JP2017179220A - 研磨用組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】研磨レートと表面平坦性との両立が高いレベルで実現され得る研磨用組成物を提供する。【解決手段】研磨対象材料の研磨に用いられる研磨用組成物であって、ダイヤモンド砥粒と、非ダイヤモンド砥粒とを含み、重量基準で、前記ダイヤモンド砥粒の含有量Ａに対する前記非ダイヤモンド砥粒の含有量Ｂの比（Ｂ／Ａ）が、２＜（Ｂ／Ａ）である、研磨用組成物。前記比（Ｂ／Ａ）が、１００≦（Ｂ／Ａ）≦２０００であり、前記ダイヤモンド砥粒の平均一次粒子径Ｄ１Ａが１０ｎｍ以下であるのが好ましい。前記非ダイヤモンド砥粒として、シリカ粒子を含む。【選択図】なし

Description

本発明は、研磨用組成物に関する。詳しくは、研磨対象材料の研磨に用いられる研磨用組成物に関する。

ダイヤモンド、サファイア（酸化アルミニウム）、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化タングステン、窒化ケイ素、窒化チタン等の研磨対象材料の表面は、通常、研磨定盤にダイヤモンド砥粒を供給して行う研磨（ラッピング）によって加工される。しかし、ダイヤモンド砥粒を用いるラッピングでは、スクラッチの発生、残存等のため、欠陥や歪みが生じやすい。そこで、ダイヤモンド砥粒を用いたラッピングの後に、あるいは当該ラッピングに代えて、研磨パッドを用いて当該研磨パッドと研磨対象物との間に研磨スラリーを供給して行う研磨（ポリシング）が検討されている。この種の従来技術を開示する文献として、特許文献１〜３が挙げられる。

特開２０１１−１２１１５３号公報 特開２０１２−２４８５６９号公報 特開２０１４−２４１５４号公報

上記従来技術文献では、ポリシングに使用されるスラリー（研磨用組成物）の含有成分（砥粒、酸化剤等）の工夫により、研磨レート（単位時間当たりに研磨対象物の表面を除去する量）や研磨後の表面平坦性の改善が提案されている。しかし、このような技術によっても、研磨レートおよび表面平坦性に関する実用的な要求レベルを満足させるには不十分であり、なお改善の余地がある。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、研磨レートと表面平坦性との両立が高いレベルで実現され得る研磨用組成物を提供することである。関連する他の目的は、上記研磨用組成物を用いて研磨物を製造する方法を提供することである。

本発明によると、研磨対象材料の研磨に用いられる研磨用組成物が提供される。この研磨用組成物は、ダイヤモンド砥粒と、非ダイヤモンド砥粒とを含む。そして、重量基準で、前記ダイヤモンド砥粒の含有量Ａに対する前記非ダイヤモンド砥粒の含有量Ｂの比（Ｂ／Ａ）が、２＜（Ｂ／Ａ）である。
上記特定の含有量比となるようにダイヤモンド砥粒と非ダイヤモンド砥粒とを組み合わせて用いることにより、研磨レートと表面平坦性との両立が高いレベルで実現され得る。

ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記比（Ｂ／Ａ）が、１００≦（Ｂ／Ａ）≦２０００である。このような含有量比（Ｂ／Ａ）の範囲内であると、研磨レートと表面平坦性との両立がより好適に発揮され得る。

ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記ダイヤモンド砥粒の平均一次粒子径Ｄ１_Ａが１０ｎｍ以下である。かかる平均一次粒子径Ｄ１_Ａを有するダイヤモンド砥粒は、研磨レートおよび表面平坦性の両立に効果的に寄与し得る。

ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記ダイヤモンド砥粒の平均一次粒子径Ｄ１_Ａと前記非ダイヤモンド砥粒の平均一次粒子径Ｄ１_Ｂとの関係が、次式：１＜（Ｄ１_Ｂ／Ｄ１_Ａ）＜５００；を満たす。上記特定の平均一次粒子径比となるようにダイヤモンド砥粒と非ダイヤモンド砥粒とを組み合わせて用いることにより、研磨レートと表面平坦性との両立がより高いレベルで実現され得る。

ここに開示される技術は、前記研磨用組成物のｐＨにおける前記ダイヤモンド砥粒のゼータ電位と、前記研磨用組成物のｐＨにおける前記非ダイヤモンド砥粒および前記研磨対象材料のうちの少なくとも一方のゼータ電位とが逆極性である態様で好ましく実施され得る。このように、非ダイヤモンド砥粒および研磨対象材料のうちの少なくとも一方とは逆極性のゼータ電位を示すダイヤモンド砥粒を用いることにより、研磨レートと表面平坦性との両立がより高いレベルで実現され得る。

ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記研磨用組成物のｐＨにおける前記ダイヤモンド砥粒のゼータ電位と、前記研磨用組成物のｐＨにおける前記非ダイヤモンド砥粒および前記研磨対象材料のゼータ電位とが逆極性である。また好ましい一態様では、前記研磨用組成物のｐＨにおける前記ダイヤモンド砥粒のゼータ電位が正極性であり、前記研磨用組成物のｐＨにおける前記非ダイヤモンド砥粒および前記研磨対象材料のゼータ電位が負極性である。研磨用組成物中におけるダイヤモンド砥粒のゼータ電位を正極性とすることにより、上述した効果がより良く発揮され得る。

ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、研磨対象材料は、１５００Ｈｖ以上のビッカース硬度を有する。研磨対象材料が高硬度材料である研磨用組成物において、本発明の適用効果がより好適に発揮され得る。

ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記研磨対象材料が炭化ケイ素である。研磨対象材料が炭化ケイ素である研磨用組成物において、本発明の適用効果がより好適に発揮され得る。

ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記非ダイヤモンド砥粒として、シリカ粒子を含む。非ダイヤモンド砥粒としてシリカ粒子を用いる研磨において、非ダイヤモンド砥粒に対して少量のダイヤモンド砥粒を組み合わせて用いることによる効果がより良く発揮され得る。

