JP2017137583A - キャリア付銅箔及びその製造方法、極薄銅層、銅張積層板の製造方法、並びにプリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】銅箔キャリア上の極薄銅層の厚み精度を向上させたキャリア付銅箔を提供する。
【解決手段】銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、式：厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が６．１５％以下であるキャリア付銅箔。
【選択図】図２
【解決手段】銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、式：厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が６．１５％以下であるキャリア付銅箔。
【選択図】図２
Description
本発明は、キャリア付銅箔及びその製造方法、極薄銅層、並びにプリント配線板に関する。より詳細には、本発明はファインパターン用途のプリント配線板の材料として使用されるキャリア付銅箔及びその製造方法、極薄銅層、並びにプリント配線板に関する。
近年、半導体回路の高集積化に伴い、プリント配線板にも微細回路が要求されている。一般的な微細回路形成方法は、配線回路を極薄銅層上に形成した後に、極薄銅層を硫酸−過酸化水素系のエッチャントでエッチング除去する手法（MSAP：Modified−Semi−Additive−Process）である。そのため、極薄銅層の厚みは均一なものが好ましい。
ここで、電解メッキの箔厚精度はアノード−カソード間の極間距離に大きく影響を受ける。一般的な極薄銅層形成方法は、銅箔キャリア（１２〜７０μｍ）上に剥離層を形成し、さらにその表面に極薄銅層（０．５〜１０．０μｍ）並びに粗化粒子を形成する。銅箔キャリア形成以降の工程に関しては、従来は図１のような銅箔キャリアへのドラムによる支持がない九十九折による運箔方式を用いて行っていた（特許文献１）。
しかしながら、電解メッキで形成した極薄銅層の厚み精度はアノード−カソード間の極間距離に大きく影響を受けるため、このような銅箔キャリアへのドラムによる支持がない九十九折による運箔方式を用いた場合、電解液並びに運箔テンション等の影響により、極間距離を一定にするのが難しく、厚みのバラツキが大きくなる問題が発生していた。
そこで、本発明は、銅箔キャリア上の極薄銅層の厚み精度を向上させたキャリア付銅箔を提供する課題とする。
そこで、本発明は、銅箔キャリア上の極薄銅層の厚み精度を向上させたキャリア付銅箔を提供する課題とする。
上記目的を達成するため、本発明者は鋭意研究を重ねたところ、銅箔キャリア以降の工程の運箔方式に着目し、九十九折ではなくドラムを支持媒体とした運箔方式により、一定の極間距離を確保し、極薄銅層の厚み精度を向上させることができることを見出した。
本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が６．１５％以下であるキャリア付銅箔である。
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が６．１５％以下であるキャリア付銅箔である。
本発明は別の一側面において、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下であるキャリア付銅箔である。
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下であるキャリア付銅箔である。
本発明は更に別の一側面において、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２．９０％以下であるキャリア付銅箔である。
前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２．９０％以下であるキャリア付銅箔である。
本発明は更に別の一側面において、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が６．１５％以下であり、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下であるキャリア付銅箔である。
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が６．１５％以下であり、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下であるキャリア付銅箔である。
本発明は更に別の一側面において、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が６．１５％以下であり、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下であり、
前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２．９０％以下であるキャリア付銅箔である。
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が６．１５％以下であり、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下であり、
前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２．９０％以下であるキャリア付銅箔である。
本発明は更に別の一側面において、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下であり、
前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２．９０％以下であるキャリア付銅箔である。
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下であり、
前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２．９０％以下であるキャリア付銅箔である。
本発明は更に別の一側面において、ロール・ツウ・ロール搬送方式により長さ方向に搬送される長尺状の銅箔キャリアの表面を処理することで、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔を製造する方法であり、搬送ロールで搬送される銅箔キャリアの表面に剥離層を形成する工程と、搬送ロールで搬送される前記剥離層が形成された銅箔キャリアをドラムで支持しながら、電解めっきにより前記剥離層表面に極薄銅層を形成する工程とを含む本発明のキャリア付銅箔の製造方法である。
本発明は更に別の一側面において、銅箔キャリア上に積層された剥離層上に積層されて、前記銅箔キャリア及び前記剥離層と共にキャリア付銅箔を構成するための、電解銅箔による極薄銅層であって、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が６．１５％以下である極薄銅層である。
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が６．１５％以下である極薄銅層である。
本発明は更に別の一側面において、銅箔キャリア上に積層された剥離層上に積層されて、前記銅箔キャリア及び前記剥離層と共にキャリア付銅箔を構成するための、電解銅箔による極薄銅層であって、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下である極薄銅層である。
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下である極薄銅層である。
本発明は更に別の一側面において、銅箔キャリア上に積層された剥離層上に積層されて、前記銅箔キャリア及び前記剥離層と共にキャリア付銅箔を構成するための、電解銅箔による極薄銅層であって、
前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２．９０％以下である極薄銅層である。
前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２．９０％以下である極薄銅層である。
本発明は更に別の一側面において、銅箔キャリア上に積層された剥離層上に積層されて、前記銅箔キャリア及び前記剥離層と共にキャリア付銅箔を構成するための、電解銅箔による極薄銅層であって、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が６．１５％以下であり、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下である極薄銅層である。
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が６．１５％以下であり、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下である極薄銅層である。
