JP2017139302A - Circuit configuration, manufacturing method for the same and power supply device - Google Patents

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暁光 鄭
Akimitsu Tei
暁光 鄭
茂樹 枡田
Shigeki Masuda
茂樹 枡田
宏司 小林
Koji Kobayashi
宏司 小林
幸伯 山田
Kohaku Yamada
幸伯 山田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit configuration for efficiently radiating heat from a power device while suppressing the production cost.SOLUTION: In a circuit configuration 10 comprising a heat radiation member 1, an electronic circuit board 3, and a power device 4, the heat radiation member includes a first region R1 in which the electronic circuit board is mounted, and a second region R2 in which the power device is mounted. An adhesive layer 7 is disposed between the first region and the electronic circuit board, and a heat radiation layer 5 is disposed between the second region and the power device. The thermal conductivity at room temperature in the thickness direction of the heat radiation layer is equal to 10 W/mK or more.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、回路構成体に関し、特に放熱性の向上に関する。   The present invention relates to a circuit structure, and more particularly to improvement of heat dissipation.

電源装置には、電源から供給される電力を制御するためのパワーデバイスと、パワーデバイスを制御するための制御部を搭載した電子回路基板とが組み込まれている。パワーデバイスに電力が供給されると、内部抵抗により熱が発生する。電源装置の小型化に伴い、電源装置内の密度はますます高まっていくと考えられ、発生した熱への対策は重要な課題である。これに関し、特許文献1は、バスバー(bus bar)を介してパワーデバイスと放熱部材とを熱的に接続し、放熱の効率を高めることを教示している。   The power supply device incorporates a power device for controlling the power supplied from the power source and an electronic circuit board on which a control unit for controlling the power device is mounted. When power is supplied to the power device, heat is generated by the internal resistance. With the miniaturization of the power supply device, the density in the power supply device is considered to increase more and more, and countermeasures against the generated heat are an important issue. In this regard, Patent Document 1 teaches that the power device and the heat radiating member are thermally connected via a bus bar to increase the heat radiation efficiency.

特開2003−164040号公報JP 2003-164040 A

特許文献1では、パワーデバイスは、電子回路基板とともに、バスバーを介して放熱部材に接着されている。これにより、パワーデバイスで発生した熱は、バスバーに伝達されて拡散しながら、やがて放熱部材へと伝達される。   In Patent Document 1, the power device is bonded to the heat dissipation member through the bus bar together with the electronic circuit board. Thereby, the heat generated by the power device is transmitted to the bus bar and diffused, and then is transmitted to the heat radiating member.

パワーデバイスに供給される電流が小さい場合、バスバーを省略することができる。この場合、放熱部材と電子回路基板とは、熱硬化性樹脂を含む接着剤を介して接着されており、パワーデバイスは、電子回路基板に搭載されている。熱硬化性樹脂は、一般的に熱伝導率が低い。熱硬化性樹脂にセラミックス等の粒子を配合すると、熱伝導率は向上するが、コストも高くなる。   When the current supplied to the power device is small, the bus bar can be omitted. In this case, the heat dissipation member and the electronic circuit board are bonded via an adhesive containing a thermosetting resin, and the power device is mounted on the electronic circuit board. Thermosetting resins generally have low thermal conductivity. When particles such as ceramics are added to the thermosetting resin, the thermal conductivity is improved, but the cost is also increased.

本発明の一局面は、放熱部材と、電子回路基板と、パワーデバイスと、を備える回路構成体であって、前記放熱部材が、前記電子回路基板が搭載される第1領域と、前記パワーデバイスが搭載される第2領域と、を備え、前記第1領域と前記電子回路基板との間に接着層が配置されており、前記第2領域と前記パワーデバイスとの間に放熱層が配置されており、前記放熱層の厚み方向の常温における熱伝導率が、10W/m・K以上である、回路構成体に関する。   One aspect of the present invention is a circuit structure that includes a heat dissipation member, an electronic circuit board, and a power device, wherein the heat dissipation member includes a first region in which the electronic circuit board is mounted, and the power device. A second region on which is mounted, an adhesive layer is disposed between the first region and the electronic circuit board, and a heat dissipation layer is disposed between the second region and the power device. And the thermal conductivity at normal temperature in the thickness direction of the heat dissipation layer is 10 W / m · K or more.

本発明の他の一局面は、放熱部材と、電子回路基板と、パワーデバイスと、を備え、前記放熱部材が、前記電子回路基板が搭載される第1領域と、前記パワーデバイスが放熱層を介して搭載される第2領域と、を備える回路構成体の製造方法であって、前記第1領域に、接着層を介して前記電子回路基板を搭載する工程と、前記第2領域に、前記放熱層を形成する工程と、を備え、前記放熱層を形成する工程が、前記第2領域に、セラミックスの粒子を付着させてセラミックス層を形成する工程と、前記セラミックス層の表面に導体層を形成する工程と、を備える、回路構成体の製造方法に関する。   Another aspect of the present invention includes a heat radiating member, an electronic circuit board, and a power device, wherein the heat radiating member has a first region in which the electronic circuit board is mounted, and the power device has a heat radiating layer. A second region mounted on the first region, the step of mounting the electronic circuit board on the first region via an adhesive layer, and the second region on the second region, Forming a heat dissipating layer, wherein the step of forming the heat dissipating layer includes forming a ceramic layer by adhering ceramic particles to the second region, and providing a conductor layer on the surface of the ceramic layer. And a step of forming the circuit structure.

本発明のさらに他の一局面は、上記回路構成体を備える、電源装置に関する。   Still another aspect of the present invention relates to a power supply device including the circuit configuration body.

本発明によれば、生産コストを抑制しながら、パワーデバイスからの熱を効率よく放熱することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the heat from a power device can be thermally radiated efficiently, suppressing production cost.