また、本発明によると、研磨物の製造方法が提供される。その製造方法は、研磨対象物に、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を供給して、該研磨対象物を研磨することを含む。かかる製造方法によると、表面平坦性のよい研磨後表面を有する研磨物を効率的に提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。

＜研磨対象物＞
ここに開示される研磨用組成物は、種々の材質からなる研磨対象物の研磨に適用され得る。研磨対象物の材質は、例えば、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン、ステンレス鋼、ゲルマニウム等の金属もしくは半金属、またはこれらの合金；石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ガラス状カーボン等のガラス状物質；アルミナ、シリカ、サファイア、窒化ケイ素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料；炭化ケイ素、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム等の化合物半導体基板材料；ポリイミド樹脂等の樹脂材料；等であり得る。これらのうち複数の材質により構成された研磨対象物であってもよい。なかでも、１５００Ｈｖ以上のビッカース硬度を有する高硬度材料の研磨に好ましく用いられる。研磨対象材料のビッカース硬度は、好ましくは１８００Ｈｖ以上（例えば２０００Ｈｖ以上、典型的には２２００Ｈｖ以上）である。ビッカース硬度の上限は特に限定されないが、凡そ７０００Ｈｖ以下（例えば５０００Ｈｖ以下、典型的には３０００Ｈｖ以下）であってもよい。なお、本明細書において、ビッカース硬度は、ＪＩＳ Ｒ １６１０：２００３に基づいて測定することができる。上記ＪＩＳ規格に対応する国際規格はＩＳＯ １４７０５：２０００である。

１５００Ｈｖ以上のビッカース硬度を有する材料としては、ダイヤモンド、サファイア（酸化アルミニウム）、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化ジルコニウム、炭化タングステン、窒化ケイ素、窒化チタン、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム、リン化インジウム等が挙げられる。ここに開示される研磨用組成物は、機械的かつ化学的に安定な上記材料の単結晶表面に対して好ましく適用することができる。なかでも、研磨対象物表面は、炭化ケイ素から構成されていることが好ましい。炭化ケイ素は、電力損失が少なく耐熱性等に優れる半導体基板材料として期待されており。その表面性状を改善することの実用上の利点は特に大きい。ここに開示される研磨用組成物は、炭化ケイ素の単結晶表面に対して特に好ましく適用される。

＜研磨用組成物＞
（砥粒）
ここに開示される研磨用組成物は、ダイヤモンド砥粒と、非ダイヤモンド砥粒とを含む。そして、重量基準で、ダイヤモンド砥粒の含有量Ａに対する非ダイヤモンド砥粒の含有量Ｂの比（Ｂ／Ａ）が、２＜（Ｂ／Ａ）である。このようにダイヤモンド砥粒と非ダイヤモンド砥粒とを特定の含有量比で組み合わせて用いることにより、高硬度材料表面に対しても、研磨レートと表面平坦性との両立が高いレベルで実現され得る。このような効果が得られる理由としては、特に限定的に解釈されるものではないが、例えば以下のように考えられる。すなわち、非ダイヤモンド砥粒に対して少量のダイヤモンド砥粒を含む研磨用組成物を用いた研磨では、高硬度のダイヤモンド粒子が介在することで、ダイヤモンド粒子による表面の荒れを抑えつつ研磨対象物表面の凹凸が効率的に削られる（均される）。このことが研磨レートおよび表面平坦性の向上に寄与するものと考えられる。

研磨用組成物におけるダイヤモンド砥粒と非ダイヤモンド砥粒との含有量比（Ｂ／Ａ）は、２より大きければよい（すなわち２＜（Ｂ／Ａ））。研磨レートと表面平坦性とを両立する観点から、上記含有量比（Ｂ／Ａ）は、例えば１０以上にすることが適当であり、典型的には５０以上、例えば１００以上であってもよい。このような含有量比（Ｂ／Ａ）となるようにダイヤモンド砥粒と非ダイヤモンド砥粒とを組み合わせて用いた研磨用組成物は、適量のダイヤモンド粒子が介在することで、ここに開示される技術の適用効果が適切に発揮され得る。上記含有量比（Ｂ／Ａ）の上限は特に限定されないが、例えば１００００以下とすることができ、好ましくは８０００以下、より好ましくは５０００以下、さらに好ましくは２０００以下、特に好ましくは１５００以下である。上記含有量比（Ｂ／Ａ）は、例えば１０００以下であってもよく、典型的には５００以下、例えば３００以下であってもよい。上記含有量比（Ｂ／Ａ）を小さくすることで、研磨対象材料表面における研磨レート向上効果がより高レベルで実現され得る。ここに開示される技術は、例えば研磨用組成物におけるダイヤモンド砥粒および非ダイヤモンド砥粒の含有量の比の値（Ｂ／Ａ）が１００以上１００００以下（例えば１２０以上１５００以下、典型的には１５０以上３００以下）である態様で好ましく実施され得る。

上記ダイヤモンド砥粒に含まれるダイヤモンド粒子は、ダイヤモンドを主成分とする各種のダイヤモンド粒子であり得る。ここで、ダイヤモンドを主成分とするダイヤモンド粒子とは、該粒子の９０重量％以上（通常は９５重量％以上、典型的には９８重量％以上）がダイヤモンドである粒子をいう。使用し得るダイヤモンド粒子の例としては、特に限定されないが、単結晶ダイヤモンド、多結晶ダイヤモンド、天然ダイヤモンド、合成ダイヤモンド等が挙げられる。ここでいう合成ダイヤモンドの例には、高温高圧の金属溶媒中でグラファイトから製造する静的超高圧法（静圧法）により得られるダイヤモンド、爆発による高温高圧を利用した動的超高圧法（衝撃法）により得られるダイヤモンド、単結晶ダイヤモンドの微粒子を金属バインダで固めたものを超高圧焼結して得られるダイヤモンド等が含まれる。ここに開示される技術におけるダイヤモンド砥粒は、このようなダイヤモンド粒子の１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて含むものであり得る。