本発明は更に別の一側面において、銅箔キャリア上に積層された剥離層上に積層されて、前記銅箔キャリア及び前記剥離層と共にキャリア付銅箔を構成するための、電解銅箔による極薄銅層であって、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が６．１５％以下であり、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下であり、
前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２．９０％以下である極薄銅層である。
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が６．１５％以下であり、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下であり、
前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２．９０％以下である極薄銅層である。
本発明は更に別の一側面において、銅箔キャリア上に積層された剥離層上に積層されて、前記銅箔キャリア及び前記剥離層と共にキャリア付銅箔を構成するための、電解銅箔による極薄銅層であって、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下であり、
前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２．９０％以下である極薄銅層である。
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下であり、
前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２．９０％以下である極薄銅層である。
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造されたプリント配線板である。
本発明は更に別の一側面において、本発明の極薄銅層を用いたプリント配線板である。
本発明によれば、銅箔キャリア上の極薄銅層の厚み精度を向上させたキャリア付銅箔を提供することができる。
＜１．銅箔キャリア＞
本発明に用いることのできる銅箔キャリアは、典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
本発明に用いることのできる銅箔キャリアは、典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
本発明に用いることのできる銅箔キャリアの厚さについても特に制限はないが、銅箔キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば１２μｍ以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には３５μｍ以下とするのが好ましい。従って、銅箔キャリアの厚みは典型的には１２〜７０μｍであり、より典型的には１８〜３５μｍである。
＜２．剥離層＞
銅箔キャリア上には剥離層を設ける。剥離層は、ニッケル、ニッケル−リン合金、ニッケル−コバルト合金、クロム等を用いて形成することができる。剥離層は、極薄銅層から銅箔キャリアを剥がすときに剥離する部分であるが、銅箔キャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果を持たせることもできる。
銅箔キャリアとして電解銅箔を使用する場合には、ピンホールを減少させる観点から低粗度面に剥離層を設けることが好ましい。剥離層はめっき、スパッタリング、ＣＶＤ、物理蒸着等の方法を用いて設けることができる。
また、剥離層としては、キャリア付銅箔において当業者に知られた任意の剥離層とすることができる。例えば、剥離層はＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎまたはこれらの合金、またはこれらの水和物、またはこれらの酸化物、あるいは有機物の何れか一種以上を含む層で形成することが好ましい。剥離層は複数の層で構成されても良い。なお、剥離層は拡散防止機能を有することができる。ここで拡散防止層とは母材からの元素を極薄銅層側への拡散を防止する働きを有する層である。
銅箔キャリア上には剥離層を設ける。剥離層は、ニッケル、ニッケル−リン合金、ニッケル−コバルト合金、クロム等を用いて形成することができる。剥離層は、極薄銅層から銅箔キャリアを剥がすときに剥離する部分であるが、銅箔キャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果を持たせることもできる。
銅箔キャリアとして電解銅箔を使用する場合には、ピンホールを減少させる観点から低粗度面に剥離層を設けることが好ましい。剥離層はめっき、スパッタリング、ＣＶＤ、物理蒸着等の方法を用いて設けることができる。
また、剥離層としては、キャリア付銅箔において当業者に知られた任意の剥離層とすることができる。例えば、剥離層はＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎまたはこれらの合金、またはこれらの水和物、またはこれらの酸化物、あるいは有機物の何れか一種以上を含む層で形成することが好ましい。剥離層は複数の層で構成されても良い。なお、剥離層は拡散防止機能を有することができる。ここで拡散防止層とは母材からの元素を極薄銅層側への拡散を防止する働きを有する層である。
本発明の一実施形態において、剥離層はキャリア側からＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎの元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、又は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎの元素群から選択された一種以上の元素からなる合金層（これらは拡散防止機能をもつ）と、その上に積層されたＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎの元素群から選択された一種以上の元素の水和物または酸化物からなる層とから構成される。なお、各元素の合計付着量は例えば１〜６０００μｇ／ｄｍ2とすることができる。
剥離層はＮｉ及びＣｒの２層で構成されることが好ましい。この場合、Ｎｉ層は銅箔キャリアとの界面に、Ｃｒ層は極薄銅層との界面にそれぞれ接するようにして積層することが好ましい。また、Ｎｉ及びＣｒの２層にＺｎが含まれてもよい。
剥離層は、例えば電気めっき、無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっき、或いはスパッタリング、ＣＶＤ及びＰＤＶのような乾式めっきにより得ることができる。コストの観点から電気めっきが好ましい。
＜３．極薄銅層＞
剥離層の上には極薄銅層を設ける。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的には銅箔キャリアよりも薄く、例えば１２μｍ以下である。典型的には０．５〜１０μｍであり、より典型的には１〜５μｍである。
剥離層の上には極薄銅層を設ける。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的には銅箔キャリアよりも薄く、例えば１２μｍ以下である。典型的には０．５〜１０μｍであり、より典型的には１〜５μｍである。
＜４．粗化処理＞
極薄銅層の表面には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか一種以上を含む合金からなる層等であってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよく、極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層（例えば２層以上、３層以上など）で形成されてもよい。
極薄銅層の表面には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか一種以上を含む合金からなる層等であってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよく、極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層（例えば２層以上、３層以上など）で形成されてもよい。
＜５．キャリア付銅箔＞
キャリア付銅箔は、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に形成された剥離層と、剥離層の上に積層された極薄銅層とを備える。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。本発明に係るキャリア付銅箔の場合、剥離箇所は主として剥離層と極薄銅層の界面である。
キャリア付銅箔は、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に形成された剥離層と、剥離層の上に積層された極薄銅層とを備える。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。本発明に係るキャリア付銅箔の場合、剥離箇所は主として剥離層と極薄銅層の界面である。
