JP2017152517A - イッテルビウム添加光ファイバおよびその製造方法、ならびにファイバレーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】フォトダークニングを抑制するとともに、コアの屈折率上昇を小さくして非線形光学効果を抑える。【解決手段】水素が添加されたガラス部１と、ガラス部１内の水素が外部に放出されるのを抑止する水素放出抑止構造２とを備えたイッテルビウム添加光ファイバ１０を提供する。ガラス部１はイッテルビウム（Ｙｂ）が添加されたコア４とガラスクラッド５とを有する。水素放出抑止構造２は、イッテルビウム添加光ファイバ１０の通常使用時の温度条件において水素非透過性とされ、ガラス部１を囲んで設けられている。【選択図】図１

Description

本発明は、イッテルビウム添加光ファイバおよびその製造方法、ならびにファイバレーザ装置に関する。

ファイバレーザ装置などには、光増幅媒体として、イッテルビウム（Ｙｂ）添加光ファイバ（以下「Ｙｂ添加光ファイバ」という）が用いられる。
Ｙｂ添加光ファイバを用いたファイバレーザにおける課題の１つとして、フォトダークニングの抑制がある。フォトダークニングとは、Ｙｂ添加光ファイバに励起光を照射した際に、レーザ出力が経時的に低下する現象である（例えば、特許文献１参照）。フォトダークニングは、希土類添加光ファイバの中でも特にＹｂ添加光ファイバにおいて問題となりやすい。

フォトダークニングによる経時的な出力低下は、Ｙｂの濃度が高くなるほど顕著になる。フォトダークニング現象を抑制するためには、Ａｌ（アルミニウム）、Ｐ（リン）を共添加することが有効であることが知られている。
光増幅媒体としての増幅効率上昇のためにＹｂを高濃度に添加する場合、フォトダークニングを所定レベル以下に抑制するためには、Ａｌ、Ｐを高濃度に添加する必要がある。

特開２０１０−１２３７９１号公報

Ａｌ、Ｐを光ファイバに高濃度に添加すると、光ファイバのコアの屈折率は高くなる。ファイバレーザ装置などに使用される光増幅用光ファイバは、シングルモード伝搬または少数モード伝搬の条件下で使用されることが一般的であるため、コアの屈折率が高くなった場合、コア径を小さくしなければならない。
しかしながら、コア径を小さくすると、光ファイバの有効コア断面積（Ａｅｆｆ）を大きくすることができなくなり、伝搬する光のパワー密度が高くなって、非線形光学効果を抑制できなくなるという問題があった。
また、特許文献１に記載の技術では、フォトダークニングの抑制効果が充分ではない場合があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、フォトダークニングを抑制するとともに、コアの屈折率上昇を小さくして非線形光学効果を抑えることができるＹｂ添加光ファイバおよびその製造方法、ならびにファイバレーザ装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様は、イッテルビウム添加光ファイバであって、水素が添加されたガラス部と、前記ガラス部内の前記水素が外部に放出されるのを抑止する水素放出抑止構造とを備え、前記ガラス部は、イッテルビウムが添加されたコアと前記コアを囲むガラスクラッドとを有し、前記水素放出抑止構造は、前記イッテルビウム添加光ファイバの通常使用時の温度条件において水素非透過性とされ、前記ガラス部を囲んで設けられているイッテルビウム添加光ファイバを提供する。
前記水素放出抑止構造は、前記ガラス部の外周に形成された水素放出抑止層であり、前記水素放出抑止層は、カーボン材料からなるカーボン層であることが好ましい。
本発明の一態様は、前記水素放出抑止層の外周に、樹脂保護被覆層が設けられている構成を採用してもよい。
前記通常使用時の温度条件は、０〜１００℃であることが好ましい。

本発明の一態様は、イッテルビウム添加光ファイバを製造する方法であって、イッテルビウムが添加された光ファイバ母材を溶融線引きして、イッテルビウムを含むコアと前記コアを囲むガラスクラッドとを有するガラス部を作製する工程と、前記イッテルビウム添加光ファイバの通常使用時の温度条件において水素非透過性を有する水素放出抑止構造を、前記ガラス部を囲むように設ける工程と、前記通常使用時の温度条件よりも高温の条件下で、前記水素放出抑止構造の外側から、水素を、前記水素放出抑止構造を透過させて前記ガラス部に添加する工程と、を有するイッテルビウム添加光ファイバの製造方法を提供する。
前記通常使用時の温度条件は、０〜１００℃であることが好ましい。

