JP2017121164A - Switching regulator - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a switching regulator capable of executing a malfunction protection operation without directly using a detection result of a detection element for detecting a physical quantity which is an object of malfunction protection.SOLUTION: A switching regulator control circuit includes: a malfunction detection part such as a continuous pulse detection circuit 15; a malfunction protection part (a shutdown circuit 16). The malfunction detection part detects a malfunction state under which a duty ratio of a switching signal is out of a normal modulation range on the basis of the duty ratio. The malfunction protection part, when the malfunction state is detected by the malfunction detection part, stops a switching operation of a switching element.SELECTED DRAWING: Figure 8

Description

本発明は、スイッチングレギュレータに関する。   The present invention relates to a switching regulator.

入力電圧変動、出力電流変動等の外乱に応じてスイッチング信号のデューティ比を変更して出力電圧の安定化を図るスイッチング電源装置(スイッチングレギュレータ)の制御方式は電圧モード制御と電流モード制御に大別できる。電流モード制御は、一般的に位相補償の簡易化、高速応答、外付け部品点数削減の面で極めて有効な制御方式である。電流モード制御型スイッチング電源装置の従来例を図11に示す。   Switching power supply (switching regulator) control methods that stabilize the output voltage by changing the duty ratio of the switching signal according to disturbances such as input voltage fluctuation and output current fluctuation are roughly divided into voltage mode control and current mode control. it can. In general, the current mode control is an extremely effective control method in terms of simplifying phase compensation, high-speed response, and reducing the number of external parts. A conventional example of a current mode control type switching power supply is shown in FIG.

特開2014−003850号公報JP 2014-003850 A

図11に示すスイッチング電源装置100は、下側MOS[metal oxide semiconductor]トランジスタQ2を流れる電流を検出して電流モード制御を実行する。電流モード制御に従って上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2は相補的にオン/オフし、このスイッチング動作によって入力電圧VINがパルス状のスイッチ電圧VSWに変換される。そして、そのスイッチ電圧VSWがインダクタL1及び出力コンデンサC1によって平滑化されて入力電圧VINよりも低い出力電圧VOUTに変換される。 A switching power supply apparatus 100 shown in FIG. 11 performs current mode control by detecting a current flowing through a lower metal oxide semiconductor (MOS) transistor Q2. According to the current mode control, the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 are turned on / off in a complementary manner, and the input voltage VIN is converted to a pulsed switch voltage VSW by this switching operation. Then, the switch voltage V SW is smoothed by the inductor L1 and the output capacitor C1, and converted to an output voltage VOUT that is lower than the input voltage VIN .

例えば車載用のスイッチング電源装置は、AMラジオ周波数帯に対してノイズとなることを避けるために2MHz以上の高速スイッチング動作が求められる。図11に示すスイッチング電源装置100において、例えば入力電圧VINを48[V]、出力電圧VOUTを3.3[V]、スイッチング周波数fを2[MHz]に設定した場合、安定時のスイッチ電圧VSWのパルス幅Wは下記の通り34[ns]となる。
For example, an in-vehicle switching power supply device is required to perform a high-speed switching operation of 2 MHz or more in order to avoid noise in the AM radio frequency band. In the switching power supply apparatus 100 shown in FIG. 11, for example, when the input voltage VIN is set to 48 [V], the output voltage VOUT is set to 3.3 [V], and the switching frequency f is set to 2 [MHz], The pulse width W of the voltage VSW is 34 [ns] as follows.

図11に示すスイッチング電源装置100では、上側MOSトランジスタQ1を流れる過電流が検出されたときに生成される過電流検出信号OCに基づいて過電流保護動作が行われる。しかしながら、上記設定の場合には上側MOSトランジスタQ1がオン状態である区間が34[ns]しかないため、上側MOSトランジスタQ1を流れる過電流を検出することは不可能である。   In the switching power supply device 100 shown in FIG. 11, the overcurrent protection operation is performed based on the overcurrent detection signal OC generated when the overcurrent flowing through the upper MOS transistor Q1 is detected. However, in the case of the above setting, since there is only 34 [ns] in which the upper MOS transistor Q1 is in the on state, it is impossible to detect the overcurrent flowing through the upper MOS transistor Q1.

なお、特許文献1で開示されている電流モード制御型スイッチング電源装置も、図11に示すスイッチング電源装置100と同様に、上側スイッチング素子を流れる過電流を検出して過電流保護動作を実行しているので、同様の問題を有している。   Note that the current mode control type switching power supply device disclosed in Patent Document 1 also detects an overcurrent flowing through the upper switching element and executes an overcurrent protection operation, similarly to the switching power supply device 100 shown in FIG. Have similar problems.

上記の問題を解決するためには下側MOSトランジスタQ2を流れる過電流に基づいて過電流保護動作が行われる構成に変更すればよい。なお、過電流が検出されている状態ではスイッチング電源装置100の出力電圧VOUTが低下しているため、スイッチ電圧VSWのパルス幅Wに制限を設けていなければ過電流からの復帰タイミングで上側MOSトランジスタQ1をオン状態にするときに、上側MOSトランジスタQ1のオン時間が無制限に伸びてしまう。そのため、出力電圧VOUTが低下しているときには、スイッチ電圧VSWのパルス幅Wを制限する構成も追加する。ここで、過電流状態には、負荷が短絡して過電流が発生している状態と、スイッチング電源装置100の上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2の接続ノードが短絡して過電流が発生している状態とがある。そして、スイッチング電源装置100の上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2の接続ノードが短絡して過電流が発生している状態では下側MOSトランジスタQ2に過電流が流れない。このため、下側MOSトランジスタQ2を流れる過電流に基づいて過電流保護動作が行われる構成だけでは、スイッチング電源装置100の上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2の接続ノードが短絡して過電流が発生している状態を検出することができない。すなわち、負荷が短絡して過電流が発生している状態では、スイッチ電圧VSWのパルス幅Wが制限され且つ下側MOSトランジスタQ2を流れる過電流が検出されるのに対して、スイッチング電源装置100の上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2の接続ノードが短絡して過電流が発生している状態では、スイッチ電圧VSWのパルス幅Wが制限され且つ下側MOSトランジスタQ2を流れる過電流が検出されない。スイッチ電圧VSWのパルス幅Wが制限され且つ下側MOSトランジスタQ2を流れる過電流が検出されない状態において過電流保護動作を行うためには、電流検出素子の検出結果を直接用いることなく過電流保護動作を行うことができる技術が必要である。なお、上述した過電流に限らず、異常保護の対象である物理量を検出する検出素子の検出結果を直接用いることなく異常保護動作を行うことができる技術が確立できれば、非常に有用である。 In order to solve the above problem, the configuration may be changed so that the overcurrent protection operation is performed based on the overcurrent flowing through the lower MOS transistor Q2. In the state where the overcurrent is detected, the output voltage VOUT of the switching power supply device 100 is lowered. Therefore , if there is no restriction on the pulse width W of the switch voltage VSW , the upper side is returned at the recovery timing from the overcurrent. When the MOS transistor Q1 is turned on, the on time of the upper MOS transistor Q1 extends without limit. For this reason, when the output voltage V OUT is decreasing, a configuration for limiting the pulse width W of the switch voltage V SW is also added. Here, in the overcurrent state, the load is short-circuited and an overcurrent is generated, and the connection node between the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 of the switching power supply device 100 is short-circuited to generate an overcurrent. There is a state that is. In the state where the connection node between the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 of the switching power supply device 100 is short-circuited and an overcurrent is generated, no overcurrent flows through the lower MOS transistor Q2. For this reason, only with the configuration in which the overcurrent protection operation is performed based on the overcurrent flowing through the lower MOS transistor Q2, the connection node between the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 of the switching power supply device 100 is short-circuited. It is not possible to detect the state where the error occurs. That is, in a state where the load is short-circuited and an overcurrent is generated, the pulse width W of the switch voltage VSW is limited and an overcurrent flowing through the lower MOS transistor Q2 is detected. In the state where the connection node between the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 is short-circuited and an overcurrent is generated, the pulse current W of the switch voltage VSW is limited and the overcurrent flows through the lower MOS transistor Q2. Is not detected. In order to perform the overcurrent protection operation in a state where the pulse width W of the switch voltage V SW is limited and the overcurrent flowing through the lower MOS transistor Q2 is not detected, the overcurrent protection is performed without directly using the detection result of the current detection element. There is a need for a technique that can perform the operation. Not only the above-described overcurrent, but also a technique that can perform an abnormality protection operation without directly using a detection result of a detection element that detects a physical quantity that is an object of abnormality protection is very useful.

本発明は、上記の状況に鑑み、異常保護の対象である物理量を検出する検出素子の検出結果を直接用いることなく異常保護動作を行うことができるスイッチングレギュレータを提供することを目的とする。   In view of the above situation, an object of the present invention is to provide a switching regulator that can perform an abnormality protection operation without directly using a detection result of a detection element that detects a physical quantity that is a target of abnormality protection.

本明細書中に開示されているスイッチングレギュレータ制御回路は、入力電圧をスイッチング素子のスイッチングによって出力電圧に変換するスイッチングレギュレータに用いられ、前記スイッチング素子のオン/オフ動作を制御するためのスイッチング信号を生成するスイッチングレギュレータ制御回路であって、前記スイッチング信号のデューティ比、又は、前記スイッチング信号を生成するために用いられる制御信号が有する前記デューティ比と相関のある変数に基づいて、前記デューティ比が正常な変調範囲外である異常状態を検出する異常状態検出部と、前記異常状態が前記異常状態検出部によって検出されると、前記スイッチング素子のスイッチングを停止させる異常保護部と、を備える構成(第1の構成)である。   A switching regulator control circuit disclosed in the present specification is used in a switching regulator that converts an input voltage into an output voltage by switching of a switching element, and a switching signal for controlling the on / off operation of the switching element. A switching regulator control circuit to generate, wherein the duty ratio is normal based on a duty ratio of the switching signal or a variable correlated with the duty ratio of the control signal used to generate the switching signal An abnormal state detection unit that detects an abnormal state that is outside the modulation range; and an abnormality protection unit that stops switching of the switching element when the abnormal state is detected by the abnormal state detection unit (first 1 configuration).

また上記第1の構成のスイッチングレギュレータ制御回路において、前記デューティ比が正常な変調範囲とは、前記スイッチングレギュレータ制御回路を有するスイッチングレギュレータの動作時において想定されうる外乱に対する応答として表れる前記デューティ比の変調範囲を示している構成(第2の構成)であってもよい。なお、前記スイッチングレギュレータ制御回路を有するスイッチングレギュレータの動作時において想定されうる外乱としては、例えば入力電圧変動、負荷電流変動などが考えられる。   In the switching regulator control circuit of the first configuration, the modulation range in which the duty ratio is normal is the modulation of the duty ratio that appears as a response to a disturbance that can be assumed during the operation of the switching regulator having the switching regulator control circuit. A configuration indicating the range (second configuration) may be used. Note that disturbances that can be assumed during operation of the switching regulator having the switching regulator control circuit include, for example, input voltage fluctuation, load current fluctuation, and the like.

