JP2017142316A - Method for manufacturing liquid crystal panel - Google Patents
Method for manufacturing liquid crystal panel Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017142316A JP2017142316A JP2016022483A JP2016022483A JP2017142316A JP 2017142316 A JP2017142316 A JP 2017142316A JP 2016022483 A JP2016022483 A JP 2016022483A JP 2016022483 A JP2016022483 A JP 2016022483A JP 2017142316 A JP2017142316 A JP 2017142316A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- sealing material
- liquid crystal
- crystal panel
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、液晶パネルの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal panel.
液晶パネルの製造方法において、当該液晶パネル内に液晶を注入する方法には、真空注入法、滴下注入(ODF:One Drop Filling)法等がある。滴下注入法では、シール材が塗布された基板に液晶が滴下される。次に、真空状態において、液晶が滴下された基板と、対向基板とが互いに貼り合わせられる工程(以下、「貼り合わせ工程」ともいう)が行われる。次に、シール材を硬化する工程が行われる。これにより、液晶パネルが形成される。 In a method for manufacturing a liquid crystal panel, methods for injecting liquid crystal into the liquid crystal panel include a vacuum injection method and a drop injection (ODF) method. In the dropping injection method, liquid crystal is dropped onto a substrate coated with a sealing material. Next, in a vacuum state, a step in which the substrate on which the liquid crystal is dropped and the counter substrate are bonded to each other (hereinafter, also referred to as “bonding step”) is performed. Next, a step of curing the sealing material is performed. Thereby, a liquid crystal panel is formed.
以下においては、形成された液晶パネルにおける、シール材の厚みを、「dn」ともいう。dnは0より大きい実数である。 Hereinafter, the thickness of the sealing material in the formed liquid crystal panel is also referred to as “dn”. dn is a real number larger than 0.
特許文献1には、滴下注入法を使用した技術が開示されている。滴下注入法により、シール材が基板に塗布された直後において、当該シール材の形状はカマボコ状である。また、当該カマボコ状のシール材の幅は、例えば、0.3ミリであり、当該シール材の厚みは、例えば、30μm程度である。 Patent Document 1 discloses a technique using a dropping injection method. Immediately after the sealing material is applied to the substrate by the dropping injection method, the shape of the sealing material is a scallop shape. Moreover, the width | variety of the said seal-like sealing material is 0.3 mm, for example, and the thickness of the said sealing material is about 30 micrometers, for example.
なお、貼り合わせ工程では、加圧処理が行われる。加圧処理では、2枚の基板によりシール材が挟まれた状態で、シール材の厚みがdnになるまで、当該シール材に圧力が、一度に加えられる。そのため、シール材が押し潰される。これにより、シール材の断面の形状は、矩形状になる。このとき、シール材の幅は、例えば、1.0ミリであり、シール材の厚みは、例えば、5μm程度(dn)である。 In the bonding process, pressure treatment is performed. In the pressure treatment, pressure is applied to the sealing material at a time until the thickness of the sealing material becomes dn with the sealing material sandwiched between two substrates. Therefore, the sealing material is crushed. Thereby, the cross-sectional shape of the sealing material becomes a rectangular shape. At this time, the width of the sealing material is, for example, 1.0 mm, and the thickness of the sealing material is, for example, about 5 μm (dn).
なお、シール材の周辺に障害物(液晶、異物、スペーサ材等)が存在する状態で加圧処理が行われた場合、シール材を正常に押し潰すことができない。そのため、シール材は、意図しない形状を有する。この場合、以下のような不具合Nが発生する。当該不具合Nは、例えば、ギャップムラ不良が発生するという不具合である。また、当該不具合Nは、例えば、シール材が断線し、液晶漏れが生じるという不具合である。 Note that when the pressure treatment is performed in the presence of an obstacle (liquid crystal, foreign matter, spacer material, etc.) around the sealing material, the sealing material cannot be crushed normally. Therefore, the sealing material has an unintended shape. In this case, the following problem N occurs. The defect N is, for example, a problem that a gap unevenness defect occurs. Further, the defect N is, for example, a problem that the sealing material is disconnected and liquid crystal leaks.
したがって、シール材の近傍には、障害物が存在しないことが望ましい。また、シール材から離れた位置に液晶を滴下するという方法も有効である。 Therefore, it is desirable that there are no obstacles in the vicinity of the sealing material. A method of dropping liquid crystal at a position away from the sealing material is also effective.
また、特許文献2では、上記の不具合Nの発生を抑制する技術(以下、「関連技術A」ともいう)が開示されている。以下においては、基板において、シール材が形成されている領域を、「シール材形成領域」ともいう。具体的には、関連技術Aでは、基板のうち、シール材形成領域の内側に、液晶の流動を制御するための流動制御壁が設けられる。当該流動制御壁の形状は、土手状である。流動制御壁の存在により、液晶がシール材形成領域まで流動する速度を制御することができる。 Patent Document 2 discloses a technique (hereinafter also referred to as “Related Art A”) that suppresses the occurrence of the above-described defect N. Hereinafter, the region where the sealing material is formed on the substrate is also referred to as a “sealing material forming region”. Specifically, in Related Art A, a flow control wall for controlling the flow of liquid crystal is provided inside the sealing material formation region of the substrate. The flow control wall has a bank shape. Due to the presence of the flow control wall, it is possible to control the speed at which the liquid crystal flows to the sealing material formation region.
従来の加圧処理では、シール材の厚みがdnになるまで、当該シール材に対し、圧力が一度に加えられる。そのため、加圧処理が行われている際、液晶等の障害物にも圧力が加わり、シール材を正常に押し潰すことができないため、前述の不具合Nが発生する。 In the conventional pressure treatment, pressure is applied to the sealing material at a time until the thickness of the sealing material reaches dn. Therefore, when the pressurizing process is performed, pressure is also applied to an obstacle such as a liquid crystal, and the sealing material cannot be crushed normally.
なお、関連技術Aでは、不具合Nの発生を、ある程度抑制することができるが、流動制御壁を別途形成する必要があるため、製造コストが増加するという問題がある。 In the related art A, the occurrence of the defect N can be suppressed to some extent, but there is a problem that the manufacturing cost increases because it is necessary to separately form a flow control wall.
そのため、製造コストの増加を伴うことなく、不具合Nの発生を抑制するためには、基板に塗布されたシール材の厚みが前述のdnになるまで、当該シール材に対し、圧力が一度に加わることを抑制することが求められる。 Therefore, in order to suppress the occurrence of the defect N without increasing the manufacturing cost, pressure is applied to the sealing material at a time until the thickness of the sealing material applied to the substrate reaches the above-mentioned dn. It is required to suppress this.
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、基板に塗布されたシール材の厚みがdnになるまで、当該シール材に対し、圧力が一度に加わることを抑制した、液晶パネルの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention was made to solve such problems, and suppressed the pressure from being applied to the sealing material at a time until the thickness of the sealing material applied to the substrate was dn. An object is to provide a method for manufacturing a liquid crystal panel.
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る液晶パネルの製造方法は、厚みがdn(0より大きい実数)であるシールパターンにより、第1基板および第2基板が互いに貼り合わせられた構造を有する液晶パネルの製造方法である。前記液晶パネルの製造方法は、流動性を有するシール材を前記第1基板に塗布する工程(a)と、前記第1基板の前記シール材の厚みが、d1(d1>dnを満たす実数)になるように、当該シール材に圧力を加える工程(b)と、前記第1基板に、厚みが前記d1である前記シール材である加圧済シール材を介して、前記第2基板を貼り付ける工程(c)と、前記工程(a)と、前記工程(c)との間に行われる工程であって、前記工程(c)において使用される、前記第1基板、前記加圧済シール材および前記第2基板から形成される空間に、液晶が設けられるように、当該第1基板または当該第2基板に当該液晶を設ける工程(d)と、を含み、前記工程(c)では、さらに、前記空間に前記液晶が設けられた状態で、前記加圧済シール材の厚みが前記dnになるように、当該加圧済シール材に圧力を加える。 In order to achieve the above object, in a method for manufacturing a liquid crystal panel according to one embodiment of the present invention, a first substrate and a second substrate are bonded to each other with a seal pattern having a thickness of dn (a real number greater than 0). It is a manufacturing method of the liquid crystal panel which has a structure. The manufacturing method of the liquid crystal panel includes a step (a) of applying a fluid sealing material to the first substrate, and a thickness of the sealing material of the first substrate is d1 (a real number satisfying d1> dn). The step (b) of applying pressure to the sealing material, and the second substrate is attached to the first substrate through the pressurized sealing material that is the sealing material having the thickness d1. The first substrate and the pressurized sealant used in the step (c), which are steps performed between the step (c), the step (a), and the step (c). And (d) providing the liquid crystal on the first substrate or the second substrate so that the liquid crystal is provided in a space formed from the second substrate, and in the step (c), In the state where the liquid crystal is provided in the space, As the thickness of the wood is the dn, applying pressure to the pressure 圧済 sealant.
本発明に係る、液晶パネルの製造方法は、シール材を第1基板に塗布する工程(a)と、前記第1基板の前記シール材の厚みが、d1になるように、当該シール材に圧力を加える工程(b)と、前記第1基板に、厚みが前記d1である前記シール材である加圧済シール材を介して、前記第2基板を貼り付ける工程(c)と、を含み、前記工程(c)では、さらに、前記空間に前記液晶が設けられた状態で、前記加圧済シール材の厚みが前記dnになるように、当該加圧済シール材に圧力を加える。 The method of manufacturing a liquid crystal panel according to the present invention includes a step (a) of applying a sealing material to a first substrate, and a pressure applied to the sealing material so that the thickness of the sealing material of the first substrate is d1. And (c) affixing the second substrate to the first substrate through a pressurized sealing material that is the sealing material having the thickness d1. In the step (c), further, pressure is applied to the pressurized sealing material so that the thickness of the pressurized sealing material becomes the dn in a state where the liquid crystal is provided in the space.
