表示装置のＳＮ比（ＳＮＲ）を示すグラフである。 図４０は、第４の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図４１は、第４の実施形態の変形例に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図４２は、第５の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。図１に示すように、表示装置１は、タッチ検出機能付き表示部１０と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、駆動電極ドライバ１４と、検出部４０とを備えている。表示装置１は、タッチ検出機能付き表示部１０がタッチ検出機能を内蔵したタッチ検出機能付き表示装置である。タッチ検出機能付き表示部１０は、表示素子として液晶表示素子を用いている表示パネル２０と、タッチ入力を検出する検出装置であるタッチパネル３０とを一体化した装置である。表示パネル２０とタッチパネル３０とが一体化した装置とは、例えば、表示パネル２０又はタッチパネル３０に使用される基板や電極の一部を兼用することを示す。なお、タッチ検出機能付き表示部１０は、表示パネル２０の上にタッチパネル３０を装着した、いわゆるオンセルタイプの装置であってもよい。表示パネル２０は、例えば、有機ＥＬ表示パネルであってもよい。

表示パネル２０は、後述するように、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行う素子である。

制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４及び検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路である。

ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。

ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の、後述する各副画素ＳＰｉｘに画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。制御部１１は、画素信号Ｖｐｉｘを生成し、この画素信号Ｖｐｉｘをソースドライバ１３に供給してもよい。

駆動電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の、後述する駆動電極ＣＯＭＬに駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。

タッチパネル３０は、静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作し、相互静電容量方式によりタッチ検出動作を行い、表示領域に対する外部の物体の接触又は近接を検出する。また、タッチパネル３０は、後述する自己静電容量方式の検出原理によりタッチ検出動作を行ってもよい。

検出部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、タッチパネル３０から供給される第１検出信号Ｖｄｅｔ１に基づいて、タッチパネル３０に対するタッチの有無を検出する回路である。また、検出部４０は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。この検出部４０は、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とを備える。検出タイミング制御部４６は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。

上述のとおり、タッチパネル３０は、静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作する。ここで、図２から図４を参照して、本実施形態の表示装置１の相互静電容量方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。図３は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための等価回路の一例を示す説明図である。図４は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、以下の説明では、指が接触又は近接する場合を説明するが、指に限られず、例えばスタイラスペン等の導体を含む物体であってもよい。

例えば、図２に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の電極、駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２を備えている。容量素子Ｃ１は、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との対向面同士の間に形成される電気力線（図示しない）に加え、駆動電極Ｅ１の端部から検出電極Ｅ２の上面に向かって延びるフリンジ分の電気力線が生じる。図３に示すように、容量素子Ｃ１は、その一端が交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端は電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示す検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。

交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加されると、検出電極Ｅ２（容量素子Ｃ１の他端）側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、図４に示すような出力波形（第１検出信号Ｖｄｅｔ１）が現れる。なお、この交流矩形波Ｓｇは、駆動電極ドライバ１４から入力される駆動信号Ｖｃｏｍに相当するものである。

指が接触又は近接していない状態（非接触状態）では、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流が流れる。図３に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ₀（図４参照））に変換する。

一方、指が接触又は近接した状態（接触状態）では、図２に示すように、指によって形成される静電容量Ｃ２が、検出電極Ｅ２と接触し、又は近傍にある。これにより、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との間にあるフリンジ分の電気力線が導体（指）により遮られる。このため、容量素子Ｃ１は、非接触状態での容量値よりも容量値の小さい容量素子として作用する。そして、図３に示すように、容量素子Ｃ１の容量値の変化に応じて電流Ｉ₁が流れる。図４に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ₁の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ₁）に変換する。この場合、波形Ｖ₁は、上述した波形Ｖ₀と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ₀と波形Ｖ₁との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から接触又は近接する導体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ₀と波形Ｖ₁との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜を精度よく検出するため、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする期間Ｒｅｓｅｔを設けた動作とすることがより好ましい。

図１に示すタッチパネル３０は、駆動電極ドライバ１４から供給される駆動信号Ｖｃｏｍに従って、１検出ブロックずつ順次走査して、相互静電容量方式によるタッチ検出を行う。

タッチパネル３０は、後述する複数の検出電極ＴＤＬから、図３に示す電圧検出器ＤＥＴを介して、検出ブロック毎に第１検出信号Ｖｄｅｔ１を出力する。第１検出信号Ｖｄｅｔ１は、検出部４０の検出信号増幅部４２に供給される。検出信号増幅部４２は、タッチパネル３０から供給される第１検出信号Ｖｄｅｔ１を増幅する。Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。

信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、タッチパネル３０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による検出信号の差分の信号、すなわち上述した波形Ｖ₀と波形Ｖ₁との差分の絶対値｜ΔＶ｜を取り出す処理を行う。信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧未満であれば、外部近接物体が非接触状態であると判断する。一方、信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧以上であれば、外部近接物体の接触状態と判断する。このようにして、検出部４０はタッチ検出が可能となる。

座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。以上のように、本実施形態の表示装置１は、相互静電容量方式によるタッチ検出の基本原理に基づいて、指などの導体が接触又は近接する位置のタッチパネル座標を検出することができる。

次に、本実施形態の表示装置１の構成例を詳細に説明する。図５は、第１の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図６は、表示装置の第１基板を模式的に示す平面図である。図７は、表示装置の第２基板を模式的に示す平面図である。

図５に示すように、タッチ検出機能付き表示部１０は、画素基板２と、この画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板３と、画素基板２と対向基板３との間に挿設された表示機能層としての液晶層６とを備える。

画素基板２は、回路基板としての第１基板２１と、画素電極２２と、駆動電極ＣＯＭＬと、を含む。第１基板２１は、例えばガラス基板或いは樹脂基板である。駆動電極ＣＯＭＬは、第１基板２１の上に設けられる。画素電極２２は、絶縁層２４を介して駆動電極ＣＯＭＬの上方に設けられ、平面視でマトリクス状に複数配設される。第１基板２１は、スイッチング素子（図５では省略して示す）であるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が画素電極２２に対応して配置される。また、図５に示すように、第１基板２１の下側には、接着層６６Ｂを介して偏光板６５Ｂが設けられていてもよい。画素電極２２及び駆動電極ＣＯＭＬは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。

なお、複数の画素電極２２の配列は、第１方向及び該第１方向に直交する第２方向に沿って配列されるマトリクス状の配列のみならず、隣り合う画素電極２２どうしが第１方向又は第２方向にずれて配置される構成を採用することもできる。また、隣り合う画素電極２２の大きさの違いから、第１方向に配列される画素列を構成する１つの画素電極２２に対し、当該画素電極の一側に２又は３の複数の画素電極２２が配列される構成も採用可能である。

第１基板２１には、表示制御用ＩＣ１９が設けられている。表示制御用ＩＣ１９は、第１基板２１に実装されたＩＣドライバのチップであり、例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）である。表示制御用ＩＣ１９は、表示動作に必要な各回路を内蔵し、上述した制御部１１（図１参照）として機能する。また、第１基板２１の端部にフレキシブル基板７２が接続されている。表示制御用ＩＣ１９は、外部のホストＩＣ（図示しない）から供給された映像信号Ｖｄｉｓｐ（図１参照）に基づいて、後述するゲート線ＧＣＬ及びデータ線ＳＧＬ等に制御信号を出力する。

対向基板３は、第２基板３１と、第２基板３１の一方の面に設けられたカラーフィルタ３２と、第２基板３１の他方の面に設けられた検出電極層ＴＤＬＡと、検出電極層ＴＤＬＡを覆う絶縁層３８とを含む。第２基板３１は、例えば、ガラス基板或いは樹脂基板である。検出電極層ＴＤＬＡは、後述するように、タッチパネル３０の検出電極として機能する検出電極ＴＤＬ（図５では省略して示す）を含む。絶縁層３８は、後述するように、異なる比誘電率を有する第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂ（図５では省略して示す）とを含む。さらに、検出電極ＴＤＬの上方には、接着層６６Ａを介して偏光板６５Ａが設けられている。なお、カラーフィルタ３２は第１基板２１上に配置されてもよい。

第２基板３１にはフレキシブル基板７１が接続されている。フレキシブル基板７１は後述する額縁配線を介して検出電極層ＴＤＬＡの検出電極ＴＤＬと接続される。フレキシブル基板７１に搭載された検出制御用ＩＣ１８は、図１に示す検出部４０として機能する。検出電極ＴＤＬから出力される第１検出信号Ｖｄｅｔ１が、フレキシブル基板７１を介して検出制御用ＩＣ１８に供給される。検出制御用ＩＣ１８は、第１基板２１に備えられていてもよく、モジュール外部の制御基板に備えられていてもよい。また、検出部４０の機能の一部は、表示制御用ＩＣ１９に含まれていてもよく、外部のＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ−ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ）の機能として設けられてもよい。

第１基板２１と第２基板３１とは所定の間隔を設けて対向して配置され、シール部６１により第１基板２１と第２基板３１との間の空間が封止される。第１基板２１と第２基板３１との間の空間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図５に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。

第１基板２１の下方には、図示しないバックライトが設けられる。バックライトは、例えばＬＥＤ等の光源を有しており、光源からの光を第１基板２１に向けて射出する。バックライトからの光は、画素基板２を通過して、その位置の液晶の状態により光が遮られて射出しない部分と射出する部分とが切り換えられることで、表示面に画像が表示される。

図６に示すように、表示装置１は、画像を表示させるための表示領域１０ａと、表示領域１０ａの外側の額縁領域１０ｂとを有する。表示領域１０ａは、対向する２つの長辺と２つの短辺とを有する矩形状である。額縁領域１０ｂは、表示領域１０ａの４辺を囲む枠状となっている。ここで、表示領域１０ａの短辺に沿った方向を第１方向Ｄｘとする。また、第１方向Ｄｘと交差し、表示領域１０ａの長辺に沿った方向を第２方向Ｄｙとする。

複数の駆動電極ＣＯＭＬは、第１基板２１の表示領域１０ａに設けられている。駆動電極ＣＯＭＬは、第２方向Ｄｙに延在しており、第１方向Ｄｘに複数配列されている。第１基板２１の額縁領域１０ｂの短辺側に、駆動電極ドライバ１４、マルチプレクサ１３Ａ及び表示制御用ＩＣ１９が配置され、額縁領域１０ｂの長辺側にゲートドライバ１２が配置されている。マルチプレクサ１３Ａは、後述するデータ線ＳＧＬと表示制御用ＩＣ１９との接続状態を切り換える回路である。また、額縁領域１０ｂの短辺側に、フレキシブル基板７２が接続されている。駆動電極ドライバ１４及びフレキシブル基板７２は、駆動電極ＣＯＭＬの延在方向の端部の近傍に配置されている。このため、駆動電極ＣＯＭＬから引き出される配線の長さを短くして、額縁領域１０ｂの面積を小さくすることが可能である。図６では、ゲートドライバ１２を、額縁領域１０ｂの対向する長辺のそれぞれに設けているが、一方の長辺に１つのゲートドライバ１２を設けてもよい。なお、駆動電極ドライバ１４の機能の一部、又は全部は、表示制御用ＩＣ１９に含まれていてもよい。

図７に示すように、検出電極層ＴＤＬＡは、第２基板３１の表示領域１０ａに設けられている。検出電極層ＴＤＬＡは、タッチパネル３０の検出電極として機能する検出電極ＴＤＬと、検出電極として機能しないダミー電極ＴＤＬｄとを含む。検出電極ＴＤＬが設けられた検出電極領域Ｒｔと、ダミー電極ＴＤＬｄが設けられたダミー電極領域Ｒｄとは、第２方向Ｄｙにおいて交互に配置される。