また上記第1又は第2の構成のスイッチングレギュレータ制御回路において、前記異常保護部は、前記スイッチング信号のパルス幅、前記パルス幅と相関のある電圧、又は前記パルス幅と相関のある電流を検出し、その検出結果に基づいて前記異常状態を検出する構成(第3の構成)であってもよい。   In the switching regulator control circuit having the first or second configuration, the abnormality protection unit detects a pulse width of the switching signal, a voltage correlated with the pulse width, or a current correlated with the pulse width. Further, a configuration (third configuration) for detecting the abnormal state based on the detection result may be employed.

また上記第1〜第3いずれかの構成のスイッチングレギュレータ制御回路において、前記パルス幅の上限が固定幅に制限されており、前記異常検出部は、前記スイッチング信号に前記固定幅のパルスが通常動作時のスイッチング周期がm周期以内でn回(ただしnはm以下の自然数)以上発生している場合に、前記異常状態を検出する構成(第4の構成)であってもよい。   Further, in the switching regulator control circuit having any one of the first to third configurations, the upper limit of the pulse width is limited to a fixed width, and the abnormality detection unit operates the pulse of the fixed width normally in the switching signal. The configuration may be such that the abnormal state is detected (fourth configuration) when the switching period of the time occurs n times (where n is a natural number equal to or less than m) within m cycles.

また上記第4の構成のスイッチングレギュレータ制御回路において、前記固定幅の値が複数設定されており、複数設定の中から任意に選択することができる構成(第5の構成)であってもよい。   In the switching regulator control circuit of the fourth configuration, a plurality of fixed width values may be set, and a configuration (fifth configuration) that can be arbitrarily selected from a plurality of settings may be used.

また上記第4又は第5の構成のスイッチングレギュレータ制御回路において、前記固定幅の値が、前記スイッチングレギュレータ制御回路を有するスイッチングレギュレータの入力電圧及び出力電圧の少なくとも一つの関数である構成(第6の構成)であってもよい。   In the switching regulator control circuit of the fourth or fifth configuration, the fixed width value is a function of at least one of an input voltage and an output voltage of the switching regulator having the switching regulator control circuit (sixth Configuration).

本明細書中に開示されている電流モード制御型スイッチング電源装置は、第1端が入力電圧の印加される第1印加端に接続された第1スイッチと、第1端が前記第1スイッチの第2端に接続されて第2端が前記入力電圧よりも低い電圧の印加される第2印加端に接続された第2スイッチと、前記第2スイッチを流れる電流を検出する電流検出部と、前記第2スイッチを流れる過電流を検出する過電流検出部と、前記電流検出部によって検出された電流に応じて前記第1スイッチ及び前記第2スイッチを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記第1スイッチがオフ状態である間の所定期間に前記電流検出部によって検出された電流の情報を蓄積して、蓄積された電流の情報に基づいたスロープ電圧を生成するスロープ電圧生成部を有し、前記スロープ電圧に応じて前記第1スイッチ及び前記第2スイッチを制御し、前記スロープ電圧に応じて前記第1スイッチ及び前記第2スイッチを制御したままでは前記第1スイッチ及び前記第2スイッチのオン/オフ動作を制御するためのスイッチング信号に発生するパルスのパルス幅が固定幅を超える場合には、前記スイッチング信号に発生するパルスのパルス幅を前記固定幅に制限し、前記過電流検出部によって過電流が検出されている期間中は前記スイッチング信号にパルスを発生させないようにし、前記スイッチング信号に前記固定幅のパルスが通常動作時のスイッチング周波数で連続して発生している場合に前記第1スイッチのオン/オフ動作を停止させ前記第1スイッチをオフ状態にする構成(第7の構成)にしてもよい。   A current mode control type switching power supply device disclosed in the present specification includes a first switch having a first end connected to a first application end to which an input voltage is applied, and a first end of the first switch. A second switch connected to the second end and connected to a second application end to which a voltage lower than the input voltage is applied to the second end; a current detection unit for detecting a current flowing through the second switch; An overcurrent detection unit that detects an overcurrent flowing through the second switch; and a control unit that controls the first switch and the second switch in accordance with a current detected by the current detection unit. The unit accumulates information on the current detected by the current detection unit during a predetermined period while the first switch is in an off state, and generates a slope voltage based on the accumulated current information Have a part The first switch and the second switch are controlled according to the slope voltage, and the first switch and the second switch are turned on while the first switch and the second switch are controlled according to the slope voltage. / When the pulse width of the pulse generated in the switching signal for controlling the off-operation exceeds a fixed width, the pulse width of the pulse generated in the switching signal is limited to the fixed width, and the overcurrent detection unit During the period in which the overcurrent is detected, the switching signal is not generated with a pulse, and the first pulse is generated when the fixed-width pulse is continuously generated in the switching signal at the switching frequency during normal operation. A configuration (seventh configuration) may be employed in which the on / off operation of the switch is stopped and the first switch is turned off.

また上記第7の構成の電流モード制御型スイッチング電源装置において、前記制御部は、前記電流モード制御型スイッチング電源装置の出力電圧に応じた電圧と基準電圧との差分に応じた誤差信号を生成するエラーアンプと、前記スロープ電圧と前記誤差信号を比較して比較信号であるリセット信号を生成するコンパレータと、所定周波数のクロック信号であるセット信号を生成するオシレータと、前記セット信号と前記リセット信号に応じて前記第1スイッチのオン/オフ及び前記第2スイッチのオン/オフを制御するタイミング制御回路と、を有する構成(第8の構成)にしてもよい。   In the current mode control type switching power supply device having the seventh configuration, the control unit generates an error signal according to a difference between a voltage corresponding to the output voltage of the current mode control type switching power supply device and a reference voltage. An error amplifier, a comparator that compares the slope voltage with the error signal and generates a reset signal that is a comparison signal, an oscillator that generates a set signal that is a clock signal of a predetermined frequency, and the set signal and the reset signal Accordingly, a configuration (eighth configuration) may be included that includes a timing control circuit that controls on / off of the first switch and on / off of the second switch.

また上記第7又は第8の構成の電流モード制御型スイッチング電源装置において、前記固定幅の値は、前記入力電圧及び前記電流モード制御型スイッチング電源装置の出力電圧の関数である構成(第9の構成)にしてもよい。   In the current mode control type switching power supply of the seventh or eighth configuration, the fixed width value is a function of the input voltage and the output voltage of the current mode control type switching power supply (the ninth (Configuration).

また上記第7〜第9いずれかの構成の電流モード制御型スイッチング電源装置において、前記第2スイッチがMOSトランジスタであって、前記電流検出部が前記MOSトランジスタのオン抵抗の両端電圧を用いて前記第2スイッチを流れる電流を検出し、前記過電流検出部が前記MOSトランジスタのオン抵抗の両端電圧を用いて前記第2スイッチを流れる過電流を検出する構成(第10の構成)にしてもよい。   Further, in the current mode control type switching power supply device having any one of the seventh to ninth configurations, the second switch is a MOS transistor, and the current detection unit uses the voltage across the on-resistance of the MOS transistor. The current flowing through the second switch may be detected, and the overcurrent detection unit may detect the overcurrent flowing through the second switch using the voltage across the ON resistance of the MOS transistor (tenth configuration). .

また、本明細書中に開示されている車載機器は、第1〜第6いずれかの構成のスイッチングレギュレータ制御回路と、前記スイッチングレギュレータ制御回路から出力されるスイッチング信号によってオン/オフ制御されるスイッチング素子と、を備えるスイッチングレギュレータ、又は、第7〜第10いずれかの構成の電流モード制御型スイッチング電源装置を備える構成(第11の構成)である。   In addition, the in-vehicle device disclosed in the present specification includes a switching regulator control circuit having any one of the first to sixth configurations, and switching that is on / off controlled by a switching signal output from the switching regulator control circuit. A switching regulator including an element or a current mode control type switching power supply having any one of the seventh to tenth configurations (eleventh configuration).

また、本明細書中に開示されている車両は、第11の構成の車載機器と、前記車載機器に電力を供給するバッテリを備える構成(第12の構成)である。   The vehicle disclosed in the present specification has a configuration (a twelfth configuration) including an on-vehicle device having an eleventh configuration and a battery for supplying power to the on-vehicle device.

本明細書中に開示されているスイッチングレギュレータによれば、異常保護の対象である物理量を検出する検出素子の検出結果を直接用いることなく異常保護動作を行うことができる。   According to the switching regulator disclosed in the present specification, the abnormality protection operation can be performed without directly using the detection result of the detection element that detects the physical quantity that is the target of abnormality protection.

スイッチング電源装置の全体構成例を示す図The figure which shows the example of whole structure of a switching power supply device 電流検出回路及びスロープ回路の一構成例を示す図The figure which shows one structural example of a current detection circuit and a slope circuit 電圧電流変換回路4Aの一構成例を示す図The figure which shows the example of 1 structure of the voltage-current conversion circuit 4A 電圧電流変換回路5Aの一構成例を示す図The figure which shows one structural example of 5 A of voltage-current conversion circuits 電流検出回路及びスロープ回路の他の構成例を示す図The figure which shows the other structural example of a current detection circuit and a slope circuit タイミング制御回路の要部構成例を示す図The figure which shows the example of a principal part structure of a timing control circuit 図5に示すタイミング制御回路の動作例を示すタイミングチャートFIG. 5 is a timing chart showing an operation example of the timing control circuit shown in FIG. 図5に示すタイミング制御回路の他の動作例を示すタイミングチャート5 is a timing chart showing another operation example of the timing control circuit shown in FIG. タイミング制御回路の他の要部構成例を示す図The figure which shows the other principal part structural example of a timing control circuit 図8に示すタイミング制御回路の動作例を示すタイミングチャートTiming chart showing an operation example of the timing control circuit shown in FIG. 車載機器を搭載した車両の一構成例を示す外観図External view showing an example of the configuration of a vehicle equipped with in-vehicle equipment 電流モード制御型スイッチング電源装置の従来例を示す図The figure which shows the prior art example of a current mode control type switching power supply device スイッチング信号の最大パルス幅を示す図Diagram showing maximum pulse width of switching signal 図12に示したスイッチング信号の最大パルス幅の三次元プロット3D plot of the maximum pulse width of the switching signal shown in FIG. 回路バラツキなどを考慮したスイッチング信号の最大パルス幅の三次元プロットThree-dimensional plot of the maximum pulse width of the switching signal considering circuit variations スイッチング電源装置の他の全体構成例を示す図The figure which shows the other whole structural example of a switching power supply device 図15に示すスイッチング電源装置の変形例を示す図The figure which shows the modification of the switching power supply device shown in FIG. 図15に示すスイッチング電源装置の他の変形例を示す図The figure which shows the other modification of the switching power supply device shown in FIG.

