JP2017175052A - 発光モジュール及び照明器具 - Google Patents
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Abstract
【課題】更なる小型化が可能な発光モジュール及び照明器具を提供する。【解決手段】発光モジュール1Aは、長尺状の基板10A、導体パターン20、複数の発光素子30、封止部40A、バンク70Aを具備する。導体パターン20は、基板10Aの長手方向に沿って基板10A上に設けられる。複数の発光素子30は、基板10A上に設けられ、基板10A上に配置され固定される際の配置面31の反対面32が導体パターン20とワイヤ50(52、53)により接続されて導体パターン20から給電される。封止部40Aは、導体パターン20及び複数の発光素子30を、反対面から封止する。バンク70Aは、導体パターン20及び基板10A上に跨って設けられ、導体パターン20及び基板10Aのうち導体パターン20をより広く被覆して封止部40Aを堰き止める。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、発光モジュール及び照明器具に関する。
近年、LED(Light Emitting Diode)等の発光素子を用いた照明器具は、省電力等により光源として導入が急速に増加している。また、近年、高輝度化を目的として、長尺状の基板の上に複数の発光素子を高密度実装したチップオンボ−ド(COB:Chip On Board)方式の発光モジュールが用いられている。チップオンボ−ド方式の発光モジュールは、小型化が可能で、設計の自由度が高いという特徴を活かして、様々な照明に用いられる。
しかしながら、発光モジュールは、更なる小型化が求められている。
本発明は、更なる小型化が可能な発光モジュール及び照明器具を提供することを目的とする。
実施形態の発光モジュールは、長尺状の基板、導体パターン、複数の発光素子、封止部、バンクを具備する。導体パターンは、基板の長手方向に沿って基板上に設けられる。複数の発光素子は、基板上に設けられ、基板上に配置され固定される際の配置面の反対面が導体パターンとワイヤにより接続されて導体パターンから給電される。封止部は、導体パターン及び複数の発光素子を、反対面から封止する。バンクは、導体パターン及び基板上に跨って設けられ、導体パターン及び基板のうち導体パターンをより広く被覆して封止部を堰き止める。
本発明によれば、更なる小型化が可能な発光モジュール及び照明器具を提供することができる。
以下の第1の実施形態に係る発光モジュール1A、1B、1Cは、長尺状の基板10A、10B、10C、導体パターン20(21、22)、複数の発光素子30、封止部40A、40B、40C、バンク70A、70B、70Cを具備する。導体パターン20(21、22)は、基板10A、10B、10Cの長手方向に沿って基板10A、10B、10C上に設けられる。複数の発光素子30は、基板10A、10B、10C上に設けられ、基板10A、10B、10C上に配置され固定される際の配置面の反対面が導体パターン20(21、22)とワイヤ50(52、53)により接続されて導体パターン20(21、22)から給電される。封止部40A、40B、40Cは、導体パターン20(21、22)及び複数の発光素子30を、反対面から封止する。バンク70A、70B、70Cは、導体パターン20(21、22)及び基板10A、10B、10C上に跨って設けられ、導体パターン20(21、22)及び基板10A、10B、10Cのうち導体パターン20(21、22)をより広く被覆して封止部40A、40B、40Cを堰き止める。
また、以下の第2の実施形態に係る発光モジュール1Aにおいて、バンク70Aは、導体パターン20(21、22)及び導体パターン20(21、22)の内方の基板10A上に跨って設けられる。
また、以下の第3の実施形態に係る発光モジュール1Aは、バンク70Aによって被覆されない導体パターン20(21、22)の部分を被覆して保護する保護部21a、22aを具備する。
また、以下の第4の実施形態に係る発光モジュール1Cにおいて、バンク70Cは、導体パターン20(21、22)及び導体パターン20(21、22)の外方の基板10C上に跨って設けられ、導体パターン20(21、22)の基板10Cの内方側においてワイヤ50(52、53)との接触を回避するよう形成されている。
また、以下の第5の実施形態に係る発光モジュール1A、1B、1Cは、バンク70A、70B、70Cは、導体パターン20及び導体パターン20の内方と外方の双方の基板10A、10B、10C上に跨って設けられている。
