JP2017181677A - 表示装置 - Google Patents

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将史 平田
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Abstract

【課題】曲面状の表示面を有する表示装置において、TFT基板及びCF基板の位置ずれに起因する表示品位の低下を抑える。
【解決手段】曲面状の表示面を有する表示装置であって、第1方向に曲げられた第1基板100と、第1方向に曲げられ、第1基板100に対向配置された第2基板200と、第1基板100と第2基板200との間に配置された複数のスペーサ210と、複数のスペーサ210それぞれを保持する複数の台座60aと、を含み、第1基板100は、複数のデータ線11と、複数のゲート線12とを含み、複数の台座60aは、表示面の中央側に配置される中央台座と、表示面の第1方向の端部側に配置される端部台座と、中央台座と端部台座との間に配置される中間台座とを含み、中間台座の第1方向の幅は、中央台座の第1方向の幅よりも広い。
【選択図】図10

Description

本発明は、表示装置に関する。
近年、曲面状の表示面を有する液晶表示装置が提案されている(例えば特許文献1)。上記液晶表示装置では、一対の基板(薄膜トランジスタ基板(TFT基板)及びカラーフィルタ基板(CF基板))それぞれが曲面状に湾曲するように形成される。
特開2009−92884号公報
ここで、本願発明者らは、曲面状の表示面を有する液晶表示装置において、TFT基板とCF基板との位置ずれに起因して表示不良が生じることを見出した。具体的には、上記液晶表示装置の製造工程において、TFT基板とCF基板とを貼り合わせて湾曲させた場合に、両基板に延伸応力及び圧縮応力が働き、表示領域における応力分布に応じてTFT基板とCF基板との位置ずれの大きさ(位置ずれ量)が場所ごとに異なる。このため、位置ずれ量が大きい場所では、TFT基板とCF基板との間の距離(ギャップ)を保持するための、CF基板に形成されたスペーサ(フォトスペーサ)が、TFT基板に形成された台座に載らず、上記ギャップが不均一になる。これにより、混色や光漏れが生じ表示ムラが視認されること分かった。図16は、TFT基板とCF基板とを貼り合わせた表示パネルを曲率半径500mmで曲げたときに生じる位置ずれ量のシミュレーションの結果を示す図である。ここでは、横長形状の表示パネルにおいて、左右両端を固定し、長手方向(左右方向)に曲げたときの位置ずれ量を示している。図16に示すように、表示パネルの中央部及び左右端部では、位置ずれ量が小さく、表示パネルの中央部と左右端部との間の領域において、位置ずれ量が大きくなっていることが分かる。上記シミュレーション結果によれば、位置ずれ量が大きい領域において、上記ギャップが変化して上記表示ムラが顕著になると考察される。
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、曲面状の表示面を有する表示装置において、TFT基板及びCF基板の位置ずれに起因する表示品位の低下を抑えることにある。
上記課題を解決するために、本発明に係る表示装置は、曲面状の表示面を有する表示装置であって、第1方向に曲げられた第1基板と、前記第1方向に曲げられ、前記第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された複数のスペーサと、前記複数のスペーサそれぞれを保持する複数の台座と、を含み、前記第1基板は、複数のデータ線と、複数のゲート線とを含み、前記複数の台座は、前記表示面の中央側に配置される中央台座と、前記表示面の前記第1方向の端部側に配置される端部台座と、前記中央台座と前記端部台座との間に配置される中間台座とを含み、前記中間台座の前記第1方向の幅は、前記中央台座の前記第1方向の幅よりも広い、ことを特徴とする。
本発明に係る表示装置では、前記中間台座の前記第1方向の幅は、さらに、前記端部台座の前記第1方向の幅よりも広くなっていてもよい。
本発明に係る表示装置では、複数の前記中間台座において、前記表示面の中央側に近づく程、前記第1方向の幅が狭く、かつ、前記表示面の端部側に近づく程、前記第1方向の幅が狭くなっていてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記複数の台座それぞれの前記第1方向の幅について、該幅が最大となる前記中間台座から前記端部台座までのそれぞれの前記幅の変化の割合が、該幅が最大となる前記中間台座から前記中央台座までのそれぞれの前記幅の変化の割合よりも大きくてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記中央台座の前記第1方向の幅と、前記端部台座の前記第1方向の幅とは互いに等しくてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記複数の台座それぞれの前記第1方向とは異なる第2