JP2017191955A - Laminate for shielding electromagnetic waves, electromagnetic wave shield laminate, electronic device and method for manufacturing the same - Google Patents

Laminate for shielding electromagnetic waves, electromagnetic wave shield laminate, electronic device and method for manufacturing the same Download PDF

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努 早坂
Tsutomu Hayasaka
努 早坂
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a laminate for shielding electromagnetic waves, which is high in reliability of electromagnetic wave shieldability; an electronic device superior in electromagnetic wave shieldability, which is arranged by use of the laminate for shielding electromagnetic waves and enables the achievement of downsizing; and a method for manufacturing the electronic device.SOLUTION: The above problem is solved by a laminate for shielding electromagnetic waves, which is arranged by laminating a conductive adhesion layer (I) and an insulator layer having a hollow structure. The conductive adhesion layer (I) includes a binder resin which is softened by heat, and a conductive filler.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、電磁波シールド用積層体に関する。また、前述の電磁波シールド用積層体を用いてなる電磁波シールド積層体、電子機器およびその製造方法に関する。   The present invention relates to an electromagnetic wave shielding laminate. In addition, the present invention relates to an electromagnetic wave shielding laminate, an electronic device, and a method for manufacturing the same, using the aforementioned electromagnetic shielding laminate.

携帯端末、PC、サーバー等をはじめとする各種電子機器には、フレキシブルプリント配線板等の基板が内蔵されている。これらの基板には、外部からの磁場や電波による誤動作を防止するために、また、電気信号からの不要輻射を低減するために、通常、電磁波シールド構造が設けられている。   Various electronic devices such as portable terminals, PCs, servers, and the like incorporate a substrate such as a flexible printed wiring board. These substrates are usually provided with an electromagnetic shielding structure in order to prevent malfunctions due to external magnetic fields and radio waves and to reduce unnecessary radiation from electrical signals.

特許文献1においては、フレキシブルプリント配線板に用いるシールドフィルムとして、カバーフィルム、金属薄膜層、接着剤層がこの順で積層されたシールド層を設ける構成が開示されている。このシールドフィルムの一端側には、前述のシールド層と導通するようにカバーフィルムに押し付けられてカバーフィルムを突き抜ける導電性バンプ、突起または金属フィラーを設け、他端側には、露出してその近傍のグランド部に接続可能に形成したグランド部材を設ける構成が開示されている。また、シールドフィルムのカバーフィルムにエキシマーレーザにより窓部を設けて、その窓部に導電性接着剤を介してグランド部材を一端に接続し、グランド部材の他端を近くにあるグランド部に接続する構造が開示されている。   In patent document 1, the structure which provides the shield layer which laminated | stacked the cover film, the metal thin film layer, and the adhesive bond layer in this order as a shield film used for a flexible printed wiring board is disclosed. One end of this shield film is provided with conductive bumps, protrusions or metal fillers that are pressed against the cover film so as to be electrically connected to the above-mentioned shield layer, and are exposed in the vicinity of the other end. The structure which provides the ground member formed so that connection to the ground part of this is possible is disclosed. Moreover, a window part is provided on the cover film of the shield film by an excimer laser, a ground member is connected to the window part via a conductive adhesive, and the other end of the ground member is connected to a nearby ground part. A structure is disclosed.

また、特許文献2においては、ベースフィルムに信号導体、グランド導体が形成され、絶縁フィルムが被覆されたフレキシブルフラットケーブルが、シールドフィルムに挟持され、シールドフィルムの一方が、外部グランド部材に接続された導電部材に熱圧着された構造が提案されている。導電部材は、外部グランド部材に接続するための金属層(不図示)と、導電性粒子を含む導電性接着層とを接触状態に備えている。シールドフィルムは、接着層、介在層、接着層、金属薄膜層およびカバーフィルムの積層体からなる。導電部材がシールドフィルムに熱圧着されることにより、導電性粒子がカバーフィルムを突き破り、導電部材とシールドフィルムとが電気的に接続されるようになっている。フレキシブルフラットケーブルのグランド導体は、組み込まれる電子機器の筐体などの外部グランド部材に接続され、グランド導体と導電部材とが同じグランド電位になっている。   In Patent Document 2, a flexible flat cable in which a signal conductor and a ground conductor are formed on a base film and covered with an insulating film is sandwiched between shield films, and one of the shield films is connected to an external ground member. A structure that is thermocompression bonded to a conductive member has been proposed. The conductive member includes a metal layer (not shown) for connecting to the external ground member and a conductive adhesive layer containing conductive particles in contact. A shield film consists of a laminated body of an adhesive layer, an intervening layer, an adhesive layer, a metal thin film layer, and a cover film. When the conductive member is thermocompression bonded to the shield film, the conductive particles break through the cover film, and the conductive member and the shield film are electrically connected. The ground conductor of the flexible flat cable is connected to an external ground member such as a casing of an electronic device to be incorporated, and the ground conductor and the conductive member have the same ground potential.

特許3434021号Japanese Patent No. 3434021 特開2011−66329号公報JP 2011-66329 A

近年の信号の高速化や装置の軽薄短小化に伴い、配線同士の離間距離が狭くなり、電磁妨害(Electro Magnetic Interference(EMI))をより効果的に防止する技術および電磁両立性(Electromagnetic Compatibility(EMC))の向上を図る技術が求められている。   With the recent increase in signal speed and reduction in the size of devices, the separation distance between wires has become narrower, and the technology and electromagnetic compatibility (Electromagnetic Compatibility) (Electro Magnetic Interference (EMI)) can be more effectively prevented. There is a need for a technique for improving EMC)).

特許文献1のシールドフィルムにおいては、カバーフィルムに押し付けられてカバーフィルムを突き抜ける導電性バンプ、突起または金属フィラーを設けているため、カバーフィルムの膜厚、金属フィラー等のサイズ、接合条件等を精密に制御する必要があり、信頼性に課題があった。また、エキシマーレーザを用いる方法においては、窓部の開口不良が生じないように照射条件を精密に制御する必要があった。
また、特許文献2のシールド配線板においても、導電性粒子の平均突出長よりも薄い層厚みにする必要があり、導電性粒子の粒子サイズ、熱圧着条件、カバーフィルムの厚み等を精密に制御する必要があり、信頼性に課題があった。また、フレキシブルフラットケーブルのグランド導体を外部筐体に接続する構造およびその領域を確保する必要があった。
In the shield film of Patent Document 1, since conductive bumps, protrusions, or metal fillers that are pressed against the cover film and penetrate the cover film are provided, the film thickness of the cover film, the size of the metal filler, the bonding conditions, etc. are precise. There was a problem in reliability. Further, in the method using an excimer laser, it is necessary to precisely control the irradiation conditions so as not to cause a window opening defect.
Also, in the shield wiring board of Patent Document 2, it is necessary to make the layer thickness thinner than the average protruding length of the conductive particles, and the particle size of the conductive particles, the thermocompression bonding conditions, the thickness of the cover film, etc. are precisely controlled. There was a problem in reliability. In addition, it is necessary to secure a structure and a region for connecting the ground conductor of the flexible flat cable to the external housing.

本発明は、上記背景に鑑みて成されたものであり、その目的とすることは、電磁波シールド用積層体の厚み方向にグランド接続構造を設け、電磁波シールド用積層体の表面の任意の位置おいて確実にグランド接続できるように構成したので、回路設計の自由度を向上させ、グランド接続が確実となり、電磁波シールド性の信頼性が高い電磁波シールド用積層体、この電磁波シールド用積層体を用いて小型化を実現可能な電磁波シールド性に優れた電子機器およびその製造方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above-described background, and the object of the present invention is to provide a ground connection structure in the thickness direction of the electromagnetic wave shielding laminate, and to set an arbitrary position on the surface of the electromagnetic wave shielding laminate. In order to improve the degree of freedom in circuit design, the ground connection is ensured, and the electromagnetic shielding layered product with high reliability of electromagnetic shielding properties, this electromagnetic shielding layered product is used. It is an object of the present invention to provide an electronic device excellent in electromagnetic wave shielding property that can be miniaturized and a manufacturing method thereof.

本発明者らが鋭意検討を重ねたところ、以下の態様において、本発明の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of extensive studies by the present inventors, it has been found that the problems of the present invention can be solved in the following modes, and the present invention has been completed.

本発明に係る電磁波シールド用積層体は、導電性接着層(I)と中空構造を有する絶縁層とが積層されてなり、前記導電性接着層(I)が、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有することを特徴とする。   The laminate for electromagnetic wave shielding according to the present invention comprises a conductive adhesive layer (I) and an insulating layer having a hollow structure, wherein the conductive adhesive layer (I) is softened by heat, It contains an electrically conductive filler.

本発明に係る電磁波シールド積層体は、基板上に形成されたグランド回路と、筐体側のアース部とを接地する電磁波シールド積層体であって、前記グランド回路を含む回路パターンが形成された基板が、開口部と、前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜を有しており、前記絶縁保護膜上に、電磁波シールド層と中空構造を有する絶縁層とがこの順に積層され、前記絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路とが導通し、かつ、前記絶縁層の中空構造の中空部を介して、前記電磁波シールド層と前記アース部とが電気的に接続するように、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有し、熱圧着により前記電磁波シールド層として機能する導電性接着剤層(I)と、前記中空構造を有する絶縁層とを積層した積層体である。   An electromagnetic wave shield laminate according to the present invention is an electromagnetic wave shield laminate for grounding a ground circuit formed on a substrate and a grounding part on a housing side, wherein the substrate on which a circuit pattern including the ground circuit is formed is provided. And an insulating protective film for insulating and protecting the circuit pattern, and an electromagnetic shielding layer and an insulating layer having a hollow structure are laminated in this order on the insulating protective film, The electromagnetic wave shielding layer and the ground circuit are electrically connected through the provided opening, and the electromagnetic wave shielding layer and the grounding part are electrically connected through a hollow portion of a hollow structure of the insulating layer. The conductive adhesive layer (I) containing a binder resin softened by heat and a conductive filler and functioning as the electromagnetic wave shielding layer by thermocompression bonding, and the hollow structure It is a laminate of an insulating layer laminated to.

本発明に係る電子機器は、筐体に、電磁波シールド層付き基板がアース部により接合された電子機器であって、前記基板上には、グランド回路を含む回路パターンと、前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上に積層され、当該絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記グランド回路と導通し、且つ前記回路パターンをシールドする電磁波シールド層と、前記電磁波シールド層上に形成され、中空構造を有する絶縁層とを具備し、前記絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路が導通し、かつ、前記絶縁層の中空構造の中空部を介して、前記電磁波シールド層と前記アース部とが電気的に接続するように形成されており、前記電磁波シールド層は、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する導電性接着層(I)を熱圧着することにより形成した層を有する。   An electronic device according to the present invention is an electronic device in which a substrate with an electromagnetic wave shielding layer is joined to a housing by a ground portion, and a circuit pattern including a ground circuit is insulated and protected on the substrate. An insulating protective film that is laminated on the insulating protective film, is electrically connected to the ground circuit through an opening provided in the insulating protective film, and shields the circuit pattern, and the electromagnetic wave shield An insulating layer having a hollow structure formed on the layer, wherein the electromagnetic shielding layer and the ground circuit are electrically connected through an opening provided in the insulating protective film, and the insulating layer has a hollow structure. The electromagnetic wave shielding layer and the earthing part are formed so as to be electrically connected via a hollow part of the electromagnetic wave, and the electromagnetic wave shielding layer is a binder that is softened by heat. It has a resin, the conductive adhesive layer containing a conductive filler layer formed by thermocompression bonding (I).

