JP2017175052A - 発光モジュール及び照明器具 - Google Patents

Abstract

【課題】更なる小型化が可能な発光モジュール及び照明器具を提供する。【解決手段】発光モジュール１Ａは、長尺状の基板１０Ａ、導体パターン２０、複数の発光素子３０、封止部４０Ａ、バンク７０Ａを具備する。導体パターン２０は、基板１０Ａの長手方向に沿って基板１０Ａ上に設けられる。複数の発光素子３０は、基板１０Ａ上に設けられ、基板１０Ａ上に配置され固定される際の配置面３１の反対面３２が導体パターン２０とワイヤ５０（５２、５３）により接続されて導体パターン２０から給電される。封止部４０Ａは、導体パターン２０及び複数の発光素子３０を、反対面から封止する。バンク７０Ａは、導体パターン２０及び基板１０Ａ上に跨って設けられ、導体パターン２０及び基板１０Ａのうち導体パターン２０をより広く被覆して封止部４０Ａを堰き止める。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、発光モジュール及び照明器具に関する。

近年、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の発光素子を用いた照明器具は、省電力等により光源として導入が急速に増加している。また、近年、高輝度化を目的として、長尺状の基板の上に複数の発光素子を高密度実装したチップオンボ−ド（ＣＯＢ：Chip On Board）方式の発光モジュールが用いられている。チップオンボ−ド方式の発光モジュールは、小型化が可能で、設計の自由度が高いという特徴を活かして、様々な照明に用いられる。

国際公開第２０１３／１８１７７号パンフレット

しかしながら、発光モジュールは、更なる小型化が求められている。

本発明は、更なる小型化が可能な発光モジュール及び照明器具を提供することを目的とする。

実施形態の発光モジュールは、長尺状の基板、導体パターン、複数の発光素子、封止部、バンクを具備する。導体パターンは、基板の長手方向に沿って基板上に設けられる。複数の発光素子は、基板上に設けられ、基板上に配置され固定される際の配置面の反対面が導体パターンとワイヤにより接続されて導体パターンから給電される。封止部は、導体パターン及び複数の発光素子を、反対面から封止する。バンクは、導体パターン及び基板上に跨って設けられ、導体パターン及び基板のうち導体パターンをより広く被覆して封止部を堰き止める。

本発明によれば、更なる小型化が可能な発光モジュール及び照明器具を提供することができる。

図１は、実施形態１に係る発光モジュールを示す平面図である。 図２は、実施形態１に係る発光モジュールを示す図１のＡ−Ａ断面図である。 図３は、実施形態２に係る発光モジュールを示す平面図である。 図４は、実施形態２に係る発光モジュールを示す図３のＢ−Ｂ断面図である。 図５は、実施形態３に係る発光モジュールを示す平面図である。 図６は、実施形態３に係る発光モジュールを示す図５のＣ−Ｃ断面図である。 図７は、実施形態３に係る発光モジュールを示す図６のＸ方向の部分平面図である。 図８は、実施形態１〜３及びこれらの変形例に係る発光モジュールを用いた照明器具を示す斜視図である。

以下の第１の実施形態に係る発光モジュール１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、長尺状の基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、導体パターン２０（２１、２２）、複数の発光素子３０、封止部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、バンク７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃを具備する。導体パターン２０（２１、２２）は、基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの長手方向に沿って基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ上に設けられる。複数の発光素子３０は、基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ上に設けられ、基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ上に配置され固定される際の配置面の反対面が導体パターン２０（２１、２２）とワイヤ５０（５２、５３）により接続されて導体パターン２０（２１、２２）から給電される。封止部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃは、導体パターン２０（２１、２２）及び複数の発光素子３０を、反対面から封止する。バンク７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃは、導体パターン２０（２１、２２）及び基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ上に跨って設けられ、導体パターン２０（２１、２２）及び基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのうち導体パターン２０（２１、２２）をより広く被覆して封止部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを堰き止める。

また、以下の第２の実施形態に係る発光モジュール１Ａにおいて、バンク７０Ａは、導体パターン２０（２１、２２）及び導体パターン２０（２１、２２）の内方の基板１０Ａ上に跨って設けられる。