方向の幅は互いに等しくてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記第1基板は、さらに、前記複数のゲート線及び前記複数のデータ線の各交差部に配置された複数の薄膜トランジスタと、複数の画素電極と、共通電極とを含み、前記台座は、平面的に見て、少なくとも、前記ゲート線と、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層と、前記データ線と、前記共通電極とが重畳する領域に形成されていてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記第1基板は、さらに、前記複数のゲート線及び前記複数のデータ線の各交差部に配置された複数の薄膜トランジスタと、複数の画素電極と、共通電極と、前記共通電極に共通電圧を供給する複数の共通配線とを含み、前記台座は、平面的に見て、少なくとも、前記ゲート線と、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層と、前記データ線と、前記共通電極と、前記共通配線とが重畳する領域に形成されていてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記第2基板は、さらに、光を透過する複数の光透過部と、該複数の光透過部それぞれの周囲に形成され、光の透過を遮断する遮光部と、を含み、前記遮光部は、前記第1方向に延在する複数の第1遮光部分と、前記第1方向とは異なる第2方向に延在する複数の第2遮光部分と、を含み、前記複数の第2遮光部分は、前記表示面の中央側に配置される中央遮光部分と、前記表示面の前記第1方向の端部側に配置される端部遮光部分と、前記中央遮光部分と前記端部遮光部分との間に配置される中間遮光部分とを含み、前記中間遮光部分の前記第1方向の幅は、前記中央遮光部分の前記第1方向の幅よりも広く、かつ、前記端部遮光部分の前記第1方向の幅よりも広くてもよい。
上記課題を解決するために、本発明に係る表示装置は、曲面状の表示面を有する表示装置であって、第1方向に曲げられた第1基板と、前記第1方向に曲げられ、前記第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された複数のスペーサと、を含み、前記第1基板は、複数のデータ線と、複数のゲート線と、前記複数のデータ線及び前記複数のゲート線の各交差部に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、前記複数のスペーサは、前記表示面の中央側に配置される中央スペーサと、前記表示面の前記第1方向の端部側に配置される端部スペーサと、前記中央スペーサと前記端部スペーサとの間に配置される中間スペーサとを含み、前記複数の薄膜トランジスタは、前記中央スペーサに対向する中央薄膜トランジスタと、前記端部スペーサに対向する端部薄膜トランジスタと、前記中間スペーサに対向する中間薄膜トランジスタとを含み、前記中間薄膜トランジスタを構成する半導体層の前記第1方向の幅は、前記中央薄膜トランジスを構成する半導体層の前記第1方向の幅よりも広い、ことを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明に係る表示装置は、曲面状の表示面を有する表示装置であって、第1方向に曲げられた第1基板と、前記第1方向に曲げられ、前記第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された複数のスペーサと、を含み、前記第1基板は、前記第1方向に延在する、複数のデータ線及び複数のゲート線の何れか一方の複数の第1配線と、前記第1方向と直交する第2方向に延在する、複数のデータ線及び複数のゲート線の何れか他方の複数の第2配線とを含み、前記複数のスペーサは、前記表示面の中央側に配置される中央スペーサと、前記表示面の前記第1方向の端部側に配置される端部スペーサと、前記中央スペーサと前記端部スペーサとの間に配置される中間スペーサとを含み、前記中間スペーサに対向する前記第2配線の前記第1方向の幅は、前記中央スペーサに対向する前記第2配線の前記第1方向の幅よりも広い、ことを特徴とする。
本発明に係る表示装置では、前記第1基板は、前記複数のデータ線及び前記複数のゲート線の各交差部に配置された複数の薄膜トランジスタをさらに含み、前記複数の薄膜トランジスタは、前記中央スペーサに対向する前記第2配線に電気的に接続される中央薄膜トランジスタと、前記中間スペーサに対向する前記第2配線に電気的に接続される中間薄膜トランジスタとを含み、前記中間薄膜トランジスタのチャネル長は、前記中央薄膜トランジスタのチャネル長よりも長くてもよい。
本発明に係る表示装置によれば、曲面状の表示面を有する表示装置において、TFT基板及びCF基板の位置ずれに起因する表示品位の低下を抑えることができる。
