JP2017190992A - センサーデバイス、携帯機器、電子機器及び移動体 - Google Patents
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Abstract
【課題】充填部材の充填量のばらつきを低減することが可能なセンサーデバイスの提供。【解決手段】センサーデバイス1は、センサー素子10と、センサー素子10が配置される基板20と、センサー素子10、基板20の少なくとも一部、を収容する容器30と、容器30の内部に充填され、センサー素子10及び基板20を覆う充填部材40と、容器30の内部に配置され、充填部材40を誘導する充填ガイド部としてのループワイヤー50と、を備えていることを特徴とする。【選択図】図2
Description
本発明は、センサーデバイス、このセンサーデバイスを備えている携帯機器、電子機器及び移動体に関する。
従来、センサーデバイスとして、半導体圧力センサー容器にボンディングピンを固定し、半導体圧力センサーチップとボンディングピンとをワイヤーにより接続し、その上にシリコーンゲルを被覆し、シリコーンゲルの上にシリコーンゴムを被覆した構成の半導体圧力センサーが知られている(例えば、特許文献1参照)。
上記半導体圧力センサーは、半導体圧力センサー容器(以下、容器という)内へのシリコーンゲル及びシリコーンゴム(以下、充填部材という)の充填に、吐出ノズルを備えた吐出装置を用いている。
上記半導体圧力センサーは、吐出ノズルの位置(高さ)によって、充填部材の充填量がばらつくことがある。
上記半導体圧力センサーは、吐出ノズルの位置(高さ)によって、充填部材の充填量がばらつくことがある。
例えば、吐出ノズルの位置が設定位置よりも高い場合には、充填部材が、表面張力などによって、吐出ノズルの先端に球状となって留まり、設定量以上にならないと容器の内部へ拡散(濡れ広がり)しないことがある。
これにより、上記半導体圧力センサーは、設定量よりも多い充填部材が充填されることになる。
また、例えば、吐出ノズルの位置が設定位置よりも低い場合には、容器の内部に濡れ広がりつつある充填部材の一部が、吐出ノズルを引き上げた際に、表面張力などによって、吐出ノズルの先端に戻ってしまうことがある。
これにより、上記半導体圧力センサーは、設定量よりも少ない充填部材が充填されることになる。
これにより、上記半導体圧力センサーは、設定量よりも多い充填部材が充填されることになる。
また、例えば、吐出ノズルの位置が設定位置よりも低い場合には、容器の内部に濡れ広がりつつある充填部材の一部が、吐出ノズルを引き上げた際に、表面張力などによって、吐出ノズルの先端に戻ってしまうことがある。
これにより、上記半導体圧力センサーは、設定量よりも少ない充填部材が充填されることになる。
上記半導体圧力センサーは、充填部材が設定量よりも多いと、半導体圧力センサーチップへの圧力の伝播が阻害されて、検出特性が低下する虞があり、充填部材が設定量よりも少ないと、充填部材の保護機能が不十分となり、半導体圧力センサーチップの劣化が早まる虞がある。
しかしながら、吐出装置における吐出ノズルの更なる精密な位置制御は、極めて困難であり、これに代わり得る充填部材の充填量のばらつきの低減を可能にする構成が求められている。
しかしながら、吐出装置における吐出ノズルの更なる精密な位置制御は、極めて困難であり、これに代わり得る充填部材の充填量のばらつきの低減を可能にする構成が求められている。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例にかかるセンサーデバイスは、センサー素子と、前記センサー素子が配置される基板と、前記センサー素子、前記基板の少なくとも一部、を収容する容器と、前記容器の内部に充填され、前記センサー素子及び前記基板を覆う充填部材と、前記容器の前記内部に配置され、前記充填部材を誘導する充填ガイド部と、を備えていることを特徴とする。
これによれば、センサーデバイスは、充填部材の充填の際に、充填ガイド部によって充填部材を誘導することから、充填部材が容器の内部にスムーズに濡れ広がる。
この結果、センサーデバイスは、例えば、吐出ノズルの精密な位置制御がなくても、センサー素子及び基板を設定量の充填部材で覆うことが可能となることから、充填部材の充填量のばらつきを低減することができる。
これにより、センサーデバイスは、従来(例えば、特許文献1、以下同様)のような、センサー素子(半導体圧力センサーチップに相当)の検出特性の低下や、センサー素子の早期の劣化を低減することが期待できる。
この結果、センサーデバイスは、例えば、吐出ノズルの精密な位置制御がなくても、センサー素子及び基板を設定量の充填部材で覆うことが可能となることから、充填部材の充填量のばらつきを低減することができる。
これにより、センサーデバイスは、従来(例えば、特許文献1、以下同様)のような、センサー素子(半導体圧力センサーチップに相当)の検出特性の低下や、センサー素子の早期の劣化を低減することが期待できる。
[適用例2]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記充填ガイド部は、ループワイヤーであることが好ましい。
これによれば、センサーデバイスは、充填ガイド部がループワイヤーであることから、ループワイヤーのガイドにより、充填部材をスムーズに誘導することができる。
なお、ループワイヤーとは、2点間に略放物線状の弧を描くように架け渡されたワイヤーのことである。
なお、ループワイヤーとは、2点間に略放物線状の弧を描くように架け渡されたワイヤーのことである。
[適用例3]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記基板は、開口部を有し、前記ループワイヤーの少なくとも一部は、平面視で前記開口部と重なることが好ましい。
これによれば、センサーデバイスは、基板が開口部を有し、ループワイヤーの少なくとも一部が、平面視で開口部と重なることから、ループワイヤーによって充填部材を開口部内へスムーズに誘導することができる。
[適用例4]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記ループワイヤーは、前記基板上に配置されていることが好ましい。
これによれば、センサーデバイスは、ループワイヤーが基板上に配置されていることから、ループワイヤーによって充填部材を基板上へスムーズに誘導することができる。
[適用例5]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記ループワイヤーは、平面視で前記センサー素子と前記基板との間に配置されていることが好ましい。
これによれば、センサーデバイスは、ループワイヤーがセンサー素子と基板との間に配置されていることから、ループワイヤーによって充填部材をセンサー素子及び基板上へスムーズに誘導することができる。
[適用例6]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記充填ガイド部は、前記容器の前記内部の底面に配設されている底面突出部であることが好ましい。
これによれば、センサーデバイスは、充填ガイド部が容器の内部の底面に配設されている底面突出部であることから、底面突出部によって充填部材を容器の内部の底面へスムーズに誘導することができる。
[適用例7]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記センサー素子は、圧力センサー素子であり、前記充填部材は、圧力伝播部材を含み、前記充填ガイド部は、前記圧力伝播部材の表面よりも突出していることが好ましい。
これによれば、センサーデバイスは、センサー素子が圧力センサー素子であり、充填部材が圧力伝播部材を含み、充填ガイド部が圧力伝播部材の表面よりも突出するように構成されていることから、充填ガイド部によって圧力伝播部材が、容器の内部にスムーズに濡れ広がる。