本発明の実施形態に係る回路構成体の構成を示す上面図(a)および断面図(b)である。It is the top view (a) and sectional view (b) which show the composition of the circuit composition object concerning the embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る回路構成体の製造方法を説明する断面図((a)〜(e))である。It is sectional drawing ((a)-(e)) explaining the manufacturing method of the circuit structure which concerns on embodiment of this invention. 従来の回路構成体の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional circuit structure.

[発明の実施形態の説明]
最初に本発明の実施形態の内容を列記して説明する。
本発明に係る回路構成体は、(1)放熱部材と、電子回路基板と、パワーデバイスと、を備える回路構成体であって、前記放熱部材が、前記電子回路基板が搭載される第1領域と、前記パワーデバイスが搭載される第2領域と、を備え、前記第1領域と前記電子回路基板との間に接着層が配置されており、前記第2領域と前記パワーデバイスとの間に放熱層が配置されており、前記放熱層の厚み方向の常温における熱伝導率が、10W/m・K以上である。これにより、パワーデバイスからの放熱の効率が向上する。よって、電子回路基板と放熱部材とを高価な接着剤で接着させる必要がなく、生産コストを抑制することができる。
[Description of Embodiment of the Invention]
First, the contents of the embodiment of the present invention will be listed and described.
A circuit structure according to the present invention is (1) a circuit structure including a heat dissipation member, an electronic circuit board, and a power device, wherein the heat dissipation member is a first region in which the electronic circuit board is mounted. And a second region on which the power device is mounted, and an adhesive layer is disposed between the first region and the electronic circuit board, and between the second region and the power device. A heat dissipation layer is disposed, and the heat conductivity at normal temperature in the thickness direction of the heat dissipation layer is 10 W / m · K or more. Thereby, the efficiency of heat radiation from the power device is improved. Therefore, it is not necessary to bond the electronic circuit board and the heat radiating member with an expensive adhesive, and the production cost can be suppressed.

(2)前記放熱層は、前記放熱部材側に配置されるセラミックス層と、前記パワーデバイス側に配置される導体層と、を含むことが好ましい。これにより、放熱層の熱伝導率がさらに向上する。(3)このとき、前記導体層と前記パワーデバイスとの間に、導電性の接合層が配置されることが好ましい。   (2) It is preferable that the said heat radiating layer contains the ceramic layer arrange | positioned at the said heat radiating member side, and the conductor layer arrange | positioned at the said power device side. Thereby, the thermal conductivity of the heat dissipation layer is further improved. (3) At this time, it is preferable that a conductive bonding layer is disposed between the conductor layer and the power device.

(4)前記セラミックス層の厚みは、10〜200μmであることが好ましい。また、(5)前記導体層の厚みは、10〜200μmであることが好ましい。放熱層の熱伝導率がさらに向上するためである。   (4) The thickness of the ceramic layer is preferably 10 to 200 μm. Moreover, (5) It is preferable that the thickness of the said conductor layer is 10-200 micrometers. This is because the thermal conductivity of the heat dissipation layer is further improved.

(6)本発明に係る回路構成体の製造方法は、放熱部材と、電子回路基板と、パワーデバイスと、を備え、前記放熱部材が、前記電子回路基板が搭載される第1領域と、前記パワーデバイスが放熱層を介して搭載される第2領域と、を備える回路構成体の製造方法であって、前記第1領域に、接着層を介して前記電子回路基板を搭載する工程と、前記第2領域に、前記放熱層を形成する工程と、を備え、前記放熱層を形成する工程が、前記第2領域に、セラミックスの粒子を付着させてセラミックス層を形成する工程と、前記セラミックス層の表面に導体層を形成する工程と、を備える。この方法によれば、コストを抑制しながら、パワーデバイスからの熱を効率よく放熱できる回路構成体を得ることができる。   (6) A method of manufacturing a circuit structure according to the present invention includes a heat dissipation member, an electronic circuit board, and a power device, wherein the heat dissipation member includes a first region in which the electronic circuit board is mounted, A second region where a power device is mounted via a heat dissipation layer, and a step of mounting the electronic circuit board on the first region via an adhesive layer; Forming the heat dissipation layer in a second region, the step of forming the heat dissipation layer forming a ceramic layer by adhering ceramic particles to the second region, and the ceramic layer Forming a conductor layer on the surface of the substrate. According to this method, it is possible to obtain a circuit structure that can efficiently dissipate heat from the power device while suppressing costs.

(7)本発明に係る電源装置は、上記回路構成体を備える。このような電源装置は放熱性に優れる。   (7) A power supply device according to the present invention includes the above circuit configuration body. Such a power supply device is excellent in heat dissipation.

[発明の実施形態の詳細]
本発明の一実施形態を具体的に以下に説明する。なお、本発明は、以下の内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
[Details of the embodiment of the invention]
An embodiment of the present invention will be specifically described below. In addition, this invention is not limited to the following content, but is shown by the claim, and it is intended that all the changes within the meaning and range equivalent to a claim are included.

本実施形態に係る回路構成体は、放熱部材、電子回路基板およびパワーデバイスを備える。このような回路構成体は、パワーデバイスに供給される電流が小さい(例えば、30A以下)場合に好適である。また、本実施形態に係る電源装置は、上記回路構成体を備える。   The circuit structure according to the present embodiment includes a heat dissipation member, an electronic circuit board, and a power device. Such a circuit structure is suitable when the current supplied to the power device is small (for example, 30 A or less). Moreover, the power supply device which concerns on this embodiment is provided with the said circuit structure.

パワーデバイスは、電力の制御や供給を行う半導体であって、電子回路基板に搭載された制御部によって制御されている。電力は、所定の電源から、パワーデバイスに供給される。放熱部材は、パワーデバイスにより生じた熱を電源装置の外部に放出するために配置される。そのため、放熱部材とパワーデバイスとは、熱的に接続されている。   A power device is a semiconductor that controls and supplies power, and is controlled by a control unit mounted on an electronic circuit board. Electric power is supplied from a predetermined power source to the power device. The heat dissipating member is disposed to release heat generated by the power device to the outside of the power supply device. Therefore, the heat dissipation member and the power device are thermally connected.