本発明に係る電子機器の製造方法は、筐体に、電磁波シールド層付き基板が接合された電子機器の製造方法であって、グランド回路を含む回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護し、前記グランド回路上の少なくとも一部に開口部を有する絶縁保護膜を形成し、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する導電性接着層(I)と、中空構造を有する絶縁層とを積層してなる電磁波シールド用積層体を、前記導電性接着層(I)が下層側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、前記電磁波シールド用積層体を熱圧着して電磁波シールド層を形成し、さらに導電性接着層(II)を有するアース部を、導電性接着層(II)が下層側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記絶縁層の中空部に、導電性接着層(II)を流入させ、絶縁層の中空構造の中空部を介して、前記電磁波シールド層と、前記アース部とを電気的に接続させるように、電磁波シールド層付き基板を筐体に接合する方法である。   The method for manufacturing an electronic device according to the present invention is a method for manufacturing an electronic device in which a substrate with an electromagnetic wave shielding layer is bonded to a housing, wherein the circuit pattern is formed on a substrate on which a circuit pattern including a ground circuit is formed. An insulating protective film having an opening on at least a part of the ground circuit, a binder resin softened by heat, a conductive adhesive layer (I) containing a conductive filler, and a hollow structure An electromagnetic wave shielding laminate formed by laminating an insulating layer is disposed on the insulating protective film so that the conductive adhesive layer (I) is on the lower layer side, and then the electromagnetic shielding laminate is thermocompression bonded. Then, an electromagnetic shielding layer is formed, and a ground portion having a conductive adhesive layer (II) is further disposed on the insulating layer so that the conductive adhesive layer (II) is on the lower layer side, and thermocompression-bonded to In the hollow part of the insulation layer Then, the substrate with the electromagnetic wave shielding layer is encased so that the conductive adhesive layer (II) is introduced and the electromagnetic wave shielding layer and the grounding part are electrically connected through the hollow part of the hollow structure of the insulating layer. It is a method of joining to the body.

本発明によれば、電磁波シールド層付き基板の厚み方向にアース接続構造を設け、電磁波シールド層付き基板内部のグランド回路と電磁波シールド層付き基板の表面の任意の位置に設けたアース部とのグランド経路を上記のアース接続構造で実現するので、小型化を実現できるとともに電磁波シールド層付き基板のグランド回路の配置の設計自由度を高めることができる。また、電磁波シールド積層体内部に多数のグランド回路を形成することが可能となり、電磁波シールド効果をより効果的に向上させることができる。
本発明によれば、電磁波シールド層付き基板の厚み方向にグランド接続構造を設け、電磁波シールド層付き基板の表面の任意の位置においてグランド接続できるように構成したので、グランド接続が確実となり、電磁波シールド性の信頼性が高い電磁波シールド用積層体、この電磁波シールド用積層体を用いて小型化を実現可能な電磁波シールド性に優れた電磁波シールド積層体、電子機器およびその製造方法を提供できるという優れた効果を奏する。
According to the present invention, the ground connection structure is provided in the thickness direction of the substrate with the electromagnetic wave shielding layer, and the ground between the ground circuit in the substrate with the electromagnetic wave shielding layer and the ground portion provided at an arbitrary position on the surface of the substrate with the electromagnetic wave shielding layer is provided. Since the path is realized by the above-described ground connection structure, it is possible to realize downsizing and increase the degree of design freedom in the arrangement of the ground circuit of the substrate with the electromagnetic wave shielding layer. In addition, a large number of ground circuits can be formed inside the electromagnetic wave shield laminate, and the electromagnetic wave shielding effect can be improved more effectively.
According to the present invention, the ground connection structure is provided in the thickness direction of the substrate with the electromagnetic wave shield layer, and the ground connection can be made at an arbitrary position on the surface of the substrate with the electromagnetic wave shield layer. Excellent electromagnetic wave shielding laminate, electromagnetic wave shielding laminate excellent in electromagnetic shielding properties that can be miniaturized by using this electromagnetic shielding laminate, an electronic device, and a method for producing the same There is an effect.

第1実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の要部の模式的断面図。The typical sectional view of the important section of the electronic equipment with an electromagnetic wave shield layer concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の各構成要素の模式的断面図。The typical sectional view of each component of the electronic equipment with an electromagnetic wave shield layer concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の製造工程断面図。Manufacturing process sectional drawing of the electronic device with an electromagnetic wave shield layer which concerns on 1st Embodiment. 第2実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の要部の模式的断面図。The typical sectional view of the important section of the electronic equipment with an electromagnetic wave shield layer concerning a 2nd embodiment. 第3実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の要部の模式的断面図。Typical sectional drawing of the principal part of the electronic device with an electromagnetic wave shield layer which concerns on 3rd Embodiment. 第4実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の要部の模式的断面図。Typical sectional drawing of the principal part of the electronic device with an electromagnetic wave shield layer which concerns on 4th Embodiment.

以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、以降の図における各部材のサイズや比率は、説明の便宜上のものであり、これに限定されるものではない。   Hereinafter, an example of an embodiment to which the present invention is applied will be described. In addition, the size and ratio of each member in the following drawings are for convenience of explanation, and are not limited to this.

本発明の電子機器は、筐体に、電磁波シールド層付き基板がアース部により接合された電子機器であって、前記基板上には、グランド回路を含む回路パターンと、前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上に積層され、当該絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記グランド回路と導通し、且つ前記回路パターンをシールドする電磁波シールド層と、前記電磁波シールド層上に形成され、中空構造を有する絶縁層とを具備し、前記絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路が導通し、かつ、前記絶縁層の中空構造の中空部を介して、前記電磁波シールド層と前記アース部とが電気的に接続するように形成されており、前記電磁波シールド層は、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する導電性接着層(I)を熱圧着することにより形成した層を有することを特徴とする。   The electronic device of the present invention is an electronic device in which a substrate with an electromagnetic wave shielding layer is bonded to a housing by a ground portion, and a circuit pattern including a ground circuit is insulated and protected on the substrate. An electromagnetic wave shielding layer that is laminated on the insulating protective film, is electrically connected to the ground circuit through an opening provided in the insulating protective film, and shields the circuit pattern; and An insulating layer having a hollow structure formed thereon, the electromagnetic wave shielding layer and the ground circuit are electrically connected through an opening provided in the insulating protective film, and the insulating layer has a hollow structure. The electromagnetic wave shielding layer and the earthing part are formed so as to be electrically connected via a hollow part, and the electromagnetic wave shielding layer is a binder tree that is softened by heat. When, wherein the conductive adhesive layer containing a conductive filler (I) having a layer formed by thermocompression bonding.

[第1実施形態]
図1に、第1実施形態に係る電子機器の要部の模式的断面図を示す。電子機器1は、電子機器の電磁波シールド層付き基板30が筐体40に接合されたものであり、図1に示すように、回路基板10、電磁波シールド積層体20、筐体40を接続するアース部50等を有する。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a main part of the electronic device according to the first embodiment. The electronic device 1 is obtained by bonding a substrate 30 with an electromagnetic wave shielding layer of an electronic device to a housing 40. As shown in FIG. 1, the circuit board 10, the electromagnetic wave shielding laminate 20, and a ground for connecting the housing 40 are provided. Part 50 and the like.

《回路基板》
回路基板10は、図2(c)に示すように、信号回路12、グランド回路13等の回路パターン14が形成された基板11と、これらの上層を被覆する絶縁保護膜(カバーレイ)15等からなる。基板11としては、本発明の趣旨に適合する限り特に限定されず、リジッド基板、フレキシブル基板、リジッドフレキシブル基板等に広く適用できる。回路パターン14の形成方法は特に限定されず公知の方法を利用できる。
<Circuit board>
As shown in FIG. 2C, the circuit board 10 includes a substrate 11 on which a circuit pattern 14 such as a signal circuit 12 and a ground circuit 13 is formed, an insulating protective film (cover lay) 15 covering these upper layers, and the like. Consists of. The substrate 11 is not particularly limited as long as it conforms to the gist of the present invention, and can be widely applied to a rigid substrate, a flexible substrate, a rigid flexible substrate, and the like. The formation method of the circuit pattern 14 is not specifically limited, A well-known method can be utilized.

基板11としてフレキシブルプリント基板を用いる場合には、例えば、厚み5〜100μm程度の絶縁性ベースフィルムと厚み5〜100μm程度の回路パターン14が接着層を介して接合された構造を用いることができる。絶縁性ベースフィルムの材料は特に限定されないが、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリフェニレンサルファイド等の樹脂が例示できる。基板11は、折り曲げた状態等で使用してもよい。   When a flexible printed circuit board is used as the substrate 11, for example, a structure in which an insulating base film having a thickness of about 5 to 100 μm and a circuit pattern 14 having a thickness of about 5 to 100 μm are bonded via an adhesive layer can be used. The material of the insulating base film is not particularly limited, and examples thereof include resins such as polyimide, polyamide, polyamideimide, polyetherimide, polybenzoxazole, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, and polyphenylene sulfide. The substrate 11 may be used in a bent state or the like.

基板11としてリジッド基板を用いる場合には、例えば、ガラスエポキシ基板、ガラスコンポジット基板、テフロン(登録商標)基板、セラミックス基板等が挙げられる。基板11上には、信号回路12に接続される能動素子を含む電子素子が実装されていてもよい。   When a rigid substrate is used as the substrate 11, for example, a glass epoxy substrate, a glass composite substrate, a Teflon (registered trademark) substrate, a ceramic substrate, and the like can be given. An electronic element including an active element connected to the signal circuit 12 may be mounted on the substrate 11.

回路パターン14の材料は特に限定されないが、Cu,Al,Au,Ag、Ni,Pd,Sn,Cr,W,Fe,TiおよびSUS材等の金属ならびにその合金等の導電材料が例示できる。グランド回路13の形成位置は、電磁波シールド積層体20および該電磁波シールド積層体の表面に設けられたアース部50にアースコンタクトが取れればよく、基板11の表面の他、基板の内部あるいは基板の裏面でもよい。信号回路12の形成位置についても同様である。   The material of the circuit pattern 14 is not particularly limited, and examples thereof include metals such as Cu, Al, Au, Ag, Ni, Pd, Sn, Cr, W, Fe, Ti, and SUS materials, and conductive materials such as alloys thereof. The ground circuit 13 may be formed as long as a ground contact can be made with the electromagnetic shield laminate 20 and the ground portion 50 provided on the surface of the electromagnetic shield laminate. But you can. The same applies to the formation position of the signal circuit 12.

絶縁保護膜15は、回路パターン14を保護する役割を担い、絶縁性を有し、後述する熱圧着工程に耐え得る層であれば特に限定されない。好適な例としては、酸化シリコン、窒化シリコン、窒素含有酸化シリコン等の無機材料膜もしくはポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂等の有機材料膜などが例示できる。ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体等の樹脂、光重合性化合物、光重合開始剤等を含む感光性樹脂組成物を用いてもよい。絶縁保護膜15は単層としてもよく、同一又は異なる複数の層を積層してもよい。複数の層を積層する場合ポリイミドフィルムと絶縁性接着剤からなるポリイミドカバーレイフィルムが好適に用いることができる。絶縁保護膜15には、グランド回路13の上層に開口パターンである開口部16が設けられている。   The insulating protective film 15 is not particularly limited as long as it has a role of protecting the circuit pattern 14, has an insulating property, and can withstand a thermocompression bonding process described later. Preferable examples include inorganic material films such as silicon oxide, silicon nitride, and nitrogen-containing silicon oxide, or organic material films such as polyimide resin and polybenzoxazole resin. A photosensitive resin composition containing a resin such as a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor, a photopolymerizable compound, a photopolymerization initiator, or the like may be used. The insulating protective film 15 may be a single layer, or a plurality of the same or different layers may be laminated. When laminating a plurality of layers, a polyimide coverlay film composed of a polyimide film and an insulating adhesive can be suitably used. The insulating protective film 15 is provided with an opening 16 as an opening pattern in an upper layer of the ground circuit 13.

《電磁波シールド積層体》
本発明の電磁波シールド積層体20は、基板上に形成されたグランド回路と、筐体側のアース部とを接地する電磁波シールド積層体であって、前記グランド回路を含む回路パターンが形成された基板が、開口部と、前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜を有しており、前記絶縁保護膜上に、電磁波シールド層と中空構造を有する絶縁層とがこの順に積層され、前記絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路とが導通し、かつ、前記絶縁層の中空構造の中空部を介して、前記電磁波シールド層と前記アース部とが電気的に接続するように、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有し、熱圧着により前記電磁波シールド層として機能する導電性接着剤層(I)と、前記中空構造を有する絶縁層とを積層した積層体である。
<Electromagnetic wave shield laminate>
The electromagnetic wave shield laminate 20 of the present invention is an electromagnetic wave shield laminate that grounds a ground circuit formed on a substrate and a grounding part on a housing side, and the substrate on which a circuit pattern including the ground circuit is formed is provided. And an insulating protective film for insulating and protecting the circuit pattern, and an electromagnetic shielding layer and an insulating layer having a hollow structure are laminated in this order on the insulating protective film, The electromagnetic wave shielding layer and the ground circuit are electrically connected through the provided opening, and the electromagnetic wave shielding layer and the grounding part are electrically connected through a hollow portion of a hollow structure of the insulating layer. The conductive adhesive layer (I) containing a binder resin softened by heat and a conductive filler and functioning as the electromagnetic wave shielding layer by thermocompression bonding, and the hollow structure It is a laminate of an insulating layer laminated to.