本実施形態に係る液晶表示装置の全体構成の概略を示す図である。 本実施形態に係る液晶表示装置が湾曲した状態を示す断面図である。 本実施形態に係る液晶表示装置が湾曲した状態を示す断面図である。 本実施形態に係る液晶表示装置の曲げ方向を示す平面図である。 本実施形態に係る液晶表示装置の他の曲げ方向を示す平面図である。 本実施形態に係る表示パネルの領域Aの画素の概略構成を示す平面図である。 本実施形態に係る表示パネルの領域Bの画素の概略構成を示す平面図である。 図6に示す領域Aに配置されるTFTの周辺領域を拡大した平面図である。 図8のA−A´断面図である。 図8のB−B´断面図である。 図6に示す領域Bに配置されるTFTの周辺領域を拡大した平面図である。 図11のC−C´断面図である。 本実施形態に係る台座の幅と、位置ずれ量との関係を示すグラフである。 本実施形態に係る台座の幅と、位置ずれ量との関係を示すグラフである。 本実施形態に係るブラックマトリクスの幅と、位置ずれ量との関係を示すグラフである。 TFT基板とCF基板とを貼り合わせた表示パネルを曲げたときに生じる位置ずれ量のシミュレーションの結果を示す図である。
本発明の一実施形態について、図面を用いて以下に説明する。本発明の実施形態では、表示装置として、液晶表示装置を例に挙げるが、本発明はこれに限定されず、例えば有機EL表示装置等であってもよい。
図1は、本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す図である。液晶表示装置1は、画像を表示する表示パネル10と、表示パネル10を駆動する駆動回路(データ線駆動回路20、ゲート線駆動回路30等)と、駆動回路を制御する制御回路40と、表示パネル10に背面側から光を照射するバックライト装置50とを含んで構成されている。駆動回路は、表示パネル10に設けられてもよい。
液晶表示装置1は、図2に示すように、表示面側が凹状となり背面側が凸状となるように湾曲した曲面状の外形、又は、図3に示すように、表示面側が凸状となり背面側が凹状となるように湾曲した曲面状の外形を有している。図2に示す液晶表示装置1では、薄膜トランジスタ基板(TFT基板100)を構成するガラス基板101には延伸応力が働き、カラーフィルタ基板(CF基板200)を構成するガラス基板201には圧縮応力が働く。図3に示す液晶表示装置1では、TFT基板100を構成するガラス基板101には圧縮応力が働き、CF基板200を構成するガラス基板201には延伸応力が働く。尚、詳細は後述するが、TFT基板100及びCF基板200の間には液晶層300が配置されており、TFT基板100及びCF基板200は、液晶層300を挟持しつつシール部70により互いに貼り付け固定されている。また、TFT基板100及びCF基板200は、両基板間に配置されるスペーサにより互いの距離(ギャップ)が一定に保持されている。
図1に戻り、表示パネル10には、行方向に延在する複数のデータ線11と、列方向に延在する複数のゲート線12とが設けられている。各データ線11と各ゲート線12との各交差部には、薄膜トランジスタ13(TFT)が設けられている。各データ線11及び各ゲート線12は、液晶表示装置1の曲げ方向に応じて湾曲した形状(凸状)に形成される。上記曲げ方向とは、表示面に水平な方向であって、例えば行方向又は列方向をいう。例えば、上記曲げ方向が行方向の場合(図4参照)、ゲート線12は直線状に形成され、データ線11は湾曲状に形成される。また上記曲げ方向が列方向の場合(後述の図5参照)、ゲート線12は湾曲状に形成され、データ線11は直線状に形成される。
表示パネル10には、各データ線11と各ゲート線12との各交差部に対応して、複数の画素14がマトリクス状(行方向及び列方向)に配置されている。表示パネル10を構成するTFT基板100には、各画素14に対応して設けられた複数の画素電極15と、各画素14に共通する1つの共通電極16とが設けられている。共通電極16は、1つの画素14又は複数の画素14ごとに分割して配置されていてもよい。また、詳細は後述するが、TFT基板100には、各データ線11と各ゲート線12との交差部近傍に、スペーサに接触する台座60が配置されている。
制御回路40は、外部から入力された入力データ(同期信号、映像信号等)に基づき、データ線駆動回路20及びゲート線駆動回路30の駆動タイミングを制御するための各種の制御信号と、表示パネル10の表示領域に表示する画像に対応する画像データとを出力する。
データ線駆動回路20は、制御回路40から入力された制御信号及び画像データに基づいて、各データ線11にデータ信号(データ電圧)を出力する。
ゲート線駆動回路30は、外部から入力された電源電圧と、制御回路40から入力された制御信号とに基づいてゲート信号(ゲート電圧)を生成し、各ゲート線12に出力する。
図6は、表示パネル10の画素14の概略構成を示す平面図である。図6では、図16に示す位置ずれ量が大きい領域(領域A)に配置される画素14を示している。図7では、図16に示す位置ずれ量が小さい領域(領域B)に配置される画素14を示している。
