JP2017212260A - 電界制御電極および電気二重層デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
電極と、
前記電極に接しており、組成式AxZr1-yYyO3-δで表されるペロブスカイト型酸化物を含むプロトン伝導性酸化物薄膜と、
を備え、
前記AはCa、SrおよびBaからなる群から選ばれる1つ以上の元素であり、
xおよびyは、0.5≦x≦1.0、0.3≦y≦0.5を満たし、
前記電極に正または負の電圧を印加すると、前記プロトン伝導性酸化物薄膜と接する絶縁体または半導体に電子または正孔のキャリアが蓄積される、
電界制御電極。
[項目2]
前記プロトン伝導性酸化物薄膜の厚さは1μm以下である、項目1に記載の電界制御電極。
[項目3]
前記プロトン伝導性酸化物薄膜の厚さ500nm以下である、項目1に記載の電界制御電極。
[項目4]
前記xは、0.7≦x≦1.0を満たす、項目1から3のいずれか1項に記載の電界制御電極。
[項目5]
前記xは、0.9≦x≦1.0を満たす、項目4に記載の電界制御電極。
[項目6]
前記AはBaである、項目1から5のいずれか1項に記載の電界制御電極。
[項目7]
主面を有し、半導体または絶縁体からなるキャリア伝導層と、
前記主面上において、所定の間隔を隔てて位置する第1電極および第2電極と、
第3電極と、
前記主面上の前記第1電極および前記第2電極の間に位置し、前記第3電極と前記キャリア伝導層との間に位置し、組成式AxZr1-yYyO3-δで表されるペロブスカイト型酸化物を含むプロトン伝導性酸化物薄膜と、
を備え、
前記AはCa、SrおよびBaからなる群から選ばれる1つ以上の元素であり、
xおよびyは、0.5≦x≦1.0、0.3≦y≦0.5を満たす、
電気二重層デバイス。
AxZr1-yYyO3-δ
ただし、AはCa、SrおよびBaからなる群から選ばれる1つ以上の元素であり、x、yは以下の関係を満たす。
0.5≦x≦1.0
0.3≦y≦0.5 (1)
種々の組成のプロトン伝導性酸化物薄膜を作製し、特性を調べた結果を説明する。
(実施例1)
(Sr,La)TiO3の単結晶基板上に、スパッタ法を用いてプロトン伝導性酸化物薄膜を形成した。ターゲットには、BaZr0.9Y0.1O3-δの化学組成を有するペロブスカイト型酸化物を用いた。形成したプロトン伝導性酸化物薄膜の厚さは500nmであった。単結晶基板の裏面およびプロトン伝導性酸化物薄膜上に白金からなる電極を形成し、水蒸気によるプロトン導入を行った。
BaZr0.8Y0.2O3-δの化学組成を有するペロブスカイト型酸化物のターゲットを用いたことを除き実施例1と同様にして試料を作製した。
BaZr0.7Y0.3O3-δの化学組成を有するペロブスカイト型酸化物のターゲットを用いたことを除き実施例1と同様にして試料を作製した。
BaZr0.6Y0.4O3-δの化学組成を有するペロブスカイト型酸化物のターゲットを用いたことを除き実施例1と同様にして試料を作製した。
BaZr0.5Y0.5O3-δの化学組成を有するペロブスカイト型酸化物のターゲットを用いたことを除き実施例1と同様にして試料を作製した。
BaZr0.9Y0.1O3-δの化学組成を有するペロブスカイト型酸化物のターゲットを用い、PLD法を用いたことを除き実施例1と同様にして試料を作製した。
BaZr0.8Y0.2O3-δの化学組成を有するペロブスカイト型酸化物のターゲットを用い、PLD法を用いたことを除き実施例1と同様にして試料を作製した。
BaZr0.7Y0.3O3-δの化学組成を有するペロブスカイト型酸化物のターゲットを用い、PLD法を用いたことを除き実施例1と同様にして試料を作製した。
実施例1〜8の試料におけるプロトン伝導性酸化物薄膜の組成をEPMAによって分析した。分析結果から、組成式がBaxZr1-yYyO3-δであるとして、x、yおよびδを求めた。結果を表1に示す。
表1の結果から、組成式(1)の0.5≦x≦1.0、0.1≦y≦0.5の範囲において、プロトン伝導性を有し、電気二重層を形成し得るプロトン伝導性酸化物薄膜を形成できることが分かった。
200’ 電荷制御電極
201 電極
201’ ゲート電極
201b、203b 主面
202 プロトン伝導性酸化物薄膜
202a 第1の面
202b 第2の面
203 キャリア伝導層
204 ソース電極
205 ドレイン電極
210 電源
300 電界効果トランジスタ
Claims (7)
- 電極と、
前記電極に接しており、組成式AxZr1-yYyO3-δで表されるペロブスカイト型酸化物を含むプロトン伝導性酸化物薄膜と、
を備え、