また、以下の第３の実施形態に係る発光モジュール１Ａは、バンク７０Ａによって被覆されない導体パターン２０（２１、２２）の部分を被覆して保護する保護部２１ａ、２２ａを具備する。

また、以下の第４の実施形態に係る発光モジュール１Ｃにおいて、バンク７０Ｃは、導体パターン２０（２１、２２）及び導体パターン２０（２１、２２）の外方の基板１０Ｃ上に跨って設けられ、導体パターン２０（２１、２２）の基板１０Ｃの内方側においてワイヤ５０（５２、５３）との接触を回避するよう形成されている。

また、以下の第５の実施形態に係る発光モジュール１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、バンク７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃは、導体パターン２０及び導体パターン２０の内方と外方の双方の基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ上に跨って設けられている。

また、以下の第６の実施形態に係る照明器具１００は、発光モジュール１Ａ、１Ｂ、１Ｃを具備する。

以下に、本発明に係る実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下に示す各実施形態は、本発明が開示する技術を限定するものではない。また、以下に示す各実施形態及び各変形例は、矛盾しない範囲で適宜組合せることができる。また、各実施形態の説明において、同一構成には同一符号を付与して後出の説明を適宜省略する。

［実施形態１］
図１は、実施形態１に係る発光モジュールを示す平面図である。図２は、実施形態１に係る発光モジュールを示す図１のＡ−Ａ断面図である。実施形態１に係る発光モジュール１Ａは、基板１０Ａ、一対の導体パターン２０（２１、２２）、複数の発光素子３０、封止部４０Ａ、ワイヤ５０（５１〜５３）、一対のバンク７０Ａ（７１Ａ、７２Ａ）を有する。

基板１０Ａは、長尺状に形成される。基板１０Ａは、例えば、アルミナを含むセラミック等の絶縁性材料により形成される。

基板１０Ａ上には、基板１０Ａの短手方向に所定間隔Ｗ２Ａを開けて、基板１０Ａの長手方向に沿って一対の導体パターン２０（２１、２２）が対向するように設けられる。導体パターン２１、２２を総称する場合に、導体パターン２０とする。導体パターン２０は、外部から発光素子３０に給電する。導体パターン２０の幅や厚みは、発光素子３０等へ印加される電流や電圧等の給電条件や、発光モジュール１Ａの設計サイズに応じて適切に設定される。例えば、導体パターン２０は、金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）等の導電性金属材料を用いた鍍金により、基板１０Ａ上に設けられる。

また、導体パターン２０及び導体パターン２０よりも基板１０Ａの短手方向の内側の上に跨って、基板１０Ａの短手方向に所定間隔Ｗ１Ａ（すなわちＷ１Ａ＜Ｗ２Ａ）を開けて、基板１０Ａの長手方向に沿ってバンク７０Ａ（７１Ａ、７２Ａ）が設けられる。すなわち、図２に示すように、導体パターン２１及び基板１０Ａにおける導体パターン２１の内側に跨ってバンク７１Ａが設けられる。また、導体パターン２２及び基板１０Ａにおける導体パターン２２の内側に跨ってバンク７２Ａが設けられる。バンク７１Ａ及びバンク７２Ａを総称する場合に、バンク７０Ａとする。バンク７０Ａは、発光素子３０を封止する封止部４０Ａを堰き止めるために設けられる。

ここで、図２に示す基板１０Ａの短手方向において、バンク７１Ａが導体パターン２１と接触する幅Ｗ２１は、バンク７１Ａが基板１０Ａと接触する幅Ｗ２２以上である。すなわち、バンク７１Ａが導体パターン２１及び基板１０Ａ上に設けられる長手方向の長さは同一であるので、バンク７１Ａが導体パターン２１と接触する接触面積は、バンク７１Ａが基板１０Ａと接触する接触面積以上であることになる。例えば、図２に示す幅Ｗ２０（＝Ｗ２１＋Ｗ２２）において幅Ｗ２１が５０％以上である場合には、バンク７１Ａが導体パターン２１と接触する接触面積が全接触面積のうちの５０％以上となり、バンク７１Ａと導体パターン２１との平面視での重複面積がより大きくなるので、発光モジュール１Ａの小型化、例えば基板１０Ａの短手方向の幅Ｗ３Ａ（図２参照）の微細化を図ることができる。また、例えば、幅Ｗ２０においてＷ２１が７０％以下である場合には、バンク７１Ａが基板１０Ａと接触する接触面積が全接触面積のうちの３０％以上となり、バンク７１Ａと基板１０Ａとの接着強度を向上させることができる。バンク７２Ａについても同様である。