検出電極ＴＤＬは、複数の金属配線３３を含む。金属配線３３は、細線片３３ａと細線片３３ｂとが接続部３３ｘで交互に接続されて構成される。細線片３３ａと細線片３３ｂとは、第１方向Ｄｘに対して互いに反対方向に傾いており、金属配線３３は、ジグザグ線又は波線に形成され全体として第１方向Ｄｘに延びている。金属配線３３は、第２方向Ｄｙにおいて間隔を設けて複数配列されている。複数配列された金属配線３３の端部同士がパッド部３４により接続され、１つの検出電極ＴＤＬとして機能する。図７に示す例では、１つの検出電極ＴＤＬは、４本の金属配線３３を含んでいるが、これに限られず、検出電極ＴＤＬは、３本以下の金属配線３３、又は５本以上の金属配線３３を含んでいてもよい。金属配線３３は、三角波状の構成に限られず、正弦波等の曲線状の構成であってもよい。

検出電極ＴＤＬは、全体として第１方向Ｄｘに帯状に延びており、第２方向Ｄｙに複数配列される。各検出電極ＴＤＬのパッド部３４には、額縁配線３７が接続される。額縁配線３７は、額縁領域１０ｂの長辺に沿った方向に延びて、第２基板３１の額縁領域１０ｂの短辺側に設けられた、フレキシブル基板７１に接続される。

ダミー電極ＴＤＬｄは、細線片３５ａと細線片３５ｂとを含む。細線片３５ａは、金属配線３３の細線片３３ａと平行な方向に延び、細線片３５ｂは、金属配線３３の細線片３３ｂと平行な方向に延びる。細線片３５ａと細線片３５ｂとは、互いに間隔を有して第１方向Ｄｘに交互に配置され、かつ、第２方向Ｄｙに複数配置される。

ダミー電極ＴＤＬｄは、第２方向Ｄｙに配列される検出電極ＴＤＬの間に配置される。ダミー電極ＴＤＬｄは、検出電極ＴＤＬと間隔を有して配置されており、タッチ検出の際に、電圧信号が供給されず電位が固定されていないフローティング状態となる。

検出電極領域Ｒｔは、検出電極ＴＤＬを構成する複数の金属配線３３と重なる部分と、隣り合う金属配線３３同士の間の部分とを含み、全体として矩形状となっている。ダミー電極領域Ｒｄは、少なくとも細線片３５ａ及び細線片３５ｂと重なる部分を含み、隣り合う検出電極領域Ｒｔ、Ｒｔの間の領域である。

検出電極ＴＤＬを構成する金属配線３３は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）又はこれらの合金の少なくとも１つの金属材料で形成される。また、金属配線３３は、これらの金属材料を１以上用いて、複数積層した積層体としてもよい。アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）又はこれらの合金の少なくとも１つの金属材料は、ＩＴＯ等の透光性導電酸化物よりも低抵抗である。また、これらの金属材料は、ＩＴＯ等の透光性導電酸化物に比較して遮光性があるため、透過率が低下する可能性又は検出電極ＴＤＬのパターンが視認されてしまう可能性がある。本実施形態において、１つの検出電極ＴＤＬが、複数の幅細の金属配線３３を有しており、金属配線３３が、ジグザグ線又は波線に形成され、線幅よりも大きい間隔を設けて配置されることで、低抵抗化と、不可視化とを実現することができる。その結果、検出電極ＴＤＬが低抵抗化し、表示装置１は、薄型化、大画面化又は高精細化することができる。

金属配線３３の幅は、２μｍ以上かつ１０μｍ以下の範囲にあることが好ましい。金属配線３３の幅が１０μｍ以下であると、表示領域１０ａのうちブラックマトリックス又はゲート線ＧＣＬ及びデータ線ＳＧＬで光の透過が抑制されない領域である開口部を覆う面積が小さくなり、開口率を損なう可能性が低くなるからである。また、金属配線３３の幅が２μｍ以上であると、形状が安定し、断線する可能性が低くなるからである。

ダミー電極ＴＤＬｄを構成する細線片３５ａと細線片３５ｂは、金属配線３３と同じ金属材料を用いることが好ましい。こうすれば、検出電極領域Ｒｔとダミー電極領域Ｒｄとの光の透過率の差を抑制して、これら検出電極ＴＤＬやダミー電極ＴＤＬｄを構成する細線片３５ａの不可視化を実現することができる。反射率を抑えるために、金属配線３３、細線片３５ａ及び細線片３５ｂの最表面に黒色化処理を行うことも好ましい。

本実施形態では、検出電極ＴＤＬは複数の金属配線３３を有して構成されているが、これに限られない。検出電極ＴＤＬは、駆動電極ＣＯＭＬと同様にＩＴＯ等の透光性導電酸化物を用いて、駆動電極ＣＯＭＬの延在方向と交差する第１方向Ｄｘに延びる帯状の電極であってもよい。

次に表示パネル２０の表示動作について説明する。図８は、第１の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示部の画素配列を表す回路図である。第１基板２１（図５参照）には、図８に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子（以下、ＴＦＴ素子）Ｔｒ、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給するデータ線ＳＧＬ、各ＴＦＴ素子Ｔｒを駆動する駆動信号を供給するゲート線ＧＣＬ等の配線が形成されている。データ線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬは、第１基板２１の表面と平行な平面に延在する。

図８に示す表示パネル２０は、マトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれＴＦＴ素子Ｔｒ及び液晶素子６ａを備えている。ＴＦＴ素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。画素電極２２と共通電極（駆動電極ＣＯＭＬ）との間に絶縁層２４が設けられ、これらによって図８に示す保持容量Ｃｌｃが形成される。

図１に示すゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを順次走査するように駆動する。ゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎ（図１参照）を副画素ＳＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲートに印加することにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）を表示駆動の対象として順次選択する。また、ソースドライバ１３は、選択された１水平ラインを構成する副画素ＳＰｉｘに、データ線ＳＧＬを介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバ１４は、駆動電極ＣＯＭＬに対して駆動信号Ｖｃｏｍ（表示駆動信号Ｖｃｏｍｄ）を印加する。これにより、各駆動電極ＣＯＭＬは、表示時には画素電極２２に対する共通電極として機能するものとなる。

図５に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域が周期的に配列されていてもよい。上述した図８に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられ、３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂに対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素Ｐｉｘが構成される。

図８に示すように、本実施形態では、駆動電極ＣＯＭＬがデータ線ＳＧＬの延在方向と平行な方向に延在し、ゲート線ＧＣＬの延在方向と交差する方向に延びている。このため、駆動電極ＣＯＭＬからの配線を額縁領域１０ｂの短辺側（フレキシブル基板７２側）に引き出すことが可能である（図６参照）。したがって、駆動電極ＣＯＭＬをデータ線ＳＧＬと直交する方向に設けた場合と比較して、額縁領域１０ｂの長辺側に駆動電極ドライバ１４を設ける必要がなく、額縁領域１０ｂの幅を小さくすることができる。なお、駆動電極ＣＯＭＬはこれに限定されず、例えばゲート線ＧＣＬと平行な方向に延びていてもよい。

図５及び図６に示す駆動電極ＣＯＭＬは、表示パネル２０の複数の画素電極２２に対する共通電極として機能するとともに、タッチパネル３０の相互静電容量方式によるタッチ検出を行う際の駆動電極としても機能する。また、駆動電極ＣＯＭＬは、タッチパネル３０の自己静電容量方式によるタッチ検出を行う際の検出電極として機能してもよい。図９は、第１の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示部の駆動電極及び検出電極の一構成例を表す斜視図である。

タッチパネル３０は、画素基板２に設けられた駆動電極ＣＯＭＬと、対向基板３に設けられた検出電極ＴＤＬにより構成されている。検出電極ＴＤＬは、図９の左右方向に延在する複数のストライプ状の電極パターンを含む。駆動電極ＣＯＭＬは、検出電極ＴＤＬの延在方向と交差する方向に延びる。駆動電極ＣＯＭＬの各電極パターンと検出電極ＴＤＬの各電極パターンとの交差部分に、それぞれ静電容量が形成される。

この構成により、タッチパネル３０では、相互静電容量方式のタッチ検出動作を行う際、駆動電極ドライバ１４が駆動電極ブロックとして時分割的に順次走査するように駆動することにより、駆動電極ＣＯＭＬの１検出ブロックがスキャン方向Ｄｓに沿って順次選択される。そして、検出電極ＴＤＬから第１検出信号Ｖｄｅｔ１が出力されることにより、１検出ブロックのタッチ検出が行われるようになっている。つまり、駆動電極ブロックは、上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理における駆動電極Ｅ１に対応し、検出電極ＴＤＬは、検出電極Ｅ２に対応する。

ここで、表示装置１の薄型化が図られ、例えば、第２基板３１（図５参照）が薄くなると、駆動電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの間の容量が大きくなり、また、駆動電極ＣＯＭＬと各種配線等との間の寄生容量が大きくなる。このため、タッチ検出の応答性が低下する可能性がある。

表示装置１の薄型化がなされた場合であっても、検出性能の向上が望まれる。検出性能の向上は、駆動信号Ｖｃｏｍの応答性を高め第１検出信号Ｖｄｅｔ１の信号を大きくすることに加え、外部から侵入するノイズを低減することで、ＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）を大きくすることで実現することができる。

次に本実施形態の表示装置１における絶縁層３８の構成について説明する。図１０は、絶縁層と検出電極層との配置の関係を説明するための平面図である。図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ’線に沿う断面図である。図１２は、タッチ検出において、絶縁層を通る電界を模式的に説明するための説明図である。

図１０及び図１１に示すように、絶縁層３８は、第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとを含む。第１絶縁層３８Ａは第１の比誘電率を有しており、第２絶縁層３８Ｂは、第１の比誘電率よりも大きい第２の比誘電率を有する。例えば、第１の比誘電率は３．５よりも小さく、第２の比誘電率は３．５以上である。第１絶縁層３８Ａは、例えば、ポリシロキサン、ポリシラザン、アクリル、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、フッ素添加二酸化珪素等を用いることができる。第２絶縁層３８Ｂは、二酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、又はその他の金属酸化物を含む樹脂材料である。二酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、又はその他の金属酸化物は、３．５以上の比誘電率を有する材料である。第２絶縁層３８Ｂは、これらの１又は２以上の材料を、樹脂中に分散させて形成され、全体として３．５以上の比誘電率を有する。

図１０に示すように、絶縁層３８は、表示領域１０ａ及び額縁領域１０ｂに設けられ、検出電極層ＴＤＬＡを構成する検出電極ＴＤＬ及びダミー電極ＴＤＬｄを覆っている。絶縁層３８は、検出電極ＴＤＬと重畳する位置に第１絶縁層３８Ａが設けられ、検出電極ＴＤＬと重畳しない位置、すなわちダミー電極ＴＤＬｄと重畳する位置に第２絶縁層３８Ｂが設けられる。

図１０及び図１１に示すように、第１絶縁層３８Ａは、検出電極領域Ｒｔの全域に設けられる。第１絶縁層３８Ａは、検出電極ＴＤＬを構成する金属配線３３と重畳する位置に設けられるとともに、金属配線３３同士の間にも設けられる。図１１に示すように、第１絶縁層３８Ａは、検出電極領域Ｒｔにおいて、金属配線３３の上と、金属配線３３から露出する第２基板３１の上とに亘って連続して設けられる。