この結果、センサーデバイスは、圧力センサー素子及び基板を設定量の圧力伝播部材で覆うことが可能となることから、圧力伝播部材の充填量のばらつきを低減することができる。
これにより、センサーデバイスは、従来のような、圧力センサー素子の検出特性の低下や、圧力センサー素子の早期の劣化を低減することが期待できる。
この結果、センサーデバイスは、圧力センサー素子及び基板を設定量の圧力伝播部材で覆うことが可能となることから、圧力伝播部材の充填量のばらつきを低減することができる。
これにより、センサーデバイスは、従来のような、圧力センサー素子の検出特性の低下や、圧力センサー素子の早期の劣化を低減することが期待できる。
[適用例8]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記センサー素子は、圧力センサー素子であり、前記充填部材は、圧力伝播部材と、前記圧力伝播部材の表面を覆う保護部材と、を含み、前記充填ガイド部は、前記圧力伝播部材の表面よりも突出していることが好ましい。
これによれば、センサーデバイスは、センサー素子が圧力センサー素子であり、充填部材が圧力伝播部材と、圧力伝播部材の表面を覆う保護部材と、を含み、充填ガイド部が圧力伝播部材の表面よりも突出するように構成されていることから、充填ガイド部によって圧力伝播部材が容器の内部にスムーズに濡れ広がり、保護部材が圧力伝播部材の表面及び容器内にスムーズに濡れ広がる。
この結果、センサーデバイスは、圧力センサー素子及び基板を設定量の圧力伝播部材及び保護部材で覆うことが可能となることから、圧力伝播部材及び保護部材の充填量のばらつきを低減することができる。
これにより、センサーデバイスは、従来のような、圧力センサー素子の検出特性の低下や、圧力センサー素子の早期の劣化を低減することが期待できる。
この結果、センサーデバイスは、圧力センサー素子及び基板を設定量の圧力伝播部材及び保護部材で覆うことが可能となることから、圧力伝播部材及び保護部材の充填量のばらつきを低減することができる。
これにより、センサーデバイスは、従来のような、圧力センサー素子の検出特性の低下や、圧力センサー素子の早期の劣化を低減することが期待できる。
[適用例9]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記容器は、開口部を有し、前記充填ガイド部の少なくとも一部は、前記容器の前記開口部と平面視で重なっていることが好ましい。
これによれば、センサーデバイスは、容器が開口部を有し、充填ガイド部の少なくとも一部が容器の開口部と平面視で重なっていることから、例えば、吐出ノズルを容器の開口部から挿入し、充填ガイド部によって、充填部材を開口部から容器の内部へスムーズに誘導し、濡れ広がらせることが容易に可能となる。
[適用例10]本適用例にかかる携帯機器は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする。
これによれば、携帯機器は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
[適用例11]本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする。
これによれば、電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
[適用例12]本適用例にかかる移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする。
これによれば、移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
(第1実施形態)
最初に、第1実施形態のセンサーデバイスについて説明する。
図1は、第1実施形態のセンサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、センサーデバイスを同デバイスの開口部の上方から俯瞰した平面図である。図2は、図1のA−A線での断面図である。なお、図1、図2を含む以降の各図面において、平面図では、便宜的に一部の構成要素を省略してある。また、各図面において、わかり易くするために各構成要素の寸法比率は、実際と異なる。
最初に、第1実施形態のセンサーデバイスについて説明する。
図1は、第1実施形態のセンサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、センサーデバイスを同デバイスの開口部の上方から俯瞰した平面図である。図2は、図1のA−A線での断面図である。なお、図1、図2を含む以降の各図面において、平面図では、便宜的に一部の構成要素を省略してある。また、各図面において、わかり易くするために各構成要素の寸法比率は、実際と異なる。
図1、図2に示すように、第1実施形態のセンサーデバイス1は、センサー素子10と、センサー素子10が配置される基板20と、センサー素子10、基板20の少なくとも一部、を収容する容器30と、容器30の内部に充填され、センサー素子10及び基板20を覆う充填部材40と、容器30の内部に配置され、充填部材40を誘導する充填ガイド部としてのループワイヤー50と、を備えている。
加えて、センサーデバイス1は、容器30の内部に収容され、充填部材40に覆われているICチップ60を備えている。
以下、各構成要素について説明する。
加えて、センサーデバイス1は、容器30の内部に収容され、充填部材40に覆われているICチップ60を備えている。
以下、各構成要素について説明する。
<容器>
容器30は、開口部33を備えている第1容器31と、第1容器31の開口部33側とは反対側に位置する第2容器32と、から構成されている。第1容器31は、開口部33側が円筒状に形成され、開口部33に続く第2容器32側が、略角型の筒状に形成されている。第2容器32は、凹部を有する略角型のトレイ状に形成されている。なお、容器30の平面形状は、図示の略四角形に限定されるものではなく、円形や楕円形、または五角形以上の多角形などであってもよい。
第1容器31及び第2容器32の材料としては、コスト、加工性(成形性)、充填部材40との親和性などの観点から樹脂材料が好ましく、例えば、PBT(ポリブチレンテレフタレート)樹脂、PPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂、PC(ポリカーボネート)樹脂、などが挙げられる。
容器30は、開口部33を備えている第1容器31と、第1容器31の開口部33側とは反対側に位置する第2容器32と、から構成されている。第1容器31は、開口部33側が円筒状に形成され、開口部33に続く第2容器32側が、略角型の筒状に形成されている。第2容器32は、凹部を有する略角型のトレイ状に形成されている。なお、容器30の平面形状は、図示の略四角形に限定されるものではなく、円形や楕円形、または五角形以上の多角形などであってもよい。
第1容器31及び第2容器32の材料としては、コスト、加工性(成形性)、充填部材40との親和性などの観点から樹脂材料が好ましく、例えば、PBT(ポリブチレンテレフタレート)樹脂、PPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂、PC(ポリカーボネート)樹脂、などが挙げられる。
<基板>
第1容器31と第2容器32との間には、基板20が配置されている。
基板20は、例えば、ポリイミド樹脂からなるベース層21に、銅箔からなるリードパターン層(配線層)22が積層されたフレキシブル基板である。
なお、ベース層21の材料としては、ポリイミド樹脂に限定されるものではなく、PET(ポリエチレンテレフタレート)樹脂、PEN(ポリエチレンナフタレート)樹脂、PES(ポリエーテルスルホン)樹脂などの可撓性を有する樹脂が挙げられる。