また、キャリアと、キャリア上に中間層が積層され、中間層の上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔は、前記極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群から選択された層を一つ以上備えても良い。
また、前記極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、前記耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。
また、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
また、前記極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、前記耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。
また、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態（Ｂステージ）の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。
また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂などを含む樹脂を好適なものとしてあげることができる。
これらの樹脂を例えばメチルエチルケトン（ＭＥＫ），トルエンなどの溶剤に溶解して樹脂液とし、これを前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート皮膜層、あるいは前記シランカップリング剤層の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しＢステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は１００〜２５０℃、好ましくは１３０〜２００℃であればよい。
前記樹脂層を備えたキャリア付銅箔（樹脂付きキャリア付銅箔）は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついでキャリヤを剥離して極薄銅層を表出せしめ（当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である）、そこに所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。
この樹脂付きキャリア付銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張り積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。
なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、１層の厚みが１００μm以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。
この樹脂層の厚みは０．１〜８０μmであることが好ましい。
樹脂層の厚みが０．１μmより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。
一方、樹脂層の厚みを８０μmより厚くすると、１回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる。更には、形成された樹脂層はその可撓性が劣るので、ハンドリング時にクラックなどが発生しやすくなり、また内層材との熱圧着時に過剰な樹脂流れが起こって円滑な積層が困難になる場合がある。
更に、この樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔の形で製造することも可能である。
更に、プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。
本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を極薄銅層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法の何れかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。
本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。
従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を（フラッシュ）エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。
従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。
従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。
従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
スルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。
＜６．キャリア付銅箔の製造方法＞
次に、本発明に係るキャリア付銅箔の製造方法を説明する。図２は、本発明の実施形態１に係るキャリア付銅箔の製造方法に係る運箔方式を示す模式図である。本発明の実施形態１に係るキャリア付銅箔の製造方法は、ロール・ツウ・ロール搬送方式により長さ方向に搬送される長尺状の銅箔キャリアの表面を処理することで、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔を製造する方法である。本発明の実施形態１に係るキャリア付銅箔の製造方法は、搬送ロールで搬送される銅箔キャリアをドラムで支持しながら、電解めっきにより銅箔キャリア表面に極薄銅層を形成する工程と、剥離層が形成された銅箔キャリアをドラムで支持しながら、電解めっきにより剥離層表面に極薄銅層を形成する工程と、銅箔キャリアをドラムで支持しながら、電解めっきにより極薄銅層表面に粗化処理層を形成する工程とを含む。各工程ではドラムにて支持されている銅箔キャリアの処理面がカソードを兼ねており、このドラムと、ドラムに対向するように設けられたアノードとの間のめっき液中で各電解めっきが行われる。
次に、本発明に係るキャリア付銅箔の製造方法を説明する。図２は、本発明の実施形態１に係るキャリア付銅箔の製造方法に係る運箔方式を示す模式図である。本発明の実施形態１に係るキャリア付銅箔の製造方法は、ロール・ツウ・ロール搬送方式により長さ方向に搬送される長尺状の銅箔キャリアの表面を処理することで、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔を製造する方法である。本発明の実施形態１に係るキャリア付銅箔の製造方法は、搬送ロールで搬送される銅箔キャリアをドラムで支持しながら、電解めっきにより銅箔キャリア表面に極薄銅層を形成する工程と、剥離層が形成された銅箔キャリアをドラムで支持しながら、電解めっきにより剥離層表面に極薄銅層を形成する工程と、銅箔キャリアをドラムで支持しながら、電解めっきにより極薄銅層表面に粗化処理層を形成する工程とを含む。各工程ではドラムにて支持されている銅箔キャリアの処理面がカソードを兼ねており、このドラムと、ドラムに対向するように設けられたアノードとの間のめっき液中で各電解めっきが行われる。
本発明では、長尺状の銅箔キャリアをロール・ツウ・ロール搬送方式で搬送するために、銅箔キャリアの長さ方向に張力をかけながら搬送している。張力は、各搬送ロールを駆動モーターと接続する等によりトルクをかけることで調整することができる。銅箔キャリアの搬送張力は０．０１〜０．２ｋｇ／ｍｍが好ましい。搬送張力が０．０１ｋｇ／ｍｍ未満ではドラムとの密着力が弱く、所望の厚みに各層を形成することが困難となる。また、装置の構造にもよるがスリップ等の問題が生じやすく、さらに銅箔キャリアの巻きが緩くなり、巻きずれ等の問題が生じやすい。一方、搬送張力が０．２ｋｇ／ｍｍ超では、わずかな銅箔キャリアの位置ズレでもオレシワが発生しやすく、装置管理の観点からも好ましくない。また、巻きが硬く、巻き締まりシワ等が生じやすい。銅箔キャリアの搬送張力は、より好ましくは０．０２〜０．１ｋｇ／ｍｍである。
実施形態１では、剥離層と粗化処理層とを、いずれも、ドラムで銅箔キャリアを支持しながら、電解めっきにより形成しているが、これに限定されない。例えば、実施形態２として、図３に示すように、粗化処理層の形成を従来の銅箔キャリアへのドラムによる支持がない九十九折による運箔方式を用いた電解めっきにより形成してもよい。また、実施形態３として、図４に示すように、剥離層及び粗化処理層の形成を、いずれも従来の銅箔キャリアへのドラムによる支持がない九十九折による運箔方式を用いた電解めっきにより形成してもよい。ただし、実施形態２および３は、実施形態１にように全ての工程をドラムを用いた運箔方式で行っていないため、実施形態１に比べて、電解めっきの際の極間距離を一定にするのが難しく、剥離層及び／又は粗化処理層の厚み精度は劣る。なお、九十九折による運箔方式を用いた電解めっきの場合には、搬送ロール間の距離を短くすること、ガイドロール等を用いて箔の振れを防止すること、搬送張力を通常の３〜５倍とすることにより、電解めっきにおけるアノード−カソード間の極間距離を安定させることにより、板厚精度を良好なものとすることができる。