これにより、基板に塗布されたシール材の厚みがdnになるまで、当該シール材に対し、圧力が一度に加わることを抑制することができる。 Thereby, it can suppress that a pressure is applied with respect to the said sealing material at once until the thickness of the sealing material apply | coated to the board | substrate becomes dn.
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の図面では、同一の各構成要素には同一の符号を付してある。同一の符号が付されている各構成要素の名称および機能は同じである。したがって、同一の符号が付されている各構成要素の一部についての詳細な説明を省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same components are denoted by the same reference numerals. The names and functions of the components having the same reference numerals are the same. Therefore, a detailed description of some of the components having the same reference numerals may be omitted.
なお、実施の形態において例示される各構成要素の寸法、材質、形状、当該各構成要素の相対配置などは、本発明が適用される装置の構成、各種条件等により適宜変更されてもよい。また、各図における各構成要素の寸法は、実際の寸法と異なる場合がある。 Note that the dimensions, materials, shapes, and relative arrangements of the components exemplified in the embodiments may be appropriately changed depending on the configuration of the apparatus to which the present invention is applied, various conditions, and the like. Moreover, the dimension of each component in each figure may differ from an actual dimension.
<実施の形態1>
(液晶表示装置(液晶パネル)の構成)
図1は、本発明の実施の形態1に係る液晶表示装置500に含まれる液晶パネル100の構成を示す平面図である。なお、図1では、液晶表示装置500に含まれる液晶パネル100の構成のみを示している。また、図1では、構成を分かり易くするために、一部の構成要素を、省略または簡略化して示している。例えば、図1では、構成を分かり易くするために、後述の基板120については、当該基板120の輪郭のみを示している。
<Embodiment 1>
(Configuration of liquid crystal display device (liquid crystal panel))
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a
図1において、X方向、Y方向およびZ方向の各々は、互いに直交する。以下の図に示されるX方向、Y方向およびZ方向の各々も、互いに直交する。以下においては、X方向と、当該X方向の反対の方向(−X方向)とを含む方向を「X軸方向」ともいう。また、以下においては、Y方向と、当該Y方向の反対の方向(−Y方向)とを含む方向を「Y軸方向」ともいう。また、以下においては、Z方向と、当該Z方向の反対の方向(−Z方向)とを含む方向を「Z軸方向」ともいう。 In FIG. 1, the X direction, the Y direction, and the Z direction are orthogonal to each other. Each of the X direction, the Y direction, and the Z direction shown in the following figures is also orthogonal to each other. Hereinafter, a direction including the X direction and the direction opposite to the X direction (−X direction) is also referred to as “X axis direction”. In the following, the direction including the Y direction and the direction opposite to the Y direction (−Y direction) is also referred to as “Y-axis direction”. Hereinafter, a direction including the Z direction and a direction opposite to the Z direction (−Z direction) is also referred to as a “Z-axis direction”.
また、以下においては、X軸方向およびY軸方向を含む平面を、「XY面」ともいう。また、以下においては、X軸方向およびZ軸方向を含む平面を、「XZ面」ともいう。また、以下においては、Y軸方向およびZ軸方向を含む平面を、「YZ面」ともいう。 Hereinafter, a plane including the X-axis direction and the Y-axis direction is also referred to as an “XY plane”. Hereinafter, a plane including the X-axis direction and the Z-axis direction is also referred to as an “XZ plane”. Hereinafter, a plane including the Y-axis direction and the Z-axis direction is also referred to as a “YZ plane”.
図2は、本発明の実施の形態1に係る液晶表示装置500に含まれる液晶パネル100の断面図である。なお、図2では、液晶表示装置500に含まれる液晶パネル100の構成のみを示している。具体的には、図2は、図1のA1−A2線に沿った、液晶パネル100の断面図である。図2では、構成を分かり易くするために、一部の構成要素を、省略または簡略化して示している。
FIG. 2 is a cross-sectional view of
図1および図2を参照して、液晶表示装置500は、液晶パネル100と、後述のバックライトユニット(図示せず)等とを備える。なお、液晶表示装置500は、当該バックライトユニット(図示せず)が出射する光を利用して液晶パネル100の後述の表示領域R10に映像を表示する。
1 and 2, liquid
液晶パネル100は、一例として、TN(Twisted Nematic)モードの液晶パネルである。液晶パネル100は、制御基板135と、接続ケーブル136と、基板110,120と、液晶30と、シールパターンSL1と、複数のスペーサSP1とを備える。
The
制御基板135は、液晶パネル100を制御するための回路等が実装された基板である。
The
基板110,120の各々は、透光性を有する。基板110は、液晶30を制御するための構成を有するアレイ基板である。基板120は、当該基板120を透過する光を、色光として出射するカラーフィルタ基板である。当該色光は、例えば、赤色光、緑色光、青色光等である。基板120は、基板110と対向する。XY平面における基板110のサイズは、XY平面における基板120のサイズより大きい。
Each of the
基板110および基板120は、シールパターンSL1により、互いに貼り合わせられる。すなわち、液晶パネル100は、シールパターンSL1により、基板110および基板120が互いに貼り合わせられた構造を有する。
The
シールパターンSL1は、例えば、樹脂で構成される。平面視(XY面)における、シールパターンSL1の形状は、閉ループ状(枠状)である。平面視(XY面)において、シールパターンSL1が後述の表示領域R10を囲むように設けられる。 The seal pattern SL1 is made of resin, for example. The shape of the seal pattern SL1 in a plan view (XY plane) is a closed loop shape (frame shape). In a plan view (XY plane), a seal pattern SL1 is provided so as to surround a display region R10 described later.
なお、基板110と基板120との間隔は、複数のスペーサSP1により、所定の間隔に設定されている。すなわち、各スペーサSP1は、基板110と基板120との間隔を規定するための部材である。すなわち、各スペーサSP1は、液晶30の厚さを規定するための部材である。なお、シールパターンSL1の幅は、例えば、1ミリである。なお、シールパターンSL1の幅の許容誤差は、±0.1ミリである。このように、シールパターンSL1の幅が設定された場合、シールパターンSL1の端部において、ガタツキが等の発生少なくすることができ、当該シールパターンSL1の幅を、比較的均一な幅にすることができる。
In addition, the space | interval of the board |
以下においては、シールパターンSL1の厚みを、「厚みdn」または「dn」ともいう。dnは0より大きい実数である。 Hereinafter, the thickness of the seal pattern SL1 is also referred to as “thickness dn” or “dn”. dn is a real number larger than 0.
以下においては、基板110と基板120との間隔(ギャップ)を、「Ga」ともいう。Gaは、0より大きい実数である。具体的には、Gaは、後述の配向膜112と後述の配向膜122との間隔(ギャップ)である。本実施の形態では、Gaは、例えば、3μmから5μm程度である。Gaは、dnと同じである。
Hereinafter, the distance (gap) between the
なお、平面視(XY面)において、各スペーサSP1は、後述の表示領域R10に設けられる。各スペーサSP1は、例えば、樹脂で構成される。スペーサSP1の形状は、例えば、柱状である。なお、スペーサSP1の形状は、球状であってもよい。 Note that, in a plan view (XY plane), each spacer SP1 is provided in a display region R10 described later. Each spacer SP1 is made of resin, for example. The shape of the spacer SP1 is, for example, a columnar shape. The spacer SP1 may have a spherical shape.
液晶30は、複数の液晶分子31を含む。なお、図2では、構成を見易くするために、2つの液晶分子31のみを示しているが、実際には、液晶30は、非常に多くの液晶分子31を含む。基板110、基板120およびシールパターンSL1により形成される領域(空間)には、液晶30が封入される。
The
液晶パネル100は、表示領域R10と周辺領域(額縁領域)R20とを有する。表示領域R10は、液晶パネル100が、平面視(XY面)において、映像を表示するための領域である。表示領域R10は、平面視(XY面)において行列状に配置された複数の画素部(図示せず)を含む。液晶パネル100は、当該複数の画素部を利用して映像を表示する。当該各画素部は、赤画素、緑画素および青画素から構成される。
The
以下においては、赤画素、緑画素および青画素の各々を、「画素」ともいう。また、以下においては、画素が形成されている領域を、「画素領域」ともいう。 Hereinafter, each of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel is also referred to as a “pixel”. In the following, a region where pixels are formed is also referred to as a “pixel region”.
周辺領域R20は、平面視(XY面)において、表示領域R10の周辺に設けられる。具体的には、周辺領域R20は、平面視(XY面)において、表示領域R10を囲む領域である。平面視(XY面)における周辺領域R20の形状は閉ループ状(額縁状)である。 The peripheral region R20 is provided around the display region R10 in plan view (XY plane). Specifically, the peripheral region R20 is a region surrounding the display region R10 in plan view (XY plane). The shape of the peripheral region R20 in a plan view (XY plane) is a closed loop shape (frame shape).