また、以下の第6の実施形態に係る照明器具100は、発光モジュール1A、1B、1Cを具備する。
以下に、本発明に係る実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下に示す各実施形態は、本発明が開示する技術を限定するものではない。また、以下に示す各実施形態及び各変形例は、矛盾しない範囲で適宜組合せることができる。また、各実施形態の説明において、同一構成には同一符号を付与して後出の説明を適宜省略する。
[実施形態1]
図1は、実施形態1に係る発光モジュールを示す平面図である。図2は、実施形態1に係る発光モジュールを示す図1のA−A断面図である。実施形態1に係る発光モジュール1Aは、基板10A、一対の導体パターン20(21、22)、複数の発光素子30、封止部40A、ワイヤ50(51〜53)、一対のバンク70A(71A、72A)を有する。
図1は、実施形態1に係る発光モジュールを示す平面図である。図2は、実施形態1に係る発光モジュールを示す図1のA−A断面図である。実施形態1に係る発光モジュール1Aは、基板10A、一対の導体パターン20(21、22)、複数の発光素子30、封止部40A、ワイヤ50(51〜53)、一対のバンク70A(71A、72A)を有する。
基板10Aは、長尺状に形成される。基板10Aは、例えば、アルミナを含むセラミック等の絶縁性材料により形成される。
基板10A上には、基板10Aの短手方向に所定間隔W2Aを開けて、基板10Aの長手方向に沿って一対の導体パターン20(21、22)が対向するように設けられる。導体パターン21、22を総称する場合に、導体パターン20とする。導体パターン20は、外部から発光素子30に給電する。導体パターン20の幅や厚みは、発光素子30等へ印加される電流や電圧等の給電条件や、発光モジュール1Aの設計サイズに応じて適切に設定される。例えば、導体パターン20は、金(Au)又は銀(Ag)等の導電性金属材料を用いた鍍金により、基板10A上に設けられる。
また、導体パターン20及び導体パターン20よりも基板10Aの短手方向の内側の上に跨って、基板10Aの短手方向に所定間隔W1A(すなわちW1A<W2A)を開けて、基板10Aの長手方向に沿ってバンク70A(71A、72A)が設けられる。すなわち、図2に示すように、導体パターン21及び基板10Aにおける導体パターン21の内側に跨ってバンク71Aが設けられる。また、導体パターン22及び基板10Aにおける導体パターン22の内側に跨ってバンク72Aが設けられる。バンク71A及びバンク72Aを総称する場合に、バンク70Aとする。バンク70Aは、発光素子30を封止する封止部40Aを堰き止めるために設けられる。
ここで、図2に示す基板10Aの短手方向において、バンク71Aが導体パターン21と接触する幅W21は、バンク71Aが基板10Aと接触する幅W22以上である。すなわち、バンク71Aが導体パターン21及び基板10A上に設けられる長手方向の長さは同一であるので、バンク71Aが導体パターン21と接触する接触面積は、バンク71Aが基板10Aと接触する接触面積以上であることになる。例えば、図2に示す幅W20(=W21+W22)において幅W21が50%以上である場合には、バンク71Aが導体パターン21と接触する接触面積が全接触面積のうちの50%以上となり、バンク71Aと導体パターン21との平面視での重複面積がより大きくなるので、発光モジュール1Aの小型化、例えば基板10Aの短手方向の幅W3A(図2参照)の微細化を図ることができる。また、例えば、幅W20においてW21が70%以下である場合には、バンク71Aが基板10Aと接触する接触面積が全接触面積のうちの30%以上となり、バンク71Aと基板10Aとの接着強度を向上させることができる。バンク72Aについても同様である。
また、バンク71A及びバンク72Aの基板10Aに対する高さは、発光素子30よりも高い。
また、図2に示すように、導体パターン21は、バンク71Aが設けられない部分を被覆して導体パターン21を保護する保護部21aが設けられてもよい。同様に、導体パターン22は、バンク72Aが設けられない部分を被覆して導体パターン22を保護する保護部22aが設けられてもよい。保護部21a及び保護部22aは、例えばガラスコート等である。
バンク70Aは、例えばシリコーン等の高分子化合物を用いて導体パターン20及び基板10A上に形成される。なお、バンク71A及びバンク72Aは、それらの端点を結んだ、基板10A上において封止部40Aを堰き止めるような、閉じた形状であってもよい。