ダイヤモンド砥粒の形状（外形）は、球形であってもよく、非球形であってもよい。非球形をなすダイヤモンド砥粒の具体例としては、板状、針状、紡錘状等が挙げられる。ここに開示される技術において、研磨用組成物中に含まれるダイヤモンド砥粒は、一次粒子の形態であってもよく、複数の一次粒子が会合した二次粒子の形態であってもよい。また、一次粒子の形態のダイヤモンド砥粒と二次粒子の形態のダイヤモンド砥粒とが混在していてもよい。

ダイヤモンド砥粒としては、その平均一次粒子径（以下、単に「Ｄ１_Ａ」と表記することがある。）が１０ｎｍ以下のものを好ましく採用することができる。研磨後の表面平坦性や重量当たりの粒子数を増やす等の観点から、ダイヤモンド砥粒のＤ１_Ａは、好ましくは８ｎｍ以下、より好ましくは６ｎｍ以下である。Ｄ１_Ａの下限は特に限定されないが、例えば０．１ｎｍ以上にすることが適当であり、通常は０．３ｎｍ以上、典型的には０．５ｎｍ以上である。研磨効率等の観点から、Ｄ１_Ａは、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは２ｎｍ以上である。例えばＤ１_Ａが０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下のダイヤモンド砥粒が好ましく、１ｎｍ以上８ｎｍ以下のダイヤモンド砥粒が好ましく、２ｎｍ以上６ｎｍ以下のものが特に好ましい。

研磨用組成物におけるダイヤモンド砥粒の含有量Ａ（複数種類のダイヤモンド粒子を含む場合には、それらの合計含有量）は、非ダイヤモンド砥粒の含有量Ｂとの間で前記関係を満たす限りにおいて特に制限はないが、典型的には０．００１重量％以上であり、加工時間短縮の観点から、０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることがさらに好ましい。研磨の安定性およびコスト低減等の観点から、通常、上記ダイヤモンド砥粒の含有量Ａは、３重量％以下が適当であり、好ましくは１重量％以下、より好ましくは０．５重量％以下、さらに好ましくは０．２重量％以下である。ここに開示される技術は、例えば研磨用組成物におけるダイヤモンド砥粒の含有量Ａが０．００５重量％以上０．５重量％以下（好ましくは０．０１５重量％以上０．２重量％以下）である態様で好ましく実施され得る。

非ダイヤモンド砥粒に含まれる非ダイヤモンド粒子としては、ダイヤモンド以外の材質からなる粒子であればよく、特に制限はない。例えば、非ダイヤモンド粒子は無機粒子、有機粒子および有機無機複合粒子のいずれかであり得る。例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化鉄粒子等の酸化物粒子；窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子；炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子；炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩；等のいずれかから実質的に構成される砥粒が挙げられる。非ダイヤモンド粒子は１種を単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マンガン粒子、酸化鉄粒子等の酸化物粒子は、良好な表面を効率よく形成し得るので好ましい。そのなかでも、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化クロム粒子、酸化鉄粒子がより好ましく、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化ジルコニウム粒子が特に好ましい。

ここに開示される技術において使用し得る非ダイヤモンド粒子の好適例としてシリカ粒子が挙げられる。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、乾式法シリカ等が好ましく用いられる。ここでいう乾式法シリカの例には、四塩化ケイ素やトリクロロシラン等のシラン化合物を典型的には水素火炎中で燃焼させることで得られるシリカ（フュームドシリカ）や、金属シリコンと酸素の反応により生成するシリカが含まれる。また、コロイダルシリカの例には、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属とＳｉＯ_２とを含有するケイ酸アルカリ含有液（例えばケイ酸ナトリウム含有液）を原料に用いて製造されるシリカや、テトラエトキシシランやテトラメトキシシラン等のアルコキシシランの加水分解縮合反応により製造されるシリカ（アルコキシド法シリカ）が含まれる。

非ダイヤモンド粒子としてシリカ粒子を用いる場合、研磨用組成物に含まれる非ダイヤモンド砥粒全体に占めるシリカ粒子の割合は、好ましくは７０重量％以上である。ここに開示される技術は、研磨用組成物に含まれる非ダイヤモンド砥粒の全重量のうちシリカ粒子の合計割合が８５重量％よりも大きい態様で好ましく実施され得る。上記シリカ粒子の割合は、より好ましくは９５重量％以上、さらに好ましくは９８重量％以上、特に好ましくは９９重量％以上である。なかでも、研磨用組成物に含まれる非ダイヤモンド砥粒の１００重量％がシリカ粒子である研磨用組成物が好ましい。

非ダイヤモンド砥粒の形状（外形）は、球形であってもよく、非球形であってもよい。非球形をなす非ダイヤモンド砥粒の具体例としては、ピーナッツ形状（すなわち、落花生の殻の形状）、繭型形状、金平糖形状、ラグビーボール形状等が挙げられる。ここに開示される技術において、研磨用組成物中に含まれる非ダイヤモンド砥粒は、一次粒子の形態であってもよく、複数の一次粒子が会合した二次粒子の形態であってもよい。また、一次粒子の形態の非ダイヤモンド砥粒と二次粒子の形態の非ダイヤモンド砥粒とが混在していてもよい。好ましい一態様では、少なくとも一部の非ダイヤモンド砥粒が二次粒子の形態で研磨用組成物中に含まれている。

非ダイヤモンド砥粒としては、その平均一次粒子径（以下、単に「Ｄ１_Ｂ」と表記することがある。）が１０ｎｍよりも大きいものを好ましく採用することができる。研磨効率等の観点から、Ｄ１_Ｂは、好ましくは１５ｎｍ以上、より好ましくは２０ｎｍ以上、さらに好ましくは２５ｎｍ以上、特に好ましくは３０ｎｍ以上である。Ｄ１_Ｂの上限は特に限定されないが、概ね３０００ｎｍ以下にすることが適当であり、好ましくは２０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下である。例えばＤ１_Ｂは、５００ｎｍ以下（例えば３００ｎｍ以下）であってもよく、典型的には２００ｎｍ以下（例えば１３０ｎｍ以下）であってよく、例えば１１０ｎｍ以下（典型的には８０ｎｍ以下）であってもよい。例えば、研磨効率および表面平坦性をより高いレベルで両立させる観点から、Ｄ１_Ｂが１２ｎｍ以上８０ｎｍ以下の非ダイヤモンド砥粒が好ましく、１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下の非ダイヤモンド砥粒が好ましく、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下のものが特に好ましい。例えば、Ｄ１_Ｂが２５ｎｍ以上４０ｎｍ以下（例えば３５ｎｍ以下）の非ダイヤモンド砥粒であってもよい。