具体的には、導電性接着層(I)25を熱圧着することにより形成される電磁波シールド層21を有する電磁波シールド積層体20は、電磁波シールド層21と中空構造を有する絶縁層22とを有し、図2(b)に示すように、導電性接着層(I)25と、中空部24および樹脂部とからなる中空構造を有する絶縁層22を少なくとも積層した電磁波シールド用積層体28を用いて形成される。
電磁波シールド層21は、導電性接着層(I)から形成される導電性接着層(I)21a上に、さらに、図4に示すように、金属箔等の金属層21bを単層または複数層積層してもよい。金属箔等の導電層である金属層21bを有することで例えば100MHz〜20GHzの高周波信号に対する電磁波シールド性、および伝送特性が向上する。金属層は酸化による導電性の低下を抑制するため、防錆処理されていることが好ましい。防錆処理は、ベンゾトリアゾール試薬等による有機膜の形成や、ニッケル、クロム、亜鉛等の金属メッキすることができるが、耐酸化性の点から金属メッキが好ましい。
Specifically, the electromagnetic wave shielding laminate 20 having the electromagnetic wave shielding layer 21 formed by thermocompression bonding of the conductive adhesive layer (I) 25 includes the electromagnetic wave shielding layer 21 and the insulating layer 22 having a hollow structure. As shown in FIG. 2B, an electromagnetic wave shielding laminate 28 in which at least an insulating layer 22 having a hollow structure composed of a conductive adhesive layer (I) 25 and a hollow portion 24 and a resin portion is laminated is used. Formed.
As shown in FIG. 4, the electromagnetic wave shielding layer 21 includes a single layer or a plurality of layers of a metal layer 21b such as a metal foil on the conductive adhesive layer (I) 21a formed from the conductive adhesive layer (I). You may laminate. By having the metal layer 21b which is a conductive layer such as a metal foil, the electromagnetic wave shielding property and the transmission characteristic against a high frequency signal of, for example, 100 MHz to 20 GHz are improved. The metal layer is preferably subjected to rust prevention treatment in order to suppress a decrease in conductivity due to oxidation. The rust prevention treatment can form an organic film with a benzotriazole reagent or the like, or can be plated with metal such as nickel, chromium or zinc, but metal plating is preferred from the viewpoint of oxidation resistance.

さらに、後述するように、アース部50と導通を取るために、中空構造を熱圧着によって破壊し導電接着層(II)を流入させる際、金属層21bが絶縁層22の下地となる場合、熱圧着時の圧力が中空構造に伝わりやすくなり、中空部24を破壊し、より確実にアース部50と導通を確保することができる。この場合には、導電性接着層(I)25は、Z軸方向に異方的に導電性を発現する異方導電性であってもよい。   Furthermore, as will be described later, when the metal layer 21b becomes the base of the insulating layer 22 when the hollow structure is broken by thermocompression bonding and the conductive adhesive layer (II) is introduced to conduct with the ground portion 50, The pressure at the time of crimping can be easily transmitted to the hollow structure, and the hollow portion 24 can be broken, and the electrical connection with the ground portion 50 can be more reliably ensured. In this case, the conductive adhesive layer (I) 25 may be anisotropic conductive that exhibits conductivity anisotropically in the Z-axis direction.

<電磁波シールド層>
第1実施形態の電磁波シールド層21は、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する導電性接着層(I)25を熱圧着により形成した電磁波シールド層を少なくとも有する。
<Electromagnetic wave shielding layer>
The electromagnetic wave shielding layer 21 of the first embodiment has at least an electromagnetic wave shielding layer in which a binder resin softened by heat and a conductive adhesive layer (I) 25 containing a conductive filler are formed by thermocompression bonding.

電磁波シールド層21は、回路パターン14から発生する電磁波の外部への漏洩を防ぎ、また、外部から回路への電磁波(ノイズ)を遮蔽する役割を担う。電磁波シールド層21は、絶縁保護膜15の開口部16を介してグランド回路13と導通している。   The electromagnetic wave shielding layer 21 serves to prevent electromagnetic waves generated from the circuit pattern 14 from leaking to the outside and to shield electromagnetic waves (noise) from the outside to the circuit. The electromagnetic wave shielding layer 21 is electrically connected to the ground circuit 13 through the opening 16 of the insulating protective film 15.

第1実施形態の電磁波シールド層21は、導電性接着層(I)25を熱圧着により得たシールド効果を有する層よりなる。熱圧着により、導電性接着層(I)25は電磁波シールド層21を形成し、グランド回路13および絶縁保護膜15と接着し、且つグランド回路13と電磁波シールド層21を導通させることができる。電磁波シールド層21の形成位置は、シールド特性を効果的に発揮させる観点からは、回路パターン14の形成領域に対向配置することが好ましい。回路パターン14の端部方向からの電磁波の放射や侵入を防止する観点からは、回路パターン14の形成領域よりも広い範囲に電磁波シールド層21を形成することがより好ましい。但し、用途に応じて、回路パターン14の形成領域全てに電磁波シールド層21を対向配置させなくてもよい。   The electromagnetic wave shielding layer 21 of the first embodiment is composed of a layer having a shielding effect obtained by thermocompression bonding of the conductive adhesive layer (I) 25. By the thermocompression bonding, the conductive adhesive layer (I) 25 can form the electromagnetic wave shielding layer 21, adhere to the ground circuit 13 and the insulating protective film 15, and make the ground circuit 13 and the electromagnetic wave shielding layer 21 conductive. The formation position of the electromagnetic wave shielding layer 21 is preferably disposed opposite the formation area of the circuit pattern 14 from the viewpoint of effectively exhibiting the shielding characteristics. From the viewpoint of preventing radiation and intrusion of electromagnetic waves from the end direction of the circuit pattern 14, it is more preferable to form the electromagnetic wave shielding layer 21 in a range wider than the formation area of the circuit pattern 14. However, the electromagnetic wave shielding layer 21 may not be disposed so as to face the entire formation region of the circuit pattern 14 depending on the application.

導電性接着層(I)25は、150℃、圧力20kg/cmの条件で30分熱圧着した場合におけるフロー量が、0.005mm以上、2mm以下であることが好ましく、0.05mm以上、1mm以下がより好ましく、0.05mm以上、0.5mm以下がさらに好ましい。0.005mm以上、2mm以下の範囲とすることにより、開口部16を充填するために適度な流動性が得られる。なお、フロー量とは、導電性接着層(I)25を上記条件で圧着した際、導電性接着層(I)25の元のサイズに対して側面部からはみ出した長さをいう。 The conductive adhesive layer (I) 25 preferably has a flow amount of 0.005 mm or more and 2 mm or less when thermocompression bonding is performed at 150 ° C. and a pressure of 20 kg / cm 2 for 30 minutes, 0.05 mm or more, 1 mm or less is more preferable, and 0.05 mm or more and 0.5 mm or less is more preferable. By setting it in the range of 0.005 mm or more and 2 mm or less, moderate fluidity is obtained to fill the opening 16. The flow amount refers to a length that protrudes from the side surface with respect to the original size of the conductive adhesive layer (I) 25 when the conductive adhesive layer (I) 25 is pressure-bonded under the above conditions.

なお、本製造工程の熱圧着工程の温度および圧力は、150℃、20kg/cm、30分の条件で行う必要はなく、回路等の構成部材の耐熱性、製造設備あるいはニーズに応じて、電磁波シールド層の被覆性が確保できる範囲においてそれぞれ独立に任意に設定できる。0.005mm以上、2mm以下のフロー量が得られる温度条件・圧力条件に設定することが好ましい。圧力範囲としては、前記フロー量が得られる圧力であることが好ましく限定されないが、1〜50kg/cm程度が好ましく、5〜30kg/cm程度がより好ましい。圧着時間は、前記フロー量が得られる時間であることが好ましく限定されないが、1〜30分程度が好ましい。 The temperature and pressure in the thermocompression bonding process of this manufacturing process do not need to be performed under the conditions of 150 ° C., 20 kg / cm 2 , 30 minutes, depending on the heat resistance of components such as circuits, manufacturing equipment or needs, In the range which can ensure the coating | covering property of an electromagnetic wave shield layer, it can set arbitrarily independently, respectively. It is preferable to set the temperature and pressure conditions so that a flow amount of 0.005 mm or more and 2 mm or less is obtained. The pressure range, the flow amount but is not limited, it is preferably a pressure to be obtained, preferably about 1 to 50 kg / cm 2, about 5~30kg / cm 2 is more preferable. The crimping time is preferably not limited to the time for obtaining the flow amount, but is preferably about 1 to 30 minutes.

導電性接着層(I)25の厚みは、後述する熱圧着工程の際に開口部16に導電性接着層25を充填せしめ、且つ絶縁保護膜15上にも被覆することが可能な厚みとする。用いるバインダー樹脂の流動性や、開口部16のサイズにより変動し得るが、通常、導電性接着層(I)25の厚みは、1〜100μm程度が好ましく、3〜50μm程度がより好ましく、5〜20μm程度がさらに好ましい。これにより、絶縁保護膜15への被覆性を良好にしつつ、電磁波シールド性を効果的に発揮し、且つ、薄膜化を達成することができる。   The thickness of the conductive adhesive layer (I) 25 is set so that the opening 16 can be filled with the conductive adhesive layer 25 and can be covered on the insulating protective film 15 in the thermocompression bonding step described later. . The thickness of the conductive adhesive layer (I) 25 is usually preferably about 1 to 100 μm, more preferably about 3 to 50 μm, although it may vary depending on the fluidity of the binder resin used and the size of the opening 16. More preferably, it is about 20 μm. As a result, it is possible to effectively exhibit electromagnetic wave shielding properties and achieve thinning while improving the covering property to the insulating protective film 15.

(バインダー樹脂)
導電性接着層(I)25を構成するバインダー樹脂は、熱により軟化する樹脂であり、Tgは、−20℃以上、100℃以下が好ましく、−10℃以上、80℃以下がより好ましい。バインダー樹脂は、1種類を用いても複数種類を併用してもよい。複数種類を用いる場合は、混合前のTgが上記範囲に含まれているものを主成分とすることが好ましい。導電性接着層(I)25の材料は、熱圧着時に軟化して開口部16の表面に追随する流れ性があり、電磁波シールド性を発揮できる導電特性を有していればよく、特に限定されない。
(Binder resin)
The binder resin constituting the conductive adhesive layer (I) 25 is a resin that is softened by heat, and Tg is preferably −20 ° C. or higher and 100 ° C. or lower, and more preferably −10 ° C. or higher and 80 ° C. or lower. One type of binder resin may be used or a plurality of types may be used in combination. In the case of using a plurality of types, it is preferable that the main component is Tg before mixing included in the above range. The material of the conductive adhesive layer (I) 25 is not particularly limited as long as it has a flowability that softens during thermocompression bonding and follows the surface of the opening 16, and has a conductive property that can exhibit electromagnetic shielding properties. .

導電性接着層(I)25を形成する組成物中のバインダー樹脂としては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で特に限定されないが、熱硬化性樹脂が好ましい。また、後工程においてリフロー工程等の加熱工程が無い用途においては、熱可塑性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂は、自己架橋性タイプおよび硬化剤反応タイプが使用できる。硬化剤反応タイプのバインダー樹脂としては、硬化剤と反応可能な反応性官能基が結合された熱硬化性樹脂が好適である。   The binder resin in the composition for forming the conductive adhesive layer (I) 25 is not particularly limited as long as it does not depart from the gist of the present invention, but a thermosetting resin is preferable. In applications where there is no heating step such as a reflow step in the subsequent step, a thermoplastic resin is preferred. As the thermosetting resin, a self-crosslinking type and a curing agent reaction type can be used. As the curing agent reaction type binder resin, a thermosetting resin to which a reactive functional group capable of reacting with the curing agent is bonded is preferable.