なお、表示領域R10および周辺領域R20は、液晶パネル100が構成される空間と、当該空間におけるXY面、XZ面およびYZ面とに対しても、液晶パネル100と同様に適用される。すなわち、表示領域R10および周辺領域R20は、液晶パネル100を構成する各構成要素(基板110,120、液晶30等)に対しても、液晶パネル100と同様に適用される。そのため、例えば、液晶パネル100の基板120は、表示領域R10と周辺領域R20とを有する。
Note that the display region R10 and the peripheral region R20 are applied to the space in which the
次に、アレイ基板としての基板110について詳細に説明する。図1および図2を参照して、基板110は、偏光板51と、ガラス基板111と、複数の画素電極113と、複数のスイッチング素子SW1と、絶縁膜115と、配向膜112と、複数のゲート配線WG1と、複数のソース配線WS1と、端子116と、トランスファ電極117と、周辺配線(図示せず)とを含む。
Next, the
なお、図1では、構成を分かり易くするために、3本のゲート配線WG1と、1本のソース配線WS1とを示している。しかしながら、実際には、基板110は、4本以上のゲート配線WG1と2本以上のソース配線WS1とを含む。
In FIG. 1, three gate wirings WG1 and one source wiring WS1 are shown for easy understanding of the configuration. However, actually, the
偏光板51は、互いに直交する透過軸および吸収軸を有する。偏光板51は、吸収軸に沿って振動する光を吸収する。すなわち、偏光板51は、当該偏光板51の吸収軸に沿って振動する光を透過させない。 The polarizing plate 51 has a transmission axis and an absorption axis that are orthogonal to each other. The polarizing plate 51 absorbs light that vibrates along the absorption axis. That is, the polarizing plate 51 does not transmit light that vibrates along the absorption axis of the polarizing plate 51.
ガラス基板111は、透光性を有する透明基板である。ガラス基板111の一方の面には、複数のスイッチング素子SW1が設けられる。なお、前述の偏光板51は、ガラス基板111の他方の面に設けられる。
The
各スイッチング素子SW1は、オン状態またはオフ状態に設定される。各スイッチング素子SW1は、例えば、TFT(Thin Film Transistor)である。各スイッチング素子SW1には、画素電極113が接続される。
Each switching element SW1 is set to an on state or an off state. Each switching element SW1 is, for example, a TFT (Thin Film Transistor). A
なお、ガラス基板111の一方の面には、さらに、図示されない複数の構成要素が設けられている。
Note that a plurality of constituent elements (not shown) are further provided on one surface of the
絶縁膜115は、当該絶縁膜115が、各スイッチング素子SW1等を覆うように、ガラス基板111の一方の面に設けられている。
The insulating
各画素電極113は、表示領域R10の各画素に対応して設けられる。各画素電極113は、当該画素電極113に電圧が印加されることにより、液晶30において電界を発生させるための電極である。具体的には、各画素電極113は、液晶30において、液晶分子31の向きを変化させるための電界を発生させるために使用される。
Each
配向膜112は、液晶分子31を配向させるための膜である。配向膜112は、当該配向膜112が各画素電極113を覆うように、絶縁膜115の一方の面に設けられる。
The
各ゲート配線WG1および各ソース配線WS1は、詳細は後述するが、各スイッチング素子SW1を制御するための信号を、当該各スイッチング素子SW1へ伝達するための配線である。各スイッチング素子SW1は、当該信号を利用して、画素電極113に電圧を供給する。
Each gate line WG1 and each source line WS1 are lines for transmitting a signal for controlling each switching element SW1 to each switching element SW1, although details will be described later. Each switching element SW1 supplies a voltage to the
各ゲート配線WG1は、図1のように、基板110の表示領域R10において、列方向(Y軸方向)に延在するように設けられる。また、各ソース配線WS1は、図1のように、表示領域R10において、行方向(X軸方向)に延在するように設けられる。なお、各ゲート配線WG1と各ソース配線WS1とが交差する部分の近傍には、スイッチング素子SW1が設けられる。すなわち、各スイッチング素子SW1は、行列状に設けられる。
As shown in FIG. 1, each gate line WG1 is provided so as to extend in the column direction (Y-axis direction) in the display region R10 of the
また、図1のように、各ゲート配線WG1と各ソース配線WS1とにより形成される各矩形(画素領域)内には、画素電極113(画素電極)が設けられる。すなわち、各画素電極113は、行列状に設けられる。画素電極113は、スイッチング素子SW1と電気的に接続される。
Further, as shown in FIG. 1, a pixel electrode 113 (pixel electrode) is provided in each rectangle (pixel region) formed by each gate wiring WG1 and each source wiring WS1. That is, the
周辺配線(図示せず)は、後述の端子116が受信した信号を、ゲート配線WG1、ソース配線WS1、トランスファ電極117等へ伝達する。
Peripheral wiring (not shown) transmits a signal received by a terminal 116 described later to the gate wiring WG1, the source wiring WS1, the
端子116は、外部からの信号等を受信するための端子である。端子116は、接続ケーブル136により、制御基板135と接続される。接続ケーブル136は、例えば、FFC(Flexible Flat Cable)である。端子116は、例えば、制御基板135から受信した信号を、例えば、ソース配線WS1を介して、スイッチング素子SW1へ供給する。
The terminal 116 is a terminal for receiving an external signal or the like. The terminal 116 is connected to the
なお、端子116、トランスファ電極117、周辺配線は、周辺領域R20内の基板110に設けられる。
Note that the terminal 116, the
次に、カラーフィルタ基板としての基板120について詳細に説明する。図1および図2を参照して、基板120は、偏光板52と、ガラス基板121と、複数のカラーフィルタCF1と、ブラックマトリクス20と、共通電極123と、配向膜122とを含む。
Next, the
偏光板52は、偏光板51と同じ機能および構成を有する板である。ガラス基板121は、透光性を有する透明基板である。ガラス基板121の一方の面には、複数のカラーフィルタCF1およびブラックマトリクス20が設けられる。なお、前述の偏光板52は、ガラス基板121の他方の面に設けられる。
The
ブラックマトリクス20は、光の一部または全てを遮る遮光部材である。ブラックマトリクス20は、隣接する2つのカラーフィルタCF1間の領域に到達する光を遮るように構成される。具体的には、ブラックマトリクス20は、複数の開口を有する。ブラックマトリクス20の各開口には、カラーフィルタCF1が設けられる。
The
また、ブラックマトリクス20は、基板120が有する周辺領域R20を光が透過しないように、当該周辺領域R20に設けられる。
The
共通電極123は、ブラックマトリクス20および各カラーフィルタCF1を覆うように設けられる。共通電極123は、前述の各画素電極113を利用して、液晶30において電界を発生させるための電極である。
The
配向膜122は、液晶分子31を配向させるための膜である。配向膜122は、当該配向膜122が表示領域R10内の共通電極123の一部を覆うように、設けられる。
The
トランスファ電極117は、シールパターンSL1により共通電極123と電気的に接続される。当該シールパターンSL1は、導電性を有する。具体的には、当該シールパターンSL1は、導電性粒子を含む。導電性粒子は、例えば、球形の樹脂の表面に金メッキが設けられたものである。端子116からトランスファ電極117に伝達された信号は、シールパターンSL1を介して、共通電極123へ送信される。
The
また、前述したように、液晶表示装置500は、さらに、光源としてのバックライトユニット(図示せず)を備える。当該バックライトユニットは、液晶パネル100が映像を表示するために使用される光を出射する。以下においては、バックライトユニットから出射される光を、「光La」ともいう。
As described above, the liquid
バックライトユニットは、図2において、基板110の下方に設けられる。なお、液晶パネル100と、バックライトユニットとの間には、光学シート(図示せず)が設けられる。当該光学シートは、光の偏光状態、光の指向性等を制御するシートである。
The backlight unit is provided below the
以下においては、基板120のうち、表示領域R10に映像を表示する面を、「表示面」ともいう。表示面は、例えば、図2の基板120の上面である。
Hereinafter, a surface of the
なお、液晶表示装置500は、さらに、筐体(図示せず)を備える。当該筐体は、表示面を外部に露出させるための開口が設けられる。液晶表示装置500の筐体は、当該液晶表示装置500が備える各構成要素を収容する。当該各構成要素は、例えば、液晶パネル100、バックライトユニット、光学シート等である。
The liquid
(液晶表示装置の製造)
次に、液晶表示装置500の製造方法について説明する。なお、ここでは、主に、液晶表示装置500の主要部分である液晶パネル100の製造方法について、図3のフローチャートにしたがって説明する。本実施の形態の液晶パネル100の製造方法では、液晶パネル内に液晶を注入する方法として、前述の滴下注入法が行われる。
(Manufacture of liquid crystal display devices)
Next, a method for manufacturing the liquid
液晶パネルは、通常、最終的な液晶パネルのサイズよりも大きなマザー基板から切り出される1枚以上の基板を使用して製造される。図3のステップS1からS7までのプロセスは、当該マザー基板に対し行われるプロセスである。 A liquid crystal panel is usually manufactured using one or more substrates cut out from a mother substrate larger than the final size of the liquid crystal panel. The processes from steps S1 to S7 in FIG. 3 are processes performed on the mother substrate.
まず、基板準備工程において、マザー基板の状態で、基板110,120が準備される。基板110,120の製造工程は、一般的な工程を用いても良いため、簡単に説明する。
First, in the substrate preparation process, the
基板110の製造においては、まず、ガラス基板111の一方の面に各スイッチング素子SW1、画素電極113、端子116、トランスファ電極117等が形成される。これらは、成膜、フォトリソグラフィー法によるパターンニング、エッチング等のパターン形成工程が繰り返し行われることにより、形成される。
In manufacturing the
また、基板120は、基板110と同様な工程により形成される。これにより、ガラス基板121の一方の面に、各カラーフィルタCF1、ブラックマトリクス20、共通電極123等が形成される。なお、有機樹脂膜をパターニングすることにより、ガラス基板121の一方の面には、さらに、スペーサSP1が形成される。
Further, the
まず、ステップS1の基板洗浄工程では、スイッチング素子SW1、画素電極113等が形成されている基板110が洗浄される。
First, in the substrate cleaning process in step S1, the
次に、ステップS2の配向膜材料塗布工程では、基板110の一方の面に、例えば、印刷法により、配向膜材料が塗布される。配向膜材料は、配向膜112の材料である。続いて、ホットプレートなどを使用して、塗布された配向膜材料が焼成処理される。これにより、当該配向膜材料が乾燥する。
Next, in the alignment film material application process in step S2, the alignment film material is applied to one surface of the
次に、ステップS3の配向処理工程において、上記の配向膜材料に対し配向処理が行われる。当該配向処理は、例えば、配向膜材料の表面に特定方向に沿った微細な溝、傷等を形成するラビング処理である。これにより、配向膜112が形成される。
Next, in the alignment process step of step S3, the alignment process is performed on the alignment film material. The alignment treatment is, for example, a rubbing treatment that forms fine grooves, scratches, and the like along a specific direction on the surface of the alignment film material. Thereby, the
また、共通電極123等が形成されている基板120に対しても、上記と同様に、ステップS1,S2,S3が行われる。これにより、配向膜122が形成される。
Also, steps S1, S2, and S3 are performed on the
次に、ステップS4が行われる。ステップS4は、ステップS4Aと、ステップS4Bとを含む。ステップS4Aと、ステップS4Bとは、並列的に行われる。 Next, step S4 is performed. Step S4 includes step S4A and step S4B. Step S4A and step S4B are performed in parallel.