本発明の一態様は、励起用光源と、前記励起用光源からのレーザ光を共振させる光共振器と、を備え、前記光共振器は、光増幅用光ファイバが巻回された構成を有する光増幅用コイルと、前記レーザ光を反射させる第１の反射部と、前記第１の反射部の反射率よりも低い反射率を有し、前記レーザ光を反射させる第２の反射部と、を備え、前記光増幅用光ファイバとして、前記イッテルビウム添加光ファイバが用いられているファイバレーザ装置を提供する。
前記通常使用時の温度条件は、０〜１００℃であることが好ましい。

本発明の一態様によれば、水素放出抑止構造によって、ガラス部内の水素が外部に放出されるのを抑止するため、ガラス部に添加された水素を、長期間にわたってガラス部に閉じ込めておくことができる。よって、長期間にわたってフォトダークニングを抑制することができる。
これにより、Ｐ、Ａｌ等の共ドーパントを高濃度に添加する必要がなくなるため、コアの屈折率を低く設定することができる。従って、有効コア断面積（Ａｅｆｆ）を大きくでき、非線形光学効果を抑制することができる。

本発明の実施形態のＹｂ添加光ファイバを示す断面図である。 図１に示すＹｂ添加光ファイバを用いたファイバレーザ装置の概略構成を示す図である。 本発明の他の実施形態のＹｂ添加光ファイバを示す断面図である。 本発明の他の実施形態のＹｂ添加光ファイバを用いたファイバレーザ装置を示す断面図である。

［イッテルビウム添加光ファイバ］
図１は、本発明に係るイッテルビウム添加光ファイバ（以下「Ｙｂ添加光ファイバ」という）の一実施形態であるＹｂ添加光ファイバ１０を模式的に示す断面図である。
Ｙｂ添加光ファイバ１０は、ガラス部１と、ガラス部１の外周面１ａに形成された水素放出抑止層２（水素放出抑止構造）と、水素放出抑止層２の外周面２ａに形成された樹脂保護被覆層３と、を有する。

ガラス部１は、コア４と、コア４を囲むガラスクラッド５とを有する。ガラス部１は、例えば石英ガラスからなる。
コア４は、イッテルビウム（Ｙｂ）を含有する。コア４のＹｂ濃度は、例えば０．５質量％以上（例えば０．５〜３質量％）とすることができる。コア４には、Ｙｂ以外に、必要に応じてＡｌ、Ｐなどを添加することもできる。

ガラス部１には、水素が添加される。ガラス部１における水素の濃度（水素分子のｍｏｌ濃度）は、例えば１×１０^−６ｍｏｌ％以上とすることができる。これによって、フォトダークニングを抑制する効果を高めることができる。ガラス部１における水素の濃度は、例えば１×１０^−６ｍｏｌ％〜１×１０^−４ｍｏｌ％とすることができる。

水素放出抑止層２は、カーボン材料からなるカーボン層であることが好ましい。
水素放出抑止層２は、ガラス部１を全周にわたって覆っており、ガラス部１を囲んで形成されている。水素放出抑止層２は、気密封止構造（ハーメチック構造）を有する。水素放出抑止層２は、Ｙｂ添加光ファイバ１０の通常使用時（例えば図２に示すファイバレーザ装置１００の光増幅用光ファイバ１６として使用するとき）に、ガラス部１の水素が外部に放出されるのを抑止する。

水素放出抑止層２は、Ｙｂ添加光ファイバ１０の通常使用時の温度条件において、水素を透過しない性質（水素非透過性）を有する。通常使用時の温度条件とは、例えば０〜１００℃であり、多くの場合は１０〜５０℃である。水素放出抑止層２は、通常使用時の温度の上限である１００℃、あるいは５０℃で水素を透過しない性質（水素非透過性）を有することが好ましい。