[放熱部材]
放熱部材は、パワーデバイスによって発生した熱を、電源装置の外部に放熱する役割を果たす。放熱部材の材質は、高い熱伝導率(例えば、20W/m・K以上。以下、同じ)を有するものであれば特に限定されず、例えば、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、ステンレス鋼等の金属や、後述するセラミックス等が挙げられる。なかでも、成形し易い点で、Alが好ましい。
[Heat dissipation member]
The heat dissipation member plays a role of radiating heat generated by the power device to the outside of the power supply device. The material of the heat radiating member is not particularly limited as long as it has a high thermal conductivity (for example, 20 W / m · K or more, hereinafter the same), for example, aluminum (Al), copper (Cu), stainless steel, etc. These metals and ceramics described later can be used. Of these, Al is preferable because it is easy to mold.

放熱部材の形状も特に限定されず、平板状であっても良いし、回路構成体を収容することのできる箱型(筺体)であっても良い。放熱部材が平板状である場合、回路構成体は、箱型のヒートシンクに収容されて、ヒートシンクと熱的に接続されていても良いし、電源装置が収容される筺体と熱的に接続されていても良い。放熱部材の厚み(肉厚)は特に限定されないが、放熱性の観点から、3〜10mmであることが好ましい。   The shape of the heat dissipating member is not particularly limited, and may be a flat plate shape or a box shape (casing body) that can accommodate a circuit component. When the heat dissipating member has a flat plate shape, the circuit structural body may be housed in a box-shaped heat sink and thermally connected to the heat sink, or may be thermally connected to the housing in which the power supply device is housed. May be. Although the thickness (thickness) of a heat radiating member is not specifically limited, It is preferable that it is 3-10 mm from a heat dissipation viewpoint.

図3に示されるように、従来、パワーデバイス104は、電子回路基板103とともに放熱部材101に接着されている。これにより、パワーデバイス104で発生した熱は放熱部材101へと伝達される。放熱部材101とパワーデバイス104との接着は、接着層107を介して行われる。放熱の効率を高めるために、接着層107には、例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂にセラミックス等の熱伝導率の高い粒子が配合された樹脂組成物が用いられる。この場合、生産コストが上昇する。あるいは、パワーデバイスを複数使用して、1つのパワーデバイスに流れる電流を小さくすることが行われている。これにより、発生する熱が放熱部材上で分散し、放熱の効果が高まる。この場合、放熱部材上に複数のパワーデバイスを搭載し、並列に接続する必要があるため、回路構成体100を小型化することが困難となり、コストも増大する。また、使用されるパワーデバイスの種類および形状等が制限される。   As shown in FIG. 3, the power device 104 is conventionally bonded to the heat dissipation member 101 together with the electronic circuit board 103. Thereby, the heat generated in the power device 104 is transmitted to the heat radiating member 101. Adhesion between the heat dissipation member 101 and the power device 104 is performed via an adhesive layer 107. In order to increase the efficiency of heat dissipation, for the adhesive layer 107, for example, a resin composition in which particles having high thermal conductivity such as ceramics are mixed with a thermosetting resin such as an epoxy resin or a silicone resin is used. In this case, the production cost increases. Alternatively, a plurality of power devices are used to reduce the current flowing through one power device. Thereby, the generated heat is dispersed on the heat radiating member, and the effect of heat dissipation is enhanced. In this case, since it is necessary to mount a plurality of power devices on the heat dissipating member and connect them in parallel, it is difficult to reduce the size of the circuit structure 100 and the cost also increases. In addition, the type and shape of the power device used are limited.

本実施形態では、放熱部材に搭載される電子部品のうち、発熱の大きい電子部品について、放熱層を介して放熱部材と熱的に接続させる。すなわち、回路構成体において、パワーデバイスを、放熱層を介して放熱部材に熱的に接続させる。一方、電子回路基板を、バスバーおよび接着層を介して放熱部材に接着させる。このように、放熱部材を、電子回路基板が搭載される第1領域と、パワーデバイスが搭載される第2領域とに分け、第2領域には、熱伝導率の高い放熱層を介してパワーデバイスを搭載する。第1領域では、放熱を考慮する必要性が低いため、セラミックス等を含まない接着剤を用いることができる。つまり、従来のように放熱部材の一方の表面の全面に、高コストの熱伝導性の高い接着剤を塗布しなくても良い。よって、生産コストが抑制される。また、必ずしも複数のパワーデバイスを使用することを要しないため、回路構成体の小型化に有利である。さらに、第1領域と第2領域とで、共通する構成要素(例えば、電子回路基板)を配置することを要せず、また、放熱部材の構成を変えることができるため、設計の自由度が向上する。例えば、後述するように、凸部を有する放熱部材を用いることができる。   In this embodiment, among the electronic components mounted on the heat dissipation member, an electronic component that generates a large amount of heat is thermally connected to the heat dissipation member via the heat dissipation layer. That is, in the circuit structure, the power device is thermally connected to the heat dissipation member via the heat dissipation layer. On the other hand, the electronic circuit board is bonded to the heat dissipation member via the bus bar and the adhesive layer. In this way, the heat dissipation member is divided into a first region where the electronic circuit board is mounted and a second region where the power device is mounted, and the second region is powered through a heat dissipation layer with high thermal conductivity. Mount the device. In the first region, since it is less necessary to consider heat dissipation, an adhesive that does not contain ceramics or the like can be used. That is, it is not necessary to apply a high-cost adhesive with high thermal conductivity on the entire surface of one surface of the heat dissipation member as in the past. Therefore, the production cost is suppressed. Further, since it is not always necessary to use a plurality of power devices, it is advantageous for downsizing the circuit structure. Furthermore, it is not necessary to arrange common components (for example, an electronic circuit board) in the first region and the second region, and the configuration of the heat dissipation member can be changed, so that the degree of freedom in design is increased. improves. For example, as will be described later, a heat radiating member having a convex portion can be used.