また、第２絶縁層３８Ｂは、ダミー電極領域Ｒｄの全域に設けられる。第２絶縁層３８Ｂは、ダミー電極ＴＤＬｄを構成する細線片３５ａ、３５ｂと重畳する位置に設けられるとともに、細線片３５ａと細線片３５ｂとの間、細線片３５ａ同士の間及び細線片３５ｂ同士の間にも設けられる。図１１に示すように、第２絶縁層３８Ｂは、ダミー電極領域Ｒｄにおいて、細線片３５ａ、３５ａの上と、細線片３５ａ、３５ａから露出する第２基板３１の上とに連続して設けられる。なお、図１１では、ダミー電極ＴＤＬｄのうち、細線片３５ａのみ図示しているが、細線片３５ｂの上、及び細線片３５ｂから露出する第２基板３１の上にも、第２絶縁層３８Ｂが設けられる。第２基板３１上で隣り合うダミー電極ＴＤＬｄと検出電極ＴＤＬとの間に、第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとが設けられる。これにより、ダミー電極ＴＤＬｄは、検出電極ＴＤＬと絶縁される。

図１１に示すように、第１絶縁層３８Ａは、第２絶縁層３８Ｂと同じ厚さを有しており、第２絶縁層３８Ｂの側面と接して配置されている。また、第１絶縁層３８Ａの厚さは、第２基板３１の上面に対して垂直な方向における、第２基板３１の上面にから第１絶縁層３８Ａの上面までの長さである。なお、図１１では、画素電極２２を省略して示している。また、カラーフィルタ３２は保護層３２Ａが設けられていてもよい。

このような構成により、絶縁層３８は、少なくとも表示領域１０ａにおいて、検出電極ＴＤＬと重畳しないダミー電極領域Ｒｄにおける比誘電率が、検出電極ＴＤＬと重畳する検出電極領域Ｒｔにおける比誘電率よりも大きくなる。

図１２は、駆動電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの間に生じるフリンジ電界Ｅｆを模式的に説明するための図である。なお図１２では、分かりやすくするために、検出電極ＴＤＬを１つの電極として示し、ダミー電極ＴＤＬｄを省略して示している。図１２に示すように、検出電極ＴＤＬと重畳しないダミー電極領域Ｒｄに第２絶縁層３８Ｂが設けられ、検出電極ＴＤＬと重畳する検出電極領域Ｒｔに第１絶縁層３８Ａが設けられる。

駆動電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの間に形成されるフリンジ電界Ｅｆは、検出電極ＴＤＬ同士の間に設けられた第２絶縁層３８Ｂを通って、指等の外部の物体まで達する。本実施形態において、第２絶縁層３８Ｂの比誘電率は、第１絶縁層３８Ａの比誘電率よりも大きいので、第２絶縁層３８Ｂを通るフリンジ電界Ｅｆの電気力線が、検出電極ＴＤＬよりも上方に向かって、より遠くまで延び、電気力線の到達範囲が大きくなる。これにより、検出感度を向上させることができる。

図１３は、図１０のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’線に沿う断面図である。図１３に示すように額縁領域１０ｂにおいて、額縁配線３７と重畳する位置に第１絶縁層３８Ａが設けられる。また、額縁配線３７から露出する第２基板３１の上にも連続して第１絶縁層３８Ａが設けられている。

このように、額縁配線３７と重畳する位置に比誘電率が比較的小さい第１絶縁層３８Ａを設けることにより、外部からのノイズが第１絶縁層３８Ａを透過しにくくなるので、額縁配線３７にノイズが侵入することを抑制できる。したがって、本実施形態の表示装置１によれば、ＳＮＲを大きくして検出性能を向上させることができる。

図１１及び図１３に示すように、第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂの上に、接着層６６Ａを介して偏光板６５Ａが設けられる。本実施形態において、接着層６６Ａは、導電性材料を含む導電性接着材を用いることができる。接着層６６Ａは、検出電極ＴＤＬを構成する金属配線３３よりも大きいシート抵抗値を有する。接着層６６Ａを設けることにより、偏光板６５Ａに溜まった外部からの静電気を、接着層６６Ａを介して検出電極ＴＤＬに流すことができる。この検出電極ＴＤＬを通して、外部からの静電気をグラウンドに逃がすことができる。

（第１変形例）
図１４は、第１の実施形態の第１変形例に係る表示装置の絶縁層の積層構造を示す断面図である。本変形例の表示装置１Ａは検出電極領域Ｒｔにおいて、検出電極ＴＤＬを覆って第１絶縁層３８Ａが１層設けられる。また、ダミー電極領域Ｒｄにおいて、ダミー電極ＴＤＬｄを覆って比較的高い比誘電率を有する第２絶縁層３８Ｂが設けられる。さらに、この第２絶縁層３８Ｂの上に、比較的低い比誘電率を有する第１絶縁層３８Ａが設けられる。第１絶縁層３８Ａは、第２絶縁層３８Ｂを覆って検出電極領域Ｒｔ及びダミー電極領域Ｒｄに連続して設けられている。

このような態様であっても、ダミー電極領域Ｒｄにおける比誘電率は、検出電極領域Ｒｔにおける比誘電率よりも大きくなるので、図１２に示すフリンジ電界Ｅｆは、ダミー電極領域Ｒｄを通って検出電極ＴＤＬよりも上方に向かって、より遠くまで延び、電気力線の到達範囲が大きくなるので、良好な検出感度が得られる。

第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂは、公知のフォトリソグラフィ法により形成することができる。例えば、樹脂層を塗布した後、この樹脂層の上にレジスト層を所定のパターンで設け、露光、現像した後、レジスト層が設けられておらず露光された部分の樹脂層をエッチングにより除去することで、第１絶縁層３８Ａ又は第２絶縁層３８Ｂのパターンを形成することができる。なお、第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂの形成方法は、特に限定されず、露光された部分の樹脂層が除去される、いわゆるポジ型だけでなく、露光された部分の樹脂層がパターンとして残る、いわゆるネガ型であってもよい。

図１０及び図１１に示したように、各領域ごとに、第１絶縁層３８Ａ又は第２絶縁層３８Ｂのいずれか１層を設ける場合、検出電極領域Ｒｔ及び額縁領域１０ｂと重なるように第１絶縁層３８Ａをパターン形成した後、ダミー電極領域Ｒｄと重なるように第２絶縁層３８Ｂのパターン形成が行われる。なお、これに限定されず、第２絶縁層３８Ｂをパターン形成した後、第１絶縁層３８Ａをパターン形成してもよい。

上述のように、図１４に示す第１変形例の表示装置１Ａにおいて、第２絶縁層３８Ｂはダミー電極領域Ｒｄに設けられ、第１絶縁層３８Ａは、第２絶縁層３８Ｂを覆って、検出電極領域Ｒｔ及びダミー電極領域Ｒｄに設けられている。第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂを形成する際に、まず、第２絶縁層３８Ｂをフォトリソグラフィ法によりパターン形成した後、第１絶縁層３８Ａが検出電極領域Ｒｔ、ダミー電極領域Ｒｄ及び額縁領域１０ｂの全面に設けられる。したがって、本変形例の表示装置１Ａは、第１絶縁層３８Ａについて、レジスト層の塗布、露光、現像、エッチング等の工程を省略することができるので、製造工程を簡便にしてコストを低減することができる。

（第２変形例）
図１５は、第１の実施形態の第２変形例に係る第２基板を模式的に示す平面図である。図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ’線に沿う断面図である。本変形例の表示装置１Ｂは、額縁配線３７と重畳する位置に第１絶縁層３８Ａが設けられていない点で、上述の表示装置１、１Ａと異なる。本変形例においても、表示領域１０ａにおいて、検出電極ＴＤＬと重畳する位置に第１絶縁層３８Ａが設けられ、ダミー電極ＴＤＬｄと重畳する位置に第２絶縁層３８Ｂが設けられている。このため、フリンジ電界Ｅｆは、ダミー電極領域Ｒｄを通って上方に延びて、良好な検出感度が得られる。

図１６に示すように、本変形例において、額縁配線３７を覆って額縁領域１０ｂにオーバーコート層３９が設けられる。オーバーコート層３９は、表示領域１０ａの第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂの上に連続して設けられていてもよい。オーバーコート層３９を設けることにより、第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂが設けられた部分と、第１絶縁層３８Ａが設けられていない額縁領域１０ｂとの段差を低減し、平坦化を図ることができる。

オーバーコート層３９は、例えばアクリル系樹脂等の透光性の樹脂材料が用いられる。本変形例において、第１絶縁層３８Ａの第１の比誘電率は、オーバーコート層３９の比誘電率よりも小さく、第２絶縁層３８Ｂの第２の比誘電率は、オーバーコート層３９の比誘電率以上である。

（第３変形例）
図１７は、第１の実施形態の第３変形例に係る検出電極の一構成例を示す平面図である。図１８は、駆動電極と額縁配線との間のフリンジ電界を模式的に説明するための斜視図である。図１９は、図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’線に沿う断面図である。

図１７に示すように、本変形例の表示装置１Ｃにおいて、検出電極ＴＤＬは、第２方向Ｄｙに複数配列されており、検出電極ＴＤＬ同士の間にダミー電極ＴＤＬｄが配置される。検出電極ＴＤＬが設けられた検出電極領域Ｒｔと、ダミー電極ＴＤＬｄが設けられたダミー電極領域Ｒｄは、それぞれ、第１方向Ｄｘに沿った方向に長辺を有する矩形状となっている。検出電極ＴＤＬの両端に、第２方向Ｄｙに延びる連結部ＴＤＬｂが設けられている。複数の検出電極ＴＤＬが、連結部ＴＤＬｂにより接続される。連結部ＴＤＬｂはスリットＳＬにより分離され、第２方向Ｄｙに複数配列される。額縁配線３７は、パッド部５７を介して連結部ＴＤＬｂと接続される。本変形例において、連結部ＴＤＬｂにより接続された複数の検出電極ＴＤＬが、１つの検出電極として機能する。

図１７に示すように、第１方向Ｄｘにおいて、検出電極ＴＤＬ及びダミー電極ＴＤＬｄと重なる領域が有効検出領域ＳＡであり、連結部ＴＤＬｂと重なる領域が、有効検出領域ＳＡよりも検出感度が低い周辺領域ＳＢである。

検出電極ＴＤＬは、金属配線３３Ａと金属配線３３Ｂとを含み構成される。金属配線３３Ａと金属配線３３Ｂとは、第１方向Ｄｘと平行な直線を対称軸とする線対称な形状であり第２方向Ｄｙに交互に配列されている。第２方向Ｄｙに配列された複数の金属配線３３Ａと複数の金属配線３３Ｂとは、屈曲部同士が結合されて交差部ＴＤＸを形成する。この交差部ＴＤＸで金属配線３３Ａと金属配線３３Ｂとが導通する。このような構成により、金属配線３３Ａと金属配線３３Ｂとは、細線片Ｕａ及び細線片Ｕｂで囲まれた包囲領域ｍｅｓｈ１を形成して、表示領域１０ａにメッシュ状の金属配線が設けられる。

連結部ＴＤＬｂは、検出電極ＴＤＬの金属配線３３Ａ及び金属配線３３Ｂと連続する複数の金属配線により構成される。すなわち、連結部ＴＤＬも、細線片Ｕａ及び細線片Ｕｂで囲まれた包囲領域ｍｅｓｈ１を形成して、メッシュ状の金属配線が設けられる。

金属配線３３Ａ、３３Ｂは、図１７の点線Ｂに示す箇所に設けられたスリットＳＬｄにより分離される。ダミー電極ＴＤＬｄは、スリットＳＬｄにより検出電極ＴＤＬ及び連結部ＴＤＬｂと分離され、検出電極ＴＤＬ及び連結部ＴＤＬｂに囲まれた部分である。ダミー電極ＴＤＬｄは、検出電極として機能しないダミー電極である。