上記熱硬化性樹脂は、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステル、ウレタンウレア、およびポリイミド等が好ましい。前記熱硬化性樹脂は、通常、自己架橋可能な官能基、または硬化剤と反応可能な官能基を有している。これらの中でも電磁波シールド層付き電子機器1を製造する時(例えば、リフロー時)における過酷な条件を考慮すると、熱硬化性樹脂は、エポキシ、エポキシエステル、ウレタン、ウレタンウレア、およびポリアミドのうちの少なくとも1つを含んでいることが好ましい。また、加熱工程に耐え得る範囲であれば、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を併用できる。   The thermosetting resin is preferably epoxy, acrylic, urethane, polystyrene, polycarbonate, polyamide, polyamideimide, polyesteramide, polyetherester, urethane urea, polyimide, or the like. The thermosetting resin usually has a functional group capable of self-crosslinking or a functional group capable of reacting with a curing agent. Among these, in consideration of severe conditions when manufacturing the electronic device 1 with an electromagnetic wave shielding layer (for example, at the time of reflow), the thermosetting resin is at least one of epoxy, epoxy ester, urethane, urethane urea, and polyamide. Preferably one is included. Moreover, if it is the range which can endure a heating process, a thermosetting resin and a thermoplastic resin can be used together.

(硬化剤)
上記硬化剤は、前記硬化性官能基と反応可能な官能基を複数有している。硬化剤は、エポキシ化合物、酸無水物基含有化合物、イソシアネート化合物、アジリジン化合物、ジシアンジアミド、芳香族ジアミン等のアミン化合物、フェノールノボラック樹脂等のフェノール化合物等が好ましい。硬化剤は、熱硬化性樹脂100質量部に対して1〜50質量部含むことが好ましく、3〜30質量部がより好ましく、3〜20質量部がさらに好ましい。
(Curing agent)
The curing agent has a plurality of functional groups capable of reacting with the curable functional group. The curing agent is preferably an epoxy compound, an acid anhydride group-containing compound, an isocyanate compound, an aziridine compound, an amine compound such as dicyandiamide, an aromatic diamine, or a phenol compound such as a phenol novolac resin. It is preferable that 1-50 mass parts is contained with respect to 100 mass parts of thermosetting resins, 3-30 mass parts is more preferable, and 3-20 mass parts is further more preferable.

上記熱可塑性樹脂は、ポリエステル、アクリル、ポリエーテル、ウレタン、スチレンエラストマー、ポリカーボネート、ブタジエン、ポリアミド、エステルアミド、イソプレン、およびセルロース等が好ましい。バインダー樹脂は、単独または混合して用いることができる。   The thermoplastic resin is preferably polyester, acrylic, polyether, urethane, styrene elastomer, polycarbonate, butadiene, polyamide, ester amide, isoprene, cellulose, or the like. Binder resins can be used alone or in combination.

(導電性フィラー)
導電性接着層(I)25を形成する組成物中の導電性フィラーは、導電特性を有し、電磁波シールド性を発揮できれば特に限定されないが、金、銀、銅、アルミ、ニッケル、ハンダ等の金属およびその合金、導電性高分子、カーボン等が例示できる。また、銀メッキした銀コート銅フィラー、樹脂粒子等に金属めっきを施した粒子等も好適である。導電性フィラーは単独または混合して用いることができる。導電性フィラーの形状は特に限定されず、例えば、球状、フレーク状、樹枝状等が挙げられる。
(Conductive filler)
The conductive filler in the composition forming the conductive adhesive layer (I) 25 is not particularly limited as long as it has conductive properties and can exhibit electromagnetic wave shielding properties, but gold, silver, copper, aluminum, nickel, solder, etc. Examples thereof include metals and alloys thereof, conductive polymers, and carbon. Also suitable are silver-coated silver-coated copper fillers, particles obtained by subjecting resin particles or the like to metal plating, and the like. The conductive filler can be used alone or in combination. The shape of the conductive filler is not particularly limited, and examples thereof include a spherical shape, a flake shape, and a dendritic shape.

導電性フィラーの平均粒子径は、熱圧着後の電磁波シールド層21の厚みに応じて適宜設計することが好ましい。好ましくは、電磁波シールド層21の厚みに対して、0.05〜2倍の平均粒子径をもつ導電性フィラーを用いることが好ましい。なお、平均粒子径は、走査型電子顕微鏡の拡大画像(例えば千倍〜一万倍)から約10〜20個程度を平均した数値である。また、導電性フィラーが長さ方向と横方向で長さが大きく異なる場合(アスペクト比が1.5以上の場合)は、長さ方向で平均粒子径を算出する。   The average particle diameter of the conductive filler is preferably designed as appropriate according to the thickness of the electromagnetic wave shielding layer 21 after thermocompression bonding. Preferably, a conductive filler having an average particle diameter of 0.05 to 2 times the thickness of the electromagnetic wave shielding layer 21 is preferably used. In addition, an average particle diameter is a numerical value which averaged about 10-20 from the enlarged image (for example, 1000 times-10,000 times) of the scanning electron microscope. When the length of the conductive filler is greatly different between the length direction and the lateral direction (when the aspect ratio is 1.5 or more), the average particle diameter is calculated in the length direction.

導電性フィラーの含有量は、電磁波シールド層21の導電性を確保できればよく、用いる導電性フィラーの形状や種類により変動し得るが、バインダー樹脂100質量部に対して、30〜100質量部含むことが好ましく、40〜90質量部がより好ましい。この範囲とすることにより、電磁波シールド性とフロー性を両立し易くなるという効果が得られる。   The content of the conductive filler is only required to ensure the conductivity of the electromagnetic wave shielding layer 21, and may vary depending on the shape and type of the conductive filler to be used. Is preferable, and 40-90 mass parts is more preferable. By setting it as this range, the effect that it becomes easy to make electromagnetic shielding property and flow property compatible is acquired.

さらに、導電性接着層(I)25を構成する組成物には、着色剤、難燃剤、無機添加剤、滑剤、ブロッキング防止剤等を含んでいてもよい。
着色剤としては、例えば、有機顔料、カーボンブラック、群青、弁柄、亜鉛華、酸化チタン、黒鉛等が挙げられる。
難燃剤としては、例えば、ハロゲン含有難燃剤、りん含有難燃剤、窒素含有難燃剤、無機難燃剤等が挙げられる。
無機添加剤としては、例えば、ガラス繊維、シリカ、タルク、セラミック等が挙げられる。
Furthermore, the composition constituting the conductive adhesive layer (I) 25 may contain a colorant, a flame retardant, an inorganic additive, a lubricant, an antiblocking agent, and the like.
Examples of the colorant include organic pigments, carbon black, ultramarine blue, petals, zinc white, titanium oxide, and graphite.
Examples of the flame retardant include a halogen-containing flame retardant, a phosphorus-containing flame retardant, a nitrogen-containing flame retardant, and an inorganic flame retardant.
Examples of the inorganic additive include glass fiber, silica, talc, and ceramic.

<絶縁層>
絶縁層22は、電磁波シールド層21の表面に設けることにより、電磁波シールド層21を絶縁保護し、他の導電部材との接触時の短絡を防止できる。また、絶縁層はアース部50を電磁波シールド層21と導通させるための中空構造を有する。中空構造は中空フィラー、または気泡等により形成される中空部24と、樹脂部とを有するものである。
本発明においては、熱圧着時に破壊された中空構造の中空部を介して、電磁波シールド層とアース部とが電気的に接続されることで、優れた電子機器を得ることができるものである。
中空フィラーとしては、中空ガラスフィラーおよび中空樹脂フィラーが好ましい。
<Insulating layer>
By providing the insulating layer 22 on the surface of the electromagnetic wave shielding layer 21, the electromagnetic wave shielding layer 21 can be insulated and protected, and a short circuit at the time of contact with another conductive member can be prevented. The insulating layer has a hollow structure for electrically connecting the ground portion 50 to the electromagnetic wave shielding layer 21. The hollow structure has a hollow portion 24 formed of a hollow filler or bubbles and a resin portion.
In the present invention, an excellent electronic device can be obtained by electrically connecting the electromagnetic wave shielding layer and the ground portion through a hollow portion having a hollow structure destroyed during thermocompression bonding.
As the hollow filler, a hollow glass filler and a hollow resin filler are preferable.

中空フィラーとしては、無機系中空フィラーまたは有機系中空フィラーが挙げられる。
有機系中空フィラーは、ポリスチレン系、アクリル系、ポリウレタン系、またはポリエステル系の中空フィラー等が使用でき、このような中空樹脂フィラーを用いることが好ましい。
市販されている有機系中空フィラーとしては、JSR株式会社製SX866、SX868、SX8782、日鉄鉱業株式会社製シリナックス、積水化学社製アドバンセルHB等が挙げられる。
有機系中空フィラーを構成する樹脂は、ガラス転移温度Tgが50℃以上が好ましく、70℃以上がより好ましい。ガラス転移温度を上記範囲にすることで、常温では絶縁層の耐摩耗性に優れる膜硬度を維持する一方で、熱圧着時には熱により有機系中空フィラーが軟化しやすくなりアース部の導電接着剤の流入を促進し、電磁波シールド層への導通がとりやすくなる。
Examples of the hollow filler include inorganic hollow fillers and organic hollow fillers.
As the organic hollow filler, a polystyrene-based, acrylic-based, polyurethane-based, or polyester-based hollow filler can be used, and such a hollow resin filler is preferably used.
Examples of commercially available organic hollow fillers include SX866, SX868, SX8782 manufactured by JSR Corporation, Silinax manufactured by Nittetsu Mining Co., Ltd., and Advancel HB manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.
The resin constituting the organic hollow filler preferably has a glass transition temperature Tg of 50 ° C. or higher, more preferably 70 ° C. or higher. By keeping the glass transition temperature within the above range, while maintaining the film hardness excellent in the abrasion resistance of the insulating layer at room temperature, the organic hollow filler is easily softened by heat at the time of thermocompression bonding, and the conductive adhesive of the ground part Inflow is facilitated, and conduction to the electromagnetic wave shielding layer is facilitated.

本発明に用いる無機系中空フィラーとしては、ガラス系の中空フィラーを使用することができ、このような中空ガラスフィラーを用いることが好ましい。市販品のガラス系の中空フィラーとしてSphericel110P8、Sphericel18P8(ポッターズバロティーニ社)、S42XHS、iM16K、iM30K(3M社)等が挙げられる。
中空フィラーの平均粒子径D50は、0.1μm以上30μm以下が好ましく、表面平滑性の点から絶縁層の厚みよりも、小さいことが好ましい。中空フィラーの絶縁層全固形分100体積%に対する中空部の含有量は0.1〜40体積%が好ましく、1〜20体積%がより好ましい。
As the inorganic hollow filler used in the present invention, a glass hollow filler can be used, and such a hollow glass filler is preferably used. Examples of commercially available glass-based hollow fillers include Sphericel 110P8, Sphericel 18P8 (Potters Barotini), S42XHS, iM16K, iM30K (3M).
The average particle diameter D50 of the hollow filler is preferably 0.1 μm or more and 30 μm or less, and is preferably smaller than the thickness of the insulating layer from the viewpoint of surface smoothness. 0.1-40 volume% is preferable and, as for content of the hollow part with respect to 100 volume% of solid content of the insulating layer of a hollow filler, 1-20 volume% is more preferable.

また、絶縁層22の中空部24は発泡させた絶縁性接着剤組成物を用いて形成することもできる。
発泡した絶縁性接着剤組成物の気泡により中空部24を形成する場合、例えば、絶縁性樹脂組成物を発泡させ0.1μm〜30μmの泡を形成し、これをコーティングし乾燥することで得ることができる。また、発泡形成した熱可塑性フィルムを直接絶縁層として使用できる。
Moreover, the hollow part 24 of the insulating layer 22 can also be formed using the foamed insulating adhesive composition.
When the hollow portion 24 is formed by bubbles of the foamed insulating adhesive composition, for example, the insulating resin composition is foamed to form bubbles of 0.1 μm to 30 μm, which are obtained by coating and drying. Can do. Further, the foamed thermoplastic film can be directly used as an insulating layer.