[パワーデバイス]
パワーデバイスは、電源から供給される電力を制御し、制御された電力を他の電子部品や負荷に供給する半導体である。パワーデバイスとしては、ダイオード、トランジスタ、さらには、これらを集積した集積回路(IC、LSI等)等が例示できる。なかでも、応用範囲が広い点で、トランジスタが好ましく用いられる。代表的なトランジスタとしては、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等のバイポーラトランジスタ、MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)等が挙げられる。これらは、取り扱う電力の大きさ等に応じて使い分けられる。パワーデバイスは、第2領域内に複数配置されても良い。
[Power device]
A power device is a semiconductor that controls power supplied from a power source and supplies the controlled power to other electronic components and loads. Examples of the power device include a diode, a transistor, and an integrated circuit (IC, LSI, etc.) in which these are integrated. Among these, transistors are preferably used because they have a wide application range. Typical transistors include bipolar transistors such as IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors), and the like. These are properly used according to the magnitude of power to be handled. A plurality of power devices may be arranged in the second region.

[放熱層]
パワーデバイスに電力が供給されると、内部抵抗によりパワーデバイスは発熱する。そのため、パワーデバイスを放熱部材と熱的に接続させ、パワーデバイスが発生する熱を電源装置の外部に放出させる。一方で、パワーデバイスと放熱部材とは、電気的に絶縁させる必要がある。そのため、パワーデバイスと放熱部材とは、絶縁性の層を介して接続される。放熱層が複数の層の積層体である場合、放熱層全体として、パワーデバイスと放熱部材とを絶縁できれば良く、放熱層は絶縁性の層と導電性の層(例えば、後述する導体層)とを含んでいても良い。
[Heat dissipation layer]
When power is supplied to the power device, the power device generates heat due to the internal resistance. Therefore, the power device is thermally connected to the heat radiating member, and the heat generated by the power device is released to the outside of the power supply apparatus. On the other hand, the power device and the heat dissipation member need to be electrically insulated. Therefore, the power device and the heat dissipation member are connected via an insulating layer. When the heat dissipation layer is a laminate of a plurality of layers, it is only necessary to insulate the power device and the heat dissipation member as the entire heat dissipation layer. The heat dissipation layer includes an insulating layer and a conductive layer (for example, a conductor layer described later). May be included.

放熱層は、パワーデバイスから発生された熱を、放熱部材に伝達するために配置される。放熱層の厚み方向の熱伝導率は、常温(例えば、15〜25℃)において、10W/m・K以上である。なかでも、放熱層の熱伝導率は20W/m・Kであることが好ましい。熱伝導率は、JIS A 1412−2に準じて測定された数値である。   The heat dissipating layer is disposed to transmit heat generated from the power device to the heat dissipating member. The heat conductivity in the thickness direction of the heat dissipation layer is 10 W / m · K or more at room temperature (for example, 15 to 25 ° C.). Especially, it is preferable that the heat conductivity of a thermal radiation layer is 20 W / m * K. The thermal conductivity is a numerical value measured according to JIS A 1412-2.

絶縁性の層の材質は、熱伝導率および絶縁性の高い材質である限り、特に限定されない。このような材質としては、セラミックスやセラミックスの粒子を含む熱硬化性樹脂(熱伝導性の熱硬化性樹脂)等が挙げられる。なかでも、放熱性の観点から、放熱層は、高い熱伝導率を有するセラミックスを含むことが好ましく、セラミックスの粒子の連続体(以下、セラミックス層と称する)を含むことがより好ましい。放熱性の観点から、セラミックス層は、第2領域と接触していることが好ましい。   The material of the insulating layer is not particularly limited as long as it is a material having high thermal conductivity and high insulating properties. Examples of such a material include ceramics and thermosetting resins (thermally conductive thermosetting resins) containing ceramic particles. Among these, from the viewpoint of heat dissipation, the heat dissipation layer preferably includes a ceramic having high thermal conductivity, and more preferably includes a continuous body of ceramic particles (hereinafter referred to as a ceramic layer). From the viewpoint of heat dissipation, the ceramic layer is preferably in contact with the second region.

このようなセラミックス層は、セラミックスの粒子を放熱部材の表面に付着させる方法により形成することができる。この方法については、後述する。セラミックス層を形成するセラミックスの粒子同士は、原子の拡散により接合(拡散接合)していても良いし、接触しているだけであっても良い。セラミックス層では、セラミックスの粒子同士が互いに拡散接合あるいは接触することにより、セラミックス粒子の連続体を形成している。   Such a ceramic layer can be formed by a method in which ceramic particles are adhered to the surface of the heat dissipation member. This method will be described later. Ceramic particles forming the ceramic layer may be bonded (diffusion bonded) by atomic diffusion or may be just in contact. In the ceramic layer, ceramic particles are diffused or brought into contact with each other to form a continuous body of ceramic particles.

20W/m・K以上の熱伝導率を有するセラミックスとしては、炭化珪素(SiC)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化珪素(SiN)、酸化アルミニウム(Al)等が例示できる。なかでも、熱伝導率および電気絶縁性に特に優れ、高い耐食性を備える点で、酸化アルミニウムが好ましい。 Examples of ceramics having a thermal conductivity of 20 W / m · K or more include silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN), silicon nitride (SiN), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and the like. Of these, aluminum oxide is preferred because it is particularly excellent in thermal conductivity and electrical insulation and has high corrosion resistance.