ダミー電極ＴＤＬｄは、細線片Ｕｄ１及び細線片Ｕｄ２が第１方向Ｄｘに繰り返し接続された金属配線を有し、この金属配線が第２方向Ｄｙに接続される。ダミー電極ＴＤＬｄは、細線片Ｕｄ１及び細線片Ｕｄ２で囲まれた包囲領域ｍｅｓｈ２を有するメッシュ状である。各細線片Ｕｄ１及び細線片Ｕｄ２の途中にスリットＳＬｄが設けられている。なお、スリットＳＬｄは細線片Ｕｄ１及び細線片Ｕｄ２の交差部に設けられていてもよい。

図１７に示すように、額縁配線３７は表示領域１０ａの近傍に設けられて、第２方向Ｄｙに延在している。このため、図１８に示すように、第１基板２１に設けられた駆動電極ＣＯＭＬと額縁配線３７との間にフリンジ電界Ｅｆが発生する場合がある。指などの導体が額縁配線３７に接触又は近接した場合、フリンジ電界Ｅｆが遮られることで静電容量が変化する。この静電容量の変化が額縁配線３７を介して検出部４０（図１参照）に出力されると、額縁配線３７が検出電極として機能することとなり、誤検出が生じる場合がある。

本変形例では、連結部ＴＤＬｂを設けているため、連結部ＴＤＬｂが、駆動電極ＣＯＭＬと額縁配線３７との間のフリンジ電界Ｅｆを遮蔽するシールドとして機能する。このため、フリンジ電界Ｅｆを低減して誤検出を抑制することができる。なお、連結部ＴＤＬｂはシールドとして機能するとともに、連結部ＴＤＬｂに接触又は近接する指などを検出する検出電極としても機能する。

図１９に示すように、検出電極領域Ｒｔにおいて検出電極ＴＤＬと重畳する位置に第１絶縁層３８Ａが設けられ、ダミー電極領域Ｒｄにおいて、ダミー電極ＴＤＬｄと重畳する位置に第２絶縁層３８Ｂが設けられる。本変形例では、周辺領域ＳＢにおいて、連結部ＴＤＬｂと重畳する位置に第１絶縁層３８Ａが設けられている。第１絶縁層３８Ａは第２絶縁層３８Ｂよりも小さい比誘電率を有するので、周辺領域ＳＢを通るフリンジ電界Ｅｆが抑制され、連結部ＴＤＬｂによるシールド効果が向上する。したがって、本変形例の表示装置１Ｃは、額縁配線３７が検出電極として機能することを抑制して、検出性能を向上させることが可能である。

なお、本実施形態に係るタッチパネル３０（検出装置）は以下の構成とすることができる。本実施形態のタッチパネル３０は、検出電極ＴＤＬ（第１電極）と、検出電極ＴＤＬと対向する駆動電極ＣＯＭＬ（第２電極）とを有し、検出電極ＴＤＬと駆動電極ＣＯＭＬとの間に形成される静電容量の変化に基づいて、外部の物体の接触又は近接が検出される。絶縁層３８は、検出電極ＴＤＬと重畳する部分に第１絶縁層３８Ａが配置され、検出電極ＴＤＬと重畳しない部分に第２絶縁層３８Ｂが配置される。

本実施形態のタッチパネル３０において、絶縁層３８は、検出電極ＴＤＬと重畳する部分に第１絶縁層３８Ａが配置され、検出電極ＴＤＬと重畳しない部分に第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとが積層される。

検出電極ＴＤＬは、第１方向Ｄｘに延出するとともに、第１方向Ｄｘと交差する第２方向Ｄｙに複数配列されており、検出電極ＴＤＬ同士の間に、検出用の電極として機能しないダミー電極ＴＤＬｄが設けられており、絶縁層３８は、ダミー電極ＴＤＬｄと重畳する部分に第２絶縁層３８Ｂが配置される。

本実施形態のタッチパネル３０は、第２方向Ｄｙに複数配列された検出電極ＴＤＬの端部を連結する連結部ＴＤＬｂを有し、絶縁層３８は、連結部ＴＤＬｂと重畳する位置に第１絶縁層３８Ａが配置される。

本実施形態のタッチパネル３０において、検出電極ＴＤＬに接続され、表示領域１０ａの外側の額縁領域１０ｂに引き回された額縁配線３７を有し、絶縁層３８は、額縁配線３７と重畳する部分に第１絶縁層３８Ａが配置される。

（実施例）
図２０は、実施例１及び実施例２に係る表示装置のＳＮ比（ＳＮＲ）を示すグラフである。図２０のグラフ１に示す従来例は、第１の実施形態の表示装置１において、第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂを設けずに、検出電極ＴＤＬ及びダミー電極ＴＤＬｄと重畳する位置に、一様な比誘電率を有するオーバーコート層を設けた表示装置である。絶縁層以外の構成は、図５から図１３に示す表示装置１と同様の構成である。実施例１は、図５から図１３に示す第１の実施形態の表示装置１と同様の構成である。実施例２は、図１４に示す第１変形例の表示装置１Ａと同様に、ダミー電極領域Ｒｄにおいて、第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとが積層された構成である。実施例１、実施例２のそれぞれについて、第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂを表示領域１０ａにのみ設けた場合（図１５参照）と、表示領域１０ａと額縁領域１０ｂの両方に亘って設けた場合（図１０参照）とで、ＳＮ比を算出した。

図２０に示すように、従来例の表示装置は、基準値ＣＬよりも低いＳＮ比を示している。これに対し、実施例１及び実施例２の表示装置は、基準値ＣＬよりも高いＳＮ比を示している。実施例１は、実施例２の表示装置よりも、ＳＮ比が高くなっている。これは、実施例１の表示装置は、ダミー電極領域Ｒｄにおいて、第２絶縁層３８Ｂが単層で設けられているので（図１２参照）、実施例２の第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとが積層された場合（図１４参照）よりも比誘電率が高くなり、電気力線の到達範囲が大きくなるためである。

また、額縁領域１０ｂに第１絶縁層３８Ａを設けた場合、表示領域１０ａにのみ設けた場合よりも、さらにＳＮ比が改善される。これにより、額縁領域１０ｂに第１絶縁層３８Ａを設けることにより、額縁配線３７への外部のノイズの侵入が抑制されることが示された。

以上のように、実施例１及び実施例２の表示装置は、検出電極ＴＤＬと重畳する位置に第１絶縁層３８Ａを設け、検出電極ＴＤＬと重畳しない位置、すなわちダミー電極ＴＤＬｄと重畳する位置に第２絶縁層３８Ｂを設けることにより、検出性能を向上させることが可能であることが示された。さらに、実施例１及び実施例２の表示装置は、額縁配線３７と重畳する位置に第１絶縁層３８Ａを設けることで、ノイズを抑制して、検出性能を向上させることが可能である。

（第２の実施形態）
図２１は、第２の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。本実施形態において、上述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。本実施形態の表示装置１Ｄにおいて、タッチパネル３０は、自己静電容量方式のタッチ検出を行う構成となっている。

図２１に示すように、検出部４０Ａは、検出電極ドライバ４８を含む。検出電極ドライバ４８は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出動作の際に、後述する検出電極ＴＤＬｓに駆動信号を供給する回路である。また、本実施形態において、駆動電極ドライバ１４は、表示動作の際に表示用の駆動信号Ｖｃｏｍを駆動電極ＣＯＭＬに供給する。本実施形態では、駆動電極ＣＯＭＬは表示動作の際に、画素電極２２に対する共通電極として機能し、検出電極ＴＤＬｓに対する駆動電極として機能しないものとなる。

次に、図２２及び図２３を参照して、本実施形態の表示装置１Ｄの自己静電容量方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。図２２は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。図２３は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、図２２は、検出回路を併せて示している。

指が接触又は近接していない状態において、検出電極Ｅ３に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加される。検出電極Ｅ３は、静電容量Ｃ３を有しており、静電容量Ｃ３に応じた電流が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ₄（図２３参照））に変換する。

次に、図２２に示すように、指が接触又は近接した状態において、指と検出電極Ｅ３との間の静電容量Ｃ４が、検出電極Ｅ３の静電容量Ｃ３に加わる。したがって、検出電極Ｅ３に交流矩形波Ｓｇが印加されると、静電容量Ｃ３及び静電容量Ｃ４に応じた電流が流れる。図２３に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ₅）に変換する。そして、波形Ｖ₄と波形Ｖ₅との差分の絶対値｜ΔＶ｜に基づいて、外部近接物体の有無（タッチの有無）を測定することができる。

具体的には、図２３において、時刻Ｔ₀₁のタイミングで交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖ₆に相当する電圧レベルを上昇させる。このときスイッチＳＷ１はオンしておりスイッチＳＷ２はオフしている。このため検出電極Ｅ３も電圧Ｖ₆の電圧上昇となる。次に時刻Ｔ₁₁のタイミングの前にスイッチＳＷ１をオフとする。このとき検出電極Ｅ３はフローティング状態であるが、検出電極Ｅ３の静電容量Ｃ３、あるいは静電容量（Ｃ３＋Ｃ４、図２２参照）によって、検出電極Ｅ３の電位はＶ₆が維持される。更に、時刻Ｔ₁₁のタイミングの前に電圧検出器ＤＥＴのリセット動作が行われ、出力電圧はＶｒｅｆと略等しい電圧となる。

続いて、時刻Ｔ₁₁のタイミングでスイッチＳＷ２をオンさせると、検出電極Ｅ３の静電容量Ｃ３（またはＣ３＋Ｃ４）に蓄積されていた電荷が電圧検出器ＤＥＴ内の容量Ｃ５に移動するため、電圧検出器ＤＥＴの出力が上昇する（図２３の第２検出信号Ｖｄｅｔ２参照）。電圧検出器ＤＥＴの出力（第２検出信号Ｖｄｅｔ２）は、検出電極Ｅ３に指等が近接していないときは、実線で示す波形Ｖ₄となり、Ｖｄｅｔ２＝Ｃ３×Ｖ₆／Ｃ５となる。指等の影響による静電容量が付加されたときは、点線で示す波形Ｖ₅となり、Ｖｄｅｔ２＝（Ｃ３＋Ｃ４）×Ｖ₆／Ｃ５となる。

その後、時刻Ｔ₃₁のタイミングでスイッチＳＷ２をオフさせ、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ３をオンさせることにより、検出電極Ｅ３の電位を交流矩形波Ｓｇと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。以上の動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。

図２４は、第２の実施形態に係る表示装置の第２基板を模式的に示す平面図である。本実施形態において、第２基板３１の表示領域１０ａに、検出電極層ＴＤＬＢが設けられている。検出電極層ＴＤＬＢは、検出電極ＴＤＬｓと、接続配線３７Ｂとを含む。

検出電極ＴＤＬｓは、表示領域１０ａに複数、行列状に配置されている。検出電極ＴＤＬｓのうち、額縁領域１０ｂの長辺の近傍に配置された検出電極ＴＤＬｓは、額縁配線３７Ａと接続される。また、表示領域１０ａの中央側に配置された検出電極ＴＤＬｓは、接続配線３７Ｂを介して額縁配線３７Ａと接続される。接続配線３７Ｂは、検出電極ＴＤＬｓと同層に設けられ、隣り合う検出電極ＴＤＬｓ同士の間を通って額縁領域１０ｂまで延びている。