本発明は、上述のように、銅箔キャリアをドラムで支持することで電解めっきにおけるアノード−カソード間の極間距離が安定する。このため、形成する層の厚みのバラツキが良好に抑制され、厚み精度の高い極薄銅層を有するキャリア付銅箔の作製が可能となる。また、剥離層、極薄銅層、粗化処理層を形成する際のめっき処理における線流速（ｍ／秒）の調整を行うことで、厚み精度のより良好な極薄銅層を有するキャリア付銅箔の作製が可能となる。
本発明で用いる重量厚み法の一形態を説明する（評価Ｄ）。まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となるキャリア付銅箔片はプレシジョンカッターで切り出した１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとする。重量厚み精度を調査するため、幅方向で等間隔に３点、長さ方向で５点（４０ｍｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％である。
ＭＤ方向は、キャリア付銅箔の製箔方向（キャリア付銅箔の製造装置における通箔方向）に平行な方向を示し、ＴＤ方向は、ＭＤ方向に垂直な方向、すなわち、キャリア付銅箔の製箔方向に垂直な方向（キャリア付銅箔の幅方向）を示す。
本発明に係るキャリア付銅箔又は極薄銅層は、一側面において、試料とする極薄銅層を上述の領域（１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向））で測定した厚み精度（％）が、６．１５％以下であり、４％以下であることが好ましく、３％以下であることが更により好ましく、２．５％以下であることが更により好ましく、２．０％以下であることが更により好ましい。下限は特に限定する必要は無いが、例えば０．０１％以上、あるいは０．０５％以上、あるいは０．１％以上、あるいは０．２％以上である。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％である。
ＭＤ方向は、キャリア付銅箔の製箔方向（キャリア付銅箔の製造装置における通箔方向）に平行な方向を示し、ＴＤ方向は、ＭＤ方向に垂直な方向、すなわち、キャリア付銅箔の製箔方向に垂直な方向（キャリア付銅箔の幅方向）を示す。
本発明に係るキャリア付銅箔又は極薄銅層は、一側面において、試料とする極薄銅層を上述の領域（１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向））で測定した厚み精度（％）が、６．１５％以下であり、４％以下であることが好ましく、３％以下であることが更により好ましく、２．５％以下であることが更により好ましく、２．０％以下であることが更により好ましい。下限は特に限定する必要は無いが、例えば０．０１％以上、あるいは０．０５％以上、あるいは０．１％以上、あるいは０．２％以上である。
また、本発明で用いる重量厚み法の別の一形態を説明する（評価Ｅ）。まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となるキャリア付銅箔片はプレシジョンカッターで切り出した１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとする。重量厚み精度を調査するため、幅方向で等間隔に１０点、長さ方向で２点（１０ｍｍ間隔）、計２０点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％である。
本発明に係るキャリア付銅箔又は極薄銅層は別の一側面において、試料とする極薄銅層を上述の領域（１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向））で測定した厚み精度（％）は、９．３０％以下であり、７％以下であることが好ましく、５％以下であることが更により好ましく、４％以下であることが更により好ましく、３．５％以下であることが更により好ましく、３％以下であることが更により好ましい。下限は特に限定する必要は無いが、例えば０．０１％以上、あるいは０．０５％以上、あるいは０．１％以上、あるいは０．２％以上である。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％である。
本発明に係るキャリア付銅箔又は極薄銅層は別の一側面において、試料とする極薄銅層を上述の領域（１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向））で測定した厚み精度（％）は、９．３０％以下であり、７％以下であることが好ましく、５％以下であることが更により好ましく、４％以下であることが更により好ましく、３．５％以下であることが更により好ましく、３％以下であることが更により好ましい。下限は特に限定する必要は無いが、例えば０．０１％以上、あるいは０．０５％以上、あるいは０．１％以上、あるいは０．２％以上である。
また、本発明で用いる重量厚み法の更に別の一形態を説明する（評価Ｃ）。まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となるキャリア付銅箔片はプレス機で打ち抜いた５ｃｍ角シートとする。重量厚み精度を調査するため、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４０ｍｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％である。
本発明に係るキャリア付銅箔又は極薄銅層は別の一側面において、試料とする極薄銅層を上述の領域（５ｃｍ角）で測定した厚み精度（％）は、２．９０％以下であり、２％以下であることが好ましく、１．５％以下であることが更により好ましく、１．３％以下であることが更により好ましく、１．１％以下であることが更により好ましい。下限は特に限定する必要は無いが、例えば０．０１％以上、あるいは０．０５％以上、あるいは０．１％以上、あるいは０．２％以上である。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％である。
本発明に係るキャリア付銅箔又は極薄銅層は別の一側面において、試料とする極薄銅層を上述の領域（５ｃｍ角）で測定した厚み精度（％）は、２．９０％以下であり、２％以下であることが好ましく、１．５％以下であることが更により好ましく、１．３％以下であることが更により好ましく、１．１％以下であることが更により好ましい。下限は特に限定する必要は無いが、例えば０．０１％以上、あるいは０．０５％以上、あるいは０．１％以上、あるいは０．２％以上である。
以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によって何ら限定されるものではない。
１．キャリア付銅箔の製造
まず、表１に記載の厚さの長尺の銅箔キャリアを準備した。実施例１、３、５〜７、１０、１３、１５、１６、比較例１、２の銅箔は、電解銅箔（ＪＸ日鉱日石金属社製ＪＴＣ）を用い、実施例２、４、８、９、１１、１２、１４、１７〜２１、比較例３、４の銅箔は、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属社製タフピッチ銅箔（ＪＩＳ−Ｈ３１００−Ｃ１１００））を用いた。この銅箔のシャイニー面に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続ラインで以下の条件で表１に記載の剥離層、極薄銅層及び粗化処理層の各形成処理を行った。ここで、実施例１〜３、１７は上述の図４で示した実施形態３に係る方式で作製したものであり、実施例４〜９は上述の図３で示した実施形態２に係る方式で作製したものであり、実施例１０〜１６、１９〜２１は上述の図２で示した実施形態１に係る方式で作製したものである。また、比較例１〜４は、上述の図１で示した従来方式で作製したものである。また、実施例１８は、図１に示す方式で作製した。ここで、中間層形成工程、極薄銅層形成工程、粗化処理層形成工程の全てにおいて、比較例１〜４が、図１に示すめっき浴の上方の搬送ロールと、めっき浴中の搬送ロール（ディップロール）との距離（すなわち、ディップロールを基準とした上方の搬送ロールの高さ）が２５００ｍｍであったのに対し、実施例１８は当該距離が１７００ｍｍと短い距離とした。さらに、中間層形成工程、極薄銅層形成工程、粗化処理層形成工程の全てにおいて、実施例１８では、搬送張力を比較例１〜４に対して３倍高くして作製した。
まず、表１に記載の厚さの長尺の銅箔キャリアを準備した。実施例１、３、５〜７、１０、１３、１５、１６、比較例１、２の銅箔は、電解銅箔（ＪＸ日鉱日石金属社製ＪＴＣ）を用い、実施例２、４、８、９、１１、１２、１４、１７〜２１、比較例３、４の銅箔は、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属社製タフピッチ銅箔（ＪＩＳ−Ｈ３１００−Ｃ１１００））を用いた。この銅箔のシャイニー面に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続ラインで以下の条件で表１に記載の剥離層、極薄銅層及び粗化処理層の各形成処理を行った。ここで、実施例１〜３、１７は上述の図４で示した実施形態３に係る方式で作製したものであり、実施例４〜９は上述の図３で示した実施形態２に係る方式で作製したものであり、実施例１０〜１６、１９〜２１は上述の図２で示した実施形態１に係る方式で作製したものである。また、比較例１〜４は、上述の図１で示した従来方式で作製したものである。また、実施例１８は、図１に示す方式で作製した。ここで、中間層形成工程、極薄銅層形成工程、粗化処理層形成工程の全てにおいて、比較例１〜４が、図１に示すめっき浴の上方の搬送ロールと、めっき浴中の搬送ロール（ディップロール）との距離（すなわち、ディップロールを基準とした上方の搬送ロールの高さ）が２５００ｍｍであったのに対し、実施例１８は当該距離が１７００ｍｍと短い距離とした。さらに、中間層形成工程、極薄銅層形成工程、粗化処理層形成工程の全てにおいて、実施例１８では、搬送張力を比較例１〜４に対して３倍高くして作製した。