なお、基板20は、リードパターン層22の非接続部を覆う絶縁層(図示せず)を備えていてもよい。
第1容器31と第2容器32との間には、基板20が配置されている。
基板20は、例えば、ポリイミド樹脂からなるベース層21に、銅箔からなるリードパターン層(配線層)22が積層されたフレキシブル基板である。
なお、ベース層21の材料としては、ポリイミド樹脂に限定されるものではなく、PET(ポリエチレンテレフタレート)樹脂、PEN(ポリエチレンナフタレート)樹脂、PES(ポリエーテルスルホン)樹脂などの可撓性を有する樹脂が挙げられる。
なお、基板20は、リードパターン層22の非接続部を覆う絶縁層(図示せず)を備えていてもよい。
基板20は、第1容器31と第2容器32とに挟まれ容器30の内部に一部が収容される略四角形状の実装部23と、実装部23から図1の紙面右側に延出している接続部24と、を備えている。
図1に示すように、基板20の実装部23には、中央部に紙面左右方向に長い略矩形状の開口部25が設けられ、平面視で開口部25内にセンサー素子10(紙面右側)とICチップ60(紙面左側)とが並んで配置されている。
図1に示すように、基板20の実装部23には、中央部に紙面左右方向に長い略矩形状の開口部25が設けられ、平面視で開口部25内にセンサー素子10(紙面右側)とICチップ60(紙面左側)とが並んで配置されている。
センサー素子10は、複数の端子部11が、基板20のリードパターン層22の複数の接続端子部26に、ボンディングワイヤー70で接続されることによって、基板20に支持されている。これにより、センサー素子10は、基板20に配置されていることになる。
また、ICチップ60は、複数の端子部61が、リードパターン層22の複数の接続端子部26に、ボンディングワイヤー70で接続されることによって、基板20に支持されている。
基板20は、接続部24の先端部が、例えば、外部機器のコネクター(接続装置)などに差し込まれることにより、外部機器と電気的に接続される構成となっている。
また、ICチップ60は、複数の端子部61が、リードパターン層22の複数の接続端子部26に、ボンディングワイヤー70で接続されることによって、基板20に支持されている。
基板20は、接続部24の先端部が、例えば、外部機器のコネクター(接続装置)などに差し込まれることにより、外部機器と電気的に接続される構成となっている。
<センサー素子>
図3は、センサー素子の概略構成を示す模式平面図であり、図4は、図3のB−B線での断面図である。図5は、センサー素子の圧力検出用回路図である。
図3、図4に示すように、センサー素子10は、圧力センサー素子であり、例えば、半導体を用いたダイアフラム型の圧力センサー素子である。
具体的には、センサー素子10は、半導体基板(SOI基板)12と、半導体基板12に形成された略矩形状のダイアフラム部13と、ダイアフラム部13の4辺のそれぞれに設けられたピエゾ抵抗素子14(個々に識別する場合には、14a,14b,14c,14dと表記する)と、ダイアフラム部13と対向する空洞部15を有する壁部16と、を備えている。
図3は、センサー素子の概略構成を示す模式平面図であり、図4は、図3のB−B線での断面図である。図5は、センサー素子の圧力検出用回路図である。
図3、図4に示すように、センサー素子10は、圧力センサー素子であり、例えば、半導体を用いたダイアフラム型の圧力センサー素子である。
具体的には、センサー素子10は、半導体基板(SOI基板)12と、半導体基板12に形成された略矩形状のダイアフラム部13と、ダイアフラム部13の4辺のそれぞれに設けられたピエゾ抵抗素子14(個々に識別する場合には、14a,14b,14c,14dと表記する)と、ダイアフラム部13と対向する空洞部15を有する壁部16と、を備えている。
センサー素子10は、各構成要素が、例えば半導体プロセスを用いて以下のように形成されている。
半導体基板12は、図4の紙面下側から、第2シリコン層12c、シリコン酸化膜12b、第1シリコン層12aがこの順で積層されることにより形成されている。
ピエゾ抵抗素子14は、半導体基板12の第1シリコン層12aに、リン、ボロンなどの不純物をドープ(拡散または注入)することにより形成されている。
ダイアフラム部13は、半導体基板12の第2シリコン層12cの中央部を、平面視で略矩形状にシリコン酸化膜12bまでエッチングすることにより形成されている。
これにより、ダイアフラム部13は、受圧により撓むダイアフラムとして機能する。
壁部16は、半導体基板12上に絶縁層(図示せず)と金属層(配線層)(図示せず)とが複数積層されることにより形成されている。壁部16は、絶縁層の内、ダイアフラム部13と対向する位置にあって、金属層で囲まれた部分を犠牲層としてエッチングすることにより空洞部15が形成されている。
壁部16の上面には、複数の端子部11が設けられ、金属層を介して後述する圧力検出用回路と接続されている。
半導体基板12は、図4の紙面下側から、第2シリコン層12c、シリコン酸化膜12b、第1シリコン層12aがこの順で積層されることにより形成されている。
ピエゾ抵抗素子14は、半導体基板12の第1シリコン層12aに、リン、ボロンなどの不純物をドープ(拡散または注入)することにより形成されている。
ダイアフラム部13は、半導体基板12の第2シリコン層12cの中央部を、平面視で略矩形状にシリコン酸化膜12bまでエッチングすることにより形成されている。
これにより、ダイアフラム部13は、受圧により撓むダイアフラムとして機能する。
壁部16は、半導体基板12上に絶縁層(図示せず)と金属層(配線層)(図示せず)とが複数積層されることにより形成されている。壁部16は、絶縁層の内、ダイアフラム部13と対向する位置にあって、金属層で囲まれた部分を犠牲層としてエッチングすることにより空洞部15が形成されている。
壁部16の上面には、複数の端子部11が設けられ、金属層を介して後述する圧力検出用回路と接続されている。
図5に示すように、センサー素子10は、ダイアフラム部13に印加された圧力に応じて抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子14を用いて、圧力検出用回路としてホイートストンブリッジ回路(以下、ブリッジ回路という)17が構成されている。
ピエゾ抵抗素子14a,14b,14c,14dは、ダイアフラム部13に圧力が印加されていない状態では、抵抗値が互いに等しくなるように構成されている。
ブリッジ回路17には、駆動電圧AVDCを供給する駆動回路(図示せず)が接続されている。
ブリッジ回路17は、ダイアフラム部13に印加された圧力に応じた電位差が検出信号として端子部11から出力される構成となっている。
なお、空洞部15内は、真空状態(例えば、10Pa以下)となっており、センサー素子10は、絶対圧センサーとして機能する。
ピエゾ抵抗素子14a,14b,14c,14dは、ダイアフラム部13に圧力が印加されていない状態では、抵抗値が互いに等しくなるように構成されている。
ブリッジ回路17には、駆動電圧AVDCを供給する駆動回路(図示せず)が接続されている。
ブリッジ回路17は、ダイアフラム部13に印加された圧力に応じた電位差が検出信号として端子部11から出力される構成となっている。
なお、空洞部15内は、真空状態(例えば、10Pa以下)となっており、センサー素子10は、絶対圧センサーとして機能する。
<ICチップ>
ICチップ60は、半導体回路(図示せず)を備え、端子部61、ボンディングワイヤー70、リードパターン層22を介してセンサー素子10と接続されている。
ICチップ60の半導体回路には、センサー素子10のブリッジ回路17に駆動電圧AVDCを供給する駆動回路、センサー素子10のブリッジ回路17からの検出信号を、A/D(アナログ/デジタル)変換するA/D変換回路、A/D変換回路からの出力信号をセンサー素子10の温度に応じて補償する温度補償回路、温度補償回路からの出力信号を所望の形式の圧力データに置換して外部に出力する出力回路などが含まれる。