図6及び図7において、隣り合う2本のデータ線11と、隣り合う2本のゲート線12とで区画された領域が1つの画素14に相当する。各画素14には、TFT13が設けられている。TFT13は、絶縁膜102(図9等参照)上に形成された半導体層21と、半導体層21上に形成されたドレイン電極22及びソース電極23とを含んで構成されている。ドレイン電極22はデータ線11に電気的に接続されており、ソース電極23はスルーホール24を介して画素電極15に電気的に接続されている。
各画素14には、スズ添加酸化インジウム(ITO)等の透明導電膜からなる画素電極15が形成されている。画素電極15は、複数の開口部(スリット)を有しており、ストライプ状に形成されている。開口部の形状は限定されない。各画素14に共通して、表示領域全体にITO等の透明導電膜からなる1つの共通電極16が形成されている。共通電極16における、スルーホール24及びTFT13のソース電極23に重なる領域には、画素電極15とソース電極23とを電気的に接続させるための開口部(図6及び図7の点線囲みに相当)が形成されている。
図8は、図6に示す領域Aに配置されるTFT13の周辺領域を拡大した平面図である。図9は図8のA−A´断面図であり、図10は図8のB−B´断面図である。
図9に示すように、表示パネル10は、TFT基板100と、CF基板200と、TFT基板100及びCF基板200の間に挟持される液晶層300と、を含んで構成されている。
TFT基板100では、ガラス基板101上にゲート線12が形成され、ゲート線12を覆うように絶縁膜102が形成されている。絶縁膜102上には半導体層21が形成され、半導体層21上にデータ線11、ドレイン電極22及びソース電極23が形成され、これらを覆うように絶縁膜103が形成されている。絶縁膜103上に有機絶縁膜104が形成さ、有機絶縁膜104上に共通電極16が形成され、共通電極16上に共通配線17が形成されている。共通配線17は、図8に示すように、行方向に隣り合う画素14の間を列方向に延在する第1部分17aと、列方向に隣り合う画素14の間において第1部分17aから行方向に延在する第2部分17bとを含む。共通電極16と共通配線17とを覆うように絶縁膜105が形成されている。図9に示すように、ソース電極23の上方に位置する絶縁膜103、有機絶縁膜104及び絶縁膜105にはスルーホール24が形成されている。絶縁膜105上及びスルーホール24内には画素電極15が形成され、画素電極15を覆うように配向膜106が形成されている。これにより、画素電極15とソース電極23とが電気的に接続される。ガラス基板101におけるバックライト装置50側(液晶層300側とは反対側)の面(背面)には偏光板(図示せず)が貼り付けられている。また、TFT基板100には台座60が形成されている。台座60の具体的な構成については後述する。
CF基板200では、各画素14に対応して配置され、所定の光を透過する複数の光透過部202と、光の透過を遮断するブラックマトリクス203とが形成されている。複数の光透過部202は、例えば、赤色の着色部(赤色部)が形成され、赤色の光を透過する赤色光透過部と、緑色の着色部(緑色部)が形成され、緑色の光を透過する緑色光透過部と、青色の着色部(青色部)が形成され、青色の光を透過する青色光透過部と、を含んでいる。光透過部(着色部)の配列は、赤色光透過部、緑色光透過部、及び青色光透過部が列方向にこの順に繰り返し配列され、同一色の光透過部が行方向に配列する縦ストライプ配列でもよいし、赤色光透過部、緑色光透過部、及び青色光透過部が行方向にこの順に繰り返し配列され、同一色の光透過部が列方向に配列する横ストライプ配列でもよい。ブラックマトリクス203は、行方向及び列方向に隣り合う光透過部202の間の領域(境界部)に形成されている。
光透過部202及びブラックマトリクス203を覆うようにオーバコート層204が形成されている。オーバコート層204上にはスペーサ210が形成され、スペーサ210を覆うように配向膜205が形成されている。スペーサ210は、平面的に見て、ブラックマトリクス203に重なるように形成されている。スペーサ210は、通常の使用状態において、スペーサ210のTFT基板100側の表面の少なくとも一部が台座60の表面に接触する高さを有するように形成されている。なおスペーサ210は、通常の使用状態において台座60の表面に接触しない高さを有するサブスペーサを含んでもよい。なお、スペーサ210及び台座60は、赤色用画素と青色用画素と緑色用画素とを含む1つの画素組に対して1つ又は複数の割合で設けられていてもよいし、複数の画素組に対して1つの割合で設けられていてもよい。また、スペーサ210の形状は、円柱状、角柱状、円錐状等とすることができる。尚、図9では、スペーサ210を省略している。ガラス基板201における表示面側(液晶層300側とは反対側)の面(表面)には偏光板(図示せず)が貼り付けられている。
液晶層300には、液晶301が封入されている。液晶301は、誘電率異方性が負のネガ型液晶であってもよいし、誘電率異方性が正のポジ型液晶であってもよい。配向膜105,205は、ラビング配向処理が施された配向膜であってもよいし、光配向処理が施された光配向膜であってもよい。