額縁配線３７Ａは、額縁領域１０ｂを引き回されて、額縁領域１０ｂの短辺側に接続されたフレキシブル基板７１に接続される。額縁配線３７Ａは、フレキシブル基板７１が設けられた額縁領域１０ｂの短辺側から離れるにしたがって、幅が大きくなっている。

検出電極ドライバ４８（図２１参照）は、額縁配線３７Ａを介して検出電極ＴＤＬｓに駆動信号を供給し、検出電極ＴＤＬｓから第２検出信号Ｖｄｅｔ２が検出部４０Ａに出力される。検出電極ＴＤＬｓは、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理における検出電極Ｅ３に対応する。検出電極ＴＤＬｓのそれぞれが静電容量式タッチセンサとして機能し、検出電極ＴＤＬｓが行列状に配置されているので、複数の検出電極ＴＤＬｓについて、同時に又は順次、タッチ検出を行うことにより、外部の物体の接触又は近接が生じた位置の検出が可能となっている。

図２５は、第２の実施形態に係る絶縁層と検出電極層との配置の関係を説明するための部分拡大平面図である。図２６は、第２の実施形態に係る表示装置の、表示領域と額縁領域の境界近傍の断面図である。図２５に示すように、絶縁層３８は、表示領域１０ａ及び額縁領域１０ｂに亘って設けられ、検出電極層ＴＤＬＢ及び額縁配線３７Ａを覆っている。絶縁層３８は、第１の実施形態と同様に、第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとを含む。第１絶縁層３８Ａは第１の比誘電率を有しており、第２絶縁層３８Ｂは、第１の比誘電率よりも大きい第２の比誘電率を有する。例えば、第１の比誘電率は３．５よりも小さく、第２の比誘電率は３．５以上である。

本実施形態において、絶縁層３８は、表示領域１０ａにおいて、検出電極ＴＤＬｓと重畳する位置に第２絶縁層３８Ｂが設けられ、検出電極ＴＤＬｓと重畳しない位置、すなわち接続配線３７Ｂと重畳する位置及び隣り合う検出電極ＴＤＬｓ同士の間に第１絶縁層３８Ａが設けられる。また、額縁領域１０ｂにおいて、絶縁層３８は、額縁配線３７Ａと重畳する位置に第１絶縁層３８Ａが設けられる。

図２６に示すように、検出電極ＴＤＬｓの上に第２絶縁層３８Ｂが設けられている。検出電極ＴＤＬｓと検出電極ＴＤＬｓとの間には、第１絶縁層３８Ａが設けられる。また、額縁配線３７Ａの上に第１絶縁層３８Ａが設けられる。図２６では図示を省略しているが、表示領域１０ａにおいて接続配線３７Ｂの上に第１絶縁層３８Ａが設けられる。第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとは、互いに側面が接して配置される。

なお、図２６では、画素電極２２を省略して示しているが、図５に示した第１の実施形態の表示装置１と同様に、駆動電極ＣＯＭＬと絶縁層２４を介して複数の画素電極２２が配置される。

図２７は、検出電極から生じる電界を模式的に説明するための断面図である。図２７は、検出電極ＴＤＬｓに駆動信号が供給されたときに、検出電極ＴＤＬｓから生じる電界Ｅｇの電気力線を点線で模式的に示す。また、図２７は、額縁配線３７Ａから生じる電界Ｅｇも示している。本実施形態において、検出電極ＴＤＬｓと重畳する位置に、比較的高い比誘電率を有する第２絶縁層３８Ｂが設けられているので、第２絶縁層３８Ｂを通る電界Ｅｇの電気力線が、上方に向かってより遠くまで延び、電気力線の到達範囲が大きくなる。

一方、検出電極ＴＤＬｓと重畳しない位置に、比較的低い比誘電率を有する第１絶縁層３８Ａが設けられているので、額縁配線３７Ａ及び接続配線３７Ｂ（図２５参照）の上に設けられた第１絶縁層３８Ａを通る電界Ｅｇの電気力線の到達範囲が小さくなる。このため、額縁配線３７Ａ及び接続配線３７Ｂに、指等の外部の物体が接触又は近接した場合であっても、外部の物体と額縁配線３７Ａとの間に形成される容量が小さくなり、また、外部の物体と接続配線３７Ｂとの間に形成される容量が小さくなる。したがって、額縁配線３７Ａ及び接続配線３７Ｂが検出電極として機能することを抑制して、検出性能を向上することができる。

また、額縁配線３７Ａ及び接続配線３７Ｂと重畳する部分に第１絶縁層３８Ａが設けられているので、外部のノイズが侵入することを抑制できる。したがって、ノイズを抑制してＳＮ比を向上させることが可能である。

（第２の実施形態の第１変形例）
図２８は、第２の実施形態の第１変形例に係る表示装置の絶縁層の積層構造を示す断面図である。本変形例の表示装置１Ｅにおいて、額縁配線３７Ａと重なる位置及び検出電極ＴＤＬｓ同士の間に、第１絶縁層３８Ａが１層設けられる。また、検出電極ＴＤＬｓの上に比較的高い比誘電率を有する第２絶縁層３８Ｂが設けられる。さらに、第２絶縁層３８Ｂの上に、比較的低い比誘電率を有する第１絶縁層３８Ａが設けられる。第１絶縁層３８Ａは、第２絶縁層３８Ｂを覆うとともに、額縁配線３７Ａ及び検出電極ＴＤＬｓ同士の間に連続して設けられている。また、図２８では図示しない接続配線３７Ｂを覆って第１絶縁層３８Ａが設けられる。

このような態様であっても、検出電極ＴＤＬｓと重畳する部分における比誘電率は、検出電極ＴＤＬｓと重畳しない部分における比誘電率よりも大きくなるので、図２７の説明図と同様に、電界Ｅｇは、検出電極ＴＤＬｓの上に設けられた第２絶縁層３８Ｂを通って上方に延びて、電界強度が大きくなり、良好な検出感度が得られる。

本変形例において、第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂを形成する際に、第２絶縁層３８Ｂをフォトリソグラフィ法によりパターン形成した後に、第１絶縁層３８Ａが表示領域１０ａ及び額縁領域１０ｂの全面に設けられる。したがって、本変形例の表示装置１Ｅは、第１絶縁層３８Ａについて、パターン形成を行う工程を省略することができるので、製造工程を簡便にしてコストを低減することができる。

（第２の実施形態の第２変形例）
図２９は、第２の実施形態の第２変形例に係る第２基板を模式的に示す平面図である。本変形例の表示装置１Ｆは、額縁配線３７Ａと重畳する位置に第１絶縁層３８Ａが設けられていない点で、上述の表示装置１Ｄ、１Ｅと異なる。本変形例においても、表示領域１０ａにおいて、検出電極ＴＤＬｓと重畳する位置に第２絶縁層３８Ｂが設けられ、額縁配線３７Ａと重畳する位置及び検出電極ＴＤＬｓ同士の間に第１絶縁層３８Ａが設けられている。このため、電界Ｅｇは、検出電極ＴＤＬｓの上に設けられた第２絶縁層３８Ｂを通って上方に延びて、良好な検出感度が得られる。

本変形例において、額縁配線３７Ａを覆って額縁領域１０ｂにオーバーコート層３９が設けられる。オーバーコート層３９は、表示領域１０ａの第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂの上に連続して設けられていてもよい。オーバーコート層３９を設けることにより、第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂが設けられた部分と、第１絶縁層３８Ａが設けられていない額縁領域１０ｂとの段差を低減し、平坦化を図ることができる。

本変形例において、第１絶縁層３８Ａの第１の比誘電率は、オーバーコート層３９の比誘電率よりも小さく、第２絶縁層３８Ｂの第２の比誘電率は、オーバーコート層３９の比誘電率以上である。

なお、本実施形態に係るタッチパネル３０（検出装置）は以下の構成とすることができる。本実施形態に係るタッチパネル３０は、検出電極ＴＤＬｓ（第１電極）と、外部の物体との間に形成される静電容量変化に基づいて、外部の物体の接触又は近接が検出され、絶縁層３８は、検出電極ＴＤＬｓと重畳する部分に第２絶縁層３８Ｂが配置され、検出電極ＴＤＬｓと重畳しない部分に第１絶縁層３８Ａが配置される。

本実施形態に係るタッチパネル３０において、検出電極ＴＤＬｓと重畳する部分に第２絶縁層３８Ｂと第１絶縁層３８Ａとが積層され、検出電極ＴＤＬｓと重畳しない部分に第１絶縁層３８Ａが配置される。

検出電極ＴＤＬｓは、表示領域１０ａにおいて複数配列され、検出電極ＴＤＬｓに接続された接続配線３７Ｂは、複数配列された検出電極ＴＤＬｓ同士の間に設けられており、絶縁層３８は、接続配線３７Ｂと重畳する部分に第１絶縁層３８Ａが配置される。

（実施例）
図３０は、実施例３及び実施例４に係る表示装置のＳＮ比（ＳＮＲ）を示すグラフである。図３０のグラフ２に示す従来例は、図２４から図２６に示す表示装置１Ｄにおいて、第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂを設けない構成とした表示装置である。従来例の表示装置は、一様な比誘電率を有するオーバーコート層が表示領域及び額縁領域に設けられている。絶縁層以外の構成は、表示装置１Ｄと同様の構成である。実施例３は、図２４から図２６に示す第２の実施形態の表示装置１Ｄと同様の構成である。実施例４は、図２７に示す第１変形例の表示装置１Ｅと同様に、検出電極ＴＤＬｓと重畳する位置において、第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとが積層された構成である。実施例３、実施例４のそれぞれについて、第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂを表示領域１０ａにのみ設けた場合（図２９参照）と、表示領域１０ａと額縁領域１０ｂの両方に亘って設けた場合（図２５参照）とで、ＳＮ比を算出した。

図３０に示すように、従来例の表示装置は、基準値ＣＬよりも低いＳＮ比を示している。これに対し、実施例３及び実施例４の表示装置は、基準値ＣＬよりも高いＳＮ比を示している。実施例３は、実施例４の表示装置よりも、ＳＮ比が高くなっている。これは、実施例３の表示装置は、検出電極ＴＤＬｓと重畳する位置において、第２絶縁層３８Ｂが単層で設けられているので（図２６参照）、実施例４の第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとが積層された場合（図２８参照）よりも比誘電率が高くなり、検出電極ＴＤＬｓの電界強度が大きくなり、大きい検出信号が得られるためである。

また、表示領域１０ａ及び額縁領域１０ｂの両方に絶縁層を設けた場合、表示領域１０ａにのみ設けた場合よりも、さらにＳＮ比が改善される。これにより、額縁領域１０ｂに第１絶縁層３８Ａを設けることにより、額縁配線３７Ａへの外部のノイズの侵入が抑制されることが示された。

以上のように、実施例３及び実施例４の表示装置は、検出電極ＴＤＬｓと重畳する位置に第２絶縁層３８Ｂを設け、検出電極ＴＤＬｓと重畳しない位置、すなわち接続配線３７Ｂと重畳する位置及び検出電極ＴＤＬｓ同士の間に第１絶縁層３８Ａを設けることにより、検出性能を向上させることが可能であることが示された。さらに、実施例３及び実施例４の表示装置は、額縁配線３７Ａと重畳する位置に第１絶縁層３８Ａを設けることで、ノイズを抑制して、検出性能を向上させることが可能である。