絶縁層22を形成するための絶縁性樹脂組成物を構成するバインダー樹脂、硬化剤等は、電磁波シールド積層体で説明したものと同じものを使用することができる。   As the binder resin, the curing agent, and the like constituting the insulating resin composition for forming the insulating layer 22, the same ones as described in the electromagnetic wave shielding laminate can be used.

絶縁層22の厚みは、用途により適宜設計し得るが、絶縁性と薄膜化の観点からは、1〜50μmの範囲が好ましく、2〜30μmの範囲がより好ましく、3〜20μm範囲がより好ましい。   Although the thickness of the insulating layer 22 can be appropriately designed depending on the application, the range of 1 to 50 μm is preferable, the range of 2 to 30 μm is more preferable, and the range of 3 to 20 μm is more preferable from the viewpoint of insulation and thinning.

<電磁波シールド用積層体の製造方法>
電磁波シールド用積層体28の形成方法は特に限定されないが、好ましい方法として以下の方法を挙げることができる。
<Method for Producing Laminate for Electromagnetic Wave Shielding>
Although the formation method of the laminated body 28 for electromagnetic wave shields is not specifically limited, The following method can be mentioned as a preferable method.

図2(b)は、第1実施形態に係る電磁波シールド用積層体28を製造するための製造工程断面図を示す。
第1実施形態にかかる電磁波シールド用積層体28の製造方法の例としては、まず、離型フィルム26上に、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する組成物を塗工して導電性接着層(I)25を形成する。導電性接着層(I)25は、単層でも複数層でもよい。複数層で形成する場合には、離型フィルム26側の最外層を流動性のより高い層で構成することが好ましい。別途、離型フィルム27上に、絶縁性樹脂と硬化剤と中空フィラーを含有する組成物を塗工して、中空構造を有する絶縁層22を形成する。
FIG.2 (b) shows the manufacturing process sectional drawing for manufacturing the laminated body 28 for electromagnetic wave shields which concerns on 1st Embodiment.
As an example of the manufacturing method of the electromagnetic wave shielding laminate 28 according to the first embodiment, first, a composition containing a binder resin softened by heat and a conductive filler is applied on the release film 26. Conductive adhesive layer (I) 25 is formed. The conductive adhesive layer (I) 25 may be a single layer or a plurality of layers. In the case of forming with a plurality of layers, the outermost layer on the release film 26 side is preferably composed of a layer having higher fluidity. Separately, a composition containing an insulating resin, a curing agent, and a hollow filler is applied on the release film 27 to form the insulating layer 22 having a hollow structure.

次いで、導電性接着層(I)と絶縁層をラミネートで張り合わせることで、電磁波シールド用積層体28を得る。離型フィルム26及び27の材料は、離型性を有するものであればよく特に限定されないが、例えば、シリコーンやアルキッド処理されたPETフィルム等を使用できる。   Next, the laminate 28 for electromagnetic wave shielding is obtained by laminating the conductive adhesive layer (I) and the insulating layer with a laminate. The material of the release films 26 and 27 is not particularly limited as long as it has releasability. For example, silicone or alkyd-treated PET film can be used.

なお、第2実施形態にかかる電磁波シールド用積層体(不図示)の製造方法の例としては、まず、離型フィルム上に導電性接着層(I)を形成し、銅キャリア付電解銅箔の電解銅箔面側に導電性接着層(I)を重ねてラミネートした後に、銅キャリアを剥がす。そして、銅キャリアを剥がした面と、別途離型フィルム上に形成した絶縁層とを重ねてラミネートする方法がある。また、離型フィルム上に導電性接着層(I)を形成し、その表面に無電解メッキ処理により金属層を形成し、別途離型フィルム上に形成した絶縁層と前記金属層とを重ねてラミネートする方法等が挙げられる。   In addition, as an example of the manufacturing method of the electromagnetic wave shielding laminate (not shown) according to the second embodiment, first, the conductive adhesive layer (I) is formed on the release film, and the electrolytic copper foil with a copper carrier is formed. After laminating the conductive adhesive layer (I) on the electrolytic copper foil surface side, the copper carrier is peeled off. There is a method of laminating the surface from which the copper carrier has been peeled and an insulating layer separately formed on the release film. In addition, a conductive adhesive layer (I) is formed on the release film, a metal layer is formed on the surface thereof by electroless plating, and the insulating layer separately formed on the release film and the metal layer are stacked. The method of laminating etc. is mentioned.

電磁波シールド用積層体は、導電性接着層(I)に含まれる熱硬化性樹脂と硬化剤が未硬化状態(Bステージ)で存在し、基板と熱圧着により本硬化(Cステージ)することで、所望の接着強度を得ることが出来る。なお、前記未硬化状態は、硬化剤の一部が硬化した半硬化状態を含む。   The laminated body for electromagnetic wave shielding has the thermosetting resin and the curing agent contained in the conductive adhesive layer (I) in an uncured state (B stage) and is fully cured (C stage) by thermocompression bonding with the substrate. A desired adhesive strength can be obtained. The uncured state includes a semi-cured state in which a part of the curing agent is cured.

電磁波シールド用積層体28を用いて得られる電磁波シールド層21の厚みは、用途により適宜設計し得る。薄型化が求められている用途の場合には、例えば1〜20μm程度が好ましく、1〜15μm程度がより好ましい。
また、高周波ノイズを精度高くシールドする場合には、例えば、50〜1000μm等の厚膜とすることも可能であるが、通常、5〜200μm程度である。なお、電磁波シールド層21は、等方導電性および異方導電性を適宜選択できるが、導電性接着層(I)のみから電磁波シールド層21を構成する場合には、等方導電性を示すものが好ましい。
The thickness of the electromagnetic wave shielding layer 21 obtained using the electromagnetic wave shielding laminate 28 can be appropriately designed depending on the application. In the case of applications where thinning is required, for example, about 1 to 20 μm is preferable, and about 1 to 15 μm is more preferable.
In addition, when shielding high-frequency noise with high accuracy, it is possible to use a thick film of, for example, 50 to 1000 μm, but it is usually about 5 to 200 μm. The electromagnetic wave shielding layer 21 can be selected from isotropic conductivity and anisotropic conductivity as appropriate. However, when the electromagnetic wave shielding layer 21 is composed only of the conductive adhesive layer (I), it exhibits isotropic conductivity. Is preferred.

《アース部》
アース部50は、グランド回路13を筐体40に設置するための導体部であり、グランド電位となる。本発明におけるアース部50は、電子機器1において、導電性接着層(II)が絶縁層22の破壊された中空部24に流入し、絶縁層22の中空部24を介して電磁波シールド層21と電気的に接続し、導通する役割をはたす。また、図2(a)に示すように、さらに金属層52を積層したものが導電性接着層(II)の接続信頼性の観点から好ましい。
導電性接着層(II)51は、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有し、いずれも電磁波シールド用積層体28で説明したものと同じものを使用することができる。金属層52は銅箔やステンレス板等が好ましい。必要に応じて表面をニッケルメッキ及び金メッキ処理しても良い。
《Earth part》
The ground part 50 is a conductor part for installing the ground circuit 13 in the housing 40 and has a ground potential. In the electronic device 1, the ground part 50 in the present invention flows into the hollow part 24 in which the conductive adhesive layer (II) is broken in the insulating layer 22 in the electronic apparatus 1, and It plays the role of electrical connection and conduction. Moreover, as shown to Fig.2 (a), what laminated | stacked the metal layer 52 further is preferable from a viewpoint of the connection reliability of electroconductive contact bonding layer (II).
The conductive adhesive layer (II) 51 contains a binder resin that is softened by heat and a conductive filler, and both can be the same as those described for the laminate 28 for electromagnetic wave shielding. The metal layer 52 is preferably a copper foil or a stainless steel plate. If necessary, the surface may be nickel-plated and gold-plated.

このアース部50を形成する導電性接着層(II)51の大きさおよび厚みは、使用用途に応じて任意に決定できるが、少なくとも熱により軟化して破壊された中空構造の中空部24内に流入充填し、電磁波シールド層21と導通した時においても、絶縁層面とアース部50の当接領域を覆うことのできることが必要である。   The size and thickness of the conductive adhesive layer (II) 51 forming the ground portion 50 can be arbitrarily determined according to the intended use, but at least in the hollow portion 24 of the hollow structure that has been softened and broken by heat. It is necessary to be able to cover the contact area between the insulating layer surface and the earth portion 50 even when the inflow filling and conduction with the electromagnetic wave shielding layer 21 are performed.

電磁波シールド層付き基板30のグランド回路13を電子機器の筐体40のアース回路に接続するには、上記アース部50を電磁波シールド層付き基板30の中空構造を有する絶縁層22の表面に導電性接着層(II)51が接するように配置した後、このアース部50に熱圧力を加える。このとき加えられる圧力によって、アース部50が当接する絶縁層22を局部的に押圧し、中空構造の上下面の薄膜24aを破壊する。同時に加熱により軟化した導電性接着層(II)51が薄膜24a(図3(c)を参照)が破壊された中空部24に流入充填し、電磁波シールド層付き基板30内の電磁波シールド層21と導通する。   In order to connect the ground circuit 13 of the substrate 30 with the electromagnetic wave shielding layer to the earth circuit of the housing 40 of the electronic device, the ground part 50 is electrically conductive on the surface of the insulating layer 22 having the hollow structure of the substrate 30 with the electromagnetic wave shielding layer. After arrange | positioning so that the contact bonding layer (II) 51 may contact | connect, a thermal pressure is applied to this earthing | grounding part 50. FIG. The pressure applied at this time locally presses the insulating layer 22 with which the ground portion 50 abuts, and destroys the thin film 24a on the upper and lower surfaces of the hollow structure. At the same time, the conductive adhesive layer (II) 51 softened by heating flows into and fills the hollow portion 24 where the thin film 24a (see FIG. 3C) is broken, and the electromagnetic wave shielding layer 21 in the substrate 30 with the electromagnetic wave shielding layer. Conduct.

その後、アース部50を筐体40の導体部に接続することにより、電磁波シールド層付き基板30のグランド回路13を筐体40のアース部に接続することができる。   Thereafter, the ground circuit 13 of the substrate 30 with the electromagnetic wave shielding layer can be connected to the ground portion of the housing 40 by connecting the ground portion 50 to the conductor portion of the housing 40.

《電子機器の製造方法》
本発明の電子機器の製造方法は、筐体に、電磁波シールド層付き基板が接合された電子機器の製造方法であって、グランド回路を含む回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護し、前記グランド回路上の少なくとも一部に開口部を有する絶縁保護膜を形成し、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する導電性接着層(I)と、中空構造を有する絶縁層とを積層してなる電磁波シールド用積層体を、前記導電性接着層(I)が下層側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、前記電磁波シールド用積層体を熱圧着して電磁波シールド層を形成し、さらに導電性接着層(II)を有するアース部を、導電性接着層(II)が下層側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記絶縁層の中空部に、導電性接着層(II)を流入させ、絶縁層の中空構造の中空部を介して、前記電磁波シールド層と、前記アース部とを電気的に接続させるように、電磁波シールド層付き基板を筐体に接合する方法である。
《Electronic device manufacturing method》
The method for manufacturing an electronic device according to the present invention is a method for manufacturing an electronic device in which a substrate with an electromagnetic wave shielding layer is bonded to a housing, wherein the circuit pattern is formed on a substrate on which a circuit pattern including a ground circuit is formed. An insulating protective film having an opening is formed on at least a part of the ground circuit for protection, and has a binder resin that is softened by heat, a conductive adhesive layer (I) containing a conductive filler, and a hollow structure An electromagnetic shielding laminate formed by laminating an insulating layer is disposed on the insulating protective film so that the conductive adhesive layer (I) is on the lower layer side, and then the electromagnetic shielding laminate is thermocompression bonded. An electromagnetic shielding layer is formed, and a ground portion having a conductive adhesive layer (II) is further disposed on the insulating layer so that the conductive adhesive layer (II) is on the lower layer side, and the insulation is formed by thermocompression bonding. In the hollow part of the layer A substrate with an electromagnetic wave shielding layer is provided so that the electromagnetic wave shielding layer and the grounding portion are electrically connected through a hollow portion of a hollow structure of an insulating layer through which the electric adhesive layer (II) flows. It is the method of joining to.