ステップS4Aでは、シール材塗布工程が行われる。シール材塗布工程では、詳細は後述するが、後述のノズルNZ1を有するディスペンサ(図示せず)により、基板にシール材が塗布される。当該ディスペンサは、ノズルNZ1から、流動性を有するシール材SLaを排出させる機能を有する。当該シール材SLaは、シールパターンSL1を構成するための材料である。なお、導電性を有するシールパターンSL1を構成するために、ノズルNZ1から排出されるシール材SLaは、導電性を有する。シール材SLaは、導電性粒子を含む。また、シール材SLaは、例えば、紫外線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂等で構成される。 In step S4A, a sealing material application process is performed. Although details will be described later in the sealing material application step, the sealing material is applied to the substrate by a dispenser (not shown) having a nozzle NZ1 described later. The dispenser has a function of discharging the fluid sealing material SLa from the nozzle NZ1. The seal material SLa is a material for constituting the seal pattern SL1. Note that the sealing material SLa discharged from the nozzle NZ1 has conductivity in order to configure the sealing pattern SL1 having conductivity. Sealing material SLa includes conductive particles. The sealing material SLa is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like.
以下においては、シール材が塗布される対象となる基板を、「基板SB1」ともいう。基板SB1は、基板110または基板120である。基板SB1は、例えば、基板120(カラーフィルタ基板)である。なお、基板SB1は、基板110(アレイ基板)であってもよい。また、以下においては、基板SB1のうち、シール材が塗布される対象となる面を、「主面SB1s」という。基板SB1の主面SB1sは、後述の工程において、図2の液晶30に接するように配置される面である。
Hereinafter, the substrate to which the sealing material is applied is also referred to as “substrate SB1”. The substrate SB1 is the
ディスペンサは、ノズルNZ1を移動させることが可能な構造を有する。また、ディスペンサは、ノズルNZ1を移動させながら、当該ノズルNZ1からシール材SLaを排出させる機能を有する。 The dispenser has a structure capable of moving the nozzle NZ1. The dispenser has a function of discharging the sealing material SLa from the nozzle NZ1 while moving the nozzle NZ1.
シール材塗布工程では、ディスペンサが、基板SB1に、閉ループ状のシール材SLaが設けられるように、当該シール材SLaを当該基板SB1に塗布する。当該閉ループ状のシール材SLaの形状は、図1のシールパターンSL1の形状と同等である。すなわち、平面視(XY面)において、当該閉ループ状のシール材SLaは、表示領域R10を囲むように設けられる。 In the sealing material application step, the dispenser applies the sealing material SLa to the substrate SB1 such that the closed loop-shaped sealing material SLa is provided on the substrate SB1. The shape of the closed loop seal material SLa is equivalent to the shape of the seal pattern SL1 in FIG. That is, in a plan view (XY plane), the closed loop sealing material SLa is provided so as to surround the display region R10.
具体的には、ディスペンサが、基板SB1の主面SB1sに閉ループ状のシール材SLaが設けられるように、ノズルNZ1からシール材SLaを基板SB1の主面SB1sに排出させながら、当該ノズルNZ1を移動させる。すなわち、ノズルNZ1は、例えば、平面視(XY面)において、図1のシールパターンSL1が示す矩形の輪郭線に沿って、移動する。このように、シール材塗布工程では、シール材SLaを排出しながら移動するノズルNZ1が使用される。 Specifically, the dispenser moves the nozzle NZ1 while discharging the sealing material SLa from the nozzle NZ1 to the main surface SB1s of the substrate SB1 so that the main surface SB1s of the substrate SB1 is provided with the closed loop-shaped sealing material SLa. Let That is, for example, the nozzle NZ1 moves along a rectangular outline indicated by the seal pattern SL1 in FIG. 1 in a plan view (XY plane). Thus, in the sealing material application process, the nozzle NZ1 that moves while discharging the sealing material SLa is used.
以下においては、シール材SLaが基板SB1に塗布された直後における当該シール材SLaの厚みを、「dn1」ともいう。dn1は、dnより大きい実数である。dn1は、予め規定された値である。dn1は、例えば、20μmから30μm程度である。 Hereinafter, the thickness of the sealing material SLa immediately after the sealing material SLa is applied to the substrate SB1 is also referred to as “dn1”. dn1 is a real number larger than dn. dn1 is a predetermined value. For example, dn1 is about 20 μm to 30 μm.
なお、シール材塗布工程では、基板SB1の主面SB1sに塗布されたシール材SLaの厚みが、dn1になるように、ディスペンサは、ノズルNZ1の移動速度と、ノズルNZ1からシール材SLaが排出される速度とを制御する。以下においては、基板SB1の主面SB1sに塗布されたシール材SLaを、「塗布シール材」ともいう。 In the sealing material application process, the dispenser discharges the sealing material SLa from the nozzle NZ1 and the moving speed of the nozzle NZ1 so that the thickness of the sealing material SLa applied to the main surface SB1s of the substrate SB1 becomes dn1. Control the speed. Hereinafter, the sealing material SLa applied to the main surface SB1s of the substrate SB1 is also referred to as “applied sealing material”.
ステップS4Bでは、加圧工程が行われる。加圧工程では、塗布シール材であるシール材SLaに圧力が加えられる。以下においては、加圧工程が行われた後における、シール材SLaの厚みを、「d1」ともいう。d1は、dn<d1<dn1の式を満たす実数である。また、本実施の形態では、d1は、Ga<d1≦3×Gaの式を満たす実数である。Gaは、前述したように、基板110と基板120との間隔(ギャップ)である。
In step S4B, a pressurizing process is performed. In the pressurizing step, pressure is applied to the sealing material SLa that is the application sealing material. Hereinafter, the thickness of the sealing material SLa after the pressurizing step is performed is also referred to as “d1”. d1 is a real number satisfying the expression dn <d1 <dn1. In the present embodiment, d1 is a real number that satisfies the formula Ga <d1 ≦ 3 × Ga. As described above, Ga is the distance (gap) between the
すなわち、液晶パネル100において、基板110と基板120との間隔をGaと規定した場合、d1およびGaについて、Ga<d1≦3×Gaの式が満たされる。また、d1は、dn1の1/2倍以下程度である。また、d1は、例えば、dn1の1/3倍以下程度であってもよい。
That is, in the
加圧工程は、ノズルNZ1を用いて、基板SB1のシール材SLa(塗布シール材)の厚みが、d1になるように、当該シール材SLaに圧力を加える工程である。なお、シール材塗布工程と、加圧工程とは、並列的に行われる。具体的には、シール材塗布工程により、シール材SLaが基板SB1に塗布されながら、加圧工程により基板SB1に塗布されたシール材SLaに圧力が加えられる。 The pressurizing step is a step of applying pressure to the sealing material SLa using the nozzle NZ1 so that the thickness of the sealing material SLa (application sealing material) of the substrate SB1 becomes d1. The sealing material application process and the pressurizing process are performed in parallel. Specifically, pressure is applied to the sealing material SLa applied to the substrate SB1 by the pressurizing step while the sealing material SLa is applied to the substrate SB1 by the sealing material application step.
シール材塗布工程および加圧工程は、基板SB1に閉ループ状のシール材SLaが塗布され、かつ、当該シール材SLa全体の厚みがd1になるまで、行われる。これにより、基板SB1の主面SB1sに、厚みがd1であり、かつ、閉ループ状のシール材SLaが形成される。以下においては、厚みがd1であり、かつ、閉ループ状のシール材SLaを、「加圧済シール材SLb」ともいう。 The sealing material application process and the pressurization process are performed until the closed loop sealing material SLa is applied to the substrate SB1 and the entire thickness of the sealing material SLa reaches d1. As a result, a seal material SLa having a thickness of d1 and a closed loop is formed on the main surface SB1s of the substrate SB1. In the following, the thickness d1 and the closed loop sealing material SLa is also referred to as “pressurized sealing material SLb”.
なお、加圧工程は、例えば、以下の構成Ct1により行われる。図4は、構成Ct1を説明するための図である。以下においては、シール材塗布工程において、ノズルNZ1が移動する方向を、「方向DRa」ともいう。 In addition, a pressurization process is performed by the following structures Ct1, for example. FIG. 4 is a diagram for explaining the configuration Ct1. Hereinafter, the direction in which the nozzle NZ1 moves in the sealing material application step is also referred to as “direction DRa”.