バンク70Aの基板10Aの短手方向の内側に、バンク70Aに沿って複数の発光素子30が基板10A上に配置される。図1では、バンク70Aに沿って24個の発光素子30が基板10A上に配置される。すなわち、複数の発光素子30が、基板10Aに集合実装される。
発光素子30には、例えばLED(Light Emitting Diode)チップが用いられる。図2に示すように、発光素子30は、基板10A上に配置される際の基板10Aとの接触面である配置面31の反対面32から、電極(図示省略)を介して給電される。
基板10A上に配置された発光素子30は、バンク70Aの内側(すなわち図2に示す発光素子30側)において、発光素子30の発光波長で励起して長波光へ変換する蛍光体を含む熱硬化樹脂からなる封止部40Aにより封止される。例えば、封止部40Aには、蛍光体が所定量分散されたチクソ性を有する高粘度の熱硬化樹脂が用いられる。封止部40Aは、発光素子30、ワイヤ50のうちバンク70Aにより被覆されない箇所を封止して保護する。
また、発光素子30は、ワイヤ50により、導体パターン20とワイヤボンディングにより電気的に接続される。ワイヤ51〜53を総称する場合に、ワイヤ50とする。図1では、一続き(図1では6個)の発光素子30間は、ワイヤ51により接続される。また、一続きの発光素子30のうち、一端(図1では左端)の発光素子30は、ワイヤ52により一方の導体パターン21に接続され、他端(図1では右端)の発光素子30は、ワイヤ53により他方の導体パターン22に接続される。
なお、ここでいう一続きの発光素子30とは、ワイヤ52により一方の導体パターン21に接続され、ワイヤ53により他方の導体パターン22に接続される複数の発光素子30をいう。そして、一続きの発光素子30とは、導体パターン20間に直列接続される一群の発光素子30をいう。図1では、一続きの発光素子30が4組設けられる場合を示す。なお、図1では、4組の一続きの発光素子30は同様の構成であるため、左側の一連の発光素子30及びワイヤ50に番号を付し、他の構成の番号の図示を省略している。
ワイヤ50は、基板10上において、配置面31の反対面32に設けられた電極から発光素子30から離れる方向に延び、バンク70Aへ突入した状態で導体パターン20のいずれか一方に接続される。図1では、ワイヤ52は、配置面31の反対面32に設けられた電極から延び、バンク71Aへ突入した状態で導体パターン21に接続される。また、図1では、ワイヤ53は、配置面31の反対面32に設けられた電極から延び、バンク72Aへ突入した状態で導体パターン22に接続される。
なお、図2は、説明の便宜上、ワイヤ50(52)及びワイヤ50(53)が、基板10の反対面32から導体パターン21及び導体パターン22までそれぞれ延びて、反対面32と、導体パターン21及び導体パターン22とをそれぞれを接続する態様を同時に示している。しかし、ワイヤ52付近、ワイヤ53付近、ワイヤ50(52、53)付近以外それぞれにおける基板10Aの断面図は、ワイヤ50の有無及び位置が異なる以外は、図2と同様である。
封止部40Aは、基板10A上において、発光素子30を覆い、バンク70Aにより堰き止められるように設けられる。封止部40Aは、基板10Aの長手方向に対して直交する断面において、基板10Aから離れる方向に凸な半楕円状に形成される。封止部40Aは、発光素子30が出射する光に対するレンズ(光学素子)として機能する。
封止部40Aは、基板10の長手方向に対して直交する断面において、バンク70Aの基板10Aの短手方向の所定間隔W1Aが2mm以下であり、例えば1.3mmである。封止部40Aは、所定間隔W1Aに対する基板10からの高さの割合(アスペクト比)が例えば0.2以上0.7以下となるように形成される。アスペクト比が0.2以上0.7以下であると、発光モジュール1Aの配光性及び出射光の取出し効率を向上させることができる。なお、封止部40Aは、基板10Aの長手方向に対して直交する断面における形状は半楕円状に限らず、断面が曲線であるその他の形状や、方形であってもよい。
実施形態1によれば、封止部40Aを堰き止めるバンク70Aが、導体パターン20及び基板10Aの短手方向の導体パターン20よりも内側に跨って設けられるので、バンク70Aと導体パターン20との平面視での重複面積を有し、発光モジュール1Aの小型化、例えば基板10Aの短手方向の幅W3A(図2参照)の微細化を図ることができる。
また、バンク70Aが基板10Aと接触する接触面積を全接触面積のうちの30%以上とすることにより、バンク70Aと基板10Aとの接着強度を向上させることができる。