（第３の実施形態）
図３１は、第３の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。上述した表示装置１−１Ｆは、対向基板３の第２基板３１の一方の面にカラーフィルタ３２が設けられ、他方の面に検出電極層ＴＤＬＡ、ＴＤＬＢが設けられている。本実施形態の表示装置１Ｇは、表示パネル２０の上にタッチパネル３０が設けられている構成が上述した表示装置１−１Ｆと異なる。表示パネル２０は、表示装置１と同様の構成であるが、表示動作において、駆動電極ＣＯＭＬが画素電極２２に対する共通電極としての機能を有し、タッチ検出動作において、検出電極に対する駆動電極として機能しない点が異なる。

図３１に示すように、本実施形態の表示装置１Ｇは、第２基板３１の上に接着層６６Ａを介して偏光板６５Ａが設けられる。この偏光板６５Ａの上に接着層８０を介してタッチパネル３０が設けられる。タッチパネル３０は、第３基板８１と、第３基板８１に設けられた検出電極層ＴＤＬＡ１と、検出電極層ＴＤＬＡ１を覆う絶縁層８５とを含む。絶縁層８５の上に接着層８６を介してカバーガラス８９が貼り合わされている。第３基板８１は、例えばガラス基板、樹脂基板、或いはフィルム状の樹脂基板である。なお、第３基板８１には、図示しないフレキシブル基板と、検出制御用ＩＣとが設けられていてもよい。

図３２は、第３の実施形態に係る表示装置の第３基板を模式的に示す平面図である。図３３は、図３２のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ’線に沿う断面図である。図３４は、図３２のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ’線に沿う断面図である。

図３２に示すように、第３基板８１は、透過領域３０ａと、透過領域３０ａの外側の額縁領域３０ｂとが設けられている。透過領域３０ａは、透光性を有する領域であり、表示パネル２０の表示画像を透過させて、操作者に表示画像を視認させることができる。額縁領域３０ｂと重なる位置において、着色された加飾層（図示を省略する）が設けられ、加飾層により表示パネル２０からの光が遮られる。この加飾層は、カバーガラス８９の上又は、カバーガラス８９と第３基板８１との間に設けられる。

検出電極層ＴＤＬＡ１は、第３基板８１の透過領域３０ａに設けられる。検出電極層ＴＤＬＡ１は、駆動電極ＴＤＬｔと検出電極ＴＤＬｒとを含む。駆動電極ＴＤＬｔは、第１方向Ｄｘに複数配列され、第１方向Ｄｘに隣り合う駆動電極ＴＤＬｔと駆動電極ＴＤＬｔとが、細幅の接続部ＴＤＬｕにより接続される。接続部ＴＤＬｕで接続された複数の駆動電極ＴＤＬｔは、第１方向Ｄｘに延びるとともに、第２方向Ｄｙに複数配列される。接続部ＴＤＬｕで接続された複数の駆動電極ＴＤＬｔの端部に額縁配線８７Ａが接続される。

検出電極ＴＤＬｒは、第２方向Ｄｙに複数配列され、第２方向Ｄｙに隣り合う検出電極ＴＤＬｒと検出電極ＴＤＬｒとが、細幅のジャンパーＴＤＬｊにより接続される。検出電極ＴＤＬｒは、平面視で、駆動電極ＴＤＬｔと間隔を設けて配置される。ジャンパーＴＤＬｊは、接続部ＴＤＬｕと交差して設けられる。ジャンパーＴＤＬｊで接続された複数の検出電極ＴＤＬｒは、第２方向Ｄｙに延びるとともに、第１方向Ｄｘに複数配列される。ジャンパーＴＤＬｊで接続された複数の検出電極ＴＤＬｒに額縁配線８７Ｂが接続される。

このような構成により、隣り合う駆動電極ＴＤＬｔと検出電極ＴＤＬｒとの間に静電容量が形成される。駆動電極ＴＤＬｔに、額縁配線８７Ａを介して駆動信号が供給される。駆動電極ＴＤＬｔと検出電極ＴＤＬｒとの間の静電容量の変化に基づいて、検出電極ＴＤＬｒから額縁配線８７Ｂを介して検出信号が出力される。このようにして、外部の物体の接触又は近接を検出することができる。駆動電極ＴＤＬｔは、上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理における駆動電極Ｅ１に対応し、検出電極ＴＤＬｒは、検出電極Ｅ２に対応する。

駆動電極ＴＤＬｔ、検出電極ＴＤＬｒ及び接続部ＴＤＬｕは、例えば、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料が用いられる。ジャンパーＴＤＬｊ及び額縁配線８７Ａ、８７Ｂは、良好な導電性を有する金属材料を用いることができる。金属材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）又はこれらの合金の少なくとも１つを用いることができる。また、ジャンパーＴＤＬｊは、検出電極ＴＤＬｒ等と同じ透光性の導電性材料を用いてもよい。

図３２に示すように、駆動電極ＴＤＬｔ及び検出電極ＴＤＬｒはそれぞれ菱形形状であるが、これに限定されない。駆動電極ＴＤＬｔ及び検出電極ＴＤＬｒは、多角形状等、他の形状であってもよい。

図３３及び図３４に示すように、絶縁層８５が駆動電極ＴＤＬｔ及び検出電極ＴＤＬｒを覆って設けられる。絶縁層８５は、上述した第１の実施形態、第２の実施形態と同様に、第１絶縁層８５Ａと第２絶縁層８５Ｂとを含む。第１絶縁層８５Ａは第１の比誘電率を有しており、第２絶縁層８５Ｂは、第１の比誘電率よりも大きい第２の比誘電率を有する。例えば、第１の比誘電率は３．５よりも小さく、第２の比誘電率は３．５以上である。

本実施形態において、駆動電極ＴＤＬｔと検出電極ＴＤＬｒとは、異なる層に配置される。図３３に示すように、駆動電極ＴＤＬｔは第３基板８１の上に設けられる。図３４に示すように、駆動電極ＴＤＬｔを接続する接続部ＴＤＬｕは、駆動電極ＴＤＬｔと同じ層、すなわち、第３基板８１の上に設けられる。図３３及び図３４に示すように、駆動電極ＴＤＬｔ及び接続部ＴＤＬｕを覆って第２絶縁層８５Ｂが設けられる。

図３４に示すように、第２絶縁層８５Ｂの上に検出電極ＴＤＬｒが設けられる。検出電極ＴＤＬｒを覆って第１絶縁層８５Ａが設けられる。本実施形態では、第１絶縁層８５Ａは２層設けられる。検出電極ＴＤＬｒの上に設けられた１層目の第１絶縁層８５Ａの上に、２層目の第１絶縁層８５Ａが設けられる。図３３及び図３４に示すように、１層目の第１絶縁層８５Ａの上に額縁配線８７Ａ及びジャンパーＴＤＬｊが設けられる。額縁配線８７Ａはスルーホール８８を介して駆動電極ＴＤＬｔと接続される。また、ジャンパーＴＤＬｊはスルーホール８８Ａを介して検出電極ＴＤＬｒ同士を接続する。額縁配線８７ＡとジャンパーＴＤＬｊとを覆って２層目の第１絶縁層８５Ａが設けられる。なお、図３３及び図３４では図示しないが、検出電極ＴＤＬｒに接続された額縁配線８７Ｂも、額縁配線８７Ａと同層に、１層目の第１絶縁層８５Ａの上に設けられ、額縁配線８７Ｂを覆って２層目の第１絶縁層８５Ａが設けられる。

図３３及び図３４に示すように、駆動電極ＴＤＬｔ及び接続部ＴＤＬｕと重畳する位置において、駆動電極ＴＤＬｔ及び接続部ＴＤＬｕよりも上方に、第２絶縁層８５Ｂと第１絶縁層８５Ａとが設けられる。また、図３４に示すように、検出電極ＴＤＬｒ及びジャンパーＴＤＬｊと重なる位置において、検出電極ＴＤＬｒ及びジャンパーＴＤＬｊよりも上方に第１絶縁層８５Ａが設けられる。したがって、駆動電極ＴＤＬｔの上方に比較的高い比誘電率を有する第２絶縁層８５Ｂが設けられているので、駆動電極ＴＤＬｔの上方における比誘電率は、検出電極ＴＤＬｒの上方における比誘電率よりも大きくなる。

このような構成により、検出電極ＴＤＬｒと駆動電極ＴＤＬｔとの上方に絶縁層８５（第１絶縁層８５Ａ及び第２絶縁層８５Ｂ）を均一に設けた場合に比べて、第２絶縁層８５Ｂを通る電界の電気力線線が、検出電極ＴＤＬｒよりも上方に向かって、より遠くまで延び、電気力線の到達範囲が大きくなる。したがって、本実施形態の表示装置１Ｇによれば、検出感度が向上する。

一方、検出電極ＴＤＬｒよりも上方には、比較的小さい比誘電率を有する第１絶縁層８５Ａのみが設けられる。したがって、外部のノイズが検出電極ＴＤＬｒに侵入することを抑制できる。また、第１絶縁層８５Ａ及び第２絶縁層８５Ｂは、透過領域３０ａと額縁領域３０ｂとに亘って連続して設けられる。比較的低い比誘電率を有する第１絶縁層８５Ａが、額縁配線８７Ａ及び額縁配線８７Ｂ（図３２参照）の上に設けられている。これにより、額縁配線８７Ａ及び額縁配線８７Ｂの上の第１絶縁層８５Ａを通る電界の電気力線の本数が低減される。このため、額縁配線８７Ａ及び額縁配線８７Ｂに、指等の外部の物体が接触又は近接した場合であっても、外部の物体と額縁配線８７Ａの間に形成される容量が抑制され、また、外部の物体と額縁配線８７Ｂとの間に形成される容量が抑制される。したがって、額縁配線８７Ａ及び額縁配線８７Ｂが検出電極として機能することを抑制して、検出性能を向上することができる。

また、第１絶縁層８５Ａが設けられているので、額縁配線８７Ａ及び額縁配線８７Ｂに外部のノイズが侵入することを抑制できる。したがって、ノイズを抑制してＳＮ比を向上させることが可能である。

ジャンパーＴＤＬｊは、額縁配線８７Ａ及び額縁配線８７Ｂと同層に設けられているので、ジャンパーＴＤＬｊを額縁配線８７Ａ及び額縁配線８７Ｂと同じ工程で形成することができ、製造コストを低減することができる。なお、本実施形態では、検出電極ＴＤＬｒと駆動電極ＴＤＬｔとが異なる層に設けられているので、ジャンパーＴＤＬｊを検出電極ＴＤＬｒと同じ層に設けてもよい。この場合、ジャンパーＴＤＬｊは、検出電極ＴＤＬｒと同じ材料を用いることで、検出電極ＴＤＬｒと同時に形成することが可能である。

（第３の実施形態の第１変形例）
図３５は、第３の実施形態の第１変形例に係る表示装置の断面図である。図３５は、図３２のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ’線に対応する位置で切断した断面図である。本変形例の表示装置１Ｈにおいて、透過領域３０ａの検出電極ＴＤＬｒ、駆動電極ＴＤＬｔ、第１絶縁層８５Ａ及び第２絶縁層８５Ｂの構成は、図３３及び図３４に示した構成と同様である。本変形例の表示装置１Ｈは、額縁領域３０ｂにおいて、額縁配線８７Ａの上に第１絶縁層８５Ａが設けられていない点で異なる。なお、図３５では図示しない額縁配線８７Ｂの上にも第１絶縁層８５Ａが設けられていない。

このような態様であっても、少なくとも透過領域３０ａにおいて、駆動電極ＴＤＬｔの上方における比誘電率は、検出電極ＴＤＬｒの上方における比誘電率よりも大きくなる。したがって、本変形例の表示装置１Ｈは、検出感度を向上させることができる。この場合、額縁配線８７Ａ及び額縁配線８７Ｂの上に、オーバーコート層を設けてもよい。オーバーコート層を、額縁領域３０ｂと透過領域３０ａの第１絶縁層８５Ａの上に連続して設けることで、段差を低減して平坦化を図ることができる。