また、バンク７１Ａ及びバンク７２Ａの基板１０Ａに対する高さは、発光素子３０よりも高い。

また、図２に示すように、導体パターン２１は、バンク７１Ａが設けられない部分を被覆して導体パターン２１を保護する保護部２１ａが設けられてもよい。同様に、導体パターン２２は、バンク７２Ａが設けられない部分を被覆して導体パターン２２を保護する保護部２２ａが設けられてもよい。保護部２１ａ及び保護部２２ａは、例えばガラスコート等である。

バンク７０Ａは、例えばシリコーン等の高分子化合物を用いて導体パターン２０及び基板１０Ａ上に形成される。なお、バンク７１Ａ及びバンク７２Ａは、それらの端点を結んだ、基板１０Ａ上において封止部４０Ａを堰き止めるような、閉じた形状であってもよい。

バンク７０Ａの基板１０Ａの短手方向の内側に、バンク７０Ａに沿って複数の発光素子３０が基板１０Ａ上に配置される。図１では、バンク７０Ａに沿って２４個の発光素子３０が基板１０Ａ上に配置される。すなわち、複数の発光素子３０が、基板１０Ａに集合実装される。

発光素子３０には、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップが用いられる。図２に示すように、発光素子３０は、基板１０Ａ上に配置される際の基板１０Ａとの接触面である配置面３１の反対面３２から、電極（図示省略）を介して給電される。

基板１０Ａ上に配置された発光素子３０は、バンク７０Ａの内側（すなわち図２に示す発光素子３０側）において、発光素子３０の発光波長で励起して長波光へ変換する蛍光体を含む熱硬化樹脂からなる封止部４０Ａにより封止される。例えば、封止部４０Ａには、蛍光体が所定量分散されたチクソ性を有する高粘度の熱硬化樹脂が用いられる。封止部４０Ａは、発光素子３０、ワイヤ５０のうちバンク７０Ａにより被覆されない箇所を封止して保護する。

また、発光素子３０は、ワイヤ５０により、導体パターン２０とワイヤボンディングにより電気的に接続される。ワイヤ５１〜５３を総称する場合に、ワイヤ５０とする。図１では、一続き（図１では６個）の発光素子３０間は、ワイヤ５１により接続される。また、一続きの発光素子３０のうち、一端（図１では左端）の発光素子３０は、ワイヤ５２により一方の導体パターン２１に接続され、他端（図１では右端）の発光素子３０は、ワイヤ５３により他方の導体パターン２２に接続される。

なお、ここでいう一続きの発光素子３０とは、ワイヤ５２により一方の導体パターン２１に接続され、ワイヤ５３により他方の導体パターン２２に接続される複数の発光素子３０をいう。そして、一続きの発光素子３０とは、導体パターン２０間に直列接続される一群の発光素子３０をいう。図１では、一続きの発光素子３０が４組設けられる場合を示す。なお、図１では、４組の一続きの発光素子３０は同様の構成であるため、左側の一連の発光素子３０及びワイヤ５０に番号を付し、他の構成の番号の図示を省略している。

ワイヤ５０は、基板１０上において、配置面３１の反対面３２に設けられた電極から発光素子３０から離れる方向に延び、バンク７０Ａへ突入した状態で導体パターン２０のいずれか一方に接続される。図１では、ワイヤ５２は、配置面３１の反対面３２に設けられた電極から延び、バンク７１Ａへ突入した状態で導体パターン２１に接続される。また、図１では、ワイヤ５３は、配置面３１の反対面３２に設けられた電極から延び、バンク７２Ａへ突入した状態で導体パターン２２に接続される。