[実施形態1の変形例]
実施形態1では、封止部40Aを堰き止めるバンク70Aが、導体パターン20及び基板10Aの短手方向の導体パターン20よりも内側に跨って設けられるとするが、これに限らず、封止部40Aを堰き止めるバンク70Aが、導体パターン20及び基板10Aの短手方向の導体パターン20の内側及び外側に跨って導体パターン20を平面視で全被覆するように設けられてもよい。
実施形態1では、封止部40Aを堰き止めるバンク70Aが、導体パターン20及び基板10Aの短手方向の導体パターン20よりも内側に跨って設けられるとするが、これに限らず、封止部40Aを堰き止めるバンク70Aが、導体パターン20及び基板10Aの短手方向の導体パターン20の内側及び外側に跨って導体パターン20を平面視で全被覆するように設けられてもよい。
[実施形態2]
図3は、実施形態2に係る発光モジュールを示す平面図である。図4は、実施形態2に係る発光モジュールを示す図3のB−B断面図である。なお、図3及び図4において、実施形態1に係る発光モジュール1Aと同一部分には、同一符号を付する。実施形態2に係る発光モジュール1Bは、実施形態1に係る発光モジュール1Aと比較して、封止部を堰き止めるバンクが、導体パターン及び基板の短手方向の導体パターンよりも外側に跨って設けられる点が異なる。
図3は、実施形態2に係る発光モジュールを示す平面図である。図4は、実施形態2に係る発光モジュールを示す図3のB−B断面図である。なお、図3及び図4において、実施形態1に係る発光モジュール1Aと同一部分には、同一符号を付する。実施形態2に係る発光モジュール1Bは、実施形態1に係る発光モジュール1Aと比較して、封止部を堰き止めるバンクが、導体パターン及び基板の短手方向の導体パターンよりも外側に跨って設けられる点が異なる。
実施形態2に係る発光モジュール1Bは、基板10B、一対の導体パターン20(21、22)、複数の発光素子30、封止部40B、ワイヤ50(51〜53)、一対のバンク70Bを有する。
基板10Bは、長尺状に形成される。基板10Bは、例えば、アルミナを含むセラミック等の絶縁性材料により形成される。
基板10B上には、基板10Bの短手方向に所定間隔W2Bを開けて、基板10Bの長手方向に沿って一対の導体パターン20(21、22)が対向するように設けられる。
また、導体パターン20及び導体パターン20よりも基板10Bの短手方向の外側の上に跨って、基板10Bの短手方向に所定間隔W1B(すなわちW1B>W2B)を開けて、基板10Bの長手方向に沿ってバンク70B(71B、72B)が設けられる。すなわち、図4に示すように、導体パターン21及び基板10Bにおける導体パターン21の外側に跨ってバンク71Bが設けられる。また、導体パターン22及び基板10Bにおける導体パターン22の外側に跨ってバンク72Bが設けられる。バンク71B及びバンク72Bを総称する場合に、バンク70Bとする。バンク70Bは、封止部40Bを堰き止めるために設けられる。
ここで、図4に示す基板10Bの短手方向において、バンク71Bが導体パターン21と接触する幅W31は、バンク71Bが基板10Bと接触する幅W32以上である。すなわち、バンク71Bが導体パターン21及び基板10B上に設けられる長手方向の長さは同一であるので、バンク71Bが導体パターン21と接触する接触面積は、バンク71Bが基板10Bと接触する接触面積以上であることになる。例えば、図4に示す幅W30(=W31+W32)においてW31が50%以上である場合には、バンク71Bが導体パターン21と接触する接触面積が全接触面積のうちの50%以上となり、バンク71Bと導体パターン21との平面視での重複面積がより大きくなるので、発光モジュール1Bの小型化、例えば基板10Bの短手方向の幅W3B(図4参照)の微細化を図ることができる。また、例えば、幅W30においてW31が70%以下である場合には、バンク71Bが基板10Bと接触する接触面積が全接触面積のうちの30%以上となり、バンク71Bと基板10Bとの接着強度を向上させることができる。バンク72Bについても同様である。
また、バンク71B及びバンク72Bの基板10Bに対する高さは、発光素子30よりも高い。
また、図4に示すように、バンク71Bは、導体パターン21上において、ワイヤ50が接続される部分を回避するように設けられる。同様に、バンク72Bは、導体パターン22上において、ワイヤ50を回避するように設けられる。