本変形例では、額縁領域３０ｂにおいて、第３基板８１の上に第２絶縁層８５Ｂ、第１絶縁層８５Ａ、額縁配線８７Ａの順に積層されているが、これに限定されない。額縁領域３０ｂにおいて、第１絶縁層８５Ａと第２絶縁層８５Ｂとのいずれか一方、又は両方が設けられていない場合であってもよい。

（第３の実施形態の第２変形例）
図３６は、第３の実施形態の第２変形例に係る表示装置の断面図である。図３７は、第３の実施形態の第２変形例に係る表示装置の、図３６と異なる方向で切断した断面図である。図３６は、図３２のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ’線に対応する位置で切断した断面図である。図３７は、図３２のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ’線に対応する位置で切断した断面図である。

図３６及び図３７に示すように、本変形例の表示装置１Ｉは、検出電極ＴＤＬｒと駆動電極ＴＤＬｔとが、第３基板８１の上に、同じ層に設けられている。また、接続部ＴＤＬｕも第３基板８１の上に設けられている。駆動電極ＴＤＬｔ及び接続部ＴＤＬｕと重畳する位置に、第２絶縁層８５Ｂが設けられている。図３７に示すように、ジャンパーＴＤＬｊは、接続部ＴＤＬｕと重畳する位置に設けられた第２絶縁層８５Ｂの上に設けられ、検出電極ＴＤＬｒと検出電極ＴＤＬｒとを接続する。

駆動電極ＴＤＬｔ及び接続部ＴＤＬｕと重畳しない位置に、１層目の第１絶縁層８５Ａが設けられている。すなわち、図３６に示すように、額縁領域３０ｂにおいて、第３基板８１の上に第１絶縁層８５Ａが設けられる。額縁配線８７Ａは、第２絶縁層８５Ｂに設けられたスルーホール８８Ｂを介して駆動電極ＴＤＬｔに接続され、１層目の第１絶縁層８５Ａの上に引き回される。なお、図３６、図３７で図示しない額縁配線８７Ｂ（図３２参照）についても、１層目の第１絶縁層８５Ａの上に設けられる。また、図３７に示すように、検出電極ＴＤＬｒの上に１層目の第１絶縁層８５Ａが設けられる。

図３６及び図３７に示すように、額縁配線８７Ａ及びジャンパーＴＤＬｊを覆って２層目の第１絶縁層８５Ａが設けられている。２層目の第１絶縁層８５Ａは、第２絶縁層８５Ｂ及び１層目の第１絶縁層８５Ａの上に設けられている。

図３６及び図３７に示すように、駆動電極ＴＤＬｔ及び接続部ＴＤＬｕと重なる位置に、第２絶縁層８５Ｂと第１絶縁層８５Ａとがこの順で積層される。また、検出電極ＴＤＬｒ及びジャンパーＴＤＬｊと重なる位置に、第１絶縁層８５Ａが設けられる。したがって、本変形例の表示装置１Ｉにおいても、駆動電極ＴＤＬｔの上方に比較的高い比誘電率を有する第２絶縁層８５Ｂが設けられているので、駆動電極ＴＤＬｔの上方における比誘電率は、検出電極ＴＤＬｒの上方における比誘電率よりも大きくなる。

本実施形態の表示装置１Ｉによれば、第２絶縁層３８Ｂを通る電界の電気力線が、検出電極ＴＤＬｒよりも上方に向かって、より遠くまで延び、電気力線の到達範囲が大きくなるので、検出感度が向上する。

また、検出電極ＴＤＬｒ及び額縁配線８７Ａの上に、比較的小さい比誘電率を有する第１絶縁層８５Ａが設けられているので、外部から侵入するノイズを抑制して検出性能を向上させることができる。

（第３の実施形態の第３変形例）
図３８は、第３の実施形態の第３変形例に係る表示装置の断面図である。本変形例の表示装置１Ｊにおいて、透過領域３０ａの検出電極ＴＤＬｒ、駆動電極ＴＤＬｔ、第１絶縁層８５Ａ及び第２絶縁層８５Ｂの構成は、図３６及び図３７に示した表示装置１Ｉと同様である。本変形例の表示装置１Ｊは、額縁領域３０ｂにおいて、額縁配線８７Ａの上に第１絶縁層８５Ａが設けられていない点で異なる。なお、図３８では図示しない額縁配線８７Ｂの上にも第１絶縁層８５Ａが設けられていない。

このような態様であっても、少なくとも透過領域３０ａにおいて、駆動電極ＴＤＬｔと重なる位置における比誘電率は、検出電極ＴＤＬｒと重なる位置における比誘電率よりも大きくなる。したがって、本変形例の表示装置１Ｊは、検出感度を向上させることができる。この場合、額縁配線８７Ａ及び額縁配線８７Ｂの上に、オーバーコート層を設けてもよい。オーバーコート層を、額縁領域３０ｂと透過領域３０ａの第１絶縁層８５Ａの上に連続して設けることで、段差を低減して平坦化を図ることができる。

本変形例では、額縁領域３０ｂにおいて、第３基板８１の上に第２絶縁層８５Ｂと第１絶縁層とが設けられているが、これに限定されない。額縁領域３０ｂにおいて、第１絶縁層８５Ａと第２絶縁層８５Ｂとのいずれか一方、又は両方が設けられていない場合であってもよい。

（実施例）
図３９は、実施例５及び実施例６に係る表示装置のＳＮ比（ＳＮＲ）を示すグラフである。図３９のグラフ３に示す従来例は、第３の実施形態の表示装置１Ｇ及び第２変形例の表示装置１Ｉにおいて、第１絶縁層８５Ａ及び第２絶縁層８５Ｂを設けずに、検出電極ＴＤＬｒ及び駆動電極ＴＤＬｔと重畳する位置に、一様な比誘電率を有するオーバーコート層を設けた表示装置である。絶縁層以外の構成は、図３１から図３４に示す表示装置１Ｇ及び図３６、図３７に示す表示装置１Ｉと同様の構成である。

実施例５は、図３１から図３５に示す第３の実施形態の表示装置１Ｇ及び第１変形例の表示装置１Ｈと同様に、検出電極ＴＤＬｒと駆動電極ＴＤＬｔとが異なる層に設けられた構成である。実施例６は、図３６、図３７に示す第２変形例の表示装置１Ｉ及び図３７に示す第３変形例の表示装置１Ｊと同様に、検出電極ＴＤＬｒと駆動電極ＴＤＬｔとが同じ層に設けられた構成である。実施例５、実施例６のそれぞれについて、第１絶縁層８５Ａ及び第２絶縁層８５Ｂを透過領域３０ａにのみ設けた場合と、透過領域３０ａと額縁領域３０ｂの両方に亘って設けた場合とで、ＳＮ比を算出した。

図３９に示すように、従来例の表示装置は、基準値ＣＬよりも低いＳＮ比を示している。これに対し、実施例５及び実施例６の表示装置は、基準値ＣＬよりも高いＳＮ比を示している。グラフ３に示すように、検出電極ＴＤＬｒと駆動電極ＴＤＬｔとが同じ層に設けられた構成の実施例６が、比較的高いＳＮ比を示している。実施例６の表示装置は、第２絶縁層８５Ｂが駆動電極ＴＤＬｔと重畳する位置にのみ設けられている。このため、駆動電極ＴＤＬｔと重畳する位置と、駆動電極ＴＤＬｔと重畳しない位置とで、比誘電率の差が大きくなり、駆動電極ＴＤＬｔから上方に延びる電気力線の密度が大きくなり検出感度が向上するためである。

また、透過領域３０ａ及び額縁領域３０ｂの両方に絶縁層を設けた場合、透過領域３０ａにのみ設けた場合よりも、さらにＳＮ比が改善される。これにより、額縁領域３０ｂに第１絶縁層３８Ａを設けることにより、額縁配線８７Ａ、８７Ｂへの外部のノイズの侵入が抑制されることが示された。

以上のように、実施例５及び実施例６の表示装置は、検出電極ＴＤＬｒと重畳する位置に第１絶縁層８５Ａを設け、検出電極ＴＤＬｒと重畳しない位置、すなわち駆動電極ＴＤＬｔと重畳する位置に第２絶縁層８５Ｂを設けることで、検出性能を向上させることが可能であることが示された。さらに、実施例５及び実施例６の表示装置は、額縁配線８７Ａ及び額縁配線８７Ｂと重畳する位置に第１絶縁層８５Ａを設けることで、ノイズを抑制して、検出性能を向上させることが可能である。

（第４の実施形態）
図４０は、第４の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。上述した表示装置１、１Ａ−１Ｊは、バックライトの光を透過させて画像を表示する透過型の表示装置を示したが、反射型の表示装置であってもよい。

図４０に示す表示装置１Ｋは、反射型の表示装置である。図４０に示すように、表示装置１Ｋは、第１基板２１と、第２基板３１と、反射電極２８と、液晶層６と、フロントライトユニット４とを備える。

第１基板２１の第２基板３１と対向する面に、反射電極２８が設けられている。第２基板３１の第１基板２１と対向する面に、カラーフィルタ３２及び駆動電極ＣＯＭＬが設けられている。駆動電極ＣＯＭＬは、図示しない接続部を介して第１基板２１側に電気的に接続されて、駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。なお、表示装置１Ｋは、カラーフィルタ３２が設けられたカラー表示対応の表示装置であるが、カラーフィルタ３２が設けられていないモノクロ表示対応の表示装置であってもよい。第２基板３１のカラーフィルタ３２が設けられた面と反対側の面に検出電極層ＴＤＬＡ及び絶縁層３８が設けられている。絶縁層３８の上に、接着層１４６を介してフロントライトユニット４が設けられている。なお、絶縁層３８とフロントライトユニット４との間に、偏光板６５Ａ（図５参照）等の光学機能層が設けられていてもよい。

反射電極２８は、１つの副画素ＳＰｉｘに対応して配置されており、第２基板３１側から入射した外光を反射電極２８によって反射し、その反射光によって表示する。第２基板３１が表示パネル２０の表示面として機能する。反射電極２８は、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料が用いられる。

フロントライトユニット４は、表示装置１Ｋの表示パネル２０の画像を表示させる側の面、つまり第２基板３１のカラーフィルタ３２が設けられた面と反対側の面に配置されている。フロントライトユニット４は、光源１４０と、導光板１４４とを有する。光源１４０は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）１４２が用いられる。なお、光源１４０として、蛍光管などの他の光源を用いてもよい。導光板１４４は、透明な板状の部材であり、第２基板３１に接着層１４６を介して積層されている。導光板１４４は、光源１４０からの入射光を反射、散乱させることで、第２基板３１に向けて出射させることができる。

第２基板３１に向けて出射された光は、駆動電極ＣＯＭＬ及び液晶層６を通過し、反射電極２８で反射された後、導光板１４４を通過して観察者の眼に到達する。また、第２基板３１に向けて出射された光は、上述したように、通過する位置の液晶の状態により、遮られる部分と透過する部分とが切り換えられることで、表示面に画像が表示される。