第1実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の製造方法の一例について説明する。
まず、図3(a)に示すように、グランド回路13を含む回路パターン14が形成された基板11上に、回路パターン14を保護し、グランド回路13上に配置される開口部16を有する絶縁保護膜15を形成する。開口部16は、例えば、フォトリソグラフィー法等により形成できる。別の方法として、接着剤付ポリイミドフィルムを回路パターン14上に熱圧着して保護膜15を形成した後、レーザーで開口部16を形成する方法がある。
An example of the manufacturing method of the electronic device with an electromagnetic wave shielding layer according to the first embodiment will be described.
First, as shown in FIG. 3A, an insulating layer having an opening 16 disposed on the ground circuit 13 is protected on the substrate 11 on which the circuit pattern 14 including the ground circuit 13 is formed. A protective film 15 is formed. The opening 16 can be formed by, for example, a photolithography method. As another method, there is a method in which a polyimide film with an adhesive is thermocompression-bonded on the circuit pattern 14 to form the protective film 15 and then the opening 16 is formed with a laser.

次に、図3(b)に示すように、図2(b)に示した電磁波シールド用積層体28の剥離性シート26を剥離し、絶縁保護膜15上に導電性接着層(I)25側が接するように配置し、熱圧着を行う。熱圧着は、例えば、プレス機を用いて電磁波シールド用積層体28を加熱しつつ加圧することにより行うことができる。熱圧着を行うことにより、絶縁保護膜15を被覆する電磁波シールド層21が形成される。加熱により、導電性接着層(I)25が軟化し、加圧により開口部16内を充填する。導電性接着層(I)25の厚み、圧力、温度、熱圧着時間を制御することにより、電磁波シールド層21を所望の厚みにすることができる。   Next, as shown in FIG. 3 (b), the peelable sheet 26 of the electromagnetic wave shielding laminate 28 shown in FIG. 2 (b) is peeled off, and the conductive adhesive layer (I) 25 is formed on the insulating protective film 15. Place them so that the sides are in contact, and perform thermocompression bonding. The thermocompression bonding can be performed by, for example, applying pressure while heating the electromagnetic shielding laminate 28 using a press machine. By performing thermocompression bonding, an electromagnetic wave shielding layer 21 that covers the insulating protective film 15 is formed. The conductive adhesive layer (I) 25 is softened by heating, and fills the opening 16 by pressurization. By controlling the thickness, pressure, temperature, and thermocompression bonding time of the conductive adhesive layer (I) 25, the electromagnetic wave shielding layer 21 can have a desired thickness.

熱圧着時の温度および圧力は、用いる導電性接着層25の特性等により変動し得るが、加熱の温度は、開口部16と電磁波シールド層21との充分な接合を確保する観点から、100℃以上であることが好ましく、より好ましくは110℃以上、更に好ましくは120℃以上である。また、上限値としては、回路基板10の耐熱性に依存するが、220℃以下であることが好ましく、200℃以下であることがより好ましく、180℃以下であることが更に好ましい。   The temperature and pressure at the time of thermocompression bonding can vary depending on the characteristics of the conductive adhesive layer 25 used, but the heating temperature is 100 ° C. from the viewpoint of ensuring sufficient bonding between the opening 16 and the electromagnetic wave shielding layer 21. It is preferable that it is above, More preferably, it is 110 degreeC or more, More preferably, it is 120 degreeC or more. Moreover, although it depends on the heat resistance of the circuit board 10, as an upper limit, it is preferable that it is 220 degrees C or less, It is more preferable that it is 200 degrees C or less, It is still more preferable that it is 180 degrees C or less.

圧力の範囲は、平滑性・製造効率の観点から、1kg/cm以上であることが好ましく、3kg/cm以上であることがより好ましく、5kg/cm以上であることが更に好ましい。また、上限値としては、回路パターン14および基板11の耐圧性の観点から、100kg/cm以下であることが好ましく、80kg/cm以下であることがより好ましく、50kg/cm以下であることが更に好ましい。 From the viewpoint of smoothness and production efficiency, the pressure range is preferably 1 kg / cm 2 or more, more preferably 3 kg / cm 2 or more, and still more preferably 5 kg / cm 2 or more. Further, the upper limit value is preferably 100 kg / cm 2 or less, more preferably 80 kg / cm 2 or less, and 50 kg / cm 2 or less from the viewpoint of pressure resistance of the circuit pattern 14 and the substrate 11. More preferably.

熱圧着時間は、電子部品の耐熱性、導電性シートに用いるバインダー樹脂、および生産工程等に応じて設定できる。バインダー樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合には、1分〜2時間程度の範囲が好適である。なお、熱圧着時間は、1分〜1時間程度がより好ましい。この熱圧着により熱硬化性樹脂は、硬化する。但し、熱硬化性樹脂は、流動が可能であれば熱圧着前に硬化してもよい。   The thermocompression bonding time can be set according to the heat resistance of the electronic component, the binder resin used for the conductive sheet, the production process, and the like. When a thermosetting resin is used as the binder resin, a range of about 1 minute to 2 hours is preferable. The thermocompression bonding time is more preferably about 1 minute to 1 hour. The thermosetting resin is cured by this thermocompression bonding. However, the thermosetting resin may be cured before thermocompression bonding as long as it can flow.

熱圧着の温度は、導電性シートに用いるバインダー樹脂、および硬化剤に応じて適宜設定できる。バインダー樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合には、140〜180℃の範囲が好適である。   The temperature of thermocompression bonding can be appropriately set according to the binder resin used for the conductive sheet and the curing agent. When a thermosetting resin is used as the binder resin, a range of 140 to 180 ° C. is suitable.

次に図3(c)に示すように、アース部50を所定のサイズにカットし、このアース部50の導電性接着層(II)51の面を、剥離性シート27を剥離した絶縁層22の任意の表面に仮貼りし積層体を作製する。仮貼りは50℃〜130℃に加熱した加熱ロールラミネーターやアイロンによって行う。   Next, as shown in FIG. 3C, the ground portion 50 is cut into a predetermined size, and the surface of the conductive adhesive layer (II) 51 of the ground portion 50 is separated from the insulating layer 22 from which the peelable sheet 27 is peeled off. A laminated body is prepared by temporarily attaching to any surface. Temporary pasting is performed by a heated roll laminator or iron heated to 50 ° C to 130 ° C.

その後、図3(d)に示すように、積層体を熱圧着することで絶縁層22の中空構造が破壊され、中空部24を通して内部に導電性接着層(II)52が流入し、電磁波シールド積層体20の電磁波シールド層21と導通が確保される。これにより、絶縁層22の中空構造の中空部24を介して、電磁波シールド層21とアース部50とを電気的に接続することができる。   Thereafter, as shown in FIG. 3D, the hollow structure of the insulating layer 22 is destroyed by thermocompression bonding of the laminate, and the conductive adhesive layer (II) 52 flows into the inside through the hollow portion 24, thereby shielding the electromagnetic wave. Conductivity with the electromagnetic wave shielding layer 21 of the laminate 20 is ensured. Thereby, the electromagnetic wave shielding layer 21 and the earth part 50 can be electrically connected via the hollow part 24 of the hollow structure of the insulating layer 22.

アース部の熱圧着の時間は、1分〜2時間程度の範囲が好適である。なお、熱圧着時間は、1分〜1時間程度がより好ましい。   The time for the thermocompression bonding of the ground portion is preferably in the range of about 1 minute to 2 hours. The thermocompression bonding time is more preferably about 1 minute to 1 hour.

アース部の熱圧着の圧力の範囲は、平滑性・製造効率の観点から、1kg/cm以上であることが好ましく、3kg/cm以上であることがより好ましく、5kg/cm以上であることが更に好ましい。また、上限値としては、回路パターン14および基板11の耐圧性の観点から、100kg/cm以下であることが好ましく、80kg/cm以下であることがより好ましく、50kg/cm以下であることが更に好ましい。 The pressure range of the thermocompression bonding of the ground portion is preferably 1 kg / cm 2 or more, more preferably 3 kg / cm 2 or more from the viewpoint of smoothness and production efficiency, and 5 kg / cm 2 or more. More preferably. Further, the upper limit value is preferably 100 kg / cm 2 or less, more preferably 80 kg / cm 2 or less, and 50 kg / cm 2 or less from the viewpoint of pressure resistance of the circuit pattern 14 and the substrate 11. More preferably.

アース部の熱圧着の温度は、140〜180℃が好ましく、150〜180℃がより好ましい。   140-180 degreeC is preferable and the temperature of the thermocompression bonding of an earth | ground part has more preferable 150-180 degreeC.

アース部の熱圧着の時間、圧力、温度を上記の範囲にすることで電磁波シールド積層体の変形や破損を抑えつつ、導電性接着層(II)の貫通穴への流入を効率的に促進させ、電磁波シールド層と金属層52の間に信頼性の高い導通路を得ることができる。
アース部50が取り付けられた電磁波シールド付き基板30を設計に基づいて組立て、アース部50の金属板52を通して筐体40に接続しグランドを設置する。金属板52と筐体40は不図示のガスケット及び導電粘着テープで接続する。
By controlling the time, pressure, and temperature of the thermocompression bonding of the ground part within the above ranges, the deformation and breakage of the electromagnetic wave shield laminate can be suppressed, and the inflow of the conductive adhesive layer (II) into the through hole can be efficiently promoted. A highly reliable conduction path can be obtained between the electromagnetic wave shielding layer and the metal layer 52.
The substrate 30 with an electromagnetic wave shield to which the earth part 50 is attached is assembled based on the design, connected to the housing 40 through the metal plate 52 of the earth part 50, and a ground is installed. The metal plate 52 and the housing 40 are connected by a gasket and a conductive adhesive tape (not shown).

もう一方の製造方法は、回路基板10に電磁波シールド積層体20を加熱ラミネートロールにて仮貼りした後、絶縁層22側の剥離性シート27を剥がし、所定の形状にカットしたアース部50をさらに仮貼りして積層体を作成し、この積層体を熱圧着する方法が挙げられる。この製造方法における熱圧着の際には、絶縁層22が熱圧着時にクッション材に張り付いてしまう恐れがあるため、離形剤処理したシートで挟み込む必要がある。熱圧着の条件は上記と同様である。   In another manufacturing method, the electromagnetic wave shield laminate 20 is temporarily attached to the circuit board 10 with a heating laminate roll, and then the peelable sheet 27 on the insulating layer 22 side is peeled off to further remove the ground portion 50 cut into a predetermined shape. There is a method in which a laminated body is prepared by temporarily pasting and the laminated body is thermocompression bonded. At the time of thermocompression bonding in this manufacturing method, the insulating layer 22 may stick to the cushioning material at the time of thermocompression bonding, so it is necessary to sandwich the sheet with a release agent-treated sheet. The conditions for thermocompression bonding are the same as above.

筐体40は、電子機器1を構成する部材であり、少なくとも回路基板10より大きく、基板を貼り付けることが可能な部材であればよい。好適な例としては、筐体、内部に配置された筐体を構成するボード、着脱自在に構成された蓋等の部材等が例示できる。   The housing 40 is a member constituting the electronic device 1 and may be any member that is at least larger than the circuit board 10 and can be attached to the board. Preferable examples include a housing, a board constituting the housing disposed inside, a member such as a lid configured to be detachable, and the like.

電子機器1の筐体40側に接続されたアース部50は、グランド回路13を筐体40に接地するための導体部であり、グランド電位となる。   The earth part 50 connected to the housing 40 side of the electronic device 1 is a conductor part for grounding the ground circuit 13 to the housing 40 and has a ground potential.