水素放出抑止層２（カーボン層）の厚みは、水素放出抑止層２が充分な水素非透過性を示すように選択される。水素放出抑止層２の厚みは、例えば０．０１μｍ以上（例えば０．０１〜１０μｍ）とすることができる。
水素放出抑止層２は、薄すぎれば水素が透過しやすくなるが、水素放出抑止層２の厚みを前記範囲とすることによって、通常使用時に水素が透過しにくくなる。水素放出抑止層２は、厚すぎれば、製造時においてガラス部１への水素添加の効率が低くなるが、水素放出抑止層２の厚みを前記範囲とすることによって、ガラス部１への水素添加の効率を高めることができる。
なお、水素放出抑止層２の材料としては、金属材料（例えばＣｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉなど）を用いてもよいが、ガラス部１への水素添加が容易である点で、カーボン材料が好ましい。

水素放出抑止層２（カーボン層）は、ＣＶＤ法などによりガラス部１の外周面１ａにカーボン材料を堆積させることによりガラス部１の外周面１ａに形成することができる。
水素放出抑止層２は、例えば、ガラス部１を収容した反応管に炭化水素系原料ガスを導入し、前記炭化水素系原料ガスに由来するカーボン材料をガラス部１の表面に堆積させることにより形成することができる。

樹脂保護被覆層３の材料としては、特に限定されないが、例えば、ウレタンアクリレート樹脂、フッ素樹脂、フッ化アクリレート樹脂等が挙げられる。樹脂保護被覆層３の材料としては、紫外線硬化型樹脂または熱硬化型樹脂を使用できる。

［ファイバレーザ装置］
図２は、本発明に係るファイバレーザ装置の一実施形態であって、Ｙｂ添加光ファイバ１０を光増幅用光ファイバ１６として用いたファイバレーザ装置１００の概略構成を示す図である。
ファイバレーザ装置１００は、励起用光源１１と、光コンバイナー１２と、光共振器１３と、入力側光ファイバ１４と、出力側光ファイバ１５と、を備えている。

光共振器１３は、光増幅用光ファイバ１６が巻回された光増幅用コイル１７と、第１の反射部１８と、第２の反射部１９と、を備えている。
光増幅用光ファイバ１６としては、図１に示すＹｂ添加光ファイバ１０が用いられる。
光増幅用光ファイバ１６の一端には入力側光ファイバ１４が接続され、光増幅用光ファイバ１６の他端には出力側光ファイバ１５が接続されている。第１の反射部１８は入力側光ファイバ１４に設けられ、第２の反射部１９は出力側光ファイバ１５に設けられている。

励起用光源１１は、複数のレーザダイオード２１で構成され、励起光を射出する。レーザダイオード２１としては、例えばＧａＡｓ系半導体を材料とするファブリペロー型半導体レーザが用いられる。
レーザダイオード２１から出射される励起光は、光ファイバ２２を通って光コンバイナー１２に達する。光コンバイナー１２は、複数のレーザダイオード２１から射出される複数の励起光を結合させる。

第１の反射部１８および第２の反射部１９は、ファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ：Fiber Bragg Grating）で構成されている。ＦＢＧは、コアの長手方向（光伝播方向）に周期的に屈折率が変化する部位（グレーティング）を形成した反射器である。ＦＢＧは、グレーティング周期に対応した特定の波長の光のみを反射させる。
第２の反射部１９の反射率は、第１の反射部１８の反射率よりも低い。第２の反射部１９の反射率は、例えば９０％以上が好ましく、９９％以上がより好ましい。例えば第１の反射部１８の反射率は、例えば５〜５０％が好ましく、５〜１０％がより好ましい。

第１の反射部１８は、光増幅用光ファイバ１６を伝播するレーザ光を反射させる。第２の反射部１９は、光増幅用光ファイバ１６を伝播するレーザ光の一部を反射させる。レーザ光は、第１の反射部１８と第２の反射部１９との間で共振し、増幅される。
励起用光源１１から発せられる光の波長は９１０〜９８０ｎｍであることが好ましい。