検出電極層ＴＤＬＡ及び絶縁層３８は、上述した第１の実施形態と同様の構成であり、駆動電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬ（図７参照）との間に形成される静電容量の変化に基づいて、外部の物体の接触又は近接を検出することができる。また、絶縁層３８は、第１の比誘電率を有する第１絶縁層３８Ａと、第１の比誘電率よりも大きい第２の比誘電率を有する第２絶縁層３８Ｂとを含む。このような反射型の表示装置１Ｋであっても、検出電極ＴＤＬと重畳する位置と、検出電極ＴＤＬと重畳しない位置とで、絶縁層３８の比誘電率を異ならせることで、第２絶縁層３８Ｂを通る電界Ｅｇの電気力線が、検出電極ＴＤＬよりも上方に向かってより遠くまで延びて、電気力線の到達範囲が大きくなる。これにより、検出性能を向上させることができる。なお、本実施形態の表示装置１Ｋにおいて、フロントライトユニット４が設けられていない構成であってもよい。

（第４の実施形態の変形例）
図４１は、第４の実施形態の変形例に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。本実施形態の表示装置１Ｌは、反射型の表示装置であり、表示パネル２０の構成は、図４０と同様である。表示装置１Ｌは、第２基板３１の上に検出電極層ＴＤＬＡが設けられておらず、フロントライトユニット４の上に、タッチパネル３０が設けられている。

タッチパネル３０は、例えば第３の実施形態に示した、第３基板８１と、検出電極層ＴＤＬＡ１と、絶縁層８５とを含む。第３基板８１は接着層８０を介してフロントライトユニット４と貼り合わされている。検出電極層ＴＤＬＡ１は、上述したように、検出電極ＴＤＬｒと駆動電極ＴＤＬｔとが、同層、又は異なる層に設けられている。検出電極ＴＤＬｒと重畳する位置と、駆動電極ＴＤＬｔと重畳する位置とで、絶縁層８５の比誘電率を異ならせることにより、タッチパネル３０の検出性能を向上させることが可能である。なお、本実施形態の表示装置１Ｌにおいて、フロントライトユニット４を設けずに、第２基板３１の上にタッチパネル３０を設けた構成であってもよい。

（第５の実施形態）
図４２は、第５の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。本実施形態の表示装置１Ｍは、有機ＥＬ表示パネル１０２と、有機ＥＬ表示パネル１０２に接着層８０を介して貼り合わされたタッチパネル３０Ａとを含む。

有機ＥＬ表示パネル１０２は、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）基板１７０と、対向基板１７２とを含む。ＯＬＥＤ基板１７０と対向基板１７２とは、充填剤１７４を介して貼り合わされる。

ＯＬＥＤ基板１７０は、複数の発光部（ＯＬＥＤ）１０６を含む。有機ＥＬ表示パネル１０２は、トップエミッション型であり、発光部１０６で生じた光が対向基板１７２から出射する。対向基板１７２は、カラーフィルタ１８２を含み、発光部１０６にて白色光を発生し、この白色光が生じたカラーフィルタ１８２を透過することでカラー化がなされる。なお、有機ＥＬ表示パネル１０２は、発光部１０６にてＲＧＢ各色の光を発光し、カラーフィルタ１８２が設けられていない場合であってもよい。

ＯＬＥＤ基板１７０は、樹脂フィルムからなる第１基材１５０と、第１基材１５０に積層された回路部１５２、ＯＬＥＤ部１５４、封止層１５６とを含む。第１基材１５０は、例えばポリイミド膜を用いることができる。

回路部１５２は、表示駆動を行うためのスイッチング素子や、各種信号線を含む。ＯＬＥＤ部１５４は、画素毎に設けられた発光部１０６と、画素の境界に設けられたバンク１６０とを含む。発光部１０６は、下部電極１６４と、有機層１６６と、上部電極１６８とが、この順に積層されて構成される。有機層１６６は、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含む。

下部電極１６４と上部電極１６８とはそれぞれ発光部１０６の陽極、陰極を構成し、これらの間に印加される電気信号により発光層での発光が制御される。上部電極１６８は、表示領域の全体にわたって設けられ、複数の画素に対する共通電圧を供給する。下部電極１６４は、画素ごとに設けられ、映像信号に応じた電流が供給される。

バンク１６０は、画素間に設けられた絶縁層であり、下部電極１６４間を電気的に分離する。封止層１５６は、ＯＬＥＤ部１５４の上に設けられ、充填剤１７４に含まれる水分などの透過を抑制し、ＯＬＥＤ部１５４を保護する機能を有する。

対向基板１７２は、樹脂フィルムからなる第２基材１８０と、カラーフィルタ１８２とを含む。第２基材１８０は、例えばポリイミド膜を用いることができる。カラーフィルタ１８２は、赤（Ｒ）画素に対応するカラーフィルタ１８２ｒ、緑（Ｇ）画素に対応するカラーフィルタ１８２ｇ、青（Ｂ）画素に対応するカラーフィルタ１８２ｂを有する。カラーフィルタ１８２ｒ、１８２ｇ、１８２ｂの境界には、ブラックマトリクス１８４が配置される。

このように構成される有機ＥＬ表示パネル１０２の上にタッチパネル３０Ａを設けることで、タッチ検出機能を有する表示装置１Ｍが構成される。有機ＥＬ表示パネル１０２は、フレキシブルディスプレイである。タッチパネル３０Ａは第３基材８１Ａとして、可撓性を有する樹脂フィルムが用いられる。また、タッチパネル３０Ａの上に、樹脂フィルムが用いられたカバーフィルム８９Ａが設けられる。

タッチパネル３０Ａは、第３基材８１Ａの上に検出電極層ＴＤＬＡ１と、絶縁層８５とが設けられる。検出電極層ＴＤＬＡ１及び絶縁層８５は、上述した第３の実施形態と同様の構成とすることができる。すなわち、検出電極層ＴＤＬＡ１は、検出電極ＴＤＬｒと駆動電極ＴＤＬｔとが、同層、又は異なる層に設けられている。検出電極ＴＤＬｒと重畳する位置と、駆動電極ＴＤＬｔと重畳する位置とで、絶縁層８５の比誘電率を異ならせることにより、タッチパネル３０Ａの検出性能を向上させることが可能である。なお、タッチパネル３０Ａは、これに限定されず、第２の実施形態に示した、検出電極ＴＤＬｓが行列状に複数配列された構成とし、自己静電容量方式のタッチ検出を行うタッチパネルであってもよい。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。

１、１Ａ−１Ｍ 表示装置
２ 画素基板
３ 対向基板
６ 液晶層
１０ タッチ検出機能付き表示部
１０ａ 表示領域
１０ｂ 額縁領域
１１ 制御部
１２ ゲートドライバ
１３ ソースドライバ
１４ 駆動電極ドライバ
２０ 表示パネル
２１ 第１基板
２２ 画素電極
３０、３０Ａ タッチパネル
３０ａ 透過領域
３０ｂ 額縁領域
３１ 第２基板
３８、８５ 絶縁層
３８Ａ、８５Ａ 第１絶縁層
３８Ｂ、８５Ｂ 第２絶縁層
４０ 検出部
４８ 検出電極ドライバ
８１ 第３基板
ＣＯＭＬ 駆動電極
ＧＣＬ ゲート線
ＳＧＬ データ線
ＴＤＬ 検出電極
Ｖｃｏｍ 駆動信号

Claims (13)

1. 第１基板と、
   前記第１基板と対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、表示領域に画像を表示させるための画像表示機能層と、
   前記表示領域内に設けられ、外部の物体の接触又は近接を検出するための複数の第１電極を含む第１電極層と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、前記第１電極と対向する第２電極と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、画像を表示するための画素信号が供給される複数の第３電極と、
   前記第１電極層を覆うとともに、少なくとも前記表示領域において、前記第１電極と重畳する部分の比誘電率が、前記第１電極と重畳しない部分の比誘電率と異なる絶縁層と、を有する表示装置。
2. 前記絶縁層は、第１の比誘電率を有する第１絶縁層と、前記第１の比誘電率よりも大きい第２の比誘電率を有する第２絶縁層とを含み、
   前記第１電極と前記第２電極との間に形成される静電容量の変化に基づいて、前記外部の物体の接触又は近接が検出され、
   前記絶縁層は、前記第１電極と重畳する部分に前記第１絶縁層が配置され、前記第１電極と重畳しない部分に前記第２絶縁層が配置される請求項１に記載の表示装置。
3. 前記絶縁層は、第１の比誘電率を有する第１絶縁層と、前記第１の比誘電率よりも大きい第２の比誘電率を有する第２絶縁層とを含み、
   前記第１電極と前記第２電極との間に形成される静電容量の変化に基づいて、前記外部の物体の接触又は近接が検出され、
   前記絶縁層は、前記第１電極と重畳する部分に前記第１絶縁層が配置され、前記第１電極と重畳しない部分に前記第２絶縁層と前記第１絶縁層とが積層される請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１電極は、第１の方向に延出するとともに、前記第１の方向と交差する第２の方向に複数配列されており、
   前記第１電極同士の間に、検出用の電極として機能しないダミー電極が設けられており、
   前記絶縁層は、前記ダミー電極と重畳する部分に前記第２絶縁層が配置される請求項２又は請求項３に記載の表示装置。
5. 複数の前記第１電極の端部を連結する連結部を有し、
   前記絶縁層は、前記連結部と重畳する位置に前記第１絶縁層が配置される請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第１電極に接続され、前記表示領域の外側の額縁領域に引き回された配線を有し、 前記絶縁層は、前記配線と重畳する部分に前記第１絶縁層が配置される請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記絶縁層は、第１の比誘電率を有する第１絶縁層と、前記第１の比誘電率よりも大きい第２の比誘電率を有する第２絶縁層とを含み、
   前記第１電極と、前記外部の物体との間に形成される静電容量変化に基づいて、前記外部の物体の接触又は近接が検出され、
   前記絶縁層は、前記第１電極と重畳する部分に前記第２絶縁層が配置され、前記第１電極と重畳しない部分に前記第１絶縁層が配置される請求項１に記載の表示装置。
8. 前記絶縁層は、第１の比誘電率を有する第１絶縁層と、前記第１の比誘電率よりも大きい第２の比誘電率を有する第２絶縁層とを含み、
   前記第１電極と、前記外部の物体との間に形成される静電容量変化に基づいて、前記外部の物体の接触又は近接が検出され、
   前記絶縁層は、前記第１電極と重畳する部分に前記第２絶縁層と前記第１絶縁層とが積層され、前記第１電極と重畳しない部分に前記第１絶縁層が配置される請求項１に記載の表示装置。
9. 前記第１電極は、前記表示領域において複数配列され、
   前記第１電極に接続された接続配線は、複数配列された第１電極同士の間に設けられており、
   前記絶縁層は、前記接続配線と重畳する部分に前記第１絶縁層が配置される請求項７又は請求項８に記載の表示装置。
10. 前記絶縁層の上にオーバーコート層が設けられており、
    前記第１絶縁層の前記第１の比誘電率は、前記オーバーコート層の比誘電率よりも小さく、前記第２絶縁層の前記第２の比誘電率は、前記オーバーコート層の比誘電率以上である請求項２から請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記第１絶縁層の前記第１の比誘電率は３．５よりも小さく、前記第２絶縁層の前記第２の比誘電率は３．５以上である請求項２から請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記第１絶縁層は、ポリシロキサン、ポリシラザン、アクリル、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、フッ素添加二酸化珪素のいずれかを含み、前記第２絶縁層は、二酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、又はその他の金属酸化物を含む樹脂材料である請求項１１に記載の表示装置。
13. 表示画像を透過させる透過領域を含む基板と、
    前記透過領域に設けられ、外部の物体の接触又は近接を検出するための複数の第１電極を含む第１電極層と、
    前記第１電極層を覆うとともに、少なくとも前記透過領域において、前記第１電極と重畳する部分の比誘電率が、前記第１電極と重畳しない部分の比誘電率と異なる絶縁層と、を有する検出装置。

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