放熱層がセラミックス層を含む場合、セラミックス層のパワーデバイスに対向する面に、導体層を配置することが好ましい。放熱性の観点から、導体層は、セラミックス層に接触していることが好ましい。この場合、放熱層は、セラミックス層と導体層との複合層である。また、導体層は、パワーデバイスの接続端子として機能する。これにより、パワーデバイスと電子回路基板とを、導体層を介して電気的に接続することができる。放熱層が上記のような複合層である場合、放熱層の熱伝導率は、以下のような近似計算式を用いて、各層の構成材料の熱伝導率および厚みから算出することができる。
(L+L)/(μS)=L/(μS)+L/(μS)
なお、式中、μは放熱層の熱伝導率、μはセラミック層の熱伝導率、μは導体層の熱伝導率、Sは、放熱層において、セラミックス層および導体層が積層されている部分を、放熱層の主面の法線方向からみた面積、Lはセラミック層の厚み、Lは導体層の厚み、である。
When the heat dissipation layer includes a ceramic layer, it is preferable to dispose a conductor layer on the surface of the ceramic layer facing the power device. From the viewpoint of heat dissipation, the conductor layer is preferably in contact with the ceramic layer. In this case, the heat dissipation layer is a composite layer of a ceramic layer and a conductor layer. The conductor layer functions as a connection terminal for the power device. Thereby, a power device and an electronic circuit board can be electrically connected via a conductor layer. When the heat dissipation layer is a composite layer as described above, the thermal conductivity of the heat dissipation layer can be calculated from the thermal conductivity and thickness of the constituent material of each layer using the following approximate calculation formula.
(L 1 + L 2 ) / (μS) = L 1 / (μ 1 S) + L 2 / (μ 2 S)
In the formula, μ is the thermal conductivity of the heat dissipation layer, μ 1 is the thermal conductivity of the ceramic layer, μ 2 is the thermal conductivity of the conductor layer, and S is the heat dissipation layer in which the ceramic layer and the conductor layer are laminated. , L 1 is the thickness of the ceramic layer, and L 2 is the thickness of the conductor layer.

放熱層とパワーデバイスとは、接合層を介して接合されていても良い。この場合、接合層もまた、高い熱伝導率を備えることが好ましい。また、放熱層がセラミックス層および導体層を含む場合、接合層はさらに導電性を有していることが好ましい。このような接合層は、例えば、半田、導電性フィラー(例えば、半田粒子、銀粒子等)を含む熱硬化性樹脂等を含む接合材料を、溶融あるいは硬化させることにより形成される。なかでも、放熱性および導電性の観点から、接合層は半田により形成されることが好ましい。接合層の厚みは特に限定されない。なかでも、放熱性の観点から、接合層の厚みは、50〜100μmであることが好ましい。   The heat dissipation layer and the power device may be bonded via a bonding layer. In this case, it is preferable that the bonding layer also has a high thermal conductivity. Moreover, when a heat-radiating layer contains a ceramic layer and a conductor layer, it is preferable that a joining layer has electroconductivity further. Such a bonding layer is formed, for example, by melting or curing a bonding material including a thermosetting resin containing solder and conductive filler (for example, solder particles, silver particles, etc.). Especially, it is preferable that a joining layer is formed with a solder from a heat dissipation and electroconductive viewpoint. The thickness of the bonding layer is not particularly limited. Especially, it is preferable that the thickness of a joining layer is 50-100 micrometers from a heat dissipation viewpoint.

導体層は金属材料を含んでいれば良く、金属材料を成膜した金属層であっても良いし、金属材料の粒子(金属粒子)の焼結体を含む層であっても良い。このような導体層は、高い熱伝導率を備える。金属材料としては特に限定されない。例えば、接合層が半田を含む場合、半田の濡れ性が向上する点で、導体層は、金属材料としてニッケル(Ni)、錫(Sn)、Cu、金(Au)等を含むことが好ましい。これらは、単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。二種以上の金属材料は、二層以上の金属層の積層体として、導体層に含まれていても良い。放熱性の観点から、セラミックス層および導体層の厚みは、それぞれ10〜200μmであることが好ましく、25〜100μmであることがより好ましい。放熱層の厚みは、放熱性の観点から、20〜400μmであることが好ましく、50〜200μmであることがより好ましい。   The conductor layer only needs to contain a metal material, and may be a metal layer formed by depositing a metal material or a layer containing a sintered body of metal material particles (metal particles). Such a conductor layer has a high thermal conductivity. The metal material is not particularly limited. For example, when the bonding layer includes solder, the conductor layer preferably includes nickel (Ni), tin (Sn), Cu, gold (Au), or the like as a metal material in terms of improving the wettability of the solder. These may be used alone or in combination of two or more. Two or more metal materials may be included in the conductor layer as a laminate of two or more metal layers. From the viewpoint of heat dissipation, the thickness of the ceramic layer and the conductor layer is preferably 10 to 200 μm, and more preferably 25 to 100 μm. The thickness of the heat dissipation layer is preferably 20 to 400 μm and more preferably 50 to 200 μm from the viewpoint of heat dissipation.

[電子回路基板]
電子回路基板は、パワーデバイスの動作を制御するための制御部が搭載された電子部品であって、パワーデバイスと電気的に接続されている。電子回路基板は特に限定されず、リジッド(rigid)基板であっても良いし、フレキシブル(flexible)基板であっても良い。電子回路基板には、制御部が搭載される。電子回路基板には、さらに、半田等の接合材料を介して、制御部以外の他の電子部品が搭載され得る。
[Electronic circuit board]
The electronic circuit board is an electronic component on which a control unit for controlling the operation of the power device is mounted, and is electrically connected to the power device. The electronic circuit board is not particularly limited, and may be a rigid board or a flexible board. A control unit is mounted on the electronic circuit board. Furthermore, electronic components other than the control unit can be mounted on the electronic circuit board via a bonding material such as solder.