［Ｙｂ添加光ファイバの製造方法］
図１に示すＹｂ添加光ファイバ１０を製造する場合を例として、本発明のＹｂ添加光ファイバの製造方法の一実施形態について説明する。

（光ファイバ母材の作製工程）
コア部にＹｂを添加した光ファイバ母材（Ｙｂ添加光ファイバ母材）を公知の方法で作製する。

（紡糸工程）
線引き炉内にＹｂ添加光ファイバ母材を入れて加熱溶融させ、紡糸によりガラス部１を得る。この際、外径測定器でガラス部１の外径を測定し、測定値に基づいて線引き速度等を制御することによって、ガラス部１の外径を所定範囲に調整してもよい。

（水素放出抑止層の形成工程）
ガラス部１を、反応管加熱炉で加熱されている熱ＣＶＤ反応管の中を通過させる。熱ＣＶＤ反応管内には、アセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）、エチレン（Ｃ_２Ｈ_４）などの炭化水素系原料ガスと、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ_２などの希釈ガスと、キャリアガスとを、バブラを介して、マスフローコントローラで流量調整しながら導入する。
これにより、ガラス部１の外周面１ａに、炭化水素系原料ガスに由来するカーボン材料からなる水素放出抑止層２（カーボン層）を形成する。以下、水素放出抑止層２を形成したガラス部１を「光ファイバ中間体」という。

（水素添加工程）
光ファイバ中間体を水素含有ガス雰囲気中に置く。光ファイバ中間体を水素含有ガス雰囲気中に置くには、例えば、光ファイバ中間体をリール等に巻き取り、水素含有ガスで満たした圧力容器の内部に装填する方法をとることができる。
水素含有ガスとしては、１００％の水素ガス（Ｈ_２ガス、Ｄ_２ガス＝重水素ガス）を用いてもよいし、水素ガスをＡｒ等の不活性ガスで希釈した混合ガスを用いてもよい。

圧力容器内の温度条件は、Ｙｂ添加光ファイバ１０の通常使用時（例えば図２に示すファイバレーザ装置１００の光増幅用光ファイバ１６として使用するとき）の温度条件よりも高温に設定する。
この温度条件は、常温より高い温度が好ましく、例えば１００℃を超え、８００℃以下とすることができる。
圧力容器内の温度が１００℃を超えることによって、水素の拡散係数が大きくなるため、水素を充分な濃度でガラス部１に添加することができる。また、圧力容器内の温度を８００℃以下とすることによって、ガラス部１および水素放出抑止層２が熱により破損するのを回避できる。

圧力容器内の圧力条件は、例えば１〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ^２（９８．１ｋＰａ〜１９６．１ＭＰａ）の範囲とすることができる。圧力容器内の圧力を１ｋｇｆ／ｃｍ^２以上（９８．１ｋＰａ以上）とすることで、水素を充分な濃度でガラス部１に添加することができる。また、圧力容器内の圧力は、２０００ｋｇｆ／ｃｍ^２以下（１９６．１ＭＰａ以下）であると、圧力容器の構造を簡略にできるため、製造コストを抑えることができる。

光ファイバ中間体を圧力容器中で水素含有ガス雰囲気中に置くことによって、水素放出抑止層２の外側から、水素を拡散により水素放出抑止層２を透過させてガラス部１に添加する。
圧力容器内の温度および圧力をそれぞれ常温、常圧とした後、圧力容器から光ファイバ中間体を取り出す。

（樹脂保護被覆層の形成工程）
光ファイバ中間体の水素放出抑止層２の外周面２ａに、被覆材を塗布した後、紫外線照射、加熱などにより被覆材を硬化させて樹脂保護被覆層３を形成する。
以上の工程により、図１に示すＹｂ添加光ファイバ１０を得る。

Ｙｂ添加光ファイバ１０は、ガラス部１の外周面１ａに水素放出抑止層２が設けられている。水素放出抑止層２は、Ｙｂ添加光ファイバ１０の通常使用時（例えば図２に示すファイバレーザ装置１００の光増幅用光ファイバ１６として使用するとき）の条件において、ガラス部１内の水素が外部に放出されるのを抑止する。
そのため、ガラス部１に添加された水素を、長期間にわたってガラス部１に閉じ込めておくことができる。よって、フォトダークニングを抑制することができる。
これにより、Ｐ、Ａｌ等の共ドーパントを高濃度に添加する必要がなくなるため、コアの屈折率を低く設定することができる。従って、有効コア断面積（Ａｅｆｆ）を大きくでき、非線形光学効果を抑制することができる。