<全体構成>
図1は、電流モード制御型スイッチング電源装置(電流モード制御型スイッチングレギュレータ)の全体構成例を示す図である。本構成例のスイッチング電源装置101は、入力電圧を降圧する降圧動作を行う電流モード制御型スイッチング電源装置であって、タイミング制御回路1と、上側MOSトランジスタQ1と、下側MOSトランジスタQ2と、インダクタL1と、出力コンデンサC1と、分圧抵抗R1及びR2と、エラーアンプ2と、基準電圧源3と、電流検出回路4と、スロープ回路5と、コンパレータ6と、オシレータ7と、過電流検出回路8と、を備える。
<Overall configuration>
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration example of a current mode control type switching power supply device (current mode control type switching regulator). The switching power supply device 101 of this configuration example is a current mode control type switching power supply device that performs a step-down operation for stepping down an input voltage, and includes a timing control circuit 1, an upper MOS transistor Q1, a lower MOS transistor Q2, and an inductor. L1, output capacitor C1, voltage dividing resistors R1 and R2, error amplifier 2, reference voltage source 3, current detection circuit 4, slope circuit 5, comparator 6, oscillator 7, and overcurrent detection circuit 8.

タイミング制御回路1は、上側MOSトランジスタQ1のオン/オフ及び下側MOSトランジスタQ2のオン/オフを制御し、セット信号SETとリセット信号RESETに応じて上側MOSトランジスタQ1のゲート信号G1及び下側MOSトランジスタQ2のゲート信号G2を生成する。   The timing control circuit 1 controls on / off of the upper MOS transistor Q1 and on / off of the lower MOS transistor Q2, and the gate signal G1 and lower MOS of the upper MOS transistor Q1 according to the set signal SET and the reset signal RESET. A gate signal G2 of the transistor Q2 is generated.

上側MOSトランジスタQ1は、Nチャネル型MOSトランジスタであって、入力電圧VINが印加されている入力電圧印加端からインダクタL1に至る電流経路を導通/遮断する上側スイッチの一例である。上側MOSトランジスタQ1のドレインは、入力電圧VINが印加されている入力電圧印加端に接続されている。上側MOSトランジスタQ1のソースは、インダクタの一端及び下側MOSトランジスタQ2のドレインに接続されている。上側MOSトランジスタQ1のゲートには、タイミング制御回路1からゲート信号G1が供給される。上側MOSトランジスタQ1は、ゲート信号G1がハイレベルであるときにオンとなり、ゲート信号G1がローレベルであるときにオフとなる。 The upper MOS transistor Q1 is an N-channel MOS transistor, and is an example of an upper switch that conducts / cuts off a current path from the input voltage application terminal to which the input voltage VIN is applied to the inductor L1. The drain of the upper MOS transistor Q1 is connected to the input voltage application terminal to which the input voltage VIN is applied. The source of the upper MOS transistor Q1 is connected to one end of the inductor and the drain of the lower MOS transistor Q2. A gate signal G1 is supplied from the timing control circuit 1 to the gate of the upper MOS transistor Q1. The upper MOS transistor Q1 is turned on when the gate signal G1 is at a high level, and is turned off when the gate signal G1 is at a low level.

下側MOSトランジスタQ2は、Nチャネル型MOSトランジスタであって、接地端からインダクタL1に至る電流経路を導通/遮断する下側スイッチの一例である。下側MOSトランジスタQ2のドレインは、上述の通りインダクタの一端及び上側MOSトランジスタQ1のソースに接続されている。下側MOSトランジスタQ2のソースは、接地端に接続されている。下側MOSトランジスタQ2のゲートには、タイミング制御回路1からゲート信号G2が供給される。下側MOSトランジスタQ2は、ゲート信号G2がハイレベルであるときにオンとなり、ゲート信号G2がローレベルであるときにオフとなる。なお、下側MOSトランジスタQ2の代わりにダイオードを下側スイッチとして用いることができるが、この場合は当該ダイオードに直列接続されるセンス抵抗を設け、電流検出回路4が当該センス抵抗の両端電圧を検出する必要がある。   The lower MOS transistor Q2 is an N-channel MOS transistor, and is an example of a lower switch that conducts / cuts off a current path from the ground terminal to the inductor L1. As described above, the drain of the lower MOS transistor Q2 is connected to one end of the inductor and the source of the upper MOS transistor Q1. The source of the lower MOS transistor Q2 is connected to the ground terminal. A gate signal G2 is supplied from the timing control circuit 1 to the gate of the lower MOS transistor Q2. The lower MOS transistor Q2 is turned on when the gate signal G2 is at a high level, and turned off when the gate signal G2 is at a low level. A diode can be used as the lower switch instead of the lower MOS transistor Q2. In this case, a sense resistor connected in series with the diode is provided, and the current detection circuit 4 detects the voltage across the sense resistor. There is a need to.

上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2は、タイミング制御回路1の制御により、相補的にオン/オフする。これにより、上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2の接続ノードにパルス状のスイッチ電圧VSWが生成される。なお、上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2のオン/オフ切り替わり時には、上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2の双方がオフになるデッドタイムを設けることが好ましい。 The upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 are complementarily turned on / off under the control of the timing control circuit 1. As a result, a pulsed switch voltage VSW is generated at the connection node between the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2. It is preferable to provide a dead time when both the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 are turned off when the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 are switched on / off.

インダクタL1及び出力コンデンサC1は、パルス状のスイッチ電圧VSWを平滑化して出力電圧VOUTを生成し、その出力電圧VOUTを出力電圧VOUTの印加端に供給する。 The inductor L1 and the output capacitor C1, a pulsed switch voltage V SW smoothes and generates the output voltage V OUT, supplies its output voltage V OUT to an application terminal of the output voltage V OUT.

分圧抵抗R1及びR2は、出力電圧VOUTを分圧して帰還電圧VFBを生成する。 The voltage dividing resistors R1 and R2 divide the output voltage VOUT to generate a feedback voltage VFB .

エラーアンプ2は、帰還電圧VFBと、基準電圧源3から出力される基準電圧との差分に応じた誤差信号VERRを生成する。 The error amplifier 2 generates an error signal V ERR corresponding to the difference between the feedback voltage V FB and the reference voltage output from the reference voltage source 3.

電流検出回路4は、下側MOSトランジスタQ2のオン状態におけるドレイン−ソース間電圧すなわち下側MOSトランジスタQ2のオン抵抗の両端電圧に基づいて、下側MOSトランジスタQ2を流れる電流を検出する。   The current detection circuit 4 detects the current flowing through the lower MOS transistor Q2 based on the drain-source voltage when the lower MOS transistor Q2 is on, that is, the voltage across the ON resistance of the lower MOS transistor Q2.

スロープ回路5は、電流検出回路4によって検出された下側MOSトランジスタQ2を流れる電流に応じたスロープ電圧を生成して出力する。   The slope circuit 5 generates and outputs a slope voltage corresponding to the current flowing through the lower MOS transistor Q2 detected by the current detection circuit 4.

電流情報をスロープの傾きに反映させたスロープ電圧を生成する場合、電流検出回路4及びスロープ回路5を例えば図2に示す構成にすればよい。一方、電流情報をスロープのオフセット電圧に反映させたスロープ電圧を生成する場合、電流検出回路4及びスロープ回路5を例えば図4に示す構成にすればよい。   When generating a slope voltage in which current information is reflected in the slope of the slope, the current detection circuit 4 and the slope circuit 5 may be configured as shown in FIG. On the other hand, when generating a slope voltage in which current information is reflected in the offset voltage of the slope, the current detection circuit 4 and the slope circuit 5 may be configured as shown in FIG. 4, for example.

図2に示す例において電流検出回路4は、電圧電流変換回路4Aによって構成される。また図2に示す例においてスロープ回路5は、スイッチS1〜S3と、コンデンサC2及びC3と、電圧電流変換回路5Aによって構成される。   In the example shown in FIG. 2, the current detection circuit 4 is constituted by a voltage-current conversion circuit 4A. In the example shown in FIG. 2, the slope circuit 5 includes switches S1 to S3, capacitors C2 and C3, and a voltage-current conversion circuit 5A.

電圧電流変換回路4A及び5Aそれぞれは、タイミング制御回路1と、エラーアンプ2と、基準電圧源3と、電流検出回路4と、スロープ回路5と、コンパレータ6と、オシレータ7と、過電流検出回路8と、を備えるIC[integrated circuit]内部で生成される内部電源電圧VCCによって駆動する回路である。 Each of the voltage / current conversion circuits 4A and 5A includes a timing control circuit 1, an error amplifier 2, a reference voltage source 3, a current detection circuit 4, a slope circuit 5, a comparator 6, an oscillator 7, and an overcurrent detection circuit. 8 is a circuit driven by an internal power supply voltage VCC generated inside an IC [integrated circuit].

電圧電流変換回路4Aは下側MOSトランジスタQ2のドレイン−ソース間電圧を電流に変換して出力する。スイッチS1がオンのとき電圧電流変換回路4Aの出力電流によってコンデンサC2が充電される。一方、スイッチS2がオンのときコンデンサC2は放電する。   The voltage-current conversion circuit 4A converts the drain-source voltage of the lower MOS transistor Q2 into a current and outputs the current. When the switch S1 is on, the capacitor C2 is charged by the output current of the voltage / current conversion circuit 4A. On the other hand, when the switch S2 is on, the capacitor C2 is discharged.

電圧電流変換回路5AはコンデンサC2の充電電圧VCRGを電流に変換して出力する。電圧電流変換回路5Aの出力電流によってコンデンサC3が充電される。一方、スイッチS3がオンのときコンデンサC3は放電する。コンデンサC3の充電電圧がスロープ電圧VSLPとなる。 The voltage-current conversion circuit 5A converts the charging voltage VCRG of the capacitor C2 into a current and outputs it. The capacitor C3 is charged by the output current of the voltage-current conversion circuit 5A. On the other hand, when the switch S3 is on, the capacitor C3 is discharged. The charging voltage of the capacitor C3 becomes the slope voltage V SLP .