なお、図２は、説明の便宜上、ワイヤ５０（５２）及びワイヤ５０（５３）が、基板１０の反対面３２から導体パターン２１及び導体パターン２２までそれぞれ延びて、反対面３２と、導体パターン２１及び導体パターン２２とをそれぞれを接続する態様を同時に示している。しかし、ワイヤ５２付近、ワイヤ５３付近、ワイヤ５０（５２、５３）付近以外それぞれにおける基板１０Ａの断面図は、ワイヤ５０の有無及び位置が異なる以外は、図２と同様である。

封止部４０Ａは、基板１０Ａ上において、発光素子３０を覆い、バンク７０Ａにより堰き止められるように設けられる。封止部４０Ａは、基板１０Ａの長手方向に対して直交する断面において、基板１０Ａから離れる方向に凸な半楕円状に形成される。封止部４０Ａは、発光素子３０が出射する光に対するレンズ（光学素子）として機能する。

封止部４０Ａは、基板１０の長手方向に対して直交する断面において、バンク７０Ａの基板１０Ａの短手方向の所定間隔Ｗ１Ａが２ｍｍ以下であり、例えば１．３ｍｍである。封止部４０Ａは、所定間隔Ｗ１Ａに対する基板１０からの高さの割合（アスペクト比）が例えば０．２以上０．７以下となるように形成される。アスペクト比が０．２以上０．７以下であると、発光モジュール１Ａの配光性及び出射光の取出し効率を向上させることができる。なお、封止部４０Ａは、基板１０Ａの長手方向に対して直交する断面における形状は半楕円状に限らず、断面が曲線であるその他の形状や、方形であってもよい。

実施形態１によれば、封止部４０Ａを堰き止めるバンク７０Ａが、導体パターン２０及び基板１０Ａの短手方向の導体パターン２０よりも内側に跨って設けられるので、バンク７０Ａと導体パターン２０との平面視での重複面積を有し、発光モジュール１Ａの小型化、例えば基板１０Ａの短手方向の幅Ｗ３Ａ（図２参照）の微細化を図ることができる。

また、バンク７０Ａが基板１０Ａと接触する接触面積を全接触面積のうちの３０％以上とすることにより、バンク７０Ａと基板１０Ａとの接着強度を向上させることができる。

［実施形態１の変形例］
実施形態１では、封止部４０Ａを堰き止めるバンク７０Ａが、導体パターン２０及び基板１０Ａの短手方向の導体パターン２０よりも内側に跨って設けられるとするが、これに限らず、封止部４０Ａを堰き止めるバンク７０Ａが、導体パターン２０及び基板１０Ａの短手方向の導体パターン２０の内側及び外側に跨って導体パターン２０を平面視で全被覆するように設けられてもよい。

［実施形態２］
図３は、実施形態２に係る発光モジュールを示す平面図である。図４は、実施形態２に係る発光モジュールを示す図３のＢ−Ｂ断面図である。なお、図３及び図４において、実施形態１に係る発光モジュール１Ａと同一部分には、同一符号を付する。実施形態２に係る発光モジュール１Ｂは、実施形態１に係る発光モジュール１Ａと比較して、封止部を堰き止めるバンクが、導体パターン及び基板の短手方向の導体パターンよりも外側に跨って設けられる点が異なる。

実施形態２に係る発光モジュール１Ｂは、基板１０Ｂ、一対の導体パターン２０（２１、２２）、複数の発光素子３０、封止部４０Ｂ、ワイヤ５０（５１〜５３）、一対のバンク７０Ｂを有する。

基板１０Ｂは、長尺状に形成される。基板１０Ｂは、例えば、アルミナを含むセラミック等の絶縁性材料により形成される。

基板１０Ｂ上には、基板１０Ｂの短手方向に所定間隔Ｗ２Ｂを開けて、基板１０Ｂの長手方向に沿って一対の導体パターン２０（２１、２２）が対向するように設けられる。

また、導体パターン２０及び導体パターン２０よりも基板１０Ｂの短手方向の外側の上に跨って、基板１０Ｂの短手方向に所定間隔Ｗ１Ｂ（すなわちＷ１Ｂ＞Ｗ２Ｂ）を開けて、基板１０Ｂの長手方向に沿ってバンク７０Ｂ（７１Ｂ、７２Ｂ）が設けられる。すなわち、図４に示すように、導体パターン２１及び基板１０Ｂにおける導体パターン２１の外側に跨ってバンク７１Ｂが設けられる。また、導体パターン２２及び基板１０Ｂにおける導体パターン２２の外側に跨ってバンク７２Ｂが設けられる。バンク７１Ｂ及びバンク７２Ｂを総称する場合に、バンク７０Ｂとする。バンク７０Ｂは、封止部４０Ｂを堰き止めるために設けられる。