図4を参照して、構成Ct1では、ノズルNZ1のうち、当該ノズルNZ1が移動する方向DRaと反対の方向側には、部材61を介して、ローラーRL1が取付けられている。ローラーRL1は、当該ローラーRL1自身の重みにより、シール材SLa(塗布シール材)に圧力を加えるように、回転自在に構成される。なお、ノズルNZ1には、シール材SLaを排出するための穴H1が設けられる。穴H1の形状は、円柱状である。シール材塗布工程では、ノズルNZ1の穴H1から、シール材SLaが排出される。
With reference to FIG. 4, in the configuration Ct1, a roller RL1 is attached via a
構成Ct1が適用された加圧工程では、シール材塗布工程により、基板SB1の主面SB1sに塗布されたシール材SLaの厚みdn1がd1になるように、ローラーRL1が当該シール材SLaに圧力を加える。この構成Ct1により、シール材SLaが基板SB1に塗布されながら、ローラーRL1により基板SB1に塗布された当該シール材SLaに圧力が加えられる。 In the pressurizing process to which the configuration Ct1 is applied, the roller RL1 applies pressure to the sealing material SLa so that the thickness dn1 of the sealing material SLa applied to the main surface SB1s of the substrate SB1 becomes d1 by the sealing material application process. Add. With this configuration Ct1, pressure is applied to the sealing material SLa applied to the substrate SB1 by the roller RL1 while the sealing material SLa is applied to the substrate SB1.
また、加圧工程は、例えば、以下の構成Ct2により行われてもよい。図5は、構成Ct2を説明するための図である。図5を参照して、構成Ct2では、ノズルNZ1の外側に、カバーCV1が取付けられている。 Further, the pressurizing step may be performed, for example, with the following configuration Ct2. FIG. 5 is a diagram for explaining the configuration Ct2. Referring to FIG. 5, in the configuration Ct2, a cover CV1 is attached to the outside of the nozzle NZ1.
カバーCV1は、ノズルNZ1のうち、当該ノズルNZ1が移動する方向DRaと反対の方向側に存在するシール材SLa(塗布シール材)に、当該カバーCV1が圧力を加えるように、構成される。 The cover CV1 is configured such that the cover CV1 applies pressure to the sealing material SLa (application sealing material) existing on the opposite side of the nozzle NZ1 in the direction DRa in which the nozzle NZ1 moves.
構成Ct2が適用された加圧工程では、シール材塗布工程により、基板SB1の主面SB1sに塗布されたシール材SLaの厚みdn1がd1になるように、カバーCV1が当該シール材SLaに圧力を加える。この構成Ct2により、シール材SLaが基板SB1に塗布されながら、カバーCV1により基板SB1に塗布された当該シール材SLaに圧力が加えられる。 In the pressurizing process to which the configuration Ct2 is applied, the cover CV1 applies pressure to the sealing material SLa so that the thickness dn1 of the sealing material SLa applied to the main surface SB1s of the substrate SB1 becomes d1 by the sealing material application process. Add. With this configuration Ct2, pressure is applied to the sealing material SLa applied to the substrate SB1 by the cover CV1 while the sealing material SLa is applied to the substrate SB1.
また、加圧工程は、例えば、以下の構成Ct3により行われてもよい。図6は、構成Ct3を説明するための図である。以下においては、ノズルNZ1の先端を、「先端NZx」ともいう。 Further, the pressurizing step may be performed by the following configuration Ct3, for example. FIG. 6 is a diagram for explaining the configuration Ct3. Hereinafter, the tip of the nozzle NZ1 is also referred to as “tip NZx”.
構成Ct3では、例えば、ノズルNZ1の穴H1の内径を、構成Ct1のノズルNZ1の穴H1の内径より大きくする。また、構成Ct3では、ノズルNZ1のうち、穴H1を囲む部分の厚みを大きくする。具体的には、ノズルNZ1の先端NZxに接するシール材SLaの面積を、構成Ct1のノズルNZ1の先端NZxに接するシール材SLaの面積より大きくする。これにより、先端NZxは、当該先端NZxによりシール材SLaに圧力を加えるための形状を有する。 In the configuration Ct3, for example, the inner diameter of the hole H1 of the nozzle NZ1 is made larger than the inner diameter of the hole H1 of the nozzle NZ1 of the configuration Ct1. In the configuration Ct3, the thickness of the portion surrounding the hole H1 in the nozzle NZ1 is increased. Specifically, the area of the sealing material SLa in contact with the tip NZx of the nozzle NZ1 is made larger than the area of the sealing material SLa in contact with the tip NZx of the nozzle NZ1 of the configuration Ct1. Thereby, the tip NZx has a shape for applying pressure to the sealing material SLa by the tip NZx.
構成Ct3が適用された加圧工程では、シール材塗布工程により、基板SB1の主面SB1sに塗布されたシール材SLaの厚みdn1がd1になるように、ノズルNZ1の先端NZxが当該シール材SLaに圧力を加える。この構成Ct3により、シール材SLaが基板SB1に塗布されながら、先端NZxにより基板SB1に塗布された当該シール材SLaに圧力が加えられる。 In the pressurizing process to which the configuration Ct3 is applied, the tip NZx of the nozzle NZ1 is set to the sealing material SLa so that the thickness dn1 of the sealing material SLa applied to the main surface SB1s of the substrate SB1 is d1 by the sealing material application process. Pressure. With this configuration Ct3, pressure is applied to the sealing material SLa applied to the substrate SB1 by the tip NZx while the sealing material SLa is applied to the substrate SB1.
上記の構成Ct1,Ct2,Ct3のいずれかが適用された加圧工程と、シール材塗布工程とが行われることにより、基板SB1の主面SB1sに、厚みがd1である加圧済シール材SLbが形成される。 By performing the pressurizing process to which any one of the above-described configurations Ct1, Ct2, and Ct3 is applied and the sealing material applying process, the pressurized sealing material SLb having a thickness of d1 is formed on the main surface SB1s of the substrate SB1. Is formed.
なお、実施の形態1では、基板110と基板120との間隔を規定するスペーサSP1の形状は、柱状としたがこれに限定されない。当該スペーサSP1の形状は、球状とする構成としてもよい。当該構成では、基板SB1の面に球状のスペーサが散布される。この場合、ステップS4の後に、スペーサ散布工程が行われる。
In the first embodiment, the shape of the spacer SP1 that defines the distance between the
以下においては、図1および図2に示される液晶パネル100において、基板110、シールパターンSL1および基板120から形成される空間を、「空間SPC1」ともいう。空間SPC1は、後述の貼り合わせ工程において使用される、基板110、加圧済シール材SLbおよび基板120から形成される空間でもある。すなわち、空間SPC1は、基板110、閉ループ状の加圧済シール材SLb、および、基板120から形成される空間である。また、空間SPC1は、基板SB1の主面SB1s、および、閉ループ状の加圧済シール材SLbから形成される空間でもある。
In the following, in the
ステップS4の後、ステップS5が行われる。ステップS5では、液晶滴下工程が行われる。液晶滴下工程では、液状の液晶が、基板SB1の主面SB1sに滴下される。具体的には、液晶滴下工程では、基板SB1の主面SB1sと、閉ループ状の加圧済シール材SLbとにより形成される空間SPC1に液晶が設けられるように、液状の液晶が、基板SB1の主面SB1sに滴下される。すなわち、液晶滴下工程は、空間SPC1に液晶が設けられるように、基板SB1に当該液晶を設ける工程である。 Step S5 is performed after step S4. In step S5, a liquid crystal dropping step is performed. In the liquid crystal dropping step, liquid liquid crystal is dropped onto the main surface SB1s of the substrate SB1. Specifically, in the liquid crystal dropping step, the liquid crystal is formed on the substrate SB1 so that the liquid crystal is provided in the space SPC1 formed by the main surface SB1s of the substrate SB1 and the closed-loop pressurized pressurized sealing material SLb. It is dropped on the main surface SB1s. That is, the liquid crystal dropping step is a step of providing the liquid crystal on the substrate SB1 so that the liquid crystal is provided in the space SPC1.
以下においては、空間SPC1に液晶が設けられた状態を、「液晶存在状態St1」ともいう。 Hereinafter, the state in which the liquid crystal is provided in the space SPC1 is also referred to as “liquid crystal presence state St1”.
次に、ステップS6の貼り合わせ工程では、貼り合わせ装置が使用される。貼り合わせ装置の内部には、空間SPC2が設けられる。空間SPC2は、基板110,120等を配置可能な空間である。貼り合わせ装置は、真空状態において、空間SPC2に配置された基板110,120を互いに貼り合わる機能を有する。
Next, in the bonding process in step S6, a bonding apparatus is used. A space SPC2 is provided inside the bonding apparatus. The space SPC2 is a space in which the
貼り合わせ工程では、貼り合わせ装置が、真空状態において、加圧済シール材SLbを介して、空間SPC2に配置された、マザー基板の状態の基板110,120を互いに貼り合わせる。
In the bonding step, the bonding apparatus bonds the
以下においては、前述のシール材塗布工程においてシール材SLaが塗布されない基板を、「基板SB2」ともいう。基板SB2は、基板110または基板120である。例えば、基板SB1が基板120である場合、基板SB2は基板110である。基板SB2は、主面を有する。基板SB2の主面は、後述の工程において、図2の液晶30に接するように配置される面である。
Hereinafter, the substrate on which the sealing material SLa is not applied in the above-described sealing material application step is also referred to as “substrate SB2”. The substrate SB2 is the
すなわち、貼り合わせ工程は、貼り合わせ装置が、基板SB1に、加圧済シール材SLbを介して、基板SB2を貼り付ける工程である。 That is, the bonding process is a process in which the bonding apparatus bonds the substrate SB2 to the substrate SB1 via the pressurized sealing material SLb.