（剥離層形成）
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：銅箔キャリア処理面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（ＮｉＳＯ4：１００ｇ／Ｌ）
・電解めっき液ｐＨ：６．７
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：５Ａ／ｄｍ2
・電解めっき時間：１０秒
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ（実施例１８は０．１５ｋｇ／ｍｍ）
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された銅箔キャリア表面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（ＮｉＳＯ4：１００ｇ／Ｌ）
・電解めっき液ｐＨ：６．７
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：５Ａ／ｄｍ2
・電解めっき時間：１０秒
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：銅箔キャリア処理面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（ＮｉＳＯ4：１００ｇ／Ｌ）
・電解めっき液ｐＨ：６．７
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：５Ａ／ｄｍ2
・電解めっき時間：１０秒
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ（実施例１８は０．１５ｋｇ／ｍｍ）
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された銅箔キャリア表面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（ＮｉＳＯ4：１００ｇ／Ｌ）
・電解めっき液ｐＨ：６．７
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：５Ａ／ｄｍ2
・電解めっき時間：１０秒
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（極薄銅層形成）
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：銅箔キャリア処理面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：５０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：５０ｇ／Ｌ、Ｃｌ：６０ｐｐｍ）
・電解めっきの浴温：４５℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ（実施例１８は０．１５ｋｇ／ｍｍ）
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された銅箔キャリア表面
・極間距離（表１に示す）
・線流速（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：１００ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：８０ｇ／Ｌ、Ｃｌ：６０ｐｐｍ
・電解めっきの浴温：５５℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：銅箔キャリア処理面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：５０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：５０ｇ／Ｌ、Ｃｌ：６０ｐｐｍ）
・電解めっきの浴温：４５℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ（実施例１８は０．１５ｋｇ／ｍｍ）
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された銅箔キャリア表面
・極間距離（表１に示す）
・線流速（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：１００ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：８０ｇ／Ｌ、Ｃｌ：６０ｐｐｍ
・電解めっきの浴温：５５℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（粗化処理層形成）
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：銅箔キャリア処理面
・極間距離（表１に示す）
・線流速（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：１０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：５０ｇ／Ｌ）
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ（実施例１８は０．１５ｋｇ／ｍｍ）
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された銅箔キャリア表面
・極間距離（表１に示す）
・線流速（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：２０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：５０ｇ／Ｌ）
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：銅箔キャリア処理面
・極間距離（表１に示す）
・線流速（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：１０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：５０ｇ／Ｌ）
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ（実施例１８は０．１５ｋｇ／ｍｍ）
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された銅箔キャリア表面
・極間距離（表１に示す）
・線流速（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：２０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：５０ｇ／Ｌ）
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
２．キャリア付銅箔の評価
上記のようにして得られたキャリア付銅箔について、以下の方法で厚み精度の評価を実施した。結果を表１に示す。
上記のようにして得られたキャリア付銅箔について、以下の方法で厚み精度の評価を実施した。結果を表１に示す。
＜重量厚み法による厚み精度の評価Ｃ＞
まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となるキャリア付銅箔片はプレス機で打ち抜いた５ｃｍ角シートとした。重量厚み精度を調査するため、各実施例、比較例ともに、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４０ｍｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求めた。重量厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％であった。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製ＨＦ−４００を用い、プレス機は、野口プレス株式会社製ＨＡＰ−１２を用いた。
まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となるキャリア付銅箔片はプレス機で打ち抜いた５ｃｍ角シートとした。重量厚み精度を調査するため、各実施例、比較例ともに、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４０ｍｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求めた。重量厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％であった。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製ＨＦ−４００を用い、プレス機は、野口プレス株式会社製ＨＡＰ−１２を用いた。
＜重量厚み法による厚み精度の評価Ｄ＞
まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となる極薄銅箔片はＴＨＷＩＮＧ−ＡＬＢＥＲＴ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴ ＣＯＭＰＡＮＹ 製 ＪＤＣ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＳＡＭＰＬＥ ＣＵＴＴＥＲ （ＭＯＤＥＬ ＪＤＣ ５−１０）でＭＤ方向に１５ｍｍ幅のサンプルを切り出した後に、ＴＤ方向に１５０ｍｍ長さにカッターで切断することで１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとした。重量厚み精度を調査するため、各実施例、比較例ともに、幅方向で等間隔に３点、長さ方向で５点（４０ｍｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求めた。重量厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％であった。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製ＨＦ−４００を用いた。
まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となる極薄銅箔片はＴＨＷＩＮＧ−ＡＬＢＥＲＴ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴ ＣＯＭＰＡＮＹ 製 ＪＤＣ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＳＡＭＰＬＥ ＣＵＴＴＥＲ （ＭＯＤＥＬ ＪＤＣ ５−１０）でＭＤ方向に１５ｍｍ幅のサンプルを切り出した後に、ＴＤ方向に１５０ｍｍ長さにカッターで切断することで１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとした。重量厚み精度を調査するため、各実施例、比較例ともに、幅方向で等間隔に３点、長さ方向で５点（４０ｍｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求めた。重量厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％であった。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製ＨＦ−４００を用いた。
＜重量厚み法による厚み精度の評価Ｅ＞
まず、銅箔キャリア並びにキャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となる極薄銅箔片はＴＨＷＩＮＧ−ＡＬＢＥＲＴ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴ ＣＯＭＰＡＮＹ 製 ＪＤＣ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＳＡＭＰＬＥ ＣＵＴＴＥＲ （ＭＯＤＥＬ ＪＤＣ ５−１０）でＴＤ方向に１５ｍｍ幅のサンプルを切り出した後に、ＭＤ方向に１５０ｍｍ長さにカッターで切断することで１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとした。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に１０点、長さ方向で２点（１０ｍｍ間隔）、計２０点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求めた。重量厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％であった。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製ＨＦ−４００を用いた。
まず、銅箔キャリア並びにキャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となる極薄銅箔片はＴＨＷＩＮＧ−ＡＬＢＥＲＴ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴ ＣＯＭＰＡＮＹ 製 ＪＤＣ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＳＡＭＰＬＥ ＣＵＴＴＥＲ （ＭＯＤＥＬ ＪＤＣ ５−１０）でＴＤ方向に１５ｍｍ幅のサンプルを切り出した後に、ＭＤ方向に１５０ｍｍ長さにカッターで切断することで１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとした。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に１０点、長さ方向で２点（１０ｍｍ間隔）、計２０点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求めた。重量厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％であった。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製ＨＦ−４００を用いた。
＜回路幅バラツキの評価＞
極薄銅層について、Ｌ（ライン）／Ｓ（スペース）＝２０μｍ／２０μｍ、長さ２００μｍの回路を作成し、１０μｍ間隔で１０点回路幅を測定し、前記測定した１０点の回路幅の平均値並びに標準偏差（σ回路幅）を求め、以下の式によって回路幅バラツキを算出した：
回路幅バラツキ（％／μｍ）＝３σ回路幅（μｍ）×１００／（回路幅の平均値（μｍ）×極薄銅層の厚み（μｍ））
極薄銅層の厚みによって、エッチング時間が変わり、それによって回路幅バラツキも変わると考えられる。そのため、極薄銅層の厚みの影響を小さくするため、３σ回路幅（μｍ）×１００／回路幅の平均値（μｍ）の値を、極薄銅層の厚み（μｍ）の値を除している。
上記回路幅バラツキの算出結果を以下の基準によりａ〜ｇで評価した。
ａ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．１５％／μｍ未満
ｂ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．１５％／μｍ以上０．２０％／μｍ未満
ｃ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２０％／μｍ以上０．２５％／μｍ未満
ｄ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２５％／μｍ以上０．２６％／μｍ未満
ｅ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２６％／μｍ以上０．２８％／μｍ未満
ｆ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２８％／μｍ以上０．３０％／μｍ未満
ｇ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．３０％／μｍ以上
極薄銅層について、Ｌ（ライン）／Ｓ（スペース）＝２０μｍ／２０μｍ、長さ２００μｍの回路を作成し、１０μｍ間隔で１０点回路幅を測定し、前記測定した１０点の回路幅の平均値並びに標準偏差（σ回路幅）を求め、以下の式によって回路幅バラツキを算出した：
回路幅バラツキ（％／μｍ）＝３σ回路幅（μｍ）×１００／（回路幅の平均値（μｍ）×極薄銅層の厚み（μｍ））
極薄銅層の厚みによって、エッチング時間が変わり、それによって回路幅バラツキも変わると考えられる。そのため、極薄銅層の厚みの影響を小さくするため、３σ回路幅（μｍ）×１００／回路幅の平均値（μｍ）の値を、極薄銅層の厚み（μｍ）の値を除している。
上記回路幅バラツキの算出結果を以下の基準によりａ〜ｇで評価した。
ａ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．１５％／μｍ未満
ｂ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．１５％／μｍ以上０．２０％／μｍ未満
ｃ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２０％／μｍ以上０．２５％／μｍ未満
ｄ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２５％／μｍ以上０．２６％／μｍ未満
ｅ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２６％／μｍ以上０．２８％／μｍ未満