図3A及び図3Bは、電圧電流変換回路4A及び5Aそれぞれの一構成例を示す図である。図3Aに示す電圧電流変換回路では、電流源CS1が、Nチャネル型MOSトランジスタQ3及びQ4からなるカレントミラー回路に電流を供給する。Nチャネル型MOSトランジスタQ3及びQ4からなるカレントミラー回路のミラー比が1:1であれば、抵抗R4を流れる電流はスイッチ電圧VSWを抵抗R3の抵抗値r3と抵抗R4の抵抗値r4の差(r3−r4)で除した値となる。そして、Pチャネル型MOSトランジスタQ5及びQ6からなるカレントミラー回路によって、抵抗R4を流れる電流に応じた電流(電圧電流変換回路4Aの入力電圧であるスイッチ電圧VSWに応じた電流)が電圧電流変換回路4Aの出力電流として掃き出される。図3Bに示す電圧電流変換回路では、抵抗R5とPNPトランジスタQ7の直列回路により電圧電流変換回路の入力電圧に応じた電流が抵抗R5を流れ、抵抗R5とPNPトランジスタQ7の接続ノードに電圧電流変換回路の入力電圧に応じた電圧が生成される。さらに、NPNトランジスタQ8と抵抗R6の直列回路により抵抗R5とPNPトランジスタQ7の接続ノード電圧(電圧電流変換回路の入力電圧に応じた電圧)に応じた電流が抵抗R6を流れる。そして、Pチャネル型MOSトランジスタQ9及びQ10からなるカレントミラー回路によって、抵抗R6を流れる電流に応じた電流(電圧電流変換回路5Aの入力電圧Vに応じた電流)が電圧電流変換回路の出力電流として掃き出される。 FIG. 3A and FIG. 3B are diagrams showing examples of the configuration of each of the voltage / current conversion circuits 4A and 5A. In the voltage-current conversion circuit shown in FIG. 3A, the current source CS1 supplies a current to a current mirror circuit composed of N-channel MOS transistors Q3 and Q4. Mirror ratio of the current mirror circuit composed of N-channel type MOS transistors Q3 and Q4 is 1: 1, the difference between the resistance value r4 of the current flowing through the resistor R4 to switch voltage V SW and the resistance value r3 of the resistor R3 resistor R4 A value obtained by dividing by (r3-r4). Then, a current corresponding to the current flowing through the resistor R4 (current corresponding to the switch voltage VSW that is the input voltage of the voltage-current conversion circuit 4A) is converted into voltage-current by the current mirror circuit including the P-channel MOS transistors Q5 and Q6. It is swept out as the output current of the circuit 4A. In the voltage-current converter circuit shown in FIG. 3B, a current corresponding to the input voltage of the voltage-current converter circuit flows through the resistor R5 by the series circuit of the resistor R5 and the PNP transistor Q7, and the voltage-current converter is connected to the connection node of the resistor R5 and the PNP transistor Q7 A voltage corresponding to the input voltage of the circuit is generated. Furthermore, a current corresponding to the connection node voltage of the resistor R5 and the PNP transistor Q7 (voltage corresponding to the input voltage of the voltage-current conversion circuit) flows through the resistor R6 by the series circuit of the NPN transistor Q8 and the resistor R6. Then, a current corresponding to the current flowing through the resistor R6 (current corresponding to the input voltage V of the voltage-current conversion circuit 5A) is output as the output current of the voltage-current conversion circuit by the current mirror circuit composed of the P-channel MOS transistors Q9 and Q10. Swept out.

図4に示す例において電流検出回路4は、電圧電流変換回路4Aによって構成される。また図4に示す例においてスロープ回路5は、スイッチS1、S2、及びS4と、コンデンサC2と、定電流源CS2によって構成される。なお、定電流源CS2から出力される定電流の値は調整可能であることが望ましい。   In the example shown in FIG. 4, the current detection circuit 4 is configured by a voltage-current conversion circuit 4A. In the example shown in FIG. 4, the slope circuit 5 includes switches S1, S2, and S4, a capacitor C2, and a constant current source CS2. Note that the value of the constant current output from the constant current source CS2 is desirably adjustable.

電圧電流変換回路4A及び定電流源CS2それぞれは、タイミング制御回路1と、エラーアンプ2と、基準電圧源3と、電流検出回路4と、スロープ回路5と、コンパレータ6と、オシレータ7と、過電流検出回路8と、を備えるIC[integrated circuit]内部で生成される内部電源電圧VCCによって駆動する回路である。 Each of the voltage / current conversion circuit 4A and the constant current source CS2 includes a timing control circuit 1, an error amplifier 2, a reference voltage source 3, a current detection circuit 4, a slope circuit 5, a comparator 6, an oscillator 7, The circuit is driven by an internal power supply voltage VCC generated in an IC [integrated circuit] including a current detection circuit 8.

電圧電流変換回路4Aは下側MOSトランジスタQ2のドレイン−ソース間電圧を電流に変換して出力する。コンデンサC2は、スイッチS1がオンのとき電圧電流変換回路4Aの出力電流によって充電され、スイッチS4がオンのとき定電流源CS2の出力電流によって充電される。一方、スイッチS2がオンのときコンデンサC2は放電する。コンデンサC2の充電電圧がスロープ電圧VSLPとなる。 The voltage-current conversion circuit 4A converts the drain-source voltage of the lower MOS transistor Q2 into a current and outputs the current. The capacitor C2 is charged by the output current of the voltage / current conversion circuit 4A when the switch S1 is on, and is charged by the output current of the constant current source CS2 when the switch S4 is on. On the other hand, when the switch S2 is on, the capacitor C2 is discharged. The charging voltage of the capacitor C2 becomes the slope voltage V SLP .

次に、図1に戻ってスイッチング電源装置101の説明を続ける。   Next, returning to FIG. 1, the description of the switching power supply apparatus 101 will be continued.

コンパレータ6は、スロープ回路5の出力電圧と誤差信号VERRを比較して比較信号であるリセット信号RESETを生成する。スロープ回路5によって生成されるスロープ電圧VSLPが固定周期であるため、リセット信号RESETはPWM[pulse width modulation]信号となる。 Comparator 6 generates a reset signal RESET is a comparison signal by comparing the output voltage of the slope circuit 5 and the error signal V ERR. Since the slope voltage V SLP generated by the slope circuit 5 has a fixed period, the reset signal RESET is a PWM [pulse width modulation] signal.

オシレータ7は、所定周波数のクロック信号であるセット信号SETを生成する。   The oscillator 7 generates a set signal SET that is a clock signal having a predetermined frequency.

過電流検出回路8は、下側MOSトランジスタQ2がオン状態のときに発生する電圧に基づいて、下側MOSトランジスタQ2を流れる電流が閾値を超えている場合に過電流を検出する。過電流検出回路8の検出結果を用いてタイミング制御回路1は過電流保護動作を行う。過電流保護動作の詳細については後述する。   The overcurrent detection circuit 8 detects an overcurrent when the current flowing through the lower MOS transistor Q2 exceeds the threshold based on the voltage generated when the lower MOS transistor Q2 is in the on state. Using the detection result of the overcurrent detection circuit 8, the timing control circuit 1 performs an overcurrent protection operation. Details of the overcurrent protection operation will be described later.

<過電流保護の第1実施例>
図5は、過電流保護の第1実施例に係るタイミング制御回路1の要部構成を示す図である。図5に示す構成のタイミング制御回路1は、ORゲート11と、NORゲート12と、Dフリップフロップ13と、アンプ14と、を備える。
<First Example of Overcurrent Protection>
FIG. 5 is a diagram showing a main configuration of the timing control circuit 1 according to the first embodiment of overcurrent protection. The timing control circuit 1 having the configuration shown in FIG. 5 includes an OR gate 11, a NOR gate 12, a D flip-flop 13, and an amplifier 14.

ORゲート11は、コンパレータ6から出力されるリセット信号RESETと、固定幅信号FWとの論理和演算を行い、その演算結果を出力する。固定幅信号FWは、タイミング制御回路1内部で生成される信号であり、オシレータ7から出力されるセット信号SETの立ち下がりエッジ(セット信号SETがハイレベルからローレベルに切り替わるタイミング)から所定時間(図6に示す固定幅W1に相当する時間)が経過したときにパルスが立ち上がるパルス信号である。図6に示す固定幅W1が通常動作におけるゲート信号G1及びスイッチ電圧VSWの最大パルス幅よりも大きくなるように、上記の所定時間を設定する。 The OR gate 11 performs a logical OR operation between the reset signal RESET output from the comparator 6 and the fixed width signal FW, and outputs the operation result. The fixed width signal FW is a signal generated inside the timing control circuit 1, and is a predetermined time (a timing at which the set signal SET switches from the high level to the low level) from the falling edge of the set signal SET output from the oscillator 7. The pulse signal rises when a time corresponding to the fixed width W1 shown in FIG. 6 has elapsed. Fixed width W1 shown in FIG. 6 to be greater than the maximum pulse width of the gate signal G1 and the switch voltage V SW at the normal operation, a predetermined time of the.

ここで、固定幅W1の設定方法について説明する。スイッチング電源装置101は、通常動作の際にも入力電圧変動、出力電流変動等の外乱を受ける。しかしながら、通常動作であるにもかかわらず外乱によってゲート信号G1及びスイッチ電圧VSWのパルス幅が固定幅W1に固定されることは避けなければならない。そのため、スイッチング電源装置101の制御系のトータルゲインのゼロクロス周波数Fzeroから固定幅W1を決めるようにする。 Here, a method for setting the fixed width W1 will be described. The switching power supply device 101 is also subject to disturbances such as input voltage fluctuation and output current fluctuation during normal operation. However, the pulse width of the gate signal G1 and the switch voltage V SW must be avoided to be fixed to a fixed width W1 by disturbance despite the normal operation. Therefore, the fixed width W1 is determined from the zero cross frequency Fzero of the total gain of the control system of the switching power supply apparatus 101.

ゼロクロス周波数Fzeroが高ければ、制御系での応答が速くなり、スイッチング信号(ゲート信号G1)の変調量が大きくなる。一方、ゼロクロス周波数Fzeroが低ければ、制御系での応答が遅くなり、スイッチング信号(ゲート信号G1)の変調量が小さくなる。そこで、スイッチング電源装置101が用いられる各分野(車載分野、産業機械分野、民生機器分野など)においてそれぞれ適したゼロクロス周波数Fzeroを決定し、シミュレーションソフトウェアを利用して安定時におけるスイッチング信号(ゲート信号G1)の最大パルス幅を求める。   If the zero cross frequency Fzero is high, the response in the control system becomes fast, and the modulation amount of the switching signal (gate signal G1) becomes large. On the other hand, if the zero cross frequency Fzero is low, the response in the control system is delayed, and the modulation amount of the switching signal (gate signal G1) becomes small. Therefore, a zero-cross frequency Fzero suitable for each field in which the switching power supply device 101 is used (in-vehicle field, industrial machine field, consumer device field, etc.) is determined, and a switching signal (gate signal G1) at a stable time is determined using simulation software. ) To obtain the maximum pulse width.