ここで、図４に示す基板１０Ｂの短手方向において、バンク７１Ｂが導体パターン２１と接触する幅Ｗ３１は、バンク７１Ｂが基板１０Ｂと接触する幅Ｗ３２以上である。すなわち、バンク７１Ｂが導体パターン２１及び基板１０Ｂ上に設けられる長手方向の長さは同一であるので、バンク７１Ｂが導体パターン２１と接触する接触面積は、バンク７１Ｂが基板１０Ｂと接触する接触面積以上であることになる。例えば、図４に示す幅Ｗ３０（＝Ｗ３１＋Ｗ３２）においてＷ３１が５０％以上である場合には、バンク７１Ｂが導体パターン２１と接触する接触面積が全接触面積のうちの５０％以上となり、バンク７１Ｂと導体パターン２１との平面視での重複面積がより大きくなるので、発光モジュール１Ｂの小型化、例えば基板１０Ｂの短手方向の幅Ｗ３Ｂ（図４参照）の微細化を図ることができる。また、例えば、幅Ｗ３０においてＷ３１が７０％以下である場合には、バンク７１Ｂが基板１０Ｂと接触する接触面積が全接触面積のうちの３０％以上となり、バンク７１Ｂと基板１０Ｂとの接着強度を向上させることができる。バンク７２Ｂについても同様である。

また、バンク７１Ｂ及びバンク７２Ｂの基板１０Ｂに対する高さは、発光素子３０よりも高い。

また、図４に示すように、バンク７１Ｂは、導体パターン２１上において、ワイヤ５０が接続される部分を回避するように設けられる。同様に、バンク７２Ｂは、導体パターン２２上において、ワイヤ５０を回避するように設けられる。

バンク７０Ｂは、例えばシリコーン等の高分子化合物を用いて導体パターン２０及び基板１０Ｂ上に形成される。なお、バンク７１Ｂ及びバンク７２Ｂは、それらの端点を結んだ、基板１０Ｂ上において封止部４０Ｂを堰き止めるような、閉じた形状であってもよい。

導体パターン２０の基板１０Ｂの短手方向の内側に、導体パターン２０に沿って複数の発光素子３０が基板１０Ｂ上に配置される。図３では、バンク７０Ｂに沿って２４個の発光素子３０が基板１０Ｂ上に配置される。すなわち、複数の発光素子３０が、基板１０Ｂに集合実装される。

基板１０Ｂ上に配置された発光素子３０は、バンク７０Ｂの内側（すなわち図４に示す発光素子３０側）において、発光素子３０の発光波長で励起して長波光へ変換する蛍光体を含む熱硬化樹脂からなる封止部４０Ｂにより封止される。封止部４０Ｂは、導体パターン２０のうちバンク７０Ｂにより被覆されない箇所、発光素子３０、ワイヤ５０を封止して保護する。

実施形態２によれば、封止部４０Ｂを堰き止めるバンク７０Ｂが、導体パターン２０及び基板１０Ｂの短手方向の導体パターン２０よりも外側に跨って設けられるので、バンク７０Ｂと導体パターン２０との平面視での重複面積を有し、発光モジュール１Ｂの小型化、例えば基板１０Ｂの短手方向の幅Ｗ３Ｂ（図４参照）の微細化を図ることができる。また、導体パターン２０、発光素子３０、ワイヤ５０を封止部４０Ｂ及びバンク７０Ｂにより保護することができる。