好ましい一態様では、非ダイヤモンド砥粒のＤ１_Ｂは、ダイヤモンド砥粒のＤ１_Ａよりも大きい（すなわちＤ１_Ａ＜Ｄ１_Ｂ）。このことによって、研磨対象物表面の凹凸がより効率的に解消され得る。例えば、Ｄ１_ＡとＤ１_Ｂとの関係が１＜（Ｄ１_Ｂ／Ｄ１_Ａ）＜５００を満たすことが好ましく、２＜（Ｄ１_Ｂ／Ｄ１_Ａ）＜２００を満たすことがより好ましく、２．５≦（Ｄ１_Ｂ／Ｄ１_Ａ）≦５０を満たすことがさらに好ましく、２．５≦（Ｄ１_Ｂ／Ｄ１_Ａ）≦２０を満たすことが特に好ましい。ダイヤモンド砥粒と非ダイヤモンド砥粒とを特定の平均一次粒子径比となるように組み合わせて用いることにより、研磨レートと表面平坦性との両立がより高いレベルで実現され得る。ここに開示される技術は、例えば、Ｄ１_ＡとＤ１_Ｂとの関係が、３≦（Ｄ１_Ｂ／Ｄ１_Ａ）≦１２、より好ましくは５≦（Ｄ１_Ｂ／Ｄ１_Ａ）≦１０、さらに好ましくは５≦（Ｄ１_Ｂ／Ｄ１_Ａ）≦８である態様で好ましく実施され得る。

ダイヤモンド砥粒と非ダイヤモンド砥粒とを併用することによる効果をよりよく発揮させる観点から、Ｄ１_Ｂは、Ｄ１_Ａより１０ｎｍ以上大きいことが好ましい。また、Ｄ１_ＢからＤ１_Ａを減じた値（すなわち、Ｄ１_Ｂ−Ｄ１_Ａ）は、好ましくは６０ｎｍ以下であり、より好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好ましくは４０ｎｍ以下である。例えば、Ｄ１_Ｂ−Ｄ１_Ａが３０ｎｍ以下であってもよい。

なお、ここに開示される技術において、ダイヤモンド砥粒および非ダイヤモンド砥粒の平均一次粒子径とは、ＢＥＴ法により測定される比表面積（ＢＥＴ値）から、平均一次粒子径（ｎｍ）＝６０００／（真密度（ｇ／ｃｍ^３）×ＢＥＴ値（ｍ^２／ｇ））の式により算出される粒子径をいう。例えば、非ダイヤモンド砥粒がシリカ砥粒（すなわちシリカ粒子からなる砥粒）の場合、平均一次粒子径（ｎｍ）＝２７２７／ＢＥＴ値（ｍ^２／ｇ）により平均一次粒子径を算出することができる。比表面積の測定は、例えば、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ Ｓｏｒｂ ＩＩ ２３００」を用いて行うことができる。

研磨用組成物における非ダイヤモンド砥粒の含有量Ｂ（複数種類の粒子を含む場合には、それらの合計含有量）は、ダイヤモンド砥粒の含有量Ａとの間で前記関係を満たす限りにおいて特に制限はないが、研磨レート等の観点から、概ね１重量％以上であり、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましい。研磨後の表面平坦性や研磨の安定性の観点から、上記非ダイヤモンド砥粒の含有量Ｂは、概ね５０重量％以下が適当であり、好ましくは４５重量％以下、より好ましくは４０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以下である。ここに開示される技術は、例えば研磨用組成物における非ダイヤモンド砥粒の含有量Ｂが１０重量％以上４０重量％以下（好ましくは２０重量％以上３０重量％以下）である態様で好ましく実施され得る。

好ましい一態様において、ダイヤモンド砥粒および非ダイヤモンド砥粒の各々は、研磨用組成物のｐＨにおけるダイヤモンド砥粒のゼータ電位と、研磨用組成物のｐＨにおける非ダイヤモンド砥粒のゼータ電位とが逆極性（逆の電荷）を示すものを適宜選択して使用することができる。また、研磨用組成物のｐＨにおけるダイヤモンド砥粒のゼータ電位と、研磨用組成物のｐＨにおける研磨対象材料のゼータ電位とが逆極性を示すものを適宜選択して使用することができる。ここに開示される技術は、研磨用組成物のｐＨにおけるダイヤモンド砥粒のゼータ電位と、研磨用組成物のｐＨにおける非ダイヤモンド砥粒および研磨対象材料の双方のゼータ電位とが逆極性である態様で好ましく実施され得る。例えば、非ダイヤモンド砥粒および研磨対象材料のゼータ電位が負極性（マイナス）を示す場合、正極性（プラス）のゼータ電位を示すダイヤモンド砥粒を好ましく採用することができる。このようにすれば、研磨用組成物中においてダイヤモンド粒子が非ダイヤモンド粒子もしくは研磨対象物表面に静電引力により引き寄せられ、非ダイヤモンド粒子と研磨対象物表面との間にダイヤモンド粒子が介在する状態が好適に実現され得る。そのため、非ダイヤモンド砥粒に対して少量のダイヤモンド砥粒を用いたことによる性能向上効果がより好適に発揮され得る。