ｆ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２８％／μｍ以上０．３０％／μｍ未満
ｇ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．３０％／μｍ以上
＜エッチング性＞
キャリア付銅箔をポリイミド基板に貼り付けて２２０℃で２時間加熱圧着し、その後、極薄銅層をキャリアから剥がした。続いて、ポリイミド基板上の極薄銅層表面に、感光性レジストを塗布した後、露光工程により５０本のＬ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ幅の回路を印刷し、銅層の不要部分を除去するエッチング処理を以下のスプレーエッチング条件にて行った。
（スプレーエッチング条件）
エッチング液：塩化第二鉄水溶液（ボーメ度：４０度）
液温：６０℃
スプレー圧：２．０ＭＰａ
エッチングを続け、回路トップ幅が４μｍになるまでの時間を測定し、さらにそのときの回路ボトム幅（底辺Ｘの長さ）及びエッチングファクターを評価した。エッチングファクターは、末広がりにエッチングされた場合（ダレが発生した場合）、回路が垂直にエッチングされたと仮定した場合の、銅箔上面からの垂線と樹脂基板との交点からのダレの長さの距離をａとした場合において、このａと銅箔の厚さｂとの比：ｂ／ａを示すものであり、この数値が大きいほど、傾斜角は大きくなり、エッチング残渣が残らず、ダレが小さくなることを意味する。図５に、回路パターンの幅方向の横断面の模式図と、該模式図を用いたエッチングファクターの計算方法の概略とを示す。このＸは回路上方からのＳＥＭ観察により測定し、エッチングファクター（ＥＦ＝ｂ／ａ）を算出した。なお、a＝（Ｘ（μｍ）−４（μｍ））／２で計算した。エッチングファクターは回路中の１２点を測定し、平均値をとったものを示す。これにより、エッチング性の良否を簡単に判定できる。また、１２点のエッチングファクターの標準偏差も算出することで、エッチングにより形成した回路の直線性の良し悪しを判定することができる。なお、回路パターンは極薄銅層のＭＤ方向及びＴＤ方向の両方で形成し、それぞれのエッチング性を評価した。
本発明では、エッチングファクターが４以上をエッチング性：○、２．５以上４未満をエッチング性：△、２．５未満或いは算出不可または回路形成不可をエッチング性：×、剥離不可をエッチング性：−と評価した。また、エッチングファクターの標準偏差は小さいほど回路の直線性が良好であると云える。エッチングファクターの標準偏差が０．８未満を直線性：○、０．８〜１．２未満を直線性：△、１．２以上を直線性：×と判断した。
試験条件及び試験結果を表１に示す。
キャリア付銅箔をポリイミド基板に貼り付けて２２０℃で２時間加熱圧着し、その後、極薄銅層をキャリアから剥がした。続いて、ポリイミド基板上の極薄銅層表面に、感光性レジストを塗布した後、露光工程により５０本のＬ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ幅の回路を印刷し、銅層の不要部分を除去するエッチング処理を以下のスプレーエッチング条件にて行った。
（スプレーエッチング条件）
エッチング液：塩化第二鉄水溶液（ボーメ度：４０度）
液温：６０℃
スプレー圧：２．０ＭＰａ
エッチングを続け、回路トップ幅が４μｍになるまでの時間を測定し、さらにそのときの回路ボトム幅（底辺Ｘの長さ）及びエッチングファクターを評価した。エッチングファクターは、末広がりにエッチングされた場合（ダレが発生した場合）、回路が垂直にエッチングされたと仮定した場合の、銅箔上面からの垂線と樹脂基板との交点からのダレの長さの距離をａとした場合において、このａと銅箔の厚さｂとの比：ｂ／ａを示すものであり、この数値が大きいほど、傾斜角は大きくなり、エッチング残渣が残らず、ダレが小さくなることを意味する。図５に、回路パターンの幅方向の横断面の模式図と、該模式図を用いたエッチングファクターの計算方法の概略とを示す。このＸは回路上方からのＳＥＭ観察により測定し、エッチングファクター（ＥＦ＝ｂ／ａ）を算出した。なお、a＝（Ｘ（μｍ）−４（μｍ））／２で計算した。エッチングファクターは回路中の１２点を測定し、平均値をとったものを示す。これにより、エッチング性の良否を簡単に判定できる。また、１２点のエッチングファクターの標準偏差も算出することで、エッチングにより形成した回路の直線性の良し悪しを判定することができる。なお、回路パターンは極薄銅層のＭＤ方向及びＴＤ方向の両方で形成し、それぞれのエッチング性を評価した。
本発明では、エッチングファクターが４以上をエッチング性：○、２．５以上４未満をエッチング性：△、２．５未満或いは算出不可または回路形成不可をエッチング性：×、剥離不可をエッチング性：−と評価した。また、エッチングファクターの標準偏差は小さいほど回路の直線性が良好であると云える。エッチングファクターの標準偏差が０．８未満を直線性：○、０．８〜１．２未満を直線性：△、１．２以上を直線性：×と判断した。
試験条件及び試験結果を表１に示す。
（評価結果）
実施例１〜２１は、極薄銅層について、重量厚み法（評価Ｃ）による厚み精度が２．９０％以下であり、重量厚み法（評価Ｄ）による厚み精度が６．１５％以下であり、重量厚み法（評価Ｅ）による厚み精度が９．３０％以下であり、回路幅バラツキが小さくエッチング性も良好であった。
比較例１〜４は、極薄銅層について、重量厚み法（評価Ｃ）による厚み精度が２．９０％を超え、重量厚み法（評価Ｄ）による厚み精度が６．１５％を超え、重量厚み法（評価Ｅ）による厚み精度が９．３０％を超え、厚みバラツキが大きく、エッチング性が不良であった。
また、表１の結果より、回路幅バラツキａ〜ｇについて、最も良好なａから最も不良なｇへ進むにつれて、重量厚み法による評価Ｃ〜Ｄの厚み精度が徐々に不良となっていることが認められた。このため、極薄銅層の厚み精度と、それを用いて作製した回路の幅のバラツキとには密接な相関関係があることがわかる。
実施例１〜２１は、極薄銅層について、重量厚み法（評価Ｃ）による厚み精度が２．９０％以下であり、重量厚み法（評価Ｄ）による厚み精度が６．１５％以下であり、重量厚み法（評価Ｅ）による厚み精度が９．３０％以下であり、回路幅バラツキが小さくエッチング性も良好であった。
比較例１〜４は、極薄銅層について、重量厚み法（評価Ｃ）による厚み精度が２．９０％を超え、重量厚み法（評価Ｄ）による厚み精度が６．１５％を超え、重量厚み法（評価Ｅ）による厚み精度が９．３０％を超え、厚みバラツキが大きく、エッチング性が不良であった。
また、表１の結果より、回路幅バラツキａ〜ｇについて、最も良好なａから最も不良なｇへ進むにつれて、重量厚み法による評価Ｃ〜Ｄの厚み精度が徐々に不良となっていることが認められた。このため、極薄銅層の厚み精度と、それを用いて作製した回路の幅のバラツキとには密接な相関関係があることがわかる。
Claims (13)
- 銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された、銅箔キャリアより薄い極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、下記重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下であるキャリア付銅箔。
（上記重量厚み法：
まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となるキャリア付銅箔片は１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとする。重量厚み精度を調査するため、幅方向で等間隔に１０点、長さ方向で２点（１０ｍｍ間隔）、計２０点の前記キャリア付銅箔片の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値） - 前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、下記重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２．９０％以下である請求項１に記載のキャリア付銅箔。
（上記重量厚み法：
まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となるキャリア付銅箔片は５ｃｍ角シートとする。重量厚み精度を調査するため、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４０ｍｍ間隔）、計１５点の前記キャリア付銅箔片の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値） - 以下の（Ａ）〜（Ｃ）のいずれか一つ以上を満たす請求項１又は２に記載のキャリア付銅箔。
（Ａ）前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、下記重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が４％以下である、
（上記（Ａ）における重量厚み法：
まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となるキャリア付銅箔片は１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとする。重量厚み精度を調査するため、幅方向で等間隔に３点、長さ方向で５点（４０ｍｍ間隔）、計１５点の前記キャリア付銅箔片の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値）
