JP2017147454A - 光反射用熱硬化性樹脂組成物の製造方法及び光半導体素子搭載用基板の製造方法 - Google Patents
光反射用熱硬化性樹脂組成物の製造方法及び光半導体素子搭載用基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017147454A JP2017147454A JP2017074514A JP2017074514A JP2017147454A JP 2017147454 A JP2017147454 A JP 2017147454A JP 2017074514 A JP2017074514 A JP 2017074514A JP 2017074514 A JP2017074514 A JP 2017074514A JP 2017147454 A JP2017147454 A JP 2017147454A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- semiconductor element
- resin composition
- thermosetting resin
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
本実施形態の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化触媒、及び(D)白色顔料を含み、(A)成分として、(B)硬化剤と互いに相溶であり、ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物((A1)成分)を含む。以下、各成分について説明する。
本発明の光半導体素子搭載用基板は、底面及び壁面から構成される凹部を有し、凹部の底面が光半導体素子搭載部(光半導体素子搭載領域)であり、凹部の壁面、すなわち凹部の内周側面の少なくとも一部が本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるものである。図1は、本発明の光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示す斜視図である。光半導体素子搭載用基板110は、Ni/Agめっき104が形成された金属配線105(第1の接続端子および第2の接続端子)と、金属配線105(第1の接続端子および第2の接続端子)間に設けられた絶縁性樹脂成形体103’と、リフレクター103とを備え、Ni/Agめっき104が形成された金属配線105及び樹脂成形体103’とリフレクター103とから形成された凹部200を有している。この凹部200の底面は、Ni/Agめっき104が形成された金属配線105及び絶縁性樹脂成形体103’から構成され、凹部200の壁面はリフレクター103から構成されるものである。そして、リフレクター103及び絶縁性樹脂成形体103’が、上記本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる成形体である。
本発明の光半導体装置は、上記光半導体素子搭載用基板と、当該光半導体素子搭載用基板に搭載された光半導体素子とを有する。より具体的な例として、上記光半導体素子搭載用基板と、光半導体素子搭載用基板の凹部内に設けられた光半導体素子と、凹部を充填して光半導体素子を封止する蛍光体含有封止樹脂部とを備える光半導体装置が挙げられる。
(実施例1〜5及び比較例1〜6)
実施例1〜4及び比較例1〜2については、表1及び表2に示す配合割合(質量部)に従って、各成分を配合し、ミキサーによって十分に混練分散した後、ミキシングロールにより35℃で15分溶融混練することによって混練物を得た。次に、得られた混練物を冷却し、それらを粉砕することによって、白色固体状の光反射用熱硬化性樹脂組成物をそれぞれ調製した。
*2:エポキシシリコーンB
*3:エポキシシリコーンC
*4:エポキシシリコーンD
*5:トリスグリシジルイソシアヌレート(日産化学社製、商品名:TEPIC−S)
*6:3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート(ダイセル化学社製、商品名:セロキサイド2021P)
*7:ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル(阪本薬品社製、商品名:SR−HHPA)
*8:エポキシシリコーン(信越化学社製、商品名:KF101)
*9:エポキシシリコーン(信越化学社製、商品名:KF105)
*10:メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(日立化成工業社製)
*11:ヘキサヒドロ無水フタル酸(和光純薬工業社製)
*12:テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチエート(日本化学工業社製、商品名:PX−4ET)
*13:溶融シリカ(電気化学工業社製、商品名:FB−950)
*14:溶融シリカ(アドマテックス社製、商品名:SO−25R)
*15:酸化チタン(堺化学工業社製、商品名:FTR−700)
実施例1〜4及び比較例1〜2で得られた光反射用熱硬化性樹脂組成物については、樹脂組成物を、成形金型温度180℃、成型圧力6.9MPa、硬化時間90秒の条件でトランスファー成形した後、150℃で2時間の後硬化を行って、厚み1.0mmの試験片を作製し、下記の方法にしたがって初期および熱処理後の光反射率の測定を行った。また、実施例5及び比較例3〜6で得られた光反射用熱硬化性樹脂組成物については、硬化物の厚みが1.0mmとなるようにアルミカップに樹脂組成物を注ぎ、150℃で5時間の熱硬化を行って、厚み1.0mmの試験片を作製し、下記の方法にしたがって初期および熱処理後の光反射率の測定を行った。結果を表1及び2に示す。
[初期]
上記で得られた試験片について、積分球型分光光度計V−750型(日本分光株式会社製)を用いて、波長460nmにおける光反射率を測定した。
上記で得られた試験片を一定温度のオーブン中に入れ、下記に示す条件での熱処理をそれぞれ施した。各熱処理後の試験片について、上記と同様にして光反射率を測定した。
条件1:150℃、500時間
条件2:200℃、24時間
条件3:200℃、100時間
Claims (1)
- 底面及び壁面から構成される凹部を有する光半導体素子搭載用基板と、
前記光半導体素子搭載用基板の前記凹部の底面に設けられた光半導体素子と、
前記凹部を充填して前記光半導体素子を封止する蛍光体含有封止樹脂部と、
前記半導体素子とボンディングワイヤ又ははんだバンプにより電気的に接続された金属配線と、を備え、
前記凹部の内周側面の少なくとも一部が光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなり、
前記硬化物の波長460nmにおける光反射率が90%以上であり、且つ、前記硬化物の150℃の環境下に500時間晒す耐熱性試験の後の波長460nmにおける光反射率が85%以上であり、