なお、研磨用組成物のｐＨにおけるダイヤモンド砥粒、非ダイヤモンド砥粒および研磨対象材料の各ゼータ電位は、例えば電気泳動光散乱法又は電気音響分光法により測定され、例えば大塚電子株式会社製の“ＥＬＳ−Ｚ”またはディスパージョンテクノロジー社（Dispersion Technology Inc.）製の“ＤＴ−１２００”を用いて測定することができる。なお、研磨対象材料のゼータ電位の測定は、研磨対象材料と同じ材料からなる微粒子のゼータ電位の測定によって代替することができる。あるいは、ゼータ電位が既知の微粒子を含んだ液中に研磨対象材料を浸漬し、液中から取り出してから流水で１０秒間前後洗浄した後の研磨対象材料の表面を例えば走査型電子顕微鏡を使って観察してもよい。この場合、洗浄後の研磨対象材料の表面に付着している微粒子の量から同液中での研磨対象材料のゼータ電位の値の符号（極性）、すなわち正か負かを知ることができる。具体的な手順としては、測定対象がダイヤモンド砥粒または非ダイヤモンド砥粒の場合、各砥粒をそれぞれ純水に分散させ、砥粒濃度が１〜３０重量％となる測定用水溶液を調製する。そして、ｐＨ調整剤（例えば水酸化カリウム、硝酸など）で研磨用組成物と同じｐＨに調整した後、前記のゼータ電位測定装置を用いて各砥粒のゼータ電位を求めることができる。また、測定対象が研磨対象材料の場合、該研磨対象材料からなる粒子（粉末材料）を純水に分散させ、粒子濃度が１〜３０重量％となる測定用水溶液を調製する。そして、ｐＨ調整剤（例えば水酸化カリウム、硝酸など）で研磨用組成物と同じｐＨに調整した後、前記のゼータ電位測定装置を用いて研磨対象材料のゼータ電位を求めることができる。ダイヤモンド砥粒および非ダイヤモンド砥粒のゼータ電位は、例えば砥粒の材質を変えたり砥粒の表面を改質（例えば有機官能基修飾）したりすることによって調整することができる。

（研磨助剤）
ここに開示される研磨用組成物は研磨助剤を含むことが好ましい。研磨助剤は、ポリシングによる効果を増進する成分であり、典型的には水溶性のものが用いられる。研磨助剤は、特に限定的に解釈されるものではないが、ポリシングにおいて研磨対象物表面を変質（典型的には酸化変質）する作用を示し、研磨対象物表面の脆弱化をもたらすことで、砥粒による研磨に寄与していると考えられる。

研磨助剤としては、過酸化水素等の過酸化物；硝酸、その塩である硝酸鉄、硝酸銀、硝酸アルミニウム、その錯体である硝酸セリウムアンモニウム等の硝酸化合物；ペルオキソ一硫酸カリウム、ペルオキソ二硫酸等の過硫酸、その塩である過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム等の過硫酸化合物；塩素酸やその塩、過塩素酸、その塩である過塩素酸カリウム等の塩素化合物；臭素酸、その塩である臭素酸カリウム等の臭素化合物；ヨウ素酸、その塩であるヨウ素酸アンモニウム、過ヨウ素酸、その塩である過ヨウ素酸ナトリウム、過ヨウ素酸カリウム等のヨウ素化合物；鉄酸、その塩である鉄酸カリウム等の鉄酸類；過マンガン酸、その塩である過マンガン酸ナトリウム、過マンガン酸カリウム等の過マンガン酸類；クロム酸、その塩であるクロム酸カリウム、ニクロム酸カリウム等のクロム酸類；バナジン酸、その塩であるバナジン酸アンモニウム、バナジン酸ナトリウム、バナジン酸カリウム等のバナジン酸類；過ルテニウム酸またはその塩等のルテニウム酸類；モリブデン酸、その塩であるモリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸二ナトリウム等のモリブデン酸類；過レニウムまたはその塩等のレニウム酸類；タングステン酸、その塩であるタングステン酸二ナトリウム等のタングステン酸類；が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく２種以上を適宜組み合わせて用いてもよい。

好ましい一態様では、研磨用組成物は、研磨助剤として複合金属酸化物を含む。上記複合金属酸化物としては、硝酸金属塩、鉄酸類、過マンガン酸類、クロム酸類、バナジン酸類、ルテニウム酸類、モリブデン酸類、レニウム酸類、タングステン酸類が挙げられる。なかでも、バナジン酸類、モリブデン酸類、タングステン酸類がより好ましく、バナジン酸類がさらに好ましい。

さらに好ましい一態様では、上記複合金属酸化物として、１価もしくは２価の金属元素（ただし、遷移金属元素を除く。）またはアンモニアと、周期表の第５族または第６族遷移金属元素と、を有する複合金属酸化物ＣＭＯが用いられる。上記１価もしくは２価の金属元素（ただし、遷移金属元素を除く。）またはアンモニアの好適例としては、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、アンモニアが挙げられる。なかでも、Ｎａ、Ｋがより好ましい。周期表の第５族または第６族遷移金属元素は、第４周期、第５周期および第６周期のなかから選択されることが好ましく、第４周期および第５周期のなかから選択されることがより好ましく、第４周期のなかから選択されることがさらに好ましい。上記遷移金属元素は、第５族のなかから好ましく選択される。その具体例としては、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗが挙げられる。なかでも、Ｖ、Ｍｏ、Ｗがより好ましく、Ｖがさらに好ましい。

ここに開示される研磨用組成物が、研磨助剤として複合金属酸化物（好ましくは複合金属酸化物ＣＭＯ）を含む場合、複合金属酸化物以外の研磨助剤として、上記複合金属酸化物（好ましくは複合金属酸化物ＣＭＯ）に対して酸素を供給することが可能な酸素含有物をさらに含むことが好ましい。これにより、複合金属酸化物（好ましくは複合金属酸化物ＣＭＯ）の化学的作用が継続的に発揮され、ポリシングにおける研磨効率が有意に向上し、研磨対象材料の平滑性と平坦性とが高度に両立され得る。上記酸素含有物の好適例としては、過酸化水素、オゾンおよび過酸が挙げられる。なかでも、過酸化水素が特に好ましい。