第1実施形態によれば、中空構造を有する絶縁層を備えた電磁波シールド用積層体を用いて、上記絶縁層の表面に配置したアース部によって上記中空構造を破壊して該絶縁層の厚み方向に導電路を形成しているので、金属バンプ等を絶縁保護膜に突き刺す従来の方法と比較して、シールド層とアース部の接続信頼性が高い電子機器を製造することができるようになる。加えて、絶縁保護膜にエキシマーレーザを用いて開口部を設ける従来の方法と比較して、電子機器及び回路基板の製造歩留りを高めることができる。また、上記のアース部は絶縁層の表面のいずれの位置に配置しても、上記と同様に中空構造を破壊して該絶縁層の厚み方向に導電路を形成することができるもので、必要に応じてグランドを増設できるため、回路設計の自由度が高い。   According to the first embodiment, using the laminate for an electromagnetic wave shield provided with an insulating layer having a hollow structure, the hollow structure is destroyed by the ground portion disposed on the surface of the insulating layer, and the thickness direction of the insulating layer is determined. Since the conductive path is formed, an electronic device with higher connection reliability between the shield layer and the ground portion can be manufactured as compared with the conventional method in which a metal bump or the like is inserted into the insulating protective film. In addition, the manufacturing yield of electronic devices and circuit boards can be increased as compared with a conventional method in which an opening is formed in the insulating protective film using an excimer laser. In addition, the grounding portion can be disposed at any position on the surface of the insulating layer, and can break the hollow structure and form a conductive path in the thickness direction of the insulating layer in the same manner as described above. Since the ground can be expanded according to the design, the degree of freedom in circuit design is high.

また、第1実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器によれば、基板の厚み方向にグランド電位を逃すルートを形成するので、グランドの接地のための領域を基板端部に確保せずとも接地することができ、小型化を実現できる。なお、グランド回路の接地のために、基板端部で導通を図る構造を排除する趣旨ではなく、本発明と併用して用いることも可能である。基板の端部にアース接続構造を設ける構造と併用することにより、電磁波シールド効果をより効果的に実現できる。   In addition, according to the electronic apparatus with an electromagnetic wave shielding layer according to the first embodiment, a route is formed to escape the ground potential in the thickness direction of the substrate, so that the grounding area is not secured at the end portion of the substrate. And miniaturization can be realized. It should be noted that the ground circuit is not intended to eliminate the structure of conducting at the edge of the substrate, but can be used in combination with the present invention. By using in combination with a structure in which a ground connection structure is provided at the end of the substrate, the electromagnetic wave shielding effect can be realized more effectively.

また、第1実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器によれば、回路パターンと、電磁波シールド層と、アース部を構成する導電層とが、互いに対向配置される構造を有し、且つグランド電位を逃す構造を採用しているので、EMIをより効果的に抑制し、且つEMCの向上をより効果的に図ることができる。   In addition, according to the electronic device with an electromagnetic wave shielding layer according to the first embodiment, the circuit pattern, the electromagnetic wave shielding layer, and the conductive layer constituting the ground portion have a structure in which they are arranged to face each other, and a ground potential is provided. Therefore, EMI can be more effectively suppressed and EMC can be improved more effectively.

[第2実施形態]
次に、第1実施形態とは異なる電磁波シールド層付き電子機器の一例について説明する。第2実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器2は、以下の点を除く基本的な構造および製造方法が上記第1実施形態と同様である。即ち、第2実施形態の電磁波シールド用積層体28は、導電性接着層(I)と金属層とを有し、熱圧着後の電磁波シールド層21が、導電性接着層(I)により形成される電磁波シールド層と、金属層とからなる点において、導電性接着層(I)を熱圧着することにより得た層のみを電磁波シールド層21として用いた第1実施形態と相違する。なお、以降の図において、同一の要素部材には同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, an example of an electronic device with an electromagnetic wave shielding layer different from the first embodiment will be described. The electronic device 2 with an electromagnetic wave shielding layer according to the second embodiment has the same basic structure and manufacturing method as the first embodiment except for the following points. That is, the electromagnetic wave shielding laminate 28 of the second embodiment has a conductive adhesive layer (I) and a metal layer, and the electromagnetic wave shielding layer 21 after thermocompression bonding is formed of the conductive adhesive layer (I). The electromagnetic wave shielding layer and the metal layer are different from the first embodiment in which only the layer obtained by thermocompression bonding of the conductive adhesive layer (I) is used as the electromagnetic wave shielding layer 21. In the following drawings, the same element members are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted as appropriate.

図4に、第2実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器2の要部の模式的断面図を示す。電子機器2に用いられた電磁波シールド積層体20は、電磁波シールド層21とグランド回路16とを導通接続するための導電性接着層21aと中空構造を有する絶縁層22の間に、電磁波シールド層として金属層21bも設けられている。金属層21bは、要求されるシールド特性に応じて金属層の材料や厚みを適宜選択し得る。例えば、アルミニウム、銅、銀、金などの材料を用いて、0.1〜40μm程度の厚みで形成することができる。耐折り曲げ性の観点からは、0.1〜20μmの範囲とすることが好ましく、0.1〜10の範囲とすることがより好ましい。第2電磁波シールド層23の形成方法は特に限定されないが、真空蒸着、スパッタリング、CVD法、めっき処理により形成することができる。   In FIG. 4, the typical sectional drawing of the principal part of the electronic device 2 with the electromagnetic wave shield layer which concerns on 2nd Embodiment is shown. The electromagnetic wave shielding laminate 20 used in the electronic device 2 is an electromagnetic wave shielding layer between the conductive adhesive layer 21a for electrically connecting the electromagnetic wave shielding layer 21 and the ground circuit 16 and the insulating layer 22 having a hollow structure. A metal layer 21b is also provided. The metal layer 21b can select the material and thickness of a metal layer suitably according to the required shield characteristic. For example, it can be formed with a thickness of about 0.1 to 40 μm using a material such as aluminum, copper, silver, or gold. From the viewpoint of bending resistance, it is preferably in the range of 0.1 to 20 μm, and more preferably in the range of 0.1 to 10. Although the formation method of the 2nd electromagnetic wave shield layer 23 is not specifically limited, It can form by vacuum evaporation, sputtering, CVD method, and a plating process.

第2実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器2によれば、電磁波シールド用積層体を用いて電磁波シールド層を積層しているので第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、金属層からなる第2電磁波シールド層23を設けることにより、より効果的にシールド効果を発揮できる。また、インピーダンス対策をより効果的に発揮させることができるので、高周波用途に特に好適である。さらには、アース部の熱圧着時に電磁波シールド層に金属層が含まれることで、圧力がアース部の導電接着層(II)51に伝わりやすくなり中空部の破壊及び導電性接着層(II)51の流入が促進されるため接続信頼性がより向上する。   According to the electronic device 2 with an electromagnetic wave shielding layer according to the second embodiment, since the electromagnetic wave shielding layer is laminated using the laminated body for electromagnetic wave shielding, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Further, by providing the second electromagnetic wave shielding layer 23 made of a metal layer, the shielding effect can be more effectively exhibited. Moreover, since an impedance countermeasure can be exhibited more effectively, it is particularly suitable for high frequency applications. Furthermore, the metal layer is included in the electromagnetic wave shielding layer at the time of thermocompression bonding of the ground portion, so that the pressure is easily transmitted to the conductive adhesive layer (II) 51 of the ground portion, and the hollow portion is destroyed and the conductive adhesive layer (II) 51 Since the inflow is promoted, the connection reliability is further improved.

[第3実施形態]
次に、第1実施形態とは異なる電磁波シールド層付き電子機器3の一例について説明する。第3実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器3は、以下の点を除く基本的な構造および製造方法が上記第1実施形態と同様である。即ち、第3実施形態においては、回路基板10の両面に電磁波シールド用積層体を接合している点において、片面のみに電磁波シールド用積層体に接合した第1実施形態と相違する。
[Third Embodiment]
Next, an example of the electronic device 3 with the electromagnetic wave shielding layer different from the first embodiment will be described. The electronic device 3 with an electromagnetic wave shielding layer according to the third embodiment has the same basic structure and manufacturing method as the first embodiment except for the following points. That is, the third embodiment is different from the first embodiment in which the electromagnetic wave shielding laminate is bonded to both surfaces of the circuit board 10, and the electromagnetic wave shielding laminate is bonded to only one surface.

図5に、第3実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器3の要部の模式的断面図を示す。電子機器3に用いられた電磁波シールド層付き基板30は、回路基板10の両面に、電磁波シールド層21およびパターン付き絶縁層22が積層されており、基板11の両面に設けたグランド回路13は、基板11を貫通して形成されたビアホール17を通じて接続されている。そして、回路基板10の両面の電磁波シールド用積層付き基板30を形成する絶縁層22の表面には、それぞれアース部50接続されている。   In FIG. 5, the typical sectional drawing of the principal part of the electronic device 3 with the electromagnetic wave shield layer which concerns on 3rd Embodiment is shown. The substrate 30 with an electromagnetic wave shielding layer used in the electronic device 3 includes an electromagnetic wave shielding layer 21 and an insulating layer 22 with a pattern laminated on both sides of the circuit board 10, and the ground circuit 13 provided on both sides of the substrate 11 is The connection is made through a via hole 17 formed through the substrate 11. The ground portions 50 are respectively connected to the surfaces of the insulating layers 22 that form the electromagnetic wave shielding laminated substrates 30 on both sides of the circuit board 10.

第3実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器によれば、電磁波シールド用積層体を用いて電磁波シールド層を積層しているので第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、基板の両面に電磁波シールド層を積層することにより、EMIをより効果的に抑制し、且つEMCの向上をより効果的に図ることができる。   According to the electronic device with an electromagnetic wave shielding layer according to the third embodiment, since the electromagnetic wave shielding layer is laminated using the laminated body for electromagnetic wave shielding, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Moreover, by laminating electromagnetic wave shielding layers on both surfaces of the substrate, EMI can be more effectively suppressed and EMC can be improved more effectively.

[第4実施形態]
第4実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器に用いる電磁波シールド層付き基板30は、以下の点を除く基本的な構造および製造方法が上記第1実施形態で用いた電磁波シールド層付き基板30と同様である。即ち、第4実施形態においては、回路基板10の上面、即ち、絶縁保護膜15上に金属薄膜18を設け、電磁波シールド層21に含まれる導電性フィラーが絶縁保護膜15に侵入するのを防止する点において、当該金属薄膜を設けない第1実施形態と相違する。
[Fourth Embodiment]
The substrate 30 with an electromagnetic wave shield layer used in the electronic device with an electromagnetic wave shield layer according to the fourth embodiment is the same as the substrate 30 with an electromagnetic wave shield layer used in the first embodiment by the basic structure and manufacturing method except the following points. It is the same. That is, in the fourth embodiment, the metal thin film 18 is provided on the upper surface of the circuit board 10, that is, the insulating protective film 15, and the conductive filler contained in the electromagnetic wave shielding layer 21 is prevented from entering the insulating protective film 15. This is different from the first embodiment in which the metal thin film is not provided.

図6に、第4実施形態に係る電磁波シールド層付き基板30の要部の模式的断面図を示す。第4実施形態に係る電磁波シールド層付き基板30は、回路基板10の最上面に金属薄膜18が積層されている。金属薄膜18により、電磁波シールド層21に含まれる導電性フィラーが絶縁保護膜15に侵入することを効果的に防止できる。金属薄膜18は、回路基板10の最上面に例えば、真空蒸着、スパッタリング、CVD法、めっき処理により形成することができる。開口部16を形成する前に金属薄膜を形成し、図6に示すように、回路基板10の最上面に金属薄膜18を形成できる。また、開口部16を形成した後に回路基板10の最上面と開口部16内に金属薄膜を形成することも可能である。   FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a main part of the substrate 30 with an electromagnetic wave shielding layer according to the fourth embodiment. In the substrate 30 with an electromagnetic wave shielding layer according to the fourth embodiment, the metal thin film 18 is laminated on the uppermost surface of the circuit board 10. The metal thin film 18 can effectively prevent the conductive filler contained in the electromagnetic wave shielding layer 21 from entering the insulating protective film 15. The metal thin film 18 can be formed on the uppermost surface of the circuit board 10 by, for example, vacuum deposition, sputtering, CVD, or plating. A metal thin film is formed before the opening 16 is formed, and the metal thin film 18 can be formed on the uppermost surface of the circuit board 10 as shown in FIG. It is also possible to form a metal thin film on the uppermost surface of the circuit board 10 and in the opening 16 after the opening 16 is formed.