前記光反射用熱硬化性樹脂組成物が、エポキシ樹脂、硬化剤、及び白色顔料を含み、
前記エポキシ樹脂がポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有し、
前記硬化剤が酸無水物硬化剤、イソシアヌル酸誘導体及びフェノール系硬化剤からなる群から選ばれる少なくとも一種であり、
前記エポキシ樹脂が前記硬化剤と相溶である、光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017074514A JP2017147454A (ja) | 2017-04-04 | 2017-04-04 | 光反射用熱硬化性樹脂組成物の製造方法及び光半導体素子搭載用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017074514A JP2017147454A (ja) | 2017-04-04 | 2017-04-04 | 光反射用熱硬化性樹脂組成物の製造方法及び光半導体素子搭載用基板の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015159451A Division JP2016028426A (ja) | 2015-08-12 | 2015-08-12 | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017147454A true JP2017147454A (ja) | 2017-08-24 |
Family
ID=59680926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017074514A Pending JP2017147454A (ja) | 2017-04-04 | 2017-04-04 | 光反射用熱硬化性樹脂組成物の製造方法及び光半導体素子搭載用基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017147454A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009068007A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-04-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
-
2017
- 2017-04-04 JP JP2017074514A patent/JP2017147454A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009068007A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-04-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6306652B2 (ja) | 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法 | |
JP5176144B2 (ja) | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
TWI523883B (zh) | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用該組成物的光半導體元件搭載用基板及其製造方法以及光半導體裝置 | |
JP5672318B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
JP5942445B2 (ja) | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP2009097005A (ja) | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP2010254919A (ja) | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP2010242095A (ja) | 熱硬化性成形材料 | |
JP6096090B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法並びに光半導体装置 | |
JP2010047741A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法並びに光半導体装置 | |
JP5572936B2 (ja) | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP2017103470A (ja) | 光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP5936804B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP5239688B2 (ja) | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP2012162729A (ja) | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP2016094544A (ja) | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP2016028426A (ja) | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP5401907B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物の製造方法、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置 | |
JP2017147454A (ja) | 光反射用熱硬化性樹脂組成物の製造方法及び光半導体素子搭載用基板の製造方法 | |
JP6322929B2 (ja) | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP2014195081A (ja) | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP2015017271A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170526 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180412 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180619 |