また、バンク７０Ｂが基板１０Ｂと接触する接触面積を全接触面積のうちの３０％以上とすることにより、バンク７０Ｂと基板１０Ｂとの接着強度を向上させることができる。

［実施形態２の変形例］
実施形態２では、封止部４０Ｂを堰き止めるバンク７０Ｂが、導体パターン２０及び基板１０Ｂの短手方向の導体パターン２０よりも外側に跨って設けられるとするが、これに限らず、封止部４０Ｂを堰き止めるバンク７０Ｂが、導体パターン２０及び基板１０Ｂの短手方向の導体パターン２０の内側及び外側に跨って導体パターン２０を平面視で全被覆するように設けられてもよい。

［実施形態３］
図５は、実施形態３に係る発光モジュールを示す平面図である。図６は、実施形態３に係る発光モジュールを示す図５のＣ−Ｃ断面図である。図７は、実施形態３に係る発光モジュールを示す図６のＸ方向の部分平面図である。なお、図５〜図７において、実施形態２に係る発光モジュール１Ｂと同一部分には、同一符号を付する。

実施形態３に係る発光モジュール１Ｃは、実施形態２に係る発光モジュール１Ｂと比較して、封止部を堰き止めるバンクが発光素子側へより近づいているが、発光素子から延びるワイヤの導体パターンとの接続部分がバンクに埋没しないように接続部分を回避する回避部分がバンクに設けられる点が異なる。

実施形態３に係る発光モジュール１Ｃは、基板１０Ｃ、一対の導体パターン２０（２１、２２）、複数の発光素子３０、封止部４０Ｃ、ワイヤ５０（５１〜５３）、一対のバンク７０Ｃを有する。封止部４０Ｃは、導体パターン２０、発光素子３０、ワイヤ５０を封止して保護する。

基板１０Ｃは、長尺状に形成される。基板１０Ｃは、例えば、アルミナを含むセラミック等の絶縁性材料により形成される。

基板１０Ｃ上には、基板１０Ｃの短手方向に所定間隔Ｗ２Ｃを開けて、基板１０Ｃの長手方向に沿って一対の導体パターン２０（２１、２２）が対向するように設けられる。

また、導体パターン２０及び導体パターン２０よりも基板１０Ｃの短手方向の外側の上に跨って、基板１０Ｃの短手方向に所定間隔Ｗ１Ｃ（すなわちＷ１Ｃ＞Ｗ２Ｃ）を開けて、基板１０Ｃの長手方向に沿ってバンク７０Ｃ（７１Ｃ、７２Ｃ）が設けられる。すなわち、図６に示すように、導体パターン２１及び基板１０Ｃにおける導体パターン２１の外側に跨ってバンク７１Ｃが設けられる。また、導体パターン２２及び基板１０Ｃにおける導体パターン２２の外側に跨ってバンク７２Ｃが設けられる。バンク７１Ｃ及びバンク７２Ｃを総称する場合に、バンク７０Ｃとする。バンク７０Ｃは、発光素子３０を封止する封止部４０Ｃを堰き止めるために設けられる。

ここで、図６に示す基板１０Ｃの短手方向において、バンク７１Ｃ及びバンク７２Ｃの間の幅Ｗ３Ｃは、実施形態２に係る発光モジュール１Ｂのバンク７１Ｂ及びバンク７２Ｂの間の幅Ｗ３Ｂ（図４参照）よりも狭い。すなわち、実施形態３に係る発光モジュール１Ｃは、バンク７０Ｃの間隔を狭めることで、基板１０Ｃの幅Ｗ３Ｃをより微細化できるが、その分、封止部４０Ｃを堰き止めるバンク７０Ｃが発光素子３０側へより近づいている。このため、バンク７０Ｃには、発光素子３０から延びるワイヤ５０の導体パターン２０との接続部分近傍がバンク７０Ｃに埋没しないようにワイヤ５０を回避するオフセット部７３が設けられる。

図６及び図７に示すように、オフセット部７３は、発光素子３０から導体パターン２０へ延びて接続するワイヤ５０の接続部分及び接続部分近傍のワイヤ５０を、ワイヤ５０の接続部分及び接続部分近傍のワイヤ５０がバンク７０Ｃに埋没しないように回避するように形成されたバンク７０Ｃの切り欠き部分、凹部分等である。例えば、ワイヤ５０の導体パターン２０との接続部分及び接続部分近傍のワイヤ５０がバンク７０Ｃに埋没してしまうと、ワイヤ５０がバンク７０Ｃから突出する部分（言い換えるとワイヤ５０がバンク７０Ｃへ突入する部分）においてワイヤ５０にストレスがかかり、ワイヤ５０の断線リスクが高まる。しかし、オフセット部７３をバンク７０Ｃに設けることにより、かかるワイヤ５０の断線リスクを回避することができる。