以下においては、厚みがdnである加圧済シール材SLbを、「シールパターンSL1n」ともいう。シールパターンSL1nは、流動性を有する。なお、流動性を有するシールパターンSL1nが硬化した当該シールパターンSL1nが、シールパターンSL1である。 Hereinafter, the pressurized sealing material SLb having a thickness of dn is also referred to as “seal pattern SL1n”. The seal pattern SL1n has fluidity. The seal pattern SL1n obtained by curing the seal pattern SL1n having fluidity is the seal pattern SL1.
貼り合わせ工程では、さらに、貼り合わせ装置が、液晶存在状態St1で、加圧済シール材SLbの厚みがdnになるように、当該加圧済シール材SLbに圧力を加える。dnは、前述のGaと同じである。これにより、厚みがdnであるシールパターンSL1nが形成される。また、空間SPC1に液晶が封止される。空間SPC1に封止されている液晶は、図2の液晶30である。貼り合わせ工程における上記の処理により、マザーセル基板が形成される。
In the bonding step, the bonding apparatus further applies pressure to the pressurized seal material SLb so that the thickness of the pressurized seal material SLb is dn in the liquid crystal presence state St1. dn is the same as Ga described above. Thereby, the seal pattern SL1n having a thickness of dn is formed. Further, the liquid crystal is sealed in the space SPC1. The liquid crystal sealed in the space SPC1 is the
次に、ステップS7の硬化処理工程では、シールパターンSL1nを完全に硬化させるための硬化処理が行われる。例えば、シールパターンSL1nが紫外線硬化型樹脂で構成される場合、硬化処理では、シールパターンSL1nに紫外線が照射される。これにより、シールパターンSL1が形成される。 Next, in the curing process step of step S7, a curing process for completely curing the seal pattern SL1n is performed. For example, when the seal pattern SL1n is made of an ultraviolet curable resin, the ultraviolet rays are irradiated to the seal pattern SL1n in the curing process. Thereby, the seal pattern SL1 is formed.
なお、硬化処理では、例えば、シールパターンSL1nに熱を加えて、当該シールパターンSL1nを硬化させてもよい。 In the curing process, for example, the seal pattern SL1n may be cured by applying heat to the seal pattern SL1n.
次に、ステップS8のセル分断工程では、マザーセル基板がスクライブラインに沿って切断される。これにより、マザーセル基板が、複数の液晶パネルに分断される。また、セル分断工程では、端子116が、外部に露出されるように、基板120の端部が切断される。
Next, in the cell dividing step of step S8, the mother cell substrate is cut along the scribe line. Thereby, the mother cell substrate is divided into a plurality of liquid crystal panels. In the cell dividing step, the end of the
以上のように分断された各液晶パネルに対して、ステップS9の偏光板貼り付け工程、ステップS10の制御基板実装工程などが行われる。偏光板貼り付け工程では、液晶パネルの基板110,120に、それぞれ、偏光板51,52が貼り付けられる。また、制御基板実装工程では、液晶パネルに、制御基板135が実装される。これにより、図1および図2の液晶パネル100の製造が完了する。
For each liquid crystal panel divided as described above, a polarizing plate attaching process in step S9, a control board mounting process in step S10, and the like are performed. In the polarizing plate attaching step, polarizing
更に、液晶パネル100の基板110の裏面側(非視認側)に、光学フィルム(図示せず)を介して、バックライトユニット(図示せず)が設けられる。そして、開口が設けられた前述の筐体に、液晶パネル100と、バックライトユニット(図示せず)等の周辺部材が収容される。なお、液晶パネル100の表示領域R10が、筐体の開口により外部に露出されるように、当該筐体に液晶パネル100が収容される、これにより、液晶表示装置500の製造が完了する。
Further, a backlight unit (not shown) is provided on the back side (non-viewing side) of the
以上説明したように、本実施の形態に係る液晶パネルの製造方法は、シール材SLaを基板SB1に塗布する工程(S4A)と、基板SB1のシール材SLaの厚みが、d1になるように、当該シール材SLaに圧力を加える工程(S4B)と、基板SB1に、厚みがd1であるシール材SLaである加圧済シール材SLbを介して、基板SB2を貼り付ける工程(S6)と、を含み、工程(S6)では、さらに、空間SPC1に液晶が設けられた状態で、加圧済シール材SLbの厚みがdnになるように、当該加圧済シール材SLbに圧力を加える。 As described above, in the method of manufacturing the liquid crystal panel according to the present embodiment, the step (S4A) of applying the sealing material SLa to the substrate SB1 and the thickness of the sealing material SLa of the substrate SB1 are d1. A step of applying pressure to the sealing material SLa (S4B), and a step of attaching the substrate SB2 to the substrate SB1 via the pressurized sealing material SLb that is the sealing material SLa having a thickness of d1 (S6). In addition, in the step (S6), pressure is further applied to the pressurized seal material SLb so that the thickness of the pressurized seal material SLb becomes dn in a state where the liquid crystal is provided in the space SPC1.
これにより、基板に塗布されたシール材の厚みがdnになるまで、当該シール材に対し、圧力が一度に加わることを抑制することができる。 Thereby, it can suppress that a pressure is applied with respect to the said sealing material at once until the thickness of the sealing material apply | coated to the board | substrate becomes dn.
また、本実施の形態では、d1は、Ga<d1の式を満たす実数である。また、貼り合わせ工程において、厚みがd1である加圧済シール材SLbの厚みがdn(Ga)になるように、加圧済シール材にさらに圧力が加えられる。これにより、加圧済シール材SLbによる、基板110と基板120との間の接合作用を安定して得ることができる。
In the present embodiment, d1 is a real number that satisfies the formula Ga <d1. Further, in the bonding step, pressure is further applied to the pressurized sealing material so that the thickness of the pressurized sealing material SLb having a thickness of d1 becomes dn (Ga). Thereby, the joining action between the board |
また、本実施の形態では、d1は、d1≦3×Gaの式を満たす実数である。なお、ノズルNZ1から基板に塗布された直後のシール材の厚みは、一般的に、20μmから30μm程度(dn1)である。また、Gaは、例えば、3μmから5μm程度である。そのため、基板に塗布されたシール材の厚みが、1/2倍以下になるように、当該シール材に圧力が加えられることにより、シール材の厚みをd1にすることができる。 In the present embodiment, d1 is a real number that satisfies the formula d1 ≦ 3 × Ga. The thickness of the sealing material immediately after being applied to the substrate from the nozzle NZ1 is generally about 20 μm to 30 μm (dn1). Ga is, for example, about 3 μm to 5 μm. Therefore, the thickness of the sealing material can be set to d1 by applying pressure to the sealing material so that the thickness of the sealing material applied to the substrate is 1/2 times or less.
上記のように、d1は、Ga<d1≦3×Gaの式を満たす実数である。本実施の形態の液晶パネルの製造方法では、閉ループ状の加圧済シール材SLbが形成される。そして、基板に液晶が滴下される。そして、貼り合わせ工程(S6)において、厚みがd1である加圧済シール材SLbの厚みがdn(Ga)になるように、基板110,120により挟まれた当該加圧済シール材SLbに圧力が加えられる。これにより、液晶パネルが製造される。
As described above, d1 is a real number that satisfies the formula Ga <d1 ≦ 3 × Ga. In the method of manufacturing the liquid crystal panel according to the present embodiment, the closed loop pressurized seal material SLb is formed. And a liquid crystal is dripped at a board | substrate. In the bonding step (S6), pressure is applied to the pressurized sealing material SLb sandwiched between the
なお、従来では、滴下注入法により液晶パネルが製造される際、厚みが20μmから30μm程度(dn1)のシール材の厚みが、3μmから5μm程度(Ga)の厚みになるまで、当該シール材に対し、圧力が一度に加えられる。すなわち、従来では、シール材の厚みdn1が、当該dn1の1/5から1/6倍になるまで、当該シール材に対し、圧力が一度に加えられる。 Conventionally, when a liquid crystal panel is manufactured by a dropping injection method, the sealing material having a thickness of about 20 μm to 30 μm (dn1) is used until the thickness of the sealing material becomes about 3 μm to about 5 μm (Ga). In contrast, pressure is applied at once. That is, conventionally, pressure is applied to the sealing material at a time until the thickness dn1 of the sealing material becomes 1/5 to 1/6 times the dn1.
一方、本実施の形態の液晶パネルの製造方法の貼り合わせ工程(S6)では、厚みがd1である加圧済シール材SLbの厚みがdn(Ga)になるように、当該加圧済シール材SLbに圧力が加えられる。d1は、例えば、dn1の1/3倍以下程度である。すなわち、d1は、前述のdn1よりも、Gaに近い値である。つまり、貼り合わせ工程(S6)では、厚みがd1である加圧済シール材SLbに対し加えられる圧力が、上記の従来の方法よりも十分に小さい。 On the other hand, in the bonding step (S6) of the manufacturing method of the liquid crystal panel of the present embodiment, the pressurized sealing material is set so that the thickness of the pressurized sealing material SLb having the thickness d1 is dn (Ga). Pressure is applied to SLb. For example, d1 is about 1/3 or less of dn1. That is, d1 is closer to Ga than dn1 described above. That is, in the bonding step (S6), the pressure applied to the pressurized sealing material SLb having the thickness d1 is sufficiently smaller than the above-described conventional method.
これにより、貼り合わせ工程(S6)において、加圧済シール材SLbに対し圧力が加えられる際、当該加圧済シール材SLbの厚みがGaになる前に、液晶が加圧済シール材SLbに接触することを抑制することができる。その結果、前述の不具合Nが発生することを抑制することができる。 Thereby, in a bonding process (S6), when a pressure is applied with respect to the pressurized sealing material SLb, before the thickness of the said pressurized sealing material SLb becomes Ga, a liquid crystal is applied to the pressurized sealing material SLb. Contact can be suppressed. As a result, the occurrence of the above-described problem N can be suppressed.