なお、半導体回路の一部は、センサー素子10に設けられていてもよい。
ICチップ60は、半導体回路(図示せず)を備え、端子部61、ボンディングワイヤー70、リードパターン層22を介してセンサー素子10と接続されている。
ICチップ60の半導体回路には、センサー素子10のブリッジ回路17に駆動電圧AVDCを供給する駆動回路、センサー素子10のブリッジ回路17からの検出信号を、A/D(アナログ/デジタル)変換するA/D変換回路、A/D変換回路からの出力信号をセンサー素子10の温度に応じて補償する温度補償回路、温度補償回路からの出力信号を所望の形式の圧力データに置換して外部に出力する出力回路などが含まれる。
なお、半導体回路の一部は、センサー素子10に設けられていてもよい。
図2に示すように、センサー素子10とICチップ60とが実装された基板20の実装部23は、接合部材80によってリードパターン層22側が第1容器31に気密に固定され、ベース層21のリードパターン層22とは反対側が第2容器32に気密に固定されている。
なお、接合部材80としては、特に限定されないが、シリコーン系、エポキシ系、ポリイミド系の接着剤などが挙げられる。
なお、接合部材80としては、特に限定されないが、シリコーン系、エポキシ系、ポリイミド系の接着剤などが挙げられる。
<充填部材>
基板20を介して第1容器31と第2容器32とが気密に接合された容器30の内部には、充填部材40が充填されている。
充填部材40は、圧力伝播部材41と、圧力伝播部材41の表面を覆う保護部材42と、を含んでいる。
圧力伝播部材41は、第1容器31の開口部33から吐出ノズル90によって容器30の内部に充填される。その際、圧力伝播部材41は、基板20の開口部25によって第1容器31側から第2容器32側に回り込んで充填され、容器30の内部のセンサー素子10やICチップ60、基板20などを覆う。
基板20を介して第1容器31と第2容器32とが気密に接合された容器30の内部には、充填部材40が充填されている。
充填部材40は、圧力伝播部材41と、圧力伝播部材41の表面を覆う保護部材42と、を含んでいる。
圧力伝播部材41は、第1容器31の開口部33から吐出ノズル90によって容器30の内部に充填される。その際、圧力伝播部材41は、基板20の開口部25によって第1容器31側から第2容器32側に回り込んで充填され、容器30の内部のセンサー素子10やICチップ60、基板20などを覆う。
なお、圧力伝播部材41の材料としては、特に限定されないが、フッ素ゲルや、フロロシリコーンゲル、シリコーンゲルなどが挙げられる。
保護部材42は、圧力伝播部材41が容器30の内部に充填され硬化処理された後、圧力伝播部材41と同様に、第1容器31の開口部33から吐出ノズル90によって圧力伝播部材41の表面を覆うように充填される。
なお、保護部材42の材料としては、特に限定されないが、シリコーンゴムなどのゴム系材料が挙げられる。
保護部材42は、圧力伝播部材41が容器30の内部に充填され硬化処理された後、圧力伝播部材41と同様に、第1容器31の開口部33から吐出ノズル90によって圧力伝播部材41の表面を覆うように充填される。
なお、保護部材42の材料としては、特に限定されないが、シリコーンゴムなどのゴム系材料が挙げられる。
センサーデバイス1は、容器30の内部のセンサー素子10やICチップ60、基板20などが、保護部材42によって外部環境(例えば、海水を含む水分など)から保護されつつ、外部から印加される圧力が、圧力伝播部材41によってセンサー素子10に伝播することで圧力を検出する構成となっている。
<充填ガイド部>
充填ガイド部としてのループワイヤー50は、容器30内に配置され、充填部材40を誘導する。
ループワイヤー50の材料としては、特に限定されないが、例えば、金、アルミニウム、銅、ニッケルまたはプラチナなどの金属の線材が挙げられる。なお、ループワイヤーとは、2点間に略放物線状の弧を描くように架け渡されたワイヤーのことである。
ループワイヤー50の少なくとも一部は、平面視で基板20の開口部25と重なるように配置されている。
充填ガイド部としてのループワイヤー50は、容器30内に配置され、充填部材40を誘導する。
ループワイヤー50の材料としては、特に限定されないが、例えば、金、アルミニウム、銅、ニッケルまたはプラチナなどの金属の線材が挙げられる。なお、ループワイヤーとは、2点間に略放物線状の弧を描くように架け渡されたワイヤーのことである。
ループワイヤー50の少なくとも一部は、平面視で基板20の開口部25と重なるように配置されている。
本実施形態では、ループワイヤー50は、基板20の開口部25の第1長辺25a側の接続端子部26aと、開口部25の第2長辺25b側の接続端子部26bとの間に架け渡されている。つまり、ループワイヤー50は、基板20上に配置されていることになる。
なお、ループワイヤー50は、平面視で基板20の開口部25の中心C1を通るように配置されるのが、充填部材40を誘導する上で好ましい。
また、ループワイヤー50の少なくとも一部は、平面視で容器30の開口部33と重なるように配置されるのが、充填部材40を誘導する上で好ましい。
なお、本実施形態では、平面視で容器30の開口部33の中心C2と、基板20の開口部25の中心C1とが重なり、且つ、平面視でループワイヤー50が、この中心C1,C2を通る好適な構成を例示している。
なお、中心C1,C2は、互いに重ならなくてもよいし、ループワイヤー50は、中心C1,C2を通らなくてもよい。
なお、ループワイヤー50は、平面視で基板20の開口部25の中心C1を通るように配置されるのが、充填部材40を誘導する上で好ましい。
また、ループワイヤー50の少なくとも一部は、平面視で容器30の開口部33と重なるように配置されるのが、充填部材40を誘導する上で好ましい。
なお、本実施形態では、平面視で容器30の開口部33の中心C2と、基板20の開口部25の中心C1とが重なり、且つ、平面視でループワイヤー50が、この中心C1,C2を通る好適な構成を例示している。
なお、中心C1,C2は、互いに重ならなくてもよいし、ループワイヤー50は、中心C1,C2を通らなくてもよい。
本実施形態では、ループワイヤー50は、ループの頂点を含む一部が、圧力伝播部材41の表面よりも突出している。そして、ループワイヤー50の圧力伝播部材41の表面よりも突出している部分は、保護部材42内に収まっている。
なお、ループワイヤー50は、ループの頂点を含む一部が、保護部材42の表面よりも突出していてもよい。
なお、ループワイヤー50は、ループの頂点を含む一部が、保護部材42の表面よりも突出していてもよい。
上述したように、第1実施形態のセンサーデバイス1は、充填部材40の充填の際に、ループワイヤー50によって充填部材40を誘導することから、充填部材40が容器30の内部にスムーズに濡れ広がる。
この結果、センサーデバイス1は、例えば、吐出ノズル90の精密な位置制御がなくても、センサー素子10、ICチップ60及び基板20を設定量の充填部材40で覆うことが可能となることから、充填部材40の充填量のばらつきを低減することができる。
これにより、センサーデバイス1は、従来のような、センサー素子10の検出特性の低下や、センサー素子10の早期の劣化を低減することが期待できる。
この結果、センサーデバイス1は、例えば、吐出ノズル90の精密な位置制御がなくても、センサー素子10、ICチップ60及び基板20を設定量の充填部材40で覆うことが可能となることから、充填部材40の充填量のばらつきを低減することができる。
これにより、センサーデバイス1は、従来のような、センサー素子10の検出特性の低下や、センサー素子10の早期の劣化を低減することが期待できる。
また、センサーデバイス1は、充填ガイド部がループワイヤー50であることから、ループワイヤー50のガイドにより、充填部材40をスムーズに誘導することができる。