（Ｂ）前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、下記重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が７％以下である、
（上記（Ｂ）における重量厚み法：
まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となるキャリア付銅箔片は１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとする。重量厚み精度を調査するため、幅方向で等間隔に１０点、長さ方向で２点（１０ｍｍ間隔）、計２０点の前記キャリア付銅箔片の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値）
（Ｃ）前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、下記重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２％以下である。
（上記（Ｃ）における重量厚み法：
まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となるキャリア付銅箔片は５ｃｍ角シートとする。重量厚み精度を調査するため、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４０ｍｍ間隔）、計１５点の前記キャリア付銅箔片の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値） - 以下の（Ｄ）〜（Ｆ）のいずれか一つを満たす請求項１〜３のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
（Ｄ）前記極薄銅層表面に粗化処理層を有する、
（Ｅ）前記極薄銅層の表面に粗化処理層を有し、かつ、当該粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する、
（Ｆ）前記極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する。 - 前記極薄銅層上または前記粗化処理層上または前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層の上に樹脂層を備える請求項１〜４のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- ロール・ツウ・ロール搬送方式により長さ方向に搬送される長尺状の銅箔キャリアの表面を処理することで、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔を製造する方法であり、
搬送ロールで搬送される銅箔キャリアの表面に剥離層を形成する工程と、
搬送ロールで搬送される前記剥離層が形成された銅箔キャリアをドラムで支持しながら、電解めっきにより前記剥離層表面に極薄銅層を形成する工程と、
を含む請求項１〜５のいずれかに記載のキャリア付銅箔の製造方法。 - 銅箔キャリア上に積層された剥離層上に積層されて、前記銅箔キャリア及び前記剥離層と共にキャリア付銅箔を構成していた、電解銅箔による、銅箔キャリアより薄い極薄銅層であって、前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、下記重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が９．３０％以下である極薄銅層。
（上記重量厚み法：
まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となるキャリア付銅箔片は１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとする。重量厚み精度を調査するため、幅方向で等間隔に１０点、長さ方向で２点（１０ｍｍ間隔）、計２０点の前記キャリア付銅箔片の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値） - 前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、下記重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２．９０％以下である請求項７に記載の極薄銅層。
（上記重量厚み法：
まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となるキャリア付銅箔片は５ｃｍ角シートとする。重量厚み精度を調査するため、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４０ｍｍ間隔）、計１５点の前記キャリア付銅箔片の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値） - 以下の（Ｇ）〜（Ｉ）のいずれか一つ以上を満たす請求項７又は８に記載の極薄銅層。
（Ｇ）前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとして、下記重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が４％以下である、
（上記（Ｇ）における重量厚み法：
まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となるキャリア付銅箔片は１５ｍｍ（ＭＤ方向）×１５０ｍｍ（ＴＤ方向）シートとする。重量厚み精度を調査するため、幅方向で等間隔に３点、長さ方向で５点（４０ｍｍ間隔）、計１５点の前記キャリア付銅箔片の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値）
（Ｈ）前記極薄銅層を１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとして、下記重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が７％以下である、
（上記（Ｈ）における重量厚み法：
まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となるキャリア付銅箔片は１５ｍｍ（ＴＤ方向）×１５０ｍｍ（ＭＤ方向）シートとする。重量厚み精度を調査するため、幅方向で等間隔に１０点、長さ方向で２点（１０ｍｍ間隔）、計２０点の前記キャリア付銅箔片の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値）
（Ｉ）前記極薄銅層を５ｃｍ角シートとして、下記重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が２％以下である。
（上記（Ｉ）における重量厚み法：
まず、キャリア付銅箔の重量（銅箔キャリアと剥離層と極薄銅層と極薄銅層の上の表面処理層（粗化処理層など）の合計重量）を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度銅箔キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となるキャリア付銅箔片は５ｃｍ角シートとする。重量厚み精度を調査するため、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４０ｍｍ間隔）、計１５点の前記キャリア付銅箔片の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値） - 銅箔キャリア上に積層された剥離層上に積層されて、前記銅箔キャリア及び前記剥離層と共にキャリア付銅箔を構成していた、電解銅箔による極薄銅層であって、
表面に粗化処理層を有する請求項７〜９のいずれかに記載の極薄銅層。 - 請求項１〜５のいずれかに記載のキャリア付銅箔、または、請求項６に記載のキャリア付銅箔の製造方法により製造されたキャリア付銅箔、または、請求項７〜９のいずれかに記載の極薄銅層を用いてプリント配線板を製造する方法。
- 請求項１〜５のいずれかに記載のキャリア付銅箔、または、請求項６に記載のキャリア付銅箔の製造方法により製造されたキャリア付銅箔、または、請求項７〜９のいずれかに記載の極薄銅層を用いて銅張積層板を製造する方法。
- 請求項１〜５のいずれかに記載のキャリア付銅箔、または、請求項６に記載のキャリア付銅箔の製造方法により製造されたキャリア付銅箔、または、請求項７〜９のいずれかに記載の極薄銅層と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、及び、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔の銅箔キャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
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