前記AはCa、SrおよびBaからなる群から選ばれる1つ以上の元素であり、
xおよびyは、0.5≦x≦1.0、0.3≦y≦0.5を満たし、
前記電極に正または負の電圧を印加すると、前記プロトン伝導性酸化物薄膜と接する絶縁体または半導体に電子または正孔のキャリアが蓄積される、
電界制御電極。 - 前記プロトン伝導性酸化物薄膜の厚さは1μm以下である、
請求項1に記載の電界制御電極。 - 前記プロトン伝導性酸化物薄膜の厚さは500nm以下である、
請求項1に記載の電界制御電極。 - 前記xは、0.7≦x≦1.0を満たす、
請求項1から3のいずれか1項に記載の電界制御電極。 - 前記xは、0.9≦x≦1.0を満たす、
請求項4に記載の電界制御電極。 - 前記AはBaである、
請求項1から5のいずれか1項に記載の電界制御電極。 - 主面を有し、半導体または絶縁体からなるキャリア伝導層と、
前記主面上において、所定の間隔を隔てて位置する第1電極および第2電極と、
第3電極と、
前記主面上の前記第1電極および前記第2電極の間に位置し、前記第3電極と前記キャリア伝導層との間に位置し、組成式AxZr1-yYyO3-δで表されるペロブスカイト型酸化物を含むプロトン伝導性酸化物薄膜と、
を備え、
前記AはCa、SrおよびBaからなる群から選ばれる1つ以上の元素であり、
xおよびyは、0.5≦x≦1.0、0.3≦y≦0.5を満たす、
電気二重層デバイス。
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---|---|---|---|---|
WO2020179097A1 (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 配線構造体、半導体装置、能動素子の動作方法、配線構造体の製造方法、配線構造体の使用方法及び配線構造体の配線抵抗の制御方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015012049A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 全固体電気二重層を利用した可変電気伝導素子およびそれを用いた電子装置 |
WO2015008407A1 (ja) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プロトン伝導体 |
WO2015114684A1 (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プロトン伝導体 |
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- 2016-05-23 JP JP2016102653A patent/JP6706817B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015012049A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 全固体電気二重層を利用した可変電気伝導素子およびそれを用いた電子装置 |
WO2015008407A1 (ja) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プロトン伝導体 |
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WO2020179097A1 (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 配線構造体、半導体装置、能動素子の動作方法、配線構造体の製造方法、配線構造体の使用方法及び配線構造体の配線抵抗の制御方法 |
JPWO2020179097A1 (ja) * | 2019-03-04 | 2021-10-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 配線構造体、半導体装置、能動素子の動作方法、配線構造体の製造方法、配線構造体の使用方法及び配線構造体の配線抵抗の制御方法 |
JP7033715B2 (ja) | 2019-03-04 | 2022-03-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 配線構造体、半導体装置、能動素子の動作方法、配線構造体の製造方法、配線構造体の使用方法及び配線構造体の配線抵抗の制御方法 |
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