バンク70Bは、例えばシリコーン等の高分子化合物を用いて導体パターン20及び基板10B上に形成される。なお、バンク71B及びバンク72Bは、それらの端点を結んだ、基板10B上において封止部40Bを堰き止めるような、閉じた形状であってもよい。
導体パターン20の基板10Bの短手方向の内側に、導体パターン20に沿って複数の発光素子30が基板10B上に配置される。図3では、バンク70Bに沿って24個の発光素子30が基板10B上に配置される。すなわち、複数の発光素子30が、基板10Bに集合実装される。
基板10B上に配置された発光素子30は、バンク70Bの内側(すなわち図4に示す発光素子30側)において、発光素子30の発光波長で励起して長波光へ変換する蛍光体を含む熱硬化樹脂からなる封止部40Bにより封止される。封止部40Bは、導体パターン20のうちバンク70Bにより被覆されない箇所、発光素子30、ワイヤ50を封止して保護する。
実施形態2によれば、封止部40Bを堰き止めるバンク70Bが、導体パターン20及び基板10Bの短手方向の導体パターン20よりも外側に跨って設けられるので、バンク70Bと導体パターン20との平面視での重複面積を有し、発光モジュール1Bの小型化、例えば基板10Bの短手方向の幅W3B(図4参照)の微細化を図ることができる。また、導体パターン20、発光素子30、ワイヤ50を封止部40B及びバンク70Bにより保護することができる。
また、バンク70Bが基板10Bと接触する接触面積を全接触面積のうちの30%以上とすることにより、バンク70Bと基板10Bとの接着強度を向上させることができる。
[実施形態2の変形例]
実施形態2では、封止部40Bを堰き止めるバンク70Bが、導体パターン20及び基板10Bの短手方向の導体パターン20よりも外側に跨って設けられるとするが、これに限らず、封止部40Bを堰き止めるバンク70Bが、導体パターン20及び基板10Bの短手方向の導体パターン20の内側及び外側に跨って導体パターン20を平面視で全被覆するように設けられてもよい。
実施形態2では、封止部40Bを堰き止めるバンク70Bが、導体パターン20及び基板10Bの短手方向の導体パターン20よりも外側に跨って設けられるとするが、これに限らず、封止部40Bを堰き止めるバンク70Bが、導体パターン20及び基板10Bの短手方向の導体パターン20の内側及び外側に跨って導体パターン20を平面視で全被覆するように設けられてもよい。
[実施形態3]
図5は、実施形態3に係る発光モジュールを示す平面図である。図6は、実施形態3に係る発光モジュールを示す図5のC−C断面図である。図7は、実施形態3に係る発光モジュールを示す図6のX方向の部分平面図である。なお、図5〜図7において、実施形態2に係る発光モジュール1Bと同一部分には、同一符号を付する。
図5は、実施形態3に係る発光モジュールを示す平面図である。図6は、実施形態3に係る発光モジュールを示す図5のC−C断面図である。図7は、実施形態3に係る発光モジュールを示す図6のX方向の部分平面図である。なお、図5〜図7において、実施形態2に係る発光モジュール1Bと同一部分には、同一符号を付する。
実施形態3に係る発光モジュール1Cは、実施形態2に係る発光モジュール1Bと比較して、封止部を堰き止めるバンクが発光素子側へより近づいているが、発光素子から延びるワイヤの導体パターンとの接続部分がバンクに埋没しないように接続部分を回避する回避部分がバンクに設けられる点が異なる。
実施形態3に係る発光モジュール1Cは、基板10C、一対の導体パターン20(21、22)、複数の発光素子30、封止部40C、ワイヤ50(51〜53)、一対のバンク70Cを有する。封止部40Cは、導体パターン20、発光素子30、ワイヤ50を封止して保護する。
基板10Cは、長尺状に形成される。基板10Cは、例えば、アルミナを含むセラミック等の絶縁性材料により形成される。
基板10C上には、基板10Cの短手方向に所定間隔W2Cを開けて、基板10Cの長手方向に沿って一対の導体パターン20(21、22)が対向するように設けられる。
また、導体パターン20及び導体パターン20よりも基板10Cの短手方向の外側の上に跨って、基板10Cの短手方向に所定間隔W1C(すなわちW1C>W2C)を開けて、基板10Cの長手方向に沿ってバンク70C(71C、72C)が設けられる。すなわち、図6に示すように、導体パターン21及び基板10Cにおける導体パターン21の外側に跨ってバンク71Cが設けられる。また、導体パターン22及び基板10Cにおける導体パターン22の外側に跨ってバンク72Cが設けられる。バンク71C及びバンク72Cを総称する場合に、バンク70Cとする。バンク70Cは、発光素子30を封止する封止部40Cを堰き止めるために設けられる。