第4実施形態に係る電磁波シールド層付き基板30によれば、電磁波シールド用積層体28を用いて電磁波シールド層21を積層しているので第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、金属薄膜18を設ける事により、金属薄膜18に電磁波シールド機能を付与させることができると共に、電磁波シールド層21に含まれる導電性フィラーが絶縁保護膜15に侵入することを効果的に防止できる。その結果、絶縁保護膜15の膜厚を薄膜化することも可能となる。また、導電性フィラーの選択肢を増やすことができるというメリットも有する。このため、より導電特性を得やすい導電性フィラーを利用することも可能となる。   According to the substrate 30 with an electromagnetic wave shielding layer according to the fourth embodiment, since the electromagnetic wave shielding layer 21 is laminated using the laminated body 28 for electromagnetic wave shielding, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. In addition, by providing the metal thin film 18, the metal thin film 18 can be provided with an electromagnetic wave shielding function, and the conductive filler contained in the electromagnetic wave shielding layer 21 can be effectively prevented from entering the insulating protective film 15. . As a result, it is possible to reduce the thickness of the insulating protective film 15. Moreover, it has the merit that the choice of a conductive filler can be increased. For this reason, it is also possible to use a conductive filler that is easier to obtain conductive characteristics.

その他の実施形態としては、アース部50にかえて、絶縁性のフィルムと、導電性接着剤層(II)とを有する場合であっても良い。すなわち、金属層52の代わりにポリイミドフィルム等の絶縁性のフィルムを用いた場合である。この場合、絶縁性フィルムは補強板、導電性接着剤層(II)は電磁波シールド層として機能する。このとき、電子機器の筐体とグランド回路とが導通しないため、アース部を有する場合のほうが電磁波シールド性は優れるが、電磁波シールド積層体20上面のいかなる箇所においても必要に応じて補強板と電磁波シールド性を付与することができる。   As another embodiment, the ground portion 50 may be replaced with an insulating film and a conductive adhesive layer (II). That is, an insulating film such as a polyimide film is used instead of the metal layer 52. In this case, the insulating film functions as a reinforcing plate, and the conductive adhesive layer (II) functions as an electromagnetic wave shielding layer. At this time, since the casing of the electronic device and the ground circuit do not conduct, the electromagnetic shielding property is better when the ground portion is provided, but the reinforcing plate and the electromagnetic wave can be used as needed at any location on the upper surface of the electromagnetic shielding laminate 20. Shielding properties can be imparted.

すなわち、電磁波シールド層付き基板が絶縁性フィルムと導電性接着剤層(II)により接合された電子機器であって、前記基板上には、グランド回路を含む回路パターンと、前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上に積層され、当該絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記グランド回路と導通し、且つ前記回路パターンをシールドする電磁波シールド層と、前記電磁波シールド層上に形成され、中空構造を有する絶縁層とを具備し、前記絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路が導通し、かつ、前記絶縁層の中空構造の中空部を介して、前記グランド回路と接合する導電性接着層(II)および補強板である絶縁性フィルムを有しており、前記電磁波シールド層は、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する導電性接着層(I)を熱圧着することにより形成した層を有する電子機器である。   That is, an electronic device in which a substrate with an electromagnetic wave shielding layer is joined by an insulating film and a conductive adhesive layer (II), and on the substrate, a circuit pattern including a ground circuit and the circuit pattern are insulated and protected An insulating protective film that is laminated on the insulating protective film, is electrically connected to the ground circuit through an opening provided in the insulating protective film, and shields the circuit pattern, and the electromagnetic wave shield An insulating layer having a hollow structure formed on the layer, wherein the electromagnetic shielding layer and the ground circuit are electrically connected through an opening provided in the insulating protective film, and the insulating layer has a hollow structure. The conductive adhesive layer (II) to be joined to the ground circuit and the insulating film as a reinforcing plate through the hollow portion of the electromagnetic wave shielding layer, An electronic device having a binder resin to further soften the layer formed by the conductive adhesive layer containing the conductive filler (I) to thermocompression bonding.

本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。また、上記実施形態は、互いに好適に組み合わせられる。   It goes without saying that other embodiments may belong to the category of the present invention as long as they match the gist of the present invention. Moreover, the said embodiment is mutually combined suitably.

1〜4 電子機器
10 回路基板
11 基板
12 信号回路
13 グランド回路
14 回路パターン
15 絶縁保護膜(カバーレイ)
16 開口部
17 ビアホール
18 金属薄膜
20 電磁波シールド積層体
21 電磁波シールド層
21a 導電性接着層(I)
21b 金属層
22 絶縁層
23 導電層
24 中空部
25 導電性接着層(I)
26、27 離型フィルム
28 電磁波シールド用積層体
30 電磁波シールド層付き基板
40 筐体
50 アース部
51 導電性接着層(II)
52 金属層
1-4 Electronic equipment 10 Circuit board 11 Board 12 Signal circuit 13 Ground circuit 14 Circuit pattern 15 Insulating protective film (cover lay)
16 Opening 17 Via hole 18 Metal thin film 20 Electromagnetic wave shield laminate 21 Electromagnetic wave shield layer 21a Conductive adhesive layer (I)
21b Metal layer 22 Insulating layer 23 Conductive layer 24 Hollow part 25 Conductive adhesive layer (I)
26, 27 Release film 28 Laminated body 30 for electromagnetic shielding 30 Substrate with electromagnetic shielding layer 40 Case 50 Grounding portion 51 Conductive adhesive layer (II)
52 metal layers

Claims (10)

導電性接着層(I)と中空構造を有する絶縁層とが積層されてなり、
前記導電性接着層(I)が、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有することを特徴とする電磁波シールド用積層体。
A conductive adhesive layer (I) and an insulating layer having a hollow structure are laminated,
The laminate for electromagnetic wave shielding, wherein the conductive adhesive layer (I) contains a binder resin softened by heat and a conductive filler.
中空構造が、中空フィラーまたは気泡により形成されてなることを特徴とする請求項1
記載の電磁波シールド用積層体。
The hollow structure is formed by a hollow filler or bubbles.
The laminated body for electromagnetic wave shielding of description.
基板上に形成されたグランド回路と、筐体側のアース部とを接地する電磁波シールド積層体であって、
前記グランド回路を含む回路パターンが形成された基板が、開口部と、前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜を有しており、
前記絶縁保護膜上に、電磁波シールド層と中空構造を有する絶縁層とがこの順に積層され、
前記絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路とが導通し、かつ、前記絶縁層の中空構造の中空部を介して、前記電磁波シールド層と前記アース部とが電気的に接続するように、
熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有し、熱圧着により前記電磁波シールド層として機能する導電性接着層(I)と、前記中空構造を有する絶縁層とを積層した電磁波シールド積層体。
An electromagnetic wave shield laminate for grounding a ground circuit formed on a substrate and a grounding part on a housing side,
The substrate on which the circuit pattern including the ground circuit is formed has an opening and an insulating protective film for insulating and protecting the circuit pattern.
On the insulating protective film, an electromagnetic wave shielding layer and an insulating layer having a hollow structure are laminated in this order,
The electromagnetic wave shielding layer and the ground circuit are electrically connected through an opening provided in the insulating protective film, and the electromagnetic wave shielding layer and the grounding part are interposed through a hollow portion of a hollow structure of the insulating layer. So that the electrical connection
The electromagnetic wave shield laminated body which laminated | stacked the binder resin softened by heat, the electroconductive adhesive layer (I) which contains an electroconductive filler, and functions as the said electromagnetic wave shield layer by thermocompression bonding, and the insulating layer which has the said hollow structure.
前記絶縁層の膜厚が3〜20μmであることを特徴とする請求項3記載の電磁波シールド積層体。   The electromagnetic shielding laminate according to claim 3, wherein the insulating layer has a thickness of 3 to 20 μm. 中空構造が、中空フィラーまたは気泡により形成されてなることを特徴とする請求項3または4記載の電磁波シールド積層体。   The electromagnetic wave shield laminate according to claim 3 or 4, wherein the hollow structure is formed of a hollow filler or air bubbles. 前記中空フィラーが、中空ガラスフィラーおよび中空樹脂フィラーの少なくともいずれかであることを特徴とする請求項5に記載の電磁波シールド積層体。   6. The electromagnetic wave shield laminate according to claim 5, wherein the hollow filler is at least one of a hollow glass filler and a hollow resin filler. 前記電磁波シールド層は、導電性接着層(I)の上層に、金属層がさらに積層されていることを特徴とする請求項3〜6いずれか1項記載の電磁波シールド積層体。   The electromagnetic wave shielding laminate according to any one of claims 3 to 6, wherein the electromagnetic wave shielding layer is further laminated with a metal layer on the conductive adhesive layer (I). 筐体に、電磁波シールド層付き基板がアース部により接合された電子機器であって、
前記基板上には、グランド回路を含む回路パターンと、
前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜と、
前記絶縁保護膜上に積層され、当該絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記グランド回路と導通し、且つ前記回路パターンをシールドする電磁波シールド層と、
前記電磁波シールド層上に形成され、中空構造を有する絶縁層とを具備し、
前記絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路が導通し、かつ、前記絶縁層の中空構造の中空部を介して、前記電磁波シールド層と前記アース部とが電気的に接続するように形成されており、
前記電磁波シールド層は、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する導電性接着層(I)を熱圧着することにより形成した層を有する電子機器。
An electronic device in which a substrate with an electromagnetic wave shielding layer is joined to a housing by a ground part,
On the substrate, a circuit pattern including a ground circuit,
An insulating protective film for insulating and protecting the circuit pattern;
An electromagnetic wave shielding layer that is laminated on the insulating protective film, is electrically connected to the ground circuit via an opening provided in the insulating protective film, and shields the circuit pattern;
An insulating layer having a hollow structure formed on the electromagnetic shielding layer;
The electromagnetic wave shielding layer and the ground circuit are electrically connected through an opening provided in the insulating protective film, and the electromagnetic wave shielding layer and the grounding part are connected through a hollow portion of a hollow structure of the insulating layer. Formed to connect electrically,
The electromagnetic wave shielding layer is an electronic device having a layer formed by thermocompression bonding a binder resin that is softened by heat and a conductive adhesive layer (I) containing a conductive filler.
前記電磁波シールド層は、導電性接着層(I)の上層に、金属層がさらに積層されていることを特徴とする請求項8項記載の電子機器。   9. The electronic apparatus according to claim 8, wherein the electromagnetic wave shielding layer further includes a metal layer laminated on the conductive adhesive layer (I). 筐体に、電磁波シールド層付き基板が接合された電子機器の製造方法であって、
グランド回路を含む回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護し、前記グランド回路上の少なくとも一部に開口部を有する絶縁保護膜を形成し、
熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する導電性接着層(I)と、中空構造を有する絶縁層とを積層してなる電磁波シールド用積層体を、
前記導電性接着層(I)が下層側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、前記電磁波シールド用積層体を熱圧着して電磁波シールド層を形成し、
さらに導電性接着層(II)を有するアース部を、導電性接着層(II)が下層側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記絶縁層の中空部に、導電性接着層(II)を流入させ、
絶縁層の中空構造の中空部を介して、前記電磁波シールド層と、前記アース部とを電気的に接続させるように、電磁波シールド層付き基板を筐体に接合する電子機器の製造方法。
A method for manufacturing an electronic device in which a substrate with an electromagnetic wave shielding layer is bonded to a housing,
On the substrate on which a circuit pattern including a ground circuit is formed, the circuit pattern is protected, and an insulating protective film having an opening is formed on at least a part of the ground circuit,
A laminate for electromagnetic wave shielding, which is formed by laminating a binder resin softened by heat, a conductive adhesive layer (I) containing a conductive filler, and an insulating layer having a hollow structure,
After the conductive adhesive layer (I) is disposed on the insulating protective film so as to be on the lower layer side, the electromagnetic wave shielding laminate is thermocompression bonded to form an electromagnetic wave shielding layer,
Furthermore, an earth part having a conductive adhesive layer (II) is placed on the insulating layer so that the conductive adhesive layer (II) is on the lower layer side, and is thermally bonded to the hollow part of the insulating layer. Let the adhesive layer (II) flow in,
A method for manufacturing an electronic device, wherein a substrate with an electromagnetic wave shielding layer is joined to a housing so that the electromagnetic wave shielding layer and the grounding portion are electrically connected through a hollow portion of a hollow structure of an insulating layer.
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