車載分野に用いるスイッチング電源装置101の一設定例として、ゼロクロス周波数Fzeroを100kHzとし、入力電圧VINを20〜60Vとし、出力電圧VOUTを5Vとし、スイッチング周波数を2.1MHzとし、出力電流IOUTを0〜1Aとした場合について、ゼロクロス周波数Fzeroを20kHz刻み、入力電圧VINを10V刻みでスイッチング信号(ゲート信号G1)の最大パルス幅を求めると、図12に示すようになる。図13は、図12に示したスイッチング信号の最大パルス幅の三次元プロットである。図13に示す矢印の領域、すなわち境界面F1よりも上の領域で固定幅W1を設定すれば、通常動作であるにもかかわらず外乱によってゲート信号G1及びスイッチ電圧VSWのパルス幅が固定幅W1に固定されることを避けることができる。 As one setting example of the switching power supply device 101 used in the in-vehicle field, the zero cross frequency Fzero is 100 kHz, the input voltage VIN is 20 to 60 V, the output voltage VOUT is 5 V, the switching frequency is 2.1 MHz, and the output current I When OUT is set to 0 to 1A, the maximum pulse width of the switching signal (gate signal G1) is obtained with the zero cross frequency Fzero in increments of 20 kHz and the input voltage VIN in increments of 10V, as shown in FIG. FIG. 13 is a three-dimensional plot of the maximum pulse width of the switching signal shown in FIG. If the fixed width W1 is set in the area of the arrow shown in FIG. 13, that is, the area above the boundary surface F1, the pulse width of the gate signal G1 and the switch voltage VSW is fixed by the disturbance despite the normal operation. It is possible to avoid being fixed to W1.

しかしながら、図12及び図13では回路のバラツキなどを考慮していないので、例えば図14に示すように境界面F1を2.2倍した境界面F2よりも上の領域で固定幅W1を設定することが望ましい。これにより、回路のバラツキなどがあっても、通常動作であるにもかかわらず外乱によってゲート信号G1及びスイッチ電圧VSWのパルス幅が固定幅W1に固定されることを避けることができる。 However, in FIG. 12 and FIG. 13, circuit variations and the like are not taken into consideration. Therefore, for example, as shown in FIG. 14, the fixed width W1 is set in a region above the boundary surface F2 obtained by multiplying the boundary surface F1 by 2.2. It is desirable. This makes it possible to avoid even with variations in the circuit, the pulse width of the gate signal G1 and the switch voltage V SW is fixed to the fixed width W1 by disturbance despite the normal operation.

固定幅W1は一つの値にしてもよいが、入力電圧VIN及び出力電圧VOUTの少なくとも一つが変われば、許容されるゲート信号G1及びスイッチ電圧VSWの最大オンデューティが異なる(通常動作における許容されるゲート信号G1及びスイッチ電圧VSWの最大パルス幅が異なる)ので、固定幅W1の値を入力電圧VIN及び出力電圧VOUTの関数にしてもよい。この場合、タイミング制御回路1が、関数式を記憶する記憶部を有し関数式を用いた計算により固定幅W1の値を算出してもよく、固定幅W1の値と入力電圧VINの値と出力電圧VOUTの値との関係を示すデータテーブルを記憶する記憶部を有しデータテーブルを参照して固定幅W1の値を求めてもよい。 Fixed width W1 may be a single value, but at least if one is Kaware, the maximum on-duty of acceptable gate signal G1 and the switch voltage V SW is different (normal operation of the input voltage V IN and the output voltage V OUT Since the allowable maximum pulse width of the gate signal G1 and the switch voltage VSW is different), the value of the fixed width W1 may be a function of the input voltage VIN and the output voltage VOUT . In this case, the timing control circuit 1 may have a storage unit that stores the functional equation, and may calculate the value of the fixed width W1 by calculation using the functional equation. The value of the fixed width W1 and the value of the input voltage VIN the value of the output voltage V OUT of the reference and fixed-width data table has a storage section storing a data table indicating a relationship between the value W1 may be obtained.

なお、入力電圧VIN及び出力電圧VOUTをリアルタイムにモニタリングして、固定幅W1の値を入力電圧VIN及び出力電圧VOUTに応じて変更することは余り現実的ではなく、想定した入力電圧VIN及び出力電圧VOUTの範囲で固定幅W1の値を求めることが好ましい。 It is not practical to monitor the input voltage V IN and the output voltage V OUT in real time and change the value of the fixed width W1 according to the input voltage V IN and the output voltage V OUT. It is preferable to obtain the value of the fixed width W1 within the range of V IN and the output voltage V OUT .

例えば、上述した設定例のように出力電圧VOUTが一つの値に設定されている場合には、固定幅W1の値を入力電圧VINのみの関数にする。この場合、例えば複数設定されている固定幅W1の値の中から、入力電圧VINとして利用するバッテリ電圧の種類に適した値を選択するようにすればよい。 For example, when the output voltage VOUT is set to one value as in the setting example described above, the value of the fixed width W1 is made a function of only the input voltage VIN . In this case, for example, a value suitable for the type of battery voltage used as the input voltage VIN may be selected from a plurality of fixed width W1 values.

また例えば、タイミング制御回路1に外付けされる抵抗の抵抗値などによって出力電圧VOUTの設定値を複数の中から選択できるようになっている場合に、例えば複数設定されている固定幅W1の値の中から、出力電圧VOUTの設定値に適した値を選択するようにすればよい。 Further, for example, when a set value of the output voltage VOUT can be selected from a plurality of values by a resistance value of a resistor externally attached to the timing control circuit 1, for example, a plurality of fixed widths W1 set. A value suitable for the set value of the output voltage VOUT may be selected from the values.

NORゲート12は、ORゲート11の出力信号と、過電流検出回路8の出力信号OCとの否定論理和演算を行い、その演算結果を出力する。過電流検出回路8は、下側MOSトランジスタQ2を流れる電流が閾値を超えていると判定した場合に出力信号OCをハイレベルにし、下側MOSトランジスタQ2を流れる電流が閾値を超えていないと判定した場合に出力信号OCをローレベルにする。出力信号OCがハイレベルである期間が、過電流検出回路8によって過電流が検出されている期間となる。   The NOR gate 12 performs a negative OR operation between the output signal of the OR gate 11 and the output signal OC of the overcurrent detection circuit 8, and outputs the calculation result. The overcurrent detection circuit 8 sets the output signal OC to a high level when determining that the current flowing through the lower MOS transistor Q2 exceeds the threshold, and determines that the current flowing through the lower MOS transistor Q2 does not exceed the threshold. In this case, the output signal OC is set to low level. A period in which the output signal OC is at a high level is a period in which an overcurrent is detected by the overcurrent detection circuit 8.

Dフリップフロップ13のデータ入力端子(D)にはハイレベルの一定信号REGが供給され、Dフリップフロップ13のクロックパルス端子(CP)にはオシレータ7から出力されるセット信号SETが供給され、Dフリップフロップ13のリセット端子(R)にはNORゲート12の出力信号が供給される。Dフリップフロップ13はセット信号SETがハイレベルからローレベルに切り替わるタイミングでデータ入力端子(D)に入力されるデータ(一定信号REG)の値を保持する。Dフリップフロップ13の出力端子(Q)から出力される信号はアンプ14によって増幅されてゲート信号G1となる。   A high-level constant signal REG is supplied to the data input terminal (D) of the D flip-flop 13, and a set signal SET output from the oscillator 7 is supplied to the clock pulse terminal (CP) of the D flip-flop 13. The output signal of the NOR gate 12 is supplied to the reset terminal (R) of the flip-flop 13. The D flip-flop 13 holds the value of the data (constant signal REG) input to the data input terminal (D) at the timing when the set signal SET switches from the high level to the low level. The signal output from the output terminal (Q) of the D flip-flop 13 is amplified by the amplifier 14 and becomes the gate signal G1.

図6は、図5に示すタイミング制御回路1の動作例を示すタイミングチャートである。図6は、時間t0でスイッチング電源装置101が通常の過電流状態となり、その後通常の過電流状態が続いている場合の動作を示している。ここで、通常の過電流状態とは、スイッチング電源装置101の負荷が過負荷になることによってスイッチング電源装置101に過電流が流れる状態である。   FIG. 6 is a timing chart showing an operation example of the timing control circuit 1 shown in FIG. FIG. 6 shows an operation in the case where the switching power supply device 101 enters a normal overcurrent state at time t0 and then continues in a normal overcurrent state. Here, the normal overcurrent state is a state in which an overcurrent flows through the switching power supply device 101 when the load of the switching power supply device 101 becomes an overload.

時間t0以降は通常の過電流状態が継続して出力電圧VOUTが低下しているため、リセット信号RESETのパルスによってDフリップフロップ13が一度リセットされた以降はリセット信号RESETにパルスは発生しない。 Since the normal overcurrent state continues and the output voltage VOUT decreases after time t0, no pulse is generated in the reset signal RESET after the D flip-flop 13 is reset once by the pulse of the reset signal RESET.

過電流保護動作期間において、過電流検出回路8の出力信号OCがハイレベルであるときは、Dフリップフロップ13のリセット端子(R)にローレベルの信号が供給され続けるので、ゲート信号G1及びスイッチ電圧VSWはローレベルになる。 In the overcurrent protection operation period, when the output signal OC of the overcurrent detection circuit 8 is at a high level, a low level signal continues to be supplied to the reset terminal (R) of the D flip-flop 13, so that the gate signal G1 and the switch The voltage VSW becomes low level.

また過電流保護動作期間において、過電流検出回路8の出力信号OCがローレベルであるときは、セット信号SETの立ち下がりエッジによってDフリップフロップ13がセットされ固定幅信号FWのパルスによってDフリップフロップ13がリセットされるので、ゲート信号G1及びスイッチ電圧VSWのパルス幅が固定幅W1に固定される。 Also, during the overcurrent protection operation period, when the output signal OC of the overcurrent detection circuit 8 is at a low level, the D flip-flop 13 is set by the falling edge of the set signal SET, and the D flip-flop is driven by the pulse of the fixed width signal FW. since 13 is reset, the pulse width of the gate signal G1 and the switch voltage V SW is fixed to a fixed width W1.

したがって、過電流保護動作期間では、ゲート信号G1及びスイッチ電圧VSWのパルス幅が固定幅W1に固定されるとともにスイッチング周波数が通常動作時よりも低くなる。これにより、スイッチ電圧VSWのオンデューティを小さくすることができる。すなわち、スイッチング信号(ゲート信号G1)によって上側MOSトランジスタQ1のオン/オフ動作を制御しながら過電流保護動作が行われる。 Thus, the overcurrent protection operation period, the switching frequency is lower than during normal operation with a pulse width of the gate signal G1 and the switch voltage V SW is fixed to a fixed width W1. Thereby, the on-duty of the switch voltage VSW can be reduced. That is, the overcurrent protection operation is performed while controlling the on / off operation of the upper MOS transistor Q1 by the switching signal (gate signal G1).