研磨用組成物における研磨助剤の濃度（含有量）は、通常は０．１重量％以上とすることが適当である。研磨レートと平坦性とを高度にかつ効率的に両立する観点から、上記濃度は０．５重量％以上が好ましく、１重量％以上（例えば１．５重量％以上）がより好ましい。また、平滑性向上の観点から、上記研磨助剤の濃度は、通常は１５重量％以下とすることが適当であり、１０重量％以下とすることが好ましく、８重量％以下（例えば５重量％以下、あるいは３重量％以下）とすることがより好ましい。

研磨助剤として、複合金属酸化物（好ましくは複合金属酸化物ＣＭＯ）と当該金属酸化物に対して酸素を供給することが可能な酸素含有物とを併用する場合、複合金属酸化物の濃度は、通常は０．１重量％以上とすることが適当である。研磨レートと平坦性とを高度にかつ効率的に両立する観点から、上記濃度は０．５重量％以上が好ましく、１．５重量％以上がより好ましい。また、上記複合金属酸化物の濃度は、通常は１０重量％以下とすることが適当であり、３重量％以下とすることが好ましく、２．５重量％以下とすることがより好ましい。その場合の上記酸素含有物の濃度は、通常は０．１〜１０重量％とすることが適当であり、酸素供給作用を好ましく発揮する観点から、上記濃度は０．５〜３重量％が好ましく、１〜２重量％がより好ましい。

（その他の成分）
ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、キレート剤、増粘剤、分散剤、表面保護剤、濡れ剤、ｐＨ調整剤、界面活性剤、有機酸、有機酸塩、無機酸、無機酸塩、防錆剤、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物（典型的には高硬度材料研磨用組成物、例えば炭化ケイ素基板ポリシング用組成物）に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。上記添加剤の含有量は、その添加目的に応じて適宜設定すればよく、本発明を特徴づけるものではないため、詳しい説明は省略する。

（溶媒）
研磨用組成物に用いられる溶媒は、砥粒を分散させることができるものであればよく、特に制限されない。溶媒としては、イオン交換水（脱イオン水）、純水、超純水、蒸留水等を好ましく用いることができる。ここに開示される研磨用組成物は、必要に応じて、水と均一に混合し得る有機溶剤（低級アルコール、低級ケトン等）をさらに含有してもよい。通常は、研磨用組成物に含まれる溶媒の９０体積％以上が水であることが好ましく、９５体積％以上（典型的には９９〜１００体積％）が水であることがより好ましい。

研磨用組成物のｐＨは、通常は２〜１２程度とすることが適当である。研磨用組成物のｐＨが上記範囲内であると、実用的な研磨レートが達成されやすい。ここに開示される技術の適用効果をよりよく発揮する観点から、研磨用組成物のｐＨは、好ましくは３〜１１、より好ましくは４〜１０である。

＜研磨用組成物の調製＞
ここに開示される研磨用組成物の製造方法は特に限定されない。例えば、翼式攪拌機、超音波分散機、ホモミキサー等の周知の混合装置を用いて、研磨用組成物に含まれる各成分を混合するとよい。これらの成分を混合する態様は特に限定されず、例えば全成分を一度に混合してもよく、適宜設定した順序で混合してもよい。

ここに開示される研磨用組成物は、一剤型であってもよいし、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、該研磨用組成物の構成成分（典型的には、溶媒以外の成分）のうち一部の成分を含むＡ液と、残りの成分を含むＢ液とが混合されて研磨対象物の研磨に用いられるように構成されていてもよい。

＜濃縮液＞
ここに開示される研磨用組成物は、研磨対象物に供給される前には濃縮された形態（すなわち、研磨液の濃縮液の形態）であってもよい。このように濃縮された形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は、例えば、体積換算で２倍〜５倍程度とすることができる。

このように濃縮液の形態にある研磨用組成物は、所望のタイミングで希釈して研磨液を調製し、その研磨液を研磨対象物に供給する態様で使用することができる。上記希釈は、典型的には、上記濃縮液に前述の溶媒を加えて混合することにより行うことができる。また、上記溶媒が混合溶媒である場合、該溶媒の構成成分のうち一部の成分のみを加えて希釈してもよく、それらの構成成分を上記溶媒とは異なる量比で含む混合溶媒を加えて希釈してもよい。また、後述するように多剤型の研磨用組成物においては、それらのうち一部の剤を希釈した後に他の剤と混合して研磨液を調製してもよく、複数の剤を混合した後にその混合物を希釈して研磨液を調製してもよい。

上記濃縮液における砥粒の含有量は、例えば７０重量％以下とすることができる。研磨用組成物の安定性（例えば、砥粒の分散安定性）や濾過性等の観点から、通常、上記含有量は、６０重量％以下としてもよく、５０重量％以下（例えば４０重量％以下）としてもよい。また、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、砥粒の含有量は、例えば２重量％以上とすることができ、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上（例えば３０重量％以上）である。

＜研磨方法＞
ここに開示される研磨用組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、研磨対象物の研磨に使用することができる。
すなわち、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を含む研磨液（スラリー）を用意する。上記研磨液を用意することには、研磨用組成物に、濃度調整（例えば希釈）、ｐＨ調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。あるいは、上記研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。また、多剤型の研磨用組成物の場合、上記研磨液を用意することには、それらの剤を混合すること、該混合の前に１または複数の剤を希釈すること、該混合の後にその混合物を希釈すること、等が含まれ得る。
次いで、その研磨液を研磨対象物表面に供給し、常法により研磨する。例えば、一般的な研磨装置に研磨対象物をセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて該研磨対象物の表面（研磨対象面）に上記研磨液を供給する。典型的には、上記研磨液を連続的に供給しつつ、研磨対象物の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。かかるポリシング工程を経て研磨対象物の研磨が完了する。