水素の添加によってフォトダークニングを抑制できる理由については、次のように考えられている。
光ファイバのコアに添加されたＹｂはクラスタリングを生じ、複数のイオンが非常に近い距離にある状態となる。そこに励起光が照射されると、Ｙｂイオンは励起光を吸収するが、複数個のイオンが近接して存在するため複数の光子が吸収され、局所的に高いエネルギーが蓄えられた状態となる。この吸収されたエネルギーによってその付近にあるガラスを構成する原子間の結合が切断されて欠陥が生じ、損失増加の原因となる。
結合が切断された部分に水素分子が達すると、水素分子はこの部分に水素イオンとなって結合し、欠陥を終端する。終端された欠陥は、再度励起光が照射されても、何ら影響は受けなくなるため、損失増加が生じなくなる。

以上、本発明のＹｂ添加光ファイバおよびその製造方法、ならびにファイバレーザ装置について説明してきたが、本発明は前記の実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、図１に示すＹｂ添加光ファイバ１０は、水素放出抑止層２の外周面２ａに樹脂保護被覆層３が形成されているが、図３に示すＹｂ添加光ファイバ２０のように、樹脂保護被覆層３がない構成も可能である。このＹｂ添加光ファイバ２０は、樹脂保護被覆層３がないこと以外はＹｂ添加光ファイバ１０と同様の構成である。

また、Ｙｂ添加光ファイバは、ガラス部の外周面に樹脂保護被覆層が形成され、この樹脂保護被覆層の外周面に水素放出抑止層が形成された構造であってもよい。

前述のＹｂ添加光ファイバの製造方法では、ガラス部１の外周面１ａに水素放出抑止層２を形成した後にガラス部１に水素を添加したが、これに限らず、ガラス部１に水素を添加した後に、ガラス部１の外周面１ａに水素放出抑止層２を形成してもよい。

図１に示すＹｂ添加光ファイバ１０は、水素放出抑止構造として水素放出抑止層２を用いているが、水素放出抑止構造は、Ｙｂ添加光ファイバの通常使用時の温度条件においてガラス部内の水素が外部に放出されるのを抑止することができる構造であればよく、例えば図４に示す構造を採用してもよい。
図４に示すファイバレーザ装置２００では、光共振器１１３の光増幅用光ファイバ１１６として、Ｙｂ添加光ファイバ１１０が用いられている。Ｙｂ添加光ファイバ１１０は、水素放出抑止層２に代えて水素放出抑止機構１０２を用いている点で、図１に示すＹｂ添加光ファイバ１０と異なる。光増幅用コイル１１７は、Ｙｂ添加光ファイバ１１０のガラス部１で構成されている。

水素放出抑止機構１０２は、Ｙｂ添加光ファイバ１１０の通常使用時の温度条件において水素非透過性の材料（カーボン材料、金属など）からなる箱体であって、光増幅用光ファイバ１１６を気密に囲んでいる。水素放出抑止機構１０２は、気密封止構造（ハーメチック構造）を有する。水素放出抑止機構１０２は、ガラス部１を気密に囲んでいる。
Ｙｂ添加光ファイバ１１０では、水素放出抑止機構１０２によってガラス部１内の水素が外部に放出されるのを抑止するため、ガラス部１に添加された水素をガラス部１に閉じ込めておくことができる。よって、フォトダークニングを抑制することができる。

（実施例１）
図１に示すＹｂ添加光ファイバ１０を、次のようにして作製した。
Ｙｂ添加光ファイバ母材を作製し、これを線引き炉内で加熱溶融させ、線引きによりガラス部１を得た（光ファイバ母材の作製工程、紡糸工程）。
ガラス部１を、反応管加熱炉で加熱されている熱ＣＶＤ反応管の中を通過させた。熱ＣＶＤ反応管内には、アセチレン（炭化水素系原料ガス）と、Ｈｅ（希釈ガス）と、キャリアガスとを、マスフローコントローラで流量調整しながら導入した。
これにより、ガラス部１の外周面１ａに、炭化水素系原料ガスに由来するカーボン材料からなる水素放出抑止層２（カーボン層）を形成し、光ファイバ中間体を得た（水素放出抑止層の形成工程）。