なお、オフセット部７３の形状は、ワイヤ５０の接続部分及び接続部分近傍のワイヤ５０がバンク７０Ｃに埋没しないような形状であればいずれでもよく、例えば基板１０Ｃの高さ方向にわたってバンク７０Ｃの一部を半円柱状に抉ったものでもよい。

実施形態３によれば、封止部４０Ｃを堰き止めるバンク７０Ｃが発光素子３０側へより近づくことにより基板１０Ｃの幅Ｗ３Ｃ（図６参照）をより微細化しつつ、発光素子３０から延びるワイヤ５０の導体パターン２０との接続部分がバンク７０Ｃに埋没しないように接続部分を回避するオフセット部７３をバンク７０Ｃに設けることで、ワイヤ５０の断線リスクを回避することができる。

［実施形態３の変形例］
実施形態３では、封止部４０Ｃを堰き止めるバンク７０Ｃが、導体パターン２０及び基板１０Ｃの短手方向の導体パターン２０よりも外側に跨って設けられるとするが、これに限らず、封止部４０Ｃを堰き止めるバンク７０Ｃが、導体パターン２０及び基板１０Ｃの短手方向の導体パターン２０の内側及び外側に跨って導体パターン２０を平面視で全被覆するように設けられてもよい。

［照明器具］
図８は、実施形態１〜３及びこれらの変形例に係る発光モジュールを用いた照明器具を示す斜視図である。発光モジュール１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、照明器具１００の光源として用いられる。例えば発光モジュール１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、ベースライトとして使用される照明器具１００の光源として用いられる。

図８に示す照明器具１００において、例えば、発光モジュール１Ａ、１Ｂ、１Ｃのいずれかが器具本体１１０内に設けられる。なお、図８に示す照明器具１００は一例であって、発光モジュール１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、目的に応じて種々の照明器具の光源として用いられてもよい。例えば、発光モジュール１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、種々の照明器具の線状光源として用いられてもよい。例えば、発光モジュール１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、車両の前照灯等の光源として用いられてもよい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 発光モジュール
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ 基板
２０、２１、２２ 導体パターン
２１ａ、２２ａ 保護部
３０ 発光素子
４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ 封止部
５０、５１、５２、５３ ワイヤ
７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃ バンク
７３ オフセット部
１００ 照明器具
１１０ 器具本体

Claims (6)

1. 長尺状の基板と；
   前記基板の長手方向に沿って前記基板上に設けられた導体パターンと；
   前記基板上に設けられ、前記基板上に配置され固定される際の配置面の反対面が前記導体パターンとワイヤにより接続されて前記導体パターンから給電される複数の発光素子と；
   前記導体パターン及び前記複数の発光素子を、前記反対面から封止する封止部と；
   前記導体パターン及び前記基板上に跨って設けられ、前記導体パターン及び前記基板のうち前記導体パターンをより広く被覆して前記封止部を堰き止めるバンクと；
   を具備する発光モジュール。
2. 前記バンクは、前記導体パターン及び前記導体パターンの内方の前記基板上に跨って設けられた
   請求項１に記載の発光モジュール。
3. 前記バンクによって被覆されない前記導体パターンの部分を被覆して保護する保護部；
   をさらに具備する請求項２に記載の発光モジュール。
4. 前記バンクは、前記導体パターン及び前記導体パターンの外方の前記基板上に跨って設けられ、前記導体パターンの前記基板の内方側において前記ワイヤとの接触を回避するよう形成された
   請求項１に記載の発光モジュール。
5. 前記バンクは、前記導体パターン及び前記導体パターンの内方と外方の双方の前記基板上に跨って設けられた
   請求項１に記載の発光モジュール。
6. 請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光モジュール；
   を具備する照明器具。

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