この明細書によると、研磨対象材料を研磨する研磨方法および該研磨方法を用いた研磨物の製造方法が提供される。上記研磨方法は、ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する工程を含むことによって特徴づけられる。好ましい一態様に係る研磨方法は、予備ポリシングを行う工程（予備ポリシング工程）と、仕上げポリシングを行う工程（仕上げポリシング工程）と、を含んでいる。ここでいう予備ポリシング工程とは、研磨対象物に対して、予備ポリシングを行う工程である。典型的な一態様では、予備ポリシング工程は、仕上げポリシング工程の直前に配置されるポリシング工程である。予備ポリシング工程は、１段のポリシング工程であってもよく、２段以上の複数段のポリシング工程であってもよい。また、ここでいう仕上げポリシング工程は、予備ポリシングが行われた研磨対象物に対して仕上げポリシングを行う工程であって、砥粒を含むポリシング用スラリーを用いて行われるポリシング工程のうち最後に（すなわち、最も下流側に）配置される研磨工程のことをいう。このように予備ポリシング工程と仕上げポリシング工程とを含む研磨方法において、ここに開示される研磨用組成物は、予備ポリシング工程で用いられてもよく、仕上げポリシング工程で用いられてもよく、予備ポリシング工程および仕上げポリシング工程の両方で用いられてもよい。

好ましい一態様において、上記研磨用組成物を用いるポリシング工程は、仕上げポリシング工程である。ここに開示される研磨用組成物は、研磨後の表面において表面粗さを効果的に低減し得ることから、研磨対象材料表面の仕上げポリシング工程に用いられる研磨用組成物（仕上げポリシング用組成物）として特に好ましく使用され得る。

他の好ましい一態様において、上記研磨用組成物を用いるポリシング工程は、予備ポリシング工程であり得る。ここに開示される研磨用組成物は、高い研磨レートを実現し得ることから、研磨対象材料表面の予備ポリシング工程に用いられる研磨用組成物（予備ポリシング用組成物）として好適である。予備ポリシング工程が２段以上の複数段のポリシング工程を含む場合、それらのうち２段以上のポリシング工程を、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を用いて実施することも可能である。ここに開示される研磨用組成物は、前段（上流側）の予備ポリシングに好ましく適用することができる。例えば、後述するラッピング工程を経た最初の予備ポリシング工程（典型的には１次研磨工程）においても好ましく使用され得る。

予備ポリシングおよび仕上げポリシングは、片面研磨装置による研磨、両面研磨装置による研磨のいずれにも適用可能である。片面研磨装置では、セラミックプレートにワックスで研磨対象物を貼りつけたり、キャリアと呼ばれる保持具を用いて研磨対象物を保持し、ポリシング用組成物を供給しながら研磨対象物の片面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させることにより研磨対象物の片面を研磨する。両面研磨装置では、キャリアと呼ばれる保持具を用いて研磨対象物を保持し、上方よりポリシング用組成物を供給しながら、研磨対象物の対向面に研磨パッドを押しつけ、それらを相対方向に回転させることにより研磨対象物の両面を同時に研磨する。

ここに開示される各ポリシング工程で使用される研磨パッドは、特に限定されない。例えば、不織布タイプ、スウェードタイプ、硬質発泡ポリウレタンタイプ、砥粒を含むもの、砥粒を含まないもの等のいずれを用いてもよい。

ここに開示される方法により研磨された研磨物は、典型的にはポリシング後に洗浄される。この洗浄は、適当な洗浄液を用いて行うことができる。使用する洗浄液は特に限定されず、公知、慣用のものを適宜選択して用いることができる。

なお、ここに開示される研磨方法は、上記予備ポリシング工程および仕上げポリシング工程に加えて任意の他の工程を含み得る。そのような工程としては、予備ポリシング工程の前に行われるラッピング工程が挙げられる。上記ラッピング工程は、研磨定盤（例えば鋳鉄定盤）の表面を研磨対象物に押し当てることにより研磨対象物の研磨を行う工程である。したがって、ラッピング工程では研磨パッドは使用しない。ラッピング工程は、典型的には、研磨定盤と研磨対象物との間に砥粒（典型的にはダイヤモンド砥粒）を供給して行われる。また、ここに開示される研磨方法は、予備ポリシング工程の前や、予備ポリシング工程と仕上げポリシング工程との間に追加の工程（洗浄工程やポリシング工程）を含んでもよい。

＜研磨物の製造方法＞
ここに開示される技術には、上記研磨用組成物を用いたポリシング工程を含む研磨物の製造方法（例えば炭化ケイ素基板の製造方法）および該方法により製造された研磨物の提供が含まれ得る。すなわち、ここに開示される技術によると、研磨対象材料から構成された研磨対象物に、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を供給して該研磨対象物を研磨することを含む、研磨物の製造方法および該方法により製造された研磨物が提供される。上記製造方法は、ここに開示されるいずれかの研磨方法の内容を好ましく適用することにより実施され得る。上記製造方法によると、表面平坦性のよい研磨後表面を有する研磨物（例えば炭化ケイ素基板）が効率的に提供され得る。

以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明を実施例に示すものに限定することを意図したものではない。なお、以下の説明において「％」は、特に断りがない限り重量基準である。

＜研磨用組成物の調製＞
（実施例１）
ダイヤモンド砥粒（平均一次粒子径：４ｎｍ）と非ダイヤモンド砥粒としてのシリカ砥粒（平均一次粒子径：３３ｎｍ）と研磨助剤としてのメタバナジン酸ナトリウム（ＮａＶＯ_３）および過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）と脱イオン水とを混合して研磨用組成物を調製した。ダイヤモンド砥粒の含有量Ａは０．１６％、シリカ砥粒の含有量Ｂは２４％、ＮａＶＯ_３の含有量は１．８％、Ｈ_２Ｏ_２の含有量は１．２％とした。研磨用組成物のｐＨは６．５であった。