なお、図6では、過電流検出回路8の出力信号OCがハイレベルである一つの連続した期間において、ゲート信号G1及びスイッチ電圧VSWのパルスが一つ間引かれているが、これはあくまで一例である。ゲート信号G1及びスイッチ電圧VSWのパルスが一つ間引かれただけでは、上側MOSトランジスタQ1を流れる電流が閾値以下にならない場合には、例えば図7に示すようなタイミングチャートのように、過電流検出回路8の出力信号OCがハイレベルである一つの連続した期間において、ゲート信号G1及びスイッチ電圧VSWのパルスが複数間引かれる。 In FIG. 6, in one continuous period, which is the output signal OC of the overcurrent detection circuit 8 is at a high level, the pulse of the gate signal G1 and the switch voltage V SW is thinned one, which is only It is an example. Only the pulse of the gate signal G1 and the switch voltage V SW is thinned one, when the current flowing through the upper MOS transistor Q1 is not lower than the threshold value, for example, as in the timing chart shown in FIG. 7, over in one continuous period output signal OC is at a high level of the current detection circuit 8, a pulse of the gate signal G1 and the switch voltage V SW is more thinned.

<過電流保護の第2実施例>
上述した通り、過電流検出回路8は、下側MOSトランジスタQ2を流れる電流が閾値を超えているか否かを判定する回路である。したがって、上述した過電流保護の第1実施例では、負荷が短絡したときに起こる過電流状態に対して過電流保護動作を行うことはできるものの、上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2の接続ノードが接地電位に短絡したときに起こる過電流状態に対して過電流保護動作を行うことができない。
<Second Example of Overcurrent Protection>
As described above, the overcurrent detection circuit 8 is a circuit that determines whether or not the current flowing through the lower MOS transistor Q2 exceeds a threshold value. Therefore, in the first embodiment of the overcurrent protection described above, the overcurrent protection operation can be performed against the overcurrent state that occurs when the load is short-circuited, but the connection between the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 is possible. An overcurrent protection operation cannot be performed against an overcurrent state that occurs when the node is short-circuited to the ground potential.

ここで、上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2の接続ノードが接地電位に短絡したときに起こる過電流状態に対して過電流保護動作を行うことができるようにするためだけに、図11に示す従来の過電流保護回路を追加することが考えられる。しかしながら、このような解決策では回路規模が大幅に大きくなってしまうため好ましくない。   Here, only in order to perform an overcurrent protection operation against an overcurrent state that occurs when the connection node of the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 is short-circuited to the ground potential, FIG. It is conceivable to add the conventional overcurrent protection circuit shown. However, such a solution is not preferable because the circuit scale is significantly increased.

そこで、過電流保護の第2実施例では、回路規模が大幅に大きくすることなく、上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2の接続ノードが接地電位に短絡したときに起こる過電流状態に対して過電流保護動作を行うことができるようにする。   Therefore, in the second embodiment of overcurrent protection, an overcurrent state that occurs when the connection node between the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 is short-circuited to the ground potential without significantly increasing the circuit scale. Enable overcurrent protection operation.

図8は、過電流保護の第2実施例に係るタイミング制御回路1の要部構成を示す図である。図8に示す構成のタイミング制御回路1は、図5に示す構成のタイミング制御回路1に連続パルス検出回路15及びシャットダウン回路16を追加した構成である。   FIG. 8 is a diagram showing a main configuration of the timing control circuit 1 according to the second embodiment of overcurrent protection. The timing control circuit 1 configured as shown in FIG. 8 has a configuration in which a continuous pulse detection circuit 15 and a shutdown circuit 16 are added to the timing control circuit 1 configured as shown in FIG.

連続パルス検出回路15は、Dフリップフロップ13の出力信号を監視して、固定幅W1のパルスが通常動作時のスイッチング周波数で連続して発生しているか否かを判定する。   The continuous pulse detection circuit 15 monitors the output signal of the D flip-flop 13 and determines whether or not a pulse having a fixed width W1 is continuously generated at the switching frequency during normal operation.

シャットダウン回路16は、連続パルス検出回路15の検出結果に応じて動作する。固定幅W1のパルスが通常動作時のスイッチング周波数で連続して発生していることが連続パルス検出回路15によって検出されると、シャットダウン回路16は、上側MOSトランジスタQ1及び下側MOSトランジスタQ2のスイッチング動作が停止して上側MOSトランジスタQ1がオフ状態になるように、タイミング制御回路1の制御動作を停止させる。なお、タイミング制御回路1の制御動作停止以外の過電流保護を行ってもよい。例えば、固定幅W1のパルスが通常動作時のスイッチング周波数で連続して発生していることが連続パルス検出回路15によって検出されると、スイッチング電源装置101と入力電圧VINの供給元(例えばバッテリ)との電気的接続を遮断してもよい。この場合も上側MOSトランジスタQ1及び下側MOSトランジスタQ2のスイッチング動作が停止して上側MOSトランジスタQ1がオフ状態になる。 The shutdown circuit 16 operates according to the detection result of the continuous pulse detection circuit 15. When the continuous pulse detection circuit 15 detects that pulses having a fixed width W1 are continuously generated at the switching frequency during normal operation, the shutdown circuit 16 switches the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2. The control operation of the timing control circuit 1 is stopped so that the operation stops and the upper MOS transistor Q1 is turned off. Note that overcurrent protection other than stopping the control operation of the timing control circuit 1 may be performed. For example, when the continuous pulse detection circuit 15 detects that pulses having a fixed width W1 are continuously generated at the switching frequency during normal operation, the switching power supply device 101 and the supply source of the input voltage VIN (for example, a battery) ) May be cut off. Also in this case, the switching operation of the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 is stopped, and the upper MOS transistor Q1 is turned off.

通常の過電流状態に対する過電流保護動作は、上述した過電流保護の第1実施例と同様であるため説明を省略する。以下、上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2の接続ノードが接地電位に短絡したときに起こる過電流状態に対する過電流保護動作について説明する。   Since the overcurrent protection operation for the normal overcurrent state is the same as that of the first embodiment of the overcurrent protection described above, the description thereof is omitted. Hereinafter, an overcurrent protection operation against an overcurrent state that occurs when the connection node between the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 is short-circuited to the ground potential will be described.

図9は、図8に示すタイミング制御回路1の動作例を示すタイミングチャートである。図9は、時間t2で上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2の接続ノードが接地電位に短絡し、当該短絡による過電流状態がその後続いている場合の動作を示している。   FIG. 9 is a timing chart showing an operation example of the timing control circuit 1 shown in FIG. FIG. 9 shows the operation when the connection node between the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 is short-circuited to the ground potential at time t2, and the overcurrent state due to the short-circuit continues thereafter.

過電流検出回路8は、下側MOSトランジスタQ2を流れる電流が閾値を超えているか否かを判定する。したがって、図9において出力信号OCはローレベルに保持される。   The overcurrent detection circuit 8 determines whether or not the current flowing through the lower MOS transistor Q2 exceeds a threshold value. Therefore, in FIG. 9, the output signal OC is held at a low level.

また、時間t1以降は上側MOSトランジスタQ1と下側MOSトランジスタQ2の接続ノードが接地電位に短絡したときに起こる過電流状態が続いているため、リセット信号RESETにパルスは発生しない。   Further, after time t1, since the overcurrent state that occurs when the connection node between the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 is short-circuited to the ground potential, no pulse is generated in the reset signal RESET.

その結果、時間t1以降にDフリップフロップ13の出力信号V13において固定幅W1のパルスが通常動作時のスイッチング周波数で2回連続して発生し、時間t2においてタイミング制御回路1の制御動作が停止する。すなわち、時間t2において上側MOSトランジスタQ1のオン/オフ動作を停止させる過電流保護動作が行われる。   As a result, a pulse having a fixed width W1 is continuously generated twice at the switching frequency in the normal operation in the output signal V13 of the D flip-flop 13 after time t1, and the control operation of the timing control circuit 1 is stopped at time t2. . That is, an overcurrent protection operation for stopping the on / off operation of the upper MOS transistor Q1 is performed at time t2.

なお、上述した実施例では、固定幅W1のパルスが通常動作時のスイッチング周波数で連続して発生したことを検出した場合に、スイッチング信号(ゲート信号G1)のデューティ比が正常な変調範囲外である過電流状態であると判断しているが、より一般化して、固定幅W1のパルスが通常動作時のスイッチング周期(スイッチング周波数の逆数)がm周期以内でn回(ただしnはm以下の自然数)以上発生していることを検出した場合に、スイッチング信号(ゲート信号G1)のデューティ比が正常な変調範囲外である過電流状態であると判断してもよい。m及びnの各値を適切に設定し、スイッチング信号(ゲート信号G1)のデューティ比が正常な変調範囲内である過電流状態を、スイッチング信号(ゲート信号G1)のデューティ比が正常な変調範囲外である過電流状態であると誤検出しないようにすればよい。固定幅W1のパルスが通常動作時のスイッチング周期(スイッチング周波数の逆数)がm周期以内でn回(ただしnはm以下の自然数)以上発生していることを検出することは、スイッチング信号(ゲート信号G1)のデューティ比の異常値を検出していることに他ならない。   In the above-described embodiment, when it is detected that pulses having a fixed width W1 are continuously generated at the switching frequency during normal operation, the duty ratio of the switching signal (gate signal G1) is outside the normal modulation range. Although it is determined that it is in an overcurrent state, it is more generalized that a pulse with a fixed width W1 has a switching cycle (reciprocal of switching frequency) in normal operation n times within m cycles (where n is less than or equal to m) When it is detected that a natural number) or more has occurred, it may be determined that the overcurrent state in which the duty ratio of the switching signal (gate signal G1) is outside the normal modulation range. Each value of m and n is set appropriately, an overcurrent state where the duty ratio of the switching signal (gate signal G1) is within the normal modulation range, and a modulation range where the duty ratio of the switching signal (gate signal G1) is normal What is necessary is just to avoid misdetecting that it is the overcurrent state which is outside. It is possible to detect that a pulse having a fixed width W1 is generated n times (where n is a natural number less than or equal to m) within m cycles during normal operation. This is nothing but detecting an abnormal value of the duty ratio of the signal G1).

<他の全体構成>
図15は、電圧モード制御型スイッチング電源装置(電圧モード制御型スイッチングレギュレータ)の全体構成例を示す図である。なお、図15において図1及び図8と同一の部分には同一の符号を付し、詳細な説明を適宜省略する。本構成例のスイッチング電源装置102は、入力電圧を降圧する降圧動作を行う電圧モード制御型スイッチング電源装置であって、タイミング制御回路1と、上側MOSトランジスタQ1と、下側MOSトランジスタQ2と、インダクタL1と、出力コンデンサC1と、分圧抵抗R1及びR2と、エラーアンプ2と、基準電圧源3と、コンパレータ6と、オシレータ7と、ランプ回路9と、異常検出回路10と、アンプ14と、シャットダウン回路16と、を備える。
<Other overall configuration>
FIG. 15 is a diagram illustrating an overall configuration example of a voltage mode control type switching power supply device (voltage mode control type switching regulator). In FIG. 15, the same parts as those in FIGS. 1 and 8 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted as appropriate. The switching power supply 102 of this configuration example is a voltage mode control type switching power supply that performs a step-down operation for stepping down an input voltage, and includes a timing control circuit 1, an upper MOS transistor Q1, a lower MOS transistor Q2, and an inductor. L1, an output capacitor C1, voltage dividing resistors R1 and R2, an error amplifier 2, a reference voltage source 3, a comparator 6, an oscillator 7, a ramp circuit 9, an abnormality detection circuit 10, an amplifier 14, And a shutdown circuit 16.