これについて、図面を用いて詳述する。図6は、充填部材を充填する工程を説明する模式断面図である。
これについて、図面を用いて詳述する。図6は、充填部材を充填する工程を説明する模式断面図である。
図6に示すように、容器30の開口部33に挿入された吐出ノズル90から吐出される充填部材40の先端部は、表面張力などにより吐出ノズル90の先端で球状となる。
球状となった充填部材40は、従来のような大きな球状となる前にループワイヤー50に接することで、ループワイヤー50に沿って矢印のように濡れ広がり、容器30の内部にスムーズに充填されることになる。また、充填部材40は、ループワイヤー50に沿って下方へ濡れ広がることから、ループワイヤー50から吐出ノズル90の先端への逆戻りが生じにくくなる。
これらにより、センサーデバイス1は、ループワイヤー50によって充填部材40を容器30内にスムーズに誘導することができ、充填部材40の充填量のばらつきを低減することが可能となる。
球状となった充填部材40は、従来のような大きな球状となる前にループワイヤー50に接することで、ループワイヤー50に沿って矢印のように濡れ広がり、容器30の内部にスムーズに充填されることになる。また、充填部材40は、ループワイヤー50に沿って下方へ濡れ広がることから、ループワイヤー50から吐出ノズル90の先端への逆戻りが生じにくくなる。
これらにより、センサーデバイス1は、ループワイヤー50によって充填部材40を容器30内にスムーズに誘導することができ、充填部材40の充填量のばらつきを低減することが可能となる。
また、センサーデバイス1は、基板20が開口部25を有し、ループワイヤー50の少なくとも一部が、平面視で開口部25と重なることから、ループワイヤー50によって充填部材40(圧力伝播部材41)を開口部25内へスムーズに誘導することができる。
これにより、センサーデバイス1は、圧力伝播部材41を第2容器32の内部へスムーズに充填することができる。
これにより、センサーデバイス1は、圧力伝播部材41を第2容器32の内部へスムーズに充填することができる。
また、センサーデバイス1は、ループワイヤー50が基板20上に配置されていることから、ループワイヤー50によって充填部材40(圧力伝播部材41)を基板20上へスムーズに誘導することができる。
これにより、センサーデバイス1は、圧力伝播部材41を基板20上へスムーズに充填することができる。
これにより、センサーデバイス1は、圧力伝播部材41を基板20上へスムーズに充填することができる。
また、センサーデバイス1は、センサー素子10が圧力センサー素子であり、充填部材40が圧力伝播部材41と、圧力伝播部材41の表面を覆う保護部材42と、を含み、ループワイヤー50が圧力伝播部材41の表面よりも突出するように構成されていることから、ループワイヤー50によって圧力伝播部材41が容器30の内部にスムーズに濡れ広がり、保護部材42が圧力伝播部材41の表面及び容器30の内部にスムーズに濡れ広がる。
この結果、センサーデバイス1は、センサー素子10及び基板20を設定量の圧力伝播部材41及び保護部材42で覆うことが可能となることから、圧力伝播部材41及び保護部材42の充填量のばらつきを低減することができる。
これにより、センサーデバイス1は、従来のような、センサー素子10の検出特性の低下や、センサー素子10の早期の劣化を低減することが期待できる。
この結果、センサーデバイス1は、センサー素子10及び基板20を設定量の圧力伝播部材41及び保護部材42で覆うことが可能となることから、圧力伝播部材41及び保護部材42の充填量のばらつきを低減することができる。
これにより、センサーデバイス1は、従来のような、センサー素子10の検出特性の低下や、センサー素子10の早期の劣化を低減することが期待できる。
また、センサーデバイス1は、容器30が開口部33を有し、ループワイヤー50の少なくとも一部が容器30の開口部33と平面視で重なっていることから、例えば、吐出ノズル90を容器30の開口部33から挿入し、吐出ノズル90から吐出される充填部材40を、ループワイヤー50によって、開口部33から容器30の内部へスムーズに誘導し、濡れ広がらせることが容易に可能となる。
なお、本実施形態では、平面視で容器30の開口部33の中心C2と、基板20の開口部25の中心C1とが重なり、且つ、平面視でループワイヤー50が、この中心C1,C2を通ることから、充填部材40をスムーズに容器30の内部へ濡れ広がらせることが、より容易に可能となる。
なお、本実施形態では、平面視で容器30の開口部33の中心C2と、基板20の開口部25の中心C1とが重なり、且つ、平面視でループワイヤー50が、この中心C1,C2を通ることから、充填部材40をスムーズに容器30の内部へ濡れ広がらせることが、より容易に可能となる。
(変形例)
次に、第1実施形態の変形例について説明する。
図7は、第1実施形態の変形例のセンサーデバイスの概略構成を示す模式断面図であり、断面位置は図2と同様である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、第1実施形態の変形例について説明する。
図7は、第1実施形態の変形例のセンサーデバイスの概略構成を示す模式断面図であり、断面位置は図2と同様である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図7に示すように、第1実施形態の変形例のセンサーデバイス2は、第1実施形態と比較して、充填部材40の構成が異なる。
センサーデバイス2の充填部材40は、圧力伝播部材41を含み、ループワイヤー50が、圧力伝播部材41の表面よりも突出している。つまり、センサーデバイス2の充填部材40は、保護部材42を含まない。
センサーデバイス2の充填部材40は、圧力伝播部材41を含み、ループワイヤー50が、圧力伝播部材41の表面よりも突出している。つまり、センサーデバイス2の充填部材40は、保護部材42を含まない。
上述したように、第1実施形態の変形例のセンサーデバイス2は、充填部材40が圧力伝播部材41を含み、ループワイヤー50が圧力伝播部材41の表面よりも突出するように構成されていることから、ループワイヤー50によって圧力伝播部材41が、容器30の内部にスムーズに濡れ広がる。
この結果、センサーデバイス2は、センサー素子10及び基板20を設定量の圧力伝播部材41で覆うことが可能となることから、圧力伝播部材41の充填量のばらつきを低減することができる。
これにより、センサーデバイス2は、従来のような、センサー素子10の検出特性の低下や、センサー素子10の早期の劣化を低減することが期待できる。
加えて、センサーデバイス2は、充填部材40が圧力伝播部材41の一層構造であることから、圧力伝播部材41と保護部材42との2層構造である第1実施形態よりも、生産性を向上させることができる。
なお、上記変形例の構成は、以下の各実施形態にも適用可能である。
この結果、センサーデバイス2は、センサー素子10及び基板20を設定量の圧力伝播部材41で覆うことが可能となることから、圧力伝播部材41の充填量のばらつきを低減することができる。
これにより、センサーデバイス2は、従来のような、センサー素子10の検出特性の低下や、センサー素子10の早期の劣化を低減することが期待できる。
加えて、センサーデバイス2は、充填部材40が圧力伝播部材41の一層構造であることから、圧力伝播部材41と保護部材42との2層構造である第1実施形態よりも、生産性を向上させることができる。
なお、上記変形例の構成は、以下の各実施形態にも適用可能である。
(第2実施形態)
次に、第2実施形態のセンサーデバイスについて説明する。