以下、図1を参照しながら、本実施形態の回路構成体について説明する。図1(a)は、回路構成体の構成例を示す上面図であり、図1(b)は、図1(a)のB−B線における断面図である。   Hereinafter, the circuit structure of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1A is a top view illustrating a configuration example of a circuit structure, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.

回路構成体10は、放熱部材1、電子回路基板3およびパワーデバイス4を備える。放熱部材1は、第1領域R1と第2領域R2とに区分けされており、第1領域R1には電子回路基板3が搭載され、第2領域にはパワーデバイス4が搭載される。   The circuit structure 10 includes a heat dissipation member 1, an electronic circuit board 3, and a power device 4. The heat radiating member 1 is divided into a first region R1 and a second region R2, and an electronic circuit board 3 is mounted on the first region R1, and a power device 4 is mounted on the second region.

第1領域R1では、放熱部材1と電子回路基板3とが接着層7により接着され、かつ、絶縁されている。第2領域R2では、放熱部材1とパワーデバイス4とが、セラミックス層5aおよび導体層5bを含む放熱層5と接合層6とを介して接合され、かつ、絶縁されている。電子回路基板3とパワーデバイス4とは、配線8により接続されている。   In the first region R1, the heat dissipation member 1 and the electronic circuit board 3 are bonded and insulated by the adhesive layer 7. In the second region R2, the heat radiating member 1 and the power device 4 are joined and insulated via the heat radiating layer 5 including the ceramic layer 5a and the conductor layer 5b and the bonding layer 6. The electronic circuit board 3 and the power device 4 are connected by wiring 8.

このように、放熱部材1を2つの領域(第1領域R1および第2領域R2)に分け、少なくとも第2領域R2および第2領域R2に配置されている構成要素(パワーデバイス4を除く)の熱伝導率を高めることにより、生産コストを抑制しながら、放熱の効率を向上させることができる。   As described above, the heat radiating member 1 is divided into two regions (first region R1 and second region R2), and at least components (excluding the power device 4) arranged in the second region R2 and the second region R2. By increasing the thermal conductivity, it is possible to improve the efficiency of heat dissipation while suppressing the production cost.

このような回路構成体10は、例えば、第1領域R1に、接着層7を介して電子回路基板3を搭載する工程と、第2領域R2に放熱層5を形成する工程と、を備える方法により製造される。このとき、放熱層5を形成する工程は、第2領域R2に、セラミックスの粒子を付着させてセラミックス層5aを形成する工程と、セラミックス層5aの表面に導体層5bを形成する工程と、を備えることが好ましい。電子回路基板3を搭載する工程と放熱層5を形成する工程とは、いずれを先に行っても良い。以下、図2を参照しながら、先に放熱層5を形成する場合を例に挙げて、各工程について詳細に説明する。   Such a circuit structure 10 includes, for example, a step of mounting the electronic circuit board 3 in the first region R1 via the adhesive layer 7 and a step of forming the heat dissipation layer 5 in the second region R2. Manufactured by. At this time, the step of forming the heat dissipation layer 5 includes a step of forming ceramic layers 5a by attaching ceramic particles to the second region R2, and a step of forming the conductor layer 5b on the surface of the ceramic layer 5a. It is preferable to provide. Either the step of mounting the electronic circuit board 3 or the step of forming the heat dissipation layer 5 may be performed first. Hereinafter, with reference to FIG. 2, each step will be described in detail by taking as an example the case where the heat dissipation layer 5 is formed first.

(放熱層形成工程)
放熱層形成工程では、放熱部材1の一部の領域(第2領域R2)に、セラミックス層5aおよび導体層5bを備える放熱層5を形成する。
(Heat dissipation layer forming process)
In the heat dissipation layer forming step, the heat dissipation layer 5 including the ceramic layer 5a and the conductor layer 5b is formed in a partial region (second region R2) of the heat dissipation member 1.

まず、放熱部材1の第2領域R2の所定の位置に、セラミックスの粒子を付着させて、セラミックス層5aを形成する(図2(a))。セラミックスの粒子を放熱部材1に直接的に付着させるため、セラミックスが有する高い熱伝導性を損なうことなく、放熱部材1にセラミックス層5aを形成することができる。さらに、形成されるセラミックス層5aを薄くすることができる。そのため、放熱層5の熱抵抗を小さくすることができる。   First, ceramic layers 5a are formed by attaching ceramic particles to predetermined positions in the second region R2 of the heat dissipation member 1 (FIG. 2A). Since the ceramic particles are directly adhered to the heat radiating member 1, the ceramic layer 5a can be formed on the heat radiating member 1 without impairing the high thermal conductivity of the ceramic. Furthermore, the formed ceramic layer 5a can be thinned. Therefore, the thermal resistance of the heat dissipation layer 5 can be reduced.

第2領域R2にセラミックスの粒子を付着させる方法としては、蒸着法、物理蒸着法(PVD)、化学蒸着法(CVD)、溶射法、コールドスプレー法およびエアロゾルデポジション法(AD法)等が挙げられる。このとき、必要に応じて、放熱部材1にマスクを施して、セラミックス粒子を付着させることにより、第2領域R2の所定の位置に、セラミックス層5aを形成することができる。   Examples of methods for attaching ceramic particles to the second region R2 include vapor deposition, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), thermal spraying, cold spraying, and aerosol deposition (AD). It is done. At this time, the ceramic layer 5a can be formed at a predetermined position in the second region R2 by applying a mask to the heat radiating member 1 and attaching ceramic particles as necessary.