タイミング制御回路1と上側MOSトランジスタQ1のゲートとの間にはドライバとして機能するアンプ14が設けられている。タイミング制御回路1から出力されるタイミング制御信号はアンプ14によって増幅され、スイッチング信号(ゲート信号G1)となって上側MOSトランジスタQ1のゲートに供給される。図示していないが、タイミング制御回路1と下側MOSトランジスタQ2のゲートとの間にも同様にドライバが設けられている。なお、図1に示すスイッチング電源装置101についても同様のドライバを設けるとよい。   An amplifier 14 that functions as a driver is provided between the timing control circuit 1 and the gate of the upper MOS transistor Q1. The timing control signal output from the timing control circuit 1 is amplified by the amplifier 14 and is supplied to the gate of the upper MOS transistor Q1 as a switching signal (gate signal G1). Although not shown, a driver is similarly provided between the timing control circuit 1 and the gate of the lower MOS transistor Q2. A similar driver may be provided for the switching power supply apparatus 101 shown in FIG.

ランプ回路9は、入力電圧VINに応じた傾きのランプ電圧を生成して出力する。コンパレータ6は、ランプ回路9から出力されるランプ電圧と誤差信号VERRを比較して比較信号であるリセット信号RESETを生成する。ランプ回路9は、入力電圧VINが変動した場合にランプ電圧の傾きをフィードフォワード制御して誤差信号VERRの変動を抑えている。 The ramp circuit 9 generates and outputs a ramp voltage having a slope corresponding to the input voltage VIN . The comparator 6 compares the lamp voltage and the error signal V ERR output from the ramp circuit 9 generates a reset signal RESET is compared signals. The ramp circuit 9 suppresses fluctuations in the error signal V ERR by feedforward control of the slope of the ramp voltage when the input voltage VIN fluctuates.

異常検出回路10は、タイミング制御回路1からアンプ14に出力されるタイミング制御信号のデューティ比を監視し、タイミング制御信号のデューティ比(オンデューティ)が所定値を超えている場合に、スイッチング信号(ゲート信号G1)のデューティ比が正常な変調範囲外である異常状態であると判断する。   The abnormality detection circuit 10 monitors the duty ratio of the timing control signal output from the timing control circuit 1 to the amplifier 14, and when the duty ratio (on duty) of the timing control signal exceeds a predetermined value, the switching signal ( It is determined that the abnormal state where the duty ratio of the gate signal G1) is outside the normal modulation range.

シャットダウン回路16は、異常検出回路10の判断結果に応じて動作する。スイッチング信号(ゲート信号G1)のデューティ比が正常な変調範囲外である異常状態であると異常検出回路10によって判断された場合、シャットダウン回路16は、上側MOSトランジスタQ1及び下側MOSトランジスタQ2のスイッチング動作が停止するように、タイミング制御回路1の制御動作を停止させる。なお、タイミング制御回路1の制御動作停止以外の異常保護を行ってもよい。例えば、スイッチング信号(ゲート信号G1)のデューティ比が正常な変調範囲外である異常状態であると異常検出回路10によって判断された場合に、スイッチング電源装置102と入力電圧VINの供給元(例えばバッテリ)との電気的接続を遮断してもよい。この場合も上側MOSトランジスタQ1及び下側MOSトランジスタQ2のスイッチング動作が停止する。 The shutdown circuit 16 operates according to the determination result of the abnormality detection circuit 10. When the abnormality detection circuit 10 determines that the duty ratio of the switching signal (gate signal G1) is outside the normal modulation range, the shutdown circuit 16 switches the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2. The control operation of the timing control circuit 1 is stopped so that the operation stops. Note that abnormality protection other than the stop of the control operation of the timing control circuit 1 may be performed. For example, when the abnormality detection circuit 10 determines that the duty ratio of the switching signal (gate signal G1) is outside the normal modulation range, the switching power supply device 102 and the supply source of the input voltage VIN (for example, The electrical connection with the battery may be cut off. Also in this case, the switching operation of the upper MOS transistor Q1 and the lower MOS transistor Q2 is stopped.

なお、スイッチング電源装置102では異常検出回路10がタイミング制御回路1からアンプ14に出力されるタイミング制御信号のデューティ比を監視したが、図16に示すスイッチング電源装置103のように異常検出回路10がスイッチング信号(ゲート信号G1)のデューティ比を監視してもよく、図17に示すスイッチング電源装置104のように異常検出回路10が誤差信号VERRの値を監視してもよい。誤差信号VERRはスイッチング信号(ゲート信号G1)を生成するために用いられる制御信号であって、誤差信号VERRの値とスイッチング信号(ゲート信号G1)のデューティ比とには相関があるため、タイミング制御信号或いはスイッチング信号(ゲート信号G1)のデューティ比の代わりに誤差信号VERRの値を監視しても同様の異常保護を実現することができる。 In the switching power supply 102, the abnormality detection circuit 10 monitors the duty ratio of the timing control signal output from the timing control circuit 1 to the amplifier 14. However, the abnormality detection circuit 10 does not operate as in the switching power supply 103 shown in FIG. The duty ratio of the switching signal (gate signal G1) may be monitored, and the abnormality detection circuit 10 may monitor the value of the error signal V ERR as in the switching power supply device 104 shown in FIG. The error signal V ERR is a control signal used to generate the switching signal (gate signal G1), and since the value of the error signal V ERR and the duty ratio of the switching signal (gate signal G1) are correlated, Similar abnormality protection can be realized by monitoring the value of the error signal V ERR instead of the duty ratio of the timing control signal or the switching signal (gate signal G1).

<用途>
次に、先に説明したスイッチング電源装置101〜104の用途例について説明する。図10は、車載機器を搭載した車両の一構成例を示す外観図である。本構成例の車両Xは、車載機器X11〜X17と、これらの車載機器X11〜X17に電力を供給するバッテリ(不図示)と、を搭載している。
<Application>
Next, application examples of the switching power supply devices 101 to 104 described above will be described. FIG. 10 is an external view showing a configuration example of a vehicle equipped with an in-vehicle device. The vehicle X of this configuration example includes onboard devices X11 to X17 and a battery (not shown) that supplies power to these onboard devices X11 to X17.

車載機器X11は、エンジンに関連する制御(インジェクション制御、電子スロットル制御、アイドリング制御、酸素センサヒータ制御、及び、オートクルーズ制御など)を行うエンジンコントロールユニットである。   The in-vehicle device X11 is an engine control unit that performs control related to the engine (such as injection control, electronic throttle control, idling control, oxygen sensor heater control, and auto cruise control).

車載機器X12は、HID[high intensity discharged lamp]やDRL[daytime running lamp]などの点消灯制御を行うランプコントロールユニットである。   The in-vehicle device X12 is a lamp control unit that performs on / off control such as HID [high intensity discharged lamp] and DRL [daytime running lamp].

車載機器X13は、トランスミッションに関連する制御を行うトランスミッションコントロールユニットである。   The in-vehicle device X13 is a transmission control unit that performs control related to the transmission.

車載機器X14は、車両Xの運動に関連する制御(ABS[anti-lock brake system]制御、EPS[electric power Steering]制御、電子サスペンション制御など)を行うボディコントロールユニットである。   The in-vehicle device X14 is a body control unit that performs control (ABS [anti-lock brake system] control, EPS [electric power Steering] control, electronic suspension control, etc.) related to the motion of the vehicle X.

車載機器X15は、ドアロックや防犯アラームなどの駆動制御を行うセキュリティコントロールユニットである。   The in-vehicle device X15 is a security control unit that performs drive control such as a door lock and a security alarm.

車載機器X16は、ワイパー、電動ドアミラー、パワーウィンドウ、電動サンルーフ、電動シート、及び、エアコンなど、標準装備品やメーカーオプション品として、工場出荷段階で車両Xに組み込まれている電子機器である。   The in-vehicle device X16 is an electronic device incorporated in the vehicle X at the factory shipment stage as a standard equipment item or a manufacturer option product such as a wiper, an electric door mirror, a power window, an electric sunroof, an electric seat, and an air conditioner.

車載機器X17は、車載A/V[audio/visual]機器、カーナビゲーションシステム、及び、ETC[Electronic Toll Collection System]など、ユーザの任意で車両Xに装着される電子機器である。   The in-vehicle device X17 is an electronic device that is arbitrarily attached to the vehicle X by the user, such as an in-vehicle A / V [audio / visual] device, a car navigation system, and an ETC [Electronic Toll Collection System].

なお、先に説明したスイッチング電源装置101〜104は、車載機器X11〜X17のいずれにも組み込むことが可能である。   In addition, the switching power supply devices 101 to 104 described above can be incorporated in any of the in-vehicle devices X11 to X17.

<その他の変形例>
なお、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
<Other variations>
The configuration of the present invention can be variously modified in addition to the above-described embodiment without departing from the gist of the invention.

例えば、上記実施形態では、降圧型スイッチングレギュレータを例に挙げて説明を行ったが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、スイッチングレギュレータ全般に適用することも可能である。   For example, in the above embodiment, the step-down switching regulator has been described as an example. However, the application target of the present invention is not limited to this, and can be applied to all switching regulators.

このように、上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。   As described above, the above embodiments are examples in all respects and should not be considered to be restrictive, and the technical scope of the present invention is not the description of the above embodiments, but the claims. It is to be understood that all changes that come within the scope of the claims, are equivalent in meaning to the claims, and fall within the scope of the claims.

本発明は、あらゆる分野(家電分野、自動車分野、産業機械分野など)で用いられるスイッチングレギュレータに利用することが可能である。   The present invention can be used for a switching regulator used in all fields (such as home appliance field, automobile field, and industrial machine field).