図11は、図7に示す領域Bに配置されるTFT13の周辺領域を拡大した平面図である。図12は図11のC−C´断面図である。図11のA−A´切断線における断面構造は、図9に示した断面構造と同様であるため説明を省略する。以下では、領域Aに対応する図8及び図10と、領域Bに対応する図11及び図12とを用いて、台座60の具体的な構成について説明する。
TFT基板100のTFT13の近傍には台座60が形成されている。台座60は、TFT基板100において、液晶層300側に突出した段差部の領域であり、CF基板200に形成されるスペーサ210に対向する位置に形成されている。また、台座60は、平面的に見て、ゲート線12と半導体層21とデータ線11と共通電極16と共通配線17とが重畳する領域に形成されている。本実施形態に係る台座60は、領域Aに形成される第1台座60a(図8及び図10参照)と、領域Bに形成される第2台座60b(図11及び図12参照)とを含んでいる。第1台座60aの曲げ方向の幅Wd1(図10参照)は、第2台座60bの曲げ方向の幅Wd2(図12参照)より広くなるように設定されている。すなわち、図13のグラフに示すように、位置ずれ量が大きい領域Aに配置される第1台座60aの曲げ方向(ここでは行方向)の幅Wd1と、位置ずれ領域が小さい領域Bに配置される第2台座60bの曲げ方向(ここでは行方向)の幅Wd2は、Wd1>Wd2を満たすように設定されている。尚、表示パネル10の中央部側に配置される第2台座60bの幅Wd2と、左右端部側に配置される第2台座60bの幅Wd2とは、互いに等しくてもよい。また、複数の台座60それぞれの、曲げ方向に直交する方向(ここでは列方向)の幅は互いに等しくてもよいし、行方向の幅と同様に、位置ずれ量が大きい領域Aに配置される第1台座60aの列方向の幅が、位置ずれ領域が小さい領域Bに配置される第2台座60bの列方向の幅より大きくてもよい。
上記構成によれば、位置ずれ量が大きい領域Aでは、台座60aにおける上記位置ずれ方向の幅を広くしているためスペーサ210が台座60aから落ちることを防ぐことができる。このため、TFT基板100とCF基板200との間の距離(ギャップ)を保持することができるため、ギャップが変化することによる表示ムラを抑えることができる。また、位置ずれ量が小さい領域Bでは、第2台座60bの幅を第1台座60aの幅よりも小さくしており、全ての台座60の幅を一律に広くしていないため、開口率の低下を防ぐことができる。
上記構成では、台座60の幅を2種類Wd1,Wd2に設定しているが、これに限定されない。例えば台座60における、液晶表示装置1の曲げ方向の幅Wdを、位置ずれ量に応じて異なるように設定してもよい。具体的には、図14に示すように、位置ずれ量が最大となる領域に最も近接する台座60の幅Wdを最大値に設定し、最大位置ずれ領域から左端部及び中央部に近づく程、台座60の幅Wdを狭く設定してもよい。また、図16に示すように、表示パネルの左右の領域において、最大位置ずれ領域から端部(左端部、右端部)までの位置ずれ量の変化の割合が、最大位置ずれ領域から中央部までの位置ずれ量の変化の割合よりも大きくなっている。そこで、台座60の幅Wdも、上記割合に応じて設定してもよい。具体的には、複数の台座60それぞれの幅Wdについて、幅Wdが最大となる第1台座60aから、端部に配置される第2台座60bまでのそれぞれの幅Wdの変化の割合が、第1台座60aから、中央部に配置される第2台座60bまでのそれぞれの幅Wdの変化の割合よりも大きく設定されている。
本実施形態に係る液晶表示装置1は、上記構成に限定されない。例えば、CF基板200に形成されるブラックマトリクス203は、液晶表示装置1の曲げ方向に直交する列方向に延在する列部分の行方向の幅が、領域A及び領域Bで互いに異なるように設定されてもよい。具体的には、位置ずれ量が大きい領域Aに配置されるブラックマトリクス203の曲げ方向(ここでは行方向)の幅Wa2(図8参照)と、位置ずれ領域が小さい領域Bに配置されるブラックマトリクス203の曲げ方向(ここでは行方向)の幅Wa1(図11参照)は、Wa2>Wa1を満たすように設定されてもよい。また、ブラックマトリクス203の幅は、図15に示すように、位置ずれ量が最大となる領域(図16の最大位置ずれ領域)に最も近接する列部分の幅が最大Wa2となり、最大位置ずれ領域から左端部及び中央部に近づく程、列部分の幅が狭くなるように設定されてもよい。尚、台座60の幅の変化率とブラックマトリクス203の幅の変化率とが、同一となるように設定されてもよい。上記ブラックマトリクス203の構成によれば、TFT基板100とCF基板200との位置ずれにより生じ得る混色や光漏れを抑えることができる。またブラックマトリクス203は、上記位置ずれ量に応じた幅を有しているため、開口率を必要以上に低下させることがない。尚、位置ずれ量が大きい領域Aに配置されるブラックマトリクス203の曲げ方向に直交する方向(ここでは列方向)の幅Wb2(図8参照)と、位置ずれ領域が小さい領域Bに配置されるブラックマトリクス203の曲げ方向に直交する方向(ここでは列方向)の幅Wb1(図11参照)も同様に、Wb2>Wb1を満たすように設定されてもよい。