上記のなかでも、セラミックス粒子を付着させる方法として、AD法が好ましく用いられる。AD法は、セラミックスや金属の粒子を、気体とともにターゲットに高速で吹き付けて成膜させる方法であり、常温で、緻密な層を得ることができる。原料のセラミックス粒子の平均粒径は、特に限定されない。なかでも、より緻密なセラミックス層5aを形成できる点で、原料のセラミックス粒子の平均粒径は200nm以下であることが好ましい。平均粒径とは、レーザー回折式の粒度分布測定装置により求められる体積粒度分布におけるメディアン径D50である。なお、AD法により第2領域R2に付着したセラミックス粒子の平均粒径は、原料よりも小さくなり得る。   Among the above, the AD method is preferably used as a method for attaching ceramic particles. The AD method is a method in which ceramic or metal particles are sprayed onto a target together with a gas at high speed to form a film, and a dense layer can be obtained at room temperature. The average particle diameter of the raw ceramic particles is not particularly limited. Especially, it is preferable that the average particle diameter of the raw material ceramic particles is 200 nm or less in that a denser ceramic layer 5a can be formed. The average particle diameter is a median diameter D50 in a volume particle size distribution obtained by a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus. Note that the average particle diameter of the ceramic particles attached to the second region R2 by the AD method can be smaller than that of the raw material.

続いて、セラミックス層5aの表面に導体層5bを形成する(図2(b))。導体層5bを形成する方法は特に限定されず、例えば、金属粒子をバインダー樹脂に分散させた導電ペーストを塗布した後、焼成する方法、化学メッキ法、蒸着法、PVD、CVD、溶射法、コールドスプレー法およびAD法等が挙げられる。上記のなかでも、導体層5bを形成する方法として、AD法が好ましく用いられる。この場合、原料の金属粒子の平均粒径は特に限定されないが、例えば、0.2μm程度である。バインダー樹脂としては、エチルセルロース等のセルロース、アクリル樹脂、ブチラール樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等が例示できる。バインダー樹脂は、分解温度が500℃以下のものが好ましい。   Subsequently, the conductor layer 5b is formed on the surface of the ceramic layer 5a (FIG. 2B). The method for forming the conductor layer 5b is not particularly limited. For example, a method in which a conductive paste in which metal particles are dispersed in a binder resin is applied, followed by baking, chemical plating, vapor deposition, PVD, CVD, thermal spraying, cold Examples thereof include a spray method and an AD method. Among these, the AD method is preferably used as a method for forming the conductor layer 5b. In this case, the average particle diameter of the raw metal particles is not particularly limited, but is, for example, about 0.2 μm. Examples of the binder resin include cellulose such as ethyl cellulose, acrylic resin, butyral resin, phenol resin, and epoxy resin. The binder resin preferably has a decomposition temperature of 500 ° C. or lower.

(電子回路基板搭載工程)
電子回路基板搭載工程では、第1領域R1に、電子回路基板3を、接着層7を介して搭載する(図2(c))。このとき、電子回路基板3として、バスバーが内蔵されたバスバー付き電子回路基板を用いても良い。
(Electronic circuit board mounting process)
In the electronic circuit board mounting step, the electronic circuit board 3 is mounted through the adhesive layer 7 in the first region R1 (FIG. 2C). At this time, as the electronic circuit board 3, an electronic circuit board with a bus bar having a built-in bus bar may be used.

接着層7は、熱硬化性樹脂を含むペーストを、スクリーン印刷やディスペンサーにより第1領域R1の所定の位置に塗布することにより形成しても良いし、熱硬化性樹脂を含むシートを第1領域R1の所定の位置に貼着することにより形成しても良い。第1領域R1に接着層7を介して電子回路基板3を搭載した後、リフロー工程の前に、加熱処理により接着層7を硬化させても良い。   The adhesive layer 7 may be formed by applying a paste containing a thermosetting resin to a predetermined position of the first region R1 by screen printing or a dispenser, or a sheet containing a thermosetting resin may be formed in the first region. You may form by sticking to the predetermined | prescribed position of R1. After mounting the electronic circuit board 3 in the first region R1 via the adhesive layer 7, the adhesive layer 7 may be cured by heat treatment before the reflow process.

放熱層5を形成した後、その表面に接合層6を形成し(図2(d))、パワーデバイス4を搭載する(図2(e))。接合層6は、例えば、ロジン等の樹脂成分に分散した半田粒子を含む半田ペーストである。半田ペーストは、放熱層5の表面にスクリーンプリント等により塗布される。このとき、電子回路基板3の表面にも接合層6を形成し、電子回路基板3に、他の電子部品40を搭載しても良い。その後、リフロー工程を行うことにより、回路構成体10が完成する。   After the heat radiation layer 5 is formed, the bonding layer 6 is formed on the surface (FIG. 2D), and the power device 4 is mounted (FIG. 2E). The bonding layer 6 is, for example, a solder paste containing solder particles dispersed in a resin component such as rosin. The solder paste is applied to the surface of the heat dissipation layer 5 by screen printing or the like. At this time, the bonding layer 6 may be formed on the surface of the electronic circuit board 3, and another electronic component 40 may be mounted on the electronic circuit board 3. Then, the circuit structure 10 is completed by performing a reflow process.

放熱部材1は、第2領域R2において、放熱層5に対向する位置に凸部(図示せず)を備えていても良い。これにより、電子回路基板3の上面と放熱層5の上面との段差を小さくすることができる。そのため、電子回路基板3上に、半田等の接合材料を介して他の電子部品を搭載する際、放熱層5の上面に接合層6を形成する工程と、電子回路基板3の上面に接合層6を形成する工程とを、一工程で行うことができる。   The heat radiating member 1 may include a convex portion (not shown) at a position facing the heat radiating layer 5 in the second region R2. Thereby, the level | step difference between the upper surface of the electronic circuit board 3 and the upper surface of the thermal radiation layer 5 can be made small. Therefore, when another electronic component is mounted on the electronic circuit board 3 via a bonding material such as solder, the step of forming the bonding layer 6 on the upper surface of the heat dissipation layer 5 and the bonding layer on the upper surface of the electronic circuit board 3 6 can be performed in one step.