ここで、図6に示す基板10Cの短手方向において、バンク71C及びバンク72Cの間の幅W3Cは、実施形態2に係る発光モジュール1Bのバンク71B及びバンク72Bの間の幅W3B(図4参照)よりも狭い。すなわち、実施形態3に係る発光モジュール1Cは、バンク70Cの間隔を狭めることで、基板10Cの幅W3Cをより微細化できるが、その分、封止部40Cを堰き止めるバンク70Cが発光素子30側へより近づいている。このため、バンク70Cには、発光素子30から延びるワイヤ50の導体パターン20との接続部分近傍がバンク70Cに埋没しないようにワイヤ50を回避するオフセット部73が設けられる。
図6及び図7に示すように、オフセット部73は、発光素子30から導体パターン20へ延びて接続するワイヤ50の接続部分及び接続部分近傍のワイヤ50を、ワイヤ50の接続部分及び接続部分近傍のワイヤ50がバンク70Cに埋没しないように回避するように形成されたバンク70Cの切り欠き部分、凹部分等である。例えば、ワイヤ50の導体パターン20との接続部分及び接続部分近傍のワイヤ50がバンク70Cに埋没してしまうと、ワイヤ50がバンク70Cから突出する部分(言い換えるとワイヤ50がバンク70Cへ突入する部分)においてワイヤ50にストレスがかかり、ワイヤ50の断線リスクが高まる。しかし、オフセット部73をバンク70Cに設けることにより、かかるワイヤ50の断線リスクを回避することができる。
なお、オフセット部73の形状は、ワイヤ50の接続部分及び接続部分近傍のワイヤ50がバンク70Cに埋没しないような形状であればいずれでもよく、例えば基板10Cの高さ方向にわたってバンク70Cの一部を半円柱状に抉ったものでもよい。
実施形態3によれば、封止部40Cを堰き止めるバンク70Cが発光素子30側へより近づくことにより基板10Cの幅W3C(図6参照)をより微細化しつつ、発光素子30から延びるワイヤ50の導体パターン20との接続部分がバンク70Cに埋没しないように接続部分を回避するオフセット部73をバンク70Cに設けることで、ワイヤ50の断線リスクを回避することができる。
[実施形態3の変形例]
実施形態3では、封止部40Cを堰き止めるバンク70Cが、導体パターン20及び基板10Cの短手方向の導体パターン20よりも外側に跨って設けられるとするが、これに限らず、封止部40Cを堰き止めるバンク70Cが、導体パターン20及び基板10Cの短手方向の導体パターン20の内側及び外側に跨って導体パターン20を平面視で全被覆するように設けられてもよい。
実施形態3では、封止部40Cを堰き止めるバンク70Cが、導体パターン20及び基板10Cの短手方向の導体パターン20よりも外側に跨って設けられるとするが、これに限らず、封止部40Cを堰き止めるバンク70Cが、導体パターン20及び基板10Cの短手方向の導体パターン20の内側及び外側に跨って導体パターン20を平面視で全被覆するように設けられてもよい。
[照明器具]
図8は、実施形態1〜3及びこれらの変形例に係る発光モジュールを用いた照明器具を示す斜視図である。発光モジュール1A、1B、1Cは、照明器具100の光源として用いられる。例えば発光モジュール1A、1B、1Cは、ベースライトとして使用される照明器具100の光源として用いられる。
図8は、実施形態1〜3及びこれらの変形例に係る発光モジュールを用いた照明器具を示す斜視図である。発光モジュール1A、1B、1Cは、照明器具100の光源として用いられる。例えば発光モジュール1A、1B、1Cは、ベースライトとして使用される照明器具100の光源として用いられる。
図8に示す照明器具100において、例えば、発光モジュール1A、1B、1Cのいずれかが器具本体110内に設けられる。なお、図8に示す照明器具100は一例であって、発光モジュール1A、1B、1Cは、目的に応じて種々の照明器具の光源として用いられてもよい。例えば、発光モジュール1A、1B、1Cは、種々の照明器具の線状光源として用いられてもよい。例えば、発光モジュール1A、1B、1Cは、車両の前照灯等の光源として用いられてもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
1A、1B、1C 発光モジュール
10A、10B、10C 基板
20、21、22 導体パターン
21a、22a 保護部
30 発光素子
40A、40B、40C 封止部
50、51、52、53 ワイヤ
70A、70B、70C バンク
73 オフセット部
100 照明器具