不具合Nは、例えば、液晶が障害物となって、シール材を正常に押し潰すことができないという不具合である。また、不具合Nは、例えば、液晶がシール材に接触し、当該液晶が加圧済シール材SLbで囲まれる領域から外側へ漏れ出すという不具合である。 The defect N is, for example, a problem that the liquid crystal becomes an obstacle and the sealing material cannot be normally crushed. In addition, the defect N is, for example, a problem that the liquid crystal comes into contact with the sealing material and the liquid crystal leaks outside from the region surrounded by the pressurized sealing material SLb.
以上により、本実施の形態の液晶パネルの製造方法によれば、ギャップムラ不良、液晶漏れ不良等の発生を防止することができる。これにより、液晶パネルの歩留りを向上させることができる。 As described above, according to the manufacturing method of the liquid crystal panel of the present embodiment, it is possible to prevent the occurrence of gap unevenness defect, liquid crystal leakage defect, and the like. Thereby, the yield of a liquid crystal panel can be improved.
なお、従来のように、シール材に対し圧力が一度に加えられる場合、当該シール材の拡がり量が場所によって均一とならない。これにより、シール材の幅にバラツキが発生する。 In addition, when pressure is applied to the sealing material at a time as in the past, the amount of expansion of the sealing material is not uniform depending on the location. Thereby, the width | variety of a sealing material generate | occur | produces.
一方、本実施の形態の、貼り合わせ工程(S6)では、前述のように、厚みがd1である加圧済シール材SLbに対し加えられる圧力が、上記の従来の方法よりも十分に小さい。これにより、以下の付加的な効果が得られる。当該効果は、シール材の幅にバラツキが発生することを抑制することができるという効果である。これにより、安定的に、シールパターンSL1nを正常に形成することができる。 On the other hand, in the bonding step (S6) of the present embodiment, as described above, the pressure applied to the pressurized sealing material SLb having a thickness d1 is sufficiently smaller than the above-described conventional method. Thereby, the following additional effects can be obtained. The effect is an effect that it is possible to suppress the occurrence of variations in the width of the sealing material. Thereby, the seal pattern SL1n can be stably formed normally.
そのため、シールパターンの接着ハガレなどの発生を抑制することができる。したがって、ギャップムラ不良等の表示不良の発生を抑制することができる。その結果、液晶パネルの製造の歩留りを向上させることができる。これにより、低コストで液晶パネル(液晶表示装置)を製造することができる。また、高い信頼性を有する液晶パネルを得ることができる。 For this reason, it is possible to suppress the occurrence of adhesion peeling of the seal pattern. Therefore, the occurrence of display defects such as gap unevenness defects can be suppressed. As a result, the production yield of the liquid crystal panel can be improved. Thereby, a liquid crystal panel (liquid crystal display device) can be manufactured at low cost. In addition, a highly reliable liquid crystal panel can be obtained.
また、本実施の形態では、前述の構成Ct1,Ct2,Ct3のいずれかが適用された加圧工程と、シール材塗布工程とが行われることにより、厚みがdn1である、基板SB1に塗布された直後のシール材SLaから、厚みがd1である加圧済シール材SLbが形成される。d1は、例えば、dn1の1/2倍以下程度、または、dn1の1/3倍以下程度である。そのため、厚みが小さい加圧済シール材SLbを、好適に形成することができる。 Further, in the present embodiment, by applying the pressurizing process to which any of the above-described configurations Ct1, Ct2, and Ct3 is applied and the sealing material applying process, the coating is applied to the substrate SB1 having a thickness of dn1. A pressurized seal material SLb having a thickness d1 is formed from the seal material SLa immediately after. For example, d1 is about 1/2 times or less of dn1 or about 1/3 times or less of dn1. Therefore, the pressurized seal material SLb having a small thickness can be suitably formed.
なお、滴下注入法は、大型パネルの製造において主に使用されていたが、近年では、小型パネルの製造においても、滴下注入法が使用されている。なお、前述の不具合Nを防ぐためには、液晶の滴下位置を、シール材から遠ざける必要がある。しかしながら、小型パネルでは、液晶の滴下位置とシール材との間において、十分な距離を取ることが難しくなってきている。 The drop injection method is mainly used in the manufacture of large panels, but in recent years, the drop injection method is also used in the manufacture of small panels. In order to prevent the above-described problem N, it is necessary to keep the liquid crystal dropping position away from the sealing material. However, in a small panel, it has become difficult to provide a sufficient distance between the dropping position of the liquid crystal and the sealing material.
これは、以下の要因Xによるためである。当該要因Xを、以下に説明する。小型パネルでは、必要な液晶の容積が小さいのに対し、滴下する液晶の液滴の容積は所定値に決まっている。なお、1つの小型パネルに滴下する液滴の数は、例えば、10滴未満である。そのため、小型パネルでは、液滴を配置する位置を最適化することができない。 This is because of the following factor X. The factor X will be described below. In a small panel, the volume of liquid crystal required is small, whereas the volume of liquid crystal droplets to be dropped is determined to be a predetermined value. Note that the number of droplets dropped on one small panel is, for example, less than 10 droplets. Therefore, in the small panel, it is not possible to optimize the position where the droplets are arranged.
したがって、小型パネルでは、シール材が押し潰される際、液晶が障害物となってしまい、シール材を正常に押し潰すことができないため、前述の不具合Nが発生するという問題がある。 Therefore, in the small panel, when the sealing material is crushed, the liquid crystal becomes an obstacle, and the sealing material cannot be crushed normally.
また、前述の関連技術Aでは、流動制御壁を利用して、液晶の流動速度を制御することにより、実質的に液晶の滴下位置をシール材から遠ざけるのと同様の作用が得られる。しかしながら、小型パネルでは、流動制御壁を配置する場所が殆どない。仮に、小型パネルに流動制御壁を配置した場合、小型パネルの狭額縁化を実現できなない。また、流動制御壁を別途形成するプロセスの増加によりコスト増加などの課題を生ずる。 Further, in the related art A described above, by using the flow control wall to control the flow rate of the liquid crystal, the same effect as moving the liquid crystal dripping position away from the sealing material can be obtained. However, in a small panel, there is almost no place to arrange the flow control wall. If a flow control wall is arranged on a small panel, it is impossible to realize a narrow frame of the small panel. Moreover, problems such as an increase in cost occur due to an increase in the process of separately forming the flow control wall.
なお、小型パネルに限られず、中型以上のパネルにおいても、液晶滴下位置をシール材から離れた位置とすることは困難である。そのため、中型以上のパネルにおいても、液晶が障害物となり、シール材を正常に押し潰すことができないため、前述の不具合Nが発生するという問題がある。 In addition, it is difficult to set the liquid crystal dropping position to a position away from the sealing material not only in the small panel but also in a medium-sized panel or more. For this reason, even in a medium-sized panel or more, the liquid crystal becomes an obstacle, and the sealing material cannot be crushed normally.
そこで、本実施の形態の液晶パネル100(液晶表示装置500)は上記のように構成されるため、上記の問題を解決することができる。 Therefore, since the liquid crystal panel 100 (liquid crystal display device 500) of the present embodiment is configured as described above, the above problem can be solved.
なお、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。 In the present invention, the embodiments can be appropriately modified and omitted within the scope of the invention.
例えば、ステップS5の液晶滴下工程では、シール材が塗布される基板SB1に液晶を滴下するとしたがこれに限定されない。ステップS5の液晶滴下工程では、前述の基板SB2の主面に液晶が滴下されてもよい。この場合、液晶滴下工程は、空間SPC1に液晶が設けられるように、基板SB2に当該液晶を設ける工程である。 For example, in the liquid crystal dropping process in step S5, the liquid crystal is dropped on the substrate SB1 to which the sealing material is applied, but the present invention is not limited to this. In the liquid crystal dropping step of step S5, the liquid crystal may be dropped on the main surface of the substrate SB2. In this case, the liquid crystal dropping step is a step of providing the liquid crystal on the substrate SB2 so that the liquid crystal is provided in the space SPC1.
すなわち、本実施の形態の液晶パネルの製造方法では、加圧済シール材SLbおよび液晶が同一の基板に設けられる処理、加圧済シール材SLbおよび液晶の各々が異なる基板に設けられる処理のいずれが行われてもよい。 That is, in the manufacturing method of the liquid crystal panel of the present embodiment, either the process in which the pressurized sealant SLb and the liquid crystal are provided on the same substrate, or the process in which each of the pressurized sealant SLb and the liquid crystal is provided on different substrates. May be performed.
いずれの処理においても、液晶が滴下される対象となる基板が、下側に配置された状態で、液晶滴下工程および貼り合わせ工程が行われることにより、特に問題なく、空間SPC1に液晶を封止することができる。 In any process, the liquid crystal dropping step and the bonding step are performed in a state where the substrate on which the liquid crystal is dropped is arranged on the lower side, so that the liquid crystal is sealed in the space SPC1 without any particular problem. can do.
以下においては、閉ループ状のシール材SLaの一部が分離された当該シール材SLaを、「分離シール材SLap」ともいう。分離シール材SLapは、閉ループ状のシール材SLaの一部が分離されることにより形成される始点部および終点部を有する。 Hereinafter, the sealing material SLa from which a part of the closed-loop sealing material SLa is separated is also referred to as a “separated sealing material SLap”. The separation sealing material SLap has a start point and an end point formed by separating a part of the closed loop sealing material SLa.
また、シール材塗布工程では、ディスペンサが、基板SB1に、閉ループ状のシール材SLaが設けられるように、当該シール材SLaを当該基板SB1に塗布するとしたがこれに限定されない。シール材塗布工程では、ディスペンサが、基板SB1に、分離シール材SLapが設けられるように、当該分離シール材SLapを当該基板SB1に塗布する構成としてもよい。 In the sealing material application step, the dispenser applies the sealing material SLa to the substrate SB1 so that the closed loop-shaped sealing material SLa is provided on the substrate SB1, but the invention is not limited thereto. In the sealing material application step, the dispenser may apply the separation sealing material SLap to the substrate SB1 so that the separation sealing material SLap is provided on the substrate SB1.