凸部は、例えば、放熱部材1の原料板をプレス加工(エンボス加工)することにより形成される。放熱部材1が箱型である場合、放熱部材1は、凸部および所定の箱型に対応する形状を備えた金型を使用して、ダイキャスト法により作製することができる。凸部の高さ(第1領域R1の電子回路基板3が搭載されている面と第2領域R2のパワーデバイス4が搭載されている面との段差)は、電子回路基板3の厚み等に応じて適宜設定すれば良い。なかでも、凸部の高さは、回路構成体10を水平面に置いたとき、電子回路基板3の上面の高さと放熱層5の上面の高さとの差が、0.1〜2mmになるように設定することが好ましい。   The convex portion is formed, for example, by pressing (embossing) the raw material plate of the heat dissipation member 1. When the heat radiating member 1 is a box shape, the heat radiating member 1 can be produced by a die casting method using a mold having a shape corresponding to a convex portion and a predetermined box shape. The height of the protrusion (the step between the surface on which the electronic circuit board 3 in the first region R1 is mounted and the surface on which the power device 4 in the second region R2 is mounted) depends on the thickness of the electronic circuit substrate 3 What is necessary is just to set suitably according to. Especially, the height of the convex portion is such that the difference between the height of the upper surface of the electronic circuit board 3 and the height of the upper surface of the heat dissipation layer 5 is 0.1 to 2 mm when the circuit component 10 is placed on a horizontal plane. It is preferable to set to.

(電源装置)
本実施形態に係る電源装置は、上記回路構成体10を備える。そのため、この電源装置は、放熱性に優れる。
(Power supply)
The power supply device according to this embodiment includes the circuit configuration body 10. Therefore, this power supply device is excellent in heat dissipation.

本発明の回路構成体は、生産コストを抑制しながら、パワーデバイスからの熱を効率よく放熱することができるため、様々な電源装置に適用することができる。   Since the circuit structure of the present invention can efficiently dissipate heat from the power device while suppressing the production cost, it can be applied to various power supply apparatuses.

1:放熱部材、3:電子回路基板、4:パワーデバイス、5:放熱層、5a:セラミックス層、5b:導体層、6:接合層、7:接着層、8:配線、10、100:回路構成体、40:電子部品、101:放熱部材、103:電子回路基板、104:パワーデバイス、107:接着層   1: heat dissipation member, 3: electronic circuit board, 4: power device, 5: heat dissipation layer, 5a: ceramics layer, 5b: conductor layer, 6: bonding layer, 7: adhesive layer, 8: wiring, 10, 100: circuit Structure: 40: electronic component, 101: heat dissipation member, 103: electronic circuit board, 104: power device, 107: adhesive layer

Claims (7)

放熱部材と、電子回路基板と、パワーデバイスと、を備える回路構成体であって、
前記放熱部材が、前記電子回路基板が搭載される第1領域と、前記パワーデバイスが搭載される第2領域と、を備え、
前記第1領域と前記電子回路基板との間に接着層が配置されており、
前記第2領域と前記パワーデバイスとの間に放熱層が配置されており、
前記放熱層の厚み方向の常温における熱伝導率が、10W/m・K以上である、回路構成体。
A circuit structure comprising a heat dissipation member, an electronic circuit board, and a power device,
The heat dissipation member includes a first region where the electronic circuit board is mounted, and a second region where the power device is mounted,
An adhesive layer is disposed between the first region and the electronic circuit board;
A heat dissipation layer is disposed between the second region and the power device;
The circuit structure whose thermal conductivity in normal temperature of the thickness direction of the said heat radiating layer is 10 W / m * K or more.
前記放熱層が、前記放熱部材側に配置されるセラミックス層と、前記パワーデバイス側に配置される導体層と、を含む、請求項1に記載の回路構成体。   The circuit structure according to claim 1, wherein the heat dissipation layer includes a ceramic layer disposed on the heat dissipation member side and a conductor layer disposed on the power device side. 前記導体層と前記パワーデバイスとの間に、接合層が配置されている、請求項2に記載の回路構成体。   The circuit structure according to claim 2, wherein a bonding layer is disposed between the conductor layer and the power device. 前記セラミックス層の厚みが、10〜200μmである、請求項2または3に記載の回路構成体。   The circuit structure according to claim 2 or 3, wherein the ceramic layer has a thickness of 10 to 200 µm. 前記導体層の厚みが、10〜200μmである、請求項2〜4のいずれか一項に記載の回路構成体。   The circuit composition object according to any one of claims 2 to 4 whose thickness of said conductor layer is 10-200 micrometers. 放熱部材と、電子回路基板と、パワーデバイスと、を備え、
前記放熱部材が、前記電子回路基板が搭載される第1領域と、前記パワーデバイスが放熱層を介して搭載される第2領域と、を備える回路構成体の製造方法であって、
前記第1領域に、接着層を介して前記電子回路基板を搭載する工程と、
前記第2領域に、前記放熱層を形成する工程と、を備え、
前記放熱層を形成する工程が、前記第2領域に、セラミックスの粒子を付着させてセラミックス層を形成する工程と、前記セラミックス層の表面に導体層を形成する工程と、を備える、回路構成体の製造方法。
A heat dissipation member, an electronic circuit board, and a power device;
The heat dissipation member is a method for manufacturing a circuit structure including a first region where the electronic circuit board is mounted and a second region where the power device is mounted via a heat dissipation layer,
Mounting the electronic circuit board on the first region via an adhesive layer;
Forming the heat dissipation layer in the second region,
The step of forming the heat dissipation layer includes a step of forming ceramic layers by attaching ceramic particles to the second region, and a step of forming a conductor layer on the surface of the ceramic layer. Manufacturing method.
請求項1〜5のいずれか一項に記載の回路構成体を備える、電源装置。


A power supply apparatus provided with the circuit structure as described in any one of Claims 1-5.


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