（実施例２）
ダイヤモンド砥粒の含有量Ａを０．０８２％としたこと以外は実施例１と同様にして研磨用組成物を調製した。

（実施例３）
ダイヤモンド砥粒の含有量Ａを０．０１６％としたこと以外は実施例１と同様にして研磨用組成物を調製した。

（比較例１）
ダイヤモンド砥粒を使用しなかったこと以外は実施例１と同様にして研磨用組成物を調製した。

（比較例２）
ダイヤモンド砥粒の含有量Ａを０．２５％とし、かつ、シリカ砥粒を使用しなかったこと以外は実施例１と同様にして研磨用組成物を調製した。

（比較例３）
ダイヤモンド砥粒の含有量Ａを０．７７％とし、かつ、シリカ砥粒を使用しなかったこと以外は実施例１と同様にして研磨用組成物を調製した。

＜研磨レートの評価＞
用意した研磨用組成物をそのまま研磨液として使用して、アルミナ砥粒を含む研磨液を用いて予備ポリシングを予め実施したＳｉＣウェーハの表面に対し、下記の条件でポリシングを実施した。そして、以下の計算式（１）、（２）に従って研磨レートを算出した。結果を表１の該当欄に示す。
（１）研磨取り代［ｃｍ］＝研磨前後のＳｉＣウェーハの重量の差［ｇ］／ＳｉＣの密度［ｇ／ｃｍ^３］（＝３.２１ｇ／ｃｍ^３）／研磨対象面積［ｃｍ^２］（＝１９．６２ｃｍ^２）
（２）研磨レート［ｎｍ／ｈ］＝研磨取り代［ｃｍ］×１０^７／研磨時間（＝１時間）
［ポリシング条件］
研磨装置：日本エンギス社製の片面研磨装置、型式「ＥＪ−３８０ＩＮ」
研磨パッド：ニッタ・ハース社製「ＳＵＢＡ８００」
研磨圧力：３００ｇ／ｃｍ^２
定盤回転数：８０回転／分
研磨時間：１時間
ヘッド回転数：４０回転／分
研磨液の供給レート：２０ｍＬ／分（掛け流し）
研磨液の温度：２５℃
研磨対象物：ＳｉＣウェーハ（伝導型：ｎ型、結晶型４Ｈ ４°ｏｆｆ）２インチ

上記研磨で用いた研磨用組成物中におけるダイヤモンド砥粒を大塚電子株式会社製の“ＥＬＳ−Ｚ”を用いて、シリカ砥粒およびＳｉＣ粒子のゼータ電位をディスパージョンテクノロジー社（Dispersion Technology Inc.）製の“ＤＴ−１２００”を用いて前述の方法により測定した。その結果、ダイヤモンド砥粒のゼータ電位は正極性（プラス）、シリカ砥粒およびＳｉＣ粒子のゼータ電位は負極性（マイナス）を示すことが確認された。

＜表面粗さｒｍｓ＞
各例に係るポリシング後の研磨物表面につき、非接触表面形状測定機（商品名「ＮｅｗＶｉｅｗ ５０３２」、Ｚｙｇｏ社製）を用いて、視野角５．６ｍｍ×４．２ｍｍの条件で二乗平均平方根表面粗さｒｍｓ（ｎｍ）を測定した。結果を表１の該当欄に示す。

表１に示されるように、ダイヤモンド砥粒と非ダイヤモンド砥粒とを特定の含有量比で組み合わせて用いた実施例１〜３の研磨用組成物によると、高い研磨レートを実現しつつ表面粗さｒｍｓが小さい研磨物表面が得られた。これに対して、非ダイヤモンド砥粒のみを用いた比較例１では、実施例１〜３に比べて表面粗さｒｍｓが大きく、研磨物表面の平坦性に欠けていた。また、ダイヤモンド砥粒のみを用いた比較例２、３についても、実施例１〜３に比べて表面粗さｒｍｓが大きく、研磨物表面の平坦性に欠けていた。この結果から、ダイヤモンド砥粒と非ダイヤモンド砥粒とを特定の含有量比で組み合わせて用いることにより、研磨レートと表面平坦性との両立を実現し得ることが確認できた。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

Claims (11)

1. 研磨対象材料の研磨に用いられる研磨用組成物であって、
   ダイヤモンド砥粒と、非ダイヤモンド砥粒とを含み、
   重量基準で、前記ダイヤモンド砥粒の含有量Ａに対する前記非ダイヤモンド砥粒の含有量Ｂの比（Ｂ／Ａ）が、２＜（Ｂ／Ａ）である、研磨用組成物。
2. 前記比（Ｂ／Ａ）が、１００≦（Ｂ／Ａ）≦２０００である、請求項１に記載の研磨用組成物。
3. 前記ダイヤモンド砥粒の平均一次粒子径Ｄ１_Ａが１０ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の研磨用組成物。
4. 前記ダイヤモンド砥粒の平均一次粒子径Ｄ１_Ａと前記非ダイヤモンド砥粒の平均一次粒子径Ｄ１_Ｂとの関係が、次式：１＜（Ｄ１_Ｂ／Ｄ１_Ａ）＜５００；を満たす、請求項１〜３の何れか一つに記載の研磨用組成物。
5. 前記研磨用組成物のｐＨにおける前記ダイヤモンド砥粒のゼータ電位と、前記研磨用組成物のｐＨにおける前記非ダイヤモンド砥粒および前記研磨対象材料のうちの少なくとも一方のゼータ電位とが逆極性である、請求項１〜４の何れか一つに記載の研磨用組成物。
6. 前記研磨用組成物のｐＨにおける前記ダイヤモンド砥粒のゼータ電位と、前記研磨用組成物のｐＨにおける前記非ダイヤモンド砥粒および前記研磨対象材料のゼータ電位とが逆極性である、請求項１〜５の何れか一つに記載の研磨用組成物。
7. 前記研磨用組成物のｐＨにおける前記ダイヤモンド砥粒のゼータ電位が正極性であり、
   前記研磨用組成物のｐＨにおける前記非ダイヤモンド砥粒および前記研磨対象材料のゼータ電位が負極性である、請求項１〜６の何れか一つに記載の研磨用組成物。
8. 前記研磨対象材料は、１５００Ｈｖ以上のビッカース硬度を有する、請求項１〜７の何れか一つに記載の研磨用組成物。
9. 前記研磨対象材料が炭化ケイ素である、請求項１〜８の何れか一つに記載の研磨用組成物。
10. 前記非ダイヤモンド砥粒として、シリカ粒子を含む、請求項１〜９の何れか一つに記載の研磨用組成物。
11. 研磨対象物に請求項１〜１０のいずれか一項に記載された研磨用組成物を供給して該研磨対象物を研磨することを含む、研磨物の製造方法。