図8は、第2実施形態のセンサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、センサーデバイスを開口部の上方から俯瞰した平面図である。図9は、図8のD−D線での断面図である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、第2実施形態のセンサーデバイスについて説明する。
図8は、第2実施形態のセンサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、センサーデバイスを開口部の上方から俯瞰した平面図である。図9は、図8のD−D線での断面図である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図8、図9に示すように、第2実施形態のセンサーデバイス3は、第1実施形態と比較して、充填ガイド部としてのループワイヤー50の配置が異なる。
センサーデバイス3は、ループワイヤー50が、平面視でセンサー素子10と基板20との間に配置されている。
具体的には、ループワイヤー50は、センサー素子10の紙面右側に設けられた端子部11aと、基板20の開口部25の紙面左側の第1短辺25c側に設けられた接続端子部26cとの間に、ICチップ60を跨いで架け渡されている。
センサーデバイス3は、ループワイヤー50が、平面視でセンサー素子10と基板20との間に配置されている。
具体的には、ループワイヤー50は、センサー素子10の紙面右側に設けられた端子部11aと、基板20の開口部25の紙面左側の第1短辺25c側に設けられた接続端子部26cとの間に、ICチップ60を跨いで架け渡されている。
なお、ループワイヤー50は、平面視で基板20の開口部25の中心C1を通るように配置されるのが、充填部材40を誘導する上で好ましい。
また、ループワイヤー50の少なくとも一部は、平面視で容器30の開口部33と重なるように配置されるのが、充填部材40を誘導する上で好ましい。
なお、本実施形態では、平面視で容器30の開口部33の中心C2と、基板20の開口部25の中心C1とが重なり、且つ、平面視でループワイヤー50が、この中心C1,C2を通る好適な構成を例示している。
なお、中心C1,C2は、互いに重ならなくてもよいし、ループワイヤー50は、中心C1,C2を通らなくてもよい。
また、ループワイヤー50の少なくとも一部は、平面視で容器30の開口部33と重なるように配置されるのが、充填部材40を誘導する上で好ましい。
なお、本実施形態では、平面視で容器30の開口部33の中心C2と、基板20の開口部25の中心C1とが重なり、且つ、平面視でループワイヤー50が、この中心C1,C2を通る好適な構成を例示している。
なお、中心C1,C2は、互いに重ならなくてもよいし、ループワイヤー50は、中心C1,C2を通らなくてもよい。
上述したように、第2実施形態のセンサーデバイス3は、ループワイヤー50がセンサー素子10と基板20との間に配置されていることから、ループワイヤー50によって充填部材40(圧力伝播部材41)をセンサー素子10、ICチップ60及び基板20上へスムーズに誘導することができる。
この結果、センサーデバイス3は、充填部材40(圧力伝播部材41)をセンサー素子10、ICチップ60及び基板20上へスムーズに充填することができる。
この結果、センサーデバイス3は、充填部材40(圧力伝播部材41)をセンサー素子10、ICチップ60及び基板20上へスムーズに充填することができる。
(第3実施形態)
次に、第3実施形態のセンサーデバイスについて説明する。
図10は、第3実施形態のセンサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、センサーデバイスを同デバイスの開口部の上方から俯瞰した平面図である。図11は、図10のA−A線での断面図である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、第3実施形態のセンサーデバイスについて説明する。
図10は、第3実施形態のセンサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、センサーデバイスを同デバイスの開口部の上方から俯瞰した平面図である。図11は、図10のA−A線での断面図である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図10、図11に示すように、第3実施形態のセンサーデバイス4は、第1実施形態と比較して、充填ガイド部が異なる。
センサーデバイス4は、充填ガイド部が、容器30の内部の底面としての第2容器32の内底面34に配設され、内底面34から第1容器31の開口部33側へ突出している底面突出部51である。
底面突出部51は、例えば、平面視で第2容器32の内部の内底面34の中心C3に配設され、根元から先端に向かうにつれて細くなる略円錐状に形成されている。
底面突出部51は、充填部材40における圧力伝播部材41の表面よりも突出し、更に保護部材42の表面よりも突出している。なお、底面突出部51は、先端が保護部材42内に収まっていてもよい。
センサーデバイス4は、充填ガイド部が、容器30の内部の底面としての第2容器32の内底面34に配設され、内底面34から第1容器31の開口部33側へ突出している底面突出部51である。
底面突出部51は、例えば、平面視で第2容器32の内部の内底面34の中心C3に配設され、根元から先端に向かうにつれて細くなる略円錐状に形成されている。
底面突出部51は、充填部材40における圧力伝播部材41の表面よりも突出し、更に保護部材42の表面よりも突出している。なお、底面突出部51は、先端が保護部材42内に収まっていてもよい。
なお、本実施形態では、平面視で容器30の開口部33の中心C2と、基板20の開口部25の中心C1とが重なり、且つ、平面視で底面突出部51の中心C3が、中心C1,C2と重なる好適な構成を例示している。
なお、中心C1,C2は、互いに重ならなくてもよいし、中心C3は、中心C1,C2と重ならなくてもよい。また、底面突出部51は、内底面34の中心C3に配置されていなくてもよい。
なお、中心C1,C2は、互いに重ならなくてもよいし、中心C3は、中心C1,C2と重ならなくてもよい。また、底面突出部51は、内底面34の中心C3に配置されていなくてもよい。
上述したように、第3実施形態のセンサーデバイス4は、充填ガイド部が、第2容器32の内底面34に配設され、内底面34から第1容器31の開口部33へ向かって突出している略円錐状の底面突出部51であることから、底面突出部51によって充填部材40(圧力伝播部材41)を第2容器32の内底面34へスムーズに誘導することができる。
この結果、センサーデバイス4は、充填部材40(圧力伝播部材41)を容器30(第2容器32)の内部へスムーズに充填することができる。
また、センサーデバイス4は、底面突出部51が保護部材42の表面よりも突出していることから、保護部材42をスムーズに圧力伝播部材41の表面に濡れ広がらせることができる。
なお、底面突出部51の形状は、略円錐状に限定されるものではなく、略円柱状や、略角柱状などであってもよく、これらの形状に段差を加えた形状であってもよい。
この結果、センサーデバイス4は、充填部材40(圧力伝播部材41)を容器30(第2容器32)の内部へスムーズに充填することができる。
また、センサーデバイス4は、底面突出部51が保護部材42の表面よりも突出していることから、保護部材42をスムーズに圧力伝播部材41の表面に濡れ広がらせることができる。
なお、底面突出部51の形状は、略円錐状に限定されるものではなく、略円柱状や、略角柱状などであってもよく、これらの形状に段差を加えた形状であってもよい。
(変形例)
次に、第3実施形態の変形例について説明する。
図12は、第3実施形態の変形例のセンサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、センサーデバイスを同デバイスの開口部の上方から俯瞰した平面図である。図13は、図12のA−A線での断面図である。