光ファイバ中間体をリールに巻き取り、水素ガスで満たした圧力容器の内部に装填することによって、光ファイバ中間体を水素ガス雰囲気中に置いた。圧力容器内の温度は、Ｙｂ添加光ファイバ１０の通常使用時の温度（０〜１００℃）よりも高温である２００℃とした。圧力容器内の圧力は、１．０３ｋｇｆ／ｃｍ^２（１０１ｋＰａ）とした。これにより、水素をガラス部１に添加した（水素添加工程）。

光ファイバ中間体の水素放出抑止層２の外周面２ａに被覆材を塗布した後、被覆材を硬化させて樹脂保護被覆層３を形成した（樹脂保護被覆層の形成工程）。
以上の工程により、図１に示すＹｂ添加光ファイバ１０を得た。

Ｙｂ添加光ファイバ１０に、波長９７６ｎｍ、パワー４００ｍＷの励起光を１００分間入射した後に、フォトダークニング量を評価した。フォトダークニング量は、波長８００ｎｍにおける透過損失の増加量（ｄＢ）と定義した。
Ｙｂ添加光ファイバ１０は、製造後３ヶ月、常温保存後においても、フォトダークニング量が０．５ｄＢ以下と低かったことから、フォトダークニング特性に優れていたことが確認された。

１・・・ガラス部、２・・・水素放出抑止層（水素放出抑止構造）、３・・・樹脂保護被覆層、４・・・コア、５・・・ガラスクラッド、１１・・・励起用光源、１３，１１３・・・光共振器、１６，１１６・・・光増幅用光ファイバ、１０，１１０・・・Ｙｂ添加光ファイバ、１８・・・第１の反射部、１９・・・第２の反射部、１００，２００・・・ファイバレーザ装置、１０２・・・水素放出抑止機構（水素放出抑止構造）。

Claims (8)

1. イッテルビウム添加光ファイバであって、
   水素が添加されたガラス部と、前記ガラス部内の前記水素が外部に放出されるのを抑止する水素放出抑止構造とを備え、
   前記ガラス部は、イッテルビウムが添加されたコアと前記コアを囲むガラスクラッドとを有し、
   前記水素放出抑止構造は、前記イッテルビウム添加光ファイバの通常使用時の温度条件において水素非透過性とされ、前記ガラス部を囲んで設けられているイッテルビウム添加光ファイバ。
2. 前記水素放出抑止構造は、前記ガラス部の外周に形成された水素放出抑止層であり、
   前記水素放出抑止層は、カーボン材料からなるカーボン層である請求項１に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
3. 前記水素放出抑止層の外周に、樹脂保護被覆層が設けられている請求項２に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
4. 前記通常使用時の温度条件が０〜１００℃であることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
5. イッテルビウム添加光ファイバを製造する方法であって、
   イッテルビウムが添加された光ファイバ母材を溶融線引きして、イッテルビウムを含むコアと前記コアを囲むガラスクラッドとを有するガラス部を作製する工程と、
   前記イッテルビウム添加光ファイバの通常使用時の温度条件において水素非透過性を有する水素放出抑止構造を、前記ガラス部を囲むように設ける工程と、
   前記通常使用時の温度条件よりも高温の条件下で、前記水素放出抑止構造の外側から、水素を、前記水素放出抑止構造を透過させて前記ガラス部に添加する工程と、を有するイッテルビウム添加光ファイバの製造方法。
6. 前記通常使用時の温度条件が０〜１００℃であることを特徴とする請求項５に記載のイッテルビウム添加光ファイバの製造方法。
7. 励起用光源と、前記励起用光源からのレーザ光を共振させる光共振器と、を備え、
   前記光共振器は、光増幅用光ファイバが巻回された構成を有する光増幅用コイルと、前記レーザ光を反射させる第１の反射部と、前記第１の反射部の反射率よりも低い反射率を有し、前記レーザ光を反射させる第２の反射部と、を備え、
   前記光増幅用光ファイバとして、請求項１〜３のいずれか１項に記載のイッテルビウム添加光ファイバが用いられているファイバレーザ装置。
8. 前記通常使用時の温度条件が０〜１００℃であることを特徴とする請求項７に記載のファイバレーザ装置。

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