当該構成では、貼り合わせ工程において、分離シール材SLapの始点部および終点部が接合されるように、貼り合わせ装置が、当該分離シール材SLapに圧力を加える。これにより、分離シール材SLapが、閉ループ状のシール材SLaとなる。 In the said structure, a bonding apparatus applies a pressure to the said isolation | separation sealing material Slap so that the starting point part and the end point part of the isolation | separation sealing material SLap may be joined in a bonding process. Thereby, the separation sealing material SLap becomes a closed loop sealing material SLa.
30 液晶、100 液晶パネル、110,120,SB1,SB2 基板、500 液晶表示装置、CV1 カバー、NZ1 ノズル、NZx 先端、RL1 ローラー、SL1,SL1n シールパターン、SLa シール材。 30 liquid crystal, 100 liquid crystal panel, 110, 120, SB1, SB2 substrate, 500 liquid crystal display device, CV1 cover, NZ1 nozzle, NZx tip, RL1 roller, SL1, SL1n seal pattern, SLa seal material.
Claims (5)
前記液晶パネルの製造方法は、
流動性を有するシール材を前記第1基板に塗布する工程(a)と、
前記第1基板の前記シール材の厚みが、d1(d1>dnを満たす実数)になるように、当該シール材に圧力を加える工程(b)と、
前記第1基板に、厚みが前記d1である前記シール材である加圧済シール材を介して、前記第2基板を貼り付ける工程(c)と、
前記工程(a)と、前記工程(c)との間に行われる工程であって、前記工程(c)において使用される、前記第1基板、前記加圧済シール材および前記第2基板から形成される空間に、液晶が設けられるように、当該第1基板または当該第2基板に当該液晶を設ける工程(d)と、を含み、
前記工程(c)では、さらに、前記空間に前記液晶が設けられた状態で、前記加圧済シール材の厚みが前記dnになるように、当該加圧済シール材に圧力を加える
液晶パネルの製造方法。 A method of manufacturing a liquid crystal panel having a structure in which a first substrate and a second substrate are bonded to each other by a seal pattern having a thickness of dn (real number greater than 0),
The manufacturing method of the liquid crystal panel is as follows:
A step (a) of applying a fluid sealing material to the first substrate;
A step (b) of applying pressure to the sealing material such that the thickness of the sealing material of the first substrate is d1 (a real number satisfying d1>dn);
A step (c) of attaching the second substrate to the first substrate via a pressurized sealing material which is the sealing material having the thickness d1;
A step performed between the step (a) and the step (c), and used from the first substrate, the pressurized sealant and the second substrate used in the step (c). And (d) providing the liquid crystal on the first substrate or the second substrate so that the liquid crystal is provided in the space to be formed,
In the step (c), in the state where the liquid crystal is provided in the space, pressure is applied to the pressurized sealing material so that the thickness of the pressurized sealing material becomes the dn. Production method.
Ga<d1≦3×Ga
の式が満たされる
請求項1に記載の液晶パネルの製造方法。 In the liquid crystal panel having a structure in which the first substrate and the second substrate are bonded to each other by the seal pattern, when the gap between the first substrate and the second substrate is defined as Ga, the d1 and About the Ga
Ga <d1 ≦ 3 × Ga
The method for manufacturing a liquid crystal panel according to claim 1, wherein:
前記ノズルのうち、当該ノズルが移動する方向と反対の方向側には、ローラーが取付けられており、
前記工程(b)では、前記ローラーが前記シール材に圧力を加える
請求項1または2に記載の液晶パネルの製造方法。 In the step (a), a nozzle that moves while discharging the sealing material is used,
A roller is attached to the direction side opposite to the direction in which the nozzle moves among the nozzles,
The method for manufacturing a liquid crystal panel according to claim 1, wherein in the step (b), the roller applies pressure to the sealing material.
前記ノズルの外側には、カバーが取付けられており、
前記工程(b)では、前記カバーが前記シール材に圧力を加える
請求項1または2に記載の液晶パネルの製造方法。 In the step (a), a nozzle that moves while discharging the sealing material is used,
A cover is attached to the outside of the nozzle,
The method for manufacturing a liquid crystal panel according to claim 1, wherein in the step (b), the cover applies pressure to the sealing material.
前記ノズルの先端は、当該先端により前記シール材に圧力を加えるための形状を有し、
前記工程(b)では、前記ノズルの前記先端が前記シール材に圧力を加える
請求項1または2に記載の液晶パネルの製造方法。 In the step (a), a nozzle that moves while discharging the sealing material is used,
The tip of the nozzle has a shape for applying pressure to the sealant by the tip,
The method for manufacturing a liquid crystal panel according to claim 1, wherein in the step (b), the tip of the nozzle applies pressure to the sealing material.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016022483A JP2017142316A (en) | 2016-02-09 | 2016-02-09 | Method for manufacturing liquid crystal panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016022483A JP2017142316A (en) | 2016-02-09 | 2016-02-09 | Method for manufacturing liquid crystal panel |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017142316A true JP2017142316A (en) | 2017-08-17 |
Family
ID=59629139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016022483A Pending JP2017142316A (en) | 2016-02-09 | 2016-02-09 | Method for manufacturing liquid crystal panel |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017142316A (en) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0252742A (en) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Hitachi Techno Eng Co Ltd | Screenless pattern drawing device |
JPH0515818A (en) * | 1991-07-12 | 1993-01-26 | Hitachi Techno Eng Co Ltd | Paste applying machine |
JPH1099760A (en) * | 1996-09-26 | 1998-04-21 | Toshiba Corp | Coating device |
KR20010028154A (en) * | 1999-09-18 | 2001-04-06 | 구본준, 론 위라하디락사 | seal printing apparatus for LCD |
JP2005099300A (en) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | Method and device for seal material drawing, and method and device for manufacturing liquid crystal device |
US20050128419A1 (en) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Soo-Min Kwak | Dispenser for liquid crystal display panel |
JP2007248694A (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Epson Imaging Devices Corp | Electro-optical device, and electronic apparatus |
JP2009215364A (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Fujifilm Corp | Photocurable composition, and adhesion method and method for manufacturing liquid crystal panel using the same |
WO2015145439A1 (en) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | Stratasys Ltd. | Method and system for fabricating cross-layer pattern |
WO2015152030A1 (en) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 積水化学工業株式会社 | Sealing agent for liquid crystal dropping methods, vertically conducting material and liquid crystal display element |
-
2016
- 2016-02-09 JP JP2016022483A patent/JP2017142316A/en active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0252742A (en) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Hitachi Techno Eng Co Ltd | Screenless pattern drawing device |
JPH0515818A (en) * | 1991-07-12 | 1993-01-26 | Hitachi Techno Eng Co Ltd | Paste applying machine |
JPH1099760A (en) * | 1996-09-26 | 1998-04-21 | Toshiba Corp | Coating device |
KR20010028154A (en) * | 1999-09-18 | 2001-04-06 | 구본준, 론 위라하디락사 | seal printing apparatus for LCD |
JP2005099300A (en) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | Method and device for seal material drawing, and method and device for manufacturing liquid crystal device |
US20050128419A1 (en) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Soo-Min Kwak | Dispenser for liquid crystal display panel |
JP2007248694A (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Epson Imaging Devices Corp | Electro-optical device, and electronic apparatus |
JP2009215364A (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Fujifilm Corp | Photocurable composition, and adhesion method and method for manufacturing liquid crystal panel using the same |
WO2015145439A1 (en) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | Stratasys Ltd. | Method and system for fabricating cross-layer pattern |
WO2015152030A1 (en) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 積水化学工業株式会社 | Sealing agent for liquid crystal dropping methods, vertically conducting material and liquid crystal display element |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2016204056A1 (en) | Method for manufacturing display device, and display device | |
JP6749075B2 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device | |
JP2012226264A (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
JP4987422B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
KR20030052711A (en) | A Liquid Crystal Display Device And The Method For Manufacturing The Same | |
JP2015028541A (en) | Liquid crystal display element and method for manufacturing the same | |
JP2017102276A (en) | Curved display device | |
KR20120018978A (en) | Method for fabricating liquid crystal panel | |
KR102348373B1 (en) | Liquid crystal display device | |
WO2011145258A1 (en) | Display device and manufacturing method for same | |
JP5073297B2 (en) | Liquid crystal display panel and method for manufacturing liquid crystal display panel | |
US6593992B1 (en) | Liquid crystal display and method for fabricating the same | |
JP5563893B2 (en) | Liquid crystal display panel, manufacturing method thereof, and liquid crystal display device | |
JP2017142316A (en) | Method for manufacturing liquid crystal panel | |
US10895785B2 (en) | Liquid crystal display panel, liquid crystal display panel body component, and method of producing liquid crystal display panels | |
JP2007025066A (en) | Manufacturing method for liquid crystal display panel | |
WO2016157399A1 (en) | Liquid crystal panel and liquid crystal display device | |
KR101451742B1 (en) | Liquid crystal display panel and method of fabricating the same | |
JP2010175727A (en) | Liquid crystal display device | |
JP6205471B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP6671182B2 (en) | Liquid crystal display panel manufacturing method | |
JP2014071341A (en) | Display element and method for manufacturing the same | |
JP2009162828A (en) | Method for manufacturing substrate device | |
JP2009093132A (en) | Cell for liquid crystal display device, method for manufacturing the same, and method for manufacturing liquid crystal display device | |
WO2018221315A1 (en) | Display panel and connected display panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200714 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210202 |