1 タイミング制御回路
2 エラーアンプ
3 基準電圧源
4 電流検出回路
5 スロープ回路
6 コンパレータ
7 オシレータ
8 過電流検出回路
9 ランプ回路
10 異常検出回路
11 ORゲート
12 NORゲート
13 Dフリップフロップ
14 アンプ
15 連続パルス検出回路
16 シャットダウン回路
101〜104 スイッチング電源装置
C1 出力コンデンサ
C2、C3 コンデンサ
CS1 電流源
CS2 定電流源
L1 インダクタ
Q1 上側MOSトランジスタ
Q2 下側MOSトランジスタ
Q3〜Q10 トランジスタ
R1、R2 分圧抵抗
R3〜R6 抵抗
S1〜S4 スイッチ
X 車両
X11〜X17 車載機器
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Timing control circuit 2 Error amplifier 3 Reference voltage source 4 Current detection circuit 5 Slope circuit 6 Comparator 7 Oscillator 8 Overcurrent detection circuit 9 Ramp circuit 10 Abnormality detection circuit 11 OR gate 12 NOR gate 13 D flip-flop 14 Amplifier 15 Continuous pulse detection Circuit 16 Shutdown circuit 101-104 Switching power supply C1 Output capacitor C2, C3 Capacitor CS1 Current source CS2 Constant current source L1 Inductor Q1 Upper MOS transistor Q2 Lower MOS transistor Q3-Q10 Transistors R1, R2 Voltage dividing resistor R3-R6 Resistor S1 -S4 switch X vehicle X11-X17 in-vehicle equipment

Claims (12)

入力電圧をスイッチング素子のスイッチングによって出力電圧に変換するスイッチングレギュレータに用いられ、前記スイッチング素子のオン/オフ動作を制御するためのスイッチング信号を生成するスイッチングレギュレータ制御回路であって、
前記スイッチング信号のデューティ比、又は、前記スイッチング信号を生成するために用いられる制御信号が有する前記デューティ比と相関のある変数に基づいて、前記デューティ比が正常な変調範囲外である異常状態を検出する異常状態検出部と、
前記異常状態が前記異常状態検出部によって検出されると、前記スイッチング素子のスイッチングを停止させる異常保護部と、
を備えることを特徴とするスイッチングレギュレータ制御回路。
A switching regulator control circuit for generating a switching signal for controlling an on / off operation of the switching element, which is used in a switching regulator that converts an input voltage into an output voltage by switching of the switching element;
Based on the duty ratio of the switching signal or a variable correlated with the duty ratio of the control signal used to generate the switching signal, an abnormal state in which the duty ratio is outside the normal modulation range is detected. An abnormal state detector to perform,
When the abnormal state is detected by the abnormal state detection unit, an abnormality protection unit that stops switching of the switching element;
A switching regulator control circuit comprising:
前記デューティ比が正常な変調範囲とは、前記スイッチングレギュレータ制御回路を有するスイッチングレギュレータの動作時において想定されうる外乱に対する応答として表れる前記デューティ比の変調範囲を示している請求項1に記載のスイッチングレギュレータ制御回路。   2. The switching regulator according to claim 1, wherein the modulation range in which the duty ratio is normal indicates a modulation range of the duty ratio that appears as a response to a disturbance that can be assumed during operation of the switching regulator having the switching regulator control circuit. Control circuit. 前記異常保護部は、前記スイッチング信号のパルス幅、前記パルス幅と相関のある電圧、又は前記パルス幅と相関のある電流を検出し、その検出結果に基づいて前記異常状態を検出する請求項1又は請求項2に記載のスイッチングレギュレータ制御回路。   2. The abnormality protection unit detects a pulse width of the switching signal, a voltage correlated with the pulse width, or a current correlated with the pulse width, and detects the abnormal state based on the detection result. Or the switching regulator control circuit of Claim 2. 前記パルス幅の上限が固定幅に制限されており、
前記異常検出部は、前記スイッチング信号に前記固定幅のパルスが通常動作時のスイッチング周期がm周期以内でn回(ただしnはm以下の自然数)以上発生している場合に、前記異常状態を検出する請求項1〜3のいずれか一項に記載のスイッチングレギュレータ制御回路。
The upper limit of the pulse width is limited to a fixed width,
The abnormality detection unit detects the abnormal state when the switching period of the fixed-width pulse in the switching signal is generated n times (where n is a natural number of m or less) within m cycles during normal operation. The switching regulator control circuit as described in any one of Claims 1-3 detected.
前記固定幅の値が複数設定されており、複数設定の中から任意に選択することができる請求項4に記載のスイッチングレギュレータ制御回路。   The switching regulator control circuit according to claim 4, wherein a plurality of values of the fixed width are set, and can be arbitrarily selected from the plurality of settings. 前記固定幅の値が、前記スイッチングレギュレータ制御回路を有するスイッチングレギュレータの入力電圧及び出力電圧の少なくとも一つの関数である請求項4又は請求項5に記載のスイッチングレギュレータ制御回路。   6. The switching regulator control circuit according to claim 4, wherein the value of the fixed width is at least one function of an input voltage and an output voltage of a switching regulator having the switching regulator control circuit. 第1端が入力電圧の印加される第1印加端に接続された第1スイッチと、
第1端が前記第1スイッチの第2端に接続されて第2端が前記入力電圧よりも低い電圧の印加される第2印加端に接続された第2スイッチと、
前記第2スイッチを流れる電流を検出する電流検出部と、
前記第2スイッチを流れる過電流を検出する過電流検出部と、
前記電流検出部によって検出された電流に応じて前記第1スイッチ及び前記第2スイッチを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記第1スイッチがオフ状態である間の所定期間に前記電流検出部によって検出された電流の情報を蓄積して、蓄積された電流の情報に基づいたスロープ電圧を生成するスロープ電圧生成部を有し、前記スロープ電圧に応じて前記第1スイッチ及び前記第2スイッチを制御し、
前記スロープ電圧に応じて前記第1スイッチ及び前記第2スイッチを制御したままでは前記第1スイッチ及び前記第2スイッチのオン/オフ動作を制御するためのスイッチング信号に発生するパルスのパルス幅が固定幅を超える場合には、前記スイッチング信号に発生するパルスのパルス幅を前記固定幅に制限し、
前記過電流検出部によって過電流が検出されている期間中は前記スイッチング信号にパルスを発生させないようにし、前記スイッチング信号に前記固定幅のパルスが通常動作時のスイッチング周波数で連続して発生している場合に前記第1スイッチのオン/オフ動作を停止させ前記第1スイッチをオフ状態にすることを特徴とする電流モード制御型スイッチング電源装置。
A first switch having a first end connected to a first application end to which an input voltage is applied;
A second switch having a first end connected to a second end of the first switch and a second end connected to a second application end to which a voltage lower than the input voltage is applied;
A current detector for detecting a current flowing through the second switch;
An overcurrent detector for detecting an overcurrent flowing through the second switch;
A control unit for controlling the first switch and the second switch according to the current detected by the current detection unit;
With
The control unit accumulates current information detected by the current detection unit during a predetermined period while the first switch is in an off state, and generates a slope voltage based on the accumulated current information. A voltage generation unit, controlling the first switch and the second switch according to the slope voltage;
If the first switch and the second switch are controlled according to the slope voltage, the pulse width of the pulse generated in the switching signal for controlling the on / off operation of the first switch and the second switch is fixed. When exceeding the width, the pulse width of the pulse generated in the switching signal is limited to the fixed width,
During the period when the overcurrent is detected by the overcurrent detection unit, a pulse is not generated in the switching signal, and the fixed-width pulse is continuously generated in the switching signal at a switching frequency during normal operation. A current mode control type switching power supply, wherein the first switch is turned off by stopping the on / off operation of the first switch.
前記制御部は、
前記電流モード制御型スイッチング電源装置の出力電圧に応じた電圧と基準電圧との差分に応じた誤差信号を生成するエラーアンプと、
前記スロープ電圧と前記誤差信号を比較して比較信号であるリセット信号を生成するコンパレータと、
所定周波数のクロック信号であるセット信号を生成するオシレータと、
前記セット信号と前記リセット信号に応じて前記第1スイッチのオン/オフ及び前記第2スイッチのオン/オフを制御するタイミング制御回路と、
を有する請求項7に記載の電流モード制御型スイッチング電源装置。
The controller is
An error amplifier that generates an error signal according to a difference between a voltage according to an output voltage of the current mode control type switching power supply device and a reference voltage;
A comparator that compares the slope voltage with the error signal to generate a reset signal that is a comparison signal;
An oscillator that generates a set signal that is a clock signal of a predetermined frequency;
A timing control circuit for controlling on / off of the first switch and on / off of the second switch according to the set signal and the reset signal;
The current mode control type switching power supply device according to claim 7.
前記固定幅の値は、前記入力電圧及び前記電流モード制御型スイッチング電源装置の出力電圧の関数である請求項7または請求項8に記載の電流モード制御型スイッチング電源装置。   The current mode control type switching power supply device according to claim 7 or 8, wherein the value of the fixed width is a function of the input voltage and an output voltage of the current mode control type switching power supply device. 前記第2スイッチがMOSトランジスタであって、
前記電流検出部が前記MOSトランジスタのオン抵抗の両端電圧を用いて前記第2スイッチを流れる電流を検出し、
前記過電流検出部が前記MOSトランジスタのオン抵抗の両端電圧を用いて前記第2スイッチを流れる過電流を検出する請求項7〜請求項9のいずれか一項に記載の電流モード制御型スイッチング電源装置。
The second switch is a MOS transistor;
The current detection unit detects a current flowing through the second switch using a voltage across the on-resistance of the MOS transistor;
10. The current mode control type switching power supply according to claim 7, wherein the overcurrent detection unit detects an overcurrent flowing through the second switch using a voltage across the ON resistance of the MOS transistor. 11. apparatus.
請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載のスイッチングレギュレータ制御回路と、前記スイッチングレギュレータ制御回路から出力されるスイッチング信号によってオン/オフ制御されるスイッチング素子と、を備えるスイッチングレギュレータ、又は、
請求項7〜請求項10のいずれか一項に記載の電流モード制御型スイッチング電源装置
を備えることを特徴とする車載機器。
A switching regulator comprising: the switching regulator control circuit according to any one of claims 1 to 6; and a switching element that is on / off controlled by a switching signal output from the switching regulator control circuit, or
An in-vehicle device comprising the current mode control type switching power supply device according to any one of claims 7 to 10.
請求項11に記載の車載機器と、
前記車載機器に電力を供給するバッテリと、
を備えることを特徴とする車両。
In-vehicle device according to claim 11,
A battery for supplying power to the in-vehicle device;
A vehicle comprising:
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019062689A (en) * 2017-09-27 2019-04-18 富士通株式会社 Power supply device and power supply management program
JP2020017891A (en) * 2018-07-26 2020-01-30 ローム株式会社 Pulse control device
CN114096857A (en) * 2019-07-17 2022-02-25 大陆泰密克微电子有限责任公司 Apparatus and method for measuring current flowing through PWM controlled inductive load

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019062689A (en) * 2017-09-27 2019-04-18 富士通株式会社 Power supply device and power supply management program
JP2020017891A (en) * 2018-07-26 2020-01-30 ローム株式会社 Pulse control device
JP7157581B2 (en) 2018-07-26 2022-10-20 ローム株式会社 pulse controller
CN114096857A (en) * 2019-07-17 2022-02-25 大陆泰密克微电子有限责任公司 Apparatus and method for measuring current flowing through PWM controlled inductive load
JP2022540923A (en) * 2019-07-17 2022-09-20 コンティ テミック マイクロエレクトロニック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Apparatus and method for measuring current flowing through PWM controlled inductive load
JP7242960B2 (en) 2019-07-17 2023-03-20 コンティ テミック マイクロエレクトロニック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Apparatus and method for measuring current flowing through PWM controlled inductive load

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