上記の構成では、曲げ方向が行方向の場合(図4参照)を示したが、曲げ方向が列方向の場合(図5参照)は、同様の考えに基づき、台座60の列方向の幅を、位置ずれ量(図16参照)に応じて異なるように設定すればよい。すなわち、平面的に見て、台座60を構成する、ゲート線12と半導体層21とデータ線11と共通電極16と共通配線17とが重畳する領域の列方向の幅を、位置ずれ量(図16参照)に応じて形成されてもよい。また、曲げ方向に関わらず、台座60の行方向の幅と列方向の幅の両方を、位置ずれ量(図16参照)に応じて異なるように設定してもよい。
また、上記の構成では、共通電極16上に共通配線17が形成されているが、共通配線17は省略されていても良い。この場合、台座60は、平面的に見て、ゲート線12と半導体層21とデータ線11と共通電極16とが重畳する領域に形成されている。
ここで、複数のスペーサ210は、表示面の中央部側に配置される中央スペーサと、表示面の曲げ方向の端部側に配置される端部スペーサと、中央スペーサと端部スペーサとの間に配置される中間スペーサとを含んでいる。また、複数のTFT13は、中央スペーサに対向する中央TFTと、端部スペーサに対向する端部TFTと、中間スペーサに対向する中間TFTとを含んでいる。
上述のように、台座60は、平面的に見て、少なくとも、ゲート線12と半導体層21とデータ線11と共通電極16とが重畳する領域に形成されている。換言すると、台座60は、少なくとも、ゲート線12と半導体層21とデータ線11と共通電極16とを構成要素として構成されている。このため、例えば、台座60を構成する半導体層21に着目すると、位置ずれ量が大きい領域Aに配置される中間TFTを構成する半導体層21の曲げ方向(ここでは行方向)の幅が、位置ずれ領域が小さい領域Bに配置される中央TFTを構成する半導体層21の曲げ方向(ここでは行方向)の幅よりも大きく設定されている。また、例えば、台座60を構成するゲート線12に着目すると、位置ずれ量が大きい領域Aに配置される中間スペーサに対向するゲート線12の曲げ方向(ここでは行方向)の幅が、位置ずれ領域が小さい領域Bに配置される中央スペーサに対向するゲート線12の曲げ方向(ここでは行方向)の幅よりも大きく設定されている。尚、曲げ方向が列方向の場合(図5参照)は、台座60を構成するデータ線11に着目すると、位置ずれ量が大きい領域Aに配置される中間スペーサに対向するデータ線11の曲げ方向(ここでは列方向)の幅が、位置ずれ領域が小さい領域Bに配置される中央スペーサに対向するデータ線11の曲げ方向(ここでは列方向)の幅よりも大きく設定されている。
また、本実施形態に係る液晶表示装置1では、上述のように、例えば、領域A,Bに応じてTFT13の大きさが異なるように設定されていてもよい。具体的には、中間TFTのチャネル長が、中央TFTのチャネル長よりも長く設定されていてもよい。
上述した液晶表示装置1は、TFT基板100及びCF基板200に略平行な電界を液晶層300に印加する横電界方式の構成を有している。液晶表示装置1は、例えば、IPS(In Plane Switching)方式の構成を有している。なお、液晶表示装置1は、横電界方式に限定されず、例えばVA(Vertical Alignment)方式の構成を有してもよい。
最後に、液晶表示装置1の駆動方法を簡単に説明する。ゲート線12にはゲート線駆動回路30から走査用のゲート電圧(ゲートオン電圧、ゲートオフ電圧)が供給される。データ線11にはデータ線駆動回路20から映像用のデータ電圧が供給される。ゲート線12にゲートオン電圧が供給されると、TFT13がオン状態になり、データ線11に供給されたデータ電圧が、ドレイン電極22及びソース電極23を介して画素電極15に伝達される。共通電極16には、共通電極駆動回路(図示せず)から共通電圧(Vcom)が供給される。共通電極16は、絶縁膜104を介して画素電極15に重なっており、画素電極15には、開口部(スリット)が形成されている。これにより、画素電極15から液晶層300を経て画素電極15の開口部を介して共通電極16に至る電界により液晶301が駆動する。液晶301が駆動して液晶層300を透過する光の透過率を制御することにより画像が表示される。液晶表示装置1の駆動方法は上記の方法に限定されず、周知の方法を適用することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。
1 液晶表示装置、10 表示パネル、20 データ線駆動回路、30 ゲート線駆動回路、40 制御回路、50 バックライト装置、11 データ線、12 ゲート線、13 薄膜トランジスタ、14 画素、15 画素電極、16 共通電極、17 共通配線、17a 第1部分、17b 第2部分、100 薄膜トランジスタ基板、200 カラーフィルタ基板、300 液晶層、202 光透過部、203 ブラックマトリクス、210 スペーサ、60 台座、60a 第1台座、60b 第2台座。