なお、第3実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第3実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、第3実施形態の変形例について説明する。
図12は、第3実施形態の変形例のセンサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、センサーデバイスを同デバイスの開口部の上方から俯瞰した平面図である。図13は、図12のA−A線での断面図である。
なお、第3実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第3実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図12、図13に示すように、第3実施形態の変形例のセンサーデバイス5は、第3実施形態と比較して、底面突出部52の構成が異なる。
底面突出部52は、第2容器32の内底面34から第1容器31の開口部33側へ突出し、平面視で内底面34の中心C3に配置されている略円錐状の本体部52aと、内底面34から開口部33側へ帯状に突出し、平面視で本体部52aと第2容器32の内部の側壁35とを十字状に接続するリブ部52bと、を備えている。
底面突出部52は、第2容器32の内底面34から第1容器31の開口部33側へ突出し、平面視で内底面34の中心C3に配置されている略円錐状の本体部52aと、内底面34から開口部33側へ帯状に突出し、平面視で本体部52aと第2容器32の内部の側壁35とを十字状に接続するリブ部52bと、を備えている。
上述したように、第3実施形態の変形例のセンサーデバイス5は、底面突出部52が略円錐状の本体部52aと、本体部52aと第2容器32の内部の側壁35とを接続するリブ部52bと、を備えていることから、底面突出部52によって、充填部材40(圧力伝播部材41)を容器30の内部へスムーズに充填することができるとともに、リブ部52bによって第2容器32の強度を向上させることができる。
なお、本変形例では、平面視で容器30の開口部33の中心C2と、基板20の開口部25の中心C1とが重なり、且つ、平面視で底面突出部52の本体部52aの中心C3が、中心C1,C2と重なる好適な構成を例示している。
なお、中心C1,C2は、互いに重ならなくてもよいし、中心C3は、中心C1,C2と重ならなくてもよい。
なお、上記各実施形態は、互いに組み合わせて実施することも可能である。
なお、中心C1,C2は、互いに重ならなくてもよいし、中心C3は、中心C1,C2と重ならなくてもよい。
なお、上記各実施形態は、互いに組み合わせて実施することも可能である。
(携帯機器)
次に、上述したセンサーデバイスを備えている携帯機器について説明する。
図14は、センサーデバイスを備えている携帯機器の一例としての高度計を示す模式斜視図である。
次に、上述したセンサーデバイスを備えている携帯機器について説明する。
図14は、センサーデバイスを備えている携帯機器の一例としての高度計を示す模式斜視図である。
図14に示すように、高度計200は、多機能腕時計でもあり、手首に装着することができる。また、高度計200の内部には、センサーデバイス1(または2〜5のいずれか)が搭載されており、表示部201に現在地における海抜、または、現在地の気圧などが表示される。
なお、この表示部201には、上記高度、気圧などの他に、現在時刻、使用者の心拍数、天候など、様々な情報が表示される。
なお、この表示部201には、上記高度、気圧などの他に、現在時刻、使用者の心拍数、天候など、様々な情報が表示される。
上述したように、本構成の高度計200は、センサーデバイス1(または2〜5のいずれか)を備えていることから、上記各実施形態及び変形例に記載の効果が奏され、優れた性能(例えば、高感度な高度検出性能など)を発揮することができる。
なお、上述したセンサーデバイスを備えている携帯機器としては、上記高度計の他に、例えば、携帯電話、腕時計型多機能端末、タブレット型多機能端末などが挙げられる。
なお、上述したセンサーデバイスを備えている携帯機器としては、上記高度計の他に、例えば、携帯電話、腕時計型多機能端末、タブレット型多機能端末などが挙げられる。
(電子機器)
次に、上述したセンサーデバイスを備えている電子機器について説明する。
図15は、センサーデバイスを備えている電子機器の一例としてのナビゲーションシステムを示す模式正面図である。
次に、上述したセンサーデバイスを備えている電子機器について説明する。
図15は、センサーデバイスを備えている電子機器の一例としてのナビゲーションシステムを示す模式正面図である。
図15に示すように、ナビゲーションシステム300は、図示しない地図情報と、GPS(全地球測位システム:Global Positioning System)からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサー及び加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、センサーデバイス1(または2〜5のいずれか)と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部301と、を備えている。
このナビゲーションシステム300は、取得した位置情報に加えてセンサーデバイス1(または2〜5のいずれか)により高度情報を取得することができる。
従来の、高度情報を持たないナビゲーションシステムでは、一般道路と高架道路とが重なって設けられている場合、一般道路と高架道路との判別ができないことから、高架道路を走行していても優先情報として一般道路走行におけるナビゲーション情報を使用者に提供していたという問題があった。
これに対して、ナビゲーションシステム300では、高度情報を取得することにより、一般道路と高架道路との判別が可能となることから、高架道路走行時において高架道路走行におけるナビゲーション情報を使用者に確実に提供することができる。
従来の、高度情報を持たないナビゲーションシステムでは、一般道路と高架道路とが重なって設けられている場合、一般道路と高架道路との判別ができないことから、高架道路を走行していても優先情報として一般道路走行におけるナビゲーション情報を使用者に提供していたという問題があった。
これに対して、ナビゲーションシステム300では、高度情報を取得することにより、一般道路と高架道路との判別が可能となることから、高架道路走行時において高架道路走行におけるナビゲーション情報を使用者に確実に提供することができる。
なお、ナビゲーションシステム300の表示部301は、例えば、液晶パネルディスプレイや、有機EL(Organic Electro−Luminescence)ディスプレイなどを用いることにより、小型かつ薄型化が可能な構成となっている。
上述したように、本構成のナビゲーションシステム300は、センサーデバイス1(または2〜5のいずれか)を備えていることから、上記各実施形態及び変形例に記載の効果が奏され、優れた性能(例えば、高感度な高度情報の取得による精度の高いナビゲーション情報の提供など)を発揮することができる。
なお、上述したセンサーデバイスを備えている電子機器としては、上記ナビゲーションシステムの他に、例えば、パーソナルコンピューター、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーターなどが挙げられる。
(移動体)
次に、上述したセンサーデバイスを備えている移動体について説明する。
図16は、センサーデバイスを備えている移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図である。
次に、上述したセンサーデバイスを備えている移動体について説明する。
図16は、センサーデバイスを備えている移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図である。
図16に示すように、自動車400は、車体401と、4つの車輪402と、を有しており、車体401に設けられた図示しない動力源(エンジン)によって車輪402を回転させるように構成されている。
自動車400は、センサーデバイス1(または2〜5のいずれか)を、例えば、搭載されているナビゲーション装置、姿勢制御装置などの高度検出センサーや、車輪402の空気圧検出センサーなどとして用いている。
これによれば、自動車400は、センサーデバイス1(または2〜5のいずれか)を備えていることから、上記各実施形態及び変形例に記載の効果が奏され、優れた性能(例えば、高度に応じた精度の高いナビゲーション性能、高度に応じた応答性の高い姿勢制御性能、感度の高い空気圧管理性能など)を発揮することができる。
自動車400は、センサーデバイス1(または2〜5のいずれか)を、例えば、搭載されているナビゲーション装置、姿勢制御装置などの高度検出センサーや、車輪402の空気圧検出センサーなどとして用いている。
これによれば、自動車400は、センサーデバイス1(または2〜5のいずれか)を備えていることから、上記各実施形態及び変形例に記載の効果が奏され、優れた性能(例えば、高度に応じた精度の高いナビゲーション性能、高度に応じた応答性の高い姿勢制御性能、感度の高い空気圧管理性能など)を発揮することができる。
上述したセンサーデバイスは、上記自動車400に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人工衛星などを含む移動体の、例えば高度検出センサーなどとして好適に用いることができ、いずれの場合にも、上記各実施形態及び変形例で説明した効果が奏され、優れた性能を発揮する移動体を提供することができる。
本発明は、上記実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
1,2,3,4,5…センサーデバイス、10…センサー素子、11,11a…端子部、12…半導体基板、12a…第1シリコン層、12b…シリコン酸化膜、12c…第2シリコン層、13…ダイアフラム部、14,14a,14b,14c,14d…ピエゾ抵抗素子、15…空洞部、16…壁部、17…ブリッジ回路、20…基板、21…ベース層、22…リードパターン層、23…実装部、24…接続部、25…開口部、25a…第1長辺、25b…第2長辺、25c…第1短辺、26,26a,26b,26c…接続端子部、30…容器、31…第1容器、32…第2容器、33…開口部、34…内底面、35…側壁、40…充填部材、41…圧力伝播部材、42…保護部材、50…充填ガイド部としてのループワイヤー、51,52…充填ガイド部としての底面突出部、52a…本体部、52b…リブ部、60…ICチップ、61…端子部、70…ボンディングワイヤー、80…接合部材、90…吐出ノズル、200…携帯機器としての高度計、201…表示部、300…電子機器としてのナビゲーションシステム、301…表示部、400…移動体としての自動車、401…車体、402…車輪。
Claims (12)
- センサー素子と、
前記センサー素子が配置される基板と、
前記センサー素子、前記基板の少なくとも一部、を収容する容器と、
前記容器の内部に充填され、前記センサー素子及び前記基板を覆う充填部材と、
前記容器の前記内部に配置され、前記充填部材を誘導する充填ガイド部と、
を備えていることを特徴とするセンサーデバイス。 - 前記充填ガイド部は、ループワイヤーであることを特徴とする請求項1に記載のセンサーデバイス。
- 前記基板は、開口部を有し、
前記ループワイヤーの少なくとも一部は、平面視で前記開口部と重なることを特徴とする請求項2に記載のセンサーデバイス。 - 前記ループワイヤーは、前記基板上に配置されていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載のセンサーデバイス。
- 前記ループワイヤーは、平面視で前記センサー素子と前記基板との間に配置されていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載のセンサーデバイス。
- 前記充填ガイド部は、前記容器の前記内部の底面に配設されている底面突出部であることを特徴とする請求項1に記載のセンサーデバイス。
- 前記センサー素子は、圧力センサー素子であり、
前記充填部材は、圧力伝播部材を含み、
前記充填ガイド部は、前記圧力伝播部材の表面よりも突出していることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載のセンサーデバイス。 - 前記センサー素子は、圧力センサー素子であり、
前記充填部材は、圧力伝播部材と、前記圧力伝播部材の表面を覆う保護部材と、を含み、
前記充填ガイド部は、前記圧力伝播部材の表面よりも突出していることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載のセンサーデバイス。 - 前記容器は、開口部を有し、
前記充填ガイド部の少なくとも一部は、前記容器の前記開口部と平面視で重なっていることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか一項に記載のセンサーデバイス。 - 請求項1ないし請求項9のいずれか一項に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする携帯機器。
- 請求項1ないし請求項9のいずれか一項に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
- 請求項1ないし請求項9のいずれか一項に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする移動体。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2016080092A JP2017190992A (ja) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | センサーデバイス、携帯機器、電子機器及び移動体 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016080092A Pending JP2017190992A (ja) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | センサーデバイス、携帯機器、電子機器及び移動体 |
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JP (1) | JP2017190992A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022070571A1 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 株式会社村田製作所 | 圧力センサおよびその製造方法 |
-
2016
- 2016-04-13 JP JP2016080092A patent/JP2017190992A/ja active Pending
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WO2022070571A1 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 株式会社村田製作所 | 圧力センサおよびその製造方法 |
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