110 器具本体
10A、10B、10C 基板
20、21、22 導体パターン
21a、22a 保護部
30 発光素子
40A、40B、40C 封止部
50、51、52、53 ワイヤ
70A、70B、70C バンク
73 オフセット部
100 照明器具
110 器具本体
Claims (6)
- 長尺状の基板と;
前記基板の長手方向に沿って前記基板上に設けられた導体パターンと;
前記基板上に設けられ、前記基板上に配置され固定される際の配置面の反対面が前記導体パターンとワイヤにより接続されて前記導体パターンから給電される複数の発光素子と;
前記導体パターン及び前記複数の発光素子を、前記反対面から封止する封止部と;
前記導体パターン及び前記基板上に跨って設けられ、前記導体パターン及び前記基板のうち前記導体パターンをより広く被覆して前記封止部を堰き止めるバンクと;
を具備する発光モジュール。 - 前記バンクは、前記導体パターン及び前記導体パターンの内方の前記基板上に跨って設けられた
請求項1に記載の発光モジュール。 - 前記バンクによって被覆されない前記導体パターンの部分を被覆して保護する保護部;
をさらに具備する請求項2に記載の発光モジュール。 - 前記バンクは、前記導体パターン及び前記導体パターンの外方の前記基板上に跨って設けられ、前記導体パターンの前記基板の内方側において前記ワイヤとの接触を回避するよう形成された
請求項1に記載の発光モジュール。 - 前記バンクは、前記導体パターン及び前記導体パターンの内方と外方の双方の前記基板上に跨って設けられた
請求項1に記載の発光モジュール。 - 請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光モジュール;
を具備する照明器具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016061798A JP2017175052A (ja) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 発光モジュール及び照明器具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016061798A JP2017175052A (ja) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 発光モジュール及び照明器具 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2017175052A true JP2017175052A (ja) | 2017-09-28 |
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ID=59971544
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JP2016061798A Pending JP2017175052A (ja) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 発光モジュール及び照明器具 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2017175052A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019121623A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | シーシーエス株式会社 | Led光源ユニット、led発光装置及びled光源ユニットの製造方法 |
-
2016
- 2016-03-25 JP JP2016061798A patent/JP2017175052A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019121623A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | シーシーエス株式会社 | Led光源ユニット、led発光装置及びled光源ユニットの製造方法 |
JP7009207B2 (ja) | 2017-12-28 | 2022-01-25 | シーシーエス株式会社 | Led光源ユニット、led発光装置及びled光源ユニットの製造方法 |
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