Claims (12)

  1. 曲面状の表示面を有する表示装置であって、
    第1方向に曲げられた第1基板と、
    前記第1方向に曲げられ、前記第1基板に対向配置された第2基板と、
    前記第1基板と前記第2基板との間に配置された複数のスペーサと、
    前記複数のスペーサそれぞれを保持する複数の台座と、
    を含み、
    前記第1基板は、複数のデータ線と、複数のゲート線とを含み、
    前記複数の台座は、前記表示面の中央側に配置される中央台座と、前記表示面の前記第1方向の端部側に配置される端部台座と、前記中央台座と前記端部台座との間に配置される中間台座とを含み、
    前記中間台座の前記第1方向の幅は、前記中央台座の前記第1方向の幅よりも広い、
    ことを特徴とする表示装置。
  2. 前記中間台座の前記第1方向の幅は、さらに、前記端部台座の前記第1方向の幅よりも広い、
    ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  3. 複数の前記中間台座において、前記表示面の中央側に近づく程、前記第1方向の幅が狭く、かつ、前記表示面の端部側に近づく程、前記第1方向の幅が狭くなっている、
    ことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
  4. 前記複数の台座それぞれの前記第1方向の幅について、該幅が最大となる前記中間台座から前記端部台座までのそれぞれの前記幅の変化の割合が、該幅が最大となる前記中間台座から前記中央台座までのそれぞれの前記幅の変化の割合よりも大きい、
    ことを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
  5. 前記中央台座の前記第1方向の幅と、前記端部台座の前記第1方向の幅とは互いに等しい、
    ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  6. 前記複数の台座それぞれの前記第1方向とは異なる第2方向の幅は互いに等しい、
    ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  7. 前記第1基板は、さらに、前記複数のゲート線及び前記複数のデータ線の各交差部に配置された複数の薄膜トランジスタと、複数の画素電極と、共通電極とを含み、
    前記台座は、平面的に見て、少なくとも、前記ゲート線と、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層と、前記データ線と、前記共通電極とが重畳する領域に形成されている、
    ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  8. 前記第1基板は、さらに、前記複数のゲート線及び前記複数のデータ線の各交差部に配置された複数の薄膜トランジスタと、複数の画素電極と、共通電極と、前記共通電極に共通電圧を供給する複数の共通配線とを含み、
    前記台座は、平面的に見て、少なくとも、前記ゲート線と、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層と、前記データ線と、前記共通電極と、前記共通配線とが重畳する領域に形成されている、
    ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  9. 前記第2基板は、さらに、光を透過する複数の光透過部と、該複数の光透過部それぞれの周囲に形成され、光の透過を遮断する遮光部と、を含み、
    前記遮光部は、前記第1方向に延在する複数の第1遮光部分と、前記第1方向とは異なる第2方向に延在する複数の第2遮光部分と、を含み、
    前記複数の第2遮光部分は、前記表示面の中央側に配置される中央遮光部分と、前記表示面の前記第1方向の端部側に配置される端部遮光部分と、前記中央遮光部分と前記端部遮光部分との間に配置される中間遮光部分とを含み、
    前記中間遮光部分の前記第1方向の幅は、前記中央遮光部分の前記第1方向の幅よりも広く、かつ、前記端部遮光部分の前記第1方向の幅よりも広い、
    ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  10. 曲面状の表示面を有する表示装置であって、
    第1方向に曲げられた第1基板と、
    前記第1方向に曲げられ、前記第1基板に対向配置された第2基板と、
    前記第1基板と前記第2基板との間に配置された複数のスペーサと、
    を含み、
    前記第1基板は、複数のデータ線と、複数のゲート線と、前記複数のデータ線及び前記複数のゲート線の各交差部に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、
    前記複数のスペーサは、前記表示面の中央側に配置される中央スペーサと、前記表示面の前記第1方向の端部側に配置される端部スペーサと、前記中央スペーサと前記端部スペーサとの間に配置される中間スペーサとを含み、
    前記複数の薄膜トランジスタは、前記中央スペーサに対向する中央薄膜トランジスタと、前記端部スペーサに対向する端部薄膜トランジスタと、前記中間スペーサに対向する中間薄膜トランジスタとを含み、
    前記中間薄膜トランジスタを構成する半導体層の前記第1方向の幅は、前記中央薄膜トランジスを構成する半導体層の前記第1方向の幅よりも広い、
    ことを特徴とする表示装置。
  11. 曲面状の表示面を有する表示装置であって、
    第1方向に曲げられた第1基板と、
    前記第1方向に曲げられ、前記第1基板に対向配置された第2基板と、
    前記第1基板と前記第2基板との間に配置された複数のスペーサと、
    を含み、
    前記第1基板は、前記第1方向に延在する、複数のデータ線及び複数のゲート線の何れか一方の複数の第1配線と、前記第1方向と直交する第2方向に延在する、複数のデータ線及び複数のゲート線の何れか他方の複数の第2配線とを含み、
    前記複数のスペーサは、前記表示面の中央側に配置される中央スペーサと、前記表示面の前記第1方向の端部側に配置される端部スペーサと、前記中央スペーサと前記端部スペーサとの間に配置される中間スペーサとを含み、
    前記中間スペーサに対向する前記第2配線の前記第1方向の幅は、前記中央スペーサに対向する前記第2配線の前記第1方向の幅よりも広い、
    ことを特徴とする表示装置。
  12. 前記第1基板は、前記複数のデータ線及び前記複数のゲート線の各交差部に配置された複数の薄膜トランジスタをさらに含み、
    前記複数の薄膜トランジスタは、前記中央スペーサに対向する前記第2配線に電気的に接続される中央薄膜トランジスタと、前記中間スペーサに対向する前記第2配線に電気的に接続される中間薄膜トランジスタとを含み、
    前記中間薄膜トランジスタのチャネル長は、前記中央薄膜トランジスタのチャネル長よりも長い、
    ことを特徴とする請求項10に記載の表示装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI631394B (zh) * 2017-12-06 2018-08-01 友達光電股份有限公司 彎曲顯示面板

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110168438A (zh) * 2017-01-12 2019-08-23 夏普株式会社 液晶显示装置
US10948755B2 (en) * 2018-10-11 2021-03-16 HKC Corporation Limited Curved display panel and curved display device
CN116092385A (zh) * 2020-01-22 2023-05-09 群创光电股份有限公司 拼接显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4304852B2 (ja) * 2000-09-04 2009-07-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 非平面液晶表示素子及びその製造方法
JP2009092884A (ja) 2007-10-05 2009-04-30 Sharp Corp 液晶表示装置、およびその製造方法
JP2009115933A (ja) * 2007-11-05 2009-05-28 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置及びその製造方法
KR101519844B1 (ko) * 2008-01-07 2015-05-13 삼성디스플레이 주식회사 터치스크린패널용 상부기판, 그 제조방법 및 이를 갖는표시장치
KR101319543B1 (ko) * 2012-05-17 2013-10-21 삼성디스플레이 주식회사 곡면 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 멀티 디스플레이 장치
CN103969891A (zh) * 2014-04-18 2014-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、显示面板及显示装置
EP3086170B1 (en) * 2015-04-21 2020-12-02 LG Display Co., Ltd. Liquid crystal display
JP2016224298A (ja) * 2015-06-01 2016-12-28 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI631394B (zh) * 2017-12-06 2018-08-01 友達光電股份有限公